Universidade Federal do ABC

Centro de Engenharia, Modelagem e Ciências

Sociais Aplicadas (CECS)
Disciplina:
ESZM028-17
Materiais para Tecnologia da Informação
Turma A – NOTURNO
3Q.2019
Horário Aulas: Terça-feira das 21:00 às 23:00
Quinta-feira das 19:00 às 21:00
Sala S-307-1 – bloco A – torre 1
Horário Atendimento: Terça-feira das 17:00 às 19:00
Sala 719-1 – bloco A – torre 1
Site: https://sites.google.com/site/mti20193ufabc/
Cristais fotônicos: Uma introdução
Docente: Daniel Scodeler
e-mail: daniel.scodeler@ufabc.edu.br
 Cristais Fotônicos
•Dificuldade na integração óptica

Meios e mecanismos de interconexão óptica de dispositivos

fibra óptica (problemas: dimensão espacial e perdas em regiões de elevada curvatura)

Solução: CRISTAIS FOTÔNICOSpodem guiar a luz através de estruturas de elevada curvatura sem apresentar perdas

• Alta densidade de integração óptica

•Controle de emissão, absorção e propagação da luz
•Inibem a emissão espontânea, evitando perdas no desempenho
dos dispositivos
• CRISTAIS FOTÔNICOS >>>> Dispositivos ópticos integrados
>>>> Computadores Ópticos
 Cristais Fotônicos
• Estruturas de Bandas
• Dependência Espectral de transmitância e refletância
• Naturais (existentes na natureza)
• Artificiais (Yablanovitch – banda proibida na região de
microondas)

Figura 1. Estruturas de cristais fotônicos 1-D, 2-D e 3-D

 Sistemas auto-organizados:
• Precursores: Forças de Van der Walls, forças de Coulomb,
ligações de hidrogênio, componentes hidrofílica e hidrofóbica,
forças capilares, componentes hidrodinâmicas.
• Formação de nanomateriais para aplicação em
nanotecnologia
• Aplicados em Engenharia de Materias, Engenharia Eletrônica
(Microeletrônica e Nanoeletrônica), Bioengenharia, etc.
• Processo sol-gel, compósitos mesoestruturados (materiais
inorgânicos, poliméricos e cerâmicos), blocos copoliméricos,
zeólitas
• Compostos nanométricos obtidos: Aplicações em lentes de
contato, guias de onda, dispositivos de memória, filtros
químicos, biosensores e preenchimento dental).
 Motivações:
• Possibilidade do controle das propriedades ópticas dos
materiais
•Alto potencial de densidade de integração óptica
• Sistemas auto-organizados: menor custo, maior facilidade de
implementação e bons resultados reportados pela literatura.
 Procedimentos Experimentais
Obtenção de estruturas auto-organizadas de
esferas de poliestireno:

Béquer

Esferas de poliestiremo
depositadas

Monodispersão de esferas de (d=660±3%nm)

Poliestireno de diâmetro de
660 nm

Substrato
(vidro ou silício oxidado)

Figura 2 . Esquema da deposição de esferas de poliestireno realizada com a

utilização da configuração vertical. As esferas pintadas de azul são para
mostrar a forma hexagonal da rede formada na deposição.
 Obtenção de estruturas auto-organizadas de
óxido de alumínio poroso (alumina porosa)
• Substratos de alumínio de 99,99% de pureza.
•Eletrólitos da anodização (T=0oC), T= 10oC, T=20oC
Ácido oxálico (0.3M) – 20V, 40V e 60V
Ácido sulfúrico (0.5M) – 10V, 30V e 50V
Ácido fosfórico (1.0M) – 80V, 100V e 140V
Eletrodo de 0.8 cm2 de área
agitador

Pt

béquer

Al

Fonte Keithley teflon eletrólito

água
Banho criostático

(a) (b) (c)

Figura 3. (a) Representação do arranjo experimental. (b) Foto do arranjo experimental completo.
(c) Foto da célula eletroquímica num recipiente para isolamento térmico (sistema de cortiça).
 Fabricação de máscaras metálicas a partir de
monocamadas de esferas de poliestireno

(a) (b)

(c) (d)

Figura 4. Esquema do processo de obtenção das máscaras metálicas (Au). Está representado:
o substrato de silício (em cinza), o SiO2 (em verde), as esferas de poliestireno (em azul) e o
Au (em amarelo). (a) indica a etapa de oxidação, (b) a etapa de deposição das esferas, (c) a
etapa de deposição de metal e (d) a remoção das esferas.
 Fabricação de estruturas organizadas de silício
amorfo a partir de estruturas tridimensionais
(multicamadas) de esferas de poliestireno

(a) (b) (c) (d)

Figura 5. Esquema do processo de obtenção das estruturas de Si-amorfo. Está representado: o

substrato de silício (em cinza), o SiO2 (em verde), as esferas de poliestireno (em azul) e o Si-
amorfo (em preto). (a) indica a etapa de oxidação, (b) a etapa de deposição das esferas, (c) a etapa
de deposição do Si-amorfo e (d) a remoção das esferas.
 Caracterização das estruturas auto-
organizadas
• Caracterização Óptica
•Espectrofotometria
• Caracterzação Morfológica
•Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV)
•Micrsocopia de Força Atômica (MFA)
 Resultados
Estruturas auto-organizadas de esferas de
poliestireno

(a) (b)
Figura 6. Imagens SEM de estruturas de esferas de poliestireno obtidas sobre substratos de
silício oxidados, a 65oC e utilizando-se uma monodispersão de concentração 1.72wt%. As
estruturas foram obtidas nas configurações (a) horizontal e (b) vertical
 Estruturas auto-organizadas de esferas de poliestireno

Figura 7. Imagem SEM de uma estrutura de esferas de poliestireno obtidas sobre um substrato de
vidro a 50oC, utilizando-se uma monodispersão de concentração 1.72wt%.
Estruturas auto-organizadas de esferas de poliestireno
obtidas sobre substratos de vidro - 1
A= 100
m2
(2) camadas

(a) (b)

Figura 8. Imagens SEM das estruturas de esferas

de poliestireno obtidas sobre substratos de vidro, a
35oC e utilizando-se monodispersões de
concentrações (a) 1.72wt%, (b) 0.86wt% e (c)
0.43wt%.

(c)
Estruturas auto-organizadas de esferas de poliestireno
obtidas sobre substratos de vidro - 2
A= 400
m2
(3) camadas

(a) (b)

Figura 9. Imagens SEM das estruturas de esferas

de poliestireno obtidas sobre substratos de vidro, a
50oC e utilizando-se monodispersões de
concentrações (a) 1.72wt%, (b) 0.86wt% e (c)
0.43wt%.

(c)
Estruturas auto-organizadas de esferas de poliestireno
obtidas sobre substratos de vidro - 3
A= 200
m2
(3) camadas

(a) (b)

Figura 10. Imagens SEM das estruturas de esferas

de poliestireno obtidas sobre substratos de vidro, a
65oC e utilizando-se monodispersões de
concentrações (a) 1.72wt%, (b) 0.86wt% e (c)
0.43wt%.
(c)
Estruturas auto-organizadas de esferas de poliestireno
obtidas sobre substratos de silício termicamente
oxidados - 1
A= 100
m2
(3) camadas

(a) (b)

Figura 11. Imagens SEM das estruturas de esferas

de poliestireno obtidas sobre substratos de silício
oxidados , a 35oC e utilizando-se monodispersões
de concentrações (a) 1.72wt%, (b) 0.86wt% e (c)
0.43wt%.
(c)
Estruturas auto-organizadas de esferas de poliestireno
obtidas sobre substratos de silício termicamente
oxidados - 2
A= 150
m2
(3) camadas

(a) (b)

Figura 12. Imagens SEM das estruturas de esferas de

poliestireno obtidas sobre substratos de silício
oxidados, a 50oC e utilizando-se monodispersões de
concentrações (a) 1.72wt%, (b) 0.86wt% e (c)
0.43wt%.
(c)
 Estruturas auto-organizadas de esferas de poliestireno
obtidas sobre substratos de silício termicamente
oxidados - 3
A= 200
m2
(3) camadas

(a) (b)

Figura 13. Imagens SEM das estruturas de esferas de poliestireno obtidas sobre substratos de
silício oxidados, a 65oC e utilizando-se monodispersões de concentrações (a) 1.72wt% e (b)
0.43wt%.
 Estruturas auto-organizadas de esferas de poliestireno
obtidas sobre substratos de vidro através do controle da
umidade relativa (RH) do ambiente

(a) A= 600
(b) A= 800 (c) A= 300
m2 m2 m2

Figura 14. Imagens SEM das estruturas

de esferas de poliestireno obtidas sobre
substratos de vidro, a 50oC, utilizando-
se monodispersões de concentração
2.13wt%, com umidades relativas de (a)
50%, (b) 60%, (c) 70%, (d) 80% e (e)
90%.
A= 600 A= 1200
(d) m2 (e) m2
Estruturas auto-organizadas de esferas de poliestireno
obtidas sobre substratos de silício oxidados através do
controle da umidade relativa (RH) do ambiente

(a) A= 800
(b) A= 800 (c) A= 1200
m2 m2
m2

Figura 15. Imagens SEM das estruturas

de esferas de poliestireno obtidas sobre
substratos de silício oxidados, a 50 oC,
utilizando-se monodispersões de
concentração 2.13wt%, com umidades
relativas de (a) 50%, (b) 60%, (c) 70%,
(d) 80% e (e) 90%.
A= 400 A= 800
(d) m2 (e) m2
Caracterização óptica das estruturas auto-organizadas
de poliestireno - 1
80 80

70 70

60 60
Transmitância (%)

Transmitância (%)
50
50
40
40
30 Vidro-ref
v1 30
vidro-ref
20 v2
20 v4
v3
10 v5
10 v6
0
400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 0
Comprimento de Onda (nm) 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
Comprimento de Onda (nm)

80
Figura 16. Espectros de transmitância em função do
70 comprimento de onda das estruturas auto-organizadas
60
de poliestireno obtidas sobre substrato de vidro a 65oC
Transmitância (%)

50

40 com dispersões de concentrações 1,72wt% (v1),

30 vidro-ref
v7
0,86wt% (v2) e 0,43wt% (v3), a 50oC com dispersões
20

10
v8
v9 de concentrações 1,72%wt (v4), 0,86%wt (v5) e
0
400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
0,43%wt (v6) e a 35oC com dispersões de
Comprimento de Onda (nm)
concentrações 1,72wt% (v7), 0,86wt% (v8) e 0,43wt%
(v9).
 Resultados de Simulações realizadas no software
Translight

1,0

0,8

TE Mode
Transmitance

One layer
0,6
Two Layers
Three Layers
Four Layers
0,4

0,2

0,3 0,4 0,5 0,6 0,7

f(Hz)xa/c

Espectro de transmitância em função de f.c/a, de estruturas de poliestireno com 1, 2, 3 e 4

camadas. (Simulação realizada no Translight)
 Caracterização óptica das estruturas auto-organizadas
de poliestireno - 2
100

80
Transmitância (%)

60

40 Vidro - ref
V50
V60
V70
20
V80
V90

0
400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
Comprimento de Onda (nm)

Figura 17. Espectros de transmitância em função do comprimento de onda das estruturas auto-
organizadas de poliestireno obtidas sobre substrato de vidro a 50oC, com dispersões de
concentração 2,13wt%, e com umidades relativas do ambiente de 50% (V50), 60% (V60), 70%
(V70), 80% (V80) e 90% (V90).
Estruturas de óxido de alumínio poroso (Al2O3-p )
com poros auto-organizados - 1

(a) (b)

Figura 18. Imagens SEM da estrutura final de óxido de alumínio poroso formado (a) sem
eletropolimento prévio e (b) com eletropolimento prévio.
Estruturas de óxido de alumínio poroso (Al2O3-p )
com poros auto-organizados - 2

D= 111 nm D= 143 nm

(a) (b)

Figura 19. Imagens AFM da topologia das

estruturas auto-organizadas de alumina porosa
obtidas a 0oC utilizando (a) o eletrólito de ácido
sulfúrico (0.5M) a 30V, (b) o eletrólito de ácido
oxálico (0.3M) a 60V e (c) o eletrólito de ácido
fosfórico (1.0M) a 80V.
D= 190 nm

(c)
Estruturas de óxido de alumínio poroso (Al2O3-p )
com poros auto-organizados – 3 (Ácido sulfúrico)

D= 136 nm
d= 95 nm

(a) (b)

Figura 20. Imagens SEM das estruturas finais de

óxido de alumínio poroso (Al2O3-p) fabricadas a
0oC, com polarização de 30V, em solução de ácido
sulfúrico (0.5M).

(c)
Estruturas de óxido de alumínio poroso (Al2O3-p )
com poros auto-organizados – 4 (Ácido oxálico)

D= 146 nm
d= 97 nm

(a) (b)

Figura 21. Imagens SEM das estruturas finais de

óxido de alumínio poroso (Al2O3-p) fabricadas a
0oC, com polarização de 60V, em solução de ácido
oxálico (0.3M).

(c)
Estruturas de óxido de alumínio poroso (Al2O3-p )
com poros auto-organizados – 5 (Ácido fosfórico)

D= 193 nm
d= 130 nm

(a) (b) (c)

Figura 22. Imagens SEM de uma estrutura de

Al2O3-p obtida a 0oC, aplicando-se uma tensão de
80V e utilizando-se um eletrólito de ácido
fosfórico de concentração 1M. As imagens (b) e
(c) representam vista de topo (0o) e as demais
(d) (e) representam vista em ângulo (60o). A imagem (c)
apresenta as costas do filme e as demais
apresentam a superfície (frente) do filme.
 Estruturas organizadas de Si amorfo - 1

(a) (b)

Figura 23. Imagens SEM da estrutura de Si-amorfo obtida utilizando-se as esferas de

poliestireno como molde. (a) mostra a estrutura tridimensional de Si-amorfo sem a remoção das
esferas e (b) mostra a estrutura tridimensional de Si-amorfo com remoção total das esferas.
 Estruturas organizadas de Si amorfo - 2

(a) (b)

(c) (d)
Figura 24. Imagens SEM das estruturas bidimensionais de Si-amorfo obtidas sobre substratos de
silício oxidados. A estrutura é apresenta em diversos aumentos e vistas em diversos ângulos.
 Estruturas organizadas de Au (máscaras metálicas)

(a) (b)

Figura 25. Imagens SEM de uma máscara de Au obtida sobre substrato de silício oxidado
utilizando-se as esferas de poliestireno de 660nm de diâmetro.
 Conclusões - 1
• Sistemas auto-organizados: baixo custo, fácil implementação
(para substituirem os processos convencionais na
Microeletrônica).
• Esferas de poliestireno apresentam fatores determinantes na
boa qualidade do filme: concentração da monodispersão, pre-
condição da superfície, temperatura, tipo de deposição e
umidade relativa do ambiente.
• Boa qualidade cristalina para ambos substratos (vidro e silício
termicamente oxidado).
• Vantagem do silício: dipositivos ópticos e eletrônicos na
tecnologia do silício.
• Utilização das esferas de poliestireno como cristal fotônico
 Conclusões - 2
• Apresenta banda estreita (130nm) devido ao pequeno
contraste entre os índices de refração dos poliestireno
(n=1.54) e ar (n=1.00).
• Moldes para estruturas tridimensionais de Si-amorfo e
estruturas bidimensionais de Au (máscaras metálicas).
• A partir dos resultados da alumina porosa verificou-se que:
a) Propagação de poros de forma cilíndrica (intensificação do
campo elétrico na máxima curvatura).
b) 2 ou 3 subcamadas de óxido: (2 ou 1) com impurezas e 1
livre de impurezas.
c) Utilizar a temperatura de 0oC.
 Conclusões - 3
• Máscaras em corrosões eletroquímicas.
• Sensores de gases e sensores eletroquímicos.
• Deposição de materias semicondutores, cerâmicos e
poliméricos para a aplicação na tecnologia de moldes.
• Biosensores (incorporaçao de agentes biológicos nos poros):
cultura de células e fabricação de chips de DNA.
• Substituição da fibra óptica por cristais fotônicos,
inicialmente para sistemas de curtas distâncias.