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El ZnO su estructura cristalina más estable sea la hexagonal condición ambientales normales la
fase más estable es la wurzita, los dos defectos más comunes son las vacancias de zinc y oxígeno,
que debido a la diferencia de electronegatividades entre estos produciendo un alto grado de ionicidad
en su enlace, debido a estos defectos, sus propiedades eléctricas y magnéticas es un semiconductor
de tipo n. Una de las propiedades físicas más importantes del ZnO es la de poseer un alto
gap directo de 3.35 eV.
Técnicas De Caracterización
Característica de la tecnica
La difracción de rayos X (DRX) para conocer las fases presentes y para conocer la estructura
cristalográficas y determinar el tipo de crecimiento cristalino. Contienen varias fases
cristalográficas, incluyendo fases amorfas o altamente desordenadas y cuya estructura
cristalográfica puede ser diferente al material correspondiente, debido a efectos superficiales. La
reducción del tamaño del cristal origina que los picos de difracción se ensanchen.
Los patrones en XRD para muestras ZnO, comerciales, presentan monofásico hexagonal con la
estructura cristalina de wurzita donde los picos típicos aparecen en 2θ = 31.75, 34.45, 36.37, 47.50,
56.60, y 62.880 correspondientes a los planos de orientación de difracción (100), (002), (101),
(102), (110), y (103) respectivamente, de la estructura hexagonal tipo wurtzita de ZnO (ICDD-36-
1451) respectivamente. El ZnO tienen una orientación preferida del plano no polar (101) que está
orientado a lo largo de la dirección del plano polar (002), estos cambios en la orientación preferida
muestra proporcional con el número de vacancias de Oxigeno entre la estructura de los cristalitos
Manejo del equipo