INFORME PREVIO

1. Defina los parámetros híbridos del transistor. Explique los modelos de

pequeña señal del transistor en emisor común, base común y colector común.

MODELO HÍBRIDO DEL BJT:

El modelo híbrido o equivalente híbrido del transistor es un modelo circuital que

combina impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de allí el nombre
de híbrido.

La obtención de los parámetros híbridos involucrados dentro del modelo se hace en

base a la teoría de cuadripolos o redes de dos puertos.

La sustitución del símbolo del BJT por su modelo híbrido durante el análisis en c.a.
permite la obtención de ciertos valores de interés como son: la ganancia de voltaje
(Av), ganancia de corriente (Ai), impedancia de entrada (Zi) y la impedancia de
salida (Zo).

Estos valores dependen de la frecuencia y el símbolo circuital por sí solo no

considera este aspecto, de allí la utilidad del modelo híbrido quien si lo considera.

Modelo Híbrido del BJT en Configuración Emisor Común:

El transistor BJT NPN en configuración emisor común se muestra en la figura 1.

Se observa de la figura 1 que el transistor en esta configuración es una red de dos

puertos, un puerto de entrada y un puerto de salida, por tanto puede tratarse como
tal.
Una red de dos puertos en general (figura 2) se describe por el siguiente juego de
ecuaciones:

Vi = h11ii + h12 Vo

io = h21ii + h22 Vo

Las variables involucradas dentro de la red son vi, ii, vo e io y los parámetros que
relacionan estas variables son los parámetros híbridos, h.

Una analogía del BJT con la red de dos puertos general resulta en:

VBE = h11iB + h12 VCE Ecuación 1

iC = h21iB + h22 VCE Ecuación 2

El cálculo de los parámetros híbridos (h) se hace a partir del manejo de las variables.

Si Vce=0 (salida en corto) en la ecuación 1, se tiene que h11 =

Este parámetro híbrido se mide en Ω y se conoce como impedancia de entrada con

salida en corto y en BJT en configuración emisor común recibe el nombre de h ie.

De la ecuación 2, se tiene el cual es un parámetro hibrido sin unidades.

Conocido como relación de transferencia directa entre la corriente de salida y la
corriente de entrada, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el
nombre de hfe.

Si ib=0 (entrada en circuito abierto) en la ecuación 1 se tiene h12 =

Este parámetro h es adimensional y se conoce como relación de transferencia

inversa de voltajes, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el
nombre de hre.

De la ecuación 2, se tiene h22 = el cual es un parámetro híbrido medido en ° y se

conoce como admitancia de salida con entrada en circuito abierto, en el transistor
BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hoe.

Las ecuaciones 1 y 2 se reescriben y quedan como:

VBE = hie iB + hre VCE Ecuación 3

iC = h fe iB + hoe VCE Ecuación 4

Cada ecuación puede representarse circuitalmente y la unión de los circuitos

resultantes corresponde al equivalente o modelo híbrido.
La ecuación 3 se representa a través de circuito en serie (malla), mientras que la
ecuación 4 se representa a través de un circuito en paralelo (nodo), tal como
muestra la figura 3.

La unión de los dos circuitos (Figura 4) se hace tomando en cuenta que iE = iC + iB y

en c.c. se tiene IE = IC + IB = (β + 1)I B . El valor de β medido en c.c es aproximado
al valor de hfe el cual es un parámetro híbrido medido en c.a., así: β ≅ h fe con lo
que ahora i E = (hfe + 1)iB.

Los valores de hoe y hre son tan pequeños que pueden despreciarse originando un
modelo híbrido simplificado como el que se muestra en la figura 5.
El valor de vBE en hre es muy pequeño comparado con vCE, por lo que hre≈0. Este
hecho anula la fuente de voltaje dependiente hrevCE del modelo híbrido de la figura
4.

En hoe, iC<<VCE por lo que hoe resulta en una admitancia cero hoe≈0 y una admitancia
nula es equivalente a una resistencia infinita; por esta razón en el modelo híbrido
simplificado no aparece hoe.

MODELOS EN PEQUEÑA SEÑAL

Emisor común:

C1 y C2: condensadores de acoplamiento.

CE: condensador de desacoplo de RE2

Circuito de polarización

Recta de carga estática

Punto de trabajo

Equivalente de pequeña señal

Caso particular RE1 = 0

Caso particular sin CE

Recta de carga dinámica

 Recta de carga en pequeña señal:

 Las componentes de señal se encuentran superpuestas a las de continua:

 Recta de carga dinámica:

Punto de máxima excursión simétrica

 La máxima amplitud de oscilación se obtiene cuando el punto de trabajo está

centrado en la recta de carga dinámica:

 Punto de máxima excursión simétrica (ICmes,VCEmes)

Colector Común:

No es necesaria RC para la polarización del transistor ni para el buen

funcionamiento del amplificador.
Punto de máxima excursión simétrica

Base Común:

Punto de máxima excursión simétrica:

2 analizar el circuito según lo indicado en el procedimiento

un amplificador seguidor de emisor con resistencia de emisor, empleando un

transistor NPN ( =300). Utilice Vcc=18V. El circuito debe tener Ai=15 y una
RL=200 acoplada capacitivamente. Calcule también Av, Zi y Zo. Determine su
punto de operación teórico, incluya las líneas de carga de ca y cd.

Figura 1.AmplificadorSeguidor de Emisor

Cálculos de RB para el amplificador empleando la formula larga

26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑏 = =
𝐼𝐶𝑄 60𝑚𝐴

ℎ𝑖𝑏 = 0.4333
 𝑅𝐵 𝑅𝐸
𝐴𝑖 = ( )( )
𝑅𝐵
+ ℎ𝑖𝑏 + (𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 ) 𝑅𝐸 + 𝑅𝐿
𝛽

𝑅𝐵
15 = ( ) (0.5)
𝑅𝐵
(100)
300 + 0.4333 +

300𝑅𝐵
30 = ( )
𝑅𝐵 + 30129.99

30𝑅𝐵 + 903899.7 = 300𝑅𝐵

903899.7
𝑅𝐵 =
300 − 30

𝑅𝐵 = 3.3478𝐾Ω

Cálculos de R1y R2

𝑉𝑐𝑐 18
𝐼𝐶𝑄 = =
𝑅𝑐𝑎 + 𝑅𝑐𝑑 100 + 200
𝐼𝐶𝑄 = 60𝑚𝐴

𝑉𝑐𝑐 18
𝑉𝐶𝐸𝑄 = =
𝑅𝑐𝑑 200
1 + 𝑅𝑐𝑎 1 + 100

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 6𝑉

𝑅𝐵 3.3478𝑘
𝑉𝐵𝐵 = (𝐼𝐶𝑄 ) ( + 𝑅𝐸 ) + 0.7 = (60𝑚𝐴) ( + 200) + 0.7
𝛽 300

𝑉𝐵𝐵 = 13.3696 𝑉

𝑉𝐶𝐶 18
𝑅1 = (𝑅𝐵 ) ( ) = (3.3478𝑘) ( )
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐵 18 − 13.3696
𝑅1 = 13.0141𝑘

𝑉𝐶𝐶 18
𝑅2 = (𝑅𝐵 ) ( ) = (3.3478𝑘) ( )
𝑉𝐵𝐵 13.3696

𝑅2 = 4.5073𝑘

Rectas de carga
𝑉 18
Ic= 𝑅𝐶𝐶 = 200
𝐸

Ic= 90mA
𝑉𝐶𝐸𝑄 6
I’c= + 𝐼𝐶𝑄 = + 60𝑚𝐴
𝑅𝐶𝐴 100

I’c=120mA

V’cc=𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐶𝐴 = 6 + (60𝑚𝐴)(100)

V’cc=12v

Recta dc Recta ac
140Ic (mA)

120 120

100
90
80

60 60

40

20

0
0 5 10 15 Vce (V)
20

𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 100
𝐴𝑉 = =
ℎ𝑖𝑏 + (𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 ) . 4333 + 100

𝐴𝑉 = 0.9956
 𝑅𝐵 (ℎ𝑖𝑏 + (𝑅𝐸 ||𝑅𝑙 ) 3.3478𝑘(0.4333 + 100)
𝑅𝐼𝑁 = =
𝑅𝐵 3.3478𝑘
+ ℎ𝑖𝑏 + (𝑅𝐸 ||𝑅𝑙 )
𝛽 300 + 0.4333 + (100)

𝑅𝐼𝑁 = 3.013𝑘