INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y

Eléctrica
Unidad Profesional Esime Ticomán
Asignatura:
PRÁCTICA NÚMERO 1
“El Diodo Rectificador”
GRUPO: 5AM3
Fecha de entrega: - Febrero -2019
Alumna:
➢Rincón Ccorahua Valery Jorget
➢ Xancopinca Trejo Luis José Eduardo
➢ Martínez Rodríguez Isaac Josué
 INTRODUCCIÓN
Aplicando lo visto en clase, comenzamos a hacer practica de nuestros
conocimientos acerca de los diodos. Como sabemos un diodo puede comportarse
de dos formas, ya sea como un circuito abierto o un cortocircuito, idealmente
podemos considerar que representa una resistencia infinita o una resistencia cero.
Este componente electrónico es ampliamente usado, es por eso que aplicaremos
su uso en diferentes casos para poder ver su comportamiento.
A continuación, se detalla más profundamente el procedimiento y los resultados que
obtuvimos en cada uno de los casos.
 OBJETIVO
Realizaremos mediciones de variables eléctricas en diferentes circuitos básicos y
de aplicación general utilizando diodos semiconductores.

MATERIAL
 1 Multímetro
 1 Fuente de alimentación de CD
 1 Generador de señales
 1 Osciloscopio de 2 canales
 2 Diodos rectificadores 1N4001
 1 Diodo de Germanio NTE109
 1 Diodo Led Rojo
 1 Diodo Led Verde
 1 Puente de diodos a 1A
 1 Transformador con derivación central y salida de 12V a 500Ma
 1 Capacitor electrolítico de 1μF a 25V
 1 Capacitor electrolítico de 4.7μF a 25V
 1 Capacitor electrolítico de 220μF a 25V
 1 Capacitor electrolítico de 1000μF a 25V
 5 Resistores de 10 kΩ a ½W
 1 Resistor de 220Ω a ½W
 1 Resistor de 18Ω a ½W
 1 Potenciómetro de 5kΩ
 1 Regulador de voltaje fijo LM7805
 1 Regulador de voltaje variable LM317
 MARCO TEÓRICO

La unión PN o diodo
Características. Se forma una unión PN cuando se ponen en contacto porciones
de silicio de tipo P y de tipo N, para dar lugar a un diodo de silicio (Fig. 1).

Figura 1. Efecto del voltaje de polarización de la unión. a) Polarización cero o neutra. b)

Polarización directa. c) Polarización inversa. Las flechas de línea continua indican la dirección de la
corriente de agujeros, y las flechas de línea interrumpida indican la dirección de la corriente de
agujeros, y las flechas de línea interrumpida indican la dirección de la corriente de electrones.

Los círculos con signo menos en el silicio tipo P representan átomos aceptores. Los
agujeros, creados por pérdida de electrones en algunos pares de enlace covalente,
son cargas positivas y están representadas por signos más. Los círculos con signos
más en el silicio tipo N representan átomos donadores. Los electrones libres, al ser
cargas negativas, se representan por signos menos.
Barras de potencial. Los electrones libres de la porción N serán atraídos por los
agujeros de la porción P, y viceversa. Sin embargo, tan pronto como los electrones
procedentes de la parte N hayan cruzado la unión serán repelidos por la carga
negativa de los átomos aceptores de la parte P. Del mismo modo, los agujeros de
P que crucen la unión serán repelidos por la carga positiva de los átomos donadores
de N. En consecuencia, la barrera de potencial establecida inmediatamente en las
dos superficies de la unión impide un movimiento elevado de electrones y agujeros
a través de dicha unión. El potencial establecido en ella depende de la cantidad de
impurezas del cristal y es del orden de 0.1 a 0.3 V. Este voltaje se llama barrera de
potencial o cresta de potencial, y su efecto es el mismo que si hubiera una batería
conectada a la unión como indica la figura 1a.
Polarización directa. Para transmitir una corriente a través de la unión hay que
neutralizar la barrera de potencial. Esto se puede conseguir conectando una fuente
de energía a las dos porciones de silicio como indica la fig. 1b. El voltaje aplicado
de esta manera se llama potencial directo o polarización directa. Los electrones
libres de la parte N serán repelidos por la fuerza negativa ejercida por la fuente y se
moverán hacia la unión. Al mismo tiempo los agujeros de la porción P serán
repelidos por la fuerza positiva ejercida por la fuente y se moverán también hacia la
unión. El voltaje de la fuente suministra a estos portadores la suficiente energía para
que sobrepasen la barrera de potencial de la unión y puedan atravesar ésta. Una
vez que han cruzado la unión, los electrones libres procedentes de N se combinan
con los agujeros de P, y los agujeros procedentes de P se combinan con los
electrones libres de la parte N. Esta acción disminuye la barrera de potencial de la
unión. Por cada agujero de la parte P que se combina con un electrón procedente
de N, un electrón de un enlace de dos electrones abandona el cristal y entra por el
terminal positivo de la fuente. Esta acción crea un nuevo agujero, que es obligado
a moverse hacia la unión debido al campo eléctrico producido por la fuente. Por
cada electrón de la parte N que se combina con un agujero procedente de P entra
un electrón en el cristal procedente del terminal negativo de la fuente. Este
movimiento constante de electrones hacia el terminal positivo y de agujeros hacia
el terminal negativo produce una corriente directa elevada If (Fig. 2a)

Figura 2. Características estáticas de un diodo de unión PN. a) Volts-ampers. b) Volts-ohms

Es de notar que la corriente relativamente elevada en el circuito externo es la suma

de las corrientes de conducción positiva y negativa.
Polarización inversa. Si se invierte la polaridad de la fuente conectada a las dos
porciones de silicio, como indica la figura 1c, se obtiene un potencial inverso o
polarización inversa. Los agujeros en exceso en P serán atraídos por la fuerza
negativa de la fuente y se moverán apartándose de la unión. Al mismo tiempo, los
electrones libres de N serán atraídos por la fuerza positiva de la fuente y también
se moverán apartándose de la unión. El efecto resultante será el mismo que si se
incrementase el voltaje de la barrera de potencial y, en conjunto, la corriente a través
de la unión será teóricamente cero. Sin embargo, en la realidad fluirá una pequeña
corriente inversa Ir, como indica la Fig. 2a.
Características estáticas. La unión PN tiene el efecto de un rectificador, puesto
que la corriente resultante del voltaje aplicado en una dirección a la unión es distinta
de la corriente resultante de aplicar el mismo voltaje en sentido opuesto. La curva
características estática volts-ampers para un diodo de germanio típico está
representada en la Fig. 2a. Las curvas de corriente directa e inversa tienen escalas
diferentes para voltaje y corriente, y ambas son no lineales en una gran parte del
campo de variación. La curva de corriente directa crece rápidamente para valores
relativamente pequeños del voltaje. La curva de corriente inversa indica que se
necesita un voltaje relativamente alto para producir incluso un valor muy pequeño
de la corriente.
La curva estática voltaje-resistencia para un diodo de germanio típico es la
representada en la figura 2b. Esta curva se ha obtenido dividiendo el voltaje en un
cierto número de puntos de la curva de la fig. 2a por la intensidad para estos voltajes.
Las curvas de resistencia directa e inversa se han dibujado con diferentes escalas
para el voltaje y para la resistencia. Aumentando el voltaje disminuye la resistencia
hasta un valor bajo, normalmente menor de 100 ohms. Disminuyendo el voltaje
directo aumenta la resistencia, y para el voltaje cero la resistencia es del orden de
centenares de miles de ohms.
 PROCEDIMIENTO
Desarrollo
I. Identificación de las terminales del diodo. Con la ayuda de un multímetro en la
opción de probador de diodos, conecte al diodo las puntas de prueba como se
muestra a continuación e identifique las terminales de ánodo y cátodo.

En directa tiene un voltaje de 0.5v indicando que esta polarizado, significa que es
ánodo- cátodo.
En inversa da un voltaje de 0 indicando que está polarizado inversamente, significa
que es cátodo-ánodo
II. Medición de voltaje umbral de distintos diodos.
Realizando el mismo procedimiento del punto anterior, llene la siguiente tabla con
los voltajes umbrales medidos para diferentes tipos de diodos.
TIPO DE DIODO VOLTAJE UMBRAL
Diodo de Silicio 1N4001 0.577v
Diodo de Germanio NTE109 0.713v
Diodo Led Rojo 1.841v
Diodo Led Verde 1.761v
III. Curva característica del diodo.
Arme el siguiente circuito para visualizar la curva característica de un diodo
semiconductor. Alimente el circuito con una señal senoidal con amplitud pico de 10
volts y frecuencia de 1 kHz.
(a) Utilice el osciloscopio en modo X-Y para visualizar los resultados y dibuje las
formas de onda resultante. Utilice un diodo de silicio. Invierta el canal 2. (b). Repita
el mismo experimento para un diodo de germanio.

Diodo de Silicio

Diodo de
Germanio
IV. Circuitos Recortadores.
Arme cada uno de los siguientes circuitos y dibuje los oscilogramas
correspondientes. Utilice como entrada una señal cuadrada de 10 Vpp a 1 kHz del
generador de señales.
V. Circuitos rectificadores.
5.1 Rectificador de media onda. Arme los siguientes circuitos rectificadores de
media onda y grafique sus resultados. Utilice una señal senoidal con amplitud de 6
volts y frecuencia de 1 kHz.
5.2. Rectificadores de onda completa.
Arme los siguientes circuitos rectificadores de onda completa y grafique las señales
resultantes. Utilice el transformador de 12 Vrms a 500 mA conectado a la línea de
alimentación.
5.3. Rectificador con filtro capacitivo.
Al circuito rectificador de onda completa conecte un capacitor en paralelo al resistor
de carga. Dibuje las señales de salida. Utilice 3 valores de capacitores diferentes,
4.7 µF, 220µF y 1000µF. El resistor será de10 kΩ

4.7µF

220µF

1000µ
F
VI. Reguladores integrados de voltaje.
6.1. Regulador de voltaje fijo de +5 volts. Arme el siguiente circuito y dibuje las
señales de salida del regulador, voltaje de CD y voltaje de rizo.
Regulador de Voltaje Fijo

6.2. Regulador de voltaje variable.

Arme el siguiente circuito y dibuje las señales de salida del regulador, voltaje de CD
y voltaje de rizo.
Regulador de voltaje variable
 CONCLUSIONES INDIVIDUALES
Martínez Rodríguez Isaac Josué

Al agregar diferentes tipos de elementos a nuestro circuito podemos variar el

voltaje y tener una señal más limpia. Podemos determinar las terminales de los
diodos por medio del resultado de su voltaje.
Rincón Ccorahua Valery Jorget:
En el momento en que estudiamos un componente electrónico tan usado en la
industria de diferentes formas como en iluminación, señalizaciones de tránsito
(semáforos), fuentes de alimentación, televisiones, impresoras, sensores, entre
muchas otras, debemos poner especial atención para saber como se comportan
dependiendo de su circuito y de la forma en que lo conectamos.
A lo largo del desarrollo de esta práctica pudimos apreciar las gráficas que vimos
en clase teóricamente.

Xancopinca Trejo Luis José Eduardo:

Puedo concluir que el diodo tiene una gran cantidad de usos que van desde
rectificar una señal hasta protección para evitar un corto circuito. También
observamos como la onda característica cumple de acuerdo a la teoría vista,
aunque con algunas variaciones. El diodo es uno de los componentes mas
importantes en cualquier circuito.

BIBLIOGRAFÍA
Slurzberg Morris y Osterheld William. Fundamentos de Electricidad- Electrónica.
McGraw-Hill, 1970
https://www.efectoled.com/blog/todo-sobre-los-diodos/