Semiconductor Es

Contenido
7. Semiconductores
1
Omar De la Peña-Seaman | IFUAP Física del Estado Sólido − Maestría (Física) 1/54
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Contenido: Tema 07
7. Semiconductores
7.1 Fundamentos, definiciones, y caracterización de la brecha de energía
7.2 Ecuaciones de movimiento de electrones y huecos, masa efectiva
7.3 Semiconductores intrínsecos y portadores de carga
7.4 Semiconductores extrínsecos (dopaje), estados donores (tipo n) y
aceptores (tipo p)
2
/54
Contenido: Tema 07
7. Semiconductores
aceptores (tipo p)
3
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Definición y caracterización de la brecha de energía
Fundamentos
Semiconductores
• Posee una resistividad a temp.
ambiente en el rango de 10−12 a
109 ohm-cm, fuertemente depen-
diente de la temperatura.
• A 0 K, un monocristal perfecto
y puro tendrá comp. de aislante
(res: 1014 ohm-cm).
• Los compuestos semiconductores
de fórmula química AB tienen la
siguiente nomenclatura:
◦ III-V: A elemento trivalente y B
pentavalente.
◦ II-VI: A elemento divalente y B
hexavalente.
◦ IV-IV: ambos elementos son
cuadrivalentes. 4
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Nomenclatura
III V
Ejemplos de compuestos III-V son InSb, GaAs.

5
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Nomenclatura
VI
II
Ejemplos de compuestos II-VI son ZnS, CdS.

6
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Nomenclatura
IV
Ejemplos de compuestos IV-IV es SiC, mientras que los monovalentes

IV se les conoce como tipo diamante: Si, Ge. 7
Omar De la Peña-Seaman | IFUAP Física del Estado Sólido − Maestría (Física)
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Brecha de energía (band-gap)
A altas T , los e− son excitados
térmicamente de la banda de va-
lencia, a la de conducción.
La conductividad intrínseca (sin

impurezas) a 0 K es nula, debido
a que los estados de valencia están
ocupados, y los de conducción des-
ocupados, separados por una brecha
de energía, definida como:
Eg = Ec − Ev ,
siendo la conductividad controlada Eg = 0.66 eV

fuertemente por la razón Eg /kB T .
8
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Brecha de energía (band-gap): clasificación
Band-gap directo
En este proceso, un fotón es

En mediciones de absorción óp- absorbido por el cristal con la
tica, la frontera de absorción con- creación de un par electrón-
tínua a una frecuencia ωg mide el hueco, con el mismo k.
band gap Eg = ~ωg .
9
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Brecha de energía (band-gap): clasificación
Band-gap indirecto
• El band gap involucra un par electrón-hueco separados por un vector

de onda kc apreciable.
• Se requiere de la creación de un fonón ΩK para mantener la con-
servación de vector de onda,
kphoton = kc + K ≈ 0 & ~ωg = Eg + ~Ω, 10
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Brecha de energía (band-gap): ejemplos
i=band gap indirecto, d= band gap directo.
11
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Contenido: Tema 07
7. Semiconductores
aceptores (tipo p)
12
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Ecs. de movimiento de electrones y huecos, masa efectiva
Ecuación de movimiento
Consideremos el mov. de electrones en precencia de un campo aplicado,
cuyas funciones de onda tienen un vector de onda k determinado.
La velocidad de grupo es, Ahora,
dω d
vg = ∀ ω= , δ = δk = ~vg δk,
dk ~ dk
1 d 1
vg = ⇒ v= ∇k (k), comparando resultados,
~ dk ~
dk
en donde (k) es la estructura ⇒ ~ = −eE,
de bandas del sistema. dt
Calculando el trabajo realizado por lo cual, expresando en términos

un e− en precencia de un campo de fuerza, queda como:
aplicado E en un intervalo de dk
tiempo δt, ~ = F.
dt
δ = F δx = −(eE)(vg δt).
13
/54
La expresión anterior aplica aún en casos cuando se tiene B 1 aplicado:
fuerza de Lorentz,
dk dk e 1
~ = F = −ev×B → = − 2 ∇k (k)×B ∀ v = ∇k (k).
dt dt ~ ~
• El e− se mueve en el esp. k en direc-

ción ⊥ a ∇k (k) ∴ se mueve en una
superficie de energía constante.
• |kB | = cte ∀ kB = k · B.
B
• El movimiento en k es en un plano
normal a B, donde la órbita está
definida por la intersección de este
dk/dt
plano con la superficie de energía cte.
Ek = E(cte)
1
siempre y cuando el campo aplicado no destruya la estructura de bandas 14
/54
Portadores de carga: huecos
Huecos: Orbitales vacantes en una banda llena.
Vector de onda
El vector de onda total de una
banda llena es cero,
X
k = 0,
Si un e− se pierde de un orbital a
un vector ke ⇒ el vector de onda
total ahora es −ke , atribuyéndolo
a un hueco,
El hueco es una descripción al-
kh = −ke . terna de una banda con un electrón
menos.
El vector de onda total después de un proceso de absorción de un
fotón y creación de un par electrón-hueco es inalterado. 15
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15/54
Energía
Teniendo en cuenta la simetría de inversión de la estructura de bandas,

e (ke ) = e (−ke ) = −h (−ke ) = −h (kh ),
⇒ h (kh ) = −e (ke ).
16
/54
Velocidad
v = (k)/h
h(kh)
e(ke)
Calculando el gradiente para el electrón y hueco,

∇e (ke ) = ∇h (kh ),
⇒ vh (kh ) = ve (ke ).
17
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Masa efectiva
1/m*  d2 /dk2

d2h /dk2 > 0
d2e /dk2 < 0
La masa efectiva es inversamente prop. a la curvatura de la banda,

(m∗ )−1 ∝ d2 /dk 2 donde: d2 e /dk 2 < 0 & d2 h /dk 2 > 0,
⇒ m∗h = −m∗e .
18
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dkx /dt dkx /dt
La ec. de movimiento de e− en precencia de campos electromagéticos

viene dada por,
~dke /dt = −e(E + ve × B),
para el caso de huecos tenemos:
kh = −ke & vh = ve ⇒ ~dkh /dt = e(E + vh × B),
es decir, la ec. de movimiento de un hueco es la de una parícula con

carga positiva e+ . 19
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Masa efectiva
De la relación de dispersión tipo
electrón libre,
(k) = (~2 /2m)k 2 ,
se observa que el coef. ~2 /2m

se relaciona con la curvatura de
la banda, por tanto el factor físico
1/m del sistema la determina.
Para sist. bajo un potencial per-
iódico, la est. de bandas muestra • k = K − G/2, coord. relativa a
un gap en la frontera de la zona, la frontera de la zona.
siendo su expresión alrededor de tal
• λ = ~2 (G/2)2 /2m,
punto como:
• U > 0 → pot. de interacción,
~2 k 2 2λ

± (k) = ± − 1∓ . • ± → energía en la frontera.
2m U 20
/54
Masa efectiva
mientras que para la de valencia,
~2 k 2 2λ

v (k) = v − 1+
2m U
~2 k 2
⇒ v (k) = v − ,
2m∗h
en donde se ha definido,
m∗e 1
= ,
m 2λ/U − 1
La expresión para la banda de con-
m∗h 1
ducción, viene dada por: = ,
m 2λ/U + 1
~2 k 2 2λ

→ mínimo b. de conducción,
c (k) = c − 1− , c
2m U v → máximo banda de valencia.
~2 k 2
⇒ c (k) = c + ,
2m∗e 21
/
54
21/54
Masa efectiva
El resultado anterior para la de- De la velocidad de grupo, se tiene:
scripción de las bandas de conduc-
ción y valencia, 1 d dvg 1 d2
vg = → = ,
~ dk dt ~ dkdt
~2 k 2 dvg 1 d2 dk
c (k) = c + , = ,
2m∗e dt ~ dk 2 dt
~2 k 2 utilizando la exp. de la fuerza,
h (k) = v − ,
2m∗h
dk dvg F d2
muestra claramente que los hue- F = ~ → = 2 2
dt ! dt ~ dk
cos presentan una masa negativa 2
~ dvg
cerca del borde de la banda. ∴ F = ,
d2 /dk 2 dt
La masa relativa involucra que un
electrón en un potencial periódico definiendo a la masa efectiva,
es acelerado, relativo a la red, en
~2 1 1 d2
un EMF aplicado. m∗ = → = .
d2 /dk 2 m∗ ~2 dk222 /54
Masa efectiva
En semiconductores de band gap
directo, la banda de conducción
tiene una dispersión tipo,
c = Eg + ~2 k 2 /2me ,
mientras que las bandas de valen-

cia son triplemente degeneradas,
• heavy holes,
v (hh) ≈ −~2 k 2 /2mhh ,
• light holes,
v (hh) ≈ −~2 k 2 /2mlh ,
• split-off holes (SO-int.).

v (soh) ≈ −∆ − ~2 k 2 /2msoh . 23
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Contenido: Tema 07
7. Semiconductores
aceptores (tipo p)
24
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Semiconductores intrínsecos y portadores de carga
Conductividad
La conductividad se define como,
σ = |e|µ ∀ µ = −(−e)τ /m∗ ,
en donde µ es la movilidad de portadores de carga y τ el tiempo de
relajación.
Electrones Huecos
σ = |e|µn , σ = |e|µp ,
µn = −(−e)τ /m∗n > 0. µp = −(+e)τ /(−m∗p ) > 0.
Es decir, ambos tipos de portadores de carga contribuyen con el mismo

signo al flujo de corriente,
σ = |e| (nµn + pµp ) ,
donde n y p son las concentraciones de electrones y huecos, respec-
tivamente, las cuales deben de calcularse para conocer la conductividad.25
/54
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Conductividad
Semiconductores intrínsecos
Sistemas en los cuales excitaciones electrónicas desde una banda de
valencia a una banda de conducción dan lugar a la creación de un par
electrón-hueco.
Calculando la concentración de
portadores de carga,
Z ∞
n= Dc ()f (, T )d,
c
Z v
p= Dv () [1 − f (, T )] d.
−∞
en donde Dc () y Dv () son las

DOS de las bandas de conducción
y de valencia, respectivamente.
26
/54
Portadores de carga
En la aproximación parabólica Para el caso de la banda de con-
(m∗ = cte.) se tiene que, ducción y de valencia se tiene,
D
(2m)3/2 1/2
D() = .
2π 2 ~3
D Dv Dc
  1/2 
v c
(2m∗n )3/2
Dc () = ( − c )1/2 ,
 2π 2 ~3
(2m∗p )3/2
Dv () = (v − )1/2 ,
2π 2 ~3
donde: D() = 0 ∀ v < < c .
27
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Portadores de carga
Dado que el width de la función
de distribución de Fermi (2kB T )
es mucho menor que el band gap
típico (1 eV), entonces se puede
aproximar f (, T ),
1
f (, T ) = ,
exp [( − F ) /kB T ] + 1
− F

≈ exp − 1,
kB T
∀ − F 2kB T.
Siendo también,
1 1
1 − f (, T ) = 1 − =
exp [( − F ) /kB T ] + 1 1 + exp [− ( − F ) /kB T ]
− F

≈ exp .
kB T 28
/
54
28/54
Portadores de carga: electrones
Para el caso de electrones, tenemos:
Z ∞
n = Dc ()f (, T )d
c
(2m∗n )3/2 − F

∀ Dc () = 2 3
( − c )1/2 & f (, T ) ≈ exp − ,
2π ~ kB T
(2m∗n )3/2 F /kB T
Z ∞
⇒ n = e ( − c )1/2 e−/kB T d,
2π 2 ~3 c
realizando el siguiente cambio de variable: xc = ( − c ) /kB T , se

tiene,
(2m∗n )3/2 c − F ∞ Z
3/2
n = (k B T ) exp − xc1/2 e−xc dxc ,
2π 2 ~3 kB T 0
mn kB T 3/2
∗
c − F 2

∴ n = 2 exp − ∀ c > F .
2π~2 kB T
R∞ 1/2 √
2
Integral de Gauss: xc e−xc dxc = π/2. 29
Omar De la Peña-Seaman | IFUAP
0
Física del Estado Sólido − Maestría (Física) 29/54
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Para huecos, de manera similar:
Z v
p = Dv () [1 − f (, T )] d
−∞
(2m∗p )3/2 − F

∀ Dv () = 2 3
(v − )1/2 & 1 − f (, T ) ≈ exp
2π ~ kB T
(2m∗n )3/2 F /kB T ∞
Z
⇒ p = e (v − )1/2 e−/kB T d,
2π 2 ~3 c
proponiendo, de igual manera, un cambio de variable: xv = (v − ) /kB T ,
(2m∗p )3/2
Z ∞
F − v

3/2 −xv
p = (kB T ) exp − x1/2
v e dxv ,
2π 2 ~3 kB T 0
!3/2
m∗p kB T F − v

∴ p = 2 exp − ∀ v < F .
2π~2 kB T
30
/54
De los resultados para la concentración de portadores de carga,
3/2
m∗n kB T c − F

n = 2 exp − ,
2π~2 kB T
!3/2
m∗p kB T F − v

p = 2 exp − ,
2π~2 kB T
se observa que tanto en n como en p es necesario conocer F ,sin em-

bargo, si calculamos el producto np:
3
kB T
3/2
np = 4 m∗n m∗p eg /kB T ∀ g = c − v ,
2π~2
se obtiene una función independiente del nivel de Fermi.
Además, se observa que al ser el semiconductor caracterizado por g ,
m∗n , y m∗p , se puede conocer la variación de np en función de T .
31
/54
Nivel de Fermi
Para el caso de semiconductores 
intrínsecos, n = p, debido a que
cond.
los electrones excitados se originan
de la banda de valencia,
3/2 c
kB T

ni = pi = 2 × v g
2π~2
3/4
m∗n m∗p eg /2kB T . k
Si se conoce ni , pi , es posible
calcular F a una temp. dada, tal val.
que se mantenga la neutralidad
de carga (ni = pi ), Cuando las bandas de cond. y val.
son idénticas ⇒ m∗p = m∗n :
m∗p
!
g 3kB T
F = + ln . ∴ F = g /2.
2 4 m∗n
32
/54
Nivel de Fermi
Para bandas diferentes (m∗p 6= m∗n ), F tenderá a alguna banda,

F = g /2 + (3kB T /4)ln m∗p /m∗n .
dependiendo de la relación entre las masas efectivas.
 
cond. cond.
 F > g / 2 m*n < m*p

F < g / 2
F g g
g / 2 F g / 2
k k
m*n > m*p
val. val.
1/m*  d2 /dk2
33
/54
Movilidad
Ya con el cálculo de las concentraciones de portadores de carga, es
posible calcular la conductividad,
σ = |e| (nµn + pµp ) ∀ µ = eτ /m∗ ,
donde los efectos de la temperatura vendrán de los factores n y p:
n, p ∝ exp [−g /2kB T ] .
Movilidad
34
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Contenido: Tema 07
7. Semiconductores
aceptores (tipo p)
35
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Semiconductores extrínsecos, estados donores y aceptores
Dopaje de semiconductores
Portadores de carga en GaAs (300K),

• Concentración intrínseca: ni = 5 × 107 cm−3 ,
• Dopaje residual (muestra pura): ne = 1016 cm−3 .
Semiconductores extrínsecos
Sistemas en los cuales las impurezas electricamente activas incremen-
tan la concentración de electrones o huecos libres, donando electrones
a la banda de conducción, o huecos a la banda de valencia.
Impurezas
• Donores: otorgan un electrón adicional a la nube electrónica, el
cual está débilmente ligado al ión donador. Estos sistemas generan
un dopaje tipo n.
• Aceptores: ganan un electrón de la banda de valencia, dejando en
los enlaces existentes un hueco. Generan un dopaje tipo p.
36
/54
Dopaje de semiconductores: donores
• Si(4): matriz; As(5): impureza donora.

• El electrón adicional disociado (pseudo-libre) será excitado desde la
impureza hasta la banda de conducción del sistema.
37
/54
La impureza donora se puede considerar como un centro hidrogenoide,
en el cual la atracción Coulómbica entre electrones de valencia y de core
es apantallada por los Si en la vecindad.
Estimando la energía de ion- donde el estado base donor D se
ización D de la impureza donora, localiza a 30 meV por debajo de c .
mediante el espectro de H:
e4 me 1
H
n = 2 n2 ,
2
2 (4π0 ~ )
Para el caso del Si como host:
me → m∗n = 0.3me & 0 → 0 Si ,
para el est. base (n = 1),

e4 · 0.3me
D = ≈ 30meV,
2 (4π0 Si ~2 )2 38
/54
Del modelo de átomo hidrogenoide se

obtendrán D idénticas (para el mismo
host) no importando la naturaleza de
la impureza, lo cual no concuerda con
datos experimentales.
Las dif. vienen de considerar el apan-
tallamiento del host a la impureza me-
diante la cte. dieléctrica, dando sólo
una idea del órden de magnitud de D .
El nivel donor se mide de espectros de
absorción óptica, en donde se observa
la señal del est. base y mayores. 39
/54
Dopaje de semiconductores: aceptores
• Si(4): matriz; B(3): impureza aceptora.

• El enlace tetragonal de la impureza acepta un elect. de la banda de
valencia, dejando un hueco, el cual está disponible para participar
en la conducción. 40
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40/54
Dopaje de semiconductores: aceptores
Las energías de ionización aceptora

a pueden ser calculadas con la aprox.
de átomo hidrogenoide, dando energías
muy similares a los casos de impurezas
donoras.
Las diferencias observadas en a re-
specto al experimento provienen en gran
medida de la degeneración de las ban-
das de valencia.
41
/54
Concentración de portadores de carga
Electrón en la b. de conducción Hueco en la b. de valencia

• Banda de valencia, dejando un • Correspondiente a un e− en la
hueco. banda de conducción.
• Ionización de una impureza • De una impureza aceptora,
donora, dejando un ión posi- ionizada negativamente.
tivo.
42
/54
En el caso de semiconductores extrínsecos, las ocupaciones de las ban-
das de conducción y de valencia se siguen expresando como,
3/2
c − F m∗n kB T

n = n0 exp − ∀ n0 = 2 ,
kB T 2π~2
!3/2
F − v m∗p kB T

p = p0 exp − ∀ p0 = 2 ,
kB T 2π~2
siendo que la ley de atracción de las masas se sigue cumpliendo,
kB T 3 ∗ ∗ 3/2 g /kB T

np = 4 mn mp e ∀ g = c − v .
2π~2
Sin embargo, la condición de neutralidad debe tomar en cuenta la
carga de las impurezas,
donde,
0 + 0 , N 0 : concentración de neutrales,
Donores : ND = ND + ND , • ND A
Aceptores : NA = NA + NA , • ND , NA− : concentración de ioniza-
0 − +
dos. 43
/54
43/54
En un semiconductor homogéneo la densidad de carga negativa total

debe compensar en la misma proporción la correspondiente positiva
total,
n + NA− = p + ND
+ 0
∀ ND = ND +
+ ND & NA = NA0 + NA− ,
En el caso de que las impurezas donoras y aceptoras no se afecten mu-

tuamente, la ocupación de donores por electrones (nD ) y la ocupación
de aceptores por huecos (pA ) viene dada por,
0 ND
nD = ND = ,
1 + exp [(D − F )/kB T ]
NA
pA = NA0 = .
1 + exp [(F − A )/kB T ]
44
/54
Considerando un semiconductor Tomando en cuenta que la con-
tipo-n puro, en donde solamente tribución principal a la cond.
donores están disponibles, se tiene: proviene de los donores ioniza-
dos,
c − F

n = n0 exp − , + +
kB T ND ni (np = n2i ) → n ≈ ND ,
0 +
ND = ND + ND ,
ND por tanto,
0
ND = ,
1 + exp [(D − F )/kB T ] 0
n ≈ ND − ND ,
−
en donde los e libres en la ND
≈ .
banda de conducción se originan 1 + exp [(F − D )/kB T ]
puramente de donores o desde la
banda de valencia,
n+NA− = p+ND
+ +
→ n = p+ND .
45
/54
Por otro lado, de la relación de n con el nivel de Fermi F , obtenemos,

c − F F − D D − c

n = n0 exp − = n0 exp − exp −
kB T kB T kB T
n c − D F − D

∴ exp − = exp − ,
n0 kB T kB T
Sustituyendo lo anterior de la expresión obtenida para n,
ND
n ≈ ,
1 + exp [(F − D )/kB T ]
ND
⇒ n ≈ ∀ d = c − D ,
1 + (n/n0 )ed /kB T
en donde d representa la separación del nivel donor, D , respecto al

fondo de la banda de conducción, c .
46
/54
Expresando la eq. anterior en I) Temp. bajas (kB T d )

forma cuadrática,
2ND
ND n ≈ i1/2 ,
n≈ ,
h
1 + (n/n0 )ed /kB T 1 + 1 + 4 NnD
0
ed /kB T
n2 d /kB T 2ND
e + n ≈ ND , ≈ 1/2 ,
n0

1+ 4 NnD
0
ed /2kB T
resolviendo, se obtiene: ≈ (ND n0 )1/2 e−d /2kB T ,
2ND
n≈ h i1/2 . en este límite existen muchas im-
1 + 1 + 4 NnD
0
ed /kB T purezas donoras que no se ion-
izan, por lo que se conoce como
Analicemos diferentes casos el rango congelado.
límites para la relación entre d y
la temperatura.
47
/54
II) Temp. altas (kB T d ) III) Temp. muy altas

Para temperaturas extremada-
2ND mente altas, ahora los elect.
n ≈ h i1/2 ,
1+ 1+ 4 NnD
0
e d /kB T excitados desde la banda de
valencia (por sobre g ), even-
ND
≈ ND d /kB T
, tualmente sobrepasan la densidad
1+ n0 e elect. de los e− donores,
ND d /kB T

≈ ND 1 − e ,
n0 ni nd .
≈ ND ,
En este rango el sist. dopado
la concentración de elec. donores tipo-n se comporta como un semi-
ha alcanzado su máximo, por conductor intrínseco, por tanto se
tanto todas las impurezas se ion- le conoce como región intrínseca.
izan, por ello se habla del rango
de saturación. 48
/54
49
/54
Conductividad
La conductividad de un semicon- Además,
ductor involucra a los electrones en v(k) = vel. de portadores de carga
la banda de conducción y a los
huecos en la banda de valencia, τ (k) = tiempo de relajación.
σ = |e| (nµn + pµp ) . De las relaciones, se deduce para

la movilidad,
Para el caso de sem. extrínsecos,
la movilidad se expresa como, µ ∝ τ,
1 τ (k)v 2 (k)

mientras que para el tiempo de
µα = −qα ∗ , relajación,
mα hv 2 (k)i
en donde se aplica la aprox. de 1/τ ∝ Σ hvi ,

Boltzmann (g kB T ), con:
donde Σ es la secc. transversal
α = n → q = −e, m∗α = m∗n ,
de electrones y huecos en un centro
α = p → q = e, m∗α = −m∗p . de dispersión determinado. 50
/54
Conductividad
La velocidad hvi representa un en donde la energía viene dada por,

promedio térmico de las veloci- D E
dades de los portadores de carga, M ωq2 u2q = kB T,
hvi ∝ T 1/2 . por tanto, la secc. transversal

fonónica viene siendo
Con las expresiones anteriores, se
puede deducir una expresión cuali- Σph ∼ T.
tativa para la movilidad,
Con la expresión anterior se puede
1 1 obtener la dependencia en la temp.
µ∝τ ∝ ∝ .
Σ hvi ΣT 1/2 de la movilidad con dispersión de
fonones,
La secc. transversal Σ tiene una
contribución fonónica, debido a la 1
µph ∝ .
disp. por fonones acústicos ωq con T 3/2
amplitud uq ,
51
/54
Conductividad
Otra contribución a la secc. con la expresión anterior se obtiene
transversal es debido a la disper- la movilidad asociada,
sión de portadores de carga por
donores o aceptores cargados µdef ∝ T 3/2 .
(defectos),
Por tanto, se obtiene la movili-
−4 dad total,
Σdef = hvi ,
1/µ = 1/µph + 1/µdef .
lo anterior debido a la interacción
Coulombiana entre los portadores
y los defectos.
Se obtiene, por tanto, la expresión
para el tiempo de relajación por
dispersión de defectos,
1 T 3/2
τdef ∝ ∝ ,
Σdef hvi Ndef 52
/54
Conductividad
53
/54
Conductividad
• R. Saturación: temp. interme-

dias, con n ∼ cte., σ presenta
un máximo,
• R. Congelado: temp. bajas,
µph µdef ⇒ µ ∼ µdef ,
∴ σ será dominada por disper-

siones vía defectos cargados.
• R. Intrínseco: temp. altas,
µph µdef ⇒ µ ∼ µph ,
lo cual indica que σ será domi-

nada por las dispersiones con ori-
gen fonónico.
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Ejemplos de compuestos III-V son InSb, GaAs.

Ejemplos de compuestos II-VI son ZnS, CdS.

Ejemplos de compuestos IV-IV es SiC, mientras que los monovalentes

La conductividad intrínseca (sin

siendo la conductividad controlada Eg = 0.66 eV

En este proceso, un fotón es

• El band gap involucra un par electrón-hueco separados por un vector

i=band gap indirecto, d= band gap directo.

Calculando el trabajo realizado por lo cual, expresando en términos

• El e− se mueve en el esp. k en direc-

Teniendo en cuenta la simetría de inversión de la estructura de bandas,

Calculando el gradiente para el electrón y hueco,

1/m*  d2 /dk2

d2e /dk2 < 0

La masa efectiva es inversamente prop. a la curvatura de la banda,

La ec. de movimiento de e− en precencia de campos electromagéticos

kh = −ke & vh = ve ⇒ ~dkh /dt = e(E + vh × B),

es decir, la ec. de movimiento de un hueco es la de una parícula con

(k) = (~2 /2m)k 2 ,

se observa que el coef. ~2 /2m

mientras que las bandas de valen-

• split-off holes (SO-int.).

Es decir, ambos tipos de portadores de carga contribuyen con el mismo

en donde Dc () y Dv () son las

realizando el siguiente cambio de variable: xc = ( − c ) /kB T , se

proponiendo, de igual manera, un cambio de variable: xv = (v − ) /kB T ,

se observa que tanto en n como en p es necesario conocer F ,sin em-

 F > g / 2 m*n < m*p

Portadores de carga en GaAs (300K),

• Si(4): matriz; As(5): impureza donora.

Para el caso del Si como host:

me → m∗n = 0.3me & 0 → 0 Si ,

para el est. base (n = 1),

Del modelo de átomo hidrogenoide se

• Si(4): matriz; B(3): impureza aceptora.

Las energías de ionización aceptora

Electrón en la b. de conducción Hueco en la b. de valencia

En un semiconductor homogéneo la densidad de carga negativa total

En el caso de que las impurezas donoras y aceptoras no se afecten mu-

Por otro lado, de la relación de n con el nivel de Fermi F , obtenemos,

en donde d representa la separación del nivel donor, D , respecto al

Expresando la eq. anterior en I) Temp. bajas (kB T  d )

II) Temp. altas (kB T  d ) III) Temp. muy altas

σ = |e| (nµn + pµp ) . De las relaciones, se deduce para

en donde se aplica la aprox. de 1/τ ∝ Σ hvi ,

La velocidad hvi representa un en donde la energía viene dada por,

hvi ∝ T 1/2 . por tanto, la secc. transversal

• R. Saturación: temp. interme-

µph  µdef ⇒ µ ∼ µdef ,

∴ σ será dominada por disper-

µph  µdef ⇒ µ ∼ µph ,

lo cual indica que σ será domi-

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(k) = (~2 /2m)k 2 ,

en donde Dc () y Dv () son las

realizando el siguiente cambio de variable: xc = ( − c ) /kB T , se

proponiendo, de igual manera, un cambio de variable: xv = (v − ) /kB T ,

se observa que tanto en n como en p es necesario conocer F ,sin em-

 F > g / 2 mn < mp

me → m∗n = 0.3me & 0 → 0 Si ,

Por otro lado, de la relación de n con el nivel de Fermi F , obtenemos,

en donde d representa la separación del nivel donor, D , respecto al

Expresando la eq. anterior en I) Temp. bajas (kB T d )

II) Temp. altas (kB T d ) III) Temp. muy altas

µph µdef ⇒ µ ∼ µdef ,

µph µdef ⇒ µ ∼ µph ,