DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA

CARRERA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA

ASIGNATURA: Electrónica Fundamental

NRC: 5170

INFORME DE PRÁCTICA
DE LABORATORIO

Tema: Diodo en Corriente Continúa

No. 1

Profesor: Ing. Carlos Ponce.

INTEGRANTES
Fabricio Veintimilla

12 de abril de 2018

Sangolquí
 UNIDAD N° 1

1. Tema:

DIODOS

2. Introducción

En la presente práctica se comprobó el comportamiento del diodo en corriente

continua, efectuando 2 circuitos, el primero con el diodo 1N4007 y el segundo con
diodos LED. Además de observó la rectificación de media onda de una señal
sinusoidal al atravesar el diodo rectificador. Se comprueba de manera experimental
que visto en teoría es verdadero, tomando en cuenta algunas consideraciones debido
al material e instrumentos de medición.

3. Objetivo:

 Verificar la acción rectificadora del Diodo 1N4007 haciendo uso de un

circuito que simule la resolución de un problema.
 Verificar el funcionamiento de los Diodos Emisores de Luz (LED) haciendo
uso de un circuito que simule la resolución de un problema.
 Analizar los resultados comparando los datos calculados, simulados y
medidos.

4. Materiales

 Resistencias
 Diodos
 Cables
 Protoboard
 Fuente de corriente continua.
 Multímetro
5. Marco teórico

Diodo semiconductor

El diodo semiconductor, con aplicaciones demasiado numerosas de mencionar, se

crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, nada más que eso; sólo la
unión de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con un
portador mayoritario de huecos. La simplicidad básica de su construcción refuerza
la importancia del desarrollo de esta área de estado sólido.[1]

Nuevos materiales utilizados en la construcción de dispositivos Electrónicos.

Carburo de silicio

Existen alrededor de 250 presentaciones cristalinas similares de carburo de silicio

denominadas polytypes. Los principales polytypes de SiC para su utilización
como semiconductor son las estructuras 4H y 6H.

Estos semiconductores están caracterizados por unas propiedades que los hacen
muy atractivos para su aplicación en electrónica de potencia. Entre estas
propiedades (SiC Power Transistors, n.d.) se encuentran:

 Una elevada conductividad térmica 3,3 (W/cmK) para el SiC-4H y 4,9

(W/cmK) para el SiC-6H.
 Alta densidad de intensidad máxima.
 Significativa resistencia de ruptura ante elevados campos eléctricos.
Algunos problemas de los procesos de fabricación del carburo de silicio se
encuentran en:

Los significativos problemas que conlleva la aparición de dislocaciones y

micropipes que afectarán indeseablemente a la fabricación y que serán tanto más
abundantes cuanto mayor sea el tamaño de la oblea (Performance-Limiting Micro-
pipe, 1994). El cristal sufre tensiones internas y externas que causan el crecimiento
de los defectos o dislocaciones. Micropipes se denominan las dislocaciones
lineales extendidas en forma de tornillo, transversalmente a lo largo del cristal.

 Dificultades con la interfaz entre SiC y SiO2, las cuales han complicado
el desarrollo del MOSFET y el aislamiento de la puerta en los transistores
bipolares.
 Problemas en los contactos óxidometal a altas temperaturas.
 Por otro lado, al ser el tamaño de las obleas menor que las utilizadas con
el silicio, no se pueden aprovechar totalmente los equipos de fabricación
ya existentes. Además, por lo comentado anteriormente, el rendimiento o
aprovechamiento de la oblea en su fabricación es muy reducido, del orden
del 15% frente al más del 90% obtenido mediante el silicio.

Grafeno

El término grafeno apareció en investigaciones realizadas alrededor de 1987 sobre

varios materiales entre los que se trataban los nanotubos de carbono. Un avance
muy significativo se produjo en la Universidad de Manchester en 2004, cuando el
investigador Andre Geim logra extraer cristales de grafeno de grafito a granel y
trasladarlos a una oblea de silicio en un proceso denominado ruptura
micromecánica o técnica de la cinta de Scotch. Esta técnica permitió la primera
observación sobre el anómalo efecto Hall del grafeno y sus notables propiedades
electrónicas.

Al mismo tiempo, en el Georgia Institute of Technology se proponía la aplicación

del grafeno como material utilizado en microelectrónica, utilizando las mismas
técnicas de fabricación conocidas, basadas en crecimiento epitaxial sobre
substrato monocristalino.

A partir de entonces, se han desarrollado grandes avances, en 2008 el Laboratorio

Lincoln del MIT, han fabricado cientos de transistores en un solo chip y en 2009
se han obtenido transistores de muy alta frecuencia y pequeñísimas dimensiones
del orden del nanómetro.

En 2010 el premio Nobel de Física fue otorgado a los rusos Andre Geim y
Konstantin Novoselov por sus trabajos de investigación en el desarrollo del
grafeno.

 Como peculiares características del grafeno se encuentran:

 Alta conductividad térmica y eléctrica.
 Los electrones transportados por grafeno se comportan casi como
partículas sin masa, con un comportamiento similar a los fotones de la luz.
 Permite una medida precisa y fiable

Debido a las propiedades anteriores, los electrones del grafeno pueden moverse a
través de toda la lámina estructural y no quedarse aislados en ninguna zona,
consiguiendo una alta conductividad o movilidad de portadores.

Nuevamente, al igual que con el carburo de silicio, el gran inconveniente que se

encuentra en el grafeno reside en su tecnología de fabricación.[2]

Algún tema de interés sobre uniones N-P y sus aplicaciones.

A partir de la década de 1950, los dispositivos semiconductores -conocidos

también como dispositivos de estado sólido- remplazaron los tubos electrónicos
de la industria tradicional. Por la enorme reducción de tamaño, consumo de
energía y costo, acompañada de una mucho mayor durabilidad y confiabilidad, los
dispositivos semiconductores significaron un cambio revolucionario en las
telecomunicaciones, la computación, el almacenamiento de información, etc.
Desde el punto de vista de su forma de operación, el dispositivo semiconductor
más simple y fundamental es el diodo; todos los demás dispositivos pueden
entenderse en base a su funcionamiento.
Cuando un semiconductor de tipo n y otro de tipo p se unen del modo indicado en
la Figura
Las concentraciones inicialmente desiguales de electrones y vacantes dan lugar a
una trasferencia de electrones a través de la unión desde el lado p al n y de vacantes
desde el lado n al p. Como resultado, se crea una doble capa de carga en la unión
semejante a la de un condensador de placas paralelas, siendo negativo el lado p y
positivo el lado n.
Existe por tanto una diferencia de potencial V a través de la unión que tiende a
inhibir una transferencia posterior. La región de la unión se llama región de
agotamiento porque está desprovista de portadores de carga.[3]

Aplicaciones en dispositivos eléctricos:

Rectificador de media onda

En ocasiones necesitamos eliminar el periodo negativo de una onda de corriente

alterna, eso lo vamos a conseguir conectando un diodo en serie con la fuente de
corriente alterna, el diodo permitirá el paso de corriente durante el periodo
positivo y lo impedirá durante el periodo negativo.

Rectificador de doble onda

Este tipo de rectificador es el que vamos a emplear para convertir una señal alterna
en una continua, si te fijas en este tipo de rectificador, lo que vamos a conseguir
es convertir el periodo negativo en positivo.

Estabilizador de tensión

Lo que conseguimos con el diodo zener, es mantener la tensión constante entre

dos puntos, a pesar de las posibles variaciones de tensión e intensidad en el
circuito.

Indicadores

Para indicar que existe un paso de corriente en un equipo, utilizaremos diodos

LED, que se iluminarán indicando el estado del equipo, se utilizan tanto a nivel
industrial como doméstico.[4]
6. Procedimiento

6.1 Armar los circuitos propuestos en el trabajo preparatorio y comprobar su

funcionamiento.

 Simulación

Figura 1 Circuito con diodos 1N4007

 Tabla de mediciones y errores

ELEMENTOS Valores calculados Valores simulados Valores experimentales
VOLTAJE CORRIENTE VOLTAJE CORRIENTE VOLTAJE CORRIENTE

RES 3.3K 0.71 V 0.61 V 0.61 V

RES 5.6K 10.58 V 10.8 V 10.73 V
I1 216.97 µA 184 µA 0.18 mA
I2 1.89 mA 1.92 mA 1.92 mA
ID2 1.67 mA 1.74 mA 1.71 mA
D1 0.7 0.61 0.62 V
D2 0.7 0.61 0.61 V
Tabla 1 Valores calculados, simulados y experimentales del circuito con diodos 1N4007
 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑡𝑒ó𝑟𝑖𝑐𝑜 − 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑒𝑥𝑝𝑒𝑟𝑖𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = | |
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑡𝑒ó𝑟𝑖𝑐𝑜

Elementos Calculados vs. Simulados vs.

Experimentales Experimentales
Voltaje Corriente Voltaje Corriente
RES 3.3K 14 % 0%
RES 5.6K 1.41% 0.006%
I1 14.28% 2.17%
I2 1.58% 0%
ID2 2.4% 1.72%
D1 11.43% 1.64%
D2 12.85% 0%
Tabla 2 Calculo de errores entre valores calculados vs. Experimentales y simulados vs.
Experimentales del circuito con diodos 1N4007

6.2 Plantee un problema cuya solución requiera de un circuito en el que se

evidencie el funcionamiento de los Diodos Emisores de Luz (LED) y calcule
valores de tensión, corriente en el diodo y en cada uno de los componentes
del circuito.

 Simulación

Figura 2 Circuito con diodos LED

  Tabla de mediciones y errores
ELEMENTOS Valores calculados Valores simulados Valores experimentales
VOLTAJE CORRIENTE VOLTAJE CORRIENTE VOLTAJE CORRIENTE

RES 3.3K 2.12 V 2.17 V 1.83 V

RES 5.6K 7.78 V 7.65 V 8.34 V
I1 641.21 µA 657 µA 0.57 mA
I2 1.39 mA 1.37 mA 1.49 mA
ID2 748.79 µA 708 µA 0.89 mA
LED-RED 2.1 V 2.19 V 1.80 V
LED-GREEN 2.1 V 2.17 V 1.83 V
Tabla 3 Valores calculados, simulados y experimentales del circuito con diodos LED

𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑡𝑒ó𝑟𝑖𝑐𝑜 − 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑒𝑥𝑝𝑒𝑟𝑖𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙

𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = | |
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑡𝑒ó𝑟𝑖𝑐𝑜

Elementos Calculados vs. Simulados vs.

Experimentales Experimentales
Voltaje Corriente Voltaje Corriente
RES 3.3K 13.7% 15.67%
RES 5.6K 7.2% 9.02%
I1 10.93% 13.24%
I2 7.19% 8.76%
ID2 18.98% 25.71%
D1 14.29% 17.81%
D2 13.85% 15.67%
Tabla 4 Calculo de errores entre valores calculados vs. Experimentales y simulados vs.
Experimentales del circuito con diodos LED

7. Preguntas

a. ¿Cómo identifica que un Diodo Rectificador está en malas

condiciones?

 Un buen diodo polarizado en directo muestra una caída de voltaje que

va de 0.5 a 0.8 voltios para los diodos de silicio más comúnmente
utilizados. Algunos diodos de germanio tienen una caída de voltaje que
va de 0.2 a 0.3 V.
  El multímetro muestra OL cuando un diodo bueno está polarizado en
directo. La lectura OL indica que el diodo funciona como un
interruptor abierto.
 Un diodo malo (abierto) no permite que la corriente fluya en ambos
sentidos. El multímetro mostrará OL en ambas direcciones cuando el
diodo esté abierto.[5]

b. ¿Cuál es el principio de funcionamiento de un Diodo Emisor de Luz

(LED)?

La estructura del chip de los diodos LED, al contrario de lo que ocurre con
los diodos comunes, no emplea cristales de silicio (Si) como elemento
semiconductor, sino una combinación de otros tipos de materiales,
igualmente semiconductores, pero que poseen la propiedad de emitir
fotones de luz de diferentes colores cuando lo recorre una corriente
eléctrica.[6]

c. ¿Cuál es el valor del voltaje umbral del diodo rectificador utilizado?

Valor típico: 0.93 V

Máximo valor: 1.1 V

d. ¿Cuál es el valor de la resistencia del diodo en polarización inversa?

Valores típicos: 0.05 µA

Máximo valor: 10 µA

e. ¿Qué especificaciones dadas por el fabricante son necesarias para

diseñar circuitos con Diodos LED?

 Potencia
 Luminosidad
 Temperatura de color
 Factor de mantenimiento del flujo luminoso
 Rendimiento de color
 Tipos de LED

f. ¿Cuáles son las ventajas de la iluminación LED frente a la iluminación

incandescente?

 El bajo consumo de la luminaria permite un importante ahorro

energético.
 Poca emisión de calor.
 Produce luz nítida y brillante.
 Mayor duración que las bombillas tradicionales.
 Facilidad de instalación.
  Importante ahorro factura de la luz.
 Posibilidad de control de intensidad lumínica con control remoto.
 Al no tener filamento como las bombillas incandescentes o
halógenas, soportan golpes y vibraciones sin romperse.
 Son ecológicas.
 Producen baja contaminación lumínica en exteriores.
8. Conclusiones

 En el osciloscopio de pudo observar la acción rectificadora de media onda

que logra un solo diodo conectado. Efectivamente la señal sinusoidal que
ingresaba después de pasar por el diodo se recortaba su parte negativa. Lo
que cabe recalcar es que en la señal otorgada por el diodo se podía observar
que la amplitud de la parte positiva de la señal sinusoidal era menor, esto
debido a que el diodo consume un nivel de voltaje antes de activarse.

 En el primer circuito se evidencia que entre los valores calculados y los

valores obtenidos experimentalmente tienen porcentajes de error de
14.28% el máximo y 1.41% el mínimo, esto se debe a que los valores
tomados en cuenta para los cálculos de ambos diodos difieren de los que
marcó el multímetro en la realidad. El error al asumir un valor de voltaje
de activación de los diodos es de 11.43% para el diodo 1 (D1) y de 12.85%
para el diodo 2 (D2) esto dio como resultado que los valores calculados y
las mediciones experimentales difieran más allá del límite aceptable. En
contraposición, los errores porcentuales entre los valores simulados en
Proteus y los obtenidos experimentalmente son muy pequeños: 2.17% el
máximo y de 0% el mínimo; el 0% no refleja una exactitud perfecta entre
ambas mediciones, sino más bien se debe a que la sensibilidad del
multímetro utilizado coincidió con los dos primeros decimales obtenidos
en la simulación. Este rango de errores tan pequeño entre los valores
simulados y los experimentales se debe principalmente a la proximidad de
los valores de voltaje consumido de los diodos ya que estos son de 1.64%
para el diodo 1 (D1) y de 0% para el diodo do (D2).

 Para el circuito 2 podemos ver que los errores porcentuales, tanto en los
valores Calculados vs. Experimentales como el los valores Simulados vs.
Experimentales, son muy altos, tanto que sobrepasan los límites
aceptables, al igual que con el circuito 1 esto se debe a que; en el caso de
los valores calculados se asumieron valores de consumo del diodo muy
diferentes a los reales y a los simulados, dando por resultado que las
mediciones difieran en el rango tan alto.

9. Recomendaciones

 Para los cálculos teóricos se debe primero tener los valores reales de
consumo de los diodos a utilizar, y no usar los valores teóricos vistos en
 clase.

 Para las simulaciones se debe tener en cuenta los parámetros cargados por
el programa para los elementos utilizados y, dado el caso cambiar tales
parámetros para que se ajuste de mejor manera a la realidad y así evitar
errores importantes.

10. Bibliografía

[1] R. BOYLESTAD and L. NASHELSKY, Boylestad nashelsky.pdf,

DECIMA. MEXICO: Pearson Educación.

[2] R. W. (Robert W. Erickson and D. Maksimović, Fundamentals of power

electronics. Kluwer Academic, 2001.

[3] E. N. Su and E. Profesional, “UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE

YUCATÁN FACULTAD DE INGENIERÍA DEPÓSITO Y
CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS DE CdS CRECIDAS
POR BAÑO QUÍMICO BAJO EL EFECTO DE ROTACIÓN DEL SUSTRATO
TESIS PRESENTADA POR: ANDRÉS IVÁN OLIVA AVILÉS INGENIERO
FÍSICO MÉRIDA, YUCATÁN, MÉXICO 2008.”

[4] “3.1.2. Aplicaciones de los diodos.” [Online]. Available: http://e-

ducativa.catedu.es/44700165/aula/archivos/repositorio//3000/3078/html/312_apl
icaciones_de_los_diodos.html. [Accessed: 16-Apr-2019].

[5] Fluke Corporation, “Cómo Probar Los Diodos | Fluke.” [Online].

Available: https://www.fluke.com/es-ec/informacion/mejores-practicas/aspectos-
basicos-de-las-herramientas-de-prueba/multimetros-digitales/como-probar-los-
diodos. [Accessed: 16-Apr-2019].

[6] J. A. E. García Álvarez, “ASÍ FUNCIONAN LOS DIODOS LEDs,” 2015.

[Online]. Available: http://www.asifunciona.com/fisica/af_leds/af_leds_3.htm.
[Accessed: 16-Apr-2019].
11. Anexos