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UNIVERSIDADE FEDERAL DO PARÁ
INSTITUTO DE TECNOLOGIA
FACULDADE DE ENGENHARIAS ELÉTRICA E BIOMÉDICA
DISCIPLINA: ELETRÔNICA ANALÓGICA II
Ministrante: Prof. Dr. Marcos Galhardo
ELETRÔNICA ANALÓGICA II
FEEB / ITEC / UFPA
REVISÃO SOBRE ALGUNS MODELOS UTILIZADOS PARA TRANSISTORES
Modelo para grandes sinais x Modelo para pequenos sinais
Sistema de
duas portas
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REVISÃO SOBRE MODELOS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO ‐ TBJ
Operação em baixa frequência e na região ativa
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MODELAGEM DO TRANSISTOR TBJ
MODELO PARA GRANDES SINAIS
B C
≅ Desconsiderando
o efeito da
vBE ≅ vCE impedância de
saída
E
Emissor comum
iC
iB
vCE
vBE
vBE
TBJ de silício
vCE
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2
MODELO PARA PEQUENOS SINAIS Emissor comum
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Modelos para baixas frequências Pequenos sinais
E
OU
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MODELO PARA PEQUENOS SINAIS Emissor comum
• Impedância de entrada para pequenos sinais
Para pequenas mudanças na corrente
ou na tensão do diodo, o dispositivo
se comporta como um resistor linear.
b c
Zin
e e
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∆
∆
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Relembrando o estudo sobre diodos: Aproximação para pequenos sinais
Definindo‐se a resistência do diodo para pequenos sinais ou resistência incremental rd
como:
∆
ou
∆
A aproximação para pequenos sinais é válida para sinais cuja amplitude são menores que
10 mV para n=2 e 5 mV para n=1.
pequeno sinal: ≪
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MODELO PARA PEQUENOS SINAIS Emissor comum
• Impedância de entrada para pequenos sinais
Desconsiderando o efeito
da impedância de saída
Zin
1 1 ·
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Impedância de entrada Emissor comum
1 ·
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Observação sobre notação
Superposição
CC + CA = CC + CA
IC ic
ib
IB
vce
VCE
vbe
ie
VBE
IE
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MODELO PARA PEQUENOS SINAIS Emissor comum
• Impedância de saída
(mA)
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Impedância de saída
O “efeito Early” se traduz em uma não idealidade do dispositivo que pode limitar o ganho
de amplificadores. Aumentando a tensão de coletor, a largura efetiva da base diminui (pois
aumenta‐se a região de depleção na junção C‐B) e a corrente de coletor aumenta.
Com o efeito Com o efeito
Early Early
Sem o efeito Sem o efeito
Early Early
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Emissor comum
Impedância de saída
VA: tensão Early
Em um dado ponto:
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Emissor comum
Modelo re para a configuração do transistor em emissor comum.
1 ·
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OUTROS MODELOS PARA O TRANSISTOR
Modelo π
Desconsiderando
o efeito da
impedância de
saída
1
Transcondutância: ≅ ≅
1 ≅
1
RESISTÊNCIA DE ENTRADA DO TBJ VISTA PELO TERMINAL DE BASE: rπ
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OUTROS MODELOS PARA O TRANSISTOR
Modelo T (Resistência de emissor re)
RESISTÊNCIA DE ENTRADA DO TBJ VISTA PELO TERMINAL DO EMISSOR: re
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Modelos para baixas frequências Pequenos sinais
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REVISÃO SOBRE MODELOS DE TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO ‐ FET
Operação em baixa frequência e na região de saturação (amplificação)
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MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO (TIPO ENRIQUECIMENTO, TIPO CRESCIMENTO)
NMOS
Ausência de canal
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Curva característica de saída
A saturação ocorre em: , , : tensão de sobrecarga
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Operação na região de saturação
H
H
Curva de transferência: ·
k é função da construção do dispositivo.
k pode ser determinado por:
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Desprezando a resistência de saída:
1
· · ·
2
TH
TH
1
Onde, · · e ·
2
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Parâmetro k e modelo para grandes sinais do MOSFET tipo intensificação canal n na região de
saturação
Considerando o efeito da resistência de saída:
1
Onde, · ·
2
e ·
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MOSFET tipo intensificação
→ Mobilidade dos elétrons [cm2/V.s]
→ Capacitância de porta por unidade de área [F/m2]
→ comprimento de canal [µm]
→ largura de canal [µm]
/ → razão de aspecto do dispositivo.
→ Coeficiente de modulação do comprimento do canal [1/V]
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Modulação do comprimento do canal
À medida em que a tensão de dreno aumenta, o ponto em que o canal desaparece se move
em direção à fonte, ou seja, L1 varia com vDS. Este fenômeno é chamado de modulação do
comprimento do canal.
Na região de saturação: ∝ 1/
· 1/ ·
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O MODELO DO FET PARA PEQUENOS SINAIS
Fator de transcondutância
MOSFET tipo intensificação canal n:
Um segmento quase
Inclinação = gm
linear
TH
Fator de transcondutância: Pode ser determinado por análise gráfica ou por uma função matemática.
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função matemática de
Para o MOSFET tipo intensificação:
4· ·
1
4· · · · ·
2
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CIRCUITO EQUIVALENTE c.a. DO FET PARA PEQUENOS SINAIS
O mesmo circuito:
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Modelos para baixas frequências Pequenos sinais
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Simbologia do transistor MOSFET tipo intensificação
Canal N (NMOS):
S
para
Não confundir com JET canal N:
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Simbologia do transistor MOSFET tipo intensificação
Canal P (PMOS):
para
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