Engenharia Elétrica – Eletrônica

Sistemas Digitais

Prof. Dr. Marlim P. Menezes - 2016

 Sistemas Digitais – Aula 5
Memórias – Parte 1

AGENDA

5.0. Introdução às Memórias.

5.1. Unidades de Dados Binários.
5.2. Arranjo Básico da Memória Semicondutora.
5.3. Endereço e Capacidade de Memória.
5.4. Operações Básicas com Memórias.
5.5. Tipos de Memórias.
5.6. Memórias em Sistema de Computador.
5.7. Exercícios Resolvidos para Fixação.
5.8. Exercícios de Revisão.
5.0. Introdução às Memórias
5.0. Introdução às Memórias
 As memórias são dispositivos usados tipicamente para armazenagem de uma grande
quantidade de bits.

 Atualmente são construídas com diversas tecnologias distintas:

 Semicondutoras: RAM, ROM, PROM, EPROM, EEPROM, FLASH (SSD – Solid State Disk)...
 Resistivas: RRAM1 – Resistive Random Access Memory.
 Magnéticas: Fita, HD (disco rígido), Floppy-Disk.
 Magneto-Resistivas: MRAM2 – Magnetic Random Access Memories.
 Ópticas: CD-ROM, DVD-ROM, Blu-Ray.

 Iniciaremos nosso estudo pelas memórias semicondutoras.

 As memórias semicondutoras consistem em arranjos de elementos que geralmente são

latches ou capacitores.

 Esse grupo de memórias é distribuído comercialmente na forma de circuitos integrados

(chips), pequenas placas com vários chips (módulos de memória) e outras formas.

 Seu arranjo interno pode ter a forma matricial ou cúbica, e eventualmente vetorial.
Fontes:
1 - http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=reram-memoria-resistiva&id=010110120131#.V_eSdSgrKVM
2 - http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=memorias-magneticas-velocidade-memorias-ram#.V_ePfygrKVM
http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=memorias-magneticas-multi-bit&id=010110140807#.V_eQmigrKVM
5.1. Unidades de Dados e Binários
 A unidade de armazenamento é o bit – binary information (informação binária).

 As unidades de dados são classificadas como:

 Bit: menor informação digital ou unidade de informação binária.

 Nibble: conjunto de quatro bits.

 Byte: conjunto de oito bits ou dois nibbles.

 Word: geralmente consiste de oito ou mais bits.

 Algumas memórias armazenam dados em grupos de nove bits:

 Um byte de dados + um bit de paridade.

 A definição geral de word (palavra) é uma unidade completa de informação que consiste de
uma unidade de dados em binário. Em linguagem Assembly temos:
 Byte = 8 bits → diretiva DB – Define Byte.
 Word = 16 bits → diretiva DW – Define Word.
 Double Word = 32 bits → diretiva DD – Define Double Word.
 Quad-Words = 64 bits → diretiva QD – Define Quad-Words.

 Essas definições são independentes do microprocessador em particular ou do tamanho do

barramento de dados.
5.2. Arranjo Básico da Memória Semicondutora
 Cada elemento de armazenamento em uma memória é denominado de célula.
 Cada célula pode armazenar apenas um nível lógico 0 ou apenas um nível lógico 1.

 As memórias são construídas de arranjos de células, conforme Figura 4.1 abaixo.

Figura 10.1 – Arranjo de memória de 64 células organizadas de três formas diferentes : (a) 8 bytes; (b) 16 nibbles; (c) 64 bits.

 Cada bloco no arranjo da memória → uma célula de armazenamento.

 Posição da célula no arranjo ← linha ∩ coluna.

5.3. Endereço e Capacidade de Memória
 Memórias são identificadas pelo número de palavras que elas podem armazenar vezes o
tamanho de uma palavra:
 16k x 8 = 16.384 bytes = 16 * 210 * 8 bits = 131.072 bits).
 16k x 4 = 16.384 nibbles = 16 * 210 * 4 bits = 65.536 bits.
 16k x 1 = 16.384 bits.
 NOTA: 1 k = 1024 (na terminologia de memória).

 Endereçamento de memória:
 A localização de uma unidade de dado num arranjo de memória é denominada
endereço.

Figura 10.2/3 – Exemplos de arranjos de células organizadas de duas formas diferentes: (a) e (b) matricial; (c) cúbica.
5.3. Endereço e Capacidade de Memória
 Capacidade de memória:
 É o número total de unidades de dados que podem ser armazenadas.

 Exemplos:
 Capacidade do arranjo da Figura 4.2(a): 64 bits.
 Capacidade do arranjo da Figura 4.2(b): 8 bytes.
 Capacidade do arranjo da Figura 4.2(c): 64 bytes.
 Atualmente os computadores têm capacidade de memória da ordem de GB (Giga Bytes
– Bilhões de bytes).

 Representação numérica da capacidade das memórias:

 Bit → Nibble → Byte → Kilo Byte (kB) → Mega Byte (MB) → Giga Byte (GB).
 Considerando um byte como sendo a unidade de dados, temos:
 1 kb = 210 = 1024 bits.
 1 kB = 210 = 1024 bytes.
 1 MB = (1 KB)2 = (1024)2 = (210)2 = 220 = 1.048.576 bytes.
 1 GB = (1 KB)3 = (1024)3 = (210)3 = 230 = 1.073.741.824 bytes.
 Outros dois múltiplos para representar capacidade de memória já usados
atualmente:
 1 TB (Tera Byte) = (1 KB)4 = (1024)4 = (210)4 = 240 bytes.
 1 PT (Peta Byte) = (1 KB)5 = (1024)5 = (210)5 = 250 bytes.
5.3. Endereço e Capacidade de Memória
 A tabela abaixo mostra os múltiplos e submúltiplos de potências de dez do Sistema
Internacional de Unidades (SI).

 Para aplicá-la no contexto de sistemas digitais, basta considerar 1 k = 1024 = 210.

– Tabela de potências de dez definidas pelo Sistema Internacional de Unidades (SI).

Fonte: https://pt.wikipedia.org/wiki/Prefixos_do_Sistema_Internacional_de_Unidades
5.4. Operações Básicas com Memórias
 Operações Básicas com Memórias:
 Escrita:
 Usada para inserir os dados binários na memória.
 Os dados são inseridos em um endereço específico.
 Leitura:
 Usada para copiar os dados binários da memória.
 Os dados são copiados de um endereço específico.
 Endereçamento:
 Seleciona o endereço de memória especificado.

 As unidades de dados entram na memória durante uma operação de escrita.

 As unidades de dados “saem” da memória durante uma operação de leitura.

 As operações de leitura e escrita ocorrem através de um conjunto de linhas denominado

barramento de dados.
 Esse barramento é bidirecional, ou seja, permite que os dados trafeguem para dentro e
para fora da memória.

 O endereço especificado chega à memória através de um conjunto de linhas denominado

barramento de endereço.
 Esse barramento é unidirecional.
5.4. Operações Básicas com Memórias
 Nas memórias organizadas em bytes:
 O barramento de dados tem pelo menos oito linhas bidirecionais.
 Todos os oito bits no endereço selecionados são transferidos em paralelo.

 Para uma operação de leitura ou escrita:

 Um endereço é selecionado colocando um código binário no barramento de endereços.
 O código do endereço é decodificado internamente.
 O endereço apropriado é selecionado.
 O tipo de operação é especificado.
 Se operação de leitura: os dados são “lidos” do endereço especificado, através do
barramento de dados.
 Se operação de escrita: os dados são inseridos no endereço especificado, através do
barramento de dados.

 Decodificadores de endereço:
 Arranjo bidimensional: Um decodificador.
 Arranjo tridimensional: Dois decodificadores → um para as linhas e um para as colunas.

 O número de linhas do barramento de endereços depende da capacidade da memória:

 Barramento de 15 bits → 215 = 32.768 posições de memória.
 Barramento de 16 bits → 216 = 65.536 posições de memória.
 Barramento de 32 bits → 232 = 4.294.967.296 posições de memória ( = 4G).
5.4. Operações Básicas com Memórias
 A Figura 10.4 mostra os diagramas em blocos de memórias bidimensionais e tridimensionais.

Figura 10.4 – Diagramas em blocos de uma memória e barramentos de dados e endereço : (a) bidimensional; (b) tridimensional.
5.4. Operações Básicas com Memórias
 A Figura 10.5 mostra o diagrama em bloco para uma operação de escrita.

Figura 10.5 – Operação de escrita.

5.4. Operações Básicas com Memórias
 A Figura 10.6 mostra o diagrama em bloco para uma operação de leitura.

Figura 10.6 – Operação de leitura.

5.5. Tipos de Memórias
 São classificadas como Memória Principal (Interna) e Memória Secundária (Externa).

 Podem ser voláteis ou não-voláteis:

 Voláteis: perdem os dados binários quando retirada a alimentação.

 Não-voláteis: mantêm os dados binários mesmo depois de retirada a alimentação.

 Podem ser usadas para armazenamento interno ou externo:

 Armazenamento interno: mantêm os dados binários internamente ao computador para
processamento pela CPU (Central Unit Processing – Unidade Central de Processamento).

 Armazenamento externo: mantêm os dados binários processados pela CPU guardados

por longos períodos de tempo, normalmente em dispositivos externos à placa de
sistema (motherboard – placa mãe).

 RAM e ROM:
 As duas principais categorias de memórias semicondutoras.
 Todos os endereços são acessados em tempos iguais.
 As RAMs são voláteis.
 As ROMs são não-voláteis.
 Ambas as categorias possuem subcategorias (Ex.: DRAM, SRAM, EPROM, EEPROM,...).
5.6. Memórias em Sistema de Computador
 A Figura 12.1 [1] mostra os conceitos de Memória Principal (interna) e Memória Secundária
(auxiliar ou externa), aplicados a um sistema de computador.
5.7. Exercícios Resolvidos para Fixação
1. Certo tipo de memória semicondutora é especificado com 4K x 8. Quantas palavras podem
ser armazenadas nesse CI? Qual é o tamanho da palavra? Qual é a capacidade (o número total
de bits) que esse CI pode armazenar?
Solução:
O número total de palavras é,
4K = 4 * 1024 = 4096 palavras.
Cada palavra é de 8 bits (um byte).
O número total de bits é, portanto,
4096 * 8 = 32.768 bits.
2. Qual é a memória que armazena mais bits: uma memória de 6M x 8 ou uma que armazena
2M de palavras com um tamanho de palavra de 16 bits?
Solução:
6M * 8 = 6 * 1.048.576 * 8 = 50.331.648 bits.
2M * 16 = 2 * 1.048.576 * 16 = 33.554.432 bits.
A memória de 6M x 8 armazena mais bits.
3. Verdadeiro ou Falso: uma memória não-volátil perderá seus dados armazenados quando a
energia elétrica for retirada.

Solução:
Falso. Pois, por definição, uma memória não-volátil mantém seus dados armazenados mesmo se
a alimentação for retirada.
5.7. Exercícios Resolvidos para Fixação
4. Qual é a largura do barramento de dados e do barramento de endereços para uma memória
de 16K x 12?
Solução:
Barramento de dados: 12 bits.
Barramento de endereços: log2 (16K) = log2 (16 * 1024) = log2 16 + log2 1024 = 4 + 10 = 14 bits.
5. Qual é a capacidade em bits de uma memória que tem 1024 endereços e pode armazenar 8
bits em cada endereço?
Solução:
Capacidade em bits: 1024 * 8 = 8.192 bits.
6. Uma palavra de dados de 32 bits consiste de
(a) 2 bytes. (b) 4 nibbles. (c) 4 bytes. (d) 3 bytes e 1 nibble.

7. Dados são armazenados numa memória de acesso aleatório (RAM) durante a operação de
(a) leitura. (b) habilitação. (c) escrita. (d) endereçamento.

8. Uma memória com 256 endereços tem __________ linhas de endereço.

(a) 256 (b) 6 (c) 1 (d) 8 (e) 16

9. Uma memória organizada em bytes tem _________ linha(s) de saída de dados.

(a) 1 (b) 4 (c) 28 (d) 16 (e) 8
5.8. Exercícios de Revisão
1. Qual é a menor unidade de dado que pode ser armazenada em uma memória?
2. Qual é a capacidade de bits de uma memória que pode armazenar 256 bytes de dados?
3. O que é uma operação de escrita?
4. O que é uma operação de leitura?
5. Como uma determinada unidade de dado é armazenada em uma memória?
6. Descreva a diferença entre RAM e ROM.
7. Certo tipo de memória semicondutora é especificado com 2K x 8. Quantas palavras podem
ser armazenadas nessa memória? Qual é o tamanho da palavra? Qual é o número total de
bits que essa memória pode armazenar?
8. Qual é a memória que armazena mais bits: uma memória de 5M x 8 ou uma que armazena
1M de palavras com um tamanho de palavra de 16 bits?
9. Verdadeiro ou Falso: uma memória dinâmica manterá seus dados enquanto a energia
elétrica for aplicada.
10. Explique a diferença entre as operações de leitura (busca) e as de escrita (armazenamento).
11. Verdadeiro ou Falso: uma memória volátil perderá seus dados armazenados quando a
energia elétrica for interrompida.
12. Quantos endereços diferentes são requeridos para uma memória com 10 bits no
barramento de endereços?
13. Quantos endereços diferentes são requeridos para uma memória com 20 bits no
barramento de endereços?
14. Qual é a capacidade de uma memória que tem 16 entradas de endereço, quatro entradas de
dados e 4 saídas de dados?
 Referências

[1] Sistemas Digitais – princípios e aplicações – 11ª

Ed. – Tonaldo J. Tocci, Neal S. Widmer, Gregory L.
Moss – Pearson.
[2] Sistemas Digitais: Fundamentos e Aplicações 9ª
Ed. – Thomas Floyd – Bookman.
[3] Elementos de Eletrônica Digital 41ª Ed. – Ivan V.
Idoeta, Francisco G. Capuano – Érica Saraiva.