EL TRANSISTOR BJT.

Corporación universitaria Antonio José de sucre.

Carlos Andrés Martinez Suarez-Mauro Rafael Correa Galván- Simón Panza
Barragán.
Ingeniería Electrónica.
2019

Los transistores bjt son dispositivos electrónicos los cuales cuentan con tres terminales.
Colector, base y emisor. Estos dispositivos son controlados por una pequeña corriente en la
base, esta corriente en la base sirve para aumentar la conducción de corriente entre el colector
y el emisor, es decir, la corriente entre colector y emisor fluirá solamente cuando actúe la
terminal base.
Los tipos de polarización de estos dispositivos son: emisor común, estabilizado de emisor
también conocido como resistencia de emisor y polarización por división de tensión.
Estos dispositivos pueden ser utilizados en tres regiones distintas:
Región activa: en esta región de trabajo el transistor se encuentra con una corriente
constante, dicho de otra manera, el transistor no esta ni apagador ni totalmente encendido se
encuentra en un punto intermedio y dependiendo del tipo de polarización podría ser región
activa directa o región activa inversa.
Región de disrupción: En esta región el transistor se destruiría debido a que no está diseñado
para trabajar en esta región.
Región de saturación: Un transistor se encuentra en la región de saturación cuando toda la
corriente eléctrica circula entre emisor y colector como si se tratara de un circuito cerrado.
como a través de colector a emisor circula una corriente el transistor disipa la potencia lo que
provoca un aumento de temperatura, y si se supera en las especificaciones dadas por el
fabricante el dispositivo puede cambiar sus propiedades o en el peor de los casos quemarse.
La relación entre la corriente de emisor y colector son aproximadamente la misma y para
fines de cálculos se considera esta aproximación.
Cabe destacar que los transistores son unos de los dispositivos mas utilizador en cualquier
dispositivo electrónico, desde su estructura base hasta los microchips mas avanzados en la
actualidad.
PROBLEMA PRÁCTICO 6.1 ¿Cuál es la ganancia de corriente del transistor
del Ejemplo 6.1 si su corriente de base es de 50 µA?

10𝑚𝐴
Bdc = = 200
40𝑢𝐴

PROBLEMA PRÁCTICO 6.3 Si IC = 10 mA en el Ejemplo 6.3, hallar

la corriente de base del transistor.

10𝑚𝐴
IB= = 74.07uA
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PROBLEMA PRÁCTICO 6.4 Repita el Ejemplo 6.4 utilizando una tensión de

alimentación VBB = 4 V
VBB – VBE = 4V – 0,7V = 3,3V
𝑉𝐵𝐵−𝑉𝐵𝐸 3,3𝑉
IB= = 100𝐤Ω = 33uA
𝑅𝐵

Con la ganancia de corriente 200, la corriente de colector es

Ic=BdcIB=(200)(33uA) = 6,6mA

PROBLEMA PRÁCTICO 6.5 Cambie el valor de RB a 680 kΩ y repita el

Ejemplo 6.5.

𝑉𝐵𝐵−𝑉𝐵𝐸 10𝑉−0,7𝑉
IB= = = 13,67uA
𝑅𝐵 680𝐤Ω

La corriente de colector es:

Ic=BdcIB=(300)(13,67uA) = 4,10mA
Y la tensión colector-emisor es:
VcE = Vcc-IcRc = 10V-(4,10mA)(2 kΩ) = 1,8V

La disipación de potencia en el colector es :

PD = VcE Ic = (1,8V)(4,10mA) = 7,38mW
PROBLEMA PRÁCTICO 6.10 utilizando una tensión de alimentación de base 7
V.
Con el diodo ideal:
𝑉𝐵𝐵 7𝑉
IB= = 470𝐤Ω = 14,89uA
𝑅𝐵

Ic = ( IB)(Bdc) = ( 14,89uA ) (100) = 1,489mA

VcE = Vcc-IcRc = 15V-(1,489mA)(3,6kΩ) = 9,63V

Con la segunda aproximación:

7𝑉−0,7𝑉
IB= 470kΩ =13,40uA
Ic = ( IB)(Bdc) = (13,40uA) (100) = 1,34mA
VcE = Vcc-IcRc = 15V-(1,34mA)(3,6kΩ) = 10,176V
Con la tensión VBE medida:
4𝑉
IB= 470kΩ =8,51uA

Ic = ( IB)(Bdc) = (8,51uA) (100) = 0,851mA

VcE = Vcc-IcRc = 15V-(0,851mA)(3,6kΩ) = 11,9V