IGBT en autos híbridos

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del
BJT y del MOSFET.Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta
impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual que el MOSFET
de potencia, el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el
BJT. Generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la
conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15V.
Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de
entrada muy débil en la puerta.
Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores CC/CA, en
maquinaria, robots industriales, compresores de equipos de aire acondicionado, equipos de
fabricación de semiconductores, unidades de control de motores en automóviles y vehículos
eléctricos híbridos, equipos de soldadura.
La industria automotriz es la mas grande en el mundo, creciendo rápidamente y siendo tan
diversa incluye un amplio espectro de clientes y usuarios con distintas preferencias por
diseño, comodidad y tecnología. Es muy reconocido el poder que la gasolina influye sobre
estos vehículos pero desde que los problemas ambientales han tomado carta en el asunto y
que cada vez el planeta se encuentra mas sobrepoblado, se han buscado soluciones y
alternativas ante estas problemáticas, las metas globales de reducir los vehículos que usen
la gasolina como combustible han dado como resultado la creación de vehículos híbridos y
eléctricos que traen consigo significantes desafíos tecnológicos.
Todos estos nuevos vehículos híbridos o eléctricos que han sido introducidos al mercado
tienen en común que son motores manejados mediante módulos IGBT, que juega un papel
primordial a la hora de movilizar el vehículo o guardar la energía del mismo, el IGBT
usado a una frecuencia muy alta y sobre un poder mayor optimiza el uso de estos autos,
podría hacerlo vulnerable a problemas termales pero esto es justamente lo que optimiza al
IGBT a la hora de su rendimiento.
Después de todo podemos decir que los módulos IGBT han sido usados para el avance de
estos carros, ya que manejan la electricidad con la cual ellos funcionan, sin estos módulos,
la creación de los mismos quizá hubiese sido impensable.
MOSFET en autos hibridos
Toyota Industries Corporation (TICO) ha seleccionado microcontroladores de 32 bit y
MOSFET de STMicroelectronics para el convertidor DC-DC de la plataforma de vehículo
híbrido Toyota Prius de cuarta generación.
El convertidor DC-DC es la base de la unidad de control de potencia que, a su vez, supone
el corazón de un vehículo híbrido eléctrico, junto al inversor y el sistema de tensión
variable.
Con el MCU de 32 bit, el convertidor DC-DC del Prius gestiona la reducción de tensión de
la corriente generada desde la batería o el generador de los subsistemas de 14 V del
vehículo, como radio, iluminación y limpiaparabrisas. El convertidor también usa dos
MOSFET de potencia de ST.
La integración de los componentes con el software de TICO permite una conversión
eficiente, reduce la disipación de calor y contribuye a la miniaturización de la unidad de
control de potencia.
Estos microcontroladores de grado automoción se basan en la arquitectura PowerPC y son
fabricados usando tecnología Flash embebida de ST.
Con tensiones breakdown de 500 a 1500 V, los Power MOSFET de ST combinan baja
carga de puerta y mínima resistencia (on-resistance) con encapsulado state-of-the-art para
proporcionar una gestión de potencia muy eficiente.
“El convertidor DC-DC de ST para el Prius de cuarta generación establece un hito en
eficiencia y respalda la tendencia de la industria hacia Smart Driving”, afirma Marco
Cassis, vicepresidente ejecutivo de STMicroelectronics en Japón y Corea. “Por ello,
estamos muy satisfechos de contribuir a esta innovación tecnológica con
microcontroladores y dispositivos de conversión de potencia sin comprometer el
rendimiento”.