Curso 09-10

Electrónica Analógica I

Ejercicios resueltos: “Diodo semiconductor”

Objetivos
1. Analizar el comportamiento de diodos semiconductores sometidos a condiciones de
polarización y temperatura especificadas.

Recomendación
Se recomienda:
1. Realizar las acciones que se indica a continuación:
 Escriba la ecuación para describir la característica VI del diodo

semiconductor.
 Determine la función de los parámetros que se relacionan a continuación, en
la ecuación señalada:
VT Equivalente en Volt de la temperatura. VT=T en K/11600
Io Corriente inversa de saturación. Se duplica por cada 10 C
V  Voltaje de polarización: + polarización directa,
-polarización inversa.
=1 Ge y =2 Si
 Dibuje la característica VI de un diodo real.
 Señale las limitaciones de la ecuación que describe la característica VI del
diodo semiconductor.
2. Trate siempre de resolver cada ejercicio, antes de ver la solución.

1
Curso 09-10

Ejercicios

Ejercicio 1 (2-4 E, ligeramente modificado)

a. ¿Para qué voltaje, la corriente inversa de un diodo semiconductor de Si

alcanzará el 95% del valor de su corriente inversa de saturación a la temperatura
ambiente?.
b. Si Io=10nA, calcule la corriente, para polarizaciones directas de 0.5, 0.6 y 0.7V.

Nota:
Se recomienda el inciso b, para el estudio independiente.
VT=26mV, =2 (Si). Por lo tanto:
-0.95Io=Io(eV/0.052 –1)
eV/0.052 =0.05
V=(ln 0.05) 0.052= -0.155V

Note que cuando se hable de corriente inversa de un diodo, se trata de la corriente que
circula en sentido contrario al normal de conducción. Por lo tanto, se aplica polarización
inversa.

Evaluando la ecuación del diodo para los voltajes indicados, se obtiene:

Para V=0.5V, I=149.92A
Para V=0.6V, I=1025.854A
Para V=0.7V, I=7018A

Ejercicio 2 (2-13 E)

Un diodo se monta en un chasis de forma tal que por cada grado de aumento de la
temperatura por encima de la ambiente, se transfiere térmicamente 0.1mW del diodo a su
medio (la resistencia térmica del contacto mecánico entre el diodo y su medio es

2
Curso 09-10

0.1mW/C). La temperatura ambiente es de 25C. No se permite que la temperatura del

diodo aumente mas de 10C por encima del ambiente. Si la corriente inversa de
saturación es 5A a 25C y aumenta en proporción de 0.07C-1. ¿Cuál es la tensión
inversa máxima que puede aplicarse al diodo?.

El equilibrio térmico se alcanza cuando:

T=25+10=35C
En el estado de equilibrio la energía eléctrica que se transforma en calor, se transfiere
íntegramente al medio.
P=10*(0.1mW)=1mW
Como Io aumenta en 0.07C-1 se duplica por cada 10C
Por lo tanto:
Io(35 C)=10 A
Y
P=1mW=10A*V
Luego V=100Volt

Ejercicio 3 (2-11 E)

La variación térmica de la corriente inversa de saturación para el Ge es de 0.11C-1. Se

comprueba experimentalmente en un diodo para un voltaje inverso de 10V, que Io=5A y
la dependencia con T de dicha corriente es de 0.07C-1. ¿Cuál es la resistencia de fugas en
paralelo con el diodo?.

I= IR +Io
Considerando que IR no cambia con T, entonces:

3
Curso 09-10

dI/dT= dIo/dT
(1/I)(dI/dT)/(1/Io)(dIo/dT) =Io/I= 0.07C-1/0.11C-1 = 0.636
Luego
I=Io/0.636
E
IR=2.86 A
Y
R=10V/2.86A=3.5M
Este problema puede dejarse indicado para ser resuelto de forma independiente.

Ejercicio 4 (2-15 E)

Un diodo ideal de Si tiene a una temperatura de 125 C una Io de 0.1A. A la temperatura

de 105 C, halle la resistencia dinámica para una polarización de 0.8V.
a. En sentido directo.
b. En sentido inverso.

Sabiendo que: I=Io(eV/VT –1), entonces:

r =dv/dI VT /I
=2 para el Si
a 105 C VT =(273+105)/11600= 0.0325V
Io(125 C)= Io(105 C) * 2T/10 = Io(105 C) *4 =0.1A
Por lo tanto:
Io(105 C) = 0.1A/4 =0.025A
I= 0.025A(e 0.8/0.065 –1) = 0.025A(e 12.3 –1)=0.00579A

4
Curso 09-10

a. Para la polarización directa:

r= 0.065V/0.00579A = 11.22

b. Para la polarización inversa:

r= 0.065V/0.025A  2600000 = 2.6 M

Nota
Observe que, la ecuación de la característica VI es una aproximación de la realidad
objetiva y no contempla:
 El fenómeno de la ruptura
 Los efectos capacitivos de la unión
 Las variaciones de Io con el voltaje de polarización.
La validez de su aplicación está condicionada por el hecho de que los fenómenos
referidos no tengan predominio. De modo que no puede aplicarse para el análisis de alta
frecuencia, en la zona de ruptura, etc.

Dr. José A. Chaljub Duarte