˜ o de circuitos de polarizacion del transistor bjt

Disen
Gabriel Velasquez, Hugo Ruiz, Bayron Ruano

gabrielestebanv@gmail.com, hcabrruiz@outlook.com, byrazo@gmail.com

10 de febrero de 2020
1. INTRODUCCION

Conocer y comprender el comportamiento de los Mediante el valor de hfe e IC se obtiene el valor de

circuitos de amplificación con transistores es clave pa- ra IB
diseñarlos; puesto que su buena polarización y se-
IC
lección de fuentes DC nos garantiza la amplificación AC I= (4)
B
deseada. Es por eso que escoger correctamente los hfe
elementos que hacen parte de un circuito amplifi- 2,5mA

cador es importante, pues de esto depende su funcio- IB = (5)

201
namiento y estabilidad. As´ı pues en este informe de

laboratorio se presentan los resultados obtenidos en dos IB = 12,44uA (6)

circuitos diferentes y como un cambio de transis- tor en
ellos puede afectar los valores deseados. Nuevamente realizando una LVK en la malla Base
emisor se obtiene una ecuación con una sola incognita que
es RB, remplazando los valores conocidos resulta:
2. ANALISIS TEORICO

Para lograr los valores deseados, se tomo valores de

RB = 1,15M Ω (9)
resistencias cercanos a los que se requieren teóricamente.
2.1. Experimento 1 Se verifica que el transistor este trabajando en la region
Se realiza el analisis de un circuto que trabaja activa
con una polarización fija
Materiales:
 1 transistor bjt
 Fuente 15V
 R=2K
V CE
una LVK en la malla colector-emisor se obtiene VCE: ICsa = (10)
RC
t
VCE = VCC − IC RC (1) = 10 (11)
I
Csat
2
VCE = 15 − 2,5 ∗ 2KΩ (2) ICsat = 5mA (12)
Como IC es menor que ICsat significa que el transistor no se
VCE = 10V (3) encuentra trabajando en la región de de saturación.

1

Por lo tanto para obtener una IC de 2.5mA se ne- cesita
una RC o R2 de 2K y una RB o R1 de 1.15M.
con la ecuacion 10 se verifica que el transistor no este
trabajando en la region de saturacion.
ICsat = 5,41mA (18)
Por lo tanto al cambiar de transistor se tiene que las
corrientes y voltajes del circuto varian un poco.

2.2. EXPERIMENTO 2
Se analiza un circuito que presenta un polarizacion
por divisor de voltaje.

Materiales:
 Fuente 15V
 Transistor 2N3904(hfe 201)
 R1=2.2K
 R2=1K

Mediante una LVK en la malla colector-emisor se

obtiene VCE

−VCC + IC (RC + R E ) + VCE = 0 (19)

Figura 1: Circuto de polarizacion fija VCE = 15 − 1,5m(2,2k + 1k) (20)
ahora se analiza el comportamiento que causo el VCE = 10,2v (21)
cambio de transistor por otro cuyo hfe es de 168. Se dejo
los valores de RB y RC y se realizaron calculos Por LVK encuentro el valor de VB
nuevamente.

Mediante LVK en la malla Base-emisor se tiene IB

V CC − VBE
I= (13)
B −VB + VBE + IE RE = 0 (22)
RB
15 − 0,70 (14)
I=
B VB = 0,7 + 1,5mA ∗ 1kΩ (23)
1,15M Ω
VB = 2,2v (24)
IB = 12,44uA (15)
Nuevamnente por LVK encuentro el valor de VR1 VR1
Se despeja y se calcula IC de la ecuacion 4
= VCC + V R2 (25)
IC = 2,09mA (16)

Se utiliza la ecuacion 1 para encontrar el valor de VR1 = VCC + V R2 (26)

VCE
VR1 = 12,8v (27)
VCE = 10,82V (17)

2
 Para encontrar el valor de R2 se considera que β RE >=
∗
10R2 y se despeja y se calcula R2

β ∗ Re >= 10R2 (28)

β ∗ RE
R2 <= (29)
10

R2 <= 20,2kΩ (30)

Al realizar un divisor de voltaje entre R1 y R2 se
obtiene la siguiente ecuación, de la que se despeja R1
B (31)
R2VCC
V =
R1 + R2

R2VCC − VBR2
R= (32)
1
VB Figura 2: Polarizacion por divisor de voltaje Por
R2VCC − VBR2
R= (33)
1
VB ultimo mediante LVK se obtiene VC E

R1 = 116,36kΩ (34)
VCE = 15 − 1,5mA(2,2KΩ + 1kΩ) (41)
se calcula IB
IC VCE = 10,2V (42)
IB = (35)
hfe Por lo que se puede afirmar que teoricamente IB
IB = 7,463uA (36) es la unica magnitud que cambia.

Se cambia el transistor por otro que posee una hfe de

168, manteniendo los valores de las resistencias 3. RESULTADOS
previamente calculadas
3.1. tablas de resultados obtenidos en el
El valor de VB no se altera, se realiza LVK en la malla experimento 1
base-emisor para encontrar el valor de VE

VE = VB − VBE (37)

VE = 1,5v (38)
se calcula el valor de IC

VE
I = (39
C
RE
3
 Magnitud Teorico Real
VCE (v) 10 9,3
VRB (v) 14,306 14,38
VRC (v) 5 5,72
VBE (v) 0,7 0,653
IB (uA) 12,44 9
IC (mA) 2,5 2,83
IE (mA) 2,5 2,8

Cuadro 1: Resultados transistor con hfe=201

Magnitud Teorico Real

VCE (v) 10,82 10,6
VRB (v) 14,306 14,4
VRC (v) 4,18 3,96 Cuadro 4: Resultados transistor con hfe=168
VBE (v) ,7 0,653
IB (uA) 12,44 12,1 4. CONCLUSIONES
IC (mA) 2,09 2,05
IE (mA) 2,09 2,12  Debido a factores ambientales, los resultados
experimentales tienen un error comparado
Cuadro 2: Resultados transistor con hfe=168 con los teóricos.

3.2. Tablas de resultados obtenidos en el  Si se cambia un transistor con distinto hfe lo

experimento 2 resultados varían mucho.

Magnitud Teorico Real

VCE (v) 10,2 9,4
VR1 (v) 12,8 12,6
VR2 (v) 2,2 2,3
VRC (v) 3,3 3,9
VRE (v) 1,5 1,6
VBE (v) 0,7 0,653
IB (uA) 7,463 19,8
IC (mA) 1,5 1,6
IE (mA) 1,5 1,62

Cuadro 3: Resultados transistor con hfe=201

Magnitud Teorico Real

VCE (v) 10,2 9,6
VR1 (v) 12,8 12,69
VR2 (v) 2,2 2,29
VRC (v) 3,3 3,7
VRE (v) 1,5 1,6
VBE (v) 0,7 0,653
IB (uA) 8,93 14,9
IC (mA) 1,5 1,54
IE (mA) 1,5 1,56

4
 [1] Boylestad, R.L., Nashelsky, L. (2003). Electro- nica:
teoria de circuitos y dispositivos electronicos. PEARSON
5. REFERENCIAS educación.

5
6