Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
Laboratório 2 – Transistores
Fundamentos de Eletrônica
Santo André, SP
Outrubro – 2010
Introdução
1.1 Transistor
Com o passar dos anos, a indústria dos dispositivos semicondutores foi
crescendo e desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base
de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por
Shockley, apresentou um dispositivo formado por três camadas de material
semicondutor com tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junções. O
dispositivo recebeu o nome de TRANSÍSTOR.[1]
O impacto do transistor, na eletrônica, foi grande, já que a sua capacidade de
amplificar sinais elétricos permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito menor e
consumindo muito menos energia, substituísse as válvulas na maioria das aplicações
eletrônica. O transistor contribuiu para todas as invenções relacionadas, como os
circuitos integrados, componentes opto-eletrônicos e microprocessadores. Praticamente
todos os equipamentos eletrônicos projetados hoje em dia usam componentes
semicondutores. [1]
As vantagens sobre as difundidas válvulas eram bastante significativas, tais como:
• Menor tamanho
• Muito mais leve
• Não precisava de filamento
• Mais resistente
• Mais eficiente, pois dissipa menos potência
• Não necessita de tempo de aquecimento
• Menores tensões de alimentação.
Hoje em dia as válvulas ainda sobrevivem em alguns nichos de aplicações e devido
ao romantismo de alguns usuários. [1]
Figura 3:. Alguns dos encapsulamentos mais comuns usados para transistores.
Onde:
r é a resistividade do material,
L é comprimento do condutor e
A é a área de secção transversal
O tipo de transistor também pode ser determinado se, simplesmente, for
observada a polaridade dos transistores ao realizar uma medida na junção base emissor.
Se o terminal (+) ligado à base, e o terminal negativo (-) ao emissor, a leitura de uma
baixa resistência indica um transistor do tipo npn. A leitura de uma resistência alta
indica um transistor pnp. Embora um ohmímetro possa ser utilizado para a
determinação dos terminais de um transistor (base, coletor, e emissor), assume-se que
esta determinação possa ser feita simplesmente observando-se a orientação dos
terminais no encapsulamento (ver Figura 3). [2]
Figura 5: Exemplo de como pode determinar o tipo de transistor que esta a usar.
Configuração CC
• Ganho de tensão menor que 1
• Ganho de corrente elevado;
• Ganho de potência intermediário
• Impedância de entrada alta
• Impedância de saída baixa
• Não ocorre a inversão de fase.
Configuração EC
• Ganho de tensão elevado
• Ganho de corrente elevado
• Ganho de potência elevado
• Impedância de entrada baixa
• Impedância de saída alta
• Ocorre a inversão de fase.
Esta configuração é a mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os
diversos parâmetros dos transistores fornecidos pelos manuais técnicos têm como
referência a configuração emissor comum.
Podemos trabalhar com a chamada curva característica de entrada. Nesta curva, para
cada valor constante de VCE, variando-se a tensão de entrada VBE, obtém-se uma
corrente de entrada IB, resultando num gráfico com o seguinte aspecto.
Circuito TTL
2. Objetivos
3. Metodologia
Materiais e equipamentos
(b) Utilizou-se as duas saídas da fonte DC, uma configurada como V1 e outra
como V2. Foi utilizado como transistor em Q1 o BC337.
4. Resultados e discussão
O teste descrito na seção 3.1. foi realizado, e os valores obtidos pelo multímetro
são apresentados na Tabela 1, onde é usada a abreviação OL para overload (excesso de
escala).
Polarização EB BC EC EB BC EC EB BC EC EB BC EC
Reversa OL OL OL OL OL OL OL OL OL OL OL OL
TABELA 3 – Resultados das medições e cálculos do parâmetro β descritos na seção 3.2. (terminais
emissor e coletor invertidos)
t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7
VR3 [V] 0,979 0,995 1,023 1,046 1,066 1,089 1,095 1,106
No circuito emissor comum montado foram obtidos os seguintes dados das tabelas 5 e
6.
V1 [V]
0,5 1 2 4
0,5 0,005 0,005 0,046 0,016
1 0,410 0,095 0,068 0,044
1,5 0,939 0,157 0,091 0,060
2 1,380 0,504 0,166 0,078
V2 [V] 2,5 1,871 0,921 0,133 0,085
3 2,458 1,963 0,159 0,099
3,5 2,825 2,566 0,204 0,107
4 3,297 2,931 0,478 0,121
4,5 3,795 3,368 0,841 0,131
5 4,228 3,818 1,272 0,141
Tabela 6 – Medições no circuito emissor comum para o transistor TIP 31
V1 [V]
0,5 1 2 4
0,5 0,234 0,094 0,045 0,035
1 0,704 0,198 0,078 0,048
1,5 1,168 0,549 0,108 0,066
2 1,555 1,154 0,124 0,078
V2 [V] 2,5 2,188 1,506 0,143 0,090
3 2,618 2,187 0,175 0,100
3,5 3,266 2,694 0,208 0,108
4 3,586 3,176 0,344 0,118
4,5 4,327 3,590 0,748 0,127
5 4,771 4,113 1,386 0,137
Figura 18 – (a) sentido da corrente no transistor NPN (c) sentido da corrente no transistor PNP
Tabela 7 – Relação Corrente de base, corrente do coletor e tensão Emissor-Coletor para o BC337
[µA]
50 100 200 401
5,02 0,005 V 0,005 V 0,046 V 0,016 V
10,03 0,410 V 0,095 V 0,068 V 0,044 V
15,05 0,939 V 0,157 V 0,091 V 0,060 V
20,06 1,380 V 0,504 V 0,166 V 0,078 V
[mA] 25,08 1,871 V 0,921 V 0,133 V 0,085 V
30,09 2,458 V 1,963 V 0,159 V 0,099 V
35,11 2,825 V 2,566 V 0,204 V 0,107 V
40,12 3,297 V 2,931 V 0,478 V 0,121 V
45,14 3,795 V 3,368 V 0,841 V 0,131 V
50,15 4,228 V 3,818 V 1,272 V 0,141 V
Tabela 8 – Relação corrente de base, corrente do coletor e tensão Emissor-coletor para o TIP31
[µA]
50 100 200 401
5,02 0,234 V 0,094 V 0,045 V 0,035 V
10,03 0,704 V 0,198 V 0,078 V 0,048 V
15,05 1,168 V 0,549 V 0,108 V 0,066 V
20,06 1,555 V 1,154 V 0,124 V 0,078 V
[mA] 25,08 2,188 V 1,506 V 0,143 V 0,090 V
30,09 2,618 V 2,187 V 0,175 V 0,100 V
35,11 3,266 V 2,694 V 0,208 V 0,108 V
40,12 3,586 V 3,176 V 0,344 V 0,118 V
45,14 4,327 V 3,590 V 0,748 V 0,127 V
50,15 4,771 V 4,113 V 1,386 V 0,137 V
Utilizando a figura 22 abaixo será detalhado alguns pontos de uma análise básica
do circuito PDT (polarização por divisor de tensão).
TIP31 BC337
3,413 V 3,376 V
1,915 V 1,864 V
0,904 V 0,878 V
1,515 V 1,538 V
Tensão com
transistor 3,336 V 2,080 V 0,986 V 1,560 V
aquecido
0 0 1
0 1 1
1 0 X
1 1 0
Quando ambas as portas de entrada (Q2 e Q3) estão ligadas ao terra torna-se um
emissor comum entre os três transistores, os emissores de Q2 e Q3 conduzem a corrente
ao terra, não polarizando a base de Q1, assim a corrente no coletor de Q1 não passa para
o emissor, segurando a tensão de 5 V da alimentação.
Se pelo menos uma das portas estiverem polarizadas, sendo que a outra está com
o terra, então na porta polarizada a fluxo de corrente do emissor para o coletor, porém
como as portas estão em paralelo, o fluxo de corrente é barrado pelo coletor da porta
com entrada (emissor) aterrado que transmite a corrente para o terra, mantendo a base
de Q1 não polarizada, segurando a tensão no coletor.
A porta NAND pode ser substituída pelo equivalente exibido na figura I, devido
ao teorema de DeMorgan da álgebra de boole. [6]
5. Conclusões
As curvas dos transistores estiveram dentro do esperado, mas a região ativa não
ficou bem definida, não sendo possível perceber a inclinação por causa dos baixos
valores de tensão no coletor e também não foi possível observar a região de ruptura,
pois não se utilizou tensões muito altas para preservar a integridade do circuito. Foi
possível perceber que o TIP31 se mostrou mais linear comprado ao BC337.
Neste circuito TTL foi possível perceber o funcionamento de uma porta lógica,
com o circuito foi possível obter a tabela verdade para o circuito, utilizando as variações
de nível lógico alto e baixo, com a tabela encontrada o foi feita uma comparação para
identificar qual porta lógica teria este mesmo funcionamento, e a porta que foi
identificada foi a NAND, mostrando assim um funcionamento correto do circuito,
apresentando resultados coerentes com a teoria.
6. Referências bibliográficas
[6] TOCCI, R. J.; WIDMER, N. S.; MOSS, G. L.; Sistemas Digitais: princípios e
aplicações 10ª Ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007.