Laboratorio N° 03: USO Y MANEJO DEL MULTÍMETRO,
OSCILOSCOPIO, CURVAS DE DIODOS
Paul Jhefry Huamán Guia
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú
phuamang@uni.pe
I. Objetivo
 Conocer las características técnicas y los
requerimientos de uso del transistor.
 Adquirir destreza en el uso de los equipos y
la obtención de las curvas características del
transistor Bipolar.
 Adquirir destreza en el manejo de los
manuales y obtención de los data sheet de los
dispositivos a usar de Internet y los equipos
de medición.
 Determinar las operaciones de corte y
saturación de los transistores.
 Identificar las rectas de carga y punto de
operación.
 Adquirir destreza en el manejo de los
equipos y el ensamble de los circuitos.
 Afianzar el trabajo en equipo asumiendo
responsabilidades en el desarrollo de la
experiencia.
II. Teoría
INTRODUCCIÓN
El transistor bipolar es un dispositivo que posee
tres capas semiconductoras con sus respectivos
contactos llamados; colector (C), base (B) y emisor
(E). La palabra bipolar se deriva del hecho que
internamente existe una doble circulación de
corriente: electrones y lagunas o agujeros.
CLASIFICACIÓN DE LOS TRANSISTORES
BIPOLARES
1.- Por la disposición de sus capas: Transistores
PNP y NPN
2.- Por el material semiconductor empleado:
Transistores de Silicio y de Germanio
3.- Por la disipación de Potencia: Transistores de
baja potencia, de mediana potencia y de alta
potencia
4.- Por la frecuencia de trabajo: Transistores de
baja frecuencia y Transistores de alta frecuencia
POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES
BIPOLARES
Para que un transistor bipolar funcione
adecuadamente, es necesario polarizarlo
correctamente. Para ellos se debe cumplir que:
La juntura BASE - EMISOR este polarizado
directamente, y
La juntura COLECTOR – BASE este polarizado
inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener
un voltaje positivo con respecto al emisor y el
colector debe tener un voltaje también positivo
pero, mayor que el de la base. En el caso de un
transistor PNP debe ocurrir lo contrario.
CODIFICACIÓN DE LOS TRANSISTORES
BIPOLARES
Los transistores tienen un código de identificación
que en algunos casos especifica la función que
cumple y en otros casos indica su fabricación. Pese
a la diversidad de transistores, se distinguen tres
grandes grupos: Europeos, Japoneses y
Americanos.
CODIFICACIÓN EUROPEA
Primera letra:
A : Germanio
 B : Silicio G : Tiristor tipo NPNP
Segunda Letra: Cuarto
A : Diodo (excepto los diodos túnel) Número de serie : comienza a partir del número 11
B : Transistor de baja potencia Quinto Indica un transistor mejor que el anterior
D : Transistor de baja frecuencia y de potencia Ejemplo:
E : Diodo túnel de potencia
F : Transistor de alta frecuencia
L : Transistor de alta frecuencia y potencia
P : Foto – semiconductor
S : Transistor para conmutación Es un transistor PNP de RF con mejores
características técnicas que el 2SA186.
U : Transistor para conmutación y de potencia
CODIFICACIÓN AMERICANA
Y : Diodos de potencia
Anteriormente los transistores americanos
Z : Diodo Zener empezaban su codificación con el prefijo 2N y a
Número de serie continuación un número que indicaba la serie de
fabricación. Ejemplo 2N3055, 2N2924 (manuales
100 – 999 : Para equipos domésticos tales como del laboratorio).
radio, TV, amplificadores, grabadoras, etc.
Actualmente, cada fábrica le antepone su propio
10 – 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones prefijo, así se tiene por ejemplo : TI1411, ECG128,
especiales. etc. que corresponden respectivamente a TEXAS
Ejemplo: AD149, es un transistor de potencia, de INSTRUMENTS Y SYLVANIA.
germanio y sus aplicaciones son de baja frecuencia.
III. Desarrollo de la experiencia
CODIFICACIÓN JAPONESA
Primero Materiales:
 01 transistor NPN 2N2222 ó 2N3904
0 (cero): Foto transistor o fotodiodo  01 protoboard
1: Diodos  01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W
 02 Fuente DC; puntas de prueba
2: Transistor  01 protoboard y cables conectores
Segundo  01 multímetro
 Resistencias:10KΩ;15KΩ;56KΩ;22KΩ;18
S : Semiconductor 0KΩ; 3.3KΩ;6.2KΩ;10KΩ;47KΩ
,510KΩ;2KΩ de 1W
Tercero  01 Potenciómetro lineal de 50KΩ y 500 KΩ
A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia) 0.5W
 01 Generador de funciones
B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)  02 transistores BJT iguales BC548A
C : Transistor NPN de RF  02 Diodos LED
 01 Osciloscopio, puntas de prueba
D : Transistor NPN de AF  01 amperímetro analógico
F : Tiristor tipo PNPN
Procedimiento:
5.1 POLARIZACIÓN- CURVAS DEL
TRANSISTOR

A) Mida las resistencias y los potenciómetros

con el multímetro y anote los valores.
B) Determine los terminales del transistor con
el multímetro o use los manuales e imprima
EL Data Sheet obtenida en Internet (Nota: si
el multímetro tiene probador de transistores
úselo)
C) Arme el siguiente circuito: Tenga cuidado de
colocar correctamente los terminales del
transistor. 50K DC = 12V 10k E 100K 500k
C B IC IB Figura 1 Nota: En la figura la
resistencia de 100k reemplazar por una
resistencia de 100 Ω
D) Si usa un transistor equivalente busque en el
datasheet sus características y modifique si
es necesario el voltaje de entrada.
E) Verifique las conexiones con el multímetro,
ajuste la fuente a 12 VDC y conéctela al
circuito.
F) La corriente de base (𝐼𝐵 ) obtenida en el
informe previo, la puede ajustar con el
potenciómetro de 500 KΩ. La corriente de
base (𝐼𝐵 ) la puede medir indirectamente con
la tensión en la resistencia de 10KΩ. La
tensión de colector-emisor (𝑉𝐶𝐸 ) la puede
ajustar con el potenciómetro de 50KΩ. La
corriente de colector (𝐼𝐶 ) la puede medir
indirectamente con la tensión en la
resistencia de 100 Ω si solo cuenta con un
amperímetro.
G) Para determinar las curvas 𝐼𝐶 vs 𝑉𝐶𝐸 , ajuste
y mantenga 𝐼𝐵 en 40µA.
H) Ajuste y mantenga 𝐼𝐵 en 80µA y llene la
siguiente tabla, para obtener la curva 𝐼𝐶 vs
𝐼𝐵 .
𝐼
I) Obtener las Curvas 𝐼𝐶 vs 𝐼𝐵 : ( 𝛽 = 𝐼 𝐶 ) , β
𝐵
vs 𝐼𝐶 Mantenga 𝑉𝐶𝐸 = 5V.
J) Obtener las curvas 𝐼𝐵 vs 𝑉𝐵𝐸 . Mantenga
𝑉𝐶𝐸 = 5V.

Ejemplo:
 Las resistencias a utilizar son:
 100Ω = marron, negro, marron ≡
(10)*10ohm
 1kΩ=1000Ω=marron,negro, rojo ≡
(10)*100ohm
 5KΩ=verde,negro,rojo=(50)*100ohm.
 8KΩ=girs,negro,rojo=(80)*100ohm
 10kΩ=marron,negro,naranja=(10)*1000oh
m.
 12kΩ=marron,rojo,naranja=(12)*1000ohm.
 15kΩ=marron,verde,naranja=(15)*1000oh
m.
 20kΩ=rojo,negro,naranja=(20)*1000ohm.
 30KΩ=naranja,negro,naranja=(30)*1000oh
m.
 50kΩ=verde,negro,naranaja=(50)*1000ohm
.

IV. Respuesta a Preguntas B. Describa los cables que viene incluidos con
el osciloscopio, para que se usa la
A. Indicar los códigos de colores de las
atenuación x10?
resistencias que se van a usar en esta
experiencia. La punta atenuada se usa basicamenten para
evitar el efecto capacitivo de los cable cuando
Las resistencias son reconocidas por las bandas de se pasa altas frecuencia por el, este efecto
colores, una muestra en general es. puede que los datos toamdos en la experiencia
no sean los datos reales, además la atenuación
TABLA 1
se usa tambien como un filtro pasabajos con
CÓDIGO DE COLORES DE LA
RESISTENCIA una frecuencia de corte del orden de los 2kHz
aprox. Si se quiere evitar este efecto se conecta
un capacitor, ademas la atenucación x10
tambien se usa como un circuito contrador o de
proteción del osciloscopio para determinadas
frecuencias y corrientes.
Los cables tambien son llamados puntas de prueba,
y estas son:
1) Las puntas directas:Conectan directamente
al circuito, no ofrece ningun tipo de
protección y a medida que la frecuencia
aumenta el efecto capacitivo del cable afecta
las mediciones a realizar.
 D. Determinar las diferencias entre los diodos:
semiconductor, led y zener.

1) Un diodo Zener, es un diodo de silicio que

Fig. 1 Punta directa
2) Las puntas atenuadoras:En corriente
continua o en frecuencias bajas, el efecto de
de carga proveniente de la capacidad del
cable sobre el circuito es mínimo. Pero en el
caso de señales de alta frecuencia esta
capacitancia si puede representar un
problema para la medición.
Para evitar este problema se usan las puntas
atenuadoras.
se ha construido para que funcione en las
zonas de rupturas. Llamados a veces diodos
de avalancha o de ruptura, el diodo zener es
la parte esencial de los reguladores de
tensión.
2) Diodo semiconductor: Un diodo es un
dispositivo que permite el paso de la
corriente eléctrica en una única dirección.
3) Un LED, (diodo emisor de luz) es un
dispositivo semiconductor (diodo) que
emite luz, es decir, cuando se polariza de
forma directa y es atravesado por una
corriente eléctrica.

Fig. 2 Punta atenuadora

C. Diferencias entre el equipo generador de
ondas y la señal usada para callibrar el
osciloscopio. V. Simulación
Circuito de la Figura 1
1) Generador de ondas: Es un dispositivo Para determinar las curvas 𝐼𝐶 vs 𝑉𝐶𝐸
generalmente electrónico el cual se usa para 𝐼𝐵 = 40𝑢𝐴
generar ondas tanto senoidales, triangulares, 𝑉𝐶𝐸 = 0.2𝑣
cuadradas y de sierra, con la facilidad de 𝐼𝐶 = 3.81𝑚𝐴
cambiar la frecuencia y poder generar
RV1
frecuancias relativamente altas con un
60%

5k

determinado valor de tensión. RV2

46%

2) Señal usada para calibrar el osciloscopio: 500k

R1
La señal usada para calibrar el osciloscopio 100

es generalmente una señal propia del V1

12V

osciloscio que suele ser de 5v y 1kHz, lo cual

+3.81
mA

se usa generalmente para ver la atenuación

de las puntas con atenuanción, si se usa mas
+40.0
µA

de un cable para realizar la experiencia, se R2 Q1

NPN +0.20
necesita calibrar cada cable antes de ser 10k Volts

usado con la señal calibradora del

osciloscopio.

𝑉𝐶𝐸 = 0.2𝑣
 𝐼𝐶 = 4𝑚𝐴
RV1

48%
5k
RV1

55%
5k
RV2

46%
500k
RV2
R1
46%

500k
100
R1
100 V1
12V
V1
12V

+4.00
mA
+4.00
mA

+40.0
µA
+40.0
µA

R2 Q1
NPN +2.01
R2 Q1 10k Volts
NPN +0.61
10k Volts

𝐼𝐵 = 40𝑢𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 0.2𝑣
𝐼𝐶 = 3.81𝑚𝐴

RV1
53%

5k

RV2
46%

500k

R1
100

V1
12V
+4.00
mA
+40.0
µA

R2 Q1
NPN +1.01
10k Volts
 RV1 R

43%

38%
5k 5k

RV2 RV2
46%

46%
500k 500k

R1 R
100 10

V1
12V

+4.00

+4.00
mA

mA
+40.0

+40.0
µA

Q1 µA Q1
R2 R2
NPN +3.01 NP
10k Volts 10k

VI. VII.
 RV1 R

33%

28%
5k 5k

RV2 RV2
46%

46%
500k 500k

R1 R
100 10

V1
12V

+4.00

+4.00
mA

mA
+40.0

+40.0
µA

Q1 µA Q1
R2 R2
NPN +5.01 NP
10k Volts 10k

VIII. IX.
 RV1 R

23%

18%
5k 5k

RV2 RV2
46%

46%
500k 500k

R1 R
100 10

V1
12V

+4.00

+4.00
mA

mA
+40.0

+40.0
µA

Q1 µA Q1
R2 R2
NPN +7.00 NP
10k Volts 10k

X. XI.
 https://es.scribd.com/doc/98325866/informe-
de-laboratorio-osciloscopio-como-
instrumento-de-
RV1medida?fbclid=IwAR1R_Th6scnljVLiJOO4
5k 1XV79S9obYRTlv9ztJcmjreVO2SevEsXX-

13%
zMyfI

RV2
46%

500k

R1
100

V1
12V

+4.00
mA
+40.0
µA

R2 Q1
NPN +9.00
10k Volts

XII.

XIII. Bibliografia
[1] Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky,
Electroni devices and circuit theory, 10 th edition.
[2] Charles K. Alexander and Matthew N. O.
[3] Sayotan(2016) , "Unicorn", Recuperado de:
https://unicrom.com/diodo-
semiconductor/?fbclid=IwAR1tCyONdx1whGEaR
yIpZYHff_kxHAjIrgSV82Awb0K7K0tTUVtIIx4nGvs

[4] Anonimo, "Scrib", Recuperado de: