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CURSO ELETRÓNICA

Eletronica Componentes Transístor, Tipos, Configuração

Componentes

Transístor Baterias

Bobina
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Transistor Bipolar Capacitores SMD
O transístor bipolar é o transístor mais
Circuitos
importante do ponto de vista histórico e o de
Integrados
utilização mais corrente. No entanto, convém
referir os transístores de efeito de campo (FET, Código Cores
“Field Effect Transistor”), nomeadamente, os Condensadores
transístores FET de junção unipolar, os
transístores MOSFET (“Metal Oxide Condensadores
Semiconductor Field Effect Transistor”), e os Capacitores
CMOS (“complementary MOSFET”), os quais
Detetor Fugas
são muito usados na electrónica integrada de
Condensadores
alta densidade.
Diac
O material semicondutor mais usado no
fabrico de transístores é o silício. Contudo, o Diodo
primeiro transístor foi fabricado em germânio.
O silício é preferível porque possibilita o Diodo Zener
funcionamento a temperaturas mais elevadas LED
(175 ºC, quando comparado com os ~75ºC dos
transístores de germânio) e também porque LDR
apresenta correntes de fuga menores. O
Referência
transístor bipolar é formado por duas junções
Componentes
p-n em série, podendo apresentar as
configurações p-n-p e n-p-n . Os transístores n- Relé
p-n são os mais comuns, basicamente porque a
mobilidade dos electrões é muito superior à das lacunas, isto é, os electrões movem-se mais Resistências
facilmente ao longo da estrutura cristalina o que traz vantagens significativas no processamento de (Código Cores)
sinais de alta frequência. E são mais adequados à produção em massa. No entanto, deve-se referir
Resistências SMD
que, em várias situações, é muito útil ter os dois tipos de transístores num circuito.
Retificadores
O transístor de junção bipolar é um dos componentes mais
importantes na Electrónica. É um dispositivo com três terminais. SMD
Num elemento com três terminais é possível usar a tensão entre
dois dos terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro Teste Díodos
terminal, i.e., obter uma fonte controlável. O transístor permite a Tipos Diodos
amplificação e comutação de sinais, tendo substituído as válvulas
termo-iónicas na maior parte das aplicações. Transformadores

Triac-Tiristor
A figura seguinte mostra, de forma esquemática, um transístor
bipolar p-n-p. Este transístor é formado por duas junções p-n que Válvulas
partilham a região do tipo n (muito fina e não representada à
escala). Neste aspecto, o dispositivo corresponde à sanduíche de 555
um material do tipo n, entre duas regiões do tipo p. Existe também
a estrutura complementar (npn).
Símbolos Transistores
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Dependendo da polarização de cada junções (directa ou inversa), o
transístor pode operar no modo ativo/linear, estar em corte ou em saturação. Verifique e simule a
polarização e funcionamento de um transístor bipolar. Um transístor bipolar (com polaridade NPN
ou PNP) é constituído por duas junções PN (junção base-emissor e junção base-colector) de material
semicondutor (silício ou germânio) e por três terminais designados por Emissor (E), Base (B) e
Colector (C).

Símbolos Transístores

Tensão e corrente em transistores bipolares NPN e PNP

Tensão e corrente transístor PNP Tensão e corrente NPN

VEC=VEB + VBC VCE=VBE + VCB

A corrente de emissor (IE) é igual à soma da corrente de base (IB) com corrente de coletor (IC).
IE= IB + IC

Zonas Funcionamento Transístores Bipolares

Em cada transístor bipolar existem NPN PNP
duas junções que irão apresentar Zona Condições Modelo Condições Modelo
zonas de funcionamento diferentes,
consoante as junções base-emissor e VBE < 0.7V IC = 0 VEB < 0.7V IC = 0 IE = 0
base-colector se encontram Corte
V < 0.7V IE = 0
BC VCB < 0.7V IB = 0
polarizadas directa ou inversamente.
IB = 0
Os transístores têm três zonas de VBE =0.7V VEB =0.7V
funcionamento distintas:
IC = β* IB I = β* IB
VBE =0.7V VEB = 0.7V C
Corte - Ambas as junções estão Ativa I = I +I I = I +I
VBC <0.7V E C B VCB < 0.7V E C B
polarizadas inversamente ou ou
IE = (β+1)*IB IE = (β+1)*IB

VBE =0.8V VEB =0.8V

VBE = 0.8V VEB = 0.8V
Saturação VCE =0.1V VEC =0.1V
VBC = 0.7V VCB = 0.7V
IE = IC+IB IE = IC+IB

Saturação - Ambas as junções estão polarizadas directamente

Ativa - Junção base-emissor polarizada directamente e junção base colector polarizada

inversamente

Transistor como Amplificador

Um transístor funciona como amplificador, quando a corrente de base oscila entre zero e um valor
máximo. Neste caso, a corrente de coletor é um múltiplo da corrente de base. Se aplicarmos na base
do transistor um sinal, vamos obter uma corrente mais elevada no coletor proporcional ao sinal
aplicado:

Ganho de um transístor
O ganho de um transístor, é uma característica do transístor, é o factor de multiplicação da corrente
de base (Ib)ou Beta ß ou hfe do transístor.
A formula matemática que permite fazer o cálculo é :
Ic = Ib x ß

* Ic: corrente de coletor

* Ib: corrente de base
* ß : beta (ganho)

Existem algumas especificações definidas pelo fabricante

 Ref ou Tipo: é o nome do transistor.
VCE0: tensão entre coletor e emissor com a base aberta.
VCER: tensão entre coletor e emissor com uma resistência no emissor.
Pol: polarização; N=NPN e P=PNP.
PTOT: Potência máxima que o transistor pode dissipar
Ft: Frequência máxima.
Encapsulamento: Cápsula do transístor que define cada um dos terminais.

Existem, valores máximos de funcionamento para IC, IB, VCE e VBE para além da potencia de
funcionamento P=IC . VCE e temperatura. Quando o transistor está dentro dos parâmetros de
funcionamento IC=hFEIB= ßIB tipicamente ß=100.

Determinar Tensões e Correntes TJB (Transístor Junção Bipolar)

Considerando o circuito da figura em que o transístor bipolar NPN é caracterizado por β=100
(ganho)

Determinar tensões e correntes do transístor.

Considerando que o transístor está na zona ativa, consideramos o circuito seguinte

Circulando pela malha da base:

-V 1 + RB * IB + VBE = 0
ou
IB = (V1 - VBE) / RB
IB = (10-0,7)/220
IB = 42,27µA
IC=β*IB ou IC=4,23mA
para as tensões temos:
VE=0 VB=0,7 VC=10-RC*IC ou VC=5,7 onde
VBE=0,7 e VBC=-6,4 < 0,7
Podemos concluir que o transístor se encontra na zona ativa.
Fórmulas e simulação de funcionamento de transístor

Configurações Transistor Bipolar

Emissor Base Coletor
Configuração
comum comum comum
Impedância
média baixa alta
entrada
Impedância saída média alta baixa
ligação típica transístor
Ganho de tensão médio alto baixo
Ganho de médio baixo alto
corrente
Ganho de
alto baixo médio
potência

Desvio de fase 180° 0° 0°

Coletor Comum Base Comum Emissor Comum

Impedância de entrada Impedância de entrada Impedância de entrada
alta; baixa; baixa;
Impedância de saída Impedância de saída Impedância de saída
baixa; alta; alta;
Não existe inversão de Não existe inversão de Existe inversão de fase;
fase; fase; Ganho de corrente
Ganho de corrente Ganho de corrente elevado;
elevado; menor que 1; Ganho de tensão
Ganho de tensão menor Ganho de tensão elevado;
que 1; elevado; Ganho de potência
Ganho de potência Ganho de potência elevado.
intermédio. intermédio.
Transistor - Emissor Comum
A montagem de um transistor em emissor comum é um estágio baseado num transistor bipolar em
série com um elemento de carga. O termo "emissor comum" refere-se ao facto de que o terminal do
emissor do transistor tem uma ligação "comum", tipicamente a referência de 0V ou Terra. O terminal
do colector é ligado à carga da saída, e o terminal da base actua como a entrada de sinal.
O circuito do emissor comum é constituido por uma resistência de carga RC e um transistor NPN; os
outros elementos do circuito são usados para a polarização do transistor e para o acoplamento do
sinal.
Os circuitos emissor comum são utilizados para amplificar sinais de baixa voltagem, como os sinais
de rádios fracos captados por uma antena, para amplificação de um sinal de áudio ou vídeo

Características de um amplificador com transístor em emissor comum:

IMPEDÂNCIA DE ENTRADA (Ze):É igual ao quociente entre a tensão de entrada (Ee= tensão
CA do sinal de entrada) e a corrente de entrada (Ie = corrente CA do sinal de entrada). A
impedância de entrada está compreendida entre 10KΩ e 100KΩ
Ze=Ee / Ie
 IMPEDÂNCIA DE SAÍDA (Zs): É igual ao quociente entre a tensão CA do sinal de saída (Es),
quando a saída esta em vazio (isto é, Is = 0) e a corrente CA do sinal de saída (Is), quando a saída
está em curto-circuito (Es =0).A impedância de saída esta situada entre 10KΩe 100KΩ.
Zs= Es (saída em vazio) / Is (saída em curto)
AMPLIFICAÇÃO DE CORRENTE (Ai): é o quociente entre a corrente CA do sinal de saída e a
corrente CA do sinal de entrada. A amplificação de corrente está compreendida entre 10 e 100
vezes.
Ai = Is / Ie
AMPLIFICAÇÃO DE TENSÃO (Av): é o quociente entre a tensão CA do sinal de saída e a
tensão CA do sinal de entrada. A ampificação de tensão está situada entre 100 e 1000 vezes.
Av = Es / Ee
AMPLIFICAÇÃO DE POTÊNCIA (Ap): é igual ao produto entre a amplificação de corrente e a
amplificação de tensão. A amplificação de potência está compreendida entre 1.000 e 100.000
vezes.
Ap = Ai x Av
RELAÇÃO DE FASE: Ocorre um defasamento de 180° entre a tensão do sinal de saída e a
tensão do sinal de entrada (180° = 180 graus).

Transístor - Colector Comum

O circuito com um transístor com colector comum possui um ganho de tensão muito próximo da
unidade, significando que os sinais em CA que são inseridos na entrada serão replicados quase
igualmente na saída, assumindo que a carga de saída não apresente dificuldades para ser controlada
pelo transistor. O circuito possui um ganho de corrente típico que depende em grande parte do hFE
do transistor. Uma pequena mudança na corrente de entrada resulta em uma mudança muito maior
na corrente de saída enviada à carga. Deste modo, um terminal de entrada com uma fraca
alimentação pode ser utilizado para alimentar uma resistência menor no terminal de saída. Esta
configuração é comumente utilizada nos estágios de saída dos amplificadores Classe B e Classe AB, o
circuito base é modificado para operar o transístor no modo classe B ou AB. No modo classe A,
muitas vezes uma fonte de corrente ativa é utilizada em vez do RE para melhorar a linearidade ou
eficiência.

Características de um amplificador com transístor em colector comum:

IMPEDÂNCIA DE ENTRADA: de 100KΩ a 1MΩ .

IMPEDÂNCIA DE SAÍDA: de 50Ω a 5000Ω.
AMPLIFICAÇÃO DE CORRENTE: de 10 a 100 vezes.
AMPLIFICAÇÃO DE TENSÃO: é menor do que 1. Neste tipo de amplificador não há
amplificação de tensão.
AMPLIFICAÇÃO DE POTÊNCIA: de 10 a 100 vezes.
RELAÇÃO DE FASE: não há desfasamento entre a tensão do sinal de saída e a tensão do sinal
de entrada.

Transístor - Base Comum

A ligação de um transístor em base comum é uma configuração de um transístor na qual sua base é
ligada ao ponto comum do circuito.
Esta montagem é utilizada de forma menos frequente do que as outras configurações em circuitos de
baixa de baixa frequência, é utilizada para amplificadores que necessitam de uma impedância de
entrada baixa. Como exemplo temos o pré-amplificador de microfones.
É utilizado para amplificadores VHF e UHF onde a baixa capacitância da saída à entrada é de
importância crítica.

Os parâmetros α (Alfa) e β (Beta) de um transístor bipolar Quando um transístor bipolar é ligado em

base comum, o quociente entre a corrente de colector (Ic) e a corrente de emissor (Ie) recebe o nome
de GANHO DE CORRENTE ESTÁTICO DA MONTAGEM BASE COMUM, e é indicado pela letra
grega α (ALFA).

α=Ic/Ie

Características de um amplificador com transístor em base comum:

IMPEDÂNCIA DE ENTRADA: entre 10Ωe 100Ω .

IMPEDÂNCIA DE SAÍDA: entre 100KΩ e 1MΩ .
AMPLIFICAÇÃO DE CORRENTE: é um pouco inferior à unidade (entre O,95 e O,99).Portanto,
neste tipo de circuito não há amplificação de corrente.
AMPLIFICAÇÃO DE TENSÃO: entre 500 e 5.000 vezes.
AMPLIFICAÇÃO DE POTÊNCIA: entre 100 e 1.000 vezes.
RELAÇÃO DE FASE: não há desfasamento entre a tensão do sinal de saída e a tensão do sinal
de entrada.

Transistor Darlington
O Darlington não é mais do que a ligação de vários transistores com a
finalidade de aumentar o ganho.

O ganho (HFE) total do Darlington é a multiplicação dos ganhos individuais

de cada um dos transistores.

Vantagens:

Maior ganho de corrente.

Tanto o disparo como bloqueio são sequenciais.
A queda de tensão em saturação é constante. Transistor Darlington

Desvantagens:

Utilização apenas com médias frequências e médias potências.

Fototransístor
O fototransistor não é mais do que um transístor bipolar em que a luz incide
sobre a base.
O seu funcionamento não difere do funcionamento do transístor bipolar, no
entanto, a base é polarizada pela luz.
Tem um tempo de resposta maior e é mais sensível que o fotodiodo.

Tem uma enorme utilização nos acopladores ópticos que têm a função de
isolar eletricamente circuitos diferentes. O acoplador óptico é composto
por um díodo emissor de luz (LED) e um fototransístor.

Fototransístor

TRANSISTOR DARLINGTON FOTOTRANSISTOR

Os transístores têm várias caixas segundo os vários fabricantes.

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