6.- Explique las etapas seguidas para la obtención de silicio metalúrgico.

a) Para ello, se separa del oxígeno mediante una reacción con carbono
calentándolo a 1500-2000 ° C en un horno de arco eléctrico. Allí se somete
a campos eléctricos muy elevados que rompen los enlaces químicos que
unen al silicio con el oxígeno. La reacción química que se produce es la
siguiente: SiO2 + C → Si + CO2

b) El silicio resultante se denomina de grado metalúrgico y tiene una pureza del

orden del 99%, con una importante contaminación de metales tales como Fe,
Al, C, B, etc. Este silicio metalúrgico se produce a un bajo coste económico
(3-5 €/kg) y a un coste energético moderado (~15 kWh/kg). En 2015 la
producción total de silicio fue de 8,1 millones de toneladas. De esa cantidad,
el 3% se destinó a la ImE y alrededor del 15% a la IFV.
El silicio metalúrgico se utiliza en la industria principalmente para la
fabricación de metales, aleaciones de aluminio, etc., pero no vale para la ImE
ni para la IFV, ya que en ambos casos, se requiere un grado de pureza mucho
más elevado. En efecto, en el caso de la ImE, se requiere un silicio con un
grado de pureza superior a 1 p.p.m. (una parte por millón) para cualquiera de
sus impurezas habituales (C, Al, B, P, Fe, etc.); esto quiere decir que de cada
millón de átomos de silicio, como mucho uno puede ser una de las impurezas
no deseadas. Para el silicio destinado a la IFV, el requerimiento de pureza es
algo menos estricto de 10 p.p.m. (como máximo, un átomo de impurezas por
cada cien mil átomos de silicio). Por consiguiente, es preciso someter al silicio
metalúrgico a procesos de purificación adicionales.

7.- Desarrolle los pasos seguidos para la obtención del silicio grado
electrónico.
Se alcanza en dos nuevos pasos:
a. en el primero, el silicio metalúrgico se convierte en gas en un proceso
químico. Para ello, el silicio metalúrgico sólido se hace reaccionar con HCl a
300 ° C en un reactor para formar SiHCl3 mediante la reacción:
Si + 3HCl → SiHCl3 + H2

b. La clave del proceso es que durante la reacción, las impurezas del silicio
tales como Fe, Al, y B reaccionan con el ClH formando haluros (FeCl3, AlCl3,
y BCl3). Estos se pueden separar del silicio realizando un proceso de
destilación fraccionada, que consiste en la separación sucesiva de los
 líquidos de la mezcla del SiHCl3 y los diversos haluros de impurezas,
aprovechando la diferencia entre sus puntos de ebullición.

c. Finalmente, el SiHCl3 ya purificado se hace reaccionar con hidrógeno a 1100

° C durante ~ 200 – 300 horas mediante la siguiente reacción:
SiHCl3 + H2 → Si + 3 HCl
El proceso tiene lugar en el interior de grandes cámaras de vacío, en las que
el silicio se condensa y se deposita sobre barras de polisilicio para obtener
sobre ellas el silicio ya purificado. La técnica fue desarrollada por primera vez
por Siemens en la década de los 60 y se refiere a menudo como el proceso
Siemens. La figura lo muestra:

d. Al final de la destilación, el SiHCl3 sigue teniendo impurezas, pero en una

proporción bajísima, por debajo de 0,001 p.p.m. es decir, menos de un átomo
de impureza por cada 1.000 millones de átomos de silicio. Este silicio ya es
adecuado para la ImE y la IFV y las barras resultantes de silicio se muelen
para obtener la materia prima del proceso de fabricación de obleas, que
detallaré en el próximo punto. Para algunas impurezas, como los metales de
transición (Ti, V, Cr,…) el requerimiento es todavía más estricto, ya que es
necesario que la presencia de dichos átomos este por debajo de 1 p.p.b. (una
parte en un billón, menos de un átomo de metal por cada billón de átomos de
silicio).
8.- Explique mediante un esquema los pasos seguidos en la producción de
silicio grado electrónico.

9.- Explique mediante ejemplos la aplicación del silicio en la electrónica.

Debido a que es un material semiconductor muy abundante, tiene un interés
especial en la industria electrónica y microelectrónica como material básico para la
creación de obleas o chips que se pueden implantar en transistores, pilas solares y
una gran variedad de circuitos electrónicos. El silicio es un elemento vital en
numerosas industrias.
Chip: Placa delgada de silicio, de unos pocos milímetros cuadrados de superficie,
que sirve de soporte de las partes activas de un circuito integrado.
- Circuitos integrados analógicos: Pueden constar desde simples transistores
encapsulados juntos, sin unión entre ellos, hasta dispositivos completos
como amplificadores, osciladores o incluso receptores de radio completos
- Circuitos integrados digitales: Pueden ser desde básicas puertas lógicas
(AND, OR, NOT) hasta los más complicados microprocesadores o
microcontroladores. Éstos son diseñados y fabricados para cumplir una
función específica dentro de un sistema. Por ejemplo, excitadores de buses,
generadores de reloj, etc., es importante mantener la impedancia de las
líneas y, todavía más, en los circuitos de radio y de microondas