UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN DE

AREQUIPA
FACULTAD DE PRODUCCIÓN Y SERVICIOS
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA MECÁNICA

Transistores

Pertenece a:
Felix Alvino Miguel
Mamani Quispetupac Ovidio
Vasquez Llave Trunks Giorgio

Docente:
Ing. Perez Perez Orlando
1. Transistores
Un transistor es un aparato que funciona a base de un dispositivo semiconductor que
posee tres terminales, los cuales son utilizados como amplificador e interruptor. Una pequeña
corriente eléctrica, que se le aplica a uno de los terminales, logra controlar la corriente entre
estos dos terminales.
Los transistores se comportan como parte fundamental de los aparatos electrónicos, análo-
gos y digitales. Más especı́ficamente, en los aparatos electrónicos digitales, un transistor se
utiliza como interruptor, pero también se le puede dar otros usos que guardan relación con
memorias RAM y puertas lógicas. Por otra parte, en cuanto a los aparatos análogos, se
utilizan, por lo general, como amplificadores.
El transistor debe su nombre a su capacidad de transformar la resistencia de la corriente
eléctrica que pasa entre el receptor y el emisor, y fue inventado por Jahn Bardeen, William
Shockley y Walter Brattain.
Como ya se mencionaba, un transistor está conformado por tres partes. Una de ellas es
la que se encarga de emitir electrones, por lo tanto, es el emisor. Una segunda parte es la
que los recibe, el denominado colector, y por último, una tercera parte que opera como un
modulador del paso de los electrones.
Un transistor es un componente que tiene, básicamente, dos funciones:
Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una PEQUEÑA señal de mando.

Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de señales.

Los transistores bipolares se usan generalmente en el algunas aplicaciones de electrónica

digital como la tecnologı́a TTL o BICMOS.
Se consideran dispositivos activos porque pueden obtener una mayor corriente de salida
a partir de , corriente o tensión de entrada, y por lo tanto corrientes y tensiones.
Disponen de 3 terminales, pudiendo adoptar varias configuraciones: considerándose como
entrada dos de ellos y de salida el tercero.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificial-
mente (contaminadas con materiales especı́ficos en cantidades especı́ficos) que forman dos
uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y
la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores
(base).
A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del
que se obtiene corriente amplificada.

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 En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia
de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos.

2. Tipos de Transistores
Hay muchos tipos diferentes de transistores y cada uno varı́a en sus caracterı́sticas y cada
uno tiene sus propias ventajas y desventajas.
Algunos tipos de transistores se utilizan principalmente para aplicaciones de conmutación.
Otros se pueden utilizar tanto para conmutación y amplificación. Todavı́a otros transistores
están en un grupo de especialidades todos ellos, tales como fototransistores, que responden
a la cantidad de luz que brilla sobre ella para producir el flujo de corriente a través de ella.
A continuación se muestra una lista de los diferentes tipos de transistores; vamos a repasar
las caracterı́sticas que los hacen cada uno para arriba

2.1. Transistor NPN

Un transistor NPN recibe tensión positiva en el terminal del colector. Este voltaje positivo
al colector permite que la corriente fluya a través del colector al emisor, dado que hay una
suficiente corriente base para encender el transistor.

Ası́ es como funciona un transistor NPN:

A medida que aumenta la corriente a la base de un transistor NPN, el transistor se activa
cada vez más hasta que se conduce completamente desde el colector al emisor.
Y a medida que disminuye la corriente a la base de un transistor NPN, el transistor se
enciende cada vez menos, hasta que la corriente es tan baja, el transistor ya no conduce a
través del colector al emisor y se apaga.

2.2. Transistor PNP

Un transistor PNP recibe tensión positiva en el terminal emisor. El voltaje positivo al
emisor permite que la corriente fluya desde el emisor al colector, dado que hay una corriente
negativa a la base (corriente que fluye desde la base a tierra).

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Un transistor PNP funciona de manera totalmente opuesta.
A medida que la corriente se hunde desde la base (fluye desde la base hasta la tierra), el
transistor está encendido y conduce a través de la alimentación en la carga de salida.

2.3. Los transistores de Unión Bipolar

Los transistores de unión bipolar son transistores que están formados por 3 regiones, la
base, el colector y el emisor. Los transistores de unión bipolar, a diferencia de los transistores
FET, son dispositivos controlados por corriente. Una pequeña corriente que entra en la región
de base del transistor causa un flujo de corriente mucho mayor desde el emisor a la región de
colector. Los transistores de la unión bipolar vienen en dos tipos principales, NPN y PNP.

(a) Transistor de unión bipolar BC548. (b) Terminales: Emisor, base y colector

Un transistor NPN es uno en el que el portador de corriente mayoritario son electrones. El

electrón que fluye del emisor al colector forma la base de la mayorı́a del flujo de corriente a
través del transistor. El otro tipo de carga, los agujeros, son una minorı́a. Los transistores
PNP son lo contrario. En los transistores PNP, la mayorı́a del portador de corriente son
agujeros.
En general, los transistores de unión bipolar son el único tipo de transistor que se activa
mediante entrada de corriente (entrada en la base). Esto se debe a que los transistores de
unión bipolar tienen la menor impedancia de entrada de todos los transistores. La baja
impedancia (o resistencia) permite que la corriente fluya a través de la base del transistor.
Debido a esta baja impedancia también los transistores de unión bipolar tienen la mayor
amplificación de todos los transistores. La desventaja de los transistores de unión bipolar es
porque tienen baja impedancia de entrada, pueden causar la carga en un circuito. La carga

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es cuando un dispositivo puede extraer corriente significativa de un circuito, perturbando ası́
la fuente de alimentación de un circuito

2.4. Los Transistores de Efecto de Campo

Los transistores de efecto de campo son transistores que están formados por 3 regiones,
una compuerta, una fuente y un drenaje. A diferencia de los transistores bipolares, los FET
son dispositivos controlados por voltaje. Un voltaje colocado en la puerta controla el flujo
de corriente desde la fuente hasta el drenaje del transistor.

(a) Canal N (izquierda) (b) Canal P (derecha)

Figura 2: Terminales: Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S)

Los transistores de efecto de campo tienen una impedancia de entrada muy alta, desde
varios megóhms (M Ω) de resistencia a valores mucho mayores. Esta alta impedancia de
entrada hace que tengan muy poca corriente a través de ellos. (Según la ley de ohm, la
corriente es inversamente afectada por el valor de la impedancia del circuito.Si la impedancia
es alta, la corriente es muy baja.) Ası́ que los FETs dibujan muy poca corriente de la fuente
de alimentación de un circuito. Por lo tanto, esto es ideal porque no perturban los elementos
de potencia del circuito original a los que están conectados. No causarán que la fuente de
energı́a se cargue abajo. El inconveniente de los FET es que no proporcionarán la misma
amplificación que se podrı́a obtener de los transistores bipolares. Los transistores bipolares
son superiores en el hecho de que proporcionan una mayor amplificación, a pesar de que los
FET son mejores en que causan menos carga, son más baratos y más fáciles de fabricar.
Transistores de efecto de campo vienen en 2 tipos principales: JFETs y MOSFETs. JFETs
y MOSFETs son muy similares pero MOSFETs tienen valores de impedancia de entrada aún
más altos que JFETs. Esto causa aún menos carga en un circuito

2.5. Los Transistores Pequeños de la Señal

Los Transistores Pequeños de la Señal son transistores que se utilizan principalmente para
amplificar las señales de bajo nivel, pero también pueden funcionar bien como interruptores.
Los transistores vienen con un valor, llamado el valor de hFE, que indica cuánto un
transistor puede amplificar las señales de entrada. Los valores tı́picos de hFE para transistores
de señales pequeñas oscilan entre 10 y 500, con una corriente máxima de colector (Ic) de

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aproximadamente 80 a 600 miliamperios (mA). Vienen en formularios NPN y PNP. Las
frecuencias operativas máximas oscilan entre aproximadamente 1 y 300 megahercios (MHz).
Como nota de diseño, los transistores pequeños de la señal se utilizan principalmente
cuando se amplifican pequeñas señales, como unos pocos voltios y sólo cuando se utilizan
miliamperios de corriente. Cuando se utiliza un voltaje y una corriente más grandes (mayor
potencia), usando muchos voltios o amperios de corriente, se debe usar un transistor de
potencia.

2.6. Los Transistores de Conmutación Pequeños

Transistores de Conmutación Pequeños son transistores que se utilizan principalmente
como interruptores, pero que también se pueden utilizar como amplificadores. Los valores
tı́picos de hFE para transistores de conmutación pequeños oscilan entre 10 y 200, con valores
de Ic máximos de aproximadamente 10 a 1000mA. Vienen en formularios NPN y PNP.
En términos de para el diseño, transistores de conmutación pequeños se utilizan princi-
palmente como interruptores. Aunque pueden utilizarse como amplificador, su valor de hFE
sólo oscila a aproximadamente 200, lo que significa que no son capaces de la amplificación de
transistores de señal pequeños, que pueden tener una amplificación de hasta 500. Esto hace
que los transistores de conmutación pequeños sean más útiles para la conmutación, aunque
pueden ser utilizados como amplificadores básicos para proporcionar ganancia. Cuando se
necesita más ganancia, los transistores de señales pequeñas funcionan mejor como amplifi-
cadores.

2.7. Los Transistores de Potencia

Los transistores de potencia son adecuados para aplicaciones en las que se está utilizando
mucha corriente, corriente y tensión.
El colector del transistor está conectado a una base metálica que actúa como disipador
de calor para disipar el exceso de potencia.
Las potencias tı́picas varı́an entre 10 y 300 W, con frecuencias de aproximadamente 1 a
100 MHz. Los valores máximos de corriente de colector (Ic) oscilan entre 1 y 100 amperios
(A). Los transistores de potencia vienen en NPN, PNP y Darlington (NPN o PNP).

2.8. Los Transistores de Alta Frecuencia

Los transistores de alta frecuencia son transistores que se utilizan para señales pequeñas
que funcionan a altas frecuencias para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
Estos son transistores que se utilizan para las señales de alta frecuencia y debe ser capaz de
encender y apagar a muy altas velocidades. Los transistores de alta frecuencia se utilizan en
aplicaciones de alta frecuencia (HF), de frecuencia muy alta (VHF), de ultra alta frecuencia
(UHF), de televisión por cable (CATV) y de antena maestra (MATV). Tienen una frecuencia
de frecuencia máxima de unos 2000 MHz y una corriente de colector máxima (Ic) de 10 a
600 mA. Están disponibles en ambos formatos NPN y PNP.

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2.9. Los Fototransistores
Los fototransistores son transistores sensibles a la luz.
Un tipo común de fototransistor se asemeja a un transistor bipolar con su base de plomo
eliminado y reemplazado con un área sensible a la luz. Es por ello que un fototransistor tiene
sólo 2 terminales en lugar de los 3 terminales. Cuando esta superficie se mantiene oscura, el
dispositivo está apagado. Prácticamente, no fluye corriente del colector a la región emisora.
Sin embargo, cuando la zona sensible a la luz está expuesta a la luz, se genera una pequeña
corriente de base que controla una corriente de colector a emisor mucho mayor.
Al igual que los transistores regulares, los fototransistores pueden ser transistores bi-
polares o de efecto de campo. Los fototransistores de efecto de campo (photoFET) son
transistores de efecto de campo sensibles a la luz. A diferencia de los transistores fotobipo-
lares, los fotoFET usan luz para generar un voltaje de puerta que se utiliza para controlar
una corriente de drenaje-fuente. PhotoFETs son extremadamente sensibles a las variaciones
de la luz y son más frágiles, eléctricamente hablando, que los fototransistores bipolares.

2.10. Los Transistores Uniunión

Los transistores uniunión son transistores de tres derivaciones que actúan exclusivamente
como interruptores c ontrolados eléctricamente; no se utilizan como amplificadores.
Esto difiere de otros transistores en que los transistores generales suelen proporcionar la
capacidad de actuar como un interruptor y también como un amplificador. Sin embargo, un
transistor unijunción no proporciona ningún tipo decente de amplificación debido a la forma
en que se construye. Simplemente no está diseñado para proporcionar un voltaje suficiente
o un impulso de corriente.
Las tres derivaciones de un transistor de uniones son B1, B2, y un cable emisor que es el
conductor que recibe la corriente de entrada. La operación básica de un UJT es relativamente
simple. Cuando no existe diferencia de potencial (tensión) entre su emisor y cualquiera de
sus conductores de base (B1 o B2), sólo una corriente muy pequeña fluye de B2 a B1. Sin
embargo, si se aplica al emisor una tensión de activación positiva suficientemente grande -
con respecto a su base -, una corriente más grande fluye desde el emisor y se combina con
la pequeña corriente B2 a B1, dando lugar a una gran corriente de salida B1. A diferencia
de otros transistores, donde los cables de control proporcionan poca corriente adicional, el
UJT es justo lo contrario. Su corriente de emisor es la fuente primaria de corriente para el
transistor. La corriente B2 a B1 es sólo una cantidad muy pequeña de la corriente combinada
total. Esto significa que los transistores de uniones no son adecuados para propósitos de
amplificación, sino sólo para conmutación.

3. Transistores en Conmutación
Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (Rc)
si se hace pasar rápidamente de corto a saturación y viceversa. En corto es un interruptor
abierto y en saturación es un interruptor cerrado. Los datos para calcular un circuito de
transistor como interruptor son: el voltaje del circuito que se va a encender y la corriente
que requiere con ese voltaje.

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 La principal aplicación de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados
lógicos, allı́ se mantienen trabajando los transistores entre corto o saturación.

3.1. ¿Qué es transistor en corte y saturación?

Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debe tener
un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturación Un
transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mı́nima (prácticamente igual a cero)
y un voltaje colector emisor VCE) máximo (casi igual al voltaje de alimentación).
Un transistor en saturación tiene una corriente de colector (Ic) máxima y un voltaje
colector emisor (VCE) casi nulo (cero voltios). Ver zona en verde en el gráfico Para lograr
que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe ser bajo o mejor aún,
cero.
Para lograr que el transistor entre en saturación, el valor de la corriente de base debe
calcularse dependiendo de la carga que se esté operando entre encendido y apagado (funcio-
namiento de interruptor)
Si se conoce cuál es la corriente que necesita la carga para activarse (se supone un
bombillo o foco), se tiene el valor de corriente que habrá de conducir el transistor cuando
este en saturación y con el valor de la fuente de alimentación del circuito, se puede obtener
la recta de carga. Ver gráfico anterior.
Esta recta de carga confirma que para que el transistor funcione en saturación, Ic debe
ser máximo y VCE mı́nimo y para que esté en corte, Ic debe ser el mı́nimo y VCE el máximo.

4. Transistor de Potencia
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los tran-
sistores normales, teniendo como caracterı́sticas especiales las altas tensiones e intensidades
que tienen que soportar y por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen básicamente tres tipos de transistores de potencia:

bipolar

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 unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo)

IGBT

Parámetros MOS Bipolar

Impedancia de entrada Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios)
Ganancia en corriente Alta (107) Media(10-100)
Resistencia ON(Saturación) Media/alta Baja
Resistencia OFF(Corte) Alta Alta
Voltaje aplicable Alto(1000 V) Alto(1200 V)
Máxima temperatura de operación Alta(200◦ C) Media(150◦ C)
Frecuencia de trabajo Alta(100-500 Khz) Baja(10-80Khz)
Coste Alto Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de carga en
corriente de los transistores bipolares:

Trabaja con tensión.

Tiempos de conmutación bajos (alta frecuencia de funcionamiento)

Margen de potencia en conducción mucho mayor (como los bipolares).

Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los

transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace ins-
tantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , tof f ). Las causas fundamentales de
estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y
los tiempos de difusión y recombinación de los portadores.

Principios básicos de funcionamiento: La diferencia más notable entre un transistor

bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuación sobre el terminal de control.
En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de
colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión
entre puerta y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos
dispositivos, que son sustancialmente distintas.
Es una caracterı́stica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el
terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los
otros dos terminales.

4.1. El transistor bipolar de potencia (BJT)

Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sı́, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el
paso de la corriente a través de sus terminales.

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4.1.1. Modo de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o signo de
los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transistor pueden ser:

Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión emisor - base
y a una polarización inversa de la unión colector - base. Esta es la región de operación
normal del transistor para amplificación.

Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor -

base y a una polarización directa de la unión colector - base. Esta región es usada
raramente.

Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La ope-

ración en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo apagado,
pues el transistor actúa como un interruptor abierto (IC = 0).

Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La

operación en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encen-
dido, pues el transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE = 0).

4.2. El transistor MOSFET

El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los elementos que los componen;
una fina pelı́cula metálica (Metal -M); oxido de silicio (Óxido - O); región semiconductora
(Semiconductor- S).
Las aplicaciones más tı́picas de los transistores de potencia MosFet se encuentran en
la conmutación a altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para controlar motores,
generadores de altas frecuencias para inducción de calor, generadores de ultrasonido, ampli-
ficadores de audio y transmisores de radiofrecuencia.
La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en
que estos últimos son controlados por tensión aplicada en la puerta (G) y requieren solo una
pequeña corriente de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son controlados
por corriente aplicada a la base.

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4.2.1. Tipos de MOSFET
Mosfet de Deplexión o empobrecimiento: existe un canal por el cual circula la corriente
aunque no se aplique tensión en la puerta.

Mosfet de Acumulación o enriquecimiento: el canal por el cual circula la corriente se

crea cuando se le aplica una tensión en la puerta. A su vez, dentro de los transistores
MOSFET de enriquecimiento podemos distinguir dos tipos: de canal n o de canal p,
dependiendo del tipo de sustrato utilizado y del tipo de portadores mayoritarios por el
canal. En la siguiente figura se pueden observar la estructura fı́sica y el sı́mbolo más
habitual para un MOSFET de canal n:

4.3. El transistor IGBT

El IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina las ventajas de los BJT y los Mosfet.
Tiene una impedancia de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en conmutación,
como los BJT, pero sin el problema de segunda ruptura, por lo que puede trabajar a elevada
frecuencia y con grandes intensidades.
Los IBGT fueron inventados hace poco tiempo, pero su evolución ha sido rápida debido a
que han demostrado tener una resistencia en conducción muy baja y una elevada velocidad de
conmutación (la transición desde el estado de conducción al de bloqueo se puede considerar
de unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en el rango de los 50KHz), además
de una elevada tensión de ruptura. Los IGBT se fabrican desde una tensión de 1400V y una
corriente de 300A, a una tensión de 600V y una corriente de 50A.
El control por tensión hace que el IGBT sea más rápido que el BJT, pero más lento
que el Mosfet. La energı́a aplicada a la puerta que activa el dispositivo es pequeña con una
corriente del orden de los nanoamperios, esta pequeña potencia necesaria para conmutar el
dispositivo, hace que pueda ser controlado por circuitos integrados.

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