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Schaltungstechnik 1 ∀ für alle gilt

∃ für mindestens eines gilt


Grundlagen:

Ist die Wellenlänge der zu übertragenden Frequenz in einer Schaltung größer als die Schaltung selbst, so spricht
man von einem konzentrierten Bauelement. Ist sie kleiner, so ist das Bauelement nicht konzentriert.

c
λ= λ > 10 ⋅ l ⇒ konzentriertes Bauteil
f
Spannungspfeile zeigen immer von + nach -!! Assoziierte Zählpfeile: Spannungs- und Strompfeil zeigen in die
selbe Richtung.

+ -

Tore:

Gilt i1 = i2 so spricht man von einem Tor (Eintor)!

i1 i2

Kirchhoff:

KCL (Kirchhoff’s Current Law):

Die Ströme aller Stromzweige, die eine beliebige Hülle, welche verschiedene Bauelemente einer Schaltung
einschließt, durchstoßen müssen sich zu jedem Zeitpunkt zu Null addieren. Dabei werden die Ströme die von
Außen nach Innen führen negativ und die Ströme, die von Innen nach Außen führen positiv gerechnet.

∑ i (t ) = 0
k
k

In der MatrixVektorSchreibweise gilt:


A⋅ i = 0
Eine Schaltung aus n-Knoten hat (n-1) linear unabhängige Knotengleichungen. Dabei ist die linear abhängige
Knotengleichung stets die, die für den Bezugsknoten aufgestellt wird.
In der Knoteninzidenzmatrix A steht eine Zeile für einen Knoten und eine Spalte für einen Zweig. Für die
Elemente dieser Matrix gilt:

⎧1 Zweig α geht vom Knoten β aus ⎫


⎪ ⎪
aβα = ⎨−1 Zweig α führt zum Knoten β ⎬
⎪0 Zweig α berührt Knoten β nicht ⎪
⎩ ⎭

β Zeilenindex (Knoten)
α Spaltenindex (Zweige)

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KVL (Kirchhoff’s Voltage Law):

In einem geschlossenen Stromkreis einer Schaltung muss die Summe der Spannungen zwischen zwei Knoten in
einem Umlauf immer gleich Null sein. Dabei werden die Spannungen gemäß der Richtung ihrer Spannungspfeile
positiv bzw. negativ gerechnet.


umlauf
u=0 für alle Zählpfeile positiv!

Für die Spannung zwischen zwei Knoten α und β gilt ( ukα ist die Spannung zwischen Knoten α und
Bezugsknoten):
uαβ (t ) = ukα (t ) − uk β (t )
In der MatrixVektorSchreibweise gilt:
M ⋅ uk − u = 0
Dabei gibt es bei einer Schaltung mit n-Knoten (n-1) Spalten in der Matrix. Die wegfallende Spalte ist diejenige,
die für den Bezugsknoten entsteht.

Für die Elemente der Matrix M gilt hier:

⎧1 Zweig α geht vom Knoten β aus ⎫


⎪ ⎪
mαβ = ⎨−1 Zweig α führt zum Knoten β ⎬
⎪0 Zweig α berührt Knoten β nicht ⎪
⎩ ⎭

α Zeilenindex (Zweige)
β Spaltenindex (Knoten)

Aus dem Vergleich mit der Matrix A des KCL folgt (Wenn die Zählpfeile für Strom und Spannung gleich
gewählt wurden):
mαβ = aβα M = AT T transponiert

Netzwerkgraph (gerichtet) [digraph]:

In einer Schaltung gibt es die Knotenmenge N , die Zweigmenge B und Zuordnungsvorschriften, die einem
Zweig aus der Zweigmenge die jeweiligen Knoten aus der Knotenmenge zuordnet. Für einen Transistor reichen
im Netzwerkgraph zwei Zweige.

Resistive (gedächtnislose) Eintore:

u (t ) ⎧ u i ⎫
ξui = ⎨(u , i ) | ∈ , ∈ ⎬
⎩ V A ⎭
i (t )
ℑ(t )
ℑ ≤ ξui , ℑ(t ) = {(u , i ) | (u , i ) zulässige Betriebspunkte}

Für jedes resistive Eintor lässt sich eine Kennlinie ℑ aufstellen. Diese kann durch eine „Funktion“ beschrieben
werden. Dies kann explizit, implizit oder parametrisiert erfolgen.
u i
i = i0 ⋅ arctan u = u0 ⋅ tan (explizit)
u0 i0
i u
f (u , i ) = − arctan = 0 (implizit)
i0 u0
i = i0 ⋅ φ u = u0 ⋅ tan φ (parametrisiert)
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Polung resistiver Eintore:

Ein resistives Eintor gilt als ungepolt (bilateral) wenn gilt:

∀ ( u , i ) ∈ ℑ ⇒ ( −u , − i ) ∈ ℑ

Die Kennlinie ℑ hat somit einen punktsymmetrischen Verlauf. Für alle anderen Verläufe ist das Eintor gepolt
(unilateral).

Leistung resistiver Eintore: i


p (t ) = u (t ) ⋅ i (t ) aktiv passiv

∀(u, i ) ∈ ℑ : u ⋅ i ≥ 0 Î ℑ ist passiv (nimmt Leistung auf)


∃(u, i ) ∈ ℑ : u ⋅ i < 0 Î ℑ ist aktiv (kann Leistung abgeben) verlustlos u
∀(u , i ) ∈ ℑ : u ⋅ i = 0 Î ℑ ist verlustlos & passiv
∃(u, i ) ∈ ℑ : u ⋅ i ≠ 0 Î ℑ ist verlustbehaftet (passiv oder aktiv)

Ein Eintor ist spannungsgesteuert, wenn durch eine Spannung u ein bestimmter Betriebspunkt i festgelegt
wird. i = g (u ) .Wird durch einen Strom eine bestimmte Spannung eingestellt, so ist das Eintor stromgesteuert.
Ein resistives Eintor wird als quellenfrei bezeichnet, wenn ℑ durch den Ursprung (0,0) geht.

Dualität:

ℑ = {(u, i ) | f (u, i) = 0} → ℑd = {(u, i) | f d (u, i ) = 0}

⎛ u ⎞
f d (u, i ) = f ⎜ i ⋅ R d , d ⎟ R D = Dualitätsinvariante
⎝ R ⎠

ℑd lässt sich im u-i-Diagramm leicht bilden, wenn man das Diagramm so skaliert, das R d genau die
Winkelhalbierende ergibt. Man muss dann lediglich ℑ an der Winkelhalbierenden spiegeln.
d

Für ℑ bleiben alle Leistungseigenschaften gleich, lediglich die Art der Steuerung (Spannung/Strom) wird
d

umgekehrt.

Strenge Linearität:

ℑ verläuft streng linear, wenn gilt: [linear, wenn Ursprung nicht dabei ist, aber ansonsten linear verläuft]

∀(u1 , i1 ), (u2 , i2 ) ∈ ℑ ∧ α , β ∈ ⇒ (α u1 + β u2 ,α i1 + β i2 ) ∈ ℑ

Es gibt drei Arten für die strenge Linearität:

ƒ Ursprungsgerade (1 dimensionaler linearer Unterraum von ξu ,i ) idealer ohmscher Widerstand


ƒ Ursprungspunkt (0 dimensionaler linearer Unterraum von ξu ,i ) Nullator
ƒ U-i-Ebene (2 dimensionaler linearer Unterraum von ξu ,i ) Norator

Spezielle Ursprungsgeraden: Kurzschluss ( KS ) u = 0 i = beliebig

Leerlauf ( LL ) i = 0 u = beliebig

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Diodenmodelle:

PN-Diode Zener-Diode Tunneldiode


i i i

UZ

Is u u u

⎛ u ⎞
i = I s ⋅ ⎜ e U T − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠

Grundschaltungen:

Parllelschaltung:

Durch die Parallelschaltung zweier Bauteile entsteht ein neues Bauteil.

i = i1 + i2
Nach Kirchhoff gilt:
u = u1 = u2

ℑ1 = {(u1 , i1 ) | f1 (u1 , i1 ) = 0}
Die Kennlinien der beiden Grundelemente sind gegeben durch:
ℑ2 = {(u2 , i2 ) | f 2 (u2 , i2 ) = 0}
{
⇒ g = ( u, i ) | ∃i1 : ( ( u, i1 ) ∈ ℑ1 ∧ ( u , i − i1 ) ∈ ℑ2 ) }
ℑ1 ∧ ℑ2 sind spannungsgesteuert ⇒ g spannungsgesteuert
i1 = g1 (u1 )
i2 = g 2 (u2 )

⇒ i = g (u ) = g1 (u ) + g 2 (u )

Reihenschaltung:

Durch die Reihenschaltung zweier Bauteile entsteht ein neues Bauteil.

i = i1 = i2
Nach Kirchhoff gilt:
u = u1 + u2
{
⇒ g = ( u, i ) | ∃u1 : ( ( u1 , i ) ∈ ℑ1 ∧ ( u − u1 , i ) ∈ ℑ2 ) }
ℑ1 ∧ ℑ2 sind stromsgesteuert ⇒ g stromgesteuert
u1 = r1 (i )
u2 = r2 (i )
⇒ u = r (i ) = r1 (i ) + r2 (i )

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Lineare Quellen:
i Eine lineare Quelle kann aus mehreren
i Bauteilen bestehen. Sie kann jedoch als
lineare Quelle mit nebenstehender
1 Kennlinie interpretiert werden. Dazu wird

u
die Leerlaufspannung, der
i = G ⋅ u − I0
R Q Kurzschlussstrom und der
u Innenwiderstand benötigt. Um den
Innenwiderstand zu bekommen, werden
G alle Spannungsquellen in einen
Kurzschluss und alle Stromquellen in
1 einen Leerlauf umgewandelt.

Eine derartige lineare Quelle lässt sich auf zwei verschiedene Weisen durch Ersatzschaltbilder darstellen:

Reihenschaltung:

i1 i2
ideale Spannungsquelle
i
R

u1 u0 u2
U0
Helmholz-Tebener-Ersatzschaltbild

Parallelschaltung:
i1

ideale Stromquelle
u1

I0
1 u
G=
R

i2

Mayer-Norten-Ersatzschaltbild
u2

Ermittlung des Innenwiderstandes:

Spannungsquellen in Kurzschluss und Stromquellen in


Leerlauf umwandeln, dann den Gesamtwiderstand
bestimmen.

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Konkave und Konvexe Widerstände:

Konkav Konvex
i i

i i
I
∪ u ○ u
U u u

(U , G ) ( I , R)

Ideale Diode
i

i i

u u
u

Eintorgrundschaltungen:
i' i
Arbeitspunkt:

Q ⇒ (u ', i ') i ' = -i u ' = u


Q u' u L L ⇒ (u, i )

Q x = {(u , i ) | (u, −i ) ∈ Q}
i
L AP = L ∩ Q x
Q

Qx

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Arbeitspunkt und Kleinsignalanalyse:

Man nimmt eine Linearisierung im Arbeitspunkt vor!

Das sich um den Arbeitspunktverändernde Kleinsignal darf nicht zu groß sein, da die Linearisierung sonst zu
weit von dem ursprünglichen Graphen abweicht.

df (u )
i = I0 + | ⋅u (Tangentengleichung im Arbeitspunkt)
du AP

Spannungs-/Stromteiler:

Spannungsteiler Stromteiler (dual zum Spannungsteiler)


u i
R1 i1 i2
R2
i i1 i2 u
u1 G1 G2 u2
u1 u2

KVL: u = u1 + u2 KVL: u = u1 = u2
KCL: i = i1 = i2 KCL: i = i1 + i2
R1 G1
u1 = ⋅u i1 = ⋅i
R1 + R2 G1 + G2

u1 R1
= i1 G1
u2 R2 =
R2 i2 G2
u2 = ⋅u G2
R1 + R2 i2 = ⋅i
G1 + G2
Darstellung als realer Quellenzweipol:

U 0 = Ri ⋅ I 0

U0
I0

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⎡u ⎤
[M , N ]⋅ ⎢ ⎥=0
⎣i ⎦
Zweitore: M ⋅u + N ⋅ i = 0
1 i1 i2 2 M invertierbar Î R existiert
u1 u2 N invertierbar Î G existiert
1' i1 i2 2'

⎧⎛ u ⎞ ⎛u⎞ ⎫
{
ℑ = u1 , i1 , u2 , i2 | f ( u1 , i1 , u2 , i2 ) = 0 } ℑ = ⎨⎜ ⎟ | f ⎜ ⎟ = 0⎬
⎩⎝ i ⎠ ⎝i⎠ ⎭

Widerstandsdarstellung u1 = r1 ( i1 , i2 )
u = r(i) u = R⋅ i
u2 = r2 ( i1 , i2 )
Leitwertdarstellung i1 = g1 ( u1 , u2 )
i = g (u ) i = G ⋅u
i2 = g 2 ( u1 , u2 )
Hybriddarstellung u1 = h1 ( i1 , u2 ) ⎛ u1 ⎞ ⎛ ⎛ i1 ⎞ ⎞ ⎛ u1 ⎞ ⎛ i1 ⎞
⎜ ⎟ = h ⎜⎜ ⎟⎟ ⎜ ⎟=H⎜ ⎟
i2 = h2 ( i1 , u2 ) ⎝ i2 ⎠ ⎝ ⎝ u2 ⎠ ⎠ ⎝ i2 ⎠ ⎝ u2 ⎠
Inverse Hybriddarstellung i1 = h1 ' ( u1 , i2 ) ⎛ i1 ⎞ ⎛ ⎛ u1 ⎞ ⎞
⎜ ⎟ = h '⎜ ⎜ ⎟ ⎟
u2 = h2 ' ( u1 , i2 ) ⎝ u2 ⎠ ⎝ ⎝ i2 ⎠ ⎠
Kettendarstellung u1 = a1 ( u2 , −i2 ) ⎛ u1 ⎞ ⎛ ⎛ u2 ⎞ ⎞ ⎛ u1 ⎞ ⎛ u2 ⎞
⎜ ⎟ = a ⎜⎜ ⎟⎟ ⎜ ⎟= A⎜ ⎟
i1 = a2 ( u2 , −i2 ) ⎝ i1 ⎠ ⎝ ⎝ −i2 ⎠ ⎠ ⎝ i1 ⎠ ⎝ −i2 ⎠
Inverse Kettendarstellung u2 = a1 ' ( u1 , −i1 ) ⎛ u2 ⎞ ⎛ ⎛ u1 ⎞ ⎞
⎜ ⎟ = a '⎜ ⎜ ⎟ ⎟
i2 = a2 ' ( u1 , −i1 ) ⎝ i2 ⎠ ⎝ ⎝ −i1 ⎠ ⎠
Bildbeschreibung 2 Messungen durchführen; wenn
(Betriebsmatrix) diese beiden
Messungen linear unabhängig
4D-Betriebsraum, durch sind, kann man damit die
math. Beschreibung auf komplette Kennlinie im
Untermenge eingeschränkt 4-Dimensionalen Betriebsraum
⎡U ⎤ ⎡ u ⎤ ⎡ u (1) u (2) ⎤ beschreiben. Eine Messung
Existiert immer!!!!
Bild ⎢ ⎥ ⎢ i ⎥ = ⎢ (1) ⎥⋅c macht man, indem man 2 der 4
⎣I ⎦ ⎣ ⎦ ⎣i i (2) ⎦
Betriebsgrößen vorgibt und die
G, R daraus erzeugbar! anderen beiden ausrechnet.
Diese Methode ist oft sehr
einfach, da man nur die Werte
von 2 Messungen
braucht.

Darstellungen existieren (bis auf Bildbeschreibung) als 1 ⎡ g 22 − g12 ⎤


R = G −1 =
Matrizen nur bei streng linearen Zweitoren!!!
det G ⎢⎣ − g 21 g11 ⎥⎦
Jacobi Matrix der partiellen Ableitungen:

⎛ ∂g1 ∂g1 ⎞
⎜ ∂u ⎛ i1 ⎞ ⎛ I1 ⎞ ⎛ Δi1 ⎞
∂u2 ⎟ Δi = J ⋅ Δu = G ⋅ Δu
⎜ ⎟ = ⎜ ⎟+⎜ ⎟
Δi = ⎜ 1 ⎟ ⋅ Δu
Δu = R ⋅ Δi ⎝ i2 ⎠ ⎝ I 2 ⎠ ⎝ Δi2 ⎠
⎜ ∂g 2 ∂g 2 ⎟
⎜ ∂u ∂u2 ⎟⎠ R = G −1
⎝ 1
Linearisierung im Arbeitspunkt bei Zweitoren mit der Jocobi-Matrix! (ACHTUNG: g muss im AP
differenzierbar sein!!!!)

Copyright by ~Gesus~ Stand: 20.02.2004 8/17


Zweitormatrizen:

Umrechnung:
1. Aufschreiben der gegebenen Form
2. Linke Seite mit Einheitsmatrix erweitern
3. Alles auf eine Seite bringen
4. Matrizen (Gegebene+Einheitsmatrix) und Spaltenvektor zusammenfassen
5. Sortieren des Spaltenvektors (Matrix mit umsortieren) Î [M|N]
6. Mit inverser der Matrix N von links multiplizieren Î [N-1M|En]
7. Matrix wieder zerlegen: Î [N-1M]*x+[ En]*y=0
8. Nach y=... Auflösen!

G R

H H'

A A'

Eigenschaften von Zweitoren:

Verlustlos R = − RT Matrix ist schiefsymmetrisch, d.h. Hauptdiagonale gleich 0


u T ⋅ i = u1i1 + u2i2 = 0 Nach i1 oder i2 auflösen (=0)
G = −G T
Reziprok R = RT Matrix ist symmetrisch!
(Übertragungssymmetr det A = 1
isch) G = GT Reziprok Î Nur durch Widerstände & Übertrager realisierbar
Passiv u ⋅i ≥0
T

Umkehrbar Gu = G G = PGP Permutationsmatrix ⎡0 1 ⎤


P=⎢ ⎥
R = PRP ⎣1 0 ⎦
Rd = ( Rd ) ⋅ G
Dual 2

2
⎛ 1 ⎞
G =⎜ d ⎟ ⋅R
d

⎝R ⎠

Nicht quellenfreie, lineare Zweitore:

Enthält ein Zweitor Quellen, so lassen sich die interne Quellen aus dem Zweitor herausnehmen und als getrennte
Quellen betrachten. Dazu muss z.B. die Leitwertbeschreibung zerlegbar sein:

⎛ i1 ⎞ ⎛ u1 ⎞ ⎛ iQ1 ⎞
⎜ ⎟ = G ⋅ ⎜ ⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ i2 ⎠ ⎝ u2 ⎠ ⎝ iQ 2 ⎠
Dadurch lässt sich dann ein ESB für das Zweitor aufstellen, wobei die Quellen jetzt außerhalb sind und ihre
Position sowie Richtung eindeutig aus der Rechnung gegeben sind.

Copyright by ~Gesus~ Stand: 20.02.2004 9/17


Gesteuerte Quellen:

Spannungsgesteuerte Stromquelle USI i1 = 0 i2 = g ⋅ u1


(Voltage Controlled Current Source VCCS)
u1 u2

⎡ 0 0⎤ ⎡0 −1 g ⎤
G=⎢ ⎥ A=⎢
⎣ g 0⎦ ⎣0 0 ⎥⎦
Stromgesteuerte Stromquelle ISI
(Current Controlled Current Source CCCS) i1 i2 = β ⋅ i1

u1 = 0 u2

⎡0 0⎤ ⎡0 0 ⎤
H =⎢ A=⎢
⎣β 0 ⎥⎦ ⎥
⎣0 −1 β ⎦

Spannungsgesteuerte Spannungsquelle USU


i1 = 0 i2
(Voltage Controlled Voltage Source VCVS)
u1 u2 = μ ⋅ u1

⎡0 0⎤ ⎡1 μ 0⎤
H'=⎢ A=⎢
⎣μ 0 ⎥⎦ ⎣ 0 0 ⎥⎦

Stromgesteuerte Spannungsquelle ISU


(Current Controlled Voltage Source CCVS) i1 i2

u1 = 0 u2 = r ⋅ i1

⎡0 0⎤ ⎡ 0 0⎤
G=⎢ ⎥ A=⎢ ⎥
⎣ r 0⎦ ⎣1 r 0 ⎦

Spezielle Zweitore:

Nullor M ⋅u + N ⋅ i = 0
i1 i2
⎡1 0 ⎤ ⎡0 0⎤
u2 ⎢ 0 0 ⎥ u + ⎢1 0 ⎥ i = 0
u1 ⎣ ⎦ ⎣ ⎦
⎡0 0 ⎤
ANullor = ⎢ ⎥
⎣0 0 ⎦

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Übertrager
i1 ü:x i2 M ⋅u + N ⋅ i = 0
⎡1 −ü ⎤ ⎡ 0 0⎤
u1 ü i1 x u1 u2 ⎢ 0 0 ⎥ u + ⎢ü 1 ⎥ i = 0
= =− ⎣ ⎦ ⎣ ⎦
u2 x i2 ü
⎡ 0 ü⎤
H =⎢ ⎥
⎣ −ü 0 ⎦
Gyrator
i1 i2 M ⋅u + N ⋅ i = 0
⎡1 0 ⎤ ⎡ 0 R1 ⎤
u1 u2 ⎢0 1 ⎥ u + ⎢ − R 0 ⎥⎦
i =0
⎣ ⎦ ⎣ 2
⎡ 0 − R1 ⎤
R=⎢
⎣ R2 0 ⎥⎦
NIK M ⋅u + N ⋅ i = 0
(Negativ Immitanz
Konverter) ⎡1 k ⎤ ⎡0 0 ⎤
u1 NIK u2 ⎢0 0 ⎥ u + ⎢1 1 k ⎥ i = 0
⎣ ⎦ ⎣ ⎦
⎡ −k 0 ⎤
A=⎢ ⎥
⎣ 0 1 k⎦

Zusammenschaltung von Zweitoren:

Reihenschaltung Parralelschaltung
(1) (1)

( 2) ( 2)
Reihenparallelschaltung Parallelreihenschaltung
(1) (1)

( 2) ( 2)
Kettenschaltung

(1) ( 2) ( 2) (1)

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Transistor:

Unterscheidung in PNP, NPN Transistoren. Als Zweitor in Basis-, Emitter-, Kollektorgrundschaltung.

n-Schicht: Elektronenüberschuss Ebers-Moll-Gleichungen:


p-Schicht: Elektronenmangel
⎛ Uube ⎞
i1 = I es ⋅ ⎜ e T − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
⎛ ubc

i2 = I cs ⋅ ⎜ eUT − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠

NPN PNP
Vorwärtsbetrieb: Vorwärtsbetrieb:

ube > 0 und ucb > 0 ueb > 0 und ubc > 0
⇒ uce = ucb + ube > 0 ⇒ uce = −ubc − ueb < 0
Basisgrundschaltung: Basisgrundschaltung:
ic = −α F ⋅ ie
ie ic ie ic
α F ⋅ ie
ueb ueb
−α F ⋅ ie
ib ib

Emittergrundschaltung: Steuerfaktor β
αF Emittergrundschaltung:
=
1−αF
F
ib ic ib ic

ube uce ube uce


β F ⋅ ib − β F ⋅ ib
ie ie
1
Δic = g m ⋅ Δube = ⋅ Δube
re
Δu 2
Δic = β F ⋅ Δib vu = (Spannungsverstärkungsfaktor)
Δu1

Verwendung der ESB:


Großsignal Kleinsignal
Detailliert ib ic ib ic

ube uce ube uce

β F ⋅ ib β F ⋅ ib

ie ie

Grob ib ic β →∞ ib ic

ube uce uce


ube
β F ⋅ ib β F ⋅ ib

u = 0,6V ie
ie

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NPN Basisgrundschaltung:
ie ic

ie = −i1 + α R ⋅ i2 α R ⋅ i2 α F ⋅ i1
ic = α F ⋅ i1 − i2 ube ubc
i1 i2
ib = −ie − ic

Betrieb in Vorwärtsrichtung:

Î Basis-Emitter-Diode in Durchlassrichtung
Î Basis-Kollektor-Diode in Sperrrichtung
Î i2 ≈ 0 Î Kollektor-Diode durch Leerlauf ersetzen

ie ic
⎛ Uube ⎞
ie = − I ES ⎜ e T − 1⎟
⎜ ⎟
ueb ⎝ ⎠
i1 α F ⋅ i1 ic = −α F ⋅ ie
ib

Emitterschaltung:

ic = β F ⋅ ib

re innerer Emitterwiderstand
UT Δic = g m ⋅ Δube
1 re = −
gm = Steilheit Ie Δic = β F ⋅ Δib
re

PNP Bei PNP drehen sich im Vergleich zu NPN lediglich die Vorzeichen um. Alle Parameter bleiben gleich.
Im KSEB und Idealisierung zu Nullor tritt kein Unterschied mehr auf.

MOS-Transistoren: (Metal-Oxide-Semiconductor) FET

n-Kanal n-Kanal p-Kanal


Enhancement Transistor Depletion Transistor Enhancement Transistor
“Normally-off” FET “Normally-on” FET “Normally-off” FET
d d d
id id id
ig ig ig
g uds g uds g uds

u gs u gs u gs
s s s
Bereiche: Bereiche:
( I ) : u gs − uth < 0V ( I ) : ugs − uth > 0V
( II ) : 0 ≤ ugs − uth ≥ uds ( II ) : 0 ≥ ugs − uth ≤ uds
( III ) : 0 ≤ u gs − uth ≤ uds ( III ) : 0 ≥ ugs − uth ≥ uds

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Shichman-Hodges: uds uds ≥ 0 ⎧⎪0 für u gs ≤ uth ⎫

i1 = ⎨ ⎬
⎪⎩1 2 β ( u gs − uth ) für u gs ≥ uth ⎭⎪
2
i1 id
s
d ⎧⎪0 für u gd ≤ uth ⎫
i2 ⎪
i2 = ⎨ ⎬
⎪⎩1 2 β ( u gd − uth ) für u gd ≥ uth ⎭⎪
2
u gs u gd
ig = 0 uth Schwellspannung
g

Drei Betriebsbereiche:
I.Bereich: i1 = 0 i2 = 0 ⇒ id = 0 Sperrbereich!

II.Bereich: i1 > 0 i2 > 0 Linearer Bereich, Triodenbereich (Anlaufstrombereich)

⎧⎪u gs − uth ≥ 0 ⎫⎪
⎨ ⎬ ⇒ 0 ≤ u gs − uth ≥ uds
⎩⎪u gd − uth ≥ 0 ⎭⎪

⎡ u2 ⎤
id = i1 − i2 = β ⋅ ⎢( u gs − uth ) ⋅ uds − ds ⎥
⎣ 2 ⎦
III.Bereich: i1 > 0 i2 = 0 Sättigungsbereich, Pentodenbereich

II β ⎪⎧u gs − uth ≥ 0 ⎪⎫
u 2 ⎨ ⎬ ⇒ 0 ≤ u gs − uth ≤ uds
⎩⎪u gd − uth ≤ 0 ⎭⎪
ds III
2

β
⋅ ( u gs − uth )
2
id = i1 =
I 2
Linearisierung im AP:

Δid
g d
Δu gs g0 Δuds

s
g m ⋅ Δu gs

∂id ∂i
Δid = | AP ⋅Δu gs + d | AP ⋅Δuds
∂u gs ∂uds ⎡ ∂ig ∂ig ⎤
⎢ ⎥
∂id ∂u gs ∂uds ⎥
= gm G | AP = ⎢ | AP
∂u gs ⎢ ∂id ∂id ⎥
⎢ ⎥
∂id
= g0 ⎣⎢ ∂u gs ∂uds ⎦⎥
∂uds

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Logische Schaltungen:
u ' = f (u )
(ausgeprägt nichtlineare Schaltungen im Großsignalbetrieb)

y = F ( x)
Alle Gatter können mit NAND oder NOR Gattern realisiert werden.

NOT NAND NOR

u UB u'

u2 u' u2
UB
u1
u'
u1 UB

ACHTUNG: Nie Verbindung vom Ausgang zum Eingang!!!!

CMOS Gatter bestehen aus zwei Netzwerken! Einem Pull-up Netzwerk (PUN) (Nur PMOS, da harte 1; Gate 0
Î PMOS schließt) und einem Pull-down Netzwerk (PDN) (Nur NMOS, da harte 0; Gate 1 Î NMOS schließt)
Dabei stellt das PUN die Funktion F (out) dar. Für das PDN gilt die Funktion G. G = F . Aus der Funktion Out
versuchen das PUN aufzustellen. Das PDN danach dual dazu generieren.

Operationsverstärker (OPV):

U B+ ud = u1+ − u1−
i1− ≈ 0
i1−
i1+ ≈ 0
ud −
i2
u1−
+ u2 = Ac ⋅ uc
i1+ u2 = A0 ⋅ ud
u1+ + u1−
u1+ uc =
U B− 2

u2

u2 ud
III u2,max
+U sat ud ≤
A0

ud
II
I
−U sat

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+ + +
ud ud
−U sat u2 ud +U sat u2
− −

I: II: III:

u2 = −U sat u2 ≤ U sat u2 = +U sat


ud < 0 ud = 0 ud > 0

Gesteuerte Quellen:

ISU
i1 i1 ⋅ R
R R = −r
u1 = 0 − u2 = −i1 ⋅ R
+

USU
i1 = 0
μ ≥1
+

u1 R2 ⎛ R ⎞
u2 = i ⋅ ( R1 + R2 ) = u1 ⎜1 + 2 ⎟
i
i
R1 u1 = i ⋅ R1 ⎝ R1 ⎠

USI
μ μ ⋅ u1
g= i2 = g ⋅ u1 = −
i1 = 0 R R
+
R R R

u1 i R2
i − + R
R1 u1 = i ⋅ R1

⎛ R ⎞
u = u1 ⎜1 + 2 ⎟ = μ ⋅ u1
⎝ R1 ⎠
ISI

i1 i1
R R R R
u1 = 0 −
+ − + R

u = −i1 ⋅ R

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Allgemeine Analyseverfahren:

In der gegebenen Schaltung das Verbindungsmehrtor aufstellen (besteht aus allen Verbindungen und Knoten).
Dazu einen Netzwerkgraphen aufstellen. Aufstellen der B’-Matrix (Maschen / Kanten) und der A’-Matrix (
Hüllen / Kanten)

⎡ ⎤
⎢ ⎥
B' = ⎢ ⎥ ( n × b)
⎢ ⎥
⎢ ⎥
⎣ ⎦
⎡ ⎤
⎢ ⎥
A' = ⎢ ⎥ ( m × b)
⎢ ⎥
⎢ ⎥
⎣ ⎦

⎧1 wenn Zweig k in Masche j pos. orientiert ⎫


⎪ ⎪
b jk = ⎨0 wenn Zweig k in Masche j nicht vorkommt ⎬
⎪-1 wenn Zweig k in Masche j neg. orientiert ⎪
⎩ ⎭
⎧1 Zweig k durchstößt Hülle i von innen nach außen ⎫
⎪ ⎪
aik = ⎨0 Zweig k durchstößt Hülle i nicht ⎬
⎪-1 Zweig k durchstößt Hülle i von außen nach innen ⎪
⎩ ⎭

⎛ u ⎞ ⎡B ' 0 ⎤ ⎛ u ⎞
⇒ [M N ]⋅ ⎜ ⎟ = ⎢ ⎥ ⋅⎜ ⎟ = 0
⎝ i ⎠ ⎣ 0 A '⎦ ⎝ i ⎠

Vorgehensweise beim Aufstellen:

1. Verbindungsnetzwerk aufstellen (Auch Dummiebaum, d.h. zusätzliche Baumzweige einfügen)


2. Baum festlegen (Baum muss alle Knoten einmal berühren; minimal Anzahl von Zweigen) Î Zuerst
Kanten des Baumes durchnummerieren, dann bei den Verbindungszweigen (Rest) weitermachen
3. Niedrigste Verbindungskante wählen und Schleife legen, die nur über Baumkanten geschlossen wird.
Orientierung in Richtung Verbindungskante. Î erste Zeile in der B-Matrix!!!
4. Fortfahren, bis keine Verbindungskanten mehr übrig sind. Î Gleichungen lin. unabhängig!!
s = b − (n − 1)
5. Weitermachen mit Matrix A.
6. Hülle festlegen, die von erster Baumkante durchstoßen wird und keiner weiteren Baumkante Î erste
Zeile in der A-Matrix. Weitermachen für alle Baumkanten.
7. Beide Matrizen enthalten entweder auf der Baumseite (A) oder auf der Verbindungsseite (B) die
A = [ En −1 , Av ] B = [ Bb , Es ]
Einheitsmatrix. Î A ⋅ i = 0 B⋅u = 0
⎛i⎞ ⎛ ub ⎞
[ En−1 , Av ] ⋅ ⎜ b ⎟ = 0 [ Bb , Es ] ⋅ ⎜ ⎟=0
⎝ iv ⎠ ⎝ uv ⎠
8. Av = − BbT
M ⋅u + N ⋅ i = e
9.
⎡B 0⎤ ⎛0⎞
⎢0 ⎥ ⎛u ⎞ ⎜ ⎟
⎢ A⎥ ⋅⎜ ⎟ = ⎜ 0 ⎟
N ⎥⎦ ⎝ ⎠ ⎝⎜ e ⎠⎟
i
⎢⎣ M
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