Tema 6 Alta Eficicencia

Tema 6: Dispositivos de alta eficiencia y nuevos conceptos
1. Generaciones de dispositivos fotovoltaicos
2. Células de multi-unión
2.1 Introducción
2.2 Características de los sistemas de concentración
2.3 Dispositivos multi unión operativos
2.4 Nuevas propuestas
3. Dispositivos basados en semiconductores de banda

intermedia
Energía Solar Fotovoltaica. Tema 6 Prof. Ignacio Mártil 1/63

1. Generaciones de dispositivos fotovoltaicos
Generaciones de dispositivos fotovoltaicos: los retos de la tercera generación
1ª Generación: c-Si y mc-Si.

Buenas eficiencias (~20%),
pero costos altos
2ª Generación: Dispositivos
en lámina delgada (Tema 5).
Eficiencias medias  altas,
costes bajos
3ª Generación (proyectado):
Muy alta eficiencia (> 30%)
con costes moderados. CPV
(?)

2.1 Introducción
El camino hacia una mayor eficiencia. Células de una unión de GaAs (I)
1. La capa de AlxGa1-xAs actúa como ventana y

como pasivante de la superficie de la capa
p-GaAs
2. El absorbedor es la capa p-GaAs
3. La capa n-GaAs esta incorporada para

formar la unión, pero no juega un papel
activo

2.1 Introducción
El camino hacia una mayor eficiencia. Células de una unión de GaAs (II)
E.Q.E I-V 1er Cuadrante
  27 %
2.1 Introducción
Problemas irresolubles con células de una unión

1. Low energy photons 2. High energy photons

2.1 Introducción
El incremento de la eficiencia pasa por dos aspectos:
1.Mejor aprovechamiento del espectro solar con dispositivos multi unión
2.Los dispositivos de multi unión pueden fabricarse con semiconductores III-V,

pues tienen tecnología madura y permiten la fabricación de tales estructuras
3.Desde el punto de vista económico, es imperativo emplear los dispositivos multi

unión en sistemas de concentración
“Splitting” del espectro

solar con un dispositivo
de tres uniones

2.1 Introducción
Partición del espectro solar con un dispositivo multi unión: 3 J

2.1 Introducción
Aprovechamiento del espectro solar con dispositivos multi unión: 3 J

2.1 Introducción
Partición del espectro solar con un dispositivo multi unión: 6 J

2.1 Introducción
Aprovechamiento del espectro solar con dispositivos multi unión: 6 J

Ventajas de los sistemas de concentración (I)
1. Mediante sistemas ópticos (lentes, espejos) se puede concentrar la luz en una célula de
muy alta eficiencia y área muy reducida. Ccn una relación de concentración X, 1 cm2 de
área de célula produce la misma electricidad que X cm2 sin concentración
2. En sistemas de concentración se substituyen materiales de bajo costo (lentes y espejos)

por materiales de alto costo (células solares)

Ventajas de los sistemas de concentración (II)

1. Se requiere un menor número de células solares para obtener una potencia
determinada
2. En condiciones de concentración, aumenta la eficiencia de la célula solar
3. El costo por m2 del sistema desciende al aumentar el factor de

concentración
C: Costo por m2 de célula

C
K Y  Y: Coste por m2 del sistema de concentración
X X: Relación de concentración
K: Costo total por m2 del sistema

Ventajas de los sistemas de concentración (III)

Los parámetros de una célula bajo una iluminación de X soles de concentración
son:
kT  I SC ( X )  kT  X .I SC (1)  kT
I SC ( X )  X .I SC (1) VOC ( X )  ln   ln   VOC (1)  ln X
q  IO  q  IO  q
kT  qVOC 
VOC  ln  0.72  FF ( X ).VOC ( X ).I SC ( X ) FF ( X ).VOC ( X ). X .I SC (1)
q  kT   (X )  
FF 
kT Pin ( X ) X .Pin (1)
VOC 
q
Operando con las expresiones anteriores y recordando el Tema 4, obtenemos la
expresión para la eficiencia en condiciones de concentración:
 kT 
 ln X 
 FF ( X )   q 
 ( X )   (1). . 1 
 FF (1)   VOC (1) 
 
 

Ventajas de los sistemas de concentración (IV)

Cálculo ideal (sin considerar Situación real
efectos térmicos)

Requisitos para obtener

costos competitivos:
Alta eficiencia +
Concentración

Sistemas de concentración
 200 soles  500 - 1000 soles

Posibles métodos de refrigeración

de células para trabajar en
concentración
Módulos de concentración

Predicciones teóricas de eficiencia alcanzable en dispositivos multi unión

Un primer paso: dispositivo de dos uniones (IES-UPM)

Diagrama de bandas
Top Cell TJ Bottom Cell
GaInP2 GaAs
p-AlGaInP n-AlGaAs

Un primer paso: dispositivo de dos uniones (IES-UPM)
Detalle del diagrama de bandas de la bottom cell de GaAs

Un problema importante: la conexión entre uniones mediante uniones túnel

Problema básico: acoplo de fotocorrientes

Optimizando el aprovechamiento del espectro solar: dispositivos de tres uniones

Posibilidades:
1.Lattice matched (LM)
2.Uprigth Metamorphic Mismatched (MM)
3.Inverted Metamorphic Mismatched (IMM)
4.Lattice Matched, Band Gap Matched

Spectrolab (Boeing). Lattice Matched Multijunction
1. Uniones acopladas en
red
2. Excesiva generación
en la “bottom cell” de
Ge
http://www.spectrolab.com/space.htm

 = 41.6 % (2011)

Estructura de la célula de Spectrolab

Los semiconductores
integrantes de la
célula Spectrolab
Ga0.505In0.495P
Ga0.99In0.01As
Ge

Fraunhofer Institüt. Uprigth Metamorphic Multijunction

Célula Spectrolab Célula Fraunhofer

Lattice matching Lattice mismatching
Band gap mismatching Band gap matching
Ga0.505In0.495P/Ga0.99In0.01As/Ge Ga0.35In0.65P/Ga0.83In0.17As/Ge
1.9 eV/1.4 eV/0.67 eV 1.7 eV/1.2 eV/0.67 eV

Limitaciones a la eficiencia de las células 3 J basadas en Ge

La “bottom cell” de Ge
absorbe igual número de
fotones que las “middle” y
“top cells” juntas. Por lo
tanto, generan un exceso
de fotocorriente que no se
aprovecha en incrementar la
eficiencia.
Posibles soluciones:
1.Ajustar mejor los gaps
de los constituyentes, en
especial de la “bottom cell”
1.Dispositivos multi unión Simulación de un dispositivo 3 J lattice

con 4J, 5J,… matched con iluminación de 500 soles

1. El gap ideal de la “bottom cell”

debe estar en el entorno de 1 eV.
El semiconductor con ese gap es el
InGaAs
2. El InGaAs de ese gap tiene su
parámetro de red muy desajustado
con el del Ge o el GaAs
3. Se puede conseguir “lattice
matching” mediante la
incorporación de N: GaInNAs
4. El GaInNAs es muy defectuosos,
por lo que presenta LD muy bajas
(<0.1 m)
5. Es imprescindible crecerlo con
técnicas de epitaxia muy
sofisticadas (y caras): M.B.E.
(Solar Junction)
6. Otra opción: Crecer InGaAs de 1 eV con desajuste de

red mediante graded layers. MOCVD (Spire, Fraunhofer)

Spire. Bifacial Inverted Metamorphic Multijunction

Esquema del dispositivo Detalle de la estructura completa

Electrodo superior. Uno de los

E.Q.E. Problemas de absorción
factores principales que
en el sustrato
limitan la eficiencia

http://www.spirecorp.com Eficiencia de conversión: 42.3 %

Solar Junction. Adjustable Spectrum Lattice Matched Multijunction

(A-SLAMM)
Bottom cell: InGaAsNSb

Proceso Solar Junction Proceso Fraunhofer, Spire,

MBE Spectrolab, NREL
MOCVD
Intercaras abruptas, sin Intercaras graduales, con

intermixing posible intermixing
Eficiencia: 44% (Octubre 2012)

Fraunhofer ISE (Alemania)-Soitec (Francia)

Primer dispositivo experimental de 4 uniones (2J + 2J + Wafer bonding) (Mayo 2013)
Estructura del dispositivo Área de la célula: 5.2 mmmm2

La intercara entre las tandem cells es

excelente

Nuevo record mundial de eficiencia (septiembre 2013): 44.7%
http://www.ise.fraunhofer.de/en


El estado actual de la tecnología de células multi unión comerciales

Hoja de ruta (Roadmap) de la Investigación y el desarrollo de las células multi unión

Añadiendo una cuarta unión de material con gap 0.7 eV a la célula record de
Solar Junction, se puede lograr un aprovechamiento casi óptimo del espectro
solar, sin problemas de lattice mismatching entre las diferentes capas
integrantes del dispositivo.
Solar Junction planea alcanzar 47–48% de eficiencia en concentración en un par

de años con ésta nueva célula

Hacia el 50 % de eficiencia. Posibilidades (3J)

In0.37Al0.63As (1.93 eV)  In0.38Ga0.62As0.57P0.43 (1.39 eV)  In0.38Ga0.62As (0.94 eV)

Hacia el 50 % de eficiencia. Posibilidades (5J)
Eficiencia calculada para X = 500 soles,  = 46.1%

Hacia el 50 % de eficiencia.
Eficiencia calculada para X = 500 soles,
Posibilidades (Dispositivo de
 = 50.9%
6J con Inverted
Metamorphic cell)

Aplicaciones de los dispositivos de multi-unión
Espaciales Terrestres: Sistemas de concentración

3. Dispositivos basados en semiconductores de banda intermedia
¿Cómo aprovechar óptimamente el espectro solar sin recurrir a los

dispositivos de multi unión (excesivamente caros)?:
Dispositivos de Banda Intermedia

Semiconductor con Banda

Intermedia (IB):
Material en el que se introducen

impurezas en concentración tan
elevada que los electrones
deslocalizan su función de onda,
dando lugar a una banda de
estados permitidos en el gap del
semiconductor huésped
Estados localizados Estados extendidos

Células solares con semiconductores de Banda Intermedia

1.Un semiconductor con IB se inserta entre
dos semiconductores convencionales, con
dopados P y N. Los semiconductores P y N
actúan como contactos del semiconductor IB,
evitando su contacto con los electrodos del
dispositivo
2.Los fotones absorbidos por el dispositivo

promueven transiciones desde la IB hasta la
BC (transiciones rojas), desde la VB hasta la
IB (transiciones verdes) y desde la VB hasta
la BC (transiciones azules)
3.La IB actúa como escalón intermedio para los

fotones, de manera que se logra incrementar
la fotocorriente, al aprovechar los fotones
de energía inferior al gap

Predicción teórica: Valores óptimos para el gap y la posición de la IB
Semiconductor óptimo: EG = 1.95 eV; EC – EIB = 0.71eV

Dispositivos experimentales con semiconductores IB: ZnTe:O (I)
1. Estructura física con 2. Diagrama de bandas de la

las transiciones ópticas estructura. La capas de N+-GaAs y
involucradas P+-ZnTe actúan de contactos para
la capa de ZnTe (O)

Dispositivos experimentales con semiconductores IB: ZnTe:O (II)

3. Espectro de PL del dispositivo. 4. Respuesta espectral para
Hay emisiones BC-BV (ZnTe) y IB energías sub gap: evidencia de
(O)-BV transiciones BV-IB y/o IB-BC

Dispositivos experimentales con semiconductores IB: Ti-supersaturated Si (I)

1. Perfiles de Ti en Si. Superación de 2. Evidencia experimental de la
la transición aislante-metal (Mott formación de la IB: supresión de la
transition) Recombinación no radiativa

Dispositivos experimentales con semiconductores IB: Ti-supersaturated Si (II)

1. Célula con estructura HIT 2. Eficiencia cuántica externa: respuesta a
fotones de energía menor que el gap del Si

Dispositivos experimentales con semiconductores IB: GaNAs (I)

Banda Intermedia Enterrada (BIB) Banda Intermedia Contactada (UIB)

Dispositivos experimentales con semiconductores IB: GaNAs (I)

Banda Intermedia Enterrada (BIB) Banda Intermedia Contactada (UIB)
1. En el dispositivo con la IB enterrada 2. En el dispositivo con la IB contactada

(BIB),se permite que una amplia gama de (UIB), las transiciones IB-CB están
longitudes de onda generan portadores, cortocircuitadas, por lo que no
ya que las transiciones BV-IB y IB-BC se contribuyen a la fotocorriente.
pueden aprovechar en el circuito exterior

Dispositivos experimentales con semiconductores IB: GaNAs (II)
Eficiencia cuántica de
ambos dispositivos
1. En el dispositivo BIB se observan

dos umbrales de respuesta: a 1.1 eV
(BV-IB) y a 2 eV (BV-BC), indicando
que todas las transiciones que
involucran a las tres bandas
contribuyen a la fotocorriente
2. En el dispositivo UIB, la IB actúa

como BC y por lo tanto presenta las
características de una célula solar de
una unión, con gap BV-IB =1.1 eV

Dispositivos experimentales con semiconductores IB: GaNAs (III)

Características I-V. El efecto del
cortocircuito de la Banda
Intermedia
1. El valor del VOC en la célula

BIB es compatible con el gap
del GaNAs, lo que indica
transiciones BV-BC. Es decir,
la IB no está cortocircuitada
2. El valor del VOC en la célula

UIB es compatible con un gap
de 1.1 eV, lo que indica que la
IB está cortocircuitada

4. Dispositivos basados en pozos cuánticos
Dispositivos experimentales con semiconductores IB: Quantum Dots (I)
a) Estructura física y
diagrama de bandas de
una célula solar de QDs
de InAs “embitudos” en
una matriz de GaAs. El
solapamiento de las
funciones de onda de los
QDs froman la IB
b) Estructura física del

dispositivo, con detalle
de las capas de QDs
c) Imagen TEM de los QDs

de InAs

4. Dispositivos basados en pozos cuánticos
Dispositivos experimentales con semiconductores IB: Quantum Dots (II)
d) Característica I-V de la célula de QDs y de una céula de referencia de GaAs. El menor

valor del VOC en la célula de QDs parece indicar un posible escape térmico de portadores
desde la IB a la BC
e) QE de ambas células. La respuesta para energías inferiores al gap en la célula de QDs

indica absorciones de energía inferior al gap del semiconductor huesped, GaAs

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