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INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E

TECNOLOGIA DO AMAZONAS.
CAMPUS MANAUS – DISTRITO INDUSTRIAL.

PRÁTICAS DE ELETRÔNICA II

Anastacia Vilar Macedo


Júlia Rodrigues
Kathlen Oliveira Crisóstomo
Talita Mendes Santos

Manaus
2019
INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E
TECNOLOGIA DO AMAZONAS.
CAMPUS MANAUS – DISTRITO INDUSTRIAL.

Anastacia Vilar Macedo


Júlia Rodrigues
Kathlen Oliveira Crisóstomo
Talita Mendes Santos

RELATÓRIO

Relatório das aulas práticas apresentado como


requisito de avaliação na 3ª etapa da disciplina
de Práticas de Eletrônica II do Curso
Eletrônica, turma EIEL 31 “A”, do Instituto de
Educação, Ciência e Tecnologia do Amazonas,
Campus Manaus – Distrito Industrial,

Manaus
2019
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Sumário

Introdução. .............................................................................................................................................. 4

Transistor Unijunção (UJT) ................................................................................................................ 5


Oscilador de Relaxação ....................................................................................................................... 6
Materiais Necessários.......................................................................................................................... 7
Elaboração do Layout para PCI .......................................................................................................... 8
Conclusão...........................................................................................................................10
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Introdução

O transistor de Unijunção, UJT ou TUJ é um semicondutor com finalidade de simplificar os


circuitos de controle que usam pulsos, tais como: osciladores, temporizadores, estabilizadores,
geradores de sinais, controle de fase e fontes chaveadas. Como o nome indica, ele possui apenas
uma junção PN, sendo construído com uma barra de silício fracamente dopada, de material N,
cujas duas extremidades são chamadas de base 1 (B1) e base 2 (B2). No meio desta barra é
inserida uma zona P fortemente dopada, onde é ligado o emissor.

Abaixo ilustramos a estrutura interna, seu símbolo esquemático e o circuito equivalente do UJT.

Figura 1.Estrutura interna, Simbologia e Circuito equivalente do UJT.

Como entre B1 e B2 temos apenas uma barra de semicondutor, podemos dizer que temos ali
uma resistência ôhmica, que varia na prática entre 4K e 10KΩ. Isto vale para quando o emissor
estiver aberto. Esta resistência é chamada de Rbb ou resistência interbase, que corresponde a:
Rbb = Rb1 + Rb2
Ao aplicarmos uma tensão entre B1 e B2 teremos um divisor de tensão com RB1 e RB2
calculado por:
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Transistor Unijunção (UJT)


Parâmetros do UJT.
– IP: corrente no início do disparo
– IV: corrente de vale.
– η: razão intrínseca de disparo
– RBB0: resistência entre bases.
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Oscilador de Relaxação

-Principal aplicação do UJT.


-Operação na região de resistência negativa.
-Circuito base para disparo de transistores.

– RB2 dá estabilidade térmica ao UJT


– Normalmente RB2 e RB1 são pequenos, comparados com Rb1 e Rb2.
– No corte:
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Etapa 1

– Inicialmente o capacitor está descarregado e o diodo cortado.


– O capacitor se carrega por meio do resistor R e sua tensão tende a vBB.
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Etapa 2
– Antes da tensão no capacitor chegar a vBB, o limiar vP é atingido e o UJT entra em condução.

Etapa 3
– O capacitor começa a ser descarregado por meio do diodo.
– Com a condução do diodo, a resistência Rb1 fica muito pequena (como a resistência interna
de um diodo).
– A descarga é rápida pois RB1 é pequeno.
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Etapa 4

– Quando a tensão no capacitor atinge o limiar de vale vV, o UJT corta.


– O capacitor volta a se carregar por meio do resistor R.
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Conclusão

– O circuito gera um sinal pulsante.


– No ponto vRB1, haverão pulsos estreitos de tensão apenas nos momentos em que o UJT
conduz (descarga do capacitor).
– Os pulsos em vRB1 podem ser utilizados para disparo de um transistor.

O período de oscilação é dado por:


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