Cap2 RF Design

Circuitos de Radiofrecuencia
MODELADO DE ELEMENTOS PASIVOS
Ing. Alcides Araujo Pacheco

Modelaje de elementos pasivos
I. Conductor recto
II. Resistencia
III. Condensador
IV. Inductor
V. Toroides
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Introducción
➢Se analizan los modelos de alta frecuencia de los dispositivos pasivos (R, L, C);
el comportamiento en función de la frecuencia de la impedancia, el factor de
calidad (o factor selectivo) y se brindaran parámetros para la elección de los
elementos.
➢Se busca realizar simulaciones del comportamiento en frecuencia mediante el

software de simulación (Qucs), con modelos aproximados.
➢Se plantean modelos equivalentes serie y paralelo.
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Introducción
➢ Hasta ahora hemos dado por sentado que los componentes pasivos se comportan como
tales. Un resistor es un resistor. Cosa igual ha sido nuestra concepción con relación a un
capacitor.
➢ Como esperamos que se comporte una resistencia de 1MΩ ?
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Comportamiento en RF de componentes pasivos
Del análisis de circuitos convencionales conocemos:
▪ R es independiente de la frecuencia
1
𝑋𝐶 = −
▪ Un condensador ideal C , y inductor ideal L pueden ser 𝜔𝐶
descritos simplemente por sus reactancias 𝑋𝐶 y 𝑋𝐿 :
𝑋𝐿 = 𝜔 𝐿
frecuencia
Analizar la implicación para un condensador de C= 1 pF, y para L= 1 nH. Ejm a 60 Hz.
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I. Conductores
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I. Conductores
Efecto de la frecuencia en los parámetros de líneas

I. Conductores
Dispersion of a pulse along a line.

I. Conductores
1 GHz 10 GHz 30 GHz JX
STRIP
GROUND
Bunching effect
Es importante anotar que las resistencias, inductancias, y capacitancias no están constituidos

solamente por alambres, bobinas, y placas como se trabajó en electrónica de baja frecuencia.
Aun un simple alambre recto, o un trazo de cobre sobre una placa de circuito impreso deben
considerar la dependencia de la frecuencia de la resistencia e inductancia.
Por ejemplo, un conductor cilíndrico de radio 𝑎 , longitud 𝑙 , y conductividad 𝜎𝑐𝑜𝑛𝑑 tiene una
resistencia DC de
𝑙
𝑅𝐷𝐶 =
𝜋 𝑎2 𝜎𝑐𝑜𝑛𝑑
En condiciones DC, la corriente fluye uniformemente distribuida en toda la sección transversal del
conductor. Con AC, la situación se complica.
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En AC el flujo de cargas alternantes , establece un campo magnético que induce un campo eléctrico ( en
concordancia con la ley de inducción de Faraday, cuya densidad de corriente asociada se opone a la
corriente inicial. El efecto es más fuerte en el centro 𝑟 = 0, donde la impedancia crece significativamente.
El resultado es un flujo de corriente que tiende a residir en el perímetro externo con el incremento de
frecuencia. La densidad de corriente 𝐽𝑧 en la dirección de 𝑧 se puede aproximar a la siguiente expresión
(ver apéndice B de Ludwig).
𝑝𝐼 𝑎 −𝑟
𝐽𝑧 ≅ exp( − 1 + 𝑗 )
2𝜋𝑎𝑗 𝑟 𝛿
𝑝2 = −𝑗𝜔𝜇𝜎𝑐𝑜𝑛𝑑 𝑓 es la frecuencia
𝐼 es el flujo de corriente total en el conductor 𝜇 es la permeabilidad
1
𝜎𝑐𝑜𝑛𝑑 es la conductividad
Skin depth 𝛿= ( profundidad de piel )
𝜋𝑓𝜇𝜎𝑐𝑜𝑛𝑑
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La disminución exponencial de la densidad de corriente con la profundidad aplica a la mayoría de las
geometrías de conductores. Su representación equivalente es una capa de corriente uniforme con un
espesor 𝛿 (ancho de piel), que resulta conveniente para los cálculos de resistencia. Con cálculos adicionales
se puede encontrar que la resistencia normalizada 𝑹 y la inductancia interna 𝑳𝒊𝒏 en condiciones de alta
frecuencia ( 𝒇 ≥ 𝟓𝟎𝟎 𝑴𝑯𝒛 ) se puede aproximar de la siguiente forma (Ludwig pp11):
𝑅ൗ
𝑅𝐷𝐶 ≅ 𝑎/(2𝛿)
𝜔𝐿𝑖𝑛
ൗ𝑅 ≅ 𝑎/(2𝛿)
𝐷𝐶
Las dos condiciones son validas si se asume que 𝜹 ≪ 𝒂
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Comportamiento profundidad de piel
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Si se considera la conductividad del cobre, se puede graficar la densidad de corriente AC normalizada con respecto
a la densidad de corriente DC: 𝐽𝑧0 = 𝐼ൗ(𝜋 𝑎2)
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Para un conductor de radio fijo, ejm 𝑎 = 1 𝑚𝑚, se puede dibujar 𝐽𝑧 /𝐽𝑧0 como una función de 𝑟 para
varias frecuencias.
Comportamiento con la frecuencia de la densidad de corriente AC normalizada para un cable de cobre de 1mm de radio
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Resistencia en alta frecuencia
Teniendo en cuenta la ecuación para la densidad de corriente AC, la profundidad de piel 𝛿 tiene un
significado físico simple. Denota la reducción de densidad de corriente con un factor 𝑒 −1 (aproximadamente
37%) de su valor en la superficie. Si hacemos lo siguiente:
𝑎 𝜋 𝑎2
𝑅 = 𝑅𝐷𝐶 = 𝑅𝐷𝐶
2𝛿 2𝜋𝑎𝛿
Esta ecuación muestra que la resistencia crece de manera inversamente proporcional con el área
transversal de la piel (línea en puntos de la siguiente figura).
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Resistencia en alta frecuencia
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Inductancia de un conductor recto
A pesar que la inductancia interna, puede tener valores significativos, en la mayoría de circuitos de diseño la
inductancia externa 𝐿𝑒𝑥 es la que domina el comportamiento inductivo del componente o circuito.
Para hallar 𝐿𝑒𝑥 debemos determinar el campo magnético exterior al conductor que es responsable de la
inductancia. Para un conductor cilíndrico de radio 𝑎 y longitud 𝑙 , la siguiente es una fórmula aproximada útil:
𝜇0 𝑙 2𝑙
𝐿𝑒𝑥 ≅ ln −1
2𝜋 𝑎
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Inductancia de un conductor recto
Ejemplo: Un conductor de cobre de AWG 26 tiene 2 cm de longitud. Comparar las inductancias internas y
externas para las frecuencias de 100 MHz, 2 GHz, y 5 GHz.
𝑎 𝑅𝐷𝐶
𝐿𝑖𝑛 ≅
2𝛿 𝜔 f, GHz 𝜹, 𝝁𝒎 𝑳𝒆𝒙 , 𝒏𝑯 𝑳𝒊𝒏 , 𝒏𝑯 𝑳𝒊𝒏
ൗ𝑳
𝒆𝒙
0,1 6,266 17,1 0,0617 3,6 10(-3)
𝜇0 𝑙 2𝑙 2 1,4 17,1 0,0138 8,05 10(-4)
𝐿𝑒𝑥 ≅ ln −1
2𝜋 𝑎
5 0,886 17,1 0,00872 5,09 10(-4)
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Ejercicio
Maximum amps Maximum

Conductor Conductor
for frequency for
Maximum amps Breaking force

Ohms per 1000
AWG gauge Ohms per km for chassis Soft Annealed
ft.
wiring 100% skin depth Cu 37000 PSI
power for solid
Diameter Inches Diameter mm
transmission conductor
copper
16 0.0508 129.032 4.016 1.317.248 22 3.7 11 k Hz 75 lbs
17 0.0453 115.062 5.064 1.660.992 19 2.9 13 k Hz 59 lbs
18 0.0403 102.362 6.385 209.428 16 2.3 17 kHz 47 lbs

19 0.0359 0.91186 8.051 2.640.728 14 1.8 21 kHz 37 lbs
20 0.032 0.8128 10.15 33.292 11 1.5 27 kHz 29 lbs
21 0.0285 0.7239 12.8 41.984 9 1.2 33 kHz 23 lbs
22 0.0254 0.64516 16.14 529.392 7 0.92 42 kHz 18 lbs
23 0.0226 0.57404 20.36 667.808 4.7 0.729 53 kHz 14.5 lbs
24 0.0201 0.51054 25.67 841.976 3.5 0.577 68 kHz 11.5 lbs
25 0.0179 0.45466 32.37 1.061.736 2.7 0.457 85 kHz 9 lbs
26 0.0159 0.40386 40.81 1.338.568 2.2 0.361 107 kH 7.2 lbs
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Ejercicio
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Conductor
Permitividad compleja
del medio
ϵ = ϵ′ − 𝑗ϵ’’
𝑅𝑠 resistividad
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superficial 23
Líneas de microcinta (microstrip)
Formulación tomada de Pozar 2012
𝑐
𝑣𝑝 =
𝜖𝑒
𝛽′ = 𝑘0 𝜖𝑒
𝑘 0 = 2 𝜋 Τ𝜆
Geometría de una línea de microcinta. Tomado de (Ludwig,

2009) http://ece.wpi.edu/RF_Circuit_Design/outline.html
1 < 𝜖𝑒 < 𝜖 𝑟
𝜖𝑟 es la constante dieléctrica del material relativa al vacío

𝜖𝑒 es la constante dieléctrica efectiva de la línea de microcinta
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𝜖𝑟 + 1 𝜖 𝑟 − 1 1
𝜖𝑒 = +
2 2 1 + 12 ℎΤ𝑊
60 8ℎ 𝑊
𝑙𝑛 + 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑊 Τℎ ≤ 1
𝜖𝑒 𝑊 4ℎ
𝑍0 =
120𝜋
𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑊 Τℎ ≥ 1
𝜖𝑒 𝑊 Τℎ + 1.393 + 0.667 𝑙𝑛 𝑊 Τℎ + 1.444
8 𝑒𝐴
𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑊 Τℎ < 2
𝑊 𝑒 2𝐴 − 2
=
ℎ 2 𝜖𝑟 − 1 0.61
𝐵 − 1 − 𝑙𝑛 2𝐵 − 1 + 𝑙𝑛 𝐵 − 1 + 0.39 − 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑊 Τℎ > 2
𝜋 2𝜖𝑟 𝜖𝑟
𝑍0 𝜖𝑟 + 1 𝜖𝑟 − 1 0.11 377𝜋
𝐴= + 0.23 + 𝐵=
60 2 𝜖𝑟 + 1 𝜖𝑟 2𝑍0 𝜖𝑟
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Dependence of Z0 of a microstrip line at 1 GHz for various dielectric constants and aspect (w/h) ratios. Calculated
using EM simulation.
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32
30 e
28 r
26 1
2
24
4
22
6
20 10
e 18 20
e 16 40
14
12
10
8
6
4
2
0
0 0 .5 1 .0 1 .5 2 .0 2 .5 3 .0 3 .5 4 .0
w/h
Dependence of effective relative permittivity εe of a microstrip line at 1 GHz for various dielectric constants and
aspect ratios (w/h).
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Crosssectional view of a microstrip line showing the electric and magnetic field lines and current flow for a microstrip
interconnect. The electric and magnetic fields are in two media—the dielectric and air
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Properties of common substrate materials. The dielectric loss tangent is scaled. For example, for glass,
tan δ is typically 0.002.
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Coplanar waveguide (CPW): (a) conventional; and (b) finite ground CPW (FGCPW).
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Resistores en alta frecuencia
Tal vez el elemento de circuitos más común en baja frecuencia es un resistor, cuyo propósito es
simplemente producir una caída de voltaje mediante la conversión de energía eléctrica en calor.
Tipos:
▪ Resistores de carbón: gránulos dieléctricos de alta densidad

▪ Resistores de alambre enrollado: de níquel u otro material
▪ Resistores película de metal de materiales estables con
temperatura
▪ Resistores tipo chip de película delgada de materiales de
aluminio o berilio. Actualmente de mayor uso en RF y MW
como dispositivos de montaje superficial (SMDs)
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Resistores en alta frecuencia: circuitos equivalentes
Hasta ahora hemos visto que aun los conductores rectos poseen inductancia.
Consecuentemente, la representación del circuito eléctrico equivalente de un resistor, de
valor nominal 𝑅 a altas frecuencias es más complicado y debe ser modificado para tomar en
cuenta la longitud de sus terminales, así como las capacitancia parasitas. Un posible modelo
podría ser el siguiente:
✓ Las dos inductancias L modelan los terminales del

resistor
✓ Las capacitancias toman en cuenta los efectos
capacitivos de cargas separadas. 𝐶𝑏 es la capacitancia
entre terminales.
✓ Generalmente se desprecia la Resistencia de los
terminales al compararlos con R.
✓ No hemos considerado la dependencia 𝑅 = 𝑅(𝑓)
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Para un resistor de conductor enrollado el modelo es más complejo.
Aquí, en adición a las inductancia 𝐿2 y la capacitancia de contacto , se requiere incluir la capacitancia 𝐿1 del
resistor de alambre enrollado, que actúa como bobina, y la capacitancia parasita 𝐶1 entre las espiras.
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Circuito equivalente en alta frecuencia (simplificación de modelo 1)
Circuito equivalente del resistor a frecuencias de radio: R es su propio valor, L es la inductancia

de sus terminales de conexión, y C es una combinación de capacitancias parásitas que varían de
resistor a resistor dependiendo de su estructura.
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Resistores en alta frecuencia
Circuito equivalente en alta frecuencia
Metal-film resistors
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Resistencia
Utilización resistencias metal film
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Ejercicio
Calcular la impedancia equivalente a 100 MHz de un resistor con las siguientes características:
conductores 18 AWG, capacitancia shunt 0.3 pF. R= 10K.
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Ruido térmico
Un problema asociado con los resistores es el ruido térmico producido por el

movimiento aleatorio de electrones libres excitados térmicamente en una red
cristalina.
La densidad espectral de potencia del ruido térmico y su función densidad de

probabilidad.
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Ruido térmico
La función de densidad de probabilidad muestra un comportamiento gaussiano:
𝜎 2 ∶ 𝑣𝑎𝑟𝑖𝑎𝑛𝑧𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑟𝑢𝑖𝑑𝑜, [𝑉 2 ]

1 𝑥2
𝑓𝑑𝑝(𝑥) = 𝑒 − 2𝜎2 𝜎 ∶ 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑟𝑚𝑠 𝑑𝑒𝑙 𝑟𝑢𝑖𝑑𝑜, [𝑉 ]
𝜎 2𝜋
Potencia media del ruido
1 2𝜋𝐵 𝑘𝑇 2𝜋B
𝑃= ‫׬‬−2𝜋𝐵 𝑆𝑛 𝜔 𝑑𝜔 = 𝜔 =𝑘𝑇𝐵 𝑣𝑛2 𝑅 𝑖𝑛2
2𝜋 4𝜋
-2 𝜋 B = =
4𝑅 4
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Resistor desde el punto de vista de ruido térmico
𝑣𝑛2 = 4 𝜋 𝑇 𝑅 𝐵
𝑖𝑛2 = 4 𝜋 𝑇 𝐺 𝐵
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Capacitor en RF
Los capacitores son usados extensivamente en aplicaciones de RF, en

acoplamientos inter etapas, circuitos resonantes, filtros. Sin embargo no todos
están preparados para actuar en las mismas condiciones en las aplicaciones
antes descritas.
La primera tarea para un diseñador de RF, con relación a los capacitores, es

elegir el mejor elemento para su aplicación, considerando criterios de eficiencia
en costos.
Examinaremos el circuito equivalente del capacitor, se compararan varios tipos

de capacitores.
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Capacitor
Aspectos generales
𝑸
𝑪=
𝑽
C = capacitancia en faradios
Q = carga en coulombs
V= voltaje en voltios
Cualquier dispositivo que consiste de dos superficies conductoras separados por un material aislante o
dieléctrico. El dieléctrico puede ser cerámica, aire, papel, mica, plástico, vidrio, aceite.
http://www.mouser.ec/applications/rf-wireless-capacitors/
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Capacitor
Aspectos generales
El faradio es una unidad muy grande, por lo que se utilizan unidades más pequeñas: µF, pF.
Como se dijo, el capacitor en su forma fundamental consiste de 2 placas metálicas separadas

por un dieléctrico en algún tipo de arreglo:
0.2249 𝜀 𝐴
𝐶=
𝑑 𝜀0
A
d A es el área de la placa metálica, d la distancia entre las
ϵ placas (pulgadas), ϵ es la permitividad del material
dieléctrico F/m, ∈0 = 8.854 × 10−12 𝐹/𝑚
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Capacitor
Aspectos generales
𝑘 = 𝜀ൗ𝜀0 Constante dieléctrica del material
Dieléctrico K
Aire 1
Poliéster 2.5
Papel 4
Mica 5
Cerámica (low k) 10
Cerámica (high k) 100 – 10.000
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Capacitor reales
El uso de un capacitor depende de las características de su dieléctrico. Este también determina los
niveles de voltaje, límites de temperatura. Así, las pérdidas o imperfecciones en el dieléctrico tienen
enorme efecto en la operación del circuito.
La corriente de fuga es en realidad la suma de dos intensidades que circulan por el dieléctrico, una
denominada corriente superficial (que circula por la superficie del dieléctrico), y la otra denominada
corriente volumétrica (que circula a través del dieléctrico)
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Capacitor reales
➢ La corriente superficial genera pérdidas por

calor por lo que se puede representar como
una resistencia Rs.
➢ La corriente volumétrica en sus dos

componentes:
✓ La corriente de conducción se puede

representar como una resistencia Rc,
debido a las pérdidas que genera la
misma.
✓ La corriente de polarización, también
genera pérdidas por lo que se
representa como una resistencia Rp.
✓ La C, capacitancia ideal del dieléctrico.
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Capacitor: circuito equivalente en altas frecuencias
El uso de un capacitor depende de las características de su dieléctrico. Este también determina los
niveles de voltaje, límites de temperatura. Así, las pérdidas o imperfecciones en el dieléctrico tienen
enorme efecto en la operación del circuito.
𝑪 es el valor de capacitancia ideal del elemento
𝑳 inductancia de los hilos conectores y las placas
𝑹𝒔 resistencia que representa las pérdidas en los

conductores
𝑹𝒆 = 𝟏ൗ𝑮𝒆 expresa resistencia de pérdidas en el

dieléctrico
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Capacitor: algunas definiciones
𝑭𝒂𝒄𝒕𝒐𝒓 𝒅𝒆 𝒑𝒐𝒕𝒆𝒏𝒄𝒊𝒂: En un capacitor perfecto la corriente alterna adelanta al voltaje aplicado en

90 grados. En un capacitor real este ángulo es menor debido a la resistencias Rs y Re
𝑓𝑑𝑝 = 𝐶𝑜𝑠 𝜙
𝑹𝒆𝒔𝒊𝒔𝒕𝒆𝒏𝒄𝒊𝒂 𝒅𝒆 𝒂𝒊𝒔𝒍𝒂𝒎𝒊𝒆𝒏𝒕𝒐: es una medida de la corriente DC que fluye a través del dieléctrico
del capacitor con un voltaje aplicado. No hay material aislante perfecto, siempre habría una
corriente de fuga. Esta corriente es representada por Re en el circuito equivalente, y típicamente
tiende un valor de 100000 Mohm o más.
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𝑹𝒆𝒔𝒊𝒔𝒕𝒆𝒏𝒄𝒊𝒂 𝑺𝒆𝒓𝒊𝒆 𝑬𝒇𝒆𝒄𝒕𝒊𝒗𝒂: abreviado como ESR, es el equivalente combinado de Rs y Rp, y

es la resistencia en AC de un capacitor.
𝐸𝑆𝑅
𝑓𝑑𝑝 =
𝐸𝑆𝑅 2 + 𝑋𝑐2
𝑭𝒂𝒄𝒕𝒐𝒓 𝒅𝒆 𝒅𝒊𝒔𝒊𝒑𝒂𝒄𝒊ó𝒏: la razón de ESR a la reactancia del capacitor.
𝐸𝑆𝑅
𝐷𝐹 = 𝑋𝐶
x 100%
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𝑸: el Q de un circuito es el recíproco de DF y ese define como el factor de calidad de un

capacitor.
1 𝑋𝐶
𝑄= = Mientras as grande es Q, mejor es el capacitor
𝐷𝐹 𝐸𝑆𝑅
Las imperfecciones del capacitor se evidencian en

el gráfico. A la frecuencia Fr la inductancia en serie
está en resonancia con el capacitor. A frecuencias
más altas que Fr, el elemento se comporta como si
fuese un inductor
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Capacitor en RF
En general un valor de capacitor más grande tiene a exhibir una inductancia interna mayor que un
capacitor de valor menor. Dependiendo de su estructura interna un capacitor de 1 µF podría no
ser tan bueno como uno de 300 pF en una aplicación RF a 250 MHz.
1
En otras palabras, la ecuación de la reactancia capacitiva 𝑋𝑒 = 𝑗𝜔𝐶 que indica que a mayor valor
de C, la reactancia es menor, a frecuencia de RF lo contrario podría ser cierto. Esto es algo que
debería considerarse en diseños sobre los 100 MHz.
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Inductores en altas frecuencias
Un inductor no es más que un conductor enrollado, o bobina de tal manera que el

campo magnético se incremente con cada vuelta de la bobina.
Los inductores son utilizados de manera extensiva en circuitos de RF, circuitos

resonantes, filtros, cambiadores de fase, redes de retardo, chokes de RF.
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Inductores
Al igual que los componentes anteriores, los inductores no son perfectos, y el inductor es probablemente el
elemento más sensible a los cambios de frecuencia.
El siguiente gráfico muestra como un inductor luciría a frecuencias de RF.
➢ Dos conductores próximos separados por un

dieléctrico forman un capacitor.
➢ Hay una diferencia de voltaje entre los dos
conductores.
➢ Si está presente una resistencia del conductor,
consecuentemente habrá caídas de tensión , y
los pequeños capacitores se habrán formado.
𝐶𝑑 es la capacitancia distribuida
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Inductor: circuito equivalente
En el circuito equivalente 𝐶𝑑 es un agregado de las capacitancias parásitas distribuidas de la

bobina.
L inductancia de la bobina
Cd capacitancia agregada
Rs resistencia del conductor de la bobina
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Inductor: respuesta de frecuencia
➢ Efecto de Cd en la respuesta de frecuencia del

inductor real.
➢ Arriba de Fr, la reactancia del inductor comienza a

decrecer con la frecuencia, el inductor comienza a
parecer un capacitor.
➢ Recientes avances en la tecnología de inductores han

permitido desarrollar inductores fijados en chip, y
pueden tener valores de 0.01 µH a 1.0 mH, con Qs
típicos de 40 a 60 a 200 MHz.
➢ La resistencia de la bobina impide, a la frecuencia de

resonancia, que la impedancia sea infinita. Otro efecto
es que hace que el pico de resonancia sea más ancho.
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Inductor: respuesta de frecuencia
X
𝑄=
𝑅𝑠
➢ A la razón entre la reactancia del inductor a su resistencia se

utiliza como una medida de calidad. A mayor Q, mejor es la
calidad del inductor.
➢ Si el inductor estuviera hecho de un conductor perfecto,
su calidad Q sería infinita.
➢ A bajas frecuencias la calidad de un inductor es buena, solo
consideraríamos la resistencia DC que es baja. A altas
frecuencias el efecto skin y las capacitancias parásitas
degradan la calidad del inductor.
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Inductor: formas de aumentar el Q de un inductor
➢ El uso de un mayor diámetro de conductor disminuye la resistencia AC y DC
➢ Separar las espiras para disminuir la capacitancia parásita
➢ Aumentar la permeabilidad para el recorrido del flujo magnético, esto se realiza

utilizando un núcleo de material magnético como hierro o ferrita. Un núcleo de
este tipo redunda en menos espiras para una inductancia dada.
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Inductor con núcleo de aire
𝟎. 𝟑𝟗𝟒 𝒓𝟐 𝑵𝟐
𝑳=
𝟗𝒓 + 𝟏𝟎 𝒍
r= radio de la bobina [cm] Diseñar un inductor con núcleo de aire de 100

nH, y diámetro igual a 0.25 pulgadas.
l= longitud de la bobina [cm] Considerar l= 2r.
L= inductancia [µH]
l > 0.67 r
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Inductor con núcleo de aire
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Materiales para núcleo magnético
La densidad de flujo magnético puede ser aumentada mediante la reducción de la reluctancia o

resistencia al flujo magnético que atraviesa las espiras del inductor. Esto se logra utilizando núcleos
de hierro o ferrita cuya permeabilidad µ es mucho mayor que la del aire. La ventaja conseguida es
que con un núcleo de material magnético se requieren menos espiras, que un inductor con núcleo
de aire, para un valor dado de inductancia, con lo que se tienen las siguientes ventajas:
➢ Menor tamaño
➢ Incremento de Q. Con menos espiras se tiene menor resistencia
➢ Variabilidad conseguida al mover el núcleo magnético dentro y fuera de las espiras.
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Algunos problemas con los núcleos magnéticos
➢ Cada núcleo tiende a introducir sus propias pérdidas, dependiendo del material y la
frecuencia de operación, al introducir un núcleo magnético en un inductor con núcleo de aire,
podría ser posible que disminuya Q.
➢ La permeabilidad de un núcleo magnético cambia con la frecuencia y usualmente decrece

muy rápido cuando se supera el rango de operación, aproximándose aun a la permeabilidad
del aire.
➢ Mientras mayor es la permeabilidad del núcleo, es más sensible a los cambios de

temperatura.
➢ La permeabilidad del núcleo magnético cambia con el nivel de señal aplicada. Si este es muy
alto podría alcanzarse la saturación del núcleo.
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Toroides
Un toroide es un anillo, o una forma de dona realizado con material magnético y es muy utilizado en
circuitos de RF para realizar inductores y transformadores. Generalmente son de hierro o ferrita.
Cuando se los usa, generalmente se tienen muy altos Qs
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Toroides
Comparación del flujo

magnético en un inductor con
núcleo de aire con uno de
núcleo de material magnético
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Toroides
➢ En aplicaciones de RF se mantiene el nivel de

señal eléctrica suficientemente pequeña para
mantenerse en el rango lineal de operación.
➢ 𝐵𝑠𝑎𝑡 varia de núcleo a núcleo y depende del

tamaño y forma del material.
➢ Conocidos los datos del fabricante se puede

establecer el nivel de operación.
𝐸 × 108
𝐵𝑜𝑝 =
4.44 𝑓 𝑁 𝐴𝑒
𝐵𝑜𝑝 = densidad de flujo magnético [gauss]

E = mayor voltaje rms en el inductor [V]
F= frecuencia [Hz]
N= numero de espiras
𝑩= 𝝁𝑯
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Ae= sección efectiva del núcleo [cm2] 71
Inductor: circuito equivalente para un inductor con núcleo
magnético
𝑋𝐿
𝑄=
𝑅𝑠
Rp representa las pérdidas que tienen lugar en el núcleo. Las pérdidas están en la forma de histéresis. La
histéresis es la energía perdida en el núcleo debido al realineamiento de las partículas dentro del material, y al
flujo de corrientes de Eddy dentro del núcleo debido al voltaje inducido en él. Las pérdidas son inherentes al
material y son inevitables.
Qué sucede con Q? cuando se inserta un núcleo el valor de inductancia es incrementado. Para determinar el
nuevo Q debemos saber los factores por los que se incrementa la reactancia y las pérdidas. Estos factores se
derivan de los datos proporcionados por el fabricante.
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Inductor: algunos datos
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6/10/2019 75
6/10/2019 76
6/10/2019 77
6/10/2019 78
6/10/2019 79
Inductor: algunos datos, comportamiento de Q
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Inductor: algunos datos, comportamiento de Q
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Diseño de un inductor toroidal
Los fabricantes definen el índice de inductancia 𝐴𝐿 = 𝑓 𝜇𝑖 , 𝐴𝑐 , 𝑙𝑒 ,

0.4 𝜋 𝑁 2 𝜇𝑖 𝐴𝑐 × 10−2 simplificando la ecuación anterior.
𝐿=
𝑙𝑒
𝐿 = 𝑁 2 𝐴𝐿 [𝑛𝐻]
L= inductancia [nH] L= inductancia [nH]

N= número de espiras N= numero de espiras
µi= permeabilidad inicial AL= índice de inductancia [nH]
Ac= área de la sección transversal del núcleo
[cm2]
Le= longitud efectiva del núcleo [cm]
𝐿
𝑁=
𝐴𝐿
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Diseño de un inductor toroidal
6/10/2019 83
Bibliografía
[1] Pozar David. “Microwave Engineering”. John Wiley & Sons, 2012, USA.
[2] Ludwig R., Bogdanov G. “RF Circuit Design, Theory and Applications”. Pearson, Second
Edition, 2009. USA.
http://ece.wpi.edu/RF_Circuit_Design/m-files.html
[3] Ludwig R, Bretchko P. “RF Circuit Design, Theory and Applications”. Pearson, 2000. USA
http://ece.wpi.edu/books/EM_RF_lab/book.htm
[4] Bowick Chris, “RF Circuit Design”, Newnes, Second Edition, 2008, USA.
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Cap2 RF Design

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Circuitos de Radiofrecuencia

MODELADO DE ELEMENTOS PASIVOS

Ing. Alcides Araujo Pacheco

➢Se busca realizar simulaciones del comportamiento en frecuencia mediante el

➢Se plantean modelos equivalentes serie y paralelo.

➢ Como esperamos que se comporte una resistencia de 1MΩ ?

Del análisis de circuitos convencionales conocemos:

Analizar la implicación para un condensador de C= 1 pF, y para L= 1 nH. Ejm a 60 Hz.

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1 GHz 10 GHz 30 GHz JX

Es importante anotar que las resistencias, inductancias, y capacitancias no están constituidos

Las dos condiciones son validas si se asume que 𝜹 ≪ 𝒂

Maximum amps Maximum

Maximum amps Breaking force

16 0.0508 129.032 4.016 1.317.248 22 3.7 11 k Hz 75 lbs

17 0.0453 115.062 5.064 1.660.992 19 2.9 13 k Hz 59 lbs

18 0.0403 102.362 6.385 209.428 16 2.3 17 kHz 47 lbs

Geometría de una línea de microcinta. Tomado de (Ludwig,

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➢ La corriente volumétrica en sus dos

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𝑹𝒔 resistencia que representa las pérdidas en los

𝑹𝒆 = 𝟏ൗ𝑮𝒆 expresa resistencia de pérdidas en el

𝑭𝒂𝒄𝒕𝒐𝒓 𝒅𝒆 𝒑𝒐𝒕𝒆𝒏𝒄𝒊𝒂: En un capacitor perfecto la corriente alterna adelanta al voltaje aplicado en

𝑹𝒆𝒔𝒊𝒔𝒕𝒆𝒏𝒄𝒊𝒂 𝑺𝒆𝒓𝒊𝒆 𝑬𝒇𝒆𝒄𝒕𝒊𝒗𝒂: abreviado como ESR, es el equivalente combinado de Rs y Rp, y

𝑭𝒂𝒄𝒕𝒐𝒓 𝒅𝒆 𝒅𝒊𝒔𝒊𝒑𝒂𝒄𝒊ó𝒏: la razón de ESR a la reactancia del capacitor.

𝑸: el Q de un circuito es el recíproco de DF y ese define como el factor de calidad de un

Las imperfecciones del capacitor se evidencian en

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Los inductores son utilizados de manera extensiva en circuitos de RF, circuitos

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➢ A la razón entre la reactancia del inductor a su resistencia se

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➢ Separar las espiras para disminuir la capacitancia parásita