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Joachim Specovius

Grundkurs
Leistungselektronik
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vieweg
Joachim Specovius

Grundkurs
Leistungselektronik
Bauelemente, Schaltungen und Systeme

2., aktualisierte und erweiterte Auflage

Mit 467 Abbildungen und 33 Tabellen

Studium Technik
Bibliografische Information der Deutschen Nationalbibliothek
Die Deutsche Nationalbibliothek verzeichnet diese Publikation in der
Deutschen Nationalbibliographie; detaillierte bibliografische Daten sind im Internet über
<http://dnb.d-nb.de> abrufbar.

1. Auflage Oktober 2003


2., aktualisierte und erweiterte Auflage 2008

Alle Rechte vorbehalten


© Friedr. Vieweg & Sohn Verlag | GWV Fachverlage GmbH, Wiesbaden, 2008
Lektorat: Reinhard Dapper
Der Vieweg Verlag ist ein Unternehmen von Springer Science+Business Media.
www.vieweg.de

Das Werk einschließlich aller seiner Teile ist urheberrechtlich geschützt.


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Technische Redaktion: FROMM MediaDesign, Selters/Ts.


Umschlaggestaltung: Ulrike Weigel, www.CorporateDesignGroup.de
Druck und buchbinderische Verarbeitung: Wilhelm & Adam, Heusenstamm
Gedruckt auf säurefreiem und chlorfrei gebleichtem Papier.
Printed in Germany

ISBN 978-3-8348-0229-3



 
   



 



  
 
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  5667    
VII

Inhaltsverzeichnis

1 Was ist Leistungselektronik ?.............................................................................................1

2 Grundlagen...........................................................................................................................3
2.1 Die elektrische Leitfähigkeit.........................................................................................3
2.1.1 Eigenleitung......................................................................................................5
2.1.2 Störstellenleitung..............................................................................................6
2.2 Der pn-Übergang...........................................................................................................7
2.2.1 Der pn-Übergang mit äußerer Spannung..........................................................9
2.2.2 Der pn-Übergang im Durchlassbetrieb.............................................................9
2.2.3 Der pn-Übergang in Sperrrichtung beansprucht.............................................11
2.2.4 Die Durchbruchmechanismen des pn-Überganges.........................................12
2.2.5 Die optimale Gestaltung des pn-Übergangs...................................................13

3 Dioden..................................................................................................................................15
3.1 pn-Diode......................................................................................................................15
3.1.1 Modellbildung einer realen pn-Diode.............................................................16
3.1.2 Die Verlustleistungsberechnung.....................................................................17
3.2 pin-Diode....................................................................................................................18
3.2.1 Das Sperrverhalten.........................................................................................19
3.2.2 Das Durchlassverhalten..................................................................................19
3.2.3 Das Schaltverhalten........................................................................................21
3.2.3.1 Einschalten.....................................................................................22
3.2.3.2 Ausschalten....................................................................................22
3.2.3.3 Schaltverluste.................................................................................24
3.2.4 Reihenschaltung..............................................................................................26
3.2.5 Parallelschaltung.............................................................................................27
3.2.6 Einsatzkriterien für Dioden.............................................................................29
3.3 Solarzelle.....................................................................................................................30

4 Transistoren........................................................................................................................33
4.1 Bipolartransistor..........................................................................................................33
4.1.1 Der bipolare Leistungstransistor.....................................................................36
4.1.2 Die Arbeitspunkte des bipolaren Transistorschalters.....................................37
4.1.3 Nichtsättigungsbetrieb (aktiver Bereich, uBC < 0).........................................37
VIII Inhaltsverzeichnis

4.1.4 Quasisättigungsbetrieb (uBC > 0)...................................................................38


4.1.5 Übersättigungsbetrieb.....................................................................................38
4.1.6 Darlington-Transistoren..................................................................................40
4.1.7 Vergleich Bipolartransistor - Schalter ...........................................................41
4.2 Betriebsarten ..............................................................................................................42
4.2.1 Schalten einer ohmsch-induktiven Last..........................................................43
4.2.2 Schalten eines eingeprägten Stromes..............................................................46
4.2.2.1 Weiches Schalten...........................................................................46
4.2.2.2 Hartes Schalten..............................................................................47
4.2.3 RCD-Beschaltung...........................................................................................48
4.3 Der IG-Feldeffekttransistor (MOSFET).....................................................................49
4.3.1 Aufbau............................................................................................................49
4.3.2 Die Kennlinie..................................................................................................53
4.3.3 Die Gatekapazität...........................................................................................54
4.3.4 Neuere Entwicklungsrichtungen.....................................................................55
4.4 Der IG-Bipolar Transistor (IGBT)..............................................................................56
4.4.1 Aufbau............................................................................................................56
4.4.2 Durchlasseigenschaften..................................................................................57
4.4.3 Das Schaltverhalten........................................................................................58
4.4.3.1 Einschalten.....................................................................................58
4.4.3.2 Ausschalten....................................................................................60
4.4.3.3 Lastwechselfestigkeit ....................................................................62
4.4.4 Sperr- und Blockierverhalten..........................................................................63
4.4.5 Neuere Entwicklungsrichtungen.....................................................................64
4.5 Treiberschaltungen .....................................................................................................65
4.5.1 Ausführung einer Ansteuerung für einen IGBT .............................................68
4.5.2 Gateanschluss.................................................................................................69
4.5.3 Ansteuerung eines Halbbrückenmoduls..........................................................70
4.5.3.1 Impulslogik....................................................................................71
4.5.3.2 Ventilbelastung..............................................................................72

5 Thyristoren.........................................................................................................................73
5.1 Aufbau und Wirkungsweise........................................................................................73
5.2 Kennlinie.....................................................................................................................75
5.3 Das Einschaltverhalten................................................................................................75
5.3.1 Überschreiten der zulässigen Blockierspannung............................................75
5.3.2 Überschreiten der zulässigen Spannungssteilheit ..........................................76
Inhaltsverzeichnis IX

5.3.3 Gatestromzündung..........................................................................................76
5.4 Ausschalten.................................................................................................................79
5.4.1 Netzgeführter Betrieb.....................................................................................79
5.4.2 Selbstgeführter Betrieb...................................................................................80
5.5 Ausführungsformen.....................................................................................................81
5.5.1 Amplifying Gate Struktur...............................................................................82
5.5.2 Zweirichtungs-Thyristoren.............................................................................82
5.5.3 Der asymmetrisch sperrende Thyristor...........................................................82
5.5.4 Der lichtzündbare Thyristor............................................................................83
5.6 Abschaltbarer Thyristor (GTO)..................................................................................83
5.6.1 Der asymmetrische sperrende GTO................................................................83
5.6.2 Ansteuerung....................................................................................................84
5.6.2.1 Einschalten.....................................................................................84
5.6.2.2 Ausschalten....................................................................................84
5.6.3 Betriebsbedingungen für einen GTO..............................................................85
5.6.4 Der IGCT........................................................................................................86
5.7 Auswahl von Leistungsbauelementen.........................................................................86

6 Wärme-Management.........................................................................................................87
6.1 Die Verlustleistung......................................................................................................87
6.2 Das thermische Ersatzschaltbild..................................................................................89
6.2.1 Der innere Wärmewiderstand Rth,JC...............................................................90
6.2.2 Der äußere Wärmewiderstand Rth,CA.............................................................90
6.2.3 Die Wärmekapazität Cth.................................................................................91
6.2.4 Der Wärmewiderstand des Kühlkörpers.........................................................92
6.3 Kühlmedien.................................................................................................................94
6.3.1 Luftkühlung....................................................................................................94
6.3.2 Wasserkühlung...............................................................................................95
6.3.3 Siedekühlung..................................................................................................95

7 Stromrichterschaltungen...................................................................................................97
7.1 Grundfunktionen.........................................................................................................97
7.2 Kennzeichnung von Stromrichterschaltungen.............................................................97
7.3 Einteilung nach der inneren Wirkungsweise...............................................................98
7.4 Leistungssteuerverfahren.............................................................................................99
7.5 Mittelpunktschaltung M1............................................................................................99
7.5.1 Transformator-Bauleistung...........................................................................103
X Inhaltsverzeichnis

7.5.2 Kapazitive Last.............................................................................................104


7.5.3 Ohmsch-induktive Last.................................................................................106
7.5.4 Ohmsch-induktive Last mit Freilaufdiode....................................................107
7.6 Wechselwegschaltung W1........................................................................................108
7.6.1 Stellerbetrieb mit ohmscher Last..................................................................109
7.6.2 Stellerbetrieb mit ohmsch-induktiver Last ...................................................111
7.6.3 Schaltbetrieb mit ohmsch-induktiver Last....................................................112

8 Wechselstromschaltungen...............................................................................................113
8.1 Die Mittelpunktschaltung M2U................................................................................113
8.1.1 Gleichspannungsbildung...............................................................................113
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C................................................................114
8.2.1 Die Wirkungsweise des Steuergenerators.....................................................114
8.2.2 Passive Last..................................................................................................115
8.2.2.1 Ohmsche Last..............................................................................115
8.2.2.2 Ohmsch- induktive Last ..............................................................116
8.2.3 Aktive Last....................................................................................................118
8.2.4 Ventilbelastung ............................................................................................121
8.2.5 Trafo- und Netzgrößen.................................................................................122
8.2.6 Bemessung einer Glättungsinduktivität........................................................123
8.2.7 Die Kommutierung.......................................................................................125
8.2.7.1 Überlappung u.............................................................................126
8.2.7.2 Die induktive Gleichspannungsänderung....................................128
8.3 Die Brückenschaltung B2..........................................................................................131
8.3.1 Ventilbelastung.............................................................................................132
8.3.2 Transformatorbauleistung.............................................................................132

9 Drehstromschaltungen.....................................................................................................133
9.1 Die Mittelpunktschaltung M3...................................................................................133
9.1.1 Gleichspannungsbildung...............................................................................134
9.1.1.1 Ohmsche Last .............................................................................135
9.1.1.2 Aktive Last...................................................................................137
9.1.2 Ventilbelastung.............................................................................................138
9.1.2.1 Spannung.....................................................................................138
9.1.2.2 Strom...........................................................................................140
9.1.3 Netzstrom......................................................................................................141
9.1.4 Die Kommutierung ......................................................................................142
Inhaltsverzeichnis XI

9.1.4.1 Einfluss auf die Gleichspannung.................................................143


9.1.4.2 Berechnung des induktiven Gleichspannungsabfalls...................145
9.1.4.3 Kommutierungseinfluss auf die Ventilspannung.........................147
9.2 Die Brückenschaltung B6.........................................................................................148
9.2.1 Gleichspannungsbildung...............................................................................148
9.2.2 Leitzustände der Ventile...............................................................................149
9.2.3 Stromrichtereingangsstrom...........................................................................151
9.2.4 Netzstrom......................................................................................................151
9.3 Zündimpulse..............................................................................................................152
9.3.1 Gleichspannungsbildung...............................................................................154
9.3.2 Einfluss der Kommutierungen......................................................................156
9.4 12-pulsige Schaltungen ............................................................................................160
9.4.1 Stromrichter-Reihenschaltung......................................................................161
9.4.2 Stromrichter-Parallelschaltung.....................................................................162
9.5 Höherpulsige Schaltungen.........................................................................................164

10 Netzrückwirkungen..........................................................................................................165
10.1 Blindleistungsverhalten.............................................................................................165
10.1.1 Die Kennlinie der Steuerblindleistung..........................................................166
10.1.2 Oberschwingungsblindleistung.....................................................................167
10.2 Stromoberschwingungen...........................................................................................168
10.2.1 Stromglättung...............................................................................................168
10.2.2 Spannungsglättung........................................................................................171
10.2.2.1 Passive PFC-Schaltung................................................................172
10.2.2.2 Aktive PFC-Schaltung.................................................................173
10.3 Spannungsoberschwingungen...................................................................................175
10.3.1 B2-Schaltung................................................................................................175
10.3.2 B6-Schaltung ...............................................................................................177

11 Lastgeführte Stromrichter..............................................................................................183
11.1 Schwingkreiswechselrichter......................................................................................183
11.1.1 Betrieb mit eingeprägter Gleichspannung ...................................................183
11.1.2 Betrieb mit eingeprägtem Gleichstrom ........................................................186
11.1.3 Vergleich der Wechselrichtertypen..............................................................188
11.1.4 Schwingkreiswechselrichter mit abschaltbaren Ventilen..............................188
11.1.5 Strom- und spannungsloses Schalten............................................................190
11.1.6 Anwendungsbeispiel zum stromlosen Schalten (ZCS).................................191
XII Inhaltsverzeichnis

12 Selbstgeführte Stromrichter............................................................................................193
12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR)...................................................193
12.1.1 Mittelpunktschaltung mit AC-seitigem Mittelpunkt ....................................194
12.1.2 Ausführungsbeispiel mit Thyristorschalter...................................................195
12.1.3 3-phasige Brückenschaltungen.....................................................................198
12.1.3.1 Betrieb mit passiver Last ...........................................................200
12.1.3.2 Betrieb mit einer Drehfeldmaschine............................................200
12.1.3.3 Wechselrichter mit Phasenfolgelöschung....................................202
12.2 Wechselrichter mit eingeprägtem Strom (IWR).......................................................204
12.2.1 Prinzip...........................................................................................................204
12.2.2 Wechselrichter mit Phasenfolgelöschung.....................................................207
13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR.....................................................................211
13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter).................................................212
13.1.1 Schaltfunktionen...........................................................................................213
13.1.2 Kurzzeit-Mittelwert......................................................................................214
13.1.3 Der Modulator..............................................................................................216
13.1.4 Modulationsfunktion ....................................................................................216
13.1.5 Aussteuerung................................................................................................217
13.1.6 1-phasige Brücke .........................................................................................218
13.1.6.1 Grundfrequenztaktung.................................................................219
13.1.6.2 Schwenksteuerung.......................................................................220
13.1.6.3 Pulsbreitenmodulation.................................................................221
13.1.7 3-phasige Brücke..........................................................................................222
13.1.7.1 Die Spannungsbildung.................................................................223
13.1.7.2 Der Zwischenkreisstrom .............................................................226
13.2 Schaltungen in Dreipunkttechnik (3-level-inverter)..................................................230
13.2.1 Einphasige Brückenschaltung.......................................................................233
13.2.2 3-phasige Brückenschaltung.........................................................................234
13.3 Multi-level-Schaltungen............................................................................................237

14 Drehstromgrößen in Raumzeigerdarstellung................................................................239
14.1 Raumzeigertransformation........................................................................................239
14.2 Stromrichterspeisung.................................................................................................241
15 Steuerverfahren für UWR...............................................................................................243
15.1 Begriffe.....................................................................................................................243
15.2 Die Grundfrequenzsteuerung....................................................................................246
Inhaltsverzeichnis XIII

15.3 Die Pulsbreitenmodulation (PWM)...........................................................................247


15.3.1 Digitale Schaltungen.....................................................................................250
15.3.2 Schaltfunktionen für 3-phasige Schaltungen................................................251
15.3.3 Steuerkennlinie.............................................................................................254
15.3.4 Off-line optimierte Schaltfunktionen............................................................256
15.3.5 Eliminationsmethode ...................................................................................256
15.3.6 Optimierte Pulsmuster..................................................................................258
15.3.7 Raumzeigermodulation.................................................................................258
16 Stromrichter und Maschinen..........................................................................................261
16.1 Gleichstrommaschinen..............................................................................................261
16.2 Elektronikmotor........................................................................................................264
16.3 Stromrichtermotor.....................................................................................................265
16.4 Drehfeldmaschinen....................................................................................................267
16.5 Zusatzverluste durch Stromrichterspeisung..............................................................271
16.6 Leistungssteuerung bei konstanter Ständerfrequenz.................................................272
16.6.1 Drehstromsteller W3.....................................................................................273
16.6.2 Pulsgesteuerter Läuferwiderstand.................................................................274
16.6.3 Stromrichterkaskade.....................................................................................275
16.6.3.1 Ausführung mit Stromzwischenkreis...........................................276
16.6.3.2 Spannungszwischenkreis.............................................................277
16.7 Leistungssteuerung bei variabler Ständerfrequenz....................................................279
16.7.1 Prinzip des Direktumrichters........................................................................279
16.7.2 3-phasiger Direktumrichter...........................................................................282
16.7.3 Frequenzumrichter........................................................................................282
16.7.3.1 U/f-Kennliniensteuerung..............................................................285
16.7.3.2 Feldorientierte Regelung.............................................................286
16.7.4 Abschätzung der Zwischenkreisgrößen........................................................288

17 Leistungselektronik und EMV........................................................................................289


17.1 Grundbegriffe............................................................................................................289
17.1.1 Störgrößen in der Leistungselektronik..........................................................290
17.1.2 Störfestigkeit.................................................................................................292
17.1.3 Störvermögen................................................................................................292
17.1.4 Leitungsgebundene Störungen......................................................................292
17.1.5 Nicht leitungsgebundene Störungen.............................................................292
17.1.5.1 Kapazitive Beeinflussungen........................................................292
17.1.5.2 Induktive Beeinflussungen...........................................................293
XIV Inhaltsverzeichnis

17.1.5.3 Elektromagnetische Beeinflussungen..........................................293


17.1.6 Psophometrischer Störstrom.........................................................................294
17.2 Netzfilter...................................................................................................................294
17.3 Motoranpassung an den Stromrichter.......................................................................298
17.3.1 Lagerströme..................................................................................................298
17.3.2 Wanderwellenprobleme................................................................................298
17.3.3 Ausgangsfilter...............................................................................................301
17.4 Weitere Maßnahmen.................................................................................................302

18 Gleichspannungswandler.................................................................................................305
18.1 Tiefsetzsteller............................................................................................................305
18.2 Ausführungsbeispiel zum Tiefsetzsteller..................................................................305
18.3 Gleichstromsteller.....................................................................................................306
18.4 Gleichstromsteller mit aktiver Last...........................................................................309
18.5 Hochsetzsteller..........................................................................................................311
18.6 Hoch-Tiefsetzsteller..................................................................................................312
18.7 Sperrwandler.............................................................................................................314
18.8 Durchflusswandler.....................................................................................................315
18.9 Schaltnetzteile...........................................................................................................316
18.9.1 Sekundär getaktetes Netzteil (AC-DC-Wandler)..........................................317
18.9.2 Primär getaktetes Netzteil (AC-DC-Wandler)..............................................317
18.9.3 Elektronischer Transformator (AC-AC-Wandler)........................................318
18.9.4 Energiesparlampe.........................................................................................318

19 Stromversorgungen..........................................................................................................319
19.1 Unterbrechungsfreie Stromversorgungen..................................................................319
19.1.1 Online-Systeme.............................................................................................320
19.1.2 Offline-Systeme............................................................................................320
19.2 Photovoltaische Stromversorgungen.........................................................................321
19.3 Brennstoffzellen-Stromversorgungen........................................................................321
19.4 Energiespeicher.........................................................................................................323

Formelzeichen..........................................................................................................................327
Weiterführende Literatur......................................................................................................329
Sachwortverzeichnis...............................................................................................................330
1

1 Was ist Leistungselektronik ?

Energieversorgungsnetze stellen ein- bzw. mehrphasige sinusförmige Spannungen fester Fre-


quenz zur Verfügung. Zahlreiche Verbraucher benötigen elektrische Energie in anderer Form,
zum Beispiel als Gleichspannung für den Betrieb von elektronischen Geräten oder als Wech-
selspannung mit veränderbarer Amplitude und Frequenz für den Betrieb von drehzahlvariablen
Antrieben z. B. in Werkzeugmaschinen, Positionier- oder Lokomotivantrieben. Der Energie-
fluss kann sich auch umkehren, so dass im Bremsbetrieb Energie zurückgewonnen werden
kann. Hierdurch steigt der Wirkungsgrad an und der Verschleiß mechanischer Bremsen wird
verringert. Bei Ausfall des Energieversorgungsnetzes können die Verbraucher mit Hilfe
leistungselektronischer Einrichtungen aus einer Batterie versorgt werden.
Die Leistungselektronik formt die bereitgestellte elektrische Energie in die vom Verbraucher
benötigte Form um. Diese Umwandlung erfolgt verlustarm durch den Einsatz elektronischer
Schalter. Durch den Schalterbetrieb unterscheidet sich die Leistungselektronik von der Ana-
logelektronik, bei der eine Spannungsumformung durch lineare Stellglieder (Transistor)
ähnlich wie bei einem Spannungsteiler erfolgt und daher mit hohen Verlusten verbunden ist.
Leistungselektronik ist nach Abb. 1-1 das Bindeglied zwischen dem Energieerzeuger und dem
Energieverbraucher. In das Fachgebiet der Leistungselektronik eingeschlossen sind die erfor-
derlichen Mess-, Steuer- und Regeleinrichtungen.

Energieerzeuger

μP-basierte Mess-, Steuer- und


Regeleinrichtungen
Leistungselektronik

Feldbus

Energieverbraucher
Abbildung 1-1 Übersicht

Der größte Nutzen der Leistungselektronik besteht derzeit in einem verminderten Energiever-
brauch bei leistungselektronischen Systemen. Dazu tragen erheblich reduzierte Verluste in den
Bauelementen selbst sowie optimierte Steuer- und Regelungsverfahren mit immer kürzeren
Regelzeiten bei. Darüber hinaus führt der zunehmende Einsatz der Leistungselektronik zu
einer erhöhten Zuverlässigkeit elektrischer Systeme und zu Geräusch- und Gewichts-
reduktionen. Leistungselektronik ist daher eine Schlüsseltechnologie mechatronischer
Systeme. Da elektrische Energie in unterschiedlichen Formen eingesetzt wird, wie z. B. als
Gleich-, Wechsel- oder Drehstromenergie, so sind bei der Energieumformung verschiedene
Funktionen erforderlich, die in Abb. 1-2 dargestellt sind.
Die Leistungselektronik kann auf eine jahrzehntelange Entwicklung zurückblicken. Nach der
Entdeckung der Ventilwirkung eines Lichtbogens wurde 1902 der Quecksilberdampf-Gleich-
2 1 Was ist Leistungselektronik ?

richter entwickelt. Mit diesem Stromrichterventil entstand auch der Begriff der Stromrichter-
technik. Die Möglichkeit zur verlustarmen Steuerung des Energieflusses durch Anwendung
der Gittersteuerung brachte ab 1925 den Durchbruch für stromrichtergespeiste Anlagen und
Antriebe. Eine neue Entwicklung setzte ab 1958 mit Halbleiterbauelementen ein. Diese
Bauelemente führten zu Anlagen mit vergleichsweise geringem Gewicht und geringem
Platzbedarf bei hohem Wirkungsgrad und hoher Zuverlässigkeit. Mitte der sechziger Jahre
folgte schließlich aus der Stromrichtertechnik der Begriff der Leistungselektronik.

Wechsel- oder §
Gleichstromenergie Abbildung 1-2
Drehstromenergie =
Grundfunktionen der
Gleichrichter Leistungselektronik

§ Wechselstrom- Gleichstrom- =
§ umrichter umrichter =

Wechselrichter
Wechsel- oder §
Gleichstromenergie
Drehstromenergie =

Die zunehmende Schaltleistung der Bauelemente ist mit immer kürzeren Schaltzeiten verbun-
den. Die gleichzeitig zunehmende Leistungsdichte leistungselektronischer Geräte führt zum
einen zur gegenseitigen Beeinflussung der Bauelemente durch elektrische und magnetische
Felder sowie die Abstrahlung dieser Felder nach Außen (Elektromagnetische Verträglichkeit,
EMV), zum anderen werden hocheffektive Kühlsysteme zur Abführung der elektrischen Ver-
lustleistung erforderlich. Beide Problemfelder bestimmen heute im Wesentlichen die Leis-
tungsfähigkeit und Ausführung moderner leistungselektronischer Geräte und Anlagen. Einen
Überblick über derzeit eingesetzte – und in diesem Lehrbuch behandelte Halbleiterventile –
zeigt Abb. 1-3.

Halbleiterventile

nicht steuerbar steuerbar

einschaltbar ein- und ausschaltbar

pn-Diode Thyristor GTO/IGCT

psn-Diode Triac BT

MOS

IGBT

Abbildung 1-3 Übersicht über heute eingesetzte Halbleiterventile


3

2 Grundlagen

Als Halbleiter werden Elemente bzw. Verbindungen bezeichnet, deren spezifischer Widerstand
bei Normaltemperatur (25 °C) zwischen den Werten von Metallen und Isolatoren liegt.
Typische Halbleitermaterialien sind Germanium und Silizium. Im Unterschied zu den Metallen
weist der elektrische Widerstand von Halbleitern einen negativen Temperaturkoeffizienten auf,
d. h. der Widerstand sinkt wenn die Temperatur steigt. Ein reiner Halbleiter ist beim absoluten
Nullpunkt (0 K) ein Isolator. Das Verhalten von Si- bzw. Ge-Halbleitern wird mit dem Ziel
beschrieben, das Verständnis für den Leitungsmechanismus von Halbleiter-Bauelementen zu
fördern und deren Kennlinien und Einsatzbedingungen zu verstehen.
Leiter ( Metalle ) Halbleiter Nichtleiter ( Isolatoren )
Si

Cu Fe Ge Marmor

10-10 10-5 100 10+5 10+10 10+15 10+20


Spezifischer Widerstand ˁ in ʰ ŏ c m

2.1 Die elektrische Leitfähigkeit


Die Stromstärke I in einem Leiter ist nach Gl. (2-1) definiert als Elektrizitätsmenge q, die je
Zeiteinheit durch den Leiterquerschnitt A fließt.

As
mit q = eŏn in 3
folgt für I eŏnŏʽŏA in A (2-1)
cm
ė19
e Elementarladung (1,602ŏ10 As )
n, p Konzentration beweglicher Ladungsträger in cmė3
ʽ Driftgeschwindigkeit in Richtung des elektrischen Feldes in cm /s
A Fläche in cm2
Bezieht man den Strom I auf den Querschnitt A, so erhält man für die Stromdichte j:
I A
Stromdichte: j eŏnŏʽ in (2-2)
A cm 2

Mit der spezifischen Leitfähigkeit ˂ und der Feldstärke E folgt für die Stromdichte j:
A V 1
j ˂ŏE in [ E] = , [˂] = (2-3)
cm 2 cm ʰ cm
4 2 Grundlagen

Durch Umstellen von Gl. (2-3) folgt für die spezifische Leitfähigkeit˂.

j ʽ ʽ
˂ = eŏnŏ eŏnŏʼ in ʰė1 cmė1 mit μ (Beweglichkeit) (2-4)
E E E
Der Quotient ʽ E wird als Beweglichkeit μ bezeichnet und ist ein Maß dafür, wie schnell
sich die Ladungsträger im Gitterverband bei gegebener elektrischer Feldstärke E in Feld-
richtung bewegen können. Die Bewegung wird durch häufige Zusammenstöße behindert, so
dass für die Ladungsträger nur eine mittlere Geschwindigkeit angegeben werden kann. Die
Werte für μ liegen bei Metallen zwischen (10...100) cm2/Vs, für Halbleitermaterialien wie
Germanium und Silizium zwischen (400...4000) cm2/Vs.
Während bei Metallen die Leitfähigkeit nur durch die Anzahl freier Elektronen bestimmt wird,
sind im Halbleiter neben den freien Elektronen (Konzentration n) auch Defektelektronen bzw.
Löcher (Konzentration p) vorhanden. Löcher und Elektronen zeigen unterschiedliche Beweg-
lichkeiten (μnIJ3μp). Daher wird Gl. (2-4) erweitert zu:

Leitfähigkeit ˂ eŏμnŏn ʅ eŏμ pŏp in ʰė1 cmė1 (2-5)

Typische μ-Werte für Germanium (Ge) und Silizium (Si) sowie zusätzlich für Siliziumcarbid
(SiC) zeigt folgende Tabelle:1

Tabelle 2.1 Kenndaten von Halbleitermaterialien

Größe Ge Si SiC Einheit

Elektronenbeweglichkeit μn 3900 1900 800 cm²/Vs

Defektelektronenbeweglichkeit μp 1900 425 115 cm²/Vs

Bandabstand Eg 0,67 1,1 3,2 eV

max. Feldstärke Emax 0,1 0,25 2,4 MV/cm

Durch Einsetzen von Gl. (2-5) in Gl. (2-3) erhält man für die Stromdichte j:

j ˂ŏE E ʛeŏμnŏn ʅ eŏμpŏpʜ (2-6)

Mit Gl. (2-4) erhält man schließlich:


j eŏʛnŏv n ʅ pŏv p ʜ (2-7)

À Der Strom i setzt sich bei Halbleitern immer aus einem Löcherstrom und einem Elektro-
nenstrom zusammen. Löcher- und Elektronenstrom zeigen unterschiedliche Leitfähig-
keiten.

1Quelle: EPE 97, pp1514 „switching behavior of diodes based on new semiconductor materi-
als and silicon“ (M .Bruckmann u. a.)
2.1 Die elektrische Leitfähigkeit 5

2.1.1 Eigenleitung
Valenzelektron
Abbildung 2-1
Atomrest Si Si Si
Aufbau eines Silizium-
Elektronenpaar kristallgitters
+ Si Si Si Bei 0 K gibt es keine freien
Ladungsträger und damit ist
kein Stromfluss möglich.
Si Si Si À Das Material verhält sich
bei 0 K wie ein Isolator.
Si-Atom Si-Kristallgitter

Den Aufbau des Kristallgitters von Silizium bei T = 0 K zeigt idealisiert Abb. 2-1. Bei einer
Temperatur größer 0 K bewegen sich die Atome regellos um ihre Ruhelage im Kristallgitter.
Durch die kinetische Energie der Elektronen besteht die Möglichkeit für das Aufbrechen einer
Bindung, d. h. ein (Valenz-)Elektron kann sich aus dem Atomverband lösen und sich im
Kristallgitter als Ladungsträger frei bewegen (Abb. 2-2). Ein gelöstes Elektron hinterlässt eine
positiv geladene Lücke im Kristallgitter (Loch, Defektelektron), so dass gleichzeitig zwei
Ladungsträger entstehen. Die Bildung eines Leitungselektrons (-) und eines Defektelektrons
(+) wird als Genera tion bezeichnet. Ein benachbartes Leitungselektron, welches ebenfalls
aus dem Atomverband gelöst ist, kann die positive Lücke wieder schließen (Re k o m -
b i n at io n) und es wird Energie frei. Generation und Rekombination stehen im Gleichgewicht,
d. h. zu jedem freien Elektron gehört eine positive Fehlstelle im Kristallgitter (n = p). Die
Anzahl an p- und n-Ladungsträgern ist temperaturproportional und wird als intrinsische
Trägerdichte ni nach Gl. (2-8) beschrieben.
Eg
ė
(2-8)
intrinsische Trägerdichte pŏn = ni = n2i0ŏT 3ŏe kŏT

T : Absolute Temperatur
Eg : Bandabstand
Jė23
k : 1,380658ŏ10 ( Boltzmann-Konstante )
K
n i0 ʛSi ʜ = 4,62ŏ1015 cmė3 Kė3 2

Im absoluten Nullpunkt (T = 0 K) sind nach Gl. (2-8) keine freien Ladungsträger vorhanden.
Bei Raumtemperatur (T = 300 K) beträgt für Silizium die Ladungsträgerdichte ni ca. 1010/cm³.
Dann entsteht unter dem Einfluss eines äußeren elektrischen Feldes E im Halbleiter ein Strom-
fluss, der als Eige n le itu ng bezeichnet wird. Die Defektelektronen (Löcher) bewegen sich in
Feldrichtung, die Elektronen bewegen sich gegen die Feldrichtung. Die Stromdichte kann bei
Eigenleitung ausgehend von Gl. (2-7) wegen n = p durch Gl. (2-9) beschrieben werden.
j eŏnŏʛv n ʅv p ʜ (2-9)
Ferner können Ladungsträger durch Photonen ausreichender Energie freigesetzt werden sowie
durch eine gezielte Verunreinigung des Halbleiters mit Fremdatomen, der Dotierung.
6 2 Grundlagen

E
Abbildung 2-2

Elektron Prinzip der Eigenleitung


Flugzeit = Ladungsträger- Si
Lebensdauer
Loch
Es entsteht immer ein Elektronen-
ė + Loch-Paar. Die Generation kann
ė Vernichtung eines durch thermische Energie oder
Ladungsträgerpärchens durch Photonenenergie erfolgen.
Si + Si Si (Rekombination)
Durch Energiezufuhr steigt die
intrinsische Trägerdichte an.
Aufbrechen der Bindung
(Generation)

2.1.2 Störstellenleitung
Die Entwicklung von Halbleiter-Bauelementen war erst möglich, als man die Ladungsträger-
dichte gezielt festlegen konnte. Durch eine Dotierung des Halbleitermaterials mit Fremd-
atomen ist eine Einstellung der Ladungsträgerdichte bei einer definierten Temperatur möglich.
Da die Fremdatome Störstellen im Halbleiterkristall erzeugen, spricht man von einer S tö r -
ste ll e n le it u n g . Je nach Wertigkeit der Fremdatome erhält man ein Material mit Elektronen-
überschuss (n-Halbleiter, Elektronenleitung) oder Elektronenmangel (p-Halbleiter, Löcher-
leitung). Wird das 4-wertige Silizium mit einem 5-wertigen Material wie z. B. Phosphor,
Arsen, Antimon dotiert, so steht in Abb. 2-3a pro Fremdatom ein überschüssiges Elektron als
Leitungselektron zur Verfügung. Die Bindungskräfte dieses überschüssigen Elektrons sind im
Siliziumgitter stark herabgesetzt und es kann leicht aus dem Atomverband gelöst werden. Wird
a) b)
Abbildung 2-3
Si Si Si Si Si Si
Dotiertes Silizium
a) 5-wertig
Si As Si Si B + Si Arsen (As), Phosphor (P),
Antimon (Sb)
b) 3-wertig
Si Si Si Si Si Si Bor (B), Aluminium (Al),
Gallium (Ga), Indium (In)
n-Halbleiter p-Halbleiter

das 4-wertige Silizium mit einem 3-wertigen Material dotiert, so verschluckt die positive
Fehlstelle des nicht gebundenen vierten Si-Elektrons förmlich ein Elektron und es herrscht
Elektronenmangel (p > n, p -H a lb le iter). Es kommt in Abb. 2-3b zu einer Löcherleitung.
Sowohl die n- als auch die p-Halbleiter sind trotzdem nach Außen elektrisch neutral. In den n-
Gebieten werden die für den Stromfluss verantwortlichen beweglichen Elektronen durch
zahlenmäßig gleich viele ortsfest im Siliziumgitter sitzende positive Ladungen (Donatoren)
kompensiert. Die positiv geladenen beweglichen Löcher in den p-Gebieten werden durch die
ortsfesten negativen Ladungen (Akzeptoren) kompensiert. Ein n- oder p-dotiertes Gebiet
entspricht einem ohmschen Widerstand. Die Leitfähigkeit des Halbleiters kann durch
Dotierung um bis zu vier Zehnerpotenzen eingestellt werden. Sind alle Störstellen im
Halbleiter ionisiert, so spricht man von einer Störstellenerschöpfung. Bei extrem
2.2 Der pn-Übergang 7

tiefen Temperaturen (< 70 K) sind viele Störstellen nicht ionisiert und es besteht eine Stör-
stellenreserve. Die eingestellte Trägerdichte wird nicht erreicht. Bei hohen Temperaturen
übersteigt die Eigenleitungs-Trägerdichte die Dotierungsdichte, wodurch die eingestellte
Trägerdichte ebenfalls unwirksam wird.
À Der praktische Einsatz von Halbleiterbauelementen kann daher nur in einem bestimmten
Temperaturbereich erfolgen (typisch: í40 °C < - < 160 °C).
À Aufgrund der nach Tab. 2.1 höheren Beweglichkeit von Elektronen gegenüber Löchern hat
der n-Typ bei gleichem Querschnitt eine bessere elektrische Leitfähigkeit als der p-Typ.

2.2 Der pn-Übergang


Berühren sich ein p-dotiertes und ein n-dotiertes Halbleitermaterial, so spricht man im
Grenzgebiet von einem pn-Übergang. Im n-Gebiet herrscht im Vergleich zum p-Gebiet ein
Elektronenüberschuss. Dieser Überschuss will sich durch Diffusion in das p-Gebiet ausglei-
chen. Es kommt zu einen Ladungsträgeraustausch zwischen beiden Gebieten, dem D if f u-
s io n s s tr o m. Elektronen des n-Gebietes diffundieren in die positiven Fehlstellen des p-
Gebietes. Dabei erzeugen die eindiffundierten Elektronen ortsfeste negative Ladungen (-) im
p-Gebiet. Im n-Gebiet entstehen durch die Elektronenabwanderung ortsfeste positive Ladun-
gen (+). Durch Diffusion verschwinden im Laufe der Zeit alle frei beweglichen Ladungsträger
aus der Grenzschicht. Die Folge ist eine sehr geringe elektrische Leitfähigkeit in der Grenz-
schicht (Isolator). Die beiderseits des pn-Überganges angelagerten ortsfesten Ladungen erzeu-

E
Abbildung 2-4
negativ geladen positiv geladen E
Symmetrischer pn-
-Q +Q Übergang
p-Halbleiter n-Halbleiter
elektrisch neutral - + elektrisch neutral - +
Die Grenzschicht wird
xL xR Ersatzanordnung als Raumladungszone
0 (RLZ) bezeichnet.
Grenzschicht,
keine freien Ladungsträger

gen in der Grenzschicht eine elektrische Feldstärke E, die wiederum eine Elektronenbewegung
gegen die Feldrichtung hervorruft, den D r i f t s t r o m . Der Driftstrom ist gegen den Diffusions-
strom gerichtet und behindert den Ladungsausgleich. Sobald der Driftstrom gleich dem Diffu
sionsstrom ist, findet keine Veränderung der Ladungsverteilung mehr statt und man erhält eine
stabile Ladungsverteilung in der Grenzschicht, die als Raumladungszone (RLZ) nach Abb. 2-4
bezeichnet wird. Die Breite der Raumladungszone hängt von der Höhe der Dotierung ab. Je
geringer die Dotierung ist, desto weiter dehnt sich die Raumladungszone aus. Die ortsfeste
Ladung links und rechts vom pn-Übergang wird durch die Raumladungsdichte U(x)beschrie-
ben. Die Integration der Raumladungsdichte über das Volumen dV = A dx (A: Querschnitts-
fläche) liefert in Gl. (2-10) die Gesamtladung Q.

xR

Ladung im n-Gebiet: ʅQ ĩ ˁʛ x ʜ A d x (2-10)


0
8 2 Grundlagen

Wird in Abb. 2-5 angenommen, dass die Raumladungsdichte U (x) über x abschnittweise
konstant ist, so vereinfacht sich die Integration in Gl. (2-10) zu:

ʅQ ʅˁ A x R bzw. ėQ ėˁ A xL (2-11)

xR bzw. xL sind bei der angenommenen symmetrischen Dotierung gleich der halben Breite der
Raumladungszone (dRLZ). Bezieht man Gl. (2-10) auf die Dielektrizitätskonstante H des
Halbleitermaterials, so erhält man mit Gl. (2-12) eine Aussage über die von der Raumladungs-
dichte ȡ(x) hervorgerufene elek trisch e Feld stä rke E( x ) im Halbleitermaterial (ein-
dimensionale Poisson-Gleichung).
x
1 ˁŏx
Feldstärke: E ʛ xʜ ŏĩ ˁ ʛx ʜ d x für ˁ ʛ xʜ ˁ = konstant (2-12)
ʵ x ʵ
L

Die Integration der Feldstärke E(x) liefert mit Gl. (2-13) schließlich den Verlauf des
elektrischen Potenzials ij ( x ). Die Potenzialdifferenz 'M = ij(xR) í ij(xL) wird als Diffusions-
spannung U D bezeichnet. Die Diffusionsspannung U D besitzt für jedes Halbleitermaterial
einen typischen Wert. Für Silizium beträgt UD bei Raumtemperatur ca. 0,7 V.
x
ˁŏx 2
Potenzialverlauf ˍ ʛ xʜ ė ĩ E ʛ xʜ d x ė (2-13)
xL
ʵŏ2

feldfrei feldfrei
Raumladungszone Abbildung 2-5

p n Feldstärke- und Potenzialverlauf eines


ungestörten symmetrischen pn-Überganges
Breite dRLZ
ȩ Im extrinsischen Temperaturbereich ist
ˁ ˁ (x) die Trägerdichte temperaturunabhängig
+ (Normaler Betriebszustand).
xL 0 xR x ȩ Bei hohen Temperaturen, im
-
intrinsischen Temperaturbereich, steigt
die Trägerdichte mit zunehmender
Erwärmung an (Kein normaler
E
Betriebszustand).
x
Emax UD = ij(xR) í ij(xL)
E(x)

ˍ
ˍ (x)
UD

0 x
2.2 Der pn-Übergang 9

2.2.1 Der pn-Übergang mit äußerer Spannung


Legt man an die pn-Struktur nach Abb. 2-6 eine elektrische Spannung, so wird die Feldstärke
E über der Raumladungszone je nach Polarität verstärkt oder geschwächt. Änderungen der
Feldstärke beeinflussen aber den Driftstrom, so dass sich mit der angelegten Spannung die
Breite der Raumladungszone ändert.
U0
iF Abbildung 2-6
R
pn-Übergang in Durchlassrichtung
UD gepolt
ȩ Die Breite der Raumladungszone
p n dRLZ ändert sich mit der
angelegten Spannung U0.
dRLZ

Wenn die äußere Spannung U0 entgegen gerichtet ist zur Diffusionsspannung UD, so wird der
Driftstrom geschwächt. In der Folge wird die isolierende Raumladungszone schmaler. Erreicht
U0 den Wert der Diffusionsspannung UD, so ist die Raumladungszone völlig abgebaut, d. h.
die ladungsträgerfreie Zone verschwindet und die isolierende Wirkung der Raumladungszone
ist aufgehoben. Ein Stromfluss über den pn-Übergang hinweg ist nun möglich. Diese Polung
wird daher mit Durchlassrichtung bezeichnet. Im Falle der entgegengesetzten Spannungs-
polarität wird die Raumladungszone durch den verstärkten Driftstrom breiter, ein Stromfluss
ist in dieser Polung nicht möglich. Diese Polung wird mit Sperrrichtung bezeichnet.

2.2.2 Der pn-Übergang im Durchlassbetrieb


Ist die äußere Spannung in Durchlassrichtung gepolt und größer als die Diffusionsspannung
UD, so fließt scheinbar ein Elektronenstrom durch den pn-Übergang. Damit der pn-Übergang
an den Stromkreis angeschlossen werden kann, sind in Abb. 2-7 metallische Kontakte jeweils
an der n- bzw. p-Zone vorgesehen. In der n-Zone bildet sich ein Elektronenstrom in, in der p-
Zone ein Löcherstrom ip aus. Die Ladungsträger, also Löcher und Elektronen, bewegen sich
als Diffusionsströme aufeinander zu. Beim Zusammentreffen Loch-Elektron findet eine
Rekombination statt, beide Ladungsträger sind damit in ihrer Wirkung neutralisiert. Bei einem
idealen pn-Übergang würde diese Rekombination unmittelbar am pn-Übergang erfolgen.
metallische Rekombination
im pn-Übergang technische
Leitung
Stromrichtung

-
Elektronenstrom Löcherstrom ip + - Elektronenstrom in

p n
Abbildung 2-7 Stromfluss im idealen pn-Übergang

In realen Halbleitern verläuft dieser Rekombinationsvorgang auch beiderseits des pn-Über-


ganges. Deshalb sind in Abb. 2-8 die Rekombinationsvorgänge nicht unmittelbar am pn-
Übergang abgebildet. Man bezeichnet die in die anders dotierte Zone „übergelaufenen“
10 2 Grundlagen

Ladungsträger jeweils als Minoritätsladungsträger. So sind Elektronen in der n-Zone zwar


Majoritätsladungsträger, in der p-Zone aber Minoritätsladungsträger.

Rekombination
I
+ -
Elektronenstrom in
- Löcherstrom ip
+ -

Rekombination

p n
Abbildung 2-8 Stromfluss beim realen pn-Übergang
Die Rekombinationsvorgänge links und rechts vom pn-Übergang erzeugen im zeitlichen Mittel
eine Ladungsträgerverteilung, wie sie in Abb. 2-9 über der x-Achse dargestellt ist. Die Aus-
dehnung der Raumladungszone sei vernachlässigbar klein, die p- und n-Zone ist feldfrei.

pn-Übergang
p-Zone n-Zone

p(x) n(x)
Löcherstrom Elektronenstrom
log p, n

(Diffusionsstrom) (Diffusionsstrom)

Elektronenspeichereffekt Löcherspeichereffekt

n0 p0

x
Abbildung 2-9 Ladungsträgerkonzentration in der Umgebung des pn-Übergangs

Majoritätsladungsträger diffundieren jeweils als Minoritätsladungsträger in die gegenüber-


liegende, entgegengesetzt dotierte Zone ein und ermöglichen durch Rekombination im Bereich
des pn-Überganges die Stromübergabe von Löcherstrom (p-Zone) zu Elektronenstrom (n-
Zone). Je nachdem wie vollständig diese Rekombination erfolgt, verbleiben jenseits des pn-
Überganges unterschiedliche Ladungsmengen (Speicherladung, Diffusionsladung). Diese
übergabefähige Ladung Q ist von der Höhe des Durchlassstromes Id und der Lebensdauer der
Minoritätsladungsträger ˃L abhängig und berechnet sich nach Gl. (2-14).
Q I d ŏ˃L ˃L 1 μs... 10 μs (2-14)

Solange diese Ladungsträger existieren, besteht unabhängig von der Polung der äußeren
Spannung eine elektrische Leitfähigkeit.
ȩ Bei bipolaren Leistungshalbleitern beeinflusst die gespeicherte Ladung Q das dynamische
Verhalten beim Übergang vom Sperr- in den Leitzustand bzw. vom Leit- in den Sperr-
zustand (Trägerspeichereffekt).
2.2 Der pn-Übergang 11

2.2.3 pn-Übergang in Sperrrichtung beansprucht


UR Abbildung 2-10
Symmetrischer pn-Über-
gang in Sperrrichtung
p + - n belastet
feldfrei Sperrstrom iR-th feldfrei Die angelegte Spannung
UR und die Diffusions-
n0 Minoritätsladungen spannung UD bilden die
n0 p0
p0 Sperrstrom iR-M Spannung über die
- +
Raumladungszone URLZ:
x
Raumladungszone, dRLZ URLZ = UD + UR
ˁ
ˁ (x) + Für die Breite der Raum-
ladungszone (dRLZ) gilt:
xl 0 xr x
ė
ʎ
d RLZa U RLZ

a) In der RLZ entsteht


durch thermische
ˍ UR Prozesse der
temperaturabhängige
ˍ (x) URLZ Sperrstrom iR-th.

UD b) Die Minoritäts-
ladungen werden durch
URLZ über die RLZ
0 x abgesaugt, wodurch der
Sperrstrom iR-M fließt.
-E
Für UR > 100 mV bleibt
Emax iR-M konstant und wird
E(x)
als Sperrsättigungsstrom
IS bezeichnet.
Si: iR-th > iR-M

Durch Anlegen einer Spannung in Sperrrichtung werden die Majoritätsladungen jeweils zu den
Rändern abgezogen, wodurch sich die Raumladungszone RLZ verbreitert und die Feldstärke
Emax in der Raumladungszone ansteigt. Die Minoritätsladungen (Trägerdichten n0 bzw. p0)
werden von der Feldstärke E über die Raumladungszone hinweg abgesaugt. Hierdurch entsteht
der Sperrstrom iR-M, der bereits bei kleinen Spannungen (0,1 V) unabhängig von der Höhe der
Spannung UR ist und daher als Sperrsättigungsstrom IS bezeichnet wird. Die in der RLZ
befindlichen thermisch generierten freien Ladungsträger werden von der Spannung URLZ
ebenfalls abgesaugt. Da diese Trägeranzahl auch proportional zur Breite dRLZ ist, stellt sich
zusätzlich zu iR-M ein temperatur- und (über dRLZ) spannungsabhängiger Sperrstrom iR-th ein.
Dieser verdoppelt sich etwa alle 6 K. Es gilt: iR § IS + iR-th. Die maximal zulässige Feldstärke
des Halbleitermaterials Emax begrenzt die Spannungsfestigkeit. Der Grenzwert Emax beträgt
nach Tab. 2.1 für Silizium ca. 25 kV/mm.
12 2 Grundlagen

2.2.4 Die Durchbruchmechanismen des pn-Überganges


Durch Eigenleitungsprozesse befinden sich in der Raumladungszone nach Gl. (2-8) immer
freie Ladungsträger. Die Elektronen bewegen sich unter dem Einfluss der elektrischen
Feldstärke E und der thermischen Energie in der Raumladungszone und stoßen ab und zu mit
einem Siliziumatom zusammen, wobei Bewegungsenergie vom Elektron auf das im zeitlichen
Mittel ortsfeste Siliziumatom übertragen wird. Wenn die Feldstärke E groß genug ist, kommt
es vor, dass ein Elektron zwischen zwei Zusammenstößen eine so große kinetische Energie
aufgenommen hat, dass beim nächsten Zusammenstoß mit einem Siliziumatom ein Valenz-
elektron aus einer Bindung herausgeschlagen werden kann. (Stoßionisierung, Abb. 2-11). Es
entsteht ein zusätzliches Elektronen-Loch-Paar, dass durch weitere Zusammenstöße zusätz-
liche Ladungsträger generiert. Der Sperrstrom steigt somit ab einer bestimmten „kritischen
Feldstärke“ durch eine Art Kettenreaktion lawinenartig an, weshalb man vom Lawinen-
Durchbruch bzw. Avalanche-Durchbruch spricht.
À Mit steigender Temperatur nimmt die freie Weglänge (Beschleunigungsstrecke) ab, so dass
es zu einem Anstieg der Durchbruchspannung mit der Temperatur kommt (PTC).

Elektron auf zusätzliches,


Silizium-Atom Abbildung 2-11
Kollisionskurs herausgestoßenes Elektron
Stoßionisation
- - -
- Si - - Si - - Si -
- - - - Loch + -
E E -
vor der Kollision Kollision nach der Kollision

Bei stark dotierten pn-Übergängen kommt es bei steigender Sperrspannung dazu, dass die
Raumladungszone zu schmal ist, als dass in ihr aufeinander folgende Stoßprozesse stattfinden
könnten. Die freien Elektronen verlassen die Raumladungszone bevor sie mit Siliziumatomen
zusammengestoßen sind. Zwar stoßen sie außerhalb der Raumladungszone noch mit einem
Siliziumatom zusammen und können ein Elektronen-Loch-Paar erzeugen, doch dieses La-
dungsträgerpaar trägt nicht zum Sperrstrom bei, da außerhalb der Raumladungszone kein
elektrisches Feld wirksam ist. Wird die Feldstärke in Abb. 2-12 jedoch so groß, dass durch die
Feldstärke selbst in der Raumladungszone Elektronen aus ihrer Bindung herausgerissen
werden, so entstehen zusätzliche Elektronen-Loch-Paare, die ebenfalls zu einem plötzlichen
Anstieg des Sperrstromes führen. Dieser Fall wird als Zener-Durchbruch bezeichnet.
À Mit steigender Temperatur wird das Aufbrechen der Bindungen beschleunigt, wodurch es
zu einem Abfall der Durchlassspannung kommt (NTC-Verhalten).

Silizium-Atom
- Abbildung 2-12

- Si - Zener-Effekt
aufgebrochene
Bindung + - Ladungsträgerpaar

E
2.2 Der pn-Übergang 13

2.2.5 Die optimale Gestaltung des pn-Übergangs


Die Fläche, die E(x) mit der x-Achse einschließt, ist proportional zur Spannung über der
Raumladungszone (URLZ). Daraus folgt, dass der pn-Übergang mit einer starken Dotierung
nach Abb. 2-13b eine geringere Breite dRLZ aufweist als bei einer schwachen Dotierung nach
2-13a, und deshalb bei gleicher Spannung eine (hier um ǻE) höhere Feldstärke hat.
a) b)
ˍ ˍ

URLZ URLZ

xL 0 xR xL 0 xR
x x
dn dp
ȡ ȡ
dn dp

nD+
nD+

nA- x x

nA-

E dRLZ E dRLZ

x x

Emax Flächen sind bei gleicher Emax


Spannung U gleich groß

geringere Dotierung
ǻE führt zu geringerer
Feldstärke!

Abbildung 2-13 Feldstärkeverlauf bei gleicher Spannung und unterschiedlicher Dotierung


À Zur Erzielung einer hohen Spannungsfestigkeit muss eine schwache Dotierung gewählt
werden, um die auftretende Feldstärke Emax zu begrenzen.
À Eine schwache Dotierung hat wegen der geringen Anzahl an Ladungsträgern aber einen
hohen Durchlasswiderstand zur Folge.
Ein pn-Übergang kann somit nur entweder für ein gutes Durchlassverhalten oder für eine hohe
Spannungsfestigkeit bemessen werden.
14 2 Grundlagen

À Für Leistungsanwendungen werden Bauelemente benötigt, die sehr gute Durchlass-


eigenschaften mit gleichzeitig sehr hoher Spannungsfestigkeit verbinden.

Im Weiteren wird gezeigt, wie eine hohe Spannungsfestigkeit zusammen mit einem geringen
Durchlasswiderstand realisiert werden kann. Eine Möglichkeit zur Erzielung dieser Forde-
rungen besteht in der unsymmetrischen Dotierung des pn-Überganges.
Das optimale Durchlassverhalten zeigt die Dotierung mit einer eigenleitenden Mittelschicht,
die so genannte pin-Struktur nach Abb. 2-14. Weitere Einzelheiten siehe [1, 7].

ˍ Abbildung 2-14
Feldstärkeverlauf bei eigenleitender
URLZ Mittelschicht

xL xR pin (i: intrinsic, eigenleitend)

0 x Ist die mittlere Schicht schwach n-dotiert (ní),


so lautet die Bezeichnung:
dn dp
psn (s: soft, schwach dotiert).
ˁ

dRLZ
E

x
Emax

Im Durchlassbetrieb wird die Mittelschicht von beiden Seiten mit Ladungsträgern über-
schwemmt. Die Ladungsträgerzahl – und damit die Leitfähigkeit – wächst mit dem Durchlass-
strom an. Daraus resultiert ein sehr niedriger Durchlasswiderstand der Mittelschicht.
À Die pin oder psn Struktur wird für Leistungsbauelemente gewählt,
ȩ weil sie eine hohe Sperrspannungsfestigkeit bietet und
ȩ weil sie einen geringen Durchlasswiderstand aufweist.

À Der Auf- und Abbau der Leitfähigkeit in der Mittelschicht benötigt Zeit. Dies zeigt sich in
einem ungünstigen dynamischen Verhalten.
15

3 Dioden

3.1 pn-Diode
Die praktische Ausführung eines pn-Überganges wird als D i o d e bezeichnet. Eine Diode ist
ein nichtlineares Bauelement. Wird an eine Diode eine Wechselspannung angelegt, so fließt
ein Strom im Wesentlichen nur in Durchlassrichtung. Auf Grund der Dotierung ist der Strom
in Sperrrichtung iR (Reverse current) bis zu 107 mal kleiner als der Durchlassstrom iF
(Forward current). Er verschwindet wegen der Minoritätsladungen in den feldfreien
Bahngebieten der Diode nicht völlig, erreicht aber bei Sperrspannungen ab ca. 100 mV den
Wert des Sperrsättigungsstromes IS (peak reverse current) und bleibt konstant. In der RLZ
entstehen wegen der Eigenleitung ständig neue Ladungsträger. Unter dem Einfluss der
Feldstärke fließt daher zusätzlich ein temperaturabhängiger Sperrstrom. Dieser verdoppelt
sich bei Si etwa alle 6 K. Die Anzahl dieser Ladungsträgern ist auch von der Breite der RLZ –
und damit von der Höhe der Sperrspannung – abhängig. Das elektrische Verhalten einer
idealen Diode wird zusammen mit dem Verhalten einer realen Diode in Abb. 3-1 für eine
konstante Sperrschichttemperatur dargestellt. Für eine mathematische Beschreibung einer
Diode mit einem idealen pn-Übergang gilt die Shockleysche Diodengleichung Gl. (3-1).
U ė10
I S : Sperrsättigungsstrom IJ10 A
NU T
I = I Sŏʛ e ė1 ʜ U T IJ 26 mV ( 300 K) (3-1)
N : Diodenfaktor, N = 1 ... 3

Durchlasskennlinie
iF
Idealer pn- realer pn-
unterschiedliche Maßstäbe
Übergang Übergang
für die Durchlass- und
Sperrkennlinie !
uF

Sperrsättigungsstrom IS iF

ideal uF
uR
uR

real
iR

Sperrkennlinie iR

Abbildung 3-1 Kennlinie einer Diode mit idealem und realem pn-Übergang
16 3 Dioden

3.1.1 Modellbildung einer realen pn-Diode


Die Kennlinie der Diode nach Abb. 3-1 unterscheidet sich von der idealen Kennlinie. Ein-
flußgröße in Durchlassrichtung ist im Wesentlichen der ohmsche Bahnwiderstand RS. Zur
Nachbildung der Durchlasskennlinie dient daher eine Ersatzschaltung nach Abb 3-2.
D RS iF Abbildung 3-2
Einfluss des Bahnwiderstandes RS
Die Durchlassspannung uF setzt sich zusammen aus
u RS · iF
dem Anteil der idealen Diode D (u) und dem ohmschen
Spannungsabfall am Bahnwiderstand RS (RS iF).
uF
Mit Gl. (3-1) erhält man für den Zusammenhang zwischen uF und iF:
i Fʅ I S
uF NŏU Tŏln ʅ RS iF (3-2)
IS
Durch Ableitung der Gl. (3-2) nach dI erhält man den differenziellen Widerstand rF. Dabei
geht man zur Vereinfachung von einem im Vergleich zu IS großen Durchlassstrom iF aus.
d uF NŏU T
rF ʅ RS für: i F >> I S (3-3)
d iF iF
Gl. (3-3) zeigt, das mit zunehmendem Durchlassstrom sich rF dem ohmschen Bahnwiderstand
RS annähert. Zur näherungsweisen Verlustleistungsberechnung einer pn-Diode bei zeitver-
änderlichen Strömen wird daher eine Knick-Kennlinie nach Abb. 3-3 verwendet. Diese
Kennlinie enthält zwei Parameter:
À die Schwellenspannung UT0 (Threshold voltage) und
À den differenziellen Durchlasswiderstand rF (slope resistance)
UT0 und rF sind in Dioden-Datenblättern angegeben oder werden einer gemessenen Kennlinie
entnommen. Die Ventilwirkung wird in der Ersatzschaltung durch die ideale Diode D darge-
stellt. Zur Bestimmung von rF wird je nach Hersteller eine Tangente bei Nennstrom iF = IFAV
an die gemessene Kennlinie gelegt oder durch 2 vorgegebene Stromwerte (z. B. IFAV und
3 IFAV) wird eine Gerade (Sekante) gelegt. Die Steigung der Geraden ist dann der jeweilige
differenzielle Widerstand rF. UT0 folgt aus dem Schnitt mit der uF-Achse.
Tangente
LF im Nennpunkt ( IF,n ) Abbildung 3-3
Modellbildung einer
IF,n pn-Diode
Dioden-Ersatzschaltbild
'IF UT0
D rF iF

'UF

uF
UT0 uF
3.1 pn-Diode 17

Abb. 3-4a-c zeigt den Einfluss der verschiedenen Modellgrößen auf die Kennlinie. Für Schal-
tungsuntersuchungen genügt die Kennlinie nach Abb. 3-4a als ideale Diode, zur Verlustleis-
tungsberechnung bei zeitveränderlichem Strom dient die Ersatzkennlinie nach Abb. 3-4c.

IF a) IF b) IF c)

UT0 UT0 + rF IF

UF UF UF

Abbildung 3-4 (Knick-)Diodenkennlinien:


a) ideale Diode, b) Diode mit Schwellenspannung UT0, c) wie b) aber mit rF

3.1.2 Die Verlustleistungsberechnung


Die Verlustleistung PV berechnet sich bei zeitveränderlichen Größen aus dem zeitlichen
Mittelwert der Momentanleistung p(t). Bei einer Diode in Durchlassbetrieb beträgt die Mo-
mentanleistung p(t):
uF
iF
p(t) = uF · iF

Mit Hilfe der Ersatzschaltung nach Abb. 3-3 und den Parametern UT0 und rF lässt sich für die
Durchlassspannung uF die Gl. (3-4) angeben:
uF U T0 ʅ r Fŏi F (3-4)

Für die Verlustleistung PV ergibt sich damit:


T T T
1 1 1
PV
T
ĩ u Fŏi Fŏd t U T0ŏ
T
ĩ iFŏd t ʅr Fŏ
T
ĩ i 2Fŏd t
0 0 0

Mit den Abkürzungen IFAV für den arithmetischen Mittelwert und IFRMS für den Effektivwert
lässt sich damit für die Verlustleistung PV angeben:

PV U T0ŏI FAV ʅ r FŏI 2FRMS (3-5)

In Datenblättern werden die Verlustleistungen für häufig vorkommende sinus- und rechteck-
förmigen Kurvenformen die Mittelwerte bzw. Effektivwerte der Ströme in Diagrammen ange-
geben. Bei reinem Gleichstrombetrieb sind Mittel- und Effektivwert gleich. Eine Verlust-
leistungsberechnung nach Gl. (3-6) erfolgt dann mit den Werten direkt aus der Kennlinie nach
Abb. 3-5. Eine Diodenkennlinie mit den entsprechenden Grenzwerten für unterschiedliche
Temperaturen zeigt beispielhaft Abb. 3-6.

PV I dŏU F ʛ I d ʜ (3-6)
18 3 Dioden

Abbildung 3-5
iF Diodenkennlinie R Gleichstrombetrieb

U0
R-Gerade uF
R U0
PV,max iF
Id
Schnittpunkt U 0 ėu F ʛ I d ʜ
Id
R

uF ( Id ) U0 uF

Bei zeitveränderlichen Strömen wird zur näherungsweisen Berechnung von PV die reale
Durchlasskennlinie (Abb. 3-6) durch eine Knickkennlinie nach Abb. 3-3 mit den Kennwerten
UT0 und rF ersetzt.
400
typ. max. Abbildung 3-6

A
Beispielkennlinie einer Diode
iF SKN 100
Die Kennlinien streuen um einen
300 Mittelwert. Zur Orientierung sind
daher die typische und die max.
mögliche Durchlassspannung
ʧiF
angegeben. Die starke Tempera-
turabhängigkeit der Kennlinien
200 ist durch Kennlinien für die ma-
ximale Sperrschichttemperatur
ʧuF dargestellt. Die Ersatzgerade
erhält man durch Anlegen einer
Tangente in den Arbeitspunkt.
100 UT0: Schnittpunkt mit der uF-
25°C Achse
160°C

UT0
ʧ uF
0 rF
0 0,5 1,0 1,5 V 2,0 ʧi F
uF

3.2 pin-Diode
Zur Vergrößerung der Spannungsfestigkeit einer Diode kann eine schwache Dotierung der p-
und n-Schichten gewählt werden (siehe Kapitel 2.2.5), mit dem Nachteil eines hohen Bahn-
widerstandes und damit hoher Durchlassverluste. Für Spannungen > 1 kV erhält man ein
besseres Durchlassverhalten, wenn zwischen einer hochdotierten p- und n-Schicht eine
3.2 pin-Diode 19

eigenleitende Zwischenschicht (i-Schicht von intrinsic) der Breite wi (wi IJ 2 Diffusionsweg-


längen, ca. 100 μm í 300 μm) eingefügt wird (pin-Diode). Oft ist die Mittelschicht fertigungs-
bedingt schwach n-dotiert (nė), was durch die Bezeichnung psn-Diode (s-Schicht, schwach
dotiert) ausgedrückt wird. Abb. 3-7 zeigt den Aufbau einer pin-Leistungsdiode [7]. Darin sind
auch die Spannungsabfälle für den Durchlassbetrieb angegeben. Bei einer pin-Diode ist ein
Kompromiss zwischen Durchlass- und Sperr- und Schaltverhalten erforderlich.
um
upi uin

p+ i n+

wi
Abbildung 3-7 Aufbau einer pin-Leistungsdiode

3.2.1 Das Sperrverhalten


Die Mittelschicht vergrößert gegenüber der pn-Diode die Sperrspannungsfestigkeit um min-
destens den Faktor 5. Die Sperrspannung wird in den drei Zonen der pin-Struktur,
hauptsächlich im i-Gebiet aufgebracht, wodurch die Feldstärke E sich über einen erweiterten
Bereich erstreckt. Im dargestellten Fall nach Abb. 3-8 verläuft die Feldstärke über die gesamte
Mittelschicht bis in die rechte n-Schicht. In der n-Schicht wird die Feldstärke zu Null
abgebaut, weshalb diese Schicht hierbei als Stoppschicht bezeichnet wird.

U(x) Abbildung 3-8


wi
E(x) Raumladungsdichte und Feld-
stärke einer psn- und pin-Diode

ȩ Bei einer pin-Diode verläuft


Upsn ( x )
die Raumladungsdichte ȡ(x)
Upin ( x ) im Mittelgebiet bei Null und
x E(x) ist im Mittelgebiet
Epsn ( x ) konstant.
Epin ( x )

3.2.2 Das Durchlassverhalten


Das Mittelgebiet wird proportional zum Durchlassstrom mit p- und n-Ladungsträgern über-
schwemmt (Diffusionsstrom). Die Rekombination im Mittelgebiet führt zu guten Durchlass-
eigenschaften. Abb. 3-9 zeigt zusätzlich zu den Diffusionsströmen in den p- und n-Zonen den
Rekombinationsstrom ii über das eigenleitende Gebiet. Der Spannungsabfall der Diode im
Durchlassbetrieb, UF, setzt sich nach Abb. 3-7 aus drei Anteilen zusammen. Der Spannungs-
abfall über dem Mittelgebiet, Um, ist abhängig von der Stromdichte (jF) und kann bei sehr
20 3 Dioden

kleinen Stromdichten praktisch vernachlässigt werden. Dann liegt näherungsweise das


Durchlassverhalten einer normalen pn-Diode vor. Bei Stromdichten zwischen 1 bis 100 A/cm²
steigt die Leitfähigkeit des Mittelgebietes proportional zum Durchlassstrom (im Mittelgebiet
fast nur Diffusionsstrom !) durch Überschwemmung mit p- und n-Ladungsträgern an, so dass
Um praktisch konstant bleibt (ca. 50 mV).
metallische Rekombination Um
Leitung
- i = ip + ii + in
+ Driftstrom

ip + - ii

- Diffusionsstrom + -
in
Driftstrom wi
Elektronenstrom p+ i n+
Abbildung 3-9 Stromfluss bei einer realen pin-Diode, Einfluss des Mittelgebietes

Bei noch höheren Stromdichten machen sich Rekombinationsvorgänge an den Rändern des
Mittelgebietes, ein Anstieg des Driftstromes und eine Abnahme des Diffusionsstromes im
Mittelgebiet bemerkbar, so dass Um sich zunehmend proportional zu ʎ i F verhält. Zwar kann
auch für diese Durchlasskennline eine Knickkennlinie nach Abb. 3-3 angegeben werden, die
Gültigkeit ist aber nur für einen Arbeitspunkt hinreichend genau. Für eine allgemein gültige
Kennlinie geben viele Hersteller aufbauend auf Gl. (3-2) eine Gleichung vom Typ Gl. (3-7)
mit den bauteilspezifischen Kennwerten A, B, C und D an.
iF
UF A ʅ BŏiF ʅ Cŏlnʛ ʜ ʅ Dŏ i F ʎ (3-7)
A

10
Abbildung 3-10

8 Durchlasskennlinien verschiedener Leistungsdioden


iF / kA nach Gl. (3-7) mit den Kennwerten nach Tab. 3.1
1 2 3
6 Der Durchlassstrom ist mit maximal 10 kA
gerechnet worden.
4 À Mit den Kennwerten A,B,C,D kann die
Verlustleistung einer Diode über einen weiten
Arbeitsbereich genauer ermittelt werden als mit
2
der Knickkennlinie. Die Knickkennlinie ist nur
für einen Arbeitspunkt exakt.
0
0 1 2 3 4 5
uF / V

Die Kennwerte werden in Datenblättern zur genauen Nachbildung der Durchlasskennlinie zur
Verfügung gestellt. Abb. 3-10 zeigt beispielhaft drei unterschiedliche Dioden-Durchlass-
kennlinien, berechnet mit Gl. (3-7) und den Kennwerten nach Tab. 3.1 (Quelle: Dynex).
3.2 pin-Diode 21

Tabelle 3.1 Bauteilspezifische Koeffizienten

Diodendaten* Kennwerte für Gl. (3-7)**


Kurve Typ URRM IFAVM A B C D
1 DS2101 1500 V 7810 A 0,08171 0,10035 5,71812·10-5 -0,0052908

2 DS2907 5200 V 4914 A -0,04360 0,10422 7,60000·10-5 0,0024300

3 DS2012 6000 V 1320 A 0,81965 -0,13673 5,73000·10-5 0,0424350

*) Gehäusetemperatur 75 °C, URRM und IFAVM ist in Kapitel 3.2.6 definiert.


**) Der Gültigkeitsbereich (Strombereich, Gehäusetemperatur) ist zu beachten.

3.2.3 Das Schaltverhalten


Die Mittelschicht ist im Durchlassbetrieb mit Diffusionsladungen überschwemmt. Diese Dif-
fusionsladungen müssen beim Einschalten in das Mittelgebiet eingebracht werden, beim
Ausschalten müssen die Ladungen aus der Mittelschicht wieder ausgeräumt werden. Beim
Schaltvorgang ändert sich also die Anzahl an Ladungsträgern im Mittelgebiet, weshalb hier
von transienten Trägerdichten gesprochen wird. In Abb. 3-11 sind unterschiedliche
Leitzustände einer psn-Diode dargestellt.

iF + -
p+ n+ p+ n+

n– n–
Dotierungsprofil einer psn- Durchlassbetrieb (iF > 0), das
Struktur (idealisiert) schwach dotierte Mittelgebiet ist mit
Ladungsträgern überschwemmt

p+ n+ p+ n+
+ - RLZ
n– n–
Beginn des Ausschaltvorganges (iF < 0) Tail-Phase (iF ĺ 0)
Die Ladungsträger werden aus dem Ende des Ausschaltvorganges, die rest-
Mittelgebiet abgezogen. Dabei sind die lichen Löcher müssen bei Strom Null
leichtbeweglichen Elektronen zuerst vom durch Rekombination im schwach
linken Rand weg (μn § 3 μp ). dotierten Mittelgebiet abgebaut werden.
Die RLZ nimmt Spannung auf.

Abbildung 3-11 Zum Schaltverhalten der psn-Diode


22 3 Dioden

3.2.3.1 Einschalten
Die härteste Belastung einer pin-Diode liegt beim Einschalten eines eingeprägten Stromes mit
einer Steilheit größer 100 A/μs vor, so
uD wie es bei Freilaufdioden häufig der
iD
Fall ist. Beim Einschalten ist das
I0
iS
Mittelgebiet nur eigenleitend und muss
D von den Rändern her mit Ladungs-
trägern angefüllt werden. Während
S t0 R dieser Zeit verhält sich die Diode wie
ein transienter Widerstand und es ent-
steht eine transiente Überspannung. Die
pin-Diode zeigt beim Einschalten ein
Abbildung 3-12 Einschalten mit eingeprägtem Strom induktives Verhalten. Zur Beschreibung
des Einschaltverhaltens dient eine Er-
satzschaltung nach Abb. 3-12. Nach dem Öffnen des Schalters S zum Zeitpunkt t0 fließt der
eingeprägte Strom I0 über die Diode D. Bei einer hohen Stromsteilheit kommt es zu Über-
spannungen (ûD in Abb. 3-13). Dieser Effekt wird als „Forward-Recovery-Effekt“ bezeichnet.
Er verschwindet bei abnehmender Stromsteilheit, weil sich das Mittelgebiet durch den Ventil-
strom rechtzeitig mit Ladungsträgern anreichern kann [18].

Abbildung 3-13
uD
iD Prinzipieller Spannungs- und Stromverlauf
ûD einer pin- bzw. psn-Diode beim Einschalten
iD mit eingeprägtem Strom
I0 ȩ Der Scheitelwert ûD kann 200 ... 300 V
uD betragen.

t0 t

3.2.3.2 Ausschalten
Zur Beschreibung des Ausschaltverhaltens dient eine Ersatzschaltung nach Abb. 3-14. Für
t < t1 sei iD = I0. Zum Ausschalten der Diode wird bei t = t1 der Schalter S geschlossen. U0
baut in der Induktivität L˂ der Strom iL auf. Die Steilheit von iL ist durch U0 und L˂ bestimmt
[7].

K t1
Lı iL K: ĖI 0 i Dė I 0 ʅi L
iD I 0 ė iL
I0 S uL
iD

uD U0 U0
D M mit: iL t

Abbildung 3-14 Erzwungener Ausschaltvorgang einer Diode und I 0 konstant


3.2 pin-Diode 23

Für den resultierenden Diodenstrom iD folgt aus der Knotenpunktgleichung:


U0
t ʆ t 1 : iD I0 t ʉ t 1 : iD I0 ė ŏʛt ė t 1 ʜ (3-8)
L
˂
Abb. 3-15 zeigt den Stromverlauf und die Spannung an der Diode. Nach dem Erreichen des
Stromnulldurchganges von iD zum Zeitpunkt t = t2 muss zunächst das Mittelgebiet der Diode
von Ladungsträgern ausgeräumt werden. Das Ventil leitet deshalb auch noch nach dem
Stromnulldurchgang weiter. Für Zeiten größer t3 kann sich die Raumladungszone RLZ
aufbauen, d. h. die Diode beginnt bei t3 eine Sperrspannung aufzunehmen. Bei t4 liegt die volle
Spannung U0 an der Diode, der Rückstrom hat seinen Maximalwert IRM (peak reverse
recovery current) erreicht. Für t > t4 verschwinden die restlichen Ladungsträger im i-Gebiet
durch Rekombination, so dass der Rückwärtsstrom einen steilen Stromanstieg zu Null hin
aufweist. Man bezeichnet diesen Abklingvorgang in Abb. 3-15 mit „Soft-Recovery“. Sollten
in diesem Zeitabschnitt jedoch keine Ladungsträger mehr im i-Gebiet vorhanden sein, so reißt
der Diodenstrom plötzlich ab, ein Vorgang der mit „Hard-Recovery“ bzw. „Snap-Off“
bezeichnet wird.

d iD
0 ideale Diode:
dt iD
iD uD iD
I0
uD
iD d iD
I0 uD U0 t
ʆ0
dt

t4
t1 t2 t
t3
IRM U0
d iD
ʇ0
dt URM

d iD
0
dt uD

Abbildung 3-15 Ventilspannung und -strom beim Ausschaltvorgang einer Diode

Da sich das Vorzeichen der Stromsteilheit di/dt beim Erreichen des maximalen Rückstromes
IRM umkehrt, addiert sich nach Abb. 3-14 die Spannung uL zu U0 und die Diode wird mit einer
gefährlich hohen Sperrspannung belastet. In der Praxis führt in diesem Zeitpunkt das Zu-
sammenwirken der Dioden-Sperrschichtkapazität mit den Leitungsinduktivitäten zu Eigen-
schwingungen. Abb. 3-17 zeigt den typischen Verlauf von Diodenstrom und -spannung bei
einem Abschaltvorgang. Abhilfe gegen hohe Überspannungen bietet eine zusätzliche Beschal-
tung mit einem RC-Glied. Diese Beschaltung nach Abb. 3-16 wird als Träger-Stau-
Effekt(TSE)-Beschaltung bezeichnet. Sobald die Diode ihre Sperrfähigkeit erlangt, wechselt
der Rückstrom IRM, der durch L˂ eingeprägt ist, auf die RC-Beschaltung und lädt den Kon-
24 3 Dioden

densator C. Dieser Vorgang ist beendet, sobald die in der Induktivität L˂ gespeicherte Energie
abgebaut ist. Die Wirkung einer TSE-Beschaltung zeigt die Simulation nach Abb. 3-17 mit R =
5 ʰ C = 3 μF, L˂ = 10 μH. Siehe auch [7, 15]. Die Spannungsüberhöhung ǻuC ermittelt sich
näherungsweise nach der in Abb. 3-16 angegebenen Gleichung.

LV uD Abbildung 3-16
iR
TSE-Beschaltung einer Diode
iF D
C R IRC

ʎ
TSE-Beschaltung L
˂
ʧ uCIJ I RM
C
uC

Abbildung 3-17
Simulation des typischen
iF Abschaltverhaltens einer
I0 Leistungsdiode
(siehe Abb. 3-14)
IRM t

U0 t
uF Vergleich:
URM ȩ ohne Beschaltung
ohne Beschaltung
ȩ mit Beschaltung

U0 t
URM
ʧuC uF
mit Beschaltung

3.2.3.3 Schaltverluste
Schaltverluste treten auf, sobald Ventilspannung und Ventilstrom beim Schaltvorgang
ungleich Null sind. In Abb. 3-18 sind der Ventilstrom iV und die Schaltverluste pS beim
Ausschaltvorgang dargestellt. Es ist zu erkennen, dass im Wesentlichen die Restladung QF für
die Schaltverluste pS verantwortlich ist. Die Rückstromspitze IRM ist im Wesentlichen vom
Gleichstrom I0 zu Beginn der Abschaltung und von der Stromsteilheit di/dt abhängig.
3.2 pin-Diode 25

Abbildung 3-18
iD PS = uD ·iD
Strom, Ladung und Verlustleis-
tung beim Ausschaltvorgang
iD
I0 QS: Nachlaufladung

t
QF: Restladung, Hauptursache
trr
der Schaltverluste
tS tF
trr: Sperrverzugszeit
t1 QS QF t
tS: Speicherzeit
IRM tF: Rückstromfallzeit
0,25 IRM
iR pS: Verlustleistung
0,9 IRM

Die Sperrverzugsladung Qrr in Abb. 3-18 ermittelt sich nach Gl. (3-9). (Bei Erwärmung von
25 °C auf 150 °C erfolgt eine Verdopplung bis Verachtfachung von Qrr [18].)

Q rr Q Sʅ Q F ĩ iR dt (3-9)

Der Abbau der Sperrverzugsladung verzögert den Ausschaltvorgang. Dieser Einfluss wird
durch die Sperrverzugszeit trr berücksichtigt. Die Definition von trr ist in Abb. 3-18 mit Hilfe
einer Geradenkonstruktion dargestellt. Der hier dargestellte Fall der Zwangslöschung eines
Diodenstromes nach Abb. 3-18 mit einer Gleichspannung entspricht einem Belastungsfall, der
in der Praxis z. B. bei Freilaufdioden (Freewheeling Diodes) auftritt.

140 iD
I0 d iD Abbildung 3-19
A I0 = 1000 A
120 dt Typischer Verlauf
IRM
100 IRM der Rückstromspitze
Qrr I0 = 200 A
IRM bei verschie-
80 denen Anfangs-
I0 = 50 A strömen I0 und
60
Stromsteilheiten
40

20

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 A
μs
Ģd i D  d tĢ

Ein anderes Anwendungsgebiet sind Gleichrichterdioden (Rectifier-Diodes) in Netzgleich-


richterschaltungen. Hierbei erfolgt die Löschung des Diodenstromes durch eine sinusförmige
Netzspannung, so dass der Stromverlauf eine vergleichsweise geringere Steilheit aufweist. Das
Problem der Rückstromspitze ist jedoch in allen Fällen gegeben und macht eine Beschaltung
erforderlich. Die typische Abhängigkeit der Rückstromspitze IRM von der Stromhöhe zu
Beginn des Ausschaltvorganges (I0) und der Stromsteilheit zeigt Abb. 3-19. Weitere Anwen-
dungsgebiete für Dioden sind Beschaltungsdioden (Snubber-Diodes) sowie Umschwing-
dioden (Crow Bar Diodes) in selbstgeführten Stromrichtern.
26 3 Dioden

3.2.4 Reihenschaltung
Wird die Sperrspannung URM für eine Diode zu hoch, so wird eine Reihenschaltung von nR
Dioden vorgenommen. Weil der Sperrstrom für alle in Reihe geschalteten Dioden gleich groß
ist, stellt sich über die Sperrkennlinien in Abb. 3-20 eine statisch unsymmetrische Spannungs-
aufteilung ein. D1 wird in diesem Beispiel mit der Spitzensperrspannung URRM belastet. Die
Gesamtspannung uR ist die Summe der Einzelspannungen (uR = uR1 + uR2).
iR UR URRM

iR
uR1 D1
D1
uR2
uR
D2
uR2 uR1
D2 IR

Abbildung 3-20 Statische Spannungsaufteilung einer Dioden-Reihenschaltung (nR = 2)

Durch zusätzliche Symmetrierwiderstände RS parallel zu den Dioden muss diese statische


Unsymmetrie in zulässigen Grenzen gehalten werden. Zur Dimensionierung des Widerstandes
RS in Abb. 3-21 wird der Strom im Widerstand mit dem 3...6-fachen des Sperrstromes IR bei
maximaler Sperrschichttemperatur angenommen. Dann arbeitet die Schaltung näherungsweise
als unbelasteter Spannungsteiler.

CS CS Abbildung 3-21
Statische und dynamische Spannungssymmetrierung bei einer
Dioden-Reihenschaltung (nR = 2)
iS RS RS
ȩ Beim Ausschalten tritt zusätzlich zur TSE-Spannungs-
iR belastung eine dynamische Überspannung aufgrund unter-
D1 D2
schiedlicher Speicher- bzw. Sperrverzugsladungen auf.
uR

Sperrt eine der Dioden früher als die restlichen Dioden, so wird diese Diode bis zum Sperren
der restlichen Dioden mit der gesamten Sperrspannung belastet. Es tritt beim Ausschalten eine
dynamische Spannungsunsymmetrie auf. Zur Begrenzung der Spannungsbelastung wird der
Beschaltungskondensator CS so gewählt, dass er sich durch die Differenz der Sperrverzugsla-
dungen ʧQrr der nR Dioden um max. ʧU (= nR UR - Um) auflädt. Für ʧQrr wird in Gl. (3-10)
näherungsweise 0,3 Qrr angenommen. (URRM: Spitzensperrspannung, Um: Gesamtspannung,
m: Fehlverteilungsfaktor analog zu Gl. (3-15))
ʧ Qrr ʛn R ė1ʜŏʧ Qrr
ʧU mŏn R U RRM ėU m ʍ CS ʇ (3-10)
CS mŏnRŏU RRM ė U m

Aufgrund der zusätzlichen Verlustleistungen (Verluste in den Serienwiderständen, nR-fache


Diffusionsspannung, durch Kondensatoren erhöhte Speicherladung) ist eine Reihenschaltung
insbesondere bei Freilaufdioden nicht anzustreben.
3.2 pin-Diode 27

3.2.5 Parallelschaltung
Zur Erhöhung der Stromtragfähigkeit wird eine Parallelschaltung von Dioden nach Abb. 3-22
vorgenommen. Bei gleichen Kennlinien erfolgt die Stromaufteilung symmetrisch, d. h. bei
zwei Dioden (nP = 2) führt jede Diode genau 50 % des Gesamtstromes und es gilt: iF1 = iF2.
Praktisch führen Toleranzen zu einer unsymmetrischen Stromaufteilung und damit auch zu
unterschiedlichen Verlustleistungen der Dioden. Die Stromfehlverteilung führt somit zu einer
geringeren Stromtragfähigkeit der Parallelschaltung als es der Summe der zulässigen Einzel-
ströme (Dauergrenzstrom IFAVM) entspricht.

iF1 Abbildung 3-22


iF Parallelschaltung von nP = 2 Dioden
uF Ėi 0 i Fė iF1 ė i F2
i F1 i F ė i F2 Die Parallelschaltung erzwingt eine
gemeinsame Durchlassspannung uF und
iF2 damit unterschiedliche Ventilströme.

Zur Abschätzung der realen Stromaufteilung müssen die einzelnen Durchlasskennlinien


bekannt sein (Messung). Die Kennlinien sind temperaturabhängig (NTC-Verhalten). Abb. 3-23
zeigt zwei typische Diodenkennlinen bei gleichen Sperrschicht-Temperaturen.

Mittlere Abbildung 3-23


iF Kennlinie
D1 Zwei parallele Dioden (nP = 2 ) mit
ungleichen Kennlinien
D2
D1 führt einen um ǻiF höheren Strom als
D2 und hat deshalb eine höhere Verlust-
iF1
leistung. Die Temperatur von D1 wird
ansteigen, die von D2 sinken.
ǻiF
Folge: Die höhere Verlustleistung von D1
iF2 iF führt wegen des NTC-Verhaltens
zu einem Anstieg von ǻiF.
2
Abhilfe: zum Parallelschalten nur selek-
uF u tierte Kennlinien verwenden.

Für eine Abschätzung der Stromaufteilung wird für eine Diode die um ƗǑ vergrößerte Tempe-
ratur gewählt. Ausgehend von der gemeinsamen Durchlassspannung uF (über die mittlere
Kennlinie bestimmt) können in Abb. 3-23 die Diodenströme iF1 und iF2 abgelesen werden. Der
zulässige Gesamtstrom IT einer Parallelschaltung ist durch die höherbelastete Diode bestimmt
und kleiner als die Summe der einzelnen Maximalströme IM.

Gesamtstrom einer Parallelschaltung I T < n PŏI M (3-11)

Die Reduzierung beschreibt der Reduktionsfaktor ʴ (derating factor) nach Gl. (3-12).

IT
Derating bzw. Reduktionsfaktor ʴ =1 ė ʆ1 (3-12)
nPŏI M
28 3 Dioden

IT = Gesamtstrom der Parallelschaltung


IM = Zulässiger Maximalstrom eines Bauelementes (DC-current rating )
nP = Anzahl parallelgeschalteter Bauelemente.

Beispiel:
IM nP = 2
IT
IM = 800 A
Imin = 640 A
Imin
800 A ʅ640 A
ʴ= 1 ė = 0,1
2ŏ800 A

Durch Umstellung der Gleichung (3-12) erhält man für IT:

I T = ʛ1ėʴ ʜŏnPŏI M (3-13)

Bei der Bemessung der Stromtragfähigkeit IT einer Parallelschaltung von nP Elementen trifft
man folgende Annahmen (worst case):

À Ein Bauelement führt bei max. Sperrschichttemperatur den Maximalstrom IM.

À Alle weiteren Bauelemente führen den Minimalstrom Imin

I T = I M ʅ ʛn P ė 1ʜŏI min (3-14)

Die Abweichung der Strombelastung der Elemente einer Parallelschaltung beschreibt man
durch den Fehlverteilungsfaktor m (mis-sharing factor)

I M ė I min
m = (3-15)
IM

Zu beachten ist, dass der „mis-sharing factor“ m vom Temperaturkoeffizienten (TC) abhängt.
Bei positivem TC (PTC) vergrößert das überlastete Element seinen Durchlasswiderstand und
vermindert so die Fehlverteilung.
À PTC-Bauelemente sind selbstsymmetrierend und lassen sich daher einfach
parallelschalten.
Elemente mit negativen TC (NTC) vermindern bei Überlastung ihren Durchlasswiderstand und
verstärken so die Fehlverteilung. NTC-Elemente sind daher problematisch bei einer Parallel-
schaltung (vgl. Abb. 3-23). Diese Tatsache ist auch bei der Parallelschaltung von Transistor-
modulen mit integrierten Dioden zu berücksichtigen.
3.2 pin-Diode 29

3.2.6 Einsatzkriterien für Dioden


Abb. 3-24 zeigt den typischen Verlauf der Spannungsbelastung einer Diode im Gleichrichter-
betrieb. Bei der Spannungsfestigkeit einer Diode wird zwischen einer periodischen Spann-
nungsbelastung URR (repetitive peak reverse blocking voltage), wie sie bei Wechsel-
spannungsanwendungen z. B. durch periodische Kommutierungsvorgänge auftreten, und nicht
periodische Spannungsspitzen URS (surge peak reverse blocking voltage), wie sie z. B. durch
Schalthandlungen im Versorgungsnetz auftreten können, unterschieden. Zur Auswahl einer
Diode werden dem Spannungsverlauf uR die Werte für URR und URS entnommen.

Abbildung 3-24
t
Sperrspannungsverlauf
einer Diode
ʎ 2ŏU 0 Definition von URS
URR und URR

URS
uR

Eine Diode kann folgende Spannungsfestigkeiten aufweisen:


À URSM > URS
URSM (Maximum surge peak reverse blocking voltage) ist die maximale Spannung die eine
Diode sperren kann. überschreitet uR diesen Wert, so kommt es zum Ausfall der Diode (Kurz-
schluss). Bei der Angabe von URSM wird eine Wiederholfrequenz von 5 Hz angenommen.
À URRM > URR
URRM (Maximum repetitive peak reverse blocking voltage) ist die maximale Spannung welche
die Diode als 10ms-Sinushalbschwingung mit 50 Hz wiederholt sperren kann. Überschreitet
uR diesen Wert, so kommt es im Laufe der Zeit in Folge eines thermischen Durchbruchs eben-
falls zum Ausfall der Diode (typisch: URRM = URSM í 100 V, Bemessung: URRM • 2,5 û0).

Für den Durchlassstrom iF wurden folgende Werte definiert:


À IFAVM
Die Stromtragfähigkeit einer Diode wird durch den Gleichstrom-Mittelwert IFAVM (Maximum
average forward current) ausgedrückt. IFAVM bezieht sich auf eine 180° Sinushalbschwingung
bei einer Gehäusetemperatur von 85 °C. Zwar ist diese Definition willkürlich, erlaubt aber
einen Vergleich der Strombelastbarkeit von Dioden unter einheitlichen Bedingungen.
À IFSM
IFSM ist der maximale Spitzenstrom (Maximum peak forward surge current), den eine Diode
als einmalige 10ms-Sinushalbschwingung mit anschließender Abschaltung (Erholzeit) ohne
Zerstörung führen kann. Dieser Wert ist Grundlage zur Bemessung von Sicherungen und
Schaltgeräten für einen Fehlerfall (Kurzschluss, Überstrom).
À i²t
Folgt aus der Integration des Durchlassstromes. Bei Erreichen des zulässigen Grenzwertes
z. B. infolge einer Überlast muss der Strom abgeschaltet werden (Abkühlungspause).
30 3 Dioden

3.3 Solarzelle
Eine Solarzelle arbeitet nach dem Photoeffekt zur Generation von Ladungsträgern. Dazu hat
die Solarzelle nach Abb. 3-25b physikalisch zwar den gleichen Aufbau wie eine pn-Diode, die
n-seitige Metallelektrode ist aber lichtdurchlässig ausgeführt, z. B. als Gitterstruktur. Bei
Lichteinfall lösen die Photonen Elektronen aus dem Kristallverband und erhöhen so die
Ladungsträgerkonzentration. Der Ausgleich des Konzentrationsgefälles zwischen p- und n-
Zone führt über einen erhöhten Diffusionsstrom zu einer Verbreiterung der Raumladungszone
(siehe Kapitel 2.2). Die Ermittlung von Feldstärke E und Potenzialverlauf ij analog zur
normalen pn-Struktur in Abb. 3-25a zeigt, dass sich am pn-Übergang eine Spannung ausbildet,
die größer ist als die Metall-Halbleiter-Übergangsspannungen, die bisher zu einer elektrischen
Neutralität der Anordnung geführt hatten.
a) Übergang beleuchtet Ladungsträger- b)
Metall- Kathodenanschluss
Halbleiter generation Anti-Reflex-
dunkel Beschichtung
μm
Photonen
+ - 0,5 mm
Photonen

+ -
p - + n
+ -
+ - n
p + -
E
Kontaktgitter
Verbraucher Anodenanschluss

i
U
Abbildung 3-25 Aufbau und Wirkungsweise einer Solarzelle
Die Spannungserhöhung kann außerhalb des pn-Überganges gemessen werden und beträgt bei
Silizium bis ca. 0,5 V. Wird der Stromkreis über einen Widerstand R geschlossen, so treibt
diese Spannung einen Strom i. Elektronen gelangen über den äußeren Stromkreis in die p-Zone
und stören das Gleichgewicht von Diffusions- und Driftstrom. Der Driftstrom gleicht diese
Störung aus, indem er Elektronen von der p-Seite über die RLZ zur n-Seite liefert. So kommt
es in Sperrrichtung zu einem kontinuierlichen Stromfluss, dessen Intensität iPh über einen Pro-
portionalitätsfaktor c0 von der Bestrahlungsstärke E bestimmt ist.
Photostrom i Ph c 0ŏE (3-16)

Zur Aufnahme einer UF(IF)-Kennlinie bei unterschiedlichen Bestrahlungsstärken (mit SH


einstellbar) dient die Schaltung nach Abb. 3-26.

A Abbildung 3-26
SH
IF S Messschaltung für die Kennlinie
nach Abb. 3-27b
R1 R2 R3 V UF
RL SH: Lichtintensität E
S: Leerlaufschalter (U0-Messung)
UH
RL: Belastungswiderstand
3.3 Solarzelle 31

Durch den Photostrom iPh wird die normale Diodenkennlinie in Abb. 3-27a nach unten ver-
schoben, d. h. es fließt ein Sperrstrom (Abb. 3-27b). Für Solarzellen üblich ist die „positive“
Darstellungsart nach Abb. 3-27c.
IF dunkel IF beleuchtet IR beleuchtet

IF IR

Beleuchtungs-
UF stärke UF

a) b) c)
UF UF UF

Abbildung 3-27 Zur Kennlinie eines beleuchteten pn-Überganges

Durch Verringerung des äußeren Widerstandswertes kann der äußere Strom bis zum Kurz-
schlusswert iK gesteigert werden. Je mehr Elektronen der n-Zone über den äußeren Stromkreis
entzogen werden, desto schmaler wird wieder die Raumladungszone. Die Folge ist eine Ab-
nahme der äußeren Spannung bis zum Kurzschlusspunkt bei UF = 0. Als Ersatzschaltbild der
Solarzelle kann ein Modell Abb. 3-28 gewählt werden. Der Photostrom iPh wird durch eine
Stromquelle erzeugt, die über eine reale Diode D kurzgeschlossen ist

K Abbildung 3-28
iPh i Ersatzschaltbild einer Solarzelle zur Nachbildung der
iD gemessenen Kennlinie
R
D u

Der Zusammenhang zwischen Diodenstrom IR und -spannung UF in Abb. 3-27c wird ideal
durch die Shockleysche Diodenkennlinie nach Gl. (3-1) beschrieben. Der Verbraucherstrom i
stellt sich über die Klemmenspannung u nach dem ohmschen Gesetz ein. Diesen idealisierten
Zusammenhang beschreibt Gleichung ( 3-17 ) für den Knoten K in Abb. 3-28.
u
ė I S : 10ė10 A Sperrsättigungsstrom
mUT (3-17)
i iPh ė I Sŏʛ e ė1 ʜ m : 1 ... 5 Diodenfaktor

Abb. 3-29 zeigt die Kennlinie der Klemmenspannung u bei unterschiedlichen Belastungswi-
derständen R. Die Schnittpunkte mit den Achsen sind der Leerlaufpunkt (U0) und der
Kurzschlusspunkt (IK). Die Beleuchtungsstärke und die Temperatur seien konstant. Der Punkt
der maximalen Leistungsabgabe wird mit MPP (maximum power point) bezeichnet. Der
äußere Stromkreis sollte so ausgeführt werden, dass das Produkt von Strom und Spannung
32 3 Dioden

stets ein Maximum ergibt. Bei wechselnden Beleuchtungsverhältnissen muss dazu der Arbeits-
punkt nachgeregelt werden. Da es sich um eine nichtlineare Kennlinie handelt, trifft die bei der
Leistungsanpassung übliche Maßnahme Ri = RA nur näherungsweise zu. Zur graphischen
Ermittlung des optimalen Betriebspunktes kann eine Konstruktion nach Abb. 3-29 durch-
geführt werden. Die Widerstandsgerade Ȋ wird parallel verschoben, bis sie im Punkt MPP
eine Tangente an die Spannungskennlinie bildet ȋ. Die optimale Verbraucher-Widerstands-
gerade (Ropt) verläuft durch den MPP-Punkt. Im Betrieb werden unterschiedliche elektronische
Such- und Probierverfahren zur optimalen Arbeitspunkteinstellung eingesetzt [14].
IK Kurzschlusspunkt (UF = 0)
Punkt maximaler
Abbildung 3-29
P, IR U Leistung (MPP) Belastungskennlinie einer Solarzelle
(Strom, Leistung) und optimaler
IMPP
Arbeitspunkt
Ȋ ȋ
Ȋ: Widerstandsgerade der Quelle
Leerlaufpunkt U0 U MPP
(IR = 0 ) R i,Quelle R opt
P
IK I MPP

ȋ: Tangente an der U-Kennlinie,


UMPP U0 UF parallel zu Ȋ.

Die Bestrahlungsstärke E steuert die Anzahl freier Ladungsträger, damit steuert der Licht-
einfall die Leitfähigkeit. Die Spannung selbst ist von der Materialkombination und Breite der
RLZ bestimmt, und kann durch die Lichtintensität bzw. -farbe nicht über einen material-
typischen Wert gesteigert werden (Abb. 3-30a). Großen Einfluss hat die Temperatur der Solar-
zelle (Paneltemperatur ˊ, Abb. 3-30b). Mit zunehmender Paneltemperatur sinkt die Zellen-
Leerlaufspannung (ǻU0 § 3...5 mV/K) und steigt der Kurzschlussstrom (ǻIK § 1 mA/K).
Solarpanele sind sehr empfindlich gegenüber Teil-Abschattungen (z. B. durch Laub, Schnee,
Schatten durch Bäume, Wolken usw.). Hierdurch bricht die Leistung selbst großflächiger
Solaranlagen deutlich ein.
À Insgesamt sinkt die Leistungsausbeute mit zunehmender Paneltemperatur.
À Die Panelfläche muss gleichmäßig beleuchtet sein.

IR IR

Paneltemperatur
E °
Bestrahlungsstärke
a) b)

UF UF

Abbildung 3-30 Einfluss der Bestrahlungsstärke E und der Paneltemperatur °


33

4 Transistoren

4.1 Bipolartransistor
Zur Leistungssteuerung muss ein Schalttransistor hohe Ströme schalten können und eine hohe
Spannungsfestigkeit aufweisen. Der bipolare Leistungstransistor zeichnet sich durch ein hohes
Sperr- und Schaltvermögen aus und hat geringe Durchlassverluste im Sättigungsbereich
(typische Sättigungsspannung UCE,sat ” 2,5 V). Eine Folge der hohen Spannungsfestigkeit ist
eine geringe Stromverstärkung B. Der Ansteuerungs-Leistungsbedarf ist daher entsprechend
hoch. Die wesentlichen technischen Eigenschaften des bipolaren Transistors als abschaltbares
elektronisches Ventil werden mit folgenden Größen beschrieben:
ICAVM
ist der höchste Wert des Gleichstrom-
Mittelwertes bei vorgegebener Temperatur

ICRM
iC ist der höchstzulässige Wert eines Pulsstromes
mit angegebener Periodendauer und definierter
Einschaltdauer

UCES
höchstzulässiger Wert der Kollektor-
uCE Emitterspannung bei Ansteuerung mit einer
negativen Basis-Emitterspannung UBE
uBE
UCE0
höchstzulässiger Wert der Kollektor-
Emitterspannung bei offenem Basisanschluss

UCE,sat
Geringstmöglicher Spannungsabfall im
Schaltbetrieb

Für die Arbeitsweise als Schalter interessieren zwei Arbeitspunkte:


I AUS Vorwärtssperrend
II EIN Durchlassbetrieb
Beim Übergang vom Arbeitspunkt I zum Arbeitspunkt II treten Schaltverluste pS auf.
Abhängig von den Eigenschaften des Transistors und der Schaltung unterscheiden sich die
Schaltverluste beim Ein- und Ausschaltvorgang. Der Momentanwert der Schaltleistung pS
berechnet sich mit Gl. (4-1).
pS u CE ŏ iC (4-1)
34 4 Transistoren

Der Spitzenwert der Schaltleistung ʒpS überschreitet die zulässige Verlustleistung PV des
Transistors um ein Mehrfaches und kann mehrere 10 kW betragen. Die Einschaltenergie Won
folgt aus der Integration der Momentanleistung während des Einschaltvorganges mit Gl. (4-2).
t ʅt on

W on ĩ pS d t in Ws (4-2)
t

Die Einschaltenergie liegt bei typ. Ĺ 0,5 Ws. Die Einschaltzeit ton wird nach Abb. 4-1 vom
10 %-Punkt des Basisstromes iFB aus zum 90 %-Punkt des Kollektorstromes iC gezählt.

Abbildung 4-1
uCE iC
0,9 iCM Einschaltvorgang einer ohmschen Last

iCM td: Verzögerungszeit


pS
tr: Anstiegszeit

0,1 iCM uCE,sat ton: Einschaltzeit, ton = td + tr

t
td tr
iCM: Maximalwert des
ton
Kollektorstromes

iFB iFB: Basisstrom (positiv)


0,1 iFBM iFBM

Das Abschaltverhalten eines übersteuerten Bipolartransistors mit ohmsch-induktiver Last zeigt


Abb. 4-2. Dargestellt sind der Kollektorstrom iC, die Kollektor-Emitterspannung uCE und die
Schaltleistung pS zusammen mit dem Basisstrom iB. Aus dem zeitlichen Verlauf des Basis-
und Kollektorstromes sind die Speicherzeit tS und die Fallzeit tf definiert. Die Speicherzeit tS
tritt nur bei einer vorherigen Übersteuerung des Transistors auf. Die Ausschaltzeit toff ist die
Summe von tS und tf. Sie ist aus praktischen Gründen zwischen dem 90 %-Punkt des
Basisstromes und dem 10 %-Punkt des Kollektorstromes definiert.
t ʅt off

W off ĩ pS d t in Ws (4-3)
t

Die Ausschaltenergie Woff beträgt typisch 1,5 Ws und wird hauptsächlich durch das
Trägheitsverhalten während der Speicherzeit tS und der Fallzeit tf verursacht. Die Höhe der
tatsächlich auftretenden Ausschaltenergie Woff hängt auch von der Steilheit der Kollektor-
Emitterspannung uCE ab. Nur durch eine optimierte RCD-Beschaltung kann Woff auf die ent-
sprechenden Angaben im Datenblatt abgesenkt werden.
4.1 Bipolartransistor 35

iC Abbildung 4-2
Ausschaltvorgang einer ohmsch-
uCE induktiven Last
0,9 iCM
pS tS: Speicherzeit
uCEM
iCM
tf: Fallzeit

0,1 iCM toff: Ausschaltzeit, toff = tS + tf


iFBM: maximaler Basisstrom in
t Vorwärtsrichtung
tS tf
uCEM: Maximalwert der Kollektor-
iFB toff Emitterspannung

0,9 iFBM

iRBM t

Die Einschaltenergie Won ergibt zusammen mit der Ausschaltenergie Woff, der Schaltfrequenz
fS die Schaltverluste PS und mit den Durchlassverlusten PD die Gesamtverluste PV eines
Halbleiterschalters nach Gl. (4-4)

PV P D ʅ PS mit PS ʛW on ʅ W off ʜŏf S in W (4-4)

Die Schaltverluste PS verhalten sich proportional zur Schaltfrequenz fS. In der Praxis wird die
Schaltfrequenz fS höchstens so groß gewählt, dass PS gleich den Durchlassverlusten PD ist. Da
unterschiedliche Bauelemente auch unterschiedliche Schaltenergien aufweisen, lassen sich je
nach Bauelement auch unterschiedliche Schaltfrequenzen realisieren. Beim Bipolartransistor
liegt die obere Grenze für fS bei 5 kHz.
Während des Ein- und Ausschaltvorganges kommt es im Transistor kurzzeitig zu inhomo-
genen Ladungsverteilungen mit der Folge unterschiedlicher Stromdichten.
À So konzentriert sich beim Einschalten der Strom zunächst nur in kleinen Gebieten der
Basis-Emittergrenze, so dass eine hohe Stromdichte beim Einschalten den Transistor durch
lokale Überhitzung gefährdet.
À Beim Ausschalten sind die Ladungsträger im zentralen Emitterbereich verteilt. Eine hohe
Spannungssteilheit beim Ausschalten führt daher ebenfalls zu lokalen Leistungsspitzen, die
den Transistor zerstören können (2. Durchbruch).
Für einen sicheren Betrieb hat man deshalb das iC-uCE-Kennlinienfeld in unterschiedliche
Bereiche aufgeteilt. Es gibt es Bereiche in denen Arbeitspunkte für Dauerbetrieb liegen
können (statischer Betrieb), Bereiche für einen Kurzzeitbetrieb wie es z. B. bei
Schaltvorgängen auftritt (dynamischer Betrieb) und Bereiche, in denen keine Arbeitspunkte
zugelassen werden. Das zulässige Gebiet wird als sicherer Arbeitsbereich (Safe Operating
36 4 Transistoren

Area) SOA bezeichnet und in das Ausgangskennlinienfeld eingetragen (siehe Abb. 4-3). Man
unterscheidet einen sicheren Arbeitsbereich jeweils für den Ein- und Ausschaltvorgang. Der
Einschaltvorgang (mit positiver Ansteuerung) wird durch den sicheren Vorwärts-
Arbeitsbereich (Forward Bias SOA, FBSOA) in Abb. 4-3 beschrieben, der Ausschaltvorgang
(mit negativer Ansteuerung) wird durch den sicheren Rückwärts-Arbeitsbereich (Reverse Bias
SOA, RBSOA) beschrieben. Der sichere Arbeitsbereich darf a u ch be i Sc ha ltv o rg ä ng e n
nicht verlassen werden.

Verlustleistung
Abbildung 4-3
Stromgrenze Thermischer Durchbruch Zulässige Arbeitsbereiche

Feldstärkedurchbruch
Dynamischer
iC Arbeitsbereich
sgrenze
g
Sättigun

Statischer
Arbeitsbereich

uCE

4.1.1 Der bipolare Leistungstransistor


Zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit ist analog zur psn-Diode eine schwach dotierte Zone nė
in den n-Kollektor eingebracht. Hierdurch unterscheidet sich der Leistungstransistor nach Abb.
4-4 vom Signaltransistor. Die Einfügung der schwach dotierten Zone n í führt zu einer
verringerten Stromverstärkung des Leistungstransistors.

iC B E C
E uCE C
n+ n+
uBE uBC p
B n-
n+
n+ p nė n+
Ansicht um 90°
Prinzip des Leistungstransistors gekippt Aufbau
Abbildung 4-4 Prinzip und Aufbau eines bipolaren Leistungstransistors
4.1 Bipolartransistor 37

4.1.2 Die Arbeitspunkte des bipolaren Transistorschalters

a) b)
3“
iB
iC 3
uBC iC 2
iB

uCE 1
uBE

uCE

Abbildung 4-5 Messschaltung und Ausgangskennlinie eines Leistungstransistors

Wird bei konstantem Basisstrom iB die Spannung uCE von 0 V bis zu einem Maximalwert
verändert, so erhält man eine Ausgangskennlinie nach Abb. 4-5b. Die drei Abschnitte dieser
Kennlinie werden mit Sättigung (1), Quasisättigung (2) und aktiver Bereich (3) bezeichnet.
Kennzeichen ist die Polarität der Basis-Kollektorspannung uBC.

1 Sättigungsbereich uBC > 0 Basis-Kollektordiode leitet


uCE < uBE
2 Quasisättigung uBC > 0 Wie 1

3 aktiver Bereich uBC < 0 Basis-Kollektordiode sperrt


uCE > uBE
3“ aktiver Bereich uBC < 0 Wie 3, aber mit Early-Effekt

4.1.3 Nichtsättigungsbetrieb (aktiver Bereich, uBC < 0)


Die Kollektor-Emitter-Spannung uCE ist so hoch, dass der Basis-Kollektor-Übergang gesperrt
ist. Es existiert in Abb. 4-6 am (kollektorseitigen) pn Übergang eine Raumladungszone (RLZ),
deren Weite von uCE abhängt. Das (emitterseitige) Diffusionsdreieck geht in der Basis auf Null
zurück. Das Gefälle des Diffusionsdreiecks ist durch den Kollektorstrom iC festgelegt. Der
Widerstand im nė-Gebiet des Kollektors ist aufgrund der wenigen Ladungsträger relativ hoch.
Zwar ist iC durch iB eingeprägt, der Early-Effekt führt aber trotzdem zu einem geringen
Anstieg des Kollektorstromes mit uCE.
Diffusionsdreieck iC
n+ p nė
RLZ n+

uCE
Abbildung 4-6 Ladungsverteilung im Nichtsättigungsbetrieb
(durch RLZ hoher Spannungsabfall)
38 4 Transistoren

4.1.4 Quasisättigungsbetrieb (uBC > 0)


Der Basis-Kollektor-Übergang ist in Abb. 4-7 durchlassgepolt. Das Diffusionsdreieck geht in
der Basis nicht auf Null zurück. Hierdurch entfällt die RLZ am pn-Übergang und es bildet sich
auch im schwach dotierten Bereich nė ein Diffusionsdreieck. Durch die zusätzlichen
Ladungsträger in der schwach dotierten Zone geht der Kollektor-Bahnwiderstand RCB zurück.
Die Steigung der Ausgangskennlinie ist bezogen auf den aktiven Bereich größer. Infolge des
Diffusionsdreiecks in der nė Zone baut sich eine zusätzliche Speicherladung QS auf, wodurch
sich das dynamische Verhalten des Transistors verschlechtert.
zusätzliche Speicherladung iC
n+ p nė n+
RCB

uCE
Abbildung 4-7 Quasisättigungsbetrieb

Reicht das Diffusiondsdreieck in der ní Zone bis zum Rand der hoch dotierten Kollektorzone
n+, so ist die schwach dotierte Zone mit Ladungsträgern überfüllt und der Kollektor-
Bahnwiderstand ist praktisch Null. Es gibt nahezu keinen Spannungsabfall mehr über der
schwach dotieren Zone. Dies ist der typische Betriebspunkt eines Leistungstransistors.
zusätzliche Speicherladung iC
n+ p nė n+

uCE
Abbildung 4-8 Betrieb an der Sättigungsgrenze
Sättigungsspannung uCE,sat (siehe Abb. 4-5):
u CE u BE ʅu CB mit: u CB IJ ėu BE gilt: u CE u CE,sat ʈ u BE (4-5)

4.1.5 Übersättigungsbetrieb
In Abb. 4-9 erstreckt sich das Diffusionsdreieck im Kollektor bis in das n+-Gebiet hinein.
Zwar hat der Transistor in diesem Zustand den geringsten Widerstand, infolge der großen
Speicherladung QS weist er aber die schlechtesten dynamischen Eigenschaften auf.

n+ p nė n+ iC

QS

uCE
Abbildung 4-9 Übersättigungsbetrieb
4.1 Bipolartransistor 39

Transistorschalter werden aber in der Regel im Sättigungsbereich betrieben um einen geringen


Spannungsabfall zu erreichen. Der Sättigungszustand wirkt sich beim Umschalten wegen des
Auf- und Abbaus der Diffusionsladungen nachteilig aus. Das Ausschaltverhalten wird dann
durch eine negative Steuerspannung verbessert. Den Abbau der Speicherladung mit und ohne
negativer Steuerspannung zeigt Abb. 4-10.
a) b)
Abbildung 4-10
Aus RB Aus RB
Ausschaltvorgang ohne (links) und
mit negativem Basisstrom (rechts)
UB
UB UB Ein negativer Basisstrom liefert
zusätzliche Elektronen in die ní-Zone.
Durch die intensive Rekombination
nė nė existieren am pní-Übergang schnell
keine freien Ladungsträger mehr und
es kann sich eine RLZ ausbilden.

RLZ

a) Abbau der Basisladung nur durch Rekombination im schwach dotierten Gebiet.


b) Durch den negativen Basisstrom bildet sich schnell eine Raumladungszone RLZ aus.
Dadurch kann die CE-Strecke Spannung aufnehmen, obwohl die Speicherladung noch
nicht völlig abgebaut ist. Aus dieser Tatsache resultieren hohe Ausschaltverluste. Der
Abbau der restlichen Ladungsträger erfolgt durch Rekombination, was im schwach
dotierten Bereich einen vergleichsweise langen Zeitraum beansprucht. Hieraus resultiert
der Schweifstrom bei Ausschalten (Tail-Strom).
Eine Vermeidung des Übersättigungsbetriebes kann durch Begrenzung der Ansteuerspannung
mit einer „Clamp“-Schaltung nach Abb. 4-11 erreicht werden.
a) uD b) uD1

uBC uBC
1 1
RB
2 uCE 2 uCE
iB
RB iB uD2 uD
uBE
uBE

Abbildung 4-11 Möglichkeiten zur Vermeidung der Übersättigung


a) Für den Basisstrom iB folgt mit den Maschenumläufen M1 und M2:

M1: uBC u D ė RBŏi B M2: uBC u BE ė uCE

(4-6)
1
Durch Gleichsetzen und nach i B auflösen folgt: i B ŏʛu ʅu ė uBE ʜ
RB CE D

Unter der Annahme, dass uD (ca. 0,35 V bei einer Schottky-Diode) und uBE konstant sind,
ändert sich iB mit uCE. Über den Basiswiderstand kann die Übersättigung eingestellt
werden. Der Basisstrom iB „läuft“ dann mit der Spannung uCE mit, so wie es in Abb. 4-12b
40 4 Transistoren

dargestellt ist. Zum Vergleich zeigt Abb. 4-12a die Arbeitspunkte, die sich bei einem festen
Basisstrom iB abhängig von uCE einstellen würden.
a) i R-Geraden b) i R-Geraden
C C Abbildung 4-12
iB iB1 a) Übersättigung durch
geänderte Betriebs
optimal iB2 spannung Ud
iB3
übersättigt b) Nachführung
von iB mit uCE.

Ud3 Ud2 Ud1 uCE Ud3 Ud2 Ud1 uCE

b) In Abb. 4-11b erfolgt die Nachführung des Basisstromes iB indirekt über uBE. Durch die
Anzahl der Dioden D (Gesamtschwellspannung) kann die Sättigung eingestellt werden.
u BC u D1 ė u D ė u D2 sowie: u BC uBE ė u CE folgt mit u D1 u D2
(4-7)
u BE u CE ė u D

4.1.6 Darlington-Transistoren
Hochspannungstransistoren haben eine relativ kleine Stromverstärkung. Ein bipolarer Leis-
tungstransistor wird deshalb oft in Darlington-Schaltung ausgeführt. Durch die Hinter-
einanderschaltung mehrerer Transistoren erhält man eine wesentlich größere Gesamt-Strom-
verstärkung Bges. Der Basisstrom für die Ansteuerung bleibt in der Größenordnung von 1 A.
Eine zusätzliche Beschaltung nach Abb. 4-14 verringert die Ausschaltzeit (turn-off time).

iC1 iC2 C i i
B2 E1
i B ŏi B ŏi B ŏʛi ʅ i ʜ
B1 C2 2 B2 2 E1 2 B1 C1
B T2
T1 iB2 i B ŏʛi ʅi ŏB ʜ B ŏʛ1ʅ B ʜŏi
B2 C2 2 B1 B1 1 2 1 B1

mit B ļ1 folgt B IJB ŏB
E 1 ges 1 2

Abbildung 4-13 Prinzipieller Aufbau eines Darlington-Transistors

C Abbildung 4-14
iC1 iC2
iB1
Einstufige Darlington-
schaltung mit
B T2 verbesserter Ansteuerung
iB2
T1

E Symbol
4.1 Bipolartransistor 41

4.1.7 Vergleich Bipolartransistor – Schalter


Wird ein mechanischer Schalter S durch einen Transistorschalter T ersetzt, so ändert sich das
Systemverhalten. Am Beispiel einer Lampensteuerung lassen sich die wesentlichen Unter-
schiede aufzeigen. Dazu wird eine Lampe mit Rkalt << Rwarm über einen Transistor T und über
Schalterkennlinien
iC
Lampe Lampe S

iC iC uCE
Ud Ud
T S iC
T ein
uCE uCE
T aus

uCE

Abbildung 4-15 Schalten eines nichtlinearen Widerstandes (z. B. einer Lampe)

einen mechanischen Schalter S eingeschaltet (Abb. 4-15). Es zeigt sich, dass der Transistor mit
seiner Strom einprägenden Wirkung den Einschaltstrom der Lampe nahezu ausgleicht. Selbst
der Kurzschlussstrom wird vom Transistor durch seine nichtlineare Kennlinie begrenzt.
Deshalb ist eine Schmelzsicherung bei einem Transistorschalter nur bedingt wirksam. Der
Vorteil des idealen Schalters S ist der im Vergleich zum Transistor vernachlässigbare
Spannungsabfall im Durchlassbetrieb, wodurch nur sehr geringe Durchlassverluste entstehen.
Mit dem Transistorschalter kann die Leistung der Lampe linear gesteuert werden. Dabei sind
zwei Betriebsarten möglich die nachfolgend beschrieben werden.
Ud Abbildung 4-16
EIN-Arbeitspunkte des
Rkalt mechanischen Schalters S Einschalten eines nichtlinearen
ohmschen Verbrauchers mit
iC
einem mechanischen Schalter S
EIN-Arbeitspunkte des und einem Transistor T
Transistorschalters

Rkalt À Der Transistor wirkt durch


Kurzschluss

seine nichtlineare Kennlinie


strombegrenzend.

Ud iC ( iB )
R warm
Rwarm

AUS

Ud uCE
42 4 Transistoren

4.2 Betriebsarten
Ein Transistorschalter kann als Gleichstromschalter zum Betätigen von typischen Gleich-
stromlasten, wie z. B. einer Lampe oder einem Stellmotor, oder als Pulssteller zum perio-

Transistorschalter

Pulssteller
Gleichstromschalter Periodische Schalthandlungen
einmalige Schalthandlungen
Periodendauer TP
Einschaltzeit TE

dischen Steuern eines Mittel- oder Effektivwertes eingesetzt werden. Die Steuerung als Puls-
steller kann mit einer konstanten oder zeitveränderlichen Pulsfrequenz fP erfolgen.

iC
uR
R

iC Ud U d ėU CE,sat
Id
R
uCE
TE t
1
TP
fP

Abbildung 4-17 Transistorschalter im Pulsbetrieb

Für den Kollektorstrom iC lassen sich der Mittelwert ICAV und der Effektivwert ICRMS bestim-
men. Man wählt im Pulsbetrieb als Zeitbasis der Mittelwertbildung die Periodendauer TP
(Kurzzeit-Mittelwert). Mit der Annahme eines zeitlich konstanten Gleichstromes Id ergeben
sich für den Mittelwert ICAV und Effektivwert ICRMS die Beziehungen:

Effektivwert (Root Mean Square, RMS) Mittelwert (Average, AV)

T
TE

ʎ ʎ
T
1 E 2 TE 1 E
I CRMS ĩ i dt I dŏ ʘi I CAV ĩ i dt I dŏ
C TP 0 C TP
TP 0 C TP
4.2 Betriebsarten 43

4.2.1 Schalten einer ohmsch-induktiven Last


Die Arbeitsweise der Schaltung in Abb.
4-18 ist von mehreren Zuständen gekenn-
R u R RŏiC zeichnet, die in Abb. 4-19 dargestellt sind:

d iC
L uL L
dt Statische Zustände
Ud
iC 1. AUS: iC = 0 A, uCE = Ud
iB 2. EIN: iC und uCE sind bestimmt durch
uCE
den Arbeitspunkt von Widerstands-
uBE und Sättigungsgerade (Abb. 4-19).

Abbildung 4-18 Ohmsch-induktive Last

Dynamische Zustände

EINSCHALTEN
Beim Einschaltvorgang (t0 in Abb. 4-19) bricht die Spannung uCE sehr schnell auf Null
zusammen (t1) und der Strom iC steigt von 0 mit der Zeitkonstanten ˃ =L/R näherungsweise
exponentiell an, bis der Arbeitspunkt EIN nach Gl. (4-8) erreicht ist (t2). Gleichzeitig steigt
uCE von 0 auf den Wert der Sättigungsspannung UCE,sat im Arbeitspunkt an.
U d ė U CE,sat
iC (4-8)
R
Die Induktivität L nimmt während dieser Zeit die Energie WL nach Gl. (4-9) auf.
1 2
WL Li (4-9)
2 C

AUSSCHALTEN
Der Kollektorstrom iC ist durch die Induktivität L eingeprägt (t3 – t5). Beim Ausschalten muss
die Energie WL der Induktivität L abgebaut werden. Diese Energie wird größtenteils im
Transistor in Wärme umgewandelt. Während der Transistor hochohmig wird, kommt es zu
einer Spannungsüberhöhung an der Kollektor-Emitterstrecke.
M: ĖU 0 ėuCE ėu L ėuR ʅU d ʍ u CE U d ė u R ėu L mit u Lʆ 0

Bei hinreichend großer Stromsteilheit kann die Spannung uCE die Spannungsfestigkeit der
Kollektor-Basis-Diode (UCE,max) überschreiten, wodurch der Transistor im Durchbruch
betrieben wird. Sobald die Energie WL abgebaut ist, wird iC zu Null und die Spannung uCE
fällt auf Ud. Durch die auftretende Verlustleistung ist der Transistor thermisch gefährdet.
44 4 Transistoren

Zur Vermeidung des Durchbruchs setzt diese Betriebsart eine geringe Flankensteilheit des
Kollektorstromes iC voraus. Aber auch hierbei wird der Transistor durch die auftretende
Verlustleistung belastet.

iC PV,max
EIN Ausschalten
Ud
t3 t4 t5
R
t2
de
sgera

Durchbruch
gu ng

UCE, max
Sätti

AUS
Einschalten
t1 t0
Ud uCE
UCE,sat

Abbildung 4-19 Ein- und Ausschaltvorgang ohne Freilaufdiode

Zum Schutz des Schalttransistors beim Abschaltvorgang vor Überspannungen und zur
Reduzierung der Schaltverluste muss die ohmsch induktive Last nach Abb. 4-20 induktivitäts-
frei mit einer Freilaufdiode DF beschaltet werden. Durch die Freilaufdiode wird uCE auf ideal
Ud begrenzt. Die Stromübernahme der Freilaufdiode erfolgt, sobald die Ventilspannung uDF
positiv ist. Die Ventilspannung wird in Abb. 4-20 aus dem Maschenumlauf M ermittelt.

M: ĖU 0 u DFʅuZ ʅU d ėuCE

uZ Z R u R Rŏi L
ʍ u DF = uCEʅu Z ėU d

uDF DF d iL
L uL L Leitbedingung für DF :
dt
iDF iL
Ud u DF ʇ 0 wenn u CE ʇ U dʅu Z
iC = 0

uCE Abbildung 4-20


Schalter mit Freilaufdiode und zusätzlicher
iB = 0 Zenerdiode (Z-Diode) zum beschleunigten
uBE
T Abbau der Energie WL (Entmagnetisierung)
4.2 Betriebsarten 45

iC Ausschalten
Ud t3 t4 Freilaufdiode
EIN schaltet ein
R de
t2 t5

UZ0
sgera

mit
R Zener-
gung

-G
er a Diode im
de t6
Sätti

Freilauf-
kreis

Einschalten t0
t1

UCE,sat Ud
UCE

Abbildung 4-21 Ein- Aus-Schaltvorgang mit idealer Freilaufdiode und Zenerdiode

Während beim Ausschaltvorgang in Abb. 4-20 der Transistor hochohmig wird, steigt bei
annähernd konstantem Kollektorstrom iC die Spannung uCE auf den Wert der Eingangs-
gleichspannung Ud an. Überschreitet uCE den Wert von Ud, so ist uDF > 0 und die Freilauf-
diode übernimmt schlagartig den Laststrom iL. Nach der Stromübergabe auf die Freilaufdiode
wird der Laststrom von der Induktivität L weiterhin aufrecht erhalten, sinkt aber mit der
Zeitkonstanten ˃ auf Null (ideale Diode angenommen). Wegen di/dt < 0 ist uL negativ. Um
den Abbau von iL zu beschleunigen, wird zur Freilaufdiode DF in Abb. 4-20 eine Zenerdiode
Z in Reihe geschaltet. Hierdurch arbeitet die Induktivität auf eine Gegenspannung (Zener-
Spannung UZ) und wird bei gleicher Zeitkonstanten IJ schneller entmagnetisiert (Abb. 4-22).
Wie in Abb. 4-21 dargestellt, ist uCE während des Freilaufs um die Zener-Spannung vergrößert
auf uCE = Ud + UZ. Die Spannungsfestigkeit des Transistors bestimmt daher die zulässige
Zener-Spannung.

i
Abbildung 4-22
Ud iL Stromverlauf beim Abschalten
R ohne Zenerdiode einer Induktivität mit und ohne
Z-Diode im Freilaufzweig

Durch UZ will sich der Strom iL


theoretisch umkehren. Im
0 Stromnulldurchgang ist die
mit Zenerdiode t Energie der Induktivität L ab-
UZ iL = 0 gebaut und der Strom bleibt 0.
ė
R
IJ
46 4 Transistoren

4.2.2 Schalten eines eingeprägten Stromes


4.2.2.1 Weiches Schalten
In einem Stromkreis nach Abb. 4-23 werden Schaltvorgänge durch die Induktivität des Strom-
kreises bestimmt. Beim Einschalten des Transistors T bricht die Spannung uCE sofort auf IJ 0
zusammen. Die Steilheit von iC wird durch Ud und L˂ bestimmt. Beim Ausschalten bestimmt
der Transistor T zur Spannungsbegrenzung über die Ansteuerung die Stromsteilheit.
L˂ L˂ Abbildung 4-23
Ein- und Ausschalten
uL˂ D uL˂ D eines induktiven
Id Id
Stromkreises
Ud iC Ud iC
T T
uCE = Ud + uL˂
uCE = Ud - uL˂ IJ 0

L˂ bestimmt die Stromsteilheit L˂ verursacht beim Abschalten eine


und übernimmt die gesammte hohe Spannungsbelastung des
treibende Spannung Transistors

Die Spannungsbelastung des Transistors ist beim Ausschalten durch die Summe von Betriebs-
spannung und induzierter Spannung uLı gegeben. Die Stromsteilheit muss dann so begrenzt
sein, dass uLı zusammen mit Ud nicht den Transistor zerstört. Den Verlauf der Ströme und
Spannungen zeigt Abb. 4-24.

Abbildung 4-24
L˂ nimmt die d iC
uCE L˂ Schalten eines eingeprägten
gesamte Spannung auf dt Stromes in einem stark induktiven
ûCE
Stromkreis (weiches Schalten)
Ud – Beim Einschalten bricht die
Spannung uCE fast auf Null zusam-
t men, so dass es nur geringe Ein-
schaltverluste gibt.
iC
iCM – Beim Ausschalten muss die
Id Stromsteilheit so gering gewählt
werden, dass die induzierte
Spannung nicht den Transistor
t gefährdet (Durchbruch).
iDF
– Die in der Induktivität gespeich-
Id
erte Energie WL muss beim Aus-
schalten im Transistor in Wärme
iRRM umgewandelt werden. Dies ist mit
t
iB hohen Ausschaltverlusten
Strom-Steilheitsbegrenzung verbunden.

t
4.2 Betriebsarten 47

4.2.2.2 Hartes Schalten


In einem induktivitätsfreien Stromkreis nach Abb. 4-25 ist die Stromsteilheit allein durch den
Transistor T bestimmt. Überspannungen treten (ideal) nicht auf. Die Spannung uCE bleibt
während des gesamten Einschaltvorganges auf dem Wert der Betriebsspannung Ud. Die Folge
sind hohe Einschaltverluste.

Abbildung 4-25

D
Id Hartes Schalten, Ersatzschaltbild
iC Beim harten Schalten arbeitet der Transistor direkt an der
Ud
T Spannung des Kondensators. Der Stromkreis ist daher,
uCE =Ud abgesehen von unvermeidbaren Leitungsinduktivitäten,
induktivitätsfrei.

Unvermeidliche parasitäre Induktivitäten des Stromkreises führen beim Einschalten jedoch zu


einer reduzierten Spannung uCE und so zu einer Einschalt-Entlastung des Transistors. Beim
Ausschalten belasten diese Induktivitäten den Transistor jedoch mit einer Überspannung.
Abhilfe kann hier ein Entlastungsnetzwerk (RCD-Beschaltung, Kap. 4.2.3) bringen. Der in
Abb. 4-26b dargestellte Verlauf der Arbeitspunkte beim Ein- und Ausschaltvorgang muss
innerhalb des vorgegebenen sicheren Arbeitsbereiches (SOA) entsprechend Abb. 4-3 liegen.
a.) b.)
Einfluss
parasitärer Induktivitäten
uCE

ûCE
iC
Ud
iCM
ideal
t

iC iCM Ein
Id Id Aus

iDF uCE
Ud ûCE
Id
iRM t

iB

t
Abbildung 4-26 Hartes Schalten
Die Stromsteilheit wird beim Ein- und Ausschalten vom Transistor vorgegeben. Beim Einschalten liegt
annähernd die volle Betriebsspannung an der Kollektor-Emitterstrecke, so dass erhebliche Schaltverluste
entstehen. Die Induktivität des Stromkreises muss so klein sein, dass beim Abschalten die maximal
zulässige Kollektor-Emitterspannung nicht überschritten wird. Die auftretende Schaltüberspannung
begrenzt letztlich den tatsächlich abschaltbaren Strom.
48 4 Transistoren

4.2.3 RCD-Beschaltung
Zur Spannungsentlastung des Transistors T wird beim Ausschaltvorgang ein Kondensator C
parallel zur Kollektor-Emitterstrecke geschaltet. Bei jedem Ausschaltvorgang wird der
Kondensator mit der Energie der parasitären Induktivität L˂ des Stromkreises geladen. (L˂
beschreibt auch die parasitäre Induktivität des Kondensators und der internen Verschaltung des
Transistors (5-20 nH)). Mit der Kapazität C kann die maximale Spannungsbelastung des
Transistors ûCE nach Gl. (4-10) festgelegt werden. Damit der Kondensator beim Einschalt-
vorgang nicht den Transistor überlastet, erfolgt die Entladung von C über einen in Reihe
geschalteten Widerstand R. Die Diode D leitet beim Ausschalten den Ladestrom am
Widerstand R vorbei und zwingt den Entladestrom beim Einschalten über den Widerstand R.
Die Entladezeit des Kondensators (>3 R·C) begrenzt die maximale Schaltfrequenz des
Transistors.

iDF Id Abbildung 4-27

DF Transistorschalter mit RCD-


Beschaltung zur Kompensation
der parasitären Induktivität des
Cd Stromkreises
Ud iL˂
uL˂ Die RCD-Beschaltung

ȩ verringert die Span-
M iC iB nungsbelastung der
R Kollektor-Emitterstrecke
D
T uCE und

C ȩ reduziert die Schaltverluste.


uC

RCD-Beschaltung

Zur Wirkungsweise:
In Abb. 4-27 leitet T und führt den Kollektorstrom iC = Id. Der Kondensator C sei vollständig
entladen. Wird der Basisstrom des Transistors abgeschaltet, sinkt der Kollektorstrom iC und
wird zu 0. Der von L˂ eingeprägte Strom fließt nun in den Kondensator C. Der Kondensator
wird mit Id über die Diode D geladen. Die Spannung uCE verhält sich wie uC. Überschreitet
uCE den Wert der Eingangsspannung Ud, schaltet die Freilaufdiode DF durch und der
Freilaufkreis ist aktiv. Der Kondensator C nimmt noch die Energie der parasitären
Induktivitäten des Stromkreises auf und bleibt geladen bis T wieder einschaltet. Dann entlädt
sich C über R und der CE-Strecke von T. Mit Gl. (4-10) kann die Spannungsbelastung des
Kondensators abgeschätzt werden.

ʎ
L
uʒ CE U d ʅ ʧu C mit ʧ uC I dŏ
˂ (4-10)
C
4.3 Der IG-Feldeffekttransistor (MOSFET) 49

4.3 Der IG-Feldeffekttransistor (MOSFET)

4.3.1 Aufbau

Gateelektrode
Abbildung 4-28
+ ++++++++++ Prinzip des Feldeffekt-
transistors
- - - - - - - - - -
UGS Influenzladung
p-dotiertes Substrat
-
Gegenelektrode

Beim MOSFET wird die elektrische Leitfähigkeit eines Substrates durch ein elektrisches Feld
gesteuert. Der prinzipielle Aufbau eines MOSFET nach Abb. 4-28 entspricht dem eines
Kondensators. Zwischen zwei Elektroden befindet sich ein p-dotiertes Substrat. An den
Elektroden sei die Spannung UGS wirksam. Das von dieser Spannung erzeugte elektrische Feld
E ruft im Substrat Influenzladungen hervor. Diese Ladungen, im p-Gebiet sind das
(Majoritätsträger) Elektronen, bewirken eine elektrische Leitfähigkeit des Substrates. Ohne
äußere Spannung gibt es keine Influenzladungen und somit auch keine elektrische
Leitfähigkeit. Zur Steuerung eines Stromes muss diese Anordnung entsprechend Abb. 4-29
abgewandelt werden.
Metallisierung S G D
Abbildung 4-29
Praktische Ausführung
eines MOSFET
n Isolierschicht n
aus Metall-Oxid

p-dotiertes Substrat p

Sperrschicht des pn-Überganges


B ( Bulk)
im spannungslosen Zustand
Gegenelektrode
Im p-Substrat befinden sich jetzt zusätzlich zwei n-dotierte Bereiche mit den Anschlüssen S
(Source) und D (Drain). Über diese Anschlüsse soll der gesteuerte Stromfluss erfolgen. Zur
Erzeugung des elektrischen Feldes dienen die Anschlüsse G (Gate) und B (Bulk, Substrat). Die
Gateelektrode ist durch ein Metalloxid vom Substrat isoliert. Deshalb wird dieser Transistortyp
als Metall-Oxid-Semiconductor, kurz MOSFET, bezeichnet. Ohne äußere Spannungen bilden
sich an den pn-Übergängen Raumladungszonen aus. Für den praktischen Einsatz wird der
Substratanschluss B mit dem Sourceanschluss S direkt verbunden. Wird an die Anschlüsse D
und S nun eine positive Spannung UDS angelegt, so ist in Abb. 4-30 der rechte pn-Übergang in
Sperrrichtung, der linke in Durchlassrichtung gepolt. Ein Stromfluss kann in beiden
Richtungen nicht erfolgen. Man nennt diesen Transistortyp daher selbstsperrend.
50 4 Transistoren

uDS
Symbol
S G D D

G
n n S
pn-Übergang bei UDS > 0 D: Drain
B in Sperrrichtung gepolt p S: Source
G: Gate
Abbildung 4-30 Selbstsperrender n-Kanal MOSFET mit Symbol

Wird zusätzlich die Steuerspannung UGS angelegt, so kommt es aufgrund des elektrischen
Feldes E im Substrat zu einer Elektronenansammlung zwischen Drain- und Source-Anschluss,
einem leitfähigen Elektronenkanal (n-Kanal), und es fließt ein reiner Elektronenstrom vom
Drain zum Source-Anschluss, daher die Bezeichnung unipolar-Transistor. Die Elektronen-
leitung hat einen positiven Temperaturkoeffizienten.
Der in Abb. 4-31 dargestellte n-Kanal-MOSFET ist für kleine Spannungen und Ströme
geeignet. Durch eine Parallelschaltung vieler Einzeltransistoren kann eine höhere Stromstärke

uDS
Abbildung 4-31
uGS > 0
G Bildung des Elektronenkanals
D bei uGS > 0
S

n n
E
e e e p-Substrat
B

erreicht werden. Bei der erforderlichen Parallelschaltung solcher Einzeltransistoren zu einem


Leistungs-MOSFET ergeben sich folgende Probleme:
À Die Verlustleistung tritt in den stromführenden Schichten unter der Oberfläche auf. Die
entstehende Wärme kann von dort schlecht abgeleitet werden und führt auf ein vertikal
inhomogenes Temperaturprofil.
À Die Verbindung aller individuellen MOSFET-Einheiten untereinander durch Leiterbahnen
erweist sich als kompliziert. Zudem wird die Kristallfläche nur schlecht ausgenutzt.
Der Schlüssel zur Entwicklung von Leistungs-MOSFETs besteht in der vertikalen Anordnung
der stromführenden Schichten. Der vertikale Aufbau gestattet eine zellenförmige Strukturie-
rung des Leistungshalbleiters und damit eine hohe Konzentration identischer MOSFET-
Elemente auf einem Kristall. Durch eine regelmäßige Anordnung der vertikal aufgebauten
MOSFET-Zellen ergibt sich eine homogene Verteilung der Verlustleistung. Die entstehende
Wärme kann gut über das Substrat und den Drainkontakt abgeführt werden, so dass die
Stromdichte verdreifacht werden kann. Dabei sorgt der positive Temperaturkoeffizient für eine
gleichmäßige Stromverteilung im Kristall. Die Integrationsdichte bei Leistungs-MOSFET
beträgt z. Zt. > 800000 Transistorzellen pro cm2 bei einer Chipfläche von 0,3...1,5 cm². Die
Entwicklung des Leistungstransistors aus dem Signaltransistor zeigt Abb. 4-33. Damit der
4.3 Der IG-Feldeffekttransistor (MOSFET) 51

MOSFET nach Abb. 4-33a auch hohen Sperrspannungen standhalten kann, wird eine niedrig
dotierte Driftzone (ní) zwischen dem p-Gebiet unter dem Gatekontakt und der n+ -Drainzone
vorgesehen werden (Abb. 4-33b). Sie reduziert die Feldstärke und verhindert so einen Feld-
stärkedurchbruch. Praktisch die gesamte Spannung UDS fällt über diesen Bereich ab. In den
weiteren Schritten wird nun erreicht, dass der Drainanschluss für eine vertikale Stromführung
auf die Unterseite des Substrates verlegt wird. Dabei kann zunächst der Substratanschluss B
durch eine überlappende Kontaktierung im S-Bereich ersetzt werden. In Abb. 4-33c ist die
fertige Struktur eines Einzeltransistors zu erkennen. Darin ist auch die Inversdiode (Body-
Diode) angedeutet. Abb. 4-33d zeigt den durch Parallelschaltung entstandenen Leistungs-
transistor. Diese Anordnung lässt sich prinzipiell erweitern, wodurch sich hohe Stromstärken
für einen MOSFET-Leistungstransistor erzielen lassen. Hauptanwendung derzeit bei Span-
nungen kleiner 200 V z. B. im Automobilsektor oder bei Schaltnetzteilen. Zur Erzielung einer
höheren Spannungsfestigkeit (bis 1000 V sind möglich) muss die nė-Zone verbreitert werden.
Bei Verdopplung der Spannungsfestigkeit steigt jedoch der Durchlasswiderstand rDS(on)
üblicherweise bis auf den fünffachen Wert an („Silicon Limit“). Einer Verringerung von
rDS(on) durch eine entsprechende Vergrößerung der Siliziumfläche ist wegen der dabei
sinkenden Fertigungsausbeute eine Grenze gesetzt. Abb. 4-32 zeigt den möglichen Einsatz
einer externen Inversdiode bei einem MOSFET.
Vergleich eines MOSFET-Leistungstransistor mit einem Bipolartransistor:

Leistungs-MOSFET Bipolartransistor

Spannungsgesteuerter Schalter Stromgesteuerter Schalter

Unipolarer Ladungstransport durch Bipolarer Ladungstransport durch Elektronen


Elektronen (n-Kanal-Typ ) oder durch und Löcher. Daher:
Löcher (p-Kanal-Typ). Daher:
À Ladungsspeicher-Effekt
À keine Ladungsspeicherung
À Die Schaltverluste sind frequenz-
À frequenzunabhängige Verluste proportional
À positiver Temperaturkoeffizient À negativer Temperaturkoeffizient und
zweiter Durchbruch
À hoher Durchlasswiderstand da
keine Ladungsträgerinjektion. À Kleiner Durchlasswiderstand bei hohen
Strömen durch Ladungsträgerinjektion
À Strukturbedingte Inversdiode in die Kollektorzone.
Der vertikale Stromfluss unterhalb des Der ganzflächige Kollektor-Basis-Übergang
Gate-Bereiches führt auf eine nur führt auf eine optimale Ausnutzung der
partielle Nutzung der Siliziumfläche. Siliziumfläche.

Abbildung 4-32
SD
Abschaltung der Body-Diode
Externe
Inversdiode Der Einsatz einer externen Inversdiode ist möglich, wenn die interne
Inversdiode (Body-Diode) über eine zusätzliche Schottky-Diode (SD)
ausgeschaltet wird. Es entsteht aber ein zusätzlicher Spannungsabfall
in Durchlassbetrieb des MOSFET von ca. 0,4 V.
52 4 Transistoren

schwach dotierte Zone


a)
Substrat- zur Erhöhung der
anschluss über Spannungsfestigkeit
die Source- S G D
Kontaktierung
MOS-
Hochspannungs-
n n ė
n transistor
p D-MOSFET

b) S G

n Drainanschlus
nė s seitlich
verlegt
D
n
p

S G
c)

n fertiger MOS-
strukturbedingte p Leistungstransistor
Inversdiode nė V-D-MOSFET
(Body-Diode)
n

großflächiger Drainkontakt für D


eine optimale Wärmeabgabe

d) S
G

n n Parallelschaltung
zweier Transistorzellen
p

n

D
Abbildung 4-33 Herleitung des MOS-Leistungstransistors
4.3 Der IG-Feldeffekttransistor (MOSFET) 53

4.3.2 Die Kennlinie

Durchbruch
iD
ohmsches Verhalten
uGS

iD
D
uDS
Sättigung G S
uGS

Messschaltung
Abschnürbereich uGS konstant
Pinch-off

uDS

Abbildung 4-34 Statische Kennlinie eines n-Kanal-MOSFET

Ist in Abb. 4-34 die Spannung uGS größer als die Threshold-Spannung UTh, so existiert
zwischen D und S ein leitfähiger Kanal und der MOSFET verhält sich wie ein ohmscher
Widerstand (ohmscher Bereich). Im ohmschen Bereich wird der Kanalquerschnitt durch
Steigerung der Gate-Source-Spannung vergrößert. Er ist der Arbeitsbereich für Schalteran-
wendungen. Wird uDS > uGS, so ist der drainseitige pn-Übergang in Sperrrichtung beansprucht
und es bildet sich eine Raumladungszone (RLZ) nach Abb. 4-35 aus. Bei einer Steigerung von
uDS wird der Spannungsanstieg von der RLZ aufgenommen. Der Drainstrom bleibt nahezu
konstant (Sättigung) bis schließlich der Durchbruch erfolgt.
Die Spannungsbegrenzung im Durchbruchbereich entsteht entweder durch einen Durchgriff
der Raumladungszone auf die Drainelektrode (Punch Through) oder durch Stoßionisation
(Avalanche-Durchbruch).
uDS Abbildung 4-35
MOSFET im Sättigungszustand
RL Wegen uGD < 0 bildet sich an der Drainseite eine Raum-
uGD ladungszone aus. Steigt uDS weiter an, so wird durch
Ausweitung der Raumladungszone RLZ der Spannungs-
S uGS G D anstieg kompensiert.

n+ n+ Folge:
Der Drainstrom bleibt bei einem Anstieg der Spannung
Kanal RLZ uDS im Sättigungsbetrieb annähernd konstant.
Pinch-off-Punkt
p
54 4 Transistoren

4.3.3 Die Gatekapazität


Die Gateelektrode eines MOSFET bildet eine Eingangskapazität, die für den Schaltvorgang
durch eine Ersatzkapazität CISS beschrieben wird. Die Zusammensetzung der Ersatzkapazität
zeigt Abb. 4-36. Die dargestellten Kapazitäten sind zum Teil von der Spannung uDS abhängig.
D iD
iG
CGD
iG
G uDS CDS
uGS CISS
uGS CGS

S
Abbildung 4-36 Gate-Ersatzschaltbild und Ersatzkapazität CISS eines MOSFET

CGS ist eine konstante Größe, CGD und CDS ändern sich mit der Spannung uDS. Um diesen
Einfluss zu berücksichtigen, ersetzt man CGD abhängig von der Spannung bzw. vom Schalt-
zustand durch die Werte CGD = CGD1 für uDS IJ 0 und CGD = CGD2 für uDS >> 0. Dabei gilt:
CGD1 >> CGD2. Zur Vereinfachung wird ferner in Gl. (4-11) die zwischen Gate G und Source
S wirksame Kapazität zusammengefasst als spannungsabhängige Ersatzkapazität CISS. Daten-
blattangaben für CISS gelten bei einer Spannung uDS = 25 V und sind mit einer Messbrücke bei
einer Frequenz von 1MHz ermittelt, d. h. CISS ist eine Vergleichsgröße (siehe auch Gl. 4-14).
C ISS C GS ʅ C GD (4-11)

Die Kondensatoren CGS und CGD bilden für das Gate einen kapazitiven Spannungsteiler. Bei
offenem Gateanschluss wirkt die Spannung uDS daher über CGD auf den Eingang zurück.

D
Abbildung 4-37
CGD
RG G Kapazitiver Spannungsteiler am Gateanschluss
uDS
Änderungen von uDS wirken über CGD auf den Eingang G
uG uGS CGS zurück.
S
Die Änderung der Gatespannung uGS berechnet sich in diesem Fall zu:
C GD
Spannungsrückwirkung: ʧuGS ʧ uDS (4-12)
C GD ʅC GS

Da im Schalterbetrieb uDS große Spannungssprünge macht (siehe auch Abb. 4-60), besteht die
Gefahr, dass CGS über diese kapazitive Kopplung auf UTh aufgeladen wird und der MOSFET
ungewollt einschaltet. Zur Einprägung der Gatespannung uGS muss die Ansteuerung des Gates
daher möglichst niederohmig erfolgen (kleiner Gatewiderstand RG). Ferner wird die Gate-
spannung im ausgeschalteten Zustand auf negative Werte eingestellt. Übliche Ansteuerspan-
nungen: Ein: uG = +15 V, Aus: uG = í15 V.
4.3 Der IG-Feldeffekttransistor (MOSFET) 55

4.3.4 Neuere Entwicklungsrichtungen


Ziel der Entwicklungsarbeiten ist die Verringerung der Durchlassverluste in Verbindung mit
einer Spannungsfestigkeit von über 1000 V. Bei der in Abb. 4-33 dargestellten Struktur eines
MOSFET-Leistungstransistors wird zur Erzielung einer hohen Spannungsfestigkeit die Dicke
der ní-Schicht angepasst. Bei einer Verdopplung der Spannungsfestigkeit der Drain-Source-
Strecke steigt jedoch der Durchlasswiderstand rDS(on) in etwa auf den fünffachen Wert. Dieser
Zusammenhang wird allgemein mit „Silicon-Limit“ bezeichnet.
À Bei vergleichbarer Stromtragfähigkeit wächst bei der MOS-Struktur die erforderliche
Chipfläche (Exponent: 2,4 – 2,6) überproportional zur Spannungsfestigkeit.
Werden in die ní-Zone des normalen MOSFET-Leistungstransistors nach Abb 4-38a p-
leitende Gebiete eingebracht die mit der p-Schicht verbunden sind, so erhält man die so
genannte CoolMOS-Struktur eines MOSFET-Leistungstransistors nach Abb 4-38b.

S G S G
SiO2 SiO2

n+ n+ n+ n+
p p p p
n- p n- p

n+ n+
D D

a) Standard-Struktur eines b) CoolMOS-Struktur


MOSFET-Leistungstransistors

Abbildung 4-38 Vergleich von MOS- und CoolMOS-Struktur

Bei der CoolMOS-Struktur führen die zusätzlichen p-Gebiete im Sperrzustand zu einer ver-
änderten Feldausbildung in der ní-Zone, wodurch bei gleicher Spannungsbelastung eine redu-
zierte Dicke der ní-Zone möglich wird. Der als „Silicon-Limit“ bezeichnete Zusammenhang
zwischen Sperrspannung und Durchlasswiderstand ist dadurch praktisch aufgehoben, rDS(on)
wächst nur noch linear mit der Spannungsfestigkeit des Transistors. Die Folge ist ein ver-
gleichsweise geringer Durchlasswiderstand rDS(on).
Im Vergleich zur MOSFET-Struktur nach Abb. 4-38a zeigt die CoolMOS-Struktur nach Abb.
4-38b folgende Vorteile:
À Bei gleicher Chipfläche reduziert sich rDS(on) um den Faktor 5.
À Für einen vergleichbaren Strom ist nur noch 1/3 der Chipfläche erforderlich, bei
gleichzeitig reduzierten Schalt- und Durchlassverlusten.
À Die Gatekapazität und -ladung sind um 1/3 reduziert.

Einschränkungen bei der Anwendung dieser Transistoren ergeben sich aus der Leistungs-
fähigkeit der Inversdiode (Body-Diode).
56 4 Transistoren

4.4 Der IG-Bipolar Transistor (IGBT)

4.4.1 Aufbau
Wird ein feldgesteuertes Bauelement nicht wie der MOSFET mit einem n-leitenden Substrat
sondern, wie in Abb. 4-39 dargestellt, mit einem p-leitenden Substrat hergestellt, so erhält man
den Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT.
MOSFET IGBT
S G E G C

n n
p p G
n– n–
n p E
D C
Abbildung 4-39 Die Ableitung der IGBT-Struktur (NPT) vom MOSFET und Schaltsymbol

Während der Stromfluss des MOSFET von D nach S von einem np-Übergang bestimmt ist,
der als Inversdiode arbeitet, findet der Stromfluss im IGBT über eine pnp-Strecke statt und
enthält somit keine strukturbedingte Inversdiode. Zum Verständnis dieser Schichtenfolge wird
ein Ersatzschaltbild nach Abb. 4-40 gewählt. Der IGBT setzt sich aus einem Bipolartransistor
T2 und einem MOSFET T1 zusammen. Zusätzlich ist ein weiterer Transistor T3 enthalten, der
über den Wannenwiderstand RW angesteuert wird. T2 und T3 bilden eine Thyristorstruktur. Im
Normalfall ist RW so klein, dass die Basis-
E (Emitter) G ( Gate ) Emitterstrecke von T3 kurzgeschlossen ist,
wodurch diese Struktur inaktiv bleibt. Die
p n T Thyristorstruktur ist nur für den Überlastfall
RW 1
von Bedeutung. Der IGBT würde dann seine
Steuerbarkeit verlieren (latch up). Bei der Tran-
T3 sistorherstellung ist man bestrebt, diesen Effekt
erst bei sehr hohen Strömen zuzulassen.
Praktisch kann der IGBT einen Kurzschluss-
-- strom kurzzeitig führen und abschalten. Für den
T2 n
--
normalen Betrieb des IGBT ist daher nur der
n MOSFET zusammen mit T2 von Bedeutung
und es genügt ein Ersatzschaltbild nach Abb. 4-
41. Die Herstellung von Chipflächen größer 2
p
cm² ist derzeit wegen der geringen Struktur-
breiten wirtschaftlich nicht möglich, so dass für
C (Kollektor) höhere Ströme eine Parallelschaltung mehrerer
IGBT erforderlich ist. Eine gemeinsame Invers-
Abbildung 4-40 Vollständiges Ersatzschaltbild diode kann dann optimal für die Parallelschal-
tung gewählt werden.
4.4 Der IG-Bipolar Transistor (IGBT) 57

E (Emitter) G ( Gate ) iC C
p n
T1 T2 pnp

uCE
T2 G
n- T1
-
uGE MOS
p
C (Kollektor) E

Abbildung 4-41 Vereinfachtes Ersatzschaltbild eines IGBT

4.4.2 Durchlasseigenschaften
Das Durchlassverhalten wird durch den pnp-Transistor T2 in Abb. 4-41 bestimmt. Es liegt ein
bipolarer Leitungsmechanismus vor.

iC
iC
BE-Diode
Bahnwiderstand RB
RB
uCE
Schwellbereich
der BE-Diode uG

uGE

uCE
Sperrfähigkeit
prinzipielles Modell eines IGBT
der BE-Diode
zur Kennlinienbeschreibung
Abbildung 4-42 Durchlass- und Sperrkennlinie

Im Ersatzschaltbild erzeugt der Basis-Emitter Übergang des Transistors T2 einen Durchlass-


spannungsabfall wie eine Diode (BE-Diode in Abb. 4-42). Dadurch ist der Spannungsabfall
des IGBT bei geringen Strombelastungen höher als der eines vergleichbaren MOSFET´s. Bei
kleinen Betriebsspannungen bis ca. 200 V wird daher der MOSFET bevorzugt. Wie bei allen
bipolaren Bauelementen die mit einer schwach dotierten Schicht ausgestattet sind, tritt beim
IGBT mit zunehmender Strombelastung eine Ladungsträgerüberschwemmung im schwach-
dotierten Mittelgebiet auf, d. h. die Leitfähigkeit des n-Gebietes steigt mit zunehmender
Strombelastung, wodurch der Durchlasswiderstand ron mit steigender Strombelastung sinkt
(Leitfähigkeitsmodulation). Abb. 4-43 zeigt, dass der IGBT mit zunehmendem Strom statisch
einen geringeren Spannungsabfall als der unipolare MOSFET aufweist. Die Sättigungs-
spannung beträgt bei einem 600 V IGBT typ. ca. 1,5 V, bei einem 1200 V IGBT ca. 2,5 V. Die
58 4 Transistoren

Leitfähigkeitsmodulation unterliegt durch Ladungsträger Zu- und Abfuhr einer Trägheit, so


dass der IGBT (wie bei der pin-Diode beschrieben) für die Spannung uCE bei hoch-
dynamischen Stromänderungen ein scheinbar induktives Verhalten zeigt.
40
Abbildung 4-43
IGBT MOSFET
Vergleich der typischen
30
Durchlassstrom in A

Durchlassspannung von MOSFET


und IGBT

20 – IGBT: Sättigungsspannung

– MOSFET: ohmscher
10
Spannungsabfall

0
0 2 4 6 8 10
Durchlassspannung in

4.4.3 Das Schaltverhalten


Das Schaltverhalten wird durch den MOSFET und den pnp-Transistor im Ersatzschaltbild
nach Abb. 4-44 bestimmt.
Der MOSFET T1 bestimmt das
Einschaltverhalten und damit die
Spannungssteilheit
beim Einschalten.
Der bipolare Transistor T2
T2 bestimmt das Ausschalt-
verhalten. Durch Rekombi-
nationsvorgänge bildet sich
ein Schweifstrom
(current tail) der die Aus-
Gate T1 schaltverluste erhöht.
uGE RB

Abbildung 4-44 Zum Schaltverhalten eines IGBT

4.4.3.1 Einschalten
Durch Anhebung der Gate Spannung uGE über die Threshold-Spannungspannung UTh hinaus
bildet sich im MOSFET ein leitfähiger Elektronenkanal aus. Elektronen wandern von der
Sourceelektrode in die ní-Schicht (Drift-Region), Löcher wandern von der p-Schicht ebenfalls
in die Driftregion. Das ní-Gebiet wird mit Ladungsträgern „überschwemmt“ wodurch sich
eine hohe Leitfähigkeit einstellt. Aufgrund dieses Leitungsmechanismus kann der
eingeschaltete IGBT wie ein Bipolartransistor betrachtet werden, dessen Basisstrom von einem
4.4 Der IG-Bipolar Transistor (IGBT) 59

MOSFET gesteuert wird. Eine typische Schalteranwendung für eine Last mit eingeprägtem
Strom Id und einer Freilaufdiode DF zeigt Abb. 4-45. In dem Schaltbild sind zusätzlich die
Gate-Kapazität CGE und CGC dargestellt. Diese Elemente werden analog Gl. (4-11) zu CISS
zusammengefasst und ergeben mit RG die Zeitkonstante für den zeitlichen Ablauf des
Schaltvorganges in Abb. 4-46. Entsprechend der Spannungsabhängigkeit von CGC
unterscheiden wir zwischen
IJ1 = RG CISS (uCE § 0 ) und IJ2 = RG CISS (uCE >> 0 ) mit IJ1 > IJ2.

Abbildung 4-45
uDF DF L˂ Ein- und Ausschaltvorgang eines einge-
iDF prägten Stromes
K iC Id Zu Beginn der Betrachtung sei der
CGC Transistor ausgeschaltet und die Diode
uCE Ud leitend:
RG
iDF = Id, iC = 0 und uCE = Ud.
uG CGE uGE

Der Transistor in Abb. 4-45 sei zunächst ausgeschaltet (uGE = 0 V), der eingeprägte Gleich-
strom Id fließt für t ” t0 über die Freilaufdiode DF. Am Transistor liegt die volle Betriebsspan-
nung (uCE = Ud). Zum Zeitpunkt t0 beginnt die idealisierte Betrachtung eines Einschalt-
vorganges.
t0: Zum Zeitpunkt t0 wird das Gate mit dem Spannungshub ʧUG (typisch: + 15 V) beauf-
schlagt. Die Spannung uGE steigt in Abb. 4-46 von 0 V an mit der Zeitkonstanten IJ1 (da
sich uCE noch nicht ändert, bleibt CISS zunächst konstant).
t1: Sobald uGE die MOSFET-Threshold Spannung UTh erreicht (ca. 4 – 6 V), existiert ein
leitfähiger Kanal und der Kollektorstrom iC steigt im weiteren Verlauf proportional zu uGE
an. Die Stromsteilheit von iC wird allein durch die Spannungssteilheit von uGE bestimmt.
Die Freilaufdiode leitet weiter, bis der Strom iDF an den Transistor T übergeben ist und legt
bis dahin das Potenzial des Knotens K auf Ud fest. Am Transistor liegt daher die Spannung
uCE = Ud. Die Folge sind hohe Einschaltverluste. Entlastend wirkt sich die Spannungs-
aufteilung mit der parasitären Induktivität L˂ des Stromkreises aus (siehe auch Abb. 4-26).
t2: iC erreicht sein Maximum, die Freilaufdiode entsprechend das Rückwärtsstrom-Maximum
ihres Reverse Recovery-Vorganges (IRM). Die Freilaufdiode kann nun Sperrspannung auf-
nehmen, wodurch uCE zusammenbricht. Die Änderung von uCE teilt sich direkt der
Kapazität CGC mit, deren Wert sich sich nun mit fallender Spannung uCE vergrößert. Der
einsetzende Entladevorgang von CGC verzögert jetzt zusammen mit dem Kapazitätsanstieg
von CGC den weiteren Spannungsanstieg am Gate, so dass während des Durchschalt-
vorganges gilt: uCE § UGS.
t3: Die Freilaufdiode DF ist stromlos, iC = Id.
t4: Der Transistor ist durchgeschaltet. Während die nun konstante Eingangskapazität CISS mit
der Zeitkonstanten IJ2 > IJ1 nachgeladen wird, sinkt uCE auf den Restwert UCE,on.
60 4 Transistoren

uG

Freilaufdiode DF leitet uGE


UGS ʧuG

UTh

Freilaufdiode nimmt Sperrspannung auf t

~Lı iC

iDF uCE
Ud Id

uCE,on
t2
t0 t1 iRM t3 t4 t

Abbildung 4-46 IGBT-Einschaltvorgang bei konstantem Laststrom (idealisiert)

4.4.3.2 Ausschalten
Auch der Abschaltvorgang ist in seinem zeitlichen Ablauf vom Gate-Ladezustand bestimmt.
Ausgehend vom eingeschalteten Transistor in Abb. 4-47 mit iC = Id und uGE = uG folgt ein
Ausschaltvorgang bei t = t0:
t0: Die Steuerspannung uG wird auf 0 V umgeschaltet, uGE fällt mit IJ2 ab.
t1: uGE erreicht UGS wodurch der IGBT im Sättigungsbereich arbeitet und uCE ansteigt.
t2: Bei eingeprägtem iC beginnt uCE zu steigen. Die Kapazität CGC verringert sich mit
steigender Spannung uCE. In diesem Zustand kompensiert sich der (äußere)
Ladungsabfluss vom Gate mit der durch den Kapazitätsabfall von CGC im Gate
freiwerdenden Ladung, so dass uGE während des Anstiegs von uCE annähernd konstant
bleibt (uGE § UGS).
t3: uCE erreicht die Betriebsspannung Ud wodurch die Freilaufdiode DF in Durchlassrichtung
gepolt wird (uDF > 0). Der Strom iC fällt nun proportional zu uGE (iDF steigt entsprechend
an). Als Folge der Änderung von iC kommt es an der parasitären Induktivität L˂ des Strom-
kreises zu einer Überspannung ʧuCE. Zwischen t3-t4 tritt durch L˂ somit eine erhöhte
Schaltverlustleistung auf.
t4: Der MOSFET hat zum Zeitpunkt t4 abgeschaltet. Über die Basis des Bipolartransistors kann
anschließend keine Ladung mehr abfließen und es beginnt die Schweifstromphase, in der
die noch gespeicherte Ladung allein durch Rekombination abgebaut wird. In der ní-
Schicht ist dieser Vorgang relativ langwierig (s. Abb. 4-44).
4.4 Der IG-Bipolar Transistor (IGBT) 61

uG uGE
UGS
UTh

t
d iC
uCE ʧu CE = L˂
dt
Ud

iC
Id MOSFET-Schaltzeit durch uGE-
Steilheit bestimmt
Schweifstrom
(Rekombination)

t0 t1 t2 t3 t4 t
Abbildung 4-47 IGBT-Abschaltvorgang bei konstantem Laststrom Id (idealisiert)

Die Vierschichtstruktur des IGBT hat beim Ausschaltvorgang wegen der schwachen Dotierung
eine langsame Rekombination von Ladungsträgern in der nė-Schicht zur Folge. Dies führt zu
einem schweifförmigen Abklingen des Kollektorstromes. Verglichen mit einem MOSFET ist
der Ausschaltvorgang um ein Mehrfaches verlängert. Die Schaltverluste sind durch die verlän-
gerte Stromführung vergrößert, weshalb die Schaltfrequenz des IGBT im Vergleich zum
MOSFET abhängig von der Leistung relativ gering gewählt werden muss (siehe Kapitel
13.1.1). Abb. 4-48 zeigt zusammenfassend einen Schaltzyklus (TP: Periodendauer):

iC

Id iCM

Lı = 0
uCE
Lı = 0
Ud

t
TP

Abbildung 4-48 Schaltzyklus eines hart schaltenden IGBT mit eingeprägtem Strom Id
62 4 Transistoren

4.4.3.3 Lastwechselfestigkeit
Aus Lastwechseln mit Frequenzen unter etwa 3 Hz und vor allem bei intermittierendem
Betrieb, wie er z. B. in Traktions-, Aufzugs- und Impulsanwendungen vorherrscht, resultiert
eine Temperaturwechselbelastung der modulinternen Verbindungen, d. h. der
À Bondverbindungen,
À Rückseitenlötung der Chips,
À Lötung DCB/Bodenplatte,
À Substratlaminierung.
Die unterschiedlichen Längenausdehnungskoeffizienten der einzelnen Schichten verursachen
thermische Verspannungen während der Fertigung und dem Betrieb, die letztlich zu Material-
ermüdung und Verschleiß führen; die Lebensdauer ist über die Anzahl der möglichen
Temperaturzyklen entsprechend Abb. 4-49b definiert und fällt nach Abb. 4-49a mit steigender
Amplitude der Chiptemperaturschwankungen ʧ°. Bei Fahrzeugen im Nahverkehr (z. B.
U-Bahnen) treten während der Fahrzeug-Einsatzzeit 106 bis 107 Lastwechsel im Temperatur-
bereich 15 K < ǻ° < 40 K auf. Speziell für Traktionsanwendungen mussten deshalb „trak-
tionsfeste IGBT“ entwickelt werden, bei denen durch Optimierung der verwendeten Mate-
rialien (gleiche Wärmeausdehnung) in Verbindung mit angepassten Leistungsmerkmalen
(Spannungs- und Strombeanspruchung) eine ausreichende Zyklenfestigkeit erreicht wurde.
a) b)
10 6

ˊ Temperaturzyklus
105
ˊmax
104
Zyklen

ʧˊ
103
ˊmin
102

101
0 25 50 100 150 t
ʧ-.

Abbildung 4-49 Temperaturzyklus


Die Lebensdauer eines IGBT ist über die Anzahl der Temperaturzyklen definiert.
a) Typischer Lebensdauerverlauf eines IGBT bei intermittierendem Betrieb
b) Temperaturverlauf bei intermittierendem Betrieb und konstanter Temperatur des Kühlmediums

Der Ausfall eines IGBT hat im Allgemeinen ein Durchschmelzen der Bonddrähte zur Folge.
Die internen Anschlüsse sind dann offen. Bei der Reihenschaltung von IGBT, wie z. B. in der
HGÜ-Technik, werden für den Ausfall von Ventilen zusätzliche IGBT vorgesehen (Redun-
danz). Ein Öffnen der Kontakte im Fehlerfall ist bei einer Reihenschaltung jedoch
unerwünscht. Für HGÜ-Anwendungen werden zur Vermeidung der Bondung IGBTs in
Scheibenbauweise eingesetzt, wie sie auch bei anderen Leistungsbauelelementen (Thyristoren,
Dioden) üblich sind. Die Kontaktierung erfolgt bei dieser Bauform über Druckkontakte, die im
Fehlerfall verschweißen und damit einen Kurzschluss des defekten IGBTs sicherstellen. Siehe
auch [7,18].
4.4 Der IG-Bipolar Transistor (IGBT) 63

4.4.4 Sperr- und Blockierverhalten


Die maximale Spannungsbelastung eines pn-Überganges ist erreicht, wenn die Raumladungs-
zone die Randelektroden verbindet (Punch Through) oder wenn infolge eines Lawinen-
durchbruches die Sperrfähigkeit des pn-Überganges zusammenbricht (Avalanche-
Durchbruch). Beide Mechanismen treten bei unterschiedlichen Spannungen auf.
PT-IGBT Abbildung 4-50

E G Aufbau und Feldstärkeverlauf bei PT- und


NPT-IGBT
Ekrit
Der PT-Typ hat bei vergleichbarer
n p E Schichtdicke und Feldstärkebelastung eine
höhere Spannungsfestigkeit als der NPT-
uCE Typ. Wählt man für beide Typen die
n-- n+ Buffer
gleiche Spannungsfestigkeit, so hat der
n
p PT-Typ eine geringere Schichtdicke und
damit ein besseres Durchlassverhalten als
C der NPT-Typ. Die Hersteller versuchen,
mit jeder Neuentwicklung die Vorzüge
beider Strukturen zu vereinen.
NPT-IGBT

E G
Ekrit

n p E
uCE
n--
p

Zur Vermeidung des Feldstärkedurchbruchs besitzt der IGBT wie alle anderen hochsperrenden
Bauelemente eine schwach dotierte Zone nė. Je breiter diese schwach dotierte Zone ist, um so
höher ist die zulässige Sperrspannung, aber auch der Durchlasswiderstand ron. Mit dem Ziel,
den Bahnwiderstand der schwach dotierten Zone zu verringern, wird angestrebt, die Breite der
ní-Zone zu minimieren. Um dennoch vergleichbare hohe Sperrspannungen aufnehmen zu
können, haben einige Hersteller eine hoch dotierte Zwischenschicht, den n+-Bufferlayer ein-
gefügt. Da die Feldstärke jetzt fast bis zum Emitter durchgreifen kann, wird diese Struktur als
Punch Through-IGBT bezeichnet. Ohne diesen Bufferlayer muss die gesamte Feldstärke
innerhalb der schwach dotierten Zone (Drift-Zone) abgebaut werden. Sie darf nicht „durch-
greifen“, folglich wird dieser Typ als Non Punch Through-IGBT bezeichnet. Der NPT-IGBT
hat wegen der dickeren nė-Schicht ein schlechteres Durchlassverhalten (typ. Sättigungs-
spannung 2,5 V) als der PT-IGBT. Abb. 4-50 zeigt den Feldstärkeverlauf innerhalb der IGBT-
Struktur. Die Schichtdicke kann beim PT-IGBT sehr dünn ausgeführt werden, der Durchlass-
widerstand ron ist deshalb relativ gering. Die hohe Dotierungsdichte des pn+-Überganges hat
aber eine geringe Sperrspannungsfestigkeit des PT-IGBT zur Folge. Wegen der zusätzlichen
n+-Schicht entstehen ferner erhöhte Schaltverluste. Dadurch hat der NPT-IGBT eine höhere
Schaltgeschwindigkeit als PT-Typen. PT-IGBT werden vorzugsweise bis zu Spannungen von
64 4 Transistoren

1200 V eingesetzt, NPT-IGBTs werden ab 1200 V eingesetzt. NPT-IGBT besitzen im Gegen-


satz zu PT-IGBT einen positiven Temperaturkoeffizienten wodurch sie leicht für Parallelschal-
tungen einsetzbar sind. Bei der NPT-IGBT Parallelschaltung sollte man aber nicht vergessen,
dass die integrierten Freilaufdioden einen negativen Temperaturkoeffizienten haben.
4.4.5 Neuere Entwicklungsrichtungen
Ziel der laufenden Weiterentwicklung von MOSFET und IGBT sind vor allem:
À Senkung des Durchlassspannungsabfalles und der Schaltverluste
À Verbesserung der Robustheit (Überstrom, Überspannungs-, Schaltfestigkeit)
À Integration von Überwachungs-, Schutz- und Treiberfunktionen
In letzter Zeit findet eine stürmische Entwicklung statt, die hauptsächlich aus der Optimierung
des horizontalen und vertikalen Zellendesigns sowie der Verfeinerung der Zellenstrukturen
resultiert. Jüngster Entwicklungsschritt ist eine das Trench-Gate nach Abb. 4-51.
Emitter
Abbildung 4-51
Gate
Querschnitt durch einen
n n n n nn n IGBT in Trench-
p
Technologie
n--
p

Collector

Hierbei wird die Gate-Elektrode nicht als Ebene (Planar-Gate), sondern als senkrechter Kanal
(Trench-Gate) ausgeführt, so dass sich beidseitig des Gatekanals vertikal n-leitende Kanäle
ausbilden. Abb. 4-52 zeigt das Ersatzschaltbild, bei dem der MOSFET (T1) vertikal arbeitet.
Der Vorteil dieser Struktur ist zum einen die kompaktere Bauform, zum anderen der vermin-
derte Durchlasswiderstand des IGBT. Nachteilig sind derzeit noch die etwa um den Faktor 3
vergrößerte Gatekapazität und die verminderte Kurzschlussfestigkeit.
E (Emitter) G (Gate) 100

A
p n iC Trench
80

Planar
60
T1
40

Isolation
n--
T2 20

p
0
C (Kollektor) 0 0,5 1,0 1,5 2,0 V 2,5
uCE
Abbildung 4-52 Ersatzschaltbild des Trench-IGBT und Gegenüberstellung der Durchlassspannungen
Eine weitere Optimierung der IGBT-Transistorstruktur, die als IECT bezeichnet wird, weist
eine noch geringere Durchlassspannung als der herkömmliche IGBT-Struktur auf.
4.5 Treiberschaltungen 65

4.5 Treiberschaltungen
Schaltungen zur Ansteuerung eines Transistors werden als Treiberschaltung bezeichnet.
Treiberschaltungen sind das Bindeglied zwischen der digitalen Welt und den Leistungsschal-
tern. Zur Steuerung des Schaltzustandes eines IGBT bzw. MOSFET wird die Gatekapazität
durch die Treiberschaltung aufgeladen bzw. entladen. Dabei darf die Gate-Emitterspannung
+ 15 V C Abbildung 4-53
R Einfache IGBT-Treiberschaltung
iG IGBT Die Gateaufladung erfolgt über den Kollektor-
widerstand R, die Entladung über die CE-
T Strecke des Transistors T.
uGE
E
uSt

uGE den Wert von 20 V nicht überschreiten. Bei einer Steuerspannung von 15 V besteht ein
genügender Abstand. Eine einfache Treiberschaltung zeigt Abb. 4-53. Die Gatespannung uGE
verläuft beim Einschaltvorgang des IGBT durch die Gatekapazität CISS (Gl. (4-11)) und den
Widerstand R exponentiell. In der Schaltung nach Abb. 4-53 darf R wegen der Strom-
belastung des vorgeschalteten Ansteuertransistors T nicht zu klein gewählt werden, so dass
sich eine vergleichsweise große Zeitkonstante einstellt. Zur niederohmigen Ladung bzw.
Entladung der Gatekapazität des IGBT wird daher eine Gegentaktansteuerung nach Abb. 4-54
vorgesehen. RG dient zur Begrenzung des Gatestromes iG. IGBT-Treiberschaltungen müssen
+ 15 V
C Abbildung 4-54
Gegentaktansteuerung
T1 für einen IGBT
RG iG IGBT

T2 E
uG uGE

abhängig vom eingesetzten IGBT (z. B. für Nennströme von 200 A bis 1200 A) bei einer
Gatespannung von 15 V einen Gatestromspitzenwert îG von bis zu 15 A bereitstellen können.
Die wirksame Gatekapazität CIN wird für die Bemessung der Treiberschaltung zu 5 CISS
festgelegt (CISS gilt nur bei uCE = 25 V). Die Kapazität CIN wird für die Berechnung verein-
fachend als konstant angenommen. Folgendes Berechnungsbeispiel für den Gatewiderstand RG
bezieht sich auf eine IGBT-Gegentaktansteuerung nach Abb. 4-55 mit den Daten:
UB UCE-sat UG UTh dU/dt CISS
1000 V 2V 0 / 15 V 3V 500 V/μs 4 nF
66 4 Transistoren

iCIN RL
+ 15 V
CIN
T1 uCIN
Treiber

RG iG IGBT
UB
RG iG
uSt
uGE
T2 uG 1

Abbildung 4-55 Berechnungsbeispiel für den Gatewiderstand RG

RG ist so zu bemessen, dass die gefor-


15
derte Steilheit von uCE erreicht wird.
uG
u/V iG Dazu muss der Ladestrom der Ersatz-
uGE kapazität CIN ermittelt werden:
i/A
d uC ė500 V
3 iC C IN 5ŏ 4 nF
dt 1 μs
0
t iC ė10 A ė iG
Aus der Maschengleichung (1) lässt
ǻt sich dann RG ermitteln. Mit:
UB
uC-GC ėuG ʅ R G i G ʅ u GE 0
uG ė uGE
ǻu folgt: R G 1,2 ʰ
iG
der Spitzenladestrom îC fließt kurz-
0 zeitig beim Anstieg von uG auf 15 V.
t
ʒi 15 V
G
12,5 A
Abbildung 4-56 Zur Bemessung von RG
RG

Den Verlauf der elektrischen Größen dieser Schaltung zeigt Abb. 4-56. Für die Ermittlung der
Gate-Steuerleistung wird man zunächst die Gateladung ʧQ durch Messung des Gatestromes iG
und anschließender Integration nach Gl. (4-13) ermitteln.
ʧQ ĩ iG dt (4-13)
Mit der Gate-Spannungsänderung ǻuGE kann die Ersatzkapazität CIN bestimmt werden:
ʧQ
ʧQ C IN ŏʧu GE bzw. C IN ʛC IN IJ5ŏC ISS ʜ (4-14)
ʧ uGE
CIN ist die beim Einschaltvorgang für den Gate-Treiber wirksame Eingangskapazität. Für die
Gate-Steuerenergie ǻW kann man daher nach Gl. (4-15) schreiben:
4.5 Treiberschaltungen 67

ʧW ʧ Qŏʧ uGE C INŏʧ u2GE (4-15)

Durch Multiplikation mit der Schaltfrequenz fS erhält man die Gate-Steuerleistung P.

P ʧ Wŏf S ʧ Qŏʧ uGE f S C INŏʧ u2GE f S (4-16)

Die Gate-Steuerleistung bestimmt zusammen mit dem Eigenverbrauch des Gate-Treibers die
Bemessungsleistung der Gate-Stromversorgung.

ȩ Verhalten des IGBT im Kurzschlussfall


Für den IGBT in Abb. 4-57 lassen sich zwei Kurzschlussarten unterscheiden:
a) Der IGBT schaltet auf einen bestehenden Kurzschluss.
Ź Die Stromsteilheit ist dann über den Gate-Ansteuerung begrenzt.
b) Der Kurzschluss ereignet sich während der IGBT bereits eingeschaltet ist.
Ź In diesem Fall wird die Stromsteilheit nur vom äußeren Stromkreis (UB, Lı) bestimmt.
Dies ist für den IGBT der härtere Fall.
Der Kurzschlussstrom wird durch die Entsättigung begrenzt und beträgt etwa dem 8 bis 10-
fachen Nennstrom. Der Kurzschluss muss innerhalb 10 μs abgeschaltet sein, um eine ther-
mische Überlastung zu vermeiden. Durch die Entsättigung steigt uCE mit der Steilheit des
Kollektorstromes an. Eine Überwachung von uCE erlaubt daher eine sichere Überstrom-
erkennung. Der Anstieg von uCE führt über CIN zum Anstieg der Gate Spannung uGE. Zwar ist
uGE über Zenerdioden auf 18 V begrenzt, der Anstieg von uGE führt aber entsprechend der
Ausgangskennlinie (ǻuGE = +3 V) zu einer typischen Überhöhung (ǻiK) des Kurz-
schlussstromes.

iC a) SK
ǻt
ǻiK RL
+ 15 V

Stromsteilheit
durch Gate- iK iC
Stromkreis
bestimmt CGC
uCE
Treiber

t RG
tK

iC UB
ǻt b) uG uGE
ǻiK

Stromsteilheit
durch äußeren
iC,N Stromkreis Abbildung 4-57 Zum Kurzschlussfall (SK: Kurzschließer)
bestimmt
a) Einschalten bei bestehendem Kurzschlusses
t b) Kurzschluss nach dem Einschalten
tK
68 4 Transistoren

4.5.1 Ausführung einer Ansteuerung für einen IGBT


Die Einschaltzeit sollte so kurz wie möglich sein, um die Einschaltverluste den Daten-
blattangaben anzunähern. Der Ausschaltvorgang ist wegen der hohen di/dt-Werte und der un-
vermeidbaren Verdrahtungsinduktivitäten mit einer Schaltüberspannung verbunden. Abhängig
von der realen Schaltung und dem verwendetem IGBT muss das maximal zulässige di/dt für
den Abschaltvorgang über den Gatewiderstand RG-off eingestellt werden. Die Ansteuerung
erfolgt dann entsprechend Abb. 4-58 mit unterschiedlichen Schaltzeiten für den Ein- und
Zclamp

+15V C
D
T1 RG-on
IGBT
G

Z1
T2 RG-off
Z2
Kurzschluss-
abschaltung E
T3 RG-sc

-8V ... -15 V

Abbildung 4-58 Asymmetrische Ansteuerung mit zweistufiger Abschaltung und active clamp

Ausschaltvorgang. Diese Ansteuerart wird als unsymmetrisch bezeichnet. Im Fehlerfall (Kurz-


schluss) steigt der Kollektorstrom auf ein Mehrfaches (8 ... 10fach) des Bemessungsstromes
an. Da die Ausschaltzeit nicht von der Stromhöhe abhängig ist, steigt di/dt – und damit die
Abschaltüberspannung – mit dem abzuschaltenden Strom an. Deshalb ist es erforderlich, einen
Kurzschluss mit weiter reduzierter Stromsteilheit abzuschalten. Dafür wird in der Ansteuer-
schaltung ein zusätzlicher Eingang zur Kurzschlussabschaltung vorgesehen.
Über RG-sc wird die Kurzschluss-Abschaltzeit eingestellt. Erfolgt die Abschaltung über diesen
Eingang, so muss anschließend der Einschalteingang für mindestens 1 Sekunde gesperrt
bleiben, um eine thermische Zerstörung zu vermeiden. Für die thermische Wechsellast-
festigkeit bedeutet eine Kurzschlussabschaltung eine Reduzierung der Lebensdauer (< 1000).
Damit der IGBT auch durch Schaltüberspannungen nicht zerstört werden kann, wird die CG-
Strecke mit einer Supressordiode Zclamp beschaltet. Zclamp hat eine Ansprechspannung unter-
halb der maximal zulässigen Spannung uCE,max. Überschreitet uCE diesen Ansprechwert, so
wird das Gate aufgeladen und der IGBT kurz durchgeschaltet. Dafür steigen aber die
Schaltverluste proportional zu der in Lı gespeicherten Energie an. Die Zenerdioden Z1 und Z2
begrenzen die Gatespannung auf 18 V, [15, 18].
ȩ Die direkte Rückkopplung des Kollektorpotenzials auf das Gate über ein Element mit
Zener-Charakteristik (Zclamp in Abb. 4-58) wird als active clamping bezeichnet.
4.5 Treiberschaltungen 69

4.5.2 Gateanschluss
Wegen der möglichen hohen Stromsteilheit des Kollektorstromes iC muss bei hohen
Leistungen der Einfluss der modulinternen Induktivitäten (in Abb. 4-59 mit LS bezeichnet) auf
die Gateansteuerung berücksichtigt werden. Die Maschengleichung Gl. (4-17) zeigt die
Einkopplung der induktiven Spannung uL in den Gatestromkreis bei Abb. 4-59a. Die
Spannung uL kann zu einer Beeinflussung des Gatestromes iG (und damit zu einem Anstieg
der Schaltverluste) sowie zu einer Gefährdung des Gateanschlusses durch eine ein gekoppelte
Überspannung führen.
Zuleitungs-
induktivität
LS § 15 nH iC iC
C C

LS LS

iG RG G iG RG G

uGE uG uGE
uG uL M uL
M LS LS

E HE E

a) Gateansteuerung in Bezug auf den b) Gateansteuerung in Bezug auf einen


externen Emitteranschluss modulinternen Emitteranschluss HE

Abbildung 4-59 Zur Wahl der Steueranschlüsse


Gl. (4-17) zeigt die Einkopplung des Kollektorstromes iC über die induktive Spannung uL in
den Gatestromkreis in Abb. 4-59a.
M: ʬ u 0 ėuGʅi GŏR GʅuGE ʅu L uGE uGė R G i Gėu L

uGE ėuGʅ uL d iC (4-17)


bzw. i G mit uL L Sŏ
RG dt

Wie Gl. (4-18) zeigt, bleibt in Abb. 4-59b durch den modulinternen Emitteranschluss (Hilfs-
emitter HE) der Gatestromkreis unbeeinflusst von der induktiven Spannung uL.

M: ʬ u 0 ėu GʅiGŏR GʅuGE uGE uG ė RG iG

u GEėuG (4-18)
bzw. i G
RG
70 4 Transistoren

4.5.3 Ansteuerung eines Halbbrückenmoduls


In vielen Anwendungen wird die Halbbrückenschaltung nach Abb. 4-60 als Universalschalter
(Kap. 13.1) eingesetzt. Während die low side Gate-Ansteuerung immer auf ein festes Potenzial
bezogen arbeitet, muss sich das Potenzial der high side Gate-Spannungsversorgung frei
bewegen (floaten) können. Auf diesem floatenden Potenzial muss die high-side Ansteuerung
eine Gatespannung erzeugen, die um ca. 15 V höher ist als die Emitterspannung. Dazu stehen
unterschiedliche Verfahren bereit:
À potenzialfreie Stromversorgung,
À hochfrequentes Gate-Signal mit Impulsübertrager1,
À Bootstrap-Stromversorgung.
Bei einer „Bootstrap“-Stromversorgung nach Abb. 4-60, bei der ein Kondensator mit dem
Emitterpotenzial floatet, liefert der Bootstrap-Kondensator CB die erforderliche Gate-Ladung
auf Emitterpotenzial. Da der Kondensator CB nur dann geladen wird, wenn der low-side Tran-
sistor durchschaltet, ist die Einschaltdauer des high-side Transistors begrenzt.
+15 V
+ Ud Halbbrücken-
schaltung
s+

high
D1
side

s T1
CB

CGC out
High side driver

low
T4 D4 uCE
side
sí CGE
Low side uGE
driver

Abbildung 4-60 Bootstrap-Stromversorgung

Weitere Einschränkungen entstehen durch induktive Lasten, so dass die Bootstrap-Stromver-


sorgung nicht für alle Betriebsarten geeignet ist. Zu beachten ist bei der Ansteuerschaltung die
Kommutierung des Stromes der unteren Diode D4 auf den Transistor T1. Der Potenzialsprung
am Kollektor von T4 beim sperren von D4 verursacht über die untere Kollektor-Gate-Kapazität
CGC einen Verschiebungsstrom, der die Gatekapazität CGE auflädt (siehe auch Kapitel 4.3.3).
Zur Vermeidung von Fehlfunktionen von T4 muss dessen Gate niederohmig angesteuert
werden und im ausgeschalteten Zustand eine negative Vorspannung aufweisen (uGE = í8..í15
V) [18].

1 Glimmaussetzspannung der Isolation > 1,2 ŏ Ud,max


4.5 Treiberschaltungen 71

4.5.3.1 Impulslogik
Im praktischen Einsatz muss verhindert werden, dass der obere und untere Schalter
gleichzeitig eingeschaltet sind. Beim Umschalten wird daher zunächst der gerade leitende
Transistor abgeschaltet und nach einer kurzen Pause (hier durch die Totzeit Tt beschrieben,
typischer Wert zwischen 0,5 μs – 5 μs) wird der andere Transistor eingeschaltet. Abb. 4-61
zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Schaltlogik für das Einfügen einer Totzeit Tt.

s
s s+
t
1 s+

t
Tt
s-
s-
t

Abbildung 4-61 Einfügen einer Totzeit Tt beim Umschalten

Beim Wechsel der Schaltzustände müssen ferner gewisse Mindesteinschalt- und Mindestaus-
schaltzeiten eingehalten werden. Abb. 4-62 zeigt ein Ausführungsbeispiel zur Sicherstellung
einer Mindesteinschaltzeit Tmin durch Impulsverlängerung. Die Schaltfunktion s wird dabei in
die Schaltfunktion s* umgewandelt. Störimpulse dürfen jedoch nicht als Schaltimpuls „auf-
bereitet“ werden, so dass Impulse, die eine Mindestimpulsbreite (< 0,5 μs) unterschreiten,
unterdrückt werden (Mindestimpulsdauerüberwachung).

s D t

Q s* En
En
t
s*

t
Tmin
Abbildung 4-62 Einhalten der Mindesteinschaltzeit Tmin

À Komplette Treiberschaltungen mit Impulslogik und potenzialfreier Ansteuerung sind als


fertige Baugruppen für viele Anwendungen im Handel.
72 4 Transistoren

4.5.3.2 Ventilbelastung
Abbildung 4-63
T1 iT1 Halbbrückenschaltung (auch Brückenzweig oder
Ud
ʅ C+ Wechselrichterphase genannt)
2 D1

Halbbrückenmodul
iD1 Erläuterung der Transistor- und Diodenbelastung bei
sinusförmig eingeprägtem Stromverlauf ( iU):

T4 iU > 0: Stromfluss über T1 oder D4


iU < 0: Stromfluss über T4 oder D1
Ud D4
ė
2 C-

iU
uU0
0 U

Die Strombelastung der Schalttransistoren und Freilaufdioden einer Halbbrückenschaltung


hängt von der Betriebsart des Wechselrichters und der Last ab. Nimmt man einen sinusförmig
eingeprägten Strom iU an und betrachtet man die Spannungsgrundschwingung uU0,1 so wie in
Abb. 4-64 dargestellt, so ist zu erkennen, dass unmittelbar nach dem Umsteuern der Tran-
sistoren der Laststrom zwar vom Schalter T1 auf die Diode D4 kommutiert hat, aber in der
alten Richtung und Größe weiterfließt. Im Pulsbetrieb wechselt die Stromführung zwischen
Transistor und Freilaufdiode mit der Pulsfrequenz. Die Diodenbelastung steigt mit zunehmen-
der Phasenverschiebung. Handelsübliche Transistor-Dioden-Module für Wechselrichteran-
wendungen sind für einen cos ˍ > 0,6 bemessen. Die integrierten Freilaufdioden haben eine
bis zu 50 % geringere Strombelastbarkeit als die parallelen Transistoren. Für höhere Dioden-
ströme, wie sie z. B. in Pulsgleichrichtern auftreten können, muss daher häufig ein Modul mit
einer höheren Stromtragfähigkeit gewählt werden [18].

uU0 uU0,1 iU Freilaufdiode D4 ist stromführend

ˈt

ˍ
Abbildung 4-64 Belastung des Schalters T1 mit Diode D4 im Pulsbetrieb
73

5 Thyristoren

Thyristoren sind einschaltbare Bauelemente mit dem Haupteinsatzgebiet für Netzanwen-


dungen. Derzeit existieren noch eine Vielzahl von Thyristorvarianten als so genannte schnelle
Thyristoren in der Umrichtertechnik mit den Ablegern „asymmetrischer Thyristor (ASCR) und
den „Gate-abschaltunterstützten Thyristor“ (GATT). Für Neuanwendungen spielen diese
Bauteile keine Rolle mehr. Auch in seinem klassischen Einsatzgebiet der Gleichstrom-
antriebstechnik verzeichnet der Thyristor einen stetigen Bedarfsrückgang. Die Gleichstrom-
antriebstechnik wird zunehmend durch die Drehstromantriebstechnik abgelöst. Dort kommen
aber abschaltbare Leistungsbauelemente zum Einsatz. Für die klassischen Einsatzgebiete mit
Anschlussspannungen bis 660 V und den Sperrspannungsbereichen bis 1800 V werden
deshalb keine Entwicklungen mehr betrieben. Im Gegensatz dazu wird die Entwicklung im
Höchstleistungsbereich weiter vorangetrieben. Neben lichtzündbaren Thyristoren mit inte-
grierter BOD-Notzündung ist die Entwicklung von Höchstleistungsthyristoren mit Sperrspan-
nungen bis 10 kV absehbar. Typische Anwendungen hierfür sind HGÜ-Anlagen, Netz-
kupplungen, Ersatz für mechanische Mittelspannungsschalter und Sanftanlaufschaltungen für
Drehstrommotoren sowie Stromrichtermotoren für höchste Leistungen.

5.1 Aufbau und Wirkungsweise


Anode A
iA
A A
A
p p
n n n
uAK
G p p G p G
Gate
n n K
G
Thyristor
iG K K Symbol
iE

Kathode K
Abbildung 5-1 Transistormodell eines Thyristor, Struktur und Symbol

Beim Anlegen einer positiven Ventilspannung uAK an das Transistormodell nach Abb. 5-1
fließt bei offenem Basisanschluss in beiden Transistoren ein geringer Kollektorstrom. Auf-
grund der Verschaltung beider Transistoren stellt sich dadurch in den Transistoren ein
Basisstrom IB ein. Dieser Basisstrom hat durch die Stromverstärkung B einen Anstieg des
Kollektorstromes zur Folge (Mitkopplungseffekt). Die Stromverstärkung B der Transistoren
ändert sich mit dem Kollektorstrom. Solange die Gesamt-Stromverstärkung dieser Schaltung,
74 5 Thyristoren

die durch das Produkt der Stromverstärkungen B1·B2 gegeben ist (s. Darlington-Transistor),
unter 1 liegen, führt dieser Effekt nur zu einem erhöhtem Kollektorstrom. Wenn die Gesamt-
Stromverstärkung durch den Anstieg des Kollektorstromes aber größer als 1 wird, steigt der
Kollektorstrom auch ohne äußere Spannungserhöhung weiter an und der Thyristor kippt in den
Leitzustand. Die Spannung, bei der dieses Kippen in den Leitzustand bei offenem Basis-
anschluss erfolgt, wird Nullkippspannung UB0 genannt. Betriebsmäßig wird der Thyristor über
einen Gatestromimpuls eingeschaltet. Ein ausreichender Gatestrom kann im Blockierzustand
den Mitkopplungseffekt im Thyristor einleiten.
Die Entwicklung des Thyristors für große Schaltleistungen in Scheibenbauweise zeigt Abb. 5-
2. Zur Entwicklung eines Scheibenthyristors wird die Gateelektrode G zunächst nach oben
verlegt (Abb. 5-2b). Die Kathode wird ringförmig um den Gateanschluss gelegt und man
erhält die Scheibenbauform nach Abb. 5-2c. Den typischen Aufbau eines Thyristors in
Scheibenbauweise zeigt Abb. 5-3.

K G
G K G K
n+ n+ n+ n+
p p
p

n- n- n-

p p p

a) A b) A c) A
Abbildung 5-2 Entwicklung des Scheibenthyristors
Durch die scheibenförmige Bauweise ist eine doppelseitige Abführung der
Verlustleistung gewährleistet. Die Anschlüsse erfolgen über Druckkontakte.

Kathode
Gate

Abbildung 5-3 Thyristor in Scheibenbauweise


(eupec) und Draufsicht auf einen Siliziumchip
5.3 Das Einschaltverhalten 75

5.2 Kennlinie
Das elektrische Verhalten eines Thyristors in Durchlass- und Sperrrichtung wird durch Kenn-
linien nach Abb. 5-4 dargestellt. Die Durchlassrichtung wird durch die Blockier- bzw.
Durchlasskennlinie beschrieben. Ist die Nullkippspannung UB0 gleich der Sperrspannung UBR,
so wird der Thyristor symmetrisch genannt, ist UB0 größer als UBR, so handelt es sich um
einen asymmetrischen Thyristor.

iT 100
A
10 Durchlasskennlinie
(uT-iT, on-state)

1 uT

2 4 V
100
(reverse mA Blockierkennlinie (uD-iD, off-state)
breakdown) iD
50 Einraststrom (latching current)
UBR Haltestrom
(holding current)
uR uD
UB0
50
iR
Sperrkennlinie mA (forward
(uR-iR) breakover
voltage)

Abbildung 5-4 Kennlinie eines symmetrischen Thyristor für iG = 0

5.3 Das Einschaltverhalten


Das Einschalten eines Thyristors ist nur aus dem Blockierzustand (uAK > 0) heraus möglich.
Der Einschaltvorgang kann durch unterschiedliche Mechanismen ausgelöst werden.

5.3.1 Überschreiten der zulässigen Blockierspannung


Die Ausbreitung der Raumladungszone des mittleren pn-Überganges (Abb. 5-5) führt bei
zunehmender Blockierspannung zu einem Anstieg der Stromverstärkung (Early-Effekt). Über-
schreitet die Stromverstärkung den Wert eins, so zündet der Thyristor selbsttätig. Dieser Ein-
schaltvorgang ist verboten, da durch mögliche hohe Stromdichten das Bauteil gefährdet wird.
76 5 Thyristoren

5.3.2 Überschreiten der zulässigen Spannungssteilheit


Ein blockierender Thyristor zeigt ein kapazitives Verhalten. Wird er mit steilflankigen Span-
nungen belastet, so fließt ein Verschiebungsstrom im Thyristor wie bei einem Kondensator CS.
Der Verschiebungsstrom wirkt in Blockierrichtung wie ein Gatestrom und kann zu einem
ungewollten Einschalten des Thyristors in Abb. 5-5 führen.

A uAK uAK
iAK d u AK
p iAK i AK CS
dt
ʧuAK
n CS
uAK
G
p ʒi t
AK
n
K
ʧt
Abbildung 5-5 Kapazitiver Strom im blockierten Thyristor (CS sei konstant)
Grenzwerte: max. Spannungssteilheit bei offenem Gatekreis: 500 V/μs, bei RC-Gateabschluss
darf die Spannungssteilheit bis zu 1000 V/μs betragen.

5.3.3 Gatestromzündung
Zunächst muss in Abb. 5-6 der Gatestrom iG Ladungs-
träger in das Gebiet des kathodenseitigen pn-Über- A iAK
ganges transportieren und dieser muss auf den mittleren p R
pn-Übergang, welcher in Sperrrichtung beansprucht
wird, zurückwirken. Die hierfür benötigte Zeit wird n
Zündverzugszeit tgd (1 – 2 μs) genannt. Die Zünd- iG G uD
verzugszeit wird, wie in Abb. 5-7 angegeben, aus dem p
Abfall der Ventilspannung auf 90 % ermittelt. Der
uGK n uDM
Durchschaltvorgang setzt nach Ablauf der Zündver-
zugszeit tgd in einem räumlich engen Bereich nahe der K
Gate-Elektrode ein. Er ist gekennzeichnet durch ein
Zusammenbrechen der Ventilspannung von 90 % auf Abbildung 5-6 Gatestromzündung
10 %. Diese Zeitspanne ist definiert als Durchschaltzeit tgr (1 – 2 μs). Die Kristallfläche ist
nach Ablauf der Durchschaltzeit nur in unmittelbarer Umgebung der Gateelektroden leitend,
weiter entfernte Gebiete der Kristallfläche blockieren noch (Abb. 5-8). Die Leitfähigkeit
breitet sich mit einer Ausbreitungsgeschwindigkeit von ca. 0,1 mm/μs im Kristall aus. Diese
Zeitspanne wird Zündausbreitungszeit tgs (Ĺ 100 μs) genannt. Damit während der Zündaus-
breitungszeit die maximal zulässige Stromdichte nicht überschritten wird, muss die Stromsteil-
heit beim Einschaltvorgang begrenzt sein. Hat iAK den Einraststrom IE erreicht (IE ca. 2 A),
dann bleibt der Thyristor auch ohne Steuerstrom leitend und der Gatestrom kann abgeschaltet
werden. Wegen der starken Temperaturabhängigkeit des Gatestromes iG muss sich die
Gatestromversorgung dem erhöhten Strombedarf bei niedrigen Temperaturen angepasst sein.
5.3 Das Einschaltverhalten 77

uD
u DM tgd tgr tgs
100%
90% iT
uD

10%

tgt t

iG real
100 %

10 % Impulsbeginn idealisiert

t
Abbildung 5-7 Einschaltvorgang, Strom- und Spannungsverhältnisse

Bereits leitendes Gebiet

Kathode Ausbreitung des Leitzu-


standes mit ca. 0,1 mm / μs

Gate
(noch) blockierendes Gebiet

Abbildung 5-8 Silizium-Tablette unmittelbar nach der Durchschaltezeit tgr (Draufsicht)

Um die Steilheit des Ventilstromes beim Durchschaltvorgang zu begrenzen, wird eine sättig-
bare Drossel, die als Stufen- bzw. Schaltdrossel bezeichnet wird, eingesetzt. Diese Schalt-
drossel wird durch einen oder mehrere Ferritkerne realisiert, die über die Thyristorzuleitung
geschoben werden. Aufgrund der Ummagnetisierungsverluste erzeugen diese Kerne eine
Verlustleistung die zusätzlich abgeführt werden muss.
Der Haltestrom IH ist der Durchlassstrom, der mindestens fließen muss um die innere Mit
kopplung des Thyristors aufrecht zu erhalten (typisch: IH < 400 mA).
Gatestromimpuls und Eingangskennlinienfeld:
Das p-leitende Gebiet mit dem Gateanschluss und das n-leitende Gebiet der Kathode bilden
einen pn-Übergang. Die Durchlasskennlinie des pn-Überganges bildet die Gate-Eingangs-
kennlinie nach Abb. 5-9. Diese Durchlasskennlinie streut verhältnismäßig stark und ist
temperaturabhängig. Innerhalb eines Streubandes der Eingangskennlinien von Thyristoren gibt
es nach DIN 41787 drei zu unterscheidende Bereiche:
78 5 Thyristoren

PG,max Anfangssteilheit
Bereich iG diG / dt
iG sicherer
Zündung 90 %
îG
min. max.
tr ĺ 1 μs
ʒi ʆ 10 A ʛ 2...5ʜ A
G
unsichere tpk ʛ 5 ... 20 ʜ μs
keine Zündung
Zündung 10 %

uG t
tpk
tpl

Abbildung 5-9 Eingangskennlinie und Gate-Zündimpuls

Zum sicheren Einschalten des Thyristors sind bestimmte Mindestwerte für die Steuergrößen
Gatespannung uG und Gatestrom i G erforderlich. Nach oben hin sind die Werte für uG und
iG durch die max. zulässige Gate-Steuerleistung PG,max begrenzt (Verlust-Hyperbel). Für ein
sicheres und schnelles Einschalten wird ein hoher Stromimpuls von max. 10 A verwendet.
Eine hohe Steuerstromamplitude beschleunigt den Zündvorgang durch geringere Zündver-
zugszeit tgd. Eine große Stromsteilheit diG/dt zu Beginn des Steuerstromes (Anfangssteilheit >
1A/μs) verringert die Einschaltverluste. In Verbindung mit der Zündimpulsdauer, die so groß
sein muss, dass der Thyristor seinen Einraststrom IE erreicht, folgen daraus spezielle
Anforderungen an die Zündelektronik. Die grundsätzliche Ansteuerungsart eines Thyristors
zeigt Abb. 5-10. Der Schalter S wird im Allgemeinen als Bipolar-Transistor ausgeführt. Die
Betriebsspannung U0 beträgt z. B. 15 V. In Lı ist die Induktivität des Thyristor-Strompfades
zusammengefasst.

Induktivität des
Impulsübertrager Stromkreises L˂
Impulsformung
Gate-Schutzdiode
iGK
C
RB
S
ZD DG
U0 R T RG uGK
DF CG CB

Freilaufkreis mit du/dt-Beschaltung TSE-Beschaltung


Entmagnetisierungs
Zenerdiode

Abbildung 5-10 Ansteuerschaltung für einen Thyristor


5.4 Ausschalten 79

5.4 Ausschalten
Zum Ausschalten muss der Thyristorstrom kurzzeitig den Haltestrom iH unterschreiten, damit
der Mitkopplungseffekt aussetzt. Bei einer Wechselstromanwendung nach Abb. 5-11 wird IH
automatisch mit jeder Halbschwingung unterschritten (Netzführung), bei einer Gleichstroman-
wendung nach Abb. 5-12 ist wegen der fehlenden Stromnulldurchgänge eine Löscheinrichtung
erforderlich (Zwangslöschung).

5.4.1 Netzgeführter Betrieb


Im Abstand ʱ vom natürlichen Nulldurchgang der Netzspannung uN wird ein Gatestromimpuls
vom Steuergenerator ausgelöst. Der Thyristor schaltet ein. Bis zum natürlichen Spannungs-
nulldurchgang leitet der Thyristor weiter. Wird der Haltestrom unterschritten, so schaltet der
Thyristor ab. Weil in der Schaltung nach Abb. 5-11 die Netzspannung den Abschaltvorgang
auslöst, wird die Schaltung als netzgeführt bezeichnet.

uN
„natürlicher“
iN Strom-
ʱ nulldurchgang
iN

UN R
ˈt
ʱ
USt
ˀ

Abbildung 5-11 Thyristoranwendung bei Wechselstrom (netzgeführte Schaltung)

5.4.2 Selbstgeführter Betrieb


Zum Zeitpunkt t1 wird in Abb. 5-12 der Thyristor über einen Gatestromimpuls eingeschaltet.
Der Thyristor leitet solange, bis zum Zeitpunkt t2 durch kurzzeitiges Schließen des Schalters S
der Thyristorstrom durch die Hilfsspannung UH den Haltestrom unterschreitet und ausschaltet.
UH
S

t2
U0

iR „erzwungener“
t1 iR Strom-
R Nulldurchgang
U0

t1 t2 t

Abbildung 5-12 Thyristoranwendung bei Gleichstrom (selbstgeführte Schaltung)


80 5 Thyristoren

UH muss so gepolt sein, dass sich im Thyristor ein Kurzschlussstrom in Sperrrichtung


aufbauen will. Der Schalter S muss solange geschlossen bleiben, bis der Thyristor seine
Blockierfähigkeit wiedererlangt hat. Um den Ausschaltvorgang genauer zu beschreiben wird
eine Ersatzschaltung nach Abb. 5-13 gewählt. Der Thyristor führt zunächst einen konstanten
Strom Id.

iL t > t1, iT < 0


K S iT d iT
Id iT
d iL A
Id ʆ0
uL L ŏ L˂ dt
iT ˂ dt p
uT n t2 t3
uT u L ėU K IJ 0 p G t0 t1 t

UK n
i T I 0 ėi L K

Abbildung 5-13 Abschaltvorgang eines Thyristors, t ĺ t0

Zum Zeitpunkt t0 wird der Schalter S geschlossen. Die Hilfsspannung UK baut den Strom iL
auf, wodurch der Thyristorstrom iT abnimmt, d. h. die Stromsteilheit diT/dt ist in diesem Ab-
schnitt kleiner Null. Nach dem Stromnulldurchgang bei t1 bleibt der Thyristor solange weiter
leitend bis alle Ladungsträger aus dem Kristall abgeflossen bzw. rekombiniert sind. Es fließt
daher auch ein Strom in Rückwärtsrichtung iR (2) wodurch der mittlere pn-Übergang in
Durchlassrichtung betrieben wird. (Dieser Übergang ist die Ursache der Freiwerdezeit.) In
Rückwärtsrichtung hat der Thyristor zunächst zwei pn-Übergänge in Sperrrichtung strom-
führend. Der erste pn-Übergang hat zum Zeitpunkt t2 seine Sperrfähigkeit wiedererlangt und
kann eine Sperrspannung (ca. 20 V) aufnehmen. Hierdurch reduziert sich die treibende Span-
nung und die Stromsteilheit di/dt ist deutlich geringer (3). Zum Zeitpunkt t3 sperrt in Abb. 5-
14 auch der zweite pn-Übergang. Der Thyristorstrom iT hat zu diesem Zeitpunkt seinen
Maximalwert iRM. erreicht (4). Anschließend reißt der Thyristorstrom schnell ab.
Die Angaben in Klammern beziehen sich auch auf Abb. 5-15.
iL
t > t3, iT < 0

I0 iT
di L A iT
uL Lŏ L˂ Stromabriss
˂ dt p
iT ʍ 0
iT ʍ 0 uT n
uT ėu L ėU K J
p t3 t
G
IRM d iT
UK n ʇ0
dt
K
Abbildung 5-14 Abschaltvorgang eines Thyristors, Stromabriss
5.5 Ausführungsformen 81

d iT UK Abbildung 5-15
iT
dt
ė
L Ausschaltvorgang
uT 1 ˂
Ventilstrom und -spannungs-
verlauf beim Ausschalt-
Id trr vorgang der Schaltung nach
2
Abb. 5-13.
t2 t3 t4
trr: reverse recovery time
t0
t1 3 4 t (Sperrverzugszeit)
iRM 0,1 iRM
UK: Hilfsspannung
UK

iR uT
uR

Der Stromabriss bedeutet eine sehr große Stromsteilheit mit umgekehrtem Vorzeichen, die
Spannung uL addiert sich jetzt zu der Betriebsspannung UK. Es kommt zu einer Überhöhung
der Sperrspannung, wodurch der Thyristor gefährdet ist. Der dritte – mittlere – pn-Übergang
(J) wurde vom Rückwärtsstrom iR in Durchlassrichtung gepolt und ist noch mit
Ladungsträgern überschwemmt. Der Thyristor hat aber erst dann seine Blockierfähigkeit
erreicht, wenn die Ladungsträger in J rekombiniert sind. Deshalb muss nach
Stromnulldurchgang (t1) eine Mindestzeitspanne, die Freiwerdezeit t q abgewartet werden (je
nach Typ: tq = 10 μs ... 700 μs) bevor wieder eine positive Spannung am Thyristor anliegen
darf. Aus Sicherheitsgründen verlängert man die Freiwerdezeit tq z. B. 1,5-fach und bezeichnet
diese neue Zeitspanne als Schonzeit t S. Zur Bedämpfung der Abschaltüberspannung wird der
Thyristor analog zur Diode mit einem RC-Glied beschaltet (TSE-Beschaltung).
Für den periodischen Betrieb eines selbstgeführten Thyristors wurden Löschschaltungen
entwickelt, bei denen die Polarität des Löschkondensators sich beim Einschaltvorgang über
eine Umschwingschaltung immer wieder hergestellt hat. Derartige Schaltungen kommen heute
nicht mehr zum Einsatz weshalb an dieser Stelle das Thema der Thyristorlöschung nicht weiter
vertieft wird. Beispiele für früher ausgeführte Schaltungen mit Kondensatorlöschung sind der
1-phasige Wechselrichter bzw. der Phasenfolgewechselrichter. Diese Schaltungen werden in
Kapitel 12 vorgestellt.
ȩ Als selbstgeführte Schalter werden heute der abschaltbare Thyristor als GTO bzw. IGCT
sowie der IGBT bzw. MOSFET eingesetzt.

5.5 Ausführungsformen
Der bisher betrachtete Thyristor heißt „kathodenseitig steuerbare, rückwärtssperrende Thy-
ristortriode“ mit der Kurzbezeichnung SCR für Silicon Controlled Rectifier. Darüber hinaus
gibt es zahlreiche Thyristorvarianten, von denen nachfolgend einige vorgestellt werden.
82 5 Thyristoren

5.5.1 Amplifying Gate Struktur


Der Thyristor ist ein stromgesteuertes Bauelement. Damit bei leistungsstarken Thyristoren ein
intensiver Steuerstrom in das Gate eingebracht werden kann, wird der Thyristor über einen
gateseitigen Hilfsthyristor gezündet. Von außen wird nur der Hilfsthyristor angesteuert. Da-
durch lassen sich großflächige Gatestrukturen nach Abb. 5-16 mit einer kurzen Schaltzeit
realisieren, und damit im Vergleich zum Netzthyristor auch höhere Schaltfrequenzen.
G K

K´ G´
n+ n+ A
p

n-

p G K

Hilfsthyristor Hauptthyristor
A
Abbildung 5-16 Aufbau eines Thyristors mit Hilfsthyristor (amplifying gate structure)

5.5.2 Zweirichtungs-Thyristoren
Man unterscheidet bei Zweirichtungs-Thyristoren zwischen einer Thyristordiode (Diac, Vier-
schichtdiode) und einer Thyristortriode (Triac, Triode alternating current switch). Ein Triac
verhält sich so wie eine aus zwei Thyristoren bestehende Gegenparallelschaltung. Den grund-
sätzlichen Aufbau und das verwendete Schaltzeichen zeigt folgende Abbildung 5-17:
MT2 MT2 MT2
Abbildung 5-17
G2 Arten von Zwei-
Diac Triac
G G1 bidirectional richtungs-Ventilen
control thyristors
MT1 MT1 MT1

Die Triac-Struktur besteht aus zwei antiparallelgeschalteten pnpn-Schichtfolgen. Die Hauptan-


schlüsse (Main Terminal, MT) werden mit MT1 und MT2 bezeichnet. Zur Zündung wird
zwischen dem Gateanschluss (G) und MT1 eine Steuerspannung beliebiger Polarität gelegt,
wodurch das Element in beiden Richtungen durchgeschaltet wird. Für den praktischen Einsatz
ist von Bedeutung, dass die direkt nach dem Stromnulldurchgang am Triac auftretende
Spannung nur mit sehr begrenzter Steilheit ansteigen darf. Sonst zündet der Triac ungewollt
wieder durch. Durch eine geringe Steilheit beim Stromnulldurchgang erhalten Löcher und
Elektronen mehr Zeit für eine Rekombination wodurch die du/dt-Festigkeit vergrößert werden
kann. Die kritische Spannungssteilheit nach der Kommutierung (du/dt-Festigkeit) ist deutlich
niedriger als bei einem Thyristor. Wegen der geringen Spannungs- und Stromsteilheiten eignet
sich ein Triac nur für kleine bis mittlere Leistungen. Für höhere Leistungen werden
antiparallelgeschaltete Thyristoren (bidirectional control thyristors) verwendet.

5.5.3 Der asymmetrisch sperrende Thyristor


Für Schaltungen, in denen Thyristoren eine geringe Spannungsfestigkeit in Rückwärtsrichtung
aufweisen müssen, wurden Thyristoren mit einer asymmetrischen Kennlinie entwickelt. Diese
Thyristoren werden als asymmetrisch sperrende Thyristoren (ASCR, Asymmetric Silicon
Controlled Rectifier) bezeichnet. Der asymmetrisch sperrende Thyristor hat gegenüber dem
5.6 Abschaltbarer Thyristor (GTO) 83

symmetrisch sperrenden Thyristor eine 2- bis 3-mal kleinere Freiwerdezeit und geringere
Einschalt- und Durchlassverluste. Durch Integration einer antiparallelen Diode in den
Thyristor erhält man den rückwärtsleitenden Thyristor (RCT, Reverse Conducting Thyristor).

Asymmetrischer Thyristor Rückwärtsleitender Thyristor

A K A K
G G

5.5.4 Der lichtzündbare Thyristor


Speziell in der HGÜ-Technik werden lichtzündbare Thyristoren eingesetzt. Bei 8 kV Span-
nungsfestigkeit erfolgt die Ansteuerung potenzialfrei über Lichtleiter. Die Zündung kann
direkt über die Lichtenergie erfolgen (optische Zündung, 40 mW-Laser mit Lichtwellenleiter)
oder indirekt über eine optische Signalübertragung mit Zündverstärker.

5.6 Abschaltbarer Thyristor (GTO)


Der gateseitig abschaltbare Thyristor (Gate-Turn-Off Thyristor, GTO) ist eine Weiterent-
wicklung des einschaltbaren Thyristors.

ringförmiger Druckkontakt im Gehäuse Kathodenfinger

Kathode
Gate

n+ n+ n+ n+
p Gate
n
p+

Anode Draufsicht
Abbildung 5-18 Aufbau eines GTO-Thyristors

5.6.1 Der asymmetrische sperrende GTO


Der asymmetrisch sperrende GTO besitzt in positiver Richtung volle Sperrfähigkeit, in nega-
tiver Richtung jedoch nur eine geringe Sperrfähigkeit. Die asymmetrische Kennlinie wird in
Abb. 5-19 durch Anodenkurzschlüsse (Shorting) erreicht.
Kathode Gate
Abbildung 5-19

n+ n+ n+ n+
Aufbau eines GTO-
p Thyristors mit Anoden-
n
Kurzschlussstruktur
p n p n p n p n p n p n p n p
(schematisch)
Anode
84 5 Thyristoren

D er rück w ä r t s l e i t e n d e G T O Der symme t r i s c h s p e r r e n d e G T O


Ein rückwärtsleitender GTO hat eine in- besitzt volle Sperrfähigkeit in beiden Richtungen
tegrierte Freilaufdiode. und eignet sich daher für Schaltungen mit
wechselnder Polarität der treibenden Spannung.
A A

G G
K K

5.6.2 Ansteuerung
5.6.2.1 Einschalten
Das Einschalten erfolgt wie beim konventionellen Thyristor entsprechend Abb. 5-9 mit einem
steilen Gatestromimpuls diGM/dt. Der Scheitelwert IGM muss mindestens dem 6fachen Wert
des Dauerimpulsstromes IG entsprechen. Anforderungen an den Steuergenerator sind tempera-
turabhängig, so beträgt der Einschaltstrom für einen GTO mit 3 A IGT (bei 20 °C) IGM 20 A
(bei -25 °C) bzw. 60 A (bei -40 °C).

5.6.2.2 Ausschalten
Der GTO schaltet aus, wenn ein ausreichend hoher negativer Gatestrom auftritt. Die
Amplitude des Gatestromes muss 20 % bis 30 % des abzuschaltenden GTO-Stromes betragen.
Der Abschaltvorgang wird vereinfachend mit Abb. 5-20 erläutert. Zum Ausschalten wird der
Schalter S geschlossen und es setzt ein rückwärtsgerichteter Gatestrom iRG ein. iRG steigt
zunächst mit einer Steilheit an, die durch die treibende Spannung U0 und die gateseitige
Induktivität LG bestimmt ist (LG < 300 nH).
Die Stromsteilheit des Gatestromes beträgt bei einer GTO-Ansteuerschaltung bis zu 50 A/μs.
iT
Abbildung 5-20
A RL
Ersatzschaltbild zum Abschalt-
vorgang eines GTO-Thyristors
iB1 = iC2
T1 LG: Induktivität der
URL
S iG iC1 Gatezuleitung
T2
LG G iB2
U0
K

Durch die einsetzende Sperrung der Kathoden-Gate-Strecke erreicht iRG in Abb. 5-21 seinen
Höchstwert iRGM und fällt anschließend wieder auf Null ab. Das Verhältnis des abzuschal-
tenden Stromes iT zum Maximalwert des Steuerstromes iRGM wird als Abschaltverstärkung vQ
bezeichnet. vQ liegt bei einem GTO zwischen 3 und 5, so dass zum Abschalten eines Gleich-
stromes von z. B. 3000 A ein iRGM von 1000 A erforderlich ist.
5.6 Abschaltbarer Thyristor (GTO) 85

iT Abbildung 5-21
0,9 iT GTO-Ausschaltvorgang
iTq 0,1 iT Tailstrom Zeitlicher Verlauf des Steuer-
t stromes und des Durchlassstromes
beim Ausschalten eines GTO-
Thyristors.
tdq tfq IJttq
ta t
0,1 iRGM iRGM

0,9 iRGM
iRG

Der Steuerstrom iRG bewirkt, dass der Durchlassstrom iT nach der Abschaltverzugszeit tdq
abnimmt. iT sinkt dann während der Abschaltfallzeit tfq relativ schnell auf den Anfangswert
des Schweif- bzw. Tailstromes (Itq), der vereinfachend in Abb. 5-21 mit dem 10 %-Punkt von
iT zusammenfällt. Dieser Tailstrom geht innerhalb der Schweifzeit ttq relativ langsam auf Null
zurück. Diese Stromabnahme erfolgt nur durch die Rekombination von Ladungsträgern im pn-
Übergang der Thyristorstruktur und kann über die Steuerelektrode nicht beeinflusst werden.
Die Schweifzeit ist entscheidend für die Ausschaltverlustleistung. Zwar lässt sich prinzipiell
jeder Thyristor durch einen negativen Gatestromimpuls abschalten, jedoch wäre bei einem
konventionellen Thyristor der abschaltbare Strom nur sehr klein. Erst durch den Aufbau des
Thyristors nach Abb. 5-18 mit fingerförmig verzahnten Gate- und Kathodenelektroden sowie
einer verminderte Stromverstärkung des Transistors T1 in Abb. 5-20 entsteht ein leistungs-
starker GTO-Thyristor. Die zukünftige Bedeutung des GTO ist durch weitere Entwicklungen
(IGBT, IGCT) jedoch vermindert.

5.6.3 Betriebsbedingungen für einen GTO


Im Vergleich mit einem Thyristor besitzt der GTO einen sehr hohen Haltestrom. Da der
Thyristorstrom im Betrieb im Allgemeinen eine hohe Welligkeit aufweist, besteht die Gefahr,
dass ein GTO in einen undefinierten Leitzustand gerät. Beim Wiederanstieg des Stromes kann
es durch hohe Stromdichten zum Ausfall des Bauelementes kommen. Zur Sicherstellung eines
definierten Leitzustandes wird daher ein Dauergatestrom bzw. Impulskamm vorgesehen, der
mindestens 20 % größer ist als der Dauerimpulsstrom IGT. Besteht die Gefahr, dass durch eine
Stromrichtungsumkehr der Strom selbsttätig auf die Freilaufdiode kommutiert, so ist ein
Dauergatestrom von mindestens 10 A (-40 °C) für den anschließenden Wiedereinschalt-
vorgang bei positivem Stromanstieg vorzusehen. Die Schaltfrequenzen werden mit Rücksicht
auf die Schaltverluste kleiner als 500 Hz gewählt. Typische Steilheiten des Gatestromes liegen
dann bei ca. 50 A/μs. Für den Betrieb ist eine GTO-Beschaltung nach Abb. 5-22 erforderlich.
I TQM t min
Cĺ und R Ĺ
du 4C (5.1)
ʛ ʜ
d t kritisch
86 5 Thyristoren

Die Kapazität des Kondensators C wird durch den GTO-Abschaltstrom (ITQM) und dem
kritischen du/dt-Wert definiert. Voraussetzung ist, dass der Kondensator zu Beginn des Ab-
schaltvorganges entladen ist, weshalb eine Mindesteinschaltzeit tmin des Thyristors eingehalten
werden muss, in der sich C über den Widerstand R entlädt. Für R und C gilt Gl. (5.1).

Abbildung 5-22
R D GTO antiparallele Diode
Beschaltungsmaßnahmen
für einen GTO
RCD-Beschaltung
C
gegen Überspannung
Die Stromsteilheit wird mit Rücksicht
auf die antiparallele Diode begrenzt.
Begrenzung der
RL
L Stromsteilheit mit
Freilaufzweig
DL

5.6.4 IGCT
Der „Integratet Gate-Commutated Thyristor“ (IGCT) stellt hinsichtlich der Schaltleistung und
-Geschwindigkeit eine Weiterentwicklung des GTO dar. Er wird hauptsächlich für Mittelspan-
nungsumrichter eingesetzt. Leistungshalbleiter und Ansteuereinheit sind induktivitätsarm zu
einer baulichen Einheit zusammengefasst, wodurch der Gatestrom (die Abschaltverstärkung
beträgt 1) mit einer höheren Steilheit als beim GTO bereitgestellt werden kann. Die Folge ist
eine Reduktion der Speicherzeit, die zusätzlich eine Optimierung der Siliziumdicke ermög-
lichte. Durch diese baulichen Änderungen hat der IGCT deutlich verminderte Durchlass- und
Schaltverluste. Beim IGCT konnte so das Schaltverhalten eines Transistors mit dem Durch-
lassverhalten eines Thyristors kombiniert werden. In dieser Hinsicht – und auch der Robustheit
– hat der IGCT heute noch Vorteile gegenüber dem IGBT (Vergleichsdaten siehe Kapitel 5.7).
Die Schaltfrequenz des IGCT liegt bei max. 1000 Hz, Kommutierungen verlaufen mit Strom-
steilheiten bis über 1200 A/μs.

5.7 Auswahl von Leistungsbauelementen


Die aufgeführten Grenzdaten gelten für aktuell verfügbare Bauelemente und zeigen teilweise
eine Typen-Spezialisierung für Hoch- Niederspannungsanwendungen. Die in Tab. 5.1 auf-
geführten Daten sind zudem anwendungsspezifisch und daher als Anhaltswerte zu verstehen.
Tabelle 5.1 Auswahl an Bauelement-Grenzwerten (stand: 2007)

Typ U/V IDC/A toff /μs Typ U/V ITQM/A IAV/A toff /μs
800 25 0,15 GTO 4500 4000 1000 100
MOSFET
100 300 0,7 IGCT 4500 4000 2100 11
IGBT 6500 600 1-4 Thyristor 8500 - 2400 -
1200 300 15 - 25 Diode 5000 - 3800 -
BT
550 480 5 - 10 SiC-Diode 1200 - 20 -
IAV: Mittelwert (AV), ITQM: maximal abschaltbarer Strom, IDC: Gleichstrom (continous)
87

6 Wärme-Management

6.1 Die Verlustleistung


Die Verlustleistung (power dissipation) von Halbleiterbauelementen entsteht im Wesentlichen
im Bereich der pn-Übergänge. Dem Bauteil wird daher von der Sperrschicht eine Momentan-
leistung
pV uŏi (6-1)

zugeführt. Die im Bauelement umgesetzte Energie, die Wärmemenge Q, berechnet sich durch
Integration der Momentanleistung pV nach Gl. (6-2).
t
Wärmemenge Q ĩ pʛt ʜ d t in Ws (6-2)
0

Das Bauteil reagiert auf die zugeführte Wärmemenge Q mit einem Temperaturanstieg. Liegt
die Gehäusetemperatur ˊC über der Umgebungstemperatur ˊA, so erfolgt entsprechend Abb.
6-1 eine Wärmeübertragung vom Bauteil auf die Umgebung. Die Transportmechanismen sind:
Wärmeübertragung / heat transfer Mechanismus
Übertragung kinetischer
Wärm e l e i t u n g He a t cond u c t i n g Energie von Atomen bzw.
Elektronen.
Kon v e k t i o n Co n v e c t i o n Materialtransport (Luft)
Wär m e s t r a h l u n g Radia tio n Strahlung

Konvektion Abbildung 6-1


Wärmeübertragungsmechanismen
Wärmestrahlung PV: Verlustleistung des
Bauelementes
Bauteil mit
Verlustquelle
PV
Montageplatte

Wärmeleitung

Die Temperatur steigt solange an, bis sich ein Gleichgewicht zwischen der zugeführten Ener-
gie mit der durch Konvektion- , Leitung und Strahlung abgeführten Energie einstellt. Dann hat
das Bauelement seine stationäre bzw. Beharrungstemperatur erreicht. Bei praktischen Anwen-
88 6 Wärme-Management

dungen sind immer mehrere Komponenten an der Wärmeübertragung beteiligt. Abb. 6-2 zeigt
einen solchen Anwendungsfall, bei dem eine Leistungsdiode D über eine Isolierscheibe I auf
einem Kühlkörper K befestigt ist. Der Kühlkörper stellt den Wärmeübergang zum gasförmigen
oder flüssigen Kühlmedium A her. Das Kühlmedium wird mit einer konstanten Temperatur,
der Umgebungstemperatur ˊA, angenommen.
Isolierung I
Kühlkörper
Siliziumkristall
K
J

Verlustleistung
PV

elektrische
Kühlmedium
Leitungen Gehäuse
A
C

Abbildung 6-2 Diode mit Kühlkörper (Luftkühlung)

Die Bezeichnungen, Kennbuchstaben und Temperaturen der Komponenten sind:


Kennbuchstabe Bauteil Temperatur
J Siliziumkristall junction ˊ J
C Gehäuse case ˊC
K Kühlkörper heatsink (h) ˊK
A Kühlmedium Ambient (A) ˊA

Im stationären Betrieb haben alle am Wärmetransport beteiligten Komponenten eine unter-


schiedliche Temperatur. Die höchste Temperatur stellt sich nach Abb. 6-3 im Siliziumkristall
(Sperrschicht J) ein, dem Ort der Verlustleistungsentstehung. Zur Bemessung des Kühlkörpers
ist es erforderlich, den Wärmetransport vom Ort der Verlustleistungsentstehung (J) bis zum
Kühlmedium (A) zu beschreiben.

Sperrschicht
Abbildung 6-3

Gehäuse Temperaturgefälle von


der Sperrschicht (J) bis
zum Kühlmedium (A)
Kühlkörper
Kühlmedium

-J -C -K -A
6.2 Das thermische Ersatzschaltbild 89

6.2 Das thermische Ersatzschaltbild


Ein anschauliches Hilfsmittel zur Beschreibung des Wärmetransportes ist ein Ersatzschaltbild
nach Abb. 6-4, bei dem der Wärmetransport mit Hilfe elektrischer Größen beschrieben wird.
Die Umgebungstemperatur ˊA wird als Bezugsgröße gewählt und im Ersatzschaltbild durch
ein Massezeichen (ŋ) symbolisiert.
J -J
Abbildung 6-4 Thermisches Ersatzschaltbild
PV Die Verlustleistung PV wird in diesem
Rth,JA Ersatzschaltbild als elektrischer Strom eingespeist.
ʧ-
Der Spannungsabfall über den Widerstand Rth,JA
wird als Temperaturdifferenz ʧǑ bewertet:
A -A ƗǑ = pV ƌ Rth,JA
À Bezugstemperatur ist ǑA.

In diesem Ersatzschaltbild wird dargestellt:


thermische Größe Einheit elektrische Größe
Verlustleistung PV W elektrischer Strom I (Stromquelle)
Temperatur Ǒ °C elektrisches Potential ˍ
Temperaturdifferenz ʧǑ K elektrische Spannung U
thermischer Widerstand Rth K/W elektrischer Widerstand R
Wärmekapazität Cth Ws/K Kondensator C

Der Widerstand Rth,JA beschreibt den Wärmetransport von der Sperrschicht (J) zur Umgebung
(A). Er setzt sich nach Abb. 6-5 aus dem inneren Wärmewiderstand Rth,JC und einem äußeren
Wärmewiderstand Rth,CA zusammen. Die thermischen Widerstände Rth,JC und Rth,CA sind über
den Gehäuseanschluss C verbunden. Die Temperaturen ǑJ, ǑC, und ǑA sind Absolutwerte und
beziehen sich auf 0 °C. In Abb. 6-5 wird ǑA durch eine Spannungsquelle eingestellt. In einer
Simulationsrechnung kann mit dieser Spannungsquelle eine Temperaturänderungen des Kühl-
mediums eingestellt werden.

J Abbildung 6-5
pV Rth,JC ʧ ˊJC
Temperaturen der einzelnen
C Komponenten in Abb. 6-2
Rth,CK ʧ ˊCK
Wärmewiderstände:
K Rth,JC: Sperrschicht-Gehäuse
Rth,KA ʧ ˊKA
Rth,CK: Gehäuse-Kühlkörper
-K -C -J
A Rth,KA: Kühlkörper-Kühlmedium
-A
0 °C Rth,JC + Rth,CK + Rth,KA = Rth,JA
90 6 Wärme-Management

6.2.1 Der innere Wärmewiderstand Rth,JC


Der innere Wärmewiderstand Rth,JC ist durch das Bauelement selbst gegeben. Eine Beeinflus-
sung ist nur bei der Herstellung des Bauelementes möglich. Zwischen Sperrschicht (J) und
Gehäuse (C) tritt eine Temperaturerhöhung ʧˊJC ein, die direkt zur Verlustleistung PV pro-
portional ist. Deshalb wird die zulässige Verlustleistung eines Bauelementes in Datenblättern
stets auf eine definierte Gehäusetemperatur ǑC bezogen.

6.2.2 Der äußere Wärmewiderstand Rth,CA


Der äußere Wärmewiderstand Rth,CA setzt sich aus dem Widerstand vom Gehäuse zum Kühl-
körper, Rth,CK, und dem Widerstand vom Kühlkörper zum Kühlmedium, Rth,KA zusammen.
Für einen optimalen Übergang der Wärme vom Halbleitergehäuse auf den Kühlkörper ist eine
möglichst große Kontaktfläche erforderlich. Das Halbleiterelement hat dafür ein oder zwei
Kontaktflächen zum Anschluss des Kühlkörpers. Die Kontaktflächen von Halbleiter und
Kühlkörper werden mit hohem Druck verbunden und müssen bei allen Temperaturen absolut
eben sein. Zur Vermeidung von Hohlräumen werden die Kontaktflächen zusätzlich mit einer
Wärmeleitpaste beschichtet. Wenn eine elektrische Isolierung von Kühlkörper und Halbleiter
erforderlich ist, wird eine wärmeleitende Isolierscheibe einer speziellen Keramik eingesetzt.
Diese Maßnahmen werden im äußeren Wärmewiderstand Rth,CK erfasst.
Den Wärmetransport vom Kühlkörper K an das Kühlmedium A beschreibt der Widerstand
Rth,KA. Das Ersatzschaltbild nach Abb. 6-5 ist für den stationären Zustand gültig, d. h. alle
Temperaturwerte sind zeitlich konstant. Die Wärme wird mit Hilfe des Kühlkörpers an das
Kühlmedium abgegeben. Es wird vorausgesetzt, dass das Kühlmedium selbst nicht erwärmt
werden kann, vergleichbar z. B. mit einer unendlich großen Luftmenge der Temperatur ˊA. In
der Praxis ist dieser Umstand jedoch nicht immer ausreichend gegeben, so dass hier
zusätzliche Maßnahmen wie z. B. eine forcierte Belüftung erforderlich werden können.

1,0
Abbildung 6-6
0,8
F 0,6 Reduktionsfaktor F
0,4 Einfluss auf der Luft-
geschwindigkeit auf den
0,2
thermischen Widerstand.
F”1
0 1 2 3 4 5 6 7 8
Luftgeschwindigkeit in m/s

R thF FŏR th (6-3)

Für forcierte Kühlung ist die Oberflächenbeschaffenheit des Kühlers praktsich ohne Bedeu-
tung. Im Gegensatz zur reinen Konvektionskühlung, bei der ein bestimmter Rippenabstand
nicht unterschritten werden sollte, muss für eine forcierte Kühlung eine möglichst große
Oberfläche mit entsprechend vielen Rippen vorgesehen werden.
6.2 Das thermische Ersatzschaltbild 91

6.2.3 Die Wärmekapazität Cth


Bei Erwärmungs- und Abkühlvorgängen unterliegen die einzelnen Temperaturen einer zeit-
lichen Änderung. Dieser Vorgang wird mit der Wärmekapazität Cth beschrieben. Die Wärme-
kapazität beschreibt das Speichervermögen und ist über den Temperaturanstieg eines Bauele-
mentes bei Energiezufuhr definiert.
zugeführte Wärmemenge ʧQ Ws
Wärmekapazität C th in (6-4)
Temperaturerhöhung ʧˊ K
Die Wärmekapazität Cth ist eine materialspezifische Größe und berechnet sich mit der zu
erwärmenden Masse m in kg und der spezifischen Wärmekapazität c nach Tab. 6-1 zu:
Ws
C th cŏm in (6-5)
K
Der Erwärmungsvorgang ist durch Gl. (6-6) beschrieben.
t
1
ˊʛt ʜ
C th
ĩ p V d tʅˊ 0 ˊ0 Anfangswert (6-6)
0

Die Temperaturerhöhung verhält sich umgekehrt proportional zur Wärmekapazität Cth des
Bauelementes. Der Temperaturanstieg bleibt um so kleiner, je größer die zu erwärmende
Masse m ist und je größer die spezifische Wärmekapazität c ist (siehe Tab. 6.1).
Tabelle 6.1 Spezifische Wärmekapazität (Auswahl)

Kupfer Aluminium Wasser Öl Luft


c in Ws/kg K 390 920 4182 1450 1005

Bezogen auf die gleiche Temperaturdifferenz hat Wasser das größte Wärmespeichervermögen.
Praktisch wird das Bauelement während der Energieaufnahme gleichzeitig durch Strahlung,
Konvektion und Leitung thermische Energie abgeben, so dass sich nach einer gewissen Zeit
eine Beharrungstemperatur einstellt, bei der zugeführte und abgeführte Energie sich im
Gleichgewicht befinden. Die Erwärmung eines Bauteils berechnet sich bei einer konstanten
Leistungszufuhr (PV = konstant) nach Gl. (6-7). In Abb. 6-7 ist der entsprechende Tempera-
turverlauf dargestellt. Der Anfangswert ist ǑA.
t
PV ė
˃
ˊʛt ʜ ŏʛ1 ė e ʜ ʅ ˊA ˃ R thŏC th thermische Zeitkonstante (6-7)
Rth

W
Beharrungstemperatur Abbildung 6-7
Erwärmungsvorgang
ˊ Temperaturanstieg bei
'ˊ konstanter Energiezufuhr.

ˊA
0 t
92 6 Wärme-Management

Eine Simulation der Sperrschichttemperatur unter Berücksichtigung der Wärmekapazität des


Kühlkörpers entsprechend Abb. 6-8 zeigt Abb. 6-9 für eine zeitveränderliche Bezugs-
temperatur ǑA (angenommener Tagesgang der Lufttemperatur) und einer pulsförmigen Ver-
lustleistung pV.

J
pV Rth,JC Abbildung 6-8
Berücksichtigung der Wärmekapazität
C Ersatzschaltbild mit Wärmekapazität des
Kühlkörpers Cth,K für eine Simulation der
Rth,CK Sperrschichttemperatur ǑJ.
-C -J

A Rth,KA K

-A Cth,K -K

pV
0
t
Ǒ
ǑJ
150.0

°C
100.0

50.0
ǑC
ǑA
0
0 t
Abbildung 6-9 Temperaturverlauf bei pulsierender Verlustleistung pV und schwankender
Umgebungstemperatur ǑA (Tagesgang)

6.2.4 Der Wärmewiderstand des Kühlkörpers


Der Kühlkörper ist über die Oberfläche A mit dem gasförmigen (Luft) oder flüssigen (Wasser,
Öl) Kühlmedium verbunden. Mit dem Wärmeübergangskoeffizienten ʱ wird bei einer
Temperaturdifferenz '-zwischen Kühlkörper und Kühlmedium in der Zeit t die Wärmemenge
Q nach Gl. (6-8) an das Kühlmedium übertragen.

Wärmemenge Q ʱŏAŏʧ ˊŏt in Ws mit ʧˊ ˊKėˊA (6-8)


6.2 Das thermische Ersatzschaltbild 93

-A
Kontaktfläche A zum Kühlmedium, durch Rippen
und aufgerauhte Oberfläche maximiert.
Abbildung 6-10

-K Wärmeübergangskoeffizient ʱ Wärmeübergang vom


zwischen Kühlkörperoberfläche und Kühlkörper in das
Wärmefluss
vom Kühl- Kühlmedium Kühlmedium
Q
körper in das
Kühlmedium

Kühlmedium konstanter
Temperatur -A nimmt die
Wärmemenge Q auf

Wird die übertragene Wärmemenge Q auf die Zeit t bezogen, so erhält man mit Gl. (6-9) einen
Ausdruck für den Wärmestrom, der gleich der übertragenen Verlustleistung pV ist.

dQ
Wärmestrom ʱŏAŏʧ ˊ pV in W (6-9)
dt

Mit Gl. (6-10) kann der Wärmewiderstand Rth,KA für den Kühlkörper formuliert werden:

ʧˊ 1 K
Wärmewiderstand des Kühlkörpers R th,KA in (6-10)
pV ʱA W

Rth,KA verhält sich umgekehrt proportional zu der Kühlkörperoberfläche A und dem Wärme-
übergangskoeffizienten ʱ. In Abb. 6-11 sind beispielhaft Kurven für Rth,KA in Abhängigkeit
von der Kühlkörperoberfläche verschiedener blanker Materialien (Stahl, Kupfer, Aluminium)
angegeben. Zusätzlich sind Angaben für verschiedene Materialdicken enthalten.

10
K/W Abbildung 6-11
8
Stahl Wärmewiderstand blanker Kühlbleche in senkrechter
2 mm Anordnung
Rth,KA 6
Al À Der Widerstand Rth,KA sinkt mit zunehmender
4 2 mm
Oberfläche A. Wegen der ungünstigen Wärme-
Cu
1 mm verteilung innerhalb des Kühlkörpers strebt
2 Rth,KA einem Grenzwert zu.
Cu
0 2 mm À Eine weitere Vergrößerung von A ist nur bei
0 100 200 300 cm² 400 einer verbesserten Wärmeverteilung z. B. durch
eine größere Blechdicke (hier: 1 mm ɕ 2 mm)
A
sinnvoll.

Je dicker das Material ist, desto besser wird die Wärme innerhalb des Kühlkörpers verteilt und
desto geringer ist der thermische Widerstand. Werden diese Bleche zusätzlich geschwärzt, so
verbessert sich die Wärmeabstrahlung und die Rth,KA-Werte sinken auf ca. 70 %. In der Praxis
besteht bei mehreren Kühlkörpern aber die Gefahr, dass sich die Kühlkörper gegenseitig
aufheizen [20]. Angaben für Rth,KA beziehen sich im Allgemeinen auf freistehende eloxierte
Kühlflächen in senkrechter Ausrichtung mit reiner Konvektionskühlung. Für blanke bzw.
unbehandelte Oberflächen liegen die tatsächlichen Werte dann um ca. 15 % höher, bei hori-
zontaler Ausrichtung verschlechtert sich Rth,KA um 20 % [Angaben: austerlitz-electronic].
94 6 Wärme-Management

Wird der Wärmestrom nach Gl. (6-9) schließlich auf die zur Verfügung stehende Kühlfläche A
bezogen, so erhält man mit Gl. (6-11) die Wärmestromdichte.
1 dQ W
Wärmestromdichte ŏ ʱŏʧ ˊ in 2 (6-11)
A dt m
À Die Wärmestromdichte zeigt die Wirksamkeit eines Kühlverfahrens in Abhängigkeit vom
Kühlmedium auf, welches durch den Wärmeübergangskoeffizienten ʱ beschrieben wird.
À Für einen gegebenen Kühlkörper der Temperatur ˊK erhält man die abführbare Verlust-
leistung durch Multiplikation der Wärmestromdichte des Kühlmittels mit der Kühlkörper-
oberfläche A und der Temperaturdifferenz 'ˊ = (ˊK - ˊA) nach Gl. (6-12). ˊA beschreibt
die Temperatur des Kühlmediums).
À Ohne Temperaturerhöhung kann ein Kühlkörper keine Leistung übertragen!

PV ʱŏʧ ˊŏ A in W (6-12)

6.3 Kühlmedien
Erzielbare Werte für den Wärmeübergangskoeffizienten D und die abführbare Verlustleistung
bei A = 100 cm2 und 'ˊ = 50 K sind in Tab 6.2 angegeben:
Tabelle 6.2 Anhaltswerte für den Wärmeübergangskoeffizienten und die abführbare Leistung
(A = 0,01 m²) bei Luft- und Wasserkühlung

Luft Wasser (Rohrleitung)


unbewegt stark bewegt laminare Strömung turbulente Strömung
ʱin W/m2K 5 50 500 5000
P in Watt 2,5 25 250 2500

6.3.1 Luftkühlung
Luft ist ein elektrisch isolierendes Kühlmedium und kann in Bezug auf den Kühlkörper ruhend
oder bewegt sein (forcierte Belüftung). Die Luft verteilt die Wärme an die Umgebung. In
einem geschlossenen Raum steigt dadurch die Temperatur des Kühlmediums an (Konvektions-
heizung). Die Temperaturdifferenz 'ˊ ist durch die Verlustleistung gegeben. Damit die
Temperatur des Kühlkörpers nicht unzulässig ansteigt, muss für einen ausreichenden
Luftaustausch gesorgt sein. In geschlossenen Räumen kann z. B. durch einen Wärmetauscher
die Temperatur des Kühlmediums konstant gehalten werden. Damit der Kühlkörper nicht
verschmutzt muss die Kühlluft unter Umständen gefiltert werden. Es kann jedoch auch
günstiger sein, zu einem Flüssigkeitskühlung zu wechseln.
6.3 Kühlmedien 95

6.3.2 Wasserkühlung
Wasserkühlung wird allgemein als indirekte Kühlung eingesetzt. Das Wasser dient zum
Wärmetransport zwischen dem Lüftkühler und dem aktiven Bauelement und muss über eine
Pumpe umgewälzt werden. Abb. 6-12 zeigt den Aufbau einer Wasserkühlung für ein Halblei-
terbauelement. Das Bauelement überträgt die Wärme mit einem angekoppelten Wärmetauscher
auf das Wasser. Es gibt auch Leistungsbauelemente, deren Gehäuseboden selbst als
Wärmetauscher ausgeführt ist. Derzeit kann eine Verlustleistung von über 4 kW pro Bau-
element (IGBT) abgeführt werden. Wichtig ist eine turbulente Strömung im Wärmetauscher
um das für die Wärmeübertragung ungünstige Strömungsprofil einer laminaren Strömung zu
vermeiden. Die Wärmekapazität solcher Kühlsysteme ist allerdings sehr gering, so dass bei
Ausfall des Wasserkreislaufs die Leistung sofort abgeschaltet werden muss. Bedingt durch den
geschlossenen Wasserkreislauf mit einem Wasser-Luftkühler ist die Rücklauftemperatur des
Kühlwassers mindestens 3 K höher als die Umgebungstemperatur ˊA. Die abführbare Leistung
ist durch die Differenz von Hin- und Rücklauftemperatur (ʧˊ) und dem Volumenstrom des
Kühlmediums gegeben.

Kühler mit Halbleiter


Ventilator

Wärmetauscher Kühlluft ( ˊA )
Pumpe

Kühlwasser
Tank Rücklauf

Abbildung 6-12 Kühlkreislauf bei einer Wasserkühlung

6.3.3 Siedekühlung
Zum Verdampfen einer Flüssigkeit wird eine bestimmte Wärmemenge, die Verdampfungs-
wärme r benötigt. Bei der Siedekühlung wird diese Wärmemenge dem Verdampfer von der
Wärmequelle (als Verlustleistung) zugeführt. Wird dieser Dampf anschließend in einem
Kondensator durch Abkühlung wieder verflüssigt, so wird die Verdampfungswärme als Kon-
densationswärme an den Kondensator abgegeben. Es findet durch den Phasenübergang des
Kühlmediums ein Wärmetransport vom Verdampfer zum Kondensator statt (Kühlschrank-
Prinzip). Der Wärmetransport zum Kühlkörper setzt eine Temperaturdifferenz zwischen
Verdampfer und Kühlkörper von bis zu 5 K voraus. Der Verdampfer hat einen kleinen Quer-
schnitt, wie er durch die Bauteilgeometrie vorgegeben ist, und der Kondensator eine große
Oberfläche AK, so wie es zur Wärmeabgabe an die Kühlluft erforderlich ist. Als Siedemittel
kann z. B. Wasser eingesetzt werden. Der erforderliche Siedepunkt der Flüssigkeit wird über
den Innendruck der Wärmeleitung eingestellt. Die Heatpipe hat einen sehr hohen Wärme-
übergangskoeffizienten, welcher im Bereich 5000 W/m²K < Į < 10000 W/m²K liegt. Wird in
96 6 Wärme-Management

die Wärmeleitung, die in Abb. 6-13 als „Heatpipe“ bezeichnet wird, eine elektrische Isolierung
eingebaut, dann muss auch das Siedemittel elektrisch isolierend sein.

Kondensator
Wärmezufuhr Abbildung 6-13
dampfförmig
Isolator Prinzip des Heatpipe-Kühlkörpers
À Das Bauelement ist wie auf
Kühlmittelkreislauf einem normalen Kühlkörper
montiert.
Verdampfer
À Der Wärmetransport erfolgt
flüssig durch den Phasenwechsel des
Kühlbleche mit der Kühlmediums
Oberfläche AK

Eine andere Ausführung der Siedekühlung zeigt Abb. 6-14. Bei der Siedebadkühlung taucht
man die zu kühlenden Bauelemente mit einem Siedekörper (Verdampfer) vollständig in das
isolierende Siedemittel ein. Der Wärmetransport erfolgt auch hier über den Phasenwechsel des
Siedemittels mit einem Temperaturgefälle von nur wenigen Kelvin. Die Oberfläche des Kon-
densators AK hat eine gleichmäßige Temperaturverteilung und wird so groß gewählt, wie es für
eine Luftkühlung erforderlich ist [15, 17]. Der Wärmetransport von der Verlustleistungsquelle
zum Kühlkörper erfolgt bei der Siedekühlung (im Gegensatz zur Wasserkühlung) ohne
zusätzliche Pumpen.

Luftgekühlter Kondensator Abbildung 6-14


Kondensat mit Oberfläche AK Prinzip der Siedebad-
kühlung
Dampf À Das Kühlmedium
ist elektrisch
isolierend.
Siedeflüssigkeit
Halbleiter
À Das Bauelement
Siedekörper ist im Kühlme-
druckdichter Behälter dium eingetaucht.

Anforderungen an die Siedeflüssigkeit bei der Siedekühlung:

À ausreichend geringe Siedetemperatur (z. B. 45 °C)


À elektrisch isolierend
À Materialverträglichkeit
À Umweltfreundlichkeit
97

7 Stromrichterschaltungen

7.1 Grundfunktionen
Stromrichter sind Einrichtungen zum Umformen elektrischer Energie unter Verwendung von
Leistungshalbleitern. Bei der Kupplung von Wechsel- und Gleichstromsystemen ergeben sich
hierbei vier Grundfunktionen:

Gleichrichten ist die Umformung von


Gleichrichter Wechselstromenergie in Gleichstromenergie
(Energiefluss vom Wechselstromsystem zum
a =
Gleichstromsystem).
a = Wechselrichten ist die Umformung von
Gleichstromenergie in Wechselstromenergie.
Wechselrichter
Energiefluss vom Gleichstromsystem zum
Wechselstromsystem).
Gleichstrom-Umrichten ist die Umformung
von Gleichstromenergie mit gegebener
= Spannung und Polarität in Gleichstromener-
= =
= gie mit anderer Spannung und Polarität. Man
spricht vom Gleichspannungswandler bzw.
Gleichstrom-Umrichter Gleichstrom-Umrichter.

Wechselstrom-Umrichten ist die Umfor-


mung von Wechselstromenergie mit gegebe-
a ner Spannung, Frequenz und Phasenzahl in
a a Wechselstromenergie mit anderer Spannung,
a Frequenz und Phasenzahl Man spricht von
Wechselstrom-Umrichter einem Wechsel- bzw. Drehstrom-Umrichter.

Abbildung 7-1 Grundfunktionen der Stromrichter

7.2 Kennzeichnung von Stromrichterschaltungen


Die Kennzeichnung von Stromrichterschaltungen der Leistungselektronik ist in der DIN IEC
971 festgelegt und erfolgt üblicherweise in einer dreistelligen Kombination von Buchstaben
und Ziffern.
Der erste Buchstabe legt die Schaltungsfamilie fest:

À M: Mittelpunktschaltung
À B: Brückenschaltung
À W: Wechselwegschaltung.
98 7 Stromrichterschaltungen

An zweiter Stelle wird die Pulszahl p bzw. die Phasenzahl m bei der Wechselwegschaltung
angegeben. Unter Pulszahl versteht man die Anzahl nicht gleichzeitiger Stromübernahmen
(Kommutierungen) eines Stromrichters innerhalb einer Netzperiode (p = 1, 2, 3, 6, 12, 18,...).
An dritter Stelle wird die Steuerbarkeit in Form eines Buchstabens definiert:

À U: ungesteuerte Schaltung (Dioden)


À H: halb gesteuerte Schaltung (Thyristor für einen, Diode für den anderen Zweig)
À C: voll gesteuerte Schaltung (Thyristoren).
Um besondere Kennzeichen der Schaltung hervorzuheben, können weitere Buchstaben ange-
hängt werden, z. B. F für Freilaufdioden.
Als allgemeine Symbole für Stromrichterventile (elektronische Leistungsschalter) werden
verwendet:

ungesteuertes Ventil einschaltbares Ventil ein- und ausschaltbares Ventil

7.3 Einteilung nach der inneren Wirkungsweise


Stromrichter lassen sich nach der inneren Wirkungsweise, d. h. nach der Art der
Kommutierung unterteilen. Unter Kommutierung versteht man die Stromübergabe von einem
Zweig des Stromrichters an den nächsten, wobei während der Kommutierung beide Zweige
Strom führen.
Wir unterscheiden bei der Kommutierung zwischen:
1. Stromrichter ohne Kommutierung
Halbleiterschalter und Steller für Wechsel- und Drehstrom
2. Stromrichter mit natürlicher Kommutierung
beziehen ihre Kommutierungsspannung entweder aus dem speisenden Netz (netzgeführte
Stromrichter) oder von der Last (lastgeführte Stromrichter). Beide Kommutierungsarten
werden unter dem Oberbegriff fremdgeführte Stromrichter zusammengefasst.
3. Stromrichter mit Zwangskommutierung
verfügen beim Einsatz einschaltbarer Ventile über kapazitive Energiespeicher für die
Kommutierung oder sie sind mit abschaltbaren Bauelementen (GTO, Transistor) ausgerüs-
tet. Der Oberbegriff für Stromrichter mit Zwangskommutierung lautet selbstgeführte
Stromrichter.
Stromrichter, die Wechselstromenergie in Gleichstromenergie oder umgekehrt umwandeln,
lassen sich danach unterscheiden, ob die Kommutierung auf der Wechselstrom- oder Gleich-
stromseite erfolgt:

À Stromrichter mit wechselstromseitiger Kommutierung arbeiten in der Regel fremdgeführt,


À Stromrichter mit gleichstromseitiger Kommutierung arbeiten selbstgeführt.
7.5 Mittelpunktschaltung M1 99

7.4 Leistungssteuerverfahren
Die Steuerung der elektrischen Energie erfolgt verlustarm durch den schaltenden Betrieb leis-
tungselektronischer Bauelemente. Während für Wechsel- und Drehstromanwendungen die
Leistung durch verzögertes Einschalten der Verbraucherspannung erfolgt, muss bei Gleich-
stromanwendungen die Verbraucherspannung periodisch ein- und ausgeschaltet werden (Puls-
steuerung).
ʱ Bei der Helligkeitssteuerung von Glühlampen
u und einfachen Antriebsanwendungen wird
die so genannte Phasenanschnittsteuerung
angewendet. Durch Änderung des Steuerwin-
ˈt kels ʱ kann die Verbraucherleistung stufenlos
eingestellt werden.

u Die Schwingungspaketsteuerung findet man


häufig bei Temperaturregelungsverfahren. Es
werden nur ganze Sinusschwingungen in un-
terschiedlicher Anzahl an den Heizwider-
ˈt
stand gelegt.

Das Prinzip der Pulsbreitensteuerung (PWM)


u wird heute bei den meisten leistungselektro-
nischen Aufgaben angewandt. Die Leistung
wird durch Veränderung des Einschaltver-
Te2 t hältnisses gesteuert. Aufgrund der bei allen
Te1
T Maschinen vorhandenen Induktivitäten ist der
T
Motorstrom gegenüber der Spannung geglät-
i tet. Bei genügend hoher Taktfrequenz lassen
sich beliebige Stromkurvenformen (Gleich-
t strom, sinusförmiger Wechselstrom) erzielen.
Abbildung 7-2 Leistungssteuerung bei Gleich- und Wechselstromanwendungen

7.5 Mittelpunktschaltung M1
In Abb. 7-3 ist als einfaches Beispiel für eine Gleichrichterschaltung die einpulsige Mittel-
punktschaltung M1 dargestellt. Die positive Halbschwingung der sekundären Transformator-
spannung uS wird unverzögert auf die Last geschaltet. Die negative Halbschwingung wird
durch die Ventilwirkung der Diode gesperrt.
iN T id Abbildung 7-3
Ungesteuerte Gleichrichterschaltung M1 mit
uV ohmscher Last
uN uS R ud T: Transformator zur Spannungsanpassung und
Potenzialtrennung

Durch Anwendung des Maschensatzes nach Gl. (7-1) sind die Spannungsverhältnisse dieser
Schaltung beschrieben.
100 7 Stromrichterschaltungen

Ėu 0 ė u Sʅu Vʅu d ud uS ė uV mit u S uʒ S sinʛˈ t ʜ (7-1)

Die Ventilspannung uV ist abhängig vom Schaltzustand des Ventils. Die Schaltzustände des
Ventils werden durch die Stromrichtung bestimmt. Bei ohmscher Last will sich die Strom-
richtung proportional zur Netzspannung uS einstellen.

uV uV

id id
uS ud uS M ud
M R R

ud: uS 0
uV: 0 uS
u S: >0 <0

Abbildung 7-4 Schaltzustände und Spannungen im vereinfachten Schaltbild

Bei einer sinusförmigen Spannung uS gilt für den Gleichspannungsverlauf nach Abb. 7-5
folgende Definition:

0 Ĺ ˈt Ĺˀ Diode leitet : ud ʒuS sinʛˈŏtʜ


(7-2)
ˀ Ĺ ˈt Ĺ 2ˀ Diode sperrt : ud 0

Abbildung 7-5
ud ud ûd Gleichspannungsverlauf
und Mittelwert njd der
0 ˀ 2ˀ Zt M1-Schaltung
Periodendauer

Man erkennt, dass die Gleichspannung neben einem Gleichanteil (Mittelwert njd = UdAV) auch
einen Wechselanteil ud~ enthält, d. h. die Gleichspannung ud ist eine Mischgröße. Eine
harmonische Analyse der Gleichspannung ud liefert die Fourierreihe:
n

u d ʛt ʜ U dAV ʅ Ė ʛa ʽ cosʛʽ ˈ t ʜʅb ʽ sinʛʽ ˈ t ʜʜ U dAV ʅ u d ~ ʛt ʜ (7-3)


ʽ 1

In Gl. (7-3) ist UdAV der Mittelwert oder Gleichrichtwert. Der Wechselanteil ud~(t) besteht aus
einer Reihe von sinusförmigen Schwingungen (Harmonischen) mit den Frequenzen ʽˈ und
Amplituden aʽ und bʽ.
T 2ˀ
2 1
aʽ ĩ u ʛtʜ cosʛʽ ˈ t ʜd t
T 0 d
ĩ u ʛˈ tʜ cosʛʽ ˈ t ʜd ˈ t
ˀ 0 d
(7-4)
7.5 Mittelpunktschaltung M1 101

T 2ˀ
2 1
bʽ ĩ u ʛt ʜsinʛʽ ˈ t ʜ d t
T 0 d
ĩ u ʛˈ t ʜsinʛʽ ˈ t ʜ d ˈ t
ˀ 0 d
(7-5)

Man bezeichnet die Anteile, deren Frequenz f mit der Frequenz der Netzspannung überein-
stimmt, als Grundschwingung mit der Ordnungszahl ʽ = 1. Fasst man die sin- und cos-Anteile
gleicher Frequenz zusammen, so erhält man für ud:
n

ud ʛtʜ U dAV ʅ Ė uʒ d ʽ sin ʛʽˈ tʅˍʽ ʜ (7-6)


ʽ 1

Wechselanteil ud~

Für die Amplitude und Phasenlage der Ȟ-ten Oberschwingung gilt:


a
2 2 ʽ
mit uʒ d ʽ ʎa ʽ
ʅb ʽ und ˍʽ arctan
b
ʽ
(7-7)

Den Mittelwert der Gleichspannung UdAV unter Vernachlässigung von Spannungsabfällen am


Ventil und am Netztransformator bezeichnet man als ideellen Gleichrichtwert Udi. Die ideelle
Gleichspannung Udi berechnet sich mit der Spannungsdefinition nach Gl. (7-2):

1
ˀ uʒ S
U di ŏĩ uʒ ŏsin ʛˈ tʜ d ˈ t ŏʛė>cosʛˀʜėcosʛ0ʜ@ʜ
2ˀ 0 S 2ˀ
(7-8)
uʒ S ʎ 2ŏU
U di S 0,45ŏU S
ˀ ˀ

Der Effektivwert UdRMS der Mischspannung ud(t) berechnet sich zu:


2

ʎ ʎ
uʒ S ˀ ˀ
U dRMS

ĩ sin2 ʛˈ tʜdˈ t
0
uʒ S
1
ʛ 1
ŏ ŏˈ tė
2ˀ 2
sinʛ2ˈ tʜ
4 ʜ 0
(7-9)
uʒ S US
U dRMS 0,707ŏU S
2 ʎ2
Der Gleichspannungseffektivwert UdRMS setzt sich aus dem Mittelwert Udi und einem
Wechselanteil Udi~ entsprechend Gl. (7-10) zusammen.

Effektivwert U dRMS ʎ U 2di ʅ U di~


2
(7-10)

Bei ohmscher Last ruft die Gleichspannung ud als Gleichstrom id wiederum einen Mischstrom
mit dem Gleichanteil id= und dem Wechselanteil id~ nach Gl. (7-11) bzw. Abb. 7-6 hervor.

id id= ʅ id~ (7-11)


Ohne vorgeschalteten Transformator wäre der Netzstrom iN ebenfalls eine Mischgröße und das
versorgende Wechselspannungsnetz mit einer Gleichstromkomponente id= belastet. Der in
102 7 Stromrichterschaltungen

uN id~ Abbildung 7-6


uN
id Netzspannung (uN)
und -strom (id~)
ˀ id= 2ˀ
Zt Der Gleichanteil
(id=) wird von einem
Transformator nicht
übertragen.

Abb. 7-3 vorgeschaltete Transformator T überträgt nur den Wechselanteil id~ (Abb. 7-6). Der
Eisenkern wird durch den Gleichstrom id= als Magnetisierungsstrom vormagnetisiert. Abb. 7-7
zeigt das Ersatzschaltbild der M1-Schaltung mit vorgeschaltetem Transformator (ü = 1).
L˂1 L˂2 id~
iN id Abbildung 7-7
iμ M1-Schaltung mit Netztrans-
formator
uN M1 ud
Lh id=
À Strompfad des Gleichanteils
id= durch Lh

B Lh, diff / H

ʧB
0,6

Arbeitspunkt
ʧH 0,4

H 0,2
~ id=

-2 -1 0 1 2 3
iμ / A

Abbildung 7-8 Auswirkung des Gleichstrom- Abbildung 7-9 Lh-Kennlinie


anteiles auf den Arbeitspunkt

Der sekundärseitige Gleichanteil id= fließt als Magnetisierungsstrom über die wegen des Eisen-
kernes nichtlineare Hauptinduktivität Lh. Abb. 7-8 zeigt den durch id= verlagerten Arbeits-
punkt des magnetischen Kreises. Die modellierte Abhängigkeit der differentiellen Induktivität
Lh,diff vom Magnetisierungsstrom iμ zeigt Abb. 7-9 [16]. Als Folge des Gleichanteils und der
Sättigung des magnetischen Kreises ist der Magnetisierungsstrom unsymmetrisch. Abb. 7-10
zeigt eine Simulation dieser Schaltung unter Berücksichtigung der vereinfachten Lh-Kennlinie
nach Abb. 7-9.
7.5 Mittelpunktschaltung M1 103

i iN uN Abbildung 7-10
u
M1-Schaltung mit
iS ohmscher Last
Sättigungseinfluss auf
t den Netzstrom.

iμ: Magnetisierungs-
strom

7.5.1 Transformator-Bauleistung
Die Transformator-Bauleistung ST ist als Mittelwert von primärer Scheinleistung S1 und se-
kundärer Scheinleistung S2 definiert. Unter der Annahme eines verlustfreien Transformators
mit einer Primärwicklung 1 und einer Sekundärwicklung 2 erhält man für die Scheinleistung
die Beziehungen:
S1 U 1ŏI 1 S2 U 2ŏI 2 U und I sind Effektivwerte

(7-12)
S 1 ʅS 2
ST
2

À Bei einem Stromrichtertransformator können die Wicklungsströme Gleichanteile und


Stromoberschwingungen enthalten.
À Oberschwingungen und Gleichanteile übertragen keine Wirkleistung, führen aber zu
Stromwärmeverlusten (I² R) in den Wicklungen.
Primär- und sekundärseitig treten daher unterschiedliche Scheinleistungen auf. Ein Strom-
richtertransformator hat deshalb, bezogen auf die ideelle Gleichstromleistung Pd, eine ver-
gleichsweise große Bauleistung. Im Falle der M1-Schaltung mit ohmscher Last nach Abb. 7-3
erhält man für eine Netzspannung von U1 230 V, einem angenommenen Widerstand von 10 ʰ
und einer Übersetzung von ü = 1 folgende allgemeingültige Aussage:

uʒ 2 uʒ 2
U 1 230 V U 2 162,63 V nach Gl. (7-9) und U di 103,54 V nach Gl. (7-8)
2 ˀ
U2 U di
analog: I S
10 ʰ
16,26 A Id
10 ʰ
10,35 A I1 I S~ ʎ I 2S ė 2
Id 12,54 A

S1 230 Vŏ12,54 A 2884 VA , S2 230 Vŏ16,26 A 3740 VA


mit S T 3312 VA nach Gl. (7-11) und P d U di I d 1071,6 VA
ST
folgt allgemein : 3,09
Pd

À Aufgrund der ungünstigen Baugröße (ST = 3,09 Pd) und dem Problem der Gleichstrom-
vormagnetisierung scheidet die M1-Schaltung für Anwendungen höherer Leistung aus.
104 7 Stromrichterschaltungen

7.5.2 Kapazitive Last

uV mit uN ʒuN sin ʛˈŏtʜ



folgt für uC ʈ uN
iN uC ʒu N sinʛ ˈŏtʜ
iC
uN uC
C
d uC
iC Cŏ
dt
Abbildung 7-11 M1-Schaltung mit kapazitiver Last

iC ʒi ŏcosʛˈŏt ʜ mit ʒi iC ʛ0ʜ ˈŏCŏʒuC (7-13)


C C

Im Nullpunkt ist wegen cos 0 = 1 der Anfangswert des Kondensatorstromes iC(0) gleich dem
Scheitelwert nach Gl. (7-13). Im Idealfall ist die Stromsteilheit in Abb. 7-12 nicht begrenzt. In
der Praxis stets vorkommende Leitungsinduktivitäten (L˂) bilden zusammen mit dem Kon-
densator C der M1-Schaltung nach Abb. 7-11 einen Reihenschwingkreis. Der Einschaltstrom
des Kondensators iC (t ĺ 0) bildet eine gedämpfte Schwingung und hat daher eine endliche
Steilheit im Nullpunkt. Die Stromamplitude dieser Schwingung kann durch Gleichsetzung der
Energie des elektrischen und magnetischen Feldes nach Gl. (7-14) berechnet werden.

1 1 C
W
2
2
ŏCŏuC
2 ˂ L
2
ŏL i daraus folgt: ʒi L ʒi
C uʒ C ŏ
ʎ L
˂
(7-14)

Für verschwindende Induktivitätswerte LV strebt die Schwingungsamplitude îC gegen unend-


lich. Bei solchen Schaltungen ist eine Mindestinduktivität im Stromkreis erforderlich um den
Ladestrom zu begrenzen. Bei Verwendung eines Eingangstransformators ist hierfür die
Streuinduktivität des Transformators maßgebend.

uN
iN Strom-Eigenschwingung durch L˂

uC

iC uN

îC

ˀ 2ˀ
0 Zt

Abbildung 7-12 Kondensatorspannung und -strom, Einfluss von Leitungsinduktivitäten


7.5 Mittelpunktschaltung M1 105

Zur Beschreibung einer kapazitiven Glättung mit eingeprägtem Laststrom dient Abb. 7-13. Die
Last wird durch eine Konstantstromquelle I0 nachgebildet. Der Kondensator C wird abwechs-
elnd geladen und entladen, so dass sich eine Gleichspannung uC nach Abb. 7-14 einstellt.
uV
K Abbildung 7-13
Kapazitive Last mit eingeprägtem
iN I0 Gleichstrom I0
iC
uN uC
C

In Abb. 7-14 ist für 0 < t < t1 die Gleichspannung uC durch die Netzspannung uN bestimmt (C
wird geladen). Im Bereich t1 < t ” t2 übernimmt der Kondensator C den gesamten Laststrom
und iN geht gegen Null. Für t > t2 wird C entladen und uC fällt linear ab. Der Spannungsabfall
ist proportional zu I0 und umgekehrt proportional zur Kapazität C. Sobald uN wieder größer uC
ist, schaltet sich die Diode ein und C wird geladen (uC = uN).
uN
iN iN ʴ
ud uC ĺ uN
iC
iC
uC
uN ʧud

ˀ I0 2ˀ Z t
0 t1 t2 t3 t

Stromübernahme

Abbildung 7-14 Strom- und Spannungsverläufe bei der kapazitiven Glättung mit eingeprägtem
Laststrom. Es treten unterschiedliche Leitzustände auf.

Abb. 7-15 zeigt die Schaltzustände bei einer kapazitiven Glättung. Mit dem rechten Schaltbild
kann die Schwankung der Gleichspannung ud ermittelt werden. Mit einer Konstantstromquelle
ermittelt man wegen des linearen Spannungsabfalls im Vergleich zu einer ohmschen Last mit
ihrem exponentiellen Spannungsverlauf eine etwas größere Spannungsdifferenz. Die Schwan-
kung der Gleichspannung wird durch die Welligkeit wU nach Gl. (7-15) beschrieben. Darin ist
Ud,Ȟ der Effektivwert der Ȟ-ten Oberschwingung

ʎ
Ğ

Ė U d ,ʽ (7-15)
ʽ 1
Spannungswelligkeit wU
U di
106 7 Stromrichterschaltungen

laden 0 Ĺ t ʆ t2 entladen t 2 Ĺ t Ĺ t3
K K
iN
iC I0
iC I0
uN uC uC
C C

K : ʬi 0 ėi N ʅ iC ʅ I 0 ėiC ė I 0 0
iN iC ʅ I 0 iC ėI0
d uC I0
iC C uC uN uC ʛt2 Ĺ t Ĺ t 3 ʜ uC ʛt2 ʜ ė ŏʛtėt 2 ʜ
dt C

Abbildung 7-15 Leitzustände bei der kapazitiven Glättung

7.5.3 Ohmsch-induktive Last


Mit dem Ansatz des Maschensatzes auf Abb. 7-16 folgt die Differenzialgleichung (7-16):

d iN
iN uN uʒ N sinʛˈ t ʜ iN Rʅ L (7-16)
V1 dt
uR R
uN ud Mit der Lösung für iN:
uL L t
ė
ʒi ʛsinʛ ˈ tėˍ ʜ ʅ sinʛ ˍ ʜ e ˃ (7-17)
iN N ʜ
Abbildung 7-16 Ohmsch-induktive Last

Die Lösung dieser Differenzialgleichung enthält abhängig vom Widerstandswert R folgende


charakteristische Größen:

Tabelle 7.1 Kennwerte der Stromgleichung


R>0 R=0
uʒ N uʒ N
Strom-Scheitelwert ʒi ʒi
N N
ʎ R 2ʅʛˈ L ʜ2 ˈL
L
Zeitkonstante ˃ ˃ Ğ
R
ˈL
Phasenwinkel ˍ arctan ˍ 90°
R
7.5 Mittelpunktschaltung M1 107

uʒ N iN Abbildung 7-17
Stromverlauf bei ohmsch-
Diode sperrt induktiver Last mit einer Diode
ʒi sin ʛˍʜ in Reihe
N 2ˀ

0 ˀ į: Stromflusswinkel
ʒi sin ʛėˍʜ
Zt
N
ij: Phasenwinkel
ˍ
ˈ˃
į
Bei verschwindend kleinem Widerstand R ist ij = 90° und IJ = ’. Gl. (7-17) geht dadurch über
in Gl. (7-18). Der Gleichanteil klingt nicht mehr ab und an der Induktivität liegt eine Wechsel-
spannung. Für den Netzstrom iN folgt daraus eine Mischgröße.

iN ʛtʜ ʒi ŏʛ1ėcosʛˈŏt ʜ ʜ
N (7-18)

7.5.4 Ohmsch-induktive Last mit Freilaufdiode

uV1
iN id Abbildung 7-18
Mittelpunktschaltung mit Freilauf-
iD
uR R zweig, M1F
uN ud
M uV2
uL L

Eine Weiterentwicklung der M1-Schaltung stellt die Einführung einer zusätzlichen Diode V2
parallel zur Last dar. Man erhält die M1F-Schaltung nach Abb. 7-18. Sobald die Netzspannung
uN negative Werte annimmt wird uV2 > 0 wodurch V2 einschaltet und den Laststrom
übernimmt. Durch die Rückwärtsbelastung sperrt das Netzventil V1 sofort. Der Diodenstrom
wird dann von der Induktivität L aufrecht erhalten und klingt mit der Zeitkonstanten ˃ ab. Zur
Ermittlung der Ventilspannung uV1 wird die Maschengleichung M aufgestellt. Die Bedingung
zur Stromübergabe an die Freilaufdiode ist uV2 > 0.
ʬu 0 ėu N ėu V2 daraus folgt: u V2 ėu N (7-19)

À Die Freilaufdiode V2 leitet, sobald die Netzspannung uN negative Werte annimmt.


À V1 übernimmt den Strom, sobald die Netzspannung positive Werte annimmt.
Die Schaltzustände sind in Abb. 7-19 dargestellt, die Ventilströme zeigt Abb. 7-20.
À Die Stromübernahme der Ventile bezeichnet man als Kommutierung.
À Die Stromübernahme der Ventile ist von der Netzspannung uN geführt, weshalb diese
Schaltung als „netzgeführt“ bezeichnet wird.
108 7 Stromrichterschaltungen

V1 id V1 id
iN R R
uN V2 ud uN V2 ud
uL L uL
L

u N ʇ 0, V1 leitet, V 2 sperrt u N ʆ 0, V1 sperrt, V2 leitet


d id d id
ud uN , ʇ 0 ud 0 , ʆ 0
dt dt
Abbildung 7-19 Leitzustände der M1F-Schaltung

In Abb.7-20 ist an den Ventilströmen zu erkennen, dass sich die Ventile V1 und V2 von der
Netzspannung gesteuert ablösen. Wegen der Vernachlässigung eingangsseitiger Induktivitäten
(z. B. durch den vorgeschalteten Transformator) erfolgt die Ventilablösung (Kommutierung)
verzögerungsfrei jeweils im Spannungsnulldurchgang der Netzspannung.
uN > 0 uN < 0 uN > 0
Abbildung 7-20
uN
Ventilablösung bei der M1-Schaltung
Ȧt À Die Polarität Netzspannung uN steuert die
iV1 Ventilablösung. Daher wird diese Schaltung
als „netzgeführt“ bezeichnet.
Ventil- Ȧt
V1 ĺV2 V2 ĺV1 Leitet V2, so ist ud = 0 und der Gleichstrom id
ablösung
iV2 klingt mit der Zeitkonstanten IJ ab.

Ȧt
id

Ȧt

7.6 Wechselwegschaltung W1
Fügt man antiparallel zur M1-Einwegschaltung ein zweites Ventil hinzu, liegt zusätzlich die
negative Halbschwingung der Spannung uN an der Last. Die Ausgangsspannung uL ist jetzt
eine Wechselspannung. Zur Steuerung des Energieflusses werden Thyristoren als steuerbare
V1 ʱ1
Abbildung 7-21
iN
Wechselwegschaltung W1 mit ohmscher Last
Beide Ventile werden mit dem gleichen Steuerwinkel
ʱ2 V2 betrieben, d. h. ʱ1 = ʱ2 = ʱ.
uN R uL
uV
7.6 Wechselwegschaltung W1 109

Ventile eingesetzt. Die Schaltung nach Abb. 7-21 wird dann als Wechselwegschaltung W1
bezeichnet. Die Zündimpulse für V1 und V2 sind um 180° versetzt. Der Steuerwinkel Į ist auf
die Eingangsspannung uN synchronisiert. Beim Betrieb dieser Schaltung lassen sich zwei
Verfahren anwenden.
À Durch verzögertes Einschalten mit Einzelimpulsen kann der Effektivwert Lastspannung uL
verändert werden. Die Schaltung arbeitet dann als Wechselstromsteller, wie er zum
Beispiel als Dimmer zum Einsatz kommt.
À Durch unverzögertes Einschalten kann die Schaltung zum definierten Einschalten eines
Wechselstromverbrauchers eingesetzt werden. Diese Anwendung entspricht einem Wech-
selstromschalter, z. B. einem „Halbleiter-Relais“ oder „elektronischen Schütz“.

Zum Steuern und Schalten von Drehstromverbrauchern können drei Wechselwegschaltungen


W1 zu einem Drehstromsteller W3 zusammengeschaltet werden. alle Ventile werden mit dem
gleichen Steuerwinkel Į angesteuert, so das ein symmetrisches Drehstromsystem erhalten
bleibt. Der Verbraucher kann in Stern- oder Dreieckschaltung betrieben werden.

7.6.1 Stellerbetrieb mit ohmscher Last


Abb. 7-22 zeigt die Ausgangsspannung uL bei Steuerung mit den Winkeln ʱ1 = ʱ2 = ʱ Es ist
erkennbar, dass die Spannungszeitfläche durch zunehmend verzögertes Einschalten kleiner
wird. Dieser Zusammenhang wird durch den Effektivwert UL nach Gl. (7-23) beschrieben.
Gleichzeitig verschiebt sich die Stromgrundschwingung iN,1, so dass die Schaltung auch bei
ohmscher Last eine induktive Blindleistung Q1 aus dem Netz bezieht.

Abbildung 7-22
u ʱ1 uL
i Lastspannung uL und Stromgrundschwingung iN,1
bei ohmscher Last
iN,1
À Die ohmsche Last nimmt bei ʱ > 0 scheinbar die
Grundschwingungsblindleistung Q1 auf.
š ˈt
ij1: Phasenverschiebung
der Stromgrundschwingung
ˍ1
ʱ2 į: Stromflusswinkel

Zur Berechnung der Ausgangsspannung UL wird in Abhängigkeit von ʱ die Leistung PL im


Widerstand R in Abhängigkeit vom Steuerwinkel ʱ berechnet.


1
Wirkleistung : PL

ĩ u L iL d ˈ t (7-20)
0

Definition der Lastspannung uL : 0 Ĺ ˈ t ʆ ʱ : uL 0


ʱ Ĺ ˈ t Ĺ ˀ : uL uN ʎ 2U N sinʛˈ tʜ
110 7 Stromrichterschaltungen

1
ˀ uL
PL
ˀR
ĩ ʛ ʎ 2U N sin ʛˈ t ʜʜ2 d ˈt mit iL
R
ʱ

(7-21)
2U 2N ˈt sin ʛ2 ˈ tʜ
ˀ U 2N sin ʛ2ʱʜ
PL
ˀR
ŏ ^ 2
ė
4 ` ʱ ˀR ^
ŏ ˀ ė ʱ ʅ
2 `
Abbildung 7-23
iL Zur Leistungsbetrachtung der W1-Schaltung
ʱ
PN uL PL Der Wechselstromsteller sei verlustfrei, d. h.
uN R PN = PL.

Für die Leistung im Widerstand R in Abb. 7-23 gilt aber auch

2
UL
PL I 2LŏR (7-22)
R

so dass sich durch Gleichsetzen von G. (7-21) mit Gl. (7-22) für den Effektivwert der Last-
spannung UL schließlich schreiben lässt:

UL U Nŏ
ʎ 1
ˀ ^
ŏ ˀė ʱʅ
sin ʛ 2ʱʜ
2 ` (7-23)

Die Steuerkennlinie der Spannung UL zeigt Abb. 7-24.

1,0 Abbildung 7-24


UL
0,8 Wechselstromsteller
UN

0,6 Steuerkennlinie der Ausgangs-


spannung UL bezogen auf die
0,4 Eingangsspannung UN bei
ohmscher Last.
0,2

0° 60° 120° 180° ʱ


7.6 Wechselwegschaltung W1 111

7.6.2 Stellerbetrieb mit ohmsch-induktiver Last


In der Praxis ist häufig der ohmsch-induktive Belastungsfall anzutreffen. Man erhält ein
Schaltbild entsprechend Abb. 7-25.

V1 ʱ1 Abbildung 7-25
iN
Wechselstromsteller mit R-L-Last

ˈL
L Phasenwinkel: ˍ arctan
ʱ2 V2 R
uL L
uN Lastzeitkonstante ˃
uV R R

Es gilt: Į1 = Į2 = Į

Es wird in jeder Halbperiode der Netzspannung ein Thyristor angesteuert. Der Strom fließt ab
dem Steuerwinkel ʱ jeweils bis zum natürlichen Stromnulldurchgang. Der Laststrom fließt
während des Stromflusswinkels į (Abb. 7-26).
Der Stromflusswinkel į ändert sich mit dem Steuerwinkels ʱ Damit ist der Effektivwert des
Laststromes IN steuerbar. Im Falle einer ohmsch-induktiven Last ist der Steuerbereich für Į
durch den Phasenwinkel ij der R-L-Last jedoch eingeschränkt auf

ˍ Ĺ ʱ Ĺ 180° (7-24)

ʱ1
u ʱ2
i ˍ uL
ʱ=ij
iN

ˀ ˈt

į ʱ=ij
ʱ>ij

Abbildung 7-26 Strom- und Spannungsverläufe bei ohmsch-induktiver Last

Bei Verminderung des Steuerwinkels auf Werte ʱ < ˍ bleibt die Zündung des Thyristors für
die entgegengesetzte Stromrichtung wirkungslos, da der Thyristor für die andere
Stromrichtung noch leitend ist. Der Netzstrom wird nur mit einer Halbschwingung geführt.
Der Thyristor für die zweite Halbschwingung ist erst für ˈt > ʱ + į steuerbar. Bei den
üblichen nadelförmigen Zündimpulsen liegt hier jedoch kein Zündsignal mehr vor.
112 7 Stromrichterschaltungen

7.6.3 Schaltbetrieb mit ohmsch-induktiver Last


Betrachtet wird das Einschalten einer ohmsch-induktiven Last in Abhängigkeit vom Einschalt-
zeitpunkt, beschrieben durch den Steuerwinkel ʱ. Die Differentialgleichung für den Strom iN
nach Gl. (7-16) wird nun unter Berücksichtigung des Steuerwinkels ʱ mit Gl. (7-25) gelöst.
Die Simulationsrechnung nach Abb. 7-27 zeigt einen Einschaltvorgang mit der natürlichen
Phasenverschiebung (Į = ij) im Vergleich zum Einschaltvorgang im Nulldurchgang der
Netzspannung uN (Į = 0°). Der Scheitelwert des Stromes iN kann bei einer linearen
Induktivität L bis zum zweifachen Wert von îN ansteigen. Der Maximalwert tritt nach einer
halben Periodendauer auf. Der Werte für îN , ij und IJ sind Tab. 7.1 zu entnehmen.

ʛˈ t ėʱʜ
ė
ˈ˃
iN iʒ Nŏ>sin ʛˈt ė ˍʜ ʅ sin ʛˍ ė ʱʜ e @ (7-25)
abklingender Gleichanteil

u, Į = ij
i iN

ˈt

uN

iN abklingender Gleichanteil
u,
i Į = 0°

0
ˈt
uN

ˈ˃

Abbildung 7-27 Einschaltvorgang, L = konstant


oben: mit natürlicher Phasenverschiebung (ʱ = ij)
unten: im Spannungsnulldurchgang der Netzspannung (ʱ = 0°)
113

8 Wechselstromschaltungen

8.1 Die Mittelpunktschaltung M2U


Eine einfache Ausführung eines netzgeführten Stromrichters stellt die ungesteuerte Zweipuls-
Mittelpunktschaltung nach Abb. 8-1 dar. Durch die aufgeteilten Wicklungen des Trans-
formators stehen zwei um 180° phasenverschobene Spannungen uS1 und uS2 zur Verfügung.
Die Ventile wechseln sich daher in der Stromführung im Spannungsnulldurchgang der
Sekundärspannungen ab. Bei idealen Ventilen liegt während der positiven Halbschwingung
von uS1 am Lastwiderstand R die Spannung ud = uS1. Außerdem ist id = iS1. Während der
folgenden Halbperiode gilt: ud = uS2 und id = iS2. Die Gleichspannung ud ist eine Mischgröße.

uP

uP uP u
ud Mittelwert
2 2
ûS
uS1 uS2
Udi
1 2
iS1 u12 iS2 ˀ 2ˀ ˈt
Ventilablösung
uS2 uS1
id R

ud
Abbildung 8-1 Ungesteuerte M2-Schaltung mit ohmscher Last

8.1.1 Gleichspannungsbildung
Der Mittelwert der Gleichspannung ud berechnet sich analog zur M1-Schaltung. Da sich die
Kurvenform bereits nach 180° wiederholt, erfolgt die Mittelwertbildung über 180° bzw. ˀ.
ˀ
1
U di = ud = ŏĩ ud d ˈ t ud uʒ S Ģ sin ʛˈŏtʜĢ uʒ S ʎ 2ŏU S
ˀ 0
uʒ S (8-1)
U di >ėʛcosˀ ė cos0ʜ@
ˀ

2
Ideelle Gleichspannung: U di = ŏʒu 0,9U S (8-2)
ˀ S

ʎ
ˀ
1 2 1
Effektivwert: U diRMS = ŏĩ u d ˈt U diRMS = uʒ US (8-3)
ˀ 0 d ʎ2 S
114 8 Wechselstromschaltungen

8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C


Ersetzt man in der Mittelpunktschaltung nach Abb. 8-1 die Dioden durch Thyristoren, so erhält
man die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C nach Abb. 8-2. Darin schaltet der Steuergene-
rator St die Ventile T1 und T2 abwechselnd über die Gatestromimpulse iG1 und iG2 ein. Die
zeitliche Lage dieser Gatestromimpulse wird auf die positiven Spannungsnulldurchgänge der
Spannungen uS1 bzw. uS2 bezogen. Zu diesem Zweck wird der Steuersatz (Abb. 8-3) mit der
Netzspannung synchronisiert. Der Abstand der Gatestromimpulse zu den positiven Spannungs-
nulldurchgängen wird durch den Steuerwinkel Įbeschrieben.

iP iS1 T1 Steuerwinkel ʱ
L1 id
uV1
iG1 uS1 ud
R Ventilspannung
USt
Gatestrom
1800 ĵ ˀ
St uS2
iG2 ˈt
N iS2
Ventilspannung > 0
T2 <möglicher Zündbereich>

Abbildung 8-2 Gesteuerte M2-Schaltung (M2C) mit ohmscher Last

8.2.1 Die Wirkungsweise des Steuergenerators

Synchronisationsspannung Halbschwingungsauswahl
uSyn
VZ
Nulldurchgang Potenzialtrennung
I0 SI Komparator G1
>0
K
uC ZI K1
T <0
C Impulsbildung G2
uSt
Verstärkung
Steuerspannung K2
10 V
Abbildung 8-3 Steuersatz für eine M2-Schaltung

Der Kondensator C wird über eine Konstantstromquelle mit I0 geladen. Die Spannung uC
steigt dadurch zeitproportional an. Der Transistor T wird in den Nulldurchgängen der Syn-
chronisationsspannung uSyn angesteuert und entlädt jeweils den Kondensator C, so dass uC
einen sägezahnförmigen Verlauf annimmt (siehe Abb. 8-4). uC wird mit der Steuerspannung
uSt im Komparator K verglichen. Im Schnittpunkt beider Spannungen wird von K ein Impuls
von der Dauer des Zündimpulses ZI ausgelöst. Der Impuls wird über den Schalter S so
geschaltet, dass immer der blockierende Thyristor einen Zündimpuls erhält. Der Zündimpuls
ZI ist gegenüber dem Spannungsnulldurchgang von uSyn um Ɨt bzw. um den Steuerwinkel Į =
ȦƗt verzögert (Abb. 8-2). Der Steuerwinkel liegt im Bereich 0 < Į < 180°.
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 115

Nulldurchgang
uSyn
t

VZ
t

SI
t
uC Schnittpunkt

uSt

t
ZI
ǻt t

Abbildung 8-4 Signalverläufe des Steuersatzes

8.2.2 Passive Last


8.2.2.1 Ohmsche Last
Die Spannungsbildung der M2C-Schaltung soll am Beispiel einer ohmschen Last mit Abb. 8-5
betrachtet werden. Der Strom id verhält sich proportional zu ud, so dass Strom- und
Spannungsnulldurchgänge gleichzeitig auftreten.

u u ud Abbildung 8-5
S1 uS2
Gleichspannungsbildung bei der
Udi ( ʱ ) gesteuerten M2-Schaltung

ˈt
ˀ
Definition der Gleichspannung:

0 Ĺ ˈ t Ĺ ʱ : ud = 0
ʱ ʱ ʱ Ĺ ˈt Ĺ ˀ : u d = uʒ Sŏsin ʛˈŏtʜ
id
mit: uʒ S uʒ S1 uʒ S2

2ˀ ˈt

Berechnung des Spannungsmittelwertes UdiĮ:

U
1
ˀ

ŏĩ uʒ ŏsin ʛˈ tʜ d ˈt
ʎ 2 ŏU ŏʛ 1ʅcosʛʱʜʜ
ʎ2 0,45 (8-4)
diʱ ˀ ʱ S ˀ S ˀ
116 8 Wechselstromschaltungen

8.2.2.2 Ohmsch-induktive Last


Bei einer ohmsch-induktiven Last in Abb. 8-6 wird der Gleichstrom durch die Speicher-
wirkung der Induktivität bestimmt, d. h. man erhält den Gleichstrom id durch Bildung der
Spannungszeitfläche an der Induktivität und anschließende Division durch L.
1
id
L
ĩ uL d t (8-5)

Für die Spannung uL erhält man aus dem Maschenumlauf in Abb. 8-6:
uL u d ė uR mit uR Rŏid (8-6)
In Abb. 8-6 ist die Spannungszeitfläche an der Induktivität grau dargestellt. Bei konstantem
Mittelwert Ưd sind positive und negative Spannungszeitflächen gleich groß, d. h. njL = 0.

uS ud uR
ud

+
id
id
R L
uL ˈt
uR uL
Abbildung 8-6 M2C-Schaltung mit R-L-Last bei einem Steuerwinkel ʱ = 0° und Ưd = konstant

Für Į größer 0° treten in Abb. 8-7 negative ud-Werte auf. Dadurch kann die Energie der
Induktivität L abgebaut sein bevor das nächste Ventil einschaltet und der Gleichstrom id wird
unterbrochen. Man sagt, der Gleichstrom lückt. Der Steuerwinkel Į, bei dem dieses
Stromlücken auftritt wird als Lückwinkel ʱLG bezeichnet (Abb. 8-7a). Während des Lückens
ist bei der passiven Last die Gleichspannung Null. Im Lückbetrieb ist in Abb. 8-7b durch den
Wegfall der negativen Spannungszeitfläche A der Mittelwert Udiʱ angehoben. Der Stromfluss-
winkel ʴ beträgt im nichtlückenden Betrieb 180° und ist im Lückbetrieb < 180°.
a) Lückgrenze Į !ĮLG b) Lücken
ʱ ʱLG
ud ud Lücken
uR

uR

id id

ˈt ˈt
uL uL
A
ʴ= 180°
ʴ< 180°

Abbildung 8-7 Betrieb mit und ohne Lücken, Definition der Spannungszeitfläche A
Im Lückbetrieb nach Abb. 8-7b berechnet sich die Gleichspannung Udi abhängig vom Steuer-
winkel ʱ und vom Stromflusswinkel ʴ nach Gl. (8-7), [8].
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 117

ʱ ĺ ʱ LG : ʛ180° - ʱʜ Ĺ ʴ ʆ 180° : ( Lückbetrieb )

1
ʱʅʴ
ʴ ʴ (8-7)
U = uʒ S ŏĩ sin ʛˈ tʜd ˈ t = U di0ŏsin ʛ ʜŏsinʛʱʅ ʜ
di ʱ ˀ ʱ 2 2

À Für ʱ ! 90° muss bei passiver Last der Gleichstrom aus energetischen Gründen Lücken
und der Gleichspannungsmittelwert bleibt positiv.
À Für eine negative Gleichspannung Udiʱ ist eine Energiequelle auf der Gleichspannungsseite
erforderlich, d. h. eine aktive Last. Udiʱberechnet sich dann mit Gl. (8-12).
Der Gleichspannungsmittelwert Udiʱ des Stromrichters mit R-L-Last liegt, abhängig vom
Zündwinkel ʱ und der Lastzeitkonstanten ˃L, zwischen den Grenzkennlinien für rein ohmsche
Belastung (lückender Betrieb, ʴ  180°) und dem Fall der idealen Glättung (nichtlückender
Betrieb, ʴ = 180°). Der Gleichspannungsmittelwert ist im Lückbetrieb um den Anteil der
negativen Spannungszeitfläche A erhöht. Für nichtlückenden Betrieb ist A = 0. Die Kennlinien
für passive Last zeigt Abb. 8-8.

1 Abbildung 8-8
U Grenzkurven für den Anstieg des
di ʱ
U di ohmsche Last Gleichspannungsmittelwertes durch
Lückeinsatz im Gleichrichterbetrieb bei
0,5 RL-Last passiver Last
mit Lücken
Der schraffierte Bereich ist von der Last-
RL-Last
ohne Lücken Zeitkonstanten ˃L bestimmt. Die Gleich-
spannung ermittelt sich bei bekanntem
0
Stromflusswinkel į mit Gl. (8-7).
30° 180°
Steuerwinkel D

Tabelle 8.1 Typische Stromverläufe

id
Ideal geglätteter Gleichstrom
t
id
Nichtlückender Gleichstrom
t
Mischstrom

id
Gleichstrom an der Lückgrenze
t
id
Lückender Gleichstrom
t
118 8 Wechselstromschaltungen

8.2.3 Aktive Last


Häufig tritt bei Gleichrichterschaltungen der Fall auf, dass im Gleichstromkreis eine Span-
nungsquelle Uq vorhanden ist, z. B. bei einer Gleichstrommaschine. In Abb. 8-9 ist diese
Gleichstrommaschine durch die aktive R-L-Uq Standardlast nachgebildet. Bezüglich der
Spannungspolarität von Uq sind zwei Fälle zu unterscheiden:
a) b)

uS1 uS1
ud ud
T1 T1

M M

id id R L
R L
Uq Uq

u u
Gegenspannung Mitspannung
Abbildung 8-9 M2-Schaltung mit aktiver Last (Gegen- und Mitspannung)

À Gegenspannung (motorischer Betrieb)


Ist, wie in Abb. 8-9a, die Spannung Uq der Gleichspannung ud entgegen gerichtet, so spricht
man von einer Gegenspannung. An der Impedanz des Lastkreises liegt die Spannung u.
u ud ė U q (8-8)
Die Spannung u ist um den Betrag der Gegenspannung Uq vermindert. Dieser Fall tritt z. B.
bei Speisung eines Gleichstrommotors auf. Die Gegenspannung Uq entspricht dann der (dreh-
zahlabhängigen) induzierten Spannung des Motors. Damit die Thyristoren (erstmalig) zünden
können, muss der Augenblickswert der Netzspannung uS größer sein als die Gegenspannung
Uq, andernfalls werden beide Thyristoren in Sperrrichtung betrieben. Für den Steuerwinkel ʱ
folgt daraus ein Mindestwert, ab dem eine Zündung möglich ist (ʱmin) und ein maximaler
Wert bis zu dem eine Zündung spätestens erfolgen muss (ʱmax). Abb. 8-10 zeigt beispielhaft
diese Einschränkung des Steuerwinkels ʱ. Bei einer idealen Stromglättung und vernachlässig-
baren ohmschen Widerständen ist die Gleichspannung Udiʱ gleich der Gegenspannung Uq.
Bei nicht idealer Glättung tritt durch die Kurvenform der Gleichspannung ud eine Welligkeit
des Gleichstromes auf. Sobald der Momentanwert id aufgrund der Welligkeit negative Werte

u uS Abbildung 8-10
Steuerbereich der M2-Schaltung mit Gegenspan-
Uq nung und ohmscher Last

Steuerbereich Die Grenzen des Steuerbereiches folgen aus der


Bedingung:
0 ʱ ˈt uS > Uq.
min ʱmax ˀ
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 119

annehmen will, sperren die Ventile und der Gleichstrom lückt. Der Lückeinsatz der M2-Schal-
tung ist dadurch nicht nur abhängig vom Steuerwinkel ʱ und der Lastzeitkonstanten ˃L,
sondern bei aktiver Last auch vom Motorstrom Id. Während bei einem großen Motorstrom
meist kein Lücken auftritt, setzt bei einer Entlastung des Motors im Allgemeinen Lücken ein.
Den Verlauf der Gleichspannung ud im Lückbetrieb zeigt Abb. 8-11a. Im Lückbetrieb
entfallen Anteile der negativen Spannungszeitflächen (A), wodurch die Gleichspannung Udiʱ –
und somit auch die Drehzahl ˈ der Gleichstrommaschine – größer ist als im lückfreien
Betrieb. Der Drehzahlanstieg im Lückbetrieb führt somit (ungeregelt) zu einem Anstieg der
Gleichspannung Udiʱ. Der Maximalwert ist durch den Scheitelwert der Wechselspannung US
gegeben und ermittelt sich nach Gl. (8-9).
a) b)
u ʱ ud u ʱ ud

uS1 uS2 uS1 uS2

Udiʱ Udiʱ
ˀ 2ˀ ˀ 2ˀ ˈt
ˈt
A

ʴ
i ʴ lücken i
id
id
Id
Id

ˈt ˈt
Abbildung 8-11 M2C-Schaltung mit Gegenspannung bei unterschiedlichem Gleichstrom Id

U di
U = ʎ 2U S = ʎ2 = 1,57 U di (8-9)
diʱ max 0,9
À Mitspannung (generatorischer Betrieb)
Haben ud und Uq die gleiche Richtung, so liegt an der Lastimpedanz die Spannung:
u ud ʅ U q (8-10)
Die Spannung u ist um den Betrag der Spannung Uq erhöht. Die Spannung Uq wird dann als
Mit- bzw. Zusatzspannung bezeichnet. Dieser Fall tritt z. B. bei einer generatorisch
arbeitenden Gleichstrommaschine auf. Für den Gleichstrommittelwert Id gilt:
ʅ Uq U
diʱ (8-11)
Id ʇ 0
R
Durch die Mitspannung Uq kann die positive Stromrichtung auch bei negativer
Gleichspannung Ud beibehalten werden. Die Lückgrenze des Steuerbereiches bei RL-Glättung
120 8 Wechselstromschaltungen

nach Abb. 8-8 von ʱLG Ĺ 90° ist damit aufgehoben, wodurch für den Energieaustausch
zwischen Wechselstromnetz und Gleichstromnetz folgende Fälle auftreten können:

Die Gleichspannung Udiʱ ist positiv. Zusammen mit dem positiven


Laststrom Id ergibt sich auf der Gleichstromseite eine positive Wirk-
0lĹʱĹ90l
leistung Pd. Die Energieflussrichtung ist vom Wechselstromnetz zum
Gleichstromnetz. Der Stromrichter wird als Gleichrichter betrieben.
Die Gleichspannung Udiʱ ist null. Obwohl ein positiver Laststrom Id
ʱ 90l fließt, ergibt sich keine Wirkleistung. Es kommt zwischen Wechsel-
stromnetz und Gleichstromkreis zu keinem Energieaustausch.
Die Gleichspannung Udiʱ ist negativ. Mit dem positiven Laststrom Id
ergibt sich eine negative Wirkleistung. Die Energieflussrichtung ist
90l<ʱĹ180l
vom Gleichstromnetz in das Wechselstromnetz. Der Stromrichter wird
als Wechselrichter betrieben.

Bei aktiver Last und im nichtlückendem Betrieb berechnet sich die Gleichspannung Udiʱ nach
Gl. (8-12). Die Steuerkennlinien zeigt Abb. 8-12.

1
ˀʅʱ uʒ N
U ŏ ĩ uʒ ŏsin ʛˈ tʜ d ˈt ŏʛėʛcosʛˀʅʱʜėcosʛʱʜʜʜ
diʱ ˀ ʱ N ˀ
mit: ėcosʛˀʅʱʜ cosʛʱʜ (8-12)
uʒ N
U di ʱ 2ŏ ŏcosʛʱʜ 0,9U N cosʛʱʜ
ˀ

1
Abbildung 8-12
ohmsche Last
Steuerkennlinien der M2-Mittelpunktschaltung für ohm-
0,5 sche Last und für den Betrieb mit eingeprägtem Strom
U
di ʱ Für Steuerwinkel ʱ > 90° arbeitet die M2-Schaltung im
U di0 Wechselrichterbetrieb. Die Energie wird vom Gleichstrom-
0 netz in das Wechselstromnetz übertragen.
30° 180°
D
Der theoretische Steuerbereich der M2-Schaltung beträgt:
-0,5

0 Ĺ ʱ ʆ 180°
-1
Passive Last Aktive Last
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 121

8.2.4 Ventilbelastung
Den Ventilstrom für unterschiedliche Lastfälle zeigt Tabelle 8.2.

Tabelle 8.2 Ventilstrom mit und ohne Glättung

Ohmsche Last ideale Glättung

îV Id

0 ˀ 2ˀ ˈt 0 ˀ 2ˀ ˈt
Mittelwert Effektivwert Mittelwert Effektivwert
ʒi ʒi Id Id
V V
IV I V,RMS IV I V,RMS
ˀ 2 2 ʎ2
Zur Ermittlung der Spannungsbelastung dient das vereinfachte Schaltbild der M2-Schaltung
nach Abb. 8-13. Darin sind beide Ventile als Schalter dargestellt, die jeweils bei positiver
Ventilspannung geschlossen und bei negativer Ventilspannung uV geöffnet sind. In Abb. 8-13
ist beispielsweise V1 geschlossen, V2 offen.

iP uP
u u21
uS2
uS1
uS1 uS2 uʒ S

iS1 iS2 ûV2 ˈt


u
V1 21 V2 uV2
uV2
id R

ud

Abbildung 8-13 Ventilspannung uV2

Die Ventilspannung uV2 folgt wieder aus der Maschengleichung in Abb. 8-13 .

M :ĖU 0 uV2 ʅuS1ėuS2 (V 1 leitend, V 2 sperrt )


(8-13)
Ventilspannung : u V2 uS2ė uS1 u21

À Die Ventile müssen in Rückwärtsrichtung (Sperrbeanspruchung) dem doppelten


Scheitelwert der Spannung uS standhalten.
122 8 Wechselstromschaltungen

8.2.5 Trafo- und Netzgrößen


Bei idealer Stromglättung verlaufen die Ventilströme iS1 bzw. iS2 rechteckförmig entsprechend
Abb. 8-14. In den Sekundärwicklungen des Transformators fließt ein Mischstrom, d. h. ein
Gleichstrom iS= mit überlagertem Wechselstrom iS~. Im magnetischen Kreis kann sich kein
Gleichfluss ausbilden, so das im Eisenkern wird nur ein magnetisches Wechselfeld vorliegt.
uS1
iS1

iS1= iS2
0 ˀ 2ˀ ˈt
iS1
uS2
uP iS2= uS1
iS1=
iS2

0 iS2=
ˀ 2ˀ ˈt
uS2

Abbildung 8-14 Sekundärströme und -spannungen mit Transformator-Ersatzschaltbild


Der Netzstrom iP ist nach Abb. 8-15 ein rechteckförmiger Wechselstrom.

uP Abbildung 8-15
iP Netzgrößen der M2-Schaltung

0 ˀ 2ˀ ˈt

Für die Scheinleistung ST erhält man Gl. (8-2) bei den angegebenen Stromkurvenformen und
einer angenommenen Übersetzung des Transformators von NP/NS = 1 (dann ist UP = US):
U di U di
Primär: SP U P I P mit U P , IP Idʍ SP ŏI 1,11 P d (8-14)
0,9 0,9 d
Pd: ideelle Gleichstromleistung.
U di Id U diŏI d
Sekundär: S S 2U S I S mit U S , IS ʍ SS 2 1,57 P d (8-15)
0,9 ʎ2 0,9 ʎ 2
Aus den primär- und sekundärseitigen Scheinleistungen wird der Mittelwert ST nach Gl. (8-16)
als Bauleistung des Transformators berechnet.
SP ʅ SS 1,11 P d ʅ 1,57 P d
ST 1,34 P d (8-16)
2 2
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 123

À Die Bauleistung des Transformators für eine M2-Schaltung ist unabhängig von der
Übersetzung um 34 % größer zu wählen als die ideelle Gleichstromleistung Pd.
À Verglichen mit der M1-Schaltung ist die Transformator-Baugröße wesentlich günstiger.

8.2.6 Bemessung einer Glättungsinduktivität


Bei idealisierten Betrachtungen wird die Induktivität der Glättungsdrossel Ld oft als so groß
angenommen, dass der Gleichstrom id als völlig geglättet angesehen werden kann. Bei prak-
tisch ausgeführten Schaltungen wird die Induktivität aus unterschiedlichsten Gründen (Dyna-
mik, Kosten, Gewicht, Volumen) nur so groß gewählt, wie es für einen stabilen Betrieb und
zur Vermeidung des Lückbetriebes erforderlich ist. In der Praxis wird der Gleichstrom id daher
eine Welligkeit besitzen. Die Welligkeit wi berechnet sich mit Gl. (8-17). Abb. 8-16 zeigt den
Verlauf des Gleichstromes id bei unterschiedlichen Glättungszeitkonstanten ˃L und ʱ = 0°.

ʎ
Ğ

Ė I 2ʽ (8-17)
ʽ 1
Stromwelligkeit wi
Id

1 Abbildung 8-16
id ˃L = ’ Stromverlauf bei unterschiedlichen
ʒi 2 ˃L = 10 ms Zeitkonstanten ˃L
d
ˀ
˃L = 3,2 ms Der theoretische Grenzwert ˃LɊ’
dient nur zum Vergleich.
˃L = 1 ms
˃L = 0
0
0 ˀ 2ˀ ˈt

Zur Auslegung der Mindestinduktivität geht man von einer M2C-Schaltung nach Abb. 8-17
aus. Als Steuerwinkel ʱ wählt man einen Wert von 90°, um die maximale Welligkeit der
Gleichspannung zu berücksichtigen. Die Größe der Induktivität wird so bemessen, dass der
Gleichstrom id bei diesem Steuerwinkel den Wert Null gerade noch nicht erreichen soll
(Lückgrenze).

Abbildung 8-17
Aktive Last (Gleichstrommotor) mit verlustfreier Induktivität L
Die Induktivität L wird so groß gewählt, dass
uS1
ud À die Welligkeit hinreichend klein bleibt und
T1
À im Betrieb kein Lücken auftritt.

id Ld

uL
Udi
124 8 Wechselstromschaltungen

Abb. 8-18 zeigt die Gleichspannung ud (Į). Der Mittelwert von ud liegt an einem Gleichstrom-
motor M. Die überlagerte Wechselspannung uL = ud – Udiʱ fällt an der verlustfreien Glättungs-
drossel Ld ab. Der Mittelwert der Spannung an der Glättungsdrossel ist Null. Der Gleichstrom
Id ist in diesem Beispiel abhängig vom geforderten Drehmoment des Motors. Der
Wechselanteil iW ermittelt sich als Differenz vom Momentanwert id und Mittelwert Id.
iW id ė I d (8-18)

ud
ʱ Abbildung 8-18
uS1 uS2
Betrieb an der Lückgrenze
Verlauf von Gleichspannung und -strom
a) 0 ˀ 2ˀ
bei ʱ = 90° und R = 0.
ˈt
À Der Mittelwert von ud ist Null.

À An der Glättungsdrossel liegt die


Gleichspannung ud und erzwingt den
i iS1
îd
iS2 abschnittweise sinusförmigen
b) Gleichstrom id.
Id
ˈt

Bei einem Steuerwinkel von ʱ = 90° ist Udi Null. An der Drossel Ld liegt abschnittweise die
sinusförmige Spannung uL. Der Gleichstrom verläuft abschnittweise sinusförmig. Zur Berech-
nung der Induktivität Ld wird zuerst in Gl. (8-19) für Į = 90° die Stromamplitude îd ermittelt.
d id 1
uL Ld ʍ did u dt
dt Ld L
Mit der Spannung uL uS1 ʎ 2 U S sin ʛˈ tʜ folgt:
ʒi
1
d US ˀ
(8-19)
d id
ˈ Ld
ʎ 2U S sin ʛˈ tʜ dˈ t ʍ ĩ d id ʒi
d ʎ2
ˈ Ld
ĩ sin ʛˈ tʜ dˈ t
0 ˀ
2

US ˀ ʎ 2U S
ʒi ʎ2 ʛėcosʛˈt ʜʜ ˀ
d ˈ Ld ˈ Ld
2
Die Mittelwertbildung von id liefert den Gleichstrom Id. Durch Einsetzen in Gl. (8-19) folgt in
Gl. (8-20) der erforderliche Mindestwert für die Induktivität Ld.
ʒi
2 ʎ 2U S
ˀ2

Id
d
ĩ cosʛˈ tʜd ˈ t ʒi 2 somit: I d
ˀ dˀ ˀ ˈ Ld
0
2 (8-20)
US U di
Ld ʉ 0,9 oder mit 0,9U S = U di Ld ʉ
ˈ Id ˈ Id
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 125

8.2.7 Die Kommutierung


Bei der M2-Schaltung wurde gezeigt, dass die Ventile sich in der Stromführung periodisch
ablösen. Man bezeichnet den Vorgang dieser Ventilablösung als Kommutierung. Da in den
bisherigen Schaltungen keine wechselspannungsseitigen Induktivitäten berücksichtigt wurden,
erfolgte die Kommutierung sprunghaft und konnte vernachlässigt werden. In realen
Schaltungen weisen die an der Kommutierung beteiligten Stromkreise Induktivitäten auf.
Diese stammen z. B. von der Streuinduktivität des vorgeschalteten Transformators. Zur
Betrachtung dieses Kommutierungsvorganges dient eine Schaltung nach Abb. 8-19.
iG1 Abbildung 8-19
L˂ iS1 K
iP 1 Verlustfreier Transformator mit Wicklungs-
id
L1 T1 uL Streuinduktivitäten L˂
uS1
L Die Ventile lösen sich periodisch ab und bilden
ud eine Kommutierungsgruppe. Die Anzahl von
Kommutierungen innerhalb einer Netzperiode
uS2 Udi R wird als Kommutierungszahl q bezeichnet.
N T2
iS2
2 À Für die betrachtete M2-Schaltung ist q = 2.
L˂ iG2

Die für die Kommutierung wirksame Kommutierungsinduktivität LK folgt aus der r e la t iv e n


K u rz s ch l u ss s p a n n u n g u K . Diese ist definiert als das Verhältnis der beim kurzgeschlosse-
nen Transformator bei Nennstrom auftretenden Spannung, der Kurzschlussspannung UK und
der Nennspannung Un. Dieser Ansatz ist unabhängig von Primär- oder Sekundärseite des
Transformators. Erst nach Zuordnung der Nenngrößen zur betrachteten Transformatorseite ist
für diese aus Gl. (8-21) die wirksame Kommutierungsinduktivität berechenbar. Im Falle der
M2-Schaltung interessiert die sekundärseitige Kommutierungsinduktivität LK. Unter Vernach-
lässigung des ohmschen Widerstandes RK folgt für UK:
UK ˈ LK In ʛ RKIJ 0ʜ (8-21)

In Abb. 8-19 gilt: LK = 2 L˂. Für LK folgt daher mit Un = US1,n und US1 = US2 = US sowie IS1
= IS2 = IS bei gleicher Aufteilung der Transformatortypenleistung Sn auf die beiden Sekundär-
stränge die Gl. (8-22). IS,n wird darin durch Sn und Us,n ausgedrückt.
Sn Sn
U S,nŏI S,n und I S,n (8-22)
2 2 U S,n

Wird IS,n in Gl. (8-21) eingesetzt, so folgt für LK:

UK u K U S,n uK U S,n 2u K U 2S,n UK


LK mit uK
ˈ I S,n ˈ I S,n Sn ˈS n U S,n (8-23)
ˈ
2U S,n

LK kann mit Gl. (8-23) aus den Transformator-Nenndaten ermittelt werden. Die Nenndaten
US,n und IS,n sind für diese Berechnung auch dann anzusetzen, wenn der Transformator mit
einer von US,n abweichenden Spannung arbeitet.
126 8 Wechselstromschaltungen

8.2.7.1 Überlappung
Zur Betrachtung der Kommutierung wird jetzt davon ausgegangen, dass bei ˈt = 0 Thyristor
T1 leitet und Thyristor T2 sperrt. Das bedeutet, dass ud = uS1 und iS1 = Id ist. Wird bei ˈt = ʱ
T2 gezündet, so gilt Abb. 8-20. Die zwischen den Punkten 2 und 1 liegende Spannung u21
treibt einen Kurzschlussstrom iK. Man bezeichnet uK als Kommutierungsspannung (bei der
M2-Schaltung gilt: UK = 2 US) und iK als Kommutierungsstrom. iK fließt in T2, d. h. iS2 = iK.
In T1 fließt der Kommutierungsstrom iK dem Strom Id entgegen, so dass für T1 aus der
Stromsumme im Knoten K für die Dauer der Kommutierung folgt:
i S1 id ė i K ʇ 0 mit i d = konstant = I d (8-24)
Die Kommutierung ist im Stromnulldurchgang von iS1 beendet. Dann ist iS2 = Id. Der Verlauf
von iK wird durch die Kommutierungsinduktivitäten LK bestimmt und ist abhängig vom Steu-
erwinkel ʱ durch Gl. (8-26) beschrieben.
t
iK 1
K uʒ K ˈt

uK
LK
iK ĩu dt
LK ʱ K ˈ LK
ĩ sin ʛˈ tʜd ˈ t (8-25)
ʱ
ˈ

uʒ K
iKʛˈ t , ʱʜ ʒi ŏʛėcos ˈ tʅcos ʱ ʜ
K mit ʒi K (8-26)
ˈ LK
Hat der von ˈt = 0 aus ansteigende Kommutierungsstrom iK den Wert von Id erreicht, so ist
die Kommutierung abgeschlossen. Die Dauer der Kommutierung wird als Kommutierungszeit
tK oder als Überlappungswinkel u = ˈ t K ermittelt. Den Sonderfall einer ungesteuerten
Schaltung (bzw. für ʱ= 0°) beschreibt Gl. (8-27):
iK ʛˈt , ʱ 0ʜ ʒi ʛ1 ė cosʛˈ tʜʜ (8-27)
K

iK
180° u21 u1
V1 iV1

u1 u2 1

M
u21
V2 iV2 id
ˈt
2 L˂
u0 u2 uV2
iV2
Id ʬ u 0 ėu1 ė u V2 ʅ u2
iV1 u V2 u2 ė u 1 u21
ˈt

Abbildung 8-20 Kommutierung eines eingeprägten Gleichstromes id von V1 nach V2


8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 127

Am Ende der Kommutierung ist iK = Id. Aus Gl. (8-27) folgt für die Anfangsüberlappung u0:
Id Id
cos u0 ʛ1 ė ʜ oder u 0 arcos ʛ1 ė ʜ (8-28)
ʒi ʒi
K K

Eine Kommutierung ist nur für Id kleiner îK möglich. Aus Gl. (8-26) folgt für ˈt = ʱ + u eine
Beziehung für alle Steuerwinkel ʱ Durch die Erweiterung mit 1 ist die Überführung in die
allgemeine Form nach Gl. (8-29) möglich.
Id
iK ʛuʅʱʜ Id ʒi ŏʛėcosʛʱʅuʜ ʅ cos ʱʜ mit cosʛʱʅuʜ 1ė ʅ cos ʱ ė1
K ʒi
K

u arcos ʛcos ʱʅcosu0 ė1ʜ ė ʱ (8-29)

Den Verlauf von iK bei unterschiedlichen Steuerwinkeln ʱ zeigt Abb. 8-21. Es ist deutlich die
Abhängigkeit der Überlappung u vom Steuerwinkel ʱ zu erkennen. Durch die Überlappung
ist die Kommutierungsfähigkeit in diesem Beispiel auf Steuerwinkel < 150° beschränkt. Dieser
Grenzfall und ein zusätzliches Beispiel für ein Kommutierungsversagen ist seitlich zusätzlich
vergrößert dargestellt. Eine Thyristorschonzeit ist nicht berücksichtigt.

ʱ = 0°
iK uK
ʒi ʱ = 150°
K
1 Grenzfall
iV2
u ʱ = 90° Id iV1
u0
ˈt
0,134

Į ˈt ʱ > 150°
Keine Kommu-
ʱ = 150° tierung möglich
iV1
Id iV2
-1
ˈt
ʱ = 180°

-2

Abbildung 8-21 Verlauf von iK bei unterschiedlichen Steuerwinkeln


Der Kommutierungsgrenzfall wurde durch u0 = 30° zu ʱ = 150° gewählt.
128 8 Wechselstromschaltungen

Die Auswirkungen der wechselspannungsseitigen Induktivität bei der Kommutierung:


À Der Scheitelwert des Kurzschlussstromes wird abhängig vom induktiven Widerstand ˈLK
reduziert. Hierdurch kommt es zu einer Begrenzung des maximal zu kommutierenden
Ventilstromes.
À Die Leitdauer der Thyristoren ist um die Überlappung u verlängert.

Wechselrichter nicht mehr steuerbar


Kommutierungs
-versagen

iV1
iV2

ˈt
ud

Zündimpulse
Abbildung 8-22 Anstieg des Gleichstromes mit anschließendem Wechselrichterkippen (ʱ = 160°)

Im Wechselrichterbetrieb betragen die Steuerwinkel zwischen 90° und 180°. Der Stellbereich
der Gleichspannung Udiʱ ist beim Wechselrichterbetrieb dadurch begrenzt, dass die Ventile
bei 180° ihre Sperrfähigkeit wiedererlangt haben müssen. Da hierbei neben dem Schonzeit-
winkel der Thyristoren auch die Überlappung u berücksichtigt werden muss, wird der
Steuerwinkel auf ca. 150° begrenzt. Abb. 8-22 zeigt die Simulation eines Wechselrichter-
betriebes mit einem bis zum Kommutierungsversagen linear ansteigenden Gleichstrom. Nach
dem Kommutierungsversagen ist der Wechselrichter nicht mehr steuerbar, die Ventile bleiben
leitend und der Gleichstrom steigt weiter an, bis eine Sicherung den Strom unterbricht.

8.2.7.2 Die induktive Gleichspannungsänderung


Während der Kommutierung der M2-Schaltung ist die Gleichspannung ud entsprechend Abb.
8-23 gleich Null. Die markierte Spannungszeitfläche A berechnet sich darin mit der Spannung
uS2 und der Streuinduktivität LDž nach Gl. (8-30).

d i S2
uS2 L umgestellt: uS2 d t L d iS2 Integration über t K t2 ėt 1
˂ dt ˂
t2 Id (8-30)
liefert: A = ĩ uS2 d t L
˂ ĩ di S2 L Id
˂
(Vs)
t1 0

À Die Spannungszeitfläche A ist proportional zu Lı und Id.


À Die Spannungszeitfläche A ist unabhängig vom Steuerwinkel Ƴ und der Netzfrequenz f.
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 129

uS ud Abbildung 8-23
uS1 uS2 Gesteuerte M2-Schaltung mit berücksichtigter
Kommutierungsinduktivität LK (LK = 2 L˂)
A
Udiʱ Udʱ u1
0 1 L˂ V1
ˈt
u 21
u21
2
id
ʱ ʱ ud
u 2 L˂ V2
i iS1 iS2 u2
Id
u 21
t1 t2 t
ud u2 ė 0
2

Während der Kommutierung verläuft die Gleichspannung ud auf Null.

Die durch LK verursachte Änderung des Gleichspannungs- Mittelwertes berechnet sich über
T/2 nach Gl. (8-31) als induktive Gleichspannungsänderung Udx.
2 L˂ I d 1
U dx bzw. mit f ʍ U dx 2 f L Id (8-31)
T T ˂

À Die induktive Gleichspannungsänderung Udx ist direkt proportional zur Netzfrequenz f,


zum Gleichstrom Id und zur Kommutierungsinduktivität LK.
Die Lastabhängigkeit der Gleichspannung Udʱ in Abb. 8-23 wird mit Gl. (8-32) beschrieben.
U U ė U dx (8-32)
dʱ di ʱ
Um eine Belastungskennlinie des realen Stromrichters zu erhalten müssen zusätzlich noch die
ohmschen Spannungsabfälle sowie die Ventilspannungsabfälle berücksichtigt werden. Die
ohmschen Spannungsabfälle werden zusammenfassend durch die ohmsche
Spannungsänderung Udr bei Nennstrom Idn nach Gl. (8-33) berücksichtigt. In der
Verlustleistung PV sind die ohmschen Verluste des Stromrichters und Transformators bei
Nennstrom zusammengefasst.
PV
U dr (8-33)
I dn

Der Ventilspannungsabfall Udv ist durch die Anzahl n in Reihe geschalteter, gleichzeitig
leitender Ventile bestimmt und wird näherungsweise als lastunabhängig angenommen. Somit
erhält man für das Lastverhalten der Gleichspannung die Gl. (8-34):
Ud ʱ U di ʱ ė ʛU dx ʅ U dr ʅ nŏU dv ʜ (8-34)
Durch Normierung von Udx und Udr bei Nennstrom (Idn) auf Udi erhält man die relative
induktive und ohmsche Gleichspannungsänderung dx und dr nach Gl. (8-35).
130 8 Wechselstromschaltungen

U dx U dr
dx und dr bei: Id = Idn (8-35)
U di U di

Die resultierende Belastungskennlinie des Stromrichters zeigt Abb. 8-24.

Udi
Abbildung 8-24
Udi - n Udv Belastungskennlinie
Udx + Udr
mit Wechselrichter-
trittgrenze
UdĮ
Id Ȗ: Schonzeitwinkel
0
Idn

ze
- Udi cos Ȗ ter-Trittgren
Wechselrich
- Udi

In jedem Punkt der Kennlinie muss die Bedingung


ʱ ʅ u ʅ ʳ Ĺ 180 ° (8-36)
erfüllt sein. Nun steigt die Überlappung u nach Gl. (8-28) mit dem Gleichstrom Id an, wodurch
für Į >> 90° die Gefahr des Wechselrichterkippens besteht. Der Steuerwinkel Ƴ bzw. die
Gleichspannung UdĮ wird im Wechselrichterbetrieb deshalb stromabhängig begrenzt
(Wechselrichter-Trittgrenze in Abb. 8-24). Zur Ermittlung dieser Wechselrichter-Trittgrenze
geht man von Gl. (8-28) und (8-29) aus. Die Umformung von Gl. (8-28) liefert:
2 f LK I d ˀ Id
Aus: d x wird mit U K 2U S U dx
U di ʎ 2 di 2 ʒi
K
(8-37)
Id
und damit wird aus: cos u0 1ė ʍ cos u0 1 ė 2d x
ʒi
K

Gl. (8-36) und (8-37) eingesetzt in Gl. (8-29) liefert:


Aus: cos ʛʱ ʅ uʜ cos ʱ ʅ cos u0 ė 1 ʍ cosʛʱ ʅ uʜ cos ʱ ė 2 d x
mit: ʱ ʅ u ʅ ʳ 180 ° folgt: ėcos ʳ cos ʱ ė 2 d x
Eine Erweiterung mit U di führt zu: U di cos ʱ ė U di cos ʳ ʅ 2 U dx U
diʱ

Wird UdiĮ in Gl. (8-34) eingesetzt, so erhält man für die Wechselrichter-Trittgrenze:
U ė U di cos ʳ ʅ U dx ė U dr ė nŏU dv bzw.

Id (8-38)
Ud ʱ ė U di ʛcos ʳ ė ʛd x ė d r ʜ ʜ ė nŏU dv
I dn
8.3 Die Brückenschaltung B2 131

8.3 Die Brückenschaltung B2


Die B2-Brückenschaltung entsteht durch die Reihenschaltung von zwei M2-Schaltungen.
Nachfolgend sind verschiedene Entwicklungsstufen der B2-Schaltung dargestellt.

a) uS1 c)
uS1
id1
uS2 id1
R ud1 uS2
R ud1
iM
b) K
uS1
R ud2
R ud2

uS2 id2
id2

Abbildung 8-25 Herleitung der B2-Brückenschaltung

Die Zusammenfassung einer Kathodenschaltung (a) mit einer Anodenschaltung (b) führt auf
die Vorstufe einer Brückenschaltung nach Abb. 8-25c. Betrachtet man hierbei die Knoten-
punktgleichung K, so ist der Mittelleiterstrom iM Null. Der Mittelleiter kann daher entfallen
und man erhält die Brückenschaltung nach Abb. 8-26.

Aus Ėi 0 folgt: i M i d1 ėid2 0 und aus Ė u 0 folgt: ud ud1 ʅud2


2
Aus Gl. (8-2) folgt somit U di 2ŏ ŏʒuS
ˀ
Auf die Reihenschaltung der beiden Sekundärwicklungen kann verzichtet werden, so dass die
B2-Schaltung die gleiche Ausgangsspannung Udi (und Udx) wie die M2-Schaltung hat.

Abbildung 8-26

T1 T2 id Die voll gesteuerte B2-Brückenschal-


iP tung (B2C)
iS
Durch die Reihenschaltung ist die
uP uS R Gleichspannung Udi doppelt so groß
ud wie bei einer Mittelpunktschaltung.
Für die einfache Gleichspannung
genügt daher nur eine Wicklungs-
T3 T4
hälfte, wodurch sich der Transfor-
mator vereinfacht (oder entfällt).

Die Gleichspannung UdiƳ berechnet sich mit Gl. (8-2) für die B2C-Schaltung zu:
2
U ŏuʒ cos ʛʱʜ = 0,9 U S cos ʛʱʜ (8-39)
diʱ ˀ S
132 8 Wechselstromschaltungen

8.3.1 Ventilbelastung
Bezogen auf die gleiche Ausgangsspannung Ud werden die Ventile der B2-Schaltung nach
Abb. 8-27 nur mit dem halben Wert einer vergleichbaren M2-Schaltung belastet. Die Strom-
belastung der Ventile entspricht der M2-Schaltung.

V1 uV1 V2 V1 sperrt
u uS
ûS
M
uP uS ud
ûV1 ˈt

V3 V4
Aus: ʬ u 0 ėuSʅuV1 0 folgt: u V1 uS

Abbildung 8-27 Ventilspannung der B2-Schaltung

Die Ventilspannung u V ermittelt sich aus dem Maschenumlauf M in Abb. 8-27 zu :


u V uS (Schalter offen) uV 0 (Schalter geschlossen )
ȩ Es liegen stets zwei Ventile in Reihe. Daher sind die Durchlassverluste der B2-Schaltung
doppelt so groß wie bei einer vergleichbaren M2-Schaltung.

8.3.2 Transformatorbauleistung
Für den Fall einer idealen Glättung hat der netzseitige Strom iP einer B2-Schaltung wie bei der
M2-Schaltung Rechteckform. Auch in der Sekundärwicklung fließt ein reiner Wechselstrom.
Dies bedeutet durch den Wegfall des Gleichanteils eine bessere Ausnutzung und damit eine
geringere Bauleistung des Transformators. Die erforderliche Bauleistung ST berechnet sich für
die B2-Schaltung nach Gl. (8-40).

U di
SS SP UP IP Id ST 1,11 P d (8-40)
0,9
Ein Eingangstransformator ist bei der B2-Schaltung jedoch nicht prinzipiell erforderlich!

Tabelle 8.3 Transformatorbauleistungen unterschiedlicher Stromrichterschaltungen

Schaltung ST/Pd
Eine Gegenüberstellung der Transformatorbauleistungen unter-
schiedlicher Stromrichterschaltungen zeigt Tabelle 8.3.
M1 3,09
Die ideelle Gleichstromleistung Pd wird aus den Mittelwerten von
M2 1,34 Gleichstrom und -spannung gebildet und ist im Allgemeinen eine
reine Vergleichsgröße.
B2 1,11
133

9 Drehstromschaltungen

9.1 Die Mittelpunktschaltung M3

Für den Betrieb einer Mittelpunktschaltung ist ein Transformator zur Bereitstellung des
Mittelpunktanschlusses erforderlich. Die M3-Schaltung in Abb. 9-1 wird über einen Trans-
formator in Dreieck-Stern-Schaltung (Dy) betrieben.
a)
1U 1V 1W
K i1

iP2 iP3 T
iP1
NP
b)

NS uS1 uS2 uS3


u1 u2 u3
2U 2V 2W 2N
uS12 uS23 u12 u23
uS31 u31
T1 uT1 T2 T3 T1 uT1 T2 T3
iS1 iS2 iS3
iS1

ud ud

id id

R L Uq R L Uq
Abbildung 9-1 Vollständiges und vereinfachtes Ersatzschaltbild

Die Ventile sind abwechselnd für jeweils 120° leitend. Wegen der Symmetrie des Drehspan-
nungssystems sind die Effektivwerte der drei Phasenspannungen gleich, d. h. US1 = US2 = US3
= US. Die nicht leitenden Ventile sind mit einer verketteten uV Spannung belastet.
Die natürliche Ablösung der Ventile erfolgt unter dem Einfluss der Phasenspannungen u1, u2
und u3 unmittelbar im Spannungsschnittpunkt. Dieser Punkt liegt im Nulldurchgang der ver-
ketteten Spannungen, die als Kommutierungsspannungen bezeichnet werden. Wenn z. B. die
Spannung u21 positiv wird, so schaltet in Abb. 9-4 Ventil V2 ein und das leitende Ventil V1 ab.
Bei natürlicher Kommutierung bzw. ʱ = 0° ist somit immer das Ventil mit der momentan
höchsten Spannung leitend. Bei einer gesteuerten Schaltung wird die Stromübergabe auf das
nächste Ventil bei positiver Kommutierungsspannung erst durch einen Zündimpuls ausgelöst.
134 9 Drehstromschaltungen

u1 V1 leitet
120° u21
u1 u2 M

V2 id
u2 uV2
ˈt

V3
u3

ʬ u 0 ėu 1 ė u V2 ʅ u2
u V2 u2 ė u1 u 21
Abbildung 9-2 Zur Ventilablösung im Drehspannungssystem (V2 löst V1 ab)

9.1.1 Gleichspannungsbildung
Die natürliche Kommutierung der Ventile lässt sich durch ein Schaltermodell nach Abb. 9-3
darstellen. Die möglichen Schalterstellungen sind in der Tabelle aufgeführt, den resultierenden
Gleichspannungsverlauf ud zeigt Abb. 9-4.
u1
1 S Winkelbereich ˍ+ ˍ- ud
S
u2
ˍ+ 0° - 120° u1 u1
2 1 0
u3 2 120° - 240° u2 0 u2
3 ud
ˍė 3 240° - 360° u3 0 u3

Abbildung 9-3 Schaltermodell und Schaltzustände der M3-Schaltung

V1 V2 V3
u1 u2 u3
ˀ
2
3

ˈt

1 2 3 Schalterstellung

Abbildung 9-4 Drehspannungssystem mit Gleichspannungsbildung


9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 135

9.1.1.1 Ohmsche Last


Für die Berechnung des Gleichspannungsmittelwertes wird in Abb. 9-5 zweckmäßigerweise
der Nullpunkt des Koordinatensystems so gelegt, dass die Gleichspannung ud durch eine cos-
Funktion beschrieben wird. Aus Symmetriegründen ist ûd = ûS .

ud Abbildung 9-5

u3 u1 Definition der Gleichspannung ud


u2
(ʱ = 0°, V1 leitet)
ûS
ˀ ˀ
ˀ ˀ ˈt ė ʈ ˈt ʈ : ud uʒ S cosʛˈŏt ʜ
ė 0 ʅ 3 3
3 3

ˀ
3
3
U di = ŏĩ u d ˈ t (9-1)
2ˀ ˀ d
ė
3

Die Auflösung von Gl. (9-1) liefert für die Gleichspannung Udi:

3 ʎ3 3 3 3 3
U di
2ˀ S

ʎ
U = U mit U V
ˀ 2 S ˀʎ2 V
ʎ 3U S und
ˀʎ2
0,675 (9-2)

Das bedeutet, das eine ungesteuerte M3-Schaltung am 230/400 V Drehspannungsnetz eine


Gleichspannung von Udi = 270 V liefert. Bei der gesteuerten M3-Schaltung ist die Gleichspan-
nung Udi abhängig vom Steuerwinkel ʱ. Da bei Steuerwinkeln > 30° auch negative ud-Werte
auftreten, ist eine Fallunterscheidung für den lückenden und nichtlückenden Betrieb bei ʱ •
30° erforderlich. Abb. 9-6 stellt die Gleichspannung ud an der Lückgrenze bei ʱ = ʱLG = 30°
dar. Die Gleichspannung Udi berechnet sich für 0° ĹʱĹ 30° nach Gl. (9-3).
ud
ʱ Abbildung 9-6
Gleichspannungsverlauf beim Betrieb an der
Lückgrenze
ûd
ʱ = ʱLG = 30° (ĵ ʌ/6)

ˀ 0 ˀ
ė ʅ ˈt
3 3

Durch Einsetzen der Grenzen in Gl. (9-1) erhält man für Udiʱ(nichtlückender Betrieb):
ˀ
ʅ ʅʱ
uʒ S 3
0 ʈ ʱ ʈ 30 ° : U ŏ ĩ cos ʛˈ t ʜd ˈ t ʍ U U di cos ʱ (9-3)
di ʱ 2 ėˀ ʅʱ di ʱ
ˀ 3
3

Hinweis: sin ʛʱmʲʜ sin ʱ cos ʲ m sin ʲ cosʱ


136 9 Drehstromschaltungen

Steuerwinkel ʱ > 30°:


Bei einem Steuerwinkel von ʱ > 30° nimmt ud auch negative Werte an. Bei ohmscher Last
führt eine negative Gleichspannung zu einem sofortigen Verlöschen der Ventile. Bis zum
folgenden Zündimpuls ist dann in Abb. 9-7 der Gleichstrom und die Gleichspannung Null
(Stromlücken).
30° Ĺʱ Ĺ150° (lückender Betrieb)

ʱ ud Abbildung 9-7
Steuerwinkel: 30° < ʱ 150°
Lückende Ausgangsspannung der M3-Schaltung
ûd
150° (R-Last)

ė
ˀ 0 ʅ
ˀ
ˈt
3 3

ˀ
2
1 3 ˀ ˀ
U
diʱ ˀ
ĩ uʒ S cosʛˈ t ʜd ˈ t

uʒ S ʛsinʛ ʜ ė sinʛė ʅ ʱ ʜʜ
2 3
ėˀ
2 3
ʅʱ
3

Eine Umformung mit sin ʛʱmʲʜ sin ʱ cosʲ m sin ʲcos ʱ führt auf :

3 uʒ S ˀ ˀ 3 uʒ S U di
U di ʱ ʛ1 ėʛ sinʛʱʜ cosʛ ʜ ė cosʛʱʜ sin ʛ ʜʜʜ mit
2ˀ 3 3 2ˀ ʎ3
1 ʎ 3 cosʛʱʜʜʜ U di
U di ʱ ʎ 3U di ʛ1 ė ʛ sin ʛʱʜ ė ʛ1ėcŏsin ʛʱ ʅ ˍʜʜ
2 2 ʎ3

ė
ʎ3
ˍ arctan ʛ
1
2
2
ʜ ė60° c
ʎ 1 2 ʎ3 2
ʛ ʜ ʅʛ ʜ
2 2
1 sin ʛʱʅˍʜ ėcosʛ90 °ʅʱʅˍʜ

U di
30° ʈ ʱ ʈ 150° : U ʛ1 ʅ cosʛ30°ʅʱʜʜ (9-4)
di ʱ ʎ3

Der Lückeinsatz lässt sich durch einen induktiven Energiespeicher zu höheren Steuerwinkeln
verschieben. Bei negativer Gleichspannung ud bleibt der positive Gleichstrom noch solange
erhalten, bis die in der Last gespeicherte Energie aufgebraucht ist. Ein Lückeinsatz ist daher
von der Lastzeitkonstanten ˃L mitbestimmt. Bei einer passiven R-L-Last (Verbraucher) kann
der lückfreie Betrieb jedoch nur bei positivem Gleichspannungsmittelwert erreicht werden.
Befindet sich auf der Lastseite eine aktive Last (Energiequelle), so tritt der Lückbetrieb auch
bei negativen Gleichspannungsmittelwerten nicht oder nur verzögert auf.
9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 137

9.1.1.2 Aktive Last


Ist der Gleichstrom durch eine aktive Last eingeprägt, so leiten die Ventile weiter, obwohl
negative Momentanwerte der Gleichspannung auftreten. Eine Fallunterscheidung ist nicht
erforderlich. Den Spannungsverlauf zeigt Abb. 9-8.

ud Abbildung 9-8
Gleichspannung bei eingeprägtem Strom

ʱ – aktive Last, Steuerwinkel: 0° ” ʱ” 180°


ûd

ˀ 0 ˀ ˈt
ė ʅ
3 3

ˀ
ʅ ʅʱ
uʒ S 3
0° ʈ ʱ ʈ 180° : U ŏ ĩ cosʛˈt ʜd ˈt sin ʛʱmʲʜ sin ʱcos ʲ m sin ʲcos ʱ
di ʱ ˀ ėˀʅʱ
2 3
3

3ʎ3
U uʒ S cosʛʱʜ U diŏcosʛʱʜ (9-5)
di ʱ 2ˀ

Stellt man die Gleichspannung Udiʱ bezogen auf Udi über dem Steuerwinkel ʱ dar, so erhält
man die Steuerkennlinien nach Abb. 9-9.
1
Abbildung 9-9
Lückgrenze
M3-Steuerkennlinie der Gleichspannung für
U ohmsche Last unterschiedliche Lastfälle
di ʱ ʎ3
U di 2 Oberhalb der Lückgrenze ʱ = ʱLG = 30° ver-
laufen beide Kennlinien unterschiedlich. Bei
180° einer aktiven Last ist der lückfreie Betrieb
0
30° 90° theoretisch bis zu einem Steuerwinkel von
D
180° möglich. Bei ohmscher Last ist die
ʱLG Steuergrenze 150°, da wegen des Lückbe-
eingeprägter triebes an den Ventilen jeweils nur eine
Gleichstrom Phasenspannung anliegt. Die Phasenspan-
nungen haben ihren Nulldurchgang 30° vor
-1 den verketteten Spannungen.

Aktive Last
U di 1
U di ʛʱ = 30°ʜ ʛ1 ʅ cosʛ30°ʅ30°ʜʜ U di cosʛ30°ʜ U diŏ ʎ 3
ʎ3 2
138 9 Drehstromschaltungen

9.1.2 Ventilbelastung
Die Spannungsbelastung der Ventile ist durch die Momentanwerte der verketteten Spannungen
festgelegt. Die Strombelastung folgt aus der Art der Last, wobei hier wieder zwischen
ohmscher Last und idealer Glättung unterschieden wird.

9.1.2.1 Spannung

Tabelle 9.1 Ventilspannung uV1

u1 u2 u3 leitend: ˍA ˍK uV1
ˍA V1 u1 u1 0
uV1 V1 V2 V3
ˍK V2 u1 u2 u12
V3 u1 u3 u13
R Lücken: u1 0 u1

ud
u V1 ˍ Aėˍ K
Abbildung 9-10 Ungesteuerte M3-Schaltung

Zur Darstellung einer Ventilspannung wird für die möglichen Schaltzustände eine Potenzialbe-
trachtung von Anoden- und Kathodenseite durchgeführt. Das Potenzial ˍK entspricht der
Gleichspannung ud. Die Ventilspannung uV ergibt sich als Differenz von Anoden- und Ka-
thodenpotenzial. Die möglichen Zustände für Ventil V1 sind in Tab. 9.1 zusammengestellt.
Abb. 9-12 und 9-13 zeigt die Ventilspannung uV1 bei einer gesteuerten M3C-Schaltung für
ohmsche Last und eingeprägtem Gleichstrom bei ʱ = 60°.
u1 u2 u3
u
ud

ˈt

uRM
u12 u13
uV1

Abbildung 9-11 Ventilspannung uV1 einer ungesteuerten M3-Schaltung


9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 139

ʱ= 60° u1 u2 u3

ˈt

u12 u13 Lücken

u1

uV1 ˈt

Abbildung 9-12 Ventilspannungsbildung bei ohmscher Last und ʱ = 60°


ʱ= 60°
u1 u2 u3

ˈt

u12 u13

u1

ˈt
uV1

Abbildung 9-13 Ventilspannung bei eingeprägtem Strom und ʱ = 60°


140 9 Drehstromschaltungen

9.1.2.2 Strom
Für die Berechnung der Verlustleistung mit Hilfe der Knick-Kennlinie wird der Mittel- und
Effektivwert des Ventilstromes benötigt. In Tab. 9-2 sind für typische Lastfälle (R-Last und
ideale Glättung) die Berechnungen dieser Werte angegeben.
Tabelle 9.2 Ventilstrom bei unterschiedlicher Last

Ohmsche Last Ideale Glättung


iV
iV

îV
Id

ˀ 0 ʅˀ ˈt ˀ ˈt
ė 2ˀ 0 2 2ˀ
3 3 3

Definition des Gleichstromes


ˀ ˀ 2ˀ
ė ʈ ˈt ʈ id ʒi cos ʛˈŏtʜ
d
0 ʈ ˈt ʈ id Id
3 3 3
ˀ 5ˀ 2ˀ
ʆ ˈt ʈ id 0 ʈ ˈt ʈ 2ˀ id 0
3 3 3

Mittelwert
ˀ
ʅ
3 2ˀ
1 3
iV

ĩ ʒi d cosʛˈ t ʜ d ˈ t iV
1
ĩ I dˈ t
2ˀ 0 d
ˀ
ė
3

1 ˀ ˀ 1 2ˀ Id
iʒd ʛsinʛ ʜėsinʛė ʜʜ IV I dʛ ė 0ʜ
2ˀ 3 3 2ˀ 3 3

iʒdŏ ʎ
3
IV iʒd ŏ0,276

Effektivwert

ʎ
ˀ

ʎ
ˀ
ʅ 2
3 3
1 1
I VRMS

ĩ ʒi 2d cos 2 ʛˈ t ʜ d ˈt I VRMS

ĩ I 2d dˈt
ˀ 0
ė
3

ʎ
ˀ
Id
ʎ 1 2 2ˀ
1 1 1 ʅ
iʒd ʛ ˈ tʅ sinʛ2ˈ t ʜʜ 3 I ʛ ė0ʜ
2ˀ 2 4
ė
ˀ 2ˀ d 3 ʎ3
3
iʒdŏ0,4853 I VRMS I dŏ0,577
mit I d iʒdŏ ʎ
3 3
I VRMS I dŏ0,588

9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 141

9.1.3 Netzstrom
Die Ströme in Abb. 9-14 beziehen sich auf die M3C-Schaltung nach Abb. 9-1. Die Gleichan-
teile der Ventilströme iS1 ... iS3 werden vom Transformator nicht übertragen, so dass sich die
Primärströme entsprechend Abb. 9-14 einstellen. Vereinfachend sei NS = NP angenommen.
Die Zusammenfassung von iP1 und iP3 liefert im Knoten K (Abb. 9-1) den Leiterstrom i1.
Für die Primärseite gilt:
K: ʬ i 0 ė i1 ʅ iP1 ė iP3 daraus folgt i1 iP1 ė iP3

Id
iP1 Id 3
ˈt

iP2 ˈt

iP3
ˈt

i1

ˈt

Abbildung 9-14 Primärströme eines idealen Transformator in DY-Schaltung nach Abb. 9-1 und Netz-
strom i1 bei idealer Stromglättung und NS = NP

Die Transformator-Stromeffektivwerte berechnen sich bei der gegebenen Kurvenform zu:

ʎ 1 2 2 2ˀ 1 2 4ˀ ʎ2
Primärstrom IP ʛʛ I d ʜ ŏ ʅʛ I d ʜ ŏ ʜ Id (9-6)
2ˀ 3 3 3 3 3

Sekundärstrom: IS
ʎ 1
ʛI2
2ˀ d 3

ʜ Id
1
ʎ3
(9-7)

Als Summenleistung der 3 Sekundärwicklungen ergibt sich mit Gl. (9-2) zu:
3ŏU di0 I d ʎ3
SS 3ŏU SŏI S ŏ Pd 1,48 P d (9-8)
1,17 ʎ 3 1,17
Die Summenleistung der 3 Primärwicklungen ergibt sich zu:

SP 3ŏI P U P 3ŏI P U S 3ŏI d


ʎ 2 U di0 Pd
ʎ2 1,21 P d (9-9)
3 1,17 1,17
142 9 Drehstromschaltungen

Daraus kann die Bauleistung STr des Transformators ermittelt werden:

S P ʅS S 1,21ʅ1,48
ST Pd 1,35 P d (9-10)
2 2

9.1.4 Die Kommutierung

u1
Abbildung 9-15
LV iV1 V1
M3-Schaltung mit Kommutierungsinduktivitäten
u2 Die Ventile V1, V2 und V3 lösen sich innerhalb einer
iV2 V2
LV id = konstant Netzperiode durch die Kommutierungsspannungen
gegenseitig ab und bilden eine Kommutierungs-
K gruppe. Der Gleichstrom id ist eingeprägt.
u3 V3 L
LV iV3
ud À Die Kommutierungszahl q ist 3.
M

Wie bei der M2 Schaltung erläutert, verzögern wechselspannungsseitige Induktivitäten die


Ventilablösung. In Abb. 9-15 sind diese Induktivitäten wieder durch L˂ berücksichtigt. Aus
Symmetriegründen wird L˂ für alle Stränge gleich groß angenommen. Reduziert man das
Schaltbild auf den an der Ventilablösung beteiligten Stromkreis, so erhält man mit Abb. 9-16
zur M2-Schaltung vergleichbare Verhältnisse. Die Stromverläufe zeigt Abb. 9-17.

120° u1
u21 V1
u1 u2 iV1
M
u21
V2
iV2 id
ˈt u2 uV2

u0
iV2 u3 V3
Id ʬ u 0 ėu 1 ė u V2 ʅ u2
iV1 u V2 u2 ė u1 u 21

Abbildung 9-16 Ventilablösung bei ungesteuerten Ventilen (natürliche Kommutierung)

Die Kommutierungsspannung uK wird durch die kommutierenden Ventile bestimmt. Als Bei-
spiel wird die Kommutierung von V1 nach V2 ausgewählt (uK = u21). Im Gegensatz zur M2-
Schaltung beträgt die Phasenverschiebung hier nur 120°, so dass die Kommutierungsspannung
uK nur um ʎ 3 größer ist als die Phasenspannung.
9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 143

u0 iP1
Id

ˈt
iP2

ˈt
iP3
V1 ü V2

ˈt
i1

ˈt

Abbildung 9-17 Netz- und Primärströme des DY-Transformators mit Kommutierungseinfluss

9.1.4.1 Einfluss auf die Gleichspannung


Für die Kommutierung von V1 nach V2 gilt das
Ersatzschaltbild nach Abb. 9-19. Die Verhält-
nisse unmittelbar vor der Kommutierung, wäh- u 21 u2 ėu1
rend und nach erfolgter Kommutierung zeigt das
Zeigerdiagramm in Abb. 9-18. u1
Nach der Kommutierung,
V2 leitend
u1 uLV
V1 iV1
Ȍ
u2 u3
u21
V2 iV2 id
1
K u
uLV 2 21
u2
ud
M
ȋ ė1 u
3 2 u1
Abbildung 9-19 Spannungsverhältnisse bei Während der
der Kommutierung von V1 nach V2 Kommutierung,
V1 und V2 leitend Vor der
Kommutierung,
Ȋ V1 leitend

Abbildung 9-18 Kommutierung V1 nach V2


144 9 Drehstromschaltungen

M :Ė u 0 ė u2 ʅu ʅud Während einer Kommutierung verläuft die Gleich-


L˂ spannung auf dem halben negativen Wert der jeweils nicht
an der Kommutierung beteiligten Phasenspannung.
aus Symmetriegründen ist
Die Gleichspannung ud wird zunächst von der Phasen-
u 21
u spannung u1 gebildet (Abb. 9-18, Ȋ), dann für die Dauer
L˂ 2 der Kommutierung von (–u3/2) ȋ und schließlich von u2.
Ȍ Den entsprechenden Verlauf der Gleichspannung ud
Aus M folgt daher für ud : zeigt Abb. 9-20 für ʱ = 0° und Abb. 9-21 für ʱ = 90° bzw.
u21 u3 150°. Die Leit- und Kommutierungszustände sind in Tab.
ud u2 ė ė 9.3 zusammengefasst.
2 2

ʱ = 0°
Tabelle 9.3 Leitzustände mit Kommutierungen
u0
u1 u2 u3 leitend: ud
u2 u3 u1 V1 u1
ė ė ė
2 2 2
V2 u2

ˈt V3 u3
V1 ɍV2 -½ u3

V2 ɍV3 -½ u1
Abbildung 9-20 Steuerwinkel Į = 0°
V3 ɍV1 -½ u2

ʱ = 90° ʱ = 150°
u u
u1 u2 u3 u1 u2 u3

ˈt ˈt

Abbildung 9-21 Gleichspannung bei ʱ = 90° und ʱ = 150° (WR-Betrieb)


9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 145

9.1.4.2 Berechnung des induktiven Gleichspannungsabfalls


Die Berechnung des Gleichspannungsabfalls, der während einer Kommutierung durch die
Kommutierungsreaktanzen hervorgerufen wird, geht zunächst von den beteiligten Wechsel-
spannungen aus. Es wird die Spannungszeitfläche A abhängig vom Gleichstrom Id und der
Induktivität LK berechnet. Das Ergebnis zeigt, dass die bei der M2-Schaltung ermittelten Be-
ziehungen auch bei der M3-Schaltung anzuwenden sind, wenn die Kommutierungszahlen
beider Schaltungen berücksichtigt werden.

u ˀ uʒ S : Scheitelwert der Phasenspannung


uʒ S sin ʛˈ t ʅ ʜ
6 uʒ S uʒ 1 uʒ 2 uʒ 3

uʒ S
cos ʛˈ t ʜ A
uʒ S
2

ˀ ˈt
u
6 0 2ˀ
3
Berechnung der Spannungszeitfläche A:
uʅʱ u ʅʱ
ˀ 1
A uʒ S ĩ sin ʛˈ tʅ ʜ d ˈ t ė
6 2
ŏʒu S ĩ cosˈ t d ˈ t
ʱ ʱ

ˀ ˀ ˀ
Anmerkung: sinʛˈ tʅ ʜ sin ˈ t cos
ʅcosˈ t sin
6 6 6
uʅʱ uʅʱ uʅʱ
ˀ ˀ 1
A uʒ S ʛcos ĩ sin ˈ t d ˈ t ʅ sin ĩ cosˈ t d ˈ t ė ĩ cos ˈ t d ˈ t ʜ
6 ʱ 6 ʱ 2 ʱ

ˀ 1 ˀ 1
wegen sin und cos ʎ3 folgt:
6 2 6 2
u ʅʱ
1 1 1
A uʒ S
2
ʎ 3 ĩ sin ˈ t d ˈt uʒ S
2
ʎ 3ŏʛėcosˈ tʜuʅʱ
ʱ
uʒ S
2
ʎ 3ŏʛcosʱėcosʛuʅʱʜʜ
ʱ

Es ist cos ʛʱʅu ʜ cosʱėʛ1ėcosu0 ʜ, so dass für A folgt :

1
Spannungszeitfläche A uʒ S
2
ʎ 3ŏ ʛ1ėcos u 0 ʜ (9-11)

Durch Mittelwertbildung erhält man die induktive Gleichspannungsänderung Udx:


A
U
dx ˀ
2
3
146 9 Drehstromschaltungen

1
uʒ ʎ 3ŏ ʛ1ėcosu0 ʜ
U
dx
S 2

2
ˀ
3
ʎ 2U S
1
2
ʎ 3ŏ
3

ʛ1ėcos u ʜ
0
U
S
3
2ˀ ʎ 3
2
ŏʛ1ėcos u ʜ
0

I ŏˈ L I ŏˈ L
wegen ʛ1ėcosu ʜ
0
d

K
K
ist U
dx
U
S
3
2ˀ ʎ 3
2
ŏ
d

K
K

ferner ist uʒ ʎ 2 ʎ 3U S und L 2ŏL so dass für U schließlich folgt


K K ˂ dx

uʒ I ŏˈ 2 L
U
dx
K 3
ʎ 2 ʎ 3 2ˀ ʎ 3
2
ŏ
d

K
˂
(9-12)

oder
U 3ŏL ŏf ŏI (9-13)
dx ˂ d

Wird Udx auf die ideelle Gleichspannung Udi bei Nennstrom Id,n bezogen, so erhält man die
relative induktive Gleichspannungsänderung dx nach Gl. (9-14).
U
d
x U
dx

di
mit U
di ʎ
3 3
ŏU
ˀ 2 S
(I
d
I
d,n
) (9-14)

Die Kennlinie des Stromrichters kann mit dx abhängig vom Gleichstrom Id nach Gl. (9-15) an-
gegeben werden:
U Id

1 ė d xŏ (9-15)
U di ʱ I d,n

Die M3-Schaltung zeigt mit Gl. (9-13) und Gl. (9-15) die gleichen Zusammenhänge für den
induktiven Spannungsabfall wie die M2-Schaltung. Deshalb ist der dort gewählte Ansatz auch
hier, unter Berücksichtigung der höheren Kommutierungszahl q, anwendbar. Die für die M2-
Schaltung gefundenen Zusammenhänge sind somit übertragbar auf 3-phasige Schaltungen.
Das Lastverhalten der Gleichspannung Udiʱ ist daher mit Gl. (9-16) unter Berücksichtigung
der unterschiedlichen Kommutierungszahl q allgemein für beide Mittelpunkt-Schaltungen
beschrieben. L˂ ist die pro Strang wirksame Induktivität.

U qŏL ŏfŏI M2: q = 2, M3: q = 3 (9-16)


dx ˂ d

Die Belastungskennlinie entspricht unter Berücksichtigung des Ohmschen Spannungsabfalls


und des Ventilspannungsabfalls somit der in Abb. 8-24 angegebenen Kennlinie.
9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 147

9.1.4.3 Kommutierungseinfluss auf die Ventilspannung


Die Induktivitäten L˂ bilden während der Kommutierung einen induktiven Spannungsteiler,
der neben der Gleichspannung ud auch die Ventilspannung uV beeinflusst. In Tab. 9.4 sind alle
interessierenden Zustände der M3-Schaltung aufgeführt. Die Zeitverläufe zeigt Abb. 9-23.
u1 Tabelle 9.4 Potenziale und uV1 (id = konstant)
LV iV1 V1
ˍA ˍK leitend: ˍA ˍK uV1
u2 uV1 V1 u1 u1
LV iV2 id = konstant 0
V2 u1 u2 u12
V2 Ld
u3 V3 u1 u3 u13
LV iV3 ud
V1 ɍV2 -½ u3 -½ u3 0
V3 u1 -½ u1 1½ u1
V2 ɍV3
Abbildung 9-22 M3C-Schaltung mit Kommutierungs- V3 ɍV1 -½ u2 -½ u2 0
induktivitäten

ʱ= 60°
ˍK ˍA

u1 u2 u3

ˈt

u12 u13 Kommutierungs-


einfluss

uV1

ˈt

1½ u1

Abbildung 9-23 Ventilspannung uV1 unter Berücksichtigung der Überlappung (ʱ = 60°)


148 9 Drehstromschaltungen

9.2 Die Brückenschaltung B6

Die Reihenschaltung einer M3-Kathoden- und einer M3-Anoden-Schaltung führt auf die B6-
Brückenschaltung nach Abb. 9-24. In dieser Schaltung sei der Sternpunkt noch zugänglich, so
dass auch weiterhin die Gleichspannung ud1 bzw. ud2 verfügbar ist.

1U 1V 1W
K i1

iP1 iP2 iP3

uS1 uS2 uS3

ud1 2U 2V 2W ud2
uS12 uS23
uS31
iS1 iS2 iS3

T1 iT1 iT4 T4
ˍʅ ˍė
T3 T6

T5 ud T2
id

Kathodenschaltung R L Uq Anodenschaltung

Abbildung 9-24 B6-Schaltung mit Dy-Transformator und aktiver Last

9.2.1 Gleichspannungsbildung

Aus der Maschengleichung Ė u 0 ė u d,1 ʅ u d ʅ u d,2 folgt Gl. (9-17) für die
Gleichspannung ud der B6-Schaltung nach Abb. 9-24. Für ud ist kein Sternpunkt erforderlich.
ud u d,1 ė ud,2 (9-17)

Die Schnittpunkte der Phasenspannungen beider M3-Schaltungen sind um 60° gegeneinander


verschoben. Die Spannung ud arbeitet daher sechspulsig (p = 6). Die Strom- und Spannungs-
belastung der Ventile entsprechen weiterhin denen der M3-Schaltung.
9.2 Die Brückenschaltung B6 149

9.2.2 Leitzustände der Ventile


Es sind immer zwei Ventile gleichzeitig leitend, eines in der oberen Brückenhälfte (Plus-
klemme, Potenzial ˍ+) und eines in der unteren Brückenhälfte (Minusklemme, Potenzial ˍė).
Durch die Führung der Netzspannung erfolgt bei einer ungesteuerten Schaltung bzw. bei ʱ =
0° die Umschaltung der Ventile jeweils im Schnittpunkt der Phasenspannungen. Dadurch leitet
in jeder Brückenhälfte das Ventil mit der momentan höchsten Phasenpannung. In der
Darstellung nach Abb. 9-25a ist die B6-Brücke nach 9-25b durch ein Schaltermodell ersetzt.
Die sechs möglichen Schaltzustände zeigt Tab. 9.5, die entsprechenden Zeitverläufe zeigt Abb.
9-26. Die Ventilleitdauer ist durch die jeweils wirksame verkettete Spannung bestimmt und
beträgt 120°. Die Leitzustände der Ventile in der oberen und unteren Brückenhälfte überlappen
sich um 60°. Der Lückeinsatz erfolgt bei der B6-Schaltung im Schnittpunkt der
Phasenspannungen und daher erst bei ʱ = 60°.

ˍʅ
ˍʅ b)
a) S+ id
u1 V1 V3 V5
1 5 iV1
u1
3
i1 K
u2 u2 iV4
ud ud
u3
u3

6
4 2
Sė V4 V6 V2
ˍė
ˍė

Abbildung 9-25 Schaltermodell der B6-Schaltung

Tabelle 9.5 Schaltzustände und Gleichspannung der B6-Schaltung


Stellung
ˍ+ ˍí ud
Nr. S+ Sí
1 1 2 0° - 60° u1 u3 u13

2 3 2 60° - 120° u2 u3 u23

3 3 4 120° - 180° u2 u1 u21

4 5 4 180° - 240° u3 u1 u31

5 5 6 240° - 300° u3 u2 u32

6 1 6 300° - 360° u1 u2 u12


150 9 Drehstromschaltungen

ˍʅ 1 2 3 4 5 6

u1 u2 u3
Udi1

ˈt

60°

ˍė

ˈt
Udi2
u3 u1 u2

ud
u12 u13 u23 u21 u31 u32 u12

Udi

ˈt
Abbildung 9-26 Spannungsbildung bei der B6C-Schaltung (ʱ = 0°)
Die Gleichspannungsberechnung der Kurvenform von ud nach Abb. 9-26 erfolgt über 60° nach
Abb. 9-27. Das Ergebnis der Berechnung für Udi bei ʱ = 0° (ungesteuerte Schaltung) zeigt Gl.
(9-18). (UV: Effektivwert der verketteten Spannungen).
ˀ
uv ʅ
uʒ V 6
U di ŏĩ cosʛˈ tʜ d ˈt
ˀ ėˀ
3 6
ûv
U di
ʎ2 ˀ ˀ
3 ŏU Vŏʛsin ʛ ʜ ė sin ʛė ʜʜ (9-18)
ˀ 6 6
ˀ ˀ
ė
6
ʅ
6
ˈt ʎ 2ŏ U ʎ2
U di 3 V mit 3 1,35
Abbildung 9-27 Gleichspannungsbe- ˀ ˀ
rechnung der B6-Schaltung
9.2 Die Brückenschaltung B6 151

9.2.3 Stromrichtereingangsstrom
Der Stromrichtereingangsstrom setzt sich je Phase aus zwei Ventilströmen zusammen. Zur
Ermittlung von i1 in Abb. 9-28 dient die Knotengleichung (9-19). (K: siehe Abb. 9-25b).
K: Ė i 0 ėi1 ʅ i V1 ė i V4 folgt : i1 iV1 ė iV4 (9-19)

Ideale Glättung Ohmsche Last


iV1 iV1

ˈt ˈt
iV4 iV4

ˈt ˈt
i1 i1

ˈt ˈt

Abbildung 9-28 Eingangsstrom der B6-Schaltung bei idealer Glättung und ohmscher Last

9.2.4 Netzstrom
Für den idealen Transformator in Dy-Schaltung mit aktiver Last (Abb. 9-24) ergeben sich für
den Netzstrom i1 und die Primärströme für NS = NP die in Abb. 9-29 dargestellten Verläufe.

iP1 NS
ʒi I dŏ
P1 NP mit NP = NS

ˈt

iP2

ˈt
iP3

ˈt
i1

ˀ 2ˀ 3ˀ ˈt

Abbildung 9-29 Zur Bildung des Netzstromes i1 (ideale Glättung)


152 9 Drehstromschaltungen

Ein Vergleich mit den entsprechenden Größen der M3-Schaltung nach Abb. 9-14 zeigt
deutlich den Vorteil der höherpulsigen B6-Schaltung. In allen Wicklungen fließen reine
Wechselströme und die Netzstromkurvenform ist symmetrisch.

9.3 Zündimpulse
Die Zündreihenfolge entspricht der natürlichen Ventilablösung der B6-Brückenschaltung ent-
sprechend Abb. 9-25. Da für einen geschlossenen Stromkreis immer zwei Ventile gleichzeitig
gezündet werden müssen, wird jeweils ein zusätzlicher Zündimpuls (Folgeimpuls) für den
2. Thyristor erzeugt. An einem Thyristor entsteht daher eine Zündimpulsfolge nach Abb. 9-30.
60°
Hauptimpuls Folgeimpuls

ˈt
Abbildung 9-30 Impulsfolge eines Thyristors

Der erste Impuls eines Thyristors heißt Hauptimpuls, der zweite, 60° spätere Impuls, heißt
Folgeimpuls. Der Hauptimpuls ist um den Steuerwinkel ʱ gegenüber dem Schnittpunkt der
Phasenspannungen verschoben. Erst durch den Folgeimpuls kann die Schaltung in Betrieb
gehen und auch im Lückbetrieb sicher arbeiten. Abb. 9-31 zeigt das vollständige Zündimpuls-
schema einer B6C-Brückenschaltung (Bezugsventil V1).

Steuerwinkel ʱ
u
u1 u2 u3

ˈt

Hauptimpuls

60°
V1 Folgeimpuls

ˈt
V2

ˈt
V3

ˈt
V4

ˈt
V5

ˈt
V6
ˈt
Abbildung 9-31 Impulsschema der B6C-Brückenschaltung (ʱ= 0°)
9.3 Zündimpulse 153

Die Synchronisation des Steuerwinkels Į erfolgt mit der Netzspannung. Durch in der Praxis
auftretende Kurzzeit-Unterbrechungen oder Spannungsoberschwingungen darf die Synchro-
nisation nicht gestört werden. Die Filterung der Netzspannung erfolgt daher mit einer digitalen
PLL-Schaltung entsprechend Abb. 9-32. Diese Schaltung synchronisiert sich auf die Grund-
schwingung der Netzspannung. Auf Grund der geringen Eigenfrequenz des PLL werden die
genannten Störungen der Netzspannung unterdrückt. Wählt man als Referenzspannung uRef
die Leiterspannung u13, so ist der Zündimpuls ZI 1 dem Ventil 1 zugeordnet. Wird der Teiler-
faktor n zu 360 eingestellt, so hat die Zählfrequenz fclock die 360-fache Frequenz der Netz-
spannung f1 und die nachgeschaltete digitale Zählschaltung arbeitet mit einer Winkelauflösung
von 1°.
PLL-Schaltung

Tiefpass
uRef
fclock
ZI 1 PD: Phasendiskriminator
PD VCO
ZI 2
ZI 3 VCO: spannungsgesteuerter
1/n ZI 4 Oszillator
f1 ZI 5
ZI 6
Į

Abbildung 9-32 Impulserzeugung und Synchronisation mit der Netzspannung durch eine PLL-Schaltung
Die Zündimpulse ZI 1-6 haben stationär einen Abstand von jeweils 60°. Die Zündimpulse
werden z. B. über eine Diodenschaltung in Abb. 9-33 zu den Gateimpulsen mit Haupt- und
Folgeimpulsen für die einzelnen Thyristoren zusammengefasst. Ein Schalttransistor steuert
anschließend über einen Impulsübertrager den Thyristor an (weitere Einzelheiten zur
Thyristor-Ansteuerung in Kapitel 5.3.3).
15 V G1
Abbildung 9-33
Zündverstärker mit Bildung der Folgeimpulse
K1 über eine Diodenverknüpfung
ZI 1

Für Thyristor 1 ist der Zündübertrager mit


ZI 2 Freilaufkreis dargestellt.

Die Ansteuerung der Thyristoren 2-6 erfolgt


ZI 3 analog zu Thyristor 1 (G1-K1).

ZI 4

ZI 5

ZI 6
154 9 Drehstromschaltungen

9.3.1 Gleichspannungsbildung
Die Gleichspannung ud folgt aus der Potenzialdifferenz zwischen oberer und unterer Brücken-
hälfte, d. h. ud = ˍ+ - ˍ–. Abb. 9-34 zeigt die Potenziale und die resultierende Gleichspannung
für die Lückgrenze bei ʱ = 60°. Abb. 9-35 zeigt beispielhaft die Gleichspannung im Lück-
betrieb bei ohmscher Last und ʱ = 90°.

ʱ = 60°
ˍ+
u3 u1 u2
u3

ˈt

Folgeimpuls

Hauptimpuls

ˍė u3 u1 u2
u3

ˈt

ʱ = 60°

ud
u31 u32 u12 u13 u23 u21 u31

ˈt
Abbildung 9-34 Gleichspannungsbildung der gesteuerten B6-Schaltung (ʱ = 60°)
9.3 Zündimpulse 155

ʱ= 90°
Lückeinsatz
ˍ+
u3 u1 u2 u3

Folgeimpuls

ˈt
Hauptimpuls

Lückeinsatz

Lückeinsatz
u3 u1 u2 u3
ˍė

Hauptimpuls

ˈt
Folgeimpuls

ʱ= 90°

ud
u31 u32 u23 u21 u31
u12 u13

u32

ˈt

Abbildung 9-35 Gleichspannungsbildung im Lückbetrieb mit ohmscher Last (ʱ = 90°)


156 9 Drehstromschaltungen

9.3.2 Einfluss der Kommutierungen


Wie bereits bei der M2- und M3-Schaltung dargelegt, beeinflussen die wechselspannungsseiti-
gen Induktivitäten, die pro Strang mit L˂ zusammengefasst werden, sowohl die Gleich-
spannung als auch die Ventilspannung. Bei der B6-Schaltung arbeiten die beiden Kommutie-
rungsgruppen um 60° versetzt, so dass alle 60° eine Kommutierung erfolgt. Den Einfluss der
Kommutierungen auf die Gleichspannung ud bei ideal geglättetem Gleichstrom id zeigt Abb. 9-
37. Den Einfluss auf die Ventilspannung zeigt Abb. 9-38. Tab. 9.6 gibt die möglichen
Schaltzustände, Potenziale und Spannungen der B6C-Schaltung nach Abb. 9-36 an.

ˍK = ˍ+ id Abbildung 9-36
u1 uV1
Lı V1 V3 V5 B6C-Schaltung mit wechsel-
ˍA spannungsseitigen Induktivitäten
L1 (je Strang zu Lı zusammengefasst)
u2
Lı ud
L2
u3

L3
N V4 V6 V2
ˍė

Tabelle 9.6 Potenziale und Spannungen der B6C-Schaltung mit Kommutierungseinfluss für u < 60°
leitend: ˍK
ˍA ˍ- uV1 ud
+ - ˍ+
1 V3 V2 ɍV4 -½ u2 u2 -½ u2 -1½ u2 1½ u2
2 V3 V4 u1 u2 u1 u12 u21

3 V3 ɍV5 V4 u1 -½ u1 u1 1½ u1 -1½ u1

4 V5 V4 u1 u3 u1 u13 u31

5 V5 V4 ɍV6 -½ u3 u3 -½ u3 -1½ u3 1½ u3

6 V5 V6 u1 u3 u2 u13 u32

7 V5 ɍV1 V6 -½ u2 -½ u2 u2 0 -1½ u2

8 V1 V6 u1 u1 u2 0 u12

9 V1 V6 ɍV2 u1 u1 -½ u1 0 1½ u1

10 V1 V2 u1 u1 u3 0 u13

11 V1 ɍV3 V2 -½ u3 -½ u3 u3 0 -1½ u3

12 V3 V2 u1 u2 u3 u12 u23
9.3 Zündimpulse 157

ʱ = 60°
ˍ+ u3
u1 u2 u3
u1
ė
2

ˈt

u3 u1 u2 u3
ˍ-

ˈt

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1

ud u31 u32 u12 u13 u23 u21 u31

u32

ˈt
Abbildung 9-37 Gleichspannung mit Kommutierungseinfluss (ʱ = 60°)
158 9 Drehstromschaltungen

u3 u1 u2
ˍA
u2
ė
2

ˈt

u3
ė
2

u3 u1 u2
ˍK
u1
ė
2

ˈt

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1

u12 u13
uV1 -1,5 u2 1,5 u1 -1,5 u3

ˈt

ʱ = 60°

Abbildung 9-38 Potenziale und Ventilspannung der B6-Schaltung für Id = konstant, R = 0 und ʱ = 60°
9.3 Zündimpulse 159

Eine Simulation der B6C-Schaltung nach Abb. 9-36 mit unterschiedlichen Steuerwinkeln ʱ
zeigen die Kurvenverläufe nach Abb. 9-39. In Abb. 9-39 ist neben LN auch der Einfluss des
ohmschen Wicklungswiderstandes R berücksichtigt (vgl. Abb. 9-38, ʱ = 60°).

uV1 ˈt

u31

uV1
30°

ˈt

uV1
60°

ˈt

uV1
90°

ˈt

Abbildung 9-39 Ventilspannung bei unterschiedlichen Steuerwinkeln ʱ


(Id = konstant, R > 0)
160 9 Drehstromschaltungen

9.4 12-pulsige Schaltungen


Werden zwei B6-Brückenschaltungen mit einer gegenseitigen Phasenverschiebung von 30°
betrieben, so lässt sich die effektive Pulszahl p der Gleichspannung ud auf 12 verdoppeln. Zu
diesem Zweck ist der Transformator T in Abb. 9-42 mit zwei unterschiedlicher Schaltgruppen
bestückt, z. B. Yy6 und Dy5. Es stellt sich zwischen den entsprechenden Leiterspannungen auf
der Sekundärseite eine Phasenverschiebung von 30° ein.

L1 Abbildung 9-40
NP N1S
uP12 u1S12 Stromrichter-Transformator für eine
L2 B6 ud1 12-pulsige Schaltung
u1S23 Die Windungszahlen auf der Sekun-
L3 därseite müssen so gewählt werden,
N 1S dass die Beträge der verketteten
NP
ʎ3 Spannungen gleich sind. Dann sind
auch die Mittelwerte der Gleich-
u2S12
spannungen ud1 und ud2 gleich.
B6 ud2
u2S23

Die sekundären Spannungssysteme sind potenzialfrei, so dass die einzelnen B6-Brücken-


schaltungen sowohl in reihe als auch parallel betrieben werden können.

id,1
id
ud,1 id
id~ LS
ud
id,2
ud,2 ud,1 ud,2 ud

a) Reihenschaltung b) Parallelschaltung
Abbildung 9-41 Reihen- und Parallelschaltung

Bei einer Parallelschaltung entstehen durch die unterschiedlichen Momentanwerte der Gleich-
spannungen ud1 und ud2 Ausgleichströme über die Transformatorwicklungen. Zur Unter-
drückung dieser Ausgleichströme ist eine Entkopplungsdrossel LS entsprechend Abb. 9-41b
und 9-44 erforderlich. An der Drossel LS liegt als Differenz der 6-pulsigen Gleichspannungen
ud1 und ud2 eine 6-pulsige Wechselspannung ʧud.

ʧ ud ud1 ė ud2 mit ʧ ud 0 (9-20)

ƺ Die Gleichspannung ud hat bei der Reihen- und Parallelschaltung eine 12-pulsige
Welligkeit.
9.4 12-pulsige Schaltungen 161

9.4.1 Stromrichter-Reihenschaltung

id Abbildung 9-42
iP1 i1P1 i1S1
12-Puls-Schaltung (B6C) 2S
L1
uP12 u1S12
L2 ud1

L3
NP N1S

ud

i2P1 NP N2S
i2S1
ud u d1 ʅ u d2
u2S12
ud2

ud Abbildung 9-43
Reihenschaltung,
12-pulsige Spannungs-
bildung

Die Reihenschaltung
ud1 ud2 von zwei 6-pulsigen,
30° versetzten Span-
nungen (ud1 und ud2)
liefert eine 12-pulsige
30° Gleichspannung (ud).

2 ˀ 

ˈt
162 9 Drehstromschaltungen

9.4.2 Stromrichter-Parallelschaltung

id1 Abbildung 9-44


iP1 i1P1 i1S1
12-Puls Saugdrossel-
L1 schaltung (B6C) 2P
uP12 u1S12
L2 ud1

L3
NP N1S

id
uLS

ud

NP N2S
id i d1 ʅ id2
i2P1 i2S1

u2S12 uLS u d1ė u d2


ud2

id2

Die Induktivität LS begrenzt den Differenzstrom id~. Für den magnetischen Kreis der Saug-
drossel liegt eine Wechselstrombelastung vor, da sich die gegensinnigen Gleichanteile im
magnetischen Kreis aufheben. Die Drossel hat in dieser Ausführung eine günstige Baugröße.
ud ud1 ud2

2 ˀ

ʧud = ud1 - ud2 id~

ˈt

Abbildung 9-45 Parallelschaltung, 12-pulsige Gleichspannung, Drosselspannung und -strom

Der Vorteil 12-pulsiger Schaltungen liegt in der günstigen Netzstromkurvenform und in der
geringen Welligkeit der Gleichspannung. Auf zusätzliche Glättungsmittel kann häufig ver-
9.4 12-pulsige Schaltungen 163

zichtet werden. Der in Abb. 9-46 dargestellte Verlauf des Phasenstromes iP1 ermittelt sich mit
Gl. (9-21). Die Ströme sind in Abb. 9-44 definiert.
i P1 i1P1 ʅi 2P1 (9-21)

i1P1 Abbildung 9-46


ˈt Ermittlung des
Netzstromverlaufs iP1
i2P1 12-pulsiger Strom-
ˈt richter in Reihen- oder
Parallelschaltung.

iP1
ˈt

Die Qualität des Netzstromes ist durch die vergrößerte Pulszahl deutlich verbessert, so dass
sich der Filteraufwand reduzieren lässt. Ferner ist die Ansprechzeit des Stromrichters mit
zunehmender Pulszahl reduziert, wodurch sich eine bessere Regeldynamik erzielen lässt. Ein
typisches Anwendungsbeispiel für 12-pulsige Stromrichter sind die Hochspannungs-Gleich-
strom-Übertragungen (HGÜ) und Kurzkupplungen entsprechend Abb. 9-47.

+500 kV
Pol A
B6C B6C
P
Ȋ Ȋ
Ȋ Ȋ
¨ ¨

B6C B6C

Pol B
-500 kV
Station I, Gleichrichter Station II, Wechselrichter

Abbildung 9-47 Grundsätzlicher Aufbau einer HGÜ-Anlage

HGÜ: Bei der Energieübertragung über große Strecken wird zur Vermeidung induktiver
Spannungsabfälle und der damit verbundenen Verluste die elektrische Energie mit
Gleichstrom übertragen. Die Station 1 arbeitet im Gleichrichterbetrieb, die Station II im
Wechselrichterbetrieb. Die Spannung wird so hoch gewählt, dass der Strom (der die ohmschen
Verluste bestimmt) möglichst klein ist, aber die Koronaverluste aufgrund der hohen Spannung
noch klein genug sind. Hier ist eine Spannung von 500 kV angenommen. Bei einem
Gleichstrom von z. B. 2 kA kann damit eine Leistung von 1000 MW übertragen werden.
Üblich sind Zweipol-Übertragungen mit einer Plus- und einer Minus-Leitung. Damit auch bei
164 9 Drehstromschaltungen

Ausfall einer Leitung eine Leistungsübertragung möglich ist, wird ein dritter Leiter (Erde oder
eine weitere Leitung) verwendet. Als Stromrichter werden 6-pulsige Brücken eingesetzt, die
zur Erzeugung der hohen Spannung in Serie geschaltet sind. Die Speisung durch Stern-
Dreieckschaltung ergibt eine 12-pulsige Anordnung. Auf der Wechselstromseite werden
Saugkreise und Kondensatoren zur Filterung der Oberschwingungen und zur Kompensation
der Blindleistung verwendet.

Mit den Filterelementen sind elektrische Verluste bis zu mehreren hundert kW in den erforder-
lichen Dämpfungswiderständen verbunden.

Kurzkupplungen: Zur Verbindung von zwei Netzen mit entweder unterschiedlicher Frequenz
oder mit schwankender Phasenlage werden ähnliche Schaltungen wie bei der HGÜ verwendet.
Allerdings sind meist beide Stromrichter in einem Gebäude untergebracht. Die fehlende
Übertragungsstrecke ermöglicht niedrigere Spannungen (ca. 50 bis 200 kV). Die Spannung
wird zweckmäßig so hoch gewählt, dass der Gleichstrom Id bei der maximal zu übertragenden
Leistung keine Parallelschaltung der Thyristoren erfordert (derzeit: Id < 4000 A).

9.5 Höherpulsige Schaltungen


Mit zusätzlichen Transformatorwicklungen lässt sich die Pulszahl noch weiter anheben. Bei
z. B. 3 sekundären Drehstromwicklungen, die jeweils um 20° versetzte Drehspannungssysteme
liefern müssen, erhält man eine 18-pulsige Gleichspannung, bei 4 Sekundärwicklungen die
jeweils um 15° versetzt arbeiten, erreicht man eine 24-pulsige Gleichspannung.

Die erforderliche Phasendrehung erfolgt durch Kombination von jeweils zwei Phasenspan-
nungen über die Transformatorwicklungen entsprechend Abb. 9-48. Die Beträge der einzelnen
Spannungen müssen einander entsprechen.

Schwenkwinkel Abbildung 9-48


Drehung eines Drehspannungssystems durch
Kombination von Phasenspannungen

Der Schwenkwinkel wird über die anteiligen


Ÿ Windungszahlen der
Transformatorwicklungen festgelegt.
165

10 Netzrückwirkungen

Stromrichterschaltungen entnehmen dem speisenden Netz im Allgemeinen nicht sinusförmige


Ströme. Die Wirkung nicht sinusförmiger Ströme auf das speisende Netz führt zu den Er-
scheinungen:
À Blindleistung,

À Stromoberschwingungen,

À Spannungsoberschwingungen.

Diese Erscheinungen werden zusammenfassend als Netzrückwirkungen bezeichnet.

10.1 Blindleistungsverhalten
Ausgehend von einer gesteuerten M2-Schaltung nach Abb. 10-1 kann man feststellen, dass der
Netzstrom iN der Netzspannung uN um den Phasenverschiebungswinkel ˍ1 nacheilt. Das
bedeutet, dass der Stromrichter über die Stromgrundschwingung iN,1 eine induktive Blind-
leistung Q1 bezieht. Neben der Stromgrundschwingung iN,1 enthält der Netzstrom abhängig
von der Kurvenform zusätzliche Oberschwingungen. Zusammen mit der Netzspannung UN
entsteht eine Oberschwingungsblindleistung, die als Verzerrungsleistung D bezeichnet wird.
Wie Abb. 10-1 zeigt, sind der Phasenwinkel der Grundschwingung, ˍ1, und der Steuerwinkel
ʱ identisch, weshalb die Grundschwingungsblindleistung Q1 auch als S te u e r b li n d le is t u n g
bezeichnet wird. Dieser Zusammenhang gilt auch bei höherpulsigen Schaltungen.

uN
u D uN
iN i
iN,1

uS1 uS2 iN

L
Zt
Udi M
id ˍ1

Abbildung 10-1 Gesteuerte M2-Schaltung mit Netzgrößen, id = konstant, idealer Transformator

Wirkleistung: P U N I N,1 cos ˍ1 mit cos ˍ1 = Verschiebungsfaktor (10-1)


166 10 Netzrückwirkungen

10.1.1 Die Kennlinie der Steuerblindleistung


Wird bei der Schaltung nach Abb. 10-1 bei konstantem Gleichstrom Id der Steuerwinkel ʱ von
0° bis zum Maximalwert von 180° verändert, so gelten folgende Zusammenhänge:

Grundschwingungsscheinleistung: S1 U N I N,1 konstant


Grundschwingungsblindleistung: Q1 S 1 sin ˍ1 U di I d sin ʱ
Wirkleistung: P S 1 cos ˍ1 U di I d cos ʱ
2 2 2 2
Eine quadratische Zusammenfassung liefert: Q1 ʅ P S1 ʛ U di I d ʜ
Q1 2 2
P
weitere Umformung: ʛ ʜ ʅ ʛ ʜ 1 ( Kreisgleichung )
U di I d U di I d

setzt man schließlich P U di ʱ I d ein, so folgt :

2 U 2
Q1 di ʱ
ʛ ʜ ʅ ʛ ʜ 1 (10-2)
U di I d U di

Diese Gleichung ist als Blindleistungs-Diagramm in Abb. 10-2 dargestellt.

1,0

Q1
S1

ʱmax
u0
ʱ
ʳ ʱmin U di ʱ
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 U di

Abbildung 10-2 Grundschwingungsblindleistung bei konstantem Gleichstrom

Berücksichtigt man auch die Transformator-Streuinduktivität Lı, so ist der Netzstrom nicht
mehr rechteckförmig sondern weist während der Überlappung cosinusförmige Flanken auf
(Abb. 10-3). Die Überlappung u(Į) führt bereits bei Į = 0° zu einer Blindleistungsaufnahme
der Schaltung. Die Überlappung führt ferner zu einer Verlängerung der Thyristorleitdauer auf
180° + u0. Für den max. Steuerwinkel ʱmax gilt dann zur Vermeidung des Wechselrichter-
kippens näherungsweise Gl. 10-13.
ʱ max 180 °ėu0 ėʳ mit: ʳ ˈt S (Schonzeitwinkel) (10-3)
10.1 Blindleistungsverhalten 167

Wegen der praktisch immer vorhandenen Anfangsüberlappung u0 kann im Gleichrichter-


betrieb der Steuerbereich nur zwischen dem Wert der Anfangsüberlappung ʱmin = u0 und im
Wechselrichterbetrieb bis Įmax ausgenutzt werden. Wegen der für die Dauer der Kommu-
tierung (Überlappung u) cosinusförmigen Flanken muss die Annahme Į = ˍ1 aufgegeben
werden. Es gilt mit der relativen induktiven Gleichspannungsänderung dx nun folgender
Zusammenhang zwischen Steuerwinkel ʱ und dem Verschiebungswinkel der Grund-
schwingung (ˍ1):
cos ʛˍ 1 ʜ cos ʛʱʜ ė d x (10-4)

À Schon bei Vollaussteuerung (ʱ= 0°) wird Blindleistung aufgenommen


À ˍ1 kann näherungsweise durch u0/2 bzw. uĮ/2 ersetzt werden (ˍ1 IJ uĮ/2).

u
iS,1 Abbildung 10-3
Netzgrößen unter Einfluss der Kommu-
iS tierungsinduktivität LK bei Į = 0°
Während der Kommutierung verläuft der
ˀ 2ˀ Ȧt Netzstrom cosinusförmig. Hierdurch ist die
ˍ1
Stromkurve leicht nach rechts verschoben.

u0

10.1.2 Oberschwingungsblindleistung
Durch eine Zerlegung des nicht sinusförmigen Stromes IN in Grund- und Oberschwingungen
lässt sich nach Gl. (10-8) auch die Blindleistung Q in Grund- und Oberschwingungsblind-
leistung (Q1 und D) zerlegen. Zur Veranschaulichung dient Abb. 10-4. Die Oberschwingungs-
blindleistung D (Verzerrungsleistung) führt zu zusätzlichen Stromwärmeverlusten im
Transformator (Zusatzverluste, s. Kap. 16.2).

Gesamtscheinleistung: S UN IN U Nŏ I 2N,1ʅ I 2N,2ʅ I 2N,3ʅ...


ʎ (10-5)

Gesamtblindleistung Q ʎS 2 ė P2 (10-6)

Wirkleistung P U N I N,1 cos ˍ 1 (10-7)

Q ʎ U 2N ʛ I 2N,1 ʅ I 2N,2 ʅ I 2N,3 ʅ... ʜ ė ʛU N I N,1 cos ˍ1ʜ2


2 2
Durch Ausmultiplizieren und Zusammenfassung sowie mit sin ˍ 1 ė cos ˍ folgt:

Q ʎ U 2N I 2N,1 sin2 ˍ1 ʅ U 2N ʛ I 2N,2 ʅ I 2N,3 ʅ...ʜ ʍ Q ʎ Q21 ʅ D2


Zerlegung der Blindleistung Q in Grundschwingungs- und Verzerrungsblindleistung:
168 10 Netzrückwirkungen

2 2
Verzerrungsleistung D ʎ
U N I N,2 ʅ I N,3 ʅ ...
(10-8)
Grundschwingungsblindleistung Q1 U N I N,1 sin ˍ 1

Abbildung 10-4
S Zeigerdiagramm der Leistungen bei
Q D nichtsinusförmigem Strom
S: Gesamtscheinleistung
S1: Grundschwingungsscheinleistung
S1
P: Wirkleistung
Q1 D: Verzerrungsleistung
P Q: Gesamtblindleistung
Q1: Grundschwingungsblindleistung

10.2 Stromoberschwingungen
Der von einem Stromrichter aus dem Versorgungsnetz bezogene Strom ist im Allgemeinen
nicht sinusförmig und setzt sich aus Grund- und Oberschwingungen zusammen. Während die
Stromgrundschwingung die Leistungsübertragung bewirkt, tragen die Stromoberschwingungen
nicht zur Leistungsübertragung bei. Sie belasten aber das speisende Netz durch Spannungs-
abfälle wodurch die Spannungskurvenform verzerrt wird. Ferner entstehen zusätzliche Verlust-
leistungen (I2·R) und es besteht die Gefahr von Resonanzanregungen im Netz. Den Ober-
schwingungsstrom THC (Total Harmonic Current, EN 61000) ermittelt man mit Gl. (10-9).
40
THC
ʎ Ė I2n
n 2
(10-9)

Für die vom Stromrichter hervorgerufenen Oberschwingungen im Netzstrom gelten die in der
EN 61000-3 festgelegten Grenzwerte. Die Oberschwingungen des Netzstromes sind abhängig
von der Pulszahl p des Stromrichters und der Art der Glättung. Wir unterscheiden nach der Art
der Glättung:
À Schaltungen mit Stromglättung,
À Schaltungen mit Spannungsglättung.

10.2.1 Stromglättung
Stromrichter mit Stromglättung arbeiten mit einem konstantem Gleichstrom Id. Der Netzstrom
iN in Abb. 10-5 ist daher abschnittweise eingeprägt durch den Gleichstrom Id und daher recht-
eckförmig. Die Breite der Stromblöcke hängt von der Pulszahl p des Stromrichters ab und
beträgt bei 2-puls-Stromrichtern 180° und beim 6-pulsigen Stromrichter 120°. Zu jeder
Kurvenform ist das entsprechende Frequenzspektrum dargestellt. Darin ist
IN,1: Effektivwert der Stromgrundschwingung
IN,n: Effektivwert der n-ten Harmonischen (n: Ordnungszahl)
Ein Vergleich der Kurvenform und Spektren des Netzstromes iN einer B2- und B6-Schaltung
zeigt Abb. 10-5. Darin ist zu erkennen, dass die Anzahl an Oberschwingungen bei der
sechspulsigen B6-Schaltung wesentlich geringer ist als bei der zweipulsigen B2-Schaltung.
10.2 Stromoberschwingungen 169

uN iN,1 uN iN,1

iN Id iN Id
Zt Zt

1 1

Pulszahl p = 2 Pulszahl p = 6
1 1
I N, n n IN, n n
I N,1 I N,1

1 3 5 7 9 11 13 15 17 1 3 5 7 9 11 13 15 17
n n
Abbildung 10-5 Netzstrom und -spektrum der B2 und B6-Schaltung

Allgemein nimmt der Oberschwingungsgehalt mit steigender Pulszahl p des Stromrichters ab.
À Bei einer Stromrichterschaltung der Pulszahl p treten im Eingangsstrom keine Ober-
schwingungen mit der Ordnungszahl n < (p – 1) auf.
Bei großen Leistungen werden daher zur Erzielung eines günstigen Oberschwingungsgehaltes
nur Stromrichter mit höherer Pulszahl (p = 6, 12, 18, ...) eingesetzt. Zur Verringerung des
Oberschwingungsgehaltes im Netzstrom können zusätzlich selektive Filter (Saugkreisfilter) am
Eingang der Stromrichterschaltung vorgesehen werden. Eine beispielhafte Ausführung für ein
Saugkreisfilter zeigt Abb. 10-6b. Der Saugkreis wird mit seiner Resonanzfrequenz f0
entsprechend Gl. (10-12) auf die Frequenz der zu eliminierenden Oberschwingung abges-
timmt, und stellt für die betreffende Stromoberschwingung eine sehr geringe Impedanz dar,
deren Minimalwert durch den ohmschen Widerstand RL gegeben ist. Der Ohmsche Widerstand
bestimmt auch die Güte Q (und damit den Dämpfungsgrad d) des Filters nach Gl. (10-10) und
zusammen mit der Eigenfrequenz nach Gl. (10-12) die Bandbreite B (siehe Abb. 10-6a). Für
jede zu kompensierende Stromoberschwingung ist ein Saugkreis erforderlich. Bei dreiphasigen
Schaltungen ist diese Anordnung dann dreimal vorzusehen. Um den Aufwand nicht unnötig in
die Höhe zu treiben, kompensiert man im Allgemeinen nur die Stromoberschwingung mit dem
größten Einfluss und das ist im Allgemeinen die Stromoberschwingung mit der niedrigsten
Ordnungszahl. Die einphasige Ausführung und Anordnung eines Saugkreisfilters zeigt Abb.
10-6b. Darin ist auch zu erkennen, dass das Filter zusammen mit der Netzinduktivität LN einen
zusätzlichen Resonanzkreis bildet. Wegen der Reihenschaltung mit dem Saugkreis liegt diese
zusätzliche Eigenfrequenz unterhalb der Frequenz des Saugkreisfilters. Diese Frequenz darf
nicht durch den Netzstrom angeregt werden.
170 10 Netzrückwirkungen

B10
1

iN iE
0,707
LN
C
RN iF
L
I
I5 uN
Q = 10 RL
0
0 1 5 f f N 10
Abbildung 10-6 Wirkung eines Saugkreisfilters für die 5. Oberschwingung (f / fN = 5)

1 L
Güte Q
RL ʎ C
(10-10)

1
Dämpfungsgrad d (10-11)
2Q

ʎ
2
1ėd (10-12)
Resonanzfrequenz ˈ e
LC

ˈe
Bandbreite B (10-13)
Q

L1 Abb. 10-7 zeigt beispielhaft eine dreiphasige An-


L2 ordnung (LS, CS). Saugkreisfilter wirken für alle Fre-
L3
quenzen unterhalb der Resonanzfrequenz f0 kapazitiv.
Dadurch wird eine vorhandene induktive Grund-
LN LN LN
schwingungsblindleistung Q1 kompensiert. Bei einem
LS CS
schwankendem Blindleistungsbedarf des Stromrichters
LS CS besteht wegen der konstanten kapazitiven Blind-
leistung die Möglichkeit einer Überkompensation, d. h.
LS CS die Schaltung wirkt kapazitiv. In der Praxis bilden die
Filterelemente mit der Netzimpedanz weitere Eigen-
frequenzen, die nicht angeregt werden dürfen. Eine
Stromrichter Mindestdämpfung d ist daher erforderlich, verschlech-
tert aber die Filterwirksamkeit.
Abbildung 10-7 Saugkreisfilter, 3-phasig
10.2 Stromoberschwingungen 171

10.2.2 Spannungsglättung
Schaltungen mit Spannungsglättung arbeiten mit einer konstanten Gleichspannung Ud. Die
Glättung der gleichgerichteten Wechselspannung ud erfolgt in Abb. 10-8 mit dem Glättungs-
kondensator Cd. Die Gleichrichterdioden schalten ein, sobald uS größer ud ist. Der Ladestrom
iC wird nur durch den Kondensator Cd und die Höhe der Netzspannung uS bestimmt. Der
Kondensator wird ideal sofort auf die Netzspannung aufgeladen, wodurch ein sehr hoher
Stromimpuls entsteht. Ist die Netzspannung wieder kleiner ud, so sperren die Dioden und der
Kondensator wird durch die Last entladen, bis in der nächsten Halbschwingung von uS die
anderen Dioden kurzzeitig leiten. Die Schwankung der Gleichspannung ud wird durch die
Welligkeit wU (Gl. 7-15) beschrieben. Ud,Ȟ: Effektivwert der Ȟ-ten Oberschwingung

id Abbildung 10-8
iC
B2-Schaltung mit kapazitiver Glättung
iS und eingeprägtem Gleichstrom id
uS Cd ud

Der Netzstrom iS besteht entsprechend Abb. 10-9 aus kurzen hohen Stromimpulsen abwech-
selnder Polarität und enthält daher eine hohe Zahl an Stromoberschwingungen. Der Leis-
tungsfaktor ʻ (power factor) ist sehr ungünstig.
iS
ud Abbildung 10-9
Netzstrom iS und Gleichspannung ud bei
uS kapazitiver Glättung
Sobald uS > ud ist wird Cd geladen wobei kurz-
zeitig ein hoher Strom fließt. Durch den Innen-
widerstand der Dioden und parasitären Induk-
ˈt tivitäten im Stromkreis weicht die
Gleichspannung ud beim Laden von der
Netzspannungskurvenform geringfügig ab.
Die Qualität der Gleichspannung ud wird durch
die Welligkeit wU beschrieben.

Das Verhältnis von Scheitelwert zu Effektivwert bildet den Scheitelfaktor oder crest factor c.

ʒi
crest factor c (10-14)
I

Der crest factor c beträgt bei Sinusgrößen c = 1,41, bei Gleichrichterschaltungen mit kapa-
zitiver Glättung, wie in Abb. 10-9 dargestellt, kann c = 3 und mehr erreichen.
172 10 Netzrückwirkungen

10.2.2.1 Passive PFC-Schaltung


Abhilfe gegen die in Abb. 10-9 dargestellte ungünstige Stromkurvenform von iS bietet eine
zusätzliche Induktivität LPFC in Serie zum Glättungskondensator Cd. Zweckmäßig wird diese
Induktivität auf der Wechselspannungsseite entsprechend Abb. 10-10 installiert. Die
Induktivität lässt den Ladestrom nur verzögert ansteigen. Die Stromkurvenform nach Abb.
10-11 zeigt einen besseren Leistungsfaktor ʻ als die Stromkurvenform nach Abb. 10-9.

Abbildung 10-10
LPFC iC id
B2-Schaltung mit kapazitiver
Glättung und PFC-Drossel
iS
uS Cd ud

Die Drossel LPFC wird handelsüblich als Power Factor Correction-Drossel (PFC-Drossel)
bezeichnet (passives Verfahren, kostengünstig bei kleinen Leistungen).

Abbildung 10-11
ud ǻu Zur Wirkung einer passiven PFC-
Einrichtung
uS
iS Die wechselspannungsseitige Drossel
verbessert die Stromkurvenform.
Die höherfrequenten Störströme
werden reduziert und der Leistungs-
ˈt faktor Ȝ steigt an (PFC-Drossel).

Aber:

À Erhöhter Spannungsabfall (ǻu)


während der Netz-Nachladung.

Der Leistungsfaktor Ȝ (power factor) ist definiert zu:

P UŏI 1ŏcos ˍ I1
ʻ ŏcosˍ g iŏcos ˍ (10-15)
S UŏI I
gi: Grundschwingungsgehalt des Stromes, 0 < gi < 1.

À Durch eine Absenkung des Oberschwingungsanteils im Netzstrom kann somit eine


Verbesserung (correction) des Leistungsfaktors Ȝ erreicht werden. Nach diesem Prinzip
arbeitet eine passive Power-Factor-Correction-Schaltung (PFC-Schaltung).
10.2 Stromoberschwingungen 173

10.2.2.2 Aktive PFC-Schaltung


Neben den passiven Verfahren gibt es bei der Spannungsglättung auch aktive PFC-Verfahren,
bei denen durch PWM-Technologien die Kurvenform des Netzstromes sinusförmig geregelt
und zusätzlich über den Phasenwinkel der Grundschwingung der cos ˍ1 İ 1 eingestellt
werden kann. Abb. 10-12 zeigt eine Schaltung für die Stromkurvenformregelung auf Basis
eines handelsüblichen PFC-Control Circuit.
LS Boost Diode
Abbildung 10-12
B2-Gleichrichter mit aktiver PFC-
iS
Schaltung
Der Shuntwiderstand RSh dient zur
uS ud Stromerfassung.
Cd
PFC-Control T
Circuit À Speicherinduktivität LS
gleichstromseitig

RSh À Einquadrantenbetrieb (1QS)

Der Schalttransistor T wird so angesteuert, das sich in der Speicherdrossel LS im zeitlichen


Mittel ein sinusförmiger Strom einstellt. Dieser Strom wird mit RSh erfasst. Die Schaltung ist
durch zwei Arbeitstakte gekennzeichnet, die in Abb. 10-13 dargestellt sind.
a) iS LS b) iS LS id Abbildung 10-13
Arbeitstakte der
uS uS aktiven PFC-
T ud Schaltung

In Abb. 10-13a wird die Netzspannung über die Drossel LS kurzgeschlossen und der Strom in
iS steigt schnell an (LS wird geladen). In Abb. 10-13b ist der Transistor T wieder abgeschaltet.
Der Strom iS ist von der Induktivität LS eingeprägt und fließt über die Boost-Diode in den
Kondensator Cd (LS wird dabei entladen). Wenn der Strom weit genug abgefallen ist, wird T
wieder eingeschaltet und der Strom iS steigt unter Einfluss der Netzspannung erneut an. Durch
eine geeignete Taktung des Transistors T über den PFC-Control-Circuit in Abb. 10-12 lässt
sich für iS ein sinusförmiger Stromverlauf entsprechend Abb. 10-14 erreichen.

uS Abbildung 10-14
ʧiS Typischer Verlauf des Netzstromes bei
aktiver PFC-Einrichtung
iS
Kurvenform und Phasenlage lassen sich
einstellen. Mit zunehmender Schaltfrequenz
ˈt geht ʧiS gegen Null und die Stromkurven-
form nähert sich der idealen Sinus-
kurvenform an.
À Es treten höherfrequente Störströme im
Netz auf.
174 10 Netzrückwirkungen

Die Schaltung in Abb. 10-12 arbeitet als Hochsetzsteller, d. h. die Gleichspannung Ud ist
größer als der Scheitelwert der Eingangswechselspannung uS. Daher bietet sich diese
Schaltung an als Weitbereichsnetzteil mit Ud = 400 V bei einer Eingangsspannung von z. B.
65 bis 240 V (effektiv). Durch eine Weiterentwicklung der Schaltung zum einphasigen
Pulsgleichrichter (PGR) nach Abb. 10-15 mit wechselstromseitiger Speicherdrossel LS kann
die Phasenverschiebung beliebig eingestellt werden, wodurch eine Umkehr der
Energierichtung möglich ist. Die Einstellgrenzen für den Phasenwinkel sind allein durch die
Höhe der Eingangsspannung und dem abschaltbaren Strom gegeben. Diese als Active-Front-
End-Umrichter (AFE) bezeichnete Gleichrichterschaltung wird als Vierquadrantensteller
(4QS) für Antriebe in praktisch allen Leistungsklassen eingesetzt, wie z. B. als
Eingangsstromrichter moderner Lokomotiven.

Abbildung 10-15
Id
uR uLS T1 T3 Einphasiger Pulsgleichrichter (PGR)
iS
Diese Schaltung entnimmt dem
uS R LS uSt Wechselspannungsnetz einen sinus-
Cd Ud förmigen Strom einstellbarer Phasen-
lage. Die Schaltung erlaubt auch bei
T4 T2 Energierückspeisung einen
Leistungsfaktor Ȝ nahe 1.

Jeweils zwei Transistoren (T1 und T2 bzw. T3 und T4) werden zusammen angesteuert und
erzeugen eine pulsbreitenmodulierte Wechselspannung uSt (siehe Abb. 13-11). Der Scheitel-
wert von uSt ist ±Ud und muss größer sein als der Scheitelwert der Netzspannung uS um eine
Übersteuerung (und damit eine verzerrte Stromkurvenform) zu vermeiden. Die Wirkungsweise
des Vierquadrantenstellers (4QS) nach Abb. 10-15 erläutern die Zeigerdiagramme der
Grundschwingung für den normalen Gleichrichterbetrieb (Abb. 10-16a, motorischer Betrieb)
und den Rückspeisebetrieb (Abb. 10-16b, generatorischer Betrieb).

a.) Motorischer Betrieb b.) Generatorischer Betrieb


Abbildung 10-16
lj = 0°, cos Lj = 1 lj = 180°, cos Lj = -1
Zeigerdiagramm des 4QS
uLS uR Die Stellerspannung uSt wird nach
Betrag und Phase vorgegeben, so
uLS dass sich der gewünschte Netz-
uS uR uSt
strom iS einstellt. Neben den hier
uS dargestellten Fällen für cos ij = 1
uSt und -1 sind auch alle anderen
iS Phasenwinkel möglich.
Einschränkungen sind durch die
lj Höhe der Gleichspannung (ûSt <
iS Ud) und der zulässigen Strom-
amplitude îS gegeben.

Die 4QS-Schaltung in Abb. 10-15 kann durch hinzufügen eines 3. Brückenzweiges zu einen
dreiphasigen Pulsgleichrichter erweitert werden. Der dreiphasige PGR entspricht in seinem
Aufbau dem dreiphasigen Pulswechselrichter (siehe auch Kapitel 16.7.3).
10.3 Spannungsoberschwingungen 175

10.3 Spannungsoberschwingungen
Ein Versorgungsnetz ist in der Regel ein räumlich verteiltes System, bestehend aus Generato-
ren, Leitungen, Transformatoren und Lasten. Um die Auswirkungen von nicht sinusförmigen
Strömen auf die Spannungskurvenform zu beschreiben, genügt pro Phase eine einfache Mo-
dellierung nach Abb. 10-17, bestehend aus einer Wechselspannungsquelle uN und einer
ohmsch-induktiven Impedanz RN und LN.
LN RN iN Abbildung 10-17

Netzmodell
uN uS

Für die Untersuchung der Rückwirkungen nichtsinusförmiger Ströme auf das so vereinfachte
Netz kann die Maschengleichung (10-16) betrachtet werden.
d iN
uS u N ė R NŏiN ė L N (10-16)
dt

Darin ist zu erkennen, wie die Spannung uN vom bezogenen Strom iN abhängt. Weicht der
Strom iN von der Sinusform ab, so ergibt sich eine nicht sinusförmige Spannung uN. Für die
reibungslose Zusammenarbeit aller Verbraucher ist es erforderlich, die maximal zulässigen
Verzerrungen der Spannungskurvenform in Normen festzuschreiben. Hierfür ist die EN61800
(VDE0160) maßgebend. Für die Verzerrungen der Spannungskurvenform sind in erster Linie
Stromoberschwingungen oberhalb der Netzfrequenz maßgebend, wie sie vorzugsweise bei
Kommutierungsvorgängen auftreten.
À Für allgemeine Betrachtungen kann der ohmsche Widerstand RN vernachlässigt werden.
À Die Kurvenform der Spannungsquelle uN wird als rein sinusförmig angenommen. Diese
Annahme ist auch in der Praxis weitgehend erfüllt.
Die Erläuterung dieses Einflusses soll an dem vereinfachten Ersatzschaltbild einer Zweipuls
Brückenschaltung nach Abb. 10-18 erfolgen.

10.3.1 B2-Schaltung
Für den dargestellten Transformator soll das Übersetzungsverhältnis eins betragen und der
Gleichstrom id sei ideal geglättet. LN fasst die Induktivitäten vorgeschalteter Einrichtungen
(Transformatoren, Leitungen, Generator) zusammen, LT ist die Streuinduktivität des Strom-
richter-Transformators. Den Verlauf der primär- und sekundärseitigen Spannungen zeigt Abb.
10-19. Die sekundärseitigen Spannungseinbrüche ʧuS wirken sich auf der Primärseite als ʧuP
aus. Die Induktivitäten LN und LT bilden einen Spannungsteiler und es gilt folgender
Zusammenhang:

d iS uG ʧ uP ʧ uS LN
ʧ uP uG (10-17)
dt L Nʅ L T LN LT LN ʅ LT
176 10 Netzrückwirkungen

LN LT iS
L
uG ʧuP uP ʧuS uS

Weitere Transformator
Verbraucher
Abbildung 10-18 Ersatzschaltung einer Zweipuls-Brückenschaltung mit Einspeisung

Die Spannungseinbrüche ʧuP bezeichnet man als Kommutierungseinbrüche. Sie stellen die
Hauptursache für das Entstehen von Spannungsoberschwingungen dar. Zur Begrenzung der
netzseitigen Spannungsoberschwingungen muss die Induktivität LT des vorgeschalteten Trans-
formators entsprechend Gl. (10-1) ausgewählt sein (geeignetes uK wählen).
Gegebenenfalls können zusätzliche
uG Kommutierungsdrosseln vorgesehen
werden. Die Vorschaltung von Kom-
iS mutierungsdrosseln ist auch erforder-
lich, falls der Stromrichter ohne Trans-
formator direkt am Netz betrieben wird.
ˀ 2ˀ Zt
Als zusätzliche Eigenschaften bleibt
anzumerken, dass die Induktivitäten die
Stromsteilheit begrenzen und damit die
Überlappung u vergrößern.
Liegen die Kommutierungseinbrüche
ʧuP uP im Bereich der Nulldurchgänge der
Netzspannung, so sind die Spannungs-
ʧuS nulldurchgänge verfälscht und es kann
zu einer Störung der Synchronisation
Zt
des Steuergerätes kommen. Aus diesem
Grunde wird die Synchronisations-
spannung aus der Netzspannung nur
über ein Tiefpass- oder PLL-Filter
gewonnen (siehe auch Kapitel 9.3).

uS

Zt

Abbildung 10-19
Strom- und Spannungsverlauf mit Kommutierungseinfluss
10.3 Spannungsoberschwingungen 177

10.3.2 B6-Schaltung
Um den Einfluss der Kommutierungen auf die verkettete Spannung u12 und die Phasenspan-
nung uS1 zu beschreiben dient eine Ersatzschaltung nach Abb. 10-20. Die möglichen
Kommutierungen sind mit den entsprechenden Kommutierungsspannung uK in Tab. 10.1
aufgeführt.

uS1 id Abbildung 10-20


u1 V1 V3 V5 B6-Schaltung mit eingeprägtem
LN iS1 Gleichstrom
L1 (id = konstant)
u2 u12
LN
ud
N
L2
u3
LN

L3
V4 V6 V2

Tabelle 10.1 B6-Schaltung, mögliche Kommutierungen und Verlauf von u12 und uS1

Kommutierung uK u12 Phasenspannung uS1

Ȋ V1äV3 u21 0 -0,5 u3

ȋ V2äV4 u31 - 1,5 u2 -0,5 u2

Ȍ V3äV5 u32 1,5 u1 u1

ȍ V4äV6 u12 0 -0,5 u3

Ȏ V5äV1 u13 - 1,5 u2 -0,5 u2

ȏ V6äV2 u23 1,5 u1 u1

Die einzelnen Kommutierungen werden mit den reduzierten Schaltbildern nach Abb. 10-21
untersucht. Um den Einfluss der Welligkeit von id auf den Verlauf der Spannungen darzustel-
len, wurde eine Schaltungssimulation für verschiedene Stromkurvenformen nach Abb. 10-23
durchgeführt. Die Konstruktion der Spannungen für ʱ = 30° und idealer Stromglättung zeigt
Abb. 10-22.
178 10 Netzrückwirkungen

uS1
id iS1
uS1 LN
u1 u 212 V1 V3
iS1 *
u 2 u12
LN u1 u12 12 M
*
u2 u12 LN
u21 M
LN
u12 2
u2 V4 V6
u 212 id
id
u3 u3
Ȋ *
u 12 0 u S1 ė ȍ *
u 12 0 u S1 ė
2 2
uS1 LN iS1 uS1
V1 V5 id
u1
u31 / 2 * LN iS1
u1 u12
LN M
id u13 / 2
u2 M u*12
u31 LN
u2
LN
id
u3 u13
u31 / 2 V4 V2 LN
u3 id
u13 / 2

ȋ * 3 u2 Ȏ * 3 u2
u 12 ė u2 u S1 ė u 12 ė u2 u S1 ė
2 2 2 2

id uS1 iS1 id
u1 uS1 LN
LN iS1 i V3 V5
d

u1 u*12
* LN M
u2 M u12
LN
u23 / 2
u2 u23
u3 u32 / 2 LN
u32
LN
u23 / 2 V6 V2
u3 id
u32 / 2

Ȍ 3 ȏ 3
u *12 ė u1 u S1 u1 u *12 ė u1 u S1 u1
2 2

Abbildung 10-21 Leiter- und Phasenspannung bei den Kommutierungen der B6-Schaltung
10.3 Spannungsoberschwingungen 179

u 12 Ȋ ȋ Ȍ
uʒ 1
u
ʎ3 u
1,5
u12*
Annahme:
u = konstant
1,0
u12
-u2 1,5 u1

ȍ Ȏ ȏ

ˈt
u

ʱ
-1,5 u2

uS1

u3 u1
u2

ˈt

u3
ė u2
2 ė
2
Abbildung 10-22
Konstruktion der Leiter- und Phasenspannung der B6-Schaltung mit ʱ = 30° bei idealer Glättung
180 10 Netzrückwirkungen

id
u12

uS1

ˈt

id
u12

uS1

ˈt

id
u12

uS1

ˈt

Abbildung 10-23 Einfluss nicht idealer Glättung auf u12 und uS1 (Simulation)
10.3 Spannungsoberschwingungen 181

Damit die Kommutierungseinflüsse vom öffentlichen Drehstrom-Versorgungsnetz fernge-


halten werden können, muss am Eingang des Stromrichters eine zusätzliche Induktivität LT
vorgesehen werden (siehe auch Abb. 10-18). Wegen der Funktion wird diese Induktivität als
Kommutierungsdrossel bezeichnet. Zusammen mit der Netzinduktivität LN bildet die Kom-
mutierungsdrossel LT in Abb. 10-24 einen induktiven Spannungsteiler.
id = konstant
uS1_SR
Abbildung 10-24
uS1
u1 V1 V3 V5 B6-Schaltung mit Netzin-
LN LT
iS1 duktivität LN und Zusatzin-
ʧ uN
duktivität LT
u2 ʧ uT
u12 u12_SR
LN LT
ud

u3
LN LT

V4 V6 V2

Die Kommutierungseinbrüche der Phasenspannungen teilen sich nach Gl. (10-17) im


Verhältnis der Induktivitäten auf. Damit die VDE-Bestimmungen erfüllt werden, darf die
Spannung während der Kommutierung nur um 20 % des Scheitelwertes einbrechen. Die
restlichen 80 % müssen demnach an der Kommutierungsinduktivität LT abfallen. Daraus lässt
sich das Verhältnis von Netz- zu Kommutierungsinduktivität nach Gl. (10-18) berechnen.

LN ʧ uN 0,2 ʒu12
ʧ uN Ĺ 0,2 ʒu12 Ĺ d. h. L T ĺ 4 L N (10-18)
LT ʧ uT 0,8 ʒu12

Abb. 10-25 zeigt die Wirkung von LT bei einer Auslegung nach Gl. (10-18).

Ĺ0,2 ûV
u12_SR

u12 ûV

ˈt

uS1

uS1_SR

ˈt

Abbildung 10-25 Spannungen bei LN /LT = 2/8 und ideale Glättung, ʱ = 30° (Simulation)
182 10 Netzrückwirkungen

Zur Bemessung von LT steht im Allgemeinen die Netz-Scheinleistung SN und die Netz-
Kurzschlussspannung uKN zur Verfügung. Abb. 10-26 zeigt den Anschluss eines Stromrichters
über einen Netztransformator bzw. über eine Netzdrossel der Leistung ST an die öffentliche
400V-Stromversorgung der Leistung SN.
SN, uKN
Abbildung 10-26
400 V Anschluss des Stromrichters an das öffentliche
IN IT Stromnetz
3
uK: relative Kurzschlussspannung
Netztransformator ST, uKT
bzw. -Drossel

Stromrichter 3~
=

Die Impedanzen XN = ȦLN und XT = ȦLT bilden einen Spannungsteiler. Auf der 400 V Ebene
erhält man mit UK = 400V· uK bei einer verlustfreien Anordnung folgende Zusammenhänge:
U KN uKN U KT uKT
XN 400 V XT 400 V (10-19)
IN IN IT IT

Entspricht ST der Netzscheinleistung SN, (d. h. IN = IT), so folgt Gl. (10-20) für den maximalen
Spannungsabfall ǻu der Mindestwert der Kurzschlussspannung uKT im Verhältnis zu uKN.
ʧ uN XN U KN 1
Ĺ0,2 ʍ uKT ĺ 4 uKN
uʒ N X Nʅ X T U KN ʅU KT u KN (10-20)
1 ʅ
uKT

À Um den Grenzwert von ǻuN/û ” 0,2 einzuhalten muss der Stromrichter die 4-fache Kurz-
schlussspannung des Netzes aufweisen. Bei einer Kurzschlussspannung von uKN = 4 %
kommt somit eine Gesamt-Kurzschlussspannung von 20 % zustande.
Im Allgemeinen kann man von einer vergleichbaren Kurzschlussspannung von Netz- und
Stromrichter ausgehen, d. h. uKN = uKT = uK = 4 %. In diesem Fall wird mit Gl. (10-21) über
die Nennströme IN und IT das erforderliche Leistungsverhältnis von Netz- und Stromrichter-
transformator ermittelt.
UK
ʧ uN XN IN 1
Ĺ 0,2 ʍ I N ĺ 4 I T (10-21)
uʒ N X Nʅ X T UK UK IN
ʅ 1ʅ
IN IT IT

À Um den Grenzwert von ǻuN/û ” 0,2 einzuhalten muss bei gleicher Kurzschlussspannung
die Netzscheinleistung SN mindestens den 4-fachen Wert des Stromrichters SSR
aufweisen.
183

11 Lastgeführte Stromrichter
Bei lastgeführten Stromrichtern erfolgt die Ventilablösung durch die Lastspannung bzw. den
Laststrom. Die Ventilsteuerung erfolgt somit in Bezug auf die Spannung- bzw. Strom-
nulldurchgänge der Last. Wir unterscheiden ein- und mehrphasige Schaltungen. Die Last kann
passiv als Schwingkreis (Schwingkreiswechselrichter) oder aktiv z. B. als Synchronmaschine
(Stromrichtermotor) ausgeführt sein.

11.1 Schwingkreiswechselrichter
Schwingkreiswechselrichter werden für ohmsch-induktive Verbraucher eingesetzt, die mit
einer höherfrequenten Wechselspannung arbeiten. Der ohmsch-induktive Verbraucher wird
nach Abb. 11-1 mit einem Kompensationskondensator C zu einem Reihen- oder Parallel-
schwingkreis zusammengeschaltet. Mit beiden Kompensationsarten lassen sich Wechselrichter
unterschiedlichen Betriebsverhaltens aufbauen.
Serienkompensation Parallelkompensation
uA
uA

iA iL L R
C
iA
L R C
Abbildung 11-1 Kompensationsformen der LR-Last

11.1.1 Betrieb mit eingeprägter Gleichspannung


Für den Betrieb mit eingeprägter Spannung arbeitet die Schaltung nach Abb. 11-2 mit einer
Serienkompensation. Die Schalter S1 und S2 haben die Stellungen +1 bzw. -1. Die Ausgangs-
spannung uA ist durch die Schalter S1 und S2 eingeprägt und nimmt die Werte +/- U0 an.

uA
+1 +1
iA
U0 S1 S2
-1 L R C -1

Abbildung 11-2 Prinzip des Reihenschwingkreiswechselrichters

Der Laststrom iA in Abb. 11-3 führt, angeregt durch die Spannung uA, eine gedämpfte
Schwingung aus. Die Eigenfrequenz ist durch die Parameter des Schwingkreises festgelegt.
Ohne Änderung der Schalterstellungen wäre nach Abklingen der Schwingung der Kondensator
auf U0 aufgeladen. Das ist aber nicht Zweck dieser Schaltung. Werden die Schalter S1 und S2
im Nulldurchgang des Laststromes umgeschaltet, so wird eine neue Eigenschwingung iA2 an-
184 11 Lastgeführte Stromrichter

geregt (Abb. 11-3). Durch weitere Umschaltungen, jeweils im Stromnulldurchgang, entsteht


ein näherungsweise sinusförmiger Stromverlauf in der Last.
Umschaltvorgang
+U0 Neue Schwingung Abbildung 11-3
uA
iA1 Stromverlauf bei
Spannungs-
umschaltungen
t
Stromnulldurchgang
iA2
-U0

Abhängig vom verwendeten Halbleiterschalter können für die Zeitpunkte zur Spannungsum-
schaltung Einschränkungen vorhanden sein. Durch die Eigenschwingung des Lastkreises hat
bei der Serienkompensation der Laststrom, der gleich dem Ventilstrom ist, natürliche Null-
durchgänge. Ohne äußeren Eingriff wäre bei einem Thyristorschalter die durch einmalige
Ventilzündung angeregte Eigenschwingung nach einer Halbschwingung wieder abgebrochen.
Damit eine periodische Schwingung auftritt, müssen die Thyristoren für die entgegengesetzte
Stromrichtung rechtzeitig gezündet werden. Geschieht dies unmittelbar im Stromnulldurch-
gang, so wird die Spannung uA im Stromnulldurchgang umgepolt ohne die Freiwerdezeit (tq)
für die Thyristoren abzuwarten. In diesem Fall kommt es zu einem Kurzschluss der Gleich-
spannung über zwei in Reihe liegende Thyristoren (Wechselrichterkippen). Daher setzt man
bei der Serienkompensation zusätzlich zu den Thyristoren antiparallele Dioden ein (Abb. 11-
4). Über diese Dioden kann der Laststrom nach dem Nulldurchgang in entgegengesetzter
Richtung zunächst weiterfließen. Die Spannungsverhältnisse an der Last bleiben dadurch
unverändert (Abb. 11-5 Abschnitt a und b bzw. c und d). Erst nach Ablauf einer Mindestzeit
tS, (tS: Schonzeit) die größer als die Freiwerdezeit tq sein muss, kann durch Zündung der
entsprechenden Thyristoren auch die Verbraucherspannung uA umgeschaltet werden (Abb.
11-5 Abschnitt c bzw. a).

i0
Ri D1 V1 uA V3 D3

U0 iA L R
C
D4 V4 V2 D2

Abbildung 11-4 Reihenschwingkreiswechselrichter mit Thyristoren

Betrachtet man in Abb. 11-5 die positiven Nulldurchgänge von uA und iA, so ist leicht einzu-
sehen, dass die Spannung uA dem Strom iA nacheilt. Es liegt durch Sicherstellung der Frei-
werdezeit tq stets ein kapazitiver Betriebszustand vor. Da sich die L-C-Reihenschaltung nur
unterhalb der Resonanzfrequenz f0 kapazitiv verhält, liegt die Arbeitsfrequenz fA immer unter
f0 . Die Schaltung läuft daher auch selbsttätig an.
11.1 Schwingkreiswechselrichter 185

a b c d a b Abbildung 11-5
u
i
Ströme und Aus-
uA gangsspannung
iA U0
des Reihen-
schwingkreis
t wechselrichters
Rückspeisung Annahmen:

tS
sinusförmiger
i
Ausgangsstrom,
ideale Ventile,
iV1,2 Ri = 0.

t
t
iD1,2

i iV3,4

t
t
iD3,4

Der Grundschwingungs-Effektivwert der Ausgangsspannung UA,1 ist durch die Gleichspan-


nung U0 eingeprägt. Der Effektivwert des Verbraucherstromes IA,1 stellt sich abhängig von der
Arbeitsfrequenz ein. IA,1 errechnet sich aus der Leistungsbilanz bei Vernachlässigung der
Wechselrichterverluste nach Gl. (11-1). Mit Berücksichtigung des Phasenverschiebungswinkel
ʳ (ʳ = ˈ0 tS, tS = Schonzeit) erhält man für die Wirkleistungsübertragung:

Pd U 0ŏI 0 U A,1ŏI A,1ŏcosʳ (11-1)

Die Gleichstromquelle liefert die Wirkleistung Pd. Diese Wirkleistung entspricht der Grund-
schwingungsscheinleistung multipliziert mit cos ʳ. Aus Gl. (11-1) folgt für den Effektivwert
der Stromgrundschwingung IA,1:
U 0ŏI 0
I A,1 (11-2)
U A,1ŏcos ʳ
Für den Grundschwingungseffektivwert UA,1 der rechteckförmigen Ausgangsspannung uA
nach Abb. 11-5 erhält man durch Fourier-Analyse:

2ŏʎ 2 ˀ 1
mit U A,1 U 0ŏ folgt I A,1 I 0ŏ ŏ (11-3)
ˀ 2ŏʎ 2 cosʳ
Bei ʳ = 0 ist der Eingangsgleichstrom I0 gleich dem Ausgangsstrom IA,1. Abhängig vom
Kehrwert des cos ʳ steigt der Ausgangsstrom IA mit zunehmendem Winkel ʳ an, wodurch
sich die Strombelastung von den Thyristoren zu den Dioden verschiebt. Die Strombelastung
der Dioden ist somit durch die Blindleistung der Last bestimmt. Höhere Ausgangsfrequenzen
186 11 Lastgeführte Stromrichter

als f0 können beim Reihenschwingkreiswechselrichter nur durch den Einsatz abschaltbarer


Ventile (GTO bzw. Transistor) erreicht werden.
Ventilspannungsabfall uA
uA
iA R i · i0 iA
U0

i0
i0

t
Rückspeisung
Abbildung 11-6 Simulation der Ausgangsgrößen und des Eingangsstromes für Ri > 0 mit
Berücksichtigung der Ventilspannungen für U0 = 20 V

11.1.2 Betrieb mit eingeprägtem Gleichstrom


Diese Schaltung nach Abb. 11-7 arbeitet mit Parallelkompensation und eingeprägtem Gleich-
strom. Der Ausgangsstrom hat abhängig von der Schalterstellung die Werte iA = ± I0.

L0 uA Abbildung 11-7
I0
Prinzip des Parallel-
+1 +1 wechselrichters
iA iL L R
S1 S2
-1 -1

Angeregt durch den Ausgangsstrom iA führt die Ausgangsspannung uA, die gleich der Kon-
densatorspannung ist, eine Eigenschwingung aus. Schaltet man im Spannungsnulldurchgang
den Strom iA um, so wird eine erneute Eigenschwingung ausgelöst (Abb. 11-8). Durch peri-
odisches Umschalten der Stromrichtung lässt sich eine näherungsweise sinusförmige Span-
nung uA erzeugen. Realisiert man die Schalter in Abb. 11-7 durch Thyristoren, so erhält man
das Schaltbild nach Abb. 11-9. Damit die Thyristoren sich gegenseitig ablösen können, muss
zum Umschaltzeitpunkt die Spannung uA so gepolt sein, das es beim Einschalten der nächsten
Thyristoren zum Abschalten der vorher leitenden Thyristoren kommt. Anschließend muss zur
Sicherstellung der erforderlichen Schonzeit tS die Polarität der Ausgangsspannung uA für die
11.1 Schwingkreiswechselrichter 187

Umschalten im
Spannungsnulldurchgang
+I0
iA Neue Schwingung
uA(1)

t
Spannungs-
nulldurchgang
uA(2)
-I0

Abbildung 11-8 Spannungsverlauf bei Stromumschaltung im Spannungsnulldurchgang

Dauer tS erhalten bleiben, damit es nicht zur Rückzündung der Thyristoren (Wechselrichter-
kurzschluss) kommen kann.

L0 I0 uA Abbildung 11-9

V1 V3 Thyristor mit Parallel-


uV1
iA iL kompensation
L R

V4 V2
C

Ein Vergleich der Nulldurchgänge von Strom und Spannung zeigt, das der Strom iA gegenüber
der Spannung uA in Abb. 11-10 vorauseilend ist. Aufgrund der Freiwerdezeit tq liegt also wie
beim Reihenschwingkreiswechselrichter ein kapazitiver Betriebszustand vor. Dies setzt zum
Betrieb des Parallelschwingkreiswechselrichter aber voraus, dass die Betriebsfrequenz fA
größer sein muss als die Resonanzfrequenz f0. Zum Anlaufen der Schaltung ist der
Kondensator C deshalb vorzuladen. Der Ausgangsstrom iA ist rechteckförmig und durch den
Eingangsgleichstrom I0 eingeprägt. Der Laststrom iL verläuft nahezu sinusförmig. Die Höhe
der Ausgangsspannung UA stellt sich abhängig von den Betriebsparametern ein.

uV1 iA Abbildung 11-10


I0
Ventilspannung und
Ausgangsstrom
uA t

tS
188 11 Lastgeführte Stromrichter

11.1.3 Vergleich der Wechselrichtertypen


Der Parallelschwingkreiswechselrichter hat gegenüber dem Reihenschwingkreiswechselrichter
den Vorteil, dass die Blindleistung direkt vom Kompensationskondensator C an die Last ge-
liefert wird. Die Ventile sind daher nur durch die Wirkleistung belastet. Im Falle eines
Kurzschlusses begrenzt die eingangsseitige Drossel Ld den Stromanstieg, wodurch diese
Schaltung insgesamt betriebssicherer arbeitet. In beiden Schaltungen werden die Thyristoren
durch die Spannung an der Last gelöscht. Deshalb bezeichnet man diese Schaltungen als
lastgeführt. Damit die Schaltungen kommutieren können, muss die Betriebsfrequenz in einem
bestimmten Verhältnis zur Eigenfrequenz der Last stehen, so dass sich ein kapazitiv Verhalten
einstellt. Es zeigt sich, dass die Verwendung von Thyristoren mit Einschränkungen behaftet
ist:
À Keine hohe Frequenzen mit Rücksicht auf die Thyristor-Freiwerdezeit.
À Die Betriebsfrequenz muss von der Resonanzfrequenz des Schwingkreises um einen be-
stimmten Mindestwert abweichen und stets so gewählt werden, dass die Last ein kapaziti-
ves Verhalten zeigt. Andernfalls werden die Thyristoren nicht gelöscht und der Wechsel-
richter ist kurzgeschlossen.
À Ein Betrieb, bei der sich die Last induktiv verhält, ist nicht möglich.

Es zeigt sich, dass – insbesondere bei hoher Frequenz – ein Betrieb mit induktivem Verhalten
der Last oder mit einer Frequenz, die sehr nahe bei der Resonanzfrequenz liegt, zu geringeren
Schaltverlusten führt. Diese Betriebsweise erfordert jedoch den Einsatz abschaltbarer
Bauelemente. Am Beispiel des Reihenschwingkreiswechselrichter wird gezeigt, welche
Möglichkeiten der Einsatz abschaltbarer Ventile bieten kann.

11.1.4 Schwingkreiswechselrichter mit abschaltbaren Ventilen


Ein Reihenschwingkreiswechselrichter mit abschaltbaren Ventilen ist in Abb. 11-11 darge-
stellt. Die Transistoren T1 und T4 arbeiten im Gegentakt mit T2 und T3. Der Schaltzeitpunkt ist
unter Berücksichtigung einer Pausenzeit für die sichere Umschaltung beliebig einstellbar.

Abbildung 11-11
uA
T1 D1 D3 T3 Schwingkreiswechsel-
iA richter mit IGBT-
U0 C0 Transistoren
L R C
T2 D2 D4 T4

Für diese Schaltung sollen drei Betriebsfälle betrachtet werden:


À Die Betriebsfrequenz ist niedriger als die Resonanzfrequenz.
Der Wechselrichter möge zuerst mit einer Frequenz kleiner als die Resonanzfrequenz
betrieben werden, also mit kapazitiver Last. Die Verhältnisse entsprechen denen vom
konventionellen Thyristor. Beim Stromnulldurchgang fließt der Strom zunächst über die
Freilaufdioden (Abb. 11-12). Beim nächsten Einschalten kommutiert der Laststrom mit hoher
11.1 Schwingkreiswechselrichter 189

Steilheit von den Freilaufdioden zurück auf die Transistoren. An den Dioden treten dabei hohe
Stromsteilheiten auf. Wegen der Dioden-Rückstromspitzen entstehen in den Transistoren hohe
Einschaltverluste. Es treten aber keine Ausschaltverluste auf.

À Die Betriebsfrequenz ist gleich der Resonanzfrequenz.


Wird der Wechselrichter schließlich mit Resonanzfrequenz betrieben, so treten keine Schalt-
verluste auf.
À Die Betriebsfrequenz ist höher als die Resonanzfrequenz.
Wird der Wechselrichter mit einer höheren Frequenz als die Resonanzfrequenz betrieben, so
verhält sich die Last induktiv. Dieser Zustand setzt abschaltbare Leistungshalbleiter voraus.
Beim Abschalten der Transistoren kommutiert der Laststrom mit hoher Steilheit auf die Frei-
laufdioden über. Dabei treten, abhängig vom Momentanwert des Laststromes, Ausschaltver-
luste in den Transistoren auf. Nach dem Stromnulldurchgang übernehmen die eingeschalteten
Transistoren den Laststrom. Es treten keine Einschaltverluste auf. Bei dieser Betriebsart
treten im Schaltvorgang keine Rückstromspitzen auf, weshalb die auftretenden Schaltverluste
bei induktiver Last kleiner sind als bei kapazitiver Last.
Man kann somit feststellen, dass bei einem Schwingkreiswechselrichter allgemein nur geringe
Schaltverluste entstehen. Abhängig von der Betriebsart handelt es sich dabei entweder um
Einschaltverluste oder um Ausschaltverluste. Die Frage nach den Schaltverlusten bei hohen
Schaltfrequenzen ist besonders kritisch, weil sich durch eine Steigerung der Schaltfrequenz die
Baugröße der passiven Komponenten in Stromrichterschaltungen (Induktivität, Transfor-
matoren, Kondensatoren) deutlich verkleinern lässt.
uA
Abbildung 11-12
U0
Kapazitive Last, f < f0
t
Einschalten von T1,
Einschalten von T, Kommutierung Verlauf von iD1 und iD2
iA
Kommutierung D2 ä T 1
D1 ä T 2
t2 iD2

t1 iD1 t
T1ä D1 T2ä D2
Ablösung von T im Ablösung von T im
Stromnulldurchgang Stromnulldurchgang

uA
U0

im Stromnulldurchgang t
Abbildung 11-13
schaltet D aus und T1
wird stromlos ein- Induktive Last, f > f0
geschaltet
D1 ä T2 Verlauf von iD1 und iD2
iA

T2 ä D2 t
Ausschalten von T1, D1 ä T2
Kommutierung T1 ä D2
190 11 Lastgeführte Stromrichter

11.1.5 Strom- und spannungsloses Schalten


Der Einbau von Resonanzelementen wird allgemein so vorgenommen, dass ein elektronischer
Schalter in Serie oder parallel zu einem Schwingkreis angeordnet ist. Die Schalterspannung
oder der Schalterstrom können sich dann nicht mehr sprunghaft ändern. Dadurch lassen sich
neben den Schaltverlusten auch die elektromagnetischen Eigenschaften der Schaltung
verbessern. Die Anordnung der Resonanzelemente wird durch so genannte Quasiresonante-
Grundschaltungen nach Abb. 11-14 beschrieben.
Liegt die Resonanzdrossel L in Reihe zum Transistor, so kann über einen Resonanzvorgang
ein stromloses Ausschalten erreicht werden. Dadurch entfallen die Ausschaltverluste. Beim
Einschalten begrenzt die Induktivität den Stromanstieg und vermindert so die Einschaltver-
luste. Es handelt sich hierbei um weiches Schalten, das Konzept wird als Zero Current Switch
(ZCS, Abb. 11-14a und b) bezeichnet.
Liegt der Kondensator parallel zum Transistor, so wird der Transistor im spannungslosen Zu-
stand eingeschaltet. Beim Ausschalten begrenzt der Kondensator den Spannungsanstieg und
vermindert so die Ausschaltverluste. Auch hierbei handelt es sich um einen weichen
Schalterbetrieb, das Konzept wird mit Zero Voltage Switch (ZVS, Abb. 11-14c und d)
bezeichnet.

a) b) ZCS
i i
Der Transistorstrom iT kann in
iT iC iT iC a) nicht negativ werden, so
dass für einen
Vollschwingungsbetrieb in b)
eine zusätzliche parallele Diode
erforderlich ist.

c) d) ZVS
Die Spannung in c) kann nicht
negativ werden. Entfernt man
u u in c) die Diode, so liegt in d)
ein Vollschwingungsbetrieb
vor.

Abbildung 11-14 Grundkonfigurationen zum strom- bzw. spannungslosen Schalten

ZCS: Zero current switching


Schalten bei Strom Null, Ausschaltentlastung
ZVS: Zero voltage switching
Schalten bei Spannung Null, Einschaltentlastung
11.1 Schwingkreiswechselrichter 191

11.1.6 Anwendungsbeispiel zum stromlosen Schalten (ZCS)


Ein Beispiel für eine Schaltung mit einem stromlos schaltendem Transistor ist der Tiefsetz-
steller nach Abb. 11-15. Einzelheiten zur Schaltungen werden in Kapitel 18 erläutert.

uCE
iC L1 iL Abbildung 11-15
Tiefsetzsteller mit ZCS und
iD Halbschwingungsbetrieb
T L
iL sei konstant (iL = IL).
Ud C D uL
uR Die Energiesteuerung erfolgt
M R
über die Ansteuerfrequenz des
Transistors T.

À Ausgangssituation: In Abb. 11-15 sperrt T und D leitet, iL = IL = konstant.


Zum Zeitpunkt t = 0 wird der Transistor T eingeschaltet. Es beginnt die Kommutierung von D
nach T entsprechend Gl. (11-4). Die Zeitverläufe zeigt Abb. 11-16. Sobald der Transistor IL
übernommen hat, sperrt D und der Schwingkreis L1-C bestimmt den weiteren Stromverlauf.
Ud
iC ŏt iD I L ė iC Kommutierung D ĺ T (11-4)
L1

Die Energie der Drossel L1 lädt den Kondensator C. Schneidet der sinusförmig verlaufende
Kollektorstrom iC die Nulllinie, so sperrt T und der Resonanzkreis ist wieder abgeschaltet. Die
Periodendauer und Amplitude der überlagerten Schwingung berechnet sich mit Gl. (11-5).

T 2ˀ ʎ L 1 C ʒi
L U dŏ
ʎ C
L1
(11-5)

Der Kondensator C ist im Nulldurchgang von iC auf Ud + ǻu aufgeladen und wird


anschließend durch den eingeprägten Laststrom linear entladen. Die Zeit bis zum
Nulldurchgang (ǻt) ermittelt sich mit Gl. (11-6).
U dʅʧ u
ʧt Cŏ (11-6)
IL

Im Nulldurchgang von uL schaltet schließlich die Diode D ein und übernimmt wieder den
eingeprägten Laststrom IL. An T liegt jetzt wieder die Eingangsspannung Ud, der
Schaltzykklus ist beendet. Die Zeitverläufe der einzelnen Größen sind in Abb. 11-16
dargestellt. Durch erneutes Ansteuern von T kann ein neuer Zyklus ausgelöst werden [12].

À Die Einschaltzeit des Transistors ist durch die über L1 und C bestimmte Eigenfrequenz eine
feste Größe. Zur Leistungssteuerung kann daher nur die Pausenzeit TP über die Perioden-
dauer T gesteuert werden (Pulsfrequenzsteuerung).
192 11 Lastgeführte Stromrichter

2Ud

uL
ʧu
Ud

LC-Schwingkreis

Transistor leitend Diode leitend t


C wird entladen
Diode leitend

zu IL
iC
überlagerte
Schwingung

TP
IL

t
Stromnulldurchgang
iD des Transistors D ein IR
D aus
D aus

uCE Kommutierung
DäT
T ein Ud
T aus

t
T ein ʧu T ein

Abbildung 11-16 Elektrische Größen bei einem Schaltzyklus (Tiefsetzsteller)


193

12 Selbstgeführte Stromrichter

Unter selbstgeführten Stromrichtern versteht man Stromrichter zur Umformung von Gleich-
und Wechselströmen unter Verwendung abschaltbarer Bauelemente. Die Ventile können daher
ohne führendes Netz kommutieren. Selbstgeführte Stromrichter arbeiten als Wechselrichter
(WR) mit eingeprägter Spannung (UWR) oder mit eingeprägtem Strom (IWR). Wir betrachten
zunächst 1-phasige Wechselrichterschaltungen.

12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR)


1-phasige Wechselspannungen werden durch Mittelpunktschaltungen (Abb. 12-1 a und b) oder
durch eine Brückenschaltung (Abb. 12-1d) erzeugt. Der Vorteil von Mittelpunktschaltungen
liegt im Vergleich zur Brückenschaltung in der geringeren Anzahl an Halbleiterventilen,
wodurch speziell bei kleinen Leistungen ein günstiger Wirkungsgrad erreicht werden kann.
Der für Mittelpunktschaltungen erforderliche Spannungsmittelpunkt kann von der Gleich-
spannungsseite z. B. über einen kapazitiven Spannungsteiler nach Abb. 12-1b oder nach Abb.
12-1a über den Ausgangstransformator bereitgestellt werden. Der Transformator ist zur
Spannungsanpassung und Potenzialtrennung ohnehin erforderlich.
a) b)
uUV
uUV
Ud C
2 +1
Ud S
+1 -1
-1
Ud Ud
S 2 C

c) d)
uUV
uUV
Ud · ü
+1 +1
t Ud SV
SU
-1 -1
-1 +1 s
+1/-1 -1/+1 sU /sV

Abbildung 12-1 Mittelpunktschaltungen mit gleich- und wechselspannungsseitigem Mittelpunkt

Die Ausgangsspannung uUV (Abb. 12-1c) bildet hier ein symmetrisches Rechteck, dessen
Effektivwert von Ud bzw. dem Windungszahlverhältnis ü des Trafos abhängt. Die Frequenz
folgt aus der Schaltfrequenz der Umschalter (s bzw. sU und sV). Zur Erzielung sinusförmiger
Ausgangsspannungen ist zusätzlich ein Sinusfilter vorzusehen.
194 12 Selbstgeführte Stromrichter

12.1.1 Mittelpunktschaltung mit AC-seitigem Mittelpunkt


Auf der Lastseite sind im Allgemeinen induktive Komponenten vorhanden, welche plötzliche
Stromänderungen verhindern. Die Abschaltung eines Ventils würde daher zu hohen Über-
spannungen führen. Deshalb sind zusätzlich die Dioden D1 und D2 vorzusehen, welche einen
Freilaufkreis ermöglichen. Damit der Primärstrom unmittelbar zwischen den Wicklungshälften
ohne Überspannungen wechseln kann, muss die Primärwicklung streuungsfrei ausgeführt sein.

L R Ausgangssituation: i2 = 0

uL uR Der Schalter S1 wird geschlossen.


U uUV (< 0) V
N2 i2 Die Spannung uUV ist über das Windungs-
zahlverhältnis N1:N2 mit der Gleichspan-
1 i1 uP N1 nung Ud verknüpft (uUV < 0, i2 > 0).
id Der Laststrom i2 zeigt mit der Lastzeitkon-
S1 S2 stanten L/R einen exponentiellen Verlauf.
Ud
D1 D2

L R S1 wird geöffnet, S2 geschlossen.


Beim öffnen von S1 ändert uL die Polarität
uL uR und hält i2 aufrecht. Die primäre Teilspan-
U uUV V
N2 i2 nung uP überschreitet dabei Ud und schaltet
die Freilaufdiode D2 ein, wodurch auch i1
2 N1 weiter fließt.
uP i1
id À Der Strom i1 ist vom Schalter S1 auf die
Freilaufdiode D2 kommutiert
S1 S2
Ud À der Energiefluss ist umgekehrt.
D1 D2
À S2 ist noch stromlos.

L R Unter dem Einfluss von Ud ändert i1 seine


Richtung. Nach dem Stromnulldurchgang
uL uR von i1 blockiert D2 und der Strom i1 wird
U uUV V
N2 i2 von Ud über S2 weitergetrieben
(uUV > 0, i2 > 0).
3 N1 i1 À Der Strom i1 ist von der Freilaufdiode
uP
id D2 auf den Schalter S2 kommutiert.
S1 S2
Ud
D1 D2

Abbildung 12-2 Schaltermodell des 1-phasigen Wechselrichters mit ohmsch-induktiver Last


12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR) 195

Die Ausgangsspannung uUV ist näherungsweise rechteckförmig. Die Amplitude ist von der
Gleichspannung Ud und dem Übersetzungsverhältnis des Transformators abhängig. Auf der
Primärseite fließt i1 über unterschiedliche Pfade, die in Abb. 12-2 dargestellt sind.

12.1.2 Ausführungsbeispiel mit Thyristorschalter


Werden die Schalter in Abb. 12-2 durch Thyristoren realisiert, so erhält man zunächst die
Schaltung nach Abb. 12-3. Hierin ist auch der Kondensator CK zur Bereitstellung der erfor-
derlichen Kommutierungsspannung für die Thyristoren T1 und T2 dargestellt.
uUV uUV
U V U V

D11 D21

D1 D2
CK CK
T1 T2
Ud Cd T1 T2 Ud D1 D2
Cd

LK

Grundschaltung Verbesserte Schaltung


Der Kondensator CK ist auf 2Ud aufgeladen. Die Dioden D11 und D22 verhindern eine
ungewollte Kondensatorentladung, die Induk-
tivität LK verhindert den Einfluss von D1 und
D2 auf die Thyristor-Kommutierungen.
Abbildung 12-3 Selbstgeführter Thyristorwechselrichter
Um zu vermeiden, dass sich der Kondensator CK im Löschaugenblick über die Freilaufdioden
D1 bzw. D2 über einen Kreisstrom iKreis entladen kann, ist eine Kommutierungsdrossel LK er-
forderlich. LK wirkt auch auf die Stromübergabe zwischen Thyristor und Freilaufdiode, die
dadurch verzögert wird. Die Dioden D11 und D21 sollen ein vorzeitiges Entladen von CK ver-
hindern. Die Wirkungsweise soll ausgehend von Abb. 12-4 betrachtet werden (T2 leitet).
uUV
Abbildung 12-4
Ȋ iU L R 1-phasiger WR mit AC-seitigem Mittelpunkt und
U V Kommutierungseinrichtungen

Ausgangssituation: T2 leitet, uCK = 2Ud, uUV > 0.


D11 CK D21
D1 D2
T1 uCK T2
Ud
Cd

LK
196 12 Selbstgeführte Stromrichter

In Abb. 12-5 wird T1 wird gezündet. CK löscht T2. Der Strom ist von der Induktivität L der
Lastseite eingeprägt und fließt daher weiter über T1 und CK. Dabei wird CK umgeladen. Es
fließt zusätzlich ein Kreisstrom iKreis über D2-D21-CK-T1, welcher sich zum Laststrom in CK-
T1-LK überlagert.
uUV
Abbildung 12-5
L R Thyristorkommutierung mit anschließender
ȋ Umladung von CK
À Der Löschstrom fließt nur für kurze Zeit
und ändert die Kondensatorspannung
uCK praktisch nicht.
uCK
Ud D1 À uCK baut über D2 den Kreisstrom iKreis
iLÖSCH
Cd T1 T2 D2 auf.
À An der Primärwicklung des
LK iKreis Transformators wirkt die Spannung uP.
uP = Ud + uCK

Ist CK soweit umgeladen (Nulldurchgang von uCK), dass sich der Kreisstrom durch D2 um-
kehren will, so verlöschen D2 und D21. Der Strom wechselt auf D1, wodurch die Durchflutung
des Transformators auf die andere Wicklungshälfte wechselt (Abb. 12-6). Der Gleichstrom id
wechselt dadurch seine Richtung und es wird Energie zur Gleichstromquelle übertragen
(Rückspeisung).
uUV
Abbildung 12-6

L R
Rückspeisemodus, uUV < 0, iU > 0

Ȍ À Die Last speist Energie in die


Gleichspannungsquelle zurück.
CK À Der Kreisstrom iKreis baut sich in der
D2 Praxis langsam über ohmsche Verluste
Ud D1 uCK und Durchlassspannungen an den
T1 T2 Ventilen ab.
Cd

iKreis
LK

Dieser Zustand dauert solange, bis der (induktive) Verbraucherstrom unter dem Einfluss der
Spannung uUV seine Richtung ändert. Dann ändert sich die Durchflutungsrichtung des Trans-
formators, die Freilaufdiode D1 sperrt und T1 führt den Strom allein (Abb. 12-7). Bei der
Stromübergabe an den Ventilen D1 und T1 wirkt sich die Induktivität LK nachteilig aus.
Deshalb wird LK mit bei praktischen Anlagen einer Mittelanzapfung ausgeführt (Saugdrossel).
Der Kreisstrom sollte vollständig abgebaut werden.
12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR) 197

uUV
Abbildung 12-7
Ende der Kommutierung
L R
Der Laststrom iU hat seine Richtung umge-
ȍ kehrt, womit die Kommutierung abge-
schlossen ist. Es gilt: uUV < 0, iU < 0.
CK
À Der Kondensator CK ist mit der
dargestellten Polarität löschbereit für
T1 uCK T2 die Ablösung von T1 durch T2. (uCK = 2
Ud D1 Ud)
D2
Cd

LK

Die vollständige Periode der Ausgangsspannung uUV und des Stromes iU zeigt Abb. 12-18.
Die Spannung uUV ist idealisiert rechteckförmig dargestellt. Der Einfluss der Kondensator-
spannung uCK in Abb. 12-5 ist somit vernachlässigt. Der Verlauf von iU entspricht daher einer
Exponentialfunktion mit der Zeitkonstanten ˃L. Die Höhe des Effektivwertes der Ausgangs-
spannung (UUV) kann über die Eingangsspannung Ud und das Übersetzungsverhältnis des
Transformators eingestellt werden. Die stets vorhandene Streuinduktivität des Transformators
sollte so klein wie möglich sein, da sie zu einer Vergrößerung der Zeitkonstanten ˃L führt.

N2 ˃L
ʅU d ŏ
N1
u UV iU Rückspeisung

0
t

N2
ėU d ŏ
N1
Ȋ Ȍ ȍ
ȋ
Abbildung 12-8 Ausgangswechselspannung (idealisiert) uUV und Ausgangsstrom iU (Die Zahlen-
angaben beziehen sich auf die entsprechend gekennzeichneten Schaltbilder.)
198 12 Selbstgeführte Stromrichter

12.1.3 3 phasige Brückenschaltungen


Als Beispiel für eine Brückenschaltung wird eine 3-phasige Wechselrichterschaltung vorge-
stellt. Den prinzipiellen Aufbau der 3-phasigen Wechselrichterschaltung mit Einspeisestrom-
richter (ESR) und Zwischenkreiskondensator (UZK) zeigt Abb. 12-9. Die Phasenspannung uU
und die Leiterspannung uUV wird mit den Schaltfunktionen sU, sV und sW nach Gl. (12-1)
bzw. (12-2) hergeleitet. Näheres dazu siehe Kap. 13.1.7.1. In Tab. 12.1 sind die Schaltzustände
des Wechselrichters mit den entsprechenden Spannungen uU und uUV aufgelistet.

u1 Phasenspannung
+1 SU uU
iU
Ud
u2 Cd 2
ė1 +1 SV uUV
iV
0 K
u3 ė1 +1
Cd iW
Ud
SW
N 2 ė1 Mittelpunkt-
spannung
uW0

ESR UZK Wechselrichter


Abbildung 12-9 Schaltermodell des 3-phasigen U-Wechselrichters (UWR) mit symmetrischer Last

Tabelle 12.1 Schalterstellungen und Spannungen (uUV, uU) des UWR


ʱ SU SV SW uUV uU
Grad Ud U d 3

1 0 - 60 +1 -1 +1 1 1
2 60 - 120 +1 -1 -1 1 2
3 120 - 180 +1 +1 -1 0 1
4 180 - 240 -1 +1 -1 -1 -1
5 240 - 300 -1 +1 +1 -1 -2
6 300 - 360 -1 -1 +1 0 -1

Ud
u UV ʛs U ė sV ʜŏ (12-1)
2

sV sW Ud
uU ʛ sU ė ė ʜŏ (12-2)
2 2 3
12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR) 199

In Abb. 12-10 sind die Zeitverläufe der Ausgangsspannung des UWR dargestellt. Für die
Phasenspannungen wurde ein symmetrischer Verbraucher angenommen. Die Kennwerte der
Spannungskurvenform sind in Tab. 12.2 angegeben. Die Betriebsart des Wechselrichters wird
wegen der blockförmigen Spannung als Grundfrequenz- oder Blocktaktung bezeichnet.

u
Ȋ ȋ Ȍ ȍ Ȏ ȏ
uUV
uU Ud

ˈt


u uVW
uV

ˈt

u
uWU
uW

ˈt

Abbildung 12-10 Ausgangsspannungen des UWR mit symmetrischer Last

Tabelle 12.2 Ausgangsspannungen des UWR

verkettete Spannung Phasenspannung


uʒ UV,1 2 ʎ3 uʒ U,1 2
Scheitelwert 1,103 0,637
Ud ˀ Ud ˀ

Effektivwert der U UV,1 ʎ6 U U,1 ʎ2


0,780 0,450
Grundschwingung Ud ˀ Ud ˀ

U UV UU
ʎ2
Effektivwert
Ud ʎ 2
3
0,816
Ud 3
0,471
200 12 Selbstgeführte Stromrichter

12.1.3.1 Betrieb mit passiver Last


Für eine idealisierte Betrachtung wird die Spannung uU entsprechend Abb. 12-10 als treppen-
förmige Zeitfunktion übernommen. Hierbei überträgt die sinusförmige Grundschwingung die
Wirkleistung während die Spannungsoberschwingungen Verzerrungsanteile im Strom und
damit zusätzliche Verluste erzeugen. Die Aufteilung in Grund- und Oberschwingungen wird
durch zwei Spannungsquellen in Abb. 12-11 symbolisiert. Als passive Last wird eine symme-
trische R-L-Schaltung angenommen. Die Spannungsquellen stellen die Mittelpunktspannung
uU nach Abb. 12-10 bereit. Das Ergebnis zeigt Abb. 12-12.

Abbildung 12-11
iU RS L˂
uU,OS Vereinfachtes Simulationsmodell
für eine passive R-L-Last am UWR
uU
uU,1

iU
Abbildung 12-12
Phasenstrom- und Spannung
bei passiver RL-Last im
uU stationären Zustand

ˈt

12.1.3.2 Betrieb mit einer Drehfeldmaschine


Die Drehfeldmaschine wird im Allgemeinen mit einem konstanten magnetischen Fluss ʥʯʡ
betrieben. Der Stromrichter wird dazu so gesteuert, dass sich an den Maschinenklemmen bei
jeder Drehzahl ein konstantes Verhältnis U/f ergibt. Zur Beschreibung der elektrischen Ver-
hältnisse aus Sicht des Stromrichters genügt ein Ersatzschaltbild nach Abb. 12-13.
iU RS L˂ Abbildung 12-13
1-phasiges Ersatzschaltbild einer
Drehfeldmaschine am Beispiel einer
uU eU ASM (Phase U, rotorflussbezogen)

Die Herleitung diese Ersatzschaltbildes ist in [4] erläutert. Aufgrund der schaltenden Arbeits-
weise des Wechselrichter sind in der Spannung uU neben der erwünschten Grundschwingung
12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR) 201

uU,1 auch viele, von der Taktung des Wechselrichters abhängige Oberschwingungen uU,OS
enthalten. Im Ersatzschaltbild nach Abb. 12-14 sind dafür 2 Spannungsquellen vorgesehen.

ʧu
Abbildung 12-14

UWR-gespeiste Drehfeldmaschine,
iU RS L˂
uU,OS vereinfachtes 1-phasiges Simulations-
modell einer Phase zur Ermittlung der
uU eU Stromkurvenform iU
M
uU,1
uU,1: Grundschwingung
uU,OS: Oberschwingungen

Während die Spannungs-Grundschwingung UU,1 für das Drehmoment der Maschine und die
übertragene mechanische Leistung zuständig ist, erzeugen die Oberschwingungen Verzer-
rungsströme, wodurch Pendelmomente, und zusätzliche Verluste in der Maschine entstehen.
Die Abweichung der Spannung von der Sinusform ist beschrieben durch ʧu nach Gl. (12-3).
Die Spannung ʧu liegt an der Maschinenimpedanz und verzerrt die Stromkurvenform.
ʧu uU ė eU (12-3)
Im Phasenstrom nach Abb. 12-15 kann der Einfluss der Spannungsoberschwingungen bei
Grundfrequenztaktung auf den Stromverlauf als Abweichung von der erwarteten Sinuskurven-
form beobachtet werden. Für die Stromkurvenform ist der Einfluss des ohmschen Widerstand
RS im Vergleich zu dem induktiven Widerstand (ˈL˂) vernachlässigbar.
Während die oberschwingungsabhängigen Stromkomponenten durch die Wechselrichtertak-
tung stets die gleiche Phasenlage behalten, verschiebt sich lastabhängig die Stromgrund-
schwingung, wodurch in der Summe eine veränderte Stromkurvenform auftritt. Der
Scheitelwert îU steigt bei dieser Betriebsart typisch über das zweifache des Effektivwertes an
(crest factor).
uU
ˍ iU,1
eU
iU

ˈt

ʧu

ˈt

Abbildung 12-15 Phasenstrom und -spannung bei aktiver Last (Motorlast)


202 12 Selbstgeführte Stromrichter

12.1.3.3 Wechselrichter mit Phasenfolgelöschung


Zur Erzeugung eines Drehspannungssystems nach Abb. 12-10 kann ein Phasenfolgewechsel-
richter nach Abb. 12-16 eingesetzt werden. Dieser Wechselrichter ist mit Thyristoren bestückt.
Derartige Umrichter werden heute wegen der Verfügbarkeit abschaltbarer Bauelemente (GTO,
IGBT) nicht mehr hergestellt, sind aber noch im Einsatz. Die Schaltung nach Abb. 12-16
macht auch deutlich, welchen Vereinfachungen der Einsatz abschaltbarer Bauelemente bietet.
Die Thyristorlöschung erfolgt bei diesem Wechselrichter über die Spannung eines
Kondensators durch Zündung der Folgephase. Während der Ventilablösung werden die
Kondensatoren so umgeladen, dass anschließend die nächste Phase gelöscht werden kann.

C Abbildung 12-16
T1 D1 T3 D3 T5 D5
C35 Wechselrichter mit
Phasenfolgelöschung
C13 C51
Ausgangssituation:
iU sei eingeprägt.
D10 D30 D50
L13 iU fließt C-T1-D10-L13-U von
U0 Cd
dort über die Last und über W-T2
D40 D60 D20 zurück nach D.

Ablauf:
C46 C62 Durch Ansteuerung von T3 soll
C24 T1 abgeschaltet werden.
T4 T6 T2 À Die Spannung von C13 muss
D so gepolt sein, dass beim
D4 D6 D2
Ansteuern von T3 T1 sofort
iU
U V W abschaltet.

Ansteuern von T3 (uC13 > 0):


C
T1 D1 T3
C35 Beim Zünden von T3 geht iU schlagartig
C13 von T1 auf T3 über. Anschließend fließt iU
C51
über T3-C13-D10-L13-U. C13 wird durch iU
D10 L13 D30 umgeladen. Die Ventilspannung am
U0 Cd abgeschalteten Ventil T1 ist gleich uC13 und
bleibt zunächst kleiner 0. Hierdurch wird
die Thyristor-Schonzeit tS sichergestellt. L13
verhindert eine vorzeitige Entladung von
C13 über die Diode D1-T3-C13-D10.
D4
D

U V W
12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR) 203

Kommutierung T3-D4:
C
T1 D1 T3
C35 Sobald uC13 auf íU0 umgeladen wurde, kann
C13 D4 leitend werden und es erfolgt ein über-
C51 lappender Stromübergang mit abnehmendem
D10 L13 D30 iC13 und zunehmendem iD4 bis iC13 Null wird.
U0
Cd (Für die Leitbedingung von D4 (uD4 > 0) ist die
D40
Maschengleichung íU0 í uC13 í uD4 = 0 nach uD4
aufzulösen.)

D4
D

U V W

C Endzustand:
T1 D1 T3

C13 C35 iU fließt über DíD4íL13íU und von dort über


C51 die Last und T2 nach D. Durch Zündung von
D10 L13 D30 T3 ist iU von T1 auf D4 gewechselt. Im Schal-
U0 termodell nach Abb. 12-9 entspricht dies einer
Cd
Änderung der SU-Schalterstellung von +1
nach í1.

D4
D

U V W

Für eine endliche Schonzeit für T1 muss C13 langsam umgeladen werden. Hierfür ist die In-
duktivität L13 vorgesehen. Die Kommutierungsmittel C13 und L13 zusammen mit der Spannung
uC13, der beim Ansteuern von T3 vorhanden ist, sichern den Stromübergang T1 nach D4. Am
Ende dieses Stromüberganges ist uC13 negativ. Bei den folgenden Stromübergängen in der 3-
phasigen Schaltung wird uC13 umgeladen, so dass am Ende des Abschnittes, in dem T1 Strom
führt, uC13 wieder positiv ist.
À Die Ventilablösung erfolgt unabhängig von den Maschinenparametern. Der UWR mit
Phasenfolgelöschung ist daher für variable Lastimpedanzen geeignet.
204 12 Selbstgeführte Stromrichter

12.2 Wechselrichter mit eingeprägtem Strom (IWR)


12.2.1 Prinzip
Dieser Wechselrichter schaltet den in der Induktivität Ld eingeprägten Gleichstrom an die
Motorphasen weiter. Wegen des eingeprägten Stromes ist das Motormoment, welches
proportional zum Strom ist, nur über den Eingangsstromrichter steuerbar. Mit Rücksicht auf
den schlechten Leistungsfaktor des Eingangsstromrichters wird der Wechselrichter mit
eingeprägtem Strom für neue Anlagen mit Wechsel- oder Drehstromeingang nur noch selten
eingesetzt, jedoch:
À Wegen des eingeprägten Stromes hat dieser Wechselrichter eine hohe Kurzschluss-
sicherheit.
À Die Stromsteilheiten sind durch die Systemeigenfrequenzen begrenzt. Dies wirkt sich
günstig aus hinsichtlich der elektromagnetischen Verträglichkeit.
À Der eingeprägte Gleichstrom Id erlaubt durch Polaritätsumkehr der Zwischenkreisspannung
eine direkte Netzrückspeisung. Diese Eigenschaft kann nach Abb. 12-17 mit einer kosten-
günstigen netzgeführten B6-Gleichrichterschaltung realisiert werden.

Ld Id
u1

1 5 uUK
3 iU
u2
iV uUV
K
iW
u3
6
4 2
Last

Eingangsstromrichter (ESR) IZK Wechselrichter


Abbildung 12-17 IWR mit Eingangsstromrichter (ESR) und symmetrischer Last

Tabelle 12.3 Schalterstellungen und Ströme des IWR

ʱ S+ S- IU IV IW
Grad Id Id Id

1 0 - 60 1 6 1 í1 0
Die Winkelangaben
2 60 - 120 1 2 1 0 í1 für ʱ beziehen sich
3 120 - 180 3 2 0 1 í1 auf die Darstellung
in Abb. 12-18
4 180 - 240 3 4 í1 1 0
5 240 - 300 5 4 í1 0 1
6 300 - 360 5 6 0 í1 1
12.2 Wechselrichter mit eingeprägtem Strom (IWR) 205

iU 1 2 3 4 5 6 Abbildung 12-18

Id Ausgangsströme des
IWR (ideal)
ˈt

iV

ˈt

iW

ˈt

Abb. 12-18 zeigt die Ströme in idealisierter Form. Dafür gelten die Kennwerte nach (12-4).

ʒi 2ʎ 3
Scheitelwert U,1 ŏI d 1,103 I d
ˀ
Grundschwingungseffektivwert I U,1 ʎ 6ŏI 0,780 I d (12-4)
ˀ d

Effektivwert IU =
ʎ 2
ŏI
3 d
= 0,816 I d

Eine Umschaltung der Ströme ist wegen der in den Streuinduktivitäten gespeicherten Energie
nur mit begrenzter Stromsteilheit zulässig. Eine Nachbildung von iU durch entsprechende
Rechteckströme (analog zum UWR) ist daher zur Ermittlung von uU nicht sinnvoll. Um die
Spannungsbelastung durch die induzierte Spannung prinzipiell darzustellen wird der Motor-
strom iU deshalb in Trapezform nachgebildet. Abb. 12-20 zeigt den Stromverlauf als Synthese
mehrerer Sinusschwingungen. Eine Ermittlung der Spannungen uL und uR ist daher einfach
durch Überlagerung der einzelnen Oberschwingungen möglich. Das Ergebnis zeigt ebenfalls
Abb. 12-20. An der Phasenspannung uU ist der Einfluss der Maschineninduktivität L˂ bei der

ʧu Abbildung 12-19
iU
R L
IWR-gespeiste Drehfeldmaschine
iU,OS iU,1 d iU 1-phasiges, vereinfachtes Simu-
u R Rŏi U u L Lŏ lationsmodell zur Ermittlung der
uU dt Spannung uU.
eU
206 12 Selbstgeführte Stromrichter

Änderung von iU deutlich zu erkennen. Die Höhe der Überspannung, hier als ʧu bezeichnet,
ist direkt proportional zur Steilheit von iU.

uU

ˈt

uL

ˈt
A

iU Id

ˈt
ʧt
Abbildung 12-20 Strom- und Spannungsverläufe einer Maschinenphase

Die zur Änderung der magnetischen Energie in den Maschinenwicklungen erforderliche Span-
nungszeitfläche A ist abhängig von der Induktivität L˂ und dem Spulenstrom Id. Unter der
Annahme einer linearen Stromabnahme ist uL während ʧt konstant. Wenn ʮ den in der In-
duktivität gespeicherten magnetischen Fluss darstellt, dann gilt folgender Zusammenhang:

ʮ ĩ u L d t Flussabbau in ʧ t bedeutet: ʧ ʮ uL ʧt L˂ ʧ I d
1 (12-5)
Erforderliche Zeit: ʧt L I ( uL = konstant)
uL ˂ d

Je schneller der Spulenstrom abgebaut werden soll, desto höher muss uL sein. Beim Strom-
zwischenkreiswechselrichter, wie z. B. dem Phasenfolgewechselrichter nach Abb. 12-21, wird
die Spannung uL über entsprechend geladene Kondensatoren bereitgestellt. Der Verlauf von
Strom und Spannung wird dann mit der von L˂ und C bestimmten Eigenfrequenz 1 L˂ C ʎ
erfolgen. Die Spannungshöhe ist proportional zu L ˂ C . Für eine Phasenspannung stellt sich
ʎ
damit ein ähnlicher Verlauf wie in der vereinfachten Schaltung nach Abb. 12-20 ein.
Anmerkung: Es wird nur die Energie des Streufeldes einer Ständerwicklung (symbolisiert
durch L˂) geändert. Der magnetische Hauptfluss in der Maschine ändert als Flusszeiger ʯ
durch die Umschaltungen des Wechselrichters nur seine Winkellage (Drehfeld).
12.2 Wechselrichter mit eingeprägtem Strom (IWR) 207

12.2.2 Wechselrichter mit Phasenfolgelöschung


Nach dem Prinzip der Phasenfolgelöschung wird der Strom vom gerade leitenden Ventil zum
nächsten Ventil kommutiert. Die in den Streuinduktivitäten der Maschine gespeicherte Energie
wird mit der Eigenfrequenz von den Wechselrichterkondensatoren aufgenommen. Durch die-
sen Energieaustausch entstehen an den Kondensatoren kurzzeitig Überspannungen. Zur De-
monstration der Arbeitsweise wird hier der Stromübergang von T1 auf T3 besprochen. Die
Ausgangssituation zeigt Abb. 12-21.
Ld Id Abbildung 12-21
C T 1 C1 T 3 C3 T5 Wechselrichter mit eingepräg-
tem Strom und Phasenfolgelö-
schung

Ausgangszustand:
C5
D1 D3 D5 U iU eU der Strom Id fließt über T1-D1

zur Klemme U und von
eV Klemme W über D2-T2.
V iV L˂

eW
W iW L˂

D4 D6 D2

T4 T6 T2
D

Der Strom Id fließt über C-Ld-T1-D1-U-W-D2-T2-D. Die Kondensatoren der oberen Brücken-
hälfte sind in der dargestellten Polarität aufgeladen, d. h. die Schaltung ist für den Stromüber-
gang T1 - T3 löschbereit.

1 (Zündung von T3) 2 (C-Umladung)

T1 uC1 T3
C3
T1 uC1 T3
C3
D1 C5 D3 U iU L eU
˂
D1 C5 D3 U iU L eU
V iV L˂ eV ˂

eW V iV L˂ eV
W i W L˂

D2 W iW L˂ eW

D2
208 12 Selbstgeführte Stromrichter

3 (Diodenkommutierung) 4 (Ventilablösung beendet)

T1 uC1 T3
C3 T1 uC1 T3
C3

D1 C5 D3 U iU L eU
˂ D1 C5 D3 U iU L eU
˂
V iV L˂ eV
V iV L˂ eV
W iW L˂ eW
W iW L˂ eW
D2
D2

Thyristor-Kommutierung. Durch Zünden von T3 wird unter Wirkung von uC1 der
Laststrom I von T1 auf T3 kommutiert. D3 ist wegen uC1 í uVU < 0 in Sperrrichtung
1 beansprucht und kann den Strom noch nicht übernehmen. Bei dieser schnell ablaufen-
den Thyristor-Kommutierung bleiben die Kondensatorspannungen nahezu un-
verändert.
Nachdem T1 gelöscht ist, fließt der Strom über T3 sowie die Kondensatoren und die
weiterhin leitende Diode D1. In der Kondensatorgruppe ist C1 mit der
Reihenschaltung von C2 und C3 parallel geschaltet. Die resultierende Kapazität
2 beträgt (3/2) C, wenn C die Größe der Einzelkapazität ist. Die Kondensatoren führen
den Strom iC1 = (2/3) I bzw. iC3 = iC5 = í(2/3)I und werden linear umgeladen. Die
Spannung uC1 liegt an dem gelöschten Thyristor T1 als Sperrspannung und bestimmt
seine Schonzeit tC.
Sobald die Kondensatorspannung uC1 den Augenblickswert der Leiterspannung uVU
am Lastkreis überschreitet, wird die Diodenspannung uD3 = uC1 í uVU > 0 und die
Diode D3 wird stromführend. Danach besteht über die Dioden D1 und D3 ein
Schwingkreis, der zwei Stränge des Lastkreises und die Kapazität (3/2)C enthält. Der
weiterhin konstante Laststrom I geht in einem zweiten Kommutierungsabschnitt, der
3 Diodenkommutierung auf den Zweig 3 über. uVU ist gleich der Kondensatorspannung
uC1 und überschreitet deutlich den Scheitelwert der induzierten Spannung. Nach Ab-
lauf der Diodenkommutierung sind die Kondensatoren stromlos, ihre Spannungen
sind gegenüber dem Kommutierungsbeginn zyklisch vertauscht. Der Brückenzweig 3
führt den Laststrom I, bis im Abstand T/3 = 2/3 auf der betrachteten Brückenseite die
nächste Kommutierung eingeleitet wird.
Aus dem Ladezustand der Kondensatoren lässt sich auch eine Rückkommutierung
einleiten (von 3 auf 1). Es ist also auch eine Umkehr des Drehsinns möglich. Durch
4
mehrmaliges Wechseln zwischen zwei Zweigen ist auch ein Pulsen des Laststromes
möglich (Zwischentakten).

Kennzeichnend für den I-Wechselrichter ist die hohe Spannungsbeanspruchung der Ventil-
zweige und des Lastkreises durch die während der Kommutierungen auftretenden Spannungs-
spitzen. Am Ende der Kommutierung haben die Kondensatoren die Energie von L˂ aufgenom-
12.2 Wechselrichter mit eingeprägtem Strom (IWR) 209

men, wodurch sich die Lastkreisspannung in Abb. 12-22 um den Betrag ʧu über den
stationären Augenblickswert erhöht.

ʎ
2L
˂
ʧu I dŏ (12-6)
3
C
2
Mit diesem Endwert der Kondensatorspannung werden auch die Thyristoren zusätzlich bean-
sprucht. Bei leitender Diode D3 ermittelt sich die Diodenspannung uD1 zu:
u D1 u VU ė u C1 (12-7)

ʧu
Schnittpunkt von
uC1 und uVU
uVU
- D3 leitet
ʧu U0
uU 2
uV

ˈt

ˈtC

U0
ť
Diodenkommutierung D1 ä D3
Schwingkreis: D1-U-V-D3-Cges
uC1
Ť Ŧ
C-Umladung Im Stromnulldurchgang des
(linear) iU D1 Diodenstromes ist die Dioden-
T1 kommutierung beendet.
D1 sperrt und D3 leitet.
ţ
ˈt
Thyristorkommutierung
iV
T1 äT3 T3
D3
ˈt
Abbildung 12-22 Spannungs- und Stromverläufe für die Kommutierung von T1 - T3
210 12 Selbstgeführte Stromrichter

Der Spitzenwert ûD1 liegt erheblich über der Kondensatorspannung. Die Bemessung der
Löschkondensatoren wird deshalb auf eine geringe Spannungsbeanspruchung der Ventile
ausgerichtet und führt gegenüber vergleichbaren U-Wechselrichtern zu mehrfach größeren
Kapazitäten. Bei bekannter Schaltungsdimensionierung kann durch Messung von ǻu mit Gl.
(12-6) auf die Motor-Streuinduktivität Lı geschlossen werden.
Die erreichbare Schonzeit tC für die Thyristoren berechnet sich nach Abb. 12-22 und Abb.
12-23 mit Gl. (12-8).
3C U 0
tC (12-8)
2 Id

Für die Schonzeit tC ergeben sich relativ große Werte. Wegen der geringen Anforderungen an
die Freiwerdezeit können daher einfache Netzthyristoren eingesetzt werden.

uT1
Abbildung 12-23
uT1 C Verlauf der Ventilspannung zur
tC
I Berechnung von tC nach Gl. (12-8)
U0
Während der Umladung ist uT1 = uC.
t C C
U0 3
C ges C
2

À Da jede Kommutierung über zwei Stränge des Lastkreises verläuft, gehen die Daten der
Last in die Schaltungsbemessung ein. Daraus folgt, dass die Schaltung nicht für veränder-
liche Belastungsimpedanzen geeignet ist. Sie wird einem Lastkreis fest zugeordnet.
À Der Laststrom hat durch die harmonischen Kommutierungsvorgänge cosinusförmige
Flanken.
À Für die Kondensatorumladung ist ein Mindeststrom erforderlich. Die Schaltung ist daher
nicht leerlauffest.
À Ausgeführte I-Wechselrichter erreichen Ausgangsfrequenzen bis 150 Hz.
Vergleicht man den Schaltungsaufbau des Wechselrichter für eingeprägten Strom nach Abb.
12-21 mit dem Wechselrichter für eingeprägte Spannung nach Abb. 12-16, so zeigen sich
folgende Unterschiede:
À Der IWR benötigt keine Freilaufdioden.
À Der IWR benötigt keine zusätzlichen Induktivitäten.
211

13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR


Wegen der Bedeutung des Wechselrichters mit eingeprägter Spannung (UWR) wird im
Weiteren die Wirkungsweise des UWR vertiefend behandelt. Wir unterscheiden in Abb. 13-1
Wechselrichter in Zwei- und Dreipunkttechnik sowie Multi-level-Wechselrichter.

Zweipunkt-WR (2-level-inverter) Schaltermodell

uU0 Ud
Ud 2 SU
2 U
t Ud
uU0
2

Dreipunkt-WR (3-level-inverter)

uU0 Ud
Ud 2 SU
2 U

t Ud
uU0
2

Multi-level-inverter (4-level-inverter)

uU0
Ud Ud Ud
t 3 SU
6 2
Ud
U
3

Die Spannung uU0 kann bei dem hier dargestellten Ud uU0


Brückenzweig eines 4-level-inverters 4 Werte annehmen.
3 0
Die Spannungsstufung kann durch weitere Kondensatoren
noch feiner eingestellt werden. 0

Abbildung 13-1 Arten von Wechselrichtern mit eingeprägter Spannung (UWR)


212 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter)


Zur Beschreibung der Betriebsweise eines Stromrichters in Zweipunkttechnik wird die
Mittelpunktschaltung nach Abb. 13-2 als Universalschalter betrachtet. Die Last liegt zwischen
den Mittelpunkten des Brückenzweiges U und des Zwischenkreises 0 (Bezugspotenzial). Die
Zwischenkreisspannung Ud und der Ausgangsstrom iU seien für den betrachteten Zeitraum
konstante Größen, symbolisiert durch eingangsseitiges C und ausgangsseitiges L.

id+ id+
Ud Ud
2 SU+ 2 SU+
C+ C+

L iU
U
iU U

Ud SU– Ud SU–
2 uU0 2 uU0
C– C–

id– id–
0
0

Abbildung 13-2 Brückenzweig für eine 2-Punkt Mittelpunktschaltung


links: idealisierte Elemente, rechts: Ersatzschaltung mit zwei Schaltern

Die beiden rückwärts leitenden Schaltelemente SU+ und SUė bilden zusammen den Brücken-
zweig, der sich in insgesamt vier Schaltzuständen befinden kann.

1 2 3 4

SU+
SU+ SU+ SU+ iU < 0

iU > 0
SU–
SU– SU– SU–

1. Der Strom fließt unabhängig von seinem Vorzeichen im oberen Schaltelement SU+ und
die Ausgangsspannung uU0 beträgt Ud /2.
2. Der Strom iU fließt unabhängig von seinem Vorzeichen im unteren Schaltelement SA–
und die Ausgangsspannung uU0 beträgt -Ud/2.
13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter) 213

3. Dieser Zustand würde den Zwischenkreis kurzschließen (verboten).


4. Der Strom iU fließt je nach Vorzeichen im oberen oder im unteren Schaltelement. Die
Polarität der Spannung uU0 ist demzufolge abhängig von der Stromrichtung. Dieser
Zustand tritt im Betrieb nur während der Verriegelungszeit der Transistoren auf.
Betriebsmäßig werden nur die Zustände 1 und 2 benutzt. Es ist also jederzeit eines der beiden
Schaltelemente eingeschaltet und das andere ausgeschaltet.

13.1.1 Schaltfunktionen

Tabelle 13.1 Schaltfunktion


Symbol Stellung sU

1 offen 0
2 geschlossen 1

Ordnet man den Schalterstellungen 1 und 2 eine Schaltfunktion sU gemäß Tab. 13.1 zu, dann
lassen sich die Schaltzustände 1 und 2 mit Hilfe der Schaltfunktionen sU+ und sU- und Gl.
(13-1) nach Tab. 13.2 darstellen. Das + / - Zeichen kennzeichnet den oberen und unteren
Schalter.
Ud
u U0 ʛ sU+ ė sU- ʜŏ id+ sU+ŏiU id- s U-ŏiU (13-1)
2

Tabelle 13.2 Schaltfunktionen und Ausgangsgrößen der Ersatzschaltung


Z sU+ sUė uU0 id+ idė

Ud
1 1 0 iU 0
2
Ud
2 0 1 ė 0 iU
2

Die Ausgangsspannung uU0 verläuft sprungförmig und ist eine Funktion der Schalterstellung
und der Zwischenkreisspannung Ud. Der hier als konstant angenommene Phasenstrom iU wird
je nach Stellung der Schalter auf einen der Leiter des Zwischenkreises geschaltet. Der Verlauf
der Zwischenkreisströme weist daher ebenfalls Sprünge auf – die Kondensatoren müssen
daher zur Vermeidung von Schaltüberspannungen induktivitätsfrei mit den Transistoren
verbunden sein. Ein Brückenzweig nach Abb. 13-2 hat im Betrieb 2 Schaltzustände und kann
durch eine Ersatzschaltung mit einem Umschalter SU nach Abb. 13-3 ersetzt werden. Seine
Schalterstellung wird durch eine Schaltfunktion sU beschrieben, die sich aus der Differenz
von sU+ und sU- nach Gl. (13-2) berechnet. Die Schaltfunktion sU kann in diesem Fall die
Werte +1 und í1 annehmen.
sU s U+ - s U- (13-2)
214 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

Tabelle 13.3 Schaltfunktion sU eines Brückenzweiges

Symbol Stellung sU

oben geschlossen 1

unten geschlossen -1

Die Ausgangsspannung uU0 und die Zwischenkreisströme berechnet sich mit Gl. (13-3) zu:

Ud 1ʅs U 1ė s U
u U0 sUŏ id+ ŏiU i d- ŏiU (13-3)
2 2 2

id+ Die hier am Beispiel der Mittelpunktschaltung


Ud entwickelte Ersatzschaltung nach Abb. 13-3
für einen Brückenzweig mit den entsprech-
2 C+ enden Gleichungen 13-3 bildet die Grundlage
+1 für alle systembezogenen Betrachtungen
iU spannungsgespeister Stromrichter. Unter der
SU U Annahme, dass der Ausgangsstrom iU keinen
Einfluss auf die Zwischenkreisspannung Ud
–1
hat, kann der ideal schaltende Stromrichter
Ud mittels Schaltfunktionen exakt beschrieben
2 uU0 werden. In Abb. 13-4 ist die Ausgangs-
C– spannung der Mittelpunktschaltung für eine
periodische Umschaltung (Pulsbetrieb) mit der
id– Schaltperiode TS dargestellt. Im Pulsbetrieb
kann der Mittelwert der Ausgangsspannung
0 uU0 durch Veränderung des Verhältnisses
Abbildung 13-3 Brückenzweig mit Umschalter
TE/TS beliebig eingestellt werden (TE: siehe
Abb. 13-4). Die Mittelwertbildung für uU0
erfolgt über eine Periode der Taktfrequenz TS und wird als Kurzzeit-Mittelwert bezeichnet.
Bei einer zeitveränderlichen Schaltfunktion sU kann der Kurzzeit-Mittelwert zeitveränderlich
gesteuert werden und man erhält z. B. den in Abb.13-4 dargestellten Verlauf für njU0. Bei
Blocktaktung arbeitet der Umschalter genau mit der Grundfrequenz der Ausgangsspannung,
so dass TS = 1/f1 ist. Das Verhältnis TE/TS ist konstant 0,5 und es besteht keine Möglichkeit
außer der Frequenz die Kurvenform oder Amplitude der Ausgangsspannung zu beeinflussen.

13.1.2 Kurzzeit-Mittelwert
Soll die Ausgangsspannung uU0 des Brückenzweiges nach Abb. 13-3 einem vorgegebenem
zeitveränderlichen Sollwert uU0,Soll folgen, so kann die Sollwertnachbildung nur über den
Mittelwert der Ausgangsspannung uU0 erreicht werden. Wegen der geschalteten Charakteristik
erfolgt die Mittelwertbildung nach Gl. (13-4) über eine Taktperiode TS, wobei
u U0,Soll u U0 während TS angenommen wird (Kurzzeit-Mittelwert). njU0 folgt dem in
Abb. 13-4 dargestellten treppenförmigen Spannungsverlauf. Die Abweichungen von der Soll-
13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter) 215

wertkurve sind in Abb. 13-4 grau dargestellt und heben sich innerhalb einer Taktperiode auf.
tʅT
1
S U d TE
uU0 ʛ tʜ = ŏ ĩ u ʛ ˃ʜd˃ ŏ>2 ė 1@ (13-4)
T S t U0 2 TS

Durch Auflösung von Gl.(13-4) nach der für den Spannungsmittelwert njU0 erforderlichen
relativen Einschaltzeit TE/TS erhält man Gl. (13-5). Bedingt durch die Mindestschaltzeiten der
Bauelemente ist der praktisch erreichbare Steuerbereich von TE/TS jedoch eingeschränkt.
TE u U0 1 Ud Ud
ʛu U0 ʜ ʅ für: ė ʆ uU0 ʆ (13-5)
TS Ud 2 2 2

uU0 TE
Ud uU0
ʅ
2
u U0
uU0,Soll

Ud
ė
2
TS 1 f S
Abbildung 13-4 Zeitveränderlicher Sollwert, Ausgangsspannung uU0 und Kurzzeit-Mittelwert njU0

Die Länge des Zeitintervalls TS reduziert sich mit zunehmender Schaltfrequenz fS. Die Soll-
wertnachbildung wird daher bei zunehmender Schaltfrequenz fS besser. Die zulässige Schalt-
frequenz eines IGBT-Stromrichters ist wegen der Schaltverluste abhängig vom jeweiligen
Einsatzfall. Mit zunehmender Leistung ist die Schaltfrequenz daher reduziert. In Tab. 13.4 sind
typische Schaltfrequenzen fS mit der jeweiligen Periodendauer TS angegeben. Da der
Spannungsmittelwert njU0 über die Pulsbreite TE der Spannungsblöcke eingestellt wird, spricht
man von einer Pulsbreitenmodulation (Pulse-Width-Modulation, PWM bzw. PWM-Mode) des
Wechselrichters.
Tabelle 13.4 Schaltfrequenz fS und Periodendauer TS
fS TS fS TS
600 Hz 1667 μs 6 kHz 166 μs
1,5 kHz 666 μs 20 kHz 50 μs
3 kHz 333 μs
216 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

13.1.3 Der Modulator


Die Erzeugung der Schaltfunktion geschieht mit einem Modulator nach Abb. 13-4. Die Soll-
wertgröße uU0,Soll wird mit einer höherfrequenten dreieckförmigen Spannung verglichen. Das
Vergleichsergebnis wird in diesem Fall als Schaltfunktion sU bezeichnet. Die Schaltfunktion
sU steuert die Stellung des Schalters SU (weitere Einzelheiten siehe Kapitel 15).
Modulationssignal Schaltfunktion
uU0,Soll Abbildung 13-5
sU +1
sU Erzeugung der
t - –1 t Schaltfunktion sU mit
einem Modulator
Trägersignal (Prinzip)


t

13.1.4 Modulationsfunktion
Die Beschreibung des Stromrichters mittels Schaltfunktionen ist oft zu aufwendig. Für viele
Untersuchungen genügt es, z. B. den Kurzzeit-Mittelwert der Spannung uU0 zu betrachten.
Dazu werden in Gl. (13-6) die Momentanwerte der Schaltfunktion (sU) durch den Kurzzeit-
Mittelwert sU ersetzt.
Ud Ud
Momentanwert : u U0 sU ŏ Kurzzeit-Mittelwert: u U0 sU ŏ (13-6)
2 2
Für die Größe sU wird der Begriff der Modulationsfunktion mU eingeführt.

Modulationsfunktion: mU sU (13-7)
mU ist proportional zum zeitkontinuierlichen Sollwert. Gleichung (13-3) geht damit über in
folgende Form:
Ud 1ʅ m U 1 ėm U
uU0 m Uŏ id+ ŏiU id- ŏiU (13-8)
2 2 2
Im Allgemeinen verläuft der Sollwert sinusförmig. Mit der Frequenz f1 für die Grund-
schwingung erhält man für die Modulationsfunktion mU :

mU M U sin ʛˈ 1 tʅˍ m ʜ , ˈ1 2ˀ f 1 M U : Modulationsgrad (13-9)


Der Modulationsgrad MU nach Gl. (13-10) beschreibt das Verhältnis der Grundschwingungs-
amplitude zur Zwischenkreisspannung (Ud / 2) bzw. zum Mittelwert des Zwischenkreisstrom
(Id). Abb. 13-6 zeigt die Definition des Modulationsgrades bei der Grundfrequenz- bzw.
Blocktaktung (q = 1). Der Zahlenwert von MU liegt im Bereich 0 ... 1,27.
uʒ U0,1 ʒi
U,1 4 4
MU bzw. M U mit: 0 Ĺ M U Ĺ ʛ 1,27ʜ
Ud Id ˀ ˀ (13-10)
2
13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter) 217

Ud
ʅ Id
2 4 Ud ʒi 4
uU0,1 uʒ U0,1 ŏ iU,1 U,1
ŏI
ˀ 2 ˀ d

Ud uU0 t iU t
ė -Id
2

Abbildung 13-6 Zur Definition des Modulationsgrades aus den Ein- und Ausgangsgrößen eines
Brückenzweiges
Durch Einsetzen der sinusförmigen Modulationsfunktion mU in Gl. (13-8) erhält man:

iU iU
id+ ʛ 1ʅ M Uŏ sinʛ ˈ 1 tʅˍ m ʜʜŏ id- ʛ 1ė M Uŏ sinʛ ˈ1 tʅˍ m ʜʜŏ
2 2
(13-11)
Ud
u U0 uʒ U0,1 sin ʛˈ1 tʅˍm ʜ mit uʒ U0,1 M Uŏ
2
À Die Anwendung der Modulationsfunktion führt zu einer reinen Grundschwingungsbe-
trachtung.
Wenn sich iU ebenfalls sinusförmig einstellt, so erhalten die Zwischenkreisströme wegen der
Multiplikation der sinusförmigen Modulationsfunktion mit dem sinusförmigen Strom iU neben
einem Gleichanteil zusätzliche, mit den Kreisfrequenzen ˈ1 und 2ˈ1 pulsierende Wechsel-
anteile. Diese Wechselanteile belasten die eingangs seitigen Kondensatoren C+ und C-.

13.1.5 Aussteuerung
Bezieht man die aktuelle Amplitude der Spannungsgrundschwingung ûU0,1 auf die Amplitude
der Grundschwingung bei Blocktaktung nach Abb. 13-6, so erhält man mit Gl. (13-12) die
Aussteuerung A.
uʒ U0,1
Aussteuerung: A 0ĹAĹ1
4 Ud (13-12)
ŏ
ˀ 2
Im Pulsbetrieb kann der Scheitelwert ûU0,1 maximal Ud/2 betragen. Sonst wird der Modulator
übersteuert und die Pulsfrequenz ungleichförmig. Für die maximale Aussteuerung eines
Brückenzweiges nach Abb. 13-3 erhält man daher:
ˀ
A max 0,785 (13-13)
4
Für 3-phasige Schaltungen wird als Ausgangsspannung im Allgemeinen eine Leiterspannung
angegeben. Die Spannungskurvenform zeigt Abb. 13-15. Analog zu Gl.(13-13) erhält man
daher für die Aussteuerung A des 3-phasigen Wechselrichters:
218 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

uʒ UV,1 4 ʎ3
A 0 Ĺ AĹ1 ʛ 1,1ʜ
4 ʎ3 ˀ 2 (13-14)
U
ˀ 2 d
Zur Vermeidung einer Übersteuerung darf der Scheitelwert ûUV,1 nicht größer als Ud werden.
Setzt man diesen Wert für ûUV,1 in Gl. (13-14) ein, so folgt für die maximale Aussteuerung
Amax bei Pulsweitenmodulation des 3-phasigen Wechselrichters:

ˀ
A max 0,907 (13-15)
2ŏʎ 3

13.1.6 1-phasige Brücke


Schaltet man zwei Brückenzweige nach Abb. 13-2 zusammen, so erhält man die einphasige
Brückenschaltung nach Abb. 13-7. Darin dient der Mittelpunkt des Zwischenkreises als
Bezugspunkt.

id Abbildung 13-7
Ud
+1 Umschalter Ersatzschaltbild
2 C+ iU
SU U der 1-phasigen Brücken-
+1 schaltung
iV uUV
-1
SV V (Dargestellt ist die Schalter-
C- stellung 1 in Tab. 13.5.)
Ud
-1
2
uU0 uV0

id
0

Die Ausgangsspannung uUV berechnet sich aus den Mittelpunktspannungen mit Gl. (13-6) zu:
Ud
uUV u V0ėu U0 uUV ʛs U ės V ʜ (13-16)
2
Für den Zwischenkreisstrom id erhält man analog:
iU
id ʛ s Uės V ʜ (13-17)
2
Die Ausgangsspannung uUV kann bei dieser Brückenschaltung die Werte +Ud, 0, und -Ud
annehmen. Stehen beide Umschalter in der gleichen Position (+1 bzw. -1), so ist die Last kurz-
geschlossen und der Zwischenkreisstrom id ist 0.

In Tabelle 13.5 sind die möglichen Schaltzustände mit den entsprechenden Spannungen
angegeben.
13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter) 219

uU0 u V0 u UV iU Tabelle 13.5


sU sV Id B2 -Schaltung, Schaltzustände und Ausgangs-
Ud Ud Ud
spannungen
1 1
1 1 1 2 0 0 À In den Schaltzuständen 1 und 3 ist die Last
2
kurzgeschlossen. Der Strom iU ist dann allein
1 1 von der Last bestimmt.
2 1 -1 2 ė 1 1
2
1 1
3 -1 -1 ė ė 0 0
2 2
1 1
4 -1 1 ė -1 -1
2 2

Zur Erzeugung einer Wechselspannung einstellbarer Spannung und Frequenz werden folgende
Möglichkeiten eingesetzt:
À Grundfrequenztaktung (Blocktaktung)
À Schwenksteuerung
À Pulsbreitenmodulation (PWM-Mode)

13.1.6.1 Grundfrequenztaktung
Es wird zwischen den Schaltstufen 2 und 4 periodisch umgeschaltet. Man erhält eine
rechteckförmige 180°-Kurvenform mit der Frequenz der Umschaltungen. Zur Spannungs-
steuerung muss die Höhe der Gleichspannung gesteuert werden. Die Kurvenform ändert sich
nicht mit der Spannung und Frequenz der Ausgangsspannung. Die Steuerung der
Gleichspannung bedeutet eine mehrfache Energieumwandlung und stellt einen zusätzlichen
Aufwand dar. Aufgrund der blockförmigen Spannung spricht man auch von Blocktaktung.

+1 Abbildung 13-8
sU Blocktaktung, Taktzahl q = 1
ʌ 2ʌ Ȧt
–1 180°
Es kann nur die Frequenz eingestellt
+1 werden. Zur Steuerung des Effektiv-
sV Ȧt
ʌ 2ʌ wertes UUV muss die Gleichspan-
–1 nung Ud verändert werden.
+Ud
uUV
ʌ 2ʌ Ȧt
¶Ud
220 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

13.1.6.2 Schwenksteuerung
Bei der Schwenksteuerung werden alle 4 Zustände der Brückenschaltung nach Tab. 13.5 aus-
genutzt. Dadurch verläuft die Ausgangsspannung zeitweise auf Null. Abb. 13-9 zeigt die
Ausgangsspannung uUV. Die Steuerung des Effektivwertes UUV erfolgt über die Breite der
Spannungszeitflächen, die mit dem Schwenkwinkel ȕ beschrieben wird. Mit der Kurvenform
ändert sich auch die spektrale Zusammensetzung von UUV. In Abb. 13-10 ist der Effektivwert
der Ausgangsspannung UUV, der Grundschwingungseffektivwert UUV,1 und der Verzerrungs-
anteil UUV,VZ über dem Schwenkwinkel ȕ dargestellt.

+1 Abbildung 13-9
sU ʌ 2ʌ
Ausgangsspannung der Brücken-
Ȧt
–1 schaltung bei Grundfrequenz-
taktung mit Schwenksteuerung
+1 und symmetrischen Schalt-
Ȧt
sV funktionen
ʌ 2ʌ
–1
ʲ: Schwenkwinkel (in rad)
+Ud
uUV
ʌ 2ʌ Ȧt
¶Ud ˜

Die Kenngrößen der Ausgangsspannung uUV für die Schwenksteuerung nach Abb. 13-9 sind
in Gl. (13-18) angegeben (ß: Schwenkwinkel (0 ” ß ” ʌ )).

Effektivwert: U UV U dŏ
ʎ ʲ
ˀ

2 ʎ2 ʲ
Grundschwingungseffektivwert: U UV,1 U dŏ sin ʛ ʜ
ˀ 2
(13-18)
Verzerrungsspannung : U UV,VZ
ʲ 8
ʎ2 ʲ
U dŏ ė sin ʛ ʜ
ˀ ˀ 2 2

ʲ
Aussteuerung : A sin 0 Ĺ A Ĺ1
2

Der Kurzzeit-Mittelwert ist bei der Schwenksteuerung wie bei der Grundfrequenztaktung
gleich Null. Eine zeitkontinuierliche Beschreibung über den Kurzzeit-Mittelwert ist daher
nicht möglich.
13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter) 221

1,0

UUV
UUV,1
U
Ud

UUV,VZ

0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
ʲ ˀ
Abbildung 13-10 Ausgangsspannung bei der Schwenksteuerung
13.1.6.3 Pulsbreitenmodulation
Für die zeitkontinuierliche Beschreibung werden die Schaltfunktionen sU und sV durch die
Modulationsfunktionen mU und mV ersetzt.
Ud iU
u UV ʛ m Uė m V ʜ id ʛ mUė mV ʜ (13-19)
2 2
Werden bei der Brückenschaltung die Modulationsfunktionen mU und mV entgegengesetzt
gleich gewählt (mU = ímV = m), so lässt sich vereinfacht schreiben:

u UV m ŏU d und id m ŏ iU (13-20)
Ist die Modulationsfunktion m sinusförmig (analog zu Gl.( 13-9)) so erhält man:

u UV M U d sin ʛˈ1 tʅˍm ʜ (13-21)

uUV Abbildung 13-11


+Ud
uUV,1 Ausgangsspannung uUV einer
Brückenschaltung mit Pulsbreiten-
ûUV,1 modulation und sinusförmiger
Modulationsfunktion
t
(uUV,Soll = uUV,1 = nj UV )

-Ud
TS

id M iU sin ʛˈ 1 tʅˍ m ʜ (13-22)


Bei einem zeitlich sinusförmigen Verlauf von iU geht Gl. (13-22) über in:
222 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

M ʒi U
id ʛ1ėcosʛ2ˈ1 t ʜʜ (13-23)
2

Der Zwischenkreisstrom enthält einen Gleichanteil und einen Wechselanteil Id~ doppelter Aus-
gangsfrequenz. Der Wechselanteil belastet die Eingangskondensatoren und hat, abhängig von
der Kapazität, eine Spannungswelligkeit von Ud zur Folge.

Ưd Abbildung 13-12
Zwischenkreisstrom Ưd bei sinus-
Id
förmigem Ausgangsstrom iU
t
iU Der Effektivwert des Wechsel-
îU anteils im Zwischenkreisstrom
beträgt nach Gl. (13-23):

t
I UŏM
I d~
ʎ2
T1

13.1.7 3-phasige Brücke


Schaltet man drei Brückenzweige zusammen, so erhält man eine 3-phasige Brückenschaltung.
Abb. 13-13 zeigt das Schaltermodell dieser Brückenschaltung. Die Schalterstellung entspricht
der Nr. 8 in Tab. 13.6. Der Zwischenkreis-Mittelpunkt (0) dient als Bezugspunkt für die
Mittelpunktspannungen. Die 3-phasige Last wird symmetrisch angenommen.

id

Ud +1 uU
iU U
2 C+ SU
+1 iV uV
-1 V
SV
+1 iW uW
W
-1 SW
Ud
2 -1

uU0 uV0 uW0

id
0 uK0 K

Abbildung 13-13 Umschalter-Ersatzschaltbild der 3-phasigen Brückenschaltung


13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter) 223

13.1.7.1 Die Spannungsbildung


Folgende Spannungen lassen sich in der Schaltung nach Abb. 13-13 definieren:
Mittelpunktspannungen:
Ud Ud Ud
u U0 s Uŏ u V0 s Vŏ uW0 s Wŏ (13-24)
2 2 2
Leiterspannungen:

Ud Ud Ud
u UV ʛ s Uės V ʜŏ u VW ʛs Vė s W ʜŏ u WU ʛ s Wė sV ʜŏ (13-25)
2 2 2
Phasenspannungen:
Die Leiterspannungen können die drei Werte +Ud, 0 und íUd annehmen. Bei Sternschaltung
des Verbrauchers ergeben sich mit dem Sternpunkt K die Phasenspannungen:

uU u U0ėuK0 uV u V0ėuK0 uW uW0 ėuK0 (13-26)

Sternpunktspannung:
Die Sternpunktspannung uK0 stellt sich abhängig von der Last ein. Im Falle einer symmetri-
schen Last ohne Gleichkomponente erhält man:
Ud
u K0 = ʛ s Uʅ s Vʅ sW ʜŏ (13-27)
6
Den Verlauf der Sternpunktspannung uK0 zeigt Abb. 13-15. Setzt man in Gl. (13-26) die Gl.
(13-24) und (13-27) ein, so folgt für die Phasenspannungen:

sV sW Ud
uU ʛ sU ė ė ʜŏ
2 2 3
sU sW Ud
uV ʛ sV ė ė ʜŏ (13-28)
2 2 3
sU sV Ud
uW ʛ sW ė ė ʜŏ
2 2 3

Die möglichen Kombinationen der Schalterstellungen sU, sV und sW ergeben Z verschiedene


Schaltzustände des Wechselrichters, die in Tab. 13.6 aufgelistet sind.
Phasenzahl (13-29)
Z (Schaltzustände je Phase)

Bei einem 3-phasigen Wechselrichter mit (Phasenzahl = 3) in Zweipunkttechnik (Schalt-


zustände = 2) ergeben sich Z Schaltzustände.

Z = 23 = 8
224 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

Tabelle 13.6 Schaltfunktion und Spannungen des Zweipunktwechselrichters

uU0 uV0 uW0 uU uV uW uUV uK0


sU sV sW
Ud Ud Ud Ud Ud Ud Ud Ud

1 1 1 1 2 1 1
1 1 í1 1 ė ė 1
2 2 2 3 3 3 6
1 1 1 2 1 1 1
2 1 í1 í1 ė ė ė ė 1 ė
2 2 2 3 3 3 6
1 1 1 1 1 2 1
3 1 1 í1 ė ė 0
2 2 2 3 3 3 6
1 1 1 1 2 1 1
4 í1 1 í1 ė ė ė ė í1 ė
2 2 2 3 3 3 6
1 1 1 2 1 1 1
5 í1 1 1 ė ė í1
2 2 2 3 3 3 6
1 1 1 1 1 2 1
6 í1 í1 1 ė ė ė ė 0 ė
2 2 2 3 3 3 6
1 1 1 1
7 í1 í1 í1 ė 0 0 0 0 ė
2 2 2 2
1 1 1 1
8 1 1 1 0 0 0 0
2 2 2 2

Je nach Schalterstellung sind die drei Verbraucherstränge U, V und W unterschiedlich ver-


schaltet. Es gibt Z = 8 verschiedene Verschaltungen.

1 W U 2 U 3 V U 4 V
uU uU uU
K K
Ud Ud Ud Ud
K K
uU
V V W W W U

5 V W 6 W 7 8
K U V W
K
Ud Ud
K U V W K
uU uU
U V U

Abbildung 13-14 Schaltzustände und Phasenspannung uU des symmetrischen Verbrauchers


13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter) 225

1 2 3 4 5 6 1 2 3

+1
sU

¶1 ¯t

+1
sV

¶1 ¯t
ˀ
+1
3
sW

¶1 ¯t

uUV uUV
uU
uU Ud 2
U
3 3 d

¯t
Ud

Ud
6 ¯t
uK0

Abbildung 13-15 Schaltfunktionen und Spannungen uUV, uU, uK0 des 3-phasigen Wechselrichters mit
symmetrischer Last und Grundfrequenztaktung

2 ʎ3 2
uʒ UV,1 U dŏ = U dŏ1,10 uʒ U,1 = U dŏ = U dŏ0,636
ˀ ˀ

uʒ UV,1 2 ʎ3
Modulationsgrad: M UV = = 1,10 (13-30)
Ud ˀ

ˀ uʒ UV,1
Aussteuerung: A = ŏ = 1 (13-31)
2 ʎ3 Ud
226 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

13.1.7.2 Der Zwischenkreisstrom


Der Zwischenkreisstrom id ermittelt sich bei freiem Verbrauchersternpunkt mit Hilfe der
Schaltfunktionen sU, sV und sW zu:
s Uʅ1 s Vʅ1 s Wʅ 1
id iU ʅ iV ʅ iW (13-32)
2 2 2

Da die Summe der drei Phasenströme bei freiem Sternpunkt stets Null sein muss, kann man für
id vereinfacht schreiben:

1
id ŏ ʛ s U i U ʅ s V iV ʅ s W i W ʜ (13-33)
2

Mit drei sinusförmigen symmetrischen Leiterströme iU, iV und iW erhält man die in Abb. 13-17
dargestellten, abschnittsweise sinusförmigen Verläufe des Zwischenkreisstromes id. Die
Kurvenform ist durch die Phasenverschiebung zwischen Phasenspannung und -Strom
bestimmt. Die Schalterstellungen in den 3 Wechselrichterschaltungen sind den drei markierten
Stromkuppen zugeordnet. In diesem Beispiel ist wegen der konstant angenommenen
Amplitude îd die Grundschwingungs-Scheinleistung konstant.

1 2 3 1 2 3
îd iV îd iV

Ȧt Ȧt

iU iW iU iW

2 uUK uUK
U
3 d
Ȧt Ȧt

1 2 3
id= id id= id id= id
iU iU iU
id~ sU id~ sU id~ sU
iV iV iV
ud sV sV sV
Cd iW Cd iW Cd iW
sW sW sW

Abbildung 13-16 Zur Entwicklung des Zwischenkreisstromes (Wechselrichtereinfluss)


13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter) 227

Für eine konstante Wirkleistung wird in Abb. 13-17 die Stromamplitude dem unter-
schiedlichen Phasenwinkel ˍ der Last angepasst. Der Verlauf des Zwischenkreisstromes id
wird in diesem Fall abschnittsweise mit Gl. (13-34) beschrieben.

ˀ 2ˀ ʒi sin ʛˈt ʅ ˍʜ
Für ʆ ˈt ʆ gilt: id d (13-34)
3 3 cos ˍ

id

d id
ij = 0°
1
ij = 15°

ij = 30°
0.5
ˀ sin ʛˈ t ʅ ˍ ʜ
3 cos ʛˍʜ

0
0 ˀ3 2ˀ  3 ˈt

Abbildung 13-17 Zwischenkreisstrom bei konstanter Wirkleistung und unterschiedlichen cos ˍ

Der Zwischenkreisstrom id in Abb. 13-17 ist eine Mischgröße. Zieht man von id den
Gleichanteil id= ab, so bleibt der Wechselanteil id~. Dieser Wechselanteil beschreibt die
Strombelastung des Zwischenkreiskondensators Cd durch den Wechselrichter (siehe auch
Kapitel 16.7.4).
À Der Wechselanteil von id wird durch den Zwischenkreiskondensator Cd aufgenommen. Die
Strombelastung steigt mit abnehmendem cos ij der Last.
À Der Zwischenkreiskondensator deckt den Blindleistungsbedarf der Last (siehe Kap. 16).
Für den Fall bekannter Motordaten (Wellenleistung Pmech, Wirkungsgrad Ș, Nennspannung
UL, Leistungsfaktor cos ij) folgt für die Amplitude des Zwischenkreisstromes:

ʎ 2ŏP mech
Aus: P mech ʎ 3 U L I Lʷ cosˍ folgt: ʒi (13-35)
d
ʎ 3ŏU L ŏʷŏ cosˍ
Umgekehrt kann bei bekannten Halbleiter-Bauelementen des Wechselrichters die maximal
mögliche Nennspannung und der Nennstrom eines Motors für maximale Leistung ermittelt
werden. Die Stromwelligkeit ist abhängig vom Modulationsverfahren und muss hierbei separat
ermittelt werden.
Den vollständigen Aufbau des Leistungsteils eines UWR in IGBT-Technologie zeigt Abb.
13-18. Darin ist neben dem geteilten Zwischenkreiskondensator Cd auch ein Brems-Chopper
dargestellt. Dieser ist bei aktiver Last erforderlich, wenn über die Zwischenkreis-Einspeisung
eine Energierückspeisung nicht möglich ist. Durch Ansteuerung des Brems-Choppers wird z.
228 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

B. im Bremsbetrieb die vom UWR in den Zwischenkreis zurückgespeiste elektrische Energie


in Wärme umgewandelt, wodurch ein unzulässiger Anstieg der Zwischenkreisspannung Ud
verhindert wird. Der Bremswiderstand muss für die mögliche Bremsleistung bemessen sein
und wird im Allgemeinen über einen separaten Lüfter (Bremslüfter) gekühlt.

Saugkreis Brems-Chopper Phasenbaustein Abbildung 13-18


3-phasiger UWR
C mit vollständigem
Cd Zwischenkreis
RB
optional

LS
UWR
CS
Cd
D
Zwischenkreis U V W

Zwischenkreiskondensator Cd, Brems-Chopper mit Brems-Widerstand RB , Saugkreis (LS, CS)

Bei einphasiger Einspeisung insbesondere bei Pulsgleichrichtern wird eine Wechselstrom-


komponente 2-facher Netzfrequenz im Zwischenkreisstrom id eingeprägt. Um diesen Wechsel-
strom vom Zwischenkreiskondensator fern zu halten (Probleme: Strombelastung von Cd und
Spannungswelligkeit ud) kann im Zwischenkreis ein Saugkreisfilter (LS, CS), abgestimmt auf
die 2-fache Netzfrequenz, vorgesehen werden.

Für die Erfassung des Zwischenkreisstromes id kommen (je nach Leistung) potenzialfreie
Messwandler (Hall-Wandler) oder ein Shunt-Widerstand (RS) zur Anwendung. Für den Shunt-
Einsatz zeigt Abb. 13-19 zwei typische Einsatzfälle. Bei Abb. 13-19a ist der Schaltzustand des
Wechselrichters zu berücksichtigen (siehe Abb. 13-16). Problematisch ist die Beherrschung
der sehr großen Spannungssteilheiten und die Störbeeinflussung des Messsignals durch Schalt-
vorgänge im Wechselrichter. Eine Verbesserung stellt eine zum Schalten zeitlich versetzte
Erfassung (Abtastung) oder eine Filterung der Messgröße (Tiefpass) dar.

a) b)
U U
V V
W W

RS RS RS RS

iU_T4 iV_T6 iW_T2 id-

Abbildung 13-19 Shunt-Messung des Zwischenkreisstromes


13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter) 229

Werden in Gl. (13-33) an Stelle der Schaltfunktionen sinusförmige Modulationsfunktionen


(mU, mV, mW) eingesetzt, so erhält man mit Gl. (13-36) den zeitkontinuierlichen Verlauf des
Zwischenkreisstromes id. Der Einfluss der schaltenden Arbeitsweise des Wechselrichters auf
den Verlauf des Zwischenkreisstromes ist dadurch ausgeblendet, und es entsteht eine Grund-
schwingungsbetrachtung des 3-phasigen Wechselrichters. Bei symmetrischer Last wird der
Zwischenkreisstrom id zu einem reinen Gleichstrom (Abb. 13-20, id-100). Es tritt keine Leis-
tungspulsation im Zwischenkreis auf.

1
id = ʛ mU i Uʅ mV iVʅ mW iW ʜ (13-36)
2

Die Annahme einer unsymmetrischen Belastung (wie es z. B. bei einer unterbrechungsfreien


Stromversorgung (USV) mit einphasigen Verbrauchern häufig auftritt) führt auch bei der
Grundschwingungsbetrachtung zu einer Leistungspulsation mit 2-facher Ausgangsfrequenz im
Zwischenkreis. Daraus resultiert bei endlicher Zwischenkreiskapazität eine Welligkeit der
Zwischenkreisspannung Ud. Abb. 13-20 zeigt den Verlauf des Zwischenkreisstromes id und
der Phasenströme für ein symmetrisches und für ein unsymmetrisches Drehstromsystem
(Unsymmetrie durch Absenkung von iU auf 90 %). Im unsymmetrischen Fall ist der Mittelwert
von id (hier: Id-90) entsprechend vermindert. Im symmetrischen Fall ist der Zeitverlauf von id
gleich dem Mittelwert (id-100).

id-100
i
iV iW Id-90
iU iU = 90 % iU = 100 %

Ȧt

Abbildung 13-20 Auswirkung unsymmetrischer Phasenströme auf den Zwischenkreisstrom id in


zeitkontinuierlicher Darstellung (iU ist um 10 % reduziert)

Anmerkung:
Eine Welligkeit der Zwischenkreisspannung ud hat eine Amplitudenbeeinflussung der Aus-
gangsspannung zur Folge. Hierdurch kann es zu Unsymmetrien im Drehspannungssystem
sowie zu Gleichanteilen kommen. Zwar lassen sich diese Auswirkungen regelungstechnisch
begrenzen, im Hinblick auf die Netzrückwirkungen wirkt sich eine Spannungswelligkeit
immer ungünstig aus.
230 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

13.2 Schaltungen in Dreipunkttechnik (3-level-inverter)


Eine Schaltung mit drei Spannungsstufen kann die Mittelpunktspannungen feiner einstellen.
Die Grundschaltung eines dreistufigen Stromrichters besteht aus einem Brückenzweig nach
Abb. 13-21a. Dieser Brückenzweig enthält 4 rückwärts leitende Schalter. Die Schalter können
so betätigt werden, dass nie mehr als die halbe Zwischenkreisspannung Ud an einen Element
auftritt. Der gleichspannungsseitige Mittelpunkt ist über Dioden (Dʅ und Dė) mit der Aus-
gangsklemme U verbunden.
a)
b)

id-

SU++

Ud
C+ D+
2
id+
Ud
SU+ 2 C+
SU +1
id- iU id0 iU
U U
0
-1

Ud C¶
SU-
2 uU0

C– id¶
Ud uU0
2 D-
0
SU--
Schaltermodell eines 3punkt-
Brückemzweiges

id-
0
Abbildung 13-21 Brückenzweig in Dreipunkttechnik und Ersatzschaltung
Die erlaubten Schaltfunktionen sind in nachfolgender Tabelle aufgeführt.

sU++ sU+ sU- sU-- uU0 sU

1 1 0 0 +Ud/2 1
0 1 1 0 0 0
0 0 1 1 í Ud/2 í1
13.2 Schaltungen in Dreipunkttechnik (3-level-inverter) 231

Die Schaltzustände lassen sich durch einen Umschalter nach Abb. 13-21b darstellen. Der Um-
schalter SU hat drei Stellungen. Entsprechend kann die Schaltfunktion sU die Werte +1, 0 und
-1 annehmen. Für die Ausgangsspannung uU0 bedeutet dies ein zusätzliches Spannungsniveau.
Der Zwischenkreisstrom id+ und id- unterscheidet sich durch den angeschlossenen Nullpunkt
von den Werten der Zweipunktschaltung.
Ud
u U0 sU (13-37)
2

sUʅ1 2
s Uė1
i d+ sU ŏiU id0 ʛ 1ė s U ʜ i U id- sU ŏiU (13-38)
2 2

Bei der zeitkontinuierlichen Beschreibung der Ausgangsspannung uU0 entsprechen die Modu-
lationsfunktionen der Dreipunktschaltung denen der Zweipunktschaltung, da sich die kurzzei-
tigen Mittelwerte wieder entsprechen. Die Kurvenform lässt sich wegen der zusätzlichen
Schaltstufe jedoch besser an die Sollwertkurve angleichen.
Bei der Herleitung eines Brückenzweiges, wie er in Abb. 13-21 dargestellt ist, geht man von
der Schaltung nach Abb. 13-22a aus. Der Schalter V10 ermöglicht die Verbindung mit dem
Spannungsnullpunkt. Die Umsetzung dieser Schaltung mit abschaltbaren Ventilen zeigt Abb.
13-22b. Ein Schalter, in diesem Fall V1, ist jeweils durch zwei Ventile V11 und V12 nachge-
bildet. Der Verbindungspunkt P beider Ventile in Abb. 13-22b ist über die Diode D10 mit dem
Spannungsnullpunkt verbunden. Die Spannungsbelastung der Ventile ist bei dieser Schaltung
daher auf eine Kondensatorspannung (Ud/2) festgelegt

b)
V11 D11
Ud C+ P
a)
C+ 2
Ud
V1 V12 D12
2
D10

V10 D40
Ud
V4 V42 D42
2 uU0 C–
C– Ud
2
uU0
V41 D41

Die vereinfachend dargestellten Schalter haben


praktisch eine Ventilwirkung und müssen für
Dreipunktschaltung, Prinzip.
Blindströme durch geeignete Dioden ergänzt
werden. Dadurch entsteht das Schaltbild b).
Abbildung 13-22 Herleitung der Dreipunktschaltung mit Ventilreihenschaltung
232 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

Schaltzustände:
Spannung uU0 durch Phasen-
Spannung uU0 durch Schalterstellung bestimmt
verschiebung bestimmt

V11 V11 D11


Ud Ud Ud V11
2 2 2
V12 V12 D12
D10 D10 D10 V12

D40 D40 D40


V42 V42 V42
Ud Ud Ud
2 2 2 uU0
V41
uU0 V41
uU0
V41

1 2 3

V11 V11
Ud Ud Ud V11
2 2 2

V12 V12 V12


D10 D10 D10

D40 D40 D40


V42 D42
V42 V42
Ud
Ud Ud
2 2
2 uU0
V41
uU0 V41
uU0 V41 D41

4 5 6

Die Schalter V11, V12 sowie V41 und V42 symbolisieren jeweils ein Halbleiterventil und las-
sen daher nur eine Stromrichtung (hier von oben nach unten gerichtet) zu. Die Spannungsbe-
lastung der Ventile ist durch die Spannung eines Eingangskondensators festgelegt. Tritt
zwischen den Ausgangsgrößen u und i eine induktive Phasenverschiebung auf, so sind daher
parallel zu den Schaltern Freilaufdioden vorzusehen. In Schaltung 3 und 6 sind für beide
Stromrichtungen Freilaufdioden vorgesehen (vollständige Schaltung nach Abb. 13-21).
ȩ uU0 = 0 bei Schalterstellung 2 kann bei einer durch die induktive Phasenverschiebung vor-
gegebenen Stromrichtung (3) nur durch Schalterstellung 5 erreicht werden!
13.2 Schaltungen in Dreipunkttechnik (3-level-inverter) 233

13.2.1 1-phasige Brückenschaltung


Mit 2 Brückenzweigen kann die Brückenschaltung nach Abb. 13-23 aufgebaut werden. Ab-
hängig von den Schaltfunktionen sU und sV treten insgesamt 9 verschiedene Schaltzustände
auf. Diese sind mit den entsprechenden Ausgangsspannungen in Tab. 13.7 aufgelistet.
Tabelle 13.7 Schaltzustände der
id+ Brückenschaltung
Ud
+1 u UV
2 C+ 0 iU U sU sV
Ud
SU
+1 uUV
-1 iV 1 1 1 0
id0 0
SV 2 1 0 1/2
Ud V
-1 3 1 í1 1
2 C–
id– 4 0 1 í1/2
5 0 0 0
6 0 í1 1/2
Abbildung 13-23 Ersatzschaltbild der 1-phasigen
Brückenschaltung in Dreipunkttechnik 7 í1 1 í1
8 í1 0 í1/2
Die Ausgangsspannung uUV berechnet sich durch Gl.
(13-39), den entsprechenden Zeitverlauf zeigt Abb. 9 í1 í1 0
13-24. Die Zwischenkreisströme id+, idí und id0 be-
rechnen sich mit Gl. (13-40).
Ud
u UV = ʛs U ė s V ʜ (13-39)
2

s Uʅ1 s Vʅ1 2 2
id+ ʛ sU ės V ʜŏiU id0 ʛ s Vė sU ʜŏi U
2 2
(13-40)
s Uė1 s Vė1
id- ʛ sU ė sV ʜŏi U
2 2

uUV Abbildung 13-24


Ud Ausgangsspannung
uUV
Ud
2

t
Ud
ė
2
-Ud
234 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

13.2.2 3-phasige Brückenschaltung


Mit 3 Brückenzweigen erhält man die 3-phasige Brückenschaltung nach Abb. 13-25. Diese
Schaltung erlaubt 27 unterschiedliche Schaltzustände. Bei einigen Schaltzuständen erhält man
jedoch dieselbe Ausgangsspannung, so dass für den Verlauf der Ausgangsspannung uUV in
Abb.13-26 insgesamt 14 Schaltzustände ausreichen.

id+

Ud +1
0 iU U uU
2 C+
SU +1
id0 -1 iV
0 V uV

SV +1
-1
0 iW W uW
C–
Ud SW
-1
2 uU0 uV0 uW0
id-

uK0

0 K

Abbildung 13-25 Ersatzschaltbild der 3-phasigen Dreistufenschaltung

Die Ausgangsgrößen berechnen sich analog zu Gl. (13-12) bis Gl. (13-25):
Ud Ud Ud
u U0 = s Uŏ u V0 = s Vŏ u W0 = s Wŏ (13-41)
2 2 2

Ud
u UV = ʛ sU ė sV ʜ (13-42)
2

sUʅ1 s Vʅ1 s Wʅ1


i d+ sU ŏiU ʅ sV ŏiVʅ s W ŏiV (13-43)
2 2 2

2 2 2
i d0 = ės U iUė sV iVė s W iW (13-44)

In Abb. 13-26 sind als Beispiel die Schaltfunktionen und die Leiterspannung uUV mit der
Phasenspannung uU dargestellt. Der Vergleich mit den Größen der Zweipunktschaltung in
Abb. 13-26 zeigt die zusätzlichen Schaltstufen. Durch diese zusätzlichen Schaltstufen kann die
Spannungskurvenform mit der Dreipunktschaltung feiner eingestellt werden. Dieser Vorteil ist
jedoch mit einem erhöhten Aufwand verbunden. Wegen des vergleichsweise hohen
Aufwandes wird die Dreipunkttechnik überwiegend in Schaltungen für höchste Leistungen
eingesetzt. In diesen Schaltungen kann mit einer Zwischenkreisspannung Ud gearbeitet
werden, die dem zweifachen Wert der Zweipunktschaltung entspricht.
13.2 Schaltungen in Dreipunkttechnik (3-level-inverter) 235

14 1 9 2 10 3 11 4 12 5 13 6 14 1 9 Zustand
sU
+1
0
ˈt
-1
sV ˀ
+1
0
ˈt
-1
sW
+1
0
-1 ˈt

uUV

ûUV,1
ûU,1
uU

Ud Ud 2
U ˈt
2 3 3 d
Ud

Abbildung 13-26 Schaltfunktionen und Ausgangsspannungen der Dreipunktschaltung

Ein Vorteil der Dreipunkttechnik ist die im Vergleich zur Zweipunkttechnik bei gleicher Zwi-
schenkreisspannung halbierte Spannungssteilheit. Diese Eigenschaft führt auch zu einem
verbesserten elektromagnetischen Verhalten. Folgende Tabelle zeigt den Aufwand sowie die
Spannungsbelastung der Ventile für eine vergleichbare Zwei- und Dreipunktschaltung:

Zweipunktschaltung Dreipunktschaltung
Dioden 6 18
Transistoren 6 12
Kondensatoren 1 bzw. 2 2
Spannungsbelastung 100 % 50 %

Über die Schaltfunktionen kann bei der Blocktaktung nach Abb. 13-26 die Ausgangsspannung
gesteuert werden. Abb. 13-27 zeigt den Einfluss des Steuerwinkels ʲ auf uUV.
236 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

uUV

Ud ˜ 0

¯t
ˀ
ʲ
6
uUV

Ud
2
¯t

ˀ
uUV ʲ
3

¯t

ˀ
uUV ʲ
2

¯t


ʲ
uUV 3
Ud
2
¯t

Abbildung 13-27 Leiterspannung uUV bei unterschiedlichen Steuerwinkeln


13.3 Multi-level-Schaltungen 237

13.3 Multi-level-Schaltungen
Zusätzliche Spannungsebenen lassen sich durch die Kombination von Teilspannungen
erzielen. Die Teilspannungen werden durch kapazitive Spannungsteiler bereitgestellt und sind
von der Einschaltdauer der Ventile bestimmt. Den Aufbau eines Phasenbausteins in Multi-
level-Technologie zeigt Abb. 13-28. Für den Anwender ergeben sich folgende Vorteile:
À Die Spannungskurvenform kann feiner an die Sinusform angenähert werden, wodurch ein
eventueller Filteraufwand verringert wird.
À Die Leistung des Wechselrichters wird erhöht ohne die Ventilspannung zu vergrößern.
À Die Spannungssteilheit ist durch die stufenweise Spannungsumschaltung reduziert.

Abbildung 13-28
C
SU3+ Typischer Aufbau eines Brückenzweiges in
Multi-level-Technologie
SU2+ À Die Kondensatoren sind unterschiedlich
aufgeladen. Die Kondensatorspannungen
SU1+ werden im Betrieb aktiv durch die Schalt-
muster aufrechterhalten.
2 1
Ud U dŏ U dŏ U
3 3

SU1–

uU0
SU2–

SU3–
D
0

Die 6 Schalter einer Phase lassen sich so konfigurieren, das sich am Ausgang vier unter-
schiedliche Spannungen einstellen lassen. Die möglichen Schalterstellungen zeigt Abb. 13-29
mit den Schaltzuständen 1-6.
Tabelle 13.8 Schaltzustände und Spannungen eines Multi-level-Brückenzweigs
2 1
uU0 = Ud U dŏ U dŏ 0
3 3
Abb.13-29/ʍ 1 2 3 4 5 6
S1+ 1 0 0 1 0 0
S2+ 1 1 0 0 1 0
S3+ 1 1 1 0 0 0
S1- 0 1 1 0 1 1
S2- 0 0 1 1 0 1
S3- 0 0 0 1 1 1
238 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

1 2 3

SU3+ SU3+ SU3+

SU2+ SU2+ SU2+

SU1+ SU1+ SU1+


uC2
uC1
Ud U Ud U Ud
U
C3 C2 C1 C3 C2 C1 C3 C2 C1
SU1– SU1– SU1–

SU2– uU0 SU2– uU0 SU2– uU0

SU3– SU3– SU3–


0 0 0

uU0 = Ud uU0 = Ud í uC1 = 2/3 Ud uU0 = Ud í uC2 = 1/3 Ud

4 5 6

SU3+ SU3+ SU3+

SU2+ SU2+ SU2+

SU1+ SU1+ SU1+


uC2 uC1
uC1
Ud Ud Ud U
U U
C3 C2 C1 C3 C2 C1 C3 C2 C1
SU1– SU1– SU1–

SU2– uU0 SU2– uU0 SU2– uU0

SU3– SU3– SU3–

0 0
0

uU0 = uC2 = 1/3 Ud uU0 = uC2 í uC1 = 1/3 Ud uU0 = 0

Abbildung 13-29 Schaltzustände des Multi-level-Inverters

Die Zustände nach 3, 4, 5 liefern alle die gleiche Ausgangsspannung. Die Kondensatoren C1
und C2 sind hierbei aber abwechselnd in unterschiedlicher Funktion (laden, entladen, offen),
so dass sich diese Schaltzustände zum Ausgleichen der Kondensatorspannungen ausnutzen
lassen.
239

14 Drehstromgrößen in Raumzeigerdarstellung

Als „Raumzeiger“ wird eine Darstellungsform bezeichnet, die speziell für Berechnungen in
Drei- und Vierleitersystemen geeignet ist. Die Raumzeigerdarstellung, anfangs nur für die
Magnetfeldbeschreibung von Drehfeldmaschinen entwickelt, wird wegen der erheblichen
Vereinfachung und Anschaulichkeit auch für die Beschreibung von Strömen und Spannungen
in Mehrphasensystemen eingesetzt [5, 6]. Sie sind nicht zu verwechseln mit den (Zeit-)
Zeigern der Wechselstromtechnik.
ȩ Der Raumzeiger stellt die Größen eines mehrphasigen symmetrischen Systems durch eine
Komplexe Zahl mit den Koordinaten —˜ dar.

14.1 Raumzeigertransformation
Als Raumzeigertransformation bezeichnet man die Transformation dreier zeitabhängiger
Spannungen oder Ströme beliebiger Kurvenform mit den räumlichen Koordinaten U,V