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UNIVERSIDAD NACIONAL DE
INGENIERIA
FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA
INTRODUCCION
INDICE
LABORATORIO 1:
RECTIFICADORES DE TENSION DE MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA
CURVAS DEL DIODO.
LABORATORIO 2:
EL TRANSISTOR BIPOLAR. POLARIZACIÓN EN DC. APLICACIONES COMO
SEGUIDOR EMISOR Y COMO CONMUTADOR.
LABORATORIO 3:
PARAMETROS Y AUTOPOLARIZACION DEL FET
LABORATORIO 4:
DISEÑO Y ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL
APLICACIONES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
CRITERIOS DE EVALUACION
Informe previo. - Este deberá contener los cálculos teóricos, que ha efectuado el
grupo, los cuales serán comparados con el valor experimental y sacado los
porcentajes de error para parámetro analizado en el experimento. Este informe será
entregado en el instante que se llegue al aula,
La entrega del informe final será una semana después de realizada la experiencia.
LABORATORIO 1
RECTIFICADORES DE TENSION DE
MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA
CAPACIDADES:
1.1.- Verificar la acción rectificadora del diodo semiconductor
1.2.- Mide las tensiones AC y DC, en el secundario del transformador y en la resistencia
de carga.
1.3- Identifica con el osciloscopio la forma de onda de voltaje en el secundario del
transformador y en la resistencia de carga de un circuito rectificador.
INFORME PREVIO:
Fig. 01
-El diodo 1N4007 tiene una rayita en el lado derecho que indica el CATODO del diodo , evidentemente el
otro extremo es el ANODO del diodo.-
-Conectar el ohmímetro en polarización DIRECTA y registre el valor del ohmímetro.
- Luego conecte el instrumento en polarización INVERSO y registre el valor del ohmímetro
POLARIZACION DIRECTA INVERSA
1N4007
LED
B.-Medir la Curva V vs I
-Instalar el circuito de la figura 02
-Notara que si los polos de la fuente se invierten la
corriente i del circuito no existe, por que el DIODO esta
polarizado en INVERSO
-Medir las tensiones del circuito y llenar la Tabla 01
-Con los valores obtenidos en un papel milimetrado
trazar la curva del diodo V vs I conforme a la figura 03
Fig.02
TABLA 01
Fig.03
V= v(t)=24
I= = =
rD=
Retire el puente
-
D.-RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA.
- TABLA 05
Mediciones V(t) Vo I
ORC METER ORC METER ORC I=v(t)/R
RMS /MEDIO RMS /MEDIO
RMS /MEDIO
4DIODOS
normal
-Conecte el ORC en los terminales de cada DIODO del puente y registre la onda de tensión inversa
TABLA 6
D1 D2 D3 D4
ORC
Rms
medio
VOLTIMETRO
Rms
medio
4.-Cuestionario.
1.-Que es un DIODO?
2.-Que son materiales semiconductores?
3.-Que datos da el fabricante para cada diodo?
4.-Que es un rectificador Media Onda y Onda Completa
5.- Cual es el circuito equivalente para la conducción de los diodos en un rectificador de onda
completa?
6.-Mencione los Tipos de Diodos?
7.- ¿Que es un limitador?
8.- ¿Que es corriente de saturación inversa?
9.- ¿Que es polarización?
10.- ¿Que es tiempo de recuperación inversa?
11.- ¿Que son donadores y aceptores?
12.- ¿Cuál es valor medio y RMS de una onda rectificada en la carga en un circuito similar al de la
figura 5, Si la tensión del secundario del transformador es 110 voltios RMS? -
13.- ¿Cuál es el valor medio de una onda trifásica de 24 voltios rectificada?
FUNDAMENTO TEORICO:
El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o
positiva de una señal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtiéndola en corriente
directa de salida (V0).
Es el circuito más sencillo que puede construirse con un diodo, como lo demostraremos en
la experiencia.
Análisis del circuito (diodo ideal)
Los diodos ideales, permiten el paso de toda la corriente en una única dirección, la
correspondiente a la polarización directa, y no conducen cuando se polarizan
inversamente. Además su voltaje es positivo
Polarización directa (Vi > 0)
En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restricción, provocando una caída
de potencial que suele ser de 0,7 V. Este voltaje de 0,7 V se debe a que usualmente se
utilizan diodos de silicio. En el caso del germanio, que es el segundo más usado, la caída
de potencial es de 0,3 V.
Vo = Vi - VD → Vo = Vi - 0,7
y la intensidad de la corriente puede fácilmente calcularse mediante la ley de Ohm:
Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro. Para la presente
experiencia utilizaremos cuatro diodos.
En este caso se emplean cuatro diodos con la disposición de la figura. Al igual que antes,
sólo son posibles dos estados de conducción, o bien los diodos 1 y 3 están en directa y
conducen (tensión positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se encuentran en
inversa y conducen (tensión negativa).
PROCEDIMIENTO:
T1 D1
DIODE
R1
1k
Figura 1.1
4.- Con el Osciloscopio medir el voltaje pico a pico (Vpp) en el secundario del transformador
Vpp =_______________
6.- Dibujar las formas de ondas que se visualizan en el osciloscopio cuando se mide:
1. el secundario del transformador 2. Los extremos de la resistencia
Voltaje
(Voltios)
Tiempo
Voltaje
(Voltios)
Tiempo
Usar los valores encontrados en la tabla 1.1 y los obtenidos en el punto 4, para completar
lo siguiente:
TABLA 1.2
T1
D3 D1
R1
D2 D4 1k
Voltaje
(Voltios)
Tiempo
Voltaje
(Voltios)
Tiempo
Usar los valores encontrados en la tabla 3.1 y los obtenidos en el punto 4, para completar
lo siguiente:
CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES
LABORATORIO 2
EL TRANSISTOR BIPOLAR
CIRCUITOS DE POLARIZACION
CURVAS CARACTERÍSTICAS
CAPACIDADES:
1.1.- Determina las corrientes y voltajes de los circuitos de polarización de BJT’s básicos.
1.2.- Implementar y obtener el cuadro de voltajes de los circuitos de polarización de BJT’s
básicos.
1.3.- Verifica la curva característica del transistor
INFORME PREVIO:
1. Indicar las características eléctricas del Transistor BC548 (ECG 123AP). Considerar h FE =
para todos los cálculos.
2. Asignar un nombre a cada tipo de polarización que se presenta a continuación (revisar textos).
3. Calcular IB, IC, VCE, VRC, VC, VB, VE, además ubicar el punto Q en la recta de Carga .
4. Calcular IB, IC, VCE, VRC, VRE, VC, VB, VE, además ubicar el punto Q en la recta de Carga.
5. Calcular IB, IC, VCE, VRC, VRE, VC, VB, VE, además ubicar el punto Q en la recta de Carga.
6. Calcular IB, IC, VCE, VRC, VC, VB, VE, además ubicar el punto Q en la recta de Carga.
7. Calcular IB, IC, VCE, VRC, VRE, VC, VB, VE, además ubicar el punto Q en la recta de Carga.
MATERIALES Y EQUIPOS:
2 transistores 2N2222
2 transistores BC 548
Resistencias: 1 K, 1.2 K, 2.7K, 3.9 K, 6.8K ,27K, 100K, 1000K, 1500K
1 PROTOBOARD
1 multímetro Digital
1 multímetro Analógico
1 OSCILOSCOPIO
1 fuente de alimentación de 0 a 12 v
CABLES TELEFÓNICOS
PROCEDIMIENTO:
1. Con el rango del ohmímetro en Rx1 (multímetro analógico) o (Multímetro Digital), determinar la
Base, Colector y Emisor considerando:
Transistor BC142
3. ¿Por qué existe gran diferencia entre lo calculado y medido en el caso de Polarización Fija?
4. ¿Cuál de los circuitos de polarización resultó más exacto entre lo calculado y medido?.
5. De acuerdo a la ubicación del punto Q, en la recta de Carga. ¿En qué zona se ubica cada una
de las polarizaciones?
6. Utilice un software de simulación y verificar los circuitos desarrollados (Pspice, workbench,
Circuit-Maker, Orcad).
7. Observaciones y conclusiones.
LABORATORIO 3
PARAMETROS Y AUTOPOLARIZACIÓN
DEL FET (EL TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO)
CAPACIDADES
1.1 Obtiene los parámetros y curva de transconductancia del JFET
1.2 Comprueba la autopolarización del mismo.
INFORME PREVIO
Canal N Canal P
TRANSISTORES MOSFET
2.- Como se obtiene la curva de transferencia Io vs Vgs indicando los puntos de operación
y las rectas de polarización Io (1 / Rs ).Vgs Obtenidas de Vgs IoRs por
inducción de la curva aproximar los datos de FEJFET como son Idss y Vp
3.- Como se Traza la curva de transferencia Id Vs Vgs indicando los puntos de operación
obtenidos Indicar la zona del transistor JFET y la recta de carga en cada caso
Figura 1
Figura 2
MATERIALES Y EQUIPOS:
PROCEDIMIENTO:
1.- Obtenga la hoja de especificaciones del JFET 2N5457.
2.- ARME EN PROTOBOARD EL CIRCUITO DE LA FIGURA 5.1
DESARROLLO
En el desarrollo de esta práctica emplearemos la definición de cada uno de los 2 primeros
parámetros para su medición práctica. También tomaremos algunas mediciones para
obtener la curva de transconductancia del JFET que emplearemos.
3. CIRCUITO
R1
220
Q1 + V1
2N5457
FIG 5.1
VDS (V)
Graficar VDS vs ID
Corriente ID
VDS
Circuito 2
V3 fuente variable
Incremente el valor de VGG = V3 hasta que ID = 0. En ese momento tome la lectura de VGS
(OFF) = vGS
R1
220
V2
1.5V Q1 + V1
2N5457
+
10V
V3
+
VGG 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
ID
VGS
ID
VGS (v)
ID
VGS 0.0 -0.3 -0.6 -0.7 -1.0 -1.2 -1.5 -1.7 -2.0
3.-circuito 3
Arme el circuito de autopolarización
12V
R2
2.2k C1
1uF
+
C3
0.01uF Q1
V1 2N5457
-100m/100mV
R1 R4
1M R3 1k
+
1k C2
1kHz 10uF
Reportar:
1,- Valores obtenidos de IDSS, VGS(OFF) . Compara estos valores con los especificados con el
fabricante.
2.- Valores y curva de transconductancia
3.- Ganancia de voltaje del JFET
4.- Como se obtiene el punto Q de trabajo del JFET
OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES
LABORATORIO 4
DISEÑO Y ANALISIS DE UN
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
CAPACIDADES
1.1 Implementa y analiza circuitos con amplificadores con el circuito integrado LM324.
1.2 Comprueba el uso de las diversas configuraciones del mismo.
1.3 Comprueba las diversas aplicaciones del amplificador operacional
INFORME PREVIO
MATERIALES Y EQUIPOS
1 osciloscopio digital
1 multímetro Digital
1 Fuente DC os
1 generador de Ondas
1 Protoboard
Resistencias los que se indican en los circuitos
Condensadores electrolíticos los que se indican en los circuitos.
Polarización de +12 y -12 voltios
Los valores utilizados son los listados: R1 = R4 = 5K; R2 = R3 = 100K.
R1 = 20K; R2 = 50K. R3 = 400K, R4 = 5K
PROCEDIMIENTO
A.- AMPLIFICADOR INVERSOR
1. Implementar el circuito de la figura 1 un a m p l i f i c a d o r e n t o p o l o g ía i n v e r s o r a
c o n e l c i r c u i t o integrado 2xM741.C
Figura 1
Figura 2
Av. = 1 + (Rf/R1)
CUESTIONARIO