TRANSISTOR BJT TRANSISTOR MOS

(MOSFET)
GRUPO BJT GRUPO FET

(del ingles, Bipolar Junction (del ingles Metal Oxide

Transistor). Semiconductor Field Effect Transistor)
Transistores Bipolares de Unión Transistores Metal Oxido
Semiconductor de Efecto de campo

El término bipolar refleja el hecho de

que los huecos y los electrones
participan en el proceso de inyección
hacia el material polarizado de forma
opuesta.
En estos componentes, cada
transistor es formado por dos islas de
silicio, una dopada para ser positiva, y
la otra para ser negativa, y en el
medio, actuando como una puerta, un
electrodo de metal.

Simbología Simbología
NPN N

Simbología Simbología
PNP P
FUNCIONAMINETO FUNCIONAMIENTO

Emisor (E): Se encarga de Drenador(D):donde fluye la corriente

proporcionar portadores de carga.
Colector (C): Se encarga de recoger
portadores de carga.
Base (B): Controla el paso de
corriente a traves del transistor. Es el
cristal de en medio.
Es uno de los primeros transistores
creado en 1965.
Dispositivo de tres terminales
Corriente del emisor al colector
controlada por la corriente inyectada
a la base
La corriente de fuga es muy
inestable.
ID, que es controlada por la tensión
VGS entre la puerta (G) y la fuente.
Puerta(G): es el que controla la
corriente entre la fuente y el drenador.
Fuente(S):
Es uno de los más recientes en la
actualidad, el cuales los pueden llevar
los dispositivos portables muy
miniaturizados.
Dispositivo de tres terminales
Corriente desde la fuente al
drenador, controlada por el campo
eléctrico generado por la puerta.
La corriente de fuga es muy mínima.
Las zonas de puertas es pequeñas.
Entre la puerta y el drenado hay una
conexión galvánica.
Su disparo es de corriente.
La potencia del circuito de mando es
de media a alta.
Su complejidad es alta.
La densidad de corriente es de
media a baja.
Tensión inversa media.
La pérdida en conmutación es alta.
Su potencia es media.
La frecuencia es media.
Su corriente es menor de 700 A.
Con una unión bipolar.
Definición de corte
IC= -α IE+IC0 ; -IE=IC+IB ;
CUADRO
COMPARATIVO
En ausencia de voltaje de puerta, el
semiconductor funciona como unión
NPN, entre el drenador y la fuente.
No hay necesidad du na conexión
galvánica.
Su disparo es de tensión.
La potencia del circuito de mando es
muy baja.
Su complejidad es de baja a media.
Su densidad de corriente baja a
media.
Tensión inversa baja.
La pérdida en conmutación.
Su potencia es baja.
La frecuencia es alta.
Su corriente es menor de 100 A.
Es unipolar.
Definicion de corte