2 Rappels

Micro
Électronique 00 7
- 2
a c Chapitre
.f r 2
i h
n Rappels o gne
e G o u rg :
i q u @
u-b De la physique
n .ginh au transistor MOS

c du semi-conducteur
i
m que
a
Do ni
) i
(C o m
d
Dominique GINHAC
dginhac@u-bourgogne.fr
Plan du cours
0 7
0
1- Introduction sur la microélectronique numérique
2- Physique des semi conducteurs - 2

9 Structure électronique,
ac f r
9 Notions d’énergie,
Notions de dopage,
i n h gne .
o
G
9
g
Principes de la jonction PN, ur
e
9
o
u b
Principes des transistors
u-
9
n i q c@
m i
3- Bases de la technologie
g i h
CMOS
n
a
D o
4- Design de portes q
i ue.
élémentaires
C ) m i n
(
5-Technologied o
des composants
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 2
Physique : Structure électronique
0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
i q u @
u-
b
i nn ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d
Structure électronique
Modèle de l’atome :
0 7
0
Neutrons
- 2 Noyau
Protons (+)
ac f r
i n h gne .
o
Électrons (-)
e G o ur
g
gravitant
des
sur
couches
i q u @
u-
b
électroniques
i n n ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C Nb dedprotons = Nb d ’électrons
Neutralité o m :
de l’atome
Structure électronique (2)
Nuage électronique des atomes caractérisé par 4

0 7
nombres quantiques :
2 0
9nombre quantique principal (numéro d’orbite) : n = 1, 2, 3, …
c -
a
9nombre quantique azimutal : l = 0, 1, 2, …, n-1r
.f+-2, …, +-l
9nombre quantique magnétique : ml = 0, +-1,
9spin : s = +-1/2 o gne
i n h
e G o u rg
q u u-
b
ni ha
@
Principe cd’exclusion de Pauli :
m i g i n Deux électrons dans un même système ne peuvent
Do i q
e. même état caractérisé
u 4 nombres quantiquesse trouver dans le par
) n les .
i
(C o m
d
W. Pauli, prix Nobel de
Physique en 1955
Couches électroniques :
0 7
Les électrons sont répartis sur différentes couches
par des lettres (K, L, M,…, Q) correspondant2 0nombre quantique
symbolisées
-
au
c
principal n = 1, 2, 3, 4
Le nombre maximal d’électrons par couche
a r
est égal à 2n 2
f
i h
n rgo ⇒ gne .
G
Couche K :
u
e
n=1 2 électrons max
o
i q u @
u-b
i n n h ac Couche L :
o m que . g i ⇒ n=2 8 électrons max
) D i ni
(C o m Couche M :
d ⇒ n=3 18 électrons max
Sous couches électroniques :

0 7
l0
Chaque couche est divisée en sous-couches s, p, d, f
correspondant au nombre quantique azimutal2
-
= 0, 1, 2, 3
a c f r
i n h o gne . Couche K : n=1, l=0, ml=0
Sous couche s : 2 électrons
e G o u rg
i q u @
u-b Couche L : n=2; l=0,1; ml=0,+-1
i n n h ac Sous couche p : 6 électrons
o m ue . g i
) D i n i q Couche M : n=3; l=0,1,2; ml=0,+-1,+-2

(C o m Sous couche p : 6 électrons

d Sous couche d : 10 électrons
Cas du Silicium : N = 14 électrons

Le Silicium possède 14 électrons : 1s2 2s2 2p6 3s0
7
2 0 2 3p2
-
Il lui manque 4 électrons pour remplir la sous couche 3p
a c f r
i n h o gne.
⇒
Couche K : n=1, l=0, ml=0
Sous couche s : 2 e- 1s2
e G o u rg
i q u @
u-b Couche L : n=2; l=0,1; ml=0,+-1
e- ⇒ 2s2
Sous couche s : 2
i n n h ac e- ⇒ 2p6
Sous couche p : 6
o m ue . g i
) D i n i q Couche M : n=3; l=0,1,2; ml=0,+-1,+-2

e- ⇒ 3s2
Sous couche s : 2
( C d o m e- ⇒ 3p2
Sous couche p : 2
Répartitions des électrons en 2 classes principales :

0 7
Le silicium possède 4 électrons de valence sur0
- 2 la sous couche 3p
a c f r
i n h ne.
Électrons
o g
de cœur
e G o u rg
Fortement liés au noyau
i q u @
u-b
i n n h ac
o m que . g i Électrons de valence
) D i ni
Rôle essentiel dans
- l’association des atomes,
(C o m - les réactions chimiques,

d - la conduction électrique.
Liaison chimiques :
0 7
Les atomes de silicium recherchent la stabilité en tentant de saturer
2 0
la dernière sous-couche d’électrons.
Ils mettent en commun plusieurs électrons de la sous couche de
c -
e.f a
valence 3p avec d’autres atomes de silicium sous la rforme de liaisons
h gn
n
covalentes
G i u
Liaison covalente g
r:
o
e
O
H
o
i q u
Mise en commun de
u
b
- deux électrons
@ former un doublet
n
de valence pour
c
i aélectronique
H
Eau
n h
o m H
ue. g i
D q
H
i
) i n
C
(C Méthane o m
H d H Silicium
Physique : Notion d’énergie
0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
i q u @
u-
b
i nn ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d
Notion d’énergie
Modèle de Bohr :
0 7
9 Un électron situé sur la couche orbitale n a une énergie fixe
2 0
-
négative égale à -13.6 eV / n² (cf. remarque)
9 Un électron commence toujours par remplir les couches
r
énergétiques les plus basses (c’est-à-dire les plus négatives)
a
9 Un électron qui se maintient sur son orbite ne.freçoit, ni ne perd
c
e
n h
d ’énergie. Il y a échange d’énergie uniquementgsn’il change d’orbite
i o
e G o ur
g
i q u @
u-
b Apport d’énergie : E=hν
n
Electrique,Thermique, ...
c
m i g i n ha 9 Changement d’orbite
Do i que.
9 Ou libération de l’e-
) i n
(C o m Rq : Un électron avec une énergie
d nulle est libre car il est situé à
l’infini par rapport au noyau.
Notion d’énergie (2)
Diagramme d’énergie d’un atome de silicium

0 7
Le diagramme d'énergie est la représentation des différents états
2 0
-
énergétiques d’un atome
ac f r Energie
i n h gne . 0
o
e G o ur
g
Couche M : - 1.51 eV
i q u @
u-
b
i nn ha
c
m
Couche L : - 3.39 eV
g i
Do i que.
) i n
(C
Couche K : - 13.6 ev
o m
d
Diagramme d’énergie de N atomes de silicium

0 7
Selon le principe d’exclusion de Pauli, 2 atomes d’un même système ne
2 0
-
peuvent se trouver dans le même état énergétique.
Energie
ac f r
h gne .
Cela entraîne une véritable
n
0
i
multiplication des niveaux énergétiques
o Bande de conduction
g
G
très proches formant des bandes
u r Bande interdite Couche M
o
e
d’énergie séparées par des bandes
interdites
i q
-b
u @
u Bande de valence
i n .g in ha
c
m que
Couche L
Do ni
) i
(C
Couche K
o m
d
N niveaux
Diagramme d’énergie de N atomes de silicium

0 7
Selon le principe d’exclusion de Pauli, 2 atomes d’un même système ne
2 0
-
peuvent se trouver dans le même état énergétique.
ac f r Energie
h gne
Quelques Définitions :
.
n
0
Bande de Valence : Dernière bande de
basse énergie contenant des électrons
G i g o Bande de conduction
ur Bande interdite Couche M
bo
Bande de Conduction : Première bande -de
u e
i q
haute énergie vide d’électrons
n
u
c@ Bande de valence
mi
Bande interdite : Bande d’énergie
g i n h a dans Couche L
o .
lequel un électron ne peut se trouver
e
uBC qui détermine
) D
les propriétés ide
q
Gap : Ecart entre BV iet
n conduction des
(C
Couche K
o m
matériaux. d
Types de matériaux :
0 7
En fonction des positions de la Bande de Valence et de la Bande de
2 0
-
Conduction, on distingue 3 types de matériaux :
9 Les matériaux conducteurs,
9 Les matériaux isolants,
.f r ac
9 Les matériaux semi-conducteurs.
i n h gne o
G g
1018
ur
Quartz
Isolants
1013
u e
Paraffine/Caoutchouc-b
o
n i q c @
u
Porcelaine
Résistivité
108
i a
en Ω.cm
h
nlénium
m i
103
g
o .S Semi
Silicium
ue é
D
1
i q i um
conducteurs
) n n
i Ger
m a
(C om
10-2
d 10-6 Fer
Argent Conducteurs
Cas des matériaux conducteurs (métaux) :

0 7
D'un point de vue microscopique :
2 0
-
9 Les atomes métalliques forment des structures très serrées dans
lesquelles les électrons peuvent se déplacer librement.
ac f r
h gne
D’un point de vue macroscopique :
.
i n
9 La bande de valence et la bande de conduction se chevauchent.
o
e G o ur
g
u b Energie
R
u- 0
a
n i q c@
m i g i n ha Bande de conduction
Do i que.
) i n
(C o m Bande de valence
d
Distance a < 2R
Cas des matériaux isolants :

0 7
2 0
-
9 Les atomes forment des structures très espacées dans lesquelles
les transferts d’électrons sont quasi impossibles.
ac f r
h gne
.
i n
9 Le GAP entre BV et BC est trop important (> 5eV) pour que les
électrons puissent passer dans la bande de o
G
conduction
rg
u
u e b
u- 0
o Energie
n i q c@
i
R
n ha Bande de conduction
m
a i
g
Do i que. GAP
) i n
(C o m
d Bande de valence
Distance a >> 2R
Cas des matériaux semi-conducteurs :

0 7
2 0
-
9 Les atomes forment des structures suffisamment proches pour que
le transfert d’électrons soit possible.
ac f r
h gne
.
i n
9 Le GAP entre BV et BC est assez faible (1.12 eV pour le silicium)
pour que les électrons puissent passer dansola bande de conduction
e G o u rg
u b Energie
u- 0
n i q c@
i ha
R Bande de conduction
a n
o m ue. g i Gap
) D i n i q Bande de valence
(C o m
d
Distance a ~ 2R
Physique : Notion de dopage
0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
i q u @
u-
b
i nn ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d
Notions de dopage
Cas d’un cristal de Silicium intrinsèque pur (99,99999%) :

0 7
Autant d’électrons que de trous dans le cristal.
2 0
-
Très peu de porteurs libres donc très mauvaise conduction
c
Le silicium se comporte à peu près comme un isolant !
h a e. f r
i n o
n
gporteurs libres
G g
Les quelques
u r
e o
sont uniquement dus :
i q u @
u-b
n
Impuretés
c
m i g i n h a
D o i que . Agitation thermique
) i n
(C o m
d
Notions de dopage (2)
Cas d’un cristal de Silicium intrinsèque pur (99,99999%) :

0 7
Le dopage sert à donc modifier cet équilibre entre les électrons et les
2 0
-
trous afin de favoriser la conduction électrique.
c
Le principe est d’introduire des impuretés dont la taille atomique est
r
proche de celle du Silicium et ayant plus ou moins d’électrons
a
de valence
h gn e.f
i n o
Deux cas se présentent :
e G
o 5 électrons sur la couche de ur
g
i q
valence (Arsenic, Phosphore, …) u-b
9 Ajout d’éléments pentavalents ayant
@ u
i n
9 Ajout d’éléments trivalents
…)in
h
c
a ayant 3 électrons sur la couche de
o m
valence (Bore, Gallium,.g
ue
) D n i q
ip+) : 1 atome de dopant pour 104 de Si (1022 at./cm3)
(C
m
Dopage fort (n+ ou
o
d
Dopage normal (n ou p) : 1 atome de dopant pour 107 de Si
Dopage de type N par ajout d’atomes pentavalents :

0 7
Objectif : Produire un excès d’électrons chargés Négativement
2 0
c -
Electron supplémentaire
h a e. f r
i n o gn
e G o u rg
i q u @
u-b Dopants N tels que Arsenic, Phosphore, ...
i n n h ac
m
Dopage par un matériau N :
g i
D o i que . ⇒ Electrons majoritaires
) i n ⇒ Les dopants sont dits « donneurs
(C o m d’électrons »
d
Dopage du Silicium par du Phosphore
Dopage de type P par ajout d’atomes trivalents :

0 7
Objectif : Produire un déficit d’électrons et donc
2 0 un excès de
-
trous chargés Positivement
Déficit d’électron
a c f r
i n h o gne.
e G o u rg
i q u @
u-b Dopants P tels que Bore, Galium, ...
i n n h ac
m
Dopage par un matériau P :
g i
D o i que . ⇒ Trous majoritaires
) i n ⇒ Les dopants sont dits « accepteurs
(C o m d’électrons »
d
Dopage du Silicium par du Bore
Amélioration de la conductivité :
Le dopage permet donc d’injecter artificiellement0et de manière
7
contrôlée des charges libres (e- ou trous)2afin 0 d’améliorer la
conductivité du matériau.
c -
La conductivité du matériau est améliorée
h a en . f r apparaître de
faisant
e
nouvelles bandes d’énergie au dessous
i n de lagnbande de conduction
o (Dopage P)
(Dopage N) ou au dessus de la bande
e G rg
de valence
o u
i q u @
u-b
i n n h ac
o m ue . g i
) D i n i q
(C o m
dDopage N Dopage P
Physique : La jonction PN
0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
i q u @
u-
b
i nn ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d
La jonction PN
Création d’une Jonction PN :

0 7
2 0
Que se passe t-il si l’on met en contact du Silicium dopé N et
du Silicium dopé P ?
c -
h a e. f r
i n o gn
Matériau N
e G o u rg Matériau P
+ + + iq
u @
u-b
i n .g in h ac - - -
+ +m + e
D o i qu
- - -
) i n
(CCréationdd’une jonction PN à la frontière des 2 matériaux
o m
La jonction PN au niveau atomique
QU
I ZZ Que se passe t'il au niveau de la jonction ?
0 7
2 0
-
Un échange de trous et d’électrons se
produit de chaque côté de la jonction P-N.
+ + - -
ac f r
+ + - - h gne .
9 Les électrons (-) qui transitent du côté
i n
N vers le côté P, produisent des ions
go positive du côté N
+ + - -
e G Donneurs de charge
o u r
i q u b (+) qui transitent du côté P

9 Les -trous
vers ule côté N, produisent des ions
@
n .g in h
+ + - - c
i a
Accepteurs de charge négative du côté P
o m ue: DIFFUSION
) D
Ce phénomène se nomme
i n i q
(C PN d: c’est la Zone de Charge d’Espace

Une zone m
d’appauvrissement
o en porteurs mobiles se forme autour de
la jonction
La jonction PN au niveau atomique (2)
UI
ZZ
2 La ZCE grandit elle sur toute la jonction ?
0 7
0
Q
- 2
Les ions Accepteurs et Donneurs de
+ + - -
ac
chaque côté de la jonction forment :
f r
+ + - -
i n h gne .
9 un champ électrique E
oune barrière de potentiel
F=-qE
+ + E - -
F=qE
e G 9 et donc
o u
définie
g
rpar la relation E=-dV/dx.
i q u Ce
@
- b
u champ
électrique s’oppose au
n .g i
+ + V - - c
i aphénomène de diffusion et permet
nh d’arriver à un équilibre.
o m que
) D
La taille de lain
i
Zone de Charge d’Espace devient stable
(C o m
d
Fonctionnement électrique de la Jonction PN :

0 7
0
On polarise la jonction en direct et on fait2varier la tension
c -
h a e. f r
n
Pour une tension faible
n
+ + - -
i o g (< 0.5 V), rien ne se
-G
rg passe
u
+ + -
u e -b o
+ + iq-
u
- ac@
+ m
i n i
- .g -
n h Pour Vpol > 0.7v, il y a
conduction
D o +
i qu e Pourquoi ?
C) -do m i n
+
( 0 V – 0.5 V
Polarisation
directe

0 7
2 0
Pour une tension de polarisation inférieure
c - à 0.7 V
h a e. f r
n
La barrière de potentiel
n
+ + - -
i o g ( V + ddp ) diminue sous
-G
rg l’action de la
u
+ + -
u e -b o polarisation directe.
+ +
n i q - - c@
u
+ m
i V+ddp
g i n h a
o . -
+ - Cette ddp s’annule
u e
D
uniquement lorsque V >
i q
) i n 0.7 Volts,
( C -dom
0 V – 0.5 V
+ Polarisation
directe

0 7
2 0
Pour une tension de polarisation supérieure
c - à 0.7 V
h a e. f r
n
La barrière de
n
+ + - -
i o g potentiel est vaincue.
-G
rg
u
e o Il y a redémarrage de
u b
+ + -
- la diffusion et donc de
+ + iq-
u
- ac@
la conduction
+ m
i n i
- .g -
n h
D o +
i qu e
C ) -do m i n
+
( > = 0.6 V
Polarisation
directe

0 7
2 0
On polarise la jonction en inverse
c -
a e. f r
h gnpotentielbarrière de
in
La
+ + - - o augmente
e G o ur
g
u b
+ + - -
u-
+
i n +
n
V+ddph iq- - ac@ Elargissement de la
Zone de Charge
+ m i
-e.g -
o + d’Espace
u
) D i n i q
( C -d o m + Polarisation
inverse

0 7
2 0
On augmente encore la tension de polarisation
c - inverse
h a e. f r 1 - Libération des
+ + - -
i n o gn porteurs minoritaires :
-G
rg effet zener
u
+ + -
u e -b o 2 - Les porteurs
+ +
n i q - - c@
u libèrent par choc
+ m
i g i n h a
effet d’avalanche
d’autres porteurs :
D o +
i qu
-
e. -
Rupture 3 - des
) i n
(C
+ o m - liaisons covalentes
d Polarisation
inverse
Caractéristiques de la jonction PN
0 7
0
I
- 2
ac r
Conduction
f
i n h gne .
o
e G o ur
g
i q u
Bloquée
@
u-
b
V
i nn ha
c
o m ue. g i
D
Claquage: Seuil 0,7 v
i q
) i n avalanche
Zéner,
(C o m
d
Physique : Le transistor
0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
i q u @
u-
b
i nn ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d
Généralités sur les Transistors
Transistor : élément clé de l’électronique

0 7
Il peut :
2 0
9 amplifier un signal (amplificateur de tension, de courant, de
c -
a
puissance,...)
f r
9 être utilisé comme une source de courant
o i n h gne .
l’électronique numérique) o u rg
9 agir comme un interrupteur commandé
e G (essentiel pour
i q u @
u-b
i
On distingue :
n ha
c
gin (source de courant commandé par un
o m .
9 Transistor bipolaire
ue
D
courant)
i q
) i n
(C
9 Transistor à effet de champ (source de courant commandé par
o m
d
une tension)
Transistor bipolaire
Structure simplifiée :
0 7
Un transistor bipolaire comporte 3 couches de 0
sandwich dans l’ordre PNP ou NPN :
- 2 silicium disposées en
a c f r
h
9 Symétrie NPN/PNP
e.
i n gn
9 Les 2 « jonctions PN » couplées vont permettre «l’effet transistor»
o
e G o u rg
u b
diode « EB » E E diode « EB »
-
n i q c@
u
i
émetteur
P+
h a N+
n
m i
B B
g
o . N base P
ue
) D i n i q P N
(C o m collecteur
diode « BC »
d C C
diode « BC »
Transistor PNP Transistor NPN

Transistor bipolaire (2)
Caractéristiques principales :
0 7
Les transistors sont bipolaires parce qu’ils utilisent à la fois les porteurs
2 0
majoritaires et les porteurs minoritaires (électrons et trous).
c -
E B a
h gne . fC
r
i n o
G rg
Dopage
élevé faible moyen
u
e o
(rapport 10:1)
Largeur
i q large u mince@
-b
u +large
n .g in h c
(rapport 150:1)
i
m que
a
o
Ces rapports importants contribuent :
D
9 à rendre la base plus résistive
ni
) i
9 à diminuer les recombinaisons
(C : Produire
o m
Objectif d une meilleure amplification
Polarisation du Transistor bipolaire
Fonctionnement :
0 7
En l’absence de toute polarisation, il y a création de 2 zones de
2 0
-
charge d’espace
r
Si on polarise la jonction BE en direct et BC en inverse :
9 Suppression de la ZCE sur la jonction BEe.f ac
9 Augmentation de la ZCE sur la jonction gnBC
i n h o
Emetteur
e G Base
o ur
g Collecteur
+
i q +
@
+ u - -
b
u-- - + + +
+ +in + - inha- -
c
- + + +
o m e.g
u - - -
) D+ + +
i n i q - + + +
(C o m Plusieurs
d ≈ 0,6v volts
Effet transistor
Fonctionnement :
0 7
9 La jonction EB est passante et dissymétrique (dopage plus élevé du côté E)
2 0
-
9 Le courant dans EB est constitué essentiellement d’électrons
c
9 La jonction BC est bloquée => champ électrique E intense à l’interface
BC
. f r
h a
9 Les électrons injectés par l’émetteur dans lae base sont collectés par
le champ électrique et traversent la jonctiongBC
i n
n (Ic ~ Ie)
o
Emetteur
e G Base
o ur
g Collecteur
+
i q +
@
+ u - -
b
u-- - + + +
+ +in + - nha- -
c
- E+ + +
o m u
. g i
e- - -
)
Ie
D+ +
i n
+
i q - + + + Ic
( C d o m
Au niveau de la base
Fonctionnement :
0 7
9 Le courant dans EB est constitué essentiellement d’électrons
2 0
-
9 Ce courant contient également une faible quantité de trous qui vont de la
c
base vers l’émetteur du fait du dopage même faible de la base
a
h gne . f r
i n o
Emetteur
e G Base
o ur
g Collecteur
+
i q +
@
+ u - -
b
u-- - + + +
+ +in + - nha- -
c
- + + +
o m+ +que - - -
. g i
) D+
i ni
- + + +
(C o m Ib
d
Au niveau de la base (2)
Fonctionnement :
0 7
9 Certains électrons injectés par l’émetteur se recombinent dans la base
2 0
-
avec des trous
c
9 Cela entraîne la création d’un courant de trous « recombinants »
a
h gne . f r
i n o
Emetteur
e G Base
o ur
g Collecteur
+
i q +
@
+ u - -
b
u-- - + + +
+ +in + - nha- -
c
- + + +
o m+ +que - - -
. g i
) D+
i ni
- + + +
(C o m Ib
d
En résumé
0 7
2 0
c -
e- injectés e- diffusants
h a e- collectésr
e.f
i n o gn
e G
e- se recombinant
o u rg
i q u
dans la base
@
u-b
Collecteur
Émetteur
n
trous iinjectés.gin
h ac
o m que
) D i ni
(C o m Base
d
Caractéristiques
7
Caractéristique de sortie
0
Ic (mA) Ic = f(Vce)
Caractéristique de sortie
2 0 Ic dépend peu de Vce
-
Ic = f(Ib) = B.Ib (générateur de courant)
c
Vcb constant Ib constant
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
Ib (µA)
i q u @
u-
b
n c Vce (V)
m i n
Vce constant
g i ha Ib constant
Do i que.
) n
Caractéristique d’entrée
i Caractéristique d’entrée
(C
m
Ib = f(Vbe)
o
d
Vbe = f(Vce)
Ressemble à une diode
Vbe (V) Vbe peu sensible aux
variations de Vce
Le transistor à effet de champ
0 7
Le transistor à effet de champ (Junction Field Effect
2 0 Transistor)
-
est un composant unipolaire constitué d’un canal à semi-conducteur
c
dopé dont la conduction est commandée par une tension.
Il existeh2atypes nde
. f r
e transistors à effet
i n o g
G
de champ.
rg
u
u e -b o Modifier la section: JFET
n i q c@
u
m i g i n h a 1
G = = q.n µ
S
o e . d e
u R L
) D i n i q
( C d o m Modifier la densité
de porteurs: MOSFET
0 7
Composant à 4 bornes :
2 0
-
9 Source : Injecte les porteurs (e- pour canal N, trous pour canal P)
c
9 Drain : Collecte les porteurs
9 Substrat : relié à l’alimentation (Vdd ou Gnd) e.

f a
9 Grille : Contrôle le flux de porteurs passant de larSource à la Grille
h gn
i n o
e G
Grille
o ur
g
u b
Électrode de commande
u-
q
du courant Id
i n n i ha
c@
m i Drain
g
o . P
Source
ue
D
Électrode par laquelle
i q
) n
les porteurs majoritaires
i
Électrode par laquelle
(C
N
m P quittent le canal
d o
les porteurs majoritaires
entrent dans le canal
Jfet à Canal N
Principales différences avec le transistor bipolaire :

0 7
9 Source de courant contrôlée par la tension de Grille
2 0
-
9 Composant unipolaire utilisant uniquement les porteurs
majoritaires (électrons ou trous)
c
a gne influençant la
f rsource et le drain
9 Composant fonctionnant avec unhchamp électrique
9 Porteurs ne traversant aucune jonction entre .la
i n rgo
section du canal
e G o u Grille
i q u @
u- b
i n n h ac Drain
o m
Source
ue . g i N
) D i n i q P N
(C o m
d P
Jfet à Canal
Fonctionnement
Conditions normales de fonctionnement : Vgs < 0 et Vds > 0

0 7
Sous ses conditions, un courant Id peut circuler de la source S au drain D
2 0
-
via le « canal » situé de part et d’autre de la grille
c
Pour une tension Vds donnée, le courant Id est commandé par la tension Vgs
a
h gne . f r
i n o
G
Drain
g
ur
e
P
Source o
i q N u @
u-P
b
N
i n Grilleha
n
c
o m ue. g i
) D i n i q
( C d o m Vgs < 0
Vds > 0
Fonctionnement (2)
Cas n°0 : Vgs = 0 et Vds = 0

0 7
En l’absence de polarisation, création des 2 ZCE
2 0 au niveau des
jonctions PN (Grille – Canal)
c -
h a e. f r
n
Pour injecter des
n
i
Grille
o g électrons à partir de
Vgs = 0
P
e G o u rg la source, faisons
u b Vds varier
-
q u
Zce
Source
i n i n h ac@ Drain
o m ue . g i
) D
Vds = 0
i n i qZce
(C o m
d N P
Fonctionnement (4)
Cas n°1 : Vgs = 0 et Vds > 0

7
0 plus forte
La tension Vds > 0 entraîne une polarisation 0
2
inverse
des jonctions PN au niveau du drain
c -
h a e. f r
n
La tension Vds se
n
i
Grille
o g répartit sous forme de
Vgs = 0
P
e G o u rg gradient entre la source
u b et le drain (Ex : Vds = 2V)

-
q u
Zce et contribue à augmenter
Source
i n i n h ac@ Drain
le champ électrique
m i
0 V 0.5 V 1 V 1.5 V 2 V
g
o . On assiste à un
ue
D
élargissement de la ZCE
i q
Zce
) n
Vds > 0
i du côté du drain et donc
(C o m à un rétrécissement du
d N P
canal
Fonctionnement (5)

7
0 plus forte
La tension Vds > 0 entraîne une polarisation 0
2
inverse
des jonctions PN au niveau du drain
c -
h a e. f r Un courant Id circule
i n n
Grille entre la source et le drain
o g
Vgs = 0
P
e G o u rg
u b Il est proportionnel à la
-
q u
Zce tension Vds
Source
i n i n h ac@ Drain
m i Le transistor est en
g
D o i que
Zce
. régime linéaire et se
comporte comme une
) n
Vds > 0
i
(C o m résistance
d N P
Id Id = f(Vds)
Fonctionnement (6)

0 7
Fonctionnement en régime linéaire
2 0
-
La penteadecla courbe f rdépend :
9h
.
e semi-conducteur,
Id (mA)
i nde la rlongueur
du dopagegndu
go
Vgs = 0
e G 9 de lausection du canal.
9
o
du canal,
i q u @
u-
b
i nn ha
c
o m ue. g i
D
Que se passe t’il si on
i q ZZ
) n
I
QU
i augmente Vds ?
(C o m Vds (V)
d
Fonctionnement (7)
Cas n°2 : Vgs = 0 et Vds = Vp

0 7
étranglement du canal lorsque les ZCE se 2
Si Vds augmente suffisamment (jusqu’à Vp), 0 il se produit un
c - rejoignent.
h a e. f r
i n n
Grille
o g Vp : tension d’étranglement
Vgs = 0
e
P
G o u rg (ou Pinch-Off)
i q u Zce
@
u-b
n c La valeur de Vp dépend de
Source
m i g i n h a Drain la géométrie du transistor
D o i que .
Zce
) n
Vds = Vp Le courant Id tend à se
i
(C o m stabiliser
d N P
Id
Pincement du canal au niveau du drain

Fonctionnement (8)
Cas n°2 : Vgs = 0 et Vds = Vp

0 7
Fonctionnement en zone de pincement
2 0
-
Id tend :ac f r
9h
.
ecar Vds est grand,
Id (mA)
i n à augmenter
o gn
e G l’étranglement
9à
o u rg
diminuer à cause de
qui freine le
i q
Vgs = 0 u @
u-
b
passage des électrons.
i n .g in ha
c
o m que
) D i ni UI
ZZ Que se passe t’il si on
augmente encore Vds ?
(C
Q
o m Vds (V)
d
Fonctionnement (9)
Cas n°3 : Vgs = 0 et Vds > Vp

0 7
Si Vds augmente encore (au-delà de Vp), 0
2
l’étranglement du
canal se déplace vers la source
c -
h a e. f r Fonctionnement en Zone
i n n
Grille de saturation
o g
Vgs = 0
P
e G o u rg
i q
Zce
u @
u-b Le courant Id devient
constant (courant de
Source
i n n h ac Drain saturation)
o m ue . g i
) D
Vds > Vp
i n i q
Zce Le transistor se comporte
(C o m en source de courant
d N P
Id
Fonctionnement (10)
Cas n°3 : Vgs = 0 et Vds > Vp

0 7
Fonctionnement en zone de saturation
2 0
c -
h a . f r
e (indépendant de la
Id (mA)
i n
Id est constant
o
n
gcar il existe un canal
G g
tension Vds)
u r
e
minimalolaissant passer les porteurs
Vgs = 0
iq u -b u
@transistor fonctionne en source de
n .g in
Le
c
i
m que
hacourant égale au courant de saturation
Do ni
) i Que se passe t’il si on
(C
ZZ
o m Vds (V) QU
I
augmente la tension Vgs ?
d
Fonctionnement (11)
Cas n°4 : Vgs < 0 et Vds >= 0

0 7
Vds) la taille du canal en augmentant la 2
La tension Vgs < 0 influence directement (indépendamment 0 de
des jonctions PN
c - polarisation inverse
h a e. f r
i n n
Grille
o g
G
Vgs = 0 V
P rg
u
Vgs < 0
u e -b o
q u
Zce
Source
i n i n h ac@ Drain
Vgs = -0.5 V
o m ue . g i
) D
Vds > 0
i n i qZce
(C o m
d N P
Fonctionnement (12)
Cas n°4 : Vgs < 0 et Vds >= 0

0 7
Vds) la taille du canal en augmentant la 2
La tension Vgs < 0 influence directement (indépendamment 0 de
des jonctions PN
c - polarisation inverse
h a e. f r
i n n
Grille
o g
G
Vgs = 0 V
P rg
u
Vgs < 0
u e -b o
q u
Zce
Source
i n i n h ac@ Drain
Vgs = -0.5 V
o m ue . g i
) D
Vds > 0
i n i qZce Vgs = -1 V
(C o m
d N P
Fonctionnement (13)
Cas n°4 : Vgs < 0 et Vds > 0

0 7
Apparition du phénomène de pincement plus 0
- 2 rapide
a c f r
Id (mA)
i n h o gne.
G
Vgs = 0 V
e o u rg
i q u -b
La uvaleur de Vgs < 0 influence
Vgs = -0.5 V
@
i n .ginh le phénomène de saturation de Id
acdirectement le pincement du canal et
m que
Vgs = -1 V
D o ni
) i
(C o m Vds (V)
d
Fonctionnement (14)
En résumé :
0 7
ID ~ Résistance
2 0
-
modulée par VGS
Régime
ac f r VGS = cst
h gne . Mode actif
n
linéaire
G i ur
g o
u e u-
b o
n i q c @
m i g i n h~a Source de courant

o . commandée par VGS
ue
) D i n i q
(C o m
d
limite de zones VDS
Le Transistor MOS
Principales caractéristiques de la structure MOS

0 7
9 Le Transistor MOS (Metal Oxyde Semiconductor) est un transistor à
2 0
-
effet de Champ
c
9 A l’origine, la grille était en Aluminium d'où le nom MOS. Aujourd’hui,
elle est en polysilicium r
a
9 La grille et le canal forment un condensateureà.f« plaques parallèles »,
h
l’isolant étant l’oxyde du silicium. gn
i n
o canal n’existe entre la
9A l’origine, le transistor est bloqué car
eo u rg
G
aucun
u
source et le drain
Grille -b
Source
i q
n .g in h c
u
@ Drain
i
m que
a Isolant
Do ni
) i
(C o m
d
Isolant (oxyde de grille)
Le Transistor MOS
Principales caractéristiques d’un transistor NMOS

0 7
9 Substrat en Silicium dopé P (Bore) d’épaisseur ≈ 500µm NDOP= 1015 at./cm3
2 0
9 Oxyde de grille en SiO2 (qq 10nm) et Polysilicium de grille (≈ 0.4 µm)
c -
9 Diffusion n+ (ou p+) : ≈ 0.4µm NDOP=
a
1019
h gne .
à
f r1020 at./cm3
i n
9 Connexion du substrat à la masse pour bloquer les jonctions PN SB et DB
o
polysilicium
S e
G o
g
G ur SiO 2
B
i q u @
u-b D
i n n h ac
o m
p+
ue
n+. g i
n+
) D i n i q
C m Substrat (Bulk) p-
( d o
Le Transistor MOS
Principales caractéristiques d’un transistor PMOS

0 7
9 Caractéristiques identiques à celles d’un NMOS
2 0
-
9 Transistor réalisé sur le même substrat de type P avec l’utilisation d’un
c
a
Puits (Caisson) de type N (N-Well) de faible dopage (1016 At/cm3)
f r
nG h gne
9 Caisson relié à l’alimentation Vdd pour bloquer les diodes SB et SD
i
.
o
e G o ur
g
B
i q
S
u @
u-
b D
i n n ha
c
o m n+
ue.
p+
g i
p+
) D i n i q Puits n-
(C o m
d Substrat p-
Fonctionnement d’un NMOS
Conditions normales de fonctionnement : Vgs > 0 et Vds > 0

0 7
Sous ses conditions, un courant Id peut circuler de la source S au drain D
2 0
-
via le « canal » qui va se créer sous l’oxyde de grille
c
La variation du courant Id s’effectue en faisant varier la densité des
porteurs dans le canal et non la surface r
a
h gn e.f
i n o
e G o ur
g
Vgs > 0
i q u Grille u-
@
b
Drain
Vds > 0
Source
i n n h ac
m i
Isolant
g
Do i que .
C) N+ m i n N+
( P d o
Fonctionnement d’un NMOS (2)
Conditions normales de fonctionnement : Vgs > 0

0 7
La tension Vgs positive va permettre l’accumulation de charges positives sur
2 0
-
la grille du transistor MOS
c
Cette accumulation est possible à cause de la capacité MOS constituée de la
r
Grille (armature 1) , de l’oxyde de grille (isolant) et du substrat
a
(armature 2)
h gn e.f
i n o
e G o ur
g
Vgs > 0
i q u Grille u-
@
b
Drain
Vds > 0
Source
i n n h ac
m i
Isolant
g
Do i que .
C) N+ m i n N+
( P d o

0 7
La différence de potentiel entre Grille et Substrat entraîne la création d’un
2 0
-
champ électrique E aux bornes de la capacité MOS :
c
9 qui repousse les porteurs majoritaires (trous) loin de la grille
a
r près de la grille
9 qui attire les porteurs minoritaires (e-) du substrat
h gn e.f
i n o
e G o ur
g
Vgs > 0
i q u Grille u-
@
b
Drain
Vds > 0
Source
i n n h ac
m i
Isolant
g
Do i que .
E
C) N+ m i n N+
( P d o

0 7
La différence de potentiel entre Grille et Substrat entraîne la création d’un
2 0
-
champ électrique E aux bornes de la capacité MOS :
c
9 qui repousse les porteurs majoritaires (trous) loin de la grille
a
r près de la grille
9 qui attire les porteurs minoritaires (e-) du substrat
h gn e.f
i n o
e G o ur
g
Vgs > 0
i q u Grille u-
@
b
Drain
Vds > 0
Source
i n n h ac
m i
Isolant
g
Do i que .
E
C) N+ m i n
N+
( P d o
Conditions normales de fonctionnement : Vgs > 0 et Vds > 0

0 7
Une couche d’inversion (canal) se crée sous la grille permettant de relier la
2 0
-
source au drain.
c
L’application d’une tension Vds > 0 permet au courant Id de circuler
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
Vgs > 0
i q u Grille u-
@
b
Drain
Vds > 0
Source
i n n h ac
m i
Isolant Id
g
Do i que .
E
C) N+ m i n N+
( P d o
Caractéristiques
Caractéristiques similaires à celles d’un transistor JFET

0 7
2 0
-
Cas 1 : Transistor bloqué
c
a
Pour Vgs très faible (Vgs < Vth) il n’existe
f r de courant Id
Id (mA)
Vgs = 8 V
i n h
pas de canal et donc
o gne .
pas
e G
Cas 2 : Régime rg
linéaire
u
Pour Vgs b>oVth et Vds faible, le courant
u
Vgs = 6 V
-
iq c
Id est u
modulé par la tension de grille
@
i n
Vgs = 2 V
h a
Casin3 : Régime saturé
o m ue .g Pour Vgs > Vth et Vds important, le
) D i n i qVds (V)courant Id devient constant
(C o m indépendamment de Vds
d
Caractéristiques
Pour mieux comprendre le fonctionnement :

0 7
Comparaison à un robinet d'eau :
2 0
La grille est la commande analogue au pas de vis du robinet
c -
qui contrôle le débit d'eau (courant) :
9 Au début, rien ne se passe (transistor bloqué)e . f r
h a
9 Après un quart de tour, un faible filetod'eau
i n
gn coule.
Puis, le courant augmente rapidement dès
e
un peu le robinet. (régime linéaire) bo
u r G
g qu’on tourne
q
9 Enfin, malgré des tours dans u
i c@
u
le- vide, le débit d’eau
i n a
n'augmente plus… (régime de saturation)
n h
o m ue. g i
Si on veut augmenter le débit du robinet, il faut augmenter
) D i n i q
le diamètre du tuyau (c’est-à-dire augmenter la tension Vgs).
(C o m
d
Modélisation du transistor MOS
0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
i q u @
u-
b
i nn ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d
Qu ’est ce qu’un modèle de transistor MOS ?

0 7
et prédire le comportement d’un transistor. 2
Ensemble d’équations qui lient tensions et courants,
0 afin de simuler
c -
a
Objectif : calculer le courant I entre le drainr et la source en
.f
h
DS
fonction des tensions Vb, Vg, Vs et Vd. e
i n rgo gn
e G o u
i q u @
u-b
i n n h ac
o m ue . g i
) D i n i q
C m
Plusieurs caractéristiques sont utilisées : I (V ) et I (V )
( dépendent de paramètres liés à la technologie utilisée
o DS DS DS GS
Elles d
3 régimes de fonctionnement à étudier

0 7
Cas 1 : Transistor bloqué
2 0
Cas 2 : Régime linéaire
c -
Cas 3 : Régime saturé
a
h gne . f r Grille G
n
Drain D
i
Source S
o
G g W
ur Isolant
u e u-
b o
n i q c@
m i g i n ha L
D o
2 paramètres que.
très importants
i : Susbstrat B
9)Largeur Lmdu transistor

i n
C
( 9 Profondeur W du transistor
d o
Fonctionnement en zone ohmique
En zone ohmique, Id est fonction du carré de Vds

) V –V 0
7
ID = ( μn C0X / 2 ) . ( W / L ) . [ 2 (VGS – VT0
2 0 ²]
DS DS
avec VGS > VT0 et VDS < VGS – VT0

c -
h a e. f r
i n og
n
e G o u rg
i q u @
u-
b
i n n ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d

Si on se place à Vds très faible, on peut écrire : 0
7
2 0
I = ( μ C / 2 ) . ( W / L ) . [ 2 (V – V )-
D n 0X
a c V –V ²]
f r GS T0 DS DS
I ~= ( μn C / 2 ) . ( W / L ) . [in
h
2 (V – V og
ne.
G
)V ] car V ²~ 0
D OX
rg GS T0 DS DS
u
L )e
o
I ~= ( μn C ) . ( W / u
b
. [(V –uV- ) V ]
D OX
n i q c@ GS T0 DS
m i g i n h a
résistance o
Dans ces conditions, e .le transistor peut être vu comme une
u par V
D commandée
C’est)pour celaoqu’on
i n i q GS
(C
m parle de fonctionnement ohmique !
d

) V –V 0
7
ID = ( μn C0X / 2 ) . ( W / L ) . [ 2 (VGS – VT0
2 0 ²]
DS DS
avec VGS > VT0 et VDS < VGS – VT0

c -
Id est fonction de : e.f
h a r
9 Profondeur W du transistor o gn
i n
9 Largeur L du transistor c’est-à-dire
o u
e
gla
G
r distance séparant la
b
u
source du drain
u-
i q
9 Tensions Vgs et Vds du transistor
n c@
i
9 Tension de seuil Vto duatransistor
n h
o m q e
9 Capacité de grille
u
i
9 Mobilité µn des électrons
g par unité de surface
.Cox
) D i ni
(C o m
d
Caractéristique Id = f(Vds)

0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
i q u @
u-
b
i nn ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d
Fonctionnement au pincement
Au pincement, Id ne dépend plus de Vds

0 7
IDsat = ( μn C0X / 2 ) . ( W / L ) . (VGS – VT0)²
2 0
avec VDS = VDSat = VGS - VT0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
i q u @
u-
b
i n n ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d
Fonctionnement en saturation
Au-delà du pincement, Id devient stable

0 7
IDsat = ( μn C0X / 2 ) . ( W / L ) . (VGS – VT0)²
2 0
avec VDS > VDSat
c -
Il y a déplacement du point de pincement
h a e
r
vers la.fsource
i n o gn
e G o u rg
i q u @
u-b
i n n h ac
o m ue . g i
) D i n i q
(C o m
d
Caractéristique Id = f(Vds)
En zone de saturation, Id devient stable

0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
i q u @
u-
b
i nn ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d
Modulation de la longueur du canal
En zone de saturation :
0 7
La largeur réelle du canal est plus courte que
2 0 la largeur
IDsat = ( μn C / 2 ) . ( W / L’ ) . (V – V -)² plus grand

théorique : L’ = L - ∆L
OX
a c f r
GS TO
i n h o gne.
e G o u rg
i q u @
u-b
i n n h ac
o m ue . g i
) D i n i q
(C o m
d
Modulation de la longueur du canal
En zone de saturation :
0 7
IDsat = ( μn C / 2 ) . ( W / L’ ) . (V – V )²
OX
2 0 GS TO
L’ = L - ∆L = L . ( 1 – ∆L / L)
En posant 1 – ∆L / L = 1 - λ V avec λ Vc <<1
-
= ( μn C / 2 ) . ( W / L )h
a DS
. f r
. (V – Vgne)². (1 + λ V
DS
On a I
i n rgo )
G
Dsat OX GS TO DS
u
u e - b o
n i q c@
u
m i g i n h a
D o i que .
) i n
(C o m
d
En résumé pour le transistor NMOS
3 zones de fonctionnement :
0 7
Cas01 : V < V
- 2 GS T0
ac f r
ID = 0
i n h gne .
o
e G 2:V
o T0
Cas
g
u>rV et V <V –V
u - bGS DS GS T0
i q
IDlin = ( μn C0X / 2 ) . ( W /@
n c
u
L ) . [ 2 (VGS – VT0) VDS –VDS²]
mi .g i n h a
Do i que
) n
i Cas 3 : VGS > VT0 et VDS > VGS – VT0
(C o m
IDsat =d( μn C0X / 2 ) . ( W / L ) . (VGS – VT0)². (1 + λ VDS )
En résumé pour le transistor PMOS
3 zones de fonctionnement :
0 7
Cas01 : V > V
- 2 GS T0
ac f r
ID = 0
i n h gne .
o
e G 2:V
o T0
Cas
g
u<rV et V >V –V
u - bGS DS GS T0
i q
IDlin = ( μn C0X / 2 ) . ( W /@
n c
u
L ) . [ 2 (VGS – VT0) VDS –VDS²]
mi .g i n h a
Do i que
) n
i Cas 3 : VGS < VT0 et VDS < VGS – VT0
(C o m
IDsat =d( μn C0X / 2 ) . ( W / L ) . (VGS – VT0)². (1 + λ VDS )
Modélisation des capacités parasites
Grand nombre de capacités parasites :

0 7
2 0
Pour chaque transistor MOS, il existe 5 capacités parasites :
Capacités -
l’oxydec
d’oxyde à l’interface de
h a de grille r
e .f
i n rgo g n 9 Cgb : Capacité Grille - Substrat
e G o u 9 Cgd : Capacité Grille - Drain
i q u @
u-b 9 Cgs : Capacité Grille - Source
i n .ginh « sous » la source et le drain

ac Capacités de jonctions situés
o m que
D
9 Cdb : Capacité Drain- Substrat
ni
) i
(C le régime o m 9 Csb : Capacité Source - Substrat
Selon
d de fonctionnement, leurs valeurs changent.
Capacités d’oxyde
Considérations technologiques de fabrication :

0 7
En raison des
2 0 imprécisions
c -
technologiques de fabrication en
a
fonderie, la largeur effective Leff de
f r est différente de
i n h g ne
la largeur dessinée
o
.
la grille du transistor
LM
e G o u
Il existe
g
r donc un recouvrement ou
i q u -b
débordement
u du côté Source/Grille et
@du côté Drain/Grille de l’ordre de
i n .g in c
ha quelques dizaines de nanomètres.
o m que On peut
supposer que ces
) D i ni
recouvrements sont de taille LD
(C
m équivalente des deux côtés
d o
LM = Leff + 2 . LD
Capacités d’oxyde
Considérations technologiques de fabrication :

0 7
Quel que soit le régime, il existera toujours une
2 0 capacité de
-
recouvrement grille/source et une capacité de recouvrement
grille/drain :
9 Grille / source : C = C . W . a
c avec f r
9 Grille / drain : C = C i. n
h
gs0L
W . L go
gne.
ox C =ε / t D ox ox ox
e G gd0
o u r ox D
i q u @
u-b
i n n h ac
o m ue . g i
) D i n i q
(C o m
d
Capacités d’oxyde en régime bloqué
Régime bloqué : pas de canal conducteur entre S et D

La capacité se retrouve intégralement entre grille 0
7
2 0 et substrat
9C = 0 + C
gs = C .W.L
= C .W.L c
gs0
-
ox D
9C = 0 + C
gd gd0
h a ox
e. f r D
9C = C . W . L
i n o gn
G g
gb ox
u r
u e -b o
n i q c@
u
m i g i n h a
D o i que .
) i n
(C o m
d
Capacités d’oxyde en régime ohmique
Régime ohmique : Existence d’un canal conducteur

La capacité se répartit équitablement entre source0
7
2 0 et drain :
9 C ≈ ½ C .W . L + C
gs ox = ½ C .W
- . L + C .W.L
= ½cC .W ..fLr + C . W . L
gs0 ox ox D
9C ≈ ½C .W.L + C
gd ox
h a e
gd0 ox ox D
9C = 0
i n o gn
G g
gb
u r
u e - b o
n i q c@
u
m i g i n h a
D o i que .
) i n
(C o m
d
Capacités d’oxyde en zone saturée
Régime ohmique : Existence d’un pincement du canal

La capacité se retrouve majoritairement du côté de0la source :
7
0
= 2/3 C 2
9 C ≈ 2/3 C . W . L + C
gs
= C .W.L c
ox
- .W . L + C . W . L
gs0 ox ox D
9C =gd 0 + C gd0
h a ox
e . f r D
9C = 0
i n o gn
G g
gb
u r
u e -b o
n i q c@
u
m i g i n h a
D o i que .
) i n
(C o m
d
Capacités d’oxyde : Bilan
Capacité Bloqué Ohmique

0 7 Saturé
Cgb (total) Cox.W.L 0

2 0 0
Cgd (total) Cox.W.LD ½ Cox.W.L.+ Cox.W.LD

c - Cox.W.LD
a
h gne . f r
Cgs (total) Cox.W.LD
i n
½ Cox.W.L.+ Cox.W.LD
o
2/3 Cox.W.L.+ Cox.W.LD
e G o ur
g
i q u @
u-
b
i nn ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d
Capacités parasites de jonctions
Capacités de jonctions : Csb et Cdb

0 7
Elles s’établissent au niveau des jonctions entre
2 0 les zones de
-
diffusions et le substrat
a c f r !!!!!
h
Leurs valeurs sont relativement complexes à calculer
.
e
i n o gn
e G o u rg
i q u @
u-b
i n n h ac
o m ue . g i
) D i n i q
(C Capacitéd Co m
sb Capacité C db
Capacités de jonctions : Csb et Cdb très compliquées à évaluer

0 7
2 0 les zones de
-
a c f r
h . Cdiff = Cbottom + Csw
e
i n o gn = Cj . AREA + Cjsw . PERIMETER
e G o u rg
= Cj . Ls .W + Cjsw . (2Ls + W)
i q u @
u-b
i n n h ac
o m ue . g i
) D i n i q Il ne reste plus
(C o m qu’à évaluer tous

d ces paramètres !!!

0 7
2 0 les zones de
-
a c f r
i n h Side wall
o gne.
G g
Source
r
W
u
e
ND
o
i q u Bottom
@
u-b
i n n h ac
m i
xj
g
Side wall
D o i que .
LS
Channel
C )
n
Substrate N A
i
(C C = C . L d.W + C . (2L + W)
diff=C +oCm = C . AREA + C . PERIMETER
bottom sw j jsw
diff j s jsw s

0 7
Valeurs non linéaires en fonction de VD
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
i q u @
u-
b
i nn ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d
Modélisation et Simulation SPICE
Pourquoi simuler ?
L'explosion du marché électronique a engendré0une complexité
7
2 0
-
croissante des circuits intégrés
a c
Dimensionner une dizaine de composants « manuellement
.f r » est
relativement aisé (quoique ...).
i h
n et agencero gne
Comment imaginer pouvoir dessiner
e
plusieurs millions de transistors G ? o u rg « à la main » un ou
i q u @
u-b
i n .g in h
Apparition des premiers c
simulateurs
a dans les années 70
La simulationm
D
Berkeley quio a pris son
i
a développéq
e essor sous l'impulsion de l’Université de
u un algorithme de simulation appelé SPICE
) i nsimulateur analogique de CI
(C : Simulation
qui fut le premier
o m
SPICE
d Program with Integrated Circuits Emphasis
SPICE : Un simulateur à plusieurs niveaux

0 7
SPICE utilise des modèles paramétrés (ou levels)
2 0 fournis par les
-
fondeurs pour représenter le comportement des composants.
a c f rou moins précis et

Il existe différents niveaux de description
performants :
i n h o gn
.
plus
e
e G
9 Level 1 - Shichman-Hodges model (MOS1)
o u rg Model L min
(μm)
Tox
min(nm)
q u u-b
9 Level 2 - Geometry based - analytic model (MOS2)
i @
Spice 1 5 50
i n c
9 Level 3 - Semi-empirical, short channel model (MOS3)
h a
n
m
Spice 2 2 25
9 Level 4 - BSIM model
g i
o . Spice 3 1 20
ue
D
9 Level 5 - EKV model (version 2.6)
i q Bsim 1 0,8 15
) i n
9 Level 6 - BSIM3 model (version 2) Bsim 2 0,35 7,5
(C o m Bsim3v2 0,25 5
d
9 Level 7 - BSIM3 model (version 3.1)
Bsim3v3 0,15 4
Level 1 : Shichman-Hodges model (MOS1) = premier modèle

Ce modèle utilise les équations des transistors dits0
7
2 0 « à canal long »
-
présentées précédemment.
a c f r ( λ )
W ⎛ VDS ⎞
h
Région ohmique : Ι DS = KP
. −
⎜ gs t
V V − ⎟VDS 1 + VDS
e
n
L − 2 X jl
n ⎝ 2 ⎠
Saturation :
G i u(r
o g
g ) ( W
)
2
e
ΙDS = KP Vgs − Vt VDS 1 + λVDS
o
u b L − 2X jl
-
n i q c@
u
m i
Les principaux paramètres
g i n h a
D o
sont KP (k’), VT0 (Vto),e.
i qu et
)
GAMMA (γ), PHI (2φF)
n
i
( C
LAMBDA (λ) m
d o
Level 1 : Shichman-Hodges model (MOS1)

0 7
Ce modèle n’est pas du tout adapté à des simulations
2 0 très précises
c -
W=10µm, L=10µm, technologie 0.12µm
h a e. f r
i n o gn
e G o u rg
i q u @
u-b
i n n h ac
o m ue . g i
) D i i q
n mesure et la simulation
(C non acceptable
Désaccord entre
o m la
Modèle
d pour des technologies récentes (< 0.12µm)
Level 2 : Geometry based - analytic model (MOS2)

Ce modèle plus lent mais plus précis est dérivé0du précédent à
7
2 0
-
partir d’un modèle physique plus précis (40 paramètres environ) en
tenant compte de :
a c f r
9 La saturation de vitesse limitant
9 La variation de la tension ide
h VDsat
n seuil Vth o gne.
e G o u rg
i q u @
u-b
i n n h ac
o m ue . g i
) D i n i q
(C o m
d
Level 3 : Semi-empirical, short channel model (MOS3)

Ce modèle est un modèle semi empirique dont les0
7
ajustés afin de « coller » aux caractéristiques2
0 paramètres sont
-
mesurées :
9 40 % plus rapide que le niveau 2
a c f r
9 Paramètres identiques au niveau 2
i n h o gne .
G
Modèle pas encore adapté aux technologies
e o u rg modernes
i q u @
u-b
i n n h ac
o m ue . g i
) D i n i q
(C o m
d
Comparaison Level1 et Level3

0 7
Prise en compte de la saturation Vd sat.
2 0
Influence sur les transistors à canal court.
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
i q u @
b
u- Vd sat
i nn ha
c
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m MOS Level 3
d MOS Level 1
Level > 3 : Berkeley Short channel Igfet Model (BSIM)

0 7
Modèles développés à l’Université de Berkeley
2 0 adaptés aux
-
technologies modernes
a
La version actuelle BSIM4 contient 300 paramètres
c r et décrit 3
.f entre chacune.
zones de fonctionnement avec une bonne
i h
n rgo g ne
continuité
e G o u Impact
u b
Linéaire Saturé
- ionization
n i q c@
u
i a
(Channel Length
n h
m i
Modulation)
g
D o i que .
) i n
(C o m
d
Quel modèle choisir ?

0 7
2
Plus le modèle est complexe, plus les effets parasites
0 liés à la
-
réduction des tailles sont pris en compte.
a c
BSIM4 est adapté aux circuits analogiquesr et digitaux en
.f précision.
i h
technologie submicronique qui nécessitent une e
ndes paramètres.
o gn
grande
La tendance est à l’augmentation
e G o u rg
i q u @
u-b
i n .g in h ac Sous Mentor et AMS 0.35 µm
o m ue 9 Modèle BSIM3V3 (level=53)
) D i n i q 9 Fichier de description du
(C o m modèle de 1500 lignes environ

d
0 7
2 0
c -
h a e. f r
i n
A suivre…
o gn
e G o u rg
i q u @
u-b
i n n
c
h a
o m ue. g i
) D i n i q
(C o m
d

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Micro

n .ginh au transistor MOS

2- Physique des semi conducteurs - 2

Nuage électronique des atomes caractérisé par 4

m i g i n Deux électrons dans un même système ne peuvent

o m que . g i ⇒ n=2 8 électrons max

Sous couches électroniques :

i n n h ac Sous couche p : 6 électrons

) D i n i q Couche M : n=3; l=0,1,2; ml=0,+-1,+-2

(C o m Sous couche p : 6 électrons

Cas du Silicium : N = 14 électrons

) D i n i q Couche M : n=3; l=0,1,2; ml=0,+-1,+-2

Répartitions des électrons en 2 classes principales :

o m que . g i Électrons de valence

(C o m - les réactions chimiques,

Diagramme d’énergie d’un atome de silicium

Diagramme d’énergie de N atomes de silicium

Diagramme d’énergie de N atomes de silicium

Cas des matériaux conducteurs (métaux) :

Cas des matériaux isolants :

Cas des matériaux semi-conducteurs :

Cas d’un cristal de Silicium intrinsèque pur (99,99999%) :

D o i que . Agitation thermique

Cas d’un cristal de Silicium intrinsèque pur (99,99999%) :

Dopage de type N par ajout d’atomes pentavalents :

) i n ⇒ Les dopants sont dits « donneurs

Dopage de type P par ajout d’atomes trivalents :

) i n ⇒ Les dopants sont dits « accepteurs

Création d’une Jonction PN :

i q u b (+) qui transitent du côté P

(C PN d: c’est la Zone de Charge d’Espace

Fonctionnement électrique de la Jonction PN :

Fonctionnement électrique de la Jonction PN :

Fonctionnement électrique de la Jonction PN :

Fonctionnement électrique de la Jonction PN :

Fonctionnement électrique de la Jonction PN :

Transistor : élément clé de l’électronique

Transistor PNP Transistor NPN

2 0 Ic dépend peu de Vce

9 Substrat : relié à l’alimentation (Vdd ou Gnd) e.

Principales différences avec le transistor bipolaire :

Conditions normales de fonctionnement : Vgs < 0 et Vds > 0

Cas n°0 : Vgs = 0 et Vds = 0

Cas n°1 : Vgs = 0 et Vds > 0

e G o u rg gradient entre la source

u b et le drain (Ex : Vds = 2V)

Cas n°1 : Vgs = 0 et Vds > 0

Cas n°1 : Vgs = 0 et Vds > 0

Cas n°2 : Vgs = 0 et Vds = Vp

m i g i n h a Drain la géométrie du transistor

Pincement du canal au niveau du drain

Cas n°2 : Vgs = 0 et Vds = Vp

Cas n°3 : Vgs = 0 et Vds > Vp

Cas n°3 : Vgs = 0 et Vds > Vp

Cas n°4 : Vgs < 0 et Vds >= 0

Cas n°4 : Vgs < 0 et Vds >= 0

Cas n°4 : Vgs < 0 et Vds > 0

h gne . Mode actif

m i g i n h~a Source de courant

Principales caractéristiques de la structure MOS

Principales caractéristiques d’un transistor NMOS

Principales caractéristiques d’un transistor PMOS

Conditions normales de fonctionnement : Vgs > 0 et Vds > 0