DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA - ELECTRONICA I - LABORATORIO 7.
ESTUDIO DEL FUNCIONAMIENTO DEL
MOSFET Y EL JFET
Luis Felipe De La Hoz Cubas, María Ilse Dovale Pérez y Michael Forero Naizir
División de Ingeniería Electrónica
Universidad del Norte
Barranquilla
Abstract— En el siguiente informe se tiene como objetivo
principal el funcionamiento basico de dos de los transistores
de efecto de campo existentes actualmente en el mercado: el
MOSFET y el JFET, es necesario analizar las condiciones
particulares de cada uno para saber en que momento trabajan
es sus diferentes regiones para veri car con detalle que ocurre
en cada una de ellas.
I. INTRODUCCION
C OMO ya es de saberse existen dos tipos de transistores
los BJT estudiados anteriormente y los MOSFET en los
que se centrara esta práctica, Los transistores MOSFET o de
efecto de campo han desplazado un poco a los BJT, y aunque
ambos ofrecen características y areás de aplicación unicas el
MOSFET es más utilizado en el diseño de circuitos integrados,
los cuales son fabricados en un solo chip de silicio. En forma
general, comparados con los BJT, los transistores MOS ocupan
menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede
incorporase un numero mayor de estos.
II. TRANSISTORES MOSFET VS JFET
De una forma breve se explicarán las regiones de operacion
en las que trabaja un MOSFET y un JFET, cuáles son
las características principales de cada una de ellas y qué
condiciones deben establecer en el transistor para que opere
en dichas regiones. Sabiendo a priori que en los transistores
MOS se de nen las mismas regiones de operación que en las
del JFET: corte, triodo, saturación y ruptura.
Comenzando por el MOSFET se debe tener en cuenta lo
siguiente:
En la región de corte se veri ca que VGS < V t y la
corriente ID es nula.
En la región de triodo el transistor se comporta como un
elemento resistivo no lineal controlado por tensión.
En la región de saturación y la más importante si se trata
de ampli cación el transistor se comporta como una fuente
de corriente controlada por la tensión VGS : En esté caso la
corriente permanece bastante constante y el transistor opera
muy bien.
En los transistores MOSFET también se puede ver una
región más llamada ruptura en este caso el transistor MOS
puede verse afectado por fenómenos de avalancha en los
terminales drenador y fuente, y roturas en la capa de óxido
no de la compuerta que pueden dañar irreversiblemente al
dispositivo.
Siguiendo con el JFET se debe tener en cuenta lo siguiente:
En la región de corte la intensidad entre drenador y fuente
es nula (ID = 0).
En este caso, la tensión entre compuerta y fuente es su -
cientemente negativa que las zonas de inversión bloquean y
"estrangulan" el canal cortando la corriente entre drenador y
fuente. En el datasheet se denomina a esta tensión como de
estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS (off) o
V p.
En la región triodo el JFET se comporta como una resisten-
cia no lineal que es utilizada en muchas aplicaciones donde
se precise una resistencia variable controlada por tensión. En
este caso VGS > V p, por lo tanto VGS V p VDS
Al igual que en el transistor MOSFET, en este caso
también existe la region de saturación, en esta región, de
similares características que un BJT en la región lineal, el
JFET tiene unas características lineales que son utilizadas
para la ampli cación, en este caso se comporta como una
fuente de corriente controlada por la tensión VGS cuya ID
es prácticamente independiente del voltaje VDS , en este caso
entonces VDS VGS V p , donde V p es el voltaje de
estrangulamiento.
Finalmente y como en el caso anterior la región de ruptura
en los transistores JFET se produce por tensión alta sus
terminales, esto puede producir la ya mencionada ruptura por
avalancha a través de la unión de puerta. Las especi caciones
de los fabricantes indican la tensión de ruptura entre drenaje y
fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensión
se designa por BV DSS y su valor está comprendido entra 20
y 50V:
A continuación se puede observar una gra ca de compara-
ción de las curvas características de ambos transistores:
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del canal y la corriente que lo atraviesa permanece constante

al valor alcanzado para vDS = vGS V t, es entonces cuando
el transistor entra a la región de saturación.

Por último cabe resaltar que el voltaje de umbral de en un

Fig1: Comparación de las curvas caracteristicas de los JFET
vs MOSFET
Cabe resaltar que las diferencias mas importantes entre los
transistores MOSFET y JFET son las siguientes:
JFET
La polarización de un JFET (Junction Field-Effect Transis-
tor) exige que las uniones pn estén inversamente polarizadas,
para un JFET de canal N, el voltaje del drenaje debe ser mayor
que el voltaje de la fuente para que exista un ujo de corriente
a través del canal, además la el voltaje de compuerta debe ser
mas negativo que el de la fuente para que la unión pn se
encuentre polarizada inversamente.
Las curvas del JFET son muy parecidas a las de los transis-
tores bipolares, con la diferencia que los JFET son controlados
por tensión, mientras que los bipolares por corriente
transistor MOSFET es un valor que resalta a la hora de diseñar
un circuito„ esto es debido a que las regiones de operación
están directamente relacionadas con este valor, entonces, si no
se tiene en cuenta no se podría asegurar la región de operación
del transistor. Experimentalmente, se puede obtener este valor
con la ayuda del multímetro, en la escala de diodo, midiendo
ente la compuerta y los otros pines.
El procedimiento se realizó utilizando la siguiente
metodología:
En la primera experiencia se montó el circuito de la sigu-
iente gura con el cual se analizó el comportamiento de un
transistor MOSFET y sus regiones de funcionamiento, para
esto vDS se jó a un valor de 0.2V y vGS con un valor inicial
de 0V y aumentado solo hasta 5V , para no comprometer asi
la integridad del transistor.

MOSFET
Los transistores MOSFET (Metal-Oxido-Semiconductor)
son dispositivos de efecto de campo, al igual que los JFET, que
utilizan un campo eléctrico para crear un canal de conducción.
Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la
mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen
con la tecnología MOS.
Al igual que los JFET existen dos tipos de transistores MOS,
los P-MOS Y LOS N-MOS
Fig2: Circuito Montado
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura
física muy diferente, pero sus ecuaciones analíticas soy muy
similares, por esto los transistores MOS tienen las mismas
regiones de operación que los JFET Los voltajes y corrientes medidos se pueden observar en la
siguiente tabla y la grá ca obtenida fue de forma similar a la
Es de gran importancia saber en qué consiste el efecto estudiada de forma teórica.
de modulación de longitud del canal como bien sabemos la
corriente de del drenaje es proporcional al cociente entre el
ancho del canal W y su longitud L, de esta forma como
diseñadores se pueden seleccionar los estos valores, para
obtener determinadas curvas características i v.
Para valores mayores de vDS la corriente del drenaje
aumenta cada vez más lentamente; esto se debe a que el
extremo del canal más próximo al drenaje se halla polarizado
en inversa a causa de la fuente de tensión vDS
A medida que vDS aumenta el canal se alarga más y su
resistencia aumenta de manera correspondiente, por tanto la Tabla1: Cambios en la corriente debido a variaciones en el
característica iD vDS no continúa como recta si no que se voltaje de compuerta para el MOSFET
curva, entonces cuando vDS llega al valor de V t que reduce
el voltaje entre compuerta y canal en el extremo del drenaje,
la profundidad del canal en el extremo del drenaje disminuye
casi a cero y se dice que el canal está estrangulado; el aumento
de vDS más allá de este valor tiene poco efecto en la forma
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Fig3: Grá ca de voltaje de compuerta contra corriente de
drenaje.
Posteriormente a esto se realizaron una mediciones con unos
voltajes de compuerta jos, y cambios en el voltaje de drenaje,
el voltaje de drenaje se vario de 0 a 5V con incrementos de
0.5V, la tabla resultante fue la siguiente
Tabla2: Cambios de corriente debido a variaciones den el
voltaje de drenaje fuente para determinados valores de
voltaje de compuerta para el MOSFET
Con el JFET se hizo algo similar pero a causa de sus
características, para observar su comportamiento el voltaje en
la compuerta tuvo un valor inicial de 0V con decrementos de
0.2V hasta -1.4V, veamos a continuación los valores obtenidos:
3
Tabla3: Cambios en la corriente debido a variaciones en el
voltaje de compuerta para el JFET
De igual forma se identi có la relacion existente entre el
voltaje entre drenaje y fuente y la corriente de drenaje cuando
permanece a un valor de compuerta jo. Para diferentes valores
de compuerta, se variaó el voltaje entre drenaje y fuente, y
se midió la corriente de drenaje para cada caso, veamos a
continuación la grá ca:
Tabla4: Cambios en la corriente debido a variaciones en el
voltaje de drenaje fuente para determinados valores de
voltaje de compuerta para el JFET
Por último se realizó el ANALISIS DEL CIRCUITO DE
POLARIZACION:
En este procedimiento se trabaja con la gura mostrada a
continuación, ya que representa un circuito de polarización de
un MOSFET cuando se utiliza una fuente de alimentación. Lo
cual se le aplica un voltaje de polarización de vGS = 15V ,
con unas resistencias de Rg1 = 1M , Rg2 = 1M ; Rd =
4:7K ; Rs = 5:304K :se mide los voltajes en cada terminal
que se muestran respectivamente escritos en la siguiente tabla.
En la columna donde están los datos medidos fueron los
valores obtenidos en el laboratorio, por consiguiente en la otra
columna en los datos calculados se puso los valores hechos y
calculados asumiendo un voltaje vDS igual a la tercera parte
del voltaje de alimentación, los datos obtenidos fueron los
siguientes:
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Fig4: Montaje del circuito en polarización de un MOSFET
Tabla5: Análisis de polarización de un MOSFET
III. CONCLUSIONES
Finalmente cabe resaltar que los transistores BJT son
controlados por corriente, puede manejar altas frcuencias y
potencias, se usan como interruptores ampli cadores y en el
área de comunicaciones.
Los transistores tipo FET son controlados por voltaje,
involucra una fabricación de sustrato, dioxido de silicio como
aislante y metal para las terminales, consume poca potencia,
se usan en la parte de la electrónica digital y puede fabricarse
en tamaños minúsculos. Todos los microprocesadores están
hechos a base de FET donde en un chip, se pueden encontrar
millones de estos transistores, como la corriente es mínima
la potencia y calentamiento tiende a cero. Además tiene la
cualidad de tener una zona donde se corporta como resistencia
por lo tanto en circuitos integrados se puede usar para suplir a
las resistencia por que son mas pequeños que las resistencias.
Por último tienen tiempos de conmutación mas rápidos que
los BJT.
A partir de las experiencias realizadas se pudieron sacar
unas series de conclusiones gracias a las grá cas y tablas
obtenidas a través de la experiencia, por ejemplo, al realizar la
gra ca iD vs vGS no es posible identi car las tres regiones
de operación del transistor ya que como se sabe las 3 regiones
del transistor son: Triodo, Corte y Saturación, y al gra car la
tabla iD -vGS sólo muestra las regiones de Triodo y Saturación
ya que la de corte se encuentra en el eje x es decir cuando la
corriente iD es cero.
Por otra parte se pudo notar que el voltaje de estran-
gulamiento de los JFET de canal n es negativo; como en
la guía nos piden reducir el voltaje en la compuerta desde
0V , hasta los 1:4V con decrementos de -0:2V , y sabemos
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que el voltaje de estrangulamiento es cuando el valor del
voltaje de compuerta llegue a un valor donde el canal quede
completamente libre de portadores, por lo tanto si tenemos
un valor máximo de compuerta vGS = 0V , por medio de la
relación:
vDS (max) = vGS V p , por lo tanto como el voltaje
de compuerta va de 0 a 1:4V , entonces el voltaje de
estrangulamiento va a ser negativo.
Basándonos en las características de cada una de las re-
giones de operación del FET, podemos compribar que para
funciones de apli cación el transistor se debe trabajar en su
región de saturación, esto se debe a que el ancho del canal
cerca al drenaje depende tanto del voltaje de compuerta como
del voltaje entre drenaje y fuente, esto indica que es necesario,
para mantener el dispositivo en la región de tríodo, asegurar
que el voltaje entre drenaje y fuente no aumentaría a tal punto
que vGS vDS sea igual o menor al voltaje de umbral, porque
en tal caso se dice que el canal está estrangulado, lo que hace
que la corriente que circula a través de él permanezca casi
constante para aumentos de vDS por encima del voltaje para
el cual ocurrió la estrangulación del canal (vDSsat ), el cual se
obtiene:
vDSsat = vGS V t lo cual entra en saturación para valores
mayores de ese voltaje, de esta forma la corriente iD se
mantiene constante permitiendo aumentar el valor de vDS lo
cual permite ampli car señales deseadas.
Por último conociendo teórica y experimentalmente el com-
portamiento de un transistor de unión bipolar a continuación se
encuentran descritas las principales semejanzas y diferencias
que estos presentan con respecto a los transistores FET.
Transistores BJT vs Transistores FET
IV. BIBLIOGRAFIA
[1].SEDRA, Adel y KENNETH, Smith. Circuitos Micro-
electrónicos. México: Oxford University Press, 2001.
[2].MUHAMMAD, Rashid. Circuitos Microelectrónicos:
Análisis y diseño. Estados Unidos: Internacional Thompson
Editores, 1999
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[3].DATASHEET Catalog. Buscador de hojas

de datos de dispositivos electrónicos, Online,
http://www.datasheetcatalog.net/.
[4]. Fuentes de internet :
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_LED