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COURS : ELECTRONIQUE ANALOGIQUE I

CHAPITRE 1 : LA JONCTION PN

1.1. NOTIONS DE SEMI-CONDUCTEURS


L’appellation des matériaux semi-conducteurs provient de leurs conductivités électriques,
intermédiaires entre celles des conducteurs et des isolants. Une autre particularité importante, qui
sera expliquée plus loin, est que cette conductivité, contrairement aux conducteurs courants,
dépend beaucoup de la température et augmente avec celle-ci.

Ordres de grandeur.

Isolant σ < 10−6 S/m (S = Siemens, c’est-à-dire Ω−1)

Conducteur σ ≈ 108 S/m

Semi-conducteur σ ≈ 0,1 à 10−4 S/m

Les effets non linéaires (détection) associés à l’utilisation des semi-conducteurs ainsi que
l’effet transistor furent découverts et utilisés avant que la physique du solide n’ait pu les expliquer.

1.1.1. Historique

L’utilisation de semi-conducteur sous forme cristalline remonte au début du siècle dernier.


On constata que la galène (sulfure de plomb polycristallin) jouait le rôle d’une diode lorsqu’on
réalisait un contact entre une pointe métallique et un de ses cristaux. Les redresseurs à l’oxyde de
cuivre, puis au silicium ont été également utilisés, grâce à leur caractère unidirectionnel.

Vers 1942-1945, on fabrique le premier monocristal de germanium.

L’équipe de la société Bell, formée de Shockley, Bardeen et Brattain crée, en 1947, le


premier transistor bipolaire à jonctions. En 1952, ce dernier publie la théorie du transistor à effet
de champ ; Dacey et Ross réalisent le premier élément en 1953, avec du germanium.

Puis le silicium prend peu à peu l’avantage sur le germanium, grâce à sa gamme de
température d’utilisation plus large et son traitement plus facile.

En 1962, à partir de la théorie élaborée deux ans auparavant par Kahng et Attala (Bell),
Hofstein et Heiman (RCA) réalisent le premier transistor MOS.

Vers la même époque, en 1959, Texas brevète le circuit intégré et Fairchild, en 1960, met
au point le procédé planar. L’ère du circuit intégré est commencée !

Les semi-conducteurs peuvent être classés comme indiqué ci-dessous.

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1.1.2. Semi-conducteur intrinsèque

a) Introduction

Un semi-conducteur intrinsèque est constitué d'un matériau semi-conducteur sous sa


forme extrêmement pure

Les corps simples semi-conducteurs sont obtenus dans le groupe IV de la classification


périodique des éléments (voir le Tableau 1.1). Ce sont le germanium, et surtout le silicium.

Tableau 1.1 Classification périodique de Mendeleiev

Les corps simples semi-conducteurs ont la caractéristique principale d’être tétravalent,


c’est-à-dire que leur couche extérieure comporte 4 électrons. Ils cristallisent dans le système du
carbone (diamant) qui est le système cubique présenté à la Figure 1.1. Chaque atome est au centre
d’un tétraèdre régulier dont les 4 sommets sont occupés par les atomes voisins les plus proches.

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Figure 1.1 Système cubique

Les liaisons entre atomes sont des liaisons de valence, très stables, chaque atome mettant
un électron périphérique en commun avec chaque proche voisin. Leur couche périphérique se
trouve ainsi complétée à huit électrons, ce qui est une configuration très stable.

Au zéro absolu, il n’y a pas d’agitation thermique et tous les électrons périphériques
participent aux liaisons covalentes ; aucun n’est donc libre pour participer à la conduction
électrique : le corps est isolant.

Lorsqu’on élève la température, l’agitation thermique permet à quelques électrons de se


libérer de la liaison covalente, et d’être mobiles dans le cristal. Figure 1.2 (b).

Figure 1.2 Liaison de covalence en (a) et création d’une paire électron trou en (b).

Les exemples communs de tels semi-conducteurs sont : le germanium pur et le silicium


qui ont interdit des espaces d'énergie de 0,72 eV et 1,1 eV respectivement. L'espace énergétique
est tellement petit que, même à la température ambiante ordinaire, il existe de nombreux
électrons qui possèdent une énergie suffisante pour franchir le faible espace d'énergie entre la
valence et les bandes de conduction. Cependant, il convient de noter que pour chaque électron
libéré dans la bande de conduction, un trou chargé positivement est créé dans la bande de
valence. Lorsqu'un champ électrique est appliqué à un semi-conducteur intrinsèque à une
température supérieure à 0ºK, les électrons de conduction se déplacent vers l'anode et les trous
dans la bande de valence se déplacent vers la cathode. Par conséquent, le courant à semi-
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conducteur consiste en un mouvement d'électrons et de trous dans des directions opposées. Le
courant d'électrons est dû au mouvement des électrons dans la bande de conduction tandis que le
courant de trou se trouve dans la bande de valence à la suite du «saut» des trous d'un atome à
l'autre.

Comme indiqué ci-dessus, dans les semi-conducteurs purs, la conduction électrique est
due aux paires de trous électroniques générées thermiquement. Par conséquent, dans les semi-
conducteurs purs maintenus dans l'obscurité, les supports de charge générés thermiquement sont
le seul moyen de conduction. Le nombre de ces porteurs de charge par unité de volume (c'est-à-
dire la densité de porteuse intrinsèque) est donné par

ni = N exp (−Eg / 2kT)

Où N est constant pour un semi-conducteur donné, Eg est l'énergie de la bande interdite en


joules, k est la constante de Boltzmann et T est la température en ºK.

b) Notion de trou

On voit que la perte de l’électron a provoqué un site vacant, ou trou, dans le cristal.
L’atome considéré est ionisé positivement, mais l’ensemble du cristal reste électriquement neutre.

Le trou créé va participer à la conduction électrique. En effet, supposons que le matériau


semi-conducteur considéré soit baigné dans un champ électrique 𝐸⃗ . Les électrons libres vont bien
sûr dériver dans la direction opposée au champ, sous l’action de la force 𝐹 .

𝐹 = −𝑞𝐸⃗

Mais de plus, sous l’action du champ électrique et de la température, un électron de


liaison voisin du trou va pouvoir le combler, laissant à sa place un nouveau trou qui pourra à son
tour être comblé par un autre électron, etc. (Voir la figure 1.3). Tout se passe donc comme si le
trou progresse dans le sens du champ électrique, et participe à la conduction dans le semi-
conducteur, au même titre que l’électron libre.

On définit donc le trou comme un nouveau porteur de charge positive. Cela est bien sûr
fictif, et seul est réel le déplacement des électrons de valence, mais le phénomène mis en jeu est
fondamentalement différent de celui utilisé par les électrons de conduction.

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Figure 1.3 Progression d’un trou sous l’effet d’un champ électrique.

c) Corps composés semi-conducteurs

Dans un cristal pur (semi-conducteur intrinsèque), le nombre de paires électron-trou


créées dépend beaucoup de la température, ainsi que de la cohésion des liaisons covalentes (c’est-
à-dire de la difficulté à arracher un électron au réseau cristallin) du corps considéré.

Dans, le diamant, à température ambiante, la quantité de paires électrons-trou créées est


négligeable, et celui-ci est donc un isolant. Les seuls corps simples utilisés en tant que semi-
conducteur sont donc le silicium et le germanium (ce dernier n’est pratiquement plus utilisé).

Mais on utilise actuellement de plus en plus de composés, le plus souvent des alliages
binaires, de corps trivalents d’une part (colonne III du Tableau 1), et pentavalents d’autre part
(colonne V). L’Arséniure de Gallium (AsGa) prend ainsi une importance croissante dans les
nouveaux dispositifs semi-conducteurs, principalement aux fréquences élevées.

On peut citer encore, comme semi-conducteur composé le sulfure de Cadmium (CdS)


utilisé dans les photorésistantes, l’antimoniure d’indium (InSb). Le cristal formé possède les
mêmes propriétés que les corps simples semi-conducteurs, les atomes trivalents et pentavalents
étant en quantité identique (les couches externes des atomes sont donc complétées à 8 électrons).

1.1.3 Semi-conducteur extrinsèque

L’utilisation du semi-conducteur pur présente assez peu d’intérêt. L’utilisation de semi-


conducteur dans la plupart des composants électroniques se fait dans un état dit dopé (semi-
conducteur extrinsèque), par opposition avec le semi-conducteur pur, ou intrinsèque.

a) Semi-conducteur de type N

Supposons par exemple que dans un semi-conducteur très pur, on introduise volontairement un
corps pentavalent (métalloïde : phosphore, arsenic, antimoine) dans une proportion (taux de

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dopage) d’un atome d’impureté pour 105 à 108 atomes de semi-conducteurs. On a alors, dans le
cristal, la situation schématisée en Figure 1.4.

Figure 1.4 Effet du dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres.

L’électron en surplus n’entrant pas dans une liaison covalente n’est que faiblement lié à
l’atome pentavalent. À la température ambiante, il est libre dans le semi-conducteur (à cause de
l’agitation thermique) et participe à la conduction. Il en est pratiquement ainsi de tous les
électrons en excès venant de l’impureté pentavalente. Le semi-conducteur extrinsèque ainsi
constitué est dit de type N. L’impureté dans ce cas est appelée donneur.

Remarque. La neutralité globale du semi-conducteur est bien sûr conservée, à chaque électron
libre dans le cristal, correspondant un ion positif d’impureté dans le même cristal.

b) Semi-conducteur de type P

Introduisons maintenant dans le semi-conducteur intrinsèque, en faible quantité, un corps


trivalent (par exemple Bore, Aluminium, Gallium ou Indium). Les atomes de cette impureté vont
se substituer, de place en place, à ceux du semi-conducteur : Figure 1.5.

Une lacune apparaît dans la liaison covalente, à l’endroit de chaque atome accepteur. À la
température ambiante, cette lacune est comblée par un électron voisin sous l’effet de l’agitation
thermique, formant un trou positif dans le cristal, libre de se déplacer à l’intérieur de celui-ci. On
trouve donc, à température ambiante, pratiquement autant de trous libres que d’atomes accepteurs.
Bien sûr, la neutralité du cristal est conservée globalement chaque atome accepteur étant ionisé
négativement après capture d’un électron. Le semi-conducteur extrinsèque ainsi crée est dit de
type P.

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Figure 1.5 Effet du dopage pour augmenter le nombre des trous libres.

1.2 INTRODUCTION À LA THÉORIE DES BANDES


On va préciser ici, de façon quantitative, les notions abordées au paragraphe précédent.

1.2.1 Niveaux d’énergie d’un atome isolé

Considérons un atome isolé : les électrons qui gravitent autour du noyau ne peuvent
occuper que certains niveaux d’énergie autorisés, définis par la mécanique quantique.

Chacun de ces niveaux d’énergie quantifiés ne peut être occupé que par 2 électrons de
Spin opposés (principe d’exclusion de Pauli). Le remplissage des électrons se fait donc par
couches ; sur chacune de ces couches, les niveaux d’énergie des électrons sont très proches les
uns des autres. Dans la couche n, il existe ainsi n2 niveaux d’énergie possibles, pouvant recevoir
chacun 2 électrons sur lui-même. Il peut donc y avoir 2n2 électrons par couche. L’atome de
silicium est ainsi représenté en Figure 1.6.

Figure 1.6 Atome isolé de silicium.

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1.2.2 Édifice cristallin

Lorsque l’on rapproche une grande quantité d’atomes pour former un monocristal, les
niveaux d’énergie de chaque atome se séparent en une multitude de niveaux très rapprochés qui
pourront chacun être occupés par une paire d’électrons de Spin opposé (ceci, toujours à cause du
principe d’exclusion de Pauli appliqué au monocristal considéré).

Les bandes d’énergie permises (pratiquement continues vus le grand nombre d’états
possibles pour un cristal de dimension utilisable : 1020 atomes par mm3), ainsi obtenues sont
séparées par des bandes interdites, correspondant à des niveaux d’énergies qu’aucun électron ne
peut avoir. La Figure 1.7 illustre ce phénomène pour le silicium.

Figure 1.7 Principe de la création d’une bande d’énergie (bande interdite).

Considérant maintenant un cristal donné, essayons de déterminer quelles sont les conditions à
réunir pour obtenir un conducteur, un isolant, ou un semi-conducteur.

1.2.3 Niveau de Fermi

On sait que les électrons occupent tous les niveaux d’énergie permis à partir du plus bas.
La valeur WF, représente la limite qui sépare les places libres et les places occupées.

WF est appelée énergie ou niveau de Fermi (WF dépend de la température).

Tous les niveaux d’énergie tels que : W < WF sont occupés, et tels que W > WF sont
libres au zéro absolu.

Lorsqu’on élève la température, l’agitation thermique des atomes cède de l’énergie aux
électrons, leur permettant d’accéder à des niveaux d’énergie supérieure, libres dans le cas du
conducteur.

La répartition des électrons est alors décrite par la statistique de Fermi-Dirac. La fonction
de Fermi-Dirac fournit la probabilité d’occupation d’un niveau W à la température T. On a, à
toutes les températures, la relation suivante :

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1
𝑓𝐹𝐷 =
𝑊 − 𝑊𝐹
1 + exp⁡( )
𝑘𝑇

avec : KT = 26 × 10−3 eV à 300 K

a) Cas d’un isolant

Dans le cas de l’isolant, le niveau de Fermi se trouve dans une bande interdite, et la
largeur de cette bande est trop grande (6 à 7 eV pour le diamant par exemple) pour être franchie
par un nombre appréciable d’électrons à température ambiante. C’est le cas de la Figure 1.7. Si
l’on applique un champ électrique, l’énergie des électrons ne peut être accrue : le matériau est
isolant.

b) Cas d’un conducteur

Dans le cas du conducteur à la température T, les électrons se répartissent autour du


niveau de Fermi. Le niveau des électrons peut s’accroître dans la bande autorisée aux dépens d’un
champ électrique appliqué : le matériau est conducteur.

c) Cas d’un semi-conducteur intrinsèque

La largeur de la zone interdite est faible, de l’ordre de 1 eV (1,1 eV pour le silicium, 0,7 eV
pour le germanium et 1,4 eV pour l’arséniure de gallium).

À la température zéro absolu, tous les électrons sont dans la bande de valence, et aucun
ne peut participer à la conduction. Dès que la température s’élève, certains électrons passent de la
bande de valence à la bande de conduction, laissant un trou dans la bande de valence. La quantité
de paires d’électrons-trous créées, et donc la conductivité, augmente avec la température, au
contraire des conducteurs. Pour un semi-conducteur intrinsèque, le niveau de Fermi se trouve au
milieu de la bande interdite.

𝑊𝑐 + 𝑊𝑣 ∆𝑊
𝑊𝐹 = = 𝑊𝑣 +
2 2

Avec : Wc = Energie de la bande de conduction ; Wv = Energie de la bande de valence ; ΔW = Wc − Wv qui


représente la bande interdite (Gap).

Le nombre de paires électrons-trous créées à la température ambiante (300 K) est


relativement faible. La densité des électrons de conduction n, est égale à la densité des trous p,
soit :

∆𝑊
𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 ⁡⁡⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡⁡⁡⁡𝑛𝑝 = 𝑛𝑖 2 = 𝐴𝑇 3 𝑒𝑥𝑝 (− )
𝑘𝑇
A : constante spécifique du matériau, indépendante de la température.

Valeur numérique. À la température ambiante, il y a à peu près une paire électron-trou pour
3x1012 atomes de silicium, et une pour 2x109 atomes de germanium.

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d) Cas d’un semi-conducteur extrinsèque

➤ Cas d’un matériau de type N

Une bande d’énergie très étroite et légèrement en dessous de la bande de conduction est
créée. Au zéro absolu, tous ces niveaux donneurs sont occupés par les électrons en excès, mais à
la température ambiante, ces électrons passent dans la bande de conduction.

On a toujours : np = ni2, la densité d’électrons n est voisine, à la température ambiante, de


la densité des atomes donneurs Nd, (Nd ≫ ni ). Les électrons sont appelés porteurs majoritaires et
les trous sont des porteurs minoritaires. Dans ce cas, la densité de trous devient :

𝑛𝑖2
𝑝= ≪ 𝑛𝑖
𝑁𝑑

➤ Cas d’un matériau de type P

Il y a création, tout près de la bande de valence de Na niveaux d’énergie libres (Na :


densité d’atomes accepteurs). Dès que la température s’élève, ces niveaux se comblent d’électrons
sous l’effet de l’agitation thermique, provoquant ainsi la formation de Na trous dans la bande de
valence. Les trous sont les porteurs majoritaires et les électrons sont les minoritaires.

𝑛𝑖2
𝑛= ≪ 𝑛𝑖
𝑁𝑎

Remarques. 𝑛𝑖2 double de valeur tous les 8 à 11 °C pour le germanium, et tous les 5 à 7 °C pour
le silicium, ceci aux températures usuelles jusqu’à 100 °C.

– En-dessous d’une température minimum, les porteurs majoritaires ne sont pas libérés.

– Au-delà de la température maximale d’utilisation, le nombre de paires électron-trou générées


thermiquement ni devient du même ordre de grandeur que la concentration Na ou Nd en
porteurs majoritaires (Tmax ≈ 200 °C pour le silicium).

1.3 CONDUCTION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS


1.3.1 Mobilité

En l’absence d’un champ électrique, le mouvement des porteurs de charge (électrons et


trous) dans le semi-conducteur est erratique. En présence d’un champ électrique 𝐸⃗ , à ce
mouvement désordonné s’ajoute une vitesse moyenne proportionnelle au champ.

𝑣𝑛 = −𝜇𝑛 𝐸⃗ et pour les trous on a : ⃗⃗⃗⃗


Pour les électrons on a : ⃗⃗⃗⃗ 𝑣𝑝 = 𝜇𝑝 𝐸⃗

μ est la mobilité des porteurs de charges, plus faible pour les trous que pour les électrons.

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𝑃𝑜𝑢𝑟⁡𝑙𝑒⁡𝑠𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑢𝑚 ∶ ⁡ 𝜇𝑛 = 0,14𝜇𝑝 = 0,05⁡𝑒𝑛⁡𝑚2 /𝑉𝑠
Valeurs numériques.{
𝑃𝑜𝑢𝑟⁡𝑙𝑒⁡𝑔𝑒𝑟𝑚𝑎𝑛𝑖𝑢𝑚 ∶ ⁡ 𝜇𝑛 = 0,38𝜇𝑝 = 0,17⁡𝑒𝑛⁡𝑚2 /𝑉𝑠

Remarque. Le mouvement moyen des porteurs de charges est uniforme (vitesse constante) et
non pas uniformément accéléré (cas de l’électron dans le vide), à cause des collisions avec les
atomes du cristal.

1.3.2 Loi d’Ohm

La densité de courant due à n électrons ou pour p trous par unité de volume vaut :

⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗𝑛 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 𝐸⃗ = 𝜎𝑛 𝐸⃗


𝐽𝑛 = −𝑞𝑛𝑣

⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗𝑝 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 𝐸⃗ = 𝜎𝑝 𝐸⃗


𝐽𝑝 = +𝑞𝑝𝑣

σn et σp sont les conductivités dues respectivement aux électrons et aux trous. La densité de
courant totale vaut donc :

𝐽 = ⃗⃗⃗
𝐽𝑛 + ⃗⃗⃗
𝐽𝑝 = (𝜎𝑛 + 𝜎𝑝 )𝐸⃗ = 𝜎𝐸⃗

Cette expression représente la loi d’Ohm généralisé. La quantité : σ est la conductivité du


semi-conducteur.

𝜎 = 𝜎𝑛 + 𝜎𝑝

Pour un semi-conducteur extrinsèque, le terme dû aux porteurs majoritaires est


prépondérant, et l’effet des porteurs minoritaires étant négligeable.

1.3.3 Diffusion des porteurs dans les semi-conducteurs

a) Diffusion

Lorsque, dans un cristal, les électrons et les trous ne sont pas uniformément répartis, ou si
la température n’est pas uniforme, l’énergie cinétique des porteurs par unité de volume n’est pas
uniforme. Il apparaît alors un phénomène de diffusion des porteurs, des régions de forte
concentration aux régions de faible concentration, ou des régions à haute température vers celles
à basse température. Les courants de diffusion des porteurs valent :

⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⁡⁡⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡⁡⁡𝐽⃗⃗⃗𝑝 = −𝑞𝐷𝑝 × 𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑝)


𝐽𝑛 = 𝑞𝐷𝑛 × 𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑛) ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗

Dn, Dp sont respectivement les coefficients de diffusion des électrons et des trous. On a :

𝐾𝑇 𝐾𝑇
𝐷𝑛 = 𝜇𝑛 × ⁡⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡⁡𝐷𝑝 = 𝜇𝑝 ×
𝑞 𝑞

Si l’on a, dans un cristal, un champ électrique appliqué avec diffusion, les densités de courants
deviennent :

𝐽𝑛 = 𝑞(𝑛𝜇𝑛 𝐸⃗ + 𝐷𝑛 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
⃗⃗⃗ 𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑛))⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡⁡𝐽⃗⃗⃗𝑝 = 𝑞(𝑝𝜇𝑝 𝐸⃗ − 𝐷𝑝 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑝))
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Valeurs numériques. Pour le silicium on a : Dn = 0,003 m2/s ; Dp = 0,001 m2/s.

b) Durée de vie des porteurs et longueur de diffusion

Des transitions d’un état à l’autre se produisent sans cesse même s’il y a un équilibre
thermodynamique dans un semi-conducteur, cet équilibre traduit le résultat global de générations
et recombinaisons dans les différentes bandes d’énergie.

À l’équilibre, il y a autant de création que de disparitions de porteurs. Si, localement, pour


une raison quelconque (éclairement, bombardement ionisant...) le nombre de disparitions va
s’écarter du nombre de créations, un retour à l’équilibre s’effectue selon une loi exponentielle :

𝑛 − 𝑛0 = (𝑛(0) − 𝑛0 ) × 𝑒 −𝑡/𝑡𝑛

Pour t = t0

tn est la durée de vie des électrons dans le cristal. C’est le temps moyen d’existence d’un électron
en excès. Cette durée de vie dépend des impuretés, des défauts cristallins...

Ordre de grandeur. 10−9 s < tn < 10−3 s

La concentration des porteurs le long de l’axe de diffusion évolue exponentiellement

𝑛 − 𝑛0 = (𝑛𝑥=0 − 𝑛0 )𝑒 −𝑥/𝐿𝑛 ⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡𝑝 − 𝑝0 = (𝑝𝑥=0 − 𝑝0 )𝑒 −𝑥/𝐿𝑝

Avec 𝐿𝑛 = √𝐷𝑛 𝑡𝑛 ⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡⁡𝐿𝑝 = √𝐷𝑝 𝑡𝑝

Ln et Lp sont la longueur de diffusion des électrons et celle des trous. Un champ


électrique superposé augmenterait ou diminuerait ces longueurs de diffusion, selon qu’il
accélérerait ou freinerait les porteurs.

1.4 LA JONCTION PN
Une jonction est constituée par la transition, dans un même monocristal de semi-
conducteur, entre deux zones dont l’une est de type N et l’autre de type P. On se limitera ici au
cas de la transition brusque, avec une surface de séparation des deux zones qui est plane. Figure
1.8 (a).

1.4.1 Jonction isolée

a) Diffusion des majoritaires et zone de transition

Les porteurs majoritaires de la zone P diffusent vers la région N, où ils sont beaucoup
moins nombreux. De même, les électrons de la région N diffusent vers la zone P. Ce phénomène
de diffusion s’arrête avant que la répartition des trous et des électrons dans tout le cristal ne soit
homogène. Un autre phénomène intervient.
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Dans la zone P, au voisinage de la jonction, les trous et les électrons sont en grande
quantité. Ces deux types de porteurs ont donc une forte probabilité de recombinaison, si bien que
la concentration en porteurs mobiles dans la zone P au voisinage de la jonction est très faible. De
même, la zone N au voisinage de la jonction est pratiquement dépourvue de porteurs. Une zone
pratiquement dépourvue de porteurs mobiles s’étend donc de part et d’autre de la jonction (sur
une épaisseur de l’ordre du micron). On l’appelle zone de transition. Figure 1.8 (b).

Figure 1.8 Principe de la création d’une zone de transition.

Les charges des porteurs fixes (ions d’impuretés) n’y sont plus compensées par celles des
porteurs mobiles. On trouve donc, dans la zone de transition :

 en zone P une région chargée négativement par les atomes accepteurs ionisés ;
 en zone N une région chargée positivement par les atomes donneurs ionisés.

b) Équilibre et conduction des porteurs minoritaires

Le champ électrique interne prenant naissance à cause de la charge d’espace en zone de


transition a pour premier effet de freiner la diffusion des porteurs majoritaires. De plus, un
courant dû aux minoritaires (électrons en zone P, trous en zone N) s’établit, le champ interne
ainsi crée favorisant leur passage.

Le sens de ce courant est, bien sûr, opposé au courant de diffusion des majoritaires. À
l’équilibre, le courant de diffusion des majoritaires est équilibré par le courant de conduction des
minoritaires (appelé courant de saturation).

c) Équations de la jonction à l’équilibre

La neutralité électrique du cristal étant conservée, le nombre d’ions négatifs en zone de


transition P est donc égal au nombre d’ions positifs en zone de transition coté N. On suppose les
densités de charge d’espace constantes en zone de transition, de part et d’autre de la jonction, ce
qui représente une bonne approximation de la réalité. On en déduit la relation :

𝑞𝑁𝐴 𝑥𝑝 = 𝑞𝑁𝐷 𝑥𝑛

Avec :
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NA : densité d’atomes accepteurs en zone P

ND : densité d’atomes donneurs en zone N

xp et xn profondeur de la zone de transition en zone P et en zone N

Les caractéristiques du champ et du potentiel internes sont données par l’équation de


Poisson.
𝝆
∆𝜳 + = 𝟎⁡⁡⁡𝒆𝒕⁡⁡⁡⁡𝑬 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝒊𝒏 = −𝒈𝒓𝒂𝒅𝜳
𝜺
𝝆 représente la densité de charge d’espace et 𝚿 est le potentiel interne. On démontre que la
variation du potentiel interne Vb = 𝚿N − 𝚿P, ou barrière de potentiel, entre la zone N et la zone
P vaut : Vb = 0,6 à 0,7 volt pour le silicium.

Cette barrière de potentiel représente l’obstacle à franchir par les porteurs majoritaires
diffusant à travers la jonction. En appelant lt la longueur totale de la zone de transition, on a : lt =
xp + xn, le champ interne maximum se produit au niveau de la jonction et vaut E0 :

𝐾𝑇 𝑁𝐷 𝑁𝐴 𝑉𝑏
𝑉𝑏 ≈ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐿𝑛 ( 2 ) ⁡⁡⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡⁡𝐸0 = 2 − 𝑔𝑟𝑎𝑑𝛹
𝑞 𝑛𝑖 𝑙𝑡

Valeur numérique. En supposant 2Vb ≈ 1 V et lt = 1 𝜇, on obtient : E0 = 106 V/m.

Remarque. La zone de transition s’étend le plus profondément dans la zone la moins dopée.
Dans le cas pratique d’un transistor bipolaire, il s’agit d’une zone appelée émetteur qui est 1 000
fois plus dopée que l’autre (appelée base), la zone de transition s’étend presque exclusivement
dans la base.

d) Expression des courants de diffusion et de saturation

Pour franchir la barrière de potentiel Vb définie ci-dessus, on doit fournir aux trous +q
diffusant de la région P vers la région N, et aux électrons −q diffusant de N vers P l’énergie
suivante :

∆𝑊𝑏 = 𝑞𝑉𝑏

L’énergie nécessaire sera fournie par l’agitation thermique. À la température T, la


probabilité pour un porteur d’acquérir l’énergie ΔWb est définie par la loi de Fermi dans
l’approximation de Boltzmann, soit :
∆𝑊𝑏 𝑞𝑉𝑏
𝑃𝑊>∆𝑊𝑏 = 𝑒 − 𝑘𝑇 = 𝑒 − 𝑘𝑇

Le courant de diffusion des majoritaires associés sera donc de la forme :


−𝑞𝑉𝑏
𝐼𝐷 = 𝐼0 𝑒 𝑘𝑇

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Car le courant est proportionnel au nombre de porteurs franchissant la barrière de
potentiel établie au niveau de la jonction. Par contre les minoritaires des deux régions sont
accélérés par le champ interne, et traversent donc la jonction en cédant l’énergie ΔWb au cristal.

Figure 1.9 Variation de la concentration, du potentiel électrostatique et du champ électrique


interne en fonction de x.

Ce double mouvement des minoritaires définit un courant Is ayant le sens inverse du


courant de diffusion des majoritaires. Ce courant de saturation est une fonction croissante de la
température, comme le nombre de porteurs minoritaires dans le cristal. À l’équilibre, le courant
global est nul, et les deux courants ID et IS
𝑞𝑉𝑏
𝐼𝑆 = 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑇𝑗, 𝑉𝑏) = 𝐼0 𝑒 − 𝑘𝑇

Remarque. L’existence d’un potentiel interne pour une jonction isolée ne signifie nullement
qu’une tension externe est mesurable aux bornes de la jonction PN.

1.4.2 Jonction PN polarisée en direct

a) Principe d’étude

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Soit le dispositif de la figure 1.10, constitué d’une jonction PN aux bornes de laquelle on
applique une tension extérieure V = Vp − Vn positive. Cela revient à faire passer la différence de
potentiel entre les extrémités de la zone de transition de Vb à Vb −V.

Figure 1.10 Jonction PN polarisée en direct.

Le courant de diffusion des majoritaires va donc se trouver augmenté, la probabilité 𝜸 de


diffusion, et donc le courant associé est maintenant proportionnel à 𝜸, par contre, le courant de
saturation dû aux minoritaires se trouve pratiquement inchangé si la température de la jonction ne
varie pas.
𝑞(𝑉𝑏 −𝑉)
𝛾 = 𝑒− 𝑘𝑇

b) Relation courant-tension

Un courant prend naissance comme conséquence de la tension directe appliquée, ayant comme
valeur : I = ID − IS. Ce courant, principalement dû aux majoritaires, traverse la jonction dans le
sens P vers N.
𝑞𝑉𝑏
Pour V = 0, on a : 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 = 𝐼0 𝑒 − 𝑘𝑇

Pour V > 0, IS garde la même valeur et ID augmente pour prendre la valeur :


𝑞(𝑉𝑏 −𝑉) 𝑞𝑉𝑏 𝑞𝑉 𝑞𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼0 𝑒 − 𝑘𝑇 = 𝐼0 𝑒 − 𝑘𝑇 𝑒 +𝑘𝑇 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑘𝑇
𝑞𝑉
Le courant total vaut donc : 𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑘𝑇 − 1)

C’est une équation fondamentale dans la théorie des diodes et des transistors.
𝑘𝑇 𝑞
Valeurs numériques. = 26⁡𝑚𝑉⁡⁡⁡𝑑𝑜𝑛𝑐⁡⁡ 𝑘𝑇 ≈ 39⁡𝑉 −1 ⁡⁡à⁡⁡⁡𝑇 = 300⁡𝐾⁡
𝑞

D’où : 𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 39𝑉 − 1) = 𝐼𝑆

V = 0,1 Volt, le courant est : 𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 3,9 − 1) = 48,4𝐼𝑆

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𝑞𝑉 𝑞𝑉
Donc si V > 0,1 V, alors : 𝐼 ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝑘𝑇 car alors on a : 𝑒 𝑘𝑇 ≫ 1.

Le courant de saturation IS est la somme des courants dus aux porteurs minoritaires (trous
dans la région N et électrons dans la région P) : IS = IPS + INS

Ces courants sont proportionnels aux concentrations de minoritaires, donc ils sont
proportionnels aussi à 𝑛𝑖2 , qui ne dépendent que du matériau et de la température.

Valeurs numériques. Pour une jonction de 1 mm2 de section, ayant ND = 1022 m−3, on a,
à 300 K :

IS = 2 × 10−4 A pour le germanium et IS = 10−12 A pour le silicium.

Remarque. En présence d’une tension externe appliquée, la barrière de potentiel devient Vb −


V . La largeur lt de la zone de transition varie proportionnellement à √𝑉𝑏 − 𝑉 et diminue donc
quand on applique une polarisation directe.

1.4.3 Jonction PN polarisée en inverse

C’est le cas schématisé en figure 1.11, la différence de potentiel appliquée aux bornes de la
zone de transition atteint Vb − V et le courant de diffusion des majoritaires est proportionnel à :
𝑞(𝑉𝑏 −𝑉)
𝛾 = 𝑒− 𝑘𝑇

Figure 1.11 Jonction PN polarisée en inverse

Pour |V | > 0,1, le courant de diffusion des majoritaires devient négligeable devant le courant de
saturation des minoritaires.

Exemple numérique. Pour une valeur V = −0,1 Volt, on a :

𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 −39×0,1 − 1) ≈ 𝐼𝑆 ⁡⁡⁡à⁡⁡300⁡𝐾.

Le courant de saturation est atteint à 2 % près.

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Conclusion. En polarisation inverse, dès que |V | > 0,1 V, la jonction PN est bloquée et n’est
plus traversée que par le courant de saturation Is dû aux porteurs minoritaires, et traversant la
jonction dans le sens N vers P.

Ce courant inverse est indépendant de la tension appliquée et ne dépend que de la


température. Il reste très faible devant les courants directs (∼ 10−9 A pour Si).

1.5 DIODE À JONCTION


1.5.1 Diode à jonction idéale

La jonction PN étudiée précédemment présente donc un effet unidirectionnel très


marqué ; en polarisation directe, le courant croit très rapidement (exponentiellement) en fonction
de la tension, alors qu’en polarisation inverse, le courant traversant la jonction est pratiquement
négligeable.

Ce comportement est proche de celui d’un composant électronique idéal, appelé diode,
équivalent à un court-circuit en polarisation directe (V > 0) et à un circuit ouvert en polarisation
inverse (V < 0). La représentation symbolique de la diode est donnée en Figure 1.12. Le
comportement de la diode à jonction idéale est donné par l’équation avec les notations et les
polarités de la Figure 1.12.

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Figure 1.12 Représentation symbolique (a) de la diode à jonction (b).

La caractéristique courant-tension d’une diode à jonction au silicium est donnée en Figure


1.13 à deux températures différentes.

Figure 1.13 Caractéristique courant-tension d’une diode idéale.

1.5.2 Diode à jonction réelle

a) Diode polarisée en inverse

Dans le cas du silicium où IS est théoriquement très faible de l’ordre de 10−12 A, des
courants parasites se superposent au courant de saturation (courants de surfaces, contribution des
défauts cristallins...), si bien que le courant inverse n’est pas constant en fonction de la tension
appliquée, et est beaucoup plus fort que prévu. Pratiquement, pour le silicium, le courant inverse
est de l’ordre de 10−9 A par mm2 de jonction, et double tous les 12 à 15 °C.

b) Diode polarisée en directe

Pour les faibles tensions directes (V < 0,5 volt), le courant suit la loi :

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𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 2𝑘𝑇 − 1)

Pour les courants moyens on a :


𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑛𝑘𝑇 − 1) , 𝑎𝑣𝑒𝑐⁡⁡1 < 𝑛 < 1,5⁡

Pour les forts courants (fortes injections) le courant est plus faible également que le
courant théorique.

Le coefficient n est le coefficient de non-idéalité de la diode. Certains auteurs l’appellent


coefficient d’idéalité.

1.5.3 Modèles statiques de la diode à jonction PN

a) L’utilité des modèles

Un modèle consiste en une représentation simplifiée du fonctionnement de la diode en


vue de faciliter l’analyse d’un phénomène ou l’étude d’un système.

La diode est un élément non linéaire, or l’analyse d’un comportement non linéaire est
assez difficile. On remplace donc les diodes par des modèles linéaires.

Il y a différents modèles selon l’analyse ou l’étude souhaitée. Pour analyser un circuit


électrique qui fonctionne en régime continu (statique) on utilise :

b) Le modèle idéal

La représentation graphique du modèle idéal d’une diode à jonction PN est représentée à la


Figure 1.14 (a). Il s’agit d’un interrupteur fermé en polarisation directe (b) et ouvert en
polarisation inverse (c).

En direct, la diode est considérée comme un court-circuit : VD = 0 pour ID ≥ 0.

En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : ID = 0 pour VD ≤ 0.

Ce modèle est le plus simple, mais le moins précis. Il est utilisé pour des estimations
rapides et pour des analyses de circuits complexes.

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Figure 1.14 Caractéristique ID = f (VD) d’une diode idéale (a), modélisée en polarisation directe
(b) et en polarisation inverse (c).

c) Le modèle à seuil

On rajoute au modèle précédent la tension de seuil V0 qui représente la tension du coude


de la diode. Cette tension correspond à la barrière de potentiel à vaincre de la jonction PN, elle
est appelée aussi le potentiel de contact de la jonction PN.

En direct, on rajoute une force contre électromotrice V0 : VD = V0 pour ID ≥ 0.

En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : ID = 0 pour

VD ≤ V0.

Figure 1.15 Caractéristique ID = f (VD) d’une diode à seuil (a), modélisée en polarisation directe
(b) et en polarisation inverse (c).

d) Le modèle linéarisé

Dans ce modèle, dès que la tension dépasse V0, on rajoute une résistance rD qui reflète
une variation linéaire du courant en fonction de la variation de la tension.

En direct, on rajoute V0 et une résistance dynamique moyenne rD : VD = V0+rD ID pour


ID ≥ 0.

En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : ID = 0 pour VD ≤ V0.

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Figure 1.16 Caractéristique ID = f (VD) d’une diode linéarisée (a), modélisée en polarisation
directe (b) et en polarisation inverse (c).

La résistance dynamique moyenne rD est déterminée par la pente moyenne de la partie utilisée
de la caractéristique directe de la diode :

∆𝑉𝐷
𝑟𝐷 =
∆𝐼𝐷

Ce dernier modèle représente une très bonne approximation linéaire de la caractéristique


d’une diode réelle. Il est plus précis que le deuxième, mais plus complexe.

1.6 LA DIODE À JONCTION EN PETITS SIGNAUX


1.6.1 Notion de schéma équivalent

a) Polarisation directe

Supposons la diode à jonction polarisée en direct au point M par une tension V0, créant
un courant I0 à travers la jonction. Le fait de déterminer le point de repos ou point de polarisation
(V0, I0) est désigné par : étude en régime statique. Superposons à cette tension une tension
variable v de faible amplitude (étude en régime dynamique).

➤ Résistance dynamique

Quelle est alors la variation de courant i à travers la jonction, prenant naissance du fait de
cette variation de tension v ?

Si on suppose que le coefficient de non-idéalité n est proche de l’unité, le courant


devient :
𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑘𝑇 − 1)

Une faible variation v = dV de tension va créer une variation i = dI correspondante,


obtenue par différentiation de la relation précédente :
𝑞𝑉0 𝑞
𝑑𝐼 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑘𝑇 𝑑𝑉
𝑘𝑇

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Figure 1.17 Détermination de la résistance dynamique autour d’un point.
𝑞𝑉0
Or, si V0 > 0,1 V, on a : 𝑒 𝑘𝑇 ≫ 1
𝑞 𝑘𝑇
Soit : 𝑑𝐼 ≈ 𝐼0 𝑘𝑇 𝑑𝑉⁡⁡⁡𝑜𝑢⁡𝑒𝑛𝑐𝑜𝑟𝑒⁡⁡𝑑𝑉 = 𝑞𝐼 𝑑𝐼
0

𝑘𝑇
On écrit : 𝑣 = 𝑞𝐼 𝑖
0

Si l’on écrit la loi d’Ohm en petits signaux : v = rdi , on définit une résistance dynamique
de la diode à jonction, valable en petits signaux, au point de polarisation (V0, I0), de valeur :

𝑘𝑇
𝑟𝑑 =
𝑞𝐼0

On voit que cette résistance dynamique est inversement proportionnelle au courant I0


traversant la jonction, et ne dépend pas du matériau à courant identique. Cette résistance rd est
l’inverse de la pente de la tangente à la courbe I = f (V ) au point (V0, I0).
𝑘𝑇
Valeurs numériques : = 26⁡𝑚𝑉⁡⁡à⁡⁡300⁡𝐾
𝑞

26
Soit : 𝑟𝑑 = , 𝐼0 ⁡⁡𝑒𝑛⁡𝑚𝐴⁡𝑒𝑡⁡𝑟𝑑 ⁡⁡𝑒𝑛⁡⁡𝑂ℎ𝑚
𝐼0

➤ Capacité de diffusion

La résistance dynamique précédente n’est pas suffisante pour caractériser la diode à


jonction au point (V0, I0) pour des petites variations rapides (v, i ) autour de ces valeurs de repos.
La relation liant les petites variations de courant i aux petites variations de tension v est en fait :

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𝑣 𝑑𝑣
𝑖= +𝐶
𝑅𝑑 𝑑𝑡

C ayant les dimensions d’une capacité, et étant la somme de deux composantes :

𝐶 = 𝐶𝑗 + 𝐶𝑑𝑖𝑓𝑓

Cj est la capacité de jonction ou de transition et Cdiff est la capacité de diffusion. Le


deuxième terme est prépondérant en polarisation directe, et vaut :

𝑞𝐼0 𝑘𝑇𝐹
𝐶𝑑𝑖𝑓𝑓 = 𝑘𝑇𝐹 = ,⁡⁡⁡𝑎𝑣𝑒𝑐⁡⁡𝐶𝑑𝑖𝑓𝑓 ≫ 𝐶𝑗
𝑘𝑇 𝑅𝑑

La capacité de diffusion Cdiff est donc proportionnelle au courant traversant la jonction ;


elle est due principalement aux variations de charges diffusées dans la région la moins dopée.

➤ Schéma équivalent

Autour du point de repos (V0, I0), des petites variations de courant i et de tension v sont
responsables de Rd et de C. Ces deux quantités dépendent de la valeur de I0. On en déduit donc
un schéma équivalent de la diode à jonction pour des petits signaux autour du point de
polarisation (V0, I0). Ce schéma est un modèle de la diode pour des petits signaux.

Remarque. Ce schéma n’est pas applicable à des grands signaux, et n’est utilisé qu’afin de
linéariser le problème dans le cas de petits signaux. Les relations générales reliant courant et
tension aux bornes d’une diode sont en fait non linéaires.

Figure 1.18 Schéma équivalent de la diode polarisée en direct en petits signaux.

b) Polarisation inverse

En polarisation inverse, la largeur de la zone de transition dépend de la tension externe


appliquée, elle est proportionnelle à √𝑉𝑏 − 𝑉 pour une jonction abrupte, Vb étant la hauteur de la
barrière de potentiel, et V la différence de potentiel externe appliquée à la jonction, négative en
polarisation inverse.

Si la tension inverse appliquée à la diode −V est augmentée de −dV , la zone de charge


d’espace (zone de transition) augmente de dxp côté P et de dxn côté N. La charge d’espace
augmente donc de −dQ côté P et de +dQ côté N. On en déduit la capacité de transition Cj :

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𝑑𝑄 𝐶𝑗0
𝐶𝑗 = 𝑑|𝑉| , 𝑎𝑣𝑒𝑐⁡|𝑉| > 0 soit : 𝐶𝑗 (𝑉0 ) = 𝑉
√1+𝑉0
𝑏

Avec Cj0 : capacité de transition pour V0 = 0 V.


𝐶𝑗0
Pour une jonction à profil de dopage linéaire, on a : 𝐶𝑗 (𝑉0 ) = 1
𝑉 3
(1+ 0 )
𝑉𝑏

En polarisation inverse, pour le silicium, on peut négliger le courant inverse. La capacité


de diffusion est également négligeable devant la capacité de transition. C’est-à-dire qu’en
polarisation inverse, le schéma équivalent se résume à une capacité, égale à Cj .

Le courant i et la tension v en régime dynamique sont donc reliés par la relation :

𝑑𝑣
𝑖 = 𝐶𝑗
𝑑𝑡
Cj variant en raison inverse de V0 pour une jonction abrupte. On a donc réalisé
l’équivalent d’une capacité (en petits signaux) électriquement variable par une tension de
commande V0. Une diode utilisant cette propriété est appelée varicap ou varactor selon l’utilisation.

1.7 DIODE ZENER


1.7.1 Effet Zener

En polarisation inverse, dans certaines conditions, des électrons dans la bande de valence
du côté P peuvent passer directement dans la bande de conduction du côté N, par un processus
quantique appelé « effet tunnel ». Cet effet, donnant naissance à une augmentation du courant
inverse, est appelé effet Zener.

1.7.2 Avalanche

L’effet d’avalanche est le mode de claquage le plus courant dans les diodes et dans les
transistors.

Lorsqu’une forte tension inverse est appliquée aux bornes de la jonction, le champ
électrique interne peut être tel que l’énergie cinétique acquise par les porteurs minoritaires soit
suffisante pour créer des paires électrons-trous dans la zone de transition. Ces nouveaux porteurs,
après accélération par le champ interne peuvent à leur tour créer de nouvelles paires électrons-
trous, d’où le nom d’avalanche donné au phénomène. Le courant peut alors augmenter
rapidement, et provoquer la destruction de la jonction par effet joule.

1.7.3 Diode Zener

Ces deux effets sont utilisés pour réaliser des diodes de référence dites diodes Zener. En
fait, lorsque le claquage se produit pour |V | < 5 V, c’est l’effet Zener qui est en cause, alors que
pour |V| > 8 V, c’est l’effet d’avalanche. La caractéristique ID = f (VD) d’une diode Zener est
donnée à la Figure 1.19.

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Figure 1.19 Caractéristique courant-tension (a) et symboles d’une diode Zéner (b).

On conçoit des diodes Zener spéciales pour obtenir, contrôler et garantir les paramètres
souhaités :

 la tension de claquage appelée souvent tension Zener Vz ;


 la résistance dynamique de claquage rz appelée aussi résistance Zéner ;
 le courant minimal de la zone de claquage Izmin ;
 le courant maximal de claquage Izmax.

Figure 1.20 Circuit de tension zener de référence de base

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Figure 1.21 Circuit de régulation de tension zener de base

1.8 LA LED (diode électroluminescente)


Une diode électroluminescente (LED) est un type spécial de diode de jonction qui émet
une bande passante assez étroite de lumière visible (généralement rouge, orange, jaune ou verte)
ou invisible (infrarouge) lorsqu'elle est stimulée par un courant électrique avant. Les LED ont une
efficacité de conversion d'énergie typique de puissance à lumière d'environ dix à cinquante fois
supérieure à une simple lampe à tungstène et ont des temps de réponse très rapides (environ 0,1
μs, par rapport à des dizaines ou des centaines de millisecondes pour une lampe en tungstène) et
sont donc largement utilisé comme indicateurs «visuels» et comme affichage de la lumière mobile.

Une tension significative (environ 2 V) est présente aux bornes d’une LED lorsqu'elle est
traversée par un courant dans le sens direct, et le Tableau 1.1 montre les tensions directes
typiques des différentes LED standard colorées aux courants directs de 20 mA. Si une LED est
inversée, elle avalanche ou 'zeners' à une valeur de tension assez basse, comme le montre la
Figure 1.22; les LED les plus pratiques possèdent des tensions de tension inverse maximum
comprises entre 3 et 5 V.

Tableau 1.1 : Tensions directes typiques des LED standard à If = 20 mA

Couleur Rouge Orange Jaune Vert


Vf Typique 1,8 V 2,0 V 2,1 V 2,2 V

En cours d'utilisation, une LED doit être câblée en série avec un dispositif de limitation
de courant tel qu'une résistance; La Figure 1.23 montre comment calculer la valeur R nécessaire
pour donner un courant particulier à partir d'une tension d'alimentation particulière. En pratique,
R peut être connecté à l'anode ou à la cathode de la LED. La luminosité de la LED est
proportionnelle au courant de DEL; la plupart des LED fonctionnent en toute sécurité jusqu'à
des courants maximaux absolus de 30 à 40 mA.

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Figure 1.22 Une LED à polarisation inverse agit comme une diode zener

Figure 1.23 Méthode pour trouver la valeur de R pour un Vs et un If donnés

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Figure 1.24 Utilisation d'une LED comme indicateur dans un circuit AC basse tension

Une LED peut être utilisée comme indicateur dans un circuit A.C par le câblage en
parallèle inverse avec une diode normale, comme le montre la Figure 1.24, à empêcher que la
LED soit inversée; Pour une luminosité donnée, la valeur R doit être réduite de moitié par
rapport à celle du circuit D.C. Notez que si ce circuit est utilisé avec des fournitures A.C. de haute
valeur, R peut avoir besoin d'une puissance de puissance relativement élevée; Ainsi, s'il est utilisé
avec une alimentation de 250 V, il faudra une note minimale de 2,5 W à un courant LED moyen
de 10 mA. Ce dépassement peut être surmonté en remplaçant R par une série limitant le courant
condensateur, comme le montre la Figure 1.25. Ici, l'impédance C s limite le courant de LED à la
valeur souhaitée, mais C s dissipe la puissance proche de zéro, car son courant et sa tension sont
à 90° hors phase. Les valeurs Cs de 100 nF et 220 nF sont habituellement suffisantes sur les
lignes 250 V et 125 V 50-60 Hz A.C. respectivement.

Le circuit de base de la Figure 2.25 peut être utilisé comme un indicateur de «fusible
soufflé» en le raccordant comme indiqué sur la Figure 2.26. Normalement, le circuit est coupé par
le fusible, mais il est activé lorsque le fusible est «soufflé»; Dans cette condition, le courant de
charge est limité par la valeur Cs.

Figure 1.25 Utilisation d'une LED comme indicateur dans un circuit de ligne de courant A.C.

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Figure 1.26 Indicateur de "fusible soufflé" de la ligne de courant A.C.

Figure 1.27 Contour typique et méthode de reconnaissance de la polarité d'une LED

1.9 LES PHOTODIODES


Lorsque les jonctions en silicium P-N sont inversées, leurs courants de fuite et leurs
impédances sont intrinsèquement photosensibles; Ils agissent comme des impédances très élevées
dans des conditions sombres et comme de faibles impédances sous des luminaires. Les diodes
normales ont leurs jonctions enveloppées dans un matériau opaque pour arrêter cet effet
indésirable, mais les photodiodes sont spécialement fabriquées pour l'exploiter et ont leurs
jonctions encastrées en matière translucide. Certaines photodiodes sont conçues pour répondre à
la lumière visible et à la lumière infrarouge (infrarouge). En cours d'utilisation, la photodiode est
simplement inversée et la tension de sortie est prise à partir d'une résistance de charge connectée
en série, qui peut être connectée entre la diode et la masse, comme dans la Figure 1.28a ou entre
la diode et la ligne d'alimentation positive, comme dans la Figure 1.28b.

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Figure 1.28 Autres moyens d'utiliser une photodiode

Les photodiodes ont une sensibilité à la lumière beaucoup plus faible que les LDR des
sulfures de cadmium, mais donnent une réponse beaucoup plus rapide aux changements de
niveau lumineux. Généralement, les LDR sont idéaux pour une utilisation dans des applications
de détection de niveau de lumière à couplage direct à effet lent, tandis que les photodiodes sont
idéales pour une utilisation dans des applications à signal rapide de couplage couplé par A.C. Les
applications typiques de photodiode incluent des circuits de commande à distance infrarouge, des
commutateurs de rayons infrarouges et des circuits d'alarme, des circuits esclaves «flash»
photographiques, etc.

1.10 LES OPTOCOUPEURS


Un optocoupleur est un dispositif qui contient une diode électroluminescente
(habituellement un type IR) et un transistor photo (ou photodiode) correspondant; les deux
dispositifs sont étroitement couplés optiquement et sont montés dans un boîtier sans lumière. La
Figure 2.29 montre un circuit d'utilisation "d'utilisation" d'optocoupleur de base. Le LED est
utilisé comme côté entrée du circuit et le phototransistor comme sortie. Normalement, SWX est
ouvert et les LED et Ql sont donc désactivés. Lorsque S Wi est fermé, un courant passe à travers
la LED via Ru et Q1 est activé de manière optique et génère une tension de sortie sur R2. Notez
que le circuit de sortie est ainsi contrôlé par l'entrée, mais que les deux circuits sont entièrement
isolés électriquement (c'est le principal avantage de l'optocoupleur). En pratique, ce circuit simple
peut être facilement modifié pour donner un couplage de signaux numériques ou analogiques.

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Figure 1.29 Circuit d'opto-couplage de base

1.11 LES DIODES VARICAP


La Figure 1.30 montre un circuit d'utilisation de diode typique varicap. La diode est polarisée en
inverse à travers la résistance R1 et une tension de commande externe stable (habituellement
variable de zéro à environ 10 V), et la varicap est couplée à un circuit externe via le condensateur
de blocage Cx. La capacité varicap est maximale à la polarisation nulle, et diminue à mesure que la
polarisation augmente.

Figure 1.30 Circuit basique d'utilisation d’une diode varicap

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Figure 1.31 Varactor. (a) Les régions dopées sont comme des plaques de condensateur séparées
par un diélectrique. (b) circuit AC équivalent. (c) Symbole schématique. (d) Graphique de la
capacité en fonction la tension inverse.

Les diodes ordinaires au silicium ont des capacités maximales (polarisation nulle) de
quelques picofarads et ont des rapports de capacité maximum sur minimum (rapports des
Capacité) d'environ 2:1. Des diodes varicap spécialement fabriquées (qui sont souvent disponibles
en couple adapté) sont disponibles avec des valeurs maximales d'environ 500 pF et des rapports
de capacité de 20:1 (c'est-à-dire que la capacité peut être contrôlée en tension de 25 pF à 500 pF).
Ils sont largement utilisés dans les applications de réglage à commande de tension, etc.

1.12 LA DIODE SCHOTTKY


À mesure que la fréquence augmente, l'action des diodes redresseuses à petit signal
commence à se détériorer. Ils ne sont plus capables de s'éteindre assez rapidement pour produire
un signal à demi-onde bien défini. La solution à ce problème est la diode Schottky.

L'application la plus importante des diodes Schottky se trouve dans des alimentations à
commutation à grande vitesse. Parce qu'il n'a pas de stockage de charge, la diode Schottky est
également largement utilisée dans les circuits intégrés numériques pour atteindre des vitesses de
fonctionnement allant jusqu'à 200 MHz.

Étant donné qu'une diode Schottky a un potentiel de barrière de seulement 0,25 V, vous
pouvez le voir occasionnellement dans les redresseurs de pont basse tension car vous ne
soustrayez que 0,25 V au lieu des 0,7 V habituels pour chaque diode lors de l'utilisation de la
deuxième approximation. Dans une alimentation basse tension, cette baisse de tension de diode
inférieure est un avantage.

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Figure 1.32 Les diodes Schottky éliminent les queues aux hautes fréquences. (a) Circuit avec
diode Schottky. (b) Signal demi-onde à 300 MHz.

Figure 1.33 Application de la diode Schottky

1.13 DIODES PIN


Une diode PIN est un dispositif semi-conducteur qui fonctionne comme une résistance
variable aux fréquences RF et hyperfréquences. La Figure 1.34a montre sa construction. Il se
compose d'un matériau semi-conducteur intrinsèque (pur) pris en sandwich entre les matériaux
de type P et de type N. La Figure 1.34b montre le symbole schématique de la diode PIN.

Lorsque la diode est polarisée en direct, elle agit comme une résistance contrôlée en
courant. La Figure 1.34c montre comment la résistance en série de la diode PIN, RS, diminue à
mesure que son courant augmente. Lorsqu'il est inversé, la diode PIN agit comme un
condensateur fixé. La diode PIN est largement utilisée dans les circuits modulateurs RF et micro-
ondes. Lorsqu'il est correctement polarisé, la diode PIN peut être utilisée comme interrupteur
pour les fréquences de micro-ondes (> 1 GHz).

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Figure 1.34 Diode PIN

1.14 DIODE TUNNEL


(a) Fabrication

Il s'agit d'une diode de jonction P-N à deux bornes à haute conductivité ayant une densité de
dopage environ 1000 fois plus élevée par rapport à une diode de jonction ordinaire. Ce lourd
dopage produit après trois effets inhabituels :

1. Tout d'abord, il réduit la largeur de la couche d'appauvrissement à une valeur


extrêmement faible (environ 0,00001 mm) ;

2. Deuxièmement, il réduit la tension de rupture inverse à une très petite valeur (proche de
zéro), de sorte que la diode semble être ventilée pour toute tension inverse ;

3. Troisièmement, il produit une section de résistance négative sur la caractéristique Tension


/ Courant de la diode.

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Figure 1.35 Diode tunnel

(b) Caractéristique Tension / Courant

La polarisation directe produit une conduction immédiate, c'est-à-dire dès que la polarisation
directe est appliquée, un courant significatif est produit. Le courant augmente rapidement jusqu'à
sa valeur de crête Ip lorsque la tension directe appliquée atteint une valeur Vp (point A). Lorsque
la tension directe augmente encore, le courant de la diode commence à diminuer jusqu'à ce qu'il
atteigne sa valeur minimale appelée courant de vallée IV correspondant à la tension de vallée Vv
(point B). Pour des tensions supérieures à Vv, le courant commence à augmenter de nouveau
comme dans n'importe quelle diode de jonction ordinaire.

Figure 1.36 Diode tunnel

Comme le montre la Figure 1.36, entre le point de pointe A et le point de la vallée B, le courant
diminue avec l'augmentation de la tension appliquée. En d'autres termes, la diode tunnel possède
une résistance négative (- RN) dans cette région. En fait, cela constitue la propriété la plus utile de
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la diode. Au lieu d'absorber la puissance, une résistance négative produit de l'énergie. En
compensant les pertes dans les composants L et C d'un circuit résonnant, une telle résistance
négative permet des oscillations. Par conséquent, une diode tunnel est utilisée comme oscillateur
à très haute fréquence.

RN = − dV/dI.

(c) Circuit équivalent

Le circuit équivalent d'une diode tunnel est représenté sur la Figure 1.37. La capacité C est la
capacité de diffusion de jonction (1 à 10 pF) et (- RN) est la résistance négative. L'inducteur LS est
principalement attribuable aux câbles du terminal (0,1 à 4 nH). La résistance RS est due aux
conducteurs, au contact ohmique et aux matériaux semi-conducteurs (1 à 5 Ω). Ces facteurs
limitent la fréquence à laquelle la diode peut être utilisée. Ils sont également importants pour
déterminer la limite de vitesse de commutation.

Figure 1.37 Schéma équivalent de la diode tunnel

(d) Applications

La diode tunnel est couramment utilisée aux fins suivantes :

1. Comme un commutateur ultra-rapide - en raison du mécanisme de tunnel qui se déroule


essentiellement à la vitesse de la lumière. Il a un temps de commutation de l'ordre des
nanosecondes ou même des picosecondes;

2. En tant que périphérique de stockage de mémoire logique - en raison de la caractéristique


à triple valeur de sa courbe pour le courant.

3. Comme oscillateur hyperfréquence à une fréquence d'environ 10 GHz - en raison de sa


capacité et de son inductance et sa résistance négative extrêmement faibles.

4. Dans les circuits oscillants de relaxation - en raison de sa résistance négative. À cet égard,
il est très similaire au transistor unijunction.

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1.15 DIODE GUNN
C'est un dispositif hyperfréquence à résistance négative pour les applications d'oscillateurs.

Comme le montre la Figure 1.38, il se compose d'une fine tranche d'arséniure de gallium de type
N balayée entre deux conducteurs métalliques. La section centrale est l'arséniure de N-gallium
tandis que les deux sections extérieures sont épitaxialement cultivées à partir de GaAs avec un
dopage accru et une conductivité plus élevée. Comme oscillateur, ses fréquences vont de 5 GHz
et 100 mW jusqu'à 35 GHz et 1 mW de sortie. Des économies de 3 à 5% sont possibles à l'heure
actuelle.

Figure 1.38 Diode gunn

1.16 DIODE IMPATT


IMPATT signifie diode à « impact d’avalanche et temps de transit (impact avalanche
and transit time). Comme son nom l'indique, c'est une diode à micro-ondes qui utilise le temps
de retard requis pour obtenir une condition d'avalanche plus le temps de transit pour produire
une caractéristique de résistance négative. Il est utilisé comme oscillateur hyperfréquence dans
une gamme de fréquences de 10 à 100 GHz.

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CHAPITRE 2 : LES COMPOSANTS TRIPÔLES

Généralement en électronique, en électrotechnique et en automatique, on est amené à


utiliser des composants actifs en vue de réaliser une fonction particulière telle que l’amplification
ou l’adaptation d’impédance. Pour étudier ce genre de circuit, les composants actifs doivent être
remplacés par leurs modèles équivalents, valables souvent uniquement en dynamique à petits
signaux. On étudie dans ce chapitre les transistors bipolaires, les transistors à effet de champ et
les transistors MOS.

Les transistors sont réalisés par la jonction de différentes zones de semi-conducteurs de


types N et de type P. Il existe deux grandes classes de transistors.

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Figure 2.1 Aperçu des différents types de transistors.

 Les transistors bipolaires sont constitués de trois zones de semi-conducteurs : une zone
N, une zone P et une zone N, pour un transistor NPN, (ou bien une zone P, une zone N
et une zone P, pour un transistor PNP).
 Les transistors unipolaires dans lesquels un seul type de porteurs de charge est
responsable du passage du courant. Ce sont les transistors à effet de champ ou transistors
F.E.T. (Field Effect Transistors). Ces transistors se répartissent eux-mêmes en deux

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groupes : les JFET et les MOS.FET. Les MOS.FET se subdivisent encore en MOS.FET à
enrichissement et MOS.FET à enrichissement-appauvrissement.

2.1. TRANSITOR A JONCTION BIPOLAIRE

Le transistor a été inventé par une équipe de trois scientifiques chez Bell Laboratories, aux
États-Unis en 1947. Bien que le premier transistor ne fût pas un dispositif de jonction bipolaire, il
s'agissait du début d'une révolution technologique qui se poursuit encore au XXIe siècle. Tous les
dispositifs et systèmes électroniques complexes développés ou utilisés aujourd'hui sont une
conséquence des développements précoce dans les transistors à semi-conducteurs.

Il existe deux types de transistors de base : le transistor à jonction bipolaire (BJT) et le


transistor à effet de champ (FET). Le transistor de jonction bipolaire est utilisé de deux façons en
électronique: (1) comme amplificateur linéaire pour amplifier un signal électrique et (2) en tant
que commutateur électronique.

Fondamentalement, le transistor à jonction bipolaire se compose de deux jonctions P-N


inversées fabriquées en une seule pièce d'un cristal semi-conducteur. Ces deux jonctions donnent
lieu à trois régions appelées émetteur, base et collecteur. Comme le montre la Figure 1.a le
transistor à jonction est simplement un sandwich d'un type de matériau semi-conducteur entre
deux couches de l'autre type. Figure 1.a montre une couche de matériau de type N pris en
sandwich entre deux couches de matériau de type P. Il est décrit comme un transistor PNP.
Figure 2.2.b montre un transistor NPN consistant en une couche de matériau de type P intercalé
entre deux couches de matériau de type N.

Figure 2.2 Structure du transistor à jonction

L'émetteur, la base et le collecteur sont équipés de bornes qui sont étiquetées E, B et C.


Les deux jonctions sont: la jonction émetteur-base (E / B) et collecteur-base (C / B).
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Les symboles utilisés pour les transistors PNP et NPN sont également représentés sur la
Figure 2.2. La tête de la flèche est toujours à l'émetteur (pas au collecteur) et dans chaque cas, sa
direction indique la direction du courant conventionnelle. Pour un transistor PNP, les points de
la flèche de l'émetteur à la base signifient que l'émetteur est positif par rapport à la base (et aussi
par rapport au collecteur). Pour le transistor NPN, il pointe de la base vers émetteur ce qui
signifie que la base (et le collecteur aussi) est positif par rapport à l'émetteur.

2.1.1. Emetteur

Il est plus fortement dopé que l'une des autres régions, car sa principale fonction est de
fournir des charges majoritaires (soit des électrons, soit des trous) à la base.

2.1.2. Base

Il forme la partie centrale du transistor. Il est très mince (10-6 m) par rapport à l'émetteur
ou au collecteur et est très légèrement dopée.

2.1.3. Collecteur

Sa fonction principale (comme indiqué par son nom) est de collecter des porteurs de
charge majoritaires venant de l'émetteur et passant par la base.

Dans la plupart des transistors, la région du collecteur est physiquement plus grande que
la région de l'émetteur car elle doit dissiper une puissance beaucoup plus grande. En raison de
cette différence, il n'est pas possible d'inverser le transistor, c'est-à-dire de faire de son collecteur
l'émetteur et son émetteur le collecteur.

2.1.4. L’effet transistor

L’étude sera menée sur un transistor bipolaire de type NPN qui est le plus utilisé et le plus
facile à réaliser. Le fonctionnement d’un transistor de type PNP se déduit en échangeant les rôles
des électrons ainsi que des trous et en inversant les signes des tensions d’alimentation et des
courants.

➤ Le transistor non polarisé

Prenons le cas de trois zones NPN mises côte à côte mais électriquement isolées l’une de
l’autre, nous aurons la situation de la Figure 2.3 (a). Supposons maintenant que ces zones ne sont
plus isolées l’une de l’autre, les électrons libres diffusent à travers les deux jonctions ce qui donne
deux zones de déplétion (Figure 2.3 (b)). Ces zones de transition représentées en hachuré sont
dépourvues de porteurs majoritaires et la barrière de potentiel pour chacune d’elles est d’environ
0,6 à 0,7 volt.

Or, puisque les trois régions dopées n’ont pas la même concentration, la zone de
déplétion pénètre peu dans l’émetteur qui est fortement dopé mais profondément dans la base
qui est très peu dopée. Du côté du collecteur, la pénétration de la zone de déplétion sera
moyenne.

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Figure 2.3 Transistor bipolaire NPN non polarisé.

➤ L’effet transistor : gain en courant β

Parmi les différentes façons de polariser un transistor de type NPN, une seulement,
présente un intérêt primordial. Si nous polarisons la jonction émetteur-base en direct et la
jonction collecteur-base en inverse, nous obtenons la configuration visible sur la Figure 2.4.

Figure 2.4 Polarisation directe et principe de l’effet transistor.

En premier lieu, supposons que seule la jonction BC soit polarisée et qu’elle le soit en
inverse. Elle est traversée par un courant très faible dû aux porteurs minoritaires appelé ICB0.

Polarisons maintenant la jonction base-émetteur en direct. Les électrons qui sont


majoritaires dans la région de l’émetteur (type N) diffusent en grande quantité à travers la
jonction émetteur-base, polarisée en direct, créant ainsi un courant émetteur IE. Les électrons de
l’émetteur traversent en majorité la base et arrivent jusqu’au collecteur. Ainsi l’émetteur « injecte »
ou « émet » des porteurs majoritaires et le collecteur les collecte.

Nous appelons α la proportion des électrons dans le cas du transistor NPN émis par
l’émetteur, qui parviennent jusqu’au collecteur ; α est généralement proche de l’unité. Le courant
total devient :
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𝐼𝐶 = −𝛼𝐼𝐸 + 𝐼𝐶𝐵0 ≈ −𝛼𝐼𝐸 ≈ −𝐼𝐸

À l’équilibre, nous n’avons pas de variation de charges à l’intérieur du transistor. En


choisissant les sens des courants conformément à la convention des réseaux (tout courant qui
arrive à un nœud est positif et tout courant qui en sort est négatif), nous pouvons écrire la loi de
Kirchhoff :

𝐼𝐸 + 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 0

En éliminant IE on obtient :

𝐼𝐶 = 𝛼(𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 ) + 𝐼𝐶𝐵0
𝛼 1
D’où : 𝐼𝐶 = 1−𝛼𝐶𝐶 𝐼𝐵 + 1−𝛼 𝐼𝐶𝐵0
𝐶𝐶 𝐶𝐶

𝛼
On pose : 𝛽 = 1−𝛼𝐶𝐶
𝐶𝐶

1
Soit : 𝐼𝐶 = 𝛽𝐶𝐶 𝐼𝐵 + 1−𝛼 𝐼𝐶𝐵0 ≈ 𝛽𝐶𝐶 𝐼𝐵

Cette dernière relation caractérise l’effet transistor : en injectant un courant IB très faible
dans la base, nous commandons un courant de collecteur IC beaucoup plus intense. β varie dans
de grandes proportions d’un transistor à l’autre. En effet, β dépend surtout de la différence de
dopage entre l’émetteur et la base ainsi que de celle-ci. Mais à une température fixe, β reste à peu
près constant pour un transistor donné et pour une large variation du courant IC.

2.1.5. Fonctionnement en statique en émetteur commun

Généralement, le transistor qui est un composant à trois bornes est utilisé en tant que
quadripôle amplificateur. Dans la plupart des applications, une des bornes est commune à l’entrée
et à la sortie. On a donc trois possibilités de montage de transistor : le montage émetteur
commun, le montage base commune et le montage collecteur commun. L’étude sera abordée
dans un premier temps en courant continu : c’est le régime statique, ou de polarisation.

Parmi les trois montages fondamentaux, le montage dit en émetteur commun est de loin
le plus utilisé. Avec cette configuration, les grandeurs d’entrée sont le courant de base IB et le
potentiel de celle-ci par rapport à celui de l’émetteur VBE. Les variables de sortie sont le courant
collecteur IC et le potentiel entre le collecteur et l’émetteur VCE.

➤ Caractéristique d’entrée IB = f(VBE) à UCE = Cste

Dès que la tension entre collecteur et émetteur dépasse 0,7 volt, la jonction base-
collecteur devient polarisée en inverse et le transistor est en fonctionnement normal. La
caractéristique d’entrée est une caractéristique de diode en direct à allure exponentielle.
𝑞𝑉𝐵𝐸 𝑞𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝐾𝑇 − 1) ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝐾𝑇

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Le réseau d’entrée IB = f (VBE) se réduit dans la pratique à une seule courbe, toutes les
courbes étant confondues.

➤ Caractéristiques de transfert IC = f(IB) à VCE = Cste

On a vu que le courant collecteur s’écrit :

𝛼𝐶𝐶 1
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 + 𝐼
1 − 𝛼𝐶𝐶 1 − 𝛼𝐶𝐶 𝐶𝐵0
1
Avec : 𝐼𝐶𝐸0 = 1−𝛼 𝐼𝐶𝐵0
𝐶𝐶

Le courant ICE0 peut être mesuré en déconnectant la base (IB = 0) avec une tension VCE
positive de sorte que les jonctions soient normalement polarisées. C’est un courant de l’ordre
d’une centaine de μA. Ce courant est donc généralement négligeable devant IC qui est de l’ordre
du mA.

La caractéristique IC = f (IB) ne passe pas par l’origine, mais par ICE0, qui est très proche de
l’origine. Elle présente une légère courbure pour des courants du collecteur très faibles et tend
vers une droite dès que le courant IC dépasse quelques centaines de μA.

En réalité, le gain en courant βCC croit légèrement avec la tension VCE car la largeur de la
zone de déplétion de la jonction base - collecteur augmente aussi. D’autre part, le gain en courant
augmente avec le courant IC avant de baisser de nouveau pour des courants de collecteur assez
élevés.

Figure 2.5 Réseau de caractéristiques d’un transistor bipolaire NPN.

➤ Caractéristiques de sortie IC = f(VCE) à IB = Cste

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Dès que la tension VCE devient suffisamment positive pour que les deux jonctions soient
normalement polarisées, on a :

𝐼𝐶 = 𝛽𝐶𝐶 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶𝐸0

Si le gain en courant était rigoureusement constant, les caractéristiques seraient des droites
horizontales et équidistantes pour des intervalles ΔIB égaux. En réalité on retrouve les défauts des
caractéristiques de transfert. Pour une tension entre le collecteur et émetteur égale à une
constante, il y a une courbure de la caractéristique de transfert et les caractéristiques de sortie ne
sont pas rigoureusement équidistantes. De plus, elles montent légèrement avec la tension VCE, ce
qui traduit la légère croissance de β avec VCE.

En effet lorsque la tension VCE augmente, étant donné que VBE est faible, VCB suivra
sensiblement les mêmes variations. Or une augmentation de la tension collecteur-base modifie les
dimensions de la zone de charge d’espace et réduit par conséquent l’épaisseur de la base, ce qui
aura comme effet une diminution des recombinaisons des porteurs dans la base. Ceci se traduit
par une augmentation apparente de α et de β avec VCE. Ce phénomène a été signalé par Eurly en
1952 et porte son nom.

Les caractéristiques IC = f (VCE) sont limitées par deux zones proches des axes qu’il n’est
pas possible d’utiliser (Figure 2.5) :

 une zone (ou caractéristique) de saturation qui est proche de l’axe des courants IC. Cette
zone correspond au cas où les deux jonctions sont polarisées en direct ;
 une zone (ou caractéristique) de blocage qui est proche de l’axe des tensions VCE et
obtenue pour un courant de base nul IB. Il n’est pas possible d’avoir IB négatif à cause de
la jonction base émetteur.

Dans ces deux zones, on sort du régime de fonctionnement normal du transistor et il faut
toujours vérifier (sauf dans le cas de la commutation), que l’on est éloigné de ces régions dans le
montage étudié.

➤ Caractéristiques VBE = f(VCE) à IB = Cste

Les caractéristiques VBE = f (VCE) à IB = Cste présentent peu d’intérêt et se présentent


sous forme de droites pratiquement horizontales. La tension base-émetteur ne dépend
pratiquement pas de la tension entre collecteur et émetteur dès que cette tension dépasse 1 volt.

2.1.6. Limites d’utilisation d’un transistor

Le transistor étant constitué de deux jonctions, il est possible de déterminer les limites
d’utilisation de celui-ci à partir de celle de la diode. C’est-à-dire le courant maximum dans une
jonction ainsi que la tension inverse maximale qu’on peut utiliser sans avoir de claquage.

➤ Tensions de claquage

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Nous avons vu l’existence des courants de fuites ICE0 (en base commune et émetteur
ouvert) et ICB0 (en émetteur commun et base ouverte). Si on augmente exagérément les tensions,
les courants de fuites augmentent par effet avalanche et peuvent être la cause de la destruction de
transistor par échauffement. Ces tensions à ne pas dépasser sont données par le constructeur et
sont généralement notées BVCE0 et BVCB0 (BV est l’abréviation de Breakdown Voltage).

➤ Courant maximum

Le courant maximum du collecteur doit rester inférieur à une certaine valeur ICmax sous
peine de destruction du transistor.

➤ Puissance maximum

La puissance dissipée par un transistor au repos est donnée par la formule suivante :

𝑃 = 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐵 + 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 ≈ 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 < 𝑃𝑚𝑎𝑥

Cette puissance est limitée à cause de l’échauffement du transistor. La température


maximale de la jonction ne doit pas dépasser 200 °C dans le cas du silicium.

Figure 2.6 Zone de fonctionnement d’un transistor.

2.1.7. Polarisation du transistor

Polariser un transistor consiste à définir son état de


fonctionnement par l'adjonction de sources de tension continues et de résistances.
Cet état de conduction est caractérisé par un point dans chacun des quadrants du réseau de carac-
téristiques, ce point est appelé point de fonctionnement ou point de repos.
Le point de fonctionnement caractérise deux variables indépendantes du transistor :

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IC et VCE . Il doit être choisi dans la zone linéaire, mais en dehors des zones interdites et doit
être peut sensible aux variations de température.

Pour un bon fonctionnement d'un transistor, il est essentiel d'appliquer des tensions de
polarité correcte dans ses deux jonctions. Il est intéressant de se rappeler que pour un
fonctionnement normal;

1. La jonction émetteur-base est toujours polarisée en direct et

2. La jonction collecteur-base est toujours en inverse.

Ce type de polarisation est connu sous le nom de polarisation directe.

Dans la Figure 2.7, deux batteries fournissent respectivement la tension d'alimentation


continue de l'émetteur VEE et la tension d'alimentation du collecteur VCC pour polariser
correctement les deux jonctions du transistor. Dans la Figure 2.7(a), la borne positive de VEE est
connectée à un émetteur de type P afin de repousser ou de pousser des trous vers la base.

La borne négative de VCC est connectée au collecteur afin qu'elle puisse attirer ou extraire
des trous à travers la base. Des considérations similaires s'appliquent au transistor NPN de la
Figure 2.7(b). Il faut se rappeler qu'un transistor ne conduira jamais de courant si sa jonction
émetteur-base n'est pas polarisée en direct.

Figure 2.7 Polarisation du transistor

2.1.7.1. Règle de polarisation importante

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Pour un transistor PNP, le collecteur et la base sont négatifs par rapport à l'émetteur (la
lettre N de Négatif étant identique à la lettre centrale de PNP). Bien sûr, le collecteur est plus
négatif que la base [Figure 2.8(a)]. De même, pour le transistor NPN, le collecteur et la base sont
positifs par rapport à l'émetteur (la lettre P de Positif étant identique à la lettre centrale de NPN).
Encore une fois, le collecteur est plus positif que la base, comme le montre la Figure 2.8(b).

Figure 2.8 Règle de polarisation

On notera que des potentiels différents ont été désignés par des indices secondaires. Le
premier indice représente toujours le point ou le terminal qui est plus positif (ou moins négatif)
que le point ou le terminal représenté par le second indice. Par exemple, dans la Figure 2.8(a), la
différence de potentiel entre émetteur et base est écrite comme VEB (et non VBE) car l'émetteur est
positif par rapport à la base. Maintenant, entre la base et le collecteur eux-mêmes, le collecteur est
plus négatif que la base. Par conséquent, leur différence de potentiel est écrite comme V BC et non
comme VCB. Le même est le cas avec les tensions marquées dans la Figure 2.9.

Figure 2.9 Notation des différences de potentiel

2.1.7.2. Point de fonctionnement

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On prend le montage de polarisation de la Figure 2.10. On veut déterminer le point de
fonctionnement ou point de repos pour lequel on utilise la notation avec des indices « 0 » pour
préciser qu’il s’agit bien du point de repos. Pour cela on doit connaître les quatre variables citées
précédemment : il s’agit d’une part des deux courants IC0 et IB0 et d’autre part des deux tensions
VCE0 et VBE0. Il faut donc déterminer quatre équations :

Figure 2.10 Polarisation d’un transistor NPN par deux sources de tension.

𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐵 )
Le transistor nous permet de disposer de deux équations : {
𝑉𝐵𝐸 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐵 )

Les deux autres équations seront données par le circuit d’entrée et par le circuit de sortie.

L’équation donnée par le circuit d’entrée est l’équation d’une droite appelée la droite
d’attaque statique du transistor.

𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵0 + 𝑉𝐵𝐸0

Cette droite permet de fixer le courant IB0 du transistor. Le point de fonctionnement à


l’entrée (IB0, VBE0) doit satisfaire à la fois l’équation du transistor et l’équation du circuit d’entrée
ce qui nous permet de placer ce point à l’intersection des deux caractéristiques.

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Figure 2.11 Effet de la polarisation sur le réseau de caractéristiques d’u transistor NPN.

Le circuit de sortie fournit aussi l’équation d’une droite appelée la droite de charge
statique :

𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶0 + 𝑉𝐶𝐸0

L’intersection de cette droite avec la caractéristique IC = f (VCE) pour le courant IB0


déterminé déjà par le circuit d’entrée, donne le point de fonctionnement en sortie (IC0, VCE0).

2.1.7.3. Circuits de polarisation

Souvent, le point de fonctionnement du transistor doit être placé dans la zone linéaire de
ses caractéristiques.

Cela peut être fait en principe par deux sources de tension extérieures, mais en réalité, la
polarisation du transistor s’effectue par une seule source de tension en combinaison avec
quelques résistances. Deux exemples de circuits de polarisation souvent étudiés sont représentés à
la Figure 2.12 (a) et (b).

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Figure 2.12 Polarisation d’un transistor NPN par résistance de base (a), par pont résistif et
résistance d’émetteur (b) et avec rétroaction du collecteur et de l'émetteur (c).

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Figure 2.13 Polarisation d’un transistor PNP par résistance de base (a), par pont résistif et
résistance d’émetteur (b) et avec rétroaction du collecteur et de l'émetteur (c).

a) Polarisation par résistance de base

Pour le montage à résistance de base de la Figure 2.12 (a), on peut écrire les équations des mailles
d’entrée et de sortie :
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶
𝑅𝐵

On utilise dans les deux cas, la droite de commande statique et la droite de charge
statique. Le courant de collecteur au point de fonctionnement de ce montage est donné par :

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸0
𝐼𝐶0 ≈ 𝛽𝐼𝐵0 = 𝛽
𝑅𝐵

Les dispersions de β sont grandes (par exemple β varie entre 50 et 300 pour le transistor
2N2222). En plus, β dépend de la température. Le point de fonctionnement est donc instable ce
qui représente le principal inconvénient de ce montage.

b) Polarisation par pont résistif et résistance d’émetteur

Le montage à deux résistances de base et à résistance d’émetteur de la Figure 2.12 (b)


permet d’obtenir une meilleure stabilité du point de fonctionnement.

On utilise le théorème de Thévenin appliqué au pont diviseur de tension constitué de R1,


de R2 et de la tension d’alimentation continue VCC :
𝑅2 𝑅2
On note : 𝐸𝑡ℎ = 𝑅 𝑉𝐶𝐶 = 𝑘𝑉𝐶𝐶 ⁡⁡⁡⁡𝑎𝑣𝑒𝑐⁡⁡⁡𝑘 = 𝑅
1 +𝑅2 1 +𝑅2

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𝑅 𝑅
Et : 𝑅𝑡ℎ = 𝑅 1+𝑅2
1 2

Figure 2.14 Transformation par Thévenin de la polarisation par pont résistif et résistance
d’émetteur.

Les équations des mailles sont :

𝐸𝑡ℎ = 𝑅𝑡ℎ 𝐼𝐵0 + 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸0 ⁡⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡⁡𝑉𝐶𝐸0 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶0 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸0

On utilise les simplifications suivantes :

𝐼𝐶0
𝐼𝐵0 ≈ ,⁡⁡⁡𝐼𝐸0 = 𝐼𝐶0 + 𝐼𝐶𝐵0 ≈ 𝐼𝐶0
𝛽

Il vient :

𝑘𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸0
𝐼𝐶0 ≈ 𝛽 ⁡⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡⁡𝑉𝐶𝐸0 ≈ 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶0
𝑅𝑡ℎ + 𝛽𝑅𝐸

Contrairement à la polarisation par une seule résistance de base, pour cette polarisation, le
courant IC0 dépend d’autant moins de β et de ses variations que la résistance équivalente RTH est
petite par rapport à βRE . Il en est de même pour la tension VCE0 qui dépend du courant IC0.

Pour stabiliser le point de fonctionnement, on prend :

𝑅𝑇𝐻 ≪ 𝛽𝑅𝐸

Remarque. Les circuits de polarisation du transistor sont les mêmes pour les trois montages
fondamentaux (émetteur commun, collecteur commun et base commune).

c) Polarisation avec rétroaction du collecteur et de l'émetteur

Dans le circuit de la Figure 2.12 (c), les retours de collecteur et d'émetteur ont été utilisés
afin de réduire la sensibilité du circuit aux changements de β. Si β augmente, la tension de
l'émetteur augmente, mais la tension du collecteur diminue. Cela signifie que la tension à travers

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RB est réduite, ce qui provoque une diminution de IB, réduisant ainsi partiellement l'augmentation
de β.

Dans des conditions de saturation, VCC est réparti sur RC et RE. En supposant que IB soit
négligeable par rapport à IC, on obtient, IC(sat) = VCC / (RE + RC).

La valeur réelle de IC est :

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸0
𝐼𝐶0 = ⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡⁡𝑉𝐶𝐸0 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶0
𝑅
𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 + 𝐵⁄𝛽

d) Facteur de stabilité

Le degré de succès atteint dans la stabilisation du courant IC face aux variations de l'IC0 est
exprimé en fonction du facteur de stabilité actuel S. Il est défini comme le taux de variation de IC
par rapport à IC0 lorsque β et IB (VBE) sont maintenus constants
𝑑𝐼
𝑆 = 𝑑𝐼 𝐶 β et IB constants
𝐶0

Quand la valeur de S croît, l'instabilité thermique augmente et vice versa (compte tenu de
ce qui précède, ce facteur devrait, de manière plus appropriée, être appelé facteur d'instabilité!).

Le facteur de stabilité peut être exprimé alternativement en utilisant l'équation bien


connue IC = βIB + (1 + β) IC0 qui, lors de la différenciation par rapport à IC, produit.

𝑑𝐼𝐵 𝑑𝐼𝐶0 𝑑𝐼𝐵 1


1=𝛽 + (1 + 𝛽) =𝛽 + (1 + 𝛽)
𝑑𝐼𝐶 𝑑𝐼𝐶 𝑑𝐼𝐶 𝑆
1+𝛽
D’où : 𝑆 = 1−𝛽(𝑑𝐼
𝐵 ⁄𝑑𝐼𝐶 )

Le facteur de stabilité de tout circuit peut être trouvé en utilisant la formule générale :

1 + 𝑅𝐵 ⁄𝑅𝐸
𝑆=
1 + (1 − 𝛼)(𝑅𝐵 ⁄𝑅𝐸 )

où RB = Résistance série-parallèle à la base

RE = Résistance série à l'émetteur

α = Alpha du transistor

e) Sensibilité bêta

Par sensibilité β d'un circuit, on entend l'influence que la valeur β a sur son point de
fonctionnement en courant continu. Les variations de la valeur β sont causées par des variations
dans les conditions de fonctionnement du circuit ou par la substitution d'un transistor à l'autre.
La sensibilité bêta Kβ est donnée par :

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𝑑𝐼𝐶 𝑑𝐼𝐵
= 𝐾𝛽
𝐼𝐶 𝛽

D’où :

𝛽 𝑑𝐼𝐶
𝐾𝛽 =
𝐼𝐶 𝑑𝐼𝐵

De toute évidence, Kβ est un rapport sans dimension et peut avoir des valeurs allant de zéro à
l’unité.

2.1.8. Droite de charge

2.1.8.1. Droite de charge statique et caractéristiques de sortie

La droite de charge statique est le lieu des points de fonctionnement en statique.

Figure 2.15 Polarisation par pont résistif et résistance d’émetteur

La loi de maille en sortie nous donne :

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶

L’équation de la droite de charge statique est la suivante :

𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = − +
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

Afin d'étudier l'effet des conditions de polarisation sur la performance d'un circuit
Emetteur Commun (EC), il est nécessaire de superposer la ligne de charge statique sur les
caractéristiques de sortie du transistor (VCE/IC). Considérons un transistor NPN de silicium qui
est connecté en configuration EC (Figure 2.16) et dont les caractéristiques de sortie sont données
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dans la Figure 2.17. Tout d'abord, on recherche les points de coupure et de saturation pour
dessiner la droite de charge statique, puis trouver le point de fonctionnement Q (β = 100).

IC(sat) = 10/2 = 5 mA - point B dans la Figure 2.17

VCE(coupure) = VCC = 10 V -point A sur la Figure 2.17

La droite de charge est dessinée dans la Figure 2.17 ci-dessous.

Nous avons les points de fonctionnement suivants :

IB0 = 20 μA, IC0 = 2 mA, VCE0 = 6 V

Les coordonnées du point de fonctionnement Q est (6 V, 2 mA)

Figure 2.16 Circuit de Polarisation

Figure 2.17 Caractéristiques de sortie

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2.1.8.2. Droite de charge dynamique

La droite de charge dynamique est le lieu des variations du point de fonctionnement en


dynamique.

Cette droite est plus raide que la droite de charge statique, mais les deux se croisent au
point de repos Q déterminé lors de la polarisant du transistor.

La droite de charge dynamique prend en compte la résistance de charge en alternatif


tandis que la droite de charge statique ne considère que la résistance de charge en courant
continu.

(i) Droite de charge statique

Le point de coupure de cette droite de charge est celui où VCE = VCC = VCE(coupure). Le
point de saturation est donné par IC = VCC / (RL + RE) = IC(sat). Il est représenté par la ligne droite
BQA de la Figure 2.18(b).

Figure 2.18 Droite de charge dynamique

(ii) Droite de charge dynamique

Le point de coupure est donné par VCE(out-off) = VCEQ + ICQ.Rac où Rac est la résistance de
charge en courant alternatif (Rac = RL).

Le point de saturation est donné par IC(sat) = ICQ + VCEQ / Rac. Il est représenté par la
droite DQC de la Figure 2.18(b).

La pente de la droite de charge dynamique est donnée par y = 1 / Rac. On voit à partir de
la Figure 2.18(b) que le balayage de signal positif maximum possible est = ICQ Rac. De même, le
changement de signal négatif possible maximal est VCEQ. En d'autres termes, la capacité de
traitement du signal de pointe est limitée par le plus petit des valeurs ICQ Rac et VCEQ.

2.1.9. Les courants de fuite dans un transistor

Tout en utilisant les diverses équations, les définitions suivantes doivent être gardées à l'esprit.
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𝐼𝐶
𝛼=
𝐼𝐸

𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵

𝛽
𝛼=
1+𝛽
𝛼
𝛽=
1−𝛼
2.1.9.1. Montage Base Commune (BC)

Considérons le circuit de transistor BC représenté sur la Figure 2.19. Le courant


d'émetteur (en raison des porteurs majoritaires) initié par la jonction de base-émetteur polarisé en
direct est divisé en deux parties :

(i) (1 - α) IE qui devient le courant de base IB dans le circuit externe et

(ii) αIE qui devient le courant de collecteur IC dans le circuit externe.

Figure 2.19 Courant de fuite ICB0

Comme mentionné précédemment, bien que la jonction Collecteur - Base soit polarisée en sens
inverse pour les porteurs de charges majoritaires (c.-à-d. les trous dans ce cas), elle est polarisée
en direct en ce qui concerne les porteurs de charges minoritaires générés thermiquement (c'est-à-
dire des électrons dans ce cas) sont concernés. Ce courant circule même lorsque l'émetteur est
déconnecté de son alimentation en courant continu, comme le montre la Figure 10.a où le
commutateur, S1 est ouvert. Il circule dans la même direction que le courant de collecteur des
transporteurs majoritaires. C'est ce qu'on appelle ICB0 le courant de fuite. L’indice CB0 veut dire
«Collecteur - Base avec émetteur ouvert». Très souvent, il est simplement écrit comme IC0.

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Figure 2.20 Courant de fuite IC0

Il convient de noter que :

(i) ICB0 est exactement comme le courant de saturation inverse IS ou I0 d'une diode polarisée en
inverse discutée plus haut.

(ii) ICB0 est extrêmement dépendante de la température car il est constitué de porteurs minoritaires
générés thermiquement. Comme mentionné précédemment, ICB0 double pour chaque élévation de
température de 10° C pour Ge et 6° C pour Si.

Si nous prenons en compte le courant de fuite, la distribution de courant dans un circuit de


transistor Base Commune devient comme indiqué sur la Figure 2.20 à la fois pour les transistors
PNP et NPN.

On constate que le courant collecteur total est effectivement la somme de deux composants :

(i) le courant produit par une action du transistor normale, c'est-à-dire un composant
commandé par le courant d'émetteur. Sa valeur est un IE et est due aux porteurs
majoritaires.

(ii) Courant de fuite dépendant de la température par IC0 en raison des porteurs
minoritaires.

𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸 + 𝐼𝐶0

𝐼𝐶 − 𝐼𝐶0
𝛼=
𝐼𝐸

Puisque IC0 ≪ IC, alors α ≅ IC / IE

(iii) Substituer la valeur de IE = (IC + IB) dans l'équation ci-dessus, nous obtenons

𝐼𝐶 = 𝛼(𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) + 𝐼𝐶0

𝐼𝐶 (1 − 𝛼) = 𝛼𝐼𝐵 + 𝐼𝐶0

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𝛼𝐼𝐵 𝐼𝐶0
𝐼𝐶 = +
1−𝛼 1−𝛼
(iv) En éliminant IC de l'équation ci-dessus, nous obtenons

𝐼𝐸 − 𝐼𝐵 = 𝛼𝐼𝐸 + 𝐼𝐶0

𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 (1 − 𝛼) − 𝐼𝐶0

2.1.9.2. Montage Emetteur Commun (EC)

Dans la Figure 2.21.a montre un circuit émetteur commun d'un transistor NPN dont la base est
ouverte. On constate que malgré IB = 0, il existe un courant de fuite du collecteur vers l'émetteur.
C'est ce qu'on appelle ICE0, l’indice CE0 veut dire «Collecteur - Emetteur avec Base ouverte.».

Compte tenu de ce courant de fuite, la distribution actuelle par un circuit Emetteur Commun
devient comme indiqué sur la Figure 12.c.

IC = β IB + ICE0 = β IB + (1 + β) IC0 = β IB + IC0 / (1 – α)

𝛼𝐼𝐵 𝐼𝐶0
𝐼𝐶 = +
1−𝛼 1−𝛼

Figure 2.21 Le courant de fuite ICE0

Maintenant, β IB = α IE. En remplaçant cette valeur dans l’équation ci-dessus, on obtient,

IC = α IE + ICE0. En plus, IB = IE – IC

En remplaçant la valeur IC, nous avons

IB =IE – α IE – ICE0= (1 – α) IE – ICE0

2.1.10. Le courant de fuite lié a l’effet de la température

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Comme nous l’avons vu plus haut, pour un circuit Emetteur Commun IC = β IB + (1 + β)
IC0

Le courant de fuite dépend extrêmement de la température. Il est presque doublé pour


chaque élévation de température de 6° C pour le Ge et pour chaque augmentation de 10° C pour
le Si. Toute augmentation de l'IC0 est amplifiée (1 + β) fois, c'est-à-dire 300 à 500 fois. Même une
légère augmentation de l'IC0 affectera considérablement IC. Au fur et à mesure que l'IC augmente,
la dissipation de puissance du collecteur augmente, ce qui augmente la température de
fonctionnement, ce qui entraîne une augmentation supplémentaire de l'IC. Si cette succession
d'augmentations est autorisée à continuer, bientôt IC augmentera au-delà de la valeur de
fonctionnement sûre, endommageant ainsi le transistor lui-même - une condition connue sous le
nom de débordement thermique. Par conséquent, une certaine forme de stabilisation est
nécessaire pour éviter cette fuite thermique.

2.1.11. Modèle du transistor en régime dynamique

2.1.11.1. Modèle Ebers-Moll

Le modèle d'Ebers-Moll résulte de la superposition des modes Direct et Inverse. Il consiste


à modéliser le transistor par une source de courant placée entre le collecteur et l'émetteur. Cette
source de courant comporte deux composantes, commandées respectivement par la jonction BE
et la jonction BC.

Figure 2.22 Modèle Ebers-Moll

2.1.11.2. Modèle en basse fréquence

En régime dynamique, le transistor peut être considéré comme le quadripôle suivant :

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Figure 2.23 Quadripôle

En utilisant les paramètres hybrides :

𝑣 = ℎ11 𝑖𝑏 + ℎ12 𝑣𝑐𝑒


{ 𝑏𝑒
𝑖𝑐 = ℎ21 𝑖𝑏 + ℎ22 𝑣𝑐𝑒

Avec :

(a)

(b)

Figure 2.24 Schéma équivalent du transistor petits signaux en utilisant les paramètres h (a) et en
utilisant les paramètres universels (b).
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Mais les paramètres universels sont plus signifiants en changeant juste les noms des
paramètres hybrides :

 rBE = h11 = résistance d’entrée entre base et émetteur à sortie fermée.


 μ = h12 = coefficient de réaction interne, souvent négligeable (μ = 0).
 β = h21 = gain en courant à sortie fermée.
 gm = pente ou transconductance à sortie fermée.
100
 𝜌 = rCE = 1/h22 = résistance de sortie à entrée fermée (𝜌 ≈ en ohms).
𝐼𝐶0

SYMBOLE DESIGNATION VALEUR

h11 Résistance d’entrée base/émetteur Ut/Ib Ω


Ut=26mV

h12 Réaction en tension 0,1 à 1 %

h21 Gain en courant 20 à 500

1/h22 Résistance collecteur/émetteur 10 à 100 kΩ

Remarque :

 h12 ≈ 0.

 Pour de faibles valeurs de IC, 1/h22 ≈ 0 on peut donc simplifier le schéma équivalent :

Figure 2.25 Schéma équivalent du transistor simplifié

 On suppose que les paramètres sont réels. Ceci n'est vrai qu'aux basses fréquences. Pour
les hautes fréquences, les capacités parasites qui existent dans le transistor conduisent à
des expressions complexes pour les paramètres.

 Les valeurs des paramètres varient avec le point de polarisation du transistor.

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2.1.11.3. Modèle en haute fréquence

Figure 2.26 Schéma équivalent de GIACOLLETTO

SYMBOLE DESIGNATION VALEUR

rb’e Résistance de jonction base/émetteur Ut/Ib Ω


Ut=26mV

cb’e Capacité de jonction base/émetteur Quelques pF


dizaines

rbb’ Résistance de connexion de base Quelques Ω


dizaines

rcb’ Résistance de jonction collecteur/base Quelques MΩ

ccb’ Capacité de jonction collecteur/base Quelques pF

gm transconductance Quelques mA/V


centaines

rce Résistance collecteur/émetteur 10 à 100 kΩ

Tout ce qui a été dit jusqu'à présent ne concerne que le fonctionnement à faible fréquence
(inférieure à quelques centaines de kHz). Pour des fréquences plus élevées, on utilise un schéma
équivalent du transistor différent, rendant mieux compte de ce qui se passe physiquement.

Ce modèle introduit des capacités parasites, et donc, les paramètres du transistor deviennent
complexes (au sens mathématique du terme !).

Le schéma ci-dessus présente en plus des éléments du montage basse fréquence :

 Une base B' virtuelle et interne au transistor. L'équivalent de h11e est rBB' + rB'C. rBB' sera
26⁡𝑚𝑉
faible (moins de 100 en général), inférieure à rB'E (𝑟𝐵′ 𝐸 = ).
𝐼𝐵0

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 Une capacité base-émetteur CB'E qui viendra shunter rB'E en haute fréquence. Pour des
petits transistors standards (2N2222 par exemple), elle est de l'ordre de 30pF.

 Une résistance rB'C (très grande, qui sera souvent négligée) en parallèle avec CB'C qu'on
appelle capacité Miller, situées entre l'entrée et la sortie (pour un montage émetteur
commun) du montage. L'ordre de grandeur pour CB'C est de 10pF (2N2222). Elle est
prépondérante dans la limitation en fréquence du fonctionnement du transistor.

 La résistance rCE tient la place de 1/h22e.

 Le gain en courant est remplacé par la pente gm du transistor : elle est équivalente au
terme 38,5 ICo qu'on a défini dans le calcul du gain de l'émetteur commun.

Ce schéma est plus délicat à manipuler que celui utilisé jusqu'à présent, donc, on ne l'utilisera
que quand ce sera nécessaire, soit pour des fréquences supérieures à 100 kHz.

Il permet de démontrer notamment la supériorité du montage Base Commune par rapport à


l'Emetteur Commun en haute fréquence, ce qui était infaisable avec le schéma simplifié.

Fréquence de coupure fβ et fréquence de transition fT

La capacité totale est : CT = CB’E + CB’C.

En général, CB’C ≪ CB’E et CT ≈ CB’E

Sachant que iC = gmvB’E = βiB, on peut donc exprimer vB’E en fonction de iB :

1 𝑟𝐵 ′ 𝐸 𝑔𝑚 𝑟𝐵′ 𝐸
𝑣𝐵′ 𝐸 = 𝑖𝐵 × (𝑟𝐵′ 𝐸 // )= 𝑖𝐵 ⇒ 𝛽 =
𝑗𝐶𝑇 𝜔 1 + 𝑗𝐶𝑇 𝑟𝐵′ 𝐸 𝜔 1 + 𝑗𝐶𝑇 𝑟𝐵′ 𝐸 𝜔
𝐼
On pose : 𝛽0 = 𝑔𝑚 𝑟𝐵′ 𝐸 ⁡⁡𝑎𝑣𝑒𝑐⁡𝛽0 = 𝐼 𝐶0
𝐵0

1
𝑓𝛽 =
2𝜋𝑟𝐵′ 𝐸 𝐶𝑇

fβ est la fréquence de coupure à -3 dB du gain en courant β que l’on peut se représenter par un
diagramme en utilisant des échelles logarithmiques.

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On définit la fréquence de transition fT telle qu’à cette fréquence, le gain en courant vaut
1. La variation de β étant du premier ordre, il vient :
𝑔𝑚 𝑔𝑚
𝑓𝑇 ≈ 𝛽0 𝑓𝛽 = ≈
2𝜋𝐶𝑇 2𝜋𝐶𝐵′ 𝐸

Cette fréquence de transition figure dans les documentations. En général, il est donné la
valeur de fT pour 1 point de polarisation donné par exemple, le constructeur donne pour IC = 10
mA et VCE = 5 V, une fréquence de transition fT = 300 MHz.

2.2. TRANSITOR A EFFET DE CHAMP


2.2.1. Transistors à effet de champ à jonction (JFET)

L'acronyme «FET (Field Effect Transistor)» signifie transistor à effets de champ (TEC). Il
s'agit d'un dispositif à l'état solide unipolaire à trois bornes dans lequel le courant est contrôlé par
un champ électrique tel qu'il est fait dans des tubes à vide. D'une manière générale, il existe deux
types de FET :

(a) Transistor à Effet de Champ à Jonction (JFET)

(b) FET Semi-conducteur à Oxyde Métallique (MOSFET « Metal-Oxide Semiconductor FET »)

C'est aussi appelé FET à grille isolée (IGFET « Insulated-Gate FET »). Il peut être subdivisé en :

(i) MOSFET à appauvrissement renforcé, c'est-à-dire DEMOSFET (Depletion-Enhancement


MOSFET)

(ii) MOSFET à renforcement unique (MOSFET E-only « Enhancement-only MOSFET »)

Ces deux peuvent être soit de canal P ou de canal N.

L'arbre généalogique FET est présenté ci-dessous:

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Figure 2.27 La famille des transistors à effet de champ

Le transistor à effet de champ à jonction, abrégé par la suite TEC ou JFET (Junction Field
Effect Transistor) est un transistor spécifique qui présente deux propriétés essentielles
intéressantes :

 un courant d’entrée quasi nul (résistance d’entrée quasi infinie) ;

 pour une tension continue de sortie nulle, le transistor peut être assimilé à une résistance
commandée par la tension d’entrée.

Avantages du FET sur le transistor uni-jonction (TUJ)

1. Le JFET est un composant unipolaire. Son fonctionnement dépend du flux des


transporteurs majoritaires seulement. Le tube à vide est un autre exemple d'appareil
unipolaire. Parce que le courant dépend du flux d'électrons émis par la cathode. Le bruit
de recombinaison est plus important.

2. Le JFET a une forte résistance d'entrée (MΩ). Alors le TUJ a une résistance d'entrée
faible.

3. Il a une bonne stabilité thermique.

4. Moins bruyant qu'un tube ou un transistor. Parce que le JFET est unipolaire, le bruit de
recombinaison est moins élevé.

5. Il est relativement immunisé contre les rayonnements.


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6. Le JFET peut être utilisé comme un commutateur bilatéral symétrique.

7. Au moyen d'une petite capacité de charge stockée ou interne, il agit comme un


composant à mémoire.

8. Il est plus simple à fabriquer et il occupe moins d'espace dans un circuit intégré. Donc, la
densité d'intégration est élevée.

Inconvénient

Faible produit gain fois bande passante

a) JFET canal N

La flèche à la grille indique le sens du courant si la jonction source de la grille est polarisée en
direct.

Sur les deux côtés de la barre de type N, la région fortement dopée (P+) par des impuretés
acceptables a été formée par alliage par diffusion. Ces régions sont appelées Grilles. Entre la
Grille et la Source, une tension VGS est appliquée dans la direction pour inverser la polarisation de
la jonction P-N.

Figure 2.28 Transistor JFET canal N

b) JFET canal P

Le symbole pour le FET à canal P est donné dans la Figure 22. La barre semi-conductrice est de
type P ou la Source est de type P. La Grille est fortement nichée dans la région. Si la jonction
Grille-Source est polarisée en direct, les électrons de la Grille se déplacent vers la Source. Par
conséquent, le courant conventionnel circule à l'extérieur. Ainsi, la flèche est comme indiqué sur
la Figure 22. En indiquant la direction du courant, la jonction Grille-Source est orientée vers
l'avant.

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Figure 2.29 Transistor JFET canal P

Le FET dispose de trois terminaux, Source, Drain et Grille.

c) La source

La source S est le terminal par lequel les porteurs majoritaires entrent dans la barre (Figure 23).
Le courant conventionnel entrant dans la barre à S est dénommé IS.

Figure 2.30 Les terminaux du JFET

d) Drain

Le drain D est le terminal par lequel les porteurs majoritaires quittent la barre. La courant entrant
dans la barre à D est désignée par ID. VDS est positif si D est plus positif que S, la source est
polarisée en direct.

e) Grille

Dans le cas du FET à canal N, des deux côtés de la région fortement protégée du dopage (P+) des
impuretés acceptables ont été formées par diffusion ou par d'autres techniques. Les régions
d'impuretés forment la Grille. Ces deux régions (régions P+) sont jointes et un plomb est retiré, ce
qui s'appelle le fil de la Grille du FET. Entre la Grille et la Source, une tension VGS est appliquée
de manière à inverser la polarité de la jonction P-N de la Source - Grille. En raison de cette
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raison, JFET a une grande impédance d'entrée. Dans le TUJ la jonction Emetteur - Base est
orientée vers l'avant. Donc, il a une faible impédance Z. Le courant entrant dans la barre à G est
désigné IG.

f) Le canal

La région entre les deux régions de la Grille est le canal par lequel les porteurs majoritaires
passent de la Source au Drain. En contrôlant la tension de polarisation inverse appliquée à la
jonction Source de la Grille, la largeur du canal et donc le courant peuvent être contrôlés.

2.2.2. Structure FET

FET aura une jonction de Grille des deux côtés de la barre du silicium (comme le montre la
Figure 24).

Figure 2.31 Structure du JFET

Mais il est difficile de diffuser les impuretés des deux côtés de la plaquette. Donc, la
structure normale qui est adoptée est un matériau de type P est pris comme substrat. Ensuite, le
canal de type N est cultivé épitaxialement. Une Grille de type P est ensuite diffusée dans le canal
de type N. La région entre les impuretés de type P diffuses et la Source agit comme Drain.

2b(x) = Largeur du canal réelle, à n'importe quel point x, l'espacement entre les régions
d'appauvrissement à n'importe quel point x de la fin de la source car l'espacement entre les
régions d'appauvrissement n'est pas uniforme, il est inférieur au drain et plus vers la source. 2b
dépend de la valeur de VGS.

2a = Largeur du canal, l'espacement entre les régions dopées de la grille des deux côtés.
C'est la largeur du canal lorsque VGS = 0 (et la valeur maximale de la largeur du canal).

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2.2.3. Principe de fonctionnement

Considérons un transistor à effet de champ à jonction canal N (J.FET) tout à fait


schématique, constitué d’un barreau cylindrique de semi-conducteur de type N entouré d’une
zone de semi-conducteur de type P. Les extrémités de la zone centrale N sont reliées l’une au
drain, l’autre à la source. La zone P est reliée à la grille (Figure 2.32).

Si toutes les électrodes sont au même potentiel, la zone N centrale et la zone P


périphérique forment une jonction PN non polarisée et, au voisinage de la jonction, il existe une
zone de déplétion dépourvue de porteurs de charges : Figure 2.32 (a).

Si la grille est au même potentiel que la source (UGS = 0), et que l’on porte le drain à un
potentiel positif par rapport à la source (UDS > 0), les électrons sont attirés de la source vers le
drain, ils se déplacent dans la zone N en évitant la zone de déplétion et en empruntant une sorte
de « canal » constitué par la zone N au voisinage de l’axe du barreau. Un courant ID circule du
drain vers la source (sens inverse du déplacement des électrons).

Figure 2.32 Principe de fonctionnement d’un transistor à effet de champ.

En augmentant la tension UDS, la largeur de la zone de déplétion au niveau du drain


atteint un maximum qu’elle ne dépasse plus. La section du canal devient minimum, le canal est dit
« pincé » : Figure 2.32 (b). Ceci se produit pour une tension grille-drain, particulière, appelée
tension de pincement UP, (UP < 0). Nous avons :

UDS = UDG + UGS = −UGD + UGS

Ici, avec UGS = 0, UDS = −UP + 0 = −UP (UDS > 0)

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Le courant ID devient maximal et prend la valeur particulière notée IDSs.

Portons maintenant la grille à un potentiel négatif par rapport à la source, en fixant par
exemple UGS = −1 V. La zone de déplétion au départ, pour UDS = 0 est déjà plus large qu’elle ne
l’était avec la caractéristique précédente à UGS = 0. Lorsque UDS croît, la zone de déplétion croit
comme précédemment, mais, comme on est parti d’une zone de déplétion déjà plus large, on
atteint plus rapidement la tension qui provoque le pincement au niveau du drain : Figure 2.32 (c).

Il suffit pour cela que :

UDS = −UGD + UGS = UP − 1 V

Lorsque la tension UDS dépasse la tension de pincement UP, l’évolution du courant ID est
donnée par l’équation suivante :

𝑈𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑠 (1 − )
𝑈𝑃

2.2.4. Caractéristiques Courant – Tension du JFET

Supposons que la tension appliquée VDS est petite. Le faible courant de drain ID résultant
n'aura pas d'effet appréciable sur le profil du canal. Par conséquent, la section transversale du
canal A peut être supposée constante dans toute sa longueur.

A = 2b.w,

Lorsque 2b est la largeur du canal correspondant à un courant de drain négligeable et w est une
dimension de canal perpendiculaire à la direction "b".

ID=Ae. ND 𝜇𝑛 ∈

A = 2b . w
𝑉𝐷𝑆 𝑉𝐷𝑆
∈= = 2𝑏𝑤𝑒 ∙ 𝑁𝐷 𝜇𝑛 ∙ (1)
𝐿 𝐿

Où L est la longueur de la chaîne. Éliminer «b» qui est inconnu,

𝑏 2
𝑉𝐺𝑆 = (1 − ) ∙ 𝑉𝑃
𝑎

𝑏 𝑉𝐺𝑆 1/2
(1 − ) = ( )
𝑎 𝑉𝑃

𝑉𝐺𝑆 1/2
𝑏 = 𝑎 (1 − ( ) )
𝑉𝑃

En remplaçant, cette valeur dans l'équation (1),


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2𝑎𝑤𝑒𝑁𝐷 𝜇𝑛 𝑉𝐺𝑆 1/2
𝐼𝐷 = [1 − ( ) ] 𝑉𝐷𝑆
𝐿 𝑉𝑃

C'est l'expression de ID en termes de VGS, VP et VDS car la valeur de b n'est pas directement
connue.

𝑒𝑁𝐷 2
𝑉𝑃 = 𝑤
2∈
Mais,

𝑤 = 𝑎 − 𝑏(𝑥)

b(x) = 0 à pinch off

w = a = L'espacement entre les deux grilles dopées.

𝑒𝑁𝐷 2
|𝑉𝑃 | = 𝑎
2∈

Expression de VGS

𝑉𝑃 2
𝑏 2
𝑉𝐺𝑆 = (𝑎 − 𝑏) = (1 − ) ∙ 𝑉𝑃
𝑎2 𝑎
Expression de la résistance rds(ON)

𝑉𝐷𝑆
𝑟𝑑𝑠(𝑂𝑁) =
𝐼𝐷

𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷 = 2𝑏𝑤𝑒𝑁𝐷 𝜇𝑛
𝐿
𝑉𝐷𝑆 𝐿
𝑟𝑑𝑠(𝑂𝑁) = =
𝐼𝐷 2𝑎𝑤𝑒𝑁𝐷 𝜇𝑛

2.2.5. Caractéristiques de transfert du JFET

IDS = La valeur de saturation du courant de drain ou la valeur à laquelle ID reste constante.

IDSS = La valeur de saturation du courant de drain lorsque la grille est court-circuitée à la


source c-à-d VGS = 0.

On constate que les caractéristiques de transfert donnant la relation entre IDS et VGS
peuvent être approchées par l’équation de la parabole ci-dessous.

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𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃

La caractéristique de transfert suit l'équation, ID en fonction de VGS

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = (𝐼𝐷𝑆𝑆 + 𝐼𝐺𝑆𝑆 ) (1 − ) − 𝐼𝐺𝑆𝑆
𝑉𝑃

Avec IGSS négligeable car IGS est le courant de fuite entre G et S lorsque D est en court-
circuit, S sera de l'ordre des nano ampères, donc il peut être négligé.

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃

Ce Vp est VGS(OFF) et non VDS car lorsque Vp = VGS(OFF), lD = 0.

IDSS = Valeur de saturation du courant de drain lorsque la grille est court-circuitée à la


source ou VGS = 0.

2𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚0 = −
𝑉𝑝

𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 (1 − )
𝑉𝑃

Les caractéristiques de transfert peuvent être dérivées des caractéristiques de drain.

Figure 2.33 Caractéristiques du drain et de la grille du JFET.

Pour construire les caractéristiques de transfert, une valeur constante de V DS est


sélectionnée. Normalement, cela est choisi dans la région de saturation, car les caractéristiques
sont plates. L'intersection de la ligne verticale abcd donne une valeur particulière de I D pour
différentes valeurs de VGS. Ainsi les caractéristiques de transfert entre ID et VGS peuvent être
représentées.

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Si les points d'extrémité VP et IDSS sont connus, les caractéristiques de transfert pour le
composant peuvent être construites.

Ici, VP est de nouveau appelée tension de pincement ou tension VGS(OFF). C'est la


tension entre la grille et la source pour laquelle ID devient nul. Au fur et à mesure que le potentiel
inverse entre G et S augmente, la largeur de la région d'appauvrissement augmente. Ainsi, la
largeur du canal diminue. Pour une certaine valeur du canal VGS, le pincement ou ID devient
pratiquement nul (il ne peut pas être exactement nul mais quelques nano ampères). Ainsi, cette
tension de source et de grille à laquelle ID devient zéro est également appelée tension de coupure
ou tension de VGS(OFF). Cette tension de pincement est différente de la tension de VDS à laquelle
ID niveaux sont éteints. Puisque dans le dernier cas ID n'est pas nul, mais la largeur du canal
devient nulle et le canal se retire. Cette largeur de canal est nulle soit en contrôlant V DS ou VGS. Il
existe donc deux types de pincement de tensions. La tension de pinçage VP spécifiée pour un
FET donné peut être connue si elle est due à VDS ou à VGS de la polarité de la tension V. Pour un
FET de canal N, VGS est négatif (puisque la grille est du type P, la jonction G-S est inversée) VDS
est positif. Si le VP spécifié est -5V, (disons) qu'il est dû à VGS (désactivé) car VP est négatif. Si VP
est positif, il est dû à VDS à laquelle les niveaux de lDSS sont désactivés.

2.2.6. Polarisation du JFET

Un JFET peut être biaisé en utilisant soit :

 la polarisation de grille comme montré sur la Figure 2.34 (a),


 l'auto-polarisation, comme le montre la Figure 2.34 (b),
 la polarisation de source comme sur la Figure 2.34 (c),
 la polarisation par pont diviseur de tension comme sur la Figure 2.34 (d).

Figure 2.34 Circuits de polarisation du JFET.

2.2.7. Droite de charge statique du JFET

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Figure 2.35 Circuits d’auto-polarisation du JFET.

𝑉𝐷𝑆 𝑉𝐷𝐷
𝐼𝐷 = − +
𝑅𝐿 + 𝑅𝑆 𝑅𝐿 + 𝑅𝑆

La droite de charge statique pour un JFET peut être facilement représentée en calculant
les deux points suivants :

(i) A ID = 0, VDS = VDD


(ii) A VDS = 0, ID = VDD/(RL + RS)

Le point Q de fonctionnement est généralement situé au point milieu de la droite de charge


(pour un amplificateur de classe A) de sorte que :

VDSQ = VDD/2 ;

ID = VDD/2(RL + RS)

2.2.8. Les applications du FET

1. Les JFET font de bons commutateurs numériques et analogiques, la résistance quand il


n’est pas alimenté est très élevée.

2. Ils sont utilisés dans des amplificateurs à usage spécial tels que des amplificateurs de
résistance d'entrée très élevés, un suiveur de tension de mémoire tampon, etc.

3. Il peut être utilisé comme une résistance variable contrôlée par une tension car la
résistivité du canal varie avec VDS.

2.2.9. Modèle du FET petits signaux

L'expression pour le courant de drain ID dans le cas d'un FET est :

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1
𝐼𝐷 = 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 + 𝑉
𝑟𝑑 𝑑𝑠

Ceci est similaire à l'expression IP d'une triode. Ainsi, le circuit équivalent peut être tracé
en tant que source de courant en parallèle avec une résistance. Entre la grille et la source, la
capacité est Cgs et Cgd est la capacité de barrière entre la grille et le drain. Cds représente la
capacité de drain à source du canal. (Voir la Figure 2.36).

Figure 2.36 Schéma équivalent du JFET haute fréquence.

C'est un circuit équivalent haute fréquence car nous envisageons des capacités. Dans le
circuit basse fréquence, Xc sera très grand, donc C est en circuit ouvert et négligé.

Le JFET est un dispositif à tension contrôlée; En contrôlant la largeur du canal par


tension, nous contrôlons le courant. Si nous négligeons les capacités, le circuit équivalent du FET
peut être dessiné comme indiqué dans la Figure 2.37. Ceci est similaire modèle hybride du
transistor.

rgs = ∞

Figure 2.37 Schéma équivalent simplifié du JFET.


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La marque de flèche est vers le bas pour le courant gm Vgs parce que le courant (courant
conventionnel) passe du drain à la source pour le FET à canal N (car les électrons sont les
porteurs majoritaires).

2.2.10. Le MOSFET

Le transistor MOSFET a une impédance d’entrée beaucoup plus élevée par rapport aux
JFET. Ceux-ci sont très utilisés dans les circuits intégrés et remplacent rapidement les JFET.

Il existe deux types de MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),
mode d'amélioration et mode d'épuisement. Ces dispositifs, tirent leur nom du transistor à effet
de champ à semi-conducteur en métal oxydé (MOSFET) ou du transistor MOS (voir la Figure
28). Ceux-ci sont également connus sous le nom d'IGFET (transistor à effet de champ à grille
isolée). La grille est un métal et est isolée du semi-conducteur (la source et le drain sont du type
semi-conducteur) par une mince couche d'oxyde.

Dans les JFET, les jonctions sources - grille sont une jonction P-N. (Si la source est du
type N, la grille sera du type P). Mais dans les MOSFET, il n'y a pas de jonction P-N entre la
grille et le canal, mais plutôt un condensateur constitué d'un contact de grille métallique, d'un
diélectrique de SiO2 et d'un canal à semi-conducteur. [Deux conducteurs séparés par diélectrique].

C'est cette construction qui explique la très grande résistance d'entrée de 1010 à 1015 Ω et
est la principale différence par rapport au JFET.

Les symboles des MOSFET sont :

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Figure 2.38 Symboles d’un MOSFET à appauvrissement canal N (a1) et canal P (a2), à
enrichissement (b1) et (b2) et à appauvrissement - enrichissement (c1) et (c2).

Certains fabricants connectent en interne le substrat à la source. Mais dans certains


circuits, ces deux doivent être séparés (voir la Figure 2.38 (a3)). Le symbole, s'ils sont reliés entre
eux, est donné à la Figure 2.38 (b3).

Pour P canal, la flèche pointe vers l'extérieur.

𝐼𝐷(𝑂𝑁)
𝐾= 2
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) )
2
𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) )

K est une constante qui dépend du MOSFET

𝐼𝐷(𝑂𝑁) est la valeur de ID pour une valeur spécifique de VGS.

La tension Grille-Source minimum qui produit cette couche d'inversion du type N et


donc le courant de drain est appelée tension de seuil VGS(th).

La tension Grille-Source minimale qui produit cette couche d'inversion de type N et donc
le courant de drain est appelée tension de seuil VGS(th) comme illustré à la figure ci-dessous.
Lorsque VGS <VGS(th), ID = 0. Le courant de Drain commence uniquement lorsque VGS> VGS(th).
Pour un VDS donné, lorsque VGS augmente, le canal virtuel s'accroît et le courant ID augmente. La
valeur de ID est donnée par ID = K (VGS - VGS(th))2 où K est une constante qui dépend du
MOSFET particulier. Sa valeur peut être déterminée à partir de la fiche de données en prenant la
valeur spécifique de ID appelée ID(ON) à la valeur donnée de VGS, puis en remplaçant les valeurs
dans l'équation ci-dessus. La Figure 2.39 (a) ci-dessous montre le symbole schématique d'un
MOSFET en N-canal E-seulement et les caractéristiques Figure 2.39 (b) de drain typiques.

Comme d'habitude, la flèche sur le substrat pointe sur le matériau de type N et la ligne
verticale (représentant-canal) est rompue comme rappel de l'état normalement désactivé.

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Figure 2.39 Caractéristique du MOSFET

Un MOSFET E-seulement de canal P (PMOS) est construit comme NMOS sauf que
toutes les régions P et N- sont interchangeables. Il fonctionne uniquement avec une tension de
grille négative. En différenciant l'équation de courant de drain donnée ci-dessus par rapport à
VGS, on obtient

𝑑𝐼𝐷
= 𝑔𝑚 = 2𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) )
𝑑𝑉𝐺𝑆

Caractéristiques de transfert

Il est montré à la Figure 2.39 (c) ci-dessus. Le courant ID ne s'écoule que lorsque VGS
dépasse la tension de seuil VGS(th). Ce MOSFET n'a pas de paramètre IDSS comme les JFET et les
MOSFET.

Avantages des MOSFET (sur les JFET et autres composants)

1. Haute densité d'intégration 105 composants par cm carré.

2. Rendement de fabrication élevé. Les composants de canal P peuvent nécessiter 1


diffusion et 4 étapes de masquage photo. Mais pour les dispositifs bipolaires, 4 diffusions
et 8 à 10 étapes de masquage photo sont nécessaires.

3. L'impédance d'entrée est très élevée Zn ≈ 1014 Ω.

4. Stockage de mémoire inhérente : la charge dans le condensateur de grille peut être utilisée
pour maintenir les périphériques de mode activé.

5. CMOS ou NMOS réduit la dissipation de puissance. Par conséquent, les circuits intégrés
CMOS sont populaires.
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6. Peut être utilisé comme élément actif ou passif. Actif: en tant que périphérique de
stockage ou comme amplificateur, etc. Passif: en résistance ou en tension variable.

7. Automatisation : l'isolation électrique se produit entre les MOSFET dans les circuits
inversés car toutes les jonctions P-N fonctionnent sous zéro ou en polarisation inversée.

Inconvénients

1. Commutation à vitesse lente.

2. Dispositifs plus lents que les transistors bipolaires.

3. La capacité substrat grille limite la vitesse.

2.2.11. Le CMOS (MOS COMPLEMENTAIRE)

Ceci a évolué à cause des circuits utilisant des composants PMOS et NMOS. C'est la
technologie la plus sophistiquée. Les composants CMOS intègrent le MOSFET à canal P et le
MOSFET à canal N. Les avantages que nous obtenons avec cette utilisation complémentaire des
transistors sont :

1. Faible consommation d'énergie.

2. Grande vitesse.

Mais les inconvénients sont :

1. La fabrication est plus difficile. De plus en plus d'étapes d'oxydation et de diffusion sont
impliquées.

2. La densité de fabrication est inférieure. Moins de composants par unité de surface, car la
zone de la puce du composant est plus importante.

2.2.12. Structure NMOS

Dans ce processus, nous aurons un semi-conducteur au Silicium. SiO2 dessus et ensuite


couche de nitrure de silicium (Si3 N4) et une couche de métal. Nous obtenons donc le métal, le
nitrate, (Si3 N4) Oxide (SiO2) et la structure semi-conductrice. Par conséquent, le nom NMOS.
Ainsi, les diélectriques entre le métal (Al) et le semi-conducteur (Si) sont un sandwich de SiO2 et
Si3 N4, alors que dans les MOSFET ordinaires, nous n'avons que SiO2.

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Figure 2.40 FET NMOS

Les avantages sont les suivants:

1. Tension de seuil VT faible. (VT est la tension du drain, (VD) au-delà de laquelle seule
l'augmentation du courant de drain ID sera significative)

2. La capacitance par unité de surface du composant est élevée comparée à la structure


MOS. La constante diélectrique aura une valeur différente parce que plus la capacité est
élevée, plus le stockage de charge est plus important. Il est utilisé comme composant de
mémoire.

2.2.13. Structure SOS-MOS

C'est la structure MOS au Silicium sur Saphir. Le substrat utilisé (Figure 2.41) est le cristal
de silicium cultivé sur le substrat de saphir. Pour un tel dispositif, la capacité parasite sera très
faible.

Figure 2.41 Structure SOS – MOS

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CHAPITRE 3 : L’AMPLIFICATION PETITS SIGNAUX

3.1. INTRODUCTION
3.1.1. Généralités

Dans beaucoup de domaines, on veut obtenir à partir d’un signal d’entrée de faible
amplitude ou de faible puissance (issu par exemple d’un capteur ou d’une antenne), un signal de
même forme capable de délivrer à un récepteur (haut-parleur, moteur) une tension ou un courant
de même forme (une réplique exacte) et d’amplitude plus grande. La puissance délivrée par le
signal de sortie est aussi plus importante que celle délivrée par le signal d’entrée.

Le dispositif de liaison qui permet ce gain (en tension, en courant ou en puissance) est un
amplificateur. Les amplificateurs électroniques sont utilisés dans plusieurs circuits électroniques
(instrumentation, radio et télévision, sonorisation, contrôle...)

La structure générale d’un circuit d’amplification est donnée à la Figure 3.1.

Figure 3.1 Schéma bloc d’un amplificateur.

La source de tension continue (alimentation) fourni la puissance nécessaire à


l’amplificateur pour polariser les composants (point de repos) : montages à transistors,
amplificateurs opérationnels ou amplificateurs spécifiques. Le signal d’entrée est souvent un
signal bas niveau et le signal de sortie est un signal haut niveau. L’amplification ne concerne souvent
que le signal alternatif (point de fonctionnement qui se déplace autour de sa position de repos).

L’amplification est linéaire si le gain de l’amplificateur reste constant lorsque l’amplitude de


l’entrée varie. On parle de saturation si, lorsque l’entrée augmente mais la sortie reste constante.

L’amplificateur le plus simple et le plus élémentaire est constitué d’un transistor (bipolaire,
FET ou MOSFET) polarisé par une source de tension continue, est attaqué à son entrée par le
signal alternatif à amplifier. Les grandeurs électriques le régissant peuvent être considérées
comme la superposition de grandeurs continues et alternatives.

Or, le transistor est un élément non linéaire et il faut linéariser les caractéristiques du
transistor, pour cela, on pratique ce qu’on appelle l’amplification petits signaux : on polarise
l’entrée avec un niveau continu et le signal à amplifier se superpose à ce niveau.

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En sortie, on doit déduire le niveau continu, pour ne garder que le niveau alternatif,
résultant de l’amplification petit signal.

Figure 3.2 Principe d’une amplification à transistor (a) et caractéristique non linéaire de la
tension de sortie en fonction de la tension d’entrée (b).

3.1.2. Notations et hypothèses de travail

a) Notation

 Une grandeur continue est souvent notée par une majuscule affectée d’un indice
majuscule : c’est ainsi que VBE désigne la composante continue de la tension base
émetteur.
 Une grandeur alternative est notée par une minuscule affectée d’un indice minuscule :
c’est ainsi que vbe désigne la composante alternative de la tension base émetteur.
 Une grandeur instantanée, constituée par la superposition d’une composante continue et
d’une composante alternative, est notée par une minuscule affectée d’un indice majuscule
: c’est ainsi que vBE = VBE + vbe désigne la valeur instantanée de la tension base émetteur.

b) Hypothèses

Afin de faciliter l’étude des amplificateurs à transistor, nous adoptons les hypothèses de
travail suivantes :

 le signal alternatif à amplifier est de faible amplitude par rapport au signal continu de
polarisation ;
 le fonctionnement du circuit est linéaire ce qui nous permet d’appliquer le théorème de
superposition ;
 les condensateurs utilisés dans le montage se comportent d’une part comme des courts-
circuits en régime alternatif, et d’autre part comme des circuits ouverts en régime continu.

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c) Méthodologie

Afin d’étudier les amplificateurs à transistors linéaires, on adopte la méthodologie


suivante basée sur l’exploitation du théorème de superposition :

 on étudie tout d’abord le comportement de l’amplificateur en continu en annulant toutes


les sources alternatives (choix du point de fonctionnement du transistor) ;
 on annule par la suite toutes les sources continues pour étudier le comportement en
régime alternatif ;
 on considère enfin le transistor comme un quadripôle linéaire représenté par ses
paramètres hybrides ;
 les caractéristiques fonctionnelles d’un amplificateur en régime alternatif sont celles d’un
quadripôle : gain en tension à vide (gain en courant), impédance d’entrée et impédance de
sortie.

3.2. CLASSIFICATION DES AMPLIFICATEURS

Il existe une multitude de méthodes pour la classification d’amplificateurs, on peut citer par
exemple :

3.2.1. Classification par méthode de couplage

Les amplificateurs sont parfois classés par leur méthode de couplage entre l’entrée et la sortie
ou entre les différents étages n de l’amplificateur. Ces différentes méthodes incluent les couplages
capacitifs, inductifs (transformateurs) et les couplages directs. L’utilisation d’un couplage direct
permet de se passer des condensateurs de liaisons mais implique souvent l’utilisation d’une
alimentation symétrique. Il est à noter que la plupart des amplificateurs intégrés utilisent un
couplage direct entre leurs étages.

3.2.2. Classification par leur électrode reliée à la masse

Une autre classification se réfère à « l’électrode reliée directement ou à travers une résistance à
la masse » : le schéma de l’amplificateur est alors décrit par l’électrode du composant actif qui est
mis en commun entre l’entrée et la sortie. Ainsi, on parle d’amplificateur à émetteur commun, à grille
commune ou à drain commun. Ces noms renseignent aussi sur le type de technologie utilisée. Par
exemple, un amplificateur à émetteur commun utilise un transistor bipolaire, celui à plaque
commune un tube tandis qu’un amplificateur à drain commun utilise un MOSFET ou un JFET.

3.2.3. Classification par angle de conduction


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Le système de lettres, ou classes, utilisé pour caractériser les amplificateurs assigne une lettre
pour chaque amplificateur. Ces schémas sont caractérisés par la durée α pendant laquelle un
composant actif est utilisé lors de l’amplification d’un signal sinusoïdal appliqué à l’entrée de
l’amplificateur. 2π représente un cycle complet. En pratique cette classification revient à
déterminer la polarisation des transistors de l’amplificateur (emplacement sur la droite de charge)
du point de repos.

Les circuits amplificateurs sont classés dans les catégories A, B, AB et C pour les
amplificateurs analogiques, et D, E et F pour les amplificateurs à découpage. Pour les
amplificateurs analogiques, chaque classe définit la proportion du signal d’entrée qui est utilisée
par chaque composant actif pour arriver au signal amplifié, ce qui est aussi donné par l’angle de
conduction α :

Classe A : la totalité du signal d’entrée (100 %) est utilisée : α = 360°.

Classe B : la moitié du signal (50 %) est utilisée : α = 180°.

Classe AB : plus de la moitié mais pas la totalité du signal (50–100 %) est utilisée ce qui revient à
dire : 180° < α < 360°.

Classe C : moins de la moitié (0–50%) du signal est utilisée : 0 < α < 180°.

3.2.4. Classification par gamme de fréquences

On peut aussi décrire les amplificateurs en fonction de leur bande passante. Par exemple,
les amplificateurs audiofréquences sont conçus pour amplifier les signaux à des fréquences
sonores audibles (20 Hz à 20 kHz) tandis que les amplificateurs radiofréquences peuvent
amplifier des fréquences allant bien au-delà des 20 kHz. Les amplificateurs d’ondes radio peuvent
aussi être classés suivant la largeur de leur bande passante. On parle alors d’amplificateurs à
bande étroite (Narrowband en anglais) ou large bande (wideband en anglais). Les amplificateurs à
bande étroite ne travaillent que sur une faible gamme de fréquences (par exemple de 450 à 460
kHz) tandis que les amplificateurs large bande peuvent amplifier une grande gamme de
fréquences.

3.2.5. Classification par grandeur d’entrée et grandeur de sortie

Si on prend la nature de l’entrée et de la sortie comme critère. On se trouve avec quatre types
d’amplificateurs :

 Amplificateur de courant : l’entrée e(t) est un courant et la sortie s(t) est un courant.
L’amplification qui est sans dimensions est Ai.
 Amplificateur à transconductance : l’entrée e(t) est une tension et la sortie s(t) est un
courant. Le rapport entre la sortie et l’entrée, exprimé en siemens est : A = gm.

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 Amplificateur à transrésistance : l’entrée e(t) est un courant et la sortie s(t) est une tension.
Le rapport entre la sortie et l’entrée, exprimé en ohms est : A = Rm.
 Amplificateur de tension : cet amplificateur est le plus utilisé en électronique. L’entrée e(t)
est une tension modélisée par une source de Thévenin, s(t) est la tension obtenue aux
bornes de la résistance d’utilisation RU. L’amplificateur de tension dont le rapport entre la
sortie et l’entrée est noté AV est idéal si : s(t) = AV e(t), mais en général, l’amplificateur
représenté par son schéma équivalent d’un quadripôle présente une résistance d’entrée Re
et une résistance de sortie RS. Le gain se trouve diminué en appliquant un diviseur de
tension en entrée et un diviseur de tension en sortie :

𝑅𝑒 𝑅𝑈
𝑣𝑠 (𝑡) = 𝐴𝑣 × 𝑣 (𝑡)
𝑅𝑒 + 𝑅𝑔 𝑅𝑈 + 𝑅𝑆 𝑔

Figure 3.3 Schéma équivalent d’un amplificateur en tension.

3.3. MONTAGES FONDAMENTAUX À TRANSISTORS


BIPOLAIRES

Le transistor bipolaire est le composant le plus utilisé en électronique. Ce composant de base,


est utilisé dans les circuits discrets mais surtout en circuits intégrés. Les trois montages
fondamentaux sont l’émetteur commun, le collecteur commun et la base commune.

3.3.1. Amplificateur en émetteur commun (EC)

Considérons le montage émetteur commun de la Figure 3.4.

On suppose que le transistor est polarisé correctement avec un point de fonctionnement de


coordonnées : (VCE0, ICE0). On suppose que la résistance rCE = 𝜌 = ∞.

Pour déterminer les caractéristiques de l’amplificateur, on commence par déterminer le


schéma équivalent en petits signaux et en basses fréquences.

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Figure 3.4 Montage émetteur commun découplé.

𝑅 𝑅 ×𝑅
On note : 𝑍𝐸 = 1+𝑗𝜔𝑅𝐸 et 𝑅𝑝 = 𝑅1 //𝑅2 = 𝑅1 +𝑅2
𝐸 𝐶𝐸 1 2

a) Schéma équivalent

Notons ZE l’impédance équivalente vue côté émetteur (ZE = RE//CE ), le schéma


équivalent est obtenu en appliquant le théorème de superposition. En effet pour l’alternatif petits
signaux, la source de tension continue VCC est passive, ce qui revient à la remplacer par un court-
circuit. Le théorème de Thévenin nous permet de simplifier le schéma équivalent de la Figure 3.5
(a) pour obtenir la Figure 3.5 (b). Les expressions suivantes permettent de passer de la figure
générale à la figure simplifiée.

Figure 3.5 Schéma équivalent EC.

b) Droite de charge statique et dynamique

L'excursion maximale de vce est inférieure à E0. Elle est limitée par la droite de charge
dynamique (point E1) et par la zone de saturation.

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Figure 3.6 Droites de charge EC.

c) Impédance d’entrée et de sortie

Ze = Re = RB // h11

Zs = Rs = Rch // Rc

d) Amplification en tension et en courant

Av = -βRs/h11
𝛽𝑅𝐶 𝑅𝐵
𝐴𝑖 = 𝑅 ×ℎ
𝐶 +𝑅𝑐ℎ 11 +𝑅𝐵

3.3.2. Amplificateur en collecteur commun (CC)

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Figure 3.7 Montage collecteur commun.

RB = R1 // R2

Figure 3.8 Schéma équivalent CC.

3.3.3. Amplificateur en base commune (BC)

Figure 3.9 Montage base commune.

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Figure 3.10 Schéma équivalent BC.

3.3.4. Propriétés des montages fondamentaux

Caractéristique Base Commune Emetteur Commun Collecteur Commun


Gain en courant Négatif presque unité Positif fort (50) Négatif fort (-50)
Gain en tension Positif fort (100) Négatif fort (-100) Positif presque unité
Gain en puissance Moyenne Très forte Très faible
Impédance d’entrée Faible (20Ω) Moyenne (1kΩ) Forte (100kΩ)
Impédance de sortie Très forte (1MΩ) Moyenne (50kΩ) Faible (100Ω)
Inversion de phase Non Oui Non

3.3.5. Association de montages

L'association de plusieurs étages est nécessaire :

 soit quand le gain d'un seul étage est insuffisant,

 soit quand les impédances d'entrée ou de sortie sont inadaptées.

Figure 3.10 Schéma association de montages.

On associe généralement :
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EC + EC : pour obtenir un gain élevé

CC + EC : si l'impédance interne du générateur d'entrée est trop élevée

EC + CC : si l'impédance de la charge est faible.

CC + CC : pour obtenir un fort gain en courant.

3.4. AMPLIFICATEURS A CONTRE-REACTION


Un amplificateur à contre-réaction est celui dans lequel une fraction de la sortie de
l'amplificateur est renvoyée au circuit d'entrée. Cette dépendance partielle de la sortie de
l'amplificateur sur son entrée aide à contrôler la sortie. Un amplificateur à contre-réaction se
compose de deux parties : un amplificateur et un circuit de rétroaction.

(i) Rétroactions positives

Si la tension (ou le courant) de rétroaction est appliquée de manière à augmenter la


tension d'entrée (c'est-à-dire qu'elle est en phase avec celle-ci), alors on l'appelle rétroaction
positive. D'autres noms pour cela sont : rétroaction régénérative ou directe. Comme les retours
positifs produisent une distorsion excessive, ils sont rarement utilisés dans les amplificateurs.
Cependant, comme il augmente la puissance du signal original, il est utilisé dans les circuits
oscillateurs.

(ii) Rétroactions négatives

Si la tension de rétroaction (ou le courant) est appliquée de manière à réduire l'entrée de


l'amplificateur (c'est-à-dire qu'elle est déphasée de 180 ° par rapport à celle-ci), elle est appelée
rétroaction négative. D'autres noms pour cela sont : rétroaction dégénérative ou inverse.

La rétroaction négative est fréquemment utilisée dans les circuits amplificateurs.

3.4.1. Principe des amplificateurs à rétroaction

Pour un amplificateur ordinaire, c'est-à-dire sans rétroaction, le gain en tension est donné par
le rapport entre la tension de sortie Vo et la tension d'entrée Vi. Comme le montre le schéma
fonctionnel de la Figure 3.11a, la tension d'entrée Vi est amplifiée par un facteur A pour avoir la
valeur Vo de la tension en sortie.

A = Vo/Vi

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Figure 3.11a Schéma fonctionnel d’un amplificateur.

Ce gain A est souvent appelé gain en boucle ouverte.

Figure 3.11b Amplificateur avec contre-réaction.

Supposons qu'une boucle de contre-réaction soit ajoutée à l'amplificateur (Figure 3.11b).


Si Vo' est la tension de sortie avec contre-réaction, une fraction β de cette tension est appliquée à
la tension d'entrée qui devient donc (Vi ± βVo') selon que la tension de retour soit en phase ou en
antiphase avec lui. En supposant un retour positif, la tension d'entrée deviendra (Vi + βVo').
Lorsqu'elle est amplifiée, elle devient A (Vi + βVo').

A (Vi + βVo') = Vo'

où Vo' (1 - βA) = AVi

Le gain de l'amplificateur A' avec rétroaction est donné par

𝑉0 𝐴
𝐴′ = =
𝑉𝑖 1 − 𝛽𝐴

𝐴
𝐴′ = ⁡⁡⁡𝑝𝑜𝑢𝑟⁡𝑢𝑛𝑒⁡𝑟é𝑡𝑟𝑜𝑎𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛⁡𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑒
1 − 𝛽𝐴

𝐴 𝐴
𝐴′ = = ⁡⁡⁡𝑝𝑜𝑢𝑟⁡𝑢𝑛𝑒⁡𝑟é𝑡𝑟𝑜𝑎𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛⁡𝑛𝑎𝑔𝑎𝑡𝑖𝑣𝑒
1 − (−𝛽𝐴) 1 + 𝛽𝐴

Le terme «βA» est appelé facteur de rétroaction alors que β est connu comme le rapport
de rétroaction. L'expression (1 ± βA) est appelée gain en boucle. Le gain d'amplificateur A' avec
rétroaction est également appelé gain en boucle fermée car c'est le gain obtenu après la fermeture
de la boucle de rétroaction. Le facteur de sacrifice est défini comme S = A/A '.

(a) Contre-réactions négatives


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Le gain de l'amplificateur avec rétroaction négative est donné par :

𝐴
𝐴′ =
1 + 𝛽𝐴

Évidemment, A' < A parce que | 1 + βA | > 1. Supposons que A = 90 et β = 1/10 =


0,1. Le gain sans rétroaction est de 90 et avec une rétroaction négative elle est de 9.

Comme on le voit, la rétroaction négative réduit le gain de l'amplificateur. C'est pourquoi


on parle de rétroaction dégénérative. Beaucoup de gains en tension sont sacrifiés en raison de la
rétroaction négative. Quand | βA | ≫ 1, alors :

𝐴 1
𝐴′ ≅ ≅
𝛽𝐴 𝛽

Cela signifie que A' dépend uniquement de β. Mais il est très stable car il n'est pas affecté
par les variations de température, les paramètres de l'amplificateur, la tension d'alimentation et le
vieillissement des composants du circuit. Comme les résistances peuvent être sélectionnées très
précisément avec un coefficient de température presque nul, il est possible d’avoir un gain très
précis et stable avec une rétroaction négative.

(b) Rétroaction positive

Le gain de l'amplificateur avec retour positif est donné par :

𝐴
𝐴′ =
1 − 𝛽𝐴

Avec | 1 - βA | < 1, A'> A

Supposons que le gain sans rétroaction est de 90 et β = 1/100 = 0.01, alors le gain avec
rétroaction positive est A’ = 900.

La rétroaction positive augmente le gain de l'amplificateur. C'est ce qu'on appelle la


rétroaction régénérative. Si βA = 1, alors mathématiquement, le gain devient infini ce qui signifie
simplement qu'il y a une sortie sans aucune entrée! Cependant, électriquement parlant, cela ne
peut pas arriver. Ce qui se passe réellement, c'est que l'amplificateur devient un oscillateur qui
fournit sa propre entrée. En fait, deux conditions importantes et nécessaires pour l'oscillation du
circuit sont :

1. la rétroaction doit être positive,


2. la rétroaction doit être unitaire, c'est-à-dire βA = +1.

3.4.2. Avantages de la rétroaction négative

Les nombreux avantages de la contre-réaction l'emportent sur son seul inconvénient d'un
gain réduit. Parmi les avantages nous avons :

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1. une fidélité plus élevée, c'est-à-dire un fonctionnement plus linéaire,
2. gain hautement stabilisé,
3. une augmentation de la bande passante, c'est-à-dire une réponse en fréquence améliorée,
4. moins de distorsion d'amplitude,
5. moins de distorsion harmonique,
6. moins de distorsion de fréquence,
7. moins de distorsion de phase,
8. réduction du bruit,
9. les impédances d'entrée et de sortie peuvent être modifiées comme désiré.

3.4.3. Rétroaction sur plusieurs étages amplificateurs

Les amplificateurs à plusieurs étages sont utilisés pour obtenir une amplification de tension
ou de courant plus importante ou les deux. Dans un tel cas, nous avons le choix d'appliquer une
rétroaction négative pour améliorer les performances de l'amplificateur. Soit nous appliquons une
rétroaction sur chaque étage soit nous mettons une boucle de rétroaction sur l'amplificateur
entier.

Un amplificateur à plusieurs étages est représenté sur la Figure 3.12. Sur la Figure 3.12 (a),
chaque étage de l'amplificateur à n étages reçoit une rétroaction d'information. Soit A et β1 le
rapport de gain et de contre-réaction en boucle ouverte de chaque étage et A1 le gain global de
l'amplificateur. La Figure 3.12 (b) montre l'arrangement où n amplificateurs ont été cascadés afin
d'obtenir un gain total de An. Soit le facteur de rétroaction global β2 et le gain global A2. Les
valeurs des deux gains sont données comme

Figure 3.12 Rétroaction sur un amplificateur à plusieurs étages.


𝑛
𝐴 𝐴𝑛
𝐴1 = ( ) ⁡⁡⁡⁡𝑒𝑡⁡𝐴1 =
1 + 𝛽1 𝐴 1 + 𝛽2 𝐴𝑛

Pour que les deux circuits aient le même gain global, il faut que A1 = A2. Par conséquent,
de l'équation ci-dessus, on obtient (1 – β1A)n = 1 + β2An.

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Si n = 1, alors le dénominateur dans l'équation ci-dessus devient unité de sorte que les
variations de gain fractionnaire soient les mêmes que prévu. Cependant, pour n > 1 et avec (1 +
β1A) étant une quantité normalement grande, la variation de A2 sera inférieure à la variation de
A1. Cela signifie que la rétroaction globale semble être bénéfique en ce qui concerne la
stabilisation du gain.

3.4.4. Les formes de rétroaction négative

Les quatre formes de base pour l'utilisation de la rétroaction négative sont présentées dans le
schéma synoptique de la Figure 3.13. Comme on le voit, la tension et le courant peuvent être
renvoyés à l'entrée en série ou en parallèle. La tension de sortie fournit une entrée sur la Figure
3.13 (a) et (b). Cependant, l'entrée du réseau de retour est dérivée du courant de sortie de la
Figure 3.13 (c) et (d).

Figure 3.13 Les quatre formes de rétroaction négatives.

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(a) Rétroaction tension-série

Il est montré sur la Figure 3.13 (a). Il est également appelé rétroaction dérivée en série
dérivé par shunt. L'amplificateur et le circuit de retour sont connectés en série-parallèle. Ici, une
fraction de la tension de sortie est appliquée en série avec la tension d'entrée via la rétroaction.
Comme on le voit, l'entrée sur le réseau de retour est en parallèle avec la sortie de l'amplificateur.
Par conséquent, en ce qui concerne Vo, la résistance de sortie de l'amplificateur est réduite par
l'effet de shunt de l'entrée sur le réseau de retour. Il peut être prouvé que

𝑅0
𝑅0′ =
1 + 𝛽𝐴

De même, Vi voit deux éléments de circuit en série :

(a) la résistance d'entrée de l'amplificateur et


(b) la résistance de sortie du réseau de rétroaction.

Par conséquent, la résistance d'entrée de l'amplificateur dans son ensemble est augmentée en
raison de la rétroaction. Il peut être prouvé que

Ri' = Ri(1 + βA)

En fait, la rétroaction en série augmente toujours l'impédance d'entrée d'un facteur de (1


+ βA).

(b) Rétroaction tension-parallèle ou tension-shunt

Il est montré sur la Figure 3.13 (b). Il est également connu sous le nom de rétroaction par
alimentation-shunt et dérivation-shunt, c'est-à-dire qu'il s'agit d'un prototype parallèle-parallèle
(PP). Ici, une petite partie de la tension de sortie est couplée à la tension d'entrée parallèle (shunt).

Etant donné que le réseau de rétroaction court-circuite à la fois la sortie et l'entrée de


l'amplificateur, il diminue à la fois ses impédances de sortie et d'entrée d'un facteur de 1/(1 +
βA). Une rétroaction shunt réduit toujours l'impédance d'entrée.

(c) Rétroaction courant-série

Il est montré sur la Figure 3.13 (c). Il est également connu sous le nom de feedback en
série dérivé de la série. Comme on le voit, il s'agit d'un circuit série série (SS). Ici, une partie du
courant de sortie est faite pour renvoyer une tension proportionnelle en série avec l'entrée.
Comme il s'agit d'une prise en série et d'un retour en série, les impédances d'entrée et de sortie de
l'amplificateur sont augmentées en raison du retour

(d) Rétroaction courant-parallèle ou courant-shunt

Il est montré sur la Figure 3.13 (d). Il est également appelé rétroaction série-dérivé et
alimentation-shunt. C'est un prototype série parallèle (SP). Ici, le réseau de retour capte une partie
du courant de sortie et développe une tension de retour en parallèle (shunt) avec la tension
d'entrée. Comme on le voit, le réseau de rétroaction shunte l'entrée mais est en série avec la

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sortie. Par conséquent, la résistance de sortie de l'amplificateur est augmentée tandis que sa
résistance d'entrée est diminuée d'un facteur de gain de boucle.

Les effets de la rétroaction négative sur les caractéristiques de l'amplificateur sont résumés
ci-dessous :

Caractéristiques Type de rétroaction


Tension-Série Tension- Courant-Série Courant-
Parallèle Parallèle
Gain en tension diminue diminue diminue diminue
Bande passante augmente augmente augmente augmente
Distorsion diminue diminue diminue diminue
harmonique
Le bruit diminue diminue diminue diminue
Résistance augmente diminue augmente diminue
d’entrée
Résistance de diminue diminue augmente augmente
sortie

3.4.5. Quelques montages de rétroaction négative

Figure 3.14 Rétroaction tension-série.

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Figure 3.15 Rétroaction courant-série.

Figure 3.16 Rétroaction tension-parallèle.

Figure 3.17 Rétroaction courant-parallèle.

3.5. AMPLIFICATEURS FONDAMENTAUX À TRANSISTORS FET

Le transistor à effet de champ peut être utilisé en électronique car il présente une résistance
d’entrée élevée. Ce composant de base peut aussi être utilisé comme résistance variable.

Les trois montages fondamentaux sont la source commune, le drain commun et la grille
commune.

3.5.1. Amplificateur source commune

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Soit le montage de la Figure 3.11, on suppose que les condensateurs de liaison C1 et C2 ont
des valeurs de capacités très élevées, et se comportent de ce fait comme des courts-circuits à la
fréquence de travail considérée.

Figure 3.18 Amplificateur à transistor FET en source commune.

On cherche à déterminer le gain en tension à vide AV0, le gain en tension en charge AV,
l’impédance d’entrée Ze et l’impédance de sortie ZS.

a) Schéma équivalent

La source se trouve à la masse en alternatif. On suppose que la valeur de la résistance RG


est très élevée devant la valeur de Rg, on obtient le schéma équivalent suivant :

Figure 3.19 Schéma équivalent de l’amplificateur à transistor FET en source commune.

b) Gain en tension à vide

À vide, on débranche la résistance RU. On suppose que la source est reliée à la masse en
alternatif (CS de forte valeur).

La résistance RG étant souvent élevée, l’amplification à vide AV0 devient :

𝑣𝑠 𝑔𝑚 𝑢𝐺𝑆 × (𝑅𝐷 //𝑟𝐷𝑆 )


𝐴𝑣0 = =− = −𝑔𝑚 (𝑅𝐷 //𝑟𝐷𝑆 )
𝑣𝑒 𝑢𝐺𝑆

Généralement, rDS est nettement plus élevée que RD, l’amplification AV0 devient :

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𝑣𝑠
𝐴𝑣0 = = −𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝑣𝑒

c) Impédance d’entrée et impédance de sortie

L’impédance d’entrée du transistor seul étant considérée comme infinie, l’impédance


d’entrée du montage est simplement égale à RG.

La résistance entre G et S étant infinie, il n’y a aucune réaction de la sortie sur l’entrée.

L’admittance de sortie est :

𝑖𝑠
𝑌𝑠 = = 𝐺𝐷 + 𝑔𝐷𝑆
𝑢𝑠𝑑

Souvent la valeur de la résistance RD est beaucoup plus faible que la valeur de rDS, la
résistance de sortie devient :

𝑅𝑆 = 𝑅𝐷 //𝑟𝐷𝑆 ≈ 𝑅𝐷

3.5.2. Amplificateur drain commun

Soit le montage de la Figure 3.20, on suppose que les condensateurs de liaison C1 et C2 ont
des valeurs de capacités très élevées, et se comportent de ce fait comme des courts-circuits à la
fréquence de travail considérée. On cherche à déterminer le gain en tension à vide AV0, le gain en
tension en charge AV, l’impédance d’entrée Ze et l’impédance de sortie ZS.

Figure 3.20 Transistor FET en drain commun

a) Schéma équivalent

Le drain qui étant relié à la borne positive (+) de l’alimentation, se trouve à la masse en
alternatif. On obtient le schéma équivalent suivant :

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Figure 3.21 Schéma équivalent du montage drain commun

b) Gain en tension à vide

On note la conductance de source GS et la conductance drain - source gDS :

1 1
𝐺𝑆 = ⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡𝑔𝑑𝑠 =
𝑅𝑆 𝑟𝑑𝑠

À vide, la résistance de charge RU est infinie, la résistance RG étant souvent élevée,


l’amplification à vide AV0 devient :

𝑣𝑠 𝑢𝑠𝑑 𝑔𝑚 𝑔𝑚 𝑅𝑆
𝐴𝑣0 = = = =
𝑣𝑒 𝑢𝑔𝑑 𝐺𝑆 + 𝑔𝑚 + 𝑔𝐷𝑆 1 + (𝑔𝑚 + 𝑔𝐷𝑆 )𝑅𝑆

Généralement, gDS est nettement plus petit que gm et GS, l’amplification AV0 devient :

𝑔𝑚 𝑔𝑚 𝑅𝑆
𝐴𝑣0 = =
𝐺𝑆 + 𝑔𝑚 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆

c) Impédance d’entrée et impédance de sortie

L’impédance d’entrée du transistor seul étant considérée comme infinie, l’impédance


d’entrée du montage est simplement égale à RG.

La résistance entre G et S étant infinie, il n’y a aucune réaction de la sortie sur l’entrée et
la tension entre la grille et le drain est nulle : uGD = 0, ce qui fait que : uGS = −uSD.

L’admittance de sortie est :

𝑖𝑠
𝑌𝑠 = = 𝐺𝑆 + 𝑔𝑑𝑠 + 𝑔𝑚 ≈ 𝐺𝑆 + 𝑔𝑚
𝑢𝑠𝑑

Dans le cas particulier : gmRS ≫ 1, alors, Ys ≈ gm.


𝑢𝑠𝑑 1
La résistance de sortie devient : 𝑅𝑠 = ≈𝑔
𝑖𝑠 𝑚

d) Gain en charge

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L’amplificateur se met sous la forme d’un quadripôle avec une impédance d’entrée Ze, une
impédance de sortie ZS et une source de tension commandée en tension AV0uGS. Le gain en
charge devient :

𝑣𝑠 𝑢𝐺𝑆 𝑅𝑈 𝑍𝑒 𝑅𝑈 𝑍𝑒 𝑔𝑚 𝑅𝑆
𝐴𝑣 = × = × 𝐴𝑣0 × = × ×
𝑢𝐺𝑆 𝑒𝑔 𝑅𝑈 + 𝑍𝑆 𝑍𝑒 + 𝑅𝑔 𝑅𝑈 + 𝑍𝑆 𝑍𝑒 + 𝑅𝑔 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆

3.5.3. Amplificateur grille commune

Soit le montage grille commune de la Figure 3.22. Si on suppose que les condensateurs sont
des courts-circuits à la fréquence de travail, les principaux résultats de ce montage sont :
𝑅
Impédance d’entrée : 𝑍𝑒 ≅ 1+𝑔 𝑠 𝑅
𝑚 𝑠

Impédance de sortie : 𝑍𝑠 ≅ 𝑅𝐷
𝑉
Amplification en tension à vide : 𝐴𝑣 = 𝑉𝑠 ≅ 𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝑒

Figure 3.22 Amplificateur grille commune

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Figure 3.23 Schéma équivalent du montage grille commune

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CHAPITRE 4 : LES OSCILLATEURS SINUSOÏDAUX

4.1. INTRODUCTION
Dans certaines applications électroniques, un dispositif instable générant un signal périodique
à des fréquences bien définies est très utile. Un tel dispositif s’appelle oscillateur. Un oscillateur
est un montage électronique permettant d’obtenir un signal alternatif à partir de la tension
continue des sources qui servent à polariser les composants actifs du montage.

Dans un système électronique, cet oscillateur a souvent le rôle d’une source de référence de
tension, de fréquence ou de temps. Ainsi sont utilisées : l’horloge d’un micro-ordinateur, la base
de temps d’un oscilloscope…etc. Suivant la nature des signaux fournis, les oscillateurs se divisent
en deux grandes familles :

 Les oscillateurs sinusoïdaux (ou harmoniques) qui fournissent un signal quasi-sinusoïdal.


 Les oscillateurs à relaxation qui produisent un signal non sinusoïdal (créneaux, dents de
scie…etc).

4.2. Oscillateurs à réactions positive (ou à réaction)


4.2.1. Principe

La structure d’un oscillateur peut se ramener à celle d’un système bouclé (ou en boucle
fermée). Il est constitué de deux étages reliés en boucle :

 Une chaîne directe ou d’action de fonction de transfert H(jω) à amplificateur opérationnel


ou à transistor apportant de l’amplification.
 Une chaîne de retour ou de réaction de fonction de transfert K(jω) présentant une
résonance (L, C, résonateur piézo, quartz …).
 Un comparateur qui réalise la différence entre le signal d’entré et la partie du signal de
sortie réinjectée à l’entrée.

Figure 4.1 Système bouclé

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La fonction de transfert s’écrit :

𝑆(𝑗𝜔) 𝐻(𝑗𝜔)
𝑇(𝑗𝜔) = = ⇒ 𝑆(𝑗𝜔) ∙ (1 + 𝐻(𝑗𝜔) ∙ 𝐾(𝑗𝜔)) = 𝐸(𝑗𝜔) ∙ 𝐻(𝑗𝜔)
𝐸(𝑗𝜔) 1 + 𝐻(𝑗𝜔) ∙ 𝐾(𝑗𝜔)

Lorsque le signal d’entrée e(t) est nul, alors on a le schéma ci-dessous :

Figure 4.2 Système bouclé à signal d’entrée nul

On peut écrire que :

𝑆(𝑗𝜔) ∙ (1 + 𝐻(𝑗𝜔) ∙ 𝐾(𝑗𝜔)) = 0

et pour avoir 𝑆(𝑗𝜔) ≠ 0 il faut et il suffit que :

1 + 𝐻(𝑗𝜔) ∙ 𝐾(𝑗𝜔) = 0 ⇒ 𝐻(𝑗𝜔) ∙ 𝐾(𝑗𝜔) = −1

d’où le critère de BARKHAUSEN ou condition d’auto-oscillation.

Pour qu’un système bouclé oscille, il faut qu’il existe une fréquence f0 ou une pulsation ω0
pour laquelle le gain de boucle soit égal à 1 : c’est la condition de Barkhausen ou condition
d’auto-oscillation qui se traduit en pratique par deux conditions :

 à la fréquence d’oscillation f0 , l'amplification de la boucle doit être égale à 1 (ou 0 dB) :


condition de gain : |𝑯(𝒋𝝎)| ∙ |𝑲(𝒋𝝎)| = 𝟏
 à la fréquence d’oscillation f0 , le déphasage total de la boucle doit être nul : condition de
phase : 𝒂𝒓𝒈(𝑯(𝒋𝝎)) + 𝒂𝒓𝒈(𝑲(𝒋𝝎)) = 𝟎⁡𝒐𝒖⁡𝒂𝒓𝒈(𝑯(𝒋𝝎)) = −𝒂𝒓𝒈(𝑲(𝒋𝝎))

Remarque :

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 L’amplitude des oscillateurs et limitée par la saturation des composants.
 Dans la pratique la condition d’accrochage est obtenue pour |𝑯(𝒋𝝎)| ∙ |𝑲(𝒋𝝎)|
légèrement supérieur à 1.

A la fréquence f0, le déphasage de la chaîne directe compense le déphasage du quadripôle de


réaction.

Figure 4.3 Transmittance de boucle pour l’oscillateur en fonctionnement et au démarrage

Remarque : Pour que l’oscillation puisse démarrer, il faut avoir, au moment de la mise sous
tension de l’oscillateur, une amplification un peu supérieure à l’atténuation du quadripôle de
réaction.

4.2.2. Démarrage de l’oscillation

A la mise sous tension de l’oscillateur, les fluctuations dues à l’agitation thermique des
électrons provoquent le démarrage de l’oscillation à condition qu’il existe une fréquence f0 à
laquelle le déphasage total est nul et l’amplification de la chaîne supérieure à 1.

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Figure 4.4 Dans le domaine linéaire, l’amplification est plus grande que 1

Lorsque l’amplitude augmente, l’amplificateur sort de son domaine linéaire et le signal est
forcément écrêté par l’étage d’amplification, ce qui conduit à une diminution de l’amplification
qui sera ainsi ramenée à la valeur T=1.

Figure 4.5 Aux fortes amplitudes, l’amplification est ramenée à 1 par écrêtage

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Lors du démarrage d’un oscillateur, on passe toujours de la situation |HK| > 1 à la
situation |HK| = 1.

|𝑇(𝐽𝜔0 )| = |𝐻(𝑗𝜔0 ) ∙ 𝐾(𝑗𝜔0 )| > 1 ⇒ |𝑇(𝐽𝜔0 )| = |𝐻(𝑗𝜔0 ) ∙ 𝐾(𝑗𝜔0 )| = 1

condition de démarrage condition d’entretien des oscillations

Dans la pratique on peut :

 compter sur la saturation de l’amplificateur pour écrêter le signal aux fortes amplitudes
 prévoir un circuit de contrôle de gain qui diminue l’amplification aux fortes amplitudes

La pureté spectrale du signal obtenu est meilleure dans le deuxième cas.

4.2.3. Analyse des principaux types d’oscillateurs


4.2.3.1. Oscillateurs à pont de Wien

La réaction étant de type tension - série. Le quadripôle de réaction (R,C) est appelé « réseaux
de Wien » ou « pont de Wien » .

Figure 4.6 Oscillateur à pont de Wien

Chaîne directe :

𝑆(𝑗𝜔) 𝑅2
𝐻(𝑗𝜔) = =1+
𝐸(𝑗𝜔) 𝑅1

Chaîne de retour :

𝑉(𝑗𝜔) 𝑍2 1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔 𝑅
𝐾(𝑗𝜔) = = ⁡𝑎𝑣𝑒𝑐⁡⁡𝑍1 = ⁡𝑒𝑡⁡𝑍2 =
𝑆(𝑗𝜔) 𝑍1 + 𝑍2 𝑗𝐶𝜔 1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔

Posons : p = jω

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𝑅𝐶𝑝
𝐾(𝑝) =
1 + 3𝑅𝐶𝑝 + (𝑅𝐶𝑝)2

Condition d’oscillation :

On ferme l’interrupteur K, alors V(p) = E(p).

𝑆(𝑝) 𝑉(𝑝) 𝑅2 𝑅𝐶𝑝


𝐻(𝑝) ∙ 𝐾(𝑝) = × = 1 ⇒ (1 + ) × ( )=1
𝐸(𝑝) 𝑆(𝑝) 𝑅1 1 + 3𝑅𝐶𝑝 + (𝑅𝐶𝑝)2

𝑅2 1
⇒1+ = 3 + 𝑅𝐶𝑝 +
𝑅1 𝑅𝐶𝑝

𝑅2 1 𝑅2 1
1+ = 3 + 𝑗 (𝑅𝐶𝜔 − )⇒ 1+ = 3⁡⁡𝑒𝑡⁡𝑅𝐶𝜔 − =0
𝑅1 𝑅𝐶𝜔 𝑅1 𝑅𝐶𝜔

1 1
𝑅2 = 2𝑅1 ⁡⁡⁡𝜔𝑜𝑠𝑐 = ⁡⁡⁡⁡⁡𝑓𝑜𝑠𝑐 =
𝑅𝐶 2𝜋𝑅𝐶
On trouve à la sortie un signal s(t) quasi sinusoïdal (presque sinusoïdal), de fréquence f osc,
à condition que R2 ≥ 2R1.

4.2.3.2. Oscillateur déphaseur "Phase shift"

La réaction étant de type tension parallèle. Le quadripôle de réaction est un circuit à


résistance et capacité qui fournit un déphasage entre la sortie est l’entrée.

Figure 4.7 Oscillateur déphaseur


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Chaîne directe :

𝑆(𝑝) 𝑅2
𝐻(𝑝) = =−
𝐸(𝑝) 𝑅1

Chaîne de retour :

1 𝑆(𝑝) 6 5 1
= =1+ + +
𝐾(𝑝) 𝑉(𝑝) 𝑅𝐶𝑝 (𝑅𝐶𝑝) 2 (𝑅𝐶𝑝)3

Condition d’oscillation :

On ferme l’interrupteur K, alors V(p) = E(p).

𝑆(𝑝) 𝑉(𝑝) 1 𝑅2 6 5 1
𝐻(𝑝) ∙ 𝐾(𝑝) = × = 1 ⇒ 𝐻(𝑝) = ⇔− =1+ + +
𝐸(𝑝) 𝑆(𝑝) 𝐾(𝑝) 𝑅1 𝑅𝐶𝑝 (𝑅𝐶𝑝)2 (𝑅𝐶𝑝)3

𝑅2 5 6 1 𝑅2 5 6 1
− =1− + 𝑗 (− + )⇒− =1− ⁡⁡𝑒𝑡⁡ − +
𝑅1 (𝑅𝐶𝜔) 2 𝑅𝐶𝜔 (𝑅𝐶𝜔) 3 𝑅1 (𝑅𝐶𝜔) 2 𝑅𝐶𝜔 (𝑅𝐶𝜔)3
=0

1 𝑅2
(𝑅𝐶𝜔)2 = ⇒− = 1 − 5 × 6 = −29
6 𝑅1

1 1
𝑅2 = 29𝑅1 ⁡⁡⁡𝜔𝑜𝑠𝑐 = ⁡⁡⁡⁡𝑓𝑜𝑠𝑐 =
√6𝑅𝐶 2𝜋√6𝑅𝐶

On trouve à la sortie un signal s(t) quasi sinusoïdal (presque sinusoïdal), de fréquence f osc,
à condition que : R2 ≥ 29R1.

Dans le cas d'un oscillateur à transistor on opérerait de la même façon, mais ici le choix
du transistor n'est pas anodin car il intervient dans les calculs par son paramètre h11 et dans une
moindre mesure h22 ainsi que le montre le schéma équivalent donné pour mémoire

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Figure 4.8 Oscillateur déphaseur à transistor

4.2.3.3. Oscillateur Colpitts

La réaction est de type tension série.

Figure 4.9 Oscillateur colpitts

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Chaîne directe :

𝑆 ′ (𝑝) 𝑅2 𝑆(𝑝) 𝑍
= 1 + ⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡ ′ =
𝐸(𝑝) 𝑅1 𝑆 (𝑝) 𝑅 + 𝑍

1 𝐿𝑝 𝐶1 𝐶2
𝑍 = 𝐿𝑝// = 2
⁡𝑒𝑡⁡⁡𝐶𝑒 =
𝐶𝑒 𝑝 1 + 𝐿𝐶𝑒 𝑝 𝐶1 + 𝐶2

𝑆(𝑝) 𝑅2 𝑍 𝑅2 𝐿𝑝
𝐻(𝑝) = = (1 + ) ( ) = (1 + ) ( )
𝐸(𝑝) 𝑅1 𝑅 + 𝑍 𝑅1 𝐿𝑝 + 𝑅(1 + 𝐿𝐶𝑒 𝑝2 )
𝑅2 1
= (1 + ) ( )
𝑅1 1 + 𝑅(𝐶𝑒 𝑝 + 1⁄𝐿𝑝)

Chaîne de retour :

𝐶1 𝑝 𝑉(𝑝) 𝐶1 𝐶𝑒
𝑉(𝑝) = 𝑆(𝑝) ⇒ 𝐾(𝑝) = = =
𝐶1 𝑝 + 𝐶2 𝑝 𝑆(𝑝) 𝐶1 + 𝐶2 𝐶2

Condition d’oscillation :

On ferme l’interrupteur K, alors V(p) = E(p).

𝑆(𝑝) 𝑉(𝑝) 𝐶𝑒 𝑅2 1
𝐻(𝑝)𝐾(𝑝) = = 1 ⇒ ( ) (1 + ) ( )=1
𝐸(𝑝) 𝑆(𝑝) 𝐶2 𝑅1 1 + 𝑅(𝐶𝑒 𝑝 + 1⁄𝐿𝑝)

𝐶𝑒 𝑅2 1 1 𝐶𝑒 𝑅2
( ) (1 + ) = 1 + 𝑅 (𝐶𝑒 𝑝 + ) = 1 + 𝑗𝑅 (𝐶𝑒 𝜔 − ) ⇒ ( ) (1 + )
𝐶2 𝑅1 𝐿𝑝 𝐿𝜔 𝐶2 𝑅1
1
= 1⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡𝑅 (𝐶𝑒 𝜔 − )=0
𝐿𝜔
𝑅2 𝐶2 𝐶2
1+ = = 1 + ⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡𝐿𝐶𝑒 𝜔2 = 1
𝑅1 𝐶𝑒 𝐶1

𝑅2 𝐶2 1 1 1 1 1
= ⁡⁡⁡𝜔𝑜𝑠𝑐 = = √ ( + )⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡𝑓𝑜𝑠𝑐 =
𝑅1 𝐶1 √𝐿𝐶𝑒 𝐿 𝐶1 𝐶2 2𝜋√𝐿𝐶𝑒

𝑅 𝐶
Dans la pratique l’oscillation sinusoïdale prend naissance lorsque 𝑅2 > 𝐶2
1 1

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Une autre variante de l’oscillateur Colpitts utilisant un transistor à effet de champ
représenté par sa pente en source commune s (𝜌 est infinie). Les capacités de liaisons CS et Ce
sont supposées des courts-circuits à la fréquence d’oscillation.

Figure 4.10 Oscillateur colpitts à JFET

4.2.3.4. Oscillateur Hartley

La réaction est de type tension série.

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Figure 4.11 Oscillateur Hartley

Chaîne directe :

𝑆 ′ (𝑝) 𝑅2 𝑆(𝑝) 𝑍
= 1 + ⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡ ′ =
𝐸(𝑝) 𝑅1 𝑆 (𝑝) 𝑅 + 𝑍

1 𝐿𝑝
𝑍 = 𝐿𝑝// = ⁡𝑒𝑡⁡⁡𝐿 = 𝐿1 + 𝐿2
𝐶 𝑝 1 + 𝐿𝐶 𝑝2

𝑆(𝑝) 𝑅2 𝑍 𝑅2 𝐿𝑝
𝐻(𝑝) = = (1 + ) ( ) = (1 + ) ( )
𝐸(𝑝) 𝑅1 𝑅 + 𝑍 𝑅1 𝐿𝑝 + 𝑅(1 + 𝐿𝐶 𝑝2 )
𝑅2 1
= (1 + ) ( )
𝑅1 1 + 𝑅(𝐶 𝑝 + 1⁄𝐿𝑝)

Chaîne de retour :

𝐿2 𝑝 𝑉(𝑝) 𝐿2 𝐿2
𝑉(𝑝) = 𝑆(𝑝) ⇒ 𝐾(𝑝) = = =
𝐿1 𝑝 + 𝐿2 𝑝 𝑆(𝑝) 𝐿1 + 𝐿2 𝐿

Condition d’oscillation :

On ferme l’interrupteur K, alors V(p) = E(p).

𝑆(𝑝) 𝑉(𝑝) 𝐿2 𝑅2 1
𝐻(𝑝)𝐾(𝑝) = = 1 ⇒ ( ) (1 + ) ( )=1
𝐸(𝑝) 𝑆(𝑝) 𝐿 𝑅1 1 + 𝑅(𝐶 𝑝 + 1⁄𝐿𝑝)

𝐿2 𝑅2 1 1 𝐿2 𝑅2
( ) (1 + ) = 1 + 𝑅 (𝐶 𝑝 + ) = 1 + 𝑗𝑅 (𝐶 𝜔 − ) ⇒ ( ) (1 + )
𝐿 𝑅1 𝐿𝑝 𝐿𝜔 𝐿 𝑅1
1
= 1⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡𝑅 (𝐶 𝜔 − )=0
𝐿𝜔

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𝑅2 𝐿 𝐿1
1+ = = 1 + ⁡⁡𝑒𝑡⁡⁡𝐿𝐶 𝜔2 = 1
𝑅1 𝐿2 𝐿2

𝑅2 𝐿1 1 1 1
= ⁡⁡⁡𝜔𝑜𝑠𝑐 = = ⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡𝑓𝑜𝑠𝑐 =
𝑅1 𝐿2 √𝐿𝐶 √𝐶(𝐿1 + 𝐿2 ) 2𝜋√𝐶(𝐿1 + 𝐿2 )

On peut réaliser un oscillateur Hartley à transistor à effet de champ. Le quadripôle de


réaction est constitué d’une cellule en π comportant deux inductances et un condensateur.

Les capacités Cl de liaison et CS de découplage sont considérées comme des courts-


circuits à la fréquence d’oscillation. Le transistor est caractérisé par sa pente en source commune
s.

Figure 4.11 Oscillateur Hartley à FET

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4.3. OSCILLATEURS A RESISTANCE NEGATIVE

4.3.1. Principe

Dans un circuit RLC, il y a échange permanent d’énergie entre la bobine et le condensateur,


mais cette énergie décroît constamment à cause de la puissance dissipée par effet joule dans la
résistance. Le signal utile est une sinusoïde amortie, donc une pseudo sinusoïde et l’amplitude de
la tension est une fonction exponentielle décroissante du temps.

Pour avoir des oscillations sinusoïdales, il faut fournir au circuit une énergie égale à celle qui à
été dissipée durant chaque pseudo période. Ce ci est possible en plaçant un dispositif qui présente
un effet dit de résistance négative. Un simple montage à base d’Amplificateur Opérateur peut être
assimilé à une résistance négative.

Figure 4.12 Principe des oscillateurs à résistance négative

 La loi des nœuds, appliquée au circuit de la Figure 4.12 (a) conduit à l’équation :

𝑢 𝑑𝑢 𝑢 𝑑𝑖𝐿
𝑖𝐿 + 𝑖𝑅 + 𝑖𝐶 + 𝑖𝑅𝑛 = 0 ⇒ 𝑖𝐿 + +𝐶 + = 0⁡⁡⁡𝑎𝑣𝑒𝑐⁡𝑢(𝑡) = 𝐿
𝑅 𝑑𝑡 𝑅𝑛 𝑑𝑡

1 1 𝑑 2 𝑖𝐿
𝑖𝐿 + 𝐿 ( + ) 𝑑𝑖𝐿 + 𝐿𝐶 2 = 0
𝑅 𝑅𝑛 𝑑𝑡

 La loi des mailles, appliquée au circuit de la Figure 4.12 (b) conduit à l’équation :

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𝑑𝑖 𝑑𝑢𝐶
𝑢𝐶 + 𝑢𝑅 + 𝑢𝐿 + 𝑢𝑅𝑛 = 0 ⇒ 𝑢𝐶 + 𝑅𝑖 + 𝐿 + 𝑅𝑛 𝑖 = 0⁡⁡𝑎𝑣𝑒𝑐⁡𝑖(𝑡) = 𝐶
𝑑𝑡 𝑑𝑡

𝑑𝑢𝐶 𝑑 2 𝑢𝐶
𝑢𝐶 + (𝑅𝑖 + 𝑅𝑛 )𝐶 + 𝐿𝐶 =0
𝑑𝑡 𝑑𝑡 2

 Dans les deux cas, si Rn = - R, les équations ainsi que leurs solutions générales prennent
les formes suivantes :

1
𝑖𝐿 + 𝐿𝐶𝑖𝐿" = 𝑖𝐿" + 𝑖 = 𝑖𝐿" + 𝜔02 𝑖𝐿 = 0 ⇒ 𝑖𝐿 (𝑡) = 𝐼𝑀 sin(𝜔0 𝑡 + 𝜑)
𝐿𝐶 𝐿
1
𝑢𝐶 + 𝐿𝐶𝑢𝐶" = 𝑢𝐶" + 𝑢 = 𝑢𝐶" + 𝜔02 𝑢𝐶 = 0 ⇒ 𝑢𝐶 (𝑡) = 𝑈𝑀 sin(𝜔0 𝑡 + 𝜑)
𝐿𝐶 𝐶
Alors une sinusoïde prend naissance dans les circuits étudiés.

4.3.2. Réalisation pratique

Dans cet exemple, la bobine est caractérisée par ses deux paramètres L et r du modèle série ;
𝐿𝜔0
son facteur de qualité 𝑄 = est supposé très grand devant l’unité pour la pulsation
𝑟
d’oscillation 𝐿𝜔0 ≫ 𝑟.

Figure 4.13 Oscillateur à résistance négative

 Entre les points A et M, l’amplificateur opérationnel supposé parfait, associé aux


résistances R1, R2 et R3 est équivalent à une résistance négative Rn.

𝑣 + = 𝑢 = 𝑅3 𝑖𝑒 + 𝑢𝑠 ⇒ 𝑢𝑠 = 𝑢 − 𝑅3 𝑖𝑒

𝑅1 𝑅2
𝑣− = 𝑣+ = 𝑢𝑠 = 𝑢 ⇒ 𝑢𝑠 = (1 + ) 𝑢
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1
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𝑅2 𝑅2 𝑢 𝑅1 𝑅3
𝑢𝑠 = 𝑢 − 𝑅3 𝑖𝑒 = (1 + ) 𝑢 ⇒ − 𝑢 = 𝑅3 𝑖𝑒 ⁡⁡𝑑 ′ 𝑜ù⁡𝑅𝑛 = = −
𝑅1 𝑅1 𝑖𝑒 𝑅2

 A tout instant on peut écrire : 𝑖1 + 𝑖2 + 𝑖3 = 0

𝑑𝑖1 (𝑡) 1
𝑣𝑠 (𝑡) = 𝑟𝑖1 (𝑡) + 𝐿 ⁡⁡⁡⁡𝑣𝑠 (𝑡) = ∫ 𝑖2 (𝑡)𝑑𝑡 ⁡⁡⁡⁡⁡𝑣𝑠 (𝑡) = 𝑅𝑛 𝑖3 (𝑡)
𝑑𝑡 𝐶

𝑉𝑠 (𝑝) 𝑉𝑠 (𝑝)
𝐼1 (𝑝) = ⁡⁡⁡⁡𝐼2 (𝑝) = 𝐶𝑝𝑉𝑠 (𝑝)⁡⁡⁡⁡⁡𝐼3 (𝑝) =
𝑟 + 𝐿𝑝 𝑅𝑛

En notation complexe et pour une oscillation sinusoïdale : 𝐼1 (𝑝) + 𝐼2 (𝑝) + 𝐼3 (𝑝) = 0

𝐿2 𝜔2 1 1
𝑅𝑛 = − ⁡⁡⁡⁡𝜔𝑜𝑠𝑐 = ⁡⁡⁡⁡⁡⁡𝑓𝑜𝑠𝑐 =
𝑟 √𝐿𝐶 2𝜋√𝐿𝐶

𝐿2 𝜔2
Si |𝑅𝑛 | > ; il y a saturation et dans le cas contraire il n’y a pas d’oscillation.
𝑟

4.4. OSCILLATEUR A RESONATEUR

La fréquence des oscillateurs peut varier suite à une variation d’un paramètre (température,
tension d’alimentation…etc). Lorsque nous avons besoin de générer une fréquence de grande
précision, on emploie des résonateurs constitués de cristaux piézo–électrique.

4.4.1. Le quartz piézo–électrique

Pour obtenir l’effet piézo-électrique on taille dans un cristal de quartz (le quartz est un cristal
naturel de silice), une lame parallélépipédique. Lorsque cette lame subit une déformation, ses
faces se couvrent de charges électriques de signes contraires. La différence de potentiel ainsi créée

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est proportionnelle à la force appliquée. Ce phénomène est réversible. Si la tension appliquée
entre les deux faces de la lame est alternative, celle ci se dilate et se comprime, on dit que le
quartz vibre. Le quartz est un transducteur qui convertit l’énergie électrique en énergie mécanique
et inversement. Cet oscillateur mécanique peut vibrer à des fréquences extrêmement diverses, de
quelques centaines de kilohertz à plusieurs dizaines de mégahertz. La fréquence de résonance du
quartz dépend de ses dimensions, mais pour un cristal donné elle est fixe et très stable dans le
temps : C’est la qualité fondamentale de ce type d’oscillateur.

Le symbole ainsi que le modèle équivalent d’une lame de quartz, fonctionnant au voisinage de
sa fréquence de résonance, sont donnés par la Figure 4.14.

Figure 4.14 Schéma équivalent du quartz

Dans la pratique un cristal de quartz monté entre deux armatures métalliques, formant un
condensateur plan de capacité C0. Le dipôle L-C série rend compte de la résonance mécanique du
cristal. L’impédance équivalente du quartz s’écrit :

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Comme la capacité C0 est beaucoup plus élevée que la capacité C, l’écart relatif entre wS et
wp est alors très faible et on a wp > wS.

Le graphe de la Figure 4.14 (b) donnant la réponse en fréquence X = f(w), montre que :

 Le quartz se comporte comme un circuit capacitif dans les intervalles [0⁡⁡⁡⁡𝑤𝑠 ] et [𝑤𝑝 ⁡⁡⁡ +
∞[ puisque X < 0.
 Dans la bande étroite de fréquence ∆𝑓 = 𝑓𝑝 − 𝑓𝑠 , le quartz est inductif (X > 0), sa
réactance variant très rapidement de zéro à une valeur très élevée, c’est dans ces
conditions que les quartz sont utilisés pour stabiliser la fréquence d’auto – oscillateurs.
 Pour w = ws, la réactance X est nulle, le quartz est équivalent à un circuit résonant série et
pour w = wp, la réactance X est infinie, le quartz est alors équivalent à un circuit bouchon.
1⁄
𝑤𝑝 𝑓𝑝 𝐶 2 𝐶
= = (1 + ) ≈ 1+
𝑤𝑠 𝑓𝑠 𝐶0 2𝐶0

4.4.2. Oscillateur à quartz

Un tel oscillateur dit de Pierce est représenté ainsi. La chaîne directe est un amplificateur à
transistor à effet de champ monté en source commune. La chaîne de retour comporte trois
condensateurs C1, C2, C3 ainsi que le cristal de quartz qui fonctionne dans sa zone inductive.

Figure 4.15 Oscillateur à quartz

Dans le schéma équivalent on a supposé que RG est infinie et que le TEC est caractérisé
par ses paramètres en source commune s et 𝜌 (𝜌 est supposée infinie). Les capacités de liaisons
CS et Cl se comportent comme un court circuit à la fréquence d’oscillation.

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4.5. STABILITE DES OSCILLATEURS

Réellement l’oscillateur délivre un signal dont la fréquence et l’amplitude peuvent varier. Ces
variations sont liées à l’évolution des éléments actifs ou passifs (vieillissement, échauffement…)
ou voir même aux variations de la charge de l’oscillateur ; on dit qu’il y a dérive d’amplitude ou
dérive de fréquence. Pour les applications qui nécessitent des sources de précision, ces dérives
sont gênantes dans la plupart du temps qu’il est indispensable de les stabilisées.

4.5.1. Stabilité de fréquence

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Beaucoup des dispositifs électronique travaillent avec des sources de fréquence précise tel que
: L’horloge pour un microprocesseur, télécommunication satellite, balises hertziennes pour le
guidage des avions ou des bateaux…etc.

Pour pallier aux contraintes thermiques qui entraînent la variation de la fréquence, on utilise
des organes de très faible coefficients de température et dans certains cas ayant des courbes de
variation en fonction de la température parfaitement déterminées (thermistance), afin de réaliser
une compensation de la dérive thermique. Souvent l’oscillateur est placé dans une enceinte
thermostatée.

La stabilité de la fréquence peut être également obtenue par synchronisation des oscillateurs
sur des résonateurs piézoélectriques étalons tel que le quartz comme nous l’avons déjà vue, qui
fonctionne dans sa zone inductif délimitée par deux fréquences formants une bande étroite : fs
fréquence de résonance série et fp fréquence de résonance parallèle, correspondant
successivement à l’état très basse impédance et l’état très haute impédance du quartz.

4.5.2. Stabilité de l’amplitude

La variation de la température se traduit souvent par un écrêtage du signal fournit par


l’oscillateur puisque son amplitude est limitée par la saturation de l’amplificateur de la chaîne
directe. Pour éviter ce genre d’inconvénients, on introduit généralement dans le système bouclé,
un dispositif qui permet de faire varier le gain soit de la chaîne directe soit de la chaîne de retour,
en fonction de la température ou de l’amplitude du signal de sortie. Cette opération est appelée
contrôle automatique du gain "CAG".

Figure 4.16 CAG à TEC associé à un non inverseur.

La diode associée à Rd, Rg et C produit une tension grille négative qui augmente avec
l’amplitude du signal de sortie : Vgs = KVs.
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La résistance Drain-Source du TEC dépend, dans la zone ohmique, de la tension grille V gs
et de la tension de pincement Vp du TEC selon la relation :
𝑅𝑑𝑠0 𝑅 𝑅
𝑅𝑑𝑠 = 𝑉𝑔𝑠 et l’amplification s’écrit : 𝐴𝑣 = 1 + 𝑅′ +𝑅 = 1 + 𝑅
1− 𝑑𝑠 𝑅 ′ + 𝑑𝑠0
𝑉𝑔𝑠
𝑉𝑝
1−
𝑉𝑝

On constate que l’amplification du montage diminue bien si le niveau de la tension de


sortie Vs augmente.

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ANNEXE
I. DIODE

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II. TRANSISTOR

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Circuit de polarisation par diviseur de tension :
Directives de conception
La figure ci-dessous représente un amplificateur. Un condensateur applique le signal
alternatif à l'amplificateur et un autre l'en sort. Pour le courant continu, les condensateurs sont
ouverts. Une petite tension alternative d'entrée attaque la base, et une tension alternative
amplifiée sort du collecteur. Dans la présente annexe, nous apprendrons à concevoir des
amplificateurs à point Q stable. Dans cette annexe, sauf indication contraire, nous utiliserons la
règle du dixième qui rend la tension émetteur approximativement égale au dixième de la tension
d'alimentation, soit : VE = 0,1 VCC. En règle générale, on prendra VBEo égal à 0,7V.

Cette règle de conception convient pour la plupart des circuits mais se rappeler qu'elle
n'est qu'une directive. Certains concepteurs ne l'utilisent pas. Ne vous étonnez pas de trouver la
tension émetteur différente du dixième de la tension d'alimentation.

Commençons par calculer la résistance RE nécessaire pour avoir le courant collecteur


spécifié. Il vient :

𝑉𝐸
𝑅𝐸 =
𝐼𝐸

Positionnons le point Q à peu près au milieu de la droite de charge statique. Dans ces cas,
une tension d'environ 0,5 VCC apparaît entre les bornes collecteur-émetteur et environ 0,4 VCC
apparaît entre les bornes de la résistance de collecteur, d'où : RC = 4 RE.

Concevons un diviseur soutenu de tension à l'aide de la règle de 100/1. Il vient : R2 ≤


0,01 βcc RE. Si vous préférez un diviseur ferme de tension, appliquez la règle de 10/1. Vous aurez
: R2 ≤ 0,1 βcc RE

Finalement, calculons R1 selon la règle de la proportionnalité. Il vient :

𝑉1
𝑅1 = 𝑅
𝑉2 2

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