LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS II

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

INFORME PREVIO
RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA
ETAPA

I. OBJETIVOS

 Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de

audio.

II. EQUIPOS Y MATERIALES

 Osciloscopio
 Multímetro Digital
 Generador de señales
 Punta de prueba de osciloscopio
 Protoboard
 Cables de conexiones diversos
 Fuente DC
 Transistores 2N2222
 Resistores de 56KΩ, 12KΩ, 10KΩ, 1.5KΩ, 0.68KΩ, 1KΩ
 Condensadores de 22uF y 100uF
 Computadora con Multisim

III. INFORME PREVIO

1. Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, cb’e, cb’c, gm, fβ, fT

rbb´: La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parámetro h, hie, que es la

resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido π, esta se denomina a menudo como
rπ si se aplica un corto circuito entre el emisor y colector, se obtiene:

hie=rπ=rbb´+rb´e//rb´c

rb´e: La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima por medio de la razón:
rπ=(Vb´e)/Ib

rb´c: Resistencia de retroalimentación, rce ; resistencia de salida del transistor.

cb´e y cb´c: Son las capacitancias parasitas del transistor. cb´c es la capacitancia de la unión
colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele considerarse constante en una
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región de operación particular del transistor. La capacitancia cb´e, la cual es capacitor base-
emisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas de datos como Cib´. Esta capacitancia es
la suma de la capacitancia de difusión del emisor y la capacitancia de la unión del emisor. Debido
a que el primer capacitor es el más grande de los dos, cb´e es aproximadamente iguala la
capacitancia de difusión (conocida también como capacitancia de carga de la base).

fβ y ft : Son frecuencias características, f B es la frecuencia para cuando el factor de ganancia

del transistor empieza a variar. Ft es la frecuencia máxima de operación del transistor se da
cuando la ganancia es igual a cero.

2. En el circuito de la figura 5.1, de acuerdo al modelo π del

transistor en altas frecuencias, encontrar una expresión para
fβ/fT

El equivalente en modelo hibrido sería:

….
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3. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce, mostrando los

circuitos equivalentes. Determine el ancho de banda del
amplificador.

IV. PROCEDIMIENTO

1. Realice la simulación del circuito mostrado en la Figura 5.1 con el fin de hallar el
punto de trabajo. Determine la ganancia de tensión que se presenta a
frecuencias medias. Complete los campos correspondientes de la tabla 5.1

Vceq Icq Av
Valor
calculado
Valor
simulado
Valor medido
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V. CONCLUSIONES
 La más adecuada manera de realizar el análisis en frecuencia es usando el modelo del
parámetro hibrido (∏), puesto que así se obtienen los datos necesarios
 Para determinar la frecuencia inferior, se calculan los inversos de cada contante de
tiempo con los capacitores en corto circuito, las que se suman para obtener la frecuencia
de corte inferior.

VI. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

 Principios de Electrónica – Roberto Malvino

 Savat, C., Roden, M., 1992. Diseño Electrónico.

 Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos – Robert L. Boylestad.

 Floyd - 8va Edicion - Dispositivos Electronicos

 http://ieee.udistrital.edu.co/concurso/electronica2/diferencial.html