Electromagnetismo, Circuitos y Semiconductores (PG 183-253)

Capı́tulo 15
Circuitos que dependen del tiempo
15.1. Condensadores
En los circuitos que hemos considerado hasta ahora, los voltajes e intensidades perma-
necı́an constantes en el tiempo. Sin embargo, es posible que los voltajes e intensidades
sean variables en el tiempo. Aparecen en este caso dos nuevos elementos que a tener
en cuenta: condensadores e inductores o bobinas. En el caso de circuitos con voltajes
y corrientes constantes estos dos elementos no juegan papel alguno, ya que el conden-
sador se comporta como un interruptor abierto y el inductor como uno cerrado. Sin
embargo, en circuitos variables en el tiempo ambos elementos presentan propiedades
que dependen del modo en que los voltajes y las corrientes varı́an. Estos componentes,
combinados con resistencias, completan el trı́o de elementos lineales pasivos que for-
man la base de prácticamente todos los circuitos. En este capı́tulo trataremos algunos
circuitos en donde intervienen condensadores e inductores o bobinas. Comencemos
analizando los primeros.
Los condensadores permiten construir circuitos que recuerdan su historia reciente,
esto es, circuitos con memoria. Esta habilidad permite hacer circuitos temporizadores
(circuitos que permiten que algo suceda después de que otra cosa haya ocurrido),
de entre los cuales los más importantes son los osciladores. Esta propiedad también
permite construir circuitos que responden principalmente a cambios (diferenciador) o
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a promedios (integradores) y, los más importantes, circuitos que favorecen un rango

de señales de frecuencias determinadas sobre otras (filtros).
Los condensadores se representan, en los diagramas de circuitos, mediante el
sı́mbolo que podemos ver en la figura 15.1. Este sı́mbolo recuerda al de un condensador
plano, aunque en realidad hay gran variedad de formas y tamaños. Para conocer cómo
se comporta un condensador, basta aplicar la regla
Q = CV, (15.1)
donde Q es la carga acumulada en la placa positiva del condensador, C es la capacidad

del condensador, y V es la diferencia de potencial entre sus placas. Veı́amos que la
capacidad era una medida de lo grande que es un condensador, esto es, cuánta carga
era capaz de almacenar cuando se conecta a una diferencia de potencial V . Para
el estudio de los condensadores en circuitos, se requiere, sin embargo, una relación
entre voltaje y corriente. Esto lo conseguimos tomando la derivada con respecto del
Arrayás, Manuel. <i>Electromagnetismo, circuitos y semiconductores</i>, Dykinson, 2007. ProQuest Ebook Central,
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184 Circuitos que dependen del tiempo
V Q
Figura 15.1. Sı́mbolo para condensador. Figura 15.2. Analogı́a con un recipiente que
contiene agua.
tiempo de la expresión (15.1) teniendo en cuenta que la capacidad es una constante.

Se obtiene entonces
dV
I=C . (15.2)
dt
Esta relación expresa que mientras mayor sea la corriente, más rápido cambia el vol-
taje. La analogı́a con un fluido resulta útil para entender esto mejor. En la figura 15.2,
un recipiente (un condensador de capacidad C) tiene agua (carga Q) hasta una cierta
altura (voltaje V ). Si se llena o vacı́a el recipiente mediante una manguera, el nivel del
agua cambiará (subirá o bajará) más rápida o lentamente dependiendo de lo grande
que sea el caudal de la manguera (intensidad I). Es importante notar que, en la ecua-
ción (15.2), la corriente es la que se dirige desde la placa negativa del condensador a
la placa positiva. Éste es el sentido positivo estándar. Si la corriente fuera en sentido
inverso, llevarı́a un signo menos en la expresión (15.2).
15.2. Condensadores en serie y en paralelo
La capacidad total de varios condensadores asociados en paralelo es igual a la suma

de las capacidades individuales de cada condensador. En la figura 15.3 podemos ver
dos condensadores asociados en paralelo. Es fácil ver cuál es la capacidad total de la
asociación. Si conectamos el circuito a una diferencia de potencial V , entonces ten-
dremos que QT = Q1 + Q2 , donde QT es la carga total almacenada por la asociación.

Empleando ahora la definición de capacidad, se llega a
CT = C1 + C2 . (15.3)
Para condensadores asociados en serie, como muestra la figura 15.4, la fórmula es
1 1 1
= + . (15.4)
CT C1 C2
En este caso la carga en cada condensador es la misma. Se deja para los ejercicios
demostrar estas expresiones. Como vemos, la asociación en paralelo de las capacidades
es como la asociación en serie de resistencias, y la asociación en serie de las capacidades
es como la asociación en paralelo de las resistencias.
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Carga de un condensador mediante una fuente de corriente 185
C1
C1 C2
C2
Figura 15.3. Asociación en paralelo. Figura 15.4. Asociación en serie.
15.3. Carga de un condensador mediante una fuente de co-

rriente
Empezaremos viendo cómo se comportan los condensadores en el caso sencillo mos-
trado en la figura 15.5. Tenemos un condensador conectado a una fuente de corriente
constante I (para crear una de estas fuentes de corriente ideal se necesita el empleo
de transistores). El comportamiento del voltaje en el condensador Vcap en función del
tiempo t es fácil de comprender, ya que al ser I constante, la derivada del voltaje
también lo es, por lo que el voltaje frente al tiempo es una recta, como podemos
ver en la figura 15.6. Esta señal recibe el nombre de señal de rampa. Una aplicación
práctica de este comportamiento es la generación de señales de voltaje triangulares,
como muestra la figura 15.7.
Otros casos que veremos a continuación son el de la descarga de un condensador
a través de una resistencia, y el de la carga de un condensador a través de una fuente
de voltaje y una resistencia.
15.4. Descarga de un condensador a través de una resistencia

Supongamos que tenemos un condensador cargado de capacidad C, de tal modo que
la diferencia de potencial inicial entre sus placas es V0 . Para descargarlo, unimos las
I1
Vcap
Vcap
I2
C
I
t
Figura 15.5. Condensador cargado por Figura 15.6. Voltaje frente al tiempo en
una fuente de corriente. el condensador. I1 > I2
descarga
carga Vcap
descarga
C
carga
Figura 15.7. Generación de una señal triangular.
placas mediante una resistencia de valor R. El esquema de este circuito se puede ver
en la figura 15.8. Para conocer el comportamiento del voltaje del condensador V frente
al tiempo, se aplica la ecuación (15.2) al circuito y resulta
dV
−C = I. (15.5)
dt
donde el signo menos es debido a que la corriente va desde la placa positiva del
condensador a la placa negativa (el condensador se está descargando). Esta misma
corriente es la que atraviesa la resistencia. Usando la ley de Ohm (I = VR /R, donde
VR es el voltaje en la resistencia), y teniendo en cuenta que el voltaje en el condensador
es igual al de la resistencia en este circuito, obtenemos
dV V
−C = . (15.6)
dt R
Esto es una ecuación diferencial para el voltaje del condensador: una ecuación en la
que al mismo tiempo aparecen V y su derivada. La solución de esta ecuación, dado
que en el instante inicial el voltaje vale V0 , es
V = V0 e−t/RC , (15.7)
V0
Vcap
37%
R C
RC
t
Figura 15.8. Descarga de un conden- Figura 15.9. Voltaje frente al tiempo en

sador mediante una resistencia (circuito el condensador.
RC).
Circuito RC - Integrador 187
que se puede verificar sencillamente sustituyéndola en la ecuación (15.6). Esta solución

se ha dibujado en la figura 15.9. El producto RC se llama constante de tiempo del
circuito y es una medida del tiempo que tarda el condensador en descargarse. De
hecho, cuando ha pasado un tiempo t = RC, el voltaje ha decaı́do en el condensador
un 37 %. Conviene recordar este número.
Analicemos fı́sicamente lo que ha ocurrido. El voltaje del condensador, que ini-
cialmente era V0 , se aproxima a cero a medida que transcurre el tiempo, pero a
una velocidad que va disminuyendo conforme se acerca a ese valor. Si, por ejemplo,
V0 = 10 V, R = 1 kΩ y C = 1 μF, entonces la intensidad inicial en el condensador es
I = V0 /R = 10 mA y, por tanto, la velocidad inicial con la que varı́a el voltaje en el
condensador V es de −104 V · s−1 . Pero, tan pronto como V comienza a disminuir,
esta velocidad comienza a decrecer, por lo que, idealmente, tendrı́amos que esperar
un tiempo infinito para descargar completamente un condensador.
15.5. Circuito RC - Integrador

Consideremos ahora al circuito mostrado en la figura 15.10. Se trata de una fuente
de voltaje, que mantiene una tensión constante V0 , en serie con una resistencia y un
condensador, inicialmente descargado. La ecuación que describe el comportamiento
del voltaje en el condensador Vout es
dVout
C = I. (15.8)
dt
Por otro lado, en el circuito se tiene que la diferencia de potencial en la resistencia es
VR = V0 − Vout , de modo que la corriente que la atraviesa es
V0 − Vout
I= . (15.9)
R
Igualando estas expresiones, se obtiene
dVout V0 − Vout
C = , (15.10)
dt R
V0
99%
V0 R
+
Vout
− Vout 63%
C
RC 5RC
t
Figura 15.10. Condensador cargado me- Figura 15.11. Voltaje frente al tiempo a
diante una fuente de voltaje a través de la salida. Coincide con el voltaje del con-
una resistencia en serie. densador.
que es de nuevo una ecuación diferencial para Vout . Para resolverla, se necesita una
condición inicial, como es que en el instante inicial t = 0 el condensador esté descar-
gado, de modo que su voltaje inicial sea Vout = 0. La solución resulta entonces

Vout = V0 1 − e−t/RC , (15.11)
dibujada en la figura 15.11.

Analicemos fı́sicamente lo que ocurre. El voltaje del condensador se aproxima al
valor del voltaje aplicado V0 a medida que transcurre el tiempo, pero a una velocidad
que, como en el caso de la descarga, va disminuyendo conforme se acerca a ese valor.
Tan pronto como Vout comienza a aumentar, esta velocidad comienza a decrecer, por
lo que realmente nunca podrı́amos alcanzar el voltaje final V0 (tendrı́amos que esperar
un tiempo infinito). A efectos prácticos, después de transcurrido un tiempo igual a
cinco veces la constante de tiempo del circuito, esto es, 5RC, el voltaje ha alcanzado
el 99 % de su valor final y por consiguiente Vout ≈ V0 (en el instante t = RC, el
condensador está cargado al 63 %).
El circuito que acabamos de ver puede usarse como una aproximación a un circui-
to integrador. Si de alguna manera somos capaces de mantener Vout V0 , entonces
podrı́amos escribir la ecuación (15.10) como
dVout V0 − Vout V0
= ≈ . (15.12)
dt RC RC
El tiempo durante el cual es válida esta aproximación depende de lo grande que sea
la constante de tiempo RC. Ahora bien, mientras la expresión (15.12) sea válida, lo
que tenemos es un circuito que, a la salida, da la integral de la señal de entrada, pues
la solución de la ecuación (15.12) es simplemente,

1
Vout (t) = V0 (t) dt + cte, (15.13)
RC
suponiendo como caso más general que V0 depende del tiempo.

Una fuente que proporciona un voltaje elevado, en serie con una resistencia gran-
de, satisface usualmente la condición expresada anteriormente para muchas aplica-

ciones. De hecho, es una buena aproximación en muchos casos para una fuente de
intensidad ideal. Si recordamos el circuito de la figura 15.5, en el que se cargaba
el condensador con una fuente de corriente, podemos ver que efectivamente, lo que
tenı́amos a la salida era la integral del voltaje de entrada, que era en ese caso una
función escalón.
15.6. Circuito CR - Diferenciador

Veamos ahora el circuito mostrado en la figura 15.12. El circuito es como el anterior,
salvo que el condensador está intercambiado con la resistencia. El voltaje entre los
terminales del condensador es V0 − Vout , de modo que podemos escribir
d Vout
C (V0 − Vout ) = . (15.14)
dt R
Circuito CR - Diferenciador 189
V0
V0
C
+ Vout
Vout
−
37%
R
RC
t
Figura 15.12. Circuito CR. Figura 15.13. Voltaje de salida.
Al conectar la fuente de voltaje V0 al condensador y la resistencia, la diferencia de

voltaje inicial en el condensador es cero, de manera que en el instante inicial t = 0,
Vout = V0 . Si resolvemos entonces la (15.14) con esta condición inicial, resulta
Vout = V0 e−t/RC , (15.15)
que es el mismo tipo de curva que veı́amos en el proceso de descarga de un con-

densador. De nuevo el voltaje decae el 37 % del valor inicial transcurrido un tiempo
igual a RC. Sin embargo, cuando V0 varı́a en el tiempo, este circuito es útil como
diferenciador.
Supongamos que elegimos los valores de R y C de tal manera que son suficien-
temente pequeños para que se cumpla la condición dVout /dt dV0 /dt. Entonces,
usando la expresión (15.14), podemos escribir
dV0 Vout
C ≈ , (15.16)
dt R
o bien,
dV0
Vout (t) = RC . (15.17)
dt
Lo que obtenemos es una salida proporcional a la velocidad de cambio de la señal de
entrada. Como veı́amos antes para el caso del circuito integrador, el producto RC es
el que nos da la condición para que la salida pueda considerarse la derivada de la señal
de entrada. Recordando la discusión que surgió al hablar del equivalente Thévenin, al
elegir este producto se debe de tener en cuenta no cargar mucho la señal de entrada
V0 tomando R demasiado pequeña (R es la impedancia de salida que ve la fuente V0 ).
Cuando veamos la respuesta de estos circuitos en el dominio de la frecuencia, llegare-
mos a obtener un criterio más adecuado para el valor caracterı́stico RC en función de
la potencia transmitida. Estos circuitos son muy útiles para detectar cuándo empieza
o acaba un pulso cuadrado, de manera que se usan mucho en electrónica digital. En
la figura 15.14 tenemos un pulso cuadrado como señal de entrada y la salida después
de pasar por un diferenciador.
in
V
out
V
Figura 15.14. Aplicación del circuito diferenciador para detectar los cambios en una señal
cuadrada.
15.7. Inductores
Un inductor es esencialmente una bobina de hilo conductor enrollado alrededor de

una barra o núcleo ferromagnético. El núcleo, dada su gran permeabilidad, hace que
el flujo magnético sea mucho mayor en él que en el aire. Una corriente que varı́a a
través de la bobina induce una fuerza electromotriz en la propia bobina mediante el
fenómeno de autoinducción, según veı́amos en el capı́tulo 11. La ley de Faraday da
una expresión para el voltaje en la bobina
dΦ dI dI
V =N =L , (15.18)
dI dt dt
donde N es el número de vueltas de la bobina, Φ el flujo magnético y L es la autoin-

ductancia de la bobina.
Como pasaba con los condensadores, la relación entre la corriente y el voltaje es

algo más complicada que la simple proporcionalidad dada por la ley de Ohm. Además,
la potencia asociada con la corriente que circula por un inductor no se disipa en forma
de calor como sucede con el caso óhmico, sino que se almacena en forma de energı́a del
campo magnético que crea la propia bobina. Tan pronto se interrumpe esta corriente
inductiva, toda esta energı́a es devuelta al circuito.
Al mirar con detalle la expresión (15.18), es fácil ver que, si se conectan los ter-
minales de una bobina a una fuente de voltaje V0 , se obtiene para la corriente a través
de la bobina un comportamiento igual al del voltaje de la figura 15.5. Los inductores
sirven como limitadores y selectores en circuitos de sintonización, formando parte de
filtros. Un inductor es, de alguna manera, lo opuesto a un condensador, de modo
que la combinación de ambos permite seleccionar componentes de una determinada
frecuencia en una señal. Una aplicación sencilla y bastante útil de los inductores es el
transformador.
El transformador 191
Figura 15.15. Sı́mbolo de un transformador
15.8. El transformador
Un transformador es un dispositivo formado por dos inductores, llamados primario
y secundario respectivamente, enrollados en torno al mismo núcleo ferromagnético.
En la figura 15.15 se ve el sı́mbolo que se utiliza para un transformador con núcleo
laminado. La misión del núcleo es incrementar la autoinducción de la bobina primaria
y guiar el flujo del campo magnético a través de la secundaria. Para evitar pérdidas
de flujo debidas a corrientes inducidas, el núcleo suele estar laminado.
La fuerza electromotriz inducida en cada bobina es proporcional al número de
vueltas que tienen: la fem en la bobina primaria Ep es proporcional a su número de
vueltas Np y la fem Es en la bobina secundaria es proporcional a Ns . Dado que se
supone que no hay pérdidas de flujo magnético, se ha de satisfacer entonces que
Ep Np
= . (15.19)
Es Ns
Según esta expresión, si Np < Ns , existe a la salida (bobina secundaria) una ganancia
de voltaje. Se dice entonces que el transformador es ascendente. Si, por otro lado,
Np < Ns , el transformador es descendente. Otro aspecto básico de un transformador
viene de que, según veı́amos, una bobina no disipa energı́a. Al conservarse la energı́a
en un transformador (no tenemos en cuenta pérdidas de flujo en el núcleo ni resistencia
en los cables), la potencia de entrada es la misma que la de salida, de tal modo que
Ep Ip = Es Is . (15.20)
Como consecuencia, un transformador ascendente disminuye la corriente, y uno des-

cendente la aumenta.
Consideremos la situación mostrada en la figura 15.16. En este caso, la bobina
secundaria no está conectada a ningún circuito y podemos ignorarla. La primaria se
comporta como un inductor, en el que el voltaje de entrada es Vin = Ep , la corriente
Iin
Np Ns ε
Vin εp s
L
Figura 15.16. Transformador abierto.

I
Np Ns ε
Vin εp s RL
L
Figura 15.17. Transformador cargado.
en el circuito de la bobina primaria es Iin , y se cumple la ecuación de inducción

Vin = L(dIin /dt).
Supongamos ahora que conectamos una carga a la bobina secundaria, como
muestra la figura 15.17. Como consecuencia, aparece en la secundaria una corrien-
te Is = Es /RL . Aunque no hay ninguna conexión entre las dos bobinas, la aparición
de corriente en la bobina secundaria afecta a la corriente total I en la primaria. Para
ver esto, empleamos la conservación de la energı́a en las bobinas (15.20), junto con la
ecuación (15.19), para escribir
Ns
Ip = Is , (15.21)
Np
y, por tanto, la corriente total inducida en la primaria resulta
I = Iin + Ip ≈ Ip , (15.22)
al ser Iin despreciable normalmente.

Se puede calcular la resistencia de entrada Rin que experimenta la fuente. Está da-
da por
2
Vin Es N p Np Np Es
Rin = = × = . (15.23)
I Ns Is Ns Ns Is
Pero Is = Es /RL , de modo que
Rin = (Np /Ns )2 RL . (15.24)

Un transformador reduce o incrementa la impedancia de entrada, con respecto a la

de salida, en un factor que depende del cuadrado de la razón del número de vueltas.
15.9. Ejercicios
1. Demostrar las expresiones (15.3) y (15.4) para la capacidad de una asociación de
condensadores en paralelo y en serie.
2. Demostrar que la expresión (15.11) es una solución de la ecuación (15.10) con la
condición inicial de que Vout = 0 cuando t = 0.
3. En un circuito RC de carga de un condensador, la fuente proporciona un voltaje
V0 = 10 V, la resistencia es R = 1 kΩ y la capacidad del condensador es C = 1 μF.
Determinar la velocidad inicial con la que varı́a el voltaje en el condensador y la
misma velocidad en el instante en que el voltaje del condensador es Vout = 1 V.
Solución: (dVout /dt)0 = 104 V · s−1 , (dVout /dt)1 = 9 × 103 V · s−1 .
Ejercicios 193
4. En el circuito de la figura figura 15.18, determinar el voltaje en el condensador

en función del tiempo.
Solución: VC = V0 {1 − exp[−(R1 + R2 )t/(CR1 R2 )]}[R2 /(R1 + R2 )].
5. Una bobina de coeficiente de autoinducción L se conecta a una fuente de voltaje
V0 constante. Calcular la corriente que recorre el circuito en función del tiempo.
En la práctica, ¿podrı́a esta corriente hacerse infinita manteniendo V0 constante?
Solución: I = V0 t/L. En la práctica habrı́a que tener en cuenta la resistencia
interna de la fuente y de la bobina.
6. En el circuito de la figura 15.19, calcular la corriente en función del tiempo.
Solución: I = V0 [1 − exp(−Rt/L)]/R.
7. En el circuito del ejercicio anterior, calcular el voltaje en la bobina en función
del tiempo.
Solución: VL = V0 exp(−Rt/L).
R1 R
V0 + R2 C V0 + L
− −
Figura 15.19.
Figura 15.18.
Capı́tulo 16
Análisis en frecuencia de circuitos reactivos
16.1. Señales armónicas

En este capı́tulo estudiaremos circuitos cuyos voltajes e intensidades dependen del
tiempo de forma periódica. Comenzaremos describiendo matemáticamente cierto tipo
de señales conocidas como sinusoidales, cosenoidales o armónicas (por señales desig-
naremos indistintamente voltajes y corrientes presentes en un circuito).
Una señal armónica es el tipo de señal que se obtiene del enchufe de la pared y
suelen ser bastante comunes. Existe además una razón fundamental para motivar que
nos detengamos en ellas. Según el teorema de Fourier, cualquier señal periódica, de la
forma que sea, puede descomponerse en la suma de una señal constante en el tiempo
(o continua) y señales armónicas. En vez de armónica, se suele emplear la palabra
alterna, y ası́ se habla de corriente alterna, tensión o voltaje alternos, etc.
Una señal armónica de 10 μV a 1 MHz es una señal matemáticamente descrita
por
V = A sen (2πf t + φ), (16.1)
en donde A es la amplitud de la señal, igual a 10 μV en el ejemplo que tenemos, y f es
la frecuencia, o número de ciclos por segundo, 1 MHz en este caso. La fase φ depende
del instante donde tomemos el origen de tiempo t = 0. A veces se define la frecuencia
angular ω = 2πf dada en radianes por segundo (rad/s). Todas las señales armónicas
se pueden escribir en la forma dada por la ecuación (16.1).
En la figura 16.1 hemos dibujado señales de distinta amplitud y frecuencia. La
amplitud está asociada con el valor máximo que puede tomar la señal, mientras que
la frecuencia está asociada al número de veces que oscila en un intervalo de tiempo.
A mayor frecuencia más oscilaciones y más arrugada pintaremos la señal usando la
misma escala de tiempo. El inverso de la frecuencia es el periodo T = 1/f , y da el
tiempo que tarda la señal en repetirse.
El concepto de fase es un poco más complicado de entender. Las dos señales
de la figura 16.1 tienen un valor igual a 0 cuando t = 0 y además incrementan su
valor inicialmente cuando se incrementa el tiempo, por lo que ambas vienen descritas
mediante la función (16.1) con distintas amplitudes y frecuencias, pero con la misma
fase φ = 0.
Se puede hablar de la fase de una señal determinada por el valor que tiene la
señal en un determinado instante de tiempo, normalmente considerado el inicial. La
196 Análisis en frecuencia de circuitos reactivos
V
0
−A
1/2f 1/f 3/2f 2/f
A*
V
−A*
1/2f* 1/f*
t
Figura 16.1. Ondas con diferentes amplitudes A∗ > A y frecuencias (f , f ∗ ) pero igual fase.
En este caso, φ = 0 y f ∗ = f /2.
figura 16.2 muestra como se puede determinar la fase de una señal. Se han dibujado
esta vez dos señales con la misma amplitud y frecuencia pero distinta fase. La primera
señal parece retrasada, esto es movida hacia la derecha, respecto a la pintada con lı́nea
discontinua por la cantidad φ = π/6. Esta señal no alcanza el valor 0 hasta que no ha
transcurrido un tiempo igual a 1/(12f ). Este retraso se representa matemáticamente
por un signo negativo, por lo que la señal vendrı́a dada por A sen (ωt − π/6). La
segunda señal parece adelantada (movida hacia la izquierda) por una cantidad igual
a φ = π/2, por lo que en este caso la expresión matemática serı́a A sen(ωt + π/2).
Nótese que la curva podrı́a escribirse como A cos (ωt), o en otras palabras, el coseno
es una señal adelantada en π/2 al seno, o el seno es una señal retrasada en π/2 al
coseno según el convenio que estamos siguiendo.
No tiene mucho sentido hablar de diferencia de fases entre ondas de distinta
frecuencia, ya que esta diferencia dependerı́a del tiempo. En el ejemplo de dos señales
de distinta frecuencia dibujadas en la figura 16.1, si cogemos de referencia el instante
t = 0, tendrı́an la misma fase, pero si cogiéramos cualquier otro instante, entonces

tendrı́an fases diferentes. Por tanto, cuando se habla de diferencia de fases, uno se
refiere a señales de la misma frecuencia. Entonces, sı́ que tiene sentido ya que esta
diferencia es independiente del tiempo. La diferencia de fases entre las señales de la
figura 16.2 vale Δφ = 2π/3.
Las señales armónicas además son soluciones de ciertas ecuaciones diferenciales
que describen muchos fenómenos que ocurren en la naturaleza incluido el compor-
tamiento de circuitos lineales. Los circuitos vistos hasta ahora son circuitos lineales.
Un circuito lineal es aquél que tiene la propiedad de que cuando se excita por va-
rias señales, su respuesta es la suma de las respuestas que producirı́an las mismas
señales aplicadas individualmente. Expresado más formalmente, si O(A) es la res-
puesta de un circuito cuando actúa sobre él la señal A, entonces el circuito es lineal si
O(A + B) = O(A) + O(B). La respuesta de un circuito lineal, excitado por una onda
armónica, es otra onda armónica, de la misma frecuencia, pero cuya amplitud y fase
Potencia y decibelios 197
φ=−π/6
V 0
φ=π/2
−A
1/2f 1/f 3/2f

t
Figura 16.2. Dos ondas, una retrasada o con fase negativa y otra adelantada o con fase
positiva. La mostrada con lı́nea discontinua corresponde a φ = 0.
pueden haber cambiado. Por ello se puede describir el comportamiento del circuito
mediante su respuesta en frecuencia o espectro: el modo en que cambia la amplitud
y la fase de una señal armónica aplicada en función de su frecuencia.
En electrónica, las señales con las que uno se encuentra están en un rango de
frecuencias de unos pocos Hz a varios MHz. Se pueden generar frecuencias menores
con circuitos bastante complejos. También es posible generar frecuencias mayores, por
encima de los 2000 MHz, pero se requieren lı́neas de transmisión especiales o guı́as
de ondas. A estas frecuencias tan altas (microondas), la descripción de los circuitos
mediante elementos localizados deja de ser válida y hace falta considerar los campos
electromagnéticos involucrados.
16.2. Potencia y decibelios

Una fuente de corriente continua de magnitud V , que mantiene una corriente I en un
circuito de resistencia R, necesita entregar al circuito una potencia constante dada

por P = V I = I 2 R = V 2 /R. Estas expresiones también son válidas en circuitos en
los que la fuente mantiene un voltaje que varı́a en el tiempo, y ası́ podemos hablar
de la potencia instantánea que la fuente emplea en mantener una corriente I en el
circuito.
Sin embargo, resulta útil definir para señales periódicas una potencia promedio.
Se define la potencia media o promedio como la potencia total en un intervalo de
tiempo igual al periodo de la señal, dividida entre el periodo, esto es

1 T
Pm = V (t)I(t)dt, (16.2)
T 0
donde T es el periodo de la señal.
Si tenemos una fuente que suministra un voltaje dado por V0 sen(2πf t) a una
resistencia de valor R, entonces podemos calcular la potencia suministrada en un
Descripción dB
Umbral de percepción 0
Crujir del viento en las hojas de los árboles 10
Silbido 20
Conversación normal ∼ 1m de distancia 65
Ruido dentro de un coche 80
Concierto de rock 120
Nivel de dolor 130
Tabla 16.1. Diversos sonidos percibidos por el oı́do humano tomando de referencia el umbral
de percepción igual a 1,0 × 10−12 W/m2 .
periodo

1 T
V (t)2 V2 1 T
2π V02
Pm = dt = 0 2
sen t dt = . (16.3)
T 0 R R T 0 T 2R
Se define el valor eficaz de una señal (en inglés root mean square o r.m.s) como la raı́z
cuadrada del valor medio del cuadrado de la señal.

1 T
Vef = 2
V (t) dt . (16.4)
T 0
√
En el ejemplo anterior, el valor del voltaje efectivo de la fuente serı́a Vef = V0 / 2.
Para las señales sinusoidales es bastante frecuente dar la amplitud en función de su
valor efectivo, ya que conocido
√ éste es inmediato calcular la potencia media. El factor
de conversión es entonces 2. A veces la amplitud real se nombra por amplitud de
pico y también se suele de dar la amplitud de pico a pico (pp), es decir el doble de su
valor. En España la tensión de los hogares es de 310 V y la frecuencia de 50 Hz, por
tanto, la tensión eficaz vale ∼ 220V.
Para comparar la potencia relativa de dos señales se podrı́a decir que una resulta
tres veces mayor que la otra. Sin embargo, ya que a veces estas razones son de varios
millones, se usan logaritmos en base 10. Ası́, se define el decibelio (dB) como diez
veces el logaritmo en base 10 de la razón entre dos potencias que queremos comparar,

P1
1 dB = 10 log10 . (16.5)
P0
Esta definición es una consecuencia de la manera en la que el oı́do humano responde
a los cambios en la potencia del sonido. Lo mı́nimo que una persona normal, puede
percibir es una potencia por unidad de superficie de 1,0 × 10−12 W/m2 . Si usamos
este umbral de referencia como P0 , y lo comparamos con la potencia de diversos
fenómenos que producen sonido, resulta muy natural emplear la escala de decibelios.
En la tabla 16.1 podemos ver algunos valores.
Podemos usar esta unidad para expresar ganancias de voltaje entre la salida y la
entrada de un circuito cuando tenemos señales armónicas. Si tenemos un circuito con
una resistencia de entrada igual a R, y lo excitamos con un voltaje igual a Vin sen (wt),
Análisis en frecuencia 199
filtro compensador
frecuencias audibles
20Hz 200Hz 2kHz 20kHz

f
Figura 16.3. Respuesta en frecuencias de un altavoz.
2
la potencia promedio empleada resulta Vin /(2R). Si a la salida del circuito tenemos un
voltaje igual a Vout sen (wt + φ), que usamos para excitar una carga del mismo valor
2
R, entonces la potencia entregada valdrá Vout /(2R). Podemos escribir la ganancia de
voltaje en decibelios mediante la expresión

Vout
Ganancia de voltaje = 20 log10 . (16.6)
Vin
En términos de razones de voltajes,
√ +3 dB son aproximadamente equivalentes a una
razón de amplitudes igual a 2 1,4 veces; +6 dB son aproximadamente equivalentes
a una razón de amplitudes igual a 2; +20
√ dB corresponden exactamente a una razón
igual a 10; −3 dB son equivalentes a 1/ 2 0,7, y −6 dB a 1/2.
16.3. Análisis en frecuencia

Los circuitos con componentes reactivos, como se conocen colectivamente a los con-
densadores e inductores, se comportan de manera más complicada que los circuitos
resistivos, en los que sólo intervienen resistencias. Los circuitos reactivos tienen un
comportamiento que depende de la frecuencia de la señal (por ejemplo un divisor de
voltaje tendrá una razón de división que varı́a con la frecuencia). Además, los cir-
cuitos con componentes reactivos “corrompen” o modifican las señales, como hemos
visto con el diferenciador e integrador en el capı́tulo 15.
Al igual que las resistencias, los elementos reactivos son lineales. Esto quiere
decir que la amplitud de la señal de salida es proporcional a la de entrada. Por lo
tanto es particularmente útil analizar estos circuitos preguntándose cómo el voltaje
de salida (amplitud y fase), depende del voltaje de entrada, siendo éste último una
función armónica de frecuencia determinada. La respuesta en frecuencias es la razón
entre el voltaje de salida y de entrada en función de la frecuencia de entrada. Un
gráfico de la respuesta en frecuencias da la misma información que el conocimiento
del comportamiento temporal del circuito, y a veces incluso es más apropiado.
V(t)
I(t)
Figura 16.4. Condensador conectado a Figura 16.5. La corriente a través de un

una fuente alterna. condensador tiene un desfase positivo de
π/2 respecto al voltaje.
Imaginemos que tenemos un altavoz y conocemos su respuesta en frecuencias

dada por la lı́nea continua en la figura 16.3. En el altavoz, el voltaje se traduce en
ondas de presión en función de la frecuencia. Serı́a deseable que el altavoz tuviera una
respuesta plana, es decir, de amplitud constante para todo el rango de frecuencias
audibles, ya que no queremos que suene más fuerte para un tono y menos para otro.
Esto se puede conseguir introduciendo un filtro pasivo, representado por la curva dis-
continua, con una respuesta inversa en el circuito amplificador de la radio o televisión
a la que pertenece el altavoz.
Otra ventaja de trabajar en el dominio de las frecuencias es que se puede gene-
ralizar la ley de Ohm, cosa que en el dominio temporal no era posible, reemplazando
la palabra resistencia por impedancia. La impedancia se convierte ası́ en la resistencia
generalizada de bobinas, condensadores y resistencias. Los circuitos con inductores y
condensadores se dice que tienen reactancia. Por tanto, en general,
Impedancia = Resistencia + Reactancia. (16.7)
A menudo se dice que un condensador a una frecuencia dada tiene cierta impedan-
cia, en lugar de cierta reactancia. Esto es porque el concepto de impedancia se usa

indistintamente para todo.
16.4. Fasores
En el circuito mostrado en la figura 16.4, que consta de un condensador conectado a
una fuente V (t) = V0 sen ωt, la corriente valdrá
dV (t)
I(t) = C = CωV0 cos ωt. (16.8)
dt
La amplitud de la corriente resulta proporcional a la frecuencia y a la capacidad
del condensador, y la fase cambia en π/2 (va adelantada 90◦ respecto al voltaje),
según podemos ver en la figura 16.5. Esto pone de manifiesto lo que enunciábamos
en la sección anterior respecto a cambios en la fase y en la amplitud. Si en vez de un
Fasores 201
condensador tuviéramos una resistencia, aplicando la ley de Ohm la amplitud de la

corriente serı́a V0 /R, pero la fase serı́a la misma que la del voltaje.
Para generalizar la ley de Ohm, obviamente un sólo número (la amplitud) no
nos vale, ya que necesitamos tener también información sobre la fase. Si además que-
remos asociar elementos (en serie o en paralelo), en vez de trabajar con funciones
trigonométricas resulta mucho más fácil representar voltajes y corrientes median-
te números complejos, y usar su álgebra. Sin embargo, no debemos olvidar que las
corrientes y los voltajes son cantidades reales (observables y medibles) y por tanto
debemos tener reglas para volver a la descripción real. Considerando que estamos
hablando de una onda con una sola frecuencia angular ω, usaremos las siguientes
reglas:
1. Asociamos a cada voltaje o intensidad un número complejo definido por la am-

plitud y la fase de la señal,
V (t) = V0 cos (ωt + φ) ⇒ V = V0 eiφ . (16.9)
Los números complejos V e I que representan voltajes o intensidades se llaman

fasores.
2. Podemos volver a la descripción real multiplicando el fasor por eiωt y tomando
seguidamente la parte real,
V (t) = (V eiωt ). (16.10)
Es frecuente escribir el fasor como A = A0 φ. En muchos libros también se usa j en

lugar de i para representar la unidad imaginaria.
Como ejemplo, una intensidad cuya representación compleja viene dada por el
fasor I = 5 π/2 corresponderı́a a la función real I(t) = −5 sen ωt.
Los números complejos

Presentamos aquı́ un breve resumen de la teorı́a de los números complejos. Un número
complejo se expresa en la forma
z = a + ib. (16.11)
Las letras a y b representan números reales y sobre la i hablaremos en breve. Decimos

que a es la parte real de z y b la parte imaginaria, y escribiremos
a = (z), b = (z). (16.12)
Podemos sumar y restar dos números complejos z = a + bi y w = c + di de la siguiente

manera,
z + w = (a + c) + (b + d)i,
z − w = (a + c) − (b + d)i. (16.13)
El producto está definido por
zw = (a + bi)(c + di) = (ac − bd) + (ad + bc)i. (16.14)

y P
r
φ
x
Figura 16.6. El plano de Argand. Cada punto P representa un número complejo.
Estos resultados se pueden obtener a partir de las reglas usuales del álgebra y consi-
derar la siguiente regla de oro
i · i = i2 = −1. (16.15)
Debido a esta propiedad, los número complejos proporcionan soluciones de problemas
que no pueden resolverse con números reales. Por ejemplo, podemos escribir raı́ces
cuadradas de números negativos.
Decimos que dos números complejos son conjugados uno de otro si sus partes
reales son iguales, y sus partes imaginarias son iguales pero de signo opuesto. Si
z = a + bi, denotaremos por z ∗ = a − bi a su complejo conjugado. Se puede comprobar
que
z + z ∗ = 2(z),
z − z ∗ = 2i (z). (16.16)
El producto de un número complejo por su conjugado resulta un número real,
zz ∗ = a2 + b2 . (16.17)
Este resultado permite determinar el cociente de dos números complejos: sean u, z, y

w tres números complejos tales que
uw = z, w = 0. (16.18)
Diremos entonces que u es el cociente de z entre w y escribiremos u = z/w.Para

determinar el valor de u, multiplicamos ambos lados de la (16.18) por w∗ . Como ww∗

es un número real, podemos eliminarlo del lado izquierdo de la ecuación multiplicando
ambos lados a su vez por 1/ww∗ . El resultado es
z zw∗
u= = . (16.19)
w ww∗
Se define el módulo de un número complejo como la raı́z cuadrada positiva de la suma
de los cuadrados de su parte real y su parte imaginaria. Si el número es z = x + yi,
podemos expresar su módulo como
√
|z| = x2 + y 2 = zz ∗. (16.20)
La expresión de un número complejo como pareja (x, y), siendo x la parte real e y la
imaginaria, sugiere la notación de las coordenadas de un punto en el plano xy o plano
Ley de Ohm generalizada 203
cartesiano. En la figura 16.6 podemos ver que la distancia al origen r representarı́a el

módulo del número complejo z. A cada número complejo se le puede asociar un vector
de posición, y este vector puede representarse mediante sus coordenadas polares (r, φ),
con lo cual podemos escribir el número complejo como
z = x + yi = r cos φ + i r sen φ = r(cos φ + i sen φ). (16.21)
Ésta es la forma polar de un número complejo. El ángulo φ se llama argumento de z

(arg z) y se puede calcular como
y
φ = arctan = φ0 + 2πk, k = 0, ±1, ±2, ... (16.22)
x
siendo φ0 un valor particular. Nosotros llamaremos valor principal del arg z al valor
de φ que satisface
−π < φ ≤ π. (16.23)
Para tratar con fasores, necesitamos definir la función exponencial compleja. La fun-
ción exponencial compleja ez ha de reducirse a la función real ex si z toma valores
reales. Se define entonces
ez = ex+iy = ex (cos y + i sen y). (16.24)
Podemos comprobar que si (z) = 0, tenemos la función exponencial real. Por otro
lado, para un número imaginario puro z = iy, resulta la identidad de Euler
eiy = cos y + i sen y. (16.25)
A partir de esta última expresión, y empleando la ecuación (16.21), podemos repre-

sentar cualquier número complejo z como
z = |z| eiφ , (16.26)
siendo |z| su módulo y φ su argumento.

16.5. Ley de Ohm generalizada

El uso de fasores permite generalizar la ley de Ohm a circuitos que contienen conden-
sadores e inductores. Para ello primero definiremos la reactancia de un condensador.
Supongamos una fuente de voltaje alterna conectada en serie a una resistencia como
mostraba la figura 16.4. Imaginemos que elegimos el instante inicial de manera que el
voltaje de la fuente venga dado por V (t) = V0 cos ωt. Podemos representar la fuente
alterna mediante el fasor V = V0 y escribir
V (t) = (V0 eiωt ). (16.27)
La corriente que circula por el circuito viene dada entonces por
dV (t)
I(t) = C = −V0 Cω sen ωt, (16.28)
dt
y esta última expresión puede escribirse como

V0 eiωt V0 eiωt
I(t) = = , (16.29)
1/iωC XC
definiéndose para un condensador la reactancia a frecuencia ω como
XC = 1/iωC. (16.30)
Por ejemplo, un condensador de 1μF a la frecuencia de 60Hz tendrı́a una reactancia
de −2653i Ω, y a 1MHz de −0,16i Ω. Si la fuente de voltaje es continua, esto es ω = 0,
la reactancia es infinita. Esto expresa el hecho de que un condensador no deja pasar
corriente continua en el estado estacionario.
Si hacemos un análisis similar para un inductor, sustituyendo el condensador por
una bobina, encontramos que podemos definir la reactancia como
XL = iωL. (16.31)
Podemos ver que en circuitos con condensadores e inductores, las corrientes y los
voltajes se desfasan 90◦ al atravesar esos elementos.
Cuando describimos, en términos de fasores, circuitos que contienen condensado-
res y bobinas, podemos asociar a esos elementos números imaginarios puros llamados
reactancias. Si existen además resistencias, asociamos a éstas números reales. Para
describir la relación corriente–voltaje, expresada de manera fasorial, entre dos puntos
de un circuito, podemos escribir un número complejo cuya parte imaginaria resulte
de la contribución de las reactancias y la real de la contribución de las resistencias
entre esos puntos. Ese número complejo recibe el nombre de impedancia y lo repre-
sentaremos por Z.
La relación entre los fasores de corriente y de voltaje en un circuito puede expre-
sarse mediante una ley de Ohm generalizada,
I = V /Z, (16.32)
donde V representa el voltaje de un circuito de impedancia Z que da lugar a una
La impedancia Z de varios elementos conectados en
corriente representada por I.
serie o en paralelo obedece las mismas reglas que las asociaciones de resistencias,
teniendo en cuenta que se opera ahora con números complejos,
Z = Z1 + Z2 + Z3 + · · · (asociación en serie), (16.33)

1 1 1 1
= + + + · · · (asociación en paralelo). (16.34)
Z Z1 Z2 Z3
A continuación resumimos las fórmulas para las impedancias de resistencias, conden-
sadores e inductores,
ZR = R, (16.35)
ZC = 1/iωC = −i/ωC, (16.36)
ZL = iωL. (16.37)
Con estas reglas, podemos analizar los circuitos de corriente alterna con los mismos
métodos empleados para circuitos de corriente continua. Las leyes de Kirchhoff resul-
tan las mismas pero aplicadas a fasores, la expresión para un divisor de voltaje queda
igual cambiando R por Z, etc.
Potencia en circuitos reactivos 205
16.6. Potencia en circuitos reactivos

En el circuito de la figura 16.4 que consta de una fuente alterna de voltaje y un
condensador, existe un desfase de 90◦ entre el voltaje y la intensidad, como se ve en
la figura 16.5. Para calcular la potencia promedio en un periodo, empleamos entonces
la definición dada por la ecuación (16.2) y resulta Pm = 0. Si se hace lo mismo
sustituyendo el condensador por un inductor, también se encuentra Pm = 0.
Existe otra forma de calcular la potencia promedio usando fasores. Se puede
demostrar (ver Ejercicios) que
Pm = (Vef Ief
∗ ∗
) = (Vef Ief ), (16.38)
en donde el subı́ndice ef√indica el valor efectivo. En el caso armónico el fasor efectivo

es el fasor dividido por 2 como ya veı́amos.
Para ver que esto funciona, vamos a calcular el caso del condensador. Imaginemos
que el voltaje tiene una amplitud efectiva de 1 V. Tenemos entonces
Vef = 1, Ief = Vef /ZC = iωC,

Pm = (Vef Ief
∗
) = (−iωC) = 0, (16.39)
lo cual es la potencia promedio que obtenı́amos antes.

Se suele definir el factor de potencia como
Pm
factor de potencia = . (16.40)

|V | |I|
Podemos ver que el factor de potencia va de 0 para circuitos puramente reactivos

a 1 para circuitos puramente resistivos. Matemáticamente representa el coseno del
ángulo de desfase entre el voltaje y la intensidad. Las compañı́as eléctricas cobran a
los clientes normales en función de la potencia media que gastan, pero a las industrias
en función del factor de potencia. Esto es porque los componentes reactivos hacen que
no se transmita la potencia a la carga, ya que almacenan la energı́a. Sin embargo, a
la compañı́a eléctrica le cuesta producir esta energı́a.
16.7. Ejercicios
1. Si en un caso como el dibujado en la figura 16.2 nos dieran el valor Δt como
la diferencia o retraso de una señal respecto a la otra, ¿cómo se calcuları́a la
diferencia de fases conociendo la frecuencia f ?
Solución: Δφ = 2πf Δt.
2. Calcular la corriente eficaz para una onda diente de sierra, de periodo T , tal que
I = I0 t/T . √
Solución: Ief = I0 / 3.
3. Aplicando la definición de dB, verificar
√ que +3 dB equivalen aproximadamente
a una razón de amplitudes igual a 2 1,4, +6 dB aproximadamente
√ equivalen
a 2, +20 dB a 10 exactamente, −3 dB son equivalentes a 1/ 2 0,7 y −6 dB a
1/2.
4. Comprobar las siguientes propiedades:
La suma de un número complejo y su conjugado es igual al doble de la parte

real del número original.
La diferencia de un número complejo y su conjugado es igual al doble de la
parte imaginaria del número original.
El producto de un número complejo por su conjugado resulta igual a la suma
de los cuadrados de su parte real e imaginaria.
El complejo conjugado del producto de dos números complejos es igual al
producto del complejo conjugado de cada número.
El número complejo que resulta de aplicar la función exponencial a un número
imaginario puro, tal que (z) = 0, posee módulo unidad.
5. Obtener la expresión (16.31) para la reactancia de una bobina.
6. Demostrar que en un periodo, la potencia media disipada en un circuito compues-
to por una fuente de corriente alterna en serie con un condensador y un inductor
es nula. Hacerlo primero sin usar fasores y repetir la demostración empleándolos.
7. Demostrar que la potencia promedio para dos señales dadas por I(t) = I0 cos(ωt+
φ1 ) y V (t) = V0 cos(ωt + φ2 ) se puede calcular como la parte real del producto
del fasor del valor efectivo de una de ellas por el complejo conjugado del fasor
efectivo asociado a la otra (16.38). Pista: emplear la expresión para la parte real
dada por (16.16).
8. Demostrar que el factor de potencia es igual a cos θ, siendo θ el desfase entre la
intensidad y el voltaje. Se puede usar la demostración del ejercicio anterior.
Capı́tulo 17
Filtros
17.1. Señales con ruido
Vamos a ver la utilidad de la descripción en frecuencias de circuitos con componentes

lineales y analizaremos una de sus principales aplicaciones: los filtros.
Imaginemos que tenemos una señal proveniente de un satélite o de una sonda es-
pacial que nos llega a la Tierra distorsionada. En la figura 17.1 podemos ver una señal
con un periodo de 1 ms contaminada con ruido. El ruido está causado por compo-
nentes de mayor frecuencia que añaden ese aspecto arrugado a lo que de otra manera
parecerı́a una señal armónica. Lo que nos llega de un satélite no es exactamente ası́,
ya que la señal que hemos dibujado tiene un periodo relativamente grande para las
ondas que realmente emite un satélite cuyas frecuencias van del orden de 3 a 30 GHz.
De todas maneras el ejemplo nos vale para enunciar el problema: queremos quedarnos
con la mayor parte de la señal buena, quitando en lo posible toda la distorsión.
1ms
Figura 17.1. Señal contaminada con ruido.
208 Filtros
Vin
Z1
Vout
Z2
Figura 17.2. Divisor de voltaje generalizado.
17.2. Circuito CR - filtro pasa alta

Vamos a ver primero un circuito diferenciador CR como el del capı́tulo 15, pero
esta vez en el dominio de la frecuencia. Tenemos pues el caso que nos mostraba la
figura 15.12, pero esta vez la señal de entrada será una onda armónica de frecuencia
ω. Nos interesa calcular el voltaje de salida en función del voltaje de entrada. Esto es
lo que se llama función de transferencia.
Podemos tratar el circuito como un divisor de voltaje generalizado según podemos
ver en la figura 17.2, asociando a la entrada y salida los fasores Vin y Vout . Por lo
tanto no tenemos más que sustituir en la fórmula generalizada del divisor de voltaje,
Z2
Vout = Vin , (17.1)
Z1 + Z2
los valores Z1 = 1/iωC y Z2 = R para obtener
Vout R
= . (17.2)

Vin R + 1/iωC
Si tomamos módulo en la expresión (17.2) resulta

R
|Vout | = |Vin |
. (17.3)
[R2 + 1/ω 2C 2 ]1/2
Ya que |Vout | = Vout es la amplitud de la señal armónica, podemos escribir

Vout 2πf RC
= . (17.4)
Vin [1 + (2πf RC)2 ]1/2
En la figura 17.3 hemos representado en función de la frecuencia esta expresión,
también llamada función de respuesta en frecuencias.
La amplitud de la señal de salida se aproxima a la amplitud de la señal de
entrada a partir de una frecuencia llamada de corte, o también punto de −3 dB del
filtro.√Esta frecuencia es f3dB = 1/(2πRC). A esta frecuencia la razón de voltajes es
de 1/ 2 = 0,7 y la de potencias es justamente 1/2. A frecuencias bajas el circuito no
deja pasar mucha señal, mientras que a frecuencias altas pasa casi toda la que entra.
Recibe por tanto el nombre de filtro pasa alta.
Circuito RC - filtro pasa baja 209
in
/V
0.7
out
V
f =1/2πRC
3dB
f
Figura 17.3. Respuesta en frecuencia de un filtro pasa alta.
Cuando tratábamos este circuito en el dominio temporal veı́amos que la razón

entre el voltaje de salida y el de entrada se hacı́a igual a 1/e = 0,37 cuando el tiempo
transcurrido era t0 = RC, de manera que a tiempos mayores la señal se atenuaba
cada vez más. En el dominio de las frecuencias, la señal pasa a partir de la frecuencia
f3dB = 1/(2πt0 ), determinada por el mismo t0 = RC, mientras que a frecuencias
menores la señal no pasa.
Lo que ocurre en el dominio de la frecuencia es de alguna manera lo inverso de lo
que pasa en el dominio temporal. De hecho, el comportamiento en frecuencias de un
diferenciador se parece al de un integrador en el dominio temporal (ver la figura 15.11).
17.3. Circuito RC - filtro pasa baja

Consideraremos ahora el caso en el que cambiamos el orden del condensador y la
resistencia, como hacı́amos en el circuito integrador representado en la figura 15.10.
La señal de entrada será una onda armónica de frecuencia ω. Como antes, nos interesa
calcular el voltaje de salida en función del voltaje de entrada y asociaremos a ambos
los fasores Vin y Vout . Tratando el circuito como un divisor de voltaje generalizado
resulta, intercambiando Z1 con Z2 en (17.1), la función de transferencia
Vout 1/iωC
= . (17.5)

Vin R + 1/iωC
Tomando el módulo en ambas partes y reordenando los términos resulta para las
amplitudes la relación
Vout 1
= . (17.6)
Vin [1 + (2πf RC)2 ]1/2
En la figura 17.4 hemos representado la función respuesta de este circuito. De nuevo,
el comportamiento justifica el nombre de filtro pasa baja. La amplitud de la señal de
salida es aproximadamente igual a la amplitud de la señal de entrada a frecuencias
menores que f3dB = 1/2π(RC), llamada de frecuencia de corte o punto de −3 dB del
filtro. A partir de esa frecuencia existe una atenuación cada vez mayor.
210 Filtros
0.7
in
/V
out
V
f =1/2πRC
3dB
f
Figura 17.4. Respuesta en frecuencia de filtro pasa baja.
17.4. Gráficas de Bode

En la sección anterior, a partir de la función de transferencia obtenı́amos la razón de
amplitudes y la representábamos frente a la frecuencia usando una escala lineal. Sin
embargo, la función de transferencia también nos da información sobre la respuesta
en fase del filtro, es decir, sobre la diferencia de fase entre la señal de salida y la de
entrada.
Las funciones respuestas en amplitud y fase frente al logaritmo de las frecuencias,
con la fase expresada en grados y las amplitudes en decibelios, se conocen como
gráficas de Bode. Resulta útil aproximar estas gráficas por lı́neas rectas.
Función respuesta para la fase

Hemos calculado la respuesta en amplitud en las ecuaciones (17.4) y (17.6). Vamos
ahora a calcular la función respuesta para la fase. Empezaremos calculando la res-
puesta en fase de un filtro pasa baja. Podemos racionalizar la expresión (17.5) para
separar la parte real de la imaginaria multiplicando numerador y denominador por el

complejo conjugado del denominador. Hecho esto resulta
Vout (1/iωC)(R − 1/iωC) 1 − iωRC

= = . (17.7)
Vin 2
R + 1/(ωC) 2 1 + (ωRC)2
Al dividir la parte imaginaria entre la parte real de (17.7), resulta un desfase igual a
φ = arctan (−ωRC) = − arctan(2πf RC). (17.8)
De forma similar, partiendo de la función de transferencia (17.2), la respuesta en fase

para un filtro pasa alta resulta

1
φ = arctan . (17.9)
2πf RC
Gráficas de Bode 211
ganancia(dB)
0
−10
−20
0.1 f3dB f3dB 10 f3dB
90
fase en grados
45
0
f
Figura 17.5. Representación de Bode para un filtro pasa alta.
Representación de Bode para un filtro pasa alta
Estamos ya en disposición de representar la respuesta en amplitud y fase de un filtro

pasa alta. La relación de amplitudes recibe también el nombre de ganancia G. En la
representación de Bode la ganancia se expresa en decibelios según la expresión (16.6).
Para un filtro pasa alta, a partir de la expresión (17.4), la ganancia resulta
2
1
G(dB) = −10 log10 1 + . (17.10)
2πf RC
La representación de Bode para la fase está dada por la ecuación (17.9). En la figura
figura 17.5 hemos pintado en trazo grueso ambas funciones frente a la frecuencia en
escala logarı́tmica.
Resulta más sencillo aproximar estas curvas por lı́neas rectas sin necesidad de
calcularlas numéricamente. Para el caso de la amplitud, cuando f ≈ 5f3dB , entonces
el argumento del logaritmo es prácticamente igual a 1 con lo que G = 0. Cuando
f es suficientemente pequeño, hasta f ≈ 0,2f3dB , el argumento está dominado por
1/(2πf CR)2 y por tanto el crecimiento es lineal, de unos 20 dB/década. Una década
es un factor 10 en la frecuencia. De modo equivalente se puede decir que el crecimiento
es de 6 dB/octava, donde una octava es hacer la frecuencia 2 veces mayor. Las dos
rectas coinciden en el punto donde f = f3dB .
Para la curva de desfase también es posible una aproximación lineal. Todo el
cambio de fase se supone que ocurre entre 1/10 de la frecuencia de corte y 10 veces la
frecuencia de corte, es decir un intervalo de dos décadas centrado en la frecuencia de
corte. En los extremos de este intervalo, el error de aproximar la curva por una recta
horizontal es de unos 6◦ . La diferencia de fases es de 45◦ a la frecuencia de corte.
212 Filtros
ganancia(dB)
0
−10
−20

fase en grados
0
−45
−90
f
Figura 17.6. Representación de Bode para un filtro pasa baja.
Representación de Bode para un filtro pasa baja

De manera análoga, para un filtro pasa baja las funciones de respuesta resultan, según
(17.6) y (17.8),

2
G(dB) = −10 log10 1 + (2πf RC) , φ = − arctan (2πf RC) . (17.11)
En la figura 17.6 hemos representado estas funciones junto a su aproximacı́on lineal. La

discusión anterior es aplicable salvo que ahora para frecuencias pequeñas el argumento
del logaritmo se hace igual a 1.
17.5. Circuitos resonantes - filtros de ancho de banda

Cuando se combinan condensadores con inductores es posible hacer circuitos que po-
seen picos en sus funciones de respuesta, llamados picos de resonancia. Estos circuitos
encuentran aplicaciones en transmisión y recepción de señales.
Filtro de paso de banda

Consideremos el circuito mostrado en la figura 17.7. Este circuito se conoce con el
nombre de sintonizador y se emplea para seleccionar una frecuencia particular de una
señal. Como L y C pueden ser variables, se puede elegir la frecuencia que queremos
seleccionar. Podemos analizar el circuito encontrando la impedancia equivalente de la
asociación en paralelo del condensador y la bobina,
1 1 1 1
= + = + iωC, (17.12)
ZLC ZL ZC iωL
de modo que
i
ZLC = . (17.13)
(1/ωL) − ωC
Circuitos resonantes - filtros de ancho de banda 213
R Vout 0.7 Δ3dB
Vout/ Vin
Vin
L C
f0
f
Figura 17.7. Filtro de paso de banda. Figura 17.8. Respuesta del circuito re-
sonante.
Esta impedancia
√ se hace infinita a√una denominada frecuencia de resonancia igual a
f0 = 1/(2π LC) (esto es, ω0 = 1/ LC). Por tanto, la función respuesta presenta un
pico a esta frecuencia.
En combinación con la resistencia R tenemos un divisor de voltaje cuya respuesta
en amplitud se muestra en la figura 17.8. En ella se ha pintado la ganancia frente a
la frecuencia, dada por
Vout 1
=
2 1/2
. (17.14)
Vin
1+ Q2 f
f0 − f0
f
Hemos escrito la respuesta en lo que se conoce como forma estándar para un circuito
RLC. Para ello, se introduce el factor de calidad Q = ω0 RC. A partir de este factor se
√ la anchura del pico Δ3dB en los puntos a −3 dB (en donde la amplitud
puede obtener
se reduce 1/ 2) del valor en el pico) según
f0
Q= . (17.15)
Δ3dB

En este caso se puede comprobar que efectivamente Q = R C/L. El factor Q también

se puede definir como
Energı́a almacenada promedio

Q = 2π , (17.16)
Energı́a perdida promedio
en donde el promedio se evalúa durante un ciclo. Una manera de obtener el denomi-

nador de este cociente es calcular la energı́a perdida como la potencia media disipada
en un ciclo multiplicada por el periodo, es decir Pm T . La potencia disipada es la
2
potencia que se pierde en la resistencia, cuyo valor es R IR . En cuanto a la energı́a
almacenada promedio, se almacena en el condensador y en la bobina, y por tanto,
denotando el promedio en un periodo por <>, queda
< 21 LIL2 + 12 CVC2 >

Q = 2π 2 > . (17.17)
T < RIR
214 Filtros
Vin R Vout
Vout/ Vin
L
C
f
0
f
Figura 17.9. Filtro de muesca o trampa. Figura 17.10. Respuesta del filtro de
RLC en serie. muesca.
Podemos calcular este cociente a la frecuencia particular de resonancia. A la frecuencia

de resonancia, la energı́a que se almacena en el condensador y en la bobina es la misma,
de modo que
< LIL2 > < CVC2 > C
Q = ω0 2 = ω0 2 =R . (17.18)
< RIR > < RIR > L
Hemos visto tres maneras de hallar Q: escribiendo la función respuesta en amplitud
en forma estándar (17.14), empleando la anchura del pico a −3 dB (17.15), y por
último en función de la energı́a almacenada y disipada en un ciclo (17.16) cuando se
trabaja a la frecuencia de resonancia. El fenómeno de la resonancia aparece en otros
sistemas lineales disipativos, como puede ser un muelle con rozamiento, cavidades
electromagnéticas, etc.
Filtro de muesca o trampa

En el filtro anterior el condensador y el inductor estaban conectados en paralelo. Otra
variedad de filtros RLC se usan con el condensador y el inductor conectados en serie.
En la figura 17.9 podemos ver uno de ellos, llamado de trampa. La razón es que
este filtro permite el paso de todas la señales excepto aquellas cuyas frecuencias se
encuentran en la banda de resonancia.

La condición de resonancia significa que en la función de transferencia tenemos
un extremo. Se puede demostrar que la√impedancia de la asociación LC se anula a
la frecuencia de resonancia f0 = 1/(2π LC), que resulta la misma que en el filtro
de paso de banda. En la figura 17.10 hemos pintado la respuesta en amplitud. Este
circuito es una trampa para señales con frecuencia cercanas a f0 , ya que son guiadas
a tierra. El factor de calidad del circuito es ahora Q = ω0 L/R.
17.6. Diseño de un filtro

Volvamos al comienzo del capı́tulo. Dada la señal representada en la figura 17.1,
queremos quitarle el ruido y para ello usaremos un filtro RC.
Lo primero que se debe decidir es si se quiere que el filtro deje pasar las frecuencias
altas o las bajas. La frecuencia de la señal que nos interesa tiene un periodo de 1 ms,
Ejercicios 215
es decir una frecuencia de 1 kHz. En la figura se ve que hay unos 16 máximos debido
al ruido en la señal, con lo cual la frecuencia del ruido estará en torno a los 16 kHz.
Ya que lo que se quiere es dejar pasar la primera señal, lo que necesitamos es un filtro
pasa baja, es decir un filtro como el que dibujábamos en la figura 15.10.
Ahora necesitamos elegir los valores de R y C. En primer lugar, R dependerá de la
carga. Supongamos que la carga a la que vamos a conectar el filtro es Rload = 100 kΩ.
Como hemos visto en el capı́tulo 14, la impedancia de salida del filtro ha de ser menor
en un 10 % a la de carga, para asegurarnos que no afectamos el funcionamiento del
filtro por el efecto divisor de tensión. La impedancia de salida del filtro depende de
la frecuencia, pero en el caso más desfavorable, cuando la impedancia es la máxima
posible, valdrá R (mirando el equivalente de Thévenin del filtro, el caso más desfa-
vorable ocurre cuando ω = 0, y entonces ZT h = R). Por lo tanto, de la condición
R ≤ Rload /10, se concluye que una buena elección es R = 10 kΩ.
El valor de C viene condicionado por la frecuencia de corte f3dB . Se podrı́a elegir
f3dB = fseñal , pero el problema es que en realidad la señal no está compuesta de una
sola frecuencia, sino que incluye un rango que no queremos atenuar. Como queremos
que la señal de alta frecuencia sea atenuada lo máximo posible y la de baja frecuencia
lo mı́nimo, elegiremos f3dB = 2fseñal = 2 kHz. Con ello se puede comprobar que la
señal original resulta atenuada en un 11 %, es decir, obtenemos el 89 % de la señal a la
salida del filtro empleando la expresión (17.6). En cuanto al ruido, podemos ver que
su frecuencia se halla a 8f3dB , es decir, a 3 octavas o 23 veces la frecuencia de corte.
En la parte lineal de la representación de Bode, cada octava implicaba una caı́da de
6 dB, por lo que la amplitud se verá reducida 23 veces. Esto es una estimación ya
que no estamos en la parte lineal de la curva, pero la respuesta correcta, usando de
nuevo la ecuación (17.6), es que la amplitud se reduce en un factor 8,06. Con toda
esta discusión, C = 1/(2πf3dB R) ≈ 0,008 × 10−6 F, con lo cual podemos elegir un
condensador de 0,01 μF.
17.7. Ejercicios
1. Demostrar que el ángulo entre dos números complejos en el plano de Argand
viene dado por el arco cuya tangente es el cociente entre la parte imaginaria y la
parte real del cociente de ambos. Pista: escribir las partes real e imaginaria del
cociente como suma y resta del número y su conjugado y usar la forma polar de
los números complejos.
2. Demostrar la expresión (17.9) para la respuesta en fase para un filtro pasa alta.
3. Justificar la aproximación lineal de la figura 17.6 para un filtro pasa baja.
4. Sustituir el condensador por un inductor en un filtro pasa alta y pasa baja y
calcular sus funciones de respuesta en frecuencia. Dibujar esquemáticamente sus
gráficas de Bode y compruebar que son las mismas que las representadas en las
figuras 17.5 y 17.6.
/Vin = 1/ 1 + [R/(ωL)]2 , φ = arctan (R/(ωL)).
Solución: Vout
Vout /Vin = 1/ 1 + (ωL/R)2 , φ = − arctan (ωL/R).
5. Obtener la ecuación (17.14) para la función respuesta en amplitud del filtro mos-
trado en la figura 17.7. Comprobar que el intervalo entre las frecuencias de los
puntos de −3 dB vale Δ3dB = f0 /Q.
6. Demostrar que a la frecuencia de resonancia, la energı́a almacenada en la bobina
216 Filtros
del circuito de la figura 17.7 es la misma que la que se almacena en el condensador.

7. A partir de las igualdades dadas en la expresión (17.18) para el factor de calidad
a frecuencia resonante, obtener el valor Q = ω0 CR.
8. Para el circuito representado en la figura 17.9, calcular la frecuencia de resonancia
y el factor de calidad.
√
Solución: f0 = 1/2π LC, Q = 2πf0 L/R.
9. La frecuencia de resonancia no es la misma para circuitos RLC. Depende de
cómo están conectados los elementos. Para comprobarlo, calcular la frecuencia
de resonancia en un circuito con un condensador en serie con la asociación en
paralelo de los otros dos. Compararlo con la frecuencia de resonancia de un filtro
de ancho de banda.
Solución: ω0 = 1/ LC − (L/R)2 .
Capı́tulo 18
Semiconductores
18.1. Semiconductores, metales y dieléctricos

Si aplicamos un campo eléctrico a un volumen lleno de partı́culas neutras no aparece
corriente eléctrica. De esta manera, un volumen lleno con un gas de átomos neutros
de cualquier sustancia, por ejemplo plata, es un aislante o dieléctrico que se puede
considerar ideal. Sin embargo, en estado sólido, la plata presenta una conductividad
1022 veces mayor que la del vidrio. Una sustancia, dependiendo del cristal que forma
(de su ordenamiento formando distintos tipos de redes), puede ser aislante o conduc-
tora. Ası́, el carbono puede ordenarse de una forma conocida como grafito, que es un
buen conductor, y de otra forma conocida como diamante que es un aislante casi per-
fecto. En un gas, los átomos o moléculas se pueden considerar como entes individuales
ya que están muy separados entre sı́, mientras que en un sólido las propiedades no
dependen tanto de los átomos individuales como de los enlaces entre ellos.
Supongamos que tenemos un cristal como el mostrado en la figura 18.1. Para
formar el enlace imaginemos que cada átomo pierde un electrón de valencia. Esos
electrones quedan entonces libres para saltar de la proximidad de un núcleo a otro. Se
puede decir que se colectivizan. Habrá unos 1022 electrones por centı́metro cúbico en
el metal (dibujados como puntos negros) que pueden responder libremente a la acción
de un campo externo, generándose corriente eléctrica. Esta situación es la del enlace
metálico.
Veamos el caso opuesto, en donde todos los electrones de valencia intervienen
en el enlace entre átomos y ninguno se colectiviza. En la figura 18.2 podemos ver un
cristal de silicio (Si). El átomo de silicio posee 4 electrones de valencia. Al formar la
red, comparte esos electrones con sus vecinos, de manera que a su alrededor orbitan 8
electrones según podemos ver representados mediante las lı́neas que unen los átomos
en la figura: los cuatro que tenı́a y otros 4 provenientes de sus vecinos. La carga
negativa que posee cada átomo de la red en promedio es de 4 electrones, la misma que
tenı́a individualmente. En este caso no existe carga disponible que libremente pueda
responder a un campo externo y por consiguiente su comportamiento será el de un
buen dieléctrico.
Sin embargo, cualquier defecto en la red, cualquier impureza debida a la presencia
de un átomo extraño, incluso calor, son capaces de destruir algunas de las ligaduras
electrónicas. Entonces, en menos cantidad que en el caso de un conductor, existirán
218 Semiconductores
Si
Figura 18.1. Diagrama esquemático de Figura 18.2. Diagrama esquemático de

la red cristalina de un metal. La red de la red cristalina del silicio. Las lı́neas
iones cargados positivamente está inmer- que unen los átomos representan ligadu-
sa en un gas de electrones libres. ras electrónicas.
electrones libres que pueden conducir corriente. Este comportamiento es el de un

semiconductor.
La conductividad de estos materiales no es ni muy grande ni muy pequeña. Es
menor que la de algunos materiales conductores, como el cobre, el hierro, el aluminio,
el oro o la plata, pero mucho mayor que la de dieléctricos como el vidrio, la madera o
el papel. Otra importante propiedad que poseen es la dependencia de la conductividad
con la temperatura de forma muy marcada. Dicho de otro modo, su resistencia al paso
de la corriente eléctrica depende mucho de la temperatura.
Estas dos propiedades, a primera vista nada espectaculares, hacen de estos ma-
teriales los protagonistas de la tecnologı́a electrónica actual. Capas delgadas de ma-
teriales semiconductores, unas sobre otras, se usan para controlar el flujo de corriente
eléctrica en los circuitos, para detectar y amplificar señales de radio, para producir
oscilaciones en los transmisores, para fabricar interruptores digitales, etc.
18.2. Teorı́a de bandas para la conducción

Un tratamiento riguroso para explicar el comportamiento de los semiconductores re-
querirı́a mecánica cuántica. Sin embargo, es posible un tratamiento clásico para in-
troducir los conceptos de la teorı́a de bandas y huecos.

Calculemos primero el campo que mantiene unidos los electrones en un cristal
ideal de Si a 0 K, por lo que todos los electrones de valencia participan en el enlace.
Usaremos propiedades del Si y algunas hipótesis:
El Si tiene número átomico Z = 14. En las capas más externas posee 4 electrones
de valencia. Por consiguiente, la carga total positiva que sienten estos electrones es
igual al número de protones menos el número de electrones de las capas internas,
es decir 4e.
Supondremos que el campo que mantiene unido a estos electrones de valencia
con el núcleo se puede calcular como un campo creado por cargas puntuales
empleando la ley de Coulomb.
El Si cristaliza en forma de diamante, con cada átomo de la red dentro de un
tetraedro, con 4 vecinos en cada vértice. La distancia a cada vecino, también
llamada constante reticular, vale a0 = 0,54 nm. Supondremos que la distancia
Teorı́a de bandas para la conducción 219
entre los electrones de valencia y el conjunto del núcleo más los electrones internos
es a0 .
Con estas hipótesis, el módulo del campo eléctrico que siente un electrón es |E| =
2×1010 V/m, 10000 mayor que el necesario para desencadenar rayos en una tormenta.
Está claro que el Si se comporta en estas condiciones como un dieléctrico perfecto, ya
que un campo externo, sumado al que mantiene unido al electrón con el núcleo, sólo
deformará un poco las órbitas electrónicas, pero no habrá corriente.
Veamos ahora cuánta energı́a harı́a falta para liberar un electrón. La fuerza que
mantiene ligado al electrón viene dada por |Fe | = e|E|. Para liberarlo, deberı́amos
aplicar al menos una fuerza de igual magnitud, y alejarlo una distancia a0 . Ası́ para
hacerlo libre necesitarı́amos suministrarle una energı́a Eg = a0 e|E|. El subı́ndice g
viene de la palabra inglesa gap que significa espacio, intervalo, salto. Si suponemos que
el campo eléctrico es del mismo orden que el calculado anteriormente, |E| ∼ 1010 V/m
para el Si en las condiciones ideales anteriores, entonces Eg ≈ 5 eV. Un electrón-voltio
eV es la energı́a que adquiere un electrón acelerado por una diferencia de potencial
de 1 V. Por tanto, 1 eV = 1,6 × 10−19 J.
En general, podemos decir que si Eg ≥ 3 eV, el cristal se comportará como un
dieléctrico, con una resistencia infinita. Si, por el contrario, Eg ≤ 3 eV, será más
fácil que se rompan algunos enlaces y se creen electrones libres. El comportamiento
será el de un semiconductor, con conductividad distinta de cero y resistencia finita.
Por ejemplo, para el antimoniuro de indio (InSb), Eg 0,17 eV. La energı́a que posee
la radiación infrarroja es del mismo orden, y cuando se ilumina con luz infrarroja
un semiconductor de este tipo se vuelve conductor. Otro semiconductor tı́pico es el
arseniuro de galio (GaAs), con Eg 1,4 eV.
A temperatura finita, los átomos de la red se ponen a vibrar y será más fácil
romper enlaces, con lo cual la resistencia eléctrica disminuye cuando la temperatura
aumenta en los semiconductores. En los metales, la resistencia aumentaba con la
temperatura.
Se dice que los electrones que participan en el enlace ocupan la banda de valencia
del sólido, estando todos ellos en un rango energético menor que aquellos que se
encuentran en la llamada banda de conducción. La banda de conducción es el rango
energético en el que se hallan los electrones colectivos del cristal. Ambas bandas o
rangos energéticos están separadas por un intervalo que es igual a Eg llamado banda
prohibida. Esto se puede ver de un modo gráfico empleando los diagramas de bandas.
En la figura 18.3 podemos ver el diagrama de bandas para un semiconductor
como el Si a temperatura ambiente, y en la figura 18.4 para un aislante. En general,
un material puede conducir electricidad si la banda de valencia, la de conducción, o
ambas, no están completamente llenas de electrones o completamente vacı́as. Si están
vacı́as, está claro que no hay portadores y no habrá corriente, pero también hace falta
que haya espacio en una banda para que los portadores que se encuentran en ella
puedan moverse. Si en un material la banda de conducción y la de valencia están
completas no habrı́a corriente. Si la banda de valencia se halla medio vacı́a y la de
conducción totalmente vacı́a entonces sı́ puede haber corriente, como suele ser el caso
de un metal monovalente, formado por átomos con un solo electrón en la capa de
valencia.
En un aislante, normalmente la banda de conducción se encuentra vacı́a mien-
tras que la de valencia está llena. En un semiconductor como el representado en la
220 Semiconductores
Energia Energia
Banda
de conduccion
Banda
de conduccion
Eg = 5 eV
Eg = 1 eV
Banda de valencia
Banda de valencia
Figura 18.3. Diagrama de bandas pa-

Figura 18.4. Diagrama de bandas para
ra un semiconductor. La banda de con-
un aislante. La banda de conducción se
ducción contiene algunos electrones exci-
encuentra vacı́a mientras que la de valen-
tados térmicamente que han abandonado
cia completamente llena.
la banda de valencia.
figura 18.3, debido a que Eg no es demasiado grande, existen electrones con suficiente
energı́a térmica como para saltar esta barrera y pasar a la banda superior. La banda
de conducción contiene electrones que han abandonado la banda de valencia dejando
espacios vacı́os en ella o huecos.
Los huecos no son partı́culas, sino espacios vacı́os dejados por electrones. Sin
embargo, el concepto de hueco fue introducido en 1933 por Frenkel para nombrar a la
partı́cula capaz de crear una corriente eléctrica en un semiconductor y que transpor-
ta la misma carga eléctrica que el electrón pero con signo positivo. De esta manera
se asignaban propiedades de masa y carga a estos espacios vacı́os. En las próximas
secciones, cuando discutamos cómo se mueven los electrones de las capas parcial-
mente ocupadas cuando se aplica un campo eléctrico, veremos lo útil que resulta la
descripción de Frenkel.
18.3. Semiconductores intrı́nsecos

Los semiconductores intrı́nsecos son aquellos en los cuales la concentración de huecos
y electrones libres está determinada únicamente por Eg y por la temperatura a la que
se encuentran.
Imaginemos un cristal de Si como el que dibujamos en la figura 18.5, en el que
no existen defectos ni impurezas, y que se halla a temperatura T . La pregunta que
nos haremos es cuántos enlaces estarán rotos o cuántos electrones habrá en la banda
de conducción.
El movimiento caótico de la red debido a la energı́a térmica tiende a romper
los enlaces. Por consiguiente, el efecto de la temperatura será la creación de pares
de electrones y huecos. Se sabe que el valor medio de la energı́a de este movimiento
caótico viene dado por kB T , siendo
kB = 1,38 × 10−23 J/K = 8,6 × 10−5 eV/K, (18.1)
la constante de Boltzmann. A temperatura ambiente (300 K), la energı́a térmica es

kB T ≈ 0,026 eV, mientras que a una temperatura de 200◦ C, es kB T ≈ 0,043 eV (la
conversión entre grados centı́grados y Kelvin viene dada por K = ◦ C + 273,15).
Semiconductores intrı́nsecos 221
Si
Figura 18.5. Cristal de Si a T = 0, en donde se puede ver un par electrón-hueco
En general para semiconductores kB T Eg , lo que sugiere que la energı́a térmica

es incapaz de romper enlace alguno, pero lo que ocurre es que kB T da el valor medio
de la energı́a térmica, pero no el valor para cada átomo del cristal en un determinado
instante. Habrá átomos que posean una energı́a mucho mayor y otros mucho menor
que kB T , siendo los primeros capaces de perder electrones de enlace. La mecánica
estadı́stica nos dice que la probabilidad de que existan átomos con una energı́a igual
a Eg en un determinado instante, cuando se halla el cuerpo con una energı́a promedio
kB T , viene dada por la exponencial del cociente con signo negativo. Por consiguiente,
el número de pares electrón-hueco creados cada segundo por unidad de volumen del
semiconductor vendrá dado por

Eg
P1 = α exp − , (18.2)
kB T
siendo α un coeficiente de proporcionalidad diferente para cada tipo de semiconductor.

Por otro lado, cuando un electrón libre se encuentra con un hueco, se aniqui-
lan mutuamente. El electrón rellena el hueco y se libera una energı́a igual a Eg .
Este proceso se llama recombinación. La frecuencia con la que ocurre este proceso
será proporcional al número de huecos existentes, ya que mientras más huecos haya,
más probabilidad tendrá un electrón de encontrarse con un hueco. Además, también
será proporcional por la misma razón al número de electrones. Podemos entonces
escribir el número de electrones y huecos que desaparecen por recombinación cada
segundo, por unidad de volumen, como
P2 = β ni pi , (18.3)
siendo β un coeficiente de proporcionalidad que depende del semiconductor considera-
do, y ni , pi respectivamente el número de electrones y huecos por unidad de volumen
en el semiconductor intrı́nseco.
En un semiconductor intrı́nseco cada vez que se crea un hueco aparece un electrón
libre (se genera un par), por lo que podemos igualar las concentraciones ni = pi , y
escribir esta la expresión (18.3) como
P2 = β ni 2 = β pi 2 . (18.4)
El equilibrio a una determinada temperatura se alcanza cuando las concentraciones ni

y pi no cambian en el tiempo, por lo que el proceso de recombinación ha de igualarse
222 Semiconductores
Ec
Eg
Ev
Figura 18.6. Diagrama de bandas ilustrando el proceso de generación y recombinación en

un semiconductor intrı́nseco. La flecha hacia arriba indica el proceso de creación, hacia abajo
el de aniquilación.
al proceso de generación. Igualando (18.2) y (18.3), obtenemos

Eg
ni = pi = N exp − , (18.5)
2kB T
con N = (α/β)1/2 .
Los procesos de generación y recombinación pueden describirse mediante el dia-
grama de bandas de la figura 18.6 en donde se representa la creación–aniquilación
de un par. El hueco se ha pintado como una carga positiva (ausencia de electrón en
la banda de valencia). El electrón aparece como un punto negro más pequeño (con
menos masa) en la banda de conducción. En la sección 18.5 veremos por qué se supone
menos masivo el electrón que el hueco.
La expresión (18.5) permite explicar las propiedades que mencionábamos al
comienzo del capı́tulo. En la tabla 18.1 podemos ver algunos valores de Eg y de
la concentración ni para diferentes semiconductores a diferentes temperaturas. Re-
cordemos que cada centı́metro cúbico de un metal contiene unos 1022 electrones de
conducción, mientras que incluso en un semiconductor como el InSb, con un valor
pequeño de Eg , el número de electrones intrı́nsecos es, a temperatura ambiente, un
millón de veces más pequeño. Es de esperar que no sea tan buen conductor. Por otro
lado, un cambio en la temperatura aumenta la concentración de electrones y, por con-
siguiente, la conductividad. Se puede comprobar que si se aumenta la temperatura
1,7 veces, la concentración en en caso del GaP aumenta 5,5 × 107 veces.
Semiconductor Eg (eV) T (K) ni (cm−3 )

InSb 0,17 300 1,3 × 1016
500 4,8 × 1016
Ge 0,72 300 2,4 × 1013
500 6,4 × 1015
GaAs 1,4 300 1,4 × 107
500 7,2 × 1011
GaP 2,3 300 0,8
500 4,4 × 107
Tabla 18.1. Valores caracterı́sticos de la concentración de electrones a diferentes tempera-

turas para algunos semiconductores.
Semiconductores extrı́nsecos 223
Si
As
Figura 18.7. Un átomo donador As en una red de Si.
18.4. Semiconductores extrı́nsecos

En la naturaleza no existen sustancias puras que contengan un solo tipo de átomos.
Cualquier cristal real contiene alguna impureza. Una sustancia se considera pura si
contiene un átomo extraño por cada 1000 átomos intrı́nsecos, es decir, un 0,1 % de
impurezas. Desde el punto de vista quı́mico, la sustancia será absolutamente pura
si contiene 0,001 % de impurezas. Sin embargo, supongamos que la impureza en el
semiconductor es capaz de liberar un electrón o formar un hueco con mucha facili-
dad. Esto implica que tendremos por cada centı́metro cúbico unos 1017 electrones
o huecos aproximadamente. Si miramos de nuevo la tabla 18.1, esta concentración
será mucho mayor que cualquiera de las concentraciones intrı́nsecas. Es por esto que
las impurezas juegan un papel tan importante en las propiedades del semiconductor.
El control de las mismas es de suma importancia, y por ello, su fabricación se hace
en salas esterilizadas, incluso más que los quirófanos. La gran mayorı́a de materiales
semiconductores contiene cierta cantidad controlada de impurezas para fijar el valor
necesario de la conductividad.
Impurezas donadoras
Veamos primero el caso de las impurezas donadoras. Supongamos que un átomo ex-
traño se ha alojado en un cristal y ocupado uno de los lugares de la red. Por ejemplo,
un átomo de arsénico (As) ha ocupado el lugar de un átomo de Si como puede verse

en la figura 18.7. El Si tenı́a 4 electrones de valencia pero el As tiene 5.
Cuatro de esos electrones del As formarán enlaces con los átomos de Si vecinos, y
sobra uno. Ese quinto electrón se quedará en las cercanı́as del As, pero al tratarse de
un electrón de las capas exteriores y no formar enlace, estará ligado al As débilmente.
La energı́a necesaria ΔE para que este electrón se transforme en un electrón libre
será mucho menor que la energı́a Eg necesaria para liberar uno de los electrones de
valencia del cristal. Esta energı́a de ionización se llama energı́a de activación de la
impureza. Las impurezas que pierden electrones fácilmente, como en este caso, reciben
el nombre de impurezas donadoras.
Sea Nd la densidad de impurezas y consideremos que el cristal se halla a 0 K.
El cristal se comportará como un dieléctrico ideal, ya que aunque liberar el quinto
electrón implica poca energı́a, a esa temperatura no hay ninguna disponible (recor-
demos que no hay vibraciones de la red). A temperatura mayor que cero, la densidad
de electrones libres debido a las impurezas vendrá dada por
224 Semiconductores
Si
Figura 18.8. Un átomo aceptor B en una red de Si.

ΔE
nd = Nd exp − , (18.6)
kB T
en donde el subı́ndice d indica donadora. La expresión es análoga a la ecuación (18.5),
pero en lugar de un valor grande Eg tenemos un valor mucho menor ΔE. En el caso
del As en el Si, ΔE es igual a 0,05 eV.
Un semiconductor en el que se han introducido impurezas donadoras se llama
semiconductor de tipo n. La letra n viene de la palabra negativo, mostrando que el
semiconductor tiene muchos electrones libres.
Impurezas aceptoras
Veamos ahora el caso en el que la impureza tiene menos electrones para compartir que
el átomo intrı́nseco. En este caso recibe el nombre de impureza aceptora. Imaginemos
que en vez de As la impureza fuera boro (B). El B es trivalente, y por tanto le
faltará un electrón para poder formar un enlace completo con los cuatro vecinos de
la red.
En la figura 18.8 se pueden ver los enlaces electrónicos de un semiconductor de
Si dopado con B. Esta situación es parecida a la mostrada en la figura 18.5, ya que
en cada caso falta un enlace. Sin embargo, existe a la vez una gran diferencia: todos
los átomos de Si son idénticos por lo que, en cualquier instante, el hueco entre ellos
puede rellenarse por uno de los electrones de enlace y pasar a estar más cerca de
otro vecino. No hace falta energı́a para que el hueco viaje por el cristal. Pero el B
es un átomo extraño en la red. Para que un electrón del Si vecino rellene el hueco
del B y se cree un hueco, es necesaria una energı́a ΔE. En el caso del B en Si esta
energı́a es de sólo 0,045 eV, pero aunque pequeña, es distinta de cero. Ningún hueco se
formará en el cristal hasta que esta barrera energética no sea superada. Supongamos
que, o bien la vibración de la red, o la radiación exterior, ha suministrado esta energı́a
de activación. Ahora la situación será idéntica a la de la figura 18.5. Habrá un hueco o
enlace vacı́o que equivale a una carga positiva en la red. La expresión que nos dará la
concentración de estos huecos en el equilibrio será entonces

ΔE
pa = Na exp − , (18.7)
kB T
análoga a la del caso de impurezas donadoras. Es importante tener en cuenta que
la creación de un hueco no está acompañada de la creación de un electrón libre (de
Semiconductores extrı́nsecos 225
∼ E /2k
g B
ln n (ln p)
∼ ΔE/k
B
1/T
Figura 18.9. Dependencia tı́pica de la concentración de portadores con la temperatura. Po-

demos observar tres regiones: a bajas temperaturas la conductividad se debe principalmente
a la presencia de impurezas, conforme aumentamos la temperatura las impurezas se saturan,
y por último, los portadores intrı́nsecos son los que contribuyen a la conductividad.
forma análoga a lo que sucedı́a en el caso de impurezas donadoras con la creación de

electrones libres). Un semiconductor que ha sido dopado con impurezas aceptoras se
llama semiconductor de tipo p (la letra p viene de positivo).
Por último, queremos hacer constar que las expresiones (18.6) y (18.7) son sólo
aproximadas y válidas si el valor calculado con ellas es mucho menor que las concen-
traciones de impurezas Nd y Na respectivamente, esto es, si kB T ΔE. Si éste no es
el caso, entonces todo los átomos de impurezas estarán activos y las concentraciones
nd y pa serán iguales a las concentraciones Nd y Na .
Portadores mayoritarios
La curva de la figura 18.9 resume lo que hemos aprendido sobre las propiedades de
los semiconductores intrı́nsecos y extrı́nsecos. Representa la dependencia tı́pica de la

concentración de portadores libres (electrones o huecos) con la temperatura. Se ha
dibujado el logaritmo de las densidades frente a la inversa de la temperatura.
Para temperaturas bajas, la contribución principal o mayoritaria viene de la crea-
ción de portadores debida a la presencia de impurezas. Se puede ver que la dependencia
es lineal como predicen las expresiones (18.6) y (18.7). Conforme la temperatura au-
menta y nos acercamos hacia el origen de la gráfica, vemos que llegamos a una zona
en las que la concentración de portadores mayoritarios no depende de la temperatu-
ra. Esta zona corresponde a un rango en el que todas las impurezas, y no solo una
fracción de ellas, tienen suficiente energı́a térmica para contribuir a la aparición de
un electrón libre (o hueco). Por último, si continuamos aumentando la temperatura,
la energı́a térmica es suficiente para que los átomos del cristal puedan romper sus
enlaces y crear pares electrón-hueco. Esto está representado por una lı́nea recta de
pendiente Eg /2kB que se corresponde con la expresión (18.5).
226 Semiconductores
Portadores minoritarios
Anteriormente hemos visto cuál es la concentración de electrones debida a la presencia
de impurezas donadoras y la de huecos debida a impurezas aceptoras. Estos portadores
son los que a bajas temperaturas contribuyen mayoritariamente a la densidad de carga
libre como se aprecia en la figura 18.9. Sin embargo, las impurezas donadoras no sólo
donan electrones, sino que también afectan a la distribución de huecos. Análogamente,
las aceptoras no sólo crean huecos sino que también afectan a la concentración de
electrones.
Discutiremos ahora cuál será la concentración de huecos en un semiconductor de
tipo n, y cuál la de electrones en uno tipo p, minoritarias en ambos casos. En primer
lugar, recordemos que cuando se ionizan las impurezas, en el caso de ser de tipo n, éstas
crean un electrón pero no un hueco (para las impurezas tipo p se crean huecos pero
no electrones). Dicho de otro modo, las impurezas no crean pares. A la vista de esto,
podrı́a pensarse que el número de portadores minoritarios debe de ser el intrı́nseco ya
que las impurezas no contribuyen a crear huecos extras en el caso de ser donadoras
(semiconductor tipo n), o electrones extras si son aceptoras (semiconductores tipo
p). Esto es verdad a medias. Es cierto que la creación de pares electrón-hueco que
aparecen por cada segundo a una temperatura T en un semiconductor de tipo n o p
es el mismo que en el caso de un semiconductor intrı́nseco, pero el número de pares
que desaparecen no.
La expresión (18.2) nos daba el número de pares que aparecı́an a una deter-
minada temperatura, que era igual al que desaparecı́a, y por tanto proporcional a
n2i (T ). Sin embargo, el número de huecos en el caso de un semiconductor tipo n en el
equilibrio será menor, ya que al haber más electrones habrá mas posibilidades de que
estos se encuentren con aquellos, y por tanto que se aniquilen. De nuevo, como en la
expresión (18.3), el número de huecos que desaparecen es proporcional al producto de
las poblaciones de huecos p0 y electrones n0 . Por consiguiente, la ecuación de balance
en el equilibrio puede escribirse como
p0 n0 = n2i (T ), (18.8)
en donde el subı́ndice 0 equivale a d o a dependiendo de qué clase de semiconductor
se trate, si donador o aceptor. Si combinamos esta expresión con las ecuaciones (18.6)
o (18.7), podremos saber cuánto vale la concentración de portadores minoritarios,

huecos pd en el primer caso, o electrones na en el segundo caso.
18.5. Movimiento de electrones y huecos

En este apartado veremos cómo se mueven los portadores libres y contribuyen a la
corriente cuando se aplica un campo eléctrico al semiconductor. Veremos que podre-
mos asignar a los huecos propiedades de partı́culas positivas que se desplazan a favor
del campo aplicado. La corriente eléctrica será la suma del movimiento ordenado de
los electrones libres más el de los huecos.
Movimiento térmico
Los átomos de cualquier sustancia están en constante movimiento térmico debido a la
energı́a cinética que poseen. Las colisiones de los portadores libres con los átomos de
Movimiento de electrones y huecos 227
la red cristalina dan lugar a un movimiento caótico. El promedio energético de este

movimiento térmico es igual a 3kB T /2. Igualando este valor a la energı́a cinética de
la partı́cula mv 2 /2, podemos encontrar el módulo de la velocidad media vT de este
movimiento caótico,
1/2
3 kB T
vT = . (18.9)
m
Cuando T = 300 K, si asumimos que la masa del portador es igual a la del electrón
en el vacı́o, resulta vT ≈ 105 m/s. Sin embargo, no habrá desplazamiento neto porque
la dirección de este movimiento es aleatoria.
Movimiento en un campo eléctrico

En presencia de un campo eléctrico, los portadores adquieren además un movimiento
en la dirección del campo aplicado. Los electrones cargados negativamente tenderán
a moverse hacia el electrodo positivo.
Veamos qué le ocurre a los huecos. Recordemos que un hueco no es una partı́cula
real, sino la ausencia de un electrón de enlace. Este hueco puede ser ocupado por un
electrón libre, con lo cual desaparecerı́a el par, o por uno de los electrones vecinos que
participan en el enlace, con lo cual el hueco permanecerı́a en la cercanı́a del mismo
átomo, ya que este electrón de enlace deja a su vez otro hueco. Debido sin embargo
a la presencia de un campo externo, los electrones de enlace deforman un poco sus
órbitas, y en general será más probable que los electrones que tiendan a ocupar el
hueco sean aquellos tales que su órbita pase más cerca, y estos pueden ser de átomos
vecinos. El movimiento de esta sucesión de huecos será en promedio paralelo al campo.
Podemos describir esta situación como un sólo hueco que se comporta eléctricamente
como el electrón pero con carga positiva. El resultado de todo esto es un movimiento
dirigido de electrones negativos en un sentido y huecos positivos en el otro, dando la
suma una corriente eléctrica.
En presencia de un campo eléctrico E la fuerza eléctrica que actúasobre un por-
tador es Fe = qE (q = ±e, dependiendo si es un electrón o un hueco). Además las
partı́culas sufren colisiones con los átomos que componen el cristal debido a la energı́a
térmica que poseen. Después de cada colisión, el portador se puede mover en cualquier
dirección. Esto significa que en valor medio la velocidad de este movimiento será cero
justo después de la colisión. En segundo lugar, como las colisiones son también aleato-
rias, el tiempo de vuelo libre t del portador también será bastante diferente. Podemos
pues tomar un promedio de este tiempo entre colisión y colisión, que denotaremos
por τ0 . El valor medio de la velocidad del portador o velocidad de arrastre se puede
obtener empleando los argumentos de la sección 7.1 como
eτ0
va = |E| = ζ|E|. (18.10)
m
El coeficiente de proporcionalidad ζ en la ecuación (18.10) se llama movilidad,
ζ = eτ0 /m. (18.11)
En la tabla 18.2 podemos ver algunos valores experimentales de este coeficiente para
electrones y huecos a temperatura ambiente en distintos tipos de semiconductores.
228 Semiconductores
La proporcionalidad entre la velocidad de arrastre y el campo eléctrico como

vimos en el capı́tulo 7 se puede escribir como
σe
va = |E|, (18.12)
en0
siendo σe la conductividad eléctrica del portador considerado y n0 su número por
unidad de volumen. Las ecuaciones (18.11) y (18.12) implican una relación entre
movilidad y conductividad dada por
σe = en0 ζ. (18.13)
Mecanismos de colisión
Analizaremos ahora con más detalle el significado τ0 que aparece en la expresión
(18.11). Supongamos que un portador va chocando con los átomos vecinos de la red, de
manera que τ0 fuera el tiempo medio que tarda el portador en viajar entre dos vecinos.
Para campos externos moderados, la velocidad pmedia del portador será va ≈ vT , ya
que la velocidad térmica es del orden de 105 m/s. La distancia a0 entre dos vecinos
en el caso de una red de Si vale aproximadamente 5 × 10−10 m. Usando estos datos,
podemos ver que obtendrı́amos un valor ζ ∼ 10−3 m2 /Vs para la movilidad.
Ya que los valores de a0 y vT son aproximadamente iguales para todo sólido,
este valor de la movilidad, suponiendo colisiones entre vecinos, también serı́a un valor
universal para todos los semiconductores. Si miramos la tabla 18.2 y comparamos los
valores experimentales con nuestra predicción teórica, vemos que los valores experi-
mentales resultan al menos un orden de magnitud mayores.
Se puede pensar en el proceso inverso. Se toman los valores experimentales de
las movilidades, y con ellos se calcula τ0 . Entonces se puede estimar la distancia que
el portador debe viajar entre colisión y colisión. Tomemos por ejemplo el valor de
la movilidad de los electrones para el InSb. La distancia recorrida entre colisión y
colisión resulta del orden de 5 × 10−6 m. Como la distancia entre átomos de la red
es a0 , esta distancia corresponde a 10000 distancias interatómicas. Esto es realmente
increı́ble, ya que antes de chocar el electrón pasa 10000 átomos sin colisionar con ellos.
No podrı́amos encontrar explicación alguna si los portadores fueran partı́culas
como bolas de billar. Sin embargo, una de la principales ideas de la mecánica cuántica
es que se puede asociar a cada partı́cula un comportamiento ondulatorio. Bajo ciertas

condiciones, cualquier tipo de onda se puede propagar sin ser refractada en un medio
que contiene centros de refracción. La condición principal es que esos centros estén
colocados en una red periódica. Cualquier ligera desviación de este espaciamiento ideal
Semiconductor InSb Ge GaAs GaP

2
ζn (m /Vs) 8 0,39 1 0,05
ζp (m2 /Vs) 0,07 0,19 0,04 0,01
Tabla 18.2. Movilidades experimentales de electrones y huecos para distintos semiconduc-

tores a temperatura ambiente T = 300 K.
Movimiento de electrones y huecos 229
(el cambio de distancia entre los centros, la presencia de otro centro con diferentes
propiedades o incluso la ausencia de alguno) provocan la colisión de la onda. Por
tanto τ0 denota el tiempo entre colisiones del portador con cualquier distorsión de
la red ideal del cristal. Se puede aprender mucho sobre las causas de esta distorsión
estudiando la dependencia de la movilidad con la temperatura.
Masa efectiva
Hemos supuesto que la masa del portador entre colisiones es igual a la masa del
electrón libre en el vacı́o. Ahora sabemos que las cosas no son tan simples. En el tiem-
po que transcurre entre dos colisiones, los portadores sienten el campo creado por los
iones y los electrones de valencia, además del externo, ya que viajan a través de mu-
chas distancias interatómicas. Por consiguiente, se puede preguntar si las ecuaciones
derivadas anteriormente tienen sentido.
La respuesta a esta cuestióne necesita un tratamiento cuántico. Sin embargo
todo el razonamiento es válido salvo que en las expresiones donde aparece la masa
del electrón en el vacı́o m, ésta se debe sustituir por una masa efectiva m∗ para el
electrón o el hueco. Este cambio refleja la influencia del campo creado por la red sobre
el portador que se mueve por ella. En la tabla 18.3 vemos que los valores son bastante
diferentes de los de la masa del electrón libre, y por ello las movilidades también lo
son.
Portadores calientes
Nos queda un último aspecto a discutir. Hemos asumido que el campo externo era lo
suficientemente débil para no alterar el movimiento térmico del portador de manera
significativa. Pero ¿qué ocurre si el campo externo no es débil?
El campo necesario para hacer que la velocidad de arrastre de los electrones va sea
igual a la velocidad térmica vT a temperatura ambiente es del orden de 5 × 105 V/m.
Si el campo aplicado al semiconductor es tan grande que la velocidad de arrastre se
aproxima a la térmica, se dice que los portadores están calientes. En este régimen, su
interacción con la red es diferente de lo discutido hasta ahora, y el tiempo de colisión
τ0 , la masa efectiva m∗ , y consecuentemente la movilidad empiezan a depender del
campo externo aplicado. Esencialmente, lo que ocurre es que un portador que ha
adquirido tal cantidad de energı́a entre colisión y colisión la transfiere prácticamente

totalmente a la red en la colisión siguiente. Bajo tales condiciones, tenemos que
ζ ∼ 1/|E|, va = cte. (18.14)
Semiconductor InSb Ge GaAs GaP

m∗e /m 0,013 0,12 0,07 0,35
m∗h /m 0,18 0,28 0,45 0,86
Tabla 18.3. Razón entre la masa efectiva de portadores en diversos semiconductores y la

masa del electrón en el vacı́o m = 9,1 × 10−31 kg.
230 Semiconductores
18.6. Difusión
El fenómeno de la difusión aparece en gases, lı́quidos y sólidos. El olor de un perfume
que se derrama en una habitación llena la casa incluso si las ventanas están cerradas
y el radiador apagado para que el aire esté en reposo. Al final, acabamos oliendo el
perfume por toda la casa debido al proceso de difusión. Si uno deja caer una gota de
tinta en un vaso de agua, al final todo el liquido quedará coloreado.
Si se recubre la superficie de un semiconductor que no contiene impurezas con una
sustancia que contiene muchas, al cabo de un tiempo se pueden encontrar impurezas
en el semiconductor en regiones bastante alejadas de la superficie de contacto. A
temperatura ambiente, el tiempo para que esto ocurra serı́a del orden de 10 años,
pero si se eleva la temperatura lo suficiente, el proceso se reduce a horas e incluso
minutos (este fenómeno se usa para la introducción de impurezas en semiconductores
desde la superficie del mismo).
Lo común de los procesos descritos anteriormente es la penetración espontánea
de una sustancia, sin ser afectada por otros agentes externos, desde una región de
mayor concentración a una región de menor concentración.
Corriente de difusión
El proceso de difusión es una consecuencia directa del movimiento caótico de los

átomos o moléculas. Supongamos que el perfume derramado está encerrado en una
semiesfera imaginaria con la base en el suelo. Las moléculas del perfume pueden
atravesar esa superficie imaginaria hacia afuera y hacia adentro. Debido a sus choques
con las moléculas del aire, las moléculas del perfume se aproximan a la semiesfera y
la cruzan. Como en el interior hay menos que en el exterior, las moléculas que cruzan
hacia afuera inicialmente son más que las que cruzan hacia adentro. El promedio es
por tanto una corriente hacia afuera de la semiesfera. Cuando la densidad se iguala
en ambos lados, la corriente se hace cero ya que sale mismo número de moléculas que
entra.
Resulta claro que cuento más grande sea la diferencia de concentración a ambos
lados, mayor será la corriente. Por consiguiente, esta diferencia por unidad de longitud
será proporcional al flujo. Y matemáticamente, cuando nuestra semiesfera se hace
pequeña, esto se expresa como la derivada espacial de la densidad. Podemos ası́ escribir
para el flujo de corriente
dn
JD = −D , (18.15)
dx
donde el signo menos se debe a que la corriente va de la región de mayor concentración
a la de menor. El coeficiente de proporcionalidad D se llama coeficiente de difusión.
Volvamos a los semiconductores. Asumamos que una región de un semiconductor
posee una mayor densidad de portadores que otra. Esto puede pasar si por ejemplo
cierta parte del mismo es calentada o iluminada. Entonces, como ya hemos discutido,
los portadores se moverán por difusión de esta región a la de menor concentración.
Pero este movimiento de portadores da lugar a una corriente eléctrica que vale
dn
jD = qJD = −qD . (18.16)
dx
Difusión 231
Cuando se calcula la corriente de difusión jD , se debe tener en cuenta la carga de los

portadores que se están estudiando. En el caso de electrones q = −e y el sentido de
la corriente de difusión es hacia la región de mayor densidad. En el caso de huecos
q = e y la corriente será hacia las regiones de menor concentración.
La corriente de difusión es una corriente real, igual que la debida a la presencia de
un campo eléctrico externo que ya estudiábamos anteriormente: es un movimiento neto
ordenado y produce disipación de energı́a debido al efecto Joule, causa la deflexión
de una aguja imantada, etc. Para calcular esta corriente, es necesario conocer los
coeficientes de difusión de electrones Dn y de huecos Dp .
Coeficiente de difusión
Veamos de qué cantidades microscópicas dependerá el coeficiente de difusión emplean-
do análisis dimensional. En primer lugar, es natural suponer que dependa del camino
libre l entre colisión y colisión. Sabemos que si no sufriese colisiones, una molécula con
velocidad inicial vT llegarı́a a la pared de la habitación en un tiempo menor al que
lo hace. ¿De qué otro parámetro podemos pensar que depende? Pues del tiempo que
tarda entre colisión y colisión, o si queremos, de la velocidad térmica, ya que podemos
expresar el tiempo entre colisiones en función de vT y l.
La dimensión del camino entre colisiones viene dada por [l] = L, y la de la
velocidad es [vT ] = L T−1 . Es fácil ver que para obtener la dimensión correcta del
coeficiente de difusión se deben multiplicar las dos cantidades. Si se calcula de forma
rigurosa el coeficiente de difusión empleando mecánica estadı́stica, se obtiene
1
D= l vT . (18.17)
3
Existe una relación bastante simple entre el coeficiente de difusión de cualquier tipo
de partı́cula y su movilidad. Se puede escribir la ecuación (18.17) como
1
D= τ0 vT 2 . (18.18)
3
Sustituyendo el valor de la velocidad térmica en la expresión (18.9) y usando la ecua-
ción (18.11), se obtiene

kB T
D= ζ. (18.19)
q
Se puede generalizar esta relación entre la difusión y la movilidad a partı́culas no
cargadas moviéndose en un campo gravitatorio. Esto es una consecuencia de que
cualquier movimiento ordenado de partı́culas (debido al campo externo o a la difusión)
está afectado por las colisiones aleatorias entre ellas, como predijo Einstein.
Longitud de difusión
Vamos a discutir a continuación cuál será la velocidad de difusión, o lo que es lo
mismo, el tiempo requerido para recorrer una distancia por difusión. Usaremos
primero el método dimensional como antes. Teniendo en cuenta que la respuesta debe
de depender de la distancia y del parámetro que representaba el movimiento caótico
232 Semiconductores
D, la combinación de estos parámetros para obtener un valor con dimensión de tiempo

nos da la siguiente relación,
√
t ∼ 2 /D o ∼ Dt. (18.20)
La distancia resulta proporcional a la raı́z cuadrada del tiempo. Por tanto, a primera
vista parece que la difusión es un proceso lento. Sin embargo, hagamos una estimación
numérica para el GaAs. El tamaño de los dispositivos semiconductores es a menudo
del orden de micras (10−6 m) o incluso menos. El tiempo que tardará un electrón
a temperatura ambiente en cubrir esa distancia es del orden de 4 × 10−11 s (ver
Ejercicios). Es por ello que los procesos de difusión juegan un papel muy importante.
Existe otra manera de reobtener el resultado (18.20) que se conoce como el camino
del borracho. Una persona con alguna copa de más sale de una bar y empieza a andar.
El camino que describe es bastante aleatorio, en zigzag, y la dirección de cada paso
bastante impredecible. El problema que se plantea es el de saber lo lejos que se
encontrará del bar después de haber dado N pasos, siendo de longitud l cada paso.
Este problema de camino aleatorio sirve para el caso d una molécula que colisiona
con otras moléculas, y entre colisión y colisión recorre una distancia l.
Resolvamos este problema en dos dimensiones (su generalización a más dimensio-
nes se sigue fácilmente). Supongamos que elegimos un sistema de referencia cartesiano,
con dos ejes perpendiculares x e y. Cada paso 1, 2, 3, ...i, ..., N lo descompondremos en
sus proyecciones sobre esos ejes denotándolas por Δxi y Δyi respectivamente. Estas
proyecciones, debido a la aleatoriedad del camino, pueden tener cualquier valor entre
−l y l, cumpliéndose necesariamente Δx2i + Δyi2 = l2 . El valor del cuadrado de la
distancia 2N después de N pasos aleatorios será
2N = (Δx1 + Δx2 + Δx3 + ...Δxi + ...ΔxN )2

+(Δy1 + Δy2 + Δy3 + ...Δyi + ...ΔyN )2 . (18.21)
Desarrollando esta expresión, se obtiene
2N = Δx21 + Δx22 + ... + Δy12 + Δy22 + ... +

+2Δx1 Δx2 + 2Δx1 ΔxN + ... +
+2Δy2 Δy3 + 2Δy1 ΔyN . (18.22)
Debido a la aleatoriedad, cada paso puede resultar en un Δxi positivo o negativo,

y lo mismo para Δyi . De esta manera, cuando se ha dado un número grande de
pasos, la suma de los productos dobles se hace cero. Por otro lado, cada par de la
suma de cuadrados Δx2i + Δyi2 es igual a l2 como apuntábamos anteriormente. Por
consiguiente, después de un número N grande de pasos, tenemos
√
2N = N l2 o N = l N . (18.23)
El número de “pasos” de la molécula se puede estimar como el tiempo total dividi-

do entre el tiempo medio entre colisiones N ∼ t/τ0 . La longitud del camino entre
colisiones es l = vT τ0 , y si se emplea la expresión (18.18), se reobtiene la relación
(18.20).
Ejercicios 233
18.7. Ejercicios
1. Suponiendo que el valor del módulo del campo eléctrico que mantiene unido a
los electrones en el Si se puede estimar usando la ley de Coulomb, con una carga
positiva q = 4e a una distancia a0 = 0,54 nm, demostrar que este campo es
|E| ≈ 2 × 1010 V/m. Con este valor, calcular la anchura de la banda prohibida
del Si dada por Eg = a0 e|E|.
Solución: Eg ≈ 5 eV.
2. Deducir la expresión (18.5) a partir de las ecuaciones (18.2) y (18.3).
3. Calcular cuánto vale la constante caracterı́stica N que aparece en la expresión
(18.5) para los semiconductores de la tabla 18.1 y obtener el valor de ni para
esos semiconductores a 100◦ C.
Solución: N = 3,5056 × 1017 , 2,7551 × 1019 , 8,4979 × 1018 , 1,8246 × 1019 (cm−3 ),
ni = 2,4799 × 1016 , 3,6997 × 1014 , 2,8578 × 109 , 4,9880 × 103 (cm−3 ).
4. Suponer que la densidad de un cristal es de 1022 átomos por cm3 y que se trata
de una sustancia absolutamente pura, es decir, con un 0.001 % de impurezas.
¿Cuántos átomos intrı́nsecos habrá por cada átomo de impureza? Calcular la
concentración de impurezas por cm3 .
Solución: 105 átomos intrı́nsecos/átomos de impurezas, 1017 impurezas/cm3 .
5. Suponer que a 25◦ C la concentración de portadores intrı́nsecos para un semicon-
ductor de Si es de 1,5×1016 electrones y huecos por m−3 . Se dopa el semiconductor
con impurezas donadoras siendo su densidad Nd = 1023 m−3 . A esta tempera-
tura se puede suponer que todas las impurezas se hallan ionizadas. Calcular la
densidad de huecos en el equilibrio.
Solución: pd = 2,25 × 109 m−3 .
6. Suponer que en un cristal los electrones se mueven como partı́culas clásicas a
velocidades del orden de 105 m/s. Si la constante de red del cristal es a0 =
5 × 10−10 m, estimar el valor de la movilidad del electrón.
Solución: ζ ≈ 10−3 m2 /Vs.
7. A partir del valor experimental dado en la tabla 18.2 para el InSb, calcular
la distancia recorrida por el electrón entre colisión y colisión. Comparar este
resultado con la constante de red del problema anterior.
Solución: l ≈ 5 × 10−6 m, l/a0 ≈ 104 .
8. Estimar los campos eléctricos necesarios para hacer que los portadores negativos
en InSb y en Ge se muevan a la velocidad vT ≈ 105 m/s. Los valores de las
movilidades se pueden ver en la tabla 18.2.
Solución: Para el InSb, |E| ≈ 1,2 × 104 V/m; para el Ge, |E| ≈ 2,5 × 105 V/m.
9. Demostrar las expresiones (18.18) y (18.19).
10. Usar el valor dado en la tabla 18.2 para obtener el coeficiente de difusión electróni-
ca del GaAs. Estimar el tiempo que tarda el electrón en cubrir una distancia de
10−6 m, del orden del tamaño del dispositivo.
Solución: 4 × 10−11 s.
Capı́tulo 19
Barreras y Uniones
19.1. La barrera del borde

El conocimiento de las propiedades de volumen en los semiconductores no es suficiente
para comprender el funcionamiento de diodos y transistores. En el funcionamiento de
estos dispositivos, los efectos que se producen en los bordes o superficies juegan un
papel fundamental. Empezaremos estudiando las propiedades que aparecen en las
superficies en contacto con el medio que rodea al semiconductor.
Supongamos que tenemos una pieza de semiconductor o de metal. Existe un
cierto número de electrones libres en su interior (en el caso de un metal, tendrı́amos
alrededor de 1022 electrones por centı́metro cúbico) y por otro lado, prácticamente
no hay electrones libres en el aire. Debido a la diferencia de concentraciones, deberı́a
haber un flujo de electrones del material al aire y, al igual que un frasco de perfume
se evapora al dejarlo abierto, nuestro semiconductor deberı́a también evaporarse por
difusión.
Se puede estimar el tiempo en que tardarı́a un electrón en dejar el cristal como el
tiempo de difusión del electrón t ≈ L2 /D según la expresión (18.20). Para el oro (Au),
con un coeficiente de difusión de 0,80 cm2 /s a una temperatura ambiente de unos 300
K, los electrones de conducción en una pieza de 1 cm de ancho tardarı́an 1,2 s en
desaparecer. Es un hecho que esta evaporación no tiene lugar tan rápidamente. Debe
existir por tanto una fuerza F cercana al borde que se oponga a que los electrones
abandonen el cristal, y que no existe en el interior del mismo ni afuera.
Función trabajo
Supongamos que un electrón en el interior del cristal se aproxima al borde con una
energı́a cinética que llamaremos Ep . Tan pronto como se acerca a la región en donde
la fuerza en el borde F empieza a actuar, el electrón empieza a perder energı́a cinética
al moverse contra esta fuerza y entrar en una región de mayor potencial.
A mayor energı́a cinética, el electrón recorrerá una mayor distancia Δx. Si tenı́a
suficiente energı́a cinética, será capaz de cruzar toda la región en la que la fuerza actúa
y escapar del cristal. La energı́a cinética mı́nima que debe tener el electrón para que
esto ocurra se llama función trabajo y se designa por ϕ. La función trabajo es igual
a la diferencia entre la energı́a que tiene el electrón en el exterior en reposo, y la que
tiene en reposo en el cristal, como se puede ver en la figura 19.1.
236 Barreras y Uniones
exterior cristal
E
ϕ Ep > ϕ
Ep < ϕ
Δx x
Figura 19.1. La barrera en la frontera del cristal. Si un electrón posee suficiente energı́a
Ep > ϕ, entonces es capaz de abandonar el cristal superando la barrera energética represen-
tada por la función trabajo ϕ.
exterior cristal
Q Q
Δx
Δx x
Figura 19.2. Capa dipolar en la frontera vacı́o-material. Si se ignora la distribución de la

carga dentro de la capa dipolar, se puede aproximar la acción de esta capa como la de un
condensador.
Los primeros intentos para explicar el origen de esta barrera de potencial se deben
a Shottky y Langimur. La idea era bastante simple: tan pronto como un electrón
deja el cristal, éste queda cargado positivamente, y por tanto tiende a ejercer una
fuerza de atracción sobre los próximos electrones que intentan escapar. Sin embargo,
el mecanismo que evita que los electrones escapen no es tan simple.
La mayorı́a de los electrones no posee suficiente energı́a cinética para superar
la barrera de potencial en el borde y dejar el cristal. Pero debido al choque de los
electrones con la barrera, en cada momento existe una nube de carga negativa más
allá del contorno del cristal, mientras que dentro existe una carga positiva no com-
pensada. Se forma ası́ una capa doble cargada según muestra la figura 19.2, llamada
capa dipolar, que tiende a evitar que el electrón se escape.
En conjunto, la capa dipolar es neutra, es decir, la carga negativa en ella es igual a
la positiva. Un electrón fuera de ella no se verá ni atraı́do ni repelido. Por el contrario,
un electrón dentro de la capa se verá repelido por la carga negativa y atraı́do por la
positiva. Como aproximación, ignorando la distribución de la carga dentro de la capa,
se puede considerar la acción de la capa dipolar como la de un condensador.
Efecto fotoeléctrico
El estudio de los fenómenos asociados a la superficie de los cristales es muy complejo.
No se conocen todos los mecanismos que intervienen en ellos y en muchos materiales
no es posible calcular la función trabajo. Sin embargo, el que no podamos calcular
La barrera del borde 237
algo no significa que no podamos medirlo. Veamos un método para medir la función
trabajo.
Si se dirige luz de longitud de onda (o color) apropiada hacia la superficie de un
metal o semiconductor, se produce una corriente debida a que los electrones empiezan
a escapar de la superficie. A mayor energı́a Eph de los fotones (que son las partı́culas
o cuantos que componen la luz), mayor velocidad de los electrones que salen de la
superficie. Este efecto fue descubierto en 1887 por Hertz y explicado en 1905 por
Einstein.
La energı́a del fotón es absorbida por los electrones. Esa energı́a la emplean los
electrones en superar la barrera dada por la función trabajo y el resto se transforma
en energı́a cinética, de modo que
mv 2
Eph = ϕ + . (19.1)
2
Si la longitud de onda aumenta, la energı́a Eph disminuye, y finalmente, para una
cierta energı́a crı́tica, los electrones no son capaces de dejar el cristal (v = 0). El
efecto fotoeléctrico extrı́nseco desaparece. Esa energı́a crı́tica es evidentemente igual
a la función trabajo ϕ.
Parámetros principales
Hemos visto que aparece una barrera de potencial debida a los efectos de separación
de carga que tienen lugar en la frontera del material. Los parámetros que caracterizan
a esta barrera son su altura, caracterizada por la función trabajo ϕ, su anchura, que
llamaremos X, y el campo eléctrico E dentro de la barrera, responsable de la fuerza
que actúa sobre los electrones. Estos parámetros son los mismos que se usan para
describir cualquier barrera energética.
De la función trabajo ya hemos hablado anteriormente. Para semiconductores
y sólidos en general, la altura ϕ oscila en un rango de fracciones decimales de eV a
varios eV.
Para determinar la anchura de la barrera y los valores caracterı́sticos del campo
dentro de ella notemos primero que estos parámetros están relacionados. Si la anchura
de la barrera es X, sabemos que la caı́da de potencial será V ≈ |E|X, y que ϕ = qV .
Ası́, para un valor de ϕ dado, el campo será proporcional a 1/X.

Veamos cómo penetra el campo eléctrico en el interior de un semiconductor. Si
ponemos un semiconductor entre las placas de un condensador, al igual que en un
dieléctrico aparecerá en la superficie una carga debida a la polarización. Por lo tanto,
la intensidad del campo en la frontera con el vacı́o o aire será εr veces más pequeña que
en el vacı́o, siendo εr la permitividad relativa del semiconductor. Por otro lado, en un
semiconductor, al igual que en un conductor, existe carga libre capaz de distribuirse
libremente y apantallar el campo eléctrico que ha penetrado en el semiconductor.
En un semiconductor tipo n, hemos visto que cuando la temperatura es sufi-
cientemente grande, hay una concentración de electrones en equilibrio n0 igual a la
concentración de las impurezas donantes Nd que quedan cargadas positivamente al
perderlos. Mientras no existe campo externo, en cualquier elemento de volumen el
número de iones positivos (donantes) es igual al número de electrones. Por tanto el
semiconductor es eléctricamente neutro. Ahora bien, si lo introducimos en un campo
exterior cristal
E
Em
x
0 X
Figura 19.3. Formación de la barrera de potencial. Se puede observar la región de agota-
miento y la región de electroneutralidad.
externo, estos electrones, al igual que ocurre en el caso de un metal, se moverán hacia
la parte positiva del campo, dejando detrás una capa de donantes positivamente carga-
dos. La diferencia con un metal es que la concentración de portadores libres es mucho
menor, ası́ que los electrones deben moverse una distancia mayor para apantallar el
campo.
En la figura 19.3 podemos ver una región de un semiconductor tipo n en la que
los electrones han migrado y que ha quedado cargada positivamente. Esa región de
anchura X sin portadores libres se llama región de agotamiento. Tomemos dentro de
la región de agotamiento una sección de anchura Δx y supongamos una densidad
volumétrica de carga uniforme igual a ρ. Aplicando el teorema de Gauss, esta sección
produce un campo eléctrico E igual a
ρΔx
|E | = , (19.2)
2εr ε0
A la derecha de esta sección, el campo que crea apunta en sentido creciente de las
x. A la izquierda hacia las x negativas, y por consiguiente el cambio en el valor del
campo elétrico al atravesar esta región es
ρΔx
|ΔE| = 2|E | = . (19.3)
εr ε0
En el lı́mite Δx → 0, en una dimensión, podemos escribir la expresión (19.3) como
dE ρ
= . (19.4)
dx εr ε0
Esta expresión se llama ecuación de Poisson.
Para el semiconductor tipo n, la densidad de carga será ρ = eNd . Si además
suponemos que el dopaje de nuestro semiconductor es homogéneo, es decir, el valor
de Nd es el mismo en todas partes, entonces podemos ver que la pendiente de la
Uniones p-n 239
As B
As B B
As B
Si
As
Figura 19.4. Unión p-n sobre un sustrato de Si. A la derecha del cristal, se introducen
impurezas aceptoras (B). A la izquierda, impurezas donadoras (As).
figura 19.3 es constante. Si el campo tiene un valor máximo Em en la superficie y

decrece linealmente en el interior del semiconductor, como vemos en la figura 19.3,
podemos escribir la pendiente como
dE Em
= . (19.5)
dx X
Intregrando esta ecuación, se puede calcular la caı́da de potencial en esta región y
resulta V = 12 Em X, que es el área encerrada por la recta de la figura 19.3. Empleando
la expresión (19.4) se obtiene
1/2 1/2
2εr ε0 V 2εr ε0 ϕ
X= = , (19.6)
eNd e2 Nd
ası́ como el valor máximo del campo eléctrico,

1/2 1/2
2eNd V 2Nd ϕ
Em = = . (19.7)
εr ε0 εr ε0
En resumen, la anchura de la barrera de potencial en un semiconductor está deter-

minada por el nivel de dopaje. Dada la altura de la barrera ϕ = e V , su anchura es
inversamente proporcional a la raı́z cuadrada de la concentración de impurezas. Para
semiconductores débilmente dopados esta anchura puede tener el tamaño de miles de

capas atómicas (decenas de micras), mientras que para semiconductores fuertemente
dopados puede ser de sólo unas pocas capas atómicas (milésimas de micras).
19.2. Uniones p-n

Si un cristal semiconductor se dopa de manera que una parte sea tipo p y la otra tipo
n, se forma una unión p-n como puede verse en la figura 19.4. La frontera entre esas
dos regiones posee propiedades especı́ficas que estudiaremos.
Para obtener una unión p-n no se puede coger un semiconductor tipo p, otro
semiconductor tipo n, y pegarlos. Una condición esencial es que la red cristalina del
semiconductor se distorsione lo menos posible, ya que si no se alterarı́an las propieda-
des de conducción en la unión. Durante mucho tiempo los especialistas han intentado
obtener uniones lo más perfectas posibles. La idea para crear el tipo de unión que
queremos es la siguiente: se toma un cristal tipo n o p y se introducen impurezas

del tipo contrario. En la parte del cristal en donde se han introducido las nuevas
impurezas el tipo de conductividad (por electrones o huecos) cambia. Esto se llama
sobrecompensación de la impureza inicial. La unión p-n aparece en la frontera entre la
región en donde el tipo de conductividad ha cambiado y la región en la que permanece
igual.
Una manera de introducir impurezas es creando aleaciones. Un disco de In se
pone sobre la superficie de un cristal de Ge, que es de tipo n. El conjunto se calien-
ta lentamente hasta alcanzar la temperatura a la que el In se funde (unos 156◦ C).
Cuando la temperatura de la gota de In lı́quido sigue aumentando, la forma de la
gota cambia y se extiende sobre la superficie a una temperatura de unos 500◦ C. El Ge
cristalino se disuelve en In lı́quido a una temperatura menor de 500◦ C. La disolución
continúa hasta que se satura y ya no se disuelve más Ge en In. Entonces, al bajar
la temperatura, parte del Ge precipita de la disolución recristalizando sobre el sus-
trato de Ge que no ha sido disuelto, enriquecido con átomos de In que actúan como
impurezas aceptoras.
Otro método hace uso del proceso de difusión. Un cristal semiconductor se pone
en contacto con un gas con alta concentración de átomos que actuarán como donantes
o aceptores en el cristal. Como ya sabemos, en la superficie del cristal la red tiene la
mitad de los enlaces rotos, con lo cual las impurezas gaseosas son fácilmente captura-
das por la superficie. Los átomos capturados empiezan un proceso de difusión hacia
el interior del semiconductor. En un cristal ideal, a cero absoluto de temperatura, no
serı́a posible este movimiento atómico de difusión. Sin embargo, no existen cristales
perfectos, ya que siempre existen defectos en el cristal y las oscilaciones térmicas de
la red hacen que los iones salten y ocupen lugares vacı́os de la misma. La distancia a
la que llega la impureza hacia el interior depende del coeficiente de difusión, que a su
vez se puede controlar variando la temperatura. De esta manera se forma una unión
p-n entre la región a la que no ha llegado la impureza y la región a la cual sı́ lo ha
hecho.
La barrera de la unión
Como consecuencia de la diferencia entre el tipo de impurezas en las dos regiones de la

unión p-n, aparece una barrera de energı́a. En condiciones normales, el semiconductor

tipo p contiene huecos cargados positivamente, y el tipo n contiene electrones. Al
unirlos, una corriente de difusión de huecos tendrá lugar desde la región de tipo p
hacia la región de tipo n, y una corriente de difusión electrónica en sentido contrario
(es por esto la importancia de que la red cristalina se deforme lo menos posible al
crear la unión). En una capa del semiconductor p cercana a la frontera aparecerá una
carga neta negativa, mientras que a consecuencia de la migración de electrones, en el
semiconductor tipo n aparecerá una zona con carga neta positiva. Es claro entonces
que cerca de la unión p-n aparecerá una capa doble de carga, negativa en la región p
y positiva en la región n. Esto frena que más huecos emigren a la región n y electrones
a la región p, llegándose a un equilibrio y creándose una barrera de potencial para los
portadores libres.
En la figura 19.5 se muestra el diagrama de bandas de una unión p-n. Podemos
ver que para que los electrones de la banda de conducción en la región tipo n puedan
Uniones p-n 241
p n
EC
ϕpn
EC
EV
ϕpn
EV
X
Figura 19.5. Formación de la barrera de potencial en una unión p-n. La presencia de una
capa dipolar es equivalente a la existencia de una barrera energética como las que aparecen
en el contorno del cristal. Los electrones de la capa de conducción en la región n (cı́rculos
negros) tienen que superar esa barrera para pasar a la otra parte, mientras que los huecos
en la capa de valencia (cı́rculos blancos) tienen que bajarla.
pasar a la región tipo p, deben de superar una barrera de altura ϕpn . Los huecos de la
región p, situados en la capa de valencia, deben superar la misma barrera para pasar
de la región p a la n. En este caso, gráficamente serı́a bajar la barrera, ya que los
huecos tienen carga positiva. El valor de la altura de la barrera viene dado por
ϕpn ≈ ϕp − ϕn ≈ Eg . (19.8)
Puede entenderse esta aproximación de la siguiente manera. Un electrón en un semi-

conductor tipo p debe de superar una barrera de altura ϕp para escapar del cristal.
En un semiconductor tipo n deberı́a de saltar una altura ϕn menor. Por tanto, para
pasar de una región tipo n a una tipo p, la barrera de potencial ϕpn que debe superar
será cercana a la diferencia de energı́as para escapar del cristal en cada región.
La anchura de la barrera
Para uniones p-n en Ge, la altura tı́pica de la barrera es del orden de 0,7 eV, en Si de
1,2 eV, y en GaAs de 1,4 eV. Normalmente los electrones en la banda de conducción
tienen una energı́a del orden de kB T y a temperatura ambienten esto equivale a 0,026
eV. Está claro que la barrera que ven estos electrones es muy grande. Por consiguiente
la región de la barrera es una región prácticamente vacı́a de portadores (electrones y
huecos) y es por ello que tiene sentido el nombre de región de agotamiento.
La región de agotamiento se extiende de manera desigual por la parte tipo n
y por la parte tipo p. Para la parte p de la región de agotamiento la densidad de
carga es ρ = −eNa , mientras que para la parte n es ρ = eNd . Empleando los mismos
argumentos que llevan a la expresión (19.6), la anchura total de la barrera se puede
aproximar por
1/2 1/2
2εr ε0 ϕpn 2εr ε0 ϕpn
X = Xp + Xn = + . (19.9)
e2 Na e2 Nd
19.3. Diodos
Un diodo no es más que un dispositivo semiconductor con una unión p-n asimétrica,
en donde la concentración de impurezas Na en la región p es normalmente mucho
menor que la concentración de impurezas Nd en la región n. Consta pues de tres
regiones: la región p, la región n y la región de la barrera entre ellas.
Si intentamos medir alguna corriente eléctrica conectando las regiones p y n a los
terminales de un amperı́metro el resultado será nulo. En equilibrio, no puede existir
ningún transporte neto de carga a través del diodo, ya que no se puede obtener energı́a
gratuitamente (en los cables que se conectan al amperı́metro, si hubiera corriente,
estarı́amos disipando energı́a en forma de calor). Debido a la barrera aparece un
campo eléctrico que cancela la corriente de difusión de portadores.
En el caso de la unión existe además otro equilibrio. Se trata de la corriente de
saturación js debida a los pocos portadores minoritarios. Los electrones en la banda
de conducción en la región p y los huecos en la banda de valencia en la región n, tan
pronto como alcanzan la región de la barrera se ven favorecidos por el campo eléctrico
a cruzarla. Esta corriente se ve compensada con la debida a los portadores calientes
que poseen suficiente energı́a térmica para cruzar la barrera en la otra dirección.
19.4. Polarización inversa de un diodo

Veamos qué ocurre cuando se conecta el diodo a una fuente capaz de mantener una
diferencia de potencial U0 . En relación con esta fuente, las tres regiones del diodo
están conectadas en serie y se quiere conocer cómo se distribuye el voltaje aplicado
entre esas regiones.
Si conectamos la región p del diodo al polo negativo de la fuente, y la región
n al polo positivo como podemos ver en la figura 19.6, tenemos lo que se llama el
diodo conectado en polarización inversa. La región de la barrera está prácticamente
vacı́a de portadores, con lo cual será la región de máxima resistencia y por lo tanto
el potencial aplicado U0 cae principalmente en esta región. Debido a que la dirección
del campo externo E0 aplicado coincide con la del campo dentro de la unión E, el
voltaje de la fuente se añade al voltaje de la unión Upn = ϕpn /e. Como resultado, la
altura energética de la barrera se hace igual a ϕpn + eU0 .
Podemos además calcular la anchura de la barrera y el campo máximo en ella. Si

suponemos que la barrera es muy asimétrica, podemos escribir usando las expresiones
(19.6) y (19.7),
1/2
2εr ε0 (Upn + U0 )
X ≈ Xn ≈ , (19.10)
eNd
1/2
2eNd (Upn + U0 )
Em = . (19.11)
εr ε0
Curva caracterı́stica
En la figura 19.7 podemos ver la curva caracterı́stica de un diodo polarizado inversa-
mente. En ella se representa la intensidad frente al voltaje de polarización. La primera
cosa que llama la atención es la corriente de saturación. Si tuviéramos una resistencia,
Polarización inversa de un diodo 243
EC p n
p n
eU0
ϕpn I
EV U0
eU0 EC
ϕpn EV
X
Figura 19.6. Diagrama de bandas para un diodo polarizado inversamente. Las lı́neas discon-
tinuas representan el caso sin voltaje aplicado, las continuas el caso de polarización inversa
mediante un voltaje U0 . La altura de la barrera aumenta la cantidad eU0 .
μA I
2 Is
1
Ui U0
0
5 10 15 V
Figura 19.7. Curva caracterı́stica de corriente-voltaje de un diodo inversamente polarizado.
la curva caracterı́stica intensidad-voltaje serı́a una lı́nea recta. Sin embargo, en pola-
rización inversa, con un voltaje tan pequeño como unos pocos decimales de voltio, la
corriente deja de ser dependiente del voltaje aplicado e igual a la corriente de satura-
ción. En ausencia de potencial externo, la corriente de saturación se compensa por la
corriente de portadores calientes, que al tener suficiente energı́a térmica son capaces
de saltar la barrera de potencial hacia el otro lado. Al añadir una altura extra a la
barrera, estos portadores son incapaces de saltarla, con lo cual resulta una corriente
en un sentido no compensada por otra en sentido contrario. Esta corriente depende de
los portadores minoritarios y recordando la expresión (18.8) resulta Is proporcional
a n2i .
Existe un valor máximo del campo eléctrico que puede soportar una unión que
denotaremos por |Ei |. Si se sobrepasa, los electrones y huecos son capaces de adquirir
tanta energı́a que al colisionar con los átomos de la red generan nuevos electrones y
huecos produciéndose una avalancha de portadores. Este proceso recibe el nombre de
ionización por impacto. Para diodos de Si o GaAs, el valor máximo del campo que
pueden soportar es del orden de ×105 V/cm. Aunque este valor es constante para
un tipo dado de semiconductor, el valor de lo que se denomina voltaje de ruptura Ui

depende del nivel de dopaje. Si hacemos Em = |Ei | en la ecuación (19.11), se obtiene
εr ε0 |Ei |2
Ui ≈ . (19.12)
2eNd
Existe otro proceso que da lugar a la llamada ruptura Zener. Si el campo eléctrico
en la barrera llega a ser suficientemente grande, puede liberar electrones de valencia,
produciéndose entonces un flujo masivo de portadores minoritarios. Estos procesos
explican el aumento de la corriente al final de la curva de la figura 19.7.
Los diodos Zener están diseñados para funcionar a voltajes mayores Ui . Estos
diodos son muy útiles como reguladores de potencia, ya que el voltaje se hace inde-
pendiente de la corriente que circula por ellos.
Reactancia capacitiva
Cuando al voltaje de polarización inversa U0 le añadimos un voltaje alterno V (t) =
V1 cos(ωt), tal que V1 U0 , la unión p-n se comporta como un condensador. La
reactancia capacitiva de la unión p-n se define como la de cualquier condensador, es
decir Zc = 1/iωC, siendo C la capacidad de la unión. Podemos emplear la fórmula
para la capacidad de un condensador plano y estimar el valor de C como
εr ε0 A
C= , (19.13)
X
donde A es el área de la unión y X la anchura de la barrera.
Si consideramos una unión que ha sido polarizada inversamente, la altura de
la barrera aumenta durante medio semiperiodo del voltaje alterno, la anchura de la
misma se hace mayor, y por tanto portadores libres que antes ocupaban esa región son
expulsados de ella. Por el contrario, en el siguiente semiperiodo la altura de la barrera
disminuye, la anchura se hace menor, y los portadores libres del resto del circuito
ocupan parte de la región que se encontraba vacı́a de ellos cuando el potencial era
U0 . Ası́ la unión p-n es capaz de almacenar carga y de devolverla, permitiendo la
circulación de corriente alterna por el circuito al que se conecte.
Es importante notar que la capacidad de la unión depende de la anchura de la
barrera, y por tanto del voltaje aplicado. Los condensadores cuya capacidad depende
del voltaje aplicado reciben el nombre de condensadores no lineales. Ası́ la unión
p-n se comporta como un condensador no lineal. Esta propiedad es útil en algunas
aplicaciones pero limita la operación de los diodos a altas frecuencias. Un ejemplo
son los circuitos de microondas en donde este comportamiento no es deseable. Una
manera de hacer la capacidad de la barrera lo menor posible es reducir su área, y es
éste uno de los motivos de reducir el tamaño de los diodos.
19.5. Polarización directa

En la figura 19.8 se muestra un diodo polarizado directamente. El terminal positivo
de la fuente se conecta a la región p del diodo, mientras que el terminal negativo
a la región n. En este caso, el campo E0 debido al voltaje externo U0 tiene sentido
contrario al del campo en la barrera.
Polarización directa 245
p n
eU0 p n
ϕpn
EC
I
U0
ϕpn eU0 EC
EV
EV
X
Figura 19.8. Diagrama de bandas para un diodo polarizado directamente. Las lı́neas discon-
tinuas representan el caso sin voltaje aplicado, las continuas el caso de polarización directa
mediante un voltaje U0 . La altura de la barrera disminuye la cantidad eU0 .
La altura energética de la barrera disminuye en este caso a ϕpn − eU0 como pode-
mos ver en la figura 19.8. Al introducir los diodos se ha visto que existe un equilibrio
de corriente hacia un lado y otro de la barrera que hace que el transporte neto de
carga sea nulo. Al disminuir la altura de la barrera rompemos este equilibrio. Ahora
existen más electrones en la región n capaces ser inyectados en la región p debido a
que tienen suficiente energı́a térmica para ello. La concentración de tales electrones
viene dada por n1 ≈ N0 exp[−(ϕpn − eU0 )/kB T ]. En el equilibrio, el número de elec-
trones que eran capaces de saltar la barrera venı́a dado por ns ≈ N0 exp(−ϕpn /kB T ).
Ahora existe ahora un flujo de electrones no compensado proporcional a la diferencia
n1 − ns . El mismo razonamiento vale para los huecos.
Sigamos con un poco más de detalle el destino de los portadores minoritarios
responsables de la corriente al polarizar directamente un diodo. A consecuencia de
que la barrera se hace menor, electrones de la región n se inyectan en la región p, y
huecos de la región p pasan a la región n. En los diodos, las regiones n y p suelen ser
asimétricas (ver Ejercicios). Por consiguiente la cantidad de portadores que pueden ser
inyectados por la región altamente dopada es mucho mayor que la cantidad inyectada
desde la región débilmente dopada. Esto es por lo que una región altamente dopada
de un diodo recibe el nombre de emisor y una región débilmente dopada el de base.
En polarización inversa es la región menos dopada la que determina la anchura de
la barrera según la expresión (19.10). Supongamos que se trata de la región n. Si ahora
aplicamos polarización directa, habrá una inyección masiva de huecos desde el emisor
a la región n o base. Esos huecos se aniquilan cuando se difunden por la región de la
base con los electrones que provienen de la fuente externa U0 . En cada instante de
tiempo, la fuente externa introduce a través de la base el mismo número de electrones
que huecos llegan a ella. Al mismo tiempo, para mantener el estado estacionario del
emisor, el mismo número de electrones sale del emisor hacia el polo positivo de la
fuente externa a través del otro contacto metálico, dejando en el emisor el mismo
número de huecos que habı́a inicialmente. Ésta es la manera en que la corriente fluye
A I
0.5
0.25
U0
0
0.1 0.2 V
Figura 19.9. Curva caracterı́stica de corriente-voltaje de un diodo directamente polarizado.
a través de un diodo polarizado directamente.
Curva caracterı́stica
Con todo lo discutido vemos que, para un diodo polarizado directamente existe una
densidad de corriente electrónica proporcional a la diferencia n1 − ns dada por
jn ≈ n1 − ns = N0 exp[−(ϕpn − eU0 )/kB T ] − N0 exp(−ϕpn /kB T ), (19.14)
siendo N0 una constante que depende de la concentración de impurezas. Los huecos

dan lugar a una contribución de la misma forma, con lo que la densidad de corriente
total que circula por el circuito será la suma de ambas
j = jp + jn = js [exp(eU0 /kB T ) − 1], (19.15)
donde js es una constante que depende de Np , Ne y ϕpn . En la figura 19.9 podemos

ver la curva caracterı́stica de un diodo polarizado directamente. En ella se representa
la intensidad frente al voltaje de polarización y se puede observar efectivamente un
crecimiento exponencial de la corriente con el voltaje aplicado.
La expresión (19.15) vale también para el caso de polarización inversa conside-
rando que en este caso el voltaje aplicado es negativo. En polarización directa, el
voltaje U0 se debe tomar con signo positivo, pero cuando la polarización es inversa,
el voltaje cambia de signo y la corriente se satura a j = −js para valores de U0 igual

a varias veces kB T /e.
El valor mı́nimo de la barrera

Al polarizar un diodo directamente la barrera de potencial disminuya. Para el Si
por ejemplo, con U0 ≈ 1,1V , la altura de la barrera se hace cero. ¿Qué pasará si se
aumenta este valor de U0 ? ¿Se producirá una barrera de altura negativa? Veamos que
la respuesta es no.
Al empezar a hablar de la polarización de los diodos distinguı́amos tres regiones
conectadas en serie: la región tipo n, la unión y la región tipo p. Cada región presenta
una resistencia diferente. Se ha supuesto en toda la discusión anterior que la diferencia
de voltaje externo U0 cae en la región de la unión, que se encuentra vacı́a de portadores
libres. Es decir, la resistencia de esa región es mucho mayor que la resistencia de
la región n, de la región p y la de los contactos metálicos del diodo. Al polarizar
Aplicaciones de los diodos 247
directamente el diodo, con el aumento del valor de U0 la resistencia de la unión llega

a ser tan pequeña que una parte importante del voltaje decae en las otras regiones
(recordemos que no sólo la altura, sino también el tamaño de la barrera disminuye).
El voltaje aplicado se reparte entre todas las regiones, siendo imposible que en la
barrera se aplique un voltaje mayor que la altura inicial Upn ≈ Eg /e. Lo máximo
que se puede hacer al aumentar el valor del potencial es disminuir la altura en la
región de la unión hasta que la caı́da de potencial sea muy pequeña. En ese caso, la
concentración de portadores donde “solı́a haber una barrera” se hace muy grande, al
igual que la densidad de corriente que pasa a través del diodo.
19.6. Aplicaciones de los diodos

Las propiedades de las uniones p-n son la base del funcionamiento de multitud de
dispositivos. Dependiendo de su diseño, del material del cual están hechos, del nivel
de dopaje de cada región, y del voltaje externo aplicado, los diodos tienen diversas
funciones. Se usan para rectificar corriente alterna, para transformar luz solar en
corriente eléctrica, para generar y modificar y analizar señales eléctricas y luminosas,
etc. En este apartados discutiremos algunos ejemplos.
Fotodiodos
Los fotodiodos son dispositivos capaces de analizar la luz. Se usan en sistemas de
seguridad basados que disparan una alarma cuando un haz de luz se interrumpe, o que
detectan la presencia de fuego, o descubren la fuga de un gas tóxico, etc. También para
controlar procesos quı́micos, mantener un nivel dado de lı́quido, detectar partı́culas
nucleares o medir la temperatura. Funcionan de forma más precisa que el ojo humano
y se basan en alguna propiedad eléctrica, tal como la resistencia, corriente o voltaje,
que cambia bajo iluminación.
Un fotodiodo es una unión p-n inversamente polarizada. Si la energı́a del fotón
incidente Ef es mayor que Eg (la energı́a de la banda prohibida), entonces cada fotón
absorbido es capaz de generar un par electrón-hueco como vimos cuando tratábamos
el efecto fotoeléctrico. Si este par aparece en la región de la barrera, entonces se
verá atraı́do por el campo existente en ella. En la oscuridad, por efectos térmicos
pueden generarse electrones y huecos. Cuando se ilumina la unión con fotones de

energı́a Ef > Eg , la corriente que aparece es mucho mayor que antes, ya que el
número de portadores creados es ahora mucho mayor. Esta fotocorriente, amplificada
y transformada por el resto de la electrónica, actúa como alarma, señal, etc, en las
aplicaciones.
En la figura 19.10 podemos ver el diseño fotodiodo. El contacto superior tiene la
forma de anillo. La región de la unión dentro del anillo recibe el nombre de ventana.
Normalmente el plano de la unión p-n está localizado a una distancia de alguna micras
de la superficie. El valor del voltaje U0 suele estar en el rango de 10 V a 30 V y el
valor de la región de vacı́o (o barrera) X es de unas pocas micras. Los semiconductores
con una banda de energı́a prohibida pequeña Eg se usan para detectar luz con una
longitud de onda grande, mientras que para crear detectores de ultravioleta Eg debe
de ser mayor.
Una de las ventajas de los fotodiodos es su rápida respuesta. Si la luz que incide
luz
ventana
1
0
0
1 1
0
0
1
p
n contactos
11111111
00000000
00000000
11111111
Figura 19.10. Diodo con unión p-n polarizada inversamente.
en el diodo se apaga de repente, la fotocorriente cesa tan pronto como los electrones
y huecos creados son transportados por la acción del campo fuera de la región de la
barrera. Los valores tı́picos del campo eléctrico en la unión polarizada inversamente
son grandes, del orden 104 − 105 V/m. Cuando hemos hablado de los portadores
calientes, veı́amos que en tales campos eléctricos la velocidad de arrastre se hacı́a del
orden de la velocidad térmica, es decir de unos 107 cm/s (ver capı́tulo 18) y se hacı́a
independiente del campo aplicado. Por consiguiente, el tiempo que tarda en responder
el fotodiodo al cambio de iluminación se puede estimar como X/vs que está en el
rango de 10−10 − 10−11 s (el fotodiodo es capaz de reaccionar en 10−4 millonésimas de
segundo). Esto hace posible usarlos en sistemas de comunicación por fibra óptica, ya
que sirven como receptores de las señales moduladas que viajan por ellas y permiten
transmitir directamente transmitir los datos recibidos a un procesador haciendo por
ejemplo que un robot “vea”.
Célula solar
En cierta manera, una célula solar no es más que un fotodiodo sin potencial externo
aplicado. Incluso sin polarización, debido al potencial de barrera existe un campo, con
lo cual cualquier par creado en la célula por la acción de la luz incidente generará una
corriente dirigida por el campo. Si unimos mediante una resistencia la región p con
la n, circulará una corriente y habremos transformado la energı́a luminosa en energı́a
eléctrica.
El problema de estos dispositivos es el de la eficiencia. Si cada fotón que incide en
la célula solar fuera capaz de crear un par electrón-hueco, entonces la eficiencia serı́a
del 100 %. Sin embargo, la eficiencia de las células está bastante lejos de este lı́mite.
La principal dificultad para aumentar la eficiencia de la célula reside en el hecho de
que la luz solar consiste en una mezcla de fotones de varias energı́as, algunos en el
ultravioleta Ef ≥ 3 eV , y otros en la región visible e infrarroja Ef ≤ 1,5 eV. La célula
solar no es capaz por separado fotones con distintas energı́as de manera eficiente.
Condensadores variables
Cuando cambiamos el potencial externo, la capacidad de la unión p-n polarizada in-
versamente varı́a: a mayor potencial menor capacidad. Cambiar la capacidad de un
Aplicaciones de los diodos 249
condensador resulta extremadamente útil (para sintonizar un receptor de radio por

ejemplo). Además el hecho de que la capacidad pueda cambiarse muy rápidamente
por medio de un potencial externo hace posible la construcción de transformadores su-
persensibles de corriente continua en alterna, la generación de señales con frecuencias
de cientos de millones de Hertz y la amplificación de señales muy débiles .
Uno de los parámetros más importantes de un condensador variable es su coefi-
ciente de cambio, definido como la razón Kc = Cmax /Cmin entre la capacidad máxima
y mı́nima que puede alcanzar. La máxima capacidad se consigue cuando el potencial
externo U0 se hace cero. Entonces, la caı́da de potencial en la unión es mı́nima e igual
a Upn . De acuerdo con las expresiones (19.13) y (19.10) resulta
1/2
qεr ε0 Nd
Cmax = A . (19.16)
2Upn
Por el contrario, la capacidad mı́nima se consigue cuando el potencial externo es
máximo, y según veı́amos está limitado por el voltaje de rotura Ui del dispositivo,
con lo que
1/2
qεr ε0 Nd qNd
Cmin = A =A . (19.17)
2Ui Ei
Por tanto el coeficiente de cambio vale
1/2
εr ε0 Ei2
Kc = . (19.18)
2qUpn Nd
Vemos que mientras menor es el valor de la concentración de impurezas en la región
menos dopada, mayor es el coeficiente de cambio. En dispositivos reales el valor de
Kc varı́a en el rango de 2 a 15.
Diodos emisores de luz

Los anteriores ejemplos eran aplicaciones de diodos en polarización inversa. Un ejem-
plo muy importante de polarización directa es el de los diodos emisores de luz (LED
son sus iniciales en inglés). Se puede decir que, en principio, cualquier diodo pola-
rizado directamente es un emisor de luz. Cuando los portadores pasan de la región
emisora a la base, se recombinan y en ese proceso se emite un fotón. Una parte de

estos fotones se absorbe dentro del diodo, pero el resto consigue escapar. Ésta es la
luz que emite el diodo.
Para diseñar de forma óptima un diodo emisor de luz, necesitamos que la gran
mayorı́a de portadores se recombinen en la base y que tengan una gran probabilidad
de emitir un fotón en este proceso. Ge y Si por ejemplo no son buenos materiales para
esto, ya que la mayorı́a de electrones y huecos se recombinan sin emitir fotones. GaAs
y otros compuestos ternarios sı́, con probabilidad cercana a la unidad.
La longitud de onda de la luz radiada (el color) viene definida por la energı́a del
fotón emitido. Un fotón posee una energı́a
Ef = hν = hc/λ, (19.19)
donde h = 6,63 × 10−34 J · s es la constante de Planck ν es la frecuencia, c la velocidad

de la luz, y λ la longitud de onda. En la mayorı́a de los casos, la energı́a del fotón es
cercana a la diferencia de energı́as del electrón que pasa de la banda de conducción en

el emisor a la de valencia en la base, y por tanto cercana a Eg . En el caso del GaAs,
en la tabla 18.1 podemos ver que Eg = 1,4 eV, y por consiguiente, la longitud de onda
asociada con esta energı́a es invisible para el ojo humano. Para cambiar el color de
la luz, se introducen en la red de GaAs átomos de fósforo (P) o aluminio (Al), que
llevan a un incremento de Eg , y ası́ se obtienen diodos que emiten luz roja.
Estos dispositivos se usan normalmente como indicadores. El exceso de informa-
ción de nuestros dı́as hace que sean imprescindibles para resolver muchos problemas.
Ası́ nos informan si la televisión está encendida o apagada, si las puertas del coche
están cerradas, si el recibidor de ondas está sintonizado, etc.
Diodos rectificadores
Prácticamente toda la energı́a eléctrica consumida en el mundo se genera en turbinas

de centrales en forma de corriente alterna, a las llamadas frecuencias industriales de
50 o 60 Hz. Pero en muchos casos es imposible usar esa energı́a en forma alterna y
mucho instrumentos necesitan de corriente continua. Es necesario rectificar corrientes
y voltajes.
En el capı́tulo dedicado a circuitos con diodos explicaremos cómo se rectifica la
corriente de manera detallada, pero la idea es fácil de entender: el voltaje aplicado al
diodo es alterno, cambiando su polaridad en el tiempo. Cuando el voltaje es tal que
polariza al diodo directamente, podrá circular corriente por el circuito en un sentido.
Pero al cambiar el voltaje de signo, polariza al diodo inversamente. La resistencia
aumenta mucho y prácticamente no deja circular ninguna corriente por el circuito. La
corriente sólo circula entonces en un sentido: se ha rectificado.
Como anécdota, durante la II Guerra Mundial, los aliados desarrollaron la tec-
nologı́a del RADAR. Funcionaba con un diodo rectificador: el trabajo del rectificador
consistı́a en traducir la señal alterna en la señal continua necesaria para su visualiza-
ción en una pantalla. Los cristales semiconductores a menudo ardı́an al no ser capaces
de seguir el cambio de la señal a altas frecuencias. Seymour Benzer descubrió que el
Germanio (Ge) podı́a soportar mayores frecuencias y voltajes que ningún otro ma-
terial. Fue el Ge y toda la tecnologı́a desarrollada para construir mejores cristales la
que llevó a la invención del transistor.
19.7. Ejercicios
1. Demuestrar las expresiones (19.2) y (19.3). Ayuda: pensar en el campo que pro-
duce un condensador.
2. Obtener las expresiones (19.6) y (19.7). Para ello, tener presente que si llamamos a
la pendiente tan α = dE/dx, entonces X = Em / tan α (considerar la figura 19.3).
3. Para rectificar alto voltaje se emplea una unión p-n en Si, cuya concentración
de impurezas en la parte p es Na = 1018 cm−3 , mientras que en la parte n es
de Nd = 1013 cm−3 . El valor de la permitividad relativa del semiconductor es
εr = 12,5 y el potencial de barrera Vpn = 1,1 V. ¿Cual será la anchura de la
barrera? Comprobar que se trata de una unión bastante asimétrica.
Solución: X ≈ Xn ≈ 12μm.
Ejercicios 251
4. Considerar de nuevo el problema anterior. Suponer que se aplica ahora un vol-

taje de polarización inversa de 1000 V. Calcula el valor máximo del campo que
atraviesa la unión y la anchura de la barrera.
Solución: Em = 54 kV/cm, X = 370 μm.
5. En un semiconductor de permitividad relativa εr = 11 determinar el voltaje de
ruptura en los casos en que Nd = 1017 cm−3 y Nd = 1014 cm−3 .
Solución: Ui = 2,7 V y Ui = 2700 V respectivamente.
6. ¿Cuál es la longitud de onda que el ojo no puede ver en el caso del GaAs? El ojo
humano normalmente ve entre 8 × 10−7 m (rojo) y 4 × 10−7 m (violeta). Para el
GaAs, sabemos que Eg = 1,4 eV.
Solución: λ = 8 × 10−7 m (infrarrojo).
Capı́tulo 20
Transistores bipolares
20.1. Un poco de historia

Los laboratorios Bell, uno de los laboratorios industriales más grandes del mundo,
pertenecı́an a la compañı́a American Telephone and Telegraph (AT&T). En 1907,
AT&T se enfrentaba con la expiración de la patente del teléfono que habı́a inventado
su fundador Alexander Graham Bell. Para luchar contra la competencia que preveı́a,
contrató de nuevo al anterior presidente, Theodore Vail, ya retirado. La solución de
Vail para asegurar el negocio de la compañı́a fue desarrollar servicios de teléfono
transcontinentales. AT&T compró la patente del invento que en 1906 habı́a desarro-
llado Lee De Forest: el triodo de tubo de vacı́o. Este dispositivo mejorado permitı́a
amplificar la señal regularmente a lo largo de la lı́nea telefónica, con lo cual la con-
versación podı́a realizarse a cualquier distancia. Pero estos tubos fallaban demasiado
y consumı́an demasiada potencia, perdiéndose mucha en forma de calor.
En 1930, el director de investigación de los Laboratorios Bell, Mervin Kelly, re-
conociendo la necesidad de crear un dispositivo mejor para que el negocio del teléfono
siguiera creciendo, puso a un equipo a trabajar en el desarrollo de semiconductores.
Después de la segunda guerra mundial el fı́sico Bill Shockley fue asignado por Kelly
como director del proyecto. Shockley contrató Walter Brattain y a John Bardeen.
Los tres ganarı́an el premio en 1965 por la invención del transistor bipolar (Bardeen
ganarı́a ma’s tarde otro Nobel por explicar el mecanismo de la superconductividad).
Todos eran cientı́ficos de primera clase trabajando en el mismo laboratorio y su crea-
ción en 1948 fue de las más importantes que ha dado la humanidad desde la invención
de la rueda. En 1952 Shockley inventó el transistor de efecto campo basado en otro
principio muy diferente. Además fundó una compañia en un lugar que luego serı́a
conocido como Silicon Valley.
20.2. Transistores bipolares

La disposición de un transistor bipolar es bastante simple y puede verse en la figu-
ra 20.1. Entre dos regiones p, se construye una región n más estrecha. Los nombres de
la primera región p y de la región n ya los conocemos del capı́tulo de diodos: emisor
y base. La tercera región p recibe el nombre de colector.

Electromagnetismo, Circuitos y Semiconductores (PG 183-253)

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Capı́tulo 15

Circuitos que dependen del tiempo

a promedios (integradores) y, los más importantes, circuitos que favorecen un rango

donde Q es la carga acumulada en la placa positiva del condensador, C es la capacidad

tiempo de la expresión (15.1) teniendo en cuenta que la capacidad es una constante.

15.2. Condensadores en serie y en paralelo

La capacidad total de varios condensadores asociados en paralelo es igual a la suma

dremos que QT = Q1 + Q2 , donde QT es la carga total almacenada por la asociación.

Para condensadores asociados en serie, como muestra la ﬁgura 15.4, la fórmula es

Figura 15.3. Asociación en paralelo. Figura 15.4. Asociación en serie.

15.3. Carga de un condensador mediante una fuente de co-

15.4. Descarga de un condensador a través de una resistencia

Figura 15.7. Generación de una señal triangular.

Figura 15.8. Descarga de un conden- Figura 15.9. Voltaje frente al tiempo en

que se puede veriﬁcar sencillamente sustituyéndola en la ecuación (15.6). Esta solución

15.5. Circuito RC - Integrador

dibujada en la ﬁgura 15.11.

suponiendo como caso más general que V0 depende del tiempo.

de, satisface usualmente la condición expresada anteriormente para muchas aplica-

15.6. Circuito CR - Diferenciador

Figura 15.12. Circuito CR. Figura 15.13. Voltaje de salida.

Al conectar la fuente de voltaje V0 al condensador y la resistencia, la diferencia de

Vout = V0 e−t/RC , (15.15)

que es el mismo tipo de curva que veı́amos en el proceso de descarga de un con-

Un inductor es esencialmente una bobina de hilo conductor enrollado alrededor de

donde N es el número de vueltas de la bobina, Φ el ﬂujo magnético y L es la autoin-

Como pasaba con los condensadores, la relación entre la corriente y el voltaje es

Figura 15.15. Sı́mbolo de un transformador

Como consecuencia, un transformador ascendente disminuye la corriente, y uno des-

Figura 15.16. Transformador abierto.

Figura 15.17. Transformador cargado.

en el circuito de la bobina primaria es Iin , y se cumple la ecuación de inducción

al ser Iin despreciable normalmente.

Rin = (Np /Ns )2 RL . (15.24)

Un transformador reduce o incrementa la impedancia de entrada, con respecto a la

4. En el circuito de la ﬁgura ﬁgura 15.18, determinar el voltaje en el condensador

Análisis en frecuencia de circuitos reactivos

16.1. Señales armónicas

1/2f 1/f 3/2f 2/f

t = 0, tendrı́an la misma fase, pero si cogiéramos cualquier otro instante, entonces

1/2f 1/f 3/2f

16.2. Potencia y decibelios

circuito de resistencia R, necesita entregar al circuito una potencia constante dada

20Hz 200Hz 2kHz 20kHz

Figura 16.3. Respuesta en frecuencias de un altavoz.

16.3. Análisis en frecuencia

Figura 16.4. Condensador conectado a Figura 16.5. La corriente a través de un

Imaginemos que tenemos un altavoz y conocemos su respuesta en frecuencias

Impedancia = Resistencia + Reactancia. (16.7)

cia, en lugar de cierta reactancia. Esto es porque el concepto de impedancia se usa

condensador tuviéramos una resistencia, aplicando la ley de Ohm la amplitud de la

1. Asociamos a cada voltaje o intensidad un número complejo deﬁnido por la am-

V (t) = V0 cos (ωt + φ) ⇒ V = V0 eiφ . (16.9)

Los números complejos V e I que representan voltajes o intensidades se llaman

V (t) = (V eiωt ). (16.10)

Es frecuente escribir el fasor como A  = A0  φ. En muchos libros también se usa j en

Los números complejos

Las letras a y b representan números reales y sobre la i hablaremos en breve. Decimos

a = (z), b = (z). (16.12)

Podemos sumar y restar dos números complejos z = a + bi y w = c + di de la siguiente

El producto está deﬁnido por

zw = (a + bi)(c + di) = (ac − bd) + (ad + bc)i. (16.14)

Figura 16.6. El plano de Argand. Cada punto P representa un número complejo.

V (t) = V0 cos (ωt + φ) ⇒ V = V0 eiφ . (16.9)

Los números complejos V e I que representan voltajes o intensidades se llaman

V (t) = (V eiωt ). (16.10)

Es frecuente escribir el fasor como A = A0 φ. En muchos libros también se usa j en

a = (z), b = (z). (16.12)

V (t) = (V0 eiωt ). (16.27)

Vef = 1, Ief = Vef /ZC = iωC,

Ya que |Vout | = Vout es la amplitud de la señal armónica, podemos escribir

Vout (1/iωC)(R − 1/iωC) 1 − iωRC