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Ciencia e Ingeniería de los Materiales

Mtra. Verónica Meranza Castillón

Estructura y defectos cristalinos

Grupo: B 2do semestre

José Eduardo Quihuis Miranda

German Alonso Avilés Sanabria

Genaro Eulises Enriquez Acuña

H. Nogales, Sonora 23 de Febrero de 201

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Introducción

El estudio de las propiedades de los materiales se encuentra en amplio desarrollo, todo

tipo de avances tecnológicos se basan en los mismos. Nuestras vidas están
estrechamente relacionadas con estos cambios. Para un ingeniero es de suma
importancia conocer las bases y el funcionamiento de cada material en áreas
específicas, y en este caso en especial de los materiales cristalinos.

En este trabajo de investigación se encuentran las definiciones, conceptos básicos y

procesos relacionados con las estructuras cristalinas. Se explican las diferentes redes
de Bravais, las relaciones existentes entre ellas, sus características, posiciones
atómicas, etc.

Objetivo

El objetivo de la investigación es hacer una pequeña introducción al mundo de la

ingeniería de los materiales, del estudio de sus propiedades y en general del
entendimiento del campo de estudio. Los materiales cristalinos son ampliamente
utilizados en todos tipos de tecnologías y áreas de trabajo, por lo tanto fue un camino
factible para emprender este aprendizaje.
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Imperfecciones de los materiales

Vacancias:

Es cuando falta un a tomo o ion en su sitio de la estructura cristalina. Recordemos que

cuando faltan átomos o iones aumenta el desorden normal o entropía del material, que
a su vez, aumenta la estabilidad termodinámica de un material cristalino. Todos los
materiales cristalinos tienen defecto de vacancia.

Intersticios:

Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un átomo adicional en una posición

normalmente desocupada dentro de la estructura cristalina. Los átomos intersticiales,
aunque son mucho más pequeños que los átomos localizados en los puntos de la red,
son mayores que los sitios intersticiales que ocupan, en consecuencia, la red
circundante aparece comprimida y distorsionada. Los átomos intersticiales como el
hidrógeno a menudo están presentes en forma de impurezas.Los átomos de carbono
se agregan al hierro para producir acero. Una vez dentro del material, el número de
átomos intersticiales en la estructura se mantiene casi constante, incluso al cambiar la
temperatura.

Sustitucionales:

Se crea un defecto sustitucional cuando se remplaza un átomo por otro de un tipo

distinto. El átomo sustitucional permanece en la posición original. Cuando estos átomos
son mayores que los normales de la red, los átomos circundantes se comprimen, si son
más pequeños, los átomos circundantes quedan en tensión. En cualquier caso, el
defecto sustitucional distorsiona la red circundante. Igualmente se puede encontrar este
defecto como una impureza o como un elemento aleante agregado deliberadamente y,
una vez introducido, el número de defectos es relativamente independiente de la
temperatura.
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Dislocaciones

La naturaleza de las dislocaciones

En el ámbito de la ciencia de materiales y la física del estado sólido,

las dislocaciones son defectos de la red cristalina de dimensión uno, es decir, que
afectan a una fila de puntos de la red de Bravais.

Las dislocaciones están definidas por el vector de Burgers, el cual permite pasar de un
punto de la red al obtenido tras aplicar la dislocación al mismo. Las dislocaciones
suceden con mayor probabilidad en las direcciones compactas de un cristal y son
sumamente importantes para explicar el comportamiento elástico de los metales, así
como sumaleabilidad, puesto que la deformación plástica puede ocurrir por
desplazamiento de dislocaciones.

Normalmente las dislocaciones se presentan durante el proceso de solidificación o bien

por la deformación ya sea plástica o permanente del material aunque también se
forman por condensación de vacantes y por desajuste atómico en las disoluciones
sólidas. Estos defectos se presentan todos los materiales incluso en polímeros y
cerámicos, pero son en los metales donde se han aprovechado de mejor forma para
explicar la deformación y endurecimiento de los mismos. Así mismo las dislocaciones
almacenan energía en la región aledaña.

Se distinguen tres tipos de dislocaciones:

Dislocación de borde, línea, cuña o arista:

Formada por un plano extra de átomos en el cristal, el vector de Burgers es

perpendicular al plano que contiene la dislocación y paralelo al plano de deslizamiento.
Existe una interacción fuerte entre dislocaciones de arista.
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Dislocación helicoidal o de tornillo:

Se llama así debido a la superficie espiral formada por los planos atómicos alrededor
de la línea de dislocación y se forman al aplicar un esfuerzo cizallante. La parte
superior de la región frontal del cristal desliza una unidad atómica a la derecha respecto
a la parte inferior. En este caso, el vector de Burgers es paralelo al plano que contiene
la dislocación y perpendicular al plano de deslizamiento.
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El vector de Burger es Paralelo a la línea de la dislocación, no hay plano específico de

deslizamiento.

• El movimiento de deslizamiento ocasiona que la línea de dislocación se mueva a un

ángulo recto de la dirección de deslizamiento.

•El paso de la dislocacióncausa movimiento de átomos por un vector b.

Dislocaciones mixtas:

Dislocación formada por las dos anteriores, una de cuña y una helicoidal.

Movimiento e interacción de las dislocaciones

En general las dislocaciones se pueden mover en diferentes planos de deslizamiento.

La elección de este plano y la dirección de deslizamiento no es arbitraria y por lo tanto
el grado de facilidad de deslizamiento vendrá determinado por las condiciones a las
que está sometido el cristal y la estructura del mismo. Existen planos con mayor
facilidad en la propagación de dislocaciones y dentro de los mismos, existen
direcciones preferentes de deslizamiento por las cuales se desplazan las dislocaciones.
Se puede definir un plano sobre el que desliza la dislocación y una dirección de
deslizamiento, la combinación de ambos se denomina sistema de deslizamiento. Los
planos más favorables para que se dé movimiento de dislocaciones son los de máxima
compacidad y las direcciones serán alguno de los vectores contenidos en el plano,
generalmente donde los átomos están más compactos.
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Ecuación de Orowan

Relaciona la velocidad de deformación por desplazamiento en un sistema con la

velocidad de desplazamiento “conservativo” de las dislocaciones móviles de la
densidad volumétrica correspondientes a ese sistema de desplazamiento.

La velocidad de desplazamiento “conservativo” de las dislocaciones móviles (sobre el

plano de deslizamiento, en dirección perpendicular a la línea de dislocación, bajo la
fuerza aplicada sobre la dislocación) responde a procesos de activación térmica.

El desplazamiento de una línea de dislocación ocurre intermitentemente por sucesos

térmicamente activados que determinan avances discontinuos de segmentos de la
línea.

Cada suceso produce un incremento de deslizamiento elemental por avance de un

segmento de línea de longitud media efectiva (L eff) que ocurre en un volumen (V) tras
un tiempo de espera promedio (T w) reciproco de una frecuencia de activación.
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Comentarios
Existe gran variedad de celdas unitarias, cada una con características únicas y
especificas basadas en las propiedades cristalinas y en la estructura de la misma. Todo
está relacionado con las propiedades del material, pero también con los procesos a los
que es sometido, a partir de este punto es que surgen de igual manera las
dislocaciones o deformaciones de los cristales las cuales son utilizadas para casos
particulares ya que interactúan y modifican muchas características del material y de
esa forma estos obtienen particularidades nuevas y factibles. Estos tipo de estudios
son sumamente importantes en la ingeniería de los materiales ya que se aprovechan a
mayor escala y de esa manera la tecnología se abre más camino.

Características específicas de las estructuras

Estructura Ao en función del Átomos por celda Números de Factor de

radio coordinación empaquetamiento

Cubica simple Ao= 2r 1 6 0,52

Cubica centrada A0=4r√3 2 8 0,68
en el cuerpo

Cubica centrada Ao=4r√2 4 12 0,74

en las caras

Hexagonal Ao= 2r 2 12 0,74

compactada C= 1.6333ao
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Imperfecciones puntuales, lineales y de superficie

Defectos puntuales:

Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran uno o quizá
varios átomos. Estos defectos o imperfecciones pueden ser generados en el material
mediante el movimiento de los átomos al ganar energía por calentamiento, durante el
procesamiento del material, mediante la introducción de impurezas o intencionalmente
a través de las aleaciones.

Lineales:

Son defectos que dan lugar a una distorsión en la red centrada en la línea, hay tres
posibles las cuales son: De cuña las cuales consisten en una leve curva en los lados
verticales que son ocasionados por una inserción en semi-plano adicional dentro de la
red de átomos. Los átomos en la distorsión empujan sobre la línea superior y aparta a
la línea inferior; la Helicoidal que se forma cuando se aplica un esfuerzo de cizalladura
en un cristal perfecto que ha sido separado por un plano cortante y por ultima la
dislocaciones Mixtas las cuales es una combinación de las dos anteriores.

Superficiales:

Son los limites, bordes o planos que dividen un material en regiones y hay 3 posibles
casos que son: superficie externa que son dimensiones exteriores en donde los átomos
no están enlazados al número máximo de vecinos que debería tener lo que ocasiona
que estén más energéticos que los átomos internos que pueden dejar la superficie
rugosa. Bordes de grano es la zona estrecha donde los átomos no están
uniformemente separado en donde algunos causan tensión y otros compresión y por
ultimo Maclas, el cual es un tipo especial de límite de grano en el cual los átomos de un
lado del límite están localizados en una posición que es la imagen espectacular de los
átomos del otro lado.
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Numero de coordinación

Cubica simple:

El número de coordinación es 6 (Cada átomo en la parte superior también tiene ocho

vecinos si se supone que el patrón continúa hasta una distancia infinita en todas las
direcciones.)

Cada átomo en las esquinas sólo cuenta por 1/6 (cada átomo es compartido por 6
diferentes mallas) y uno para el átomo central, la celda unitariade la estructura incluye
dos átomos. Está totalmente definida por un único parámetro de red, la longitud del
lado:

Cubica centrada en el cuerpo:

El número de coordinación es 8 (Cada átomo en la parte superior también tiene ocho

vecinos si se supone que el patrón continúa hasta una distancia infinita en todas las
direcciones.)

Cada átomo en las esquinas sólo cuenta por 1/8 (cada átomo es compartido por 8
diferentes mallas) y uno para el átomo central, la celda unitaria de la estructura incluye
dos átomos. Está totalmente definida por un único parámetro de red, la longitud del
lado es:

 a=b=c ;
 α = β = γ = 90

Cubica centrada en las caras:

El número de coordinación de la estructura FCC es 12. La forma más sencilla de

efectuar este recuento es situándose mentalmente te en el átomo del centro de una de
las caras y contar todos los átomos en contacto con él.
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Hexagonal compacta:

El número de coordinación de la estructura HC es 12, como puede comprobarse

fácilmente haciendo recuento del número de vecinos del átomo del centro de una base.

Factor de empaquetamiento
Cubica simple:

Factor de empaquetamiento atómico (APF) APF = Volumen de los átomos en la celda

unitaria* Volumen de la celda unitaria *asumidos como esferas volumen Cubo de lado
‘a’ Radio atómico, R 4 (0 5 a) 3 1 átomos Celda u átomo volumen a APF = a 3 3
Celda u. 1 (0.5 a) volumen R=0.5 a 3 Celda u. volumen contiene 8 x 1/8 = 1
átomo/celda unitaria • APF de una cúbica simple = 0.52

Cubica centrada en el cuerpo:

Factor de empaquetamiento: BCC 3 a Direcciones de empaquetamiento: 2 a

longitud=4R = 3 a R 4 3 ( 3a/4)3 2 átomos Celda u átomo volumen APF = 3 a3 Celda
unitaria volumen Celda unitaria Introducción a la • APF para una estructura BCC es =
0.68

Cubica centrada en las caras:

Factor de empaquetamiento: FCC Tiene el factor de empaquetamiento. Máximo

Direcciones de empaquetamiento: largo = 4R = 2 a 2 largo 4R 2 a La celda unitaria
contiene: 2 a 6 x 1/2 + 8 x 1/8 a = 4 átomos/celda unitaria 4 3 ( 2a/4)3 4 átomos Celda
u. átomo volumen APF = 3 a3 volumen • APF para una estructura FCC = 0.74
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Diferencias de las 14 redes de Bravais

Empaquetamiento compacto:

Esto es cuando los átomos de la celda están en contacto unos con otros. No siempre
será así y en muchos casos mediará una distancia mínima entre las nubes
electrónicas de los diferentes átomos.

Parámetro de red:

Es la longitud de los lados de la celda unitaria. Puede haber tan solo uno, dos o hasta
tres parámetros de red distintos dependiendo del tipo de red de bravais que tratemos.
En las estructuras más comunes se representa con la letra a y con la c en caso de
haber dos.

Nodos o átomos por celda:

Tal y como dice el nombre es el número de nodos o átomos que posee cada celda.
Una celda cuadrada, por ejemplo, poseerá un nodo por celda ya que cada esquina la
comparte con cuatro celdas más. De hecho si una celda posee más de un nodo de red
es que no es unitaria, en cambio sí posee más de un átomo por celda pudiera ser que
estuviésemos en una celda unitaria pero con una base atómica de más de un átomo.

Número de coordinación:

Es el número de puntos de la red más cercanos, los primeros vecinos, de un nodo de

la red. Si se trata de una estructura con empaquetamiento compacto el número de
coordinación será el número de átomos en contacto con otro. El máximo es 12.

Factor de empaquetamiento:

Fracción del espacio de la celda unitaria ocupada por los átomos, suponiendo que
éstos son esferas sólidas.
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Donde f es el factor de empaquetamiento o fracción de volumen ocupado, n el número

de átomos por celda, v el volumen del átomo y V c el volumen de la celda. Normalmente
se suele dar el factor de empaquetamiento compacto para las diferentes celdas como
indicador de la densidad de átomos que posee cada estructura cristalina. En este caso
los átomos se tratan como esferas rígidas en contacto con sus vecinos más cercanos.

Densidad: A partir de las características de la red, puede obtenerse la densidad teórica

del material que conforma la red mediante la siguiente expresión.

Donde ρ es la densidad, NA el número de Avogadro y m la masa atómica.

Volumen de la celda unitaria primitiva: Toda celda unitaria tiene el mismo volumen

representado por la siguiente fórmula. Donde a son los vectores

de la base de la red.

Consecuencias de las imperfecciones en las redes cristalinas

Aunque los deslizamientos o desplazamientos atómicos pueden ocurrir en cerámicos y

polímeros, estos procesos son particularmente útiles para entender el comportamiento
mecánico de los metales. Primero que todo, el deslizamiento atómico explica por qué la
resistencia de los metales es mucho más baja que el valor teórico predicho de los
enlaces metálicos. Cuando los deslizamientos ocurren, solo una pequeña fracción de
todos los enlaces metálicos a lo largo de la interface necesita ser roto y la fuerza
requerida para deformar el metal es pequeña. Segundo, los deslizamientos proveen
ductilidad en los metales. Si no estuvieran presentes las dislocaciones, una barra de
hierro sería frágil y los metales no podrían ser moldeados por varios procesos tales
como forjado. Tercero, es posible controlar las propiedades mecánicas de un metal o
aleación interfiriendo con el movimiento de las dislocaciones. Un obstáculo introducido
dentro del cristal evita que una dislocación se deslice a menos de que se aplique una
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fuerza muy grande. Es posible encontrar un gran número de dislocaciones en los

materiales. La densidad de las dislocaciones o longitud total de las dislocaciones por
unidad de volumen, se usa generalmente para representar la cantidad de dislocaciones
presentes. Densidades de dislocaciones de 10 m .mm-3 son típicas de los metales más
suaves, mientras que densidades de dislocaciones superiores a 1000 Km . mm-3 se
pueden conseguir deformando el material.

Conclusiones y comentarios

El avance tecnológico depende de varios factores, y uno de ellos que es de los más
importantes es precisamente el estudio de los materiales que es en lo que se basa esta
investigación. Muchas personas saben que la materia está formada de átomos, pero no
de qué manera están acomodados, que estructuras forman y en qué lugares se
localizan. Este campo de estudio es muy amplio y profundo y a partir de él es que se
han mejorado las aplicaciones de distintos tipos de materiales y se conocen en mayor
medida muchas de sus propiedades. Por consiguiente la utilización que se le da a cada
uno de ellos es cada vez mayor y más factible para investigaciones científicas y
muchas clases de procesos industriales.

El trabajo se basa principalmente en los materiales cristalinos, los cuales son aquellos
que están conformados por estructuras geométricas y uniformes. Se profundiza en las
características de estas formaciones que se denominan redes de Bravais y en el
porqué de su estructuración. De igual manera se estudian los diferentes tipos de
defectos que se presentan en estas redes, el cómo se aprovecha cada uno de ellos y
cómo influyen en los materiales.
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Cuestionario

1 - ¿Qué papel pueden jugar las imperfecciones cristalinas de tipo puntual en el

comportamiento de un material?

Los defectos puntuales, que incluyen vacancias, átomos intersticiales y átomos

sustitucionales, introducen campos de esfuerzos de compresión o de tensión que
alteran la red adyacente. Como resultado, las dislocaciones no pueden deslizarse en
las cercanías de defectos puntuales, incrementándose la resistencia del material. El
número de vacancias, o de puntos de red vacíos, depende de la temperatura del
material; los átomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre átomos
normales) y los átomos sustitucionales (que remplazan al átomo normal en puntos de la
red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su número no se
altera por los cambios de temperatura del material.

2 - ¿En qué tipo de proceso (químico, térmico, mecánico, etc.) se presenta la

generación de dislocaciones?

Estos defectos dan en metales, casi nunca en materiales iónicos y pueden generarse
durante los procesos de solidificación del sólido cristalino, como consecuencia de una
deformación plástica o permanente del cristal, por condensación de vacantes y por
desajustes atómicos en disoluciones sólidas.

3 - ¿Mediante que instrumento o técnica experimental se pueden ver dislocaciones en

un material? Presente imágenes de dislocaciones.

La técnica más adecuada para observar las dislocaciones en el interior del metal es la
Microscopía Electrónica de Transmisión. La probeta es una lámina muy delgada, del
orden de 0.05-0.5 micras, del material a examinar. El espesor de la lámina debe ser lo
suficientemente delgada como para permitir la transparencia al flujo de electrones que
provienen del cañón del microscopio.
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La imagen genérica se realiza en el microscopio electrónico de transmisión en virtud a

los principios siguientes:

- La absorción del flujo electrónico en función del espesor o calidad diferenciada del
material determina gradientes de intensidad recibida sobre la placa fotográfica.

- La difracción de los electrones que atraviesan el material, si encuentran las

condiciones enunciadas por la ley de Bragg.

También se encuentran las picaduras de corrosión. Una dislocación cuña o hélice,

existe como consecuencia de un defecto de la estructura cristalina, con menor
densidad atómica. Así pues ésta será una línea de la estructura con mayor actividad
ante reactivos apropiados.

En forma inversa, el ataque químico apropiado a las superficies metálicas se

magnificará en primer lugar en los puntos de intersección de las dislocaciones del metal
sobre su superficie. Esto dará lugar a figuras de corrosión, EtchPits en lenguaje
anglosajón.
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4 – Presentar imágenes en las que se puedan distinguir con claridad los límites de un
grano en un material y definir qué características presentan dichos límites.

El borde, frontera, o límite de grano es la superficie de separación entre dos cristales

de un mismo grano poli cristal. Surge como consecuencia del mecanismo del
crecimiento de grano, ó cristalización, cuando dos cristales que han crecido a partir
de núcleos diferentes se "encuentran". A pesar de tener la misma estructura cristalina,
las orientaciones, debido al azar, serán diferentes y unos cristales compensarán a los
otros: los poli cristales suelen ser isótropos.
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Explicar cuál es el principio de operación de los siguientes equipos y en que se utilizan.

A) Microscopio eléctrico de transmisión (MET)

Un microscopio electrónico de transmisión (TEM, por sus siglas en inglés, o MET, en

español) es un microscopio que utiliza un haz de electrones para visualizar un objeto,
debido a que la potencia amplificadora de un microscopio óptico está limitada por
la longitud de onda de la luz visible. Lo característico de este microscopio es el uso de
una muestra ultra fina y que la imagen se obtenga de los electrones que atraviesan la
muestra.

Los microscopios electrónicos de transmisión pueden aumentar un objeto hasta

un millón de veces.

B) Difractómetro de rayos x.

El difractómetro es un instrumento utilizado para medir la difracción de un haz de

radiación incidente sobre una muestra de un material. Los difractómetros se emplean
para los experimentos de difracción de rayos X y difracción de neutrones.

Los primeros difractómetros utilizaban una placa fotográfica sensible a los rayos X y
constaban de un tubo y soportes para la muestra y la placa. El conjunto de aparatos se
rodeaba de una caja o carcasa como protección contra la radiación, por lo que a veces
se usa el término «cámara». Los difractómetros modernos están controlados
remotamente por ordenador y cuentan con elementos ópticos,
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comomonocromadores, goniómetros para una orientación precisa de la muestra

respecto al haz incidente y detectores digitales.

C) Microscopio de fuerza atómica.

El microscopio de fuerza atómica (AFM, de sus siglas en

inglés Atomic Force Microscope) es un instrumento mecano-óptico capaz de detectar
fuerzas del orden de los nanonewtons. Al rastrear una muestra, es capaz de registrar
continuamente su topografía mediante una sonda o punta afilada de forma piramidal o
cónica. La sonda va acoplada a un listón o palanca microscópica muy flexible de sólo
unos 200 µm. El microscopio de fuerza atómica ha sido esencial en el desarrollo de
lananotecnología, para la caracterización y visualización de muestras a dimensiones
nanométricas ( )
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Análisis de los resultados

La práctica y las investigaciones llevadas a cabo nos enseñaron como equipo mucho a
cerca de los materiales cristalinos. Aprendimos conceptos nuevos y ahora tenemos una
visión más amplia de este tipo de materiales y en general de la importancia del estudio
de ellos en el desarrollo tecnológico y en todos los aspectos de nuestra vida.
Específicamente nosotros como futuros ingenieros tenemos la necesidad de
comprender este campo de estudio y desarrollo ya que es fundamental entender las
aplicaciones que tienen distinto tipos de materiales en nuestras prácticas tanto
académicas como profesionales y también el saber de qué manera podemos utilizarlos
a nuestro favor.

Con esta recopilación de información quedo más claro la bases de las utilidades que se
les dan a los materiales dependiendo de sus tipos de estructuras y características
específicas. Profundizamos de igual manera en lo que son los defectos e
imperfecciones que surgen en los cristales, en factores de empaquetamiento y
números de coordinación, radios atómicos, etc.
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Anexos
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Conclusiones

El avance tecnológico depende de varios factores, y uno de ellos que es de los más
importantes es precisamente el estudio de los materiales que es en lo que se basa esta
investigación. Muchas personas saben que la materia está formada de átomos, pero no
de qué manera están acomodados, que estructuras forman y en qué lugares se
localizan. Este campo de estudio es muy amplio y profundo y a partir de él es que se
han mejorado las aplicaciones de distintos tipos de materiales y se conocen en mayor
medida muchas de sus propiedades. Por consiguiente la utilización que se le da a cada
uno de ellos es cada vez mayor y más factible para investigaciones científicas y
muchas clases de procesos industriales.

Como equipo aprendimos muchas cosas nuevas acerca de este tipo de clasificaciones
y seguramente nos será de mucha utilidad en las distintas prácticas profesionales que
llevemos a cabo en un futuro.

Bibliografías

http://ocw.uc3m.es/ciencia-e-oin/tecnologia-de-materiales-industriales/material-de-
clase-1/Tema3-Defectos_los_materiales.pdf

http://www.v-
espino.com/~tecnologia/tecnoII/1materiales/defectos%20e%20imperfecciones%20red%
20cristalina.pdf

http://analisismateriales.blogspot.mx/2009/12/imperfecciones-en-los-arreglos-
atomicos.html

https://es.wikipedia.org/wiki/Dislocaci%C3%B3n_(defecto_cristalino)

http://www4.tecnun.es/asignaturas/estcompmec/documentos/Cap5_DISLOCACIONES.
pdf

https://es.wikipedia.org/wiki/Estructura_cristalina

https://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2009/09/estructura-cristalina.pdf
26

http://www.uv.es/~cantarer/esol/p1.pdf\

http://www.upv.es/entidades/SME/info/753329normalc.html

http://www.upv.es/materiales/Fcm/Fcm03/pfcm3_4_1.html

http://www.uaz.edu.mx/cippublicaciones/eninvie2K5/I_1%5CI_2MicroscopioFA.pdf