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Fuente de alimentación regulada.

12 de noviembre de 2019
UNIVERSIDAD DE FUERZAS ARMADAS - ESPE
DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA FUNDAMENTAL NCR 4943
TRABAJO PREPARATORIO

Águila Joseph, Chica Mateo


e-mail: jaguila@espe.edu.ec, chicam@espe.edu.ec

AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

1.1. Como identificar los terminales del transistor BJT con un multímetro.

Para empezar la identificación de nuestro transistor BJT debemos


proceder a colocar nuestro multímetro para medir diodos. Se
coloca la punta positiva en una terminal, mientras la otra punta
sirve para testear con las otras terminales. La terminal que tenga
continuidad con las otras dos, pero no a la inversa, será la base
del transistor. A su vez, el color de terminal que esté conectado a
la base indicara que tipo de transistor es. Por ejemplo, si la punta
roja está en la Base, será un Transistor
NPN, pero si es la negra, será un PNP. Una vez identificada la
Fig. 1 Transistor NPN y su simbología base, se tiene que encontrar cual es el emisor y cual el colector.

Esto es muy simple. Si la punta positiva es conectada a la base y la negativa al colector para el mismo tipo
de transistor tendremos la lectura de una baja resistencia. Mientras que, si la punta negativa es conectada
al emisor, la lectura será una resistencia alta.
1.2. Recta de carga estática de un transistor BJT

Esta es la recta que refleja todos los posibles puntos de


funcionamiento que pueden darse para unos valores
determinados de Rc y tensión de alimentación. Esta recta
se debe de hacer sobre las curvas características de un
transistor, tomando como una intensidad de colector y
como otro punto, una tensión de alimentación.
En la representación gráfica se encuentra el punto de
trabajo Q del transistor, especificado a través de tres
parámetros: ICQ, IBQ y la VCEQ, los cuales
Fig. 2.Recta de carga Estática
representan la corriente máxima del colector, la
Corriente de base y la tensión colector-emisor. Este punto se encuentra localizado dentro de la recta de
carga estática.
Si Q se encuentra en el límite superior de la recta el transistor se hallará en la intensidad máxima de
colector, lo cual crea la situación de saturación. En el límite inferior de corte se está más cerca de la Vce
máxima, con la cual se crea una situación de Corte. Y en los puntos intermedios, el transistor se encuentra
en la región lineal.
1.3. Curva de disipación máxima de un transistor BJT

En la figura del punto anterior se representa la hipérbola de potencia máxima de un transistor. Es


preciso que el punto Q esté por debajo de esa curva ya que sino el transistor se dañaría por efecto Joule.
El cual enuncia que la energía cinética de los electrones se transforma en calor debido al choque que
sufren los electrones con las moléculas del conductor provocando que la temperatura en el elemento
aumente. Si el punto Q está en la curva de disipación el transistor puede sufrir sobrecalentamiento.
1.4. Regiones de operación de un Transistor BJT.

Están identificadas cuatro condiciones típicas de polarización


del transistor. Dependiendo del sentido o del signo de voltaje
en las terminales. La gráfica ilustra lo explicado.
Todas las regiones se consideran en relación con la
polarización del voltaje base-emisor y base colector.
Región activa directa
Es la región en la cual la polarización en BE es directa y en
BC está en inversa. En esta región el transistor amplifica la
señal de entrada.
Fig. 4 Regiones de trabajo del transistor
Región saturación

Implica que la polarización en BE y BC es directa. Y por ello el transistor funciona como interruptor
cerrado.
Región de corte
En esta región el transistor actúa como un interruptor abierto y la corriente de colector es cero. También
tienen las características de que el voltaje en base-emisor y base-colector están polarizadas en inversa.
Región activa inversa
Corresponde a la polarización contrario de la región activa directa. La aplicación de esta región es my
poco frecuente.
En la tabla a continuación se describe mejor las características en cada región
Zona BE Zona BC Comportamiento
Corte Inversa Inversa Interruptor abierto
Activa Directa Inversa Amplificador
Saturación Directa Directa Interruptor cerrado
Act. Inversa Inversa Directa

1.5. Principales características de un amplificador Emisor Común.

VCE VBE Corrientes


Corte VCE=Vin VBE<0.7 Ic = IB = IE = 0
Activa 0< VCE< Vin VBE=0.7 Ic = βIB ; Ic≈IE
Saturación VCE≈0 VBE>0.7 Ic≈IE ; IBmax

Relación de corrientes
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽 ⋅ 𝐼𝐵
𝐼𝐸 = (1 + 𝛽) ⋅ 𝐼𝐵

Ganancia
𝑉𝐶 de voltaje
𝑅𝐶
𝐺 = =−
𝑉
𝑉𝐸 𝑅𝐸
• A qué se debe el desfase entre la señal de voltaje de entrada y la señal del voltaje de salida
en la Configuración Emisor Común.

En la región activa de un amplificador de base común la unión de colector base se encuentra polarizada
inversamente, mientras que la unión base emisor se encuentra polarizada directamente lo cual;
En el Emisor Común se debe manipular las corrientes del transistor para lograr un aumento de tensión (o
de amplitud en la onda) con relación a la que entra por la base y se gana corriente a iguales condiciones.
Esa es la amplitud y su salida va en contrafase. La señal se invierte debido a las cargas.
El signo negativo de ganancia revela que ocurre un desfasamiento de 180° entre las señales de entrada y
salida. Es el resultado de que 𝛽𝐼𝑏 establezca una corriente a través de 𝑅𝑐 la cual producirá un voltaje a
través de 𝑅𝑐, lo opuesto por 𝑉0.[1]
1.6. Curva Características de entrada y Curva característica de salida de la configuración
Emisor común.

Curva característica de entrada en emisor común


Como se puede ver en la figura, no hay una única curva que relacione
IB con VBE, sino que hay una familia de curvas en función de VCE.
Si mantenemos VBE constante, un aumento de VCE implica un
aumento de la tensión VCB, o lo que eso mismo, estamos aplicando
una mayor polarización inversa a la unión de colector, lo que lleva
implícito una disminución de la anchura efectiva de la base. Es decir,
el parámetro α disminuye

Curva característica de entrada en emisor común


Si tenemos en cuenta la relación del factor de amplificación de
corriente en directa en emisor común.
Ic = βIB
Tenemos que IC no depende de la tensión VCE y depende
únicamente del valor de IB. Así, las curvas en la zona activa
deberían ser perfectamente horizontales. Esto sería cierto si α
fuera constante, pero como vimos en el caso anterior, el
parámetro α depende de la tensión VCE

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