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ET
LEURS APPLICATIONS
I - CONSTITTION
I – 1 – La jonction PN
P N
Anode Cathode
A K
Les diodes sont réalisées généralement sur un substrat de
silicium ou parfois de germanium.
Le substrat est alors dopé sur deux parties.
Une zone dopée P (positivement) et une zone dopée N
(négativement)
Le dopage est réalisé par injection d'impuretés dans le
réseau cristallin.
I - CONSTITTION
Ud qUd
KT
Ud I d = I s⋅ e −1
Id : courant dans la diode
Is : courant de saturation de la diode
q : charge de l'électron
Ud : tension aux bornes de la diode
K : constante de Boltzmann 1,38.10-23 joules
T : température de la jonction en kelvin
II – CARACTÉRISTIQUES D'UNE DIODE
II – 1 – Modélisation
Id Id
pour Id>0
Ud =0
Ud Ud
Id Id
pour Id>0
Ud = U0
Ud Ud
pour Id>0
Ud = U0+R°0.Id
II – CARACTÉRISTIQUES D'UNE DIODE
II – 2 – Caractéristiques constructeur
Elles sont utilisées dans les montages petits signaux qui travaillent à des
fréquences de plusieurs kHz.
Elles présentent les caractéristiques suivantes :
● faible courant direct, quelques dizaines de mA
● faible tension inverse, quelques dizaines de volts
● faible dissipation de puissance, quelques dizaines de mW
● commutation très rapide quelques µs à quelques ns
III – LES DIFFÉRENTS TYPES DE DIODES
III – 3 – Les diodes shottky
La valeur de la tension
zener UZ est déterminée U
pour I<0
lors de la fabrication
U = U0+R°0.I
de la diode
III – LES DIFFÉRENTS TYPES DE DIODES
III – 5 – Les diodes électroluminescentes
capacité variable
Up
IV – RÉGIME DE FONCTIONNEMENT
IV – 1 – Fonctionnement en régime continu
Voir TD
IV – RÉGIME DE FONCTIONNEMENT
IV – 2 – Fonctionnement en régime de commutation
Ud Ue
Id
Ue Us
R t