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Entwicklung von

GaInP/GaAs/Si-Mehrfachsolarzellen
mittels Wafer-Bonding

Dissertation
zur Erlangung des akademischen Grades
des Doktors der Naturwissenschaften
(Dr. rer. nat.)

an der Universität Konstanz,


Fachbereich Physik,

vorgelegt von
Stephanie Essig,

angefertigt am
Fraunhofer Institut für Solare Energiesysteme,
Freiburg im Breisgau

Tag der mündlichen Prüfung: 14. Februar 2014


1. Referent: Prof. Dr. Gerhard Willeke
2. Referentin: Prof. Dr. Elke Scheer


Konstanzer Online-Publikations-System (KOPS)
URL: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:352-271086


INHALTSVERZEICHNIS

1  Einleitung ..................................................................................................................................... 1 

1.1  Einleitung und Motivation der Arbeit ........................................................................................ 1 


1.2  Herstellung von Mehrfachsolarzellen mittels Wafer‐Bonding ......................................... 4 
1.3  Inhalt und Aufbau der Arbeit ......................................................................................................... 5 

2  Theoretische Grundlagen zum Wafer‐Bonding ............................................................. 7 

2.1  Einleitung .............................................................................................................................................. 7 


2.2  Direktes Wafer‐Bonding von Si und GaAs ................................................................................. 8 
2.2.1  Auswahl eines geeigneten Wafer‐Bonding‐Verfahrens ............................................................... 8 
2.2.2  Atomstrahlaktiviertes Wafer‐Bonding ............................................................................................. 10 
2.3  Voraussetzungen für das erfolgreiche Wafer‐Bonding ..................................................... 13 
2.4  Native Oxide von Si und GaAs ..................................................................................................... 16 
2.5  Defektfreier n‐Si/n‐GaAs Heteroübergang ............................................................................ 17 
2.6  Elektrische Eigenschaften von Bondgrenzflächen .............................................................. 19 
2.6.1  Homoübergang mit Defekten an der Grenzfläche ....................................................................... 19 
2.6.2  Si/GaAs Heteroübergang mit Defekten an der Grenzfläche .................................................... 23 

3  Wafer‐Bonding: Charakterisierungsmethoden und experimentelle


Vorgehensweisen ................................................................................................................... 27 

3.1  Wafer‐Bonding‐Prozess ................................................................................................................ 27 


3.2  Bestimmung der Zerstäubungsraten von thermischen SiO2 und GaAs ....................... 29 
3.3  Charakterisierung der Oberflächen mittels Rasterkraftmikroskopie ........................ 29 
3.4  Untersuchung der Bondgrenzfläche mittels IR‐ Transmission und
Ultraschallmikroskopie ................................................................................................................ 30 
3.5  HRTEM und EDXS Analyse ........................................................................................................... 32 
3.6  Bestimmung der Bondfestigkeit ................................................................................................ 34 
3.6.1  Maszara Klingentest ................................................................................................................................. 34 
3.6.2  Risswachstum bei der Durchführung des Maszara Klingentests .......................................... 36 
3.7  Untersuchung der elektrischen Leitfähigkeit von Si/GaAs Bonds ................................ 38 
3.8  Hallmessungen an atomstrahlbehandeltem GaAs .............................................................. 40 
3.9  Metallorganische Gasphasenepitaxie ...................................................................................... 41 

4  Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds ......................................................................... 43 

4.1  Zerstäubungsraten ......................................................................................................................... 43 


4.2  Wafer‐Bonding nach Atomstrahlaktivierung ....................................................................... 47 
4.2.1  Argonatomstrahlaktivierung ................................................................................................................ 47 
4.2.2  Heliumstrahlaktivierung ........................................................................................................................ 50 
4.2.3  Ursachen für die Nanostrukturen nach Helium‐FAB Behandlung ........................................ 53 
4.3  Blasenbildung an der Si/GaAs Grenzfläche ........................................................................... 55 
4.4  HRTEM und EDXS Analyse der Si/GaAs Grenzfläche .......................................................... 57 
4.5  Bondfestigkeit .................................................................................................................................. 64 
4.5.1  Bondenergie bei Raumtemperatur .................................................................................................... 64 
4.5.2  Bondenergie nach Ausheizen ............................................................................................................... 65 
4.6  Elektrische Leitfähigkeit .............................................................................................................. 68 
4.6.1  Einleitung ..................................................................................................................................................... 68 
4.6.2  Strom‐Spannungs‐Kennlinien von n‐Si/n‐Si und n‐GaAs/n‐GaAs Wafer‐Bonds .......... 68 
4.6.3  Elektrische Schädigung von GaAs ....................................................................................................... 72 
4.6.4  Strom‐Spannungs‐Kennlinien von n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds ............................................... 76 
4.6.5  Einflussfaktoren auf die elektrische Leitfähigkeit von Si/GaAs Wafer‐Bonds ................ 80 
4.7  Zusammenfassung und Ausblick der Si/GaAs Bondentwicklung .................................. 88 

5  Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen ........................................... 91 

5.1  Herstellungsprozess ...................................................................................................................... 91 


5.2  Verwendete Si‐Unterzellen ......................................................................................................... 93 
5.3  Charakterisierung der Mehrfachsolarzellen ........................................................................ 96 
5.4  GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf Si‐Substraten .......................................................... 97 
5.4.1  Struktur der Zweifachsolarzellen ....................................................................................................... 97 
5.4.2  Unterschiede zwischen den Zweifachsolarzellen ........................................................................ 98 
5.4.3  Externe Quanteneffizienzen ................................................................................................................. 99 
5.4.4  Stromanpassung und Kennlinien unter einfacher Sonnenkonzentration ...................... 101 
5.4.5  Strom‐Spannungs‐Kennlinien unter konzentriertem Sonnenlicht ................................... 104 
5.5  Auswirkungen der FAB Behandlung auf die Si‐Unterzelle ............................................ 108 
5.6  GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen ...................................................................................... 111 
5.6.1  Struktur und Unterschiede zwischen den Solarzellen ............................................................ 111 
5.6.2  Externe Quanteneffizienz und Stromanpassung der Teilzellen .......................................... 112 
5.6.3  Strom‐Spannungs‐Kennlinien unter einfacher Sonnenkonzentration ............................ 115 
5.6.4  Dreifachsolarzelle mit texturierter Rückseite ............................................................................ 118 
5.6.5  Strom‐Spannungs‐Kennlinien unter konzentriertem Sonnenlicht ................................... 120 
5.7  Zusammenfassung und Ausblick der GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen ........... 123 

6  Zusammenfassung und Ausblick der Dissertation .................................................. 125 

7  Anhang ..................................................................................................................................... 128 

7.1  Si/GaAs Bonds aus Kapitel 4 ..................................................................................................... 128 


7.2  Verwendete Si‐ und GaAs‐Wafer ............................................................................................. 130 
7.3  GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen aus Kapitel 5 .......................................................... 132 
7.4  SRIM‐2011 Software .................................................................................................................... 133 
7.5  Verwendete Referenzspektren AM1.5d und AM1.5g ....................................................... 134 
7.6  Spektrum der Xenon‐Blitzlichtlampe .................................................................................... 134 
7.7  Abkürzungsverzeichnis .............................................................................................................. 135 
7.8  Nomenklatur ................................................................................................................................... 136 

8  Literaturverzeichnis ........................................................................................................... 139 

9  Veröffentlichungen ............................................................................................................. 149 

10  Danksagung ........................................................................................................................... 151 



1 Einleitung
Dreifachsolarzellen bestehend aus III‐V‐Verbindungshalbleitern und
Germanium erreichen heutzutage Wirkungsgrade über 40 % unter
konzentriertem Sonnenlicht. Ziel dieser Dissertation war es eine
neuartige Dreifachsolarzelle zu realisieren, in der anstatt einer
Germanium‐Unterzelle eine vergleichsweise kostengünstige
Silicium‐Solarzelle verwendet wird. Um Probleme, die beim direkten
Wachstum von III‐V Halbleitern auf Silicium entstehen, zu umgehen,
wurden die Si‐ und GaInP/GaAs‐Teilzellen durch direktes Wafer‐
Bonding miteinander verbunden. In diesem Kapitel wird das
Konzept der GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzelle vorgestellt und die
Motivation erläutert. Außerdem wird ein Literaturüberblick zu
gebondeten Mehrfachsolarzellen gegeben und schließlich der
Aufbau dieser Arbeit beschrieben.

1.1 Einleitung und Motivation der Arbeit


Die große Herausforderung der heutigen Zeit ist es, eine umweltfreundliche und sichere
Energieversorgung zu schaffen. Eine wichtige Rolle spielt dabei die Photovoltaik, die es
ermöglicht, die täglich verfügbare Sonnenenergie in elektrische Energie umzuwandeln. Die
höchsten Wirkungsgrade von über 44 % [1] werden derzeit mit Mehrfachsolarzellen aus
III‐V‐Verbindungshalbleitern erzielt. Diese hocheffizienten Solarzellen bestehen aus
mehreren übereinander gestapelten Teilzellen, die jeweils einen anderen Spektralbereich
des Sonnenlichts absorbieren und durch Tunneldioden miteinander in Serie geschaltet sind.
Mehrfachsolarzellen können deshalb im Vergleich zu konventionellen Silicium‐Solarzellen
einen größeren Teil des Sonnenspektrums in elektrischen Strom umwandeln. Aufgrund
hoher Materialkosten werden die Mehrfachsolarzellen heutzutage nur in Konzentrator‐
modulen eingesetzt, in denen das Sonnenlicht mit bis zu 1000‐facher Konzentration auf
einen kleinen Solarzellenchip fokussiert wird [2]. In der Industrie haben sich
Ga0.50In0.50P/Ga0.99In0.01As/Ge–Mehrfachsolarzellen etabliert, die üblicherweise
gitterangepasst mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (englisch: metal organic
vapour phase epitaxy, MOVPE) [3] auf Germaniumsubstraten abgeschieden werden. Der
Rekordwirkungsgrad für diese Dreifachsolarzellen liegt bei 41.6 % unter 364‐facher
Sonnenkonzentration [1, 4]. Eine Übersicht zu den aktuellen Entwicklungen im Bereich der
Mehrfachsolarzellen ist in Referenz [2] gegeben.
Ziel dieser Dissertation war es, eine GaAs‐basierte Mehrfachsolarzelle zu entwickeln, bei der
die Germanium‐Unterzelle (und Substrat) durch eine Silicium‐Solarzelle (und Substrat)
ersetzt wird. Die wesentlichen Vorteile von Silicium sind die geringeren Materialkosten und
bessere Verfügbarkeit. Nach Abschätzungen von D’Souza et al. [5] könnte der Wechsel zu den
günstigeren Siliciumsubstraten mit Durchmessern von 20 cm die Kosten für
Mehrfachsolarzellen um bis zu 70 % senken. Germanium hingegen, das meist aus
Flugstäuben der Zinkgewinnung produziert wird [6] und an 43. Stelle der Elementhäufigkeit

2 Einleitung

der Erde steht, wurde im Jahre 2010 von der Europäischen Kommission „Unternehmen und
Industrie“ auf die Liste der kritischen Rohstoffe gesetzt [7]. Gründe hierfür sind die zu
erwartende steigende Nachfrage und die Abhängigkeit der EU von Importen aus China als
Hauptproduzenten [7]. Im Vergleich ist Silicium, das aus Siliciumdioxid gewonnen wird und
das zweithäufigste Element in der Erdkruste ist [6], sehr gut verfügbar.
Für die Anwendung in der Dreifachsolarzelle ist Silicium auch durch seine physikalischen
Eigenschaften äußerst attraktiv. In der herkömmlichen Ga0.50In0.50P/Ga0.99In0.01As/Ge–
Dreifachsolarzelle generiert die Unterzelle aus Germanium mit einer Bandlückenenergie von
0.66 eV [8] mehr Photostrom als die oberen Teilzellen [9]. Dieser Überschussstrom kann
aufgrund der Serienverschaltung der Teilzellen nicht genutzt werden. Die Verwendung einer
Silicium‐Unterzelle mit höherer Bandlückenenergie von 1.12 eV [8] kann die
Stromanpassung der Teilzellen verbessern und die produzierte Spannung der
Mehrfachsolarzelle erhöhen.
Abbildung 1‐1 zeigt den theoretischen Wirkungsgrad einer Dreifachsolarzelle mit Si‐
Unterzelle in Abhängigkeit der Bandlückenenergien von Mittel‐ und Oberzelle unter 500‐
facher Sonnenkonzentration (Spektrum AM1.5d, ASTM G173‐03 [10]). Die Werte wurden
von Dr. Simon Philipps mit Hilfe des Programms „EtaOpt” [11] berechnet, welches auf dem
Modell des detaillierten Gleichgewichts basiert [12, 13]. Der maximale Wirkungsgrad von
55.6 % kann von einer Dreifachsolarzelle mit der Bandlückenkombination von 1.96 eV,
1.48 eV und 1.12 eV erzielt werden. In dieser Arbeit wird eine Dreifachsolarzelle aus
Ga0.51In0.49P, GaAs und Si mit Bandlückenenergien von 1.88 eV, 1.42 eV und 1.12 eV
angestrebt. Wie in Abbildung 1‐1 gezeigt, erzielt diese Bandlückenkombination einen
theoretischen Wirkungsgrad von 53.7 %.

2.2 40 Wirkungsgrad [%]


44 56 - 54
Bandlücke der Oberzelle [eV]

48 52 - 54
50 50 - 52
2.0 52 48 - 50
54
46 - 48
44 - 46
Ga0.51In0.49P  = 53.7% 42 - 44
40 - 42
1.8
38 - 40
GaAs

36 - 38
40 - 42
AM1.5d (ASTM)
1.6
500 x1000 W/m²
max = 55.6 % T= 298 K
Eg(bot) = 1.12 eV (Si)
1.2 1.4 1.6 1.8
Bandlücke der Mittelzelle [eV]

Abbildung 1‐1: Simulation des theoretischen Wirkungsgrades von Dreifachsolarzellen mit Si‐Unterzelle
bei 500‐facher Sonnenkonzentration (AM1.5d, ASTM G173‐03 [10], 1000 W/m²). Der maximale
Wirkungsgrad von 55.6 % wird für Bandlückenenergien von 1.96 eV, 1.48 eV und 1.12 eV erreicht.
Gekennzeichnet ist die in dieser Arbeit realisierte Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzelle mit
Bandlückenenergien von 1.88 eV, 1.42 eV und 1.12 eV und ɳ=53.7 %. (Simulation durchgeführt von
Dr. Simon Philipps, Fraunhofer ISE, mittels EtaOpt [11]).

Einleitung und Motivation der Arbeit 3

Im Vergleich dazu besitzt die etablierte Ga0.50In0.50P/Ga0.99In0.01As/Ge–Dreifachsolarzelle


einen kleineren theoretischen Wirkungsgrad von 53.0 %1.
Die großen Herausforderungen in der Herstellung von GaAs basierten Solarzellen auf
Silicium liegen in den unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
(Si=2.6 × 10‐6 K‐1, GaAs=5.7 × 10‐6 K‐1 [8]) und Gitterkonstanten (aSi=0.543 nm,
aGaAs=0.565 nm [8]) von Silicium und GaAs. Das direkte Wachstum einer GaInP/GaAs‐
Solarzelle auf Silicium mittels MOVPE bei Temperaturen von 550 °C bis 700 °C führt zur
Bildung von Versetzungen und Antiphasengrenzen im GaAs [14, 15], die die Lebensdauer
von Minoritätsladungsträgern reduzieren [14] und dadurch die Effizienz der Solarzelle
senken. Um die Bildung von unerwünschten Kristalldefekten zu verhindern bzw. ihre Anzahl
zu reduzieren, werden beim Wachstum von GaAs auf Silicium häufig metamorphe
Pufferstrukturen (z. Bsp. aus SiGe [16‐18] oder Ga1‐xInxP [19]) verwendet, bei denen die
Gitterkonstante schrittweise von aSi=0.543 nm auf aGaAs=0.565 nm vergrößert wird [20].
Dennoch enthalten die so abgeschiedenen III‐V‐Halbleiterschichten noch zu viele Defekte um
hocheffiziente Mehrfachsolarzellen auf Si zu realisieren. Ga0.51In0.49P/GaAs‐
Zweifachsolarzellen, die auf Si‐Substraten abgeschieden wurden, erzielten bisher nur
Wirkungsgrade von 16.8 % [17] bzw. 16.4 % [21] unter einfacher Sonnenkonzentration
(terrestrisches Sonnenspektrum AM1.5g). Mit GaInP/GaAs‐Tandemsolarzellen, die
gitterangepasst auf GaAs‐Substraten abgeschieden wurden, konnten deutlich höhere
Wirkungsgrade von bis zu 30.3 % (AM1.5g, einfache Sonnenkonzentration) realisiert werden
[22, 23]. Die beste monolithische III‐V/Si‐Mehrfachsolarzelle, die Teilzellen aus Si und
Al0.1Ga0.9As besitzt, erreichte unter dem extraterrestrischen Sonnenspektrum AM0 einen
Wirkungsgrad von 21.3 % und wurde vor 15 Jahren von Umeno et al. hergestellt [24].
Um die Schwierigkeiten, die beim epitaktischen Wachstum von GaAs auf Silicium entstehen,
zu umgehen, wurde in dieser Dissertation ein neuer Herstellungsprozess untersucht, der in
Abbildung 1‐2 skizziert ist. Zunächst werden GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen invertiert,
mittels MOVPE auf GaAs‐Substraten abgeschieden. Durch das gitterangepasste Wachstum
entstehen nur sehr wenige Defekte in den III‐V Halbleitern. Danach werden die GaInP/GaAs‐
Zweifachsolarzellen mittels direktem Wafer‐Bonding mit einer separat hergestellten
Silicium‐Unterzelle verbunden. Unter Wafer‐Bonding versteht man im Allgemeinen einen
Prozess, bei dem zwei Oberflächen ohne Verwendung von Klebstoff dauerhaft eine Bindung
eingehen [25] (siehe Abschnitt 2.1). Da der Prozess bei Raumtemperatur stattfinden kann,
werden thermische Spannungen, die durch die unterschiedlichen thermischen
Ausdehnungskoeffizienten von Si und GaAs entstehen, vermieden. Nach dem erfolgreichen
Wafer‐Bonding wird das GaAs Wachstumssubstrat durch einen geeigneten Lift‐off Prozess
entfernt und kann für die Epitaxie der nächsten III‐V‐Solarzellen weiter verwendet werden.
Schließlich wird der GaInP/GaAs/Si‐Halbleiterstapel wie eine konventionelle
Mehrfachsolarzelle prozessiert und mit Metallkontakten auf der Vorderseite sowie einer
Antireflexbeschichtung versehen. Die Herausforderung dieses Herstellungsprozesses liegt in
der Realisierung einer mechanisch stabilen Verbindung zwischen Si und GaAs, die optisch

1 Berechnet von Dr. Simon Philipps (Fraunhofer ISE) unter 500‐facher Sonnenkonzentration (AM1.5d,

ASTM G173‐03, 1000 W/m²) mittels EtaOpt [11].




4 Einleitung

transparent und gleichzeitig elektrisch leitfähig ist. Deshalb stellt die Entwicklung des Wafer‐
Bonds einen Schwerpunkt dieser Dissertation dar.


Abbildung 1‐2: Schema des in dieser Dissertation verwendeten Herstellungsprozesses der GaInP/GaAs/Si‐
Dreifachsolarzelle. Zunächst wird eine GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzelle invertiert, mittels MOVPE auf
einem GaAs‐Substrat abgeschieden. Danach wird die GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzelle mit einer
Si‐Solarzelle durch direktes Wafer‐Bonding verbunden. Nach dem Ablösen (Lift‐off) des GaAs‐Substrats
wird die GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzelle wie gewöhnliche Mehrfachsolarzellen prozessiert.

1.2 Herstellung von Mehrfachsolarzellen mittels


Wafer‐Bonding
Hocheffiziente Mehrfachsolarzellen mittels Wafer‐Bonding zu realisieren wurde erstmals
2002 von J. M. Zahler et al. vorgeschlagen [26]. Die Idee war, eine GaInP/GaAs/
InGaAsP/InGaAs‐Vierfachsolarzelle herzustellen, bei der die oberen GaInP/GaAs‐Teilzellen
auf einem GaAs‐Substrat und die unteren InGaAsP/InGaAs‐Teilzellen auf einem InP‐Substrat
mittels MOVPE abgeschieden werden. Die Zellen sollten durch einen direkten Wafer‐Bond
nach nasschemischer Oxidentfernung dauerhaft miteinander verbunden werden. 2011
wurde für diese Vierfachsolarzelle ein sehr guter Wirkungsgrad von 33.5 % (Spektrum AM0)
unter einfacher Sonnenkonzentration erzielt [27].
Die ersten experimentellen Ergebnisse zu Mehrfachsolarzellen, die eine Bondgrenzfläche
zwischen aktiven Teilzellen besaßen, wurden im Jahre 2006 von Tanabe et al. [28] publiziert.
Ihre GaAs/GaInAs‐Tandemsolarzelle enthielt einen direkten Wafer‐Bond zwischen n‐GaAs
und n‐InP und erreichte einen Wirkungsgrad von nur 9.3 % (Spektrum AM1.5g, einfache
Sonnenkonzentration). Laut Tanabe et al. ist jedoch nicht der Wafer‐Bonding‐Prozess für den
niedrigen Wirkungsgrad verantwortlich, sondern Oberflächenrekombinationen in der
oberen Teilzelle und Widerstandsverluste an den Metallkontakten. Deutlich höhere
Wirkungsgrade von 37.8 % (Spektrum AM1.5g) unter einfacher und 40.7 % unter 10‐facher
Sonnenkonzentration wurden 2013 von P. T. Chiu et al. mit gebondeten Fünffachsolarzellen
erzielt [29]. Dabei wurden auf GaAs‐Substrat abgeschiedene AlGaInP/AlGa(In)As/Ga(In)As‐
Dreifachsolarzellen mit auf InP abgeschiedenen GaInPAs/GaIn(P)As‐Zweifachsolarzellen

Inhalt und Aufbau der Arbeit 5

verbunden. Die Mehrfachsolarzelle mit dem aktuell höchsten Wirkungsgrad von 44.7 % ist
eine gebondete GaInP/GaAs/GaInAsP/GaInAs‐Vierfachsolarzelle, die ihre maximale Effizienz
unter 297‐facher Sonnenkonzentration erreicht [30]. Für ihre Herstellung wurden jeweils
zwei Teilzellen auf InP‐ bzw. GaAs‐Substraten abgeschieden und durch einen direkten
Wafer‐Bond zwischen n‐InP und n‐GaAs verbunden [30].
Obwohl Zahler et al. [31] bereits 2005 einen Patentantrag für eine gebondete
GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzelle in den USA eingereicht haben, sind experimentelle
Ergebnisse von Mehrfachsolarzellen, die Teilzellen aus Si und III‐V‐Halbleitern enthalten und
mittels Wafer‐Bonding hergestellt wurden, erst in den letzten 3 Jahren, parallel zu dieser
Dissertation entstanden. Tanabe et al. [32] von der University of Tokyo haben 2012 eine
direkt gebondete Al0.1Ga0.9As/Si‐Tandemsolarzelle realisiert, für die ein unkalibrierter
Wirkungsgrad von 25.2 % unter einfacher Sonnenkonzentration angegeben wurde. Die erste
Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzelle wurde zu Beginn dieser Dissertation im Rahmen der
Diplomarbeit von Karen Dreyer [33] am Fraunhofer ISE realisiert. Dabei wurde das Wafer‐
Bonding von der Firma Ayumi Industries Co. Ltd. in Himeji (Japan) durchgeführt und eine
nicht optimierte Solarzellenstruktur verwendet. Da die Bondgrenzfläche eine geringe
elektrische Leitfähigkeit besaß, wurde der maximale Wirkungsgrad von 23.6 % (AM1.5d)
bereits unter 71‐facher Sonnenkonzentration erreicht.
Als Alternative zur Herstellung von III‐V/Si‐Mehrfachsolarzellen mittels Wafer‐Bonding wird
in einigen Gruppen das mechanische Stapeln der Teilzellen verfolgt (englisch: mechanical
stacking) [34‐36]. Der beste Wirkungsgrad von 25.5 % (Spektrum AM1.5g, einfache
Sonnenkonzentration) wurde 2012 mit einer Ga0.50In0.50P/Ga0.99In0.01As‐/Si‐
Dreifachsolarzelle an der McMaster University (Kanada) erzielt [36]. Bei der Herstellung
wurde eine Ga0.50In0.50P/Ga0.99In0.01As‐Zweifachsolarzelle gitterangepasst auf einem
Germaniumsubstrat abgeschieden. Danach wurde die Solarzelle abgelöst, auf der Rückseite
mit einem linienförmigen Metallkontakt versehen und schließlich auf den
Vorderseitenmetallkontakt einer Silicium‐Solarzelle gesetzt. Der große Nachteil dieses
Konzepts ist, dass ein Teil des Lichts von dem Metall zwischen den Teilzellen reflektiert wird
und so nicht in elektrische Energie umgewandelt werden kann. Diese optischen Verluste
werden durch die Verwendung eines direkten Wafer‐Bonds zwischen den Halbleitern in
dieser Dissertation vermieden.

1.3 Inhalt und Aufbau der Arbeit


Diese Arbeit wurde am Fraunhofer‐Institut für Solare Energiesystem ISE in der Abteilung
III‐V Epitaxie und Solarzellen angefertigt und durchgeführt. Im Wesentlichen lässt sie sich in
zwei Themenschwerpunkte unterteilen: Die Entwicklung eines stabilen und elektrisch
leitfähigen Wafer‐Bonds zwischen Silicium und Galliumarsenid und der Herstellung von
hocheffizienten GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen.
In Kapitel 2 werden deshalb zunächst unterschiedliche Wafer‐Bonding‐Verfahren vorgestellt
und der Stand der Forschung zum hier verwendeten atomstrahlaktivierten Wafer‐Bonding
beschrieben. Danach wird diskutiert, welche Anforderungen die verwendeten Wafer für das



6 Einleitung

erfolgreiche Bonding erfüllen müssen. Außerdem wird ein kurzer Überblick zu den nativen
Oxiden von Silicium und GaAs gegeben. Da der elektrische Widerstand der Si/GaAs
Grenzfläche von großer Bedeutung für die Mehrfachsolarzelle ist, werden
Energiebanddiagramme von Halbleitergrenzflächen diskutiert und ein Modell vorgestellt,
mit dem der Ladungsträgertransport über Bondgrenzflächen beschrieben werden kann.
Kapitel 3 beinhaltet eine Beschreibung der in dieser Arbeit verwendeten Bondkammer,
Charakterisierungsmethoden und der kompletten Versuchsdurchführung. Neben dem
Wafer‐Bonding‐Prozess werden die Präparation von Si/GaAs Bondproben und
Teststrukturen, aber auch die verwendeten Messgeräte und Auswerteverfahren vorgestellt.
Kapitel 4 gibt die Ergebnisse des atomstrahlaktivierten Wafer‐Bondings von Silicium und
GaAs wieder. Für die Optimierung der Atomstrahlbehandlungszeiten wurden die
Zerstäubungsraten der verwendeten Argon‐ und Heliumatomstrahlen und deren Einfluss auf
die Topographie von Si‐ und GaAs‐Oberflächen analysiert. Die Verwendung von Helium
führte zur Bildung von Nanostrukturen auf der Oberfläche, die einen stabilen Wafer‐Bond
verhinderten. Im Gegensatz dazu konnten die Si‐ und GaAs‐Oberflächen nach
Argonatomstrahlaktivierung erfolgreich verbunden werden. Die Grenzflächen
unterschiedlicher Si/GaAs Wafer‐Bonds wurden mittels IR‐Transmissionsaufnahmen,
Ultraschallmikroskopie und hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie
(HRTEM) auf makroskopische und mikroskopische Defekte untersucht. In den HRTEM‐
Aufnahmen, die an der Christian‐Albrechts‐Universität zu Kiel angefertigt wurden, konnte
eine amorphe Schicht an der Si/GaAs Grenzfläche nachgewiesen werden, deren Dicke durch
Ausheizen bei niedrigen Temperaturen abnahm und deren Komposition durch
energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDXS) analysiert wurde. Die Unterkapitel 4.5 und
4.6 befassen sich schließlich mit der mechanischen Stabilität und elektrischen Leitfähigkeit
der Si/GaAs Bondgrenzfläche. Da an der Grenzfläche eine Vielzahl von elektrischen Defekten
vorlag, besaßen Si/GaAs Bondproben zunächst diodenartige Strom‐Spannungs‐Kennlinien
und große Grenzflächenwiderstände. Deshalb wurde der Einfluss verschiedener
Prozessparameter auf die elektrischen Eigenschaften der Grenzfläche genau untersucht.
Nach der Optimierung konnten Si/GaAs Bondproben mit linearen Kennlinien und geringen
Grenzflächenwiderständen (ca. 3.6×10‐3 Ωcm²) realisiert werden.
Kapitel 5 beginnt mit einer detaillierten Beschreibung des Herstellungsprozesses der
GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen und der verwendeten Si‐Einfachsolarzellen. Die Eignung
des atomstrahlaktivierten Wafer‐Bonding‐Verfahrens für die Herstellung hocheffizienter
Mehrfachsolarzellen wurde zunächst an GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf Silicium‐
substraten getestet, die keinen pn‐Übergang im Silicium besaßen (Unterkapitel 5.4). Dabei
wurden erstmals Zweifachsolarzellen auf Silicium mit Wirkungsgraden von 26.0 % unter
einfacher und 26.5 % unter 250‐facher Sonnenkonzentration realisiert. In den Abschnitten
5.5 und 5.6 wird der Einfluss der FAB Aktivierung auf die Quanteneffizienz von
Si‐Einfachsolarzellen diskutiert und es werden erste Zellergebnisse von gebondeten
GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen vorgestellt.
Als Abschluss werden die wichtigsten Ergebnisse dieser Arbeit zusammengefasst und ein
Ausblick zu weiteren spannenden Entwicklungsthemen gegeben.
2 Theoretische Grundlagen zum Wafer‐
Bonding

Ein Schwerpunkt dieser Dissertation lag auf der Entwicklung einer
mechanisch stabilen, optisch transparenten und elektrisch leitfähigen
Verbindung zwischen Silicium‐ und Galliumarsenidoberflächen. Als
Methode wurde dafür das atomstrahlaktivierte Wafer‐Bonding
eingehend untersucht. In diesem Kapitel werden die theoretischen
Grundlagen des direkten Wafer‐Bondings und die damit verbundenen
Herausforderungen erläutert. Außerdem wird ein kurzer Überblick zu
den nativen Oxiden von Silicium und GaAs gegeben. Abschließend
werden Energiebanddiagramme von Wafer‐Bonds mit und ohne
Defekten an der Grenzfläche diskutiert und es wird ein Modell zur
Beschreibung des Ladungsträgertransports über defektreiche
Bondgrenzflächen vorgestellt.

2.1 Einleitung
Unter Wafer‐Bonding versteht man im Allgemeinen einen Prozess, bei dem spiegelpolierte,
saubere und flache Oberflächen miteinander in Kontakt gebracht werden und eine Bindung
eingehen [37]. Wafer‐Bonding bei Raumtemperatur ermöglicht es, eine Vielzahl von
Materialien mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, Gitterkonstanten,
und Kristallorientierungen miteinander zu verbinden [38]. Für die Herstellung der
GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzelle wird ein Wafer‐Bonding‐Verfahren benötigt, das eine
elektrisch leitfähige, mechanisch stabile n‐Si/n‐GaAs Grenzfläche ermöglicht, die im
Absorptionsbereich der Si‐Unterzelle transparent ist. Durch die Verwendung eines direkten
Halbleiterbonds ohne metallische oder dielektrische Zwischenschicht wird die optische
Transparenz der Bondgrenzfläche gewährleistet.
Direkte Wafer‐Bonding‐Verfahren, welche bei Raumtemperatur stattfinden können,
unterscheiden sich im Wesentlichen durch die verwendete Oberflächenpräparation und
darin, ob eine oxidfreie oder oxidreiche Grenzfläche realisiert wird. Eine weit verbreitete
Methode ist es, die Waferoberflächen nasschemisch mittels Ätzen in Flusssäure (HF) zu
deoxidieren und sofort danach aufeinander zu legen [39]. Die Bindung zwischen den
hydrophoben Oberflächen wird an einer Stelle durch einen kurzen Stoß mit einem Stift oder
einer Nadel initiiert und breitet sich von dort über die gesamte Grenzfläche aus [40]. Häufig
werden nasschemische Vorbehandlungen auch dazu genutzt, die Hydrophilität von
Waferoberflächen zu erhöhen [41, 42]. Analog zu den hydrophoben Bonds kann danach
zwischen den Wafern eine Bindung bei Raumtemperatur initiiert werden, jedoch existiert an
der hydrophil gebondeten Grenzfläche ein Oxid [41, 42]. Eine immer beliebter werdende
Alternative zu diesen Verfahren stellt das oberflächenaktivierte Wafer‐Bonding dar. Dabei
werden die Wafer in‐situ in einer Bondkammer mit Hilfe eines Plasmaprozesses präpariert

8 Theoretische Grundlagen zum Wafer‐Bonding

und bei niedrigem Druck miteinander verbunden. Je nach Plasmaprozess können dabei
oxidreiche [43] oder oxidfreie Bondgrenzflächen realisiert werden [44]. Im Folgenden wird
die Eignung unterschiedlicher Wafer‐Bonding‐Verfahren für die Herstellung der
GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzelle diskutiert.

2.2 Direktes Wafer‐Bonding von Si und GaAs

2.2.1 Auswahl eines geeigneten Wafer‐Bonding‐Verfahrens


Ein entscheidendes Kriterium für die Auswahl eines geeigneten direkten Wafer‐Bonding‐
Verfahrens ist die elektrische Leitfähigkeit über die Si/GaAs Bondgrenzfläche. Strom‐
Spannungs‐Kennlinien von unterschiedlichen n‐Si/n‐GaAs Bondgrenzflächen wurden 1998
von Zhou et al. [45] untersucht. Für das Bonding wurden die Wafer zunächst mittels
Flusssäure (HF) deoxidiert bzw. in einer RCA2‐Lösung (HCL:H2O2:H2O = 1:1:5) präpariert.
Danach wurden die hydrophoben bzw. hydrophilen Oberflächen in Kontakt gebracht und
anschließend bei 725°C ausgeheizt. Die Analyse der Strom‐Spannungs‐Kennlinien zeigte,
dass die hydrophil gebondeten Si/GaAs Proben im Vergleich zu den hydrophob gebondeten
Proben eine geringere elektrische Leitfähigkeit besaßen. Als Ursache dafür wurde eine
wenige nm dicke Oxidschicht diskutiert, die nur an der hydrophil gebondeten Grenzfläche
existiert [45]. Bei einer Stromdichte von 10 A/cm² verursachte die oxidreiche Grenzfläche
einen Spannungsabfall von 1.0 V. Im Vergleich dazu ergab die hydrophob gebondete
oxidfreie Si/GaAs Grenzfläche einen kleineren Spannungsabfall von 0.5 V. Dieser ist für die
Anwendung in der GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzelle jedoch zu hoch. Die geringe
Leitfähigkeit der hydrophob gebondeten Proben wurde von Zhou et al. auf eine
Diskontinuität im Leitungsband am Si/GaAs‐Heteroübergang zurückgeführt [45].
Experimentelle Ergebnisse von n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds mit höherer elektrischer
Leitfähigkeit waren zu Beginn dieser Dissertation nicht bekannt.
Ein Nachteil des Wafer‐Bondings nach nasschemischer Oxidentfernung ist, dass bei
Raumtemperatur nur geringe Bondfestigkeiten erzielt werden [42, 46], die sich auch nach
langen Lagerzeiten nicht erhöhen [40]. Die Ursache der geringen Bindungsenergien wurde
insbesondere an hydrophob gebondeten Waferpaaren aus Si untersucht [39, 47]. Nach der
Oxidentfernung mit Flusssäure (HF) und anschließendem Spülen mit H2O sind die freien
Bindungen der Siliciumoberflächen größtenteils mit Wasserstoff‐ und teilweise mit
Fluoratomen abgesättigt [48]. Die Verbindung der Oberflächen bei Raumtemperatur entsteht
vor allem durch Van‐der‐Waals‐Bindungen und Wasserstoffbrückenbindungen zur
Si‐F Gruppe [37, 47]. Um hohe Bondfestigkeiten zu erzielen, müssen hydrophob gebondete
Halbleiterschichten erst längere Zeit bei Temperaturen von über 300 °C [39] (bis 850 °C für
Si/GaAs [49]) getempert werden. Dabei desorbiert der Wasserstoff von den Oberflächen
und es bilden sich kovalente Bindungen zwischen den Halbleiterkristallen aus [39, 42]. Da
Silicium und GaAs unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten besitzen
(αGaAs= 5.7 × 10‐6 K‐1, αSi = 2.6 ×10‐6 K‐1 [8]), entstehen beim Ausheizen thermische
Spannungen. Diese können zur Rissbildung führen und Kristalldefekte im Halbleiter
erzeugen, welche die elektrischen Eigenschaften von optoelektronischen Bauteilen
beeinträchtigen [42]. Zusammenfassend können nach nasschemischer Vorbehandlung zwar

Direktes Wafer‐Bonding von Si und GaAs 9

oxidfreie leitfähige Bondgrenzflächen realisiert werden, jedoch ist diese Wafer‐Bonding‐


Methode aufgrund des benötigten Ausheizschritts bei Temperaturen über 600 °C für die
Herstellung der GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzelle wenig geeignet.
Direkte Halbleiterbonds mit hoher Bondfestigkeit bei Raumtemperatur können dagegen
durch oberflächenaktiviertes Wafer‐Bonding realisiert werden [43, 50‐52]. Besonders
vielversprechend ist die Oberflächenaktivierung mittels hochenergetischen Atomstrahlen.
Mit diesem Verfahren konnten bereits erfolgreich oxidfreie stabile Wafer‐Bonds zwischen Si
und GaAs hergestellt werden [50, 52]. Das Funktionsprinzip des atomstrahlaktivierten
Wafer‐Bondings ist in Abbildung 2‐1 skizziert. Zunächst werden Oxide und
Verunreinigungen von den Waferoberflächen mittels Atomstrahlzerstäubung entfernt.
Danach werden die Wafer im Vakuum miteinander verpresst. Beim Beschuss der
Halbleiteroberflächen mit den hochenergetischen Atomen entstehen verschiedene
Kristalldefekte, die sich zu einer amorphen Schicht an der Si/GaAs Grenzfläche akkumulieren
[52]. Laut Takagi et al. [53] erhöht die amorphe Schicht die atomare Diffusion an der
Oberfläche und setzt die Aktivierungsenergie des Wafer‐Bonds herab. Jedoch hat die Analyse
von Diodenkennlinien, welche an atomstrahlaktivierten p‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds [52, 54]
gemessen wurden, gezeigt, dass der Ladungstransport durch die amorphe Schicht an der
Grenzfläche gestört wird. Literaturergebnisse zur elektrischen Leitfähigkeit
atomstrahlaktivierter n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds waren zu Beginn dieser Dissertation nicht
vorhanden.
Da für atomstrahlaktivierte Si/GaAs Bondgrenzflächen eine hohe mechanische Stabilität bei
niedrigen Temperaturen zu erwarten war, wurde das atomstrahlaktivierte Wafer‐Bonding‐
Verfahren in dieser Arbeit eingehend untersucht und seine Eignung für die Herstellung von
GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen geprüft. Im folgenden Abschnitt wird deshalb das
atomstrahlaktivierte Wafer‐Bonding Verfahren genauer erklärt, der Stand der Forschung
zusammengefasst und die Verwendung von sowohl Argon‐ als auch Heliumatomstrahlen in
dieser Arbeit motiviert.


Abbildung 2‐1: Funktionsprinzip des atomstrahlaktivierten Wafer‐Bondings. Verunreinigungen und
Oxide auf den Halbleiterkristallen werden in einer Vakuumkammer mittels Atomstrahlzerstäubung
entfernt. Danach werden die gereinigten Halbleiteroberflächen im Vakuum miteinander verpresst.




10 Theoretische Grundlagen zum Wafer‐Bonding

2.2.2 Atomstrahlaktiviertes Wafer‐Bonding


Oberflächen nach Atomstrahlaktivierung dauerhaft miteinander zu verbinden wurde
erstmals 1992 von Suga et al. [55] anhand von Al/Al und Al/Si3N4 Bonds demonstriert.
Sugas Idee dabei war, dass die Oberflächen nach der Reinigung mit einem hochenergetischen
Atomstrahl (englisch: fast atom beam, FAB) besonders reaktiv sind [55]. Seitdem wurden
erfolgreich FAB aktivierte Wafer‐Bonds aus verschiedenen Halbleitern wie zum Beispiel
Si/Si [53, 56], Si/GaAs [50, 52], InP/Si [50] und GaP/GaAs [57] mit hohen Bondfestigkeiten
bei Raumtemperatur hergestellt. Die Atomstrahlen bestehen üblicherweise aus
Argonatomen, die kinetische Energien im Bereich von 0.5 keV [53] bis 1.5 keV [52, 53]
besitzen. Diese Projektilatome fliegen in der Prozesskammer in Richtung der
Halbleiteroberflächen (Target) und geben dort ihre Energie durch Stöße mit den
Halbleiteratomen ab. Dabei kann so viel Energie an die Targetatome übertragen an werden,
dass diese ihre Gitterplätze verlassen und durch Stöße mit weiteren Gitteratomen
Defektkaskaden auslösen [58]. Nimmt ein Atom an der Oberfläche einen nach außen
gerichteten Impuls und genügend Energie auf, um die Bindungsenergien zu überwinden,
wird es vom Festkörper gelöst, also zerstäubt [58] (siehe Abbildung 2‐2). Auf diese Weise
können Verunreinigungen und Oxide von den Halbleiteroberflächen entfernt werden. Für
weitere Details zur Atomstrahl‐ bzw. Ionenstrahlzerstäubung und den beteiligten
Wechselwirkungsprozessen wird auf das Lehrbuch von Nastasi et al. [59] und die
Referenzen [60‐63] verwiesen.
Da bei der Atomstrahlbehandlung eine Vielzahl von Kristalldefekten entsteht, kann dabei
auch eine Transformation der Halbleiteroberfläche vom kristallinen in den amorphen
Zustand stattfinden [58]. Entsprechend wurden in Transmissionselektronenaufnahmen von
FAB aktivierten Si/Si [53, 64] und Si/GaAs [50, 54] Wafer‐Bonds amorphe
Grenzflächenschichten gefunden. Die Dicke dieser Schichten nimmt mit steigender
kinetischer Energie und damit steigender Eindringtiefe der Argonprojektile zu [53]. Durch
Ausheizen kann die amorphe Schichtdicke reduziert werden [54]. Jedoch werden für die
vollständige Rekristallisation hohe Temperaturen von 600 °C [54, 64] bis 700 °C [53]
benötigt. Die FAB Behandlung amorphisiert nicht nur den Halbleiterkristall, sondern kann
auch die Oberflächenrauheiten von GaAs [52] und Si erhöhen [51], was eine Abnahme der
Bondfestigkeit für lange FAB Behandlungszeiten verursacht [51]. Die Bedeutung der
Oberflächenrauheit für das Wafer‐Bonding wird in den Abschnitten 2.3 und 4.2 genauer
diskutiert.

Abbildung 2‐2: Schematische Darstellung


eines Zerstäubungsprozesses. (Grafik aus
Ref. [60], Beschriftung wurde hinzugefügt,
Farbschema verändert.)



Direktes Wafer‐Bonding von Si und GaAs 11

Mögliche Einflussfaktoren auf die Bondfestigkeit wurden besonders intensiv in der Gruppe
von Prof. Tadatomo Suga an der University of Tokyo untersucht [51, 56, 65]. Laut
Tagaki et al. können in der Zeitspanne zwischen der FAB Behandlung und dem Kontakt der
Waferoberflächen Atome aus dem Restgas der Vakuumkammer an den Oberflächen
adsorbiert werden. Diese stören die Ausbildung kovalenter Bindungen zwischen den
Halbleitern und reduzieren die Bondfestigkeit [56]. Deshalb muss die Bondkammer schon
vor der FAB Behandlung auf einen niedrigen Druck im Bereich von 10‐6 Pa evakuiert werden
und die gereinigten bzw. deoxidierten Oberflächen dürfen nur kurz (< 120 sec) der
Vakuumatmosphäre ausgesetzt werden [56]. Der Argondruck während der FAB Behandlung
beeinflusst die Bondfestigkeit dagegen nicht, da die neutralen Argonatome als Edelgas keine
chemische Bindung mit den Oberflächenatomen eingehen [56]. Beim Bonding‐Prozess
werden die Waferoberflächen nach der Aktivierung nicht nur miteinander in Kontakt
gebracht, sondern meist vollflächig mit einer Kraft bis zu 10 kN [65] bei Raumtemperatur
verpresst. An Al/Al Bonds wurde demonstriert, dass sich die Wafer durch die äußere Kraft
verformen und dadurch die gebondete Fläche zunimmt [66]. Für Si/Si Wafer‐Bonds wurde
jedoch gezeigt, dass die Bondfestigkeit unabhängig von der angelegten Bondkraft [51] und
der Dauer des Verpressens ist [65].
Neben der Bondfestigkeit ist für viele Anwendungen der Ladungsträgertransport über die
Bondgrenzfläche entscheidend. Der Grenzflächenwiderstand von FAB aktivierten
p‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds nimmt laut Howlader et al. mit steigender Argonenergie und FAB
Behandlungszeit zu, da mehr elektrisch aktive Defekte erzeugt werden [52]. Die Leitfähigkeit
von p‐Si/n‐GaAs [54], p‐GaP/n‐GaAs [57] und p‐Si/p‐Si [64] Wafer‐Bonds konnte durch
Ausheizen bei 200 °C bis 600 °C verbessert werden, da ein Teil der FAB induzierten Defekte
an der Grenzfläche thermisch ausheilt [57, 64]. Der elektrische Widerstand von p‐Si/p‐Si
Wafer‐Bonds nahm außerdem zu, je länger die Oberflächen nach der FAB Behandlung dem
Vakuum in der Bondkammer ausgesetzt waren. Wie oben erläutert, werden in dieser Zeit
Fremdatome aus dem Restgas an den Oberflächen adsorbiert, welche als Defektzustände den
Ladungstransport über die Grenzfläche stören können [52].
Aus diesen Literaturergebnissen lässt sich ableiten, dass für die Herstellung einer stabilen
und leitfähigen Si/GaAs Bondgrenzfläche möglichst kurze FAB Behandlungszeiten mit
niedriger Atomstrahlenergie verwendet werden sollten und die Waferoberflächen direkt
nach der FAB Behandlung miteinander in Kontakt gebracht werden müssen. Da bei der
Wechselwirkung von hochenergetischen Ionen oder Atomen mit Festkörpern die
Defektkonzentration im Allgemeinen mit der Masse des Projektils sinkt [67], wurde im Juni
2011 von Prof. Oussama Moutanabbir (École Polytechnique de Montréal) vorgeschlagen,
anstatt Argonatomstrahlen, Heliumatomstrahlen für die Aktivierung zu verwenden. In
Tabelle 2‐1 sind einige wichtige Unterschiede zwischen dem Helium‐ und Argonbeschuss
eines Siliciumkristalls mit einer 2 nm dicken SiO2 Schicht zusammengefasst, die mit Hilfe der
Simulationssoftware SRIM‐20112 (siehe Abschnitt 7.4) ermittelt wurden.


2 SRIM – „The Stopping and Range of Ions in Solids“ Version 2011.06: Eine Software zur Berechnung

der Wechselwirkung hochenergetischer Ionen mit Festkörpern. Entwickelt von Ziegler et al. [68].




12 Theoretische Grundlagen zum Wafer‐Bonding

Tabelle 2‐1: Mit der Software SRIM‐20113 berechnete Zerstäubungsraten, Rückstreuraten und
Eindringtiefen von Helium‐ bzw. Argonprojektilen in Silicium mit einer 2 nm dicken SiO2‐Schicht auf
der Oberfläche. Es wurde ein Einfallswinkel von 45° und 5000 Projektile angenommen.

Zerstäubungsrate
Rückstreurate der Eindringtiefe der
Projektil Energie [eV] [Atome/Projektil]
Projektilatome [%] Projektilatome [nm]
Si O

1000 0.11 0.38 26.7 13.0


Helium
500 0.09 0.32 27.9 7.7

1000 0.57 2.17 2.2 2.9


Argon
500 0.35 1.42 2.3 2.1


Im Vergleich zu Argonprojektilen haben die leichteren Heliumprojektile mit kinetischen
Energien von 500 eV bzw. 1000 eV um Faktor 4 bis 6 kleinere Zerstäubungsraten und
gleichzeitig besitzen sie um über Faktor 12 größere Rückstreuraten. Eine Vielzahl der
Argonprojektile wird beim Zerstäubungsprozess in den Siliciumkristall implantiert und ist
aufgrund der geringen Eindringtiefe von unter 3 nm sehr nahe an der Oberfläche
konzentriert. Im Gegensatz dazu sind Heliumprojektile und die von ihnen verursachten
Kristalldefekte durch die größere Eindringtiefe breiter im Siliciumkristall verteilt. Ob diese
Verteilung für die Eigenschaften der Bondgrenzfläche von Vorteil ist, wurde in dieser
Dissertation geprüft. Literarturergebnisse zum Wafer‐Bonding nach Heliumatomstrahl‐
aktivierung waren zu diesem Zeitpunkt nicht bekannt.


3 SRIM – „The Stopping and Range of Ions in Solids“ Version 2011.06: Eine Software zur Berechnung

der Wechselwirkung hochenergetischer Ionen mit Festkörpern. Entwickelt von Ziegler et al. [68]
(siehe auch Abschnitt 7.4).

Voraussetzungen für das erfolgreiche Wafer‐Bonding 13

2.3 Voraussetzungen für das erfolgreiche Wafer‐


Bonding
Der Erfolg des Wafer‐Bondings wird danach beurteilt, ob eine stabile vollflächige
Verbindung zwischen den Waferoberflächen hergestellt wurde. Die Stabilität bzw. Festigkeit
des Wafer‐Bonds kann mit Hilfe der Adhäsionsarbeit pro Flächeneinheit beschrieben
werden, die benötigt wird, um die Waferoberflächen wieder voneinander zu trennen. Mit
als Abstand der Wafer im gebondeten Zustand, ist das Integral über die anziehende Kraft
pro Flächeneinheit [69]:

Die Adhäsionsarbeit gleicht außerdem der Summe der Oberflächenenergien pro


Flächeneinheit und , von den zwei durch die Trennung erzeugten Oberflächen
(1 und 2) [69]. In den meisten Veröffentlichungen wird als Maß für die Bondfestigkeit jedoch
nicht die Adhäsionsarbeit , sondern der Mittelwert der zwei Oberflächenenergien
und diskutiert

,
2
welcher als Bondenergie bezeichnet wird und in dieser Dissertation mit Hilfe des Maszara
Klingentests bestimmt wurde (siehe Abschnitte 3.6 und 4.5). Für Bonds aus den gleichen
Wafern gilt und die Bondenergie nimmt maximal den Wert der material‐ und
orientierungsabhängigen Oberflächenenergie des Halbleiterkristalls an. Für Si‐ bzw.
GaAs‐Wafer mit (100) Orientierung streuen die berechneten Literaturwerte der
Oberflächenenergie jedoch von 1.34 J/m² bis 2.53 J/m² [70, 71] bzw. von 0.91 J/m² bis
2.20 J/m² [70‐72].
Als Maß für die vollflächige Verbindung von Wafer‐Bonds werden üblicherweise die Anzahl
und Größe von sogenannten Fehlstellen betrachtet. Fehlstellen sind nicht gebondete
Bereiche an der Grenzfläche, die mittels Ultraschallmikroskopie und IR‐Tansmissions‐
aufnahmen detektiert werden können. Um die Bildung von Fehlstellen beim Wafer‐Bonding‐
Prozess zu verhindern und hohe Bondenergien zu erreichen, müssen die verwendeten Wafer
sehr hohen Anforderungen genügen, die im Folgenden erläutert werden.
Befindet sich beim Bonding‐Prozess ein Partikel auf der Waferoberfläche, müssen sich die
Wafer (i=1,2) mit Dicken lokal um diesen verbiegen (Abbildung 2‐3a) und es bildet sich
eine Gasblase an der Grenzfläche. Unter der Annahme eines inkompressiblen Partikels mit
Radius lässt sich laut Tong und Gösele [73] der Radius dieser nicht gebondeten Fehlstelle
für abschätzen als:

4
. (2.1)
3




14 Theoretische Grundlagen zum Wafer‐Bonding

Dabei ist / 1 mit dem Elastizitätsmodul des Wafers i und der


Poissonzahl .
Da sich dünne Wafer besser elastisch verformen können, nimmt der Fehlstellenradius für
geringere Waferdicken ab. Abbildung 2‐3b zeigt den Fehlstellenradius von Si/GaAs Bonds
aus 300 µm (Si) bzw. 450 µm (GaAs) dicken Wafern in Abhängigkeit vom Partikelradius. Es
zeigt sich, dass für mittlere Oberflächenenergien von 0.2 bis 0.8 J/m² schon kleine Partikel
mit einem Radius von nur 3 μm vergleichsweise große Fehlstellen mit Radien im Bereich von
2.7 mm bis 3.8 mm verursachen. Für die atomstrahlaktivierten Si/GaAs Wafer‐Bonds
wurden in dieser Arbeit mittlere Oberflächenenergien bzw. Bondenergien von 0.7 bis
0.9 J/m² gefunden.

(a) (b)

Radius der Fehlstelle r [mm] 6

2 0.2 J/m²
0.5 J/m²
0.8 J/m²
0
0 2 4 6 8 10 12
Partikelradius h [m]

Abbildung 2‐3: (a) Schematische Zeichnung einer Fehlstelle, die von einem Partikel erzeugt wird
(modifiziert von Ref. [73]). (b) Radius r einer Fehlstelle, die von einem Partikel mit Radius h erzeugt
wird. Berechnet nach Gleichung 2.1 für Si/GaAs Bonds aus 300 µm dicken Si‐ und 450 µm dicken
GaAs‐Wafern mit unterschiedlichen mittleren Oberflächenenergien  (verwendete Materialkonstanten:
EGaAs = 121 GPa, ESi = 169 GPa, GaAs= 0.31 , Si= 0.28 [74]).



Neben Partikeln können auch die Waferwölbung (Warp) und globale Dickenschwankung
(TTV) einen vollflächigen Wafer‐Bond verhindern. Wenn sich zwei unebene Oberflächen
nähern, entstehen an der Grenzfläche Hohlräume (siehe Abbildung 2‐4a), die nur teilweise
durch elastische Verformung der Wafer geschlossen werden [73]. Die kritische Höhe 2 , ab
der sich ein Hohlraum der Breite 2 nicht mehr schließen kann, ergibt sich durch Umstellen
von Gleichung 2.1 als [73]:

2
2 (2.2)
4

3


⁄ ⁄
für 2 .

Voraussetzungen für das erfolgreiche Wafer‐Bonding 15

In Analogie zu Fehlstellen, die durch Partikel verursacht werden, können auch Hohlräume
von dünnen Wafern besser geschlossen werden. Abbildung 2‐4b zeigt die kritische
Hohlraumhöhe für einen Si/GaAs Bond aus einem 300 µm dicken Si und einem 450 µm
dicken GaAs‐Wafer in Abhängigkeit von der Hohlraumbreite. Für die Herstellung der
GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen werden Wafer verwendet, deren Wölbungen kleiner als
15 µm (GaAs) bzw. 20 µm (Silicium) sind und die globale Dickenschwankungen (TTV)
kleiner als 10 µm (GaAs) bzw. 5 µm (Si) besitzen. Wenn diese Wafer in Kontakt gebracht
werden, können nur Hohlräume mit einer maximalen Höhe von 50 µm entstehen. Laut
Abbildung 2‐4b, werden diese Hohlräume schon für niedrige Oberflächenenergien von
0.2 J/m² ab einer Breite von 22 mm durch elastische Verformung der Wafer geschlossen. Da
die laterale Ausdehnung von makroskopischen Waferunebenheiten typischerweise deutlich
größer ist, wird ausgeschlossen, dass in den Experimenten dieser Arbeit Fehlstellen durch
die TTV und Verwölbung der verwendeten Wafer verursacht werden.

(a) (b)
50
Hohlraumhöhe 2h [um]

40

30

20
0.2 J/m²
10 0.5 J/m²
0.8 J/m²
0
0 5 10 15 20 25
Breite des Hohlraums 2r [mm]

Abbildung 2‐4: (a) Schematische Zeichnung eines Hohlraums an der Grenzfläche des Waferpaares
(modifiziert von Ref. [73]). (b) Nach Gleichung 2.2 berechnete Höhe 2h, ab der ein Hohlraum durch
elastische Verformung der Wafer nicht mehr geschlossen werden kann, in Abhängigkeit von der
Hohlraumbreite 2r. Dabei wurden Wafer‐Bonds aus 300 µm dicken Si‐ und 450 µm dicken GaAs‐Wafern
mit unterschiedlichen mittleren Oberflächenenergien  angenommen (verwendete Materialkonstanten:
EGaAs = 121 GPa, ESi = 169 GPa, GaAs= 0.31 , Si= 0.28 [74]).


Ein entscheidendes Kriterium für die Ausbildung eines stabilen Bonds zwischen den Wafern
ist außerdem die mikroskopische Oberflächenrauheit [75‐77]. Beim Wafer‐Bonding haften
die Halbleiteroberflächen oft nur aufgrund von kurzreichweitigen Van‐der‐Waals‐ oder
wenigen kovalenten Bindungen aneinander [46]. Je rauer die Oberflächen sind, umso kleiner
ist die effektive Kontaktfläche zwischen den Wafern und umso geringer ist die Bondenergie
des Wafer‐Bonds [76]. Als Bedingung für das erfolgreiche oberflächenaktivierte Wafer‐
Bonding wird in der Literatur meist ein quadratisches Mittel (englisch: root mean square,
RMS) kleiner als 1 nm für die Rauheit genannt [78]. Die Eignung des RMS‐Rauheitswerts als
Kriterium für die Bondfähigkeit von Oberflächen wird in Abschnitt 4.2.2 diskutiert.




16 Theoretische Grundlagen zum Wafer‐Bonding

Diese theoretischen Vorüberlegungen zeigen, dass nur partikelfreie, glatte Oberflächen für
das Wafer‐Bonding geeignet sind. Sollten die verwendeten Halbleiteroberflächen diese
Anforderung nicht erfüllen, können sie mittels chemisch‐mechanischem Polieren (CMP) für
das Wafer‐Bonding vorbereitet werden [79].

2.4 Native Oxide von Si und GaAs


Die verwendeten Solarzellen und Si‐ bzw. GaAs‐Substrate wurden vor dem Wafer‐Bonding
im Reinraum bei Raumtemperatur an Luft gelagert. Deshalb befand sich auf ihren
Oberflächen ein natürliches Oxid.
Aus der Literatur ist bekannt, dass das native Oxid auf Silicium typischerweise eine Dicke
von 1 bis 2 nm hat [80, 81]. Laut Al‐Bayati et al. [80] besteht es im äußeren Bereich
(~0.7 nm) aus stöchiometrischem SiO2. In der darunterliegenden SiOX Schicht (x<2) nimmt
der Sauerstoffanteil in Richtung des Si‐Kristalls ab [80].
Auf GaAs‐Oberflächen wurden in der Literatur native Oxide mit Dicken im Bereich von 1 bis
3 nm gefunden [82, 83]. Das Oxid ist eine Mischung aus Ga2O3 und As2O3, dessen Ga zu As
Verhältnis laut Grunthaner et al. [84] an der Oberfläche 2:1 beträgt und bis zur GaAs
Grenzfläche auf 10:1 ansteigt. Es wird angenommen, dass As2O3 mit GaAs zu Ga2O3 und
elementarem Arsen reagiert, welches sich an der Oxid/Halbleiter Grenzfläche sammelt [83].
Entsprechend wurde in der Analyse von Grunthaner et al. [84] elementares Arsen an der
Grenzfläche zum GaAs Kristall gefunden.
Die nativen Oxide auf den Si‐ und GaAs‐Wafer können nasschemisch durch Ätzen mit
Flusssäure (HF) vollständig entfernt werden. Jedoch oxidieren die Oberflächen beim darauf‐
folgenden Spülen mit deionisiertem Wasser, das aus sicherheitstechnischen Gründen nötig
ist, und ihrem Kontakt mit Sauerstoff und Feuchtigkeit aus der Luft schnell wieder. Wie in
Abbildung 2‐5 gezeigt, befinden sich nach einer Lagerzeit von nur 20 Minuten bei
Raumtemperatur wieder natürliche Oxide mit Dicken von 0.8 nm bzw. 1.3 nm auf den Si‐
und GaAs‐Wafern.

2.0
Abbildung 2‐5: Oxiddicken auf Si (100) und GaAs
((100), 6° fehlorientiert nach <111>A) Oberflächen
1.5 GaAs nach nasschemischer Oxidentfernung in Abhängigkeit
Oxiddicke [nm]

ihrer Lagerzeit an Luft bei Raumtemperatur. Nach dem


Ätzen in Flusssäure (HF, 5 %ig) wurden die Wafer so
1.0 Silicium
lange in deionisiertem H2O gespült, bis das Spülwasser
einen spezifischen Widerstand von 15 MΩcm hatte. Die
Oxiddicken wurden mittels spektraler Ellipsometrie
0.5
ermittelt. (Materialdaten der Oxide und Si aus Ref. [85,
86]; für GaAs wurde ein Fraunhofer ISE interner
Datensatz verwendet).
0.0
0 30 60 90 120 150 180

Zeit an Raumluft [min]




Defektfreier n‐Si/n‐GaAs Heteroübergang 17

Für die Herstellung einer stabilen und gut leitfähigen Si/GaAs Bondgrenzfläche ist es wichtig,
die Oxide auf den Halbleiteroberflächen vollständig zu entfernen. Dafür wurde in dieser
Arbeit die Atomstrahlzerstäubung genutzt, welche direkt in der Bondkammer stattfindet.
Eine nasschemische Deoxidation der Wafer vor ihrem Einbau in die Bondkammer könnte die
zur Oxidentfernung der Oberflächen benötigte Atomstrahlbehandlungszeit beim Wafer‐
Bonding‐Prozess halbieren. Da beobachtet wurde, dass beim Ätzen unerwünschte Partikel
aus den Chemiebecken auf die Waferoberflächen gelangen, wurde in dieser Arbeit jedoch auf
die zusätzliche nasschemische Oxidentfernung vor dem Wafer‐Bonding verzichtet.

2.5 Defektfreier n‐Si/n‐GaAs Heteroübergang


Für die Anwendung in der Mehrfachsolarzelle muss der n‐Si/n‐GaAs Heteroübergang einen
sehr geringen Grenzflächenwiderstand besitzen. Um die elektrischen Eigenschaften eines
Halbleiter‐Heteroübergangs vorherzusagen, wird der Verlauf von Leitungs‐ bzw. Valenzband
an der Grenzfläche betrachtet. Dieser hängt für den idealen Fall einer defektfreien
Grenzfläche im Wesentlichen von den materialspezifischen Elektronenaffinitäten und
Bandlückenenergien der Halbleiter sowie deren Ladungsträgerkonzentrationen ab. Im
Folgenden wird die theoretische Beschreibung eines isotypen Heteroübergangs nach den
Lehrbüchern von Sze [87] und Hunklinger [88] zusammengefasst.
Werden die n‐dotierten Halbleiter aus Abbildung 2‐6 (links) in Kontakt gebracht, fließen
Elektronen von Halbleiter B in Halbleiter A und es stellt sich ein Gleichgewicht ein, bei dem
das Ferminiveau überall gleich ist (rechts in Abbildung 2‐6).

Abbildung 2‐6: Energiebandschemata von zwei n‐dotierten Halbleitern bevor sie in Kontakt gebracht
werden (links) bzw. in Kontakt sind (rechts) und sich im thermischen Gleichgewicht befinden (Grafiken
nach Ref. [88]).




18 Theoretische Grundlagen zum Wafer‐Bonding

Da das Vakuumniveau stetig sein muss, ergibt sich im Leitungs‐ und Valenzband eine
Verbiegung und Diskontinuität. Wird eine äußere Spannung an den Heteroübergang
angelegt, so müssen die am Stromtransport beteiligten Elektronen an der Grenzfläche eine
Barriere im Leitungsband überwinden.
Abbildung 2‐7 zeigt das Energiebanddiagramm eines defektfreien n‐Si/n‐GaAs Übergangs,
das mit der Simulations‐Software AFORS‐HET [89] erstellt wurde. Dabei wurden in Si und
GaAs Ladungsträgerkonzentrationen von 4.0×1020 cm‐3 bzw. 1.3×1018 cm‐3 angenommen, die
auch in vielen Experimenten dieser Arbeit verwendet wurden. Durch die unterschiedlichen
Bandlückenenergien ergibt sich im Leitungsband ein Versatz von ∆ 0.10 eV. Da die
Halbleiter bis zur Entartung dotiert sind, liegt das Ferminiveau jedoch energetisch höher als
das Leitungsband. Dementsprechend können die Leitungselektronen von Silicium in GaAs
(und umgekehrt) wechseln ohne eine Barriere überwinden zu müssen. Für den defektfreien
Si/GaAs Übergang wird deshalb ein linearer Verlauf der Strom‐Spannungs‐Kennlinie
erwartet.

-4.0 Feminiveau
Leitungsband
Energie [eV]

-4.5 Silicium GaAs


Abbildung 2‐7: Energiebanddiagramm
Eg = 1.12 eV Eg = 1.42 eV
20 -3 18 -3 eines defektfreien n‐Si/n‐GaAs Übergangs.
n = 4.0x10 cm n = 1.3x10 cm
Da die Halbleiter entartet dotiert sind,
-5.0
liegt das Ferminiveau oberhalb des
Leitungsbandes (Simulation mit AFORS‐
Valenzband HET [89], Materialdaten aus Ref. [8].)
-5.5

-80 -40 0 40 80
Position [nm]



Elektrische Eigenschaften von Bondgrenzflächen 19

2.6 Elektrische Eigenschaften von Bondgrenzflächen


An Bondgrenzflächen von Halbleitern existieren häufig elektrische Defekte oder wenige nm
dicke amorphe bzw. oxidreiche Zwischenschichten [90, 91]. Üblicherweise wird in der
Literatur eine 1 bis 2 nm dicke Grenzflächenschicht, die eine größere elektrische Bandlücke
als die Halbleiterwafer besitzt, nicht berücksichtigt. Es wird angenommen, dass die
resultierende Potentialbarriere an der Grenzfläche von den Ladungsträgern mittels
quantenmechanischem Tunneln problemlos passiert werden kann [90, 91]. Die
Tunnelwahrscheinlichkeit Tt durch eine rechteckige Potentialbarriere mit Höhe und
Breite dt ist mit Hilfe der Wentzel‐Kramers‐Brillouin‐Näherung gegeben als [92]:

2 2 ∗
exp . (2.3)



Dabei ist das reduzierte Plancksche Wirkungsquantum und die effektive Masse der
Ladungsträger in der Zwischenschicht.
Zur Beschreibung des Ladungsträgertransports über die Bondgrenzfläche wird für Tt ein
Wert von 1 angenommen [90] und es werden nur elektrische Defekte, deren Energieniveaus
in den Bandlücken der Halbleiter liegen, betrachtet [90, 91]. Elektrische Defekte können
durch Oberflächenkontaminationen oder eine Fehlorientierung der Halbleiterkristalle [91]
bzw. wie in dieser Dissertation gezeigt, durch Atomstrahlaktivierung, entstehen. Basierend
auf diesen Annahmen konnten bisher schon die elektrischen Eigenschaften von oxidreichen
Si/Si [90, 91], schwefelpassivierten GaAs/GaAs [93] sowie InP/GaAs [94] Bondgrenzflächen
beschrieben werden.

2.6.1 Homoübergang mit Defekten an der Grenzfläche


In diesem Abschnitt wird der Energiebandverlauf und Ladungsträgertransport über eine
Bondgrenzfläche für den Fall n‐dotierter Halbleiter nach den Referenzen [90, 91] erläutert.
Ausgangspunkt der Betrachtung ist, dass an der Bondgrenzfläche akzeptorartige
Defektniveaus in der Bandlücke der Halbleiter existieren, in denen freie Ladungsträger
eingefangen werden können (englisch: carrier trapping). Im thermischen Gleichgewicht sind
alle akzeptorartigen Defektniveaus, die unterhalb des Ferminiveaus liegen, mit Elektronen
besetzt und dadurch negativ geladen [91]. Akzeptorartige Defektniveaus oberhalb des
Ferminiveaus sind dagegen unbesetzt und neutral. Aufgrund der besetzten Defektniveaus
liegt an der Bondgrenzfläche die negative Ladung vor. Um die Ladungsneutralität zu
erhalten, bilden sich in den angrenzenden n‐dotierten Halbleitern Verarmungszonen und
damit verbunden Verbiegungen in ihren Leitungs‐ und Valenzbändern [90, 91]. Das
resultierende Energiebanddiagramm ohne externe Spannung ist in Abbildung 2‐8 skizziert.




20 Theoretische Grundlagen zum Wafer‐Bonding

e  +
+ + +
++ +
+ EL
e
EF
unbesetzte
Zustände Abbildung 2‐8: Energiebanddiagramm
einer n/n Bondgrenzfläche mit
Energie Energie

Grenzflächendefekten ohne angelegte


besetzte Zustände
Spannung. EF, EL und EV kennzeichnen
die Lage des Ferminiveaus bzw. des
EV Leitungs‐ und des Valenzbandes (Grafik
modifiziert von Ref. [90, 91].)

Position x
-x1 0 x2


Die negative Grenzflächenladung wird durch positive Ladungen in den angrenzenden
Halbleitern ausgeglichen. Die Leitungsbandverbiegungen bzw. der Potentialverlauf
lässt sich mit Hilfe der eindimensionalen Poissongleichung [87]





in Abhängigkeit von der Grenzflächenladung berechnen [91]. Dabei ist die
Dielektrizitätskonstante, die relative Dielektrizitätszahl des Halbleiters und die
eindimensionale Ladungsverteilung.
Eine einfache Lösung dieser Poissongleichung wurde von Bengtsson und Engström in Ref.
[90] diskutiert. Dabei wurde die Näherung verwendet, dass die n‐dotierten Halbleiter
(1 und 2) nahe der Bondgrenzfläche über eine Breite bzw. vollständig verarmt sind.
Mit dieser Näherung entspricht die negative Ladung an der Grenzfläche identischer
Halbleiter (Wafer 1 und 2) mit Ladungsträgerkonzentration N , näherungsweise dem
Produkt aus der Gesamtbreite der zwei Verarmungszonen , (siehe Abbildung 2‐8) und
den darin enthaltenen (einfach) positiv geladenen Donatorrümpfen:

e N . (2.4)


Der Potentialverlauf Ψ x links bzw. Ψ x rechts von der Grenzfläche entspricht in diesem
Fall einer quadratische Funktion des Abstands zum Verarmungszonenrand [95, 96]:


Ψ x für 0 (2.5a)
2

bzw.
Ψ x für 0 . (2.5b)
2

Elektrische Eigenschaften von Bondgrenzflächen 21

Ohne angelegte Spannung ergibt sich die Höhe der Barriere im Leitungsband als [90, 95]:


eΨ , . (2.6)
2 8


Diese Näherungen zeigen, dass die Barrierenhöhe eΨ bei gleich bleibender
Grenzflächenladung invers proportional zur Ladungsträgerkonzentration ist. Aus diesem
Grund ist die Verwendung hochdotierter Wafer von Vorteil.
Wird eine äußere Spannung an den Homoübergang aus Abbildung 2‐8 angelegt, so befinden
sich an der Grenzfläche weitere akzeptorartige Defektzustände unterhalb des
Quasi‐Ferminiveaus des negativ vorgespannten Halbleiters und werden mit Elektronen
besetzt (siehe Abbildung 2‐9). Als Folge dessen sind die Grenzflächenladung und die daraus
resultierende Potentialbarriere von der angelegten Spannung abhängig.

neu besetzte
Zustände
e Abbildung 2‐9: Energiebanddiagramm
e e der n/n Bondgrenzfläche aus
EFn1 Abbildung 2‐8 mit angelegter Spannung
eV EL
V. Durch die Verschiebung der Quasi‐
EFn2
Ferminiveaus zueinander werden
weitere akzeptorartige Defektzustände
mit Elektronen besetzt. EFn1 und EFn2,
kennzeichnen die Lage der Quasi‐
Ferminiveaus. EL und EV zeigen die Lage
Energie

des Leitungs‐ und des Valenzbandes.


EV (Grafik modifiziert von Ref. [90, 91].)
Position

Ist die Barriere sehr klein ( Ψ <kBT=26 meV), kann sie bei Raumtemperatur von
ausreichend Ladungsträgern durch ihre thermische Energie überwunden werden, und die
Barriere hat keinen messbaren Effekt auf die Strom‐Spannungs‐Kennlinien der Wafer‐Bonds.
Experimentell werden an Wafer‐Bonds jedoch häufig Strom‐Spannungs‐Kennlinien mit
nichtlinearen Verläufen gemessen [64, 90, 97], die durch signifikante Potentialbarrieren
( Ψ >>kBT) an den Bondgrenzflächen verursacht werden.
Laut Bengtsson et al. [90, 91] kann der Ladungsträgertransport über die Potentialbarriere an
der Bondgrenzfläche in diesem Fall mit dem Modell der thermionischen Emission
beschrieben werden. In diesem Modell wird angenommen, dass einige Ladungsträger
aufgrund ihrer thermischen Verteilung eine Geschwindigkeit in Richtung der Grenzfläche
und genügend Energie besitzen um die Barriere ( Ψ >>kBT) zu überwinden [87]. Wird eine
äußere Spannung an den Halbleiterübergang angelegt, verschieben sich die Leitungs‐ und
Valenzbänder der Halbleiter zueinander und die effektive Barrierenhöhe wird reduziert



22 Theoretische Grundlagen zum Wafer‐Bonding

(siehe Abbildung 2‐9). Dadurch kann ein größerer Teil der Ladungsträger die Barriere
überwinden und zum Stromfluss beitragen [87, 98].
Der Stromfluss über die Grenzfläche in Abbildung 2‐9 ergibt sich dann aus den
Ladungsträgern die ausreichend thermische Energie haben um die Barriere
von links nach rechts zu überwinden minus der Ladungsträger in entgegengesetzt Richtung.
Die Stromdichte ist in Abhängigkeit von der angelegten Spannung V gegeben als [91]:

Ψ eΦ Ψ eΨ Ψ eΨ

exp exp exp (2.7)


mit eΨ eΨ eΨ eΨ . (2.8)


Dabei sind Ψ und Ψ die Barrieren im Leitungsband (siehe Abbildung 2‐9),
eΦ der Abstand des Quasi‐Ferminiveaus vom Leitungsband, ∗ die effektive
Richardsonkonstante ( ∗ 4 ∗⁄
), die Boltzmannkonstante, e die Elementar‐
ladung und die Temperatur. eΨ eΨ , ist positiv, wenn dadurch die Barriere im
Leitungsband von Wafer 1 bzw. 2 reduziert wird.
Das Verhältnis von der angelegten Spannung V zu Ψ ergibt sich nach den Näherungen von
Bengtsson und Engström für einen parabelförmigen Potentialverlauf aus den Gleichungen
2.4, 2.5a,b und 2.6 als [90]:

V Ψ Ψ . (2.9)
2


Mit Hilfe der Gleichungen 2.7 bis 2.9, kann bei bekannter spannungsabhängiger
Grenzflächenladung und für Ψ >>kBT die nichtlineare Strom‐Spannungs‐Kennlinie eines
Wafer‐Bonds, der aus identischen Substraten besteht, berechnet werden.
Ein anderes Modell zur Beschreibung des Ladungsträgertransports über Grenzflächen ist das
Tunneln, bei dem die Ladungsträger die von Defekten verursachte Barriere bereits an ihrer
Basis durchqueren. Im Gegensatz zur thermionischen Emission ist dieser Prozess aber
nahezu temperaturunabhängig [98, 99] und nur für sehr dünne Potentialbarrieren relevant.
Für Bondgrenzflächen ist der Anteil dieses Tunnelstroms am Gesamtstrom bei
Raumtemperatur meist vernachlässigbar [91, 93], was auch in dieser Arbeit durch die
Auswertung temperaturabhängiger Strom‐Spannungs‐Kennlinien von Si/GaAs Wafer‐Bonds
gezeigt wird.



Elektrische Eigenschaften von Bondgrenzflächen 23

2.6.2 Si/GaAs Heteroübergang mit Defekten an der Grenzfläche


Basierend auf den Erläuterungen aus Abschnitt 2.6.1 wird im Folgenden ein n‐Si/n‐GaAs
Heteroübergang mit akzeptorartigen Defekten an der Bondgrenzfläche diskutiert. Zur
Bestimmung des Energiebanddiagramms muss neben der Grenzflächenladung Qi und den
resultierenden Verarmungszonen in beiden Halbleitern auch der Leitungsbandversatz ∆ ,
der sich im defektfreien Zustand (siehe Abschnitt 2.5) durch die unterschiedlichen
Elektronenaffinitäten an der Grenzfläche ergibt, berücksichtigt werden. Laut Oldham und
Milnes bleibt diese Diskontinuität im Leitungsband ∆ trotz der geladenen Defektzustände
an der Grenzfläche erhalten und der Abstand von Leitungsband und Ferminiveau am
Heteroübergang wird durch die Grenzflächendefekte bestimmt [100].
In Abbildung 2‐10 ist das Energiebanddiagramm eines Si/GaAs Heteroübergangs mit
Grenzflächendefekten skizziert. Dabei wurden in Si und GaAs hohe Ladungsträger‐
konzentrationen von nSi= 4.0×1020 cm‐3 und nGaAs= 1.3×1018 cm‐3 berücksichtigt. Diese führen
im Falle eines defektfreien Übergangs zu einem Wert für ∆ von 0.10 eV. Für die
Leitungsbandverbiegungen eΨ und eΨ von Si und GaAs gilt [101]:

Ψ Δ Φ Ψ Φ .

Dabei ist die angelegte äußere Spannung und Φ bzw. Φ der Abstand des (Quasi‐)
Ferminiveaus zum Leitungsband von Si bzw. GaAs.

EL
e
 eGaAs
eSi eGaAs
EF eSi
EL
Abbildung 2‐10: Energieband‐
Silicium GaAs diagramm eines n‐Si/n‐GaAs
Eg = 1.12 eV Eg = 1.42 eV Heteroübergangs mit negativ
n= 4.0x10 cm
20 -3 18 -3 geladener Grenzfläche ohne
n= 1.3x10 cm
äußere Spannung. EF, EL, und EV
kennzeichnen die Lage des
EV
Energie

Ferminiveaus bzw. des Leitungs‐


und des Valenzbandes.

Position





24 Theoretische Grundlagen zum Wafer‐Bonding

Die Potentialverläufe Ψ und Ψ ergeben sich aus der Poissongleichung und der
Bedingung der Ladungsneutralität die besagt, dass die negative
Grenzflächenladung durch die positive Ladungen (HL= Si, GaAs) in den angrenzenden
Halbleitern ausgeglichen werden muss. Mit Hilfe von Boltzmann‐Statistiken für die
ortsabhängigen Elektronen‐ und Löcherkonzentrationen folgt für das Verhältnis von der
Potentialbarrieren und Grenzflächenladung in den Halbleitern [91, 101]:

2 exp ς ⁄ exp ⁄ ⁄ 1

exp ς ⁄ exp ⁄ ⁄ 1


ς und ς sind die Abstände der Quasi‐Ferminiveaus der Elektronen bzw. Löcher zum
intrinsischen Energieniveau im Halbleiter. Die effektive Barrierenhöhe Θ in
Abbildung 2‐10 ist die Differenz zwischen dem Leitungsbandmaximum von GaAs an der
Grenzfläche und dem Ferminiveau ohne äußere Spannung.
Wie in Abschnitt 2.6.1 erläutert, kann angenommen werden, dass die Ladungsträger die
Potentialbarriere an einer Bondgrenzfläche mittels thermionischer Emission überwinden.
Unter dieser Annahme ist die Stromdichte in Abhängigkeit von der angelegten Spannung
gegeben als [101]:


eΘ V
exp exp exp . (2.10)


Dabei sind und die Spannungsanteile, die in den jeweiligen Halbleitern abfallen. Sie
sind positiv, wenn durch Anlegen der äußeren Spannung eΨ bzw. eΨ
reduziert wird und sind folgendermaßen mittels den spannungsabhängigen
Potentialverläufen verknüpft [101]:

Ψ 0 V Ψ
Ψ 0 V Ψ .

Durch einfaches Umstellen lässt sich zeigen, dass die Gleichungen 2.10 und 2.7
identisch sind.
Die effektive Richardsonkonstante in Gleichung 2.10 ist proportional zur effektiven Masse
der Leitungselektronen, welche jedoch in Si und GaAs unterschiedlich groß ist. Laut Ref.
[102] wird der Ladungsträgertransport über die Grenzfläche durch die effektive
Richardsonkonstante desjenigen Halbleiters bestimmt, der die Barrierenspitze enthält und
in dem gleichzeitig die Leitungselektronen die kleinere effektive Masse haben. Grund dafür
ist, dass die Elektronen, die von der Seite mit größerer effektiven Masse zur Grenzfläche
gelangen zum Teil an dieser reflektiert werden [102, 103]. Für den hier diskutierten Si/GaAs

Elektrische Eigenschaften von Bondgrenzflächen 25

Heteroübergang entspricht deshalb der effektiven Richardsonkonstante von GaAs und
beträgt 8.16 A/cm²/K² [87].
Die Höhe der effektiven Barriere eΘ kann experimentell mit Hilfe der
Temperaturabhängigkeit des spannungsunabhängigen Vorfaktors



exp


ermittelt werden [87]. Dazu wird durch Annähern von Gleichung 2.10 an die
experimentellen Strom‐Spannungs‐Kennlinien bestimmt. Dies ist jedoch nur exakt möglich,
wenn die Spannungsabhängigkeit von Ψ bzw. Ψ bekannt ist. Deshalb ist es einfacher
den Gleichgewichts‐Leitwert zu betrachten, der sich aus Gleichung 2.10 und einer Taylor‐
Entwicklung der Exponentialfunktionen für kleine Spannungen ergibt [104]:


eΘ V
→ 0 exp 1 1

T e eΘ
exp → 0 .



Für die Auswertung werden die experimentell bestimmten Werte von durch die
Temperatur T geteilt und der Logarithmus gebildet:


1
ln ln eΘ . (2.11)


Wird ln ⁄ über 1⁄ aufgetragen, so ergibt sich eine lineare Funktion, deren negative
Steigung der effektiven Barriere eΘ entspricht. Ein Vorteil dieser Auswertemethode ist, dass
die Richardsonkonstante ∗ und die aktive Stromflussfläche nicht bekannt sein müssen.
Allerdings wird im Lehrbuch von Sze [87] empfohlen, für die Auswertung von J0 bzw. G0 nur
einen begrenzten Temperaturbereich (z. Bsp. 273 K bis 373 K) zu verwenden, da eΘ und ∗
ansonsten nicht als konstant angenommen werden können.
Diese theoretischen Herleitungen werden in Abschnitt 4.6 genutzt, um die Strom‐Spannungs‐
Kennlinien von atomstrahlaktivierten Bondproben zu diskutieren und die Barrierenhöhen
von Si/GaAs Bondgrenzflächen in Abschnitt 4.6.4 zu bestimmen.



3 Wafer‐Bonding:
Charakterisierungsmethoden und
experimentelle Vorgehensweisen

In diesem Kapitel werden die experimentellen Vorgehensweisen zu den
in Kapitel 4 und 5 gezeigten Ergebnissen erläutert. Zunächst wird die
in dieser Arbeit in Betrieb genommene Bondkammer SAB‐100
vorgestellt und der verwendete atomstrahlaktivierte Wafer‐Bonding‐
Prozess erläutert. Außerdem werden die Probenpräparation,
verwendeten Charakterisierungsmethoden und Auswerteverfahren
beschrieben, die zur Bestimmung der FAB Zerstäubungsraten und der
mechanischen, strukturellen und elektrischen Charakterisierung der
Si/GaAs Bondgrenzfläche genutzt wurden.

3.1 Wafer‐Bonding‐Prozess
Für das Wafer‐Bonding wurde die in Abbildung 3‐1 gezeigte Vakuumkammer SAB‐100 der
Firma Ayumi Industries Co. Ltd. aus Japan verwendet. Nach dem Einbau der Wafer wurde die
Kammer auf einen Druck von bis zu 1.5×10‐6 Pa evakuiert. Danach wurden die
Waferoberflächen unter einem Winkel von 45° mit hochenergetischen Argon‐ bzw.
Heliumatomstrahlen (englisch: fast atom beam, FAB) behandelt, welche in sogenannten
Sattelfeld‐Atomstrahlquellen erzeugt werden. In diesen Quellen wird ein elektrostatisches
Sattelfeld erzeugt, in welchem freie Elektronen so lange oszillieren, bis sie von der Anode

FAB Quelle

Waferhalterungen

FAB
Quelle

Abbildung 3‐1: Fotos der verwendeten Bondkammer SAB‐100: links beleuchtet, rechts mit
angeschalteten Argonatomstrahlen.

28 Wafer‐Bonding: Charakterisierungsmethoden und experimentelle Vorgehensweisen

eingefangen werden [105]. Durch die langen Oszillationswege besteht auch bei niedrigem
Druck eine hohe Wahrscheinlichkeit, dass die einströmenden Edelgasatome von den
Elektronen getroffen und ionisiert werden [105]. Die ionisierten Edelgasatome werden
aufgrund der Anodenspannung Vacc, welche im Bereich von 0.5 kV bis 1.2 kV liegt, in
Richtung der geerdeten Wände der Atomstrahlquellen beschleunigt. Die Edelgasionen
werden durch Stöße neutralisiert und fliegen schließlich durch Aperturplatten in die
Bondkammer. Die Aperturplatten besitzen ein Lochmuster, welches die Richtung und das
Profil der FAB vorgibt. Die kinetische Energie der Edelgasatome entspricht laut Hersteller
dem 0.4 bis 0.6‐fachen des Produkts aus Anodenspannung Vacc und Elementarladung. Der
Anodenstrom IAnode, der mit der Dosis der FAB korreliert [106], wurde in den Experimenten
auf einem konstanten Wert im Bereich von 50 bis 100 mA gehalten. Während der FAB
Behandlung hatten die Wafer üblicherweise eine Temperatur von 20 °C, jedoch wurden
testweise auch Temperaturen von bis zu 170 °C verwendet. Nach einer bestimmten FAB
Behandlungszeit wurden die Wafer innerhalb von 50 Sekunden einander angenähert und
mit einer Kraft von bis zu 10 kN für 5 Minuten verpresst. Die FAB‐Quellen wurden in vielen
Versuchen erst ausgeschaltet, nachdem die Wafer vollständig miteinander in Kontakt waren.
Beim Bonding‐Prozess waren die Si‐ und GaAs‐Wafer immer so ausgerichtet, dass die
kristallographischen Richtungen <100> von Silicium und <0‐1‐1> von GaAs parallel
zueinander waren. Die genauen Prozessparameter jeder Bondprobe mit Nummer #022 bis
#192 können in Tabelle 7‐1 im Anhang nachgelesen werden.
Als Edelgase für die Atomstrahlquellen wurden sowohl Argon (Reinheit: 99.999 %) als auch
Helium (Reinheit: 99.99999 %) untersucht. Der Anodenstrom der Argonatomstrahlen wurde
in allen Versuchen konstant auf 52 mA oder 100 mA eingestellt. Wie in Abbildung 3‐2
gezeigt, musste bei Verwendung einer größeren Anodenspannung Vacc der Argonfluss, also
die Teilchenzahl in den FAB Quellen, verkleinert werden, wodurch der Kammerdruck sank.
Der Heliumatomstrahl konnte nur angeregt werden, wenn noch ein Rest Argon in der
Atomstrahlquelle vorhanden war. Das Edelgasgemisch wurde innerhalb von 20 Sekunden
durch reines Helium ersetzt. Für den Heliumatomstrahl wurden Anodenströme von 100 mA
und 65 mA und eine Anodenspannung von 0.85 kV und 1.00 kV verwendet.

1.1

0.5
Anodenspannung Vacc [kV]

1.0
Kammerdruck [Pa]


0.9
0.4

0.8
Abbildung 3‐2: Kammerdruck und
0.7 Anodenspannung Vacc in Abhängigkeit
0.3 vom Argonfluss pro Atomstrahlquellen
0.6
für einen konstanten Anodenstrom von
0.5 IAnode =100 mA.
0.2
40 60 80 100 120 140
Argonfluss [sccm]




Bestimmung der Zerstäubungsraten von thermischen SiO2 und GaAs 29

3.2 Bestimmung der Zerstäubungsraten von


thermischen SiO2 und GaAs
Die verwendete Bondkammer SAB‐100 bietet keine Möglichkeit in‐situ den Materialabtrag
und die vollständige Deoxidation auf den Wafern zu überprüfen. Deshalb wurde mit Hilfe
spektraler Ellipsometerie [107] die Dicke von thermisch gewachsenem Siliciumdioxid4
(~280 nm) auf 4“ Silicium (100) Wafern vor und nach der Atomstrahlbehandlung gemessen
und daraus die Zerstäubungsrate berechnet. Dabei wurde am spektralen Ellipsometer
M200F von Woollam ein fester Einfallswinkel von 70° verwendet. Um eine Aussage über die
Homogenität des Abtrags zu erhalten, wurden die 4“ Wafer während der Messung mit einer
Auflösung von 0.5 cm abgerastert.
Zur Bestimmung der Zerstäubungsrate von GaAs wurden mittels MOVPE (Abschnitt 3.9)
jeweils eine Si‐dotierte n‐GaAs‐Testschicht und eine 100 nm dicke Ga0.51In0.49P‐Opferschicht
auf 4″ GaAs‐Wafern (Orientierung (100), 6° fehlorientiert nach <111>A oder <1‐11>B)
abgeschieden. Die Ga0.51In0.49P‐Opferschicht wurde auf einer Seite der Wafers selektiv mit
HCl (33 %ig) entfernt und diente während der Atomstrahlbehandlung als Maske. Nach der
Atomstrahlbehandlung wurde die Ga0.51In0.49P‐Maske selektiv mit HCl (33 %ig) entfernt und
die Höhe der Stufenkante im GaAs mit Hilfe eines Oberflächenprofilometers (Dektak6M von
Veeco) gemessen. Auf den GaAs‐Oberflächen befand sich vor der Atomstrahlbehandlung ein
ca. 2 nm dickes Oxid, welches eine andere Zerstäubungsrate als der Halbleiterkristall besitzt.
Außerdem bildete sich nach der Atomstrahlbehandlung ein neues Oxid auf der GaAs‐
Oberfläche, welches beim Entfernen der Ga0.51In0.49P‐Maske in HCl (33 %ig) abgeätzt wurde.
Die Zerstäubungsrate von GaAs kann deshalb nicht als Quotient aus gemessener
Stufenkantenhöhe und FAB Behandlungszeit berechnet werden. Für die korrekte
Bestimmung der Zerstäubungsrate wurden die Proben unterschiedlich lange mit dem Argon‐
FAB behandelt und die Stufenkantenhöhen über die FAB Behandlungszeiten aufgetragen. Die
Abtragrate wurde schließlich als Steigung der Ausgleichsgeraden durch diese Messpunkte
bestimmt (siehe Abschnitt 4.1).

3.3 Charakterisierung der Oberflächen mittels


Rasterkraftmikroskopie
Wie in Abschnitt 2.3 erläutert, ist die Oberflächenrauheit ein entscheidender Faktor für den
Erfolg des Wafer‐Bondings. Deshalb wurden die Si‐ und GaAs‐Oberflächen mittels
Rasterkraftmikroskopie (englisch: atomic force microscopy, AFM) charakterisiert. Von
besonderem Interesse war dabei, ob sich die Oberflächenrauheit der Halbleiter durch die
Argon‐ und Heliumatomstrahlbehandlung verändert. Deshalb wurden 4“ Silicium (100) und
GaAs ((100), 6° fehlorientiert nach <111>A) Wafer geviertelt und jeweils unterschiedlich
lange in der Bondkammer SAB‐100 mit den Argon‐ bzw. Heliumatomstrahlen behandelt.

4 Die thermische Oxidation der Si‐Wafer wurde von Felix Schätzle (Fraunhofer ISE) durchgeführt.




30 Wafer‐Bonding: Charakterisierungsmethoden und experimentelle Vorgehensweisen

Danach wurden mit einem Dimension 3100 von Veeco AFM‐Messungen im Nicht‐Kontakt‐
Modus [108] an den Proben durchgeführt5. Dabei wurden Scanfelder mit einer Größe von
500×500 nm² und 2×2 µm² verwendet. Die AFM Daten wurden schließlich mit Hilfe der
Software „Gwyddion 2.28“ [109] ausgewertet, indem die Topographie visualisiert und der
quadratische Mittelwert (englisch: root mean square, RMS) der Rauheit bestimmt wurde. Die
RMS Rauheit berechnet sich aus den Messpunkten mit Höhe und ihrer mittleren Höhe ̅
als [110]:

1
̅ .

3.4 Untersuchung der Bondgrenzfläche mittels IR‐


Transmission und Ultraschallmikroskopie
Nach dem erfolgreichen Wafer‐Bonding wurden die Waferpaare mittels
IR‐Transmissionsaufnahmen und Ultraschallmikroskopie auf makroskopische Fehlstellen,
die durch Partikel oder Unebenheiten an der Grenzfläche verursacht werden, untersucht.
Für die IR‐Transmissionsaufnahmen wird das gebondete Waferpaar von unten mit
Infrarotlicht (IR), das nicht bzw. nur teilweise von der Probe absorbiert wird, bestrahlt und
mit einer IR‐sensitiven Kamera von oben betrachtet (siehe Abbildung 3‐3a). Als
IR‐Lichtquelle diente in dieser Arbeit ein 10 × 10 cm² großes LED Feld mit einer
Emissionswellenlänge von 940 nm.
Durch die Interferenz von transmittiertem und an der Fehlstelle reflektiertem Licht
entstehen Newtonsche Ringe (siehe Abbildung 3‐3b) [73]. Unter der Annahme, dass die
Fehlstelle mit Luft gefüllt ist, kann aus der Anzahl der Interferenzringe die Höhe 2 der
Fehlstelle abgeschätzt werden als [73]:

2 . (3.1)
2

Für die erste destruktive Interferenz ( =0.5) muss die Höhe der Fehlstelle einem Viertel der
Wellenlänge des verwendeten Lichts entsprechen. Bei Verwendung einer Wellenlänge von
940 nm werden deshalb nur Partikel sichtbar, die größer als 235 nm sind. Laut den
Berechnungen aus Abbildung 2‐3 erzeugen diese Partikel an der Si/GaAs Bondgrenzfläche
jedoch bereits eine vergleichsweise große Fehlstelle mit einem Durchmesser von ca. 1 mm.
Eine bessere laterale Auflösung kann mit Hilfe der Ultraschallmikroskopie erzielt werden.


5 Alle AFM‐Messungen in dieser Arbeit wurden von Alexander Wekkeli (Fraunhofer ISE) durchgeführt.

Untersuchung der Bondgrenzfläche mittels IR‐ Transmission und Ultraschallmikroskopie 31

(a) (b)

Fehlstelle

Abbildung 3‐3: (a) Skizze des in dieser Arbeit verwendeten IR‐Transmissionsaufbaus.


(b) IR‐Transmissionsaufnahme eines 4“ Si/GaAs Waferpaares. Die Interferenzringe der Fehlstelle an
der Si/GaAs Grenzfläche sind deutlich zu erkennen.



Bei der Ultraschallmikroskopie (englisch: scanning acoustic microscopy, SAM) wird mit
Hilfe eines piezoelektrischen Messkopfes ein bis zu 100 ns langer Schallwellenpuls mit einer
Frequenz von 30 bis 100 MHz auf die im Wasser liegende Probe fokussiert und das
reflektierte Signal detektiert [111]. Die Signalstärke des reflektierten Pulses hängt von den
elastischen Eigenschaften der Probe ab. Durch Abrastern wird aus dem Reflexionssignal ein
Intensitätsbild der gesamten Probe erzeugt. Die genaue Funktionsweise wird in Ref. [111]
von Yu et al. ausführlich beschrieben. Da nicht gebondete Bereiche eines Waferpaares die
Schallwellen stärker reflektieren [73], werden sie als Intensitätsunterschiede sichtbar. In der
SAM‐Aufnahmen in Abbildung 3‐4 erscheinen die Fehlstellen deshalb hell. Im Vergleich zur
IR‐Transmission ist mittels Ultraschallmikroskopie eine höhere Auflösung möglich und es
können Fehlstellen mit einer Größe ab 50 µm detektiert werden [112]. Ein weiterer Vorteil
der Ultraschallmikroskopie ist, dass auch Waferpaare mit nicht transparenten Schichten
(z. Bsp. metallischer Rückseite) charakterisiert werden können.
Die in dieser Arbeit gezeigten SAM‐Bilder wurden am Fraunhofer‐Institut für
Kurzzeitdynamik (Ernst‐Mach‐Institut, Freiburg) mit einem SAMTEC Evolution
Ultraschallmikroskop aufgenommen. Zwar konnte mit dem verwendeten 30 MHz Messkopf
theoretisch eine laterale Auflösung von 50 µm erzielt werden, jedoch wurden die Wafer‐
Bonds aus zeitlichen Gründen meist mit einer Schrittweite von 200 µm abgerastert.




32 Wafer‐Bonding: Charakterisierungsmethoden und experimentelle Vorgehensweisen


Abbildung 3‐4: Ultraschallmikroskopaufnahme eines
4“ Si/GaAs Waferpaares. Nicht gebondete Stellen
reflektieren die Schallwellen stärker und erscheinen
in der Aufnahme hell.

3.5 HRTEM und EDXS Analyse


Die Struktur der Si/GaAs Grenzflächen wurde mittels hochauflösender Transmissions‐
elektronenmikroskopie (englisch: high resolution transmission electron microscopy,
HRTEM) in der Arbeitsgruppe für Mikrostrukturanalytik an der Christian‐Albrechts‐
Universität zu Kiel untersucht. Bei dieser Methode wird der Phasenkontrast von
transmittierten Elektronenwellen zur Bildgebung ausgewertet und es sind Auflösungen bis
zu 0.1 nm möglich [113]. Die Funktionsweise wird in Ref. [113] näher erläutert. Zusätzlich
wurden Konzentrationsprofile verschiedener Elemente nahe der Bondgrenzfläche mittels
energiedispersiver Röntgenspektroskopie (englisch: energy dispersive x‐ray spectroscopy,
EDXS [114]) aufgenommen. Bei dieser Methode wird ausgenutzt, dass bei der
Wechselwirkung des hochenergetischen Elektronenstrahls mit den oberflächennahen
Atomen Elektronen aus den inneren Elektronenschalen gestoßen werden. Rücken
Elektronen aus den äußeren Schalen auf die freigewordenen Plätze nach, wird
charakteristische Röntgenstrahlung freigesetzt. Durch Analyse des Röntgenspektrums
können die beteiligten Atome identifiziert werden [114].
Da die Si/GaAs Bondproben aus 300 µm dicken Si‐ und 450 µm dicken GaAs‐Wafern bei der
Probenpräparation nicht stabil waren, wurden für die HRTEM Untersuchungen spezielle
Proben mit dünner GaAs‐Schicht verwendet. Die Probenherstellung ist in Abbildung 3‐5
skizziert. Zunächst wurde eine 100 nm dicke Ga0.51In0.49P ‐Ätzstoppschicht und eine 1000 nm
dicke n‐GaAs:Te Bondschicht mittels MOVPE (siehe Abschnitt 3.9) auf GaAs‐Substraten
(Orientierung (100), 6° fehlorientiert nach <1‐11> B) abgeschieden (Run‐Nr. C0961‐bond,
Abbildung 7‐1 im Anhang). Nach der Epitaxie wurden die Wafer bei der Firma III/V‐Reclaim
(Pleiskirchen) chemisch‐mechanisch poliert mit dem Ziel, eine Oberflächenrauheit mit
RMS‐Wert kleiner 0.5 nm zu erzielen und Partikel zu entfernen. Bei diesem Prozess wurden
ca. 300 nm der GaAs‐Bondschicht entfernt. Die polierten GaAs‐Schichten wurden schließlich
in der Bondkammer SAB‐100 mittels argonatomstrahlaktiviertem Wafer‐Bonding mit

HRTEM und EDXS Analyse 33

300 µm dicken Si‐Wafern (100) verbunden (siehe Abschnitt 3.1). Details zum Wafer‐
Bonding‐Prozess (Bondnummern #086 und #142) sind in Tabelle 7‐1 im Anhang zu finden.
Nach dem Wafer‐Bonding wurden die GaAs‐Substrate sowie die Ga0.51In0.49P‐Ätzstoppschicht
nasschemisch entfernt6 und es verblieb jeweils nur die ca. 700 nm dicke GaAs‐Bondschicht
auf den Si‐Wafern.
An der Christian‐Albrechts‐Universität zu Kiel wurden aus den Si/GaAs Wafer‐Bonds mittels
Ionenstrahldünnung Querschnittsproben mit einer Dicke von wenigen 100 nm präpariert
und mit Hilfe des Transmissionselektronenmikroskops FEI Tecnai F30 G2 und einer
Beschleunigungsspannung von 300 kV untersucht. Der Elektronenstrahl besaß während den
Messungen typischerweise einen Durchmesser von 0.5 nm. Alle in dieser Dissertation
gezeigten HRTEM Bilder wurden in Richtung der Zonenachse [110] von Si aufgenommen.
Außerdem wurden EDXS‐Konzentrationsprofile nahe der Si/GaAs Bondgrenzfläche
aufgenommen. Bei der Messung wurde im Idealfall an jedem Messpunkt ein zylindrisches
Volumen mit einem Durchmesser von ca. 1 nm und einer Höhe, die der Probendicke gleicht,
zur Emission von Röntgenstrahlung angeregt.
Die Bondgrenzfläche des Si/GaAs Bonds #086 wurde direkt nach der
Querschnittspräparation und nach einem Ausheizen für 10 Minuten bei 200 °C und 400 °C
(Heizrampe 0.3 K/sec) untersucht. Die Probenstücke des Si/GaAs Bonds #142 wurden vor
der Probenpräparation für 1 Minute bei 290 °C (Rampe 2.2 K/sec) in Formiergasatmosphäre
(95 % N2 + 5 % H2) geheizt. Eines der Probenstücke von Bond #142 wurde zusätzlich für
1 Minute bei 400 °C (Heizrampe 1.0 K/sec, Formiergasatmosphäre) ausgeheizt. Für die
Probenpräparation von Bond #142 wurden Stellen entlang der gemeinsamen Bruchkante
verwendet.


Abbildung 3‐5: Herstellungsprozess der Si/GaAs Bonds für HRTEM und EDXS Analysen. Zunächst werden
eine Ätzstoppschicht aus GaInP und eine GaAs‐Bondschicht gitterangepasst auf einem GaAs‐Substrat
abgeschieden. Mittels CMP wird ca. 300 nm der GaAs‐Bondschicht entfernt und die Oberfläche für das
Wafer‐Bonding vorbereitet. Danach wird die GaAs‐Bondschicht durch Argon‐FAB aktiviertes Wafer‐
Bonding mit einem Si‐Substrat verbunden. Anschließend werden das GaAs‐Wachstumssubstrat und die
GaInP‐Ätzstoppschicht nasschemisch entfernt.


6 Das Ätzen des GaAs‐Substrats wurde von Karin Mayer (Fraunhofer ISE) durchgeführt.




34 Wafer‐Bonding: Charakterisierungsmethoden und experimentelle Vorgehensweisen

3.6 Bestimmung der Bondfestigkeit

3.6.1 Maszara Klingentest


Die Bondfestigkeit der atomstrahlaktivierten Si/GaAs Bondproben wurde mit Hilfe des
sogenannten Maszara Klingentests untersucht. Dieser wurde erstmals 1988 von
Maszara et al. vorgeschlagen [115] und ist eine einfache und schnelle
Charakterisierungsmethode.
Bei diesem Klingentest wird eine Rasierklinge mit Dicke d entlang der Bondgrenzfläche in
das gebondete Waferpaar eingeführt. Wie in Abbildung 3‐6 gezeigt, entsteht dabei ein Spalt
zwischen den Wafern und es stellt sich ein Gleichgewicht zwischen den elastischen
Deformationsenergien der Wafer und der zur Trennung des Waferpaares nötigen
Adhäsionsarbeit ein [69]. Die Spaltlänge wird mittels Ultraschallmikroskopie oder in
Infrarot‐Transmission bestimmt. Unter der Annahme, dass keine plastische Verformung
auftritt, kann für rechteckige Proben, deren Breite und Dicke kleiner als die Spaltlänge
ist, aus letzterer die Bondenergie (siehe Abschnitt 2.3) berechnet werden [75, 115]. Für
einen Bond aus Wafern mit unterschiedlichen Dicken (i = 1,2) und Elastizitätsmodulen
berechnet sich die Bondenergie , die als Mittelwert der Oberflächenenergien definiert ist,
als [69]:

3 (3.2)
.
2 16

Der Maszara Klingentest wurde in dieser Arbeit an atomstrahlaktivierten Si/GaAs Wafer‐
Bonds aus 300 µm dicken Si (100) und 450 µm dicken GaAs ((100), 6° fehlorientiert nach
<111>A) 4“ Substraten durchgeführt. Um zu gewährleisten, dass die Breite der Probe kleiner
als die entstehende Spaltlänge ist (b < L), wurden die Waferpaare entlang der <110>
Kristallrichtungen in 6 mm breite Streifen gesägt7. Im Gegensatz dazu wurde der Klingentest
in der Vergangenheit häufig an ganzen 4“ Waferpaaren durchgeführt. Jedoch haben
Bagdahn et al. [116] und Turner et al. [117] experimentell bzw. durch Simulationen gezeigt,
dass die an ganzen Si‐Waferpaaren bestimmten Bondenergien bis zu 30 % von den an
gesägten Proben bestimmten Werten abweichen.
Nach dem Sägen wurde ein Teil der Si/GaAs Bondproben in Stickstoffatmosphäre mit einer
Heizrampe von 2.2 K/sec für 10 Minuten bei einer Temperatur zwischen 90 °C und 200 °C
ausgeheizt. Schließlich wurde eine 150 µm dicke Klinge mit Keillänge von xKeil = 0.5 mm
schrittweise entlang der <110> Kristallrichtungen von Silicium und GaAs in die Proben
eingeführt. Die Länge des so entstandenen Spalts wurde mittels IR‐Transmissionsaufnahmen
(Wellenlänge = 940 nm) bestimmt. Aufgrund des inhomogenen Materialabtrags der beim
Wafer‐Bonding‐Prozess verwendeten Atomstrahlen (siehe Abschnitt 4.1) wurden für den
Klingentest nur die inneren 7 Streifen des 4“ Waferpaares verwendet und nur Messwerte
ausgewertet, bei denen die Klinge mehr als 1.5 cm vom Waferrand entfernt war.


7 Die Waferpaare wurden von Alexander Dilger (Fraunhofer ISE) in Streifen gesägt.

Bestimmung der Bondfestigkeit 35


Abbildung 3‐6: Schematische Darstellung des Maszara Klingentests (modifiziert von Ref. [69]).



Da in der Literatur teilweise eine unerwünschte Zunahme der Spaltlänge während des
Klingentests, ein sogenanntes Risswachstum, beobachtet wurde [118], wurde die Spaltlänge
in dieser Arbeit sowohl direkt nach dem Einführen der Klinge als auch nach einer Wartezeit
von mindestens einer Minute bestimmt. Der Effekt des Risswachstums wird in Abschnitt
3.6.2 näher beschrieben. Für die Bestimmung der Bondenergie wurden nur Si/GaAs Bonds
ausgewertet, an denen kein Risswachstum beobachtet wurde. Für diese Bonds wurde der
Mittelwert ̅ aus den an unterschiedlichen Stellen eines Streifens gemessenen
Spaltlängen berechnet und dazu die Keillänge xKeil der Klinge addiert. Aufgrund der
begrenzten optischen Auflösung des IR‐Transmissionsaufbaus unterschätzt die Summe aus
̅ und xKeil jedoch die reale Spaltlänge. In IR‐Transmissionsaufnahmen ist der Spalt erst
zu erkennen, wenn der Abstand der Waferstücke größer als ein Viertel der Wellenlänge λ des
verwendeten Lichts ist [116]. Spaltlängen, die von Bagdahn et al. in IR‐Transmission an
Si‐Waferpaaren gemessen wurden, ergaben deshalb um bis zu 40 % höhere Bondenergien
als die mittels Ultraschallmikroskopie erhaltenen Werte [116]. Aus diesem Grund haben
Bagdahn et al. eine Auswerteanalytik entwickelt, die es erlaubt mit Hilfe von IR‐
Transmissionsaufnahmen dennoch die korrekte Spaltlänge zu bestimmen. Dafür wird das
Verschiebungsprofil f(x) eines einseitig eingespannten Balkens als Grundlage
genommen [116]:

3
2 . (3.3)
4

Der Funktionswert f der experimentell bestimmten Spaltlänge x = ̅ + xKeil entspricht
dabei /8, der halben Auflösungsgrenze des Systems. Durch Einsetzen dieses Wertepaares in
Gleichung 3.3 kann die reale Spaltlänge berechnet werden.




36 Wafer‐Bonding: Charakterisierungsmethoden und experimentelle Vorgehensweisen

Mit Hilfe dieser Methode wurden auch in dieser Arbeit die realen Spaltlängen der Si/GaAs
Bondproben ermittelt. Aus , den Wafer‐ und Klingendicken und den materialspezifischen
kristallrichtungsabhängigen Elastizitätsmodulen (ESi = 169 MPa, EGaAs = 121 MPa [74])
wurden mittels Gleichung 3.2 schließlich die Bondenergien der Si/GaAs Wafer‐Bonds
berechnet. Die in Abschnitt 4.5 gezeigten Bondenergien enthalten den statistischen Fehler
der Spaltlänge sowie einen systematischen Fehler von 0.1 mm, der beim Ausmessen der
Spaltlänge in der IR Transmissionsaufnahme entstand.

3.6.2 Risswachstum bei der Durchführung des Maszara


Klingentests
Während der Durchführung des Maszara Klingentests wurde an manchen
atomstrahlaktivierten Si/GaAs Wafer‐Bonds ein Risswachstum beobachtet. Abbildung 3‐7
zeigt IR‐Transmissionsaufnahmen der in Streifen gesägten Wafer‐Bonds #072, #076 und
#090 direkt nach Einführen der Klinge und nach einer Wartezeit von 1 Minute (a,b,c) bzw.
15 Stunden (d). Die Si/GaAs Bonds unterscheiden sich durch unterschiedlich lange FAB
Behandlungszeiten mit Anodenspannungen Vacc von (0.63 ± 0.02) kV und (0.81 ± 0.02) kV
(siehe Tabelle 7‐1). Die Spaltlängen der Streifen L und J von Bond #072, dessen Wafer nur
3 Minuten mit den Argonatomstrahlen (Vacc = 0.62 kV ± 0.01 kV) behandelt wurden, nehmen
bereits nach 1 Minute um 0.6 mm bzw. 0.4 mm zu. Im Gegensatz dazu verändern sich die
Spaltlängen der Proben #076‐K und #090‐H, die für 9 bzw. 5 Minuten mit den
Argonatomstrahlen aktiviert wurden, nicht. Eine Zunahme der Spaltlänge wurde in der
Literatur bereits an hydrophil gebondeten Si/Si Proben mit Grenzflächenoxid beobachtet
[118, 119]. Es wird angenommen, dass Siloxanbindungen (Si‐O‐Si) an der Grenzfläche durch
Reaktionen mit H2O aus der Raumluft in Silanolbindungen umgewandelt werden
(Si‐O‐Si + H2O  Si‐OH + HO‐Si), welche sich durch die mechanische Spannung an der
Spaltspitze lösen [118]. Dadurch kann sich der Spalt bzw. Riss an der Grenzfläche immer
weiter fortsetzen. Dieses Risswachstum wurde an Wafer‐Bonds ohne Grenzflächenoxid
jedoch noch nie beobachtet [118].
Deshalb liegt der Verdacht nahe, dass die Grenzfläche des Si/GaAs Wafer‐Bonds #072 nicht
oxidfrei ist. Diese Hypothese wird durch die in Abschnitt 4.3 beobachtete Blasenbildung
(Abbildung 4‐8b) und die in Abschnitt 4.6.5 gezeigten Leitfähigkeitsuntersuchungen
untermauert. Drei Minuten Atomstrahlbehandlung mit Vacc = (0.62 ± 0.01) kV haben nicht
ausgereicht, um die Si‐ und GaAs‐Oberflächen vollständig zu deoxidieren. An der Grenzfläche
von Bond #072 existieren chemische Bindungen zwischen den Si‐ und GaAs‐Oxiden, die
durch Reaktionen mit der Luftfeuchtigkeit gelöst bzw. umgewandelt werden. Da das
Risswachstum die gemessenen Spaltlängen und die daraus berechneten Bondenergien
verfälscht, werden in Abschnitt 4.5 nur Ergebnisse von Proben gezeigt, deren Spaltlängen
konstant blieben.



Bestimmung der Bondfestigkeit 37


(a) #072‐L (c) #076‐ K

(b) #072‐J, ausgeheizt bei 200 °C (d) #090‐ H, ausgeheizt bei 170 °C

Abbildung 3‐7: IR‐Transmissionsaufnahmen des Maszara Klingentests an Si/GaAs Bonds, die in 6 mm


breite Streifen gesägt und zum Teil für 10 Minuten bei 200 °C (b) bzw. 170 °C (d) ausgeheizt wurden. Die
Rasierklinge (schwarz) wurde von rechts in die Proben eingeführt, der blaue Pfeil markiert jeweils die
Spaltlänge. Die Spaltlänge wurde sofort nach Einführen der Klinge und nach einer Wartezeit von 1 Minute
bzw. 15 Stunden gemessen. Die Spaltlängen der Streifen L und J von Bond #072, dessen Wafer beim
Bonding‐Prozess nur 3 Minuten mit den FAB ( Vacc = 0.62 kV ± 0.01 kV) behandelt wurden, nehmen bereits
nach einer Wartezeit von 1 Minute deutlich zu. Die Spaltlängen der Streifen #076‐K (c) und #090‐H (d),
deren Wafer für 9 bzw. 5 Minuten mit den FAB ( Vacc = 0.63 kV ± 0.02 kV bzw. Vacc = 0.81 kV ± 0.02 kV)
behandelt wurden, bleiben konstant. Weitere Details zum Wafer‐Bonding‐Prozess sind in Tabelle 7‐1 im
Anhang zu finden.




38 Wafer‐Bonding: Charakterisierungsmethoden und experimentelle Vorgehensweisen

3.7 Untersuchung der elektrischen Leitfähigkeit von


Si/GaAs Bonds

Der Ladungsträgertransport über die Bondgrenzfläche wurde an vielen unterschiedlichen
argonatomstrahlaktivierten Si/GaAs Wafer‐Bonds sowie einem Si/Si und einem GaAs/GaAs
Wafer‐Bond untersucht. Dafür wurden 300 µm dicke Si‐Wafer (100) mit einem spezifischen
Widerstand von (0.01‐0.02 Ωcm) verwendet, deren Ladungsträgerkonzentrationen an den
Oberflächen durch beidseitige Phosphordiffusion (POCL947) auf nSi,surf =4×1020 cm‐3 erhöht
wurden8. Das erzielte Dotierstoffprofil wurde mittels elektrochemischen Kapazitäts‐
Spannungs‐Messungen (ECV [120]) bestimmt und ist in Abbildung 3‐8 gezeigt.

1E21
Ladungsträgerkonzentration [cm ]
-3

1E20

1E19
Abbildung 3‐8: Dotierstoffprofil der
verwendeten Si‐Wafer, ermittelt durch
1E18 elektrochemische Kapazitäts‐Spannungs‐
Messungen.

1E17
0 100 200 300 400
Tiefe [nm]

Die GaAs‐Wafer waren 450 µm dick, hatten typischerweise eine Ladungsträgerkonzentration
von nGaAs = 1.0‐1.5×1018 cm‐3 (Si‐dotiert) und ihre (100) Oberfläche war um 6° in Richtung
<111>A fehlorientiert. Um den Einfluss der Ladungsträgerkonzentration auf den
Grenzflächenwiderstand zu prüfen, wurde auf die GaAs‐Wafer teilweise eine höher bzw.
niedriger Si‐dotierte GaAs‐Schicht mittels MOVPE (siehe Abschnitt 3.9) abgeschieden. Eine
Übersicht und Beschreibung der Proben ist in den Abschnitt 7.2 im Anhang gegeben.
Nach dem Wafer‐Bonding wurden flächige Metallkontakte auf die Waferrückseiten
aufgedampft9 und für 1 Minute bei 290 °C in Formiergasatmosphäre (95 % N2 + 5 % H2)
einlegiert (Heiz‐ und Abkühlrampe: 2.2 K/sec). Um den Beitrag des Metall‐Halbleiter‐
Übergangs und Substrats zum Gesamtwiderstand zu bestimmen, wurden außerdem einzelne
Si‐ und GaAs‐Wafer als Referenzproben mit prozessiert. Danach wurden die Wafer‐Bonds
und Referenzwafer in 3 x 3 mm² große Proben gesägt9. Ein Teil dieser Proben wurde bei


8 Die Phosophordiffusion wurde von Felix Schätzle (Fraunhofer ISE) durchgeführt.

9 Die hier beschriebenen Prozessschritte (Ätzen, Metall aufdampfen, Photolithographie, Sägen)

wurden von Inessa Semke, Ranka Koch, Karin Mayer und Alexander Dilger (Fraunhofer ISE)
durchgeführt.

Untersuchung der elektrischen Leitfähigkeit von Si/GaAs Bonds 39

Temperaturen zwischen 300 °C und 450 °C ausgeheizt (Formiergasatmosphäre, Rampe:


1 K/sec). Schließlich wurden im Kalibrierlabor des Fraunhofer ISE Strom‐Spannungs‐
Kennlinien10 der gesägten Proben aus der Mitte des Waferpaares bei einer Temperatur von
25 °C gemessen. Zur weiteren Analyse wurden von drei Si/GaAs Bondproben im Kryostaten
temperaturabhängige IV‐Kennlinien10 aufgenommen. Dafür wurden die Proben erst auf
‐150 °C abgekühlt und anschließend auf +150 °C erwärmt.
Die elektrische Leitfähigkeit wurde außerdem an atomstrahlaktivierten Si/GaAs Wafer‐
Bonds untersucht, die aus den gleichen Si‐Wafern, aber nur einer dünnen n‐GaAs‐Schicht
bestehen. Analog zur Herstellung der HRTEM Proben wurde dafür auf GaAs‐Substraten eine
100 nm dicke Ga0.51In0.49P‐Ätzstoppschicht und eine 1000 nm dicke n‐GaAs‐Bondschicht
(Si‐dotiert) mittels MOVPE abgeschieden (C0962‐bond‐3, siehe Abbildung 7‐1). Die Wafer
wurden bei der Firma III/V‐Reclaim (Pleiskirchen) chemisch‐mechanisch poliert und danach
am Fraunhofer ISE in der Bondkammer SAB‐100 mittels Argon‐FAB aktiviertem Wafer‐
Bonding mit den Si‐Wafern verbunden. Schließlich wurden das GaAs‐Substrat und die
Ga0.51In0.49P‐Ätzstoppschicht nasschemisch entfernt9 und punktförmige Metallkontakte
(Fläche ca. 1.02 mm²) aufgedampft9. Danach wurde die GaAs‐Schicht um die Metallkontakte
abgeätzt9, so dass nur die zylindrischen GaAs‐Strukturen auf dem Si‐Wafer verblieben. Nach
dem Einlegieren der Metallkontakte bei 290 °C (1 Min) in Fromiergasatmosphäre und einem
zusätzlichem Ausheizen für 1 Minute bei 400 °C (Rampe: 1 K/sec, Formiergasamtosphäre)
wurden Strom‐Spannungs‐Kennlinien10 der Proben im Kalibrierlabor des Fraunhofer ISE bei
25 °C gemessen.




10 Die Strom‐Spannungs‐Kennlinien wurden von Elvira Fehrenbacher (Fraunhofer ISE)

gemessen.




40 Wafer‐Bonding: Charakterisierungsmethoden und experimentelle Vorgehensweisen

3.8 Hallmessungen an atomstrahlbehandeltem GaAs


Die Veränderung der elektrischen Eigenschaften von GaAs durch Atomstrahlbehandlung
wurde mit Hilfe von Hallmessungen nach der Van‐der‐Pauw Methode [121] untersucht.
Diese Methode erlaubt es, von beliebig geformten Proben den spezifischen Widerstand und
Hallkoeffizienten zu bestimmen und daraus die Ladungsträgerkonzentration und
Ladungsträgermobilität zu berechnen. Im Folgenden wird eine kurze Einführung dazu
gegeben.
Bei der Methode wird die Probe am Rand mit punktförmigen Kontakten A,B,C,D versehen
(siehe Abbildung 3‐9). Für die Bestimmung des Schichtwiderstands lässt man zwischen den
benachbarten Kontakten A und B (bzw. B und C) einen Strom IAB (bzw. IBC) fließen und misst
den Potentialunterschied VCD (bzw. VAD) zwischen den gegenüberliegenden Kontakten
C und D (bzw. D und A). Für eine homogene Schicht der Dicke y lässt sich aus den
Widerständen RAB,CD = VCD/IAB und RBC,DA = VDA/IBC der spezifische Widerstand der Probe
berechnen [121]:

, ,
.
ln 2 2

Der Korrekturfaktor F hängt von dem Verhältnis RAB,CD zu RBC,DA ab und ergibt sich aus
folgender Gleichung [121]:

ln 2 , ⁄ , 1 1 ln 2
cosh exp .
, ⁄ , 1 2


Abbildung 3‐9: Versuchsaufbau für Hall‐
messung nach der Van‐der‐Pauw‐
Messmethode. Zwischen den Kontakten C und
A fließt der Strom ICA. Wird ein Magnetfeld
senkrecht zur Probe angelegt, so ergibt sich
aufgrund der Lorentzkraft ein Spanungs‐
unterschied ΔVBD (modifiziert von Ref. [122]).




Metallorganische Gasphasenepitaxie 41

Fließt ein Strom ICA zwischen den Kontakten C und A und wird ein externes Magnetfeld
senkrecht zur Probe angelegt, ändert sich aufgrund der Lorentzkraft die Spannung VBD
zwischen den Kontakten B und D (Abbildung 3‐9). Aus dem Unterschied der Widerstände
mit und ohne Magnetfeld ΔRCA,BD = ΔVBD / ICA ergibt sich der Hallkoeffizient KH [121]:

∆ , .


Unter der Annahme einer hochdotierten Schicht, in der nur Majoritätsladungsträger am
Stromtransport beteiligt sind, kann schließlich die Hall‐Mobilität und
Schichtladungsträgerkonzentration Nsh berechnet werden als [122]:

1 2 ln 2 ∆ ,
| | (3.4)
, ,

und

mit . (3.5)
∆ ,


Der Hall‐Streufaktor ist das Verhältnis zwischen der Hall‐Mobilität und
Driftbeweglichkeit und kann für GaAs als 1 angenommen werden [123].
Für die Probenherstellung wurden in dieser Arbeit zunächst eine 60 nm bzw. 120 nm dicke
hochdotierte GaAs‐Schicht mittels MOVPE (siehe Abschnitt 3.9) auf ein semi‐isolierende
GaAs‐Substrat ((100), 6° fehlorientiert nach <111>A oder <1‐11> B) mit einem spezifischen
Widerstand im Bereich von 1.8‐4.3×108 Ωcm abgeschieden. Die Wafer wurden geviertelt und
schließlich für bis zu 9 Minuten in der SAB‐100 Bondkammer mit den Argon‐FAB behandelt.
Danach wurden ca. 7 × 7 mm² große Proben abgespalten und an den Ecken kontaktiert. Für
die Hall‐Messungen wurden Magnetfeldstärken von 0.4 T bis 0.5 T verwendet. Bei der
Auswertung wurden Van‐der‐Pauw Korrekturfaktoren F zwischen 0.93 und 1.00
berücksichtigt. Die Schichtladungsträgerkonzentration und Hall‐Mobilität wurden nach den
Formeln (3.4) und (3.5) berechnet und schließlich die Mittelwerte von i Proben (i ≥ 3)
bestimmt.

3.9 Metallorganische Gasphasenepitaxie


Alle mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (englisch: metal organic vapour phase
epitaxy, MOVPE) [3] hergestellten Teststrukturen und Solarzellen wurden in einem
AIX2800G4‐TM Reaktor der Firma Aixtron bei Wachstumstemperaturen von 550 °C bis
700 °C und einem Reaktordruck von 50 mbar gitterangepasst auf 4“ GaAs‐Substraten ((100),
6° fehlorientiert nach <1‐11> B oder <111>A) abgeschieden. Dabei wurden Metallorganika



42 Wafer‐Bonding: Charakterisierungsmethoden und experimentelle Vorgehensweisen

(TMGa, TMAl, TMIn, DMZn, CBr4, DeTe) und Hydride (AsH3, PH3, SiH4) als Präkursoren
verwendet. Die Dicke bzw. Wachstumsrate der III‐V‐Halbleiter wurde in‐situ über
Dünnschichtinterferenzen mit Hilfe eines EpiCurveTT‐AR Geräts der Firma Laytec bestimmt.
Elektrochemische‐Kapazitäts‐Spannungs‐Messungen (ECV [120]) und Hallmessungen
(Abschnitt 3.8) wurden verwendet, um die Dotierstoffkonzentrationen der einzelnen
Schichten zu bestimmen. Die Gitteranpassung von (AlxGa1‐x)0.51In0.49P Schichten zu den GaAs‐
Substraten wurde mit einem X’Pert Epitaxy Röntgendiffraktometer von Panalytical durch
Rocking‐Kurven [124] an Teststrukturen geprüft.



4 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

In diesem Kapitel werden die Entwicklungsergebnisse von
atomstrahlaktivierten Wafer‐Bonds zwischen Si und GaAs beschrieben
und diskutiert. Für die Optimierung der Atomstrahl‐
behandlungszeiten wurden die Zerstäubungsraten der verwendeten
Argon‐ und Heliumatomstrahlen und deren Einfluss auf die
Topographie von Si‐ und GaAs‐Oberflächen analysiert. Die
Verwendung von Helium führte zu Nanostrukturen auf den
Oberflächen, die einen stabilen Wafer‐Bond verhinderten. Im
Gegensatz dazu konnten argonatomstrahlaktivierte Si/GaAs Wafer‐
Bonds mit wenigen nicht gebondeten Stellen und hohen
Bondfestigkeiten realisiert werden. Die strukturellen und
mechanischen Eigenschaften der Bondgrenzflächen wurden bei
Raumtemperatur und nach Ausheizen mittels IR‐Transmission,
Ultraschallmikroskopie, Maszara Klingentest und hochauflösender
Transmissionselektronenmikroskopie untersucht. Außerdem wurden
Strom‐Spannungs‐Kennlinien von atomstrahlaktivierten Si/Si und
GaAs/GaAs Wafer‐Bonds sowie der Einfluss der Atomstrahl‐
behandlung auf die elektrischen Eigenschaften von GaAs analysiert.
Schließlich wurde der Ladungsträgertransport über die Si/GaAs
Grenzfläche untersucht und der Grenzflächenwiderstand reduziert.

4.1 Zerstäubungsraten
Ein entscheidender Faktor für das atomstrahlaktivierte Wafer‐Bonding ist die vollständige
Entfernung des nativen Oxids auf den Halbleiteroberflächen. Die nativen Oxide auf den hier
verwendeten Si‐ und GaAs‐Wafern hatten Dicken im Bereich von 1 bis 2.5 nm. Um die zur
Oxidentfernung benötigte FAB Behandlungszeit zu bestimmen und die Homogenität des
Materialabtrags zu prüfen, wurden sowohl für Helium‐ als auch Argonatomstrahlen die
Zerstäubungsraten von thermisch gewachsenem Siliciumdioxid analysiert. Die
experimentelle Vorgehensweise ist in Abschnitt 3.2 beschrieben.
Abbildung 4‐1 zeigt die Zerstäubungsraten für Argon‐ und Heliumatomstrahlen, die mit
einer Anodenspannungen Vacc von (0.64 ± 0.01) kV bzw. (1.01 ± 0.03) kV und einem
konstanten Anodenstrom IAnode =100 mA erreicht werden. Der Materialabtrag über die 4“
Wafer ist stark inhomogen. Im mittleren Bereich des Wafers erreicht die Zerstäubungsrate
maximale Werte von 1.51 nm/min (Argon) bzw. 0.35 nm/min (Helium). Im Randbereich
(x= ‐4) ist sie um circa einen Faktor 4 geringer. Die Variation der Zerstäubungs‐
raten über die Wafer war für die zwei Edelgase und die in dieser Arbeit verwendeten
Atomstrahlparameter (siehe Tabelle 4‐1) vergleichbar.

44 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

(a) [nm/min]
4 0.20
0.00
0.50 0.10
0.20
0.80 0.30
2

y-Position [cm]
1.10 0.40
0.50
1.40
0.60
0.70
0 0.80
0.90
1.00
-2 1.10
1.20
1.30
1.40
-4 0.50 1.50
1.60
-4 -2 0 2 4
x-Position [cm]

(b) [nm/min]
4 0.00
0.02
0.04
0.32 0.06
2
y-Position [cm]

0.08
0.10
0.12
0.26 0.14
0.20
0 0.16
0.18
0.14 0.26 0.20
0.08 0.22
0.24
-2 0.26
0.28
0.32 0.30
0.32
-4 0.34
0.36
-4 -2 0 2 4
x-Position [cm]

Abbildung 4‐1: Zerstäubungsraten von thermischem Siliciumdioxid über einen 4“ Wafer für (a) Argon‐
bzw. (b) Heliumatomstrahlen. Es wurde eine Anodenspannungen von (a) Vacc = (0.64 ± 0.01) kV bzw.
(b) Vacc = (1.01 ± 0.03) kV, ein Anodenstrom von IAnode = 100 mA und ein Kammerdruck von (a)
(0.38 ± 0.01) Pa bzw. (b) (0.24 ± 0.01) Pa verwendet. Das Waferflat befindet sich unten (x = 0, y = ‐5).



Die mittlere freie Weglänge, die mit sinkendem Kammerdruck und durch die Verwendung
von kleineren Heliumatomen zunimmt [125], hat folglich nur einen vernachlässigbaren
Einfluss auf die Gleichmäßigkeit des Abtrags. Stattdessen wird die inhomogene Zerstäubung
durch das Atomstrahlprofil bestimmt, welches von der Geometrie der Atomstrahlquellen
und Aperturplatten vorgegeben wird. Eine Übersicht der mittleren SiO2‐Zerstäubungsraten
(gemittelt über die inneren 2×2 cm² der Wafer) von Helium‐ und Argonatomstrahlen ist in
Tabelle 4‐1 gegeben. Da der Anodenstrom mit der Dosis des Atomstrahls korreliert [106],
ergibt sich für einen Strom von 52 mA eine niedrigere Zerstäubungsrate als für 100 mA.

Zerstäubungsraten 45

Hingegen steigt die SiO2‐Zerstäubungsrate mit der Anodenspannung, also der kinetischen
Energie der Edelgasatome, an (siehe Abbildung 4‐2a). Die Verwendung von leichteren
Helium‐ statt Argonatomen führt zu einer um einen Faktor 10 kleineren Zerstäubungsrate.
Laut der von Peter Sigmund im Jahre 1969 vorgestellten Theorie zur Zerstäubung amorpher
Festkörper [61], ist die Zerstäubungsausbeute invers proportional zu der Oberflächen‐
bindungsenergie der Targetatome U0 und nimmt mit der an die Targetoberfläche
übertragenen Energie zu [126]. Deshalb steigt die Zerstäubungsrate mit zunehmender
kinetischer Energie der Projektilatome an. Da Argonatome mit vergleichsweise größerer
Kernladungszahl und Masse in SiO2 einen größeren nuklearen Bremsquerschnitt als
Heliumatome besitzen, wird an die Si und O Atome mehr Energie übertragen [126] und es
werden mehr Oberflächenatome zerstäubt. Die experimentellen Ergebnisse sind deshalb in
guter qualitativer Übereinstimmung mit der klassischen Zerstäubungstheorie und den
Vorhersagen aus Tabelle 2‐1.
Zu beachten ist, dass die experimentellen Zerstäubungsraten in Tabelle 4‐1 aus einem
SiO2‐Materialabtrag von durchschnittlich 19 nm bestimmt wurden. Laut Seah et al. ist die
Zerstäubungsrate üblicherweise zu Beginn des Zerstäubungsprozesses höher und erreicht
durch die entstehende oberflächennahe geschädigte Schicht, in der Argon‐ bzw.
Heliumatome eingeschlossen sind, und die bevorzugte Zerstäubung von Sauerstoff (siehe
Tabelle 2‐1) mit der Zeit einen niedrigen Wert [127]. Außerdem besteht das native Oxid auf
Silicium‐Oberflächen, welches beim Wafer‐Bonding‐Prozess entfernt werden soll, nur zum
Teil aus stöchiometrischem SiO2 (Vergleich Abschnitt 2.4). Deshalb dürfen die
Zerstäubungsraten aus Tabelle 4‐1 nur als Richtwerte für die Berechnung der zur
Oxidentfernung benötigten FAB Behandlungszeit verstanden werden. Um die vollständige
Deoxidation von 4“ Wafern zu gewährleisten, sollten die berechneten FAB
Behandlungszeiten um mindestens einen Faktor 4 verlängert werden.

Tabelle 4‐1: Zerstäubungsraten von thermisch erzeugtem Siliciumdioxid für Argon‐ und
Heliumatomstrahlen mit unterschiedlichen Anodenspannungen Vacc und Anodenströmen IAnode.
Die angegebenen Zerstäubungsraten ergeben sich als Mittelwerte von jeweils 16 Messpunkten, die
innerhalb einer Fläche von 2 × 2 cm² in der Mitte der Wafer aufgenommen wurden.

SiO2 Zerstäubungsrate
Edelgas Vacc [kV] IAnode [mA] Kammerdruck [Pa]
[nm/min]

1.19 ± 0.06 0.18 ± 0.01 2.39 ± 0.34


1.10 ± 0.06 0.20 ± 0.01 2.04 ± 0.27
0.92 ± 0.03 100 0.24 ± 0.01 1.89 ± 0.23
Argon
0.80 ± 0.02 0.28 ± 0.01 1.51 ± 0.18
0.64 ± 0.01 0.38 ± 0.01 1.42 ± 0.06
0.57 ± 0.01 52 0.38 ± 0.01 0.38 ± 0.03
1.01 ± 0.03 100 0.24 ± 0.01 0.23 ± 0.04
Helium
0.85 ± 0.02 65 0.38 ± 0.02 0.14 ± 0.01




46 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

Zum Vergleich wurde der Materialabtrag von GaAs untersucht, der mit Hilfe eines
Argonatomstrahls und einer Beschleunigungsspannung von Vacc= (0.64 ± 0.01) kV erreicht
wird (IAnode, = 100 mA). Die nach 23, 26 und 33 Minuten abgetragene Schichtdicke ist in
Abbildung 4‐2b gezeigt. Zwischen den zwei verwendeten Oberflächenorientierungen ((100),
6° fehlorientiert nach <1‐11>B bzw. <111>A) lässt sich kein signifikanter Unterschied
erkennen. Die Ausgleichsgerade durch die Messpunkte ist keine Ursprungsgerade, da sich
vor und nach der FAB Behandlung ein Oxid auf den Oberflächen bildete, welches eine andere
Zerstäubungsrate als der Halbleiterkristall besitzt bzw. nach der FAB Behandlung
nasschemisch abgeätzt wurde (siehe Abschnitt 3.2). Unter der Annahme, dass die Oxide auf
allen Proben vergleichbare Dicken besaßen, entspricht die Zerstäubungsrate von GaAs der
Steigung der Ausgleichsgeraden in Abbildung 4‐2b. Mit einem Wert von
(3.09 ± 0.07) nm/min ist sie um einen Faktor 2.2 größer als diejenige von SiO2. Die höhere
Zerstäubungsrate von GaAs stimmt mit den Erwartungen aus der Zerstäubungstheorie
überein.
Da die Zerstäubungsrate des nur wenige nm dicken nativen Oxids auf den GaAs‐Oberflächen
experimentell nicht bestimmt werden konnte, wurde die zur Deoxidation benötigte FAB
Behandlungszeit anhand von Literaturwerten abgeschätzt. In den Arbeiten von Chung et al.
[44, 50] wurden die Oberflächen von GaAs (100) während der Atomstrahlbehandlung in‐situ
mittels Augerelektronenspektroskopie analysiert. Die verwendeten FAB enthielten
Argonatome, die mit einer Spannung von 1.5 kV beschleunigt wurden und wie in dieser
Arbeit unter einem Winkel von 45° auf die Oberflächen trafen. Es hat sich gezeigt, dass das
native Oxid von GaAs, welches typischerweise 1 bis 3 nm dick ist, bereits nach 1 Minute
vollständig entfernt war. In der selben Zeit (1 Minute) wurden 0.9 nm einer (100)
orientierten Si‐Schicht zerstäubt [50]. Da Si eine vergleichbare Zerstäubungsrate wie SiO2
besitzt [127, 128], wird für die Experimente in dieser Arbeit angenommen, dass die FAB
Behandlungszeit, welche für die Entfernung des ca. 1.5 nm dicken nativen Oxids auf Silicium
benötigt wird, auch ausreicht, um das native Oxid von GaAs zu entfernen.

(a) 3.0 (b)


SiO2 Zerstäubungsrate [nm/min]

100
6° in <1-11>B
Abgetragene Dicke [nm]

2.5 80
6° in <111>A

60 6° in <1-11>B
2.0
40
Messwerte
1.5 Ausgleichsgerade
20 y= [(3.09 ± 0.07) *t ] nm/min
- (8.83 ± 2.05) nm

1.0 0
0.6 0.8 1.0 1.2 0 10 20 30 40 50
Anodenspannung Vacc [kV] Argon-FAB Behandlungszeit t [min]

Abbildung 4‐2: (a) Zerstäubungsraten von thermischem Siliciumdioxid aus Tabelle 4‐1 in Abhängigkeit
von der Anodenspannung Vacc des Argonatomstrahls bei einem konstantem Anodenstrom von 100 mA.
(b) Abgetragene Schichtdicke von GaAs, dessen (100) Oberfläche 6° in Richtung <1‐11>B bzw. <111>A
fehlorientiert ist, in Abhängigkeit von der Argon‐FAB Behandlungszeit mit Vacc =(0.64 ± 0.01) kV und
IAnode = 100 mA. Die Werte wurden in der Mitte der 4“ Wafer bestimmt.

Wafer‐Bonding nach Atomstrahlaktivierung 47

4.2 Wafer‐Bonding nach Atomstrahlaktivierung


Nach der Bestimmung der Zerstäubungsraten wurde geprüft, inwieweit die Argon‐ und
Heliumatomstrahlen für die Herstellung von direkten Wafer‐Bonds zwischen Si und GaAs
geeignet sind. Von besonderem Interesse war hierbei, ob und falls ja, wie sich die
Oberflächenrauheit der Halbleiter durch die FAB Behandlung verändert. Deshalb wurden
nicht nur erste Si/GaAs Wafer‐Bonds hergestellt, sondern auch die Topographie der
Halbleiteroberflächen nach der FAB Behandlung mittels Rasterkraftmikroskopie (englisch:
atomic force microscopy, AFM) analysiert. Aufgrund der inhomogenen Zerstäubungsrate
(siehe Abschnitt 4.1) wurden dabei nur Scanfelder im inneren Bereich der Wafer untersucht,
wo die Atomstrahldosis am größten ist (siehe Abschnitt 4.1) und entsprechend die größten
Veränderungen zu erwarten sind. Für die Auswertung der AFM Daten wird im Folgenden
zunächst der RMS Wert der Oberflächenrauheit diskutiert, da sich dieser in der Literatur als
Kriterium für die Bondfähigkeit von Waferoberflächen etabliert hat [40, 78, 129]. Vor der
Atomstrahlbehandlung hatten die Si (100) und GaAs ((100), 6° fehlorientiert nach <111>A)
Oberflächen eine RMS Rauheit unter 0.2 nm bzw. unter 0.1 nm.
Als Vergleichswert für die unterschiedlichen FAB Einstellungen (Beschleunigungs‐
spannung Vacc, Anodenstrom IAnode) wird an einigen Stellen der nominelle SiO2‐Materialabtrag
Δ angegeben. Dieser ergibt sich als Produkt der Zerstäubungsraten aus Tabelle 4‐1 und
der FAB Behandlungszeit.

4.2.1 Argonatomstrahlaktivierung
Die Si‐ und GaAs‐Wafer wurden nach Argon‐FAB Aktivierung und dem in Abschnitt 3.1
beschriebenen Bonding‐Prozess stets erfolgreich miteinander verbunden. Dabei wurden
Anodenspannungen Vacc zwischen 0.57 kV und 1.02 kV und Behandlungszeiten im Bereich
von 1 bis 9 Minuten verwendet, die einem nominellen SiO2‐Materialabtrag zwischen
1.4 und 17.5 nm entsprachen. Abbildung 4‐3 zeigt Ultraschallmikroskop‐ und
IR‐Transmissionsaufnahmen von zwei dieser Si/GaAs Wafer‐Bonds.


Abbildung 4‐3: Ultraschallmikroskop‐ (links) und IR‐Transmissionsaufnahme (rechts)
von 4“ Si/GaAs Wafer‐Bonds, die 5 Minuten (links: Bond #040) bzw. 9 Minuten (rechts:
Bond #076) mit den Argon‐FAB (Vacc = 0.63 kV ± 0.02 kV, IAnode = 100 mA) aktiviert
wurden. Details zum Wafer‐Bonding‐Prozess sind in Tabelle 7‐1 im Anhang zu finden.




48 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

In den Aufnahmen sind nur sehr wenige nicht gebondete Bereiche (Fehlstellen) zu erkennen,
die höchstwahrscheinlich durch Partikel an der Grenzfläche verursacht wurden. Aus der
Anzahl der Interferenzringe von Bond #076 lässt sich abschätzen, dass die zwei Partikel nur
zwischen 1.4 µm und 1.8 µm groß sind (siehe Abschnitt 2.3). Im Vergleich zum Durchmesser
der Fehlstelle ist der Partikel also um drei Größenordnungen kleiner.
In den Abbildungen 4‐4 a und b werden AFM‐Aufnahmen von GaAs‐ und
Si‐Waferoberflächen gezeigt, die 7.5 Minuten mit den Argon‐FAB (IAnode = 100 mA,
Vacc = (0.81 ± 0.03) kV, Δ = 11.3 nm) behandelt wurden. Die Oberflächen sind sehr glatt
und haben die gleichen RMS Rauheitswerte wie vor der FAB Behandlung (GaAs: 0.1 nm,
Si: 0.2 nm). In Abbildung 4‐5 (a und b) werden die RMS Rauheitswerte aller Si und GaAs
Proben in Abhängigkeit ihrer Argon‐FAB Behandlungszeit gezeigt. Da der RMS Rauheitswert
für alle untersuchten Si‐ bzw. GaAs‐Oberflächen vergleichbar ist, hat die Verwendung von
Argonatomstrahlen zur Zerstäubung des nativen Oxids und der obersten Atomlagen
(IAnode = 100 mA, Vacc = (0.81 ± 0.03) kV und Vacc = (0.63 ± 0.02) kV) keinen signifikanten
Einfluss auf die Topographie der Halbleiter.

Edelgas,
Δ Silicium GaAs
Zeit
(a) (b)

Argon, 11.3
7.5 min nm

RMS = 0.2 nm
RMS = 0.1 nm

(c) (d)

Helium,
2.1
nm
9.3 min

RMS = 0.3 nm RMS = 0.7 nm

(e) (f)

Helium, 6.9
30.0 min nm


RMS = 0.7 nm RMS = 0.7 nm

Abbildung 4‐4: AFM‐Aufnahmen und daraus bestimmte RMS Rauheitswerte von Si und GaAs‐
Oberflächen nach 7.5 Minuten Argon‐FAB Behandlung mit Vacc= (0.81 ± 0.03) kV (IAnode= 100 mA)
oder 9.3 Minuten bzw. 30 Minuten Helium‐FAB Behandlung mit Vacc = (1.01 ± 0.03) kV (IAnode = 100 mA).
Zu beachten sind die unterschiedlichen Höhenskalen. gibt den nominellen SiO2‐Materialabtrag an,
der sich als Produkt der Zerstäubungsraten aus Tabelle 4‐1 und der FAB Behandlungszeit berechnet.
(Messungen wurden von Alexander Wekkeli am Fraunhofer ISE durchgeführt.)

Wafer‐Bonding nach Atomstrahlaktivierung 49

Im Gegensatz dazu, nahm in Untersuchungen von Howlader et al. [52] der RMS Rauheitswert
von GaAs (100) Oberflächen durch die Argon‐FAB Behandlung mit vergleichbarer
Beschleunigungsspannung zu. Die Siliciumoberflächen blieben dagegen glatt [52]. Der
Unterschied zwischen den Ergebnissen von Howlader et al. und der vorliegenden Arbeit liegt
höchstwahrscheinlich in der Verwendung unterschiedlicher Atomstrahldosen und
Einstrahlwinkel (letzterer wird in Ref. [52] nicht angegeben). Ursachen für die Aufrauhung
von Oberflächen bzw. die Bildung von dreidimensionalen Strukturen während einer
Atomstrahlbehandlung werden in Abschnitt 4.2.3 diskutiert.
Da die hier verwendeten Si‐ und GaAs‐Wafer sehr glatt waren und ihre Oberflächenrauheiten
durch die verwendete Argon‐FAB Behandlung nicht zunahmen, haben die Oberflächen beim
Argon‐FAB aktivierten Wafer‐Bonding‐Prozess eine große Kontaktfläche. Dadurch bilden
sich an der Grenzfläche ausreichend atomare Bindungen aus und die Argon‐FAB aktivierten
Si/GaAs Wafer‐Bonds erreichen hohe Bondenergien (siehe Abschnitt 4.5.1).



Silicium GaAs

0.4 0.4
(a) Vacc = 0.81 ± 0.03 kV (b) Vacc = 0.81 ± 0.03 kV
Scanfeldgröße: Scanfeldgröße:
RMS Rauheit [nm]
RMS Rauheit [nm]

0.3 500 x 500 nm² 0.3 500 x 500 nm²


Argon‐FAB

2 x 2 m²
2 x 2 m²
Vacc = 0.63 ± 0.02 kV
0.2 0.2 Scanfeldgröße:
500 x 500 nm²

0.1 0.1

0.0 0.0
0 100 200 300 400 500 600 0 100 200 300 400 500 600
Argon FAB Behandlungszeit [sec] Argon FAB Behandlungszeit [sec]

1.0 1.0
Vacc = 1.01 ± 0.03 kV
Scanfeldgröße:
(c) Vacc = 1.01 ± 0.03 kV
Scanfeldgröße:
(d)
0.8 500 x 500 nm² 0.8 500 x 500 nm²
RMS Rauheit [nm]

RMS Rauheit [nm]

2 x 2 m² 2 x 2 m²
Helium ‐FAB

Vacc = 0.85 ± 0.02 kV Vacc = 0.85 ± 0.02 kV


0.6 0.6
Scanfeldgröße: Scanfeldgröße:
500 x 500 nm² 500 x 500 nm²
0.4 2 x 2 m² 0.4 2 x 2 m²

0.2 0.2

0.0 0.0
0 200 400 600 1000 1500 2000 0 200 400 600 1000 1500 2000
Helium FAB Behandlungszeit [sec] Helium FAB Behandlungszeit [sec]

Abbildung 4‐5: RMS Rauheiten von Silicium (a,c) und GaAs (b,d) Oberflächen in Abhängigkeit von der
FAB Behandlungszeit für unterschiedliche Anodenspannungen Vacc (Argon‐FAB: Vacc = (0.81 ± 0.03) kV
und Vacc = (0.63 ± 0.02) kV mit IAnode = 100 mA; Helium‐FAB: Vacc = (1.01 ± 0.03) kV mit IAnode = 100 mA,
Vacc = (0.85 ± 0.02) kV mit IAnode = 65 mA). Die RMS Rauheitswerte wurden in der Mitte der Wafer in
Scanfeldern mit Flächen von 500 × 500 nm² und 2 × 2 µm² bestimmt. (AFM Messungen wurden von
Alexander Wekkeli am Fraunhofer ISE durchgeführt.)




50 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

4.2.2 Heliumstrahlaktivierung
Im Rahmen dieser Dissertation wurde außerdem das Wafer‐Bonding von Si‐ und GaAs‐
Oberflächen nach Helium‐FAB Aktivierung getestet. Da die Zerstäubungsraten für die
verwendeten Helium‐FAB im Vergleich zu den Argon‐FAB um etwa einen Faktor 7 kleiner
waren (siehe Tabelle 4‐1), wurde die Entwicklung der Oberflächenrauheit und das Wafer‐
Bonding für entsprechend längere Helium‐FAB Behandlungszeiten untersucht.
Die Behandlung der Oberflächen mit 30 Minuten Helium‐FAB (Vacc = (1.01 ± 0.03) kV,
IAnode = 100 mA) erzielte einen vergleichbaren Materialabtrag (Δ = 6.9 nm) wie 5 Minuten
Argon‐FAB mit Beschleunigungsspannung von Vacc = (0.63 ± 0.02) kV (IAnode = 100 mA).
Dennoch führte das Wafer‐Bonding nach der Helium‐FAB Aktivierung zu keiner stabilen
Verbindung der Oberflächen. Die Wafer trennten sich sofort wieder. Das gleiche Ergebnis
lieferten Wafer‐Bonding‐Versuche nach kürzeren Behandlungszeiten von 18, 11 und
9.3 Minuten sowie Experimente mit kleineren Helium‐FAB Anodenspannungen
(Vacc = (0.85 ± 0.02) kV, IAnode = 65 mA für 10 Minuten). Die getesteten Parametervariationen
entsprachen nominellen SiO2‐Materialabträgen Δ zwischen 1.4 nm und 6.9 nm. Wurde
dieser Materialabtrag mittels Argon‐FAB statt Helium‐FAB Behandlung erzielt, war das
Wafer‐Bonding immer erfolgreich.
Die Abbildungen 4‐4 c bis f zeigen AFM Aufnahmen von Si‐ und GaAs‐Oberflächen, die 9.3
bzw. 30.0 Minuten mit den Helium‐FAB behandelt wurden. Die Oberflächen weisen Spitzen
bzw. Hügel auf, deren durchschnittliche Höhe mit der FAB Behandlungszeit zunimmt. Aus
den AFM‐Aufnahmen von Abbildung 4‐4 wurden repräsentative Linienprofile extrahiert
(siehe Abbildung 4‐6). Nach 9.3 Minuten Heliumstrahlbehandlung sind auf der Si‐Oberfläche
nur kleine Hügel mit einer Höhe von 1.5 nm zu finden (Abbildung 4‐6a). Im Gegensatz dazu,
befinden sich auf der GaAs‐Oberfläche Nanostrukturen mit Höhen im Bereich von 3.0 bis
5.0 nm und Basisdurchmessern von 35 bis 60 nm. Nach 30 Minuten Helium‐FAB Behandlung
steigt die Höhe der Nanostrukturen auf bis zu 3.5 nm (Silicium) und 6.0 nm (GaAs) an.

(a) (b)
8 8
nach 9.3 Min. Helium FAB Silicium nach 30.0 Min. Helium FAB Silicium
7 GaAs 7 GaAs
6 6
5 5
Höhe [nm]

Höhe [nm]

4 4
3 3
2 2
1 1
0 0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
x [m] x [m]

Abbildung 4‐6: Repräsentative Linienprofile der Si‐ und GaAs‐Oberflächen nach (a) 9.3 Minuten und
(b) 30 Minuten Helium‐FAB Behandlung (Vacc = (1.01 ± 0.03) kV, IAnode = 100 mA). Extrahiert aus den
AFM Aufnahmen von Abbildung 4‐4.

Wafer‐Bonding nach Atomstrahlaktivierung 51

Beim Wafer‐Bonding‐Prozess verringern diese Nanostrukturen die Kontaktfläche der Si‐ und
GaAs‐Wafer. Ursachen für die Entstehung der Nanostrukturen werden in Abschnitt 4.2.3
diskutiert.
Die Abbildungen 4‐5 c und d zeigen die RMS Rauheitswerte der Si‐ und GaAs‐Oberflächen in
Abhängigkeit von ihrer Helium‐FAB Behandlungszeit. Im Gegensatz zur Zerstäubung mit
Argon, führt die Verwendung von Helium mit Anodenspannungen von Vacc = (1.01 ± 0.03) kV
und Vacc = (0.85 ± 0.02) kV bereits nach wenigen Minuten zu einer starken Zunahme der
Oberflächenrauheit. Bereits nach 4 Minuten Helium‐FAB werden für GaAs RMS
Rauheitswerte von über 0.2 nm erreicht. Nach 18 und 30 Minuten Helium‐FAB Behandlung
mit Vacc = (1.01 ± 0.03) kV haben die Si‐ und GaAs‐Oberflächen schließlich RMS Rauheiten im
Bereich von 0.6 nm bis 0.7 nm.
In der Literatur wird üblicherweise der RMS Rauheitswert als Kriterium für die
Bondfähigkeit von Oberflächen diskutiert. Im Allgemeinen gelten Werte bis zu 1 nm als
akzeptabel [78]. Vertraut man diesen Aussagen, müsste das Wafer‐Bonding von Si und GaAs
nach Helium‐FAB Aktivierung in dieser Arbeit erfolgreich sein. Im Vergleich haben
Takagi et al. [51] Argon‐FAB aktivierte Bonds aus Si‐Wafern mit RMS Oberflächenrauheiten
bis zu 1.3 nm (Scanfeldgröße: 1000 × 1000 nm²) realisiert. In Takagis Untersuchungen
ergaben Wafer mit RMS Rauheiten von 0.3 nm bis 0.6 nm stabile Si/Si‐Bonds mit hohen
Zugfestigkeiten (ca. 10 MPa). Für RMS Rauheiten von 1 nm war die Zugfestigkeit niedriger,
trotzdem funktionierte das atomstrahlaktivierte Si/Si Wafer‐Bonding [51].
Aus den Ergebnissen der vorliegenden Arbeit folgt, dass die Betrachtung der quadratischen
Rauheit (RMS) nicht ausreicht, um die Bondfähigkeit von Oberflächen zu beurteilen und den
Erfolg des Wafer‐Bondings vorherzusagen. Dies wird deutlich, wenn man sich überlegt, dass
eine Invertierung des GaAs‐Linienprofils aus Abbildung 4‐6a zu dem gleichen RMS
Rauheitswert führt, aber seine Kontaktfläche mit einem glatten Wafer signifikant verbessern
würde. Das inverse Linienprofil hat keine aus der Oberfläche herausragenden Spitzen
sondern Gräben bzw. Löcher. An diesen Löchern hätten die Oberflächen zwar lokal keinen
Kontakt, jedoch würden zwischen den Löchern keine Kavitäten an der Grenzfläche
entstehen.
Diese Problematik wurde auch von Miki et al. erkannt und in Ref. [77] diskutiert. Miki et al.
schlugen deshalb vor, anstatt des RMS Werts den sogenannten „Bearing Ratio“ BR als Maß
für die Bondfähigkeit von Oberflächen zu betrachten. Dieser gibt an, welcher Anteil einer
Oberfläche oberhalb einer Schwelle liegt, wenn man den höchsten Punkt der Probe auf
Null setzt. Er kann ausgedrückt werden als [77]:


Dabei ist die Wahrscheinlichkeit, dass die Oberfläche eine Tiefe im Bereich von
und hat.




52 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

Entspricht der sogenannten Bearing Tiefe , so gleicht BR(zb) dem Verhältnis aus realer
Kontaktfläche zur Gesamtfläche des Waferpaares [77, 130]. Miki et al. haben für hydrophil
gebondete Si/Si Waferpaare eine Bearing Tiefe von 1.4 nm gefunden und konnten zeigen,
dass die Bondenergie linear mit ansteigt [77]. Dabei bestand das Si/Si‐Waferpaar aus
einem sehr glatt polierten Wafer (BR =1.0, RMS=0.2 nm) und einem rauen Testwafer (BR<1).
Besaß der Testwafer einen 1.4 nm von 0.2, was einer realen Kontaktfläche von
20 % der Gesamtfläche entspricht, war das Wafer‐Bonding noch erfolgreich, jedoch wurden
nur sehr geringe Bondenergien von 0.02 J/m² erzielt. Da an der Grenzfläche von hydrophilen
Wafer‐Bonds wenige Monolagen Wasser vorliegen, die helfen kleine Distanzen zwischen den
oxidierten, mit OH‐Gruppen abgesättigten Oberflächen zu überwinden [42], müsste für
die in dieser Arbeit untersuchten atomstrahlaktivierten oxidfreien Wafer‐Bonds noch
kleineren Werten entsprechen.
Um die Ergebnisse dieser Arbeit mit den Ergebnissen von Miki et al. zu vergleichen, wurden
beispielhaft in vier AFM Aufnahmen aus Abbildung 4‐4 alle Bereiche schwarz maskiert, die
nach der FAB Behandlung in mehr als 1.4 nm Tiefe vom höchsten Punkt der jeweiligen
Oberfläche liegen (siehe Abbildung 4‐7). Darüber liegende Bereiche wurden weiß gefärbt.

Edelgas,
Δ Silicium GaAs
Zeit

Helium,
2.1 nm
9.3 min

Argon,
11.3 nm
7.5 min

Abbildung 4‐7: AFM Aufnahmen der Si‐ und GaAs‐Oberflächen aus Abbildung 4‐4 nach 9.3 Minuten
Helium‐FAB bzw. 7.5 Minuten Argon‐FAB Behandlung. In den Aufnahmen wurden alle Messpunkte, die
mindestens 1.4 nm unterhalb bzw. oberhalb des höchsten Punkts liegen, schwarz bzw. weiß eingefärbt.
Daraus ergeben sich für die Si‐ und GaAs‐Oberflächen nach Helium‐FAB bzw. Argon‐FAB Behandlung
BRs unter 0.008 bzw. über 0.997. gibt den nominellen SiO2‐Materialabtrag an, der sich als Produkt
der Zerstäubungsraten aus Tabelle 4‐1 und der FAB Behandlungszeit berechnet.

Wafer‐Bonding nach Atomstrahlaktivierung 53

Der Bearing Ratio 1.4 nm ergibt sich aus dem Verhältnis der weißen Fläche zur
Gesamtfläche. Bereits nach 9.3 Minuten Helium‐FAB Behandlung (Vacc = (1.01 ± 0.03) kV,
IAnode = 100 mA) nimmt der Bearing Ratio für die Si‐ und GaAs‐Oberflächen Werte von unter
0.008 an. Nach der Theorie von Miki et al. ergäbe sich beim Wafer‐Bonding der Si‐ und
GaAs‐Oberflächen mit polierten Oberflächen eine reale Kontaktfläche von unter 0.8 % der
Gesamtfläche. Es ist anzunehmen, dass die Kontaktfläche eines rauen Si‐ und rauen
GaAs‐ Wafers (mit 1.4 nm < 0.008) zueinander noch kleiner ist. Als Folge können
sich zwischen den Halbleiterkristallen nicht ausreichend atomare Bindungen ausbilden. Die
Existenz der Nanostrukturen auf den Oberflächen verhindert deshalb einen stabilen Wafer‐
Bond. Zum Vergleich haben die Si‐ und GaAs‐Wafer nach 7.5 Minuten Argon‐FAB
Behandlung, welche einem um Faktor 5.3 größerem nominellen SiO2‐Materialabtrag
entspricht, einen 1.4 nm von über 0.997 (siehe Abbildung 4‐7). Dieser Bearing
Ratio würde laut Miki et al. [77] beim hydrophilen Wafer‐Bonding zu einer Kontaktfläche
von fast 100 % führen und ermöglicht beim Argon‐FAB aktivierten Wafer‐Bonding in dieser
Dissertation hohe Bondfestigkeiten (siehe Abschnitt 4.5.1).
Aufgrund der vorliegenden Ergebnisse und den Ausführungen von Miki et al. [77] rät die
Autorin davon ab, den RMS Rauheitswert einer Oberfläche zu betrachten, um ihre
Bondfähigkeit zu beurteilen. Stattdessen wird empfohlen, die Bearing Ratios BR der
Oberflächen auszuwerten und in weiterführenden Experimenten die charakteristische
Bearing Tiefe für das atomstrahlaktivierte Wafer‐Bonding‐Verfahren zu finden.

4.2.3 Ursachen für die Nanostrukturen nach Helium‐FAB


Behandlung
Im Gegensatz zur Atomstrahlbehandlung mit Argon, führte die Zerstäubung mit Helium zur
Bildung von Nanostrukturen auf den Si‐ und GaAs‐Oberflächen. In der Literatur wurden auf
GaAs schon häufiger Nanostrukturen mit ähnlicher Größe nach Argonionenstrahl‐
zerstäubung mit sehr hohen Energien von 60 keV [131], 50 keV [132] bzw. 0.6 keV [133]
beobachtet. Laut Datta et al. entstehen sie durch die bevorzugte Zerstäubung von Arsen, was
zur Bildung von Galliuminseln auf der Oberfläche führt [131]. Simulationen mit der Software
SRIM‐201111 ergeben für Heliumprojektile mit kinetischer Energie von 500 eV und einem
Einfallswinkel von 45° ein Zerstäubungsverhältnis von Arsen zu Gallium von 2.6 zu 1. Zum
Vergleich ergibt sich für Argonprojektile mit kinetischer Energie von 500 eV und einem
Einfallswinkel von 45° ein Verhältnis von 2.2 zu 1. Folglich ergeben sich sowohl durch die
Argon‐FAB als auch durch die Helium‐FAB Behandlung galliumreiche Oberflächen. Deshalb
ist es unwahrscheinlich, dass die bevorzugte Zerstäubung von As für die Bildung


11 SRIM – „The Stopping and Range of Ions in Solids“, Version 2011.06: Eine Software zur Berechnung

der Wechselwirkung hochenergetischer Ionen mit Festkörpern. Entwickelt von Ziegler et al. [68]
(siehe auch Abschnitt 7.4).




54 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

dreidimensionaler Strukturen während der Helium‐FAB Behandlung in dieser Arbeit


verantwortlich ist.
Nanostrukturen mit vergleichbaren Basisdurchmessern (40 bis 50 nm) und Höhen
(ca. 6 nm) wurden in Ref. [134] durch Argonionenstrahlzerstäubung mit Argonenergien von
1.2 keV auf Silicium Oberflächen generiert. Eine oft diskutierte Ursache für die Entstehung
von Nanostrukturen während der Ionenstrahlbehandlung ist, dass die Zerstäubungs‐
ausbeute stark vom Einfallswinkel und dadurch der lokalen Oberflächenkrümmung abhängt
[61, 134, 135]. Deshalb werden Hügel und Täler auf den Oberflächen unterschiedlich schnell
zerstäubt, was eine Aufrauhung, eine sogenannte Instabilität der Oberflächen, verursacht
[61, 134, 135]. Dieser wirken die Oberflächendiffusion und die Deposition von zuvor
zerstäubten Atomen als Glättungsmechanismen entgegen [135, 136]. Da bei der
Wechselwirkung der Ionen mit den Halbleiterkristallen kinetische Energie an die
Oberflächenatome übertragen wird, gibt es neben der thermischen auch eine
ionenstrahlinduzierte Diffusion [136, 137]. Die Topographie der Wafer ergibt sich schließlich
aus dem Zusammenspiel der vom Ionenstrahl verursachten Instabilität und den
Glättungsmechanismen [134‐136].
Mit diesem Modell der Instabilität und Glättung lassen sich die unterschiedlichen Si‐ und
GaAs‐Oberflächenbeschaffenheiten nach Argon‐FAB und Helium‐FAB Behandlung erklären.
Im Vergleich zu Argon‐ dringen die kleineren Heliumatome um einen Faktor 4 bis 5 tiefer in
die Halbleiterkristalle ein. Die Eindringtiefen von Edelgasatomen mit kinetischen Energien
von 500 eV und Einfallswinkeln von 45° wurden mit Hilfe der Software SRIM‐2011
berechnet. Für die Helium‐ bzw. Argonatome ergeben sich in Si Eindringtiefen von 7.5 nm
bzw. 1.8 nm und in GaAs Eindringtiefen von 7.3 nm bzw. 1.5 nm. Demnach findet der
Energieübertrag von Projektil‐ an Targetatomen während der Argon‐FAB Behandlung sehr
nahe an der Oberfläche statt. Die an die Oberflächenatome übertragene Energie erhöht deren
Diffusionswahrscheinlichkeit [138]. Diese atomstrahlinduzierte Diffusion wirkt gemeinsam
mit der thermisch angeregten Oberflächendiffusion der FAB induzierten Instabilität der
Oberfläche entgegen. Dadurch wird die unerwünschte Bildung von dreidimensionalen
Nanostrukturen auf den Si‐ und GaAs‐Oberflächen verhindert. Aufgrund der größeren
Eindringtiefe der Heliumatome (~7 nm) wird deren kinetische Energie nur begrenzt an die
Oberflächenatome übertragen. Die reduzierte Diffusion begünstigt sehr wahrscheinlich die
Bildung von Nanostrukturen auf den Oberflächen während der Helium‐FAB Behandlung.
Da das Wafer‐Bonding nach Argon‐FAB Behandlung stets erfolgreich war, jedoch nach
Helium‐FAB Behandlung aufgrund der Bildung von Nanostrukturen scheiterte, wurde die
Verwendung von Helium als Prozessgas in dieser Arbeit nicht weiter verfolgt. Wafer‐
Bonding nach Helium‐FAB Aktivierung könnte eventuell durch die Verwendung einer
höheren Wafertemperatur realisiert werden. Diese vergrößert die thermisch angeregte
Oberflächendiffusion der Atome, was glattere Si‐ und GaAs‐Oberflächen mit hohen Bearing
Ratios ermöglichen könnte. Der Effekt einer höheren Substrattemperatur wird auch in
Abschnitt 4.6.5 diskutiert. Dort wird gezeigt, dass bereits bei einer Substrattemperatur von
120 °C Kristalldefekte während der FAB Behandlung dynamisch ausheilen und dadurch die
elektrische Leitfähigkeit von Argon‐FAB aktivierten Si/GaAs Wafer‐Bonds erhöht wird.



Blasenbildung an der Si/GaAs Grenzfläche 55

4.3 Blasenbildung an der Si/GaAs Grenzfläche


Saubere und polierte Si‐ und GaAs‐Oberflächen konnten mittels atomstrahlaktiviertem
Wafer‐Bonding für die unterschiedlichsten Argon‐FAB Energien und Behandlungszeiten
erfolgreich miteinander verbunden werden. Jedoch wurden bei kurzen FAB
Behandlungszeiten im Randbereich oft nicht gebondetete Bereiche beobachtet. In den
IR‐Transmissionsaufnahmen in den Abbildungen 4‐8 a und b lässt sich die Ursache dieser
Fehlstellen nicht erkennen. Es könnte sich um Partikel, Gebiete mit lokalen Unebenheiten
oder auch Gasblasen handeln. Die Abbildungen 4‐8 c, d und e zeigen drei unterschiedliche
IR‐Transmissionsaufnahmen des Bonds #022, dessen Si‐ und GaAs‐Wafer für 12 bzw.
6 Minuten mit Argon‐FAB (Vacc = 0.57 kV ± 0.01 kV) bei einem niedrigen Anodenstrom von
IAnode = 52 mA behandelt wurden. Unmittelbar nach dem Wafer‐Bonding‐Prozess waren
kaum Fehlstellen sichtbar (Abbildung 4‐8 c). In der IR‐Transmissionsaufnahme, die nach 24
Tagen Lagerung bei Raumtemperatur aufgenommen wurde (Abbildung 4‐8d), sind neue
Fehlstellen (z.Bsp. F1) an der Grenzfläche aufgetaucht und die existierenden Fehlstellen
haben sich zum Teil vergrößert (z. Bsp. F2). Der gleiche Effekt ergibt sich auch nach dem
Ausheizen bei niedrigen Temperaturen von 150 °C. Die Interferenzmuster der Fehlstellen F1
und F2 in Abbildung 4‐8d nehmen durch das Ausheizen um eine destruktive Interferenz zu
(Abbildung 4‐8e). Wenn die Fehlstelle mit Luft gefüllt wäre, würde ihre Höhe demnach um
etwa ein Viertel der verwendeten Wellenlänge, also 235 nm ansteigen (siehe Abschnitt 3.4).
Die Vergrößerung oder Neubildung von Fehlstellen kann nur durch die Ansammlung von Gas
an der Grenzfläche erklärt werden.
Blasenbildung während der Lagerung oder dem Ausheizen ist ein bekannter Effekt von
hydrophil gebondeten Si/Si Waferpaaren, welche eine Oxidschicht an den Bondgrenzflächen
besitzen [40, 139]. Als Ursachen werden Wasserstoff, der durch die Reaktion von
molekularem Wasser (aus der Grenzfläche, oder dem Oxid) mit Silicium entsteht
(Si + H2O  SiO2 + H2 [37]), und auf den Oberflächen adsorbierte Kohlenwasserstoffe
angesehen [40, 139, 140]. Laut Tong und Gösele diffundiert der Wasserstoff bei
Temperaturen unter 500 °C so lange an der Bondgrenzfläche bis er einen Hohlraum findet
oder eine Gasblase um einen geeigneten Nukleationskern bildet [140]. Als Nukleationskerne
dienen häufig Kohlenwasserstoffe [40, 141], die als organische Verunreinigungen auf den
Oberflächen haften und erst ab Temperaturen über 230 °C desorbieren [40, 142].
Analog dazu können unvollständig deoxidierte Si‐ und GaAs‐Oberflächen zu der
beobachteten Blasenbildung führen. In Abschnitt 4.1 wird gezeigt, dass der Materialabtrag
der verwendeten Argon‐FAB über einen 4“ Wafer stark inhomogen ist. 12 Minuten Argon‐
FAB mit den in Bond #022 verwendeten Parametern entfernen in der Mitte des Wafers
ca. 4.6 nm SiO2. Im Randbereich, in dem die Fehlstellen auftauchen, ist die Abtragrate über
einen Faktor 4 geringer und damit nicht ausreichend, um das native Oxid von typischerweise
1.5 nm Dicke vollständig zu entfernen. Die Zerstäubungsrate des nativen Oxids von GaAs ist
nicht bekannt, jedoch genügen 6 Minuten FAB Behandlung (Vacc= 0.57 kV ± 0.01 kV,
IAnode= 52 mA) höchstwahrscheinlich nicht, um dieses am Rand des Wafers zu entfernen. Als
Folge bildet sich während der Lagerung und dem Ausheizen an Oxidresten im Randbereich
des Wafer‐Bonds #022 Wasserstoff, der sich durch Diffusion in Blasen ansammelt.




56 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

Fehlstellen, die erst nach der Lagerung bzw. dem Ausheizen in den
IR‐Transmissionsaufnahmen in Abbildung 4‐8 d bzw. e auftauchen, waren eventuell schon
direkt nach dem Bonding‐Prozess vorhanden, jedoch zu klein (Höhe < 235 nm, siehe
Abschnitt 3.4), um in IR‐Transmission erkannt zu werden. Die FAB Behandlungen, die beim
Wafer‐Bonding‐Prozess der Proben #079 und #072 aus Abbildung 4‐8 a bzw. b verwendet
wurden, erzielten einen ähnlichen SiO2‐Materialabtrag wie die von Bond #022. Deshalb
handelt es ich bei den nicht gebondeten Stellen am Rand der Wafer‐Bonds #072 und #079
höchstwahrscheinlich auch um Wasserstoffblasen, die während der Lagerung entstanden
sind. Die Bildung solcher Fehlstellen am Waferrand wurde in den folgenden Experimenten
vermieden, indem die FAB Behandlungszeit von 3 auf 5 Minuten (IAnode= 100 mA) vergrößert
wurde.


(a) (b)




(c) (d) (e)



F1 F1



F2 F2

Abbildung 4‐8: (a,b) IR‐Transmissionsaufnahmen der 4“ Si/GaAs Wafer‐Bonds #079 (a) und #072 (b),
deren Wafer nur 3 Minuten mit den Argon‐FAB (Vacc=(0.81 ± 0.02) kV bzw. (0.63 ± 0.02) kV,
IAnode = 100 mA) behandelt wurden, nach 5 bzw. 6 Tagen Lagerung bei Raumtemperatur.
(c,d,e) IR‐Transmissionsaufnahmen des 4“ Si/GaAs Wafer‐Bonds #022, dessen Si‐ und GaAs‐Wafer für 12
bzw. 6 Minuten mit Argon‐FAB (Vacc = 0.57 kV ± 0.01 kV) bei einem niedrigen Anodenstrom von
IAnode = 52 mA behandelt wurden, (c) unmittelbar nach dem Wafer‐Bonding‐Prozess, (d) nach 24 Tagen
Lagerung bei Raumtemperatur, (e) nach zusätzlichem Ausheizen für 20 Minuten bei 150 °C. Sowohl durch
die Lagerung, als auch nach Ausheizen haben sich die vorhandenen Fehlstellen vergrößert und neue
gebildet. (Weitere Details zum Wafer‐Bonding‐Prozess sind in Tabelle 7‐1 im Anhang zu finden.)



HRTEM und EDXS Analyse der Si/GaAs Grenzfläche 57

4.4 HRTEM und EDXS Analyse der Si/GaAs


Grenzfläche
Um die strukturellen Eigenschaften der Si/GaAs Grenzfläche zu analysieren, wurden
argonatomstrahlaktivierte Si/GaAs Wafer‐Bonds an der Christian‐Albrechts‐Universität zu
Kiel mittels hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie (englisch: high
resolution transmission electron microscopy, HRTEM) untersucht. Dabei wurde an der nicht
ausgeheizten Si/GaAs Grenzfläche von Bond #086 eine ca. 2.7 nm dicke nicht‐kristalline
Schicht gefunden (siehe Abbildung 4‐10a). Amorphe Grenzflächenschichten wurden in der
Vergangenheit schon für verschiedene argonatomstrahlaktivierte Halbleiterbonds
(Si/Si [53, 56], Si/GaAs [50, 52, 54], InP/Si [50], GaP/GaAs [57]) beobachtet. Sie entstehen
durch die Akkumulation von FAB induzierten Kristalldefekten [52, 53]. Die Dicke der
amorphen Grenzflächenschicht hängt von der Eindringtiefe der Argonatome und der daraus
resultierenden Defektkonzentration in den Halbleitern ab [53]. Bond #086 wurde mittels
Argonatomen mit kinetischen Energien von 0.32 keV bis 0.49 keV (Vacc = 0.81 kV ± 0.02 kV)
aktiviert. Mit Hilfe der Software SRIM‐201112 lässt sich die Verteilung von Leerstellen bzw.
Frenkel‐Defekten in den Halbleitern berechnen, die durch den Beschuss mit schnellen
Argonatomen/ionen entstehen [143]. Als Frenkel‐Defekt bezeichnet man einen
Kristalldefekt, der aus einer Leerstelle und einem benachbarten Zwischengitteratom
besteht [88].
Abbildung 4‐9 zeigt die Verteilung von erzeugten Frenkel‐Defekten in Silicium und GaAs pro
Å Länge und Projektil für eine Argonenergie von 0.4 keV und einen Einfallwinkel von 45°.
Würde man diese Verteilung mit der verwendeten Atomstrahldosis (Projektile/Fläche)
multiplizieren, so könnte man die erzeugten Frenkeldefekte pro cm³ bestimmen. Da die Si‐
Gitteratome im Vergleich zu den Ga und As Atomen im GaAs Kristall eine niedrigere
Deplazierungsenergie von 15 eV [68] besitzen (GaAs: 35 eV [68]), werden im Siliciumkristall
mehr Defekte erzeugt.

1.0
Frenkelpaare pro Å Länge

Si
0.8 GaAs
und Argonatom

0.6
Abbildung 4‐9: Mit SRIM‐201112
berechnete Verteilung von Frenkel‐
0.4 Defekten in Si und GaAs pro Länge und
Argonprojektil. Dabei wurden Argonatome
0.2 mit kinetischen Energien von 0.4 keV und
Einfallswinkeln von 45° verwendet.
0.0
0 10 20 30 40 50
Targettiefe [Å]

12 SRIM – „The Stopping and Range of Ions in Solids“,Version 2011.06: Eine Software zur Berechnung

der Wechselwirkung hochenergetischer Ionen mit Festkörpern. Entwickelt von Ziegler et al. [68]
(siehe auch Abschnitt 7.4).




58 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

(a) (b)

GaAs Silicium GaAs

2.7 nm
2.1 nm

Silicium
10 nm 10 nm

(c)
GaAs






Silicium


(d)
GaAs






Silicium

Abbildung 4‐10: HRTEM‐Aufnahmen der Si/GaAs Bondgrenzfläche (Bond #086) vor (a,c) und nach (b,d)
dem Ausheizen bei 200 °C. An der Grenzfläche ist eine amorphe Schicht mit 2.7 nm bzw. 2.1 nm Dicke
deutlich sichtbar. In der Detailaufnahme (c) zeigt die Grenzfläche einen diffusen Kontrast. In der
Detailaufnahme nach dem Ausheizen (d) sind nanokristalline Bereiche in der Grenzschicht erkennbar,
welche die gleichen Orientierungen wie die angrenzenden Kristalle besitzen. (Aufgenommen von
Dr. Dietrich Häußler, Christian‐Albrechts‐Universität zu Kiel, in Richtung der Zonenachse [110] von Si.)




HRTEM und EDXS Analyse der Si/GaAs Grenzfläche 59

Wenn alle Frenkel‐Defekte aus Abbildung 4‐9 zur amorphen Schicht beitragen würden,
müsste diese etwa doppelt so dick sein, wie experimentell bestimmt. Diese Diskrepanz haben
auch Takagi et al. für Si/Si‐Bonds beobachtet und zwei Ursachen dafür angeführt [53]:
Erstens kann ein Teil der FAB induzierten Defekte in Si direkt bei Raumtemperatur wieder
ausheilen und zweitens muss für den Übergang von kristallinem Si in amorphes Silicium erst
eine kritische Defektdichte überschritten werden [53, 144, 145]. Diese Effekte führen auch
im GaAs zu einer geringeren Tiefe der Amorphisierung [63, 146] und erklären, warum in der
HRTEM‐Aufnahme nur eine amorphe Schicht mit Gesamtdicke von 2.7 nm sichtbar ist.
Die Querschnittsprobe des Si/GaAs Bonds #086 wurde bei 200 °C ausgeheizt und erneut
mittels HRTEM untersucht. Wie in Abbildung 4‐10b gezeigt, hat sich dabei die Dicke der
amorphen Schicht geringfügig auf ca. 2.1 nm reduziert. Dies ist in guter Übereinstimmung
mit Untersuchungen an atomstrahlaktivierten p‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds von Yu et al. [54].
Bei diesen wurde nach Ausheizen bei 200 °C eine Reduktion der amorphen Schichtdicke von
11.5 nm auf 3.5 nm gezeigt [54]. Die zunächst sehr dicke amorphe Schicht in Yus
Experimenten erklärt sich durch die Verwendung von höherenergetischen Argonatomen mit
kinetischen Energien von 1.5 keV (45° Einfallswinkel) und entsprechend größeren
Eindringtiefen.
In Abbildung 4‐10b von Bond #086 wurden außerdem kontrastreiche Gebiete an der
ausgeheizten Grenzfläche gefunden, die als nanokristalline Bereiche interpretiert werden
können. Ein Vergleich der Detailaufnahmen von der Grenzfläche in den Abbildungen 4‐9 c
und d verdeutlicht diese Beobachtung. Vor dem Ausheizen (c) zeigt die Grenzflächenschicht
einen diffusen Kontrast. Nach dem Ausheizen (d) sind kristalline Bereiche in der Grenzfläche
zu erkennen, die die gleichen Kristallorientierungen wie die angrenzenden
Halbleiterkristalle haben. Offenbar findet bereits bei 200 °C eine thermisch angeregte
Umordnung statt, durch die die amorphe Schicht vom Rand aus zum Teil rekristallisiert.
Im Rahmen dieser Arbeit wurden außerdem zwei Proben des Si/GaAs Bonds #142
untersucht, dessen Waferoberflächen 5 Minuten mit den Argon‐FAB unter Verwendung einer
niedrigen Beschleunigungsspannung von Vacc = (0.63 ± 0.01) kV aktiviert wurden. Beide
Proben wurden vor der HRTEM Analyse für 1 Minute bei 290 °C ausgeheizt, jedoch wurde
nur eine Probe zusätzlich für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt. Motivation dieser Messung
war, dass die elektrische Leitfähigkeit von Si/GaAs Wafer‐Bonds durch diesen zusätzlichen
Ausheizschritt deutlich ansteigt (siehe Abschnitt 4.6.4). Nach dem Heizen bei 290 °C wurde
eine amorphe Schicht mit 2.3 nm Dicke gefunden, die nanokristalline Bereiche besaß (siehe
Abbildung 4‐11). Die amorphe Schicht der zusätzlich bei 400 °C ausgeheizten Probe war mit
2.0 nm Dicke nur geringfügig dünner. Ausheizen bei diesen Temperaturen reduziert die
Defektanzahl, reicht jedoch nicht aus, um die amorphe Schicht vollständig zu
rekristallisieren. Im Vergleich dazu haben auch Yu et al. nach Ausheizen bei 400 °C nur eine
Reduktion der amorphen Schichtdicke am Si/GaAs Übergang beobachtet und konnten erst
nach einem Ausheizen für 60 Minuten bei 600 °C eine vollständige Rekristallisation
demonstrieren [54].
Obwohl die Si/GaAs Bonds #142 und #086 mit unterschiedlichen Argonenergien von
Vacc= (0.32 ± 0.06) keV bzw. Vacc= (0.40 ± 0.08) keV aktiviert wurden, waren die Dicken der
amorphen Grenzflächenschichten in den Proben vergleichbar (zwischen 2.0 und 2.3 nm nach



60 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

dem Ausheizen). Die Verwendung einer höheren Beschleunigungsspannung bewirkt, dass


die Argonatome tiefer in die Halbleiter eindringen, mehr Energie an die Kristallatome
übertragen wird und als Folge dessen mehr Kristalldefekte über einen breiteren Bereich
erzeugt werden (siehe Abbildung 4‐25). In Abschnitt 4.6.5 wird gezeigt, dass die elektrische
Leitfähigkeit von Si/GaAs Wafer‐Bonds, aufgrund von FAB induzierten, elektrisch aktiven
Defekten mit zunehmender Argonenergie abnimmt. Laut Simulationen mit der Software
SRIM‐201113 unterscheiden sich die Eindringtiefen der Argonatome in diesem
Energiebereich aber nur um etwa 0.2 nm. Für einen Einfallswinkel von 45° und einer
Argonenergie von (0.32 ± 0.06) keV (bzw. (0.40 ± 0.08) keV) beträgt die Eindringtiefe 1.3 bis
1.5 nm (bzw. 1.4 bis 1.7 nm) in Si und 1.1 bis 1.3 nm (bzw. 1.2 bis 1.5 nm) in GaAs.
Entsprechend überschreitet auch die FAB induzierte Defektdichte in einem ähnlichen
Bereich den kritischen Wert, ab dem sie nach dem Ausheizen als amorphe Schicht in den
HRTEM‐Aufnahmen der Proben sichtbar ist. Aus diesem Grund ergeben sich in den
Abbildungen 4‐9b und 4‐10 keine signifikanten Unterschiede zwischen den amorphen
Schichtdicken der untersuchten Si/GaAs Wafer‐Bonds.

(a) (b)

2.0 nm

2.3 nm

Abbildung 4‐11: HRTEM‐Aufnahmen von Si/GaAs Bond #142 (a) nach 1 Minute bei 290 °C und (b) nach
zusätzlichem Ausheizen für 1 Minute bei 400 °C. Der GaAs Kristall befindet sich in (a) und (b) oben im
Bild. (Aufgenommen von Dr. Dietrich Häußler, Christian‐Albrechts‐Universität zu Kiel, in Richtung der
Zonenachse [110] von Si.)


Von den Querschnittsproben der Bonds #086 und #142 wurden außerdem EDXS
Intensitätsprofile nahe der Si/GaAs Grenzfläche aufgenommen. Dabei sollte geprüft werden,
ob das Oxid vollständig entfernt wurde und ob metallische Verunreinigungen aus der
Bondkammer an der Grenzfläche zu finden sind. In den gezeigten EDXS Profilen wird mit der
Bezeichnung „Elementsymbol‐L“ bzw. „Elementsymbol‐K“ ausgedrückt, von welchem

13 SRIM – „The Stopping and Range of Ions in Solids“, Version 2011.06: Eine Software zur Berechnung

der Wechselwirkung hochenergetischer Ionen mit Festkörpern. Entwickelt von Ziegler et al. [68]
(siehe auch Abschnitt 7.4).

HRTEM und EDXS Analyse der Si/GaAs Grenzfläche 61

chemischen Element die Röntgenstrahlung detektiert wurde und ob bei der


Photonenemission ein freier Zustand in einer L oder K Elektronenschale besetzt wurde.
Abbildung 4‐12 zeigt einen Linienscan über die Si/GaAs Grenzfläche einer Probe des Wafer‐
Bonds #086, die bei 400 °C ausgeheizt wurde. An der Bondgrenzfläche ist in den
Konzentrationsprofilen kein abrupter Übergang von Si nach GaAs zu finden, sondern der
Übergang erscheint über 10 nm verschmiert. Dies weist darauf hin, dass nahe der
Grenzfläche eine gewisse Durchmischung der Halbleiter stattfindet. Es lässt sich jedoch nicht
ausschließen, dass die realen Konzentrationsprofile am Übergang deutlich schärfer als die
gemessenen sind. Ursachen dafür sind, dass der Elektronenstrahl mit einem Durchmesser
von unter 1 nm in der Probe leicht aufgeweitet wird und dass Atome, die sich in der Probe
außerhalb des Elektronenstrahls befinden, durch Sekundärelektronen zur Emission von
Röntgenstrahlen angeregt werden14.
Die Abwesenheit eines globalen Maximums im Sauerstoffkonzentrationsprofil (O‐K) am
Übergang von Si zu GaAs in Abbildung 4‐12 beweist, dass die 5‐minütige FAB Behandlung
ausreicht, um die nativen Oxide auf den Si‐ und GaAs‐Oberflächen zu entfernen und dass eine
oxidfreie Grenzfläche realisiert wurde.

Silicium GaAs Ga-K


As-K
Signalhöhe [a.u.]

100 Si-K
O-K

50

0
40 60 80
Position [nm]
Abbildung 4‐12: EDXS‐Konzentrationsprofile der Elemente Ga, As, Si und O an der Grenzfläche
von Si/GaAs Bond #086, nach Ausheizen für 10 Minuten bei 400 °C. (Messungen wurden an der
Christian‐Albrechts‐Universität zu Kiel von Dr. Dietrich Häußler durchgeführt.)


EDXS Messungen wurden außerdem an den zwei Querschnittsproben des Si/GaAs‐Bonds
#142 durchgeführt. Da keine signifikanten Unterschiede in den Konzentrationsprofilen der
Proben zu erkennen sind, werden in Abbildung 4‐13 exemplarisch nur die Profile der bei
400 °C ausgeheizten Probe gezeigt. An der Si/GaAs Grenzfläche wurde keine erhöhte
Sauerstoffkonzentration (Abbildung 4‐13a) gefunden, was wieder die vollständige
Deoxidation der Wafer bestätigt.


14 Diese Effekte wurden mit Prof. Dr. Wolfgang Jäger von der Christian‐Albrechts‐Universität zu Kiel

als mögliche Ursachen diskutiert.




62 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

(a) GaAs Silicium


800

Signalhöhe [a.u.]
600 Si-K
Ga-L
As-L
400 O-K
Ar-L
200

0
0 5 10 15 20 25 30
Position [nm]

(b)
200 GaAs Silicium
Te-L
Signalhöhe [a.u.]

In-K
P-K

100

0
0 5 10 15 20 25 30
Position [nm]

(c) 300
GaAs Silicium
Fe-L
Signalhöhe [a.u.]

Mn-L
200 V-L

100

0
0 5 10 15 20 25 30
Position [nm]

(d) 300
GaAs Silicium
Co-L
Signalhöhe [a.u.]

Ni-L
200 Cr-L

100

0
0 5 10 15 20 25 30
Position [nm]

Abbildung 4‐13: EDXS‐Konzentrationsprofile verschiedener Elemente nahe der Si/GaAs Grenzfläche einer
Probe des Bonds#142, die für je 1 Minute bei 290°C und 400 °C ausgeheizt wurde. (Messungen wurden
an der Christian‐Albrechts‐Universität zu Kiel von Dr. Dietrich Häußler durchgeführt).

HRTEM und EDXS Analyse der Si/GaAs Grenzfläche 63

Obwohl während der FAB Behandlung Argonatome in die Halbleiter implantiert werden, ist
deren Konzentration zu niedrig um als Maximum im EDXS‐Linienscan an der Grenzfläche
erkennbar zu sein. Die Nachweisgrenze15 von Ar liegt bei ca. 0.1 bis 0.2 Atomprozent des
angeregten Volumens. In die verwendeten Si‐Wafer wurde Phosphor als Dotierstoff
eindiffundiert, wodurch an den Oberflächen hohe Ladungsträgerkonzentrationen von
nSi,surf = 4×1020 cm‐3 erzielt wurden. Deshalb besitzt die P‐K Linie in Abbildung 4‐13b im
Si‐Bereich (rechts) eine größere Signalhöhe als im GaAs‐Bereich (links). Die n‐GaAs‐
Bondschicht wurde mit Tellur dotiert, jedoch entspricht die erzielte Dotierstoffkonzentration
von nGaAs = 4.3×1018 cm‐3 im GaAs‐Volumen nur einem Anteil von etwa 0.01 Atomprozent und
liegt unterhalb der EDXS‐Nachweisgrenze15. Aus diesem Grund besitzt die Te‐L Linie in
Abbildung 4‐13b im Si‐ und GaAs‐Bereich eine vergleichbare Signalhöhe. Die
Konzentrationsprofile der Elemente Ni, Co, Fe, Mn, Cr, In, V in den Abbildungen 4‐13 b,c und
d zeigen keine Maxima am Si/GaAs Übergang. Deshalb wird angenommen, dass beim Wafer‐
Bonding‐Prozess keine metallischen Verunreinigungen an die Oberflächen gelangen. Solche
Verunreinigungen könnten als Defektzentren agieren und die elektrischen Eigenschaften der
Bondgrenzfläche beeinträchtigen.
Im Gegensatz zu den Ergebnissen dieser Dissertation, konnten in Ref. [147] mittels EDXS
metallische Verunreinigungen und Sauerstoff an oberflächenaktivierten Si/GaAs
Bondgrenzflächen gefunden werden. Das Wafer‐Bonding der Proben aus Ref. [147] fand in
der gleichen Bondkammer wie in dieser Dissertation, jedoch bei der Firma Ayumi Industries
Co. Ltd in Japan statt. Für die Aktivierung wurden entweder Argonionen‐ (IB) oder
Argonatomstrahlen (FAB) verwendet. Die EDXS‐Linienscans wurden (wie in dieser
Dissertation) von D. Häußler von der Christian‐Albrechts‐Universität zu Kiel durchgeführt.
Die Si/GaAs Wafer‐Bonds, welche mit Argonionenstrahlen (IB) aktiviert wurden, zeigten
signifikant erhöhte Konzentrationen der Elemente Fe, Cr, Co, Ni, und Mn an der Grenzfläche.
Diese stammten sehr wahrscheinlich aus der verwendeten Ionenstrahlquelle. Solche
metallischen Verunreinigungen wurden an Si/GaAs Wafer‐Bonds, die mittels Argon‐FAB
aktiviert wurden, in Ref. [147] nicht gefunden. Jedoch wurden im Gegensatz zu den
Ergebnissen der vorliegenden Dissertation kleine Konzentrationen von Sauerstoff an der
Grenzfläche entdeckt. Die in Ref. [147] verwendete, vergleichsweise kurze, einminütige FAB
Behandlung mit einer Beschleunigungsspannung von 1.00 kV reichte offenbar nicht aus, um
die Si‐ und GaAs‐Wafer vollständig zu deoxidieren. Dies zeigt, dass sowohl metallische
Verunreinigungen und als auch ein dünnes Grenzflächenoxid prinzipiell mittels EDXS an der
Bondgrenzfläche nachweisbar sind und bestätigt die Aussagekraft der Messergebnisse in den
Abbildung 4‐12 und 4‐13.
Zusammenfassend wurde in den HRTEM Analysen dieser Dissertation eine amorphe Schicht
an der Si/GaAs Grenzfläche gefunden, deren Dicke durch Ausheizen bei 200 °C bis 400 °C
geringfügig auf ca. 2.0 bis 2.3 nm reduziert werden konnte. EDXS‐Linienprofile beweisen,


15 Laut Dr. Dietrich Häußler von der Christian‐Albrechts‐Universität zu Kiel (E‐Mail vom 3.07.2013),

der die EDXS Messungen durchgeführt hat, liegt die Nachweisgrenze der Elemente Ni, Co, Fe, Mn,
Cr, V, Cu, Ar, In, Te bei 0.1 bis 0.2 Atomprozent des angeregten Volumens und die Nachweisgrenze
von Sauerstoff bei ca. 1 Atomprozent des angeregten Volumens.




64 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

dass die Grenzfläche oxidfrei ist und geben keine Hinweise auf metallische Verunreinigungen
aus der Bondkammer. Es sollte beachtet werden, dass in HRTEM‐Aufnahmen nur
mehrdimensionale Defekte sichtbar werden. Elektrisch aktive Punktdefekte außerhalb der
amorphen Schicht können mit dieser Messmethode nicht erfasst werden.


4.5 Bondfestigkeit

4.5.1 Bondenergie bei Raumtemperatur


Die Bondenergie bei Raumtemperatur wurde an jeweils zwei gesägten Streifen der
atomstrahlaktivierten Si/GaAs Wafer‐Bonds mit Hilfe des Maszara Klingentests bestimmt
(siehe Abschnitt 3.6.1). Wie in Abbildung 4‐14 gezeigt, weichen die Bondenergien (siehe
Abschnitt 2.3) der zwei Streifen jedes Si/GaAs Bonds nur geringfügig voneinander ab und
lagen im Bereich von 0.7 bis 0.9 J/m². Die Si‐ und GaAs‐Wafer der Bonds #040 und #043
wurden durch den exakt gleichen Wafer‐Bonding‐Prozess initiiert und besitzen eine
vergleichbare Bondenergie, was die Reproduzierbarkeit der Ergebnisse demonstriert. Die
Bondfestigkeit des atomstrahlaktivierten Si/GaAs Wafer‐Bonds #037 war sogar so hoch,
dass das Einführen der Klinge bei 5 von 7 Streifen zum Bruch des GaAs‐Wafers führte. Dieser
Effekt wurde auch von Kopperschmidt et al. für hydrophobe Si/GaAs Wafer‐Bonds, die zuvor
bei 850 °C ausgeheizt wurden, beobachtet und ist ein Hinweis darauf, dass Bindungsenergien
ähnlich denen im GaAs‐Kristall erzielt wurden [49]. In der Literatur werden für GaAs
Kristalle mit (100) Orientierung im Vergleich berechnete Oberflächenenergien von 0.91 J/m²
bis 2.20 J/m² [70‐72] diskutiert.

1.0
Bondenergie [J/m²]

0.8

0.6

0.4
Vacc = (0.81 ± 0.03) kV Vacc = (0.63 ± 0.02) kV
0.2

0.0
#037 #090 #040 #043 #076
Si/GaAs Bondnummer

Abbildung 4‐14: Mit Hilfe des Maszara Klingentests bestimmte Bondenergien von jeweils 2 Streifen der
Si/GaAs Wafer‐Bonds #037, #090, #040, #043 und #076 bei Raumtemperatur. Während des Wafer‐
Bondings wurden die Silicium‐ und GaAs‐Oberflächen zwischen 5 und 9 Minuten mit Argonatomstrahlen
unterschiedlicher Beschleunigungsspannung Vacc von (0.81 ± 0.03) kV bzw. (0.63 ± 0.02) kV und einem
konstanten Anodenstrom von IAnode = 100 mA behandelt. (Weitere Details zum Wafer‐Bonding‐Prozess
sind in Tabelle 7‐1 im Anhang zu finden.)

Bondfestigkeit 65

Ohne Ausheizen besaß Kopperschmidts hydrophober Si/GaAs Bond, dessen


Waferoberflächen beim Bonding‐Prozess mit Wasserstoffatomen abgesättigt waren, eine
vergleichsweise geringe Bondenergie von nur 0.05 J/m² [49]. Die hohen Bondenergien der in
dieser Arbeit realisierten atomstrahlaktivierten Wafer‐Bonds lassen sich auf kovalente
Bindungen zwischen den Kristallatomen zurückführen, die sich laut Howlader et al. [78]
spontan beim Zusammenführen der gereinigten Waferoberflächen im Vakuum ausbilden.
Die Si‐ und GaAs‐Oberflächen der Bondproben aus Abbildung 4‐14 wurden für mindestens 5
Minuten mit den Argon‐FAB behandelt und innerhalb von 50 Sekunden miteinander in
Kontakt gebracht. Laut Takagi et al. können zwischen der Atomstrahlbehandlung und dem
Verbinden der Wafer Fremdatome aus dem Restgas der Vakuumkammer (Restdruck
2×10‐6 Pa) von den Oberflächen adsorbiert werden, wodurch die Bondfestigkeit reduziert
wird [56]. Um diesen Effekt zu prüfen, wurden beim Wafer‐Bonding der Proben #090 und
#076 die Argonatomstrahlen erst ausgeschaltet als die Oberflächen miteinander in Kontakt
waren. Die Wafer der Bonds #037, #040, und #043 waren hingegen nach der FAB
Behandlung für 50 Sekunden dem Restgas in der Bondkammer ausgesetzt. Dennoch besaßen
die fünf Si/GaAs Wafer‐Bonds vergleichbare Bondenergien (siehe Abbildung 4‐14). Unter
den verwendeten Versuchsbedingungen (Restdruck von 1.6×10‐6 Pa, Annäherungszeit von
50 Sekunden) werden folglich nur sehr wenige Atome aus dem Restgas auf den Oberflächen
adsorbiert, bzw. beeinträchtigen diese die Bondfestigkeit nicht.
In den Experimenten von Takagi et al. führte außerdem eine Verlängerung der FAB
Behandlungszeit zur Abnahme der Bondfestigkeit von Si/Si Bonds [51]. Dies wurde mit der
Zunahme der Oberflächenrauheit durch den Beschuss mit hochenergetischen Argonatomen
erklärt [51]. Im Gegensatz dazu, veränderte sich die Oberflächenrauheit der Si‐ und
GaAs‐Wafer durch die hier verwendete Argon‐FAB Aktivierung nicht (siehe Abschnitt 4.2.1).
Entsprechend ergab eine Verlängerung der FAB Behandlungszeit von 5 Minuten (Bond #040,
#043) auf 9 Minuten (Bond #090) in dieser Arbeit auch keine Abnahme der Bondenergie.

4.5.2 Bondenergie nach Ausheizen


Die Bondfestigkeiten der Si/GaAs Wafer‐Bonds #040, #090 und #076 wurden außerdem
nach Ausheizen bei Temperaturen bis zu 290 °C untersucht. Die experimentelle
Vorgehensweise wird in Abschnitt 3.6 beschrieben. Wie in Abbildung 4‐15 gezeigt, steigt die
Bondenergie für ein 10‐minütiges Ausheizen mit der Temperatur an und erreicht für 200 °C
maximale Werte von bis zu (1.0 ± 0.1) J/m² (#040, #076). Wurden die Proben für 1 Minute
auf 290 °C erhitzt, konnte die Bondenergie nicht mehr bestimmt werden, da das Einführen
der Klinge stets zum Bruch des GaAs‐Wafers führte, was darauf hinweist, dass an der
Grenzfläche Bindungsenergien ähnlich denen im GaAs Kristall erzielt wurden (siehe voriger
Abschnitt). Im Gegensatz zu diesen Experimenten, konnten Yu et al. mittels Zugtests an
atomstrahlaktivierten n‐Si/p‐GaAs Wafer‐Bonds keine signifikante Veränderung der
Bondfestigkeit nach Ausheizen bei 200 °C, 400 °C und 600 °C finden [54].




66 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

1.1

Bondenergie [J/m²] 1.0

0.9

0.8

0.7

0.6
#090, 5 Min. FAB, Vacc = (0.81 ± 0.02) kV

1.1
Bondenergie [J/m²]

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6
#040, 5 Min. FAB, Vacc = (0.63 ± 0.01) kV

1.1
Bondenergie [J/m²]

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6
#076, 9 Min. FAB, Vacc = (0.63 ± 0.02) kV

0 50 100 150 200


Temperatur [°C]

Abbildung 4‐15: Bondenergie von atomstrahlaktivierten Si/GaAs Wafer‐Bonds #090,
#040, #076 in Abhängigkeit von der Ausheiztemperatur. Die Ausheiztemperatur wurde
mit einer Rampe von 2.2 K/sec erreicht und für 10 Minuten gehalten. (Details zum
Wafer‐Bonding‐Prozess sind in Tabelle 7‐1 im Anhang zu finden.)



Bondfestigkeit 67

Sehr wahrscheinlich hängt die hier beobachtete Zunahme der Bondenergie mit einer
thermisch angeregten Neuordnung an der Si/GaAs Grenzfläche zusammen. HRTEM‐
Aufnahmen des Si/GaAs Bonds #086 in Abschnitt 3.5 haben gezeigt, dass an der
Bondgrenzfläche eine amorphe Schicht existiert, deren Dicke bereits durch ein kurzes
Ausheizen bei niedrigen Temperaturen von 200 °C reduziert wird. Außerdem wurden nach
dem Ausheizen nanokristalline Bereiche gefunden.
Im Vergleich zu kristallinen Festkörpern besitzen die Atome in amorphen Festkörpern auch
eine Nahordnung, jedoch keine Fernordnung, und haben deshalb niedrigere
Bindungsenergien [88]. Beispielsweise besitzt amorphes Silicium niedrigere theoretische
Oberflächenenergien von 1.0‐1.1 J/m² [148] und kristallines Silicium abhängig von der
Krstiallrichtung theoretische Energien von über 1.2 J/m² [148]. Da die amorphe Schicht nicht
komplett rekristallisiert, lässt sich der beobachtete Anstieg der Bondfestigkeit nur zum Teil
durch die Ausbildung einer Fernordnung an der Grenzfläche erklären. Beim Ausheizen
können durch die thermisch angeregte Grenzflächendiffusion auch Unebenheiten an den
Halbleiteroberflächen geglättet werden [97]. Dadurch werden nanoskopische Hohlräume an
der Grenzfläche geschlossen und es werden zusätzliche kovalente Bindungen zwischen den
Si‐ und GaAs‐Kristallen gebildet. Diese zusätzlichen Bindungen erhöhen die Bondenergien
der Proben.
Zusammenfassend wurden für die atomstrahlaktivierten Si/GaAs Wafer‐Bonds bei
Raumtemperatur sehr hohe Bondfestigkeiten im Bereich von 0.7 bis 0.9 J/m² gefunden.
Diese ist ausreichend, um die Waferpaare zu prozessieren und zu sägen. Leichte Variationen
der Bondenergie für die unterschiedlichen Proben entstehen sehr wahrscheinlich durch
Schwankungen in der Oberflächenrauheit und damit der realen Kontaktfläche der
Waferoberflächen. Durch Ausheizen bei niedrigen Temperaturen (≤ 290 °C) konnte die
Bondenergie weiter erhöht werden und erzielte für alle Si/GaAs Proben Werte im Bereich
der Bindungsenergie von GaAs.




68 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

4.6 Elektrische Leitfähigkeit

4.6.1 Einleitung
Für die Anwendung in der GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzelle muss die n‐Si/n‐GaAs
Bondgrenzfläche einen möglichst niedrigen elektrischen Grenzflächenwiderstand besitzen.
Jedoch war vor Beginn dieser Dissertation ungewiss, ob dieser mittels atomstrahlaktiviertem
Wafer‐Bonding realisierbar ist. In der Literatur gab es nur unzureichende Informationen
darüber, welchen Einfluss die Atomstrahlbehandlung auf den Grenzflächenwiderstand hat.
Deshalb wurden Strom‐Spannungs‐Kennlinien von einigen n‐Si/n‐Si, n‐GaAs/n‐GaAs und
n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds analysiert und die elektrische Schädigung von GaAs mittels Hall‐
Messungen untersucht. Die experimentellen Vorgehensweisen sind in den Abschnitten 3.7
und 3.8 beschrieben
Die im Folgenden gezeigten Strom‐Spannungs‐Kennlinien wurden jeweils an mehreren
3×3 mm² großen Proben aus der Mitte der 4“ Waferpaare gemessen. Bei der Auswertung
der Kennlinien ist zu beachten, dass der Probenwiderstand die Summe aus dem
Grenzflächenwiderstand , der Substratwiderstände und der Wafer (1 und 2) und
den Kontaktwiderständen zwischen Metall und Halbleiter , und , ist. Fließt ein Strom
durch die Si/GaAs Bondprobe, fällt die Spannung ab:

, ,


Um den Widerstand der Bondgrenzfläche exakt analysieren zu können, müssen die Substrat‐
und Kontaktwiderstände deutlich kleiner als sein. In Abbildung 4‐16 und
Abbildung 4‐17 sind deshalb Strom‐Spannungs‐Kennlinien von einzelnen 300 µm bzw.
450 µm dicken Si und GaAs Proben mit beidseitigen Metallkontakten gezeigt. Nach dem
Einlegieren der Metallkontakte bei 290 °C besitzen diese Referenzproben einen geringen
Widerstand, der sich durch ein zusätzliches Ausheizen nur geringfügig verändert (siehe
Abbildungen 4‐16 und 4‐17). Mit Hilfe der bekannten Substratwiderstände folgt für die Si
bzw. GaAs Seite einer 9 mm² großen Bondproben ein Widerstand von circa
, 20.0 mΩ bzw. , 0. 8 mΩ .

4.6.2 Strom‐Spannungs‐Kennlinien von n‐Si/n‐Si und


n‐GaAs/n‐GaAs Wafer‐Bonds
In diesem Abschnitt werden Strom‐Spannungs‐Kennlinien von Argon‐FAB aktivierten
n‐Si/n‐Si und n‐GaAs/n‐GaAs Bonds untersucht und mit Hilfe des in Abschnitt 2.6
vorgestellten Modells zum Ladungsträgertransport über Bondgrenzflächen diskutiert.
Abbildung 4‐16 zeigt Kennlinien des n‐Si/n‐Si Bonds #174. Diese haben einen linearen
Verlauf und besitzen vor und nach dem Ausheizen bei 400 °C die gleiche Steigung. Mit Hilfe
der bekannten Substrat‐ und Metallkontaktwiderstände lässt sich abschätzen, dass die

Elektrische Leitfähigkeit 69

Bondgrenzfläche einen geringen Grenzflächenwiderstand von unter 2.5 mΩcm² hat.


Die lineare Kennlinie ist jedoch kein Beweis für eine defektfreie Grenzfläche. Sie zeigt nur,
dass die Höhe der Potentialbarriere, die sich aus der Anzahl geladener akzeptorartiger
Defektzustände und der verwendeten Dotierung ergibt (siehe Abschnitt 2.6.1), so klein ist,
dass sie bei Raumtemperatur von ausreichend Ladungsträgern mit Hilfe ihrer thermischen
Energie ( 26 meV) überwunden wird. Im Gegensatz dazu, besaßen die
atomstrahlaktivierten Si/Si Bonds von Howlader et al. [52, 64] diodenähnliche Kennlinien.
Die Si‐Wafer in Ref. [52, 64] waren jedoch niedriger dotiert (<2×1019 cm‐3) und es wurden
größere FAB Beschleunigungsspannungen von 1.5 keV verwendet. Dies führt offensichtlich
zu einer größeren Potentialbarriere an der Bondgrenzfläche.

10
Abbildung 4‐16: Strom‐Spannungs‐Kenn‐
linien von Proben des n‐Si/n‐Si Bonds #174
5 im Vergleich zu Proben eines einzelnen n‐Si
Stromdichte [A/cm²]

Referenzwafers mit Metallkontakten. Bond


#174 besteht aus 300 µm dicken (100)
Si‐Wafern mit spezifischem Widerstand von
0 0.01‐0.02 Ωcm und Oberflächendotierung von
n-Si/n-Si Bond #174:
1 Min. 290 °C
nSi,surf = 4×1020 cm‐3. Details zum Wafer‐
1 Min. 290 °C Bonding‐Prozess sind in Tabelle 7‐1 im
+ 1 Min. 400 °C
-5 n-Si Referenz Wafer
Anhang zu finden. (Messungen wurden von
mit Metallkontakten: Elvira Fehrenbacher am Fraunhofer ISE
1 Min. 290 °C
1 Min. 290 °C durchgeführt.)
+ 1 Min. 400 °C

-10

-0.10 -0.05 0.00 0.05 0.10
Spannung [V]



Strom‐Spannungs‐Kennlinien von n‐GaAs/n‐GaAs Bondproben sind in Abbildung 4‐17
gezeigt. Diese besitzen einen nichtlinearen diodenähnlichen Verlauf und ihre Steigung nimmt
durch ein Ausheizen bei 400 °C zu. Bei einer Spannung von 0.2 V beträgt der
Grenzflächenwiderstand 0.22 Ωcm² bzw. nach einem zusätzlichen Ausheizen 6.3×10‐2 Ωcm².
Eine Abnahme des elektrischen Widerstands von atomstrahlaktivierten Bonds (p‐Si/n‐GaAs
[54], p‐GaP/n‐GaAs [57], p‐Si/p‐Si [64]) durch Ausheizen bei Temperaturen zwischen 200 °C
und 600 °C wurde auch von Yu et al. und Howlader et al. beobachtet. Es wird angenommen,
dass beim Ausheizen elektrisch aktive Defekte, die beim Atomstrahlbeschuss verursacht
werden und den Ladungstransport stören, ausheilen. Diese Hypothese passt zu den
Ergebnissen von den in dieser Dissertation durchgeführten HRTEM Analysen (siehe
Abschnitt 4.4). Die HRTEM‐Aufnahmen in Abbildung 4‐11 haben gezeigt, dass an der
Grenzfläche von atomstrahlaktivierten Si/GaAs Wafer‐Bonds eine defektreiche Schicht
existiert, deren Dicke durch ein einminütiges Ausheizen bei 400 °C von 2.3 auf 2.0 nm
verringert werden kann. Es ist deshalb naheliegend, dass gleichzeitig die Anzahl elektrisch
aktiver Defekte an der Grenzfläche reduziert wird. Eine unvollständige Oxidentfernung als



70 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

Ursache für die geringe Leitfähigkeit wird ausgeschlossen, denn EDXS‐Linienprofile (siehe
Abschnitt 4.4) von Si/GaAs Wafer‐Bonds, die analog hergestellt wurden, lieferten keine
Hinweise auf Sauerstoff an der Grenzfläche.
Folglich ist anzunehmen, dass aufgrund der FAB Behandlung Defektzustände an der
Bondgrenzfläche existieren, in denen Elektronen eingefangen werden. Dadurch entsteht eine
Grenzflächenladung, welche eine Barriere im Leitungsband verursacht. Wird, wie in
Abschnitt 2.6.1 erläutert, angenommen, dass die Leitungselektronen die Potentialbarriere
mittels thermionischer Emission überwinden und die amorphe Grenzflächenschicht
ungehindert passieren, ergibt sich der Grenzflächenstrom in Abhängigkeit von der
angelegten Spannung aus Gleichung 2.7. Die Höhe der effektiven Barriere eΘ
(siehe Abbildung 2‐8), die von den Elektronen überwunden werden muss, kann aus dem
Gleichgewichts‐Leitwert G0 der Proben bestimmt werden, der für sehr kleine angelegte
Spannungen ( → 0) aus den Kennlinien der zwei Proben extrahiert wird. Wie in Abschnitt
2.6.2 gezeigt, ist G0 eine Exponentialfunktion von eΘ


T e eΘ
exp .


Zur Berechnung der in Tabelle 4‐2 gezeigten Barrierenhöhen eΘ wurde für die effektive
Richardsonkonstante A∗ ein Literaturwert von 8.16 A/cm²/K² [87] verwendet.
Außerdem wurde angenommen, dass die gesamte Probenfläche von 3×3 mm² zum
Stromtransport beiträgt und die Serienwiderstände der Wafer und des Metallkontakts
vernachlässigbar sind. Für eine exakte Bestimmung der Barrierenhöhe und A∗ wären
zusätzliche temperaturabhänge Strom‐Spannungs‐Messungen nötig, wie sie in
Abschnitt 4.6.4 für Si/GaAs Bonds gezeigt werden.

10
Abbildung 4‐17: Strom‐Spannungs‐Kennlinien
von Proben des n‐GaAs/n‐GaAs Bonds #075 im
Vergleich zu Proben eines einzelnen n‐GaAs‐
5
Wafers mit Metallkontakten. Bond #075
Stromdichte [A/cm²]

besteht aus GaAs‐Wafern mit vergleichbaren


Dotierungen (nGaAs = 0.9‐3.1×1018 cm‐3) und
0 leicht unterschiedlichen Orientierungen
n-GaAs/n-GaAs
Bond #075:
((100), 6° fehlorientiert nach <111>A und
1 Min 290 °C (100), 6° fehlorientiert nach <1‐11>B). Details
1 Min 290 °C
+ 1 Min 400 °C zum Wafer‐Bonding‐Prozess sind in
-5 n-GaAs Referenz Wafer Tabelle 7‐1 im Anhang zu finden. (Messungen
mit Metallkontakten:
1 Min 290 °C wurden von Elvira Fehrenbacher am
1 Min 290 °C
+ 1 Min 400 °C Fraunhofer ISE durchgeführt.)
-10
-0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4
Spannung [V]


Elektrische Leitfähigkeit 71

Tabelle 4‐2: Gleichgewichtsleitwert der GaAs/GaAs Bondproben aus


Abbildung 4‐17. Für die Berechnung der Barrierenhöhe wurde eine
Temperatur von 298 K und eine Richardsonkonstante ∗ von 8.16 A/cm²/K²
[87] verwendet.

Bondname Ausheizprozedur Gleichgewichts‐ Barrierenhöhe


leitwert eΘ

1 Min 290°C 4.61 cm‐2Ω‐1 0.40 eV


#075
1 Min 290°C 15.94 cm‐2Ω‐1 0.37 eV
+ 1 Min 400°C


Die Auswertung des bei Raumtemperatur gemessenen Gleichgewichts‐Leitwerts ergab für
die Probe, welche 1 Minute bei 290 °C ausgeheizt wurde, eine Barrierenhöhe
eΘ von 0.40 eV. Ausheizen bei 400 °C führt zu einer etwas geringeren Barriere von 0.37 eV
(Tabelle 4‐2). Die Reduktion der Barrierenhöhe bestätigt, dass ein Teil der akzeptorartigen
Defekte, welche zur Grenzflächenladung beitragen, thermisch ausheilen. Nimmt man
parabelförmige Potentialverläufe an, so lässt sich mittels Gleichung 2.5 und der bekannten
Ladungsträgerkonzentration (nGaAs = 0.9‐3.1×1018 cm‐3) abschätzen, dass die Verarmungs‐
zonen rechts und links der Grenzfläche eine Breite von jeweils ca. 25 nm haben.
Abbildung 4‐18 zeigt den Vergleich einer gemessenen Kennlinien des Bonds #075 und einer
berechneten Kennlinie, die sich mittels der Gleichungen 2.7 und 2.9 für GaAs/GaAs
Grenzflächen mit einer Barriere von eΘ = 0.40 eV und Dotierungen von nGaAs = 1.3×1018 cm‐3
ergeben. Für die Berechnung wurde angenommen, dass sich die Grenzflächenladung durch
das Anlegen einer äußeren Spannung nicht verändert, also durch die Verschiebung der
Quasi‐Ferminiveaus keine weiteren Defektzustände besetzt werden. Für kleine Spannungen
(< 0.05 V) liegen die experimentelle und die für eΘ = 0.40 eV berechnete Kennlinie
übereinander. Für größere Spannungen weichen die zwei Kennlinien immer weiter
voneinander ab. Im Experiment steigt die Grenzflächenladung durch die Neubesetzung von
Defektniveaus in der Bandlücke an. Deshalb nimmt die Leitungsbandbarriere Ψ in
Abbildung 2‐9 durch Anlegen einer Spannung langsamer ab und es ergibt sich im Vergleich
zur berechneten Kennlinie eine kleinere Stromdichte. Abbildung 4‐18 zeigt außerdem, dass
die experimentelle Kennlinie im Gegensatz zu der Berechneten leicht unsymmetrisch ist.
Ursache dafür ist, dass die verwendeten n‐GaAs‐Wafer nicht die exakt gleichen Dotierungen
haben, sondern ihre Ladungsträgerkonzentrationen im Bereich von nGaAs = 0.9‐3.1×1018 cm‐3
liegen.




72 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

-6

-4
Abbildung 4‐18: Vergleich der gemessenen
Kennlinie von GaAs/GaAs Bond #075 aus
Stromdichte [A/cm²]

-2
Abbildung 4‐17 und einer berechneten
Kennlinie, die sich mittels der Gleichungen 2.7
0 und 2.9 für eine Potentialbarriere mit Höhe
= 0.40 V und einer Waferdotierung von
2 nGaAs= 1.3×1018 cm‐3 ergibt. Für die Berechnung
gemessene Kennlinie:
GaAs/GaAs Bond #075, wurde angenommen, dass sich die Grenz‐
1 Min 290°C
flächenladung durch Anlegen einer äußeren
4 berechnet: e0= 0.40 eV
Spannung nicht verändert.


6
0.6 0.4 0.2 0.0 -0.2 -0.4 -0.6
Spannung [V]



4.6.3 Elektrische Schädigung von GaAs


Die geringe Leitfähigkeit des Argon‐FAB aktivierten GaAs/GaAs Wafer‐Bonds aus Abschnitt
4.6.2 weist darauf hin, dass der Ladungsträgertransport über die Bondgrenzfläche durch
geladene Defektzustände beeinträchtigt wird. Diese Defekte wurden höchstwahrscheinlich
durch die FAB Behandlung verursacht. Aus der Literatur ist bekannt, dass der Beschuss mit
hochenergetischen Neutronen bzw. Ionen die Elektronen‐Mobilität und die aktive
Ladungsträgerkonzentration von n‐GaAs reduziert [149, 150]. Diese Effekte werden sehr
wahrscheinlich auch durch die FAB Aktivierung beim Wafer‐Bonding verursacht. Um dies zu
prüfen, wurden n‐GaAs‐Schichten mit zweierlei Orientierungen ((100) 6° fehlorientiert nach
<111> A oder <1‐11> B) unterschiedlich lange mit den Argon‐FAB (Vacc = (0.64 ± 0.01) kV,
IAnode = 100 mA) behandelt und danach mittels Hall‐Messungen nach der Van‐der‐Pauw
Methode charakterisiert. Die ermittelten Hall‐Mobilitäten und Schichtladungsträger‐
konzentrationen werden in Abbildung 4‐19 in Abhängigkeit von der FAB Behandlungszeit
gezeigt.
Die mittlere Hall‐Mobilität der n‐GaAs‐Schichten (Abbildung 4‐19a) nimmt mit steigender
FAB Behandlungszeit deutlich ab. Offenbar werden die Leitungselektronen an Defekten
gestreut, die durch die FAB Behandlung verursacht werden. Da die Hall‐Mobilitäten in
Abbildung 4‐19 Mittelwerte der gesamten n‐GaAs‐Schicht sind und die Defektanzahl mit der
Kristalltiefe abnimmt, fällt für dünne Schichten schneller ab.
Die Differenz zwischen der ursprünglichen Schichtladungsträgerkonzentration und der nach
FAB Behandlung ist in Abbildung 4‐19b gezeigt und wird im Folgenden experimenteller
Ladungsträgerverlust genannt. Durch die FAB Behandlung werden einige Nanometer der
homogen dotierten n‐GaAs‐Schicht bzw. des Oberflächenoxids abgetragen. Die
Schichtladungsträgerkonzentration wird deshalb auch ohne das Einbringen von Defekten

Elektrische Leitfähigkeit 73

durch den reinen Materialabtrag reduziert. Mit Hilfe der bekannten GaAs‐Zerstäubungsrate
von 3.09 nm/min (Abschnitt 4.1) wurde dieser maximal zu erwartende
Ladungsträgerverlust abgeschätzt und als gestrichelte Linie in Abbildung 4‐19b
eingezeichnet. Der Vergleich mit den experimentellen Werten zeigt, dass in allen
untersuchten n‐GaAs‐Schichten der tatsächliche Ladungsträgerverlust etwa einen Faktor 3
größer als der erwartete ist (siehe Abbildung 4‐19b).

(a) 1600

1400
Hall Mobilität [cm²/Vs]

1200 400°C
290°C
1000

800 400°C
290°C 120 nm n-GaAs (B):
600 20°C ausgeheizt
60 nm n-GaAs (A):
400 20°C ausgeheizt
60 nm n-GaAs (B):
200 20°C

0 100 200 300 400 500 600


FAB Behandlungszeit [sec]

(b) 13
8x10
120 nm n-GaAs(B):
Ladungsträgerverlust [1/cm²]

20°C, ausgeheizt
60 nm n-GaAs (A):
13
6x10 20°C, ausgeheizt
60 nm n-GaAs(B):
20°C 290°C
400°C
13
4x10
290°C
400°C
rch
st du
13 e rverlu
2x10 gst r ä g
adun labtr
ag
ar t ete r L teria
erw n Ma
reine
0
0 100 200 300 400 500 600
FAB Behandlungszeit [sec]

Abbildung 4‐19: (a) Hall‐Mobilität und (b) Ladungsträgerverlust von n‐GaAs‐


Schichten mit Dotierung von (8.3±0.6)×1018 cm‐3 in Abhängigkeit von der FAB
Behandlungszeit. Die experimentellen Daten wurden mit Hilfe von Hall‐Messungen
nach der Van‐der‐Pauw Methode ermittelt. Die (100) Oberflächen besaßen eine
Fehlorientierung von 6° in Richtung <111>A oder <1‐11>B. Es wurde eine FAB
Beschleunigungsspannung von Vacc=(0.64 ± 0.01) kV und ein Anodenstrom von
IAnode = 100 mA verwendet. Die gestrichelte Linie in (b) ist der maximal zu erwartende
Ladungsträgerverlust, welcher aus der bekannten GaAs‐Zerstäubungsrate von
3.09 nm/min (Abschnitt 4.1) abgeschätzt wurde.





74 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

In einer weiteren Versuchsreihe wurde die Schichtladungsträgerkonzentration einer


p‐GaAs‐Schicht, die vor der FAB Behandlung eine ähnlich hohe Ladungsträgerkonzentration
wie die n‐GaAs‐Schichten besaß, in Abhängigkeit von der FAB Behandlungszeit untersucht.
Wie in Abbildung 4‐20 gezeigt, ist der experimentelle Ladungsträgerverlust in der p‐GaAs‐
Schicht auch um etwa einen Faktor 3 größer als der erwartete und ist vergleichbar zu dem in
n‐GaAs. Deshalb wird ausgeschlossen, dass während der FAB Behandlung eine Konversion
von n‐ in p‐typ Dotierung stattfindet, wie sie in Ref. [151] nach Ionenbeschuss in n‐GaAs
beobachtet wurde.
Offenbar werden als Folge der FAB Behandlung sowohl die Konzentration an freien
Elektronen, als auch Löchern durch eingebrachte Kristalldefekte reduziert. Diese
Beobachtungen sind in Übereinstimmung mit den Ergebnissen von Yeh et al. [149], die einen
Ladungsträgerverlust in n‐ und p‐dotierten GaAs‐Schichten nach Argonionenbeschuss mit
ähnlichen Energien von 0.5 keV bis 3.0 keV gefunden haben. Laut Yeh et al. [149] wird dieser
Effekt durch Defekte mit Energieniveaus in der Bandlücke von GaAs verursacht, die beim
Argonionenbeschuss entstehen. In n‐dotiertem GaAs werden Elektronen in Akzeptorniveaus
unterhalb des Ferminiveaus gefangen [149, 150] und dabei „deaktiviert“. An der großen
Anzahl ionisierter Defektzustände werden die am Transport beteiligten Leitungselektronen
gestreut, wodurch sich ihre Mobilität reduziert [150].
Bei der Wechselwirkung von hochenergetischen Ionen bzw. Atomen mit GaAs Gitteratomen
kann eine Vielzahl unterschiedlicher Defekte entstehen (Leerstellen, Zwischengitteratome,
Substitutionsatome, Defektkomplexe). Ein Großteil davon heilt sofort (in‐situ) wieder aus.
[152]. Für die Reduktion der aktiven Ladungsträgerkonzentration in GaAs sind laut De Souza
et al. [152] die besonders stabilen Subsitutionsdefekte AsGa als Doppeldonator und GaAs als
Doppelakzeptor verantwortlich.

13 60 nm p-GaAs (B)
5x10
Ladungsträgerverlust [1/cm²]

13
4x10

13
3x10

13
2x10
h
13 ust durc
1x10 u n g s tr ägerverl
ter Lad btrag
erwarte ateriala
reinen M
0
0 100 200
FAB Behandlungszeit [sec]

Abbildung 4‐20: Ladungsträgerverlust von p‐GaAs:Zn (ursprüngliche Dotierung:


p=(8.8±0.4)×1018 cm‐3) in Abhängigkeit von der FAB Behandlungszeit. Dabei wurde
eine FAB Beschleunigungsspannung von Vacc=(0.64±0.01) kV und ein Anodenstrom
von 100 mA verwendet. Die experimentellen Daten wurden mit Hilfe von Hall‐
Messungen nach der Van‐der‐Pauw Methode ermittelt. Die gestrichelte Linie ist der
maximal zu erwartende Ladungsträgerverlust, welcher aus der bekannten GaAs‐
Zerstäubungsrate von 3.09 nm/min (Abschnitt 4.1) abgeschätzt wurde.

Elektrische Leitfähigkeit 75

Da beim Ionenbeschuss vergleichbare Konzentrationen von AsGa und GaAs Defekten erzeugt
werden, ergibt sich in n‐ und p‐dotiertem GaAs eine ähnliche Reduktion der freien
Ladungsträgerkonzentration [152]. Für lange FAB Behandlungszeiten (über 5 Minuten)
steigt der experimentelle Ladungsträgerverlust in Abbildung 4‐19b linear mit der Zeit an. Die
Verlustrate (Steigung) entspricht dann annähernd der erwarteten, welche durch die
bekannte Zerstäubung von GaAs entsteht. Offenbar bleibt für die verwendete
Argonbeschleunigungsspannung von Vacc = (0.64 ± 0.01) kV die laterale Defektverteilung von
der Oberfläche in den Kristall konstant. Wurden die Hall‐Proben bei 290 °C bzw. 400 °C in
Formiergasatmosphäre ausgeheizt, hat sich der experimentelle Ladungsträgerverlust
reduziert und die Hall‐Mobilität verbessert (siehe Abbildung 4‐19). Folglich nimmt beim
Ausheizen die Anzahl der FAB induzierten Defekte ab, was bereits aufgrund der Zunahme
der elektrischen Leitfähigkeit der GaAs/GaAs‐Bonds in Abschnitt 4.6.2 vermutet wurde.
De Souza et al. haben diesen Effekt an Ionenstrahl behandeltem n‐GaAs beobachtet und
vermuten, dass bei Temperaturen über 200 °C GaAs Substitutionsatome mit VGa Leerstellen
rekombinieren [153]. Durch die Abnahme der Defektdichte bzw. Grenzflächenladungsdichte
und Zunahme der aktiven Ladungsträgerkonzentration wird beim Ausheizen die
Potentialbarriere des GaAs/GaAs Bonds #075 reduziert. Entsprechend wird experimentell
eine Zunahme der elektrischen Leitfähigkeit beobachtet (siehe Abbildung 4‐17).
Zusammenfassend zeigen die Hallmessungen, dass als Folge der FAB Aktivierung
akzeptorartige Defektzustände an den n‐GaAs‐Oberflächen existieren und die Mobilität der
Leitungselektronen reduziert ist. Diese Ergebnisse bestätigen, dass an der GaAs/GaAs
Bondgrenzfläche ionisierte Defektzustände existieren, die Verarmungszonen in den
angrenzenden Halbleitern und dadurch eine signifikante Potentialbarriere an der
Grenzfläche verursachen. Diese Potentialbarriere stört den Ladungsträgertransport über die
Grenzfläche und ist für den diodenartigen Verlauf der Strom‐Spannungs‐Kennlinien von
GaAs/GaAs (und Si/GaAs) Wafer‐Bonds verantwortlich. Von der reduzierten
Ladungsträgermobilität nahe der Grenzfläche ist keine wesentliche Veränderung im
Kennlinienverlauf zu erwarten.




76 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

4.6.4 Strom‐Spannungs‐Kennlinien von n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds


In Abschnitt 2.6.2 wird erläutert, dass mit Hilfe von temperaturabhängigen Strom‐
Spannungs‐Kennlinien der Ladungsträgertransport über Bondgrenzflächen analysiert und
die Höhe einer möglicherweise vorhandenen Potentialbarriere an der Grenzfläche bestimmt
werden kann. Deshalb wurden Kennlinien zweier Proben des Argon‐FAB aktivierten
n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds #064 bei Temperaturen im Bereich von ‐150 °C bis +150 °C
aufgenommen (siehe Abbildung 4‐21). Der Metallkontakt von beiden Proben wurde zuvor
für 1 Minute bei 290 °C einlegiert. Der Unterschied zwischen den beiden Proben besteht
darin, dass nur eine der Proben zusätzlich für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt wurde.
Wie in Abbildung 4‐21 gezeigt, besitzen die Strom‐Spannungs‐Kennlinien beider Proben bei
Raumtemperatur einen nichtlinearen diodenähnlichen Verlauf. Würden keine Defekte an der
Si/GaAs‐Grenzfläche vorliegen, sollten für die hier verwendeten Dotierungen
(nSi=4.0×1020 cm‐3, nGaAs=1.0–1.6×1018 cm‐3) lineare Kennlinien erzielt werden (siehe
Abschnitt 2.5). Der nichtlineare Verlauf der experimentell bestimmten Kennlinien lässt sich
mit Hilfe des in Abschnitt 2.6.2 vorgestellten Modells einer defektreichen Si/GaAs
Grenzfläche erklären. Aufgrund von ionisierten Defektzuständen existiert an der Grenzfläche
eine Potentialbarriere, die zu groß ist, um von den Leitungselektronen durch ihre thermische
Energie ( 26 meV) überwunden zu werden. Die Existenz von geladenen
Defektzuständen führt auch an der Grenzfläche der n‐GaAs/n‐GaAs Wafer‐Bonds aus
Abschnitt 4.6.2 zu einem hohen Grenzflächenwiderstand. Die Hallmessungen in Abschnitt
4.6.3 bestätigen, dass durch die Atomstrahlbehandlung akzeptorartige Defekte im GaAs
verursacht werden, in denen freie Elektronen eingefangen werden.
Die Leitfähigkeit der Si/GaAs Bondproben in Abbildung 4‐21 nimmt mit sinkender
Temperatur deutlich ab und die Kennlinien ähneln bei niedrigen Temperaturen denen einer
Diode. Die bei 400 °C ausgeheizte Probe (Abbildung 4‐21b) hat im Bereich von ‐150 °C bis
+100 °C eine bessere Leitfähigkeit als die nicht ausgeheizte Probe und erreicht bereits bei
+100 °C einen linearen Kennlinienverlauf. Bei einer Temperatur von +150 °C besitzen beide
3×3 mm² große Proben einen konstanten Widerstand von 95 mΩ. Offenbar kann bei dieser
hohen Temperatur ein Großteil der Elektronen die Grenzfläche passieren.
Die starke Temperaturabhängigkeit der Kennlinien weist darauf hin, dass die Ladungsträger
die Barriere mittels thermionischer Emission überwinden. Um diese Vermutung zu
bestätigen und die Barrierenhöhe zu bestimmen, wurde der Gleichgewichts‐Leitwert G0 der
Bondgrenzfläche aus den nichtlinearen Kennlinen bei sehr kleinen angelegten Spannungen
bestimmt. Dabei wurde für den Serienwiderstand, der durch die 3×3 mm² großen Si‐ und
GaAs‐Substrate sowie ihre Metallkontakte entsteht, ein Wert von 20.8 mΩ berücksichtigt
(siehe Abschnitt 4.6.1).
Der Term ln ⁄ wird in Abbildung 4‐22 für beide Proben des Si/GaAs Wafer‐Bonds #064
als Funktion von gezeigt. Laut Gleichung 2.11 ergibt sich in dieser Auftragung die
Barrierenhöhe Θ als negative Steigung einer linearen Anpassung der Messwerte. Für die
Probe, die 1 Minute bei 290 °C ausgeheizt wurde (blaue Quadrate in Abbildung 4‐22), liefert
die lineare Anpassung im Temperaturbereich von ‐50 °C bis + 100 °C eine Barrierenhöhe von
(275 ± 8) meV. Die Probe, die zusätzlich bei 400 °C ausgeheizt wurde, besitzt eine um
51 meV kleinere Barriere von (224 ± 7) meV. Die Reduktion der Barrierenhöhe durch

Elektrische Leitfähigkeit 77

Ausheizen bei 400 °C ist in guter Übereinstimmung mit den Hall‐Ergebnissen aus Abschnitt
4.6.3. Diese zeigen, dass beim Ausheizen die aktive Ladungsträgerkonzentration in Argon‐
FAB behandelten n‐GaAs‐Schichten zunimmt, da FAB induzierte Defekte ausgeheilt werden.


8
(a)
Si/GaAs Bond #064:
6 1 Min. 290°C ausgeheizt
4
Stromdichte [A/cm²]

2
0
-2 °C
50
-1
-4

+150 °C
°C
°C

°C

°C
°C

0 °C

+100
-6
-100

+25

+50
-50

-8
-1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5
Spannung [V]
8
(b)
Si/GaAs Bond #064:
6 1 Min. 290 °C + 1 Min. 400 °C
ausgeheizt
4
Stromdichte [A/cm²]

2
0
-2
-4
°C

°C

C
°C
°C

+50 °
0 °C
-150

-100

-6 +100°C
+25
-50

+150°C
-8
-1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5
Spannung [V]
Abbildung 4‐21: Temperaturabhängige Strom‐Spannungs‐Kennlinien von Proben des
n‐Si/n‐GaAs Bonds #064, die (a) für 1 Minute bei 290 °C und (b) zusätzlich 1 Minute bei
400 °C ausgeheizt wurden. Die 3×3 mm² großen Proben bestehen aus 300 µm dicken Si‐
(n= 4.0×1020 cm‐3) und 450 µm dicken GaAs‐Substraten (n=1.0–1.6×1018 cm‐3) und
haben flächige Metallkontakte. Bei der Messung wurde die Probe zunächst abgekühlt
und danach aufgeheizt. Die Silicium‐Seite der Si/GaAs Bondproben war jeweils mit dem
Pluspol verbunden. Details zum Wafer‐Bonding‐Prozess sind in Tabelle 7‐1 im Anhang
zu finden. (Messungen durchgeführt von Elvira Fehrenbacher, Fraunhofer ISE.)




78 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

T [K]
450
400350
450 350 300
300 250 200 150
0

ln(G0/T) [1/Kcm²] -5

-10

-15 1 Min 290°C:


Messwerte
Lineare Annäherung:
ln(G0/T) = -(0.275 ± 0.008) / kbT + (7.255 ± 0.338)
-20 1 Min 290°C + 1 Min 400°C:
Messwerte
Lineare Annäherung:
-25 ln(G0/T) = -(0.224 ± 0.007) / kbT + (6.335 ± 0.308)

30 40 50 60 70 80 90
1/kBT [1/ eV]

Abbildung 4‐22: Auswertung des Gleichgewichts‐Leitwerts der Si/GaAs Bondproben aus Abbildung 4‐21.
Die Ausgleichsgeraden wurden jeweils an die Messpunkte im Temperaturbereich von 223 K bis 373 K
(‐50 °C bis +100 °C) angenähert.



Die experimentellen Werte von ln ⁄ , die für Temperaturen von ‐100 °C und ‐150 °C
bestimmt wurden, liegen in Abbildung 4‐22 nicht auf den eingezeichneten
Ausgleichsgeraden. Bei tiefen Temperaturen können nur noch wenige Ladungsträger die
Barriere durch ihre thermische Energie überwinden und der quantenmechanische
Tunnelprozess durch die Barriere gewinnt an Bedeutung. Eine lineare Anpassung durch
diese Messwerte würde deshalb eine zu geringe Barrierenhöhe liefern. Bei der Auswertung
des Gleichgewichtsleitwerts über den gesamten Temperaturbereich müsste außerdem
beachtet werden, dass die Barrierenhöhe von der Temperatur abhängt. Bei tiefen
Temperaturen reduziert sich die effektive Ladungsträgerkonzentration in den Halbleitern
und ihre Bandlücke nimmt zu [87].
Zur zusätzlichen Überprüfung, dass die thermische Verteilung der Ladungsträger
entscheidend für ihren Transport über die Grenzfläche ist und die Stromdichte mittels
Gleichung 2.10 beschrieben werden kann, werden in Abbildung 4‐23 gemessene und
modellierte Kennlinien einer Probe des Si/GaAs Bonds #064 miteinander verglichen. Eine
Herausforderung bei der Vorhersage bzw. Modellierung der Strom‐Spannungs‐Kennlinien
ist, dass die Spannungsabhängigkeit der Grenzflächenladung und der daraus resultierenden
Potentialbarriere nicht bekannt ist. Jedoch hat diese einen entscheidenden Einfluss auf den
Kennlinienverlauf (siehe Abschnitt 4.6.2). Deshalb wurde in Abbildung 4‐23 zunächst
Gleichung 2.10 an die bei 0 °C gemessene Kennlinie angenähert und der in GaAs abfallende
Spannungsanteil VGaAs( ) vereinfacht als polynomischen Funktion der angelegten
Spannung Vex genähert. Für die Modellierung der restlichen temperaturabhängigen

Elektrische Leitfähigkeit 79

Kennlinien wurde als einziger Parameter die Temperatur verändert. Die gute
Übereinstimmung der experimentellen und modellierten Kennlinienverläufe zeigt, dass
tatsächlich die thermische Verteilung der Ladungsträger entscheidend für ihren Transport
über die Barriere ist.
Zu beachten ist, dass die effektive Richardsonkonstante A*, welche sich durch Annähern der
Gleichung 2.10 in Abbildung 4‐23, bzw. aus dem Ordinatenabschnitt in Abbildung 4‐22
ergibt, nur 0.11 A/cm²/K² (bzw. 0.05 A/cm²/K² für die bei 400°C ausgeheizte Probe) beträgt.
Im Vergleich dazu, ist der Literaturwert für die effektive Richardsonkonstante von GaAs
deutlich höher und liegt bei 8.16 A/cm²/K² [87]. Ursache dieser Diskrepanz ist sehr
wahrscheinlich, dass im Experiment nicht die gesamte Probenfläche am Stromfluss beteiligt
ist und folglich die experimentelle Stromdichte, die als Quotient des Stroms und der
Probenfläche (3×3 mm²) berechnet wurden, unterschätzt wird. Eine zu kleine effektive
Richardsonkonstante wurde auch in Ref. [93] an GaAs/GaAs Bonds beobachtet und wird von
Jackson et al. auf Einschlüsse an der Grenzfläche zurückgeführt, welche die reale
Stromflussfläche verringern. In dieser Arbeit könnten nicht gebondete Bereiche oder
Inhomogenitäten an der Grenzfläche, wie zum Beispiel Gebiete mit größerer Defektdichte
oder dickerer amorphen Zwischenschicht für eine kleinere Stromflussfläche verantwortlich
sein. Aus dieser Beobachtung folgt jedoch auch, dass die in Tabelle 4‐2 berechneten
Barrierenhöhen der FAB aktivierten n‐GaAs/n‐GaAs Bonds möglicherweise zu hoch sind. Für
deren Berechnung wurde angenommen, dass die gesamte Probenfläche am
Ladungsträgertransport beteiligt ist.

4 Abbildung 4‐23: Vergleich von


gemessenen und modellierten Strom‐
Messwerte
Angepasste Kennlinie Spannungs‐Kennlinien einer Probe des
Modellierte Kennlinien Si/GaAs Bonds #064, die für 1 Minute bei
Stromdichte [A/cm²]

2
290 °C ausgeheizt wurde. Für die
Modellierung wurde zunächst
-100°C
Gleichung 2.10 unter Berücksichtigung
0 eines Serienwiderstands von s=20.8 mΩ
-50°C und A*= 0.11 A/cm² an die bei 0°C
gemessene Kurve angefittet. Dabei wurde
-2 die Spannungsabhängigkeit von VGaAs
0°C vereinfacht durch eine polynomischen
25°C Funktion genähert: (VGaAs=‐0.67 +
50°C 100°C
0.45 +0.30 ). Danach wurde als
-4 einziger Parameter die Temperatur
-0.4 -0.2 0.0 0.2
verändert.
Spannung [V]




80 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

4.6.5 Einflussfaktoren auf die elektrische Leitfähigkeit von


Si/GaAs Wafer‐Bonds
Die elektrische Leitfähigkeit atomstrahlaktivierter Si/GaAs Wafer‐Bonds kann erhöht
werden, indem die Defektdichte und folglich die Potentialbarriere an der Grenzfläche,
reduziert wird. Im Folgenden wird der Einfluss verschiedener Wafer‐Bonding Parameter
und Ausheizprozeduren auf den Grenzflächenwiderstand bzw. die Defektdichte untersucht
und schließlich die Leitfähigkeit über die Si/GaAs Bondgrenzfläche optimiert. Die
experimentelle Vorgehensweise ist in Abschnitt 3.7 beschrieben. In den folgenden
Abbildungen wird zum Vergleich auch eine Referenz‐Kennlinie gezeigt, die sich aus den
bekannten ohmschen Substrat‐ und Metallkontaktwiderständen der Si und GaAs‐Substrate
von insgesamt , , = 20.8 mΩ ergibt. Hätten die Si/GaAs
Grenzflächen einen vernachlässigbaren Widerstand, könnten die Strom‐Spannungs‐
Kennlinien der Proben den linearen Verlauf dieser Referenz‐Kennlinie erreichen.
Die Abbildungen 4‐24 a und b zeigen Strom‐Spannungs‐Kennlinien der n‐Si/n‐GaAs Bonds
#118 und #064, die nach dem Einlegieren der Metallkontakte bei 290 °C und nach einem
zusätzlichen Ausheizen der Proben bei höheren Temperaturen gemessen wurden. Der
Vergleich der Kennlinien in Abbildung 4‐24a ergibt, dass die Leitfähigkeit über die Si/GaAs
Bondgrenzfläche bereits durch eine kurze Wärmebehandlung von einer Minute bei
Temperaturen von 330 °C erhöht werden kann und mit steigender Ausheiztemperatur
weiter zunimmt. Wie in Abschnitt 4.6.4 durch die Auswertung von temperaturabhängigen
Kennlinien gezeigt wird, reduziert bereits ein einminütiges Ausheizen die Höhe der
Potentialbarriere an der Si/GaAs Grenzfläche, da Defekte an der Grenzfläche ausheilen.
Werden die Proben des Si/GaAs Wafer‐Bonds #064 länger, für 25 Minuten bei 375 °C bzw.
450 °C, ausgeheizt, ist ihre Kennlinie vergleichbar zu der nach einem kurzen einminütigen
Ausheizen bei 400 °C. Offenbar muss für das Ausheilen der Defekte eine bestimmte
Aktivierungsenergie überschritten werden und die Dauer des Ausheizens hat eine
untergeordnete Rolle.
In der Literatur wurde beschrieben, dass die elektrische Leitfähigkeit über
Bondgrenzflächen abnimmt, umso länger die Wafer zwischen der FAB Behandlung und
ihrem Kontakt in der Vakuumkammer verweilen [52]. Als Ursache dafür werden an den
Oberflächen adsorbierte Fremdatome aus dem Restgas genannt, die Defektzustände an der
Grenzfläche bilden. Um den Effekt von adsorbiertem Restgas zu untersuchen, wurden in
dieser Arbeit n‐Si/n‐GaAs Bonds hergestellt, die nach vergleichbarer FAB Behandlung, aber
unterschiedlichen Vakuumverweilzeiten (0 bis 720 sec) miteinander in Kontakt gebracht
wurden. Ihre Strom‐Spannungs‐Kennlinien, die nach dem Einlegieren der Metallkontakte
(1 Minute bei 290°C) gemessen wurden, unterscheiden sich deutlich (siehe
Abbildung 4‐24c). Je länger die Wafer dem Vakuum ausgesetzt waren, desto höher ist der
elektrische Grenzflächenwiderstand. Nach einem Ausheizen für 1 Minute bei 400 °C ist der
Unterschied zwischen den Kennlinien jedoch wesentlich geringer. Die thermisch angeregte
Umordnung erlaubt die Ausbildung neuer atomarer Bindungen und reduziert die
Auswirkung der adsorbierten Fremdatome an der Grenzfläche. Diese Ergebnisse weisen
darauf hin, dass die elektrischen Eigenschaften der Grenzfläche nach dem Ausheizen im
Wesentlichen von Defekten dominiert werden, die während der FAB Behandlung entstehen.

Elektrische Leitfähigkeit 81

Spannung [V]
-0.3 -0.2 -0.1 0.0 0.1
(a)
4 Si/GaAs Bond #119 nach
unterschiedlichen Ausheizprozeduren:
Stromdichte [A/cm²]

1 Min. 290°C
2 1 Min. 290°C + 1 Min. 330 °C
1 Min. 290°C + 1 Min. 370 °C
1 Min. 290°C + 1 Min. 400 °C
0
Referenz-Kennlinie:
Si + GaAs Wafer mit
-2 Metallkontakt (ohne Bond)

-4

(b)
4
Stromdichte [A/cm²]

Si/GaAs Bond #064 nach


2 unterschiedlichen Ausheizprozeduren:
1 Min. 290°C
25 Min. 375°C
0 1 Min. 290°C + 1 Min. 400°C
25 Min. 425°C
1 Min. 290°C + 1 Min. 450°C
-2

-4

(c)
Si/GaAs Bonds mit unterschiedlicher
4 Wartezeit zwischen FAB Behandlung und Bond:
0 sec, #064
Stromdichte [A/cm²]

1 Min. 290°C
2
1 Min. 290°C + 1 Min. 400°C
45 sec, #074
0 1 Min. 290°C
1 Min. 290°C + 1 Min. 400°C
420 sec, #077
-2 1 Min. 290°C
1 Min. 290°C + 1 Min. 400°C
720 sec, #078
-4 1 Min. 290°C
1 Min. 290°C + 1 Min. 400°C
-0.3 -0.2 -0.1 0.0 0.1
Spannung [V]

Abbildung 4‐24: Strom‐Spannungs‐Kennlinien unterschiedlicher n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds aus 300 µm


dicken Si‐ (nSi,surf= 4.0×1020 cm‐3) und 450 µm dicken GaAs‐Wafern mit nGaAs=1.0–1.6×1018 cm‐3. Die 3×3 mm²
großen Proben besitzen flächige Metallkontakte. In (a) wird zusätzlich eine Referenz‐Kennlinie gezeigt, die
aus den bekannten Si‐ und GaAs‐Substrat‐ und Metallkontaktwiderständen aber ohne Si/GaAs
Grenzflächenwiderstand berechnet wurde. Für die Bonds #119 (a) und #064 (b) wurden unterschiedliche
Ausheizprozeduren getestet. In (c) werden Kennlinien von Si/GaAs Bonds verglichen, deren Oberflächen
zwischen der FAB Behandlung (5 Min (+45 sec Annäherung), Vacc 0.63 kV) und dem Verbinden der Wafer
unterschiedlich lange in der Vakuumkammer verblieben. Die Kennlinien in (c) wurden direkt nach dem
Einlegieren der Metallkontakte bei 290 °C und einem zusätzlichen Ausheizen für 1 Minute bei 400°C
gemessen. Die Si‐Seite aller Proben war mit dem Pluspol verbunden. (Weitere Details zum Wafer‐Bonding der
Proben sind in Abschnitt 7.1 zu finden. Messungen wurden von E. Fehrenbacher durchgeführt.)




82 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

An weiteren Proben wurde deshalb der Einfluss der verwendeten Argonenergie und
Aktivierungszeit auf die elektrische Leitfähigkeit untersucht. Abbildung 4‐26a zeigt die
Strom‐Spannungs‐Kennlinien von n‐Si/n‐GaAs Bonds, deren Oberflächen 5 Minuten mit den
FAB aktiviert wurden. Die Argonbeschleunigungsspannung Vacc wurde zwischen 0.56 kV und
1.02 kV variiert und die abgebildeten Kennlinien wurden nach einem zusätzlichen Ausheizen
für 1 Minute bei 400 °C gemessen. Die höchste Leitfähigkeit wurde mit den Si/GaAs Bonds
#080 und #064 erreicht, für deren Herstellung niedrige Beschleunigungsspannungen Vacc von
0.56 kV bzw. 0.63 kV verwendet wurden. Wird die Beschleunigungsspannung auf Werte von
0.81 kV bzw. 1.02 kV erhöht, nimmt die elektrische Leitfähigkeit signifikant ab (Bonds #065
und #119 in Abbildung 4‐26a). Dieser Effekt wurde auch von Howlader et al. für FAB
aktivierte p‐Si/n‐GaAs Bonds beobachtet [52]. Bei Verwendung einer höheren
Beschleunigungsspannung besitzen die Argonatome eine größere kinetische Energie (diese
entspricht etwa dem 0.4 bis 0.6‐fachen des Produkts aus Vacc und der Elementarladung) und
übertragen entsprechend auch mehr Energie an die Kristallatome [52].
Abbildung 4‐25 zeigt die mit Hilfe der Software SRIM‐201116 berechnete Verteilungen von
Frenkel‐Defekten (siehe Abschnitt 4.4) in Silicium pro Å Länge und Projektil für
Argonprojektile mit kinetischen Energien von 300 eV bzw. 600 eV. Würde man diese
Verteilungen mit der verwendeten Atomstrahldosis (Projektile/Fläche) multiplizieren, so
könnte man die erzeugten Frenkeldefekte pro cm³ bestimmen. Die Argonatome mit größerer
kinetischer Energie von 600 eV besitzen eine Eindringtiefe von 2.0 nm (1.4 nm für 300 eV,
berechnet mit SRIM‐201116) und verursachen vergleichsweise mehr Kristalldefekte, welche
auch tiefer in dem Kristall verteilt sind (siehe Abbildung 4‐25). Die Beobachtung, dass der
Grenzflächenwiderstand mit zunehmender Anzahl von FAB induzierten Frenkel‐Defekten
ansteigt, beweist, dass tatsächlich die FAB Behandlung für die geringe Leitfähigkeit der
n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds verantwortlich ist.

1.0
600 eV Argon
300 eV Argon
Frenkelpaare pro Å Länge

0.8

und Argonatom

0.6 Abbildung 4‐25: Mit Hilfe der Software


SRIM‐201116 simulierte Verteilung von
0.4 Frenkel‐Defekten in Si für 5000
Argonprojektile mit kinetischer Energie
0.2 von 300 eV bzw. 600 eV und einem
Einfallswinkel von 45°.
0.0
0 10 20 30 40 50
Targettiefe [Å]





16 SRIM – „The Stopping and Range of Ions in Solids“, Version 2011.06: Eine Software zur Berechnung

der Wechselwirkung hochenergetischer Ionen mit Festkörpern. Entwickelt von Ziegler et al. [68]
(siehe auch Abschnitt 7.4).

Elektrische Leitfähigkeit 83



(a) 8
Si/GaAs Bonds:
6 5 Min. FAB Behandlung mit
Vacc = (1.02 ± 0.03) kV, #119

Stromdichte [A/cm²]
4 Vacc = (0.81 ± 0.03) kV, #065
Vacc = (0.63 ± 0.02) kV, #064
2
Vacc = (0.56 ± 0.01) kV, #080
0
-2
-4
-6
-8
-0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2
Spannung [V]

(b) 8 Si/GaAs Bonds:


FAB Behandlung mit
6 Vacc = (0.63 ± 0.02) kV für
Stromdichte [A/cm²]

4 3 Min. , #072
5 Min. , #064
2 9 Min. , #076
Referenz-Kennlinie:
0 Si + GaAs Wafer mit
Metallkontakten
-2
-4
-6
-8
-0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2
Spannung [V]

Abbildung 4‐26: Strom‐Spannungs‐Kennlinien von n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds aus 300 µm dicken Si‐
(nSi,surf= 4.0×1020 cm‐3) und 450 µm dicken GaAs‐Wafern (nGaAs=1.0–1.6×1018 cm‐3). Die 3×3 mm² großen
Proben haben flächige Metallkontakte, die 1 Minute bei 290 °C einlegiert wurden. Alle Proben wurden
außerdem für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt. (a) Die Wafer‐Bonds wurden gleich lange (5 Minuten
+45 sec Annäherung) mit den FAB aktiviert, jedoch wurden unterschiedliche Argon‐Beschleunigungs‐
spannungen Vacc verwendet. (b) Die Si‐ und GaAs‐Wafer wurden unterschiedlich lange, zwischen 3 und
9 Minuten (+45 sec Annäherung), mit den FAB bei gleicher Beschleunigungsspannung Vacc behandelt.
In (b) wird zum Vergleich außerdem eine Referenz‐Kennlinie gezeigt, die aus den bekannten Si‐ und
GaAs‐Substrat‐ und Metallkontaktwiderständen aber unter Vernachlässigung des Si/GaAs
Grenzflächenwiderstandes berechnet wurde. Die Si‐Seite der Si/GaAs Bondproben war in allen
Messungen mit dem Pluspol verbunden. (Weitere Details zum Wafer‐Bonding der Proben sind in
Abschnitt 7.1 zu finden. Messungen wurden von Elvira Fehrenbacher am Fraunhofer ISE durchgeführt.)




84 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

Abbildung 4‐26b zeigt einen Vergleich von Si/GaAs Bonds, die mit unterschiedlichen FAB
Behandlungszeiten aber gleicher Beschleunigungsspannung aktiviert wurden. Wird die FAB
Behandlungszeit von 5 auf 3 Minuten reduziert (Bond #072), nimmt die elektrische
Leitfähigkeit ab. Wie in Abschnitt 3.6.2 diskutiert, reichen 3 Minuten FAB Behandlung nicht
aus, um die nativen Oxide auf den Si‐ und GaAs‐Oberflächen vollständig zu entfernen.
Deshalb wird die Leitfähigkeit durch das verbleibende Oxid beeinträchtigt. Die Existenz eines
Grenzflächenoxids wird auch durch die Beobachtung eines Risswachstums bei der
Durchführung des Maszara Klingentests (siehe Abschnitt 3.6.2) und der Blasenbildung
während der Lagerung dieses Wafer‐Bonds (siehe Abschnitt 4.3) bestätigt. Wird die FAB
Behandlungszeit der Si‐ und GaAs‐Wafer dagegen von 5 auf 9 Minuten erhöht, so hat dies
einen vernachlässigbaren Einfluss auf den Verlauf der Strom‐Spannungs‐Kennlinien und den
Grenzflächenwiderstand (siehe Abbildung 4‐26b). Durch einen längeren Beschuss mit den
hochenergetischen Argonatomen werden mehr Defekte erzeugt, jedoch wird auch ein Teil
der geschädigten Halbleiterschicht zerstäubt. Es ist deshalb vorstellbar, dass sich die
Defektverteilung durch die Verlängerung der FAB Behandlungszeit nur unwesentlich
verändert. Dieses Ergebnis ist in Übereinstimmung mit der Auswertung der Hall‐Messungen
in Abschnitt 4.6.3. Dort wird gezeigt, dass für lange FAB Behandlungszeiten die
experimentelle Ladungsträgerverlustrate in n‐GaAs derjenigen entspricht, die aufgrund des
reinen Materialabtrags zu erwarten ist.
Im Gegensatz zu den Beobachtungen der vorliegenden Arbeit, nahm der
Grenzflächenwiderstand von FAB aktivierten p‐Si/n‐GaAs Bonds in Howladers
Experimenten mit steigender FAB Behandlungszeit zu [52]. Howlader et al. erklären diese
Beobachtung mit einem Anstieg der Defektanzahl für längere FAB Behandlungszeiten. Da in
Howladers Veröffentlichung auch gezeigt wird, dass die Oberflächenrauheit von GaAs mit
der FAB Behandlungszeit zunimmt, könnte in Ref. [52] auch eine verringerte Kontaktfläche
der Si‐ und GaAs‐Oberflächen den Ladungsträgertransport über die Grenzfläche
beeinträchtigen.
Zusammenfassend ergeben die in Abbildung 4‐24 und Abbildung 4‐26 gezeigten
Parametervariationen, dass die höchste elektrische Leitfähigkeit für Si/GaAs Proben erreicht
wurde, deren Wafer für mindestens 5 Minuten unter Verwendung einer geringen
Argonbeschleunigungsspannung von 0.56 kV bzw. 0.63 kV mit den FAB behandelt wurden.
Für die Anwendung in der GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzelle ist der Grenzflächen‐
widerstand jedoch zu hoch. Bei hohen Stromdichten von 6 A/cm², die von der
Mehrfachsolarzelle unter 500‐facher Sonnenkonzentration erzielt werden, würde die
Si/GaAs Grenzfläche von Bond #064 nach dem Ausheizen bei 400 °C einen Spannungsverlust
von ca. 0.25 V verursachen. Der Si/GaAs Grenzflächenwiderstand könnte sehr
wahrscheinlich durch die Verwendung einer geringeren Argon Beschleunigungsspannung
Vacc oder einer höheren Ausheiztemperatur weiter reduziert werden. Allerdings kann Vacc in
der verwendeten Prozesskammer nicht auf Werte unterhalb 0.50 kV reduziert werden.
Ausheiztemperaturen über 450 °C konnten in dem verwendeten Ofen nicht realisiert werden
und wurden wegen einer möglichen Rissbildung durch den mehr als zweimal so hohen
thermischen Ausdehnungskoeffizienten von GaAs gegenüber Si (αGaAs= 5.7×10‐6 /K,
αSi = 2.6 ×10‐6 /K [8]) vermieden.

Elektrische Leitfähigkeit 85

Alternativ zur Variation der FAB Behandlung kann die Dotierung der Waferoberflächen
verändert werden, um eine höhere elektrische Leitfähigkeit über die Bondgrenzfläche zu
erreichen. In Abschnitt 2.6 wird erläutert, dass die Potentialbarriere an der Grenzfläche
durch die Erhöhung der Wafer‐Dotierungen verringert wird. Da die Ladungsträger‐
konzentration im Si schon sehr hoch war (nSi,surf= 4.0×1020 cm‐3), wurde in weiteren
Experimenten nur die Dotierung der n‐GaAs‐Schicht variiert. Abbildung 4‐27a zeigt Strom‐
Spannungs‐Kennlinien von Si/GaAs Bonds, die bei 20 °C gebondet wurden aber nahe der
Grenzfläche eine unterschiedliche n‐GaAs Dotierung im Bereich von 0.5‐8.0×1018 cm‐3
besitzen. Die Ladungsträgerkonzentrationen wurden jeweils an Teststrukturen ohne FAB
Behandlung mittels ECV bestimmt und die Si/GaAs Bondproben wurden vor der Messung für
1 Minute bei 400 °C ausgeheizt. Bond #154, dessen GaAs‐Wafer an der Oberfläche eine
300 nm dicke n‐GaAs‐Schicht mit einer Ladungsträgerkonzentration von nur
(5.3±0.2)×1017cm‐3 besitzt, hat die geringste elektrische Leitfähigkeit. Wird dagegen eine
n‐GaAs‐Bondschicht mit höherer Dotierung von n=(8.0±1.0)×1018cm‐3 statt
n=(1.3±0.3)×1018cm‐3 verwendet (Bond #116), wird die Barrierenhöhe reduziert und die
Leitfähigkeit wird signifikant erhöht. Dennoch wird kein linearer Kennlinienverlauf erzielt.
Eine weitere Möglichkeit, die Defektdichte an der Grenzfläche zu reduzieren, ist es, den
Wafer‐Bonding‐Prozess statt bei Raumtemperatur bei einer höheren Temperatur
durchzuführen. Dieses Verfahren wurde nach dem Wissen der Autorin erstmals im Rahmen
der vorliegenden Dissertation demonstriert. Laut Sadana et al. [154] kann die Bildung einer
amorphen Schicht in GaAs verhindert werden, wenn das Substrat beim Ionenbeschuss auf
eine Temperatur von über 100 °C geheizt wird. Die eingebrachten Punktdefekte besitzen bei
diesen Temperaturen eine hohe Mobilität. Dadurch können Defekte dynamisch ausheilen
und die Bildung von Defektkaskaden kann vermieden werden [154]. Die Zerstäubungsraten
der Oberflächen werden laut der klassischen Zerstäubungstheorie durch die leicht erhöhte
Temperatur nicht beeinflusst [155].
Abbildung 4‐27b zeigt Strom‐Spannungs‐Kennlinien von Si/GaAs Bonds, deren Wafer bei der
Argon‐FAB Behandlung und dem Verbinden eine Temperatur zwischen 20 °C und 170 °C
besaßen. Die Si/GaAs Proben wurden nach dem Einlegieren der Metallkontakte (1 Min
290 °C) zusätzlich für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt. Verwendet man beim Wafer‐Bonding
eine Substrattemperatur von 75 °C statt 20 °C, so ist noch kein signifikanter Unterschied in
den Strom‐Spannungs‐Kennlinien zu erkennen. Wird die Temperatur jedoch auf 120 °C
erhöht, so nimmt die Leitfähigkeit deutlich zu. Der Spannungsabfall bei ‐10 A/cm² reduziert
sich um einen Faktor 0.6. Dies zeigt, dass bereits eine Substrattemperatur von 120 °C
ausreicht, um das in‐situ Ausheilen der Defekte zu steigern und die resultierende
Grenzflächenladung zu reduzieren. Erhöht man die Temperatur auf 170 °C, nimmt der
Grenzflächenwiderstand nicht weiter ab.




86 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

(a) 10
Si/GaAs Bonds mit unter-
schiedlicher GaAs Dotierung
17 -3
n=(5.3 ± 0.2) × 10 cm , #154

Stromdichte [A/cm²]
5 18 -3
n=(1.3 ± 0.3) × 10 cm , #064
18 -3
n=(8.0 ± 1.0) × 10 cm , #116
Referenz-Kennlinie:
0 Si + GaAs Wafer mit
Metallkontakten

-5

-10
-0.4 -0.2 0.0 0.2
Spannung [V]

(b) 10
Si/GaAs Bonds mit unter-
schiedlicher Bondtemperatur
Stromdichte [A/cm²]

18 °C, #064
5 75 °C, #166
120 °C, #151
170 °C, #192
Referenz-Kennlinie:
0
Si + GaAs Wafer mit
Metallkontakten

-5

-10
-0.4 -0.2 0.0 0.2
Spannung [V]

Abbildung 4‐27: Strom‐Spannungs‐Kennlinien von n‐Si/n‐GaAs Bonds, die: (a) bei 20 °C gebondet
wurden aber eine unterschiedlich hohe GaAs Dotierung besitzen; (b) bei unterschiedlichen
Temperaturen gebondet wurden und eine GaAs Dotierung im Bereich von 1.0‐1.6×1018 cm‐3 besitzen. Die
Waferoberflächen aller Proben wurden 5 Minuten (+45 sec Annäherung) mit den Argon‐FAB
(Vacc = 0.64 kV± 0.01 kV) behandelt. Die Proben #154, #064, #151, #192 bestehen aus 300 µm dicken Si‐
(n =4.0 ×1020 cm‐3) und 450 µm dicken GaAs‐Substraten und wurde in 3×3 mm² große Chips gesägt.
Bond #116 besteht aus einem 300 µm dicken Si‐Wafer und einer kreisförmigen ca. 700 nm dicken GaAs‐
Schicht mit einer Fläche von 1.02 mm². Die Proben besitzen flächige Metallkontakte, die für 1 Minute bei
290 °C einlegiert wurden. Alle Proben wurden für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt und bei
Raumtemperatur charakterisiert. Zum Vergleich wird außerdem eine Referenz‐Kennlinie gezeigt, die
aus den bekannten Si‐ und GaAs‐Substrat‐ und Kontaktwiderständen aber unter Vernachlässigung des
Si/GaAs Grenzflächenwiderstandes berechnet wurde. Bei allen Kennlinien war die Si‐Seite der Proben
mit dem Pluspol verbunden. (Weitere Details zum Wafer‐Bonding der Proben sind in Abschnitt 7.1 zu
finden, Messungen wurden von Elvira Fehrenbacher am Fraunhofer ISE durchgeführt.)




Elektrische Leitfähigkeit 87

Durch die Kombination der zuvor vorgestellten Methoden, also der Verwendung einer höher
dotierten n‐GaAs‐Bondschicht mit nGaAs =(9.4±0.7)×1018 cm‐3 und einer Temperatur von
120 °C während der FAB Behandlung, können Si/GaAs Bondproben (#188) hergestellt
werden, die nach dem Ausheizen bei 400 °C Strom‐Spannungs‐Kennlinien mit linearem
Verlauf bei Raumtemperatur (Bond #188, Abbildung 4‐28) besitzen.

10
Si/GaAs Bond #188
Kennlinie gemessen bei:
+25 °C
Stromdichte [A/cm²]

5 -50 °C
-100 °C
Referenz-Kennlinie:
Si + GaAs Wafer mit
0 Metallkontakten

-5

-10
-0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4
Spannung [V]
Abbildung 4‐28: Strom‐Spannungs‐Kennlinien des n‐Si/n‐GaAs Bonds #188. Die 300 µm dicken Si‐ und
450 µm dicken GaAs‐Wafer wurden bei 120 °C für 5 Minuten (+ 45 Sekunden Annäherung) mit den
Argon‐FAB (Vacc = 0.63 kV± 0.01 kV, IAnode = 100 mA) behandelt und verbunden. Auf dem GaAs‐Substrat
befindet sich eine höher dotierte n‐GaAs‐Bondschicht mit einer Ladungsträgerkonzentration von
ca. nGaAs=(9.4±0.7)×1018 cm‐3. Die 3×3 mm² große Probe besitzt flächige Metallkontakte, die 1 Minute bei
290 °C einlegiert wurden. Die Probe wurde außerdem für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt. Die Kennlinien
wurden bei Temperaturen von +25 °C, ‐50 °C und ‐100 °C gemessen. Zum Vergleich wird außerdem eine
Referenz‐Kennlinie gezeigt, die aus den bekannten Si‐ und GaAs‐Substrat‐ und Metallkontakt‐
widerständen aber unter Vernachlässigung des Si/GaAs Grenzflächenwiderstandes berechnet wurde. Bei
allen Messungen war die Si‐Seite mit dem Pluspol verbunden. (Weitere Details zum Wafer‐Bonding‐
Prozess sind in Abschnitt 7.1 zu finden. Messungen wurden von Elvira Fehrenbacher am Fraunhofer ISE
durchgeführt.)



Berücksichtigt man die Metallkontakt‐ und Substratwiderstände aus den Referenzproben, so
ergibt sich aus der bei 25 °C gemessenen Kennlinie (siehe Abbildung 4‐28) ein Si/GaAs
Grenzflächenwiderstand von ca. 3.6×10‐3 Ωcm². Bei hohen Stromdichten von 6 A/cm², also
etwa 500‐facher Sonnenkonzentration, würde diese optimierte Si/GaAs Bondgrenzfläche in
der Mehrfachsolarzelle nur einen vernachlässigbaren Spannungsverlust von unter 0.03 V
verursachen. Werden die Strom‐Spannungs‐Kennlinien bei niedrigen Temperaturen
gemessen, so besitzen sie wieder einen unsymmetrischen Verlauf. Dies beweist, dass an der
Si/GaAs Grenzfläche noch immer eine Potentialbarriere existiert, die jedoch klein genug ist,
um bei Raumtemperatur von den Elektronen mit Hilfe ihrer thermischen Energie
überwunden zu werden. In der Literatur wurden nach dem Wissen der Autorin nie zuvor



88 Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds

Si/GaAs Wafer‐Bonds demonstriert, die bei Raumtemperatur einen so geringen


Grenzflächenwiderstand besitzen. Hydrophobe Si/GaAs Bonds, die beispielsweise von Zhou
et al. [156] nach nasschemischer Oxidentfernung initiiert wurden und folglich keine FAB
induzierten Defekte besaßen, weisen im Vergleich einen über Faktor 10 höheren Widerstand
auf. Aus diesem Grund ist der hier erzielte Si/GaAs Grenzflächenwiderstand von
ca. 3.6×10‐3 Ωcm² ein Highlight dieser Dissertation.


4.7 Zusammenfassung und Ausblick der Si/GaAs
Bondentwicklung
In dieser Dissertation konnten Si‐ und GaAs‐Substrate erfolgreich bei Raumtemperatur
mittels Argon‐FAB aktiviertem Wafer‐Bonding verbunden werden. Durch Anpassung der
Argon‐FAB Behandlungszeiten, wurde die Bildung von Fehlstellen an der Grenzfläche stark
vermindert und es wurden hohe Bondenergien von 0.7 bis 0.9 J/m2 bei Raumtemperatur
erzielt. Im Gegensatz dazu, war das Wafer‐Bonding nach Helium‐FAB Aktivierung nicht
erfolgreich. Ursache hierfür ist, dass beim Beschuss mit den hochenergetischen
Heliumatomen auf den Si‐ und GaAs‐Oberflächen Nanostrukturen entstehen, welche die
Kontaktfläche der Halbleiter stark reduzieren und eine stabile Verbindung verhindern.
In HRTEM‐Aufnahmen der Argon‐FAB aktivierten Si/GaAs Bondgrenzfläche wurde eine 2 bis
3 nm dicke amorphe Schicht gefunden, welche durch die Akkumulation von FAB induzierten
Kristalldefekten entsteht. Die Dicke dieser Schicht konnte durch Ausheizen bei 200 °C
reduziert werden, da die defektreiche Schicht mittels atomarer Diffusion teilweise
rekristallisiert. Aufgrund der thermisch angeregten Umordnung an der Grenzfläche, erhöhte
sich auch die Bondenergie von Argon‐FAB aktivierten Si/GaAs Bondproben. EDXS‐
Konzentrationprofile beweisen, dass tatsächlich eine oxidfreie Si/GaAs Grenzfläche realisiert
wurde. Dies ist wichtig um eine hohe elektrische Leitfähigkeit über die Grenzfläche
zu ermöglichen.
Außerdem wurden in dieser Dissertation Strom‐Spannungs‐Kennlinien von Argon‐FAB
aktivierten n‐Si/n‐Si, n‐GaAs/n‐GaAs und n‐Si/n‐GaAs Bondproben analysiert. n‐Si/n‐Si
Wafer‐Bonds aus Substraten mit sehr hoher Oberflächendotierung (n=4.0×1020 cm‐3)
besaßen bei Raumtemperatur eine lineare Strom‐Spannungs‐Kennlinie und einen sehr
geringen Grenzflächenwiderstand (<2.5×10‐3 Ωcm²). Im Gegensatz dazu besaßen FAB
aktivierte n‐GaAs/n‐GaAs und n‐Si/n‐GaAs Bonds zunächst diodenartige IV‐Kennlinien. Als
Ursache für die nichtlinearen Kennlinienverläufe wurden elektrisch aktive Kristalldefekte
identifiziert, die durch die Wechselwirkung der hochenergetischen Argonatome mit den
Halbleiterkristallen an der Grenzfläche entstehen. Die Existenz von akzeptorartigen
Defekten, die freie Elektronen einfangen können, wurde mittels Hall‐Messungen an
n‐GaAs‐Schichten nachgewiesen. Diese haben gezeigt, dass die aktive Ladungsträger‐
konzentration und Elektronenmobilität mit der FAB Behandlungszeit abnimmt. Am Si/GaAs
Heteroübergang führen die FAB induzierten Defektzustände zu einer Grenzflächenladung,
die lokale Verbiegungen im Leitungsband und eine Potentialbarriere verursacht. Die

Zusammenfassung und Ausblick der Si/GaAs Bondentwicklung 89

effektive Barrierenhöhe wurde mittels temperaturabhängigen Strom‐Spanungs‐Messungen


an Proben des Si/GaAs Bonds #064 bestimmt und ein Wert von 0.22 eV (nach Ausheizen)
gefunden. Außerdem wurde gezeigt, dass der Ladungsträgertransport bei Raumtemperatur
mittels thermionischer Emission erfolgt.
Die Potentialbarriere an der Bondgrenzfläche kann sowohl durch die Reduktion der
Defektdichte als auch durch die Verwendung einer höheren n‐GaAs Dotierung verringert
werden (Abbildung 4‐27b). Durch die FAB Behandlung mit niedrigerer Argonenergie werden
weniger Defekte in die Halbleiter eingebracht. Eine höhere Substrattemperatur (> 100 °C)
während der FAB Behandlung fördert die in‐situ Annihilation von Defekten. Verbleibende
Defekte können durch nachträgliches Ausheizen bei Temperaturen um die 400 °C reduziert
werden. Durch die Kombination einer Bondtemperatur von 120 °C und einer höheren
n‐GaAs Dotierung konnte in dieser Dissertation erstmals eine hochleitfähige n‐Si/n‐GaAs
Bondgrenzfläche mit linearer Kennlinie und einem Grenzflächenwiderstand von circa
3.6×10‐3 Ωcm² bei Raumtemperatur realisiert werden. Aufgrund der hervorragenden
elektrischen Leitfähigkeit und hohen mechanischen Stabilität ist der entwickelte Wafer‐
Bonding‐Prozess optimal für die Herstellung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen
geeignet.
Aus den Ergebnissen dieses Kapitels resultieren noch einige wissenschaftlich interessante
Fragestellungen. Es wäre wünschenswert, mittels HRTEM zu bestätigen, dass die Dicke der
amorphen Grenzflächenschicht durch die Verwendung einer längeren Argon‐FAB
Behandlungszeit tatsächlich konstant bleibt, und zu prüfen, ob in den bei 120 °C gebondeten
Si/GaAs Proben noch amorphe Gebiete an der Grenzfläche sichtbar sind. Außerdem sollte
getestet werden, ob die Bildung von Nanostrukturen auf den Si‐ und GaAs‐Oberflächen
während der Helium‐FAB Aktivierung durch die Verwendung einer höheren
Substrattemperatur verhindert werden kann. Dadurch könnten sehr wahrscheinlich
Helium‐FAB aktivierte Si/GaAs Wafer‐Bonds realisiert und charakterisiert werden. Um das
hier verwendete Modell für den Ladungsträgertransport über die Si/GaAs Grenzfläche zu
bestätigen, wäre es erstrebenswert, temperaturabhängige Strom‐Spannungs‐Kennlinien an
weiteren Si/GaAs Bondproben zu messen. Auf diese ergänzenden Messungen wurde in der
vorliegenden Arbeit aus zeitlichen Gründen verzichtet. Durch diese Messungen könnte
verifiziert werden, dass sich tatsächlich die Barrierenhöhe durch die in Abschnitt 4.6.5
durchgeführten Variationen verändert.



5 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐
Mehrfachsolarzellen

In diesem Kapitel wird zunächst der Herstellungsprozess von
GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen mittels Wafer‐Bonding erläutert.
Zur Kontrolle des in Kapitel 4 entwickelten Wafer‐Bonding‐
Prozesses wurden GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen mit
n‐Si‐Substraten ohne pn‐Übergang verbunden. Diese GaInP/GaAs‐
Zweifachsolarzellen auf Silicium erzielen einen maximalen
Wirkungsgrad von 26.5 % unter 200 bis 300‐facher
Sonnenkonzentration. Der Vergleich von Widerständen in der
Zellstruktur zeigt, dass deren Effizienz unter konzentriertem
Sonnenlicht nicht durch den Si/GaAs Grenzflächenwiderstand
limitiert wird. Weiter wurden der Einfluss der FAB Aktivierung auf
die Quanteneffizienz von Si‐Einfachsolarzellen untersucht und erste
GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen erfolgreich hergestellt.

5.1 Herstellungsprozess
Ziel dieser Dissertation war die Entwicklung von Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen
mittels Wafer‐Bonding. Der dabei verwendete Herstellungsprozess wurde nach dem Wissen
der Autorin erstmals im Rahmen dieser Arbeit verwendet. Eine Übersicht der beinhalteten
Prozessschritte ist in Abbildung 5‐1 gegeben.
Im ersten Schritt wurden Silicium‐Solarzellen mit polierter Vorderseite aber ohne
Vorderseitenpassivierung und Metallkontakt hergestellt17 (siehe Abschnitt 5.2). Parallel dazu
wurden Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzellen mit zwei AlGaAs/GaAs‐Tunneldioden und
einer abschließenden GaAs‐Bondschicht invertiert, mittels MOVPE (Abschnitt 3.9)
gitterangepasst auf 4“ GaAs‐Substraten (Orientierung (100), 6° fehlorientiert nach
<1‐11> B) abgeschieden. Da während der Epitaxie häufig Partikel auf die Wafer fielen und
sich die Oberflächenrauheit durch leichte Gitterfehlanpassungen vergrößerte, erfüllte die
GaAs‐Bondschicht meist nicht die hohen Anforderungen, die für das direkte Wafer‐Bonding
benötigt werden (siehe Abschnitt 2.3). Deshalb wurden die GaAs‐Oberflächen im zweiten
Prozessschritt von der Firma III/V‐Reclaim mittels chemisch‐mechanischer Politur (CMP)
für das direkte Wafer‐Bonding vorbereitet. Bei dem Polierprozess wurden (300 ± 100) nm
der n‐GaAs‐Bondschicht abgetragen, ein Großteil der Partikel entfernt und die
Oberflächenrauheit auf RMS‐Werte kleiner 0.5 nm reduziert. Im dritten Prozessschritt
wurden die Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifach‐ und Si‐Solarzellen in der Bondkammer SAB‐100


17 Die Si‐Solarzellen wurden im Bereich „Solarzellen ‐ Entwicklung und Charakterisierung SEC“ des

Fraunhofer ISE hergestellt. Der Herstellungsprozess wurde von Dr. Jan Benick koordiniert.

92 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

durch Argon‐FAB aktiviertes Wafer‐Bonding bei Temperaturen zwischen 20 °C und 120 °C


miteinander verbunden. Details zum Wafer‐Bonding‐Prozess der Mehrfachsolarzellen sind
in Tabelle 7‐2 (im Anhang) zu finden. Die erfolgreiche ganzflächige Verbindung von Si und
GaAs wurde mittels Ultraschallmikroskopie überprüft. Danach wurden im vierten
Prozessschritt das 450 µm dicke GaAs‐Substrat und die 200 nm dicke GaInP‐Ätzstoppschicht
nasschemisch von der Dreifachsolarzelle entfernt18. Zur Verbesserung der elektrischen
Leitfähigkeit der Bondgrenzfläche wurde ein Teil der Solarzellen für 1 Minute bei 400 °C in
Fomiergasatmosphäre ausgeheizt (Temperaturrampe 1 K/sec). Schließlich wurden auf die
GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen Metallkontakte und eine Antireflexbeschichtung
aufgedampft und die einzelnen Solarzellen auf dem Wafer durch nasschemisches Ätzen von
10 µm bis 12 µm tiefen Gräben voneinander getrennt18.


Abbildung 5‐1: Prozessablauf für die Herstellung der Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen. Zunächst
werden die Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzelle und Silicium‐Unterzelle getrennt voneinander
hergestellt. Nach chemisch mechanischer Politur (CMP) der GaAs‐Bondschicht werden die Solarzellen
mittels atomstrahlaktiviertem Wafer‐Bonding miteinander verbunden. Danach werden das GaAs‐
Substrat und die GaInP‐Ätzstoppschicht nasschemisch entfernt. Schließlich werden wie bei
konventionellen Solarzellen ein Vorderseitenkontakt und eine Antireflexbeschichtung aufgebracht.


18 Das Ätzen des GaAs‐Substrats und die Prozessierung der Solarzellen wurden von Ranka Koch,

Inessa Semke und Karin Mayer am Fraunhofer ISE durchgeführt.



Verwendete Si‐Unterzellen 93

5.2 Verwendete Si‐Unterzellen


Die im ersten Prozessschritt von Abbildung 5‐1 hergestellte Silicium‐Unterzelle besitzt im
Gegensatz zu der nur 4 µm dünnen Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzelle eine Dicke von
280 µm. Grund für die verschiedenen Zelldicken ist, dass die Halbleiter unterschiedliche
Absorptionseigenschaften besitzen, welche durch ihre Energiebandverläufe im Impulsraum
bestimmt werden [87]. Die Bandstrukturen von Silicium und GaAs sind in Abbildung 5‐2a
gezeigt. Im Gegensatz zu den direkten Halbleitern GaAs und GaInP, liegt im indirekten
Halbleiter Silicium das globale Leitungsbandminimum nicht über dem globalen
Valenzbandmaximum. Da bei der Absorption eines Photons neben der Energieerhaltung
auch die Impulserhaltung erfüllt werden muss, kann ein Photon in der indirekten Bandlücke
(Eg=1.12 eV) von Si nur unter Beteiligung eines Phonons absorbiert werden [87]. In den
direkten Halbleitern GaAs (Abbildung 5‐2) und GaInP liegen die Leitungs‐ und
Valenzbandextrema übereinander, wodurch der Absorptionsprozess eine höhere
Wahrscheinlichkeit als in Silicium besitzt [157]. Abbildung 5‐2b zeigt die
materialspezifischen Absorptionslängen von Licht im Wellenlängenbereich von 300 bis
1300 nm für Si, GaAs und GaInP. Die Absorptionslänge ist die Strecke, nach der die Intensität
der einfallenden Strahlung aufgrund von Absorption auf das 1/e‐fache ihres ursprünglichen
Werts gesunken ist. In den direkten Halbleitern GaInP und GaAs reicht bereits eine geringe
Schichtdicke von einigen µm aus, um Licht mit einer Energie nahe der Bandlücke zu
absorbieren [158]. Im Gegensatz dazu, wird im Silicium eine um Faktor 1000 größere Länge
benötigt. Deshalb besitzen Silicium‐Solarzellen meist eine Dicke von einigen hundert µm
und eine Vorder‐ bzw. Rückseitentexturierung, welche die optische Weglänge des
Lichts verlängert [159].

(a) (b)
4
10 GaInP GaAs Si
Eg=1.88 eV Eg=1.42 eV Eg=1.12 eV
Absorptionslänge [m]

3
10
2
10
1
10
0
10
GaAs
-1
10 GaInP
Si
-2
10
400 600 800 1000 1200
Wellenlänge [nm]

Abbildung 5‐2: (a) Vergleich der Bandstrukturen des indirekten Halbleiters Si und des direkten
Halbleiters GaAs (Grafik entnommen aus [87]). (b) Wellenlängenabhängige Absorptionslängen der
Halbleiter GaInP, GaAs und Si mit Bandlücken von 1.88 eV, 1.42 eV und 1.12 eV (Materialdaten GaInP aus
Ref. [160] , GaAs aus Ref. [8] und Si nach Ref. [161]).




94 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

Die Herstellung der in dieser Arbeit verwendeten Si‐Solarzellen fand in der Abteilung
„Solarzellen ‐ Entwicklung und Charakterisierung“ des Fraunhofer ISE statt19. Als
Ausgangsmaterial dienten Bor‐dotierte, kristalline, einseitig polierte 4“ (100) Silicium‐
Wafer (FZ) mit spezifischen Widerständen im Bereich von 1 bis 5 Ωcm. Es wurden zwei
unterschiedliche Chargen von Si‐Solarzellen mit den Bezeichnungen SBC03‐planar und
SBC02‐pyramids angefertigt, die im Folgenden kurz beschrieben werden.

 SBC03‐planar:
Die Struktur der Solarzelle ist in Abbildung 5‐5 skizziert. Auf der planaren Rückseite der
(280 ± 25) µm dicken Si‐Wafer wurden mittels Bordiffusion Gebiete mit hoher
p+‐Dotierung (nmax= 5×1019 cm‐3) erzeugt. Auf der polierten Vorderseite wurde mittels
Phosphordiffusion (POCL947) ein Emitter hergestellt. Das Ladungsträgerprofil an der
Vorderseite entspricht dabei dem Profil, das auch für die Leitfähigkeitsmessungen an
Si/GaAs Bondproben verwendet wurde (siehe Abbildung 3‐8). Für die
Rückseitenpassivierung wurde zunächst mittels plasmaunterstützer Atomlagen‐
abscheidung (englisch: plasma‐assisted atomic layer deposition, ALD [162, 163]) eine
10 nm dicke Al2O3‐Schicht aufgebracht. Diese wurde durch plasmaunterstützte
chemische Gasphasenabscheidung (englisch: plasma enhanced chemical vapor
deposition, PECVD [164]) mit einer 100 nm dicken SiOx‐Schicht bedeckt. Danach wurde
die Passivierung lokal geöffnet und auf der Rückseite ein Aluminiumkontakt
aufgedampft, der bei 425 °C ausgeheizt wurde.

 SBC02‐pyramids:
Für die Herstellung der Charge SBC02‐pyramids wurde auf den Rückseiten der
(280 ± 25) µm dicken Si‐Wafer teilweise mit Hilfe einer Kaliumhydroxidätzlösung (KOH,
8%ig) eine zufällige Pyramidenstruktur erzeugt. Wie in der Rasterelektronen‐
mikroskopaufnahme in Abbildung 5‐3 gezeigt, besitzen die Pyramiden eine Seitenlänge
kleiner als 14 µm.

Abbildung 5‐3: Rasterlektronenmikroskop‐


aufnahme der Rückseite einer Si‐Solarzelle
der Charge SBC02‐pyramids. Für die
Aufnahme wurde der Wafer um 17.4°
verkippt, (Aufnahme von D. Reinwand,
Fraunhofer ISE)
50 µm


19 Die Herstellung der Si‐Solarzellen wurde von Dr. Jan Benick koordiniert und Felix Schätzle, Antonio

Leimenstoll und Sonja Seitz durchgeführt.



Verwendete Si‐Unterzellen 95

In Analogie zu der weit verbreiteten Vorderseitentexturierung von Silicium‐Solarzellen


[159] soll diese Rückseitenstruktur die Lichtausbeute erhöhen. Ein Teil des Lichts, das
an der texturierten Rückseite der Solarzelle reflektiert wird, erfüllt an der Vorderseite
der Solarzelle die Bedingung der Totalreflexion und wird mehrfach in der Solarzelle
reflektiert. Dadurch wird die optische Weglänge verlängert und die Absorption im
Silicium vergrößert.
Der Effekt der Pyramiden auf die Reflexion und Absorption einer Si‐Unterzelle wurde
mit Hilfe des Raytracing‐Software „Sunrays“ [165] simuliert. In der Simulation wurde
die GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzelle vereinfacht durch eine 5 µm dicke GaAs‐Absorber‐
schicht ersetzt und es wurden quadratische Pyramiden mit 10 µm Seitenlänge und 7 µm
Höhe angenommen (siehe Abbildung 5‐4b). Wie in Abbildung 5‐4a gezeigt, kann die
Absorption von langwelligem Licht durch die Pyramiden an der Rückseite um bis zu
50 % erhöht werden. Durch die vergrößerte Absorption wird die Reflexion der
Solarzelle reduziert.
Für die Prozessierung der texturierten Si‐Wafer wurden die gleichen Phosphor‐ und
Bordiffusionsprozesse und die gleiche Rückseitenmetallisierung wie für die Charge
SBC03‐planar verwendet. Jedoch wurde für die Rückseitenpassivierung thermisch eine
ca. 275 nm dicke SiO2‐Schicht generiert.

(a) 100 (b)


Absorption, Reflexion [%]

80
mit Pyramiden:
Absorption
Reflexion
60
Planar:
Absorption
40 Reflexion

20

0
700 800 900 1000 1100 1200
Wellenlänge [nm]
Abbildung 5‐4: (a) Vergleich der simulierten Absorption und Reflexion von Si Unterzellen mit und
ohne Pyramiden auf der Rückseite. Für die Simulation mit der Software Sunrays [165] wurde die in
(b) skizzierte Einheitszelle verwendet. Bei der Simulation wurden Einfallswinkel von ‐15° bis +15°
zur Normalen verwendet und zufällige verteilte Eintrittsstellen auf der Oberfläche zugelassen.




96 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

5.3 Charakterisierung der Mehrfachsolarzellen


Die Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen wurden im Photovoltaik‐Kalibrierlabor des
Fraunhofer ISE (CalLab) bei einer Temperatur von 25 °C charakterisiert20. Die
Funktionsweisen des verwendeten Gittermonochromator‐Messplatzes zur Bestimmung der
Externen Quanteneffizienz (EQE), des Multi‐Lichtquellen‐Sonnensimulators zur Messung der
Hellkennlinien unter einfacher Sonnenkonzentration und des Blitzlichtsonnensimulators zur
Messung der Hellkennlinien unter konzentriertem Licht werden in den Dissertationen von
Gerald Siefer [166] und Carsten Baur [167] erklärt. Die Reflexion der Mehrfachsolarzellen
wurde im Wellenlängenbereich von 250 nm bis 1200 nm mit einem Varian Cary 501
gemessen.
Für die Auswertung der Zellergebnisse wurde aus der EQE die Photostromdichte ,
berechnet, die jeweils von den einzelnen Teilzellen der Mehrfachsolarzelle unter dem
Referenzspektrum AM1.5d (ASTM G173‐03, normiert auf 1000 W/m², siehe Abbildung 7‐2)
generiert wird. Mit bekannter Bestrahlungsstärke ergibt sich diese als [166]:


,


mit der Vakuumlichtgeschwindigkeit , der Elementarladung und dem Planck‘schen
Wirkungsquantum ∗ .
Die Reflexion, EQE, Interne Quanteneffizienz (IQE) und Hellkennlinie von
Si‐Einfachsolarzellen wurden mit Hilfe des kommerziell verfügbaren Solarzellen‐
analysegeräts LOANA der Firma pv‐tools bestimmt21.




20 Die Mehrfachsolarzellen wurden von Elvira Fehrenbacher, Michael Schachtner, Alexander Wekkeli,

Andreas Bühl und Tobias Gandy im Kalibrierlabor des Fraunhofer ISE charakterisiert.
21 Die Messungen an Si‐Einfachsolarzellen wurden von Elisabeth Schaeffer (Fraunhofer ISE)

durchgeführt.

GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf Si‐Substraten 97

5.4 GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf


Si‐Substraten

5.4.1 Struktur der Zweifachsolarzellen


Für die Entwicklung der Dreifachsolarzellen wurde der Herstellungsprozess zunächst an
Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf Siliciumsubstraten getestet, die keinen pn‐
Übergang im Silicium besaßen. Von besonderem Interesse dabei war, ob die III‐V‐
Halbleiterstruktur durch den Wafer‐Bonding‐Prozess und das Ausheizen der
Bondgrenzfläche beeinträchtigt wird. Diese vereinfachte Schichtstruktur erlaubte es
außerdem zu überprüfen, ob der elektrische Widerstand der Si/GaAs Bondgrenzfläche bei
hohen Stromdichten zu Verlusten in der Solarzelle führt. Abbildung 5‐5 zeigt einen Vergleich
der Schichtstrukturen von Zweifach‐ und Dreifachsolarzellen. Anstatt einer Si‐Unterzelle,
wurde für die Herstellung der Zweifachsolarzellen ein n‐dotierter Si‐Wafer (T480, siehe
Abschnitt 7.2) verwendet, dessen Ladungsträgerkonzentration an den Oberflächen
(n+‐Si Kontaktschicht) mittels Phosphordiffusion auf nSi,surf=4×1020 cm‐3 erhöht wurde. Die
Ga0.51In0.49P/GaAs‐Solarzellenstruktur hatte eine Dicke von ca. 4 µm und enthielt eine ca.
60 nm dicke Si‐dotierte n‐GaAs‐ Bondschicht mit einer Ladungsträgerkonzentration von
nGaAs= (8.0±1.0) × 1018 cm‐3. Die GaAs‐Zelle hatte eine 2500 nm dicke Basis.


Abbildung 5‐5: Schichtstruktur der Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen. Die GaInP/GaAs‐Zweifach‐
solarzellen wurden entweder auf ein 300 µm dickes n‐Si‐Substrat oder eine 280 µm dicke Si‐Solarzelle
gebondet. Die Dicke der p‐GaAs‐Basis wurde variiert.



98 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

5.4.2 Unterschiede zwischen den Zweifachsolarzellen


Die in dieser Arbeit hergestellten Zweifachsolarzellen unterscheiden sich durch den
verwendeten Wafer‐Bonding‐Prozess und einem zusätzlichen Ausheizschritt. Leitfähigkeits‐
untersuchungen von Si/GaAs Bondgrenzflächen in Abschnitt 4.6.5 hatten ergeben, dass der
Grenzflächenwiderstand durch die Verwendung einer höheren Substrattemperatur während
der FAB Aktivierung und einem nachträglichen Tempern für eine Minute bei 400 °C
reduziert werden kann. Ob die damit verbundenen thermischen Spannungen zu einer
Degradation der GaAs‐Mittelzelle und GaInP‐Oberzelle führen, war jedoch nicht bekannt.
Aus diesem Grund wurden die Solarzellenwafer bei unterschiedlichen Temperaturen
zwischen 20 °C und 120 °C gebondet und nur ein Teil der Wafer wurde nach dem Entfernen
des GaAs‐Wachstumssubstrats bei 400 °C ausgeheizt (siehe Tabelle 5‐1). Aus den
Ergebnissen des Abschnitts 4.6.5 lässt sich abschätzen, dass die resultierenden Si/GaAs
Grenzflächenwiderstände auch bei hohen Sonnenkonzentrationen (~400‐fach) mit
Kurzschlussstromdichten von 5 A/cm² nur zu kleinen Spannungsverlusten von unter 0.1 V in
den Zweifachsolarzellen führen.

Tabelle 5‐1: Übersicht über die in diesem Kapitel diskutierten Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzellen
auf Si‐Substraten. Die Wafer besaßen während dem Wafer‐Bonding‐Prozess eine Temperatur zwischen
20 °C und 120 °C. #186‐tan und #191‐tan wurden nach dem Entfernen des GaAs‐Wachstumssubstrats
für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt. Weitere Details zum Wafer‐Bonding‐Prozess sind in Tabelle 7‐2
aufgelistet.

Name #176‐tan #186‐tan #191‐tan

Bond‐
75 °C 20 °C 120 °C
temperatur

SAM/IR‐
Aufnahme

Ausheiz‐
Keine 1 Min. 400 °C 1 Min. 400 °C
prozedur


Tabelle 5‐1 zeigt außerdem IR‐Transmissions‐ bzw. SAM‐Aufnahmen, die innerhalb einer
Woche nach dem Argon‐FAB aktivierten Wafer‐Bonding aufgenommen wurden. In den
Aufnahmen ist klar zu erkennen, dass an den Bondgrenzflächen nur wenige Fehlstellen
vorliegen. Dies bestätigt, dass die Si‐ und GaAs‐Oberflächen durch den in Kapitel 4
entwickelten Wafer‐Bonding‐Prozess erfolgreich miteinander verbunden werden können.


GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf Si‐Substraten 99

Die vorhandenen Fehlstellen wurden sehr wahrscheinlich durch Partikel verursacht, die
während der Epitaxie auf die invertiert gewachsenen GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen fielen
und durch die chemisch‐mechanische Politur (CMP) nicht entfernt werden konnten. Da
große Bereiche der Wafer stabil miteinander verbunden waren, konnten auf ihnen eine
Vielzahl kleiner Konzentratorsolarzellen (Fläche: ca. 0.054 cm²) und große Zellen mit
Flächen von bis zu 4 cm² ohne makroskopische Defekte realisiert werden.

5.4.3 Externe Quanteneffizienzen


In Abbildung 5‐6 wird ein Vergleich der Externen Quanteneffizienzen (EQE) und
Reflexionen der GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf Si‐Substraten aus Tabelle 5‐1 gezeigt.
Die Daten wurden auf den jeweiligen Wafern an der gleichen Zelle mit der Bezeichnung E1
und einer Fläche von 2.28 cm² ermittelt. Die EQEs der Zweifachsolarzellen erreichen in
einem weiten Wellenlängenbereich von 450 nm bis 865 nm Werte von über 80 %. Die
Reflexions‐ und EQE‐Kurven der Zweifachsolarzelle #191‐tan‐E1, die bei 120 °C gebondet
und bei 400 °C ausgeheizt wurde, liegen im Rahmen der Messgenauigkeit auf den Kurven der
Zelle #176‐tan‐E1, welche bei einer niedrigeren Temperatur von nur 75 °C gebondet und
nicht zusätzlich ausgeheizt wurde. Folglich werden die optischen Eigenschaften der
Solarzellen und die Ladungstrennung durch die höhere Bondtemperatur und das Ausheizen
nicht beeinträchtigt.

#176-tan-E1: #186-tan-E1: #191-tan-E1:


EQE EQE EQE
Externe Quanteneffizienz, Reflexion [%]

Reflexion Reflexion Reflexion


100

80

60

Ga0.51In0.49P GaAs
40
Oberzelle Mittelzelle

20

0
300 400 500 600 700 800 900
Wellenlänge [nm]
Abbildung 5‐6: Externe Quanteneffizienz (EQE) und Reflexion der Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzellen
#176‐tan‐E1, #186‐tan‐E1, #191‐tan‐E1, die alle eine 2500 nm dicke GaAs‐Basis besitzen. Die Zellen
wurden auf Si‐Substrate gebondet und haben jeweils eine Fläche von 2.28 cm². (Messungen wurden von
Michael Schachtner am Fraunhofer ISE durchgeführt.)





100 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

Zur Identifikation von Verlusten in der Solarzellenstruktur werden in Abbildung 5‐7 die
gemessene EQE und Reflexion der Zelle #191‐tan‐E1 mit der simulierten22 Absorption und
Reflexion der GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzelle auf Si verglichen. Die Absorption gibt an,
wieviele Photonen pro Wellenlänge im Halbleiter absorbiert werden. Die EQE hingegen gibt
an, wieviele der einfallenden Photonen Elektron‐Loch‐Paare generieren, die tatsächlich zum
Photostrom der Teilzelle beitragen [168].
Wie in Abbildung 5‐7 gezeigt, stimmt die simulierte Absorption der GaAs‐Zelle gut mit der
gemessenen EQE der Teilzelle überein und kleinere Abweichungen lassen sich durch feine
Unterschiede zwischen der gemessenen und simulierten Reflexion erklären. Die gute
Übereinstimmung von EQE und Absorption zeigt, dass die Mehrheit der absorbierten
Photonen zum Photostrom beiträgt. Die gemessene EQE der GaInP‐Oberzelle liegt im
Wellenlängenbereich von 500 bis 640 nm nur geringfügig um bis zu 4 % unter der
simulierten Absorption, was durch eine leicht reduzierte Diffusionslänge in der Basis erklärt
werden kann. Für kleine Wellenlängen bis 500 nm hingegen, liegt die simulierte Absorption
der GaInP‐Oberzelle um bis zu 5 % unterhalb der gemessenen EQE Kurve. Grund hierfür ist,
dass die Absorption der Al0.52In0.48P‐Fensterschicht in der Simulation getrennt betrachtet
wird und nicht in die simulierte Absorption der GaInP‐Oberzelle eingeht. Die 30 nm dicke,
teilweise absorbierende Al0.52In0.48P‐Schicht dient als Vorderseitenpassivierung der
Solarzelle und wurde gitterangepasst zu GaAs abgeschieden. Aufgrund der höheren
indirekten Bandlücke von Eg(Al0.52In0.48P)=2.29 eV [169] entsteht am Heteroübergang zum
GaInP‐Emitter ein Vorderseitenfeld und eine Barriere für die Minoritätsladungsträger [170,
171]. Der Vergleich der simulierten Absorptionskurven des AlInP‐Fensters und der
GaInP‐Zelle mit der gemessenen EQE zeigt, dass ein kleiner Teil der Elektron‐Loch‐Paare,
welche in der Fensterschicht generiert werden, zum Photostrom der GaInP‐Zelle beiträgt.
Ein Großteil der generierten Ladungsträger rekombiniert jedoch. Um die Absorption der
GaInP‐Oberzelle im Kurzwelligen zu erhöhen, müsste wie in Ref. [171] demonstriert, die
Bandlücke der AlInP‐Fensterschicht durch einen größeren Aluminium Anteil erhöht werden.
In Abbildung 5‐7 wird außerdem gezeigt, dass in der Antireflexschicht (ARC) und in der
Tunneldiode Licht absorbiert wird, wodurch Verluste in der Zweifachsolarzelle verursacht
werden. Das in der ARC enthaltene Ta2O5 absorbiert im kurzwelligen Bereich des
Sonnenspektrums bis zu 12 % des einfallenden Lichts. Die AlGaAs/GaAs‐Tunneldiode
zwischen der GaInP‐Oberzelle und GaAs‐Mittelzelle enthält Schichten aus Al0.35Ga0.16In0.49P
und Al0.30Ga0.70As, welche hohe Bandlückenenergien von 2.0 eV bzw. 1.8 eV [172] besitzen
und deshalb in der Solarzellenstruktur transparent sind. Jedoch enthält sie auch eine 25 nm
dicke n‐GaAs‐Schicht (siehe Abbildung 5‐5), die einen Teil des einfallenden Lichts absorbiert,
der einer Photostromdichte22 von 0.74 mA/cm² entspricht. Die generierten Ladungsträger
können nicht zum Photostrom der Mehrfachsolarzelle beitragen, da sie in der Tunneldiode
sofort wieder rekombinieren.
Zusammenfassend zeigt Abbildung 5‐7, dass Verluste in der Quanteneffizienz vorwiegend
durch die Absorption in der Antireflexschicht, der AlInP‐Fensterschicht und der Tunneldiode


22 Berechnet mit Hilfe der Simulationssoftware „TMTool“. Diese Software wurde von Dr. Peter
Fuß‐Kailuweit am Fraunhofer ISE entwickelt und beruht auf der Transfermatrixmethode.

GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf Si‐Substraten 101

entstehen. Um die Quanteneffizienz der Zweifachsolarzellen zu erhöhen, muss die


Transparenz dieser Schichten erhöht werden.

100
Absorption, Externe Quanteneffizienz [%]

#191-tan-E1, Messungen:
80 Reflexion
EQE der Ga0.51In0.49P-Zelle
EQE der GaAs-Zelle
60
Simulation:
Reflexion
Absorption in
40 Antireflexschicht
Al0.52In0.48P-Fenster
Ga0.51In0.49P-Zelle
20 AlGaAs/GaAs-Tunneldiode
GaAs-Zelle

0
400 500 600 700 800 900
Wellenlänge [nm]
Abbildung 5‐7: Vergleich der gemessenen Externen Quanteneffizienz (EQE) und Reflexion der Solarzelle
#191‐tan‐E1 mit der simulierten22 Absorption und Reflexion der Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzelle
auf Si. In der Simulation wird die Absorption der GaInP‐Oberzelle und des AlInP‐Fensters getrennt
betrachtet.

5.4.4 Stromanpassung und Kennlinien unter einfacher


Sonnenkonzentration
In diesem Abschnitt wird die Stromanpassung der Ga0.51In0.49P‐Oberzelle und GaAs‐
Mittelzelle diskutiert und es werden Strom‐Spannungs‐Kennlinien der GaInP/GaAs‐
Zweifachsolarzellen auf Si vorgestellt, die unter einfacher Sonnenkonzentration gemessen
wurden.
Tabelle 5‐2 zeigt die aus den EQEs (Abbildung 5‐6) und dem Referenzspektrum AM1.5d
(ASTM G173‐03, normiert auf 1000 W/m² [10], siehe Abschnitt 7.4) berechneten
Photostromdichten der Teilzellen. Die Photostromdichte der GaAs‐Mittelzellen beträgt
14.6 mA/cm² bzw. 14.7 mA/cm² und ist um bis zu 20 % höher als die der Ga0.51In0.49P‐
Oberzellen. Da die zwei Teilzellen in Serie geschaltet sind, kann der Überschussstrom der
GaAs‐Zelle jedoch nicht genutzt werden. Die Photostromdichte der Zweifachsolarzelle wird
deshalb von der GaInP‐Oberzelle limitiert. In zukünftigen Experimenten kann dies durch die
Verwendung einer dickeren GaInP‐Oberzelle vermieden werden.



102 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

Tabelle 5‐2.: Aus den EQE‐Kurven in Abbildung 5‐6 berechnete


Photostromdichten der GaAs‐ und Ga0.51In0.49P‐Teilzellen unter
einfacher Sonnenkonzentration (Spektrum AM1.5d nach ASTM
G173‐03 [10], 1000 W/m²).

JPhoto [mA/cm²] JPhoto [mA/cm²]


Solarzelle
GaInP‐Zelle GaAs‐Zelle

#176‐tan‐E1 12.4 14.7

#186‐tan‐E1 12.1 14.6

#191‐tan‐E1 12.4 14.7





Hellkennlinien unterschiedlicher Zellen auf den Zweifachsolarzellenwafern wurden unter
dem terrestrischen Sonnenspektrum AM1.5d (nach ASTM G173‐03 [10], normiert auf
1000 W/m²) gemessen. Die Zweifachsolarzellen auf den Wafern sind vollständig durch
ca. 200 µm breite Gräben von benachbarten Zellen getrennt. Exemplarisch werden in
Tabelle 5‐3 die charakteristischen Hellkennlinienparameter der Zellen A2 mit einer Fläche
von jeweils 4 cm² aufgelistet. Die Zellen erreichen eine Offene Klemmspannung VOC von bis
zu 2.40 V und erzielen Wirkungsgrade ɳ von 24.0 % bis 25.0 %. Durch eine bessere
Stromanpassung der Teilzellen könnte mit dieser Solarzellenstruktur, trotz der in Abschnitt
5.4.3 diskutierten Absorptionsverluste, eine Kurzschlussstromdichte von 13.8 mA/cm²
erzielt werden. Unter der Annahme, dass der Füllfaktor und die generierte Spannung gleich
bleiben, könnte so ein höherer Wirkungsgrad von bis zu 28.5 % (Spektrum AM1.5d) erzielt
werden.
Zur besseren Vergleichbarkeit mit Literaturergebnissen wurde die Zelle #191‐tan‐A2
außerdem unter dem globalen Sonnenspektrum AM1.5g (nach ASTM G173‐03 [10])
charakterisiert23. Die Hellkennlinie wird in Abbildung 5‐8 gezeigt. Da das Spektrum AM1.5g
im Vergleich zum direkten Sonnenspektrum AM1.5d im kurzwelligen Bereich mehr
Photonen enthält, kann die stromlimitierende GaInP‐Oberzelle einen größeren Photostrom
von JSC=12.7 mA/cm² generieren und die Zweifachsolarzelle #191‐tan‐A2 erreicht einen
Wirkungsgrad von 26.0 %. In der Literatur wurde mit GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf
Siliciumsubstraten noch nie zuvor ein ähnlich hoher Wirkungsgrad erzielt.
Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzellen, die mittels MOVPE auf Si‐Substraten abgeschieden
wurden, besaßen nur Wirkungsgrade von 16.8 % [17] bzw. 16.4 % [21] (Spektrum AM1.5g).
Die niedrigeren Wirkungsgrade der direkt gewachsenen Solarzellen sind auf Kristalldefekte,

23 Das terrestrische Sonnenspektrum AM1.5g enthält neben dem direkten Sonnlicht auch einen
Streulichtanteil, der bei der Anwendung der Solarzelle unter konzentriertem Sonnenlicht nicht zur
Verfügung steht. Das Spektrum AM1.5g wird deshalb üblicherweise zur Charakterisierung von
Solarzellen, die in Flachmodulen eingesetzt werden sollen, verwendet. Ein Vergleich der Spektren
AM1.5g und AM1.5d ist in Abbildung 7‐2 im Anhang gezeigt.

GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf Si‐Substraten 103

die bei der Epitaxie entstehen, zurückzuführen. Diese agieren zum Teil als
Rekombinationszentren und reduzieren deshalb die Quanteneffizienzen der III‐V‐
Solarzellen. Die in dieser Arbeit verwendeten Zweifachsolarzellen wurden auf GaAs‐
Substraten abgeschieden und danach auf ein Si‐Substrat übertragen. Durch das
gitterangepasste Wachstum enthalten sie nur sehr geringe Defektdichten, welche hohe
Wirkungsgrade ermöglichen.

Tabelle 5‐3: Zusammenfassung der charakteristischen Hellkennlinienparameter von Ga0.51In0.49P/GaAs‐
Zweifachsolarzellen auf Si‐Substraten unter einfacher und etwa 200‐facher Sonnenkonzentration. Die
mit (*) markierten Werte wurden unter dem terrestrischen Sonnenspektrum AM1.5g ermittelt, alle
anderen unter dem Spektrum AM1.5d (ASTM G173‐03 [10], normiert auf 1000 W/m²). Die mit (†)
markierte Zellfläche entspricht der „designated illumination area“ Adesignated. (Messungen wurden von
Elvira Fehrenbacher am Fraunhofer ISE durchgeführt.)

Wafer Zelle Fläche Konzen‐ JSC VOC FF ɳ


(Bondtemperatur; [cm²] tration [mA/cm²] [V] [%] [%]
Ausheizprozedur)

#176‐tan A2 4.00 1 12.2 2.399 85.1 24.9


(75 °C; 1 11.2 2.338 87.1 22.7
nicht ausgeheizt) x09y08 0.054†
195 2174.3 2.715 86.2 26.1

#186‐tan A2 4.00 1 11.8 2.382 85.0 24.0


(20 °C; 1 Min. bei 1 11.1 2.326 85.8 22.0
400 °C ausgeheizt) x18y07 0.054†
204 2264.9 2.714 86.0 26.0

12.1 2.385 86.4 25.0


#191‐tan A2 4.00 1
12.7* 2.385* 85.9* 26.0*
(120 °C; 1 Min. bei
400 °C ausgeheizt) 1 11.3 2.338 87.4 23.0
x09y07 0.054†
197 2217.5 2.716 86.6 26.5


15

Abbildung 5‐8: Strom‐Spannungs‐Kennlinie


Stromdichte [mA/cm²]

der Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzelle
10 #191‐tan‐A2 auf einem Si‐Substrat unter
Zellname: #191-tan-A2
Spektrum AM1.5g (1000 W/m²) einfacher Sonnenkonzentration (Spektrum
Zellfläche = 400.26 mm² AM1.5g, ASTM G173‐03 [10] normiert auf
2
Jsc = 12.7 mA/cm 1000W/m²). Die Zelle erreicht einen
5
Voc = 2.385 V Wirkungsgrad von 26.0 %. (Messung
FF = 85.9 % wurden von Elvira Fehrenbacher am
 = 26.0 % Fraunhofer ISE durchgeführt.)
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
Spannung [V]




104 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

5.4.5 Strom‐Spannungs‐Kennlinien unter konzentriertem


Sonnenlicht
In der folgenden Diskussion werden Strom‐Spannungs‐Kennlinien von Konzentrator‐
solarzellen der Wafer #176‐tan, #186‐tan, #191‐tan betrachtet. Für die Auswertung der
Kennlinien von Konzentratorsolarzellen wird als Zellfläche üblicherweise die sogenannte
„designated illumination area“ Adesignated [173] verwendet, die der Gesamtfläche der Solarzelle
abzüglich der Metallfläche der Busbars (hier: ABusbar =0.011 cm²) entspricht [166]. Die Fläche
der Vorderseitenkontaktfinger wird nicht abgezogen und ist in Adesignated enthalten [166]. Die
in dieser Arbeit hergestellten Konzentratorsolarzellen haben eine Adesignated von ca. 0.054 cm².
Die Kontaktfingerstruktur dieser Solarzellen ist für hohe Sonnenkonzentrationen optimiert
und soll hohe Stromdichten möglichst verlustfrei transportieren. Deshalb wird im Vergleich
zur 4 cm² großen A2‐Zelle ein größerer Anteil der aktiven Solarzellenfläche mit Metall
bedeckt. Die Kennlinien der Zellen unter einfacher Sonnenkonzentration (Spektrum AM1.5d)
sind in Abbildung 5‐9a gezeigt. Durch die höheren Abschattungsverluste generieren die
kleinen Konzentratorsolarzellen um bis zu 9 % kleinere Kurzschlussstromdichten JSC als die
größeren A2‐ und E1‐Zellen (siehe auch Tabelle 5‐3).

(a) (b)
12
88
Füllfaktor [%]

10 86
84
Stromdichte [mA/cm²]

8 82
#176-tan-x09y08
80 #186-tan-x18y07
6 #191-tan-x09y07
Wirkungsgrad [%]

27
4
26
#176-tan-x09y08
2 #186-tan-x18y07 25
#191-tan-x09y07

0 24
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 100 1000
Spannung [V] Sonnenkonzentration [x, AM1.5d,1kW/m²]

Abbildung 5‐9: (a) Strom‐Spannungs‐Kennlinien von Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf


Si‐Substraten aus Tabelle 5‐1 unter einfacher Sonnenkonzentration (Spektrum AM1.5d, ASTM
G173‐03 [10], 1000 W/m²). Die Konzentratorsolarzellen haben eine Fläche von Adesignated=0.054 cm².
Eine Zusammenfassung der Hellkennlinienparameter ist in Tabelle 5‐3 gegeben. (b) Wirkungsgrad und
Füllfaktor der Zweifachsolarzellen in Abhängigkeit von der Sonnenkonzentration. (Messungen wurden
von Elvira Fehrenbacher und Andreas Bühl am Fraunhofer ISE durchgeführt.)


Für die Messung der Hellkennlinien unter konzentriertem Sonnenlicht wurde eine Xenon‐
Blitzlichtlampe verwendet. Unter dem Spektrum dieser Lampe (siehe Abbildung 7‐3) wird
der Photostrom der Zweifachsolarzelle von der GaInP‐Oberzelle limitiert und es ergibt sich
eine vergleichbare Stromanpassung der Teilzellen wie bei der Messung unter dem
Normspektrum AM1.5d. Der Konzentrationsfaktor des Lichts C während der Messung ergibt
sich als Quotient C= JSC(C>1, Xenon)/JSC(C=1, AM1.5d) aus der Kurzschlussstromdichte

GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf Si‐Substraten 105

JSC(C>1, Xenon) und der bei einfacher Sonnenkonzentration unter dem Spektrum AM1.5d
gemessenen Kurzschlussstromdichte JSC(C=1, AM1.5d). In Abbildung 5‐9b werden die
gemessenen Wirkungsgrade und Füllfaktoren in Abhängigkeit des Konzentrationsfaktors
gezeigt.
Im Allgemeinen gilt für Solarzellen mit vernachlässigbarem Serienwiderstand, dass ihr
Füllfaktor unter konzentriertem Sonnenlicht um 1 bis 2 % zunimmt [174]. Außerdem erhöht
sich ihr Wirkungsgrad, da die Offene Klemmspannung VOC logarithmisch von der
Kurzschlussstromdichte JSC abhängt [157]. Auch die Wirkungsgrade der in dieser Arbeit
realisierten Zweifachsolarzellen steigen mit dem Konzentrationsfaktor zunächst an. Jedoch
erreichen sie bereits für Sonnenkonzentrationen von 200 bis 300, also
Kurzschlussstromdichten von 2.2 bis 3.5 A/cm², maximale Werte von 26.5 % (#191‐x9y07),
26.1 % (#176‐tan‐x09y08) bzw. 26.0 % (#186‐tan‐x18y7). Da die Widerstandsverluste für
hohe Stromdichten weiter zunehmen, sinkt der Wirkungsgrad für höhere
Sonnenkonzentrationen wieder ab. Die Hellkennlinien, die bei Konzentrationsfaktoren von
197 und 298 an der Solarzelle #191‐tan‐x09y07 gemessen wurden und einen Wirkungsgrad
von 26.5 % lieferten, sind in Abbildung 5‐10 gezeigt.

3.5 298-fache Sonnenkonzentration


V = RS (JSC A)
J= 0.415 A/cm²
3.0
Stromdichte [A/cm²]

2.5 Jsc
197-fache Sonnenkonzentration

2.0 J= 0.415 A/cm²

1.5
#191-tan-x09y07
1.0 Voc [V]
C= 197
2.716
C = 298
2.739
Jsc [A/cm²] 2.218 3.352
0.5 FF [%] 86.6 85.9
eta [%] 26.5 26.5

0.0
0 1 2 3
Spannung [V]

Abbildung 5‐10: Strom‐Spannungs‐Kennlinien der Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzelle #191‐tan‐


x09y07 auf einem Si‐Substrat. Die Hellkennlinien wurden unter 197‐ und 298‐facher
Sonnenkonzentration gemessen. Die Konzentratorsolarzelle mit einer Fläche von Adesignated = 0.054 cm²
erreicht einen maximalen Wirkungsgrad von 26.5 %. Die Stromdichte unter einfacher
Sonnenkonzentration wurde unter dem Normspektrum AM1.5d (ASTM G173‐03 [10], normiert auf
1000 W/m²) bestimmt. Die gestrichelten Hilfslinien erläutern das Verfahren zur Bestimmung des
Serienwiderstandes RS. (Messungen wurden von Andreas Bühl am Fraunhofer ISE durchgeführt.)




106 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

Der Serienwiderstand der Zweifachsolarzelle #191‐tan‐x09y07 wurde mit Hilfe von zwei
Kennlinien bestimmt, die bei unterschiedlichen Konzentrationsfaktoren C gemessen wurden.
Das angewendete Auswerteverfahren ist in Abbildung 5‐10 skizziert und wird im Folgenden
nach Ref. [175] kurz erläutert.
Auf den zwei Kennlinien, die bei unterschiedlichen Konzentrationen von C=197 und C = 298
gemessen wurden, wird jeweils ein Punkt mit Koordinaten (VX(C), JX(C)) betrachtet, der sich
leicht rechts vom Punkt der maximalen Leitung der Solarzellen befindet. Die Stromdichte
an dem betrachteten Punkt der Kennlinie soll um einen festen Wert Δ kleiner sein als
die Kurzschlussstromdichte , also den Wert Δ besitzen. Die
Stromdichtendifferenz zwischen den zwei Punkten JX(C=298) – JX(C=197) gleicht dadurch
wieder dem Unterschied im Photostrom, also der Kurzschlussstromdichte Δ der beiden
Kennlinien. Die Spannungsdifferenz ∆ =VX(C=197) –VX(C=298) zwischen diesen Punkten
wird nur durch den Serienwiderstand verursacht. Der Serienwiderstand der Solarzelle mit
Fläche A berechnet sich deshalb als: ∆ ⁄ Δ [175]. Dieses Verfahren wurde an den
Kennlinien aus Abbildung 5‐10 für Δ 0.415 A/cm², 0.500 A/cm² und 0.339 A/cm²
angewendet und der Mittelwert der berechneten Widerstände gebildet. Daraus folgt für die
Solarzelle #191‐tan‐x09y07 ein Serienwiderstand von RS=(0.484 ± 0.034) Ω.
Der Serienwiderstand der Zweifachsolarzelle setzt sich im Wesentlichen aus dem
Vorderseitenkontaktwiderstand, dem Emitterwiderstand, dem Si/GaAs Grenzflächen‐
widerstand sowie dem Widerstand des Si‐Substrats und seines Rückseitenkontakts
zusammen. Die Schichtwiderstände der restlichen III‐V‐Halbleiterschichten sind
vernachlässigbar klein. Als Emitterwiderstand wird derjenige Widerstand bezeichnet,
welcher sich aus der Querleitung der Elektronen im Emitter der GaInP‐Oberzelle zu den
Kontaktfingern ergibt (siehe auch Ref. [176]).
In Tabelle 5‐4 sind die Werte der verschiedenen Widerstände aufgelistet, die mit Hilfe eines
von Dr. Christian Karcher am Fraunhofer ISE entwickelten Widerstandsrechners aus den
bekannten Grenzflächenwiderständen und Materialparametern berechnet wurden. Der
Widerstand der Bondgrenzfläche wurde mit Hilfe der in Abbildung 4‐28 gezeigten Strom‐
Spannungs‐Kennlinie der Si/GaAs Bondprobe #188‐Si/GaAs abgeschätzt. Deren Si‐Wafer
und GaAs‐Bondschicht besaßen nahe ihrer Oberflächen vergleichbare Dotierungen wie die
Zweifachsolarzelle #191‐tan‐x09y07 und ihr Wafer‐Bonding wurde analog zur
Zweifachsolarzelle durchgeführt. Der resultierende Widerstand der Si/GaAs
Bondgrenzfläche in der Solarzelle beträgt 0.067 Ω und hat einen Anteil von 17.5 % am
berechneten theoretischen Gesamtwiderstand der Zweifachsolarzelle. Im Vergleich dazu hat
der Emitterwiderstand, welcher aus der Querleitfähigkeit der 123 nm dicken n‐GaInP‐
Schicht (n=1.3×1018 cm‐3, Ladungsträgermobilität: 700 cm²/V/s,) berechnet wurde, mit
0.231 Ω einen Anteil von 60.6 % am berechneten Gesamtwiderstand.
Zwischen dem berechneten und experimentell bestimmten Gesamtwiderstand der Solarzelle
#191‐tan‐x09y07 ergibt sich eine Differenz von ΔR=(0.103 ± 0.034) Ω. Einen signifikanten
Einfluss auf den berechneten Gesamtwiderstand haben vor allem die Dotierung, Dicke und
Ladungsträgermobilität des Emitters der GaInP‐Oberzelle. Wird die
Ladungsträgerkonzentration der GaInP‐Schicht geringfügig von n=1.3×1018 cm‐3 auf
n=1.0×1018 cm‐3 reduziert, so ergibt sich theoretisch ein um 0.075 mΩ höherer
Emitterwiderstand. Dieser Unterschied in der aktiven Ladungsträgerkonzentration liegt im

GaInP/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf Si‐Substraten 107

Bereich der Reproduzierbarkeit von MOVPE Prozessen. Deshalb ist die Berechnung des
Emitterwiderstandes mit einem großen Fehler behaftet. Dieser ist sehr wahrscheinlich für
die Differenz zwischen dem berechneten und experimentell bestimmten Gesamtwiderstand
verantwortlich.

Tabelle 5‐4: Vergleich der berechneten Widerstände der


Zweifachsolarzelle #191‐tan‐x9y07 (Zellfläche: Adesignated=0.054 cm²)
mit dem experimentell bestimmten Serienwiderstand.

Berechnete Widerstände in der Zweifachsolarzelle:


Vorderseitenkontakt24:
0.050 Ω
(10 µm breite und 5 µm hohe Metallfinger)

GaInP‐Emitterwiderstand24: 0.231 Ω
(123 nm, n=1.3×1018 cm‐3, µ=700 cm²/V/s)
Si/GaAs Wafer‐Bond:
0.067 Ω
(36 mΩcm²)
Si‐Substrat und Rückseitenkontakt:
0.035 Ω
(Si‐Wafer mit 0.01‐0.02 Ωcm)

Summe der berechneten


0.381 Ω
Widerstände:
Experimentell bestimmter 0.484 Ω ± 0.034 Ω
Serienwiderstand:
Differenz ΔR: 0.103 Ω ± 0.034 Ω



Das Wafer‐Bonding der Zweifachsolarzellen #176‐tan‐x09y08 und #186‐tan‐x18y07 mit den
Si‐Substraten fand im Vergleich zur Zelle #191‐tan‐x9y07 bei niedrigeren Temperaturen von
75 °C bzw. 20 °C statt und nur die Zelle #186‐tan‐x18y07 wurde für 1 Minute bei 400 °C
ausgeheizt. Wie in Abschnitt 4.6.5 diskutiert, liegen deshalb an ihren Bondgrenzflächen mehr
Defekte vor und sie haben höhere Si/GaAs Grenzflächenwiderstände. Bestimmt man den
Serienwiderstand dieser Zweifachsolarzellen analog zu dem der Zelle #191‐tan‐x9y07, so
ergeben sich Werte von RS=0.499 Ω ± 0.063 Ω (#176‐tan‐x09y08) und RS=0.508 Ω ± 0.014 Ω
(#186‐tan‐x18y07). Folglich haben alle drei Zweifachsolarzellen einen vergleichbaren
Serienwiderstand, was nochmals bestätigt, dass der Gesamtwiderstand nicht vom Si/GaAs
Grenzflächenwiderstand dominiert wird.
Zusammenfassend wurden in dieser Arbeit erste gebondete GaInP/GaAs‐Zwei‐
fachsolarzellen auf Si‐Substraten hergestellt. Ihre Charakterisierung hat gezeigt, dass die
III‐V‐Solarzellenstruktur durch den Wafer‐Bonding‐Prozess und einem nachträglichen
Ausheizen bei 400 °C nicht beschädigt wird. Die gebondeten Zweifachsolarzellen erreichen

24 Für die Berechnung wurde ein Widerstandsrechner verwendet, der von Dr. Christian Karcher am

Fraunhofer ISE entwickelt wurde.




108 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

maximale Wirkungsgrade von bis zu 26.5 % bei Stromdichten im Bereich von 2.2 bis
3.5 A/cm². Die Analyse der verschiedenen Anteile am Serienwiderstand der Zellstruktur
bestätigt, dass die Effizienz der Solarzellen nicht durch den Grenzflächenwiderstand des
Si/GaAs Wafer‐Bonds limitiert wird.

5.5 Auswirkungen der FAB Behandlung auf die Si‐


Unterzelle
Beim atomstrahlaktivierten Wafer‐Bonding der Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen
wird eine n‐GaAs‐Bondschicht direkt mit dem hochdotierten Emitter der Si‐Unterzelle
verbunden. Als Test, ob die Si‐Unterzellen durch die FAB Aktivierung beschädigt werden,
wurden 280 µm dicke Si‐Einfachsolarzellen mit SiO2‐Rückseitenpassivierung und einem
Rückseitenmetallkontakt (Charge SBC02‐pyramids) in der SAB‐100 Bondkammer zwischen
2.5 bis 9.0 Minuten mit den Argon‐FAB (Vacc = 0.64 kV ±0.01 kV, IAnode=100 mA) behandelt.
Durch die FAB Behandlung werden weniger als 20 nm des Emitters der Si‐Zelle zerstäubt.
Dadurch verbleibt die Dotierstoffkonzentration im Emitter, welche erst bei einer Tiefe von
50 nm signifikant abfällt (siehe Abbildung 3‐8), an der Oberfläche auf ihrem maximalen Wert
von 4.0×1020 cm‐3. Nach der FAB Behandlung wurde auf die Solarzellen ein Vorderseiten‐
metallkontakt aufgedampft, welcher nicht ausgeheizt wurde.
Ein Vergleich der IQE, EQE und Reflexion der Si‐Einfachsolarzellen, die nicht bzw. für 7.5
oder 9 Minuten mit den Argon‐FAB behandelt wurden, ist in Abbildung 5‐11 gezeigt. Die
Zellen SBC02‐11 und SBC02‐11‐FAB stammen von dem gleichen Wafer, auf dessen Rückseite
eine Pyramidenstruktur existiert. Für große Wellenlängen (>900 nm) ist kein Unterschied
zwischen den EQE und IQE der Solarzellen erkennbar. Die Zelle SBC02‐01‐Bond#106 hat eine
planare Rückseite und besitzt deshalb im Vergleich zu den Zellen mit texturierter Rückseite
ab 1000 nm eine höhere Reflexion (siehe auch Abschnitt 5.2). Im Wellenlängenbereich von
350 bis 800 nm besitzen die atomstrahlbehandelten Solarzellen im Vergleich zu der
unbehandelten Solarzelle eine bis zu 7 % geringere IQE und EQE. Diese Verluste in der
Quanteneffizienz nehmen mit längeren FAB Behandlungszeiten zu.
Auf den ersten Blick könnte diese Beobachtung auf eine reduzierte Lebensdauer von
Minoritätsladungsträgern durch FAB induzierte Defekte im Emitter zurückgeführt werden.
Dieser Effekt wurde in der Literatur nach Ionenbeschuss in Silicium‐Solarzellen bereits
beobachtet [177]. Eine erhöhte Rekombination würde sich allerdings auch durch eine
Abnahme in der Offenen Klemmspannung VOC der Solarzellen äußern [157, 159]. Ein
Vergleich der Messergebnisse in Tabelle 5‐5 zeigt jedoch, dass die VOC für lange FAB
Behandlungszeiten um bis zu 7 mV zunimmt. Deshalb wird die Rekombination an FAB
induzierten Defekten als Ursache für die EQE bzw. IQE Abnahme ausgeschlossen.


Auswirkungen der FAB Behandlung auf die Si‐Unterzelle 109

SBC02-11, ohne FAB Behandlung: EQE, IQE, Reflexion


SBC02-11-FAB, nach 7.5 Min FAB: EQE, IQE, Reflexion
SBC02-01-Bond#106, nach 9.0 Min FAB: EQE, IQE, Reflexion
100

80
EQE, IQE, Reflexion [%]

60

40

20

0
400 600 800 1000 1200
Wellenlänge [nm]
Abbildung 5‐11: Externe Quanteneffizienz (EQE), Interne Quanteneffizienz (IQE) und
Reflexion der Si‐Einfachsolarzellen SBC02‐11, SBC02‐11‐FAB und SBC02‐01‐Bond#106,
die nicht bzw. 7.5 oder 9 Minuten mit den Argon‐FAB (Vacc= 0.64 kV ± 0.01 kV,
IAnode=100 mA) behandelt wurden. Alle Solarzellen haben eine Fläche von 2.28 cm². Die
Solarzellen SBC02‐11 und SBC02‐11‐FAB besitzen eine Rückseitentexturierung; die
Rückseite von SBC02‐01‐Bond#106 ist planar. (Messungen wurden von Elisabeth
Schaeffer am Fraunhofer ISE durchgeführt.)

Tabelle 5‐5: Offene Klemmspannung VOC von Si‐Einfachsolarzellen der Charge SBC02‐
pyramids, die unterschiedlich lange mir den Argon‐FAB behandelt wurden. Alle Zellen
haben eine Fläche von 2.28 cm² und wurden unter einfacher Sonnenkonzentration
(1000 W/m²) charakterisiert. Die Zellen SBC02‐11, SBC02‐10‐FAB und SBC02‐11‐FAB
besitzen eine Rückseitentexturierung; die Rückseite von SBC02‐01‐Bond#106 ist planar.
(Messungen wurden von Elisabeth Schaeffer am Fraunhofer ISE durchgeführt.)

FAB Behandlungszeit VOC


Solarzelle
[Min] [mV]

SBC02‐11 0 575.0

SBC02‐10‐FAB 2.5 578.1

SBC02‐11‐FAB 7.5 579.4

SBC02‐01‐Bond#106 9.0 582.1








110 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

Eine mögliche Ursache für die VOC‐Zunahme in Folge der FAB Behandlung ist, dass durch die
Wechselwirkung der hochenergetischen Argonatome mit dem Kristallgitter eine wenige nm
dicke Schicht aus amorphem Silicium entsteht. Die Existenz einer amorphen Schicht in Folge
der FAB Behandlung wird in Abschnitt 3.5 anhand von HRTEM‐Aufnahmen der Si/GaAs
Bondgrenzflächen diskutiert. Amorphes, wasserstoffhaltiges Silicium (a‐Si:H), welches
mittels PECVD abgeschieden wurde, wurde in der Literatur bereits erfolgreich zur
Passivierung von Si‐Einfachsolarzellen eingesetzt [178]. Durch die Verringerung der
Oberflächenzustände wird die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit der
Ladungsträger reduziert [179]. Die Zunahme der Offenen Klemmspannung VOC weist darauf
hin, dass auch die FAB induzierte amorphe Schicht als Vorderseitenpassivierung der
Solarzellen in Tabelle 5‐5 agieren kann. Eine andere mögliche Ursache für die VOC‐Zunahme
ist die Reduktion der Ladungsträgerrekombination im Emitter aufgrund des Abtrags der Si‐
Oberfläche. Der Emitter der verwendeten Si‐Einfachsolarzellen besitzt an der Oberfläche
eine sehr hohe Ladungsträgerkonzentration von nSi,surf= 4.0×1020 cm‐3 und eine geringe
Minoritätslebensdauer. Dieser Abtrag der Si‐Oberfläche würde jedoch nicht zur
beobachteten Abnahme der Quanteneffizienz führen.
Die verringerte Quanteneffizienz nach der FAB Behandlung lässt sich am besten durch die
optischen Eigenschaften von amorphem Silicium erklären. Im Vergleich zu kristallinem
Silicium ist die Absorption von amorphem Silicium zu kleinen Wellenlängen hin
verschoben [88]. Der Effekt einer dünnen amorphen Schicht (a‐Si) auf die Absorption und
Reflexion der Si‐Solarzelle wurde in Abbildung 5‐12 mit Hilfe der Software „TMTool“25
berechnet (a‐Si Materialdaten26 aus Referenz [180]). In Übereinstimmung mit den
experimentellen Daten steigt die berechnete Reflexion im kurzwelligen Bereich durch die
amorphe Schicht an. Die nur 1 bzw. 2 nm dicke a‐Si Schicht besitzt im kurzwelligen Teil des
Spektrums eine Absorption von bis 2.6 % bzw. 4.8 % (Maximum bei ca. 412 nm). Dieses Licht
steht der darunter liegenden Si‐Schicht bzw. Solarzelle nicht mehr zur Verfügung.
Entsprechend ist die Interne Quanteneffizienz der Si‐Solarzelle um die im a‐Si absorbierten
Photonen reduziert.
Für die Anwendung in der GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzelle haben diese optischen Verluste
im kurwelligen Absorptionsbereich allerdings keine Auswirkungen. Grund dafür ist, dass
einfallendes Licht mit einer Wellenlänge kleiner als 650 nm in der Dreifachsolarzelle von der
obersten Teilzelle aus GaInP absorbiert wird. Diese Voruntersuchungen zeigen außerdem,
dass der FAB aktivierte Wafer‐Bonding‐Prozess nicht zu einer erhöhten Rekombination an
der Vorderseite der verwendeten Si‐Zellen führt und folglich geeignet ist, um hocheffiziente
GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen herzustellen.


25 Die Software TMTool wurde von Dr. Peter Fuß‐Kailuweit am Fraunhofer ISE entwickelt und beruht

auf der Transfermatrixmethode.


26 In Voruntersuchungen wurden Si‐Oberflächen nach der FAB Behandlung mittels spektraler
Ellipsometrie untersucht. Hierbei konnte die amorphe Schicht auf den Oberflächen sehr gut mit
den Materialdaten aus Ref. [180] nachgebildet werden.

GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen 111

(a) (b)
100
0 nm a-Si
Absorption, Reflexion [%] natives Oxid (1.5nm)
1 nm a-Si
80 2 nm a-Si
a-Si (0,1,2 nm)
Absorption der Silicium-Schicht

60
Silicium (220 µm)

40
Reflexion

20 SiO2-Passivierung (275 nm)

Absorption der a-Si Schicht Al-Rückseitenkontakt


0
400 600 800
Wellenlänge [nm]

Abbildung 5‐12: (a) Berechnete Reflexion und Absorption der Solarzellenstruktur in (b) mit 0, 1 und
2 nm dicker a‐Si‐Schicht. Die Absorption ist aufgeteilt in einen von der a‐Si‐Schicht absorbierten und
einen von der Si‐Zelle absorbierten Anteil. Für die Berechnung wurde die Software „TMTool“25
verwendet.

5.6 GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen

5.6.1 Struktur und Unterschiede zwischen den Solarzellen


Für die Herstellung der Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen wurden GaInP/GaAs‐
Zweifachsolarzellenwafer mit Si‐Zellen der Charge SBC03‐planar (siehe Abschnitt 5.2)
verbunden. Die Schichtstruktur der Dreifachsolarzelle ist in Abbildung 5‐5 gezeigt. Die
GaAs‐Basis hat eine Dicke von 1850 nm oder 1250 nm; die Si‐dotierte GaAs‐Bondschicht ist
circa 60 nm dick und hat eine Ladungsträgerkonzentration von nGaAs=(8.0 ± 1.0) cm‐3.
Die Si‐Solarzellen haben eine Dicke von 280 µm und eine Al2O3/SiOx‐Rückseiten‐
passivierung. Die Si‐ und GaInP/GaAs‐Solarzellen wurden mittels Argon‐FAB aktiviertem
Wafer‐Bonding (Vacc= 0.63 kV ± 0.01 kV, IAnode = 100 mA) bei Temperaturen von
20 °C (#178‐trip) bzw. 120 °C (#180‐trip) in der SAB‐100 Bondkammer vereint (Details in
Tabelle 7‐2). Der Solarzellenwafer #178‐trip wurde außerdem vor der weiteren
Prozessierung für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt.
Tabelle 5‐6 zeigt SAM Aufnahmen der Si/GaAs Bondgrenzfläche der Dreifach‐
solarzellenwafer #178‐trip und #180‐trip. Im Vergleich zu den Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifach‐
solarzellen aus Abschnitt 5.4 existieren an der Grenzfläche deutlich mehr nicht gebondete
Bereiche. Diese werden von einer großen Anzahl Partikel auf den Si‐ und GaAs‐Oberflächen



112 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

verursacht, welche sich vor dem Wafer‐Bonding nicht entfernen ließen. Die Partikel
entstanden nicht nur während der Epitaxie der III‐V‐Halbleiterschichten, sondern auch
während der Herstellung der Si‐Unterzellen. Aufgrund der Vielzahl an Fehlstellen, konnten
auf diesen Wafern nur kleine Dreifachsolarzellen mit einer Fläche von
ca. Adesignated = 0.054 cm² realisiert und elektrisch charakterisiert werden.


Tabelle 5‐6: Übersicht über die in diesem Kapitel diskutierten Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐
Dreifachsolarzellen. Die Wafer besaßen während dem Wafer‐Bonding eine Temperatur
von 20 °C oder 120 °C. #178‐trip wurde nach dem Entfernen des GaAs‐
Wachstumssubstrats für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt. Weitere Details zum Wafer‐
Bonding‐Prozess sind in Tabelle 7‐2 aufgelistet.

Name #178‐trip #180‐trip

Bond‐
20 °C 120 °C
temperatur

SAM‐
Aufnahme


Ausheiz‐
1 Min. 400 °C Keine
prozedur

5.6.2 Externe Quanteneffizienz und Stromanpassung der


Teilzellen
Die Externen Quanteneffizienzen der Dreifachsolarzellen sind in Abbildung 5‐13 gezeigt und
die daraus für das Referenzspektrum AM1.5d berechneten Photostromdichten in Tabelle 5‐7
aufgelistet. Die Dreifachsolarzellen haben über einen breiten Wellenlängenbereich von 450
bis 1030 nm eine EQE von über 70 %. In beiden Dreifachsolarzellen generieren die
Ga0.51In0.49P‐Oberzellen und GaAs‐Mittelzellen größere Photostromdichten als die
Si‐Unterzellen. Die Dreifachsolarzelle #180‐trip‐x22y02 besitzt im Vergleich zur Zelle
#178‐trip‐x06y01 eine 600 nm dünnere GaAs‐Zelle. Deshalb wird in der GaAs‐Mittelzelle der
#180‐trip‐x22y02 weniger langwelliges Licht (>700 nm) absorbiert und eine um 0.8 mA/cm²
kleinere Photostromdichte von 12.0 mA/cm² generiert. Die Si‐Unterzelle der #180‐trip‐
x22y02 besitzt hingegen für Wellenlängen kleiner als 870 nm entsprechend eine höhere EQE
als die Zelle mit dickerer GaAs‐Basis und generiert eine größere Photostromdichte von

GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen 113

10.1 mA/cm². In beiden Dreifachfachsolarzellen generieren die GaAs‐Mittel‐ und


Si‐Unterzellen in der Summe einen Photostrom von 22.1 mA/cm² (siehe Tabelle 5‐7). Dies
zeigt, dass Licht welches in der GaAs‐Mittelzelle von #180‐trip‐x22y02 transmittiert wird,
tatsächlich von der Si‐Unterzelle genutzt wird. Anscheinend findet die Umverteilung des
Photostroms durch die Dickenvariation der Teilzellen nahezu verlustfrei statt.

#178-trip-x06y01: 1850 nm GaAs Basis


#180-trip-x22y02: 1250 nm GaAs Basis
1.0
Externe Quanteneffizienz [%]

0.8

0.6

Ga0.51In0.49P GaAs Si
0.4
Oberzelle Mittelzelle Unterzelle

0.2

0.0
400 600 800 1000 1200
Wellenlänge [nm]
Abbildung 5‐13: Externe Quanteneffizienz der Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen mit einer
Fläche von Adesignated= 0.054 cm². Die Zellen haben GaAs‐Basisdicken von 1850 bzw. 1250 nm.
(Messungen wurden von Elvira Fehrenbacher am Fraunhofer ISE durchgeführt.)

Tabelle 5‐7: Aus den EQEs in Abbildung 5‐13 berechnete Photostromdichten der Ga0.51In0.49P, GaAs und
Si‐Teilzellen unter einfacher Sonnenkonzentration (Spektrum AM1.5d, ASTM G173‐03 [10], normiert
auf 1000 W/m²). Die GaAs‐Mittelzelle der Dreifachsolarzelle #178‐trip‐x06y01 bzw. #180‐trip‐x22y02
hat eine 1850 nm bzw. 1250 nm dicke Basis.

JPhoto der Si‐Zelle


JPhoto [mA/cm²] JPhoto [mA/cm²] JPhoto [mA/cm²]
Solarzelle + JPhoto der GaAs‐Zelle
GaInP‐Zelle GaAs‐Zelle Si‐Zelle
[mA/cm²]
#178‐trip‐
10.6 12.8 9.3 22.1
x06y01
#180‐trip‐
10.7 12.0 10.1 22.1
x22y02





114 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

Jedoch kommt das von der GaAs‐Mittelzelle transmittierte Licht in der Si‐Unterzelle erst an,
nachdem es die AlGaAs/GaAs‐Tunneldiode und die 60 nm dicke GaAs‐Bondschicht passiert
hat (siehe Abbildung 5‐5) und zum Teil absorbiert wurde. Die in der 60 nm dicken
n‐GaAs‐Bondschicht generierten Minoritätsladungsträger rekombinieren schnell wieder, da
an der atomstrahlaktivierten Si/GaAs Bondgrenzfläche viele Defekte existieren. Deshalb
können sie zum Photostrom der Dreifachsolarzelle nicht beitragen. Wie in Abschnitt 5.4.3
erläutert, enthält die Tunneldiode eine 25 nm dicke n‐GaAs‐Schicht. Folglich liegen zwischen
der GaAs‐Mittelzelle und Si‐Unterzelle insgesamt 85 nm GaAs, welches Licht mit einer
Wellenlänge kleiner als 870 nm absorbieren kann.
Mit Hilfe der Software TMTool27 wurde die Absorption in der Tunneldiode und der
Bondschicht modelliert. Dabei wurde berechnet, welchen Photostromdichten die
absorbierten Lichtanteile für das Spektrum AM1.5d (ASTM G173‐03 [10], normiert auf
1000 W/m²) entsprechen würden (siehe Tabelle 5‐8). In der Dreifachsolarzelle #180‐trip‐
x22y02, die im Vergleich zur Zelle #178‐trip‐x06y01 eine 600 nm dünnere GaAs‐Basis besitzt,
geht in den absorbierenden Zwischenschichten laut der Simulation nur eine um
0.06 mA/cm² größere Photostromdichte verloren. Insgesamt entsprechen die Lichtanteile,
die in der GaAs‐Bondschicht und AlGaAs/GaAs‐Tunneldiode absorbiert werden (siehe
Tabelle 5‐8), aber nur 1.0 % (#178‐trip‐x06y01) bzw. 1.6 % (#180‐trip‐x22y02) der
Photostromdichte, die von der Si‐Unterzelle generiert wird. Diese Verluste liegen im Bereich
der Messgenauigkeit der EQE Messung und sind für die Effizienz der GaInP/GaAs/Si‐
Dreifachsolarzellen vernachlässigbar.


Tabelle 5‐8: Mit Hilfe der Software TMTool27 unter dem Normspektrum AM1.5d
(Spektrum AM1.5d, ASTM G173‐03 [10], normiert auf 1000 W/m²) simulierte
Photostromdichten, die den absorbierten Lichtanteilen in der AlGaAs/GaAs‐Tunneldiode
und GaAs‐Bondschicht entsprechen.

#178‐trip‐x06y01 #180‐trip‐x22y02
1850 nm GaAs‐Basis 1250 nm GaAs‐Basis

Photostromdichte in der 0.03 mA/cm² 0.05 mA/cm²


AlGaAs/GaAs‐Tunneldiode

Photostromdichte in der 0.07 mA/cm² 0.11 mA/cm²


GaAs‐Bondschicht

Summe 0.10 mA/cm² 0.16 mA/cm²



27 Die Software „TMTool“ wurde von Dr. Peter Fuß‐Kailuweit am Fraunhofer ISE entwickelt und

beruht auf der Transfermatrixmethode.



GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen 115

5.6.3 Strom‐Spannungs‐Kennlinien unter einfacher


Sonnenkonzentration
Die Hellkennlinien der Dreifachsolarzellen wurden unter dem terrestrischen
Sonnenspektrum AM1.5d (nach ASTM G173‐03, normiert auf 1000 W/m²) gemessen. Die
daraus ermittelten charakteristischen Hellkennlinienparameter sind in Tabelle 5‐9
zusammengefasst.
Die Messungen wurden zunächst analog zur Charakterisierung der Zweifachsolarzellen ohne
Abschattungsmaske durchgeführt. Dabei ergaben sich Offene Klemmspannungen VOC von
2.90 V und Kurzschlussstromdichten JSC von 10.4 mA/cm² (#178‐trip‐x06y01) bzw.
11.2 mA/cm² (#180‐trip‐x22y02). Die Stromdichten sind bis zu 12 % höher als die
Photostromdichten, die in Tabelle 5‐7 aus der EQE der stromlimitierenden Si‐Unterzelle
berechnet wurden. Dieser Unterschied ist dadurch erklärbar, dass im Gegensatz zur EQE‐
Messung, bei der nur ein Teil der Solarzelle beleuchtet (Fläche ca. 0.03 cm²) wird, die
Solarzelle bei der Messung der Hellkennlinie überstrahlt wird. Dies hat zur Folge, dass
benachbarte Zellen mitbeleuchtet werden. Ein Foto von mehreren Konzentratorsolarzellen
auf einem Wafer ist in Abbildung 5‐14 a gezeigt. Die 0.054 cm² großen Solarzellen sind durch
10 bis 12 µm tiefe Gräben mit einer Breite von 200 µm voneinander getrennt. Diese sind tief
genug, um die GaInP‐Ober‐ und GaAs‐Mittelzellen des III‐V‐Halbleiterstapels mit
Gesamtdicke von ca. 4 µm vollständig von ihren Nachbarzellen zu trennen. Die Gräben
reichen jedoch nur 6 bis 8 µm in die 280 µm dicken Si‐Wafer und trennen dort den pn‐
Übergang von den benachbarten Si‐Unterzellen. Minoritätsladungsträger, die während der
Hellkennlinienmessung in der p‐Silicium‐Basis einer Nachbarzelle generiert werden, können
aufgrund ihrer großen Diffusionslänge von 1.6 mm28 an den pn‐Übergang der Testzelle
gelangen und so zum Photostrom der Testzelle beitragen. Deshalb ergibt sich in der Messung
der Hellkennlinie eine zu hohe Kurzschlussstromdichte.
Um dennoch eine Aussage über die Wirkungsgrade der Dreifachsolarzellen treffen zu
können, wurde zunächst für jede Solarzelle die gemessene Hellkennlinie mit der aus der EQE
berechneten Photostromdichte der stromlimitierenden Si‐Unterzelle , korrigiert.
Dafür wurde die gemessene Stromdichte mit dem Faktor ( , ⁄ ) multipliziert. Im
Gegensatz zur Hellkennlinienmessung wird für die EQE‐Messung monochromatisches Licht
verwendet, das die Solarzelle unterstrahlt. Deshalb ist hier der Einfluss benachbarter Zellen
auf den Photostrom nicht vorhanden. Der Einfluss der Nachbarsolarzellen auf den Füllfaktor
FF und die Offene Klemmspannung VOC wurde bei dieser Korrekturmethode vernachlässigt
und es wurden nur die Kurzschlussstromdichte JSC und der Wirkungsgrad ɳ neu bestimmt.
Nach der beschriebenen Korrektur ergeben sich für die gebondeten Dreifachsolarzellen mit
Flächen von Adesignated = 0.054 cm² Wirkungsgrade von 22.4 % bis 24.6 % unter einfacher


28 Berechnet mit der Software PC1D [181] für eine Ladungsträgerkonzentration von p=1.5×1016 cm³

und eine Lebensdauer von 1.15 ms. Die Minoritätslebensdauer und Ladungsträgerkonzentration
der verwendeten p‐Si‐Substrate wurde im Bereich SEC am Fraunhofer ISE gemessen.




116 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

Sonnenkonzentration (siehe Tabelle 5‐9). Der maximale Wirkungsgrad wurde von Zellen des
Solarzellenwafers #180‐trip erreicht, die eine nur 1250 nm dicke GaAs‐Basis besitzen.
Die Hellkennlinien der Solarzellen des Wafers #180‐trip wurden außerdem unter
Verwendung einer Maske, die die Randbereiche der Solarzelle abschattet, gemessen.
Dadurch wird der Einfluss des benachbarten Si‐Materials bei der Messung minimiert. Die
Position der Maske auf einer Konzentratorsolarzelle ist in Abbildung 5‐14 b skizziert. Als
Zellfläche wird bei der Messung ein Wert von Adesignated = 0.049 cm² angenommen, welcher
sich im Falle einer perfekten Positionierung der Maske auf der Solarzelle ergibt.

Tabelle 5‐9: Charakteristische Hellkennlinienparameter der Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen, die


bei einfacher Sonnenkonzentration unter dem Referenzspektrum AM1.5d (ASTM G173‐03 [10], 1000
W/m²) gemessen wurde. Für die Messungen wurde zum Teil eine Maske verwendet, die den Rand der
Solarzelle abschattet. Die Werte von Jsc und ɳ, welche ohne Maske bestimmt wurden, wurden zur
weiteren Auswertung mit Hilfe der aus den EQE berechneten Photostromdichte der Si‐Unterzelle JPhoto,Si
aus Tabelle 5‐7 korrigiert. Bei den hier angegebenen Zellflächen handelt es sich um die „designated
illumination area“ Adesignated. (Messungen wurden von Elvira Fehrenbacher am Fraunhofer ISE
durchgeführt.)

Dreifach‐ Zelle Fläche JSC VOC FF ɳ


solarzellen‐
[cm²] [mA/cm²] [V] [%] [%]
wafer

Messung ohne Maske:


0.054 10.4 2.871 84.4 25.1
#178‐trip X06y01
JSC (Messung ohne Maske) mit JPhoto,Si aus EQE Messung korrigiert:

0.054 9.3 2.871 84.4 22.4


Messung ohne Maske
0.053 11.2 2.900 84.1 27.2

JSC (Messung ohne Maske) mit JPhoto,Si aus EQE Messung korrigiert:
X22y02
0.053 10.1 2.900 84.1 24.6

Messung mit Maske:


0.049 10.1 2.891 87.8 25.6
#180‐trip
Messung ohne Maske:
0.053 11.2 2.890 84.4 27.2

JSC (Messung ohne Maske) mit JPhoto,Si aus EQE Messung korrigiert
X15y01
0.053 10.1 2.890 84.4 24.6

Messung mit Maske:


0.049 10.1 2.877 87.1 25.2




GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen 117

(a) (b)

Abbildung 5‐14:. (a) Foto von mehreren GaInP/GaAs/Si‐Konzentratorsolarzellen auf einem Wafer. Die
Solarzellen haben jeweils eine Fläche von Adesignated = 0.054 cm². (b) Mikroskopaufnahme der
GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzelle #180‐tripx22y02. Das blau gestrichelte Rechteck markiert die Position
der verwendeten Abschattungsmaske. Nur die Fläche innerhalb der Rechtecks Adesignated = 0.049 cm²
wurde während der Messung mit Maske beleuchtet



Ein Vergleich der mit und ohne Maske gemessenen Hellkennlinien der Solarzelle
#180‐trip‐x22y02 ist in Abbildung 5‐15 gezeigt und die Hellkennlinienparameter werden in
Tabelle 5‐9 zusammengefasst. Bei der Messung mit Maske wird eine kleinere
Kurzschlussstromdichte JSC von 10.1 mA/cm² erreicht. Dieser Wert entspricht der
Photostromdichte, die in Tabelle 5‐7 aus der EQE der Si‐Unterzelle berechnet wurde. Dies
bestätigt, dass die Messung ohne Maske eine zu hohe Stromdichte liefert. Der Vergleich der
Kennlinien in Abbildung 5‐15 bzw. Tabelle 5‐9 zeigt außerdem, dass die Messung mit Maske
einen vergleichsweise höheren Füllfaktor von 87.8 % statt 84.1 % (ohne Maske) ergibt. Eine
Ursache dafür ist, dass die Si‐Zelle unter der Maske eine kleinere Photostromdichte generiert
und den Strom der Dreifachsolarzelle noch stärker begrenzt. Die größere Fehlanpassung
führt in der Mehrfachsolarzelle zu einem höheren Füllfaktor (siehe auch Ref. [166]). Eine
weitere Ursache für den höheren Füllfaktor ist, dass der Serienwiderstand der Solarzelle
reduziert wird, da keine Ladungsträger im umliegenden hochohmigen Si‐Material generiert
werden und zum Photostrom beitragen. Aufgrund der höheren Füllfaktoren erreichen die
Dreifachsolarzellen unter der Abschattungsmaske und dem Spektrum AM1.5d
(ASTM G173‐03 [10], 1000 W/m²) größere Wirkungsgrade von bis zu 25.6 %
(#188‐trip‐x22y02). Um noch höhere Wirkungsgrade zu erzielen, muss die Absorption in der
Si‐Unterzelle erhöht werden.
Die besten, in der Literatur aufgeführten III‐V/Si‐Solarzellen, erzielten im Vergleich einen
Wirkungsgrad von 25.5 % (Spektrum AM1.5g, einfache Sonnenkonzentration) und wurden
durch mechanisches Stapeln an der McMaster University (Hamilton, Kanada) realisiert [36].
Die Teilzellen waren wie in dieser Arbeit in Serie geschaltet und die Silicium‐Unterzelle
generierte eine kleinere Photostromdichte als die oberen Teilzellen. Dieses Problem wurde




118 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

von Yang et al. gelöst, indem die Fläche der Silicium‐Unterzelle um 16 % größer gewählt
wurde als die der Ga0.50In0.50P‐ und Ga0.99In0.01As‐Teilzellen. Mit direkt gebondeten
III‐V/Si‐Mehrfachsolarzellen wurde bisher maximal ein unkalibrierter Wirkungsgrad von
25.2 % unter einfacher Sonnenkonzentration erreicht [32]. Dabei handelt es sich um eine
Al0.1Ga0.9As/Si‐Tandemsolarzelle, die von Tanabe et al. an der University of Tokyo hergestellt
wurde. Die Zellgröße und ein möglicher Beitrag von benachbarten Si‐Unterzellen zum
Photostrom wird in Ref. [32] jedoch nicht diskutiert.


Abbildung 5‐15: Hellkennlinien der
12 Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzelle
#180‐x22y02. Die Kennlinien wurden
Stromdichte [mA/cm²]

10 unter einfacher Sonnenkonzentration


(Spektrum AM1.5d nach ASTM G173‐03
8 [10], 1000 W/m²) mit bzw. ohne Maske
#180-trip-x22y02: gemessen. Für die schwarze Linie wurde
6 ohne Maske der JSC der Kennlinie, die ohne Maske
ohne Maske, JSCmit JPhoto,Si aus gemessen wurde, mit der aus der EQE
4 EQE-Messung korrigiert berechneten Photostromdichte der
2 Si‐Unterzelle JPhoto,Si aus Tabelle 5‐7
mit Maske
korrigiert. (Messungen wurden von Elvira
0 Fehrenbacher am Fraunhofer ISE
0 1 2 3 durchgeführt.)
Spannung [V]



5.6.4 Dreifachsolarzelle mit texturierter Rückseite


Die Wirkungsgrade der Dreifachsolarzellen #178‐trip und #180‐trip werden durch die
Photostromdichten der Si‐Unterzellen limitiert. Wie in Abschnitt 5.2 erläutert, kann die
Absorption der Si‐Unterzelle durch die Vergrößerung der optischen Weglänge erhöht
werden. Die Simulationsergebnisse in Abbildung 5‐4 zeigen, dass dies mit Hilfe einer
Pyramidenstruktur auf der Rückseite erreicht werden kann. Aus diesem Grund wurde in
weiteren Experimenten eine Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzelle mittels atomstrahl‐
aktiviertem Wafer‐Bonding mit einer Si‐Unterzelle der Charge SBC02‐pyramids, die eine
texturierte Rückseite besitzt (siehe Abschnitt 5.2), verbunden. Die Externe Quanteneffizienz
dieser Dreifachsolarzelle #103‐trip‐x17y9 mit einer Fläche von Adesignated=0.054 cm² ist in
Abbildung 5‐16 gezeigt. Die EQE liegt im Wellenlängenbereich von 470 nm bis 900 nm bei
über 70 %. Jedoch fällt sie entgegen der Erwartung in der Si‐Unterzelle ab einer Wellenlänge
von 900 nm steil ab. Ursache davon ist eine verstärkte Rekombination an der Rückseite der
Solarzelle, die sich auf eine unzureichende Passivierung zurückführen lässt. Als Folge
generiert die Si‐Unterzelle eine geringe Photostromdichte von nur 6.4 mA/cm² (Spektrum
AM1.5d, ASTM G173‐03 [10], 1000 W/m²) und limitiert den Strom der Dreifachsolarzelle.

GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen 119

Diese erreicht unter einfacher Sonnenkonzentration nur einen Wirkungsgrad29 von 16.5 %
(AM1.5d). Für die zukünftige Zellentwicklung sollten deshalb texturierte Si‐Solarzellen mit
optimierter Rückseitenpassivierung verwendet werden.

100
GaInP-Oberzelle: JPhoto= 10.3 mA/cm²
GaAs-Mittelzelle: JPhoto= 12.3 mA/cm²
Externe Quanteneffizienz [%]

80 Si-Unterzelle: JPhoto= 6.6 mA/cm²

60

40

20

0
400 600 800 1000 1200
Wellenlänge [nm]

Abbildung 5‐16: Externe Quanteneffizienz der Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzelle


#103‐trip‐x17y9 mit einer Zellfläche von Adesignated =0.054 cm². Die Photostromdichten
JPhoto der Teilzellen wurden für das Spektrum AM1.5d (ASTM G173‐03 [10], 1000 W/m²)
unter einfacher Sonnenkonzentration berechnet. Die Basis der GaAs‐Zelle ist 1850 nm
dick, die Si‐Unterzelle der Charge SBC02‐pyramids besitzt auf der Rückseite eine
Pyramidenstruktur. Details zum Wafer‐Bonding‐Prozess sind in Tabelle 7‐2 zu finden.
(Messung wurden von Michael Schachtner am Fraunhofer ISE durchgeführt.)


29 Die Hellkennlinie der Solarzelle wurde unter einfacher Sonnenkonzentration aber ohne Maske
gemessen (Normspektrum AM1.5d, ASTM G173‐03 [10], 1000 W/m²). Für die Bestimmung des
Wirkungsgrads wurde der JSC mit der aus der EQE berechneten Photostromdichte der
stromlimitierenden Si‐Unterzelle von 6.4 mA/cm² korrigiert. Die Vorgehensweise wird in
Abschnitt 5.6.3 beschrieben.




120 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

5.6.5 Strom‐Spannungs‐Kennlinien unter konzentriertem


Sonnenlicht
Die Dreifachsolarzelle #180‐trip‐x15y1 wurde unter konzentriertem Sonnenlicht
charakterisiert. Diese Messungen wurden zunächst ohne Abschattungsmaske und unter
Verwendung einer Xenon‐Blitzlichtquelle durchgeführt, deren Spektrum in Abbildung 7‐3 im
Anhang gezeigt wird. Unter diesem Lampenspektrum generiert die Si‐Unterzelle über 20 %
mehr Photostrom als die Ga0.51In0.49P ‐Oberzelle und GaAs‐Mittelzelle. Der Photostrom wurde
bei der Messung deshalb nicht von der Si‐Unterzelle sondern der GaAs‐Mittelzelle limitiert.
Aufgrund der signifikant veränderten Stromanpassung der Teilzellen haben die
Dreifachsolarzellen unter dem Spektrum der Xenon‐Blitzlichtlampe einen anderen Füllfaktor
als unter dem Spektrum AM1.5d. Deshalb können nur unkalibrierte Wirkungsgrade
angegeben werden. Der Konzentrationsfaktor C wurde als Quotient der
Kurzschlussstromdichte JSC(C>1) und der bei einfacher Sonnenkonzentration (mit Maske)
unter dem Spektrum AM1.5d gemessenen Kurzschlussstromdichte
JSC(C=1, AM1.5d)=10.1 mA/cm² berechnet.
In Abbildung 5‐17 wird der Wirkungsgrad und Füllfaktor der Dreifachsolarzelle in
Abhängigkeit des Konzentrationsfaktors C gezeigt. Der Füllfaktor dieser Zelle steigt zunächst
leicht mit steigender Konzentration an und fällt ab 50‐facher Sonnenkonzentration ab. Der
maximale Wirkungsgrad von 30.1 %30 wird für 120‐ bis 180‐fache Sonnenkonzentrationen
erreicht. Für Konzentrationsfaktoren über 180 nimmt der Wirkungsgrad der
Dreifachsolarzelle #180‐trip‐x15y1 ab, da Widerstandsverluste bei hohen Stromdichten
zunehmen.

90
Füllfaktor [%]

#180-trip-x15y01
Abbildung 5‐17: Füllfaktor und
Wirkungsgrad (unkalibriert) der
85 Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzelle
#180‐trip‐x15y01 in Abhängigkeit des
80 Konzentrationsfaktors. Für die Messung
wurde eine Xenon‐Blitzlichtlampe
Wirkungsgrad [%]

verwendet. Die Stromdichte unter


30 einfacher Sonnenkonzentration wurde
unter dem Referenzspektrum AM1.5d
29 (ASTM G173‐03 [10], 1000 W/m²)
gemessen. (Messungen wurden Andreas
Bühl am Fraunhofer ISE durchgeführt.)
28
10 100 1000

Konzentrationsfaktor


30 Bei der Messung unter konzentriertem Sonnenlicht wird der Photostrom der Dreifachsolarzelle

durch die GaAs‐Mittelzelle und nicht durch die Si‐Unterzelle limitiert. Deshalb handelt es sich um
einen unkalibrierten Wirkungsgrad.

GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen 121

Der Serienwiderstand der Dreifachsolarzelle wurde mit Hilfe der in Abschnitt 5.4.5
beschriebenen Methode aus den Hellkennlinien, die bei Konzentrationsfaktoren von C=70
und C=95 gemessen wurden, bestimmt. Dabei wurde angenommen, dass der Widerstand der
Si‐Unterzelle in der Dreifachsolarzelle bei diesen Konzentrationsfaktoren noch nicht
injektionsabhängig31 ist. Für die Dreifachsolarzelle #180‐trip‐x15y01 ergibt sich ein
Serienwiderstand von RS = (1.60 ± 0.17) Ω32. Dieser ist um etwa 1.11 Ω größer als der
experimentell bestimmte Widerstand der GaInP/GaAs–Zweifachsolarzellen, die auf
Si‐Substrate gebondet wurden. Für die Zweifachsolarzellen wurden n‐Si‐Substrate mit
kleinen spezifischen Widerständen (0.01 bis 0.02 Ωcm) und flächigen Metallkontakten
verwendet. Im Gegensatz dazu, besitzt die Si‐Unterzelle einen hohen spezifischen
Widerstand (1 bis 5 Ωcm) und eine Punktkontaktmetallstruktur auf der Rückseite. Zwar hat
der verwendete Aluminiumkontakt einen geringen Grenzflächenwiderstand von unter
0.1 mΩcm², jedoch hat er zur Basis der Si‐Zelle nur eine Kontaktfläche von 0.75 % der
gesamten Zellfläche. Dadurch fließen lokal sehr hohe Stromdichten und der
Rückseitenkontakt hat einen Widerstand von ca. 0.25 Ω. In der Dissertation von Steffen Sterk
[182] wurde gezeigt, dass die Verwendung einer Punktkontaktstruktur und lokalen
p+‐Dotierung zusammen mit einem niedrig dotierten Si‐Substrat zu einem hohen
Basiswiderstand in der Si‐Solarzelle führt. Summiert man den Widerstand des
Rückseitenmetallkontakts mit den berechneten Vorderseitenkontakt‐, Emitter‐ und Si/GaAs‐
Bondwiderständen aus Tabelle 5‐4, so ergibt sich ein Wert von ca. 0.60 Ω. Mit dem
experimentell für C<100 bestimmten Serienwiderstand folgt für den Si‐Substratwiderstand,
der im Wesentlichen durch den Basiswiderstand gegeben ist, ein Wert von (1.00±0.17) Ω.
Damit stellt der Si‐Basiswiderstand einen Anteil von ca. 63 % am Gesamtwiderstand der
Dreifachsolarzelle dar. Zu beachten ist jedoch, dass mit steigender Sonnenkonzentration
Hochinjektionseffekte in der Si‐Unterzelle an Bedeutung gewinnen. Unter Hochinjektion
wird die Leitfähigkeit der Si‐Basis nicht mehr von der Dotierung sondern der
Ladungsträgerinjektion und ‐rekombination bestimmt [182]. Für eine genaue Analyse des
Si‐Basiswiderstandes bei hohen Konzentrationsfaktoren müssen diese Effekte berücksichtigt
werden.
Vergleicht man die Ergebnisse der Zweifach‐ und Dreifachsolarzellen fällt auf, dass der
Wirkungsgrad der Dreifachsolarzelle #180‐trip‐x15y01 bereits bei einer kleineren
Kurzschlussstromdichte von ca. 1.5 A/cm² statt 2.8 A/cm² sein Maximum erreicht. Dies ist
ein weiterer Hinweis darauf, dass der Wirkungsgrad der Dreifachsolarzellen unter


31 Die Injektionsabhängigkeit des Widerstandes von Si‐Solarzellen wurde in der Dissertation von

Steffen Sterk [182] untersucht. Dabei wurde an Si‐Einfachsolarzellen mit Basisohmigkeit von
0.5 Ωcm aufgrund von Hochinjektionseffekten bei C = 100 nur eine schwache Erhöhung der
Basisleitfähigkeit beobachtet. In der vorliegenden Arbeit wird angenommen, dass sich die
Widerstände der Si‐Unterzelle für C=70 und C=95 in der Dreifachsolarzelle nicht signifikant
unterscheiden, da in der Si‐Unterzelle eine um ca. Faktor 4 geringere Photostromdichte als in
Si‐Einfachsolarzellen generiert wird.
32 Ermittelt mit einem Widerstandsrechner, der von Dr. Christian Karcher am Fraunhofer ISE
programmiert wurde.




122 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

konzentriertem Sonnenlicht durch Widerstandsverluste in der Silicium‐Unterzelle limitiert


wird.
Für eine genauere Bestimmung des Wirkungsgrades der Dreifachsolarzelle #180‐trip‐x15y01
unter konzentriertem Sonnenlicht wurde eine zusätzliche Messung durchgeführt. Bei dieser
wurde mit Hilfe eines Filters (NG11‐2mm von Schott) das Spektrum der Xenon‐
Blitzlichtlampe so verändert, dass die Dreifachsolarzelle wie bei der Messung unter
einfacher Sonnenkonzentration (Spektrum AM1.5d) durch den Photostrom der Si‐Unterzelle
limitiert ist. Um Beiträge des umliegenden Si‐Materials zum Photostrom zu vermeiden,
wurde außerdem eine Abschattungsmaske verwendet, die die beleuchtete Fläche der
Solarzelle auf einen Wert von Adesignated= 0.049 cm² begrenzen soll. In Abbildung 5‐18 wird
die Kennlinie gezeigt, die unter diesen Bedingungen bei einem Konzentrationsfaktor von
C=112 bestimmt wurde. Die Dreifachsolarzelle erzielt aufgrund der veränderten
Stromanpassung einen Füllfaktor von 88.3% und einen Wirkungsgrad von 30.2 %
(Spektrum AM1.5d).
Ein Wirkungsgrad von 30 % wurde nach dem Wissen der Autorin nie zuvor mit einer
III‐V/Si‐Mehrfachsolarzelle realisiert. Um mit der Dreifachsolarzelle unter konzentriertem
Sonnenlicht einen höheren Wirkungsgrad zu erzielen, muss nicht nur die Absorption der
Si‐Unterzelle erhöht werden, sondern auch ihr Widerstand reduziert werden. Zur Reduktion
des Basis‐Widerstandes können höher dotierte oder dünnere Si‐Wafer verwendet werden.
Nachteil einer geringeren Zelldicke ist jedoch, dass die optische Weglänge des Lichts
verkürzt wird, was wiederum die Signifikanz einer Rückseitentexturierung verstärkt.
Zusätzlich sollte mittels Computersimulationen die Rückseitenpunktkontaktstruktur der
Si‐Unterzellen für die Anwendung in einer GaInP/GaAs/Si‐Konzentratorsolarzelle optimiert
werden.
Stromdichte [A/cm²]

Abbildung 5‐18: Strom‐Spannungs‐


1.0
Kennlinie der Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐
#180-trip-x15y01
Dreifachsolar‐zelle #180‐trip‐x15y01
112-fache Sonnenkonzentration
(Spektrum AM1.5d) ,Adesignated = 0.049 cm²
unter 112‐facher Sonnen‐
JSC = 1.129 A/cm² konzentration. Für die Messung der
0.5
VOC = 3.403 V Hellkennlinie wurde eine
FF = 88.3 % Abschattungsmaske verwendet.
 = 30.2 % (Messung wurden von Andreas Bühl
am Fraunhofer ISE durchgeführt)
0.0
0 1 2 3 4

Spannung [V]



Zusammenfassung und Ausblick der GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen 123

5.7 Zusammenfassung und Ausblick der


GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen
In dieser Arbeit wurden Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf Si‐Substraten und
Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen erfolgreich mittels Argon‐FAB aktiviertem Wafer‐
Bonding hergestellt. Die Zweifachsolarzellen erzielen einen maximalen Wirkungsgrad von
26.0 % unter einfacher Sonnenkonzentration (Spektrum AM1.5g, ASTM G173‐03) und
26.5 % unter 200‐ bis 300‐facher Sonnenkonzentration (Spektrum AM1.5d, ASTM G173‐03).
Es wurde demonstriert, dass die Quanteneffizienz der GaInP und GaAs‐Teilzellen durch die
Verwendung einer Bondtemperatur von 120 °C und einem zusätzlichem Ausheizen bei
400 °C nicht beeinträchtigt wird. Weiter wurde gezeigt, dass der Wirkungsgrad der
Solarzellen nicht durch den Si/GaAs Grenzflächenwiderstand limitiert wird. Der in Kapitel 4
entwickelte Wafer‐Bonding‐Prozess ist deshalb optimal für die Herstellung hocheffizienter
Mehrfachsolarzellen geeignet. Durch eine verbesserte Stromanpassung der GaInP‐ und GaAs‐
Teilzellen könnte bereits mit der verwendeten Solarzellenstruktur ein Wirkungsgrad von
28.5 % unter einfacher Sonnenkonzentration erreicht werden. Um noch höhere
Wirkungsgrade zu erzielen, müssen die Absorptionsverluste in der Antireflexschicht,
AlInP‐Fensterschicht und der AlGaAs/GaAs‐Tunneldiode reduziert werden.
Außerdem wurden die Quanteneffizienzen von Si‐Einfachsolarzellen und ihre offenen
Klemmspannungen nach unterschiedlich langen Argonatomstrahlbehandlungen untersucht.
Dabei wurde gezeigt, dass kurzwelliges Licht (<700 nm) in einer wenigen nm dicken Schicht
aus amorphem Silicium absorbiert wird, die während der FAB Behandlung entsteht. Die
Offenen Klemmspannungen nehmen mit steigender Behandlungszeit zu, da die
Ladungsträgerrekombination an der Vorderseite verringert wird. Für die Anwendung in der
GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzelle ist keine Beeinträchtigung der elektrischen Leistung der
Si‐Unterzelle durch den Wafer‐Bonding‐Prozess zu erwarten.
Es wurden mehrere Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen mittels Argon‐FAB aktiviertem
Wafer‐Bonding hergestellt. Obwohl die GaAs‐Mittelzellen teiltransparent sind, generieren
die Si‐Unterzellen in allen Mehrfachsolarzellen geringere Photostromdichten als die oberen
Teilzellen und limitieren die Wirkungsgrade der Dreifachsolarzellen. Bei der Analyse der
Solarzellenergebnisse wurde außerdem beobachtet, dass die Messung der Hellkennlinien
aufgrund von Beiträgen des umliegenden mitbeleuchteten Si‐Materials zu hohe
Photostromdichten lieferte. Deshalb wurde für die Hellkennlinienmessung eine Maske
verwendet, die die Randbereiche der Solarzelle bedeckt. Diese Messungen ergaben für die
Dreifachsolarzellen hohe Wirkungsgrade von 25.6 % unter einfacher und 30.2 % unter
112‐facher Sonnenkonzentration (Spektrum AM1.5d, ASTM G173‐03). Unter konzentriertem
Sonnenlicht ist die Effizienz der Solarzellen durch den Serienwiderstand der Si‐Unterzelle
limitiert.
Damit die Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen in Zukunft höhere Wirkungsgrade
erzielen können, müssen diese Widerstandsverluste reduziert und der Photostrom der
Si‐Unterzelle weiter erhöht werden. Der Photostrom kann durch die Verwendung einer
Rückseitentexturierung oder einer Mittelzelle mit größerer Transparenz gesteigert werden.




124 Entwicklung von GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen

Anstatt die Dicke der GaAs‐Zelle weiter zu verringern, wäre es sinnvoller, eine Mittelzelle aus
AlxGa1‐xAs zu verwenden. Durch die höhere Bandlücke von AlxGa1‐xAs gelangt mehr Licht in
die Si‐Unterzelle und gleichzeitig wird die Offene Klemmspannung der Dreifachsolarzelle
erhöht. Die einzelnen Teilzellen sind in der hier verwendeten Schichtstruktur mittels
AlGaAs/GaAs‐Tunneldioden miteinander verbunden. Außerdem befindet sich oberhalb der
Si‐Unterzelle befindet sich eine 60 nm dicke GaAs‐Bondschicht. Absorptionsverluste in
diesen Schichten können durch die Verwendung einer geringeren Schichtdicke oder eines
höherbandlückigen Halbleitermaterials verhindert werden. Um hohe Wirkungsgrade zu
erzielen, muss zusätzlich die Quanteneffizienz der GaInP‐Oberzelle für kurze Wellenlängen
gesteigert werden.
6 Zusammenfassung und Ausblick der
Dissertation


Ziel dieser Dissertation war die Herstellung hocheffizienter Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐
Dreifachsolarzellen für die Anwendung unter konzentriertem Sonnenlicht. Da Silicium im
Vergleich zu Germanium deutlich besser verfügbar und kostengünstiger ist, stellt dieses
Solarzellenkonzept eine vielversprechende Alternative zu der etablierten
Ga0.50In0.50P/Ga0.99In0.01As/Ge‐Dreifachsolarzelle dar.
Die Herausforderung in der Herstellung der Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen lag
bisher in den unterschiedlichen Gitterkonstanten und thermischen Ausdehnungs‐
koeffizienten von Si und GaAs. Deshalb entstehen beim direkten Wachstum auf Silicium
Kristalldefekte in den GaAs‐Mittel‐ und Ga0.51In0.49P‐Oberzellen, welche ihre Effizienzen
reduzieren. Um solche Defekte zu verhindern, wurde in dieser Dissertation ein neuer Ansatz
verfolgt: Zunächst wurden Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzellen mittels MOVPE
gitterangepasst auf GaAs‐Substraten abgeschieden und danach durch direktes Wafer‐
Bonding bei Temperaturen zwischen 20 °C und 120 °C mit separat hergestellten
Si‐Solarzellen verbunden.
Ein Schwerpunkt dieser Dissertation lag deshalb in der Entwicklung einer mechanisch
stabilen, optisch transparenten und elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen Si und GaAs.
Als Methode wurde das atomstrahlaktivierte Wafer‐Bonding ausgewählt und optimiert. Bei
diesem Verfahren werden die Si‐ und GaAs‐Oberflächen mittels Atomstrahlzerstäubung
zunächst gereinigt und deoxidiert und schließlich im Vakuum miteinander verbunden.
Die Verwendung von Heliumatomstrahlen führte zur Bildung von Nanostrukturen auf den
Oberflächen, die den vollständigen Kontakt der Halbleiter reduzierten und deshalb eine
stabile Verbindung der Wafer verhinderten. Im Gegensatz dazu, war das Wafer‐Bonding
nach der Aktivierung mit Argonatomstrahlen erfolgreich und es konnten Si/GaAs Wafer‐
Bonds bei Raumtemperatur ohne makroskopische Fehlstellen an der Grenzfläche hergestellt
werden. Die Si/GaAs Grenzflächen besaßen bereits bei Raumtemperatur hohe Bondenergien
von 0.7 bis 0.9 J/m2, die durch Ausheizen bei niedrigen Temperaturen (≤ 290 °C) erhöht
werden konnten. In HRTEM‐Aufnahmen der Si/GaAs Bondgrenzfläche wurde eine 2 bis
3 nm dicke amorphe Schicht gefunden (siehe Abbildung 6‐1a), die als Folge der
Atomstrahlbehandlung entsteht. Bei der Wechselwirkung der hochenergetischen
Argonatome (0.3‐0.5 keV) mit den Gitteratomen entsteht eine Vielzahl von Kristalldefekten,
die sich zu einer amorphen Schicht akkumulieren. Die Dicke dieser Schicht konnte bereits
durch Ausheizen bei 200 °C reduziert werden, da die Halbleiter durch thermisch angeregte
Diffusion teilweise rekristallisieren. EDXS‐Konzentrationprofile haben bestätigt, dass sich
kein Sauerstoff an der Si/GaAs Grenzfläche befindet und folglich eine oxidfreie Verbindung
realisiert wurde. Dies ist wichtig, um eine hohe elektrische Leitfähigkeit zu erzielen.


126 Zusammenfassung und Ausblick der Dissertation

Der Ladungsträgertransport über n‐Si/n‐GaAs Bondgrenzflächen wurde genau analysiert.


Wie in Abbildung 6‐1b gezeigt, besaßen die Si/GaAs Wafer‐Bonds vor der Optimierung eine
diodenartige Kennlinie und einen hohen Grenzflächenwiderstand. Defekte, die während der
Atomstrahlbehandlung entstehen, führen zu einer Grenzflächenladung und dadurch zu einer
Potentialbarriere an der Grenzfläche, die den Ladungsträgertransport beeinträchtigt. Die
Existenz dieser Defekte wurde in n‐GaAs anhand von Hallmessungen nachgewiesen. Diese
haben bestätigt, dass Elektronen in akzeptorartigen Defekten eingefangen werden und
deshalb die aktive Ladungsträgerkonzentration nahe der Oberfläche und die
Elektronenmobilität durch die Atomstrahlbehandlung reduziert werden. Durch Ausheizen
bei 400 °C konnte der Ladungsträgerverlust und damit die Defektdichte reduziert und
entsprechend die Leitfähigkeit der Si/GaAs Wafer‐Bonds erhöht werden. Mit Hilfe von
temperaturabhängigen Strom‐Spannungs‐Messungen wurde schließlich die effektive
Barrierenhöhe im Leitungsband an der Si/GaAs Grenzfläche zu 0.22 eV (nach Ausheizen bei
400 °C) bestimmt. Die Barrierenhöhe kann sowohl durch die Verwendung einer höheren
n‐GaAs Dotierung als auch durch die Reduktion der Defektdichte an der Grenzfläche
verringert werden. Deshalb konnte die elektrische Leitfähigkeit durch die Verwendung von
Argonatomstrahlen mit niedrigerer kinetischer Energie, der Verwendung einer höheren
Substrattemperatur von 120 °C statt 20 °C während der Zerstäubung und einem
nachträglichen Ausheizen bei Temperaturen von 400 °C erhöht werden. In Kombination mit
einer n‐GaAs Dotierung von n=(9.4±0.7)×1018 cm‐3 wurden schließlich Si/GaAs Wafer‐Bonds
mit linearer Strom‐Spannungs‐Kennlinie bei Raumtemperatur und einem niedrigen
Grenzflächenwiderstand von 3.6×10‐3 Ωcm² realisiert. Die Eigenschaften der Si/GaAs
Bondgrenzfläche sind folglich optimal für die Anwendung in einer Konzentratorsolarzelle
geeignet. Die optimierte Si/GaAs Bondgrenzfläche führt sogar für hohe Stromdichten
(6 A/cm²) bei 500‐facher Sonnenkonzentration nur zu vernachlässigbaren
Spannungsverlusten von 0.02 V in der Mehrfachsolarzelle.

(a) (b)
10
8
6
Stromdichte [A/cm²]

4
2
0
Si/GaAs Bonds:
-2 #064
-4 #188, optimiert
-6 Referenz-Proben:
GaAs
-8
Si
-10
-0.3 -0.2 -0.1 0.0 0.1 0.2 0.3
Spannung [V]

Abbildung 6‐1: (a) HRTEM‐Aufnahme der Si/GaAs Grenzfläche des Wafer‐Bonds #086.
(b) Vergleich von Strom‐Spannungs‐Kennlinien bei Raumtemperatur von n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds
vor (#064) und nach der Optimierung (#188). Die Silicium‐Seite der Si/GaAs Bonds ist jeweils mit dem
Pluspol verbunden. Zum Vergleich werden auch Kennlinien von einzelnen Si und GaAs Referenzproben mit
den gleichen Metallkontakten gezeigt.

Zusammenfassung und Ausblick der GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen 127

Mit Hilfe des hier entwickelten Wafer‐Bonding‐Prozesses konnten erfolgreich erste


Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzellen auf Si‐Substraten und Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifach‐
solarzellen hergestellt werden. Ga0.51In0.49P/GaAs‐Zweifachsolarzellen, die auf ein
Siliciumsubstrat gebondet wurden, erzielten einen maximalen Wirkungsgrad von 26.0 %
unter einfacher Sonnenkonzentration (Spektrum AM1.5g) und 26.5 % unter 200 bis
300‐facher Sonnenkonzentration (Spektrum AM1.5d). Es wurde gezeigt, dass die Effizienz
der Zweifachsolarzellen nicht durch den Serienwiderstand der Si/GaAs Bondgrenzfläche
limitiert ist und die III‐V‐Solarzellen durch den Wafer‐Bonding‐Prozess bei 120 °C und das
Ausheizen bei 400 °C nicht beschädigt werden.
Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen, die mittels atomstrahlaktiviertem Wafer‐Bonding
hergestellt wurden, erzielten über einen breiten Wellenlängenbereich von 450 bis 1030 nm
Quanteneffizienzen von über 70 %. Bei der Messung der Hellkennlinie wurde beobachtet,
dass die gemessenen Photoströme aufgrund von Beiträgen des umliegenden Si‐Materials zu
hoch waren. Zur Bestimmung der Wirkungsgrade wurde deshalb eine Abschattungsmaske
verwendet, die den beleuchteten Bereich der Solarzelle begrenzte. Diese Messungen ergaben
für die Ga0.51In0.49P/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen hohe Wirkungsgrade von bis zu 25.6 %
unter einfacher und 30.2 % unter 112‐facher Sonnenkonzentration (Spektrum AM1.5d), was
bereits ein sehr gutes Ergebnis ist.
Um noch höhere Wirkungsgrade zu erzielen, müssen der Photostrom der Si‐Unterzelle
erhöht und der Serienwiderstand der Si‐Unterzelle reduziert werden. Für die weitere
Entwicklung sollten deshalb die Widerstandsverluste genau analysiert und mit Hilfe von
Computersimulationen minimiert werden. Durch die Verwendung einer Silicium‐Solarzelle
mit Rückseitentexturierung kann die optische Weglänge des Lichts vergrößert und dadurch
die Absorption im langwelligen Teil des Sonnenspektrums erhöht werden. Zur besseren
Stromanpassung der Teilzellen könnte außerdem die Transmission der Ga0.51In0.49P/GaAs‐
Zweifachsolarzelle erhöht werden. Dafür wäre es wünschenswert, nicht die Dicke der GaAs‐
Mittelzelle zu reduzieren, sondern eine Mittelzelle aus AlxGa1‐xAs zu verwenden. Durch die
höhere Bandlücke von AlxGa1‐xAs gelangt mehr Licht in die Si‐Unterzelle und gleichzeitig
wird die Offene Klemmspannung der Dreifachsolarzelle erhöht. Um das Sonnenlicht noch
effizienter in elektrische Energie umzuwandeln, sollten zusätzlich die Quanteneffizienz der
Ga0.51In0.49P‐Oberzelle erhöht und alle Absorptionsverluste in der Schichtstruktur eliminiert
werden. Mit Hilfe der in dieser Arbeit gewonnenen Erkenntnisse rücken hocheffiziente
GaInP/GaAs/Si‐Dreifachsolarzellen, die mittels Wafer‐Bonding hergestellt werden und
Wirkungsgrade von 40 % erzielen, in greifbare Nähe.




128 Anhang

7 Anhang
7.1 Si/GaAs Bonds aus Kapitel 4
Tabelle 7‐1 enthält die Prozessparamter aller Wafer‐Bonds aus Kapitel 4. Der Wafer‐
Bonding‐Prozess wird in Abschnitt 3.1 beschrieben. Details zu den verwendeten Wafern
werden in Abschnitt 7.2 gezeigt.

Tabelle 7‐1: Zusammenfassung der Prozessparameter für das Wafer‐Bonding der Si/GaAs, Si/Si und
GaAs/GaAs Bonds aus Kapitel 4

Vakuum Vacc IAnode FAB Temp‐ Zusätzlicher


Bond‐
vor FAB Verwendete Wafer Zeit eratur FAB Beschuss
name [kV] [mA]
[Pa] [sec] [°C] bis Bond?

n‐Si (P9123) 720


#022 3.9×10‐6 0.57 ± 0.01 52 20 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (D4014) 360

n‐Si (T407)
#037 1.6×10‐6 0.81 ± 0.03 100 300 20 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0230)

n‐Si (T407) Nein


#040 1.5×10‐6 0.63 ± 0.01 100 300 20
n‐GaAs (E0230) (50 sec Vakuum)

n‐Si (T407) Nein


#043 1.6×10‐6 0.63 ± 0.01 100 300 20
n‐GaAs (E0230) (50 sec Vakuum)

n‐Si (T416)
#064 1.9×10‐6 0.63 ± 0.01 100 300 20 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0230)

n‐Si (T416)
#065 1.9×10‐6 0.81 ± 0.03 100 300 20 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0230)

n‐Si (T416)
#072 1.6×10‐6 0.62 ± 0.01 100 180 20 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0230)

n‐Si (T416) Nein


#074 1.8×10‐6 0.63 ± 0.01 100 300 20
n‐GaAs (E0230) (50 sec Vakuum)

n‐GaAs (E0230)
#075 1.6×10‐6 0.63 ± 0.01 100 300 20 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0472)

n‐Si (T416)
#076 2.1×10‐6 0.63 ± 0.02 100 540 20 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0230)

Nein
n‐Si (T416)
#077 2.2×10‐6 0.63 ± 0.01 100 300 20 (420 sec
n‐GaAs (E0230)
Vakuum)


Si/GaAs Bonds aus Kapitel 4 129

Vakuum Vacc IAnode FAB Temp‐ Zusätzlicher


Bond‐
vor FAB Verwendete Wafer Zeit eratur FAB Beschuss
name [kV] [mA]
[Pa] [sec] [°C] bis Bond?

n‐Si (T416) Nein


#078 2.3×10‐6 0.63 ± 0.01 100 300 20
n‐GaAs (E0230) (720 sec Vakuum)

n‐Si (T416)
#079 2.1×10‐6 0.80 ± 0.01 100 180 20 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0230)

n‐Si (T416)
#080 2.3×10‐6 0.56 ± 0.01 100 300 20 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0230)

n‐Si (T416)
#086 3.2×10‐6 0.81 ± 0.02 100 n‐GaAs 300 20 Ja (+50 sec)
(C0961‐ bond‐2)

n‐Si (T416)
#090 2.8×10‐6 0.81 ± 0.02 100 300 20 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0230)

n‐Si (T445)
#116 2.2×10‐6 0.63 ± 0.01 100 n‐GaAs 300 20 Ja (+50 sec)
(C0962‐bond‐3)

n‐Si (T445)
#119 2.0×10‐6 1,02 ± 0.03 100 300 20 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0230)

n‐Si (T445)
#142 1.9×10‐6 0.63 ±0.01 100 n‐GaAs 300 20 Ja (+50 sec)
(C0961‐bond‐4)

n‐Si (T445)
#151 2.3×10‐6 0.63 ±0.01 100 300 120 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0230)

n‐Si (T445)
#154 1.7×10‐6 0.63 ±0.01 100 n‐GaAs 300 120 Ja (+50 sec)
(C1179‐bond‐5)

n‐Si (T480)
#166 2.1×10‐6 0.63 ±0.01 100 300 75 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0230)

n‐Si (T480)
#174 2.2×10‐6 0.63 ±0.01 100 300 20 Ja (+50 sec)
n‐Si (T480)

n‐Si (T480)
#188 3.0×10‐6 0.63 ±0.01 100 n‐GaAs 300 120 Ja (+50 sec)
(C1180‐bond‐5)

n‐Si (T480)
#192 3.2×10‐6 0.63 ±0.01 100 300 170 Ja (+50 sec)
n‐GaAs (E0230)




130 Anhang

7.2 Verwendete Si‐ und GaAs‐Wafer



 T416, T445, T480:
n‐Silicium‐Wafer (CZ) mit (100) Orientierung, (300 ± 25) µm Dicke und einem
spezifischen Widerstand von 0.01‐0.02 Ωcm. Die Wafer wurden beidseitig mit
Phosphor eindiffundiert. Dabei wurde an der Oberfläche eine Ladungsträger‐
konzentration von nSi,surf=4×1020 cm‐3 erzielt. Das Dotierstoffprofil ist in
Abbildung 3‐8 gezeigt.

 D4014:
(450±25) µm dicke n‐GaAs‐Wafer ((100), 6° fehlorientiert nach <111>A) mit
Ladungsträgerkonzentrationen im Bereich von n=1.5 ‐ 2.4×1017 cm‐3 (Si‐dotiert).

 E0230:
(450±25) µm dicke n‐GaAs‐Wafer ((100), 6° fehlorientiert nach <111>A) mit
Ladungsträgerkonzentrationen im Bereich von n=1.0 ‐ 1.6×1018 cm‐3 (Si‐dotiert).

 E0472:
(450±25) µm dicke n‐GaAs‐Wafer ((100), 6° fehlorientiert nach <1‐11>B) mit
Ladungsträgerkonzentrationen im Bereich von n=8.6 ‐ 29×1017 cm‐3 (Si‐dotiert).

 C0961‐bond‐2/4, C0962‐bond‐2:
(450±25) µm dicke Si‐dotierte n‐GaAs‐Wafer ((100), 6° fehlorientiert nach <1‐11>B),
auf denen mittels MOVPE eine GaInP‐Ätzstoppschicht und eine Te‐dotierte bzw.
Si‐dotierte n‐GaAs‐Bondschicht abgeschieden wurden (siehe Abbildung 7‐1). Die
Bondschicht wurde bei der Firma III/V‐Reclaim chemisch‐mechanisch poliert.

 C1180‐bond‐5, C1179‐bond‐5:
(450±25) µm dicke Si‐dotierte n‐GaAs‐Wafer ((100), 6° fehlorientiert nach <111>A),
die eine höher bzw. niedriger dotierte n‐GaAs‐Bondschicht besitzen (siehe
Abbildung 7‐1). Die Bondschicht wurde mittels MOVPE abgeschieden, aber nicht
poliert.



Verwendete Si‐ und GaAs‐Wafer 131



1000 nm n‐GaAs:Te 1000 nm n‐GaAs:Si
C0961‐bond‐2/4: C0962‐bond‐3:
n=(4.3×0.3)×1018cm‐3 n=(8.0±1.0) ×1018cm‐3
n‐GaInP ‐ Ätzstoppschicht n‐GaInP ‐ Ätzstoppschicht


n‐GaAs ‐ Substrat (B) n‐GaAs ‐ Substrat (B)

n=0.7‐1.3×1018 cm‐3 n=0.7‐1.3×1018 cm‐3

300 nm n‐GaAs:Si 300 nm n‐GaAs:Si


C1179‐bond‐5: C1180‐bond‐5:
n=(5.3±0.2)×1017cm‐3 n=(9.4±0.7) ×1018cm‐3

n‐GaAs ‐ Substrat (A) n‐GaAs ‐ Substrat (A)



n=0.8‐2.4 ×1018 cm‐3 n=0.8‐2.4 ×1018 cm‐3

Abbildung 7‐1: Skizzierter Schichtaufbau der verwendeten Wafer C0961‐bond‐2/4, C0962‐bond‐2,


C1179‐bond‐5 und C1180‐bond‐5. Die GaAs‐Substrate haben eine Dicke von 450 µm und eine
(100) Oberfläche, die 6° nach <111>A bzw. <1‐11>B fehlorientiert ist.




132 Anhang

7.3 GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen aus


Kapitel 5
Tabelle 7‐2 enthält eine Zusammenstellung der Prozessparameter, die für das Wafer‐
Bonding der GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzellen verwendet wurden. Der Wafer‐Bonding‐
Prozess wird in Abschnitt 3.1 beschrieben.

Tabelle 7‐2: Zusammenfassung der Prozessparameter für das Wafer‐Bonding der GaInP/GaAs/Si‐
Mehrfachsolarzellen.

Vakuum Vacc IAnode Verwendete FAB Temp‐ Zusätzlicher


Bond‐
vor FAB Zeit eratur FAB Beschuss
nummer [kV] [mA] Wafer
[Pa] [sec] [°C] bis Bond?

#103‐ C1005‐invtan‐7
1.5×10‐6 0.63± 0.02 100 540 20 Ja (+50 sec)
trip SBC02‐07
#176‐ C1218‐invtan‐6
2.0×10‐6 0.63± 0.01 100 300 75 Ja (+50 sec)
tan T480
#178‐ C1216‐invtan‐7
1.6×10‐6 0.63± 0.01 100 300 20 Ja (+50 sec)
trip SBC03‐12
#180‐ C1217‐invtan‐4
2.0×10‐6 0.63± 0.01 100 300 120 Ja (+50 sec)
trip SBC03‐16
#186‐ C1218‐invtan‐3
2.0×10‐6 0.63± 0.01 100 300 20 Ja (+50 sec)
tan T480
#191‐ C1218‐invtan‐7
2.2×10‐6 0.63± 0.01 100 300 120 Ja (+50 sec)
tan T480



SRIM‐2011 Software 133

7.4 SRIM‐2011 Software


Die Software “SRIM – The stopping and range of ions in matter” wurde von J. F. Ziegler et al.
entwickelt und kann kostenfrei unter http://www.SRIM.org heruntergeladen werden.
Basierend auf der Monte‐Carlo Methode erlaubt die Software den Transport von Ionen bzw.
Projektilen mit kinetischen Energien zwischen 0.1 keV und einigen MeV in Materie, dem
sogenannten Target, und darin ausgelösten Stoßkaskaden vorherzusagen [183]. In dieser
Dissertatiom wurde SRIM‐2011 (Version 2011.06 [68]) genutzt, um Zerstäubungsraten,
Rückstreuraten von Projektilatomen und laterale Verteilungen von sowohl Projektilatomen
als auch Defekten im Target zu simulieren.
Laut Ref. [183] werden bei der Simulation die folgenden Annahmen verwendet:
Die Projektilatome verlieren ihre Energie durch nukleare und elektronische
Wechselwirkungen mit den Targetatomen und ändern ihre Richtung nur durch Stöße. Für
die Wechselwirkung der Projektil‐ und Targetatome werden abgeschirmte
Coulombpotentiale angenommen. Die Trajektorie von Projektil‐ und beschleunigten
Targetatomen wird nur so lange betrachtet, bis ihre Energie einen bestimmten Schwellwert
unterschreitet oder sie das Target verlassen. Die Kristallstruktur der Materie wird in der
Simulation nicht berücksichtigt, denn das Target wird nur über seine atomare
Zusammensetzung, Bindungsenergien und Dichte definiert [68, 183]. Die physikalischen
Hintergründe zur SRIM Software werden in Ref. [183] erläutert.




134 Anhang

7.5 Verwendete Referenzspektren AM1.5d und


AM1.5g
Zur Charakterisierung der Solarzellen wurden die in Abbildung 7‐2 gezeigten terrestrischen
Referenzspektren AM1.5d und AM1.5g nach ASTM G173‐03 [10] verwendet, die auf
1000 W/m² normiert wurden. Im Gegensatz zum Spektrum AM1.5d, das nur die
Direktstrahlung berücksichtigt, enthält das Spektrum AM1.5g einen diffusen Streulichtanteil.
Spektrale Bestrahlungsstärke [W/ m²m]

1800
1600 AM1.5g
AM1.5d
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
Wellenlänge [nm]
Abbildung 7‐2: Vergleich der Normspektren AM1.5d und AM1.5g, die auf
1000 W/m² normiert wurden (ASTM G173‐03,[10]) .

7.6 Spektrum der Xenon‐Blitzlichtlampe


Für die Messung der Hellkennlinien unter konzentriertem Sonnenlicht wurde eine Xenon‐
Blitzlichtlampe verwendet, die das in Abbildung 7‐3 gezeigte Spektrum besaß.

1.0

0.8
Intensität [a.u.]

0.6

0.4

0.2

0.0
400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
Wellenlänge [nm]

Abbildung 7‐3: Spektrum der verwendeten Xenon‐Blitzlichtlampe.

Abkürzungsverzeichnis 135

7.7 Abkürzungsverzeichnis

AFM Rasterkraftmikroskopie
AlGaAs Aluminiumgalliumarsenid
AlGaInP Aluminiumgalliumindiumphosphid
AlInP Aluminiumindiumphosphid
Al2O3 Aluminiumoxid
AM0 Extraterrestrisches Normspektrum
AM1.5d Terrestrisches Normspektrum ohne Streulichtanteil
AM1.5g Terrestrisches Normspektrum mit Streulichtanteil
Ar Argon
ARC Antireflexbeschichtung
CMP Chemisch‐mechanisches Polieren
ECV Elektrochemische‐Kapazitäts‐Spannungsmessung
EDXS Energiedispersive Röntgenspektroskopie
EQE Externe Quanteneffizienz
FAB Hochenergetischer Atomstrahl
GaAs Galliumarsenid
GaInP Galliumindiumphosphid
HCl Salzsäure
He Helium
HF Flusssäure
HRTEM Hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie
IQE Interne Quanteneffizienz
IR Infrarot
MOVPE Metallorganische Gasphasenepitaxie
MgF2 Magnesiumfluorid
PECVD Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung
RMS Quadratisches Mittel
SAM Ultraschallmikroskopie
Si Silicium
SiO2 Siliciumdioxid
Ta2O5 Tantal(V)‐oxid
TTV Globale Dickenschwankung



136 Anhang

7.8 Nomenklatur

a Gitterkonstante

Effektive Richardsonkonstante
Adesignated Designated illumination area= Gesamtfläche der Solarzelle abzüglich der
Metallfläche der Busbars
Magnetfeld
BR Bearing Ratio
C Konzentrationsfaktor bei der Hellkennlinienmessung
Dicke der Rasierklinge beim Maszara Klingentest
e Elementarladung
ESi Elastizitätsmodul von Si
EGaAs Elastizitätsmodul von GaAs
Ei Elastizitätsmodul des Wafers i (i=1,2)
EF Ferminiveau im Halbleiter
Eg Bandlücke eines Halbleiters
EL Leitungsband eines Halbleiters
EV Valenzband eines Halbleiters
F Korrekturfaktoren bei Van‐der‐Pauw Messmethode
FF Füllfaktor einer Solarzelle
Gleichgewichts‐Leitwert
Halbe Höhe einer Fehlstelle bzw. Radius des Partikels, der die Fehlstelle

verursacht

Planck‘sches Wirkungsquantum
Reduziertes Planck‘sches Wirkungsquantum
IAnode Anodenstrom in den Atomstrahlquellen
J Stromdichte
Photostromdichte, die in einer Teilzelle der Mehrfachsolarzelle
JPhoto
generiert wird
JSC Kurzschlussstromdichte einer Solarzelle
kB Boltzmannkonstante
KH Hallkoeffizient
L Spaltlänge beim Maszara Klingentest

Effektive Masse
n Konzentration der Elektronen im n‐Halbleiter


Nomenklatur 137



ni Intrinsische Ladungsträgerkonzentration im Halbleiter
Ladungsträgerkonzentration
Nsh Schichtladungsträgerkonzentration
p Konzentration der Löcher im p‐Halbleiter
Grenzflächenladung
Grenzflächenladung im Halbleitern (HL)
r Radius einer Fehlstelle an der Bondgrenzfläche
R Elektrischer Widerstand
T Temperatur
Tt Tunnelwahrscheinlichkeit
U Oberflächenbindungsenergie eines Targetatoms
V Spannung
VOC Offene Klemmspannung einer Solarzelle
Anodenspannung, die der Potentialdifferenz zwischen der negativ
Vacc geladenen Anode und den geerdeten Wänden der Atomstrahlquellen
entspricht.
Waferdicke
Adhäsionsarbeit
Breite der Verarmungszone im Halbleiter i
Schichtdicke bei Hallmessungen nach der Van‐der‐Pauw‐Methode
z Höhe eines Punkts auf der Oberfläche
zb Bearing Tiefe

α Thermischer Ausdehnungskoeffizient
Bondenergie, Mittelwert der Oberflächenenergien
/ Oberflächenenergien pro Flächeneinheit
Dielektrizitätskonstante
Relative Dielektrizitätszahl
ɳ Wirkungsgrad einer Solarzelle
Wellenlänge des Lichts
Hall‐Mobilität
Poissonzahl
Hall‐Streufaktor




138 Anhang



Eindimensionale Ladungsverteilung
Spezifischer elektrischer Widerstand
Χ Elektronenaffinität eines Halbleiters
ψ x Potentialverlauf

∆ Diskontinuität im Leitungsband
Nominelle SiO2‐Materialabtrag
eΨ Barrierenhöhe ohne angelegte Spannung
Barrieren im Leitungsband von Halbleiter 1 und 2 bei angelegter
eΨ ,
Spannung
eΦ Abstand des (Quasi‐)Ferminiveaus vom Leitungsband
eΘ Effektive Höhe der Barriere an der Bondgrenzfläche
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Veröffentlichungen 149

9 Veröffentlichungen

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A. Green, C. Sciascia, F. Bonaccorso, K.‐P. Bohnen, H. v. Löhneysen, M. M. Kappes, P. M.
Ajayan, M. C. Hersam, A. C. Ferrari, and R. Krupke, Phonon‐Assisted Electroluminescence
from Metallic Carbon Nanotubes and Graphene, Nano Letters 10, pp. 1589–1594 (2010),
DOI: 10.1021/nl9039795.

 S. Essig, E. Stämmler, S. Rönsch, E. Oliva, M. Schachtner, G. Siefer, A.W. Bett, F. Dimroth,
Dilute Nitrides for 4‐ and 6‐Junction Space Solar Cells, Proceedings of the 9th European
Space Power Conference (ESPC), June 2011, Saint Raphael, France.

 A. Ben Or, P. Fuss‐Kailuweit, S. P. Philipps, U. Fiedeler, S. Essig, E. Oliva, F. Dimroth,
A. W. Bett, Numerical Simulations and Modeling of GaInP Solar Cells, Proceedings of the
27th EU PVSEC pp. 150 – 155, September 2012, Frankfurt, Germany.

 S. Essig, O. Moutanabbir, A. Wekkeli, H. Nahme, E. Oliva, A. W. Bett, F. Dimroth. Fast atom
beam‐activated n‐Si/n‐GaAs wafer bonding with high interfacial transparency and electrical
conductivity, Journal of Applied Physics 113, pp. 203512‐1‐6 (2013),
DOI: 10.1063/1.4807905.

 D. Häussler, L. Houben, S. Essig, M. Kurttepeli, F. Dimroth, R. Dunin‐Borkowski, W. Jäger,
Aberration‐corrected transmission electron microscopy analyses of GaAs/Si interfaces in
wafer‐bonded multi‐junction solar cells, Ultramicroscopy 134, pp. 55‐61 (2013),
DOI:10.1016/j.ultramic.2013.07.005.

 S. Essig, F. Dimroth, Fast atom beam activated wafer bonds between n‐Si and n‐GaAs with
low resistance, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2 (9), pp. Q178‐Q181
(2013), DOI: 10.1149/2.031309jss.

 K. Derendorf, S. Essig, E. Oliva, V. Klinger, T. Roesener, J. Benick, M. Hermle,
M. Schachtner, G. Siefer, W. Jäger, F. Dimroth, Fabrication of GaInP/GaAs//Si solar cells by
surface activated direct wafer bonding, IEEE Journal of Photovoltaics 3, pp. 1423‐1428
(2013), DOI: 10.1109/JPHOTOV.2013.2273097.

 A. W. Bett, S. Philipps, S. Essig, S. Heckelmann, R. Kellenbenz, V. Klinger, M. Niemeyer,
D. Lackner, F. Dimroth, Overview about Technology Perspectives for High Efficiency Solar
Cells for Space and Terrestrial Applications, Proceedings of the 28th EU PVSEC,
October 2013, Paris, France, DOI: 10.4229/28thEUPVSEC2013‐1AP.1.1.




150 Veröffentlichungen


 F. Dimroth, T. Roesener, S. Essig, C. Weuffen, A. Wekkeli, E. Oliva, G. Siefer, K. Volz,
T. Hannappel, D. Häussler, W. Jäger, A. W. Bett, Comparison of Direct Growth
and Wafer Bonding for the Fabrication of GaInP/GaAs Dual‐Junction Solar
Cells on Silicon, IEEE Journal of Photovoltaics 4, pp. 620‐625 (2014),
DOI: 10.1109/JPHOTOV.2014.2299406.



Eigene Konferenzvorträge:

 S. Essig , C. W. Marquardt, F. Hennrich, H. v. Löhneysen, R. Krupke, Electroluminescence
of Metallic Carbon Nanotubes, European Materials Research Society (EMRS) Spring
Meeting, Strasbourg, France, June 2009.

 S. Essig, E. Stämmler, S. Rönsch, E. Oliva, M. Schachtner, G. Siefer, A.W. Bett, F. Dimroth,
Dilute Nitrides for 4‐ and 6‐ Junction Space Solar Cells, 9th European Space Power
Conference, Saint‐Raphael, France, June 2011.

 S. Essig, K. Derendorf, E. Oliva, A. Wekkeli, T. Roesener, J. Benick, M. Hermle,
G. Siefer, A.W. Bett, F. Dimroth, Development of GaInP/GaAs//Si Solar Cells using Surface
Activated Wafer Bonding, Pacific RIM Meeting on Electrochemical and Solid State
Science, Honolulu, Hawaii, USA, October 2012.

Betreute Bachelorarbeit:
Simon Heller, Oberflächenpräparation von Galliumarsenid durch chemisch‐mechanisches
Polieren für das direkte Wafer Bonding mit Silicium, Bachelorstudiengang
Mikrosystemtechnik, Albert‐Ludwigs‐Universität Freiburg, 2012



Danksagung 151

10 Danksagung

Zum Abschluss dieser Arbeit möchte ich mich bei meinen Kollegen am Fraunhofer ISE,
Mitarbeitern der Universität Konstanz und externer Forschungsinstitute sowie bei meiner
Familie und Freunden für ihre Unterstützung bedanken.
Herzlichen Dank an

 Prof. Dr. Gerhard Willeke für die Betreuung dieser Arbeit.


 Prof. Dr. Elke Scheer für die Bereitschaft, das Zweitgutachten dieser Arbeit zu über‐
nehmen und Prof. Dr. Peter Nielaba für die Übernahme des Vorsitzes der
Prüfungskommission.
 die Deutschen Bundesstiftung Umwelt (DBU) für die finanzielle und ideelle Förderung
durch ein Promotionsstipendium.
 Dr. Frank Dimroth für die inhaltliche Betreuung dieser Arbeit, die gute Zusammenarbeit,
seinen niemals endenden Optimismus und dass er mir die Freiheit gelassen hat, meine
Ideen umzusetzen.
 Dr. Andreas Bett für seine Unterstützung und die hilfreiche Diskussionen im
Doktorandenseminar.
 Prof. Dr. Wolfgang Jäger und Dr. Dietrich Häußler von der Christian‐Albrechts‐
Universität zu Kiel für die HRTEM und EDXS Messungen und ihre Hilfestellungen bei der
Interpretation.
 Prof. Dr. Oussama Moutanabbir von der École Polytechnique de Montréal für lehrreiche
Diskussionen zum Wafer‐Bonding und seinem Beitrag zu unserer gemeinsamen
Veröffentlichung.
 Dr. Hartwick Nahme vom Fraunhofer Institut für Kurzzeitdynamik (EMI) für die Hilfe
bei den Ultraschallmikroskopmessungen und die unterhaltsamen Kaffeepausen.
 Dr. Jan Benick, Felix Schätzle, Sonja Seitz und Antonio Leimenstoll aus dem Bereich SEC
für die Planung und Herstellung der Si‐Solarzellen sowie die Eindiffusion und Oxidation
von Si‐Testwafern.
 Elisabeth Schäffer aus dem Bereich SEC für die Charakterisierung der verschiedensten
Solarzellen.
 Dirk Wagenmann aus dem Bereich PTQ für seine Hilfe beim Umgang mit dem spektralen
Ellipsometer.
 die zahlreichen aktuellen und ehemaligen Kollegen aus dem Bereich MST, die zum Erfolg
dieser Arbeit beigetragen haben. Besonderer Dank gilt:
 Elvira Fehrenbacher für die Messung unzähliger Kennlinien und einiger EQEs.
Toll, dass du es immer wieder geschafft hast die Messung meiner Bondproben
irgendwie dazwischen zu schieben!
 Inessa Semke, Karin Mayer, Ranka Koch und Dr. Eduard Oliva, die trotz Flittergefahr
meine Solarzellen sehr gewissenhaft prozessiert haben.
 Alexander Wekkeli für die zahlreichen AFM Messungen und die guten Tipps zur
Halbleiter‐ und Solarzellencharakterisierung.




152 Danksagung

 Manuela Scheer, Katrin Wagner und Jasmin Fuchs, die viele Stunden damit
verbracht haben, den MOVPE Reaktor zu reinigen und dadurch die Partikelanzahl
auf meinen Wafern niedrig zu halten.
 Simon Heller für seine Tätigkeiten als Hiwi und das Vertrauen während seiner
Bachelorarbeit. Die Betreuung deiner Arbeit hat mit viel Freude bereitet!
 Alexander Dilger und Armin Bösch für das Sägen der Wafer‐Bonds.
 Michael Schachtner, Tobias Gandy und Andreas Bühl für die Charakterisierung der
Mehrfachsolarzellen.
 Dr. Marc Steiner, Markus Niemeyer, Stefan Heckelmann, Felix Predan,
Dr. Tobias Roesener, Dr. Jens Ohlmann und Dr. David Lackner für das
Korrekturlesen ausgewählter Abschnitte dieser Arbeit.
 Dr. Peter Fuß‐Kailuweit, der die Software „TMTool“ entwickelt hat und immer ein
offenes Ohr für meine Fragen dazu hatte.
 Dr. Christian Karcher, der mit freundlicherweise erlaubt hat seinen Widerstands‐
rechner zu verwenden.
 Dr. Simon Philipps für die EtaOpt Rechnungen zur Bestimmung des theoretischen
Wirkungsgrades der Dreifachsolarzellen.
Außerdem danke ich Dr. Vera Klinger, René Kellenbenz, Matthias Grave,
Dr. Ulrich Fiedeler, Christoph Weuffen, Assaf Ben Or und Karen Derendorf für die gute
Zusammenarbeit in den letzten Jahren und allen Kollegen aus der III‐V‐Abteilung für die
freundliche Arbeitsatmosphäre.

 meinen Freund Alexander Urbanz, dass er einfach immer für mich da war und stets an
meinen Erfolg geglaubt hat.
 meine Schwester Sabine für ihre aufbauenden Worte und das Probelesen dieser Arbeit.
Der allergrößte Dank gilt meinen Eltern Elisabeth und Gerhard, die mich immer dazu
ermutigen, meine Pläne zu verwirklichen und niemals aufzugeben. Ohne eure Unterstützung
wäre das alles nicht möglich gewesen!