Sie sind auf Seite 1von 8

ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

ESCUELA DE FORMACIÓN DE TECNÓLOGOS


TECNOLOGÍA EN ELECTROMECÁNICA

Laboratorio de Electrónica General

INFORME

Práctica No: __6_


Tema: rectificación de onda completa filtrado y regulación

Realizado por:

Estudiante: Banchón Luis Miguel Grupo:


Nelson Jacome
Alex Salazar

(Espacio Reservado)
Fecha de entrega: __26__ / __06__ / __2019__ f.
_________________________
Año mes día Recibido por:
Sanción:
__________________________________________________
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL ESFOT

TEM315L - LABORATORIO DE ELECTRÓNICA GENERAL


INFORME- PRÁCTICA 6
1. Marco teórico

ZONA DE TRABAJO DE LOS TRANSISTORES

Se denominará punto de trabajo o punto Q del transistor, a aquel par de valores IC, VCE
de la recta de carga, que el transistor tiene en unas condiciones de trabajo determinadas
por el circuito en el que se encuentra.
Para determinar el punto Q, de manera gráfica, dibujamos la recta de carga en la gráfica
IC, VCE de las curvas de salida que da el fabricante, y en el punto de intersección de esta
recta con la curva característica cuya IB coincida con la IBQ calculada anteriormente, será
el punto de trabajo.
La recta de carga se dibuja igualmente mediante dos puntos, que son los de corte con los
ejes, es decir cuando IC=0 y cuando VCE=0.
Según la posición del punto Q en la recta de carga, se establecen las tres zonas de
funcionamiento del transistor, con unas características diferenciadas.
Estas zonas o regiones de acuerdo con lo anterior son:

Curva de Zonas de trabajo de un Transistor

Zona activa:
Es una amplia región de trabajo comprendida entre corte y saturación, con unos valores
intermedios tanto de IC como de VCE.

El transistor trabajando en la zona activa se suele utilizar en la electrónica de las


comunicaciones.
La potencia disipada ahora es mayor, ya que ambos términos tienen un valor intermedio.
Zona de corte:
Corresponde a un punto Q con una IC prácticamente nula y un voltaje VCE elevado. Si
hacemos nula la IB, la IC=ICEO, es decir tendrá un valor muy pequeño, y por lo tanto la
c.d.t. en RC será mínima con lo que VCE=VCC.

Laboratorio de Electrónica General Práctica 6


ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL ESFOT

El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y emisor.
La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturación es mínima, ya que
uno de los coeficientes en ambos casos es prácticamente nulo.
Zona de saturación:
Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y un voltaje VCE muy
pequeño no menor a un valor denominado de saturación VCEsat.
Los valores típicos de VCEsat son del orden de 0,3v.
Cuando el transistor está saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado entre
colector y emisor
¿QUÉ ES Y CÓMO FUNCIONA UN POTENCIÓMETRO?
Un potenciómetro es un dispositivo conformado por 2 resistencias en serie, las cuales
poseen valores que pueden ser modificados por el usuario. Existen múltiples tipos de
potenciómetros, variando su forma y el método cómo modifican los valores de las
resistencias.
Los usos de los potenciómetros
Resistencia variable
Variador de voltaje para ajustes de resolución
Variador de velocidad
Realimentación en el circuito de control de un servomotor
Entrada manual para ajustes de preferencias de usuario
Todo tipo de aplicaciones en las cuales se necesita que el usuario pueda modificar las
condiciones iniciales y/o ajustar parámetros puntuales.

Potenciómetro

TRANSISTOR 2N3904

Transistor 2N3904 de pequeña señal. El 2N3904 es un transistor de conmutación rápida,


corta apague y baja tensión de saturación, adecuado para la conmutación y amplificación.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal
de salida en respuesta a una señal de entrada.

Laboratorio de Electrónica General Práctica 6


ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL ESFOT

Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario


tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi
siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Transistor

2. Desarrollo
El procedimiento que se tomo es que antes de realizar la practica el circuito fue
implementado en proteus. posteriormente a eso el circuito fue armado en el protoboard
como todos sus componentes y en el laboratorio se procedió a tomar los datos con el
osciloscopio utilizando una fuente de voltaje, equipos a nuestra disposición en el
laboratorio

Circuitos Implementados

Circuito simulado en Proteuss

Laboratorio de Electrónica General Práctica 6


ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL ESFOT

Circuito armado en el Protoboard

3. Análisis de resultados

Explique con los datos tomados en la práctica, las regiones de operación del
transistor: Corte,
Saturación y región activa.

V. Base- V. Colector- Corriente Ib Corriente Ic


Emisor Emisor

0.71 1.72 63.76 uA 14.04 mA

Zona de saturación:

Polarización R. de
Trabajo
Junta Base- Directa Saturación
Emisor
Junta Base- Directa Saturación
Colector

Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y un voltaje VCE muy
pequeño no menor a un valor denominado de saturación VCEsat.
Los valores típicos de VCEsat son del orden de 0,3v.
Cuando el transistor está saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado entre
colector y emisor.

Laboratorio de Electrónica General Práctica 6


ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL ESFOT

Circuito Equivalente de un Transistor en Zona


de Saturación

Calcule el valor aproximado de la amplificación de corriente ("beta”) y la potencia


máxima del
transistor (se calcula multiplicando la corriente de colector por el voltaje colector emisor),
para
cada medida tomada. Revisar que no se haya excedido la potencia máxima del transistor
en ningún
caso.

V.
V. Base- Corriente Corriente
Colector-
Emisor Ib Ic
Emisor

0.67 3.59 52.27 uA 14.82 mA

0.68 2.98 56.07 uA 14.76 mA


0.69 2.4 59.08 uA 14.6 mA

0.7 1.72 63.76 uA 14.59 mA

0.71 1.22 63.76 uA 14.02 mA

0.72 0.73 65.73 uA 14.33 mA

0.73 0.22 66.3 uA 14.36 mA

Laboratorio de Electrónica General Práctica 6


ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL ESFOT

Valor Pot. Max del


Beta Transitor

283.53 53.2 mW

263.24 43.98 mW

247.12 35.04 mW

228.83 25.09 mW

219.89 17.10 mW

218.01 10.46 mW

216.59 3.16 mW

4. Cuestionario

5. Conclusiones y recomendaciones

Conclusiones:

Para realizar todo el proceso del proyecto se aplicaron varios conocimientos que se observaron
en la clase de laboratorio y en las teóricas de hecho fue de gran ayuda los conocimientos que
teníamos anteriormente en las clases teóricas para saber cómo funciona un transistor y cuál es la
manera correcta de utilizarlo, medir sus valores y como interpretar cada uno de ellos para así
poder identificar en que zona se encuentra trabajando el transistor.

Debemos ser cuidadosos al verificar los terminales del transistor por medio del medidor de
continuidad, ya que si erramos alguna parte vamos a obtener datos completamente erróneos del
circuito y en la comparación con el simulador no habrá ningún tipo de coincidencia esto se debe
hacer por tema de seguridad al momento de implementar el circuito en el Protoboard.

El transistor BJT tiene tres zonas de trabajo y puede realizar las funciones de conmutador o de
switch en este caso observamos las zonas de saturación como se observó en la última actividad,
con el potenciómetro podemos regular la intensidad de la corriente que entra en la base del
transistor y de esa manera influir en el resultado de la salida.

Recomendaciones:

Verificar en el datasheet del transistor o de cualquier elemento que estemos trabajando la


polaridad de sus terminales para así lograr implementarlo de una manera correcta y no tener
errores en la práctica (dentro de los mismos elementos como en este caso los transistores hay
maneras distintas de conectarlos).

Laboratorio de Electrónica General Práctica 6


ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL ESFOT

Trabajar de acuerdo con los conocimientos obtenidos en las clases para no tener errores en el
momento de realizar un cálculo y por ende fallar en el circuito ya implementado es decir realizar
los cálculos requeridos de acuerdo a las clases teóricas recibidas, debido a que las dos van de par
en par para así no tener errores o algunos percances y así reforzar la parte teórica.

6. Bibliografía

[1]A. Garcia, "¿Qué es y cómo funciona un potenciometro? | Panama Hitek", Panama Hitek,
2018. [Online]. Available: http://panamahitek.com/que-es-y-como-funciona-un-potenciometro/.
[Accessed: 18- Dec- 2018].

[2]K. Gonzalez, K. Gonzalez and V. perfil, "Zona de Trabajo de los


Transistores", Karengonzaleztorres.blogspot.com, 2018. [Online]. Available:
http://karengonzaleztorres.blogspot.com/2012/09/zona-de-trabajo-de-los-transistores.html.
[Accessed: 18- Dec- 2018].

[3]"2n3904", Geekbot Electronics, 2018. [Online]. Available:


http://www.geekbotelectronics.com/producto/2n3904-transistor-npn/. [Accessed: 18- Dec-
2018].

7. Anexos

Laboratorio de Electrónica General Práctica 6

Das könnte Ihnen auch gefallen