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M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES
CURSO TEMA
NUMERO
GRUPO 03 PROFESOR
CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo
B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa.
En esta situación gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen
atravesar ésta, debido a su poco grosor y débil dopado, y llegar al colector.
Las tres regiones de trabajo que tiene un transistor son trasistor en corte,
saturación y en activo.
El último caso sería utilizar el transistor en su zona activa, esto significa que si utilizamos
el ejemplo de la bombilla no estaría ni apagada ni totalmente encendida, sino que
estaríamos en una posición entre apagado y encendido, por ejemplo el mismo resultado
que obtenemos cuando regulamos con un potenciometro la luminosidad de la bombilla.
Dependiendo de la polarización la región activa del transistor puede ser: región activa
directa o región activa inversa
Re=330Ω
Rc=1kΩ
R1=56KΩ
R2= 22KΩ.
Vcc= -12v
(R1+P1)×R2
Rb =
(R1+P1)+R2
R2×Vcc
V = (R1+P1)+R2
TABLA 2
(Para P1 = 0 Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el Rb: Ic = (-16.501 µA)(462.5)
R1×R2 Ic = -7.632 mA
Rb =
R1+R2
Hallando VCE: (Ic = Ie)
56K×22K
Rb =
(56+22)K Vcc= Ic×Rc + VCE +
Rb = 15.794k Ω Ic×Re
Hallando el V: VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
R2×Vcc VCE = -12 – (-
V=
R1+R2 7.632×10−3 )(1000+330)
22k×(−12)
V= VCE = -1.850v
(56+22)𝑘
Ib=
−3.385+0.6 VE = - 3.3846+0.6
15.794×103 +(462.5+1)330
VE = -2.7846 v
Ib = -16.501 µA
Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
Valores
IC(mA.) Ib(uA.) β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 56K Ω)
Teóricos -7.632 -16.501 462.5 -1.850 0.6 -2.7846
TABLA 3
(Para P1 = 0 Ω y R1 = 68k Ω)
68K×22K Ic = -6.366mA
Rb =
(68+22)K
Hallando VCE: (Ic = Ie)
Rb = 16.623k Ω Vcc= Ic×Rc + VCE +
Ic×Re
Hallando el V:
V=
R2×Vcc VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
R1+R2
22k×(−12)
VCE = -12 – (-
V= 6..366×10−3 )(1000+330)
(68+22)𝑘
VE = -2.336 v
TABLA 5
(Para P1 = 100K Ω y R1 = 56k Ω
Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
22k×(−12)
V = (56+100+22)𝑘
V = -1.483 v
Hallando Ib:
V+VBE
Ib=Rb+(β+1)Re
−1.483+0.6
Ib=19.2808×103 +(462.5+1)330
Ib = -5.773 µA
VCE = -8.449v
(Para P1 = 250K Ω y R1 = 56k Ω)
22k×(−12)
V = (56+250+22)𝑘
V = -0.8048 v
Hallando Ib:
V+V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re
−0.8048+0.6
Ib=20.524×103 +(462.5+1)330
Ib = -1.181 µA
Ic = -54.6mA
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
(Para P1 = 500K Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
22k×(−12)
V = (56+500+22)𝑘
V = -0.4567 v
Hallando Ib:
V+V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re
−0.4567+0.6
Ib=21.162×103 +(462.5+1)330
Ib = 0.823 µA
Ic = 0.381mA
Hallando el Rb:
(R1+P1)×R2
Rb = Hallando VCE: (Ic = Ie)
R1+P1+R2
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
556K×22K
Rb = (56+500+22)K
VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
VCE = -13.6064 v
(Para P1 = 1M Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
22k×(−12)
V = (56+1000+22)𝑘
V = -0.245 v
Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re
−0.245+0.6
Ib=21.551×103 +(462.5+1)330
Ib = 2.034 µA
VCE = -13.252 v
Procedemos a llenar la tabla con los datos teóricos obtenidos: