Clase0 Dispo

Facultad de Ingeniería - Departamento de Electrónica
Dispositivos Electrónicos
Presentado por:
Ing. Arturo Fajardo Jaimes. Ph.D.
Grupo de Investigación en Telecomunicaciones, SISCOM

Departamento de Electrónica
Facultad de Ingeniería
PUJ
Elaborado por: AF & CP No. 1

AGENDA Semana 1.
• Hora No. 1 y 2. Introducción al curso y a la
metodología.
• Hora No. 3. Fundamentos de la teoría de
semiconductores.
• Hora No. 4. Dispositivo semiconductor básico de
dos terminales: el Diodo.

Hora No. 1 y 2
Introducción al curso y a la
metodología.

PUJ

AGENDA
• Quien es Arturo Fajardo?

• Introducción y Problemática
• Programa Resumido
• Reglas del Juego
• Recursos Bibliográficos

Quien es Arturo Fajardo?

• EDUCATION
– SANTA CATARINA FEDERAL UNIVERSITY
• 2018 Doctor in Electrical Engineering.
– PONTIFICIA UNIVERSIDAD JAVERIANA, Bogotá, Colombia
• 2008 Master of Science Degree in Electronic Engineering
• 2002 Bachelor of Science in Electronic Engineering.
– COLEGIO AGUSTINIANO NORTE, Bogotá, Colombia
• 1995 High School Diploma.
• SKILLS
– Hardware: Power, RF and microelectronic instrumentation.
– Spectrum Digital: eZdsp™ F2812 for TMS320F2812 DSP, LF2407 for
TMS320LF2407A.
– Software: Cadence Virtuoso Analog Design Environment, Advanced Design
System (ADS), Ansoft designer, Matlab / Simulink, Code Composer Studio, Code
Warrior, PCB Design in Orcad Layout, C y C++.
– Certifications: Cisco Certified Network Associate (CCNA), Cisco ID :
CSCO11175958.


• 2002
Real
Gerated
Real


• 2008


• 2017


• 2011-Presente

Introducción y Problemática
Este curso introduce al estudiante de Ingeniería Electrónica los
conocimientos básicos de dispositivos semiconductores y sus aplicaciones.
Para permitir que el estudiante entienda y diseñe circuitos electrónicos.
• Dispositivos semiconductores?
• Circuitos electrónicos?
Conductores, Aislantes y Semiconductores
• Conductores son todos aquellos materiales o elementos que permiten

que los atraviese el flujo de la corriente o de cargas eléctricas en
movimiento, cuyos átomos tienen muchos electrones libres que son
cedidos o aceptados con facilidad. (Sirven para?)
_______________________________________
________________________________________.
• Los semiconductores son materiales que se comportan como

conductores o como aislantes dependiendo de diversos factores como
la temperatura, campo electromagnético, radiación, etc. (Sirven para?).
_______________________________________
________________________________________.
• Los materiales aislantes no conducen la corriente eléctrica, cuyos

átomos ni ceden ni captan electrones. (Sirven para?)
_______________________________________
________________________________________.
Introducción y Problemática: Modelar
Cuantas pruebas habría que hacer para saber

cuándo está prendido el bombillo?

Que condiciones se deben cumplir para

encender el bombillo?
Según el Nivel de abstracción se pueden formular problemas y cuestiones, un
mejor modelo implica un mayor control del sistema modelado.


Ejemplos de niveles de abstracción – Sistemas eléctricos
Ia
Ecuaciones de Maxwell
dq
 Jds   Jds 
Sa Sb
dt
V
dq
Ia  Ib  Ib
dt
Abstracción: V=IR
Medidas “Reales” (mucho mas simple)
Voltaje (V) Corriente (A)
2 0.51 → 0.5
4 0.99 → 1.0
8 2.03 → 2.0
10 2.50 → 2.5

Modelos y niveles de abstracción
hv
Dispositivo
Fenómeno Físico Físico Símbolo
Modelo
Aplicación (esquemático) Equivalente
Circuito Equivalente

Descripción de la Problemática
Electric Semiconductor
devices devices
Electric Circuits Electronic Circuits

and devices

Electrónica Analógica
Amplificador
Amplificador Operacional

Intel Pentium 4
Proceso 0.13um
55 millones de transistores
Reloj: 2.54 GHz
Área: 145 mm²
Electronica
Amplificador
Digital
A
A+
B
B
Lógica Combinatoria
Descripción del curso

• Este curso introduce al estudiante de Ingeniería Electrónica los
conocimientos básicos de dispositivos semiconductores y sus
aplicaciones.
• Permiten al estudiante obtener las bases para entender y diseñar
los circuitos electrónicos que encontrará posteriormente durante
su carrera.
Dispositivos
Electrónicos
Ingenieria
Electronica

Función de Transferencia
Gráfica Relación R=?

Voltaje - Corriente
I R=1kOhm
Si V=5V => I=5mA
R=?
V=IR R=2kOhm
Ecuación de una Recta

(Relación lineal)
Si V=10V => I=5mA

Entrada
ho
ho = - K(hi) hi
¿ Qué es 0,0 ?
Relación lineal

Limite
hi
Se limita la salida, el modelo lineal ya

no es válido
Cambia la entrada,
pero no la salida
Relación Nolineal
Ganancia=Vo/Vin
Modelo de
pequeña señal
MOSFET
23
Programa Resumido - Objetivos

• Conocer los dispositivos semiconductores y su uso en
los circuitos electrónicos.
• Entender el proceso de linealización para obtener los
modelos de pequeña señal.
• Entender el proceso de amplificación de señal usando
los conceptos de impedancias y ganancias.
• Entender los fenómenos de funcionamiento de las
compuertas lógicas con tecnología CMOS.
• Introducir al estudiante al diseño de circuitos
analógicos sencillos.

Programa Resumido
 Capítulo 1. Dispositivos básico de dos terminales
(Diodos).
 Capítulo 2. MOSFET: descripción cualitativa,
polarización, análisis DC y conmutación.
 Capítulo 3. MOSFET: análisis AC y manejo de
señal.
 Capítulo 4. Amplificadores diferenciales con
tecnología CMOS
 Capítulo 5. Otros dispositivos semiconductores de
tres terminales (BJT, JFET, etc).

Porque el curso se focaliza en MOSFET?

Que es un MOSFET?
Metal
Oxide
Semiconductor
Field
Effect
Transistor
En la actualidad, la mayoría de los circuitos integrados

que se fabrican usan la tecnología CMOS que permite
fabricar muchos MOSFETs en un mismo CHIP.
https://www.youtube.com/watch?v=gBAKXvsaEiw
https://www.youtube.com/watch?v=fwNkg1fsqBY
Reglas del Juego - Metodología
INTERES
EXPERIENCIA
APRENDIZAJE
(EVALUCION)
ACTIVIDAD
• Generador del interés.

• Facilitador procesos E-A.
¿DOCENTE? • Generar Actividades.
• Supervisar la correcta
abstracción.

Reglas del Juego -Estrategias pedagógicas
• Lectura y preparación previa, por parte del estudiante, de

los temas de cada sesión, para participar activamente en las
discusiones y aclaraciones que se tendrán en las horas de
clase.
• Exposiciones teóricas por parte del profesor, para aclarar
dudas y complementar los temas.
• Sesiones de solución de problemas.
• Prácticas de Laboratorio con experimentos orientados a
facilitar y reforzar el aprendizaje de los diferentes tópicos.
• Simulación de circuitos y ejemplos de diseños aplicativos.
Cada grupo de laboratorio deberá tener la versión de Orcad.

Reglas del Juego -Evaluación
Porcentaje Fecha de Fecha de

evaluación entrega de notas
Primera 30 % Semana 5 Semana 7
evaluación parcial
Segunda 30 % Semana 12 Semana 14
evaluación parcial
Evaluación final 30 % Semana 17 Semana 18
Laboratorio y talleres 10 % Todo el semestre Semana 17

Reglas del Juego – Asistencia y contacto
La Asistencia a Clase
NO ES OBLIGATORIA
La Asistencia a los Parciales
ES OBLIGATORIA
Correo: fajardoa@javeriana.edu.co
arfaja1979@gmail.com
Presencial: Viernes de 4-6 pm.

Clases: Martes 9-11 (3-501) y Jueves 9-11(2-404)

Bibliografía
1. SEDRA & SMITH “Microelectronic Circuits”, Ed. Oxford. 6ª. Ed. 2011.
2. NEAMEN “Microelectronics: Circuit analysis and design” Ed. McGraw-
Hill 4th edition, 2010.
3. Gray, Paul R. “Analysis and design of analog integrated circuits”, John
Wiley 4th edition, 2001.
4. Razavi, Behzad. “Design of analog CMOS integrated circuits”, McGraw-
Hill, 2001.
5. Howe, Roger Thomas. “Microelectronics an integrated approach”,
Prentice Hall, 1997.
6. Millman, Jacob. “Electrónica integrada circuitos y sistemas analógicos y
digitales”, Editorial Hispano Europea 9ª ed. 1991
7. Baker, Russel Jacob. “CMOS mixed-signal circuit design”, IEEE Press,
2nd ed. 2009.
8. Kang, Sung-Mo. “CMOS digital integrated circuits analysis and design”,
McGraw-Hill, 2003
9. Schilling, Donald Lawrence. “Electronic circuits discrete and integrated”,
McGraw-Hill 3rd ed., 1989.

Hora No. 3
Fundamentos de la teoría de
semiconductores.

PUJ

Agenda
1. Estructura atómica
2. El silicio y su estructura atómica
3. Bandas de Energía
4. Semiconductores Intrínsecos
5. Mecanismos de conducción en semiconductores
6. Semiconductores Extrínsecos

Estructura atómica
Capas internas
Electrones
• El número atómico me
- dice el número de
- electrones y protones que
contiene un átomo.
-
- -
Protones
+ +
+ + + • Cuando se aplica una
- - + + + + - - cantidad de fuerza al
+ + + átomo (energía térmica),
+ + superior a la fuerza que
está generando el núcleo
- - - sobre la última capa, se
- genera un electrón libre el
-
Capa externa cual deja un hueco en la
capa de valencia.
Núcleo

Estructura atómica
III - IV - V
El material semiconductor mas utilizado en la

industria de la electrónica es el silicio (Si). Porque?
El silicio y su estructura atómica

Capas internas
Electrones Ley del octeto LEWIS: Todo átomo tiende a
completar 8 electrones en su última orbita.
-
-
- -
- - Por estar en la mitad
del octeto pueden
convertirse en aislantes
- - +14 - - - +4 -
o en conductores.
- - - -
-
-
Núcleo
Capa externa
Estructura atómica del Si Modelo simplificado
Ya que esta depende de la distancia entre el núcleo y los

electrones. Los electrones de valencia poseen mas energía
y además su enlace con el núcleo es mas débil.
Bandas de energia
Los niveles de energía que

puede tener un electrón son
discretos o sea que hay Bandas
prohibidas (Band gap).
El mayor nivel de energía o

banda que está completamente
llena a 0K se llama “Banda de
Valencia”.
La siguiente banda hacia arriba,

separada por una banda
prohibida (gap) se denomina
“Banda de Conducción”

Conducción y bandas de energía
BC BC BC
Energía
Eg>4eV Eg_Si=1.12eV
BV BV
BV
Aislante Semiconductor Conductor
• En los aislantes las bandas de energía se encuentran muy

separadas.
• En los semiconductores la banda prohibida es del orden de
1.12eV (Si) o 0.66eV (Ge)
• En el caso de los conductores o metales, las bandas se traslapan.
No hay banda prohibida. Esto significa que el electrón de valencia
no está fuertemente atado a su núcleo, por lo tanto puede
moverse libremente a través de la estructura.
El silicio y su estructura atómica

-
- +4 -
-
- - -
- +4 - - +4 - - +4 -
- - -
-
- +4 -
Los átomos de Si se agrupan en una estructura (cristal) compartiendo sus 4

electrones de valencia con los átomos vecinos (enlaces covalentes), y se comporta
como un aislante perfecto.
.
Obleas

Estructura cristal Celda Unitaria de Silicio
Millimeter
(mm) 10-3 m
micrometer
(µm)* 10-6 m
Nanometer
(nm) 10-9 m
angstrom
(Å) 10-10 m
a = 5.43Å
Con estas dimensiones se puede calcular la densidad: Atomos/cm³
Elaborado por: AF & CP

41 No. 41
Semiconductores Intrínsecos
Par Electrón-hueco
- +4 -
-
-
- - -
- +4 - - +4 - +4 -
- - -
-
- +4 -
-
A 0K, Cada todas las persona en su silla

(casi no hay portadores libres)

Un GOL!!!!! la gente se levanta de su sillas !!!

En el semiconductor un GOL simboliza un
aumento en la temperatura drástico.
"n" la concentración de electrones ; "p" la concentración de huecos
La movilidad electrónica caracteriza la rapidez con que un portador de carga se
mueve en el material en presencia de un campo externo.
-
La conductividad
Electrón del semiconductor:
- +4 -
libre 𝜎 = 𝑞 𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝
-
Bajo equilibrio térmico:
- -
-
- BC 2
𝑛𝑝 = 𝑛𝑖
- - - -
ley de acción de
- +4 - - +4 - +4 - Eg_Si=1.12eV
masas
+ + + +
- - - BV
-
Para un semiconductor
intrínseco:
- +4 -
𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖
Hueco
𝜎𝑖 = 𝑞𝑛𝑖 𝜇𝑛 + 𝜇𝑝
-

Un GOL!!!!! la gente se levanta de su sillas
¿Pero cuantas personas realmente dejan sus sillas?

¿Cuantos portadores aparecen por el aumento de la temperatura?

ni es la concentración intrínseca (portadores/cm3) del semiconductor,
función exclusiva de la temperatura y del elemento en cuestión.
Material EG [eV] A0 [1/cm3xK3/2]
Silicio 1,12 5,23x1015
Germanio 0,66 1,66x1015
1 𝐸𝐺
𝑛𝑖 = 𝐴 0 𝑇 3/2 𝑒𝑥𝑝 −
𝑘𝑇 2
Donde:
T es la temperatura absoluta [°K]
k es la constante de Boltzman ~8,62×10-5 [eV/°K]
A0 es una constante del material independiente de T
[portadores/°K3/2cm3]
EG es la energía de brecha [eV]

Movimiento de los portadores de carga

Dirección de los Electrones
Dirección de los huecos

Concepto de difusión y arrastre
Difusion
Arrastre

Conducción en Semiconductores
Mayor Menor
Concentración Concentración
de huecos de huecos
dp Densidad de Densidad de
J p  qDp dn Corriente de
dx Corriente de J n  qDn
huecos dx electrones
D p  12 cm 2 / s Constantes de Difusión Dn  34cm 2 / s
Figure A bar of intrinsic silicon (a) in which the hole concentration profile shown in (b) has been created along the x-
axis by some unspecified mechanism.

50 No. 50
Conducción en Semiconductores
El campo eléctrico E(V/cm) acelera los huecos y los electrones
v desplazamiento   p E Velocidad de desplazamiento de los huecos
vdesplazamiento   n E Velocidad de desplazamiento de los electrones
Movilidad de huecos y electrones:

 p  480 .cm / V
2  n  1350 .cm 2 / V
Los electrones tienen mayor movilidad pues estos se desplazan,

no solo por la banda de valencia (como los huecos), sino por la
de conducción.

51 No. 51
Flujo de corriente
Flujo de corriente en un semiconductor
• Densidad de corriente de conducción (o deriva): Es la
densidad de corriente debida a un campo eléctrico:
𝐽𝑆 = 𝐽𝐷𝑟𝑖𝑓𝑡 = 𝜎𝑛 𝐸 + 𝜎𝑝 𝐸
• Densidad de corriente de difusión: Es la densidad de

corriente debida a la diferencia de concentración de
portadores:
𝑑𝑛 𝑑𝑝
𝐽𝐷 = 𝐽𝐷𝑖𝑓𝑓 = 𝑞𝐷𝑛 − 𝑞𝐷𝑝
𝑑𝑥 𝑑𝑥
• Flujo total de corriente I    J Drift  J Diff  ds

s

A temperatura ambiente solo se ioniza algo
22 3
El silicio tiene 5 x10 . Atomos / cm menos de 1 por cada 1000´000.000 de
átomos
1 2 3 4 5 6
Población Mundial : 7,000,000,000 Solo 7 personas en el mundo
El silicio intrínseco no resulta muy útil en la conducción. Las corrientes inducidas son
muy pequeñas para aplicaciones practicas (por lo general menos de 1nA). Solución:
implantar impurezas especificas en el cristal (semiconductores extrínsecos)

Semiconductores extrínsecos tipo n

Elemento extrínseco pentavalente (antimonio, fosforo, arsénico) el
semiconductor resultante es conocido como un semiconductor tipo n
Electrón
libre
- +4 -
-
- - - BC Portadores mayoritarios
- --------- Nivel de energía
- +4 - - +5 - - +4 - donador
+ + + +
- - - BV
-
- +4 -

Semiconductores extrínsecos tipo p

Elemento contaminantes trivalentes (átomos aceptante): Aluminio, Boro, Galio o Indio.
Hueco
- +4 -
-
- - - BC
- - - -
Nivel de energía
- +4 - - +3 - +4 -
aceptador
++++++
- - - BV
-
Portadores mayoritarios
- +4 -

Semiconductores extrínsecos tipo n

𝑁𝐷 : 𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛
- 𝑛𝑛 = 𝑁𝐷
𝑑𝑒 𝑑𝑜𝑛𝑎𝑛𝑡𝑒𝑠
𝑝𝑛 , 𝑛𝑛 : 𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒
+ ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠 𝑦 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑒𝑛 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑛
2
2 𝑛𝑖
𝑝𝑛 𝑛𝑛 = 𝑝𝑝 𝑛𝑝 = 𝑛𝑖 𝑝𝑛 = 𝑛𝑛 ≫ 𝑝𝑛
𝑁𝐷
ley de acción de masas
𝑛𝑛 = 𝑁𝐷
𝜎 = 𝑞 𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 𝜎𝑛 = 𝑞𝑛𝑛 𝜇𝑛 𝜎𝑛 = 𝑞𝑁𝐷 𝜇𝑛

La conductividad
del semiconductor 𝑛𝑛 ≫ 𝑝𝑛 𝑛𝑛 = 𝑁𝐷

Semiconductores extrínsecos
2
𝑝𝑛 𝑛𝑛 = 𝑝𝑝 𝑛𝑝 = 𝑛𝑖 𝜎 = 𝑞 𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝
ley de acción de masas La conductividad del semiconductor
Para un semiconductor tipo n:

2
𝑛𝑖
(𝑛𝑛 = 𝑁𝐷 ) → 𝜎𝑛 = 𝑞𝑁𝐷 𝜇𝑛 𝑦 𝑝𝑛 =
𝑁𝐷
Para un semiconductor tipo p:
2
𝑛𝑖
(𝑝𝑝 = 𝑁𝐴 ) → 𝜎𝑝 = 𝑞𝑁𝐴 𝜇𝑝 𝑦 𝑛𝑝 =
𝑁𝐴
𝑁𝐴 , 𝑁𝐷 : 𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑎𝑐𝑒𝑝𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒𝑠 𝑦 𝑑𝑜𝑛𝑎𝑛𝑡𝑒𝑠

𝑝𝑛 , 𝑛𝑛 : 𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠 𝑦 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑒𝑛 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑛
𝑝𝑝 , 𝑛𝑝 : 𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠 𝑦 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑒𝑛 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑝

Ejemplo de dispositivos semiconductores
Explicar los materiales involucrados en la

fabricación del MOSFET?

Hora No. 3
El diodo

PUJ

Agenda
1. Diodo ideal y real

2. Juntura pn
3. Modelos lineales del diodo.

Diodo ideal y real

Qué es un diodo ideal? Un modelo de un componente electrónico no
lineal de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a
través de él en un solo sentido.
I
V
+ -
Ánodo Cátodo
I diodo ideal V
Qué es un diodo real? Un dispositivo semiconductor formado por una

juntura de semiconductores (i.e. juntura pn: dos semiconductores en contacto
físico tipo p y tipo n).

Juntura pn
Distribución de cargas – Sin polarizar

Los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales
semiconductores de características opuestas, es decir, uno de tipo n y
otro de tipo p. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos
para la conexión con el resto del circuito.
p n
-+ -+ -+ -+ +- +- +- +-
-+ -+ -+ -+ +- +- +- +-
-+ -+ -+ -+ +- +- +- +-
- + Representa átomos trivalentes con un hueco en su orbita de valencia

+ - Representa átomos pentavalentes con un electrón su orbita de valencia
Juntura pn
Distribución de cargas – Sin polarizar

Los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales
semiconductores de características opuestas, es decir, uno de tipo n y
otro de tipo p. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos
para la conexión con el resto del circuito.
p n
-+ -+ -+ - + +- +- +-
- + - + - +Zona
- de deplexión
+ +- +- +-
-+ -+ -+ - + +- +- +-

Juntura pn
𝑁𝐴 𝑁𝐷 𝐷𝑛 𝐷𝑝 𝑘𝑇
𝑉0 = 𝑉𝐹 = 𝑉𝐷 = 𝑉𝑇 𝑙𝑛 , donde 𝑉𝑇 = = =
𝑛𝑖 2 𝜇𝑛 𝜇𝑝 𝑞
p Xp Xn n
-+ -+ -+ - + +- +- +-
- + - + - +Zona
- de deplexión
+ +- +- +-
-+ -+ -+ - + +- +- +-

Juntura pn
Distribución de cargas – Polarización inversa
p n
-+ -+ -+ - + +- +- +-
-+ -+ -+ - + +- +- +-
-+ -+ -+ - + +- +- +-


Juntura pn
Distribución de cargas – Polarización inversa
p n
-+ -+ - - + + +- +-
-+ -+ - - + + +- +-
-+ -+ - - + + +- +-


Varactor
Capacitancia de Depleción o
de Agotamiento (disminuye
con el voltaje inverso)
Un diodo de sintonización, también

conocido como diodo varactor, diodo de
capacitancia variable, diodo varicap o
diodo de reactancia variable, es un diodo C j0
que tiene una capacitancia variable que es Cj 
una función de la tensión que se imprime VR
1
en sus terminales. V0

Efecto avalancha
Los diodos admiten unos valores máximos en las tensiones que se
les aplican, existe un límite para la tensión máxima en inversa con
que se puede polarizar un diodo
•Efecto Zener
•Efecto Avalancha
Región
Inversa

Diodos Zener
Diodos diseñados para operar en polarización inversa,

específicamente en la zona de ruptura.
Aplicación: Circuitos reguladores de tensión

Diodos Zener
𝑉𝑍 = 𝑉𝑍0 + 𝑟𝑧 𝐼𝑍
Características:
𝑉𝑍𝐾 𝑒𝑠 𝑒𝑙 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑧𝑒𝑛𝑒𝑟 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒
𝐼𝑍𝐾 𝑒𝑠 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑧𝑒𝑛𝑒𝑟 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒
𝑉𝑍 𝑒𝑠 𝑒𝑙 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑧𝑒𝑛𝑒𝑟
𝑟𝑍 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑧𝑒𝑛𝑒𝑟

Juntura pn
Distribución de cargas – Polarización directa
p n
-+ -+ -+ - + +- +- +-
-+ -+ -+ - J + +- +- +-
-+ -+ -+ - + +- +- +-


Juntura PN Polarización Directa

Se inyectan
Se inyectan
electrones
huecos
Mayor cantidad de
Región huecos y electrones
Directa pasan la barrera
Baja la barrera

72 No. 72
Juntura PN Polarización
Corriente en el diodo k: Cosntante de Boltzman (1.38 10e-23 (Jule/K)
T: Temperatura en K (K = 273+T˚C)

i  is ev nVT  1  q: Carga del electrón (magnitud) 1.6 10e-19 Coulomb
n: entre 1 y 2 depende del material y el proceso
kT Si T=20˚C
donde VT  VT =25.2mV
q
is: corriente de saturación (del orden de 10e-9 a 10e-15 A)
•Depende de la temperatura se duplica cada 5˚C
•Es “constante” para cada diodo (depende del área)
is
Doble área
Área
2is
is
is
Corriente de saturación (Is)

Lp: Longitud de difusión de los huecos en material tipo n
Ln: Longitud de Difusión de los electrones en material tipo p
Similar para los electrones
τp: Tiempo de vida del exceso de portadores minoritarios

Dp: Difusividad de los huecos Similar para los electrones
Corriente
por el diodo
Corriente de saturación
A: Área, ni concentración intrínseca, N concentración de impurezas.

Modelo del Diodo en Directa
i  i e s
v nVT
1 
v
i  is e nVT
 is
Si i  is  i  is  i
v
i  is e nVT Despejando v
i
v  nVT ln Ecuaciones válidas hasta por 7 décadas
is

Región de polarización directa 𝑣𝐷 > 0
𝑣ൗ
𝑖𝐷 = 𝐼0 𝑒 𝑛𝑉𝑇 −1
𝐼0 es la corriente de saturación
𝑉𝑇 𝑒𝑠 𝑒𝑙 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑡é𝑟𝑚𝑖𝑐𝑜
𝑛 𝑒𝑠 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 1 𝑦 2
Características:
𝑣𝐷 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑖𝑑𝑎 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑜
𝑣𝐷 𝑆𝑖 = 0.7𝑉 𝑦 𝑉𝐷 𝐺𝑒 = 0.3𝑉
𝑖𝐷 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑖𝑑𝑎 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑜
𝑅𝐹 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎

Modelos lineales del diodo
Diodo ideal Diodo ideal en serie con Diodo ideal en serie con
fuente de V fuente de V y R
I I I
V V V
E E
V V V
+ - + - + R
Ánodo Cátodo Ánodo E Cátodo Ánodo - Cátodo
I I I E

Variación con T

Variación con T

Capacidades paracitas
Capacidad de transición: Cuando el diodo está en polarización

inversa, se crea una capacitancia en los portadores mayoritarios
dependiente del voltaje de polarización.
𝑑𝑄
𝐶𝑇 =
𝑑𝑉
Capacidad de difusión: Cuando el diodo está en polarización
directa, se crea una capacitancia entre los portadores minoritarios
dependiente de la corriente.
𝐼 𝐷𝑜𝑛𝑑𝑒 𝜏 𝑒𝑠 𝑒𝑙 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑞𝑢𝑒 𝑙𝑒 𝑡𝑜𝑚𝑎 𝑎 𝑙𝑜𝑠

𝐶𝐷 = 𝜏 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑚𝑖𝑛𝑜𝑟𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑜𝑠 𝑟𝑒𝑐𝑜𝑚𝑏𝑖𝑛𝑎𝑟𝑠𝑒.
𝑛𝑉𝑇

Clase0 Dispo

Hochgeladen von

Dokumentinformationen

Originaltitel

Copyright

Verfügbare Formate

Dieses Dokument teilen

Dokument teilen oder einbetten

Freigabeoptionen

Stufen Sie dieses Dokument als nützlich ein?

Sind diese Inhalte unangemessen?

Copyright:

Verfügbare Formate

Clase0 Dispo

Hochgeladen von

Copyright:

Verfügbare Formate

Facultad de Ingeniería - Departamento de Electrónica

Grupo de Investigación en Telecomunicaciones, SISCOM

Elaborado por: AF & CP No. 1

Elaborado por: AF & CP No. 2

Grupo de Investigación en Telecomunicaciones, SISCOM

Elaborado por: AF & CP No. 3

• Quien es Arturo Fajardo?

Elaborado por: AF & CP No. 4

Quien es Arturo Fajardo?

Elaborado por: AF & CP No. 5

Quien es Arturo Fajardo?

Elaborado por: AF & CP No. 6

Quien es Arturo Fajardo?

Elaborado por: AF & CP No. 7

Quien es Arturo Fajardo?

Elaborado por: AF & CP No. 8

Quien es Arturo Fajardo?

Elaborado por: AF & CP No. 9

Conductores, Aislantes y Semiconductores

• Conductores son todos aquellos materiales o elementos que permiten

• Los semiconductores son materiales que se comportan como

• Los materiales aislantes no conducen la corriente eléctrica, cuyos

Introducción y Problemática: Modelar

Cuantas pruebas habría que hacer para saber

Elaborado por: AF & CP No. 12

Introducción y Problemática: Modelar

Que condiciones se deben cumplir para

Elaborado por: AF & CP No. 13

Introducción y Problemática: Modelar

Elaborado por: AF & CP No. 14

Modelos y niveles de abstracción

Elaborado por: AF & CP No. 15

Electric Circuits Electronic Circuits

Elaborado por: AF & CP No. 16

Elaborado por: AF & CP No. 17

Descripción del curso

Elaborado por: AF & CP No. 19

Gráfica Relación R=?

Si V=5V => I=5mA

Ecuación de una Recta

Elaborado por: AF & CP No. 20

Elaborado por: AF & CP No. 21

Se limita la salida, el modelo lineal ya

Programa Resumido - Objetivos

Elaborado por: AF & CP No. 24

Elaborado por: AF & CP No. 25

Porque el curso se focaliza en MOSFET?

En la actualidad, la mayoría de los circuitos integrados

Reglas del Juego - Metodología

• Generador del interés.

Elaborado por: AF & CP No. 27

Reglas del Juego -Estrategias pedagógicas

• Lectura y preparación previa, por parte del estudiante, de

Elaborado por: AF & CP No. 28

Reglas del Juego -Evaluación

Porcentaje Fecha de Fecha de

Elaborado por: AF & CP No. 29

Reglas del Juego – Asistencia y contacto

Presencial: Viernes de 4-6 pm.

Elaborado por: AF & CP No. 30

Elaborado por: AF & CP No. 31

Grupo de Investigación en Telecomunicaciones, SISCOM

Elaborado por: AF & CP No. 32