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U.N.M.S.

M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

 GUEVARA CASTILLO JOSE ALBERTO  17190173

CURSO TEMA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP

INFORME FECHAS NOTA

PREVIO REALIZACIÓN ENTREGA

NUMERO

17 DE OCTRUBRE DEL 25 DE OCTRUBRE


6 2018 DEL 2018

GRUPO 03 PROFESOR

MIERCOLES 2PM-4PM ING. LUIS PARETTO QUISPE


I. TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR PNP.
II. OBJETIVOS:

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.


 Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar PNP.

III. Introducción teórica.

TRANSISTOR BIPOLAR PNP


Un transistor bipolar está formado por dos uniones
pn en contraposición. Físicamente, el transistor
está constituido por tres regiones semiconductoras
denominadas emisor, base y colector. Existen 2
tipos de transistores bipolares, los denominados
PNP. A partir de este punto nos centramos en el
estudio de los transistores bipolares NPN, siendo
el comportamiento de los transistores PNP
totalmente análogo.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo
B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa.
En esta situación gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen
atravesar ésta, debido a su poco grosor y débil dopado, y llegar al colector.

Las tres regiones de trabajo que tiene un transistor son trasistor en corte,
saturación y en activo.

Llamamos trasistor en corte cuando entre


colector y emisor no pasa corriente, por ejemplo
si utilizáramos un transistor para encender una
bombilla, cuando hablamos de la region de corte
significa que por la bombilla no pasará nada de
corriente por lo tanto estará apagada.

La otra opción que tenemos es utilizar la región


saturación del transistor, en este caso utilizando
el ejemplo de la bombilla, la corriente estaría
pasando por la bombilla y estaría encendida.

El último caso sería utilizar el transistor en su zona activa, esto significa que si utilizamos
el ejemplo de la bombilla no estaría ni apagada ni totalmente encendida, sino que
estaríamos en una posición entre apagado y encendido, por ejemplo el mismo resultado
que obtenemos cuando regulamos con un potenciometro la luminosidad de la bombilla.

Dependiendo de la polarización la región activa del transistor puede ser: región activa
directa o región activa inversa

IV. RESOLUCION TEÓRICA DE LOS SIGUENTES CIRCUITOS:

TRABAJAMOS CON EL TRANSITOR BC557


 POLARIDAD: PNP
 MATERIAL: GERMANIO (Ge)
 GANANCIA DE CORRIENTE (β) = 50

Datos del circuito:

 Re=330Ω
 Rc=1kΩ
 R1=56KΩ
 R2= 22KΩ.
 Vcc= -12v

Hacemos el equivalente de Thevenin del


circuito:

(R1+P1)×R2
Rb =
(R1+P1)+R2

R2×Vcc
V = (R1+P1)+R2

OBSERVACIÓN: El transistor BC557 está hecho de Silicio y es PNP, entonces su VBE


(activa) y su “β” es respectivamente:
VBE= 0.6v β = (125+800)/2=462.5

TABLA 2

(Para P1 = 0 Ω y R1 = 56k Ω)
 Hallando el Rb: Ic = (-16.501 µA)(462.5)
R1×R2 Ic = -7.632 mA
Rb =
R1+R2
 Hallando VCE: (Ic = Ie)
56K×22K
Rb =
(56+22)K Vcc= Ic×Rc + VCE +
Rb = 15.794k Ω Ic×Re
 Hallando el V: VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
R2×Vcc VCE = -12 – (-
V=
R1+R2 7.632×10−3 )(1000+330)
22k×(−12)
V= VCE = -1.850v
(56+22)𝑘

V = - 3.385 v  Hallando VE:

 Hallando Ib: -VBE = VB - VE……. (VB =


V)
V+VBE
Ib= VE = V + VBE
Rb+(β+1)Re

Ib=
−3.385+0.6 VE = - 3.3846+0.6
15.794×103 +(462.5+1)330
VE = -2.7846 v
Ib = -16.501 µA
 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 56K Ω)
Teóricos -7.632 -16.501 462.5 -1.850 0.6 -2.7846
TABLA 3
(Para P1 = 0 Ω y R1 = 68k Ω)

 Hallando el Rb:  Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)


Rb =
R1×R2 Ic = (-13.764 µA) (462.5)
R1++R2

68K×22K Ic = -6.366mA
Rb =
(68+22)K
 Hallando VCE: (Ic = Ie)
Rb = 16.623k Ω Vcc= Ic×Rc + VCE +
Ic×Re
 Hallando el V:
V=
R2×Vcc VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
R1+R2

22k×(−12)
VCE = -12 – (-
V= 6..366×10−3 )(1000+330)
(68+22)𝑘

V = - 2.934 v VCE = -3.533v

 Hallando Ib:  Hallando VE:


Ib=
V+VBE -VBE = VB - VE……. (VB =
Rb+(β+1)Re
V)
−2.934+0.6
Ib= VE = V + VBE
16.623×103 +(462.5+1)330

Ib = -13.764 µA VE = - 2.934 +0.6

VE = -2.336 v
TABLA 5
(Para P1 = 100K Ω y R1 = 56k Ω

 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V = (56+100+22)𝑘

V = -1.483 v

 Hallando Ib:
V+VBE
Ib=Rb+(β+1)Re

−1.483+0.6
Ib=19.2808×103 +(462.5+1)330

Ib = -5.773 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)


Ic = (-5.773 µA) (462.5)

 Hallando el Rb: Ic = -2.670mA


(R1+P1)×R2
Rb = R1+P1+R2  Hallando VCE: (Ic = Ie)
156K×22K Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
Rb = (56+100+22)K
VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
Rb = 19.2808k Ω
VCE = -12 – (-
2.670×10−3 )(1000+330)

VCE = -8.449v
(Para P1 = 250K Ω y R1 = 56k Ω)

22k×(−12)
V = (56+250+22)𝑘

V = -0.8048 v

 Hallando Ib:
V+V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

−0.8048+0.6
Ib=20.524×103 +(462.5+1)330

Ib = -1.181 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)


Ic = (-1.181 µA) (462.5)

Ic = -54.6mA

 Hallando VCE: (Ic = Ie)


 Hallando el Rb: Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
(R1+P1)×R2
Rb = R1+P1+R2
VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
306K×22K
Rb = (56+250+22)K VCE = -12 – (-54.6
×10−3 )(1000+330)
Rb = 20.524k Ω
VCE = 60.618 v
 Hallando el V:

R2×Vcc
V = R1+P1+R2
(Para P1 = 500K Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V = (56+500+22)𝑘

V = -0.4567 v

 Hallando Ib:
V+V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

−0.4567+0.6
Ib=21.162×103 +(462.5+1)330

Ib = 0.823 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)


Ic = (0.823 µA) (462.5)

Ic = 0.381mA
 Hallando el Rb:
(R1+P1)×R2
Rb =  Hallando VCE: (Ic = Ie)
R1+P1+R2
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
556K×22K
Rb = (56+500+22)K
VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)

Rb = 21.162k Ω VCE = -12 –


(0.823×10−3 )(1000+330)

VCE = -13.6064 v
(Para P1 = 1M Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V = (56+1000+22)𝑘

V = -0.245 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

−0.245+0.6
Ib=21.551×103 +(462.5+1)330

Ib = 2.034 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)


Ic = (-1.2827 µA)(462.5)

 Hallando Rb: Ic = 0.941mA


(R1+P1)×R2
Rb =  Hallando VCE: (Ic = Ie)
R1+P1+R2

Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re


1056K×22K
Rb = (56+1000+22)K
VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
Rb = 21.551k Ω
VCE = -12 –
(0.941×10−3 )(1000+330)

VCE = -13.252 v
Procedemos a llenar la tabla con los datos teóricos obtenidos:

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