UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULDAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y

ELECTRONICA

CIRCUITOS ELECTRONICOS I
CICLO 2019-B

DOCENTE: CUZCANO RIVAS ABILIO

BERNARDINO

TEMA: RESPUESTA EN FRECUENCIA DE

AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN

ESTUDIANTES: QUINO BRICEÑO JEFFRY.

CODIGO: 1713210041

ESCUELA PROFESIONAL: INGENIERIA ELECTRONICA.

GRUPO HORARIO: 91G

LIMA-CALLAO – 2019
 LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

INFORME PREVIO Nº. 2

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN

I. OBJETIVOS

 Medir los voltajes y corrientes (punto de operación) del circuito de polarización

con divisor de voltaje independiente de beta para el transistor bipolar y comparar
estos valores con los calculados teóricamente.
 Analizar, simular y finalmente comprobar el comportamiento de un transistor BJT
con una señal de entrada variante en el tiempo (AC).
II. MARCO TEORICO
El amplificador emisor común se llama así porque las corrientes de base y de
colector se combinan en el emisor. Para que una señal sea amplificada tiene que ser
una señal de corriente alterna, no tiene sentido amplificar una señal de
corriente continua, porque ésta no lleva ninguna información. En
un amplificador de transistores están involucradas los dos tipos de corrientes
(alterna y continua). La señal alterna es la señal a amplificar y la continua sirve para
establecer el punto de operación del amplificador. Este punto de operación
permitirá que la señal amplificada no sea distorsionada.

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor

se conecta al punto de tierra (masa) tanto de la señal de entrada como de
salida. En esta configuración, existe tanto ganancia tanto de tensión como de
corriente. En caso de tener resistencia de emisor, (RE) debe ser mayor de 50
ohmios, y para frecuencias bajas, la se aproxima bastante bien la impedancia
de salida, por RC y la ganancia en tensión por la expresión:
𝐑𝐂
𝐆𝐕 = −
𝐑𝐄
Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo,
entre ellos se puede suponer que existe una tensión constante, denominada
VBE y que el valor de β es constante. Del gráfico adjunto, se deduce que
la tensión de emisor es:
𝐕𝐄 = 𝐕𝐁 − 𝐕𝐁𝐄

La parte entre paréntesis es constante (no depende de la señal de entrada),

y la restante expresa la señal de salida. El signo negativo indica que la señal
de salida está desfasada 180º respecto a la de entrada.
Finalmente, la ganancia es expresada como:
 Para describir el comportamiento de la configuración EC, se requiere de
dos conjuntos de características:

 Parámetros de Entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de
entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCE).
Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el
VBE es: VBE = 0.7V

Figura 1.- Parámetros de entrada

 Parámetros de Salida
Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida
(VCE) para varios niveles de corriente de entrada

Figura 2.- Parámetros de salida

REGIONES DE OPERACIÓN
La región activa
Corresponde a una polarización directa de la unión emisor-base. Esta es la región
de operación normal del transistor para amplificación.
Centrando la atención en la recombinación de los electrones en la base procedentes
del emisor podemos observar que allí donde había un hueco pasa a haber, tras la
recombinación, un ión negativo inmóvil. Si desaparecen los huecos de la base y se
llena de iones negativos, se carga negativamente, y se repelen los electrones
procedentes del emisor. En este caso se impediría la circulación de la corriente, es
decir, es necesario que la corriente de base reponga huecos para que haya corriente
de colector. Por tanto, por cada electrón recombiando hay que introducir un hueco
nuevo que neutralice la carga negativa. Si la reposición de huecos es lenta (corriente
IB pequeña) la capacidad de inyectar electrones será baja, debido a la repulsión
eléctrica. Este fenómeno tiene la propiedad de ser aproximadamente lineal, con lo
que se puede establecer que: , en donde es un coeficiente
adimensional, denominada ganancia directa de corriente, o bien ganancia
estática de corriente. Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la
base, atraídos por el potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la
unión BC, y dar origen a la corriente de colector IC Mediante el emisor, se inunda
la base de electrones, aumenta drásticamente el número de portadores minoritarios
del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta también.
Región de corte
Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La operación en ésta
región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo aplicaciones de
conmutación en el modo apagado, pues el transistor actúa como un interruptor
abierto (IC= 0).
En este caso las dos uniones están polarizadas en inversa, por lo que existen zonas
de deplección en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de
carga móviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de
mayoritarios. Los portadores minoritarios sí pueden atravesar las uniones plarizadas
en inversa, pero dan lugar a corrientes muy débiles. Por lo tanto, un transistor en
corte equivale a efectos prácticos, a un circuito abierto.
Región de saturación
Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La operación de esta
región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido, pues el
transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE= 0).
III. EXPERIMENTO
A. MATERIALES
 Osciloscopio
 Multímetro
 Transistor BJT
 Resistencias
 Condensadores
B.
C. SIMULACIONES
1. polarización fija

2.

+12
v B

R2 R
1
1M
C
2

C Q
1 1
10u
F

AM FM
 3.

R1

C2
R3

C1 Q1

4.

R
1
C
R
3
C Q
1

R
R C
4
2 3
 5.

IV. CONCLUSIONES

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño
de los circuitos electrónicos. Se puede comentar que con el invento de estos
dispositivos han dado un giro enorme a nuestras vidas, ya que en casi todos los
aparatos electrónicos se encuentran presentes. Además de todos esto, ahora si
podremos comprobar o hacer la prueba de los transistores para conocer si se
encuentra en buenas condiciones para su uso.

V. BIBLIOGRAFIA
1. Robert L. Boylestad – Louis Nashelsky, “Electrónica: teoría de
circuitos y dispositivos electrónicos”, 10a edición.
2. Jacob Millman – Christos C. Halkias, “Electrónica integrada: Circuitos y sistemas
analógicos y digitales”.
3. Muhammad H. Rashid, “Circuitos microelectrónicos análisis y diseño”, 10ª edición,
1999.
4. Thomas L. Floyd, “Dispositivos electrónicos”, octava edición, 2008.
5. Allan R. Hambley, “Electrónica”, segunda edición.