Ecuaciones de movimiento de electrones en una banda

 1     
v  k E ; k  F  eE  v  B


Masa efectiva

 1  1 2E   1 
   ; a  F
 m *  ij  2 k i k j  m *

Función de distribución de Fermi-Dirac. Parámetros físicos de algunos semiconductores

(T = 300 K)
1
f ( E, T ) 
EEF 
1  exp  Si Ge GaAs InSb
 k BT  Nº Atómico 14 32 31/33 49/51
Peso
28.1 72.6 144.6 236.6
Concentración de electrones y huecos. Atómico
r 12 16 13 16
n = NC F1/2 () GAP (eV) 1.12 0.67 1.42 0.17
p = NV F1/2 (--g) m*
Diagrama de
con: bandas
m*t / m0 0.19 0.082
 = (EF – EC)/kBT m*l / m0 0.98 1.58
0.067 0.0145
g = (EC – EV)/kBT m*pl / m0 0.16 0.04 0.082 0.012
3 m*pp / m0 0.49 0.34 0.45 0.6
 2m *n k BT  2
m* Densidad
N C  2  de estados
 h2 
m*n / m0 1.08 0.55 0.067 0.0145
3
m*p / m0 0.55 0.35 0.47 0.60
 2m *p k BT  2
N V  2 

m*
 h2  Conducti–
vidad
Integral de Fermi. m*n / m0 0.26 0.12 0.067 0.0145
 m*p / m0 0.37 0.26 0.34 0.53
  –  ; F1/2()  e
2.81x10
NC (cm-3) 19 1.03x1019 4.35x1017 4.38x1016
4 3/ 2
   ; F1/2()   1.02x10
3  NV (cm-3) 19 5.18x1018 8.16x1018 1.17x1019
1 ni (cm-3) 1.5x1010 1.72x1013 2.22x106 2.67x1016
  1 ; F1/2()  2
µn (cm /V.s) 1.500 3.900 8.500 80.000
0.27  e   µn (cm2/V.s) 450 1.900 400 1.250
 > 1 ; F1/2() 
4
3 

2  1.7
3/ 4
 Constantes físicas de interés

Masa en reposo del electrón: m0 = 9.11 x 10–31 Kg

Carga del electrón:
Permitividad del vacío:
Constante de Planck:
Constante de Panck reducida:
Radio de Bohr :
Constante de Boltzman:
Número de Avogadro:
e = 1.60 x 10–19 C
0 = 8.854 x 10–12 Fm-1
h = 6.626 x 10–34 Js
  h / 2
a0 = 5.3 x 10–11 m
kB = 1.38 x 10–23 JK-1
kB = 8.625 x 10–5 eVK-1
NA = 6.02 x 1023 mol-1

1
Semiconductor no degenerado.
EC  E F
 NC
n  N Ce  N Ce k BT
E F  E C  k B TLn
n
EF EV
   g  N
p  N Ve  N Ve k BT
E F  E V  k B TLn V
p

Semiconductor intrínseco no degenerado.

 Eg  E  E V k BT N V E C  E V 3k B T m *p
n i  N C N V exp   ; E Fi  C  Ln   Ln

 2k BT  2 2 NC 2 4 m *n

Semiconductor extrínseco.

Tipo N Tipo P

ND = Concentración de donores. NA = Concentración de aceptores.

D = (EC – ED)/kBT. A = (EA – EV)/kBT.
ED = Energía del nivel donor. EA = Energía del nivel aceptor.

 ND ND  NA NA
ND   NA  
 η ε E E  ηε g ε A
1  2exp F D  1  2e e D 1  2exp A F  1  2e
E E
e
 k BT   k BT 

Tiempo de vida en el mecanismo de recombinación extrínseco:

ext (baja inyección) = no(po + p1 / po + no) + po(no + n1 / po + no)

ext (alta inyección) = no + po

n1 = NC exp(ET – EC/kT) p1 = NV exp(EV – ET/kT)

no = 1/NT.γn po = 1/NT.γp

Niveles de demarcación:

c p . NV
E C  E DN  ( Fp  EV )  k B T ln
cn . N C

cn . N C
E DP  EV  ( E C  Fn )  k B T ln
c p . NV

2
Transporte de portadores

1 p  p  n n
2 2
e c IBz
 RH  VH 
m* e  p   n  2 epd
p n

3
Concentración Impurezas N [atms/cm ]
1500
n
1250 Silicio
T = 300 K
1000
[cm2/Vs]

750
p
500


250

0
14 15 16 17 18 19
10 10 10 10 10 10
3
Concentración Impurezas N [atms/cm ]

3
Unión PN
 2  N  N D  
1/ 2 pxtn  pno eeV / KT
KT N A N D
Vb  ln xt   S A  Vb
1/ 2

e ni2  eN N
A D  n xtp  n po eeV / KT

 ( x  xtn ) / L p
pn ( x)  pno  pno (eeV / KT  1) e ; x  xtn

D p pno  ( x  xtn ) / L p
J pn  e (eeV / KT  1)e ; x  xtn
Lp

D p Dn 
J  e  p n 0  n p 0  (e qV / kT  1)
 L Ln 
p
 
Jo

q s N eff
Vb  V 
1/ 2
Ct  A
2

qI dif min
C dif min   min
kT