Semiconductores de Banda de Valencia Ancha

Quito, Ecuador
Cintya Tatamuez cintya.tatamuez@epn.edu.ec
Escuela Politecnica Nacional
 Abstract— at present, Wide Band Gap Semiconductors are
a topic of interest since the development of them will allow a
great technological advance and improvement in the
performance of power converters, which will lead to a more
moderate use of electric power.
This article presents an analysis of the semiconductor
physics of gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide and
diamond, as well as a comparative analysis and technical
obstacles in their development.
Palabras clave—Schottky, SiC, pHEMT,GaN,GaAs.
Actualmente tienen la capacidad de soportar corrientes altas
como 50[A] [1].
JBS: Diodos de cruce de la barrera Schottky, presentan
características de conmutación y estado similares al SBD.
PiN: Diodos que funcionan a altos voltajes y bajas
corriente de fuga, pero que durante la conmutación presentan
una carga de recuperación inversa.
El funcionamiento de los dispositivos de SiC a altas
temperaturas los hace propicios para aplicaciones en
misiones espaciales. [1] La recuperación inversa de
rectificadores a distinta temperatura es mostrada en la Fig.2.

I. INTRODUCCIÓN
La electrónica de potencia se encarga del procesamiento
eficaz de energía eléctrica, con la ayuda de dispositivos de
conmutación. En la actualidad estos dispositivos están
hechos en base de Si, pese a que éste presenta limitaciones
en ciertas condiciones, por lo que los semiconductores de
banda de Valencia ancha se presentan como una alternativa
con excelentes características que los hacen superiores a los
típicos semiconductores ya que debido a su banda es posible
que trabajen en altos rangos de temperatura, frecuencia y
voltaje.
El nitruro de Galio, carburo de silicio, arseniuro de galio
y diamante, son materiales semiconductores de banda de Fig. 2. Recuperación inversa de rectificadores a 25 y 300 [°C]
valencia ancha denominados extremos debido a las
condiciones en las que son capaces de trabajar, pero pese a B. Interruptores de alimentación unipolar basados en SiC
sus ventajas aún deben superar muchos retos para ser
competencia de los actuales dispositivos existentes en el Son apropiados para aplicaciones de alto voltaje y alta
mercado. temperatura, aunque el MOSFET y el IGBT presentan
ventajas en realidad no son una gran opción debido a sus
pérdidas por conducción. [1]
II. DISPOSITIVOS DE POTENCIA SIC
El crecimiento en la tecnología y producción del SiC, lo
postulan como un elemento con muchos beneficios en la
electrónica de potencia. La reducción del defecto
cristalográfico del elemento es muestra del gran avance. En
la actualidad existen obleas de SiC de 100nm, y se espera
que las obleas de 150nm estén disponibles próximamente.
[1]

A. Rectificadores de Potencia de SiC

El campo dieléctrico del SiC permite un gran aumento en
el voltaje de ruptura que junto a su alta conductividad
térmica hacen que sean dispositivos superiores a los típicos
de Si, ya que pueden trabajar a niveles de densidad de
corriente más altos. [1]
Existen tres tipos de rectificadores, sus secciones
transversales se pueden observar en la Fig.1.
Fig. 3. Comparación de corriente de densidad y voltaje
La Fig.3. muestra la comparación de las características,
corriente de densidad y voltaje. Se puede notar que los
dispositivos SiC tienen menores pérdidas en estado ON, sin
embargo por encima de 6[kV] ya no son una opción viable,
por lo que un SiC JFET se convierte en la opción más
adecuada para estos rangos de voltaje. [2]
Otro factor importante en el análisis de dispositivos
basados en SiC es la fiabilidad del óxido de puerta, la Fig.4.
muestra una gráfica de Weibull que relaciona el porcentaje
de fallas de óxido de puerta y el tiempo de estrés. [2]

Fig. 1. Sección transversal rectificadores de potencia.

SBD: Diodos de barrera Schottky, presentan alta

velocidad de conmutación y pocas pérdidas de estado pero
alta corriente de fuga y bajo voltaje de bloqueo. Están
disponibles comercialmente desde 2001 presentando a lo
largo del tiempo un aumento en el voltaje de bloqueo.
 Fig. 4. Gráfica de Weibull, Porcentaje de fallas vs tiempo
C. Interruptores de alimentación bipolar basados en SiC
Dispositivos con gran potencial para aplicaciones de alto
voltaje, debido a su rendimiento y conductividad. Los IGBTs
basados en SiC han recibido gran atención en los últimos
años debido a su capacidad de bloqueo de más de 10[kV] y
se espera aumentar su capacidad hasta 20-30[kV] [1]
Los TBJs también son dispositivos de gran potencial,
aunque presentan problemas de confiabilidad como la caída
de tensión directa bajo tensión directa a causa de fallas de
apilamiento en la zona del emisor-base, por lo que se
dificulta la producción comercial de éstos. [1]
III. DISPOSITIVOS DE POTENCIA BASADOS EN
GAAS
La tecnología de semiconductores de arseniuro de Galio
es superior frente a la de los dispositivos de Si debido a su
alta movilidad de electrones, banda de valencia ancha y gran
campo eléctrico crítico.
En la actualidad es utilizada comercialmente en
aplicaciones de optoelectrónica e iluminación.[2]
Dentro de los dispositivos basados en GaAs, el más
utilizado es el FET, pHEMT. En la Fig.5. podemos observar
la física de este semiconductor. Un gas de electrones 2D es
introducido en una capa pseudomorfa de InGaAs que está
entre dos superiores capas de banda prohibida, generalmente
de AlGaAs. [2]
El gas de electrones 2D se encarga de la conducción en el
canal y la región de deriva por lo que la movilidad de
electrones que se alcanza es superior en comparación a los
dispositivos de Si tradicionales.
Esta movilidad representa un rendimiento superior de
potencia, que es evidente en dispositivos con voltaje de
ruptura bajo, además tienen como ventaja el sustrato
semiaislante de GaAs que aporta aislamiento eléctrico
natural.[2]
Fig. 5. Sección transversal de un Phemt
IV. DISPOSITIVOS DE POTENCIA GAN
El campo eléctrico crítico, conductividad térmica y
movilidad de electrones, han hecho competitivos a éstos
dispositivos en aplicaciones de electrónica de potencia.
Actualmente se comercializan en el área de la fotónica.[4]
Fig. 6. Oblea epitaxial de GaN sobre el sustrato Si
La capa gruesa de GaN puede ser cultivada en un sustrato
de Si con otra capa por la falta de coincidencia del Si y GaN
como se muestra en la Fig.6. [4]
El mecanismo de ruptura en dispositivos basados en GaN
es diferente a otros dispositivos debido a que el voltaje
parece incrementarse de forma ilimitada por una distancia de
electrodo más larga. [4]
A. Rectificadores GaN
Estos rectificadores han presentado voltajes de ruptura de
hasta 9,7 [kV] en sustratos de Zafiro. Los rectificadores
hechos en sustratos de Si están captando atención debido a su
costo. [1]
B. HEMTs y MOSFETs de potencia
Los transistores de alta movilidad de electrones HEMTs
son dispositivos de encendido normal ya que es necesario
aplicar un voltaje negativo a la compuerta. Son similares a
los basados en GaAs y han captado la atención en los últimos
años ya que tienen la capacidad de ser integrados con
dispositivos optoelectrónicos, siendo ésta una gran ventaja.
Son apropiados como interruptores de alta potencia. [1]
Desde su aparición han existido considerables mejoras
como la capacidad de potencia de salida en frecuencias de
microondas y la capacidad de voltaje que han permitido
implementar convertidores de potencia basados en GaN.[2]
 Fig. 7. Sección transversal de un HEMT
Los valores de RON de un FET, MOSFET de SiC con un
GaN-HEMT a temperatura de 25[°C] son comparados en la
Fig.8. [3] Se puede observar que la RON es más baja en el
dispositivo HEMT, lo que hace que tenga una velocidad de
conmutación alta y bajas pérdidas.
Fig. 8. Comparación de corriente Id vs Voltaje Vd de dispositivos SiC y
GaN
En la Fig.8. se comparan las formas de onda de
conmutación entre JFET-SiC, MOSFET-SiC y GaN-HEMT,
como se puede observar, para esas condiciones GaN-HEMT
cambia más rápido, es decir presenta menor pérdida de
energía por conmutación.
En base a la Fig.8. y Fig.9. podemos notar que los
dispositivos basados en SiC presentan mayores pérdidas por
lo que un dispositivo GaN es más factible para ser aplicado
en conversión de energía inferior a 300[V].[3]
Fig. 9. Formas de onda de comparación cuando el componente se
encuentra con Vds=200[V] e Id=5[A]
El MOSFET de GaN al tener un gran desplazamiento en
la banda de conducción es menos susceptible a los problemas
de confiabilidad como la inyección de electrones calientes,
por lo que es una alternativa al HEMT de GaN en
aplicaciones de conmutación de potencia.[4]
Estos dispositivos poseen una gran capacidad de voltaje
de bloqueo de hasta 2.5[kV], pero su valor de movilidad de
canal de inversión por la presencia de fenómenos de
dispersión representa un problema.
Fig. 10. Sección transversal de un MOS-HEMT
Una solución a este problema es incorporar una
heteroestructura en el campo de superficie reducida
RESURF como la que se observa en la Fig.10, esto crea la
posibilidad de tener interruptores de potencia basados en
GaN con desactivación normal, baja activación de estado y
alta capacidad de bloqueo. [1]
V. DIAMANTE
El diamante debido a su intervalo de banda ancha,
permite un gran rendimiento de conmutación a alta
temperatura y altos voltajes. [2]
El rectificador de diamante en los últimos años ha tenido
un gran avance. Se ha utilizado un proceso para montar
capas de diamante sobre sustratos de molibdeno para fabricar
estructuras rectificadoras. Los diodos Schottky lograron
voltajes de ruptura de hasta 3.7[kV] pero las densidades de
corriente eran bajas. En específico se ha logrado un alto
índice de rectificación con la estructura de la Fig. 11., pero
este dispositivo está basado en una capa ligeramente dopada
de tipo n, que permanece agotada en la conducción, por lo
que se empezó a incrementar el grosor de la capa de deriva
de tipo p, lo que ha incrementado el voltaje de ruptura pero la
caída hacia delante es mayor por las uniones Schottky y n-
p[2]
Los semiconductores de banda de valencia ancha poseen
grandes ventajas respecto a los actuales dispositivos de Si
existentes en el mercado. Presentan mejora en la velocidad
de conmutación y las pérdidas de estado. Los
semiconductores analizados nitruro de Galio, carburo de
silicio, arseniuro de galio y diamante tienen un gran
potencial a futuro por las condiciones a las que pueden ser
sometidos y pese a que en la actualidad su comercialización
y desarrollo es un reto debido a la competencia con los
materiales actuales y su comprobación de desarrollo rentable,
serán una gran alternativa para mejorar el campo de la
electrónica de potencia y el consumo equilibrado de energía
eléctrica al evitar pérdidas.

Fig. 11. Rectificador de Diamante.

VI. OBSTACULOS TÉCNICOS Y RETOS EN LA

COMERCIALIZACIÓN
En los últimos años ha existido un gran avance
tecnológico para los semiconductores de banda de valencia
ancha, sin embargo aún se deben superar diversos retos
técnicos para su desarrollo y comercialización.
Uno de los grandes retos para estos dispositivos es
competir frente a los componentes actuales de Si en el
mercado, además deben conseguir la madurez técnica
necesaria para que todo su potencial sea explotado.
Los dispositivos basados en GaAs no poseen una
tecnología de escalamiento programada que sea impulsada
por una corporación industrial, por lo que a pesar de su
excelente potencial a altas frecuencias es difícil
comercializar estos dispositivos y competir con los existentes
en el mercado, en cambio pese a la disponibilidad de cristales
individuales de GaN cultivados por fusión que representan
una reducción significativa del costo de producción aún
existen problemas de sistemas de materiales que deben ser
solucionados por lo que aún se requiere una investigación
exhaustiva de materiales y dispositivos relacionados con
GaN.[2]
REFERENCES
La tecnología de proceso de dispositivos basados en SiC
ha mejorado, sin embargo aún no representan gran [1] J. Millán, P. Godignon, X. Perpiña, A. Pérez y J. Rebollo, «A Survey
competencia para los modernos MOS de Si, debido a la falta of Wide Bandgap Power,» IEEE, vol. 29, nº 5, 2014.
de reproducibilidad y confiabilidad para la elaboración de [2] P. Chow, I. Omura, M. Higashiwaki, H. Kawarada y P. Vipindas ,
alto rendimiento, por otro lado los dispositivos HEMT-GaN «Smart Power Devices and ICs Using GaAs and,» IEEE, vol. 64, nº 3,
han sido comercializados, sin embargo aún no se ha pp. 856-873, 2017.
demostrado su capacidad de producción rentable a gran [3] K. Li, P. Evans y M. Johnson, «SiC/GaN Power Semiconductor
escala.[2] Devices Theoretical,» IEEE
[4] H. Ishida, . R. Kajitani, Y. Kinoshita, H. Umeda, S. Ujita, M. Ogawa,
K. Tanaka, . T. Morita, S. Tamura, M. Ishida y T. Ueda, «GaN-based
VII. CONCLUSIONES Semiconductor Devices,» IEEE.
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