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CEDULA: 1022419584
ELECTRONICA ANALOGA
243006_5
PRESENTADO A:
PROGRAMA ACADÉMICO
De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 1mA a 100mA… para este
diseño se trabajara IDSS=3mA.
Individuales:
1. Fundamentación Teórica.
(Primera Semana)
De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 1mA a 100mA… para este
diseño se trabajara IDSS=3mA.
1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los
siguientes cálculos.
-Estudiante 1:
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.
-Estudiante 2:
b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.
VGS(Off)
RS =
IDSS
−1.5𝑣
RS =
3𝑚𝐴
RS = −0,5
RS = 500Ω
-Estudiante 3:
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el
valor de RG debe ser alto?
-Estudiante 4:
d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de
acople.
1
𝑋𝑐1 =
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶1
1
=
2𝜋 ∗ 1000𝐻𝑧 ∗ 10𝑢𝐹
= 15.91𝑜ℎ𝑚𝑠
1
𝑋𝑐2 =
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶2
1
=
2𝜋 ∗ 1000𝐻𝑧 ∗ 10𝑢𝐹
= 15.91𝑜ℎ𝑚𝑠
1
𝑋𝑐3 =
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶3
1
=
2𝜋 ∗ 1000 ∗ 0.1
= 1591,55 𝑜ℎ𝑚𝑠
-Estudiante 5:
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.
2. Solución.
(Tercera semana)
- Valor de VDS.
- Valor de VGD.
- Valor de la corriente ID.
Segunda práctica
Colaborativas:
Consolidación grupal
El transistor JFET.
Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica
Análoga para Ingenieros (pp. 37-51). Recuperado
de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.a
ction?ppg=48&docID=10498503&tm=1482090196645
El transistor MOSFET
González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos (pp.127-
167). Recuperado
de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.a
ction?ppg=127&docID=11201676&tm=1482089571374
Tiristores
Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus
aplicaciones (pp.154-178). Recuperado
de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.a
ction?ppg=171&docID=10433916&tm=1482091898589
Clausi, P. (Productor). (2017). OVI Transistores MOSFET.
[Video] Recuperado
de https://www.youtube.com/watch?v=IPSdGSJheOk