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Circuito de la Conjunta de Electrónica de Potencia,

Fila 2
GRUPO 10

Francisco Changotasi, Robinson Torres


Departamento de Eléctrica y Electrónica
Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE
frankch@espe.edu.ec , ratorres9@espe.edu.ec

Abstract- This document summarizes some characteristics of the propagación se combinan para simplificar el uso en
behavior of the circuit solved as part of the joint of the second aplicaciones de alta frecuencia. El canal flotante se puede
partial in the field of power electronics. utilizar para impulsar un MOSFET o IGBT de potencia de
Resumen- El presente documento resume algunas canal N en la configuración del lado alto que opera hasta 500
características del comportamiento del circuito resuelto como o 600 voltios.
parte de la conjunta del segundo parcial en la materia de
electrónica de potencia.

Palabras Clave- IR2110.

I. OBJETIVOS
• Obtener algunas de las características de
funcionamiento del convertidor para predecir su
comportamiento.
• Reconocer la posición adecuada en la que debe ir el
diodo y el mosfet.
• Verificar el funcionamiento de lo calculado en el Figura 1. Esquema del circuito de funcionamiento IR2110
laboratorio por medio de un circuito práctico
• Convertidores DC/DC
II. MATERIALES
Son circuitos que transforma corriente continua de una tensión
Para armar el circuito se utilizó: a otra. Suelen ser reguladores de conmutación, dando a su
• Resistencias salida una tensión regulada y, la mayoría de las veces con
• Diodos limitación de corriente. Se tiende a utilizar frecuencias de
• Capacitores. conmutación cada vez más elevadas porque permiten reducir
• Bonina. la capacidad de los condensadores.
• Integrado 555
• MOSFET Una de las ventajas es que Simplifican la alimentación de un
• Driver IR2110. sistema, porque permiten generar las tensiones donde se
necesitan, reduciendo la cantidad de líneas de potencia
Para la revisión del circuito en su caso práctico se usará: necesarias. Además permiten un mejor manejo de la potencia,
• Osciloscopio control de tensiones de entrada y un aumento en la seguridad.
• Generador de señales
• Multímetro • Circuito Bootstrap

III. MARCO TEÓRICO El circuito es capaz de activar un transistor Mosfet, en el cual


se usa el driver IR2110 que permite accionar el dispositivo
• IR2110 Driver control de potencia cuando se obtenga una señal de control en sus terminales de
entrada.
Los IR2110 son controladores MOSFET e IGBT de alta
tensión y alta velocidad con canales de salida independientes Posee dos estados de funcionamiento:
con señal de lado alto y bajo. Las entradas lógicas son
compatibles con la salida estándar CMOS o LSTTL, hasta una • Cuando se recibe un estado de bajo y uno en alto.
lógica de 3.3V. Los controladores de salida cuentan con una En este estado el driver no acciona la conmutación y
etapa de buffer de corriente de alto pulso diseñada para la provoca que se cargue el capacitor.
conducción cruzada mínima del conductor. Los retrasos de
• Cuando hay conmutación se crea una conexión entre
la resistencia y el capacitor en paralelo generando un Nodo A:
circuito RC. En este punto, cae entre el gate del 𝑖𝑐 = −𝐼
Mosfet existe un voltaje igual al valor almacenado por Malla 1:
el capacitor. 𝑉𝐿 = 𝑉𝑔

IV. PROCEDIMIENTO • Balance Voltio-segundo:

< 𝑣𝐿 > = 0 = 𝐷(𝑉 − 𝑉𝑔 ) + 𝐷 ′ (𝑉𝑔 )

𝐷(𝑉 − 𝑉𝑔 ) + (1 − 𝐷)(𝑉𝑔 ) = 0

𝐷(𝑉 − 𝑉𝑔 ) + 𝑉𝑔 − 𝐷𝑉𝑔 = 0

𝐷𝑉 = 𝑉𝑔 (𝐷 − 1 + 𝐷)

𝐷𝑉 = 𝑉𝑔 (2𝐷 − 1)

𝑉 2𝐷 − 1
Figura 2. Esquema del circuito de la conjunta 𝑀= =
𝑉𝑔 𝐷
ANÁLISIS MATEMÁTICO:
• Balance de Carga:

• Intervalo I < 𝑖𝐶 > = 0 = 𝐷(−𝐼𝐿 − 𝐼) + 𝐷′ (−𝐼)

𝐷(𝐼𝐿 + 𝐼) + (1 − 𝐷)(𝐼) = 0

𝐷𝐼𝐿 + 𝐷𝐼 + 𝐼 − 𝐼𝐷 = 0

𝐷𝐼𝐿 = −𝐼

𝐼𝐿 1
=−
𝐼 𝐷

Adicionalmente en el intervalo 1:
Figura 3. Circuito en el intervalo 1
𝐼
𝑖𝐹 = −𝐼𝐿 =
𝐷
Nodo A:
−𝐼𝐿 = 𝑖𝑐 + 𝐼 𝑉𝑠 = −𝑉𝐿 = 𝑉𝐹 = 𝑉𝑔 − 𝑉
𝑖𝑐 = −𝐼 − 𝐼𝐿
1
𝑉𝐹 = 𝑉𝑔 − (2 − ) 𝑉𝑔
Malla 1: 𝐷
−𝑉𝑔 − 𝑉𝐿 + 𝑉𝐶 = 0
1
𝑉𝐿 = 𝑉 − 𝑉𝑔 𝑉𝐹 = 𝑉𝑔 ∗ (−1 + )
𝐷
• Intervalo II 𝐼
𝑖𝐴 = −𝐼𝐿 =
𝐷

Adicionalmente en el intervalo 2:

𝐼2
𝑖𝐵 = 𝐼𝐿 = −
𝐷

𝑖𝐻 = 𝐼2

𝑉𝐴 − 𝑉𝐿 + 𝑉 = 0

𝑉𝐴 = 𝑉𝑔 − 𝑉 = 𝑉ℎ
Figura 3. Circuito en el intervalo 2
1 Por lo tanto, el resultado será:
𝑉𝐻 = 𝑉𝑔 (−1 + ) 1 1
𝐷
2Δ𝑖𝐿 𝑉𝑔 (2 − 𝐷 − 1) 𝑉𝑔 (1 − 𝐷 )
= =
𝐷𝑇𝑠 𝐿 𝐿

Resumiendo, se sabe que: 1


𝐷𝑇𝑠 (1 − ) 𝑉𝑔
Δ𝑖𝐿 = 𝐷
2𝐿
𝑖𝐹 𝑒𝑠 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜 𝑦 𝑉𝐹 𝑒𝑠 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜 , por lo que se trabaja en el
primer cuadrante con un Mosfet. 𝑇𝑠(𝐷 − 1)𝑉𝑔
Δ𝑖𝐿 =
𝑖𝐻 𝑒𝑠 𝑛𝑒𝑔𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 𝑦 𝑉𝐻 𝑒𝑠 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜 , por lo que se trabaja en el 2𝐿
cuarto cuadrante con un diodo. Finalmente:
𝑖𝐴 𝑒𝑠 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜 𝑦 𝑉𝐴 𝑒𝑠 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜 , por lo que se trabaja en el 𝐷′𝑇𝑠𝑉𝑔
primer cuadrante con un Mosfet. Δ𝑖𝐿 = −
2𝐿
𝑖𝐵 𝑒𝑠 𝑛𝑒𝑔𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 𝑦 𝑉𝐵 𝑒𝑠 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜 , por lo que se trabaja en el RIZADO-VOLTAJE
cuarto cuadrante con un diodo.
En los intervalos 1 y 2:
El circuito equivalente resultante es:
𝑖𝐶 = −𝐼𝐿 − 𝐼

𝑖𝐶 = −𝐼

Se sabe que:
𝑑𝑣𝑐
𝑖𝐶 = 𝐶
𝑑𝑡

Por lo tanto:
Figura 3. Realización del Circuito
𝑑𝑉𝐶 −𝐼 − 𝐼𝐿
Siguiendo con el análisis matemático se procederá con: =
𝑑𝑡 𝐶

• Rizado-Corriente 𝑑𝑉𝐶 𝐼
=−
𝑑𝑡 𝐶
En los intervalos 1 y 2: Reemplazando:

𝑉𝐿 = 𝑉 − 𝑉𝑔 2Δ𝑉𝐶 −𝐼𝐿 − 𝐼
=
𝐷𝑇𝑠 𝐶
𝑉𝐿 = 𝑉𝑔
Donde:
Se sabe que:
𝑑𝑖 𝐼
𝑉𝐿 = 𝐿 𝐼𝐿 = −
𝑑𝑡 𝐷

Por lo tanto: Por lo tanto, el resultado será:

𝑑𝑖𝐿 𝑉 − 𝑉𝑔 1
= 2ΔVC 𝐼 (− 𝐷 − 1) 𝐼𝑇𝑠(1 − 𝐷)
𝑑𝑡 𝐿 = =
𝐷𝑇𝑠 𝐶 𝐶
𝑑𝑖𝐿 𝑉𝑔 𝐼 𝑇𝑠(1 − 𝐷)
= Δ𝑉𝐶 =
𝑑𝑡 𝐿 2𝐶
Reemplazando:
𝐼 𝑇𝑠 𝐷′
2Δ𝑖𝐿 𝑉 − 𝑉𝑔 Δ𝑉𝐶 =
= 2𝐶
𝐷𝑇𝑠 𝐿 Finalmente:
También se considera que:
𝑉𝐷′𝑇𝑠
Δ𝑉𝐶 =
2𝐷 − 1 2𝑅𝐶
𝑉 = 𝑉𝑔 ( )
𝐷
V. CONCLUSIONES
• El MOSFET de potencia se usa en aplicaciones de
muy alta frecuencia, típicamente fuentes en las cuales
es necesario reducir tamaño, peso y costo de
transformadores, inductores y condensadores.
• El driver permite que los clientes diseñen
aplicaciones con microcontroladores que trabajen
con una tensión a partir de 2,0 V, utilizando el driver
del MOSFET para elevar las señales de salida hasta
18 V, además de reducir las pérdidas de potencia en
el controlador y minimizar las pérdidas de
conducción en el MOSFET de potencia.
• El circuito bootstrap se lo utiliza para levantar el
punto de operación de un transistor, por sobre el valor
de la alimentación, debido a que se usan MOSFET de
tipo N, y se requieren de un voltaje mayor para la
alimentación

REFERENCIAS
[1] Hart, D. W. (2011). Power electronics. Tata McGraw-Hill Education.