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TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module
IGBT-modules FZ800R12KE3
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode
62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode

VCES = 1200V
IC nom = 800A / ICRM = 1600A

TypischeAnwendungen TypicalApplications
• Hochleistungsumrichter • HighPowerConverters
• Motorantriebe • MotorDrives
• USV-Systeme • UPSSystems
• Windgeneratoren • WindTurbines

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• NiedrigeSchaltverluste • LowSwitchingLosses
• SehrgroßeRobustheit • UnbeatableRobustness
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
• NiedrigesVCEsat • LowVCEsat

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • 4kVAC1minInsulation
• GehäusemitCTI>400 • PackagewithCTI>400
• GroßeLuft-undKriechstrecken • HighCreepageandClearanceDistances
• HoheLeistungsdichte • HighPowerDensity
• IsolierteBodenplatte • IsolatedBasePlate
• Standardgehäuse • StandardHousing

ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23

preparedby:MK dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR revision:3.0 ULapproved(E83335)

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FZ800R12KE3

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  1200  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 80°C, Tvj max = 150°C IC nom  800  A
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  1600  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  3550  W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
 VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.


Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 800 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,70 2,15 V
VCE sat
Collector-emittersaturationvoltage IC = 800 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C 2,00 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 32,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG  7,40  µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint  0,94  Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  56,0  nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  2,30  nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 800 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,24 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,25  µs
RGon = 3,6 Ω
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 800 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,18 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,19  µs
RGon = 3,6 Ω
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 800 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,79 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,80  µs
RGoff = 0,91 Ω
Fallzeit,induktiveLast IC = 800 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,12 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,20  µs
RGoff = 0,91 Ω
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 800 A, VCE = 600 V, LS = 85 nH Tvj = 25°C 57,0 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 5000 A/µs Tvj = 125°C Eon  85,0  mJ
RGon = 3,6 Ω
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 800 A, VCE = 600 V, LS = 85 nH Tvj = 25°C 83,0 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 3700 V/µs Tvj = 125°C Eoff  125  mJ
RGoff = 0,91 Ω
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
ISC  
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 3200 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC   0,035 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH  0,016 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  125 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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IGBT-Module
IGBT-modules FZ800R12KE3

Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
 IF  800  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  1600  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t  75000  A²s
I²t-value

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.


Durchlassspannung IF = 800 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 2,20 2,75 V
VF
Forwardvoltage IF = 800 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C 1,90 V
Rückstromspitze IF = 800 A, - diF/dt = 5000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 300 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM  450  A
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung IF = 800 A, - diF/dt = 5000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 35,0 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr  95,0  µC
VGE = -15 V
AbschaltenergieproPuls IF = 800 A, - diF/dt = 5000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 13,0 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec  38,0  mJ
VGE = -15 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC   0,06 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  0,027 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  125 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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IGBT-Module
IGBT-modules FZ800R12KE3

Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
   Cu  
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
  Al2O3  
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 25,0
   mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 19,0
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 25,0
   mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
 CTI  > 400  
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
RthCH  0,01 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
 LsCE  16  nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'  0,50  mΩ
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
 Tstg -40  125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
1,1 - 2,0 Nm
Terminalconnectiontorque ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
2,5 - 5,0 Nm
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
 G  340  g
Weight

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IGBT-Module
IGBT-modules FZ800R12KE3

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=125°C

1600 1600
Tvj = 25°C VGE = 19V
Tvj = 125°C VGE = 17V
1400 1400 VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
1200 1200 VGE = 9V

1000 1000
IC [A]

IC [A]
800 800

600 600

400 400

200 200

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=3.6Ω,RGoff=0.91Ω,VCE=600V

1600 280
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C 260 Eoff, Tvj = 125°C
1400
240

220
1200
200

180
1000
160
E [mJ]
IC [A]

800 140

120
600
100

80
400
60

40
200
20

0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
VGE [V] IC [A]

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IGBT-Module
IGBT-modules FZ800R12KE3

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=800A,VCE=600V

1000 0,1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
900 Eoff, Tvj = 125°C

800

700

600

ZthJC [K/W]
E [mJ]

500 0,01

400

300

200
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,00067 0,002 0,01763 0,0147
100 τi[s]: 0,00001187 0,002364 0,02601 0,06499

0 0,001
0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=0.91Ω,Tvj=125°C
1800 1600
IC, Modul Tvj = 25°C
IC, Chip Tvj = 125°C
1600 1400

1400
1200

1200
1000
1000
IC [A]

IF [A]

800
800
600
600

400
400

200 200

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8 3,2
VCE [V] VF [V]

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IGBT-Module
IGBT-modules FZ800R12KE3

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=3.6Ω,VCE=600V IF=800A,VCE=600V

50 45
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
45 40

40
35

35
30
30
25
E [mJ]

E [mJ]
25
20
20
15
15

10
10

5 5

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36
IF [A] RG [Ω]

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)

0,1
ZthJC : Diode
ZthJC [K/W]

0,01

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,0011 0,0034 0,0303 0,0252
τi[s]: 0,00001187 0,002364 0,02601 0,06499

0,001
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]

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7
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IGBT-Module
IGBT-modules FZ800R12KE3

Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

In fin e o n

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IGBT-Module
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Nutzungsbedingungen

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derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.

SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.

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