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Informe V: El SCR en DC y en AC
Sergio Betancur Chaves, Andres Gómez Rodrı́guez, Ramón Mantilla Miranda
sebetancurch@unal.edu.co, andfgomezrod@unal.edu.co, rdmantillam@unal.edu.co
Laboratorio de electrónica de potencia
Departamento de Ingenierı́a Eléctrica y Electrónica
Universidad Nacional de Colombia.
Bogotá, Colombia.
Resumen—El presente informe presenta el análisis del compor- (Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC (Triode of
tamiento del SCR ante circuitos que permiten la caracterización Alternating Current). En éste caso su puesta en con-
de su comportamiento, tanto en operación directa, como expuesto ducción (paso de OFF a ON) se debe a una señal de
a señales alternas. Se presentan los métodos experimentales de
caracterización del dispositivo, además de su aplicación en el control externa que se aplica en uno de los terminales
control de señales de corriente alterna. del dispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro
Abstract—This report presents the analysis of the SCR com- lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el
ponent as part of it‘s characterization both in direct operation propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control
and exposed to alternate signals. The experimental methods of externo de la puesta en conducción, pero no ası́ del
characterization of the device are presented, in addition to its
application in the control of alternating current signals. bloqueo del dispositivo.
Dispositivos totalmente controlados: en este grupo en-
Index Terms—Rectificador, transformador, rizado, puente,
contramos los transistores bipolares BJT. los transistores
RMS, Voltaje AC, Voltaje DC, fuente trifásica.
de efecto de campo MOSFET, los transistores bipolares
de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transis-
I. I NTRODUCCI ÓN
tor”) y los tiristores GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”),
En sesiones anteriores se han estudiado y analizado circuitos entre otros.
compuestos de elementos pasivos y en los que la corriente
se intentaba controlar por medio de dispositivos no contro- Anteriormente se ha detallado el comportamiento de los
lados, es decir, elementos semiconductores que no pueden diodos en diversas configurasciones y aplicaciones. Este do-
ser desviados de su comportamiento ya que no reciben una cumento se ocupará de analizar el comportamiento y las
señal de control. Este tipo de circuitos no controlados, sin caracterı́sticas del SCR, que hacer parte de los dispositivos
embargo aprovechan las propiedades del diodo semiconductor, semicontrolados, con el fin de validar experimentalmente
para modificar las señales de tensı́ón y corriente y asi poder su funcionamiento y caracterı́sticas, y comparar los valores
llegar a emplearse en aplicaciones tan importantes como la obtenidos en la práctica con respecto a las propiedades que se
rectificación de señales alternas. describirán a continuación.
En esta ocasión se analizará el comportamiento de un dis-
positivo que hace parte del grupo de los dispositivos semi-
controlados: el SRC. Este dispositivo se miconductor permite
su encendido/apagado por medio deuna señal de control; esta
propiedad permite obtener nuevas formas de modificación y
control de la señal de entrada a partir de una señal de control, II-A. SCR: Definición y caracterı́sticas
lo cual abre la posibilidad a nuevas aplicaciones basadas en
este tipo de elemento. II-A1. Definición: El SCR es el miembro más conocido
de la familia de los tiristores. En general y por abuso del
lenguaje es más frecuente hablar de tiristor que de SCR. El
II. M ARCO TE ÓRICO SCR es uno de los dispositivos más antiguos que se conocen
Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrónica dentro de la Electrónica de Potencia (data de finales de los
de Potencia se pueden clasificar en tres grandes grupos, de años 50). Además, continua siendo el dispositivo que tiene
acuerdo con su grado de controlabilidad: mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo
Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran que permite soportar mayores tensiones inversas entre sus
los Diodos. Los estados de conducción o cierre (ON) terminales y mayor circulación de corriente). El SCR está
y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-
potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de N-P-N teniendo 3 terminales: ánodo (A) y cátodo (K), por
ningún terminal de control externo. los cuales circula la corriente principal, y la puerta (G) que,
Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuen- cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una
tran, dentro de la familia de los Tiristores, los SCR corriente en sentido ánodo-cátodo.
2 Informe V: El SCR en DC y en AC 9 de octubre de 2019
II-A2. Caracterı́stica tensión corriente del SCR: En la II-A3. Modos de operación : Hay tres modos de operación
figura 8,podemos ver la caracterı́stica estática de un SCR. para un SCR dependiendo de la polarización que se le dé:
En su estado de apagado o bloqueo (OFF), puede bloquear Modo de bloqueo en directo: En este modo de operación,
una tensión directa y no conducir corriente. Ası́, si no hay el ánodo (+) recibe un voltaje positivo mientras que el
señal aplicada a la puerta, permanecerá en bloqueo indepen- cátodo (-) recibe un voltaje negativo, manteniendo la
dientemente del signo de la tensión VAK. El tiristor debe ser puerta en cero (0) potencial, es decir, desconectada. En
disparado o encendido al estado de conducción (ON) aplicando este caso, la unión J1 y J3 tienen polarización directa,
un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante mientras que J2 tiene polarización inversa, permitiendo
un pequeño intervalo de tiempo, posibilitando que pase al solo una pequeña corriente de fuga del ánodo al cátodo.
estado de bloqueo directo. La caı́da de tensión directa en el Cuando el voltaje aplicado alcanza el valor de ruptura
estado de conducción (ON) es de pocos voltios (1-3 V). para J2 , J2 sufre una ruptura de avalancha. En este punto
Una vez que el SCR empieza a conducir, éste permanece de ruptura, el voltaje J2 comienza a conducir, pero por
en conducción (estado ON), aunque la corriente de puerta debajo del voltaje de ruptura J2 ofrece una resistencia
desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta. muy alta a la corriente y se dice que el SCR está en
Únicamente cuando la corriente del ánodo tiende a ser negati- estado apagado.
va, o inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito Modo de conducción en directo: Un SCR puede pasar del
de potencia, el SCR pasará a estado de bloqueo. modo de bloqueo al modo de conducción de dos maneras:
aumentando el voltaje entre el ánodo y el cátodo más allá
del voltaje de ruptura, o aplicando un pulso positivo en
la puerta. Una vez que el SCR comienza a conducir, no
se requiere más voltaje de puerta para mantenerlo en el
estado encendido.
Hay dos formas de desactivarlo: Reducir la corriente a
través de ella por debajo de un valor mı́nimo llamado
corriente de retención o Con la puerta apagada , corto-
circuitar el ánodo y el cátodo momentáneamente con un
interruptor de botón o transistor a través de la unión.
Modo de bloqueo inverso: Cuando se aplica un voltaje
negativo al ánodo y un voltaje positivo al cátodo, el SCR
está en modo de bloqueo inverso, haciendo que J1 y J3
estén polarizados inversamente y J2 polarizados hacia
adelante. El dispositivo se comporta como dos diodos
con polarización inversa conectados en serie. Fluye una
pequeña corriente de fuga. Este es el modo de bloqueo
inverso. Si se aumenta el voltaje inverso, entonces a
un nivel de ruptura crı́tico, llamado voltaje de ruptura
Figura 2: Curva caracterı́stica del SCR inversa (V BR), se produce una avalancha en J1 y J3 y
la corriente inversa aumenta rápidamente. Los SCR están
disponibles con capacidad de bloqueo inverso, lo que se
suma a la caı́da de voltaje directo debido a la necesidad
La figura 3 muestra las caracterı́sticas corriente-tensión (I- de tener una región P1 larga y poco dopada. Por lo
V) del SCR y permite ver claramente cómo, dependiendo de la general, la clasificación de voltaje de bloqueo inverso
corriente de puerta (IG), dichas caracterı́sticas pueden variar. y la clasificación de voltaje de bloqueo directo son las
3
III-B. Cálculo de Rg
Se realiza el cálculo de la resistencia a utilizar para el Gate.
Esta es la resistencia que garantiza la activación del SCR,
se calcula a partir de IGT que es la corriente máxima de
operación y que para el SCR a usar corresponde a 200µA;
el voltaje de activación mı́nimo VGT es de 0,6V, Ası́ como
se puede calcular la resistencia para el circuito implementado
dependiendo del voltaje de entrada en la malla de activación
del circuito. En la fuente DC hay 5v, por tanto:
V G − V GT 5v − 0, 6v
RG = = = 22KΩ (1)
IGT 200µA
III. SIMULACIONES
Figura 6: Valores de tensión y corriente en el circuitos del IV. R ESULTADOS OBTENIDOS EN LABORATORIO
SCR en Dc
Vf g VRg Ig
0 0,000 0
0,2 0,003 3,000,E-08
0,4 0,024 2,400,E-07
0,6 0,139 1,390,E-06
0,8 0,302 3,020,E-06
1 0,481 4,810,E-06
1,2 0,666 6,660,E-06
1,4 0,854 8,540,E-06
1,6 1,043 1,043,E-05
1,8 1,232 1,232,E-05
2 1,356 1,356,E-05
2,2 1,155 1,155,E-05
2,4 1,556 1,556,E-05
Figura 7: Circuito de disparo SCR en AC 2,6 1,757 1,757,E-05
2,8 1,957 1,957,E-05
3 2,157 2,157,E-05
3,2 2,357 2,357,E-05
3,4 2,557 2,557,E-05
3,6 2,757 2,757,E-05
3,8 2,958 2,958,E-05
4 3,158 3,158,E-05
4,2 3,358 3,358,E-05
4,4 3,558 3,558,E-05
4,6 3,758 3,758,E-05
4,8 3,957 3,957,E-05
5 4,158 4,158,E-05
180
160
140
120
100
Voltaje
80
60
40
20
-20
-0.05 -0.04 -0.03 -0.02 -0.01 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
V. A N ÁLISIS DE RESULTADOS
Teniendo en cuenta los resultados, se puede deducir que la
corriente aproximada para el encendido del SCR es de 13µA,
lo que explica las tensiones necesarias para la activación del
mismo en los dos circuitos.