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Electrónica I.
Facultad de ingeniería.
Universidad de Ibagué, Cr 22 Calle 67, Ibagué, Colombia
Jonatan Polanco 2420171060, Juan Pablo Siachica 2420171040, Leisson Polo 2420171094.
Resumen
En este laboratorio se busca implementar todos los conocimientos adquiridos en el transcurso
de todo el plan académico, la finalidad de esto y el objetivo principal es aplicar toda la teoría
vista sobre transistores y sus diferentes configuraciones que nos permiten amplificar diversas
señales que posteriormente se empleara en un uso específico, en este caso en particular se
diseña y elabora un amplificador que trabaja en frecuencias de audio, el cual trabaja con tres
etapas previamente seleccionadas y enmarcada en los requerimiento solicitados.
Palabras clave: Diseño de amplificador, amplificador multietapa, BJT, amplificador clase
AB, FET, amplificador clase a, pre amplificador.
Abstract
This laboratory seeks to implement all the knowledge acquired in the course of the entire
academic plan, the purpose of this and the main objective is to apply all the theory seen on
transistors and their different configurations that allow us Amplify various signals that are
later used in a specific use, in this particular case is designed and produced an amplifier
that works on audio frequencies, which works with three stages previously selected and
framed in the Requested request.
Keywords : Amplifier design, multistage amplifier, BJT, class AB amplifier, FET, Class A
amplifier, pre-amp.
amplificación.
Ilustración 1 Ilustración 7
Ilustración 2 configuración BJT clase Configuración BJT clase Ilustración 8 Modelo FET
configuración FET A. AB
C
C2 R5 R3 D
10k 10k R7
C4 10k
1uF
Q4
Q1 C5 NPN
C1 R9 2N3819 1uF
C3 Q2
1uF
D2
NPN DIODE
1M C5 C6
1uF 1uF
+ 1uF 1uF
D1
DIODE
Q3 LS1
R6 R4
AM FM
- R1 10k 10k PNP
10k
R8
10k SPEAKER
2. Marco Teórico
Para empezar, es importante que se sepa que Retomando la idea principal del párrafo dicho
se debe tener pleno conocimiento de la posteriormente, en los transistores hay
polarización de un transistor porque si se configuraciones y polarizaciones diferentes,
coloca mal las fuentes de (vcc o vee) y mescla con muchas formas de diseño posible, pero
pocas de estas configuraciones son las más
eficientes para este proceso de amplificación,
pero alguna de las configuraciones no son
recomendadas o las más aptas para un proceso
de amplificación como lo son: (la auto
polarización, realimentación de emisor y
Ilustración 12 Curva característica
realimentación de colector), exceptuando la FET.
−𝑅𝑐//𝑅𝑙 𝑉𝑐𝑐
𝐴𝑉 = 𝐼𝐶𝑄 =
ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝑒 𝑅𝐴𝐶 + 𝑅𝐷𝐶
𝑉𝑡
ℎ𝑖𝑏 =
𝐼𝐶𝑞
𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑅1 𝑅1 ∗ 𝑅2
Ilustración 10 Curvas BJT.
𝑉𝑡ℎ = 𝑅𝑡ℎ =
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
𝐴𝑣 ∗ 𝑅𝑙 𝑅𝑏
𝐴𝑖 = 𝑅𝑖𝑛 = 𝑅𝑒//(ℎ𝑖𝑏 + )
𝑅𝑖𝑛 𝛽
3𝐾(1.21) voltaje
𝑅𝑖𝑛 ≈
1.21 30 ∗ 15𝐾
𝑅1 =
𝑅𝑖𝑛 = 3𝐾 2.3
𝑅1 = 195.65𝑘
195.65 𝐾 ∗ 15𝑘
𝑅2 =
195.65 𝐾 − 15𝐾
𝑅2 = 16.24𝐾
Calculamos la resistencia de entrada con la
fórmula del emisor común
𝑅𝑏(ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝑒)
𝑅𝑖𝑛 =
𝑅𝑏 Ilustración 16
𝐵𝑒𝑡𝑎 + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝑒
15𝐾(1.21)
𝑅𝑖𝑛 ≈
1.21
𝑅𝑖𝑛 = 15𝐾
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