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Martin Poppe

Prüfungstrainer
Elektrotechnik
Erst verstehen, dann bestehen
3. Auflage
Prüfungstrainer Elektrotechnik
Martin Poppe

Prüfungstrainer
Elektrotechnik
Erst verstehen, dann bestehen

3., korrigierte und erweiterte Auflage


Martin Poppe
Fachhochschule Münster
Steinfurt, Deutschland

ISBN 978-3-662-56648-0 ISBN 978-3-662-56649-7 (eBook)


https://doi.org/10.1007/978-3-662-56649-7

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V

Dieses Buch ist jenen gewidmet, die daran arbeiten,


gute Kenntnisse der Elektrotechnik zu erwerben.
Es ist Ihnen gewidmet.
Vorwort

» Courage ist gut, aber Ausdauer ist besser (Theodor Fontane)

Dies soll nicht Ihr erstes Buch der Elektrotechnik sein, sondern ein nützlicher Helfer zum
Bestehen der nächsten Prüfung. Dazu werden in dieser dritten Auflage erstmalig 160 Fragen
aus mündlichen Prüfungen ausführlich beantwortet. Für Klausuraufgaben werden Lösungs-
strategien vorgestellt. Mehr als 200 Beispiele werden bis zur vollständigen Lösung durchge-
rechnet.

. . . die Frage kenne ich doch. . . Stellen Sie sich vor: Eine Prüfung beginnt mit einer Frage
oder einer Aufgabe, die Sie schon kennen und deren Antwort Sie verstanden haben. Wir
haben Skripte und Prüfungsunterlagen der ersten sechs Semester von 34 Hochschulen in
Deutschland, Österreich und der Schweiz analysiert. Dabei hat sich gezeigt, dass es einen
gemeinsamen Kern von Kenntnissen und Fähigkeiten gibt. Genau dieser Kern wird auf den
folgenden Seiten behandelt. Sie finden in diesem Buch Fragen, Aufgaben und Antworten,
die denen in tatsächlichen Prüfungen zwar nicht genau gleichen, aber ähnlich sind. Dieses
Buch soll die Teilnahme an Vorlesungen und Übungen Ihrer Hochschule ergänzen. Ein ak-
tives Studium vor Ort kann aber durch nichts ersetzt werden auch nicht durch die Lektüre
dieses Buches. Wo Sie ungefähr stehen, können Sie prüfen. Unter http://www.springer.com/
de/book/9783662566480 finden Sie zu jedem Kapitel ein Quiz mit zehn Fragen und Antwor-
ten. Weitere, und ständig mehr werdende Unterlagen finden Sie unter www.prüfungstrainer-
elektrotechnik.de. Probieren Sie’s doch einfach!
Um die Prüfungsvorbereitung interessant zu gestalten, werden mehrere Praxisbeispiele
behandelt: Sie werden lernen, warum man sich beim Flug durch ein Gewitter in die Flug-
zeugmitte begeben sollte, wie man in der Werkstatt die Güte eines Bauteiles bestimmt, oder
mit welchen Mitteln es eine Zündanlage im Auto schafft, aus 12 Volt 30.000 Volt zu erzeu-
gen.

Verstehen heißt: Lernen für die Langstrecke Auf Dauer behalten wir nur, was wir auch ver-
standen haben, was also auf einen kleinen Kern von Annahmen zurückgeführt werden kann.
Deshalb stehen die vier Gesetze der Elektrodynamik ganz am Anfang dieses Buches. Wo im-
mer möglich, werden elektrotechnische Sachverhalte auf deren physikalische Begründung
zurückgeführt. Sie werden feststellen: Die Anzahl von k  1 Knotengleichungen der Netz-
werktheorie sind leichter zu merken, wenn Sie verstehen, wie die Ladungserhaltung die k-te
Gleichung verschwinden lässt; die Nicht-Messbarkeit der Halbleiter-Temperaturspannung
wird zur Selbstverständlichkeit, wenn sie als Aspekt der Energieerhaltung erkannt wird, die
. . . sehen Sie selbst! Wenn Sie den Mut haben, vom sturen Auswendiglernen Abschied zu
nehmen und sich auf eine analytische Herangehensweise einlassen, werden Sie belohnt wer-
den. Ihr Wissen wird Ihnen dauerhaft erhalten bleiben, und Sie werden die Souveränität
erlangen, die man braucht, um bei unerwarteten Aufgabenstellungen Lösungswege zu fin-
den. Letztlich werden Sie Arbeit sparen. Und wenn Sie die im Anhang aufgeführten Tipps
beherzigen, dann lernen Sie so effektiv, dass auch noch etwas Freizeit übrig bleibt.

Ihre Zukunft kennt weniger Schranken als die Ihrer Vorgänger Die Elektrotechnik steht mitten
in einer Zeitenwende. Mit der Massenproduktion von EEPROMs und dem Aufkommen der
VII
Vorwort

Nanotechnologie dringt die Elektrotechnik in Bereiche vor, die bis zur Jahrhundertwende
der Forschung vorbehalten waren: Der Tunneleffekt wird ebenso Gegenstand von Entwurfs-
überlegungen wie einzelne Atome. Damit geht die Zeit der klassischen, auf sich alleine
konzentrierten Elektrotechnik unwiederbringlich vorbei.
Es ist in Ihrem Interesse als Teil einer neuen Generation von Ingenieuren auf die Zu-
sammenarbeit mit Wissenschaftlern anderer Fakultäten vorbereitet zu sein. In diesem Buch
wird daher eine Sprache verwandt, die mit der Begriffswelt von Physikern, Chemikern und
Maschinenbauern kompatibel ist. Veraltete, aber dennoch bis heute benutzte Fachbegriffe
werden genannt, erklärt, aber nicht mehr verwendet. Sie werden erstaunt sein, wie viel ein-
facher zu verstehen die theoretische Basis der Elektrotechnik dadurch wird.

So geht’s: Der erste Schritt zum Erfolg ist die von keiner Illusion getrübte Selbsterkennt-
nis. Zu jedem Kapitel dieses Buches gibt es daher einen Satz von Fragen und Antworten,
mit deren Hilfe Sie Ihr Vorwissen testen können. Die Fragen sind in solche aus mündlichen
Prüfungen und solche aus Klausuren unterteilt. Die Klausuraufgaben sind in aufsteigender
Reihenfolge nach ihrem Schwierigkeitsgrad geordnet. Wenn Sie die leichten Fragen beant-
worten können, kennen Sie die wichtigsten Begriffe, und Sie wissen, worum es geht. Die
mittelschweren Fragen und Aufgaben wenden sich an die Studierenden von Fachhochschu-
len. Die schweren Fragen sind für Studierende an Universitäten und all diejenigen gedacht,
die ein weiterführendes Studium (in der Regel das Masterstudium) anstreben.
Versuchen Sie bitte zunächst, alle Fragen zu beantworten und alle Aufgaben zu lösen.
Können Sie alles, brauchen Sie den Theorieteil nicht zu lesen. Vergleichen Sie Ihren Lö-
sungsweg mit dem hier gezeigten: Welcher ist kürzer, welcher ist geradliniger? Nichts ist
lehrreicher als das Vergleichen eigener Lösungswege mit anderen. Wer aber in eine Klausur
nicht nur mit Fachwissen, sondern auch mit selbst erprobten Lösungsstrategien hineingeht,
der weiß, dass er rechtzeitig fertig werden wird.
Dieses Buch lebt seit dem Erscheinen der ersten Auflage im Jahre 2012 vom Dialog.
Zögern Sie bitte nicht, mir gegebenenfalls unter poppe@fh-muenster.de zu schreiben. Ich
beantworte jede E-mail.

Viel Erfolg wünscht Ihnen

Steinfurt, den 6.6.2018 Martin Poppe


Dank

Es ist nicht möglich, alle, die geholfen haben, zu erwähnen. Dies beginnt bei den Verant-
wortlichen der Fachhochschule Münster, die mir die Freiräume für das Schreiben dieses
Buches gaben und endet mit denjenigen, die sich die Mühe gemacht haben, einzelne Kapitel
zu lesen: den Kollegen Dirk Fischer, Peter Glösekötter, Reinhard Job und Hans Christoph
Mertins.
Beim Schreiben der neuen Auflage habe ich sehr von den Diskussionen zur Feldtheorie
mit dem Kollegen Jenda Obdrzalek von der Karls-Universität Prag profitiert. Mein Dank gilt
auch denjenigen Mitgliedern des VDE Rhein Ruhr, die mir viele Anwendungsgebiete der
Elektrotechnik vor Ort gezeigt und erklärt haben.
Frau Hestermann-Beyerle, Frau Kollmar-Thoni und Herrn Kottusch vom Springer-Verlag
danke ich für viele Anregungen, konstruktive Gespräche und für wertvolle Korrekturhinwei-
se.
Dieses Buch wäre nicht geschrieben worden, hätte mich meine Frau in der Zeit des
Schreibens nicht so bedingungslos unterstützt. Ihr gilt mein ganz besonderer Dank.
Inhaltsverzeichnis

1 Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1


1.1 Grundlagen der Elektrodynamik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.1 Elektrische Wechselwirkung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.2 Magnetische Wechselwirkung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.1.3 Zeitlich veränderliche Felder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.1.4 Die Maxwell’schen Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.1.5 Felder in Materie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.2 Fragen und Aufgaben zur Elektrodynamik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.2.2 Klausuraufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.3 Antworten zu Kap. 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

2 Passive Bauelemente – den Strom zum Helfer machen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45


2.1 Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.1.1 Die Materialien der Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.1.2 Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
2.1.3 Spulen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
2.1.4 Widerstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
2.1.5 Impedanzen und Parasitärelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
2.2 Fragen und Aufgaben zu den passiven Bauelementen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
2.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
2.2.2 Klausuraufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
2.3 Antworten zu Kap. 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

3 Halbleiter-Bauelemente – durch Verunreinigung Perfektion erreichen . . . . . . 87


3.1 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.1.1 Halbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.1.2 Dotierung und PN-Übergang . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
3.1.3 Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.1.4 Bipolar-Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.1.5 MOS-Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
3.1.6 Leistungshalbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
3.1.7 Ersatzschaltbilder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
X Inhaltsverzeichnis

3.2 Fragen und Aufgaben zu Halbleiter-Bauelementen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119


3.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
3.2.2 Klausuraufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
3.3 Antworten zu Kap. 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125

4 Lineare elektrische Netze – dem Strom einen Weg bahnen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137


4.1 Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
4.1.1 Vorzeichen, Richtungen und Topologien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
4.1.2 Kirchhoff’sche Regeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
4.1.3 Reale Strom- und Spannungsquellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
4.1.4 Analyseverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
4.2 Fragen und Aufgaben zu linearen elektrischen Netzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
4.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
4.2.2 Klausuraufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
4.3 Antworten zu Kap. 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159

5 Wechselstromnetze – beliebige Spannungen erzeugen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173


5.1 Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
5.1.1 Begriffe und Bilder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
5.1.2 Ersatzimpedanzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
5.1.3 Leistung und Energie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
5.1.4 Übertrager . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
5.1.5 Drei-Phasen-Wechselstrom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
5.2 Fragen und Aufgaben zu Wechselstromnetzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
5.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
5.2.2 Klausuraufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
5.3 Antworten zu Kap. 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200

6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole – die guten Signalanteile


herausfiltern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 213
6.1 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 213
6.1.1 Frequenzselektion durch Widerstandsänderung: Schwingkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 213
6.1.2 Frequenzselektion durch Spannungsänderung: Übertragungsfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . 218
6.1.3 Frequenzselektion durch Spannung und Strom: Vierpoltheorie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
6.2 Fragen und Aufgaben zu Zwei- und Vierpolen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
6.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
6.2.2 Klausuraufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
6.3 Antworten zu Kap. 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 240
XI
Inhaltsverzeichnis

7 Transistorschaltungen – mit kleinen Strömen viel bewegen . . . . . . . . . . . . . . . . . 255


7.1 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255
7.1.1 Grundschaltungen des Bipolar-Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255
7.1.2 Qualitätssteigerungen von Bipolar-Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 265
7.1.3 Grundschaltungen des MOS-Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 267
7.2 Fragen und Aufgaben zu Transistorschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
7.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
7.2.2 Klausuraufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275
7.3 Antworten zu Kap. 7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280

8 Operationsverstärker – Sensorsignale nutzbar machen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293


8.1 Theoretische Grundlagen zu Operationsverstärkern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293
8.1.1 Eigenschaften und Aufbau von Operationsverstärkern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293
8.1.2 Schaltungen mit idealen Operationsverstärkern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 298
8.1.3 Schaltungen mit realen Operationsverstärkern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 303
8.2 Fragen und Aufgaben zu Operationsverstärkern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 306
8.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 306
8.2.2 Klausuraufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 308
8.3 Antworten zu Kap. 8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 313

Serviceteil

Was Sie vielleicht schon immer wissen wollten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 328


A.1 Einheiten verstehen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 328
A.2 Euler verstehen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330
A.3 Nabla verstehen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 332
A.4 Einstein verstehen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 334

Allgemeine Tipps . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338


A.5 Effektiv lernen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338
A.6 Prüfungen bestehen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 339

Sachverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 341
Symbole und Abkürzungen

A 1. für die Diskussion von Feldern: Fläche


2. in der Schaltungstechnik: Vierpol-Kettenparameter-Matrix, bei komplexen Werten
unterstrichen
A Flächenvektor
B Suszeptanz, Imaginärteil der Leitfähigkeit in der Wechselstromtechnik
B magnetische Feldstärke
ˇ Vorwärtsstromverstärkung eines Bipolar-Transistors
ˇN Leitwertparameter eines NMOS-Transistors
ˇP Leitwertparameter eines PMOS-Transistors
C Kapazität, Q D C  U
c Lichtgeschwindigkeit im Vakuum
D Verlustfaktor von Bauelementen und Schwingkreisen D D 1=Q
D elektrische Verschiebung, elektrische Erregung
ı Verlustwinkel D D tan ı
EF Fermi-Energie
e 1. Eulersche Zahl (2,718. . . )
2. Elementarladung
"0 elektrische Feldkonstante, elektrische Permeabilität des Vakuums
"r relative elektrische Permeabilität "r D 1 C E
F Kraft, F D d p=dt
f Frequenz, Kehrwert der Periodendauer T
G Leitwert oder Leitwertmatrix
g Erdbeschleunigung
g Übertragungsmaß eines symmetrischen Vierpols: A11 D cosh.g/
H magnetische Erregung
h 1. in der Schaltungstechnik: Vierpol-Hybridmatrix
2. in der Physik: Plancksches Wirkungsquantum
I Strom, allgemein I D dQ=dt
i 1. in der Wechselstromtechnik: harmonisch periodischer Strom um die Phase  ver-
schoben, i D IO  sin.!  t C /
2. in der Kleinsignalanalyse: Abweichung des Stromes vom Arbeitspunkt, i D dI
IO Amplitude eines harmonisch periodischen Stromes
i harmonisch periodischer Strom, komplex erweitert. Der messbare Strom ist i D
=.i/:
I Amplitude des komplex erweiterten harmonisch periodischen Stromes. Diese Am-
plitude beinhaltet die Phase : I D IO  e j . Daher ist i D I e i !t .
J Stromdichte,
p J D v
j j D 1 , die imaginäre Zahl, die Friedrich Gauß i nannte
k Boltzmann-Konstante
L Induktivität, Ui nd D L dI
dt
 magnetischer Leitwert, für eine Spule mit N Windungen gilt L D N 2
 1. in der Physik: Wellenlänge
2. in der komplexen Wechselstromtechnik: Leistungsfaktor,  D P =S
3. in der Halbleiter-Schaltungstechnik die Änderung des Drainstromes mit der Gate-
Source-Spannung im Abschnürbereich in linearer Näherung I  .1 C UDS /
XIII
Symbole und Abkürzungen

M Masse eines Mols (molare Masse) Für den Stoff x ist M D NA  mx , NA ist die
Avogadro-Konstante (Anzahl der Moleküle in einem Mol)
M magnetische Polarisation
mx Masse eines einzelnen Atoms oder Moleküls eines beliebigen Stoffes x, Beispiel
Kohlenstoff: mC D 12 g=NA
 magnetisches Dipolmoment
0 magnetische Feldkonstante, magnetische Permeabilität des Vakuums
p Beweglichkeit von Löchern im Halbleiter
n Beweglichkeit von Elektronen im Halbleiter
r relative magnetische Permeabilität eines Stoffes (dimensionslos)
nA in der Halbleitertechnik: Anzahl der Akzeptor-Atome pro Volumen
nD in der Halbleitertechnik: Anzahl der Donator-Atome pro Volumen
nx Teilchendichte des Stoffes x, Anzahl pro Volumen
n in der Halbleitertechnik: Anzahl der Elektronen pro Volumen
P Leistung, allgemein
P elektrische Polarisation
p 1. In der Halbleitertechnik: Anzahl der Löcher pro Volumen
2. in der Wechselstromtechnik: zeitabhängige Leistung
p 1. in der Mechanik: Impuls, p D m  v
2. in der Elektrodynamik: elektrisches
R Dipolmoment
˚x Fluss des Feldes x, Beispiel ˚B D Bd A
Q 1. allgemein: Ladung
2. bei Bauelementen und Schwingkreisen: Güte
3. in der Wechselstromtechnik: Blindleistung
R Ohmscher Widerstand oder Widerstandsmatrix
r Ohmscher Widerstand in der Kleinsignalanalyse
r Radiusvektor
 1. in der Feldtheorie: Ladungsdichte
2. in der Schaltungstechnik: spezifischer Widerstand
S Steilheit eines Bipolar-Transistors
S Scheinleistung in der komplexen Wechselstromtechnik
 spezifische Leitfähigkeit
t Zeit, allgemein
T 1. in der Wechselstromtechnik: Periodendauer, Kehrwert der Frequenz f
2. in der Materialwissenschaft: absolute Temperatur
T Spannungs-Übertragungsfunktion, Verhältnis Ausgangsspannung zu Eingangsspan-
nung im lastfreien Fall
Drehmoment
U Spannung, allgemein als Differenz zweier Potenziale
u 1. in der Wechselstromtechnik: harmonisch periodische Spannung um die Phase 
verschoben, u D UO  si n.!  t C /
2. in der Kleinsignalanalyse: Abweichung der Spannung vom Arbeitspunkt: u D d U
UO Amplitude einer harmonisch periodischen Spannung
u harmonisch periodische Spannung, komplex erweitert. Die messbare Spannung ist
u D =.u/.
U Amplitude der komplex erweiterten harmonisch periodischen Spannung. Diese Am-
plitude beinhaltet die Phase : U D UO  e j . Daher ist u D U e i !t .
UD Diffusionsspannung
XIV Symbole und Abkürzungen

UK Schleusen- oder Kniespannung einer Diode


UT Temperaturspannung UT D kT =e
UT h Schwellspannung von MOS-Transistoren
V 1. in der Geometrie: Volumen R
2. in der Elektrodynamik elektrisches Potenzial V D  E d s
Vx Verstärkung der Größe x, es gilt Vx D dxAus =dxEin
v Geschwindigkeit, v D d s=dt
X Blindwiderstand in der Wechselstromtechnik
E elektrische Suszeptibilität
M magnetische Suszeptibilität
Y Admitanz (komplexer Leitwert) oder dessen Matrix
Z Impedanz oder Impedanz-Matrix
Z0 charakteristische Impedanz eines symmetrischen Vierpols
! Kreisfrequenz, ! D 2
 f
1 1

Elektrodynamik – die beste Theorie


der Welt verstehen
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2018
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, https://doi.org/10.1007/978-3-662-56649-7_1

In diesem Kapitel wird die Verbindung von Physik und Elektrotechnik beschrieben. Es werden die
grundlegenden Begriffe Ladung, Strom, elektrisches und magnetisches Feld und Spannung ein-
geführt. Hinzu kommen die in den vier Maxwell-Gleichungen zusammengefassten elementaren
Zusammenhänge, auf denen die gesamte Elektrotechnik beruht. Das Kapitel beschreibt ein ebenso
einfaches wie universell anwendbares Verfahren, Materie in den Maxwell-Gleichungen zu berück-
sichtigen. Und es zeigt, wo die klassische Elektrodynamik an ihre Grenzen stößt.
Die Diskussion der Auswirkung der Verwendung neuer Materialien im Flugzeugbau auf die
Passagiersicherheit bei Blitzschlag dient als Praxisbeispiel.

1.1 Grundlagen der Elektrodynamik

The best theory we have. Diese auf vielen Konferenzen zu hörende Qualifizierung wird nur
einer einzigen Theorie zuteil, der Elektrodynamik. Dies hat zwei Gründe:
Erstens: Die Untersuchung der Transformationseigenschaften der elektrischen Grundglei-
chungen durch Albert Einstein hat, wie . Abb. 1.1 zeigt, die spezielle Relativitätstheorie [2, 4]
hervorgebracht (siehe Anhang).
Zweitens: Keine andere Theorie ist so genau getestet worden: Bei dem so genannten g-2
Experiment [7, 8] am CERN wurden Elektronen mit nahezu Lichtgeschwindigkeit für mehrere
Tage (!) auf der in . Abb. 1.2 gezeigten Kreisbahn gehalten und ihre Präzessionsbewegung
gemessen.

. Abb. 1.1 Die Relativitätstheorie im


Original von 1905. Sie ist eine Analyse
der Transformationseigenschaften der
Maxwell’schen Gleichungen und der
sich daraus ergebenden Konsequenzen
2 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

. Abb. 1.2 Die Intersecting storage Rings (ISR) am CERN. Hier wurde der genaueste, jemals von Menschen durch-
geführte Test einer Theorie, das g-2 Experiment, durchgeführt. Durch die in den großen Metallblöcken befindlichen
Magnete werden Teilchen auf ihrer Bahn durch eine Vakuum-Röhre gehalten (Foto: CERN)

Die Messung bestätigte die Vorhersage der Quantenelektrodynamik innerhalb der Fehler-
toleranz von 1 W 5;8 Millionen, oder anders ausgedrückt: Relative Abweichungen von mehr als
1,7 Zehntausendstel Promille konnten ausgeschlossen werden [7, 8]1 . So ist die Elektrodyna-
mik die bis heute am härtesten getestete und damit am beeindruckendsten bestätigte Theorie
der Physik überhaupt.
Die Elektrostatik untersucht eine einzige Eigenschaft der Materie und deren Konsequenzen
für den sie umgebenden Raum: die Ladung. Die Magnetostatik beschreibt die Kräfteverhält-
nisse bei ruhenden Magneten. Indirekt beschäftigt sie sich also mit bewegten Ladungen. Die
Elektrodynamik untersucht darüber hinaus die Phänomene, welche durch bewegte und be-
schleunigte Ladungen und veränderliche Felder entstehen. Von Magnetodynamik spricht man
bei veränderlichen Magnetfeldern, deren Ursachen und Konsequenzen. Wir wissen heute, dass
Elektrostatik, Elektrodynamik, Magnetostatik und Magnetodynamik unauflöslich zusammen-
gehören.
Die Elektrodynamik ist ein Teilgebiet der Physik. Die Elektrotechnik verwendet die in der
Elektrodynamik gefundenen Erkenntnisse, um sie für den Menschen nutzbar zu machen.

1
Bei diesem Experiment war das Messergebnis noch etwas genauer als die Vorhersage, welche schwer zu quantifizie-
rende Korrekturen durch die Kernkräfte auf virtuelle Quark-Antiquark-Paare zu berücksichtigen hatte.
1.1  Grundlagen der Elektrodynamik
3 1

1.1.1 Elektrische Wechselwirkung

Die Ladung ist eine Eigenschaft mit drei Merkmalen:


4 Ladung kommt in 2 Varianten (C und ) vor.
4 Ladung ist quantisiert.
4 Ladung bleibt erhalten.

1 Kräfte zwischen Ladungen


Gleiche Ladungen stoßen sich ab, entgegengesetzte Ladungen ziehen sich an. Die Stärke der
Kraft ist durch das Coulombsche Gesetz gegeben. Zwei entgegengesetzte Ladungen Q1 ; Q2
im Abstand2 r21 ziehen sich mit einer Kraft, deren Betrag durch

jQ1  Q2 j
F D (1.1)
4
"0  r21
2

gegeben ist, an. Genau wie bei der Gravitation sinkt die Stärke der Kraft mit dem Quadrat des
Abstandes. Der Proportionalitätsfaktor "0 heißt elektrische Feldkonstante oder auch Dielektri-
zitätskonstante. Sie wird auch als dielektrische Leitfähigkeit oder Permittivität bezeichnet. In
vektorieller Form lässt sich das Coulombsche Gesetz so schreiben:
Q1  Q2 r2  r1
F2 D F1 D  : (1.2)
4
"0 jr21 j3

In (1.2) ist F2 die Kraft, welche auf die Ladung Q2 wirkt. Sie gibt für alle Ladungs- und Rich-
tungskombinationen das korrekte Ergebnis. Denn wenn die Ladungen verschieden sind, so ist
das Produkt Q1  Q2 negativ, und der Kraftvektor bekommt die entgegengesetzte Richtung
(siehe . Abb. 1.3).

1 Die Ladung ist quantisiert


Bis zur Mitte des zwanzigsten Jahrhunderts schien die uns bekannte, stabile Welt nur aus Teil-
chen zu bestehen, die jeweils ein ganzzahliges Vielfaches einer einzigen, bestimmten Ladung
mit sich tragen: Protonen, Neutronen und Elektronen. Daher wird diese Ladung bis heute Ele-
mentarladung (mit e bezeichnet) genannt. Nach heutigem Stand der Wissenschaft sind aber
die Bausteine der Atomkerne selbst aus Quarks aufgebaut, deren Ladung einfache Vielfache
eines Drittels der Elementarladung sind. Wie . Abb. 1.4 zeigt, sind am Aufbau unserer unmit-
telbaren Umwelt jedoch nur zwei Typen von Quarks sowie das Elektron beteiligt. Die anderen

. Abb. 1.3 Coulombsches Gesetz in Vektor-Form: Haben die y


Ladungen Q1 und Q2 das gleiche Vorzeichen, hat der Kraftvektor,
welcher auf Q2 wirkt, die gleiche Richtung wie der Abstandsvektor Q1
r2  r1 (Abstoßung). Sind die Ladungen verschieden, ziehen sie sich r21 = r 2 - r1
an und der Kraftvektor ist antiparallel zu r2  r1 (Anziehung)
r1
Q2
r2

2
In der Regel bedeuten zwei Indizes die Differenz. Es ist zum Beispiel der Abstandsvektor zweier Objekte gleich der
Differenz der Ortsvektoren r21 D r2  r1 . Der Betrag des Abstandes ist dann r21 D jr 21 j.
4 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

. Abb. 1.4 Kleinste heute bekannte Be- Familie Ladung Elementarteilchen Ladung Atomteil Name
1 standteile der Materie. Die Teilchen, aus
c
t
u
denen Atome und Moleküle bestehen (Pro- 2/3 u 1 u Proton
tonen, Neutronen und Elektronen), haben Quarks s
b d
d
Ladungen, die Vielfache der so genannten -1/3
Elementarladung sind. Protonen und Neu- d u Neutron
μ τ 0
tronen bestehen aus Quarks mit Vielfachen -1 e d
eines Drittels der Elementarladung. Alle Leptonen νe νμ ντ
0
Elementarteilchen außer u; d; e; sind e Elektron
-1
instabil

Quarks (s; c; b; t ) und die Teilchen  und sind instabil und kommen nur in der Höhen-
strahlung vor. Die drei Neutrino-Typen ( ) fliegen meist ungehindert durch die gesamte Erde
hindurch.

1 Die Ladung ist erhalten


Die Erhaltung der Ladung manifestiert sich in besonders auffälliger Weise, wenn Ladung er-
zeugt wird. In . Abb. 1.5 sieht man, dass die Erzeugung einer positiven Ladung immer mit der
gleichzeitigen Erzeugung einer negativen Ladung erfolgt. Es gibt praktisch keine technische
Nutzung der Ladung ohne deren Bewegung. Wenn aber Ladungen bewegt werden, können
neue Phänomene beobachtet werden. Der Gewinn oder Verlust von Ladung pro Zeit wird als
(Ladungs-) Strom bezeichnet.

Definition 1.1
Der elektrische Strom ist der Gewinn an positiver Ladung pro Zeiteinheit: I D Q= t.

. Abb. 1.5 zeigt den Extremfall von durch einzelne Teilchen hervorgerufenen Strömen. Die
Bahnen der gerade erzeugten Teilchen sind gekrümmt. Aus der Krümmungsrichtung im Ma-
gnetfeld lässt sich auf das Vorzeichen der Ladung schließen.

. Abb. 1.5 Blasenkammeraufnahme zur Ladungs-


erhaltung. Ladung wird immer nur in Paaren mit der
Gesamtladung Null erzeugt. Diese Aufnahme [5] von
1964 zeigt an den durch Pfeile markierten Punkten die Er-
zeugung von Paaren geladener Teilchen. Aus der jeweils
entgegengesetzten Krümmung im Magnetfeld folgt, dass
die Teilchen entgegengesetzte Ladungen haben
1.1  Grundlagen der Elektrodynamik
5 1
. Abb. 1.6 Skizze einer Leitung. Der
von ihr transportierte Strom ergibt sich
aus der Anzahl der Ladungsträger, die
sich im Volumen A x befinden. Dabei ist
x von der Geschwindigkeit abhängig:
x D vx t

1 Ursache von Strömen sind Bewegungen von Ladungsträgern


Ursache eines jeden Stroms ist die Bewegung geladener Teilchen. Im Folgenden soll der Zu-
sammenhang zwischen dieser Bewegung und dem durch sie verursachten Strom dargelegt
werden. Stellen wir uns einen Draht vor, in dem sich Elektronen mit einer Geschwindigkeit
vx entlang der x-Richtung bewegen; so wie in . Abb. 1.6 dargestellt. Der Strom ist gleich
der Gesamtladung, die den Querschnitt A pro Zeiteinheit durchquert, also das Produkt aus der
Anzahl der Ladungsträger pro Zeiteinheit und deren jeweiliger Ladung qT . Die Anzahl lässt
sich leicht berechnen, wenn erkannt wird, dass diese genau so groß ist, wie die Anzahl der
Ladungsträger im Volumen V D A x mit x D vx t . Bei einer Ladungsträgerdichte n
(Anzahl pro Volumen) ergibt sich so

I D qT nvx A (1.3)

Der Faktor q n wird auch Ladungsdichte  genannt, denn es gilt:

Definition 1.2
Die Ladungsdichte  ist die durch das Volumen geteilte Ladung in diesem Volumen.

Die Ladungsdichte  kann daher als Produkt aus der Teilchendichte n und der Ladung qT der
einzelnen Ladungsträger berechnet werden.
Mit Hilfe der Ladungsträgergeschwindigkeit v und des Flächenvektors A (siehe auch
. Abb. 1.7) lässt sich der Zusammenhang (1.3) auf beliebige Winkel verallgemeinern.

I D v  A (1.4)

Geschwindigkeit und Ladung sind verschiedene Eigenschaften der gleichen Teilchen. Des-
halb ist es sinnvoll, beide Größen zu einer neuen zusammenzufassen
6 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

. Abb. 1.7 Skizze zur Bedeutung eines Flächenvektors: Jeder Fläche kann ein Vektor
1 zugeordnet werden, der die Größe und die Orientierung der Fläche angibt. Sein Betrag ist
die Größe der Fläche dA
dA

Definition 1.3
Die Stromdichte J ist das Produkt aus der Ladungsdichte  und der Geschwindigkeit v der
Ladungsträger.
J Dv (1.5)

Im Allgemeinen ist die Stromdichte an jedem Ort verschieden. Im diesem Falle ist daher zu
schreiben
Z
I D J  dA (1.6)

Ein interessanter Sonderfall ergibt sich, wenn die Fläche A ein Volumen vollständig um-
schließt. Wenn (per Konvention) die Einzelelemente dA des Flächenvektors als nach außen
zeigend definiert werden, dann ist Inach außen der Strom, der dieses Volumen verlässt und es
gilt3
I
dQinnen
J  dA D Inach außen D  (1.7)
dt

Mit Hilfe des Gauß’schen Satzes [12] kann dies auch als

@
r J D (1.8)
@t

geschrieben werden. Gl. (1.8) ist in der Literatur als Kontinuitätsgleichung bekannt. Sie be-
schreibt den durch die Ladungserhaltung an jedem Punkt festgelegten Zusammenhang zwi-
schen der Stromdichte und der Veränderung der Ladungsdichte.
Ist innerhalb eines bestimmten Volumens V die Ladung konstant, so gilt für die dieses
Volumen umschließende Oberfläche
I
J  dA D 0 (1.9)

Gleichung 1.9 ist also eine kompakte Darstellung der Ladungserhaltung in geschlossenen Sys-
temen.

3
H
Das Symbol wird immer dann verwendet, wenn eine Oberfläche oder eine Linie geschlossen ist.
1.1  Grundlagen der Elektrodynamik
7 1

1 Ladungen verändern ihre Umgebung: Sie erzeugen elektrische Felder


Man kann die durch Ladungen hervorgerufenen Kräfte als Eigenschaften des sie umgebenden
Raumes interpretieren. Diese von Michael Faraday eingeführte Sichtweise [1] ist erst einmal
nichts Neues, öffnet aber den Blick für weitere Erkenntnisse.
Wenn eine von zwei Ladungen, zum Beispiel Q1 in . Abb. 1.3, festgehalten wird, dann
hängt es von der Position der anderen Ladung (Q2 ) ab, welche Kraft auf sie wirkt. An jeder
Stelle des Raumes wirkt eine andere Kraft. Daher kann man jedem Punkt im Raume einen
Kraftvektor zuordnen. Dividiert man diesen durch die Ladung Q2 , so erhält man einen neuen
Vektor E D F 2 =Q2 , welcher nur noch von der Ladung Q1 und der Position im Raume
abhängt. Er wird daher als eine durch die Ladung Q1 hervorgerufene Eigenschaft des Raumes
um sie herum betrachtet, mit der man die Kraft nicht nur auf die Ladung Q2 , sondern auf eine
beliebige andere Ladung QProbe berechnen kann. Diese neue Eigenschaft des Raumes heißt
elektrisches Kraftfeld oder kurz elektrisches Feld.

Definition 1.4
Das elektrische Kraftfeld E , (das elektrische Feld), an einem Punkt des Raumes ist der
Quotient aus der Kraft, die auf einen geladenen Probekörper im betrachteten Punkt wirkt, und
dessen Ladung QProbe : E D F Probe =QProbe . Sein Betrag jE j heißt elektrische Feldstärke.

Nach dem Coulombschen Gesetz (1.2) erzeugt eine am Ort r1 befindliche Ladung Q1 am Ort
r2 ein Feld der Stärke
F2 Q1 r2  r1
E.r2 / D D  : (1.10)
Q2 4
"0 jr21 j3
Meist wird dieses Gesetz für den Fall angegeben, dass r1 D 0 ist. Dann ist die Gleichung auch
ohne Indizes eindeutig und man erhält die Standardformulierung
Q r
ED  : (1.11)
4
"0 jrj3
Dabei ist Q die das Feld erzeugende Ladung und r der Abstandsvektor zu dieser Ladung.
Durch diese Formulierung des Coulombschen Gesetzes wird jedem Punkt im Raume ein Vek-
tor E zugeordnet, der die Kraft auf einen Probekörper mit der Ladung QProbe angibt.
Wenn mehr als zwei Ladungen beteiligt sind, so ergeben sich die Kräfte und damit die
Felder durch vektorielle Addition. Dies wird auch als Prinzip der linearen Superposition be-
zeichnet. Es beinhaltet, dass sich elektrische Felder ohne gegenseitige Störung gegenseitig
durchdringen (Ausnahmen siehe [9]). Das von n Ladungen erzeugte Gesamtfeld errechnet
sich dann als
X n
Qi ri
ED  : (1.12)
i D1
4
" 0 jrij
3

Die Vektoren des elektrischen Feldes formen regelmäßige Muster, die als Feldlinien wie in
. Abb. 1.8 dargestellt werden. Die Tangenten dieser Linien geben an, in welcher Richtung
die Kraft wirkt. Wie in den . Abb. 1.8 und . Abb. 1.9 zu sehen ist, beginnen alle Feldlinien
bei den positiven Ladungen und enden bei den negativen. Daher sagt man auch: Die positiven
Ladungen sind Quellen des elektrischen Feldes, die negativen Ladungen sind die Senken des
elektrischen Feldes.
8 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

. Abb. 1.8 Von zwei entgegen-


1 gesetzten Ladungen erzeugtes Feld,
dargestellt als Feldlinien. Ein positiv
geladener Probekörper würde von der
positiven Ladung weg und zur negati-
ven Ladung hin gedrückt werden

. Abb. 1.9 Von zwei gleichen La-


dungen erzeugtes Feld, dargestellt als
Feldlinien. Auf einen Probekörper ge-
nau im Punkt in der Mitte zwischen
ihnen würde keine Kraft wirken

Ladungen erzeugen elektrische Felder und elektrische Felder wirken auf Ladungen.

Bewegen sich Elektronen innerhalb eines Festkörpers aufgrund eines elektrischen Feldes, so
stoßen sie ständig mit den Atomrümpfen zusammen. Dies hat zur Folge, dass ständig Bewe-
gungsenergie an den Festkörper abgegeben wird. So wird jedes stromdurchflossene Material
erwärmt. Außerdem nimmt die Geschwindigkeit der Elektronen nicht beliebig zu. Vielmehr
stellt sich ein Gleichgewichtswert ein: Es wird im Mittel so viel Energie pro Kollision abgege-
ben, wie zwischen zwei Kollisionen im Feld aufgenommen wird. Eine fundamentale Analyse
von Paul Drude [3] ergab, dass die Stromdichte innerhalb eines Materials in guter Näherung
proportional zur Feldstärke ist:

J D E (1.13)

Der Proportionalitätsfaktor  wird spezifische Leitfähigkeit genannt. Die spezifische Leitfä-


higkeit erweist sich bei genauerer Analyse als Kehrwert des spezifischen Widerstandes.
Der große Wert von (1.13) liegt darin begründet, dass mit ihrer Hilfe Stromverteilungen
in komplizierten Geometrien berechenbar werden. (siehe . Abb. 1.11 und . Abb. 1.12 im
Anwendungsbeispiel: Flugzeug im Gewitter)

1 Elektrische Dipole richten sich nach dem elektrischen Feld aus


Bei mehreren verschiedenen Ladungen erscheint das Feld, wie es in . Abb. 1.8 zu sehen ist,
ausgerichtet. Das Maß für die Ausrichtung wird Dipol-Moment p genannt. Das Dipolmoment
gibt an, wie stark das Bestreben eines Körpers ist, sich parallel zu einem äußeren elektrischen
Feldes auszurichten:
1.1  Grundlagen der Elektrodynamik
9 1
Definition 1.5
Ein Körper hat ein elektrisches Dipolmoment p, wenn auf ihn in einem homogenen
elektrischen Feld E ein Drehmoment  D p  E ausgeübt wird.

Man kann zeigen, dass das elektrische Dipol-Moment p einer insgesamt neutralen Gesamtheit
von n Ladungen Qi dann
X n
pD Qi  r i (1.14)
i D1

ist. Dabei ist dieses Ergebnis für p vom Bezugssystem unabhängig (siehe Lösung zur Aufga-
be 1.23).

1 Das Potenzial bestimmt, wie viel Energie die Bewegung einer Ladung kostet
Um eine Ladung entgegen den Feldlinien von einem Punkt a zu einem anderen Punkt b zu
bewegen, muss Arbeit verrichtet werden. Der Energiegewinn4 ist dabei

Zb Zb
W D F  ds D Q E  ds : (1.15)
a a

Bis auf einen Faktor Q hängt der Energiegewinn nur vom Feld und von den Anfangs- und
Endpunkten ab. Diese neue Eigenschaft eines Punktes im Raum wird Potenzial genannt. Kennt
man also das Potenzial des Anfangspunktes und das des Endpunktes der Bewegung einer
Ladung, dann weiß man sofort, welche Energie benötigt oder freigegeben wurde, um vom
ersten Punkt zum zweiten zu gelangen.

Definition 1.6
R
Das elektrische Potenzial V ist gegeben durch V D  E  ds, und die Differenz zweier
Rb
Potenziale heißt Spannung  a E  ds D .V .a/  V .b//.

Gemäß Definition 1.6 ist das elektrische Potenzial bis auf eine Integrationskonstante be-
stimmt. Aus diesem Grunde kann willkürlich festgelegt werden, wo das Potenzial gerade den
Wert Null hat. Oft wird das Potenzial auch in differenzieller Form angegeben:

E D r  V : (1.16)

In dieser Form wird der praktische Nutzen des Potenzials deutlich: Wer das Potenzial kennt,
kann durch Ableiten das elektrische Feld und damit die wirkenden Kräfte bestimmen. . Abb.
1.10 zeigt den Potenzialverlauf zweier geladener Metallkugeln unterschiedlicher Größe, aber
vom Betrag her gleicher Ladung im Vergleich zum dazugehörigen Verlauf des elektrischen
Feldes. Geladene Kugeln haben, da sich gleiche Ladungen abstoßen, ihre gesamte Ladung auf
der Oberfläche. Diese verteilt sich so, dass die elektrische Feldstärke in ihrem Inneren gleich
Null ist. Gemäß Definition 1.6 bedeutet dies ein im Inneren der Kugeln konstantes Potenzial.

4
Das Minuszeichen in (1.15) bedeutet, dass die Energie genau dann gewonnen wird, wenn gegen eine Kraft bewegt
wird.
10 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

. Abb. 1.10 Feld- und Potenzialverlauf


1 in und zwischen zwei Metallkugeln von
unterschiedlicher Größe, aber gleichem
Ladungsbetrag

In dem in . Abb. 1.10 gezeigten Beispiel sind die Ladungen auf den Kugeloberflächen nicht
ganz gleichmäßig verteilt. Vielmehr ist die Ladungsdichte auf der der jeweils anderen Kugel
zugewandten Seite leicht erhöht, und zwar genau um die Ladungsmenge, die nötig ist, um das
Feld im Inneren der Kugel verschwinden zu lassen. Eine innen hohle Kugel aus leitendem
Material ist daher ein Beispiel für einen Faraday’schen Käfig, einen Raum also, der aufgrund
seiner metallischen Außenwände im Inneren kein elektrisches Feld hat.

Flugzeug im Gewitter

Die Eigenschaften des Faraday’schen Käfigs sind für die Sicherheit von Flugzeugpassa-
gieren von großer Bedeutung, wie . Abb. 1.11 zeigt. Die Grenzen des Schutzes werden
durch die Leitfähigkeit der Außenhaut des Flugzeugs bestimmt. Ansatz: An den Blitzein-
und -austrittspunkten stelle man sich punktförmige Ladungen Q und Q vor. Deren Feld in

. Abb. 1.11 Flug unter einer Ge-


witterwolke. In diesem Fall war das
Flugzeug schneller als der Blitz (Bild
mit freundlicher Genehmigung der
Dexmet Corporation)
1.1  Grundlagen der Elektrodynamik
11 1

der Außenhaut bestimmt den Strom, welcher gleich dem des Blitzes sein muss. Ihr Feld im
Inneren ist eine gute Näherung für die tatsächliche Feldstärke in der Kabine.
Zur Abschätzung der im Flugzeug auftretenden Feldstärken nehmen wir den Rumpf nähe-
rungsweise als langen Zylinder mit dem Radius R aus einem Material der Schichtdicke ı
und der spezifischen Leitfähigkeit  an. Der Blitz treffe den Rumpf am höchsten Punkt und
verlasse ihn auf der gegenüberliegenden Seite. Der Strom geht dann zur Hälfte über die linke
und rechte Seite der Außenhaut.
Zur Berechnung des Stroms stellen wir uns, wie in . Abb. 1.12 gezeigt, einen halben Zy-
linder ausgerollt vor. Das elektrische Feld entlang der y-Achse muss aus Symmetriegründen
parallel zur x-Achse verlaufen. Das Coulomb’sche Gesetz für die beiden Ladungen ergibt
dann
 
Q 1 1
jE j D Ex D C 2 ; (1.17)
2
"0 2 C y 2 C y2

wobei D
R=2 der Weg vom Einschlagspunkt bis zur y-Achse ist. Der Strom über die
rechte Flugzeughälfte Ir folgt den Feldlinien (siehe (1.13)) gemäß J D E = und dI D
J  dA. Daher ist er am besten entlang der y-Achse zu berechnen:
Z Z Z
Ex ı
Ir D J dA D Jx ıdy D dy

Z (1.18)
Qı 1
D dy :
2
"0  2 C y 2

Nimmt man y im Bereich f1; 1g; dann bekommt das Integral den Wert
= und der
Gesamtstrom durch beide Seiten I D 2Ir wird

Qı Q
I D D : (1.19)
"0  "0 RS

wobei RS D =ı der Schichtwiderstand der Außenhaut genannt wird.


Entlang einer Linie zwischen den beiden Ladungen beträgt die elektrische Feldstärke
 
Q 1 1
jE j D Eh D C (1.20)
4
"0 h2 .2R  h/2

. Abb. 1.12 Zur Berechnung der


Feldstärke im Flugzeugrumpf; links der
Querschnitt mit dem Radius R, rechts eine
Hälfte der Außenhaut ausgerollt
12 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

1 Nun können Q und aus (1.19) und (1.20) eliminiert werden. Man erhält die Feldstärke
zwischen den Blitzein- und -austrittspunkten als Funktion des Blitzstroms I :
 
1 1 1
jE j D I RS R C : (1.21)
8 h2 .2R  h/2

Das Feld nimmt also proportional zum Blitzstrom und zum Schichtwiderstand RS der Au-
ßenhaut zu. Je näher man dem Einschlagspunkt kommt, desto stärker wird das Feld. Und je
besser die Außenhaut leitet, desto sicherer ist man im Inneren.

1.1.2 Magnetische Wechselwirkung

Magnetismus war bis zur Mitte des 19. Jahrhunderts nur als eine Eigenschaft bestimmter
Stoffe bekannt, scheinbar ohne jeden Bezug zur Elektrizität. Diese Stoffe heißen Magnete5
und haben folgende Eigenschaften:
4 Magnete ziehen Eisen an.
4 Magnete haben zwei Pole, Nordpol und Südpol genannt. Schneidet man, wie in . Abb.
1.13 gezeigt, einen Magneten zwischen den Polen durch, dann entstehen zwei neue Ma-
gnete mit jeweils wieder zwei Polen.
4 Gleiche Pole stoßen sich ab, verschiedene Pole ziehen sich an.

Heute ist bekannt, dass jedes Material magnetische Eigenschaften besitzt, wenn auch in sehr
unterschiedlicher Stärke. In . Abb. 1.14 ist zu sehen, dass Späne aus Eisen in der Nähe ei-
nes Magneten regelmäßige Muster formen, weshalb auch hier dem Raum eine Eigenschaft
zugesprochen werden muss: das magnetische Feld.

. Abb. 1.13 Zerschneidet man einen Magneten, so entstehen zwei neue mit der glei-
chen magnetischen Orientierung

. Abb. 1.14 Eisenstäbchen auf einer


Glasplatte über einem Magneten. Sie
zeigen charakteristische Muster, aus
denen auf das Magnetfeld geschlossen
wird (Foto: FH Münster, Physikalische
Technik)

5
Der Begriff leitet sich von der griechischen Region Magnesia ab, in der der Überlieferung nach vor etwa 400 Jahren
ein Schäfer namens Magnes erstaunt feststellte, dass seine eisernen Nägel an einem bestimmten Stein festklebten.
1.1  Grundlagen der Elektrodynamik
13 1

1 Magnetismus ist eine Folge von Ladungsbewegungen


Die Ursache für die verschiedenen magnetischen Stoffeigenschaften ist letztlich die Wechsel-
wirkung des Magnetfeldes mit den Ladungsträgern der Atome.6

Bewegte Ladungen erzeugen Magnetfelder, und Magnetfelder wirken auf bewegte


Ladungen.

Die Erzeugung des Magnetfeldes wird durch das Gesetz von Biot-Savart beschrieben: Eine
Ladung Q, die sich mit einer Geschwindigkeit v bewegt, erzeugt an einem r entfernten Punkt
ein magnetisches Kraftfeld B, kurz Magnetfeld7

0 Q
BD  vr : (1.22)
4
jrj3

Der Proportionalitätsfaktor 0 heißt Permeabilität des Vakuums. Dieses Gesetz wird meist
in einer etwas anderen Form angegeben (siehe Aufgabe 1.33). Sein historischer Ursprung ist
jedoch die physikalisch äquivalente Beobachtung von Ampère, dass sich um einen Strom I
herum ein Magnetfeld bildet, welches der Gleichung
I
B  d` D 0  I (1.23)
L

genügt. Dies ist das zur Magnetostatik gehörende Gesetz von Ampère. Mit Hilfe des Satzes
von Stokes lässt sich dieses Gesetz auch so umformulieren, dass es die Verhältnisse in infini-
tesimalen Regionen beschreibt:

r  B D 0  J : (1.24)

Die Kraft F Probe , die ein Magnetfeld auf eine Probeladung QProbe ausübt, welche sich mit
der Geschwindigkeit vProbe durch das Magnetfeld bewegt, heißt Lorentz-Kraft und wird durch
die Gleichung
F Probe D QProbe  vProbe  B (1.25)

beschrieben.

1 Magnetische Dipole sind linientreu


Da es keine magnetischen Monopole gibt, gilt auch kein dem Coulombschen Gesetz ähnliches
Kraftgesetz. Die einfachsten rein magnetisch wechselwirkenden Einheiten sind die magneti-
schen Dipole.
Die Größe, mit der die Wechselwirkung zwischen einem Magneten und einem magneti-
schen Feld beschrieben wird, heißt magnetisches Dipol-Moment .

6
Die Idee, dass letztlich alle magnetischen Phänomene elektrischen Ursprungs sind, wurde zunächst von Ampère
vorgebracht. Eine gut zu lesende Abhandlung darüber, wie die Erkenntnisse sich historisch entwickelten, ist bei Max
Born [6] im Kapitel über die Grundgesetze der Elektrodynamik nachzulesen.
7
In Rahmen der Potenzialtheorie kann gezeigt werden, dass dieses Feld nicht sofort entsteht. Vielmehr folgt das Feld
im Abstand r mit einer Verzögerung t, welche durch die Lichtgeschwindigkeit gegeben ist: t D r=c.
14 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

Definition 1.7
1 Ein Körper hat ein magnetisches Dipol-Moment , wenn auf ihn im homogenen Magnetfeld
B ein Drehmoment  D   B ausgeübt wird.

Berechnet man die Lorentz-Kraft auf alle Ladungsträger in einer Leiterschleife, so ergibt sich
D I A ; (1.26)

wobei A der zu einer ebenen Fläche gehörige Flächenvektor ist. Ein Beispiel ist in Aufgabe
1.38 gegeben. Definition 1.7 ist die Basis der Funktion aller Elektromotoren.
Last but not least: Ob irgendwo ein Feld vorhanden ist wird ausschließlich aufgrund der
Kraftwirkung entschieden:

Ein elektrisches (Kraft-) Feld manifestiert sich in der Wirkung der Coulomb-Kraft, ein
magnetisches (Kraft-) Feld in der Wirkung der Lorentz-Kraft.

1.1.3 Zeitlich veränderliche Felder

Ändern sich elektrische oder magnetische Felder, so treten neue Phänomene auf, die sich nicht
mit den bisher genannten Gesetzen beschreiben lassen.

Sich ändernde Magnetfelder erzeugen elektrische Rotationsfelder und umgekehrt.

Das Induktionsgesetz, nach seinen Entdeckern auch Faraday-Henry-Gesetz genannt8 , gibt an,
wie die Änderung eines Magnetfeldes Spannungen erzeugt. Entscheidend dabei ist die Ände-
rung des so genannten magnetischen Flusses.

Definition 1.8
Der magnetische Fluss ˚B durch eine geschlossene Fläche A ist das Integral
Z
˚B D B  dA : (1.27)
A

Das Induktionsgesetz
H gibt an, welche Wirkung entlang einer genau diese Fläche umschließen-
den Linie L D d` entsteht, wenn sich der magnetische Fluss mit der Zeit ändert:
I
d˚B
E  d` D  : (1.28)
dt
L

8
Der Überlieferung nach wurde Faraday nach einer Vorführung der Induktion vom Ministerpräsidenten gefragt, wozu
das gut sei. Er antworte: Why Sir, there is the probability that you will soon be able to tax it.
1.1  Grundlagen der Elektrodynamik
15 1
. Abb. 1.15 Gedankenexperiment zum Induktionsgesetz: Wenn dB /dt
innerhalb eines homogenen Magnetfeldes ein Ring in zwei Hälften
geteilt wird, so sorgt das Magnetfeld in der oben liegenden geraden
Leitung für genau den entgegengesetzten Strom wie in dem unmit-
telbar darunter liegenden geraden Stückchen, denn die Drehrichtung
muss die gleiche sein. Man kann also keinem Punkt eine in eine E
bestimmte Richtung weisende Kraft zuordnen

1
E

2
Dabei ist das Integral entlang der Linie zu berechnen, die die zum magnetischen Fluss ge-
hörende Fläche vollständig umschließt. Es ist im Übrigen unerheblich, ob die Änderung des
magnetischen Flusses durch eine Veränderung der Stärke des magnetischen Kraftfeldes B
oder durch eine Bewegung innerhalb eines Feldes geschieht.
Das Induktionsgesetz entzieht sich in mehrfacher Hinsicht dem anschaulichen Verständnis.
Das beginnt damit, dass es nicht möglich ist, den Punkten im Raum einen Kraftvektor zuzu-
ordnen. Warum das so ist, zeigt ein kleines Gedankenexperiment (siehe auch . Abb. 1.15):
In einem homogenen, zeitveränderlichen Magnetfeld befinde sich ein Ring. In diesen wer-
de eine Spannung so induziert, dass ein Strom in mathematisch positiver Richtung fließe. Nun
werde der Ring in zwei Teile geteilt und die jeweils offenen Enden verbunden und das gleiche,
sich mit der Zeit ändernde Magnetfeld angelegt. In beiden Halbringen wird wieder ein Strom
in mathematisch positiver Richtung fließen. Aber was ist in der Mitte? Treibt die Feldänderung
den Strom nach rechts oder nach links . . . ?
Ebenfalls unanschaulich ist die Tatsache, dass zwar eine Spannung induziert wird, gleich-
zeitig aber keinem Punkt ein Potenzial zugeordnet werden kann. Zerschneidet man die Leiter-
schleife in . Abb. 1.15 ganz oben, dann scheint das obere linke Ende der Leiterschleife das
höchste und das obere rechte Ende das niedrigste Potenzial zu haben. Schneidet man dage-
gen den Ring unten durch, dann scheint der Punkt mit dem höchsten Potenzial unten rechts
zu liegen. Letztlich kann auf diese Weise jedem Punkt jedes beliebige Potenzial zugewiesen
werden, was nicht sinnvoll sein kann.

1 Der Satz von Stokes verbindet die Eigenschaft einer Fläche mit einer Randeigenschaft
Am besten stellt man sich das durch Induktion hervorgerufene elektrische Rotationsfeld als
Summe sehr vieler, sehr kleiner Felder vor. Diese bedecken die gesamte zum magnetischen
Fluss beitragende Fläche. Überall außer am Rand heben sich die Induktionskräfte auf. Dies ist
im Übrigen mehr als eine Veranschaulichung. Denn es ist durch den Satz von Stokes gerecht-
fertigt, der in diesem Falle besagt:
I Z
E  d` D .r  E /  dA : (1.29)
L A

Der Term r  E beschreibt, wie stark die Rotation des Feldes im Flächenelement dA ist
(siehe auch 7 Abschn. A.3). Nach Stokes ist also das Linienintegral entlang der Außenkante
der Fläche gleich der Summe aller Teilrotionen auf der Fläche.
Schneidet man eine die Fläche A umschließende Leiterschleife an einem beliebigen Punkt
durch, so ergibt sich zwischen den Enden eine Spannung
I
Leitung Leitung d˚B
E  d` D U Schleife D VEnde  VAnfang D  : (1.30)
dt
L
16 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

Genau so wie Änderungen von Magnetfeldern elektrische Wirkungen hervorrufen, rufen


1 sich verändernde elektrische Felder magnetische Wirkungen hervor. In diesem Fall ist der
elektrische Fluss entscheidend:
Definition 1.9
Der elektrische Fluss ˚E durch eine geschlossene Fläche A ist das Integral
Z
˚E D E  dA : (1.31)
A

Die Änderung des elektrischen Flusses erzeugt ein magnetisches Wirbelfeld gemäß
I Z
@E
B  d` D "0 0 dA .immer/
@t
I
L
(1.32)
d˚E
B  d` D "0 0 (bei ruhender Fläche A/
dt
L

Im Allgemeinen hat ein Magnetfeld also zwei Ursachen: Ströme und elektrische Wechselfel-
der. Beide werden in dem dem so genannten Ampère-Maxwell-Gesetz zusammengefasst:
I Z
@E
B  d` D 0 I C "0 0 dA (1.33)
@t
L

1.1.4 Die Maxwell’schen Gleichungen

Alle bisher geschriebenen Gesetze können in vier Gleichungen zusammengefasst werden, die
als Maxwell’sche Gleichungen9 [11] bekannt geworden sind. Diese sind ausnahmslos partielle
Differenzialgleichungen, welche die im vorherigen Abschnitt beschriebenen Zusammenhänge
auf die Eigenschaften der Felder im infinitesimal Kleinen zurückführen.
Die erste Maxwell’sche Gleichung verbindet die Gesamtladung Q mit dem von ihr erzeug-
ten Feld E . Sie besagt: Für jede die Ladung vollständig umschließende Oberfläche A gilt
I
E  dA D Q="0 : (1.34)
Oberfläche

Diese Gleichung ermöglicht es, für eine gegebene Ladung auszurechnen, welche Feldstärken
und damit auch, welche Kräfte von ihr erzeugt werden. Dies ist auch eine elegante Verall-
gemeinerung des elektrischen Kraftgesetzes, (1.11) dem Gesetz von Coulomb (siehe auch
Aufgabe 1.29). Der in der Vektoranalysis als Gauß’scher Satz bekannte Zusammenhang von
Divergenz und Oberflächenintegral erlaubt noch eine andere Darstellung
I Z
E  dA D r  E  dV : (1.35)
Oberfläche Volumen

9
Was heute Maxwell’sche Gleichungen genannt wird nannte Einstein noch Maxwell-Hertz’sche Gleichungen. Denn
ohne die Entdeckung elektromagnetischer Wellen durch Heinrich Hertz hätte sich dieser Satz von Gleichungen nicht
durchgesetzt.
1.1  Grundlagen der Elektrodynamik
17 1

Wenn man bedenkt, dassQ=V gerade die Ladungsdichte  ist, dann lässt sich die erste Max-
well’sche Gleichung auch als

r  E D ="0 (1.36)

schreiben.
Die erste Maxwell’sche Gleichung beinhaltet eine wichtige Information über die Struktur
aller durch Ladungen hervorgerufenen elektrischen Felder (siehe auch . Abb. 1.8 und . Abb.
1.9): Man stelle sich eine immer kleiner werdende geladene Kugel vor. Je kleiner die Kugel
wird, desto näher rücken die Anfänge der Feldlinien zusammen. Wenn die Kugel nur noch als
Punkt erscheint, scheinen alle Feldlinien von diesem Punkt auszugehen. Daher sind Punktla-
dungen die Quellen und Senken des elektrischen Feldes.
Von großer technischer Bedeutung ist auch die Rückwärts-Interpretation des Gauß’schen
Satzes, denn sie besagt, dass aus gegebenen elektrischen Kräfteverhältnissen die beteiligten
Ladungen folgen. So lässt sich das Verhalten eines Kondensators am leichtesten mit Hilfe
dieses Gesetzes vorhersagen. Darauf soll im nächsten Kapitel näher eingegangen werden.
Die zweite Maxwell’sche Gleichung wird von der folgenden Beziehung abgeleitet:
I
B  dA D 0 : (1.37)
Oberfläche

Sie wird auch als Gauß’scher Satz für das Magnetfeld bezeichnet. Für jede geschlossene Ober-
fläche verschwindet das Integral über das Skalarprodukt mit der magnetischen Feldstärke. Es
gibt also keine magnetische Ladung so wie es eine elektrische Ladung gibt. Denn die Glei-
chung besagt, dass das Magnetfeld keine Quellen hat. Wenn aber die Linien des Magnetfeldes
weder Anfang noch Ende haben, so müssen sie geschlossen sein: Jeder Punkt einer Magnet-
feldlinie ist auch ihr Anfang und ihr Ende. Der Gauß’sche Satz für das Magnetfeld ist also
gleichbedeutend mit der Tatsache, dass beim Zerschneiden eines Magneten immer wieder
Magnete mit zwei Polen entstehen (siehe 7 Abschn. 1.1.2).
H Die dritte Maxwell’sche Gleichung folgt aus dem Induktionsgesetz für Magnetfelder
( L E  d` D d˚B =dt , (1.28)). Um auf die dazugehörige Differenzialgleichung zu kommen,
werden beide Seiten der Gleichung auf Flächenintegrale zurückgeführt. Dazu muss auch die
Ableitung in das Integral hineingezogen werden. Nach dem Satz von Stokes ist
I Z
E  d` D .r  E /dA : (1.38)
L

Er setzt das Integral entlang einer geschlossenen Linie in Beziehung zu einem Integral über
die von ihr umschlossenen Fläche. Das Ausführen der zeitlichen Ableitung des magnetischen
Flusses ist nicht-trivial und ergibt nach den Regeln der Vektoranalysis für ein beliebiges Feld
B
Z  Z  
d @B
BdA D C v .r  B/  r  .v  B/ dA : (1.39)
dt @t
Dabei steht v für die Geschwindigkeiten der Randpunkte der Flächenelemente dA. Da das
magnetische Kraftfeld jedoch quellenfrei ist, bleibt in diesem Falle nur
Z  Z  
d @B
BdA D  r  .v  B/ dA (1.40)
dt @t
18 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

übrig. Man erkennt, dass das Induktionsgesetz in seiner makroskopischen Form zwei ver-
1 schiedene Effekte beinhaltet: Der @B=@t -Term zeigt, dass eine Änderung der magnetischen
Feldstärke eine Rolle spielt. Dieser Teil wird heute zum Beispiel für Funketiketten benutzt,
und er steht für die Grenzen elektromagnetischer Verträglichkeit. Der r  B-Term scheint
auf die Lorentz-Kraft zu verweisen, wie sich gleich bestätigen wird. Er bildet das theoretische
Fundament aller Elektromotoren.
Nach dem Induktionsgesetz sind die rechten Seiten der Gleichungen (1.38) und (1.40) bis
auf das Vorzeichen gleich. Folglich müssen ihre Integranden gleich sein. Also gilt:

@B
rE D  C r  .v  B/ : (1.41)
@t
Die ersten beiden Terme werden dritte Maxwell’sche Gleichung genannt:

@B
rE D : (1.42)
@t
Die beiden äußeren Terme folgen aus der Lorentz-Kraft:

F D Qv  B
!E DvB (1.43)
! r  E D r  .v  B/ :

Die Interpretation dieses Terms als Umformulierung der Lorentz-Kraft setzt damit voraus,
dass eine Ladung Q vorhanden ist. Dies führt zusammen mit der geometrischen Interpretation
der Ableitung (1.39) zur Urform aller elektrischen Maschinen: Die Bewegung des Randes
ist die Bewegung einer Leiterschleife, deren Elektronen der Lorentz-Kraft ausgeliefert sind.
Dies ist ein entscheidender Unterschied zur dritten Maxwell’schen Gleichung, welche auch
im Vakuum gilt. Daraus folgt

Das makroskopische Induktionsgesetz (1.28) setzt das Vorhandensein von Ladungsträgern


voraus (meistens eine Leiterschleife), die in ihm enthaltene dritte Maxwell’sche Gleichung
jedoch nicht.

Das durch Induktion erzeugte elektrische Feld ist im Übrigen ein reines Wirbelfeld, ganz im
Gegensatz zu dem von Ladungen erzeugten elektrischen Feld, welches ein reines Quellenfeld
ist.
Die vierte Maxwell’sche Gleichung fasst die beiden Möglichkeiten zusammen, ein Ma-
gnetfeld zu erzeugen. Aus den Gleichungen (1.23) und (1.32) erhält man
I Z
@E
B  d` D 0  I C "0 0 dA
@t
L
Z Z Z
@E (1.44)
! r  B  dA D 0  J dA C "0 0 dA
@t
@E
! r  B D  0 J C "0  0 :
@t
1.1  Grundlagen der Elektrodynamik
19 1
. Abb. 1.16 Makroskopische
Veranschaulichung der differen-
ziellen Form der Maxwell’schen
Gleichungen: Ladungen sind die B
Quellen des elektrischen Feldes:
r  E D ="0 . Das magneti- E
sche Feld hat keine Quellen, es ist
ein Rotationsfeld: r  B D 0.
Elektrische Rotationsfelder entste-
hen durch Magnetfeldänderungen
r  E D @B=@t, und magnetische
Felder entstehen durch Ströme und
B E
Änderungen des elektrischen Feldes:
r  B D 0  J C "0 0 @E =@t

E B

Insgesamt findet man so den Satz von vier Gleichungen, die heute als Maxwell’sche Glei-
chungen bekannt und in . Abb. 1.16 (vergleiche [13]) veranschaulicht sind.

I
E  dA D Q="0 ; r  E D ="0
I
Oberfläche

B  dA D 0 ; rB D0
I
Oberfläche
(1.45)
d˚B @B
E  d` D  ; rE D
dt @t
I
Rand Z
@E @E
B  d` D 0  I C "0 0 dA ; r  B D  0  J C "0  0 :
@t @t
Rand

Mit diesen vier Gleichungen ist grundsätzlich alles gesagt. Nur: So elegant ihre Formulierung
auch daherkommt, so eingeschränkt ist ihre Lösbarkeit. Einer kleinen Zahl analytischer Lö-
sungen steht eine Unmenge von Problemen gegenüber, für die nur Näherungslösungen der
Maxwell’schen Gleichungen bekannt sind.

Die Maxwell’schen Gleichungen (1.45) und die in ihnen vorkommenden Größen beschreiben
zusammen mit der Coulomb-Kraft und der Lorentz-Kraft die gesamte Elektrodynamik.
Alle nicht darin vorkommenden Größen sind Hilfskonstrukte, die bei besonderen
Problemstellungen (Materialien und Geometrien) helfen sollen, schneller zu Lösungen zu
kommen.
20 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

Für Feldberechnungen komplexer Geometrien hat sich neben dem elektrischen Potenzial V
1 die Definition eines magnetischen PotenzialsA als hilfreich erwiesen, so dass

@A
E D r  V C und B Dr A : (1.46)
@t
Der praktische Wert des elektrischen PotenzialsV liegt in der Tatsache begründet, dass es eine
skalare Größe ist, aus der eine vektorielle gewonnen werden kann. In (1.46) kommt ferner
eine wichtige Tatsache zum Ausdruck:

Man kann einem Paar von Punkten im Raum nur dann eine zwischen ihnen herrschende
Spannung zuordnen, wenn keine zeitabhängigen Magnetfelder vorhanden sind.

1.1.5 Felder in Materie

In Felder eingebrachtes Material verändert ebendiese Felder. Das heißt: Die Materialien erzeu-
gen unter dem Einfluss äußerer Felder selbst elektrische oder magnetische Kraftfelder. Man
sagt auch: Ein Material kann magnetisch oder elektrisch polarisiert werden und nennt diese
Vorgänge daher Polarisation bzw. Magnetisierung.

1 Elektrische Felder polarisieren


Wie . Abb. 1.17 zeigt, richten sich bei ionischen oder polaren Bindungen die Ladungen ent-
sprechend dem äußeren Feld aus. Dadurch entstehen viele kleine Dipole, deren Feld das
ursprüngliche Feld abschwächt. Diesen Vorgang nennt man Polarisation. Er führt dazu, dass
das elektrische Feld innerhalb des Festkörpers aus zwei Komponenten zusammengesetzt ist,
dem Feld E frei , welches von den Ladungen außerhalb des Festkörpers erzeugt wird, und dem
meist entgegengesetzten Polarisationsfeld des Festkörpers E P :

E D E frei C E P : (1.47)

Multipliziert man diese Gleichung mit "0 und differenziert nach dem Ort, so ergibt sich mit
Hilfe des Gauß’schen Satzes für das elektrische Feld der freien, nicht gebundenen Ladung
frei D r  "0 E frei

r  "0 E frei D r  "0 E  r  "0 E P


(1.48)
! frei D r  ."0 E  "0 E P /

. Abb. 1.17 Feldbilanz in einem elektrisch polarisierbaren Stoff. Ein


äußeres elektrisches Feld zieht die Moleküle auseinander. Dadurch entste- Efrei
hen im Material viele Dipole, deren Felder das von außen angelegte Feld
abschwächen

Efrei

E
1.1  Grundlagen der Elektrodynamik
21 1

Gl. (1.48) beschreibt, wie das elektrische Kraftfeld E mit der Dichte der freien Ladung frei
zusammenhängt. In der Literatur wird sie oft in der Form

frei D r  ."0 E C P/
(1.49)
Dr D

angegeben. Gl. (1.49) ist gleichzeitig der Ursprung der beiden Feldgrößen P und D. P wird
Polarisation oder besser elektrische Dipoldichte genannt. Die zweite Option macht auch das
Vorzeichen verständlich: P D "0 E P . Genauso, wie beim elektrischen Dipol das elektrische
Feld antiparallel zu dessen Dipolmoment ist, ist auch die durch den Vorgang der Polarisati-
on hervorgerufene Dipoldichte P deren elektrischem Feld entgegengesetzt. D wird nach dem
von Maxwell eingeführten Begriff electrical displacement elektrische Verschiebung oder elek-
trische Flussdichte, bisweilen auch elektrische Erregung genannt. Mit Hilfe des Gauß’schen
Satzes ergeben sich aus (1.49) die folgenden, meist verwendeten Definitionen:

Definition 1.10
Die elektrische Erregung D ist durch
I
DdA D Qfrei (1.50)
Oberfläche

gegeben, wobei Qfrei die nicht ortsfest im Material gebundene, freie Ladung ist.

Die Polarisation ist als Differenz zum (nur durch die freien Ladungen definierten) Feldanteil
und dem tatsächlich messbaren Kraftfeld definiert:

Definition 1.11
Die Dipoldichte oder Polarisation P eines Materials ist das, was von der elektrischen
Erregung abgezogen werden muss, um das elektrische Kraftfeld E zu erhalten:

D  P D "0 E : (1.51)

Letztendlich ist es Ziel aller Berechnungen, das Feld E zu erhalten.

1 Äußere Magnetfelder erzeugen innere Magnetfelder


Auch Magnetfelder werden durch Stoffe verändert. In diesem Fall wird dem durch freie, also
nicht im magnetisierten Material gebundene Ströme Ifrei erzeugten Feld B frei ein durch die
Magnetisierung des Materials verursachtes FeldBM überlagert. Es wird also

B D B frei C B M (1.52)

gesetzt. Auch hier kann eine in Anwesenheit von Materie gültige Gleichung aus der Tatsache
gewonnen werden, dass die Maxwell’schen Gleichungen für alle Teilströme und Teilladungen
separat gelten:

@E frei
0  J frei C "0 0 D r  B frei : (1.53)
@t
22 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

Durch Einsetzen von (1.52) in (1.53) findet man (siehe [14]) eine Gleichung für Magnetfelder
1 in Materie:

@
J frei C ."0 E frei / D r  .1 1
0 B  0 B M / : (1.54)
@t

Gl. (1.54) beschreibt, wie das magnetische Kraftfeld B mit der nicht ortsfest an den Stoff
gebundenen Stromdichte J frei zusammenhängt.
In der Literatur wird (1.54) oft in einer der folgenden Formen angegeben:

@.D/
J frei C D r  .1
0 B  M/
@t (1.55)
Dr H :

Dabei werden H magnetische Erregung oder auch Magnetfeld und M Magnetisierung oder
besser magnetische Dipoldichte genannt. Die Vorzeichenwahl von M ist genau umgekehrt zu
der von P: M D C1 0 BM .
Die integrale Formulierung von (1.55) führt zu folgender, in älteren Skripten populären
Definition:

Definition 1.12
Die magnetische Erregung H ist durch
I Z
@D
H  d` D Ifrei C dA (1.56)
@t
L

gegeben, wobei Ifrei der von der Linie L vollständig umschlossene Strom und A die durch L
begrenzte Fläche ist.

Definition 1.13
Die magnetische Dipoldichte oder Magnetisierung M eines Materials ist das, was zu der
magnetischen Erregung hinzugerechnet werden muss, um das magnetische Kraftfeld B zu
erhalten:
H C M D B=0 : (1.57)

H und M sind die am häufigsten missverstandenen Größen der Elektrotechnik überhaupt.


Das liegt zunächst an der irreführenden Wortwahl: Magnetisierung ist rein sprachlich der
Vorgang, der die Dipole und damit ein magnetisches Dipolfeld mit der Dichte M schafft
- und nicht das Ergebnis dieses Vorganges. Und der Begriff Magnetfeld für die Größe H
verwirrt, weil diesem Feld keine Kraft zugeordnet werden kann. Er ist ein Relikt aus der Zeit
vor Maxwell und Hertz (1885). Der Begriff magnetische Erregung ist schon besser. Er darf
aber nicht so verstanden werden, dass das H Feld von der Materie im Raum unabhängig
sei. Die weitverbreitete Ansicht, dieses Feld würde das Magnetfeld von der Erzeugerseite
aus betrachtet beschreiben, ist schlicht falsch: Makroskopisch lassen sich die Felder nicht in
Erzeugungs- und Wirkungsanteile zerlegen. Dies kann man daran festmachen, dass das, was
in der Literatur H Feld genannt wird, von der Materialverteilung im Raume abhängt.
1.1  Grundlagen der Elektrodynamik
23 1

1 Alle Felder sind Kraftfelder oder Kraftfeldanteile


Während die Felder E undB aufgrund der Kraft- und Induktionswirkung experimentell nach-
weisbar sind, handelt es sich bei den GrößenH , D, M und P um Hilfsgrößen, deren Sinn
die Verkürzung einiger Formeln und Rechenwege ist. In . Abb. 1.18 sind die Prioritäten dar-
gestellt. Im 19. Jahrhundert nahm man noch an, dass diese Felder jeweils verschiedene Typen
von Feldern seien. So nannte Maxwell das Feld D electrical displacement, weil er glaubte,
freie Ladungsträger würden den damals noch angenommenen Äther verschieben (displace).
In aktuellen Feldtheorien wird der gesamte Elektromagnetismus jedoch nur noch durch einen
einzigen Feldtensor beschrieben, in dem sich die Felder B und E wiederfinden. Alle anderen
Felder werden als spezielle Anteile an diesen Kraftfeldern angesehen.
. Abb. 1.19 zeigt die Verhältnisse so, wie sie sich im Infinitesimalen darstellen, exempla-
risch für ein anisotropes Dielektrikum und für ein ferromagnetisches Material. Beim aniso-
tropen Dielektrikum ist E P nicht parallel zu E frei . Das von den freien Ladungen erzeugte
elektrische Kraftfeld wird abgeschwächt und erhält eine neue Richtung. Ferromagnetische
Stoffe zeichnen sich dadurch aus, dass das Magnetisierungsfeld sehr viel stärker ist als das in
die gleiche Richtung zeigende Magnetfeld der freien Ströme: B frei  BM .
Setzt man die in (. Abb. 1.19) gezeigten Feldsummen in die Maxwell’schen Gleichungen
ein und vergleicht das Ergebnis mit den üblicherweise verwendeten Gleichungen, so folgt die
in . Tab. 1.1 gezeigte Zuordnung. Alle dort aufgeführten Felder stehen für bestimmte Anteile
der Felder E und B. Messbar sind D und H nur, wenn sie mit E und B zusammenfallen,
also im Vakuum. Dagegen sind P und M nur in der Abwesenheit äußerer Felder messbar. Im
Umkehrschluss gilt, dass beispielsweise das Feld eines Stabmagneten ebenso durch M wie
durch B beschrieben werden kann.

. Abb. 1.18 Messbare Größen (links) und Rechenhilfsgrößen (rechts): In den


Maxwell’schen Gleichungen (1.45) sind die messbaren Größen zusammen gefasst.
Sinn der Hilfsgrößen ist die Abkürzung bestimmter Rechenwege

. Abb. 1.19 Felder in Materie und ihre Komponenten: a zeigt das elektrische EP
Feld in einem anisotropen Dielektrikum, b zeigt das magnetische Kraftfeld in BM B
einem Ferromagneten. Beide Fälle sind nicht maßstabsgerecht gezeichnet
Efrei E
Bfrei
a b

. Tabelle 1.1 Bedeutung der traditionellen Feldgrößen im Infinitesimalen

Trad. Feldgröße H D M P

Bedeutung B frei =0 "0 E frei B M =0 "0 E P

Ursache Freie Ströme Freie Ladung Magnetisierung Polarisation

Ursache (Symbol) J frei frei JM P


24 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

Wichtig bleibt: (1.49) und (1.55) werden oft auch als Maxwell’sche Gleichungen für
1 Materie bezeichnet. Sie bilden jedoch keine eigene Theorie, sondern sind schlicht Kon-
sequenzen einer Anwendung der Maxwell’schen Gleichungen auf polarisierbare bzw.
magnetisierbare Medien. Die Differenzialgleichungen (1.45) gelten ohne Einschränkun-
gen sowohl im Vakuum als auch in Materie.

1 Mit den Größen "r und r wird vieles einfacher


Die Felddifferenz E E P kann auch als Modifikation des elektrischen Feldes E durch Materie
interpretiert werden. Da diese stoffspezifisch ist, wird sie am besten durch eine neue, dem Stoff
zugeordnete Größe "r , die relative Dielektrizität beschrieben. Ihr messbarer Wert ergibt sich
aus der Mittelung über sehr viele Stoffatome und ihre Bedeutung ergibt sich aus der folgenden
Umformulierung der Felddifferenz E  E P :

frei D r  ."0 E  "0 E P /


(1.58)
! frei D r  ."0 "r E / :

Durch (1.58) wird "r definiert. Bei Festkörpern, deren Moleküle bzw. Kristalle sich nicht
entgegengesetzt zum äußeren Feld verformen können, ist "r ein Tensor, denn diese Materiali-
en verändern auch die Richtung des elektrischen Feldes. Man nennt sie elektrisch anisotrop.
Meist ist "r einfach ein Konstante, die relative Dielektrizitätskonstante. Diese gibt an, um
welchen Faktor der im elektrischen Feld befindliche Stoff dieses abschwächt.
Bisweilen wird auch nur angegeben, wie weit "r vom Wert 1 abweicht. Diese Abweichung
wird als elektrische Suszeptibilität10 E bezeichnet. Und so lässt sich für die rechten Seiten
von (1.48) und (1.49) auch Folgendes schreiben:

D D "0 E frei D "0 .E  E P / D .1 C E /  "0 E D "r  "0 E D " E (1.59)

Für anisotrope Materialien ist statt der Zahl 1 die Einheitsmatrix zu verwenden, und die Rich-
tungsänderung des Feldes wird durch ein tensorielles E berücksichtigt. In (1.59) werden die
in verschiedenen Büchern zu findenden Darstellungsformen des gleichen Sachverhaltes zu-
sammengefasst. Interessant ist, dass für isotrope Materialien der D genannte Feldanteil die
Richtung des E -Feldes übernimmt. Makroskopisch hängt D daher immer von der Material-
verteilung ab. Die freie Ladung Qfrei lässt sich also mit den folgenden, absolut gleichwertigen
Integralen ausdrücken:
I I I
"EdA D .1 C E /"0 E dA D DdA D Qfrei : (1.60)

Ähnlich wie beim elektrischen Feld kann die Differenz zwischen dem Feld B und dem
durch die Magnetisierung entstandenen magnetischen Feldanteil B M als Modifikation des
durch die freien Ströme erzeugten Magnetfeldes durch die von ihm durchdrungene Materie
interpretiert werden. Es wird dann B frei D B  B M D 1 r B gesetzt. Die Größe r wird
relative magnetische Permeabilität genannt. Ihr messbarer Wert ist ebenfalls ein sich über vie-
le Atome einstellender Mittelwert. Bei Festkörpern, deren Moleküle sich nicht (anti-)parallel
zum äußeren Feld magnetisch ausrichten können, ist r , ein Tensor, denn diese Materialien

10
wörtlich: Empfänglichkeit.
1.1  Grundlagen der Elektrodynamik
25 1

verändern auch die Richtung des magnetischen Feldes. Man nennt sie magnetisch anisotrop.
So lässt sich (1.54) wie folgt schreiben:

@
J frei C ."0 "r E/ D r  .1 1
0 r B/ : (1.61)
@t

Die oben beschriebenen Erkenntnisse lassen sich in zwei einfachen Regeln zusammenfas-
sen:
Für lineare, isotrope Materialien ist r einfach eine Zahl, die angibt um welchen Faktor das
von den freien Strömen erzeugte Magnetfeld verstärkt wird. Die Abweichungen der relativen
Permeabilität vom Wert Eins heißt magnetische Suszeptibilität M . Es gilt also r D 1 C M ,
wobei im anisotropen Fall die Zahl 1 durch die Einheitsmatrix und M durch einen Tensor zu
ersetzen ist. Alle folgenden Terme stehen also für das Gleiche:
 
B frei B  BM B B B
H D D D D D : (1.62)
0 0 .1 C M /  0 .r  0 / 

Wenn tensorielle r zugelassen werden, lassen sich die in (1.62) zusammengefassten Identi-
täten für beliebige Stoffe benutzen. Da diese Gleichung an jedem Punkt im Raume gilt, ist die
Richtung des mit H bezeichneten Feldanteils durch die des B Feldes vorgegeben.
Makroskopisch lässt sich der Zusammenhang zwischen elektrischer Flussänderung und
Magnetfelderzeugung (1.56) so ausdrücken:
I Z
@."E/
.1 B/  d` D Ifrei C dA (1.63)
@t
L

Vergleicht man die Gleichungen für Felder, welche unter dem Einfluss von Materie mo-
difiziert werden, mit den dazugehörigen Maxwell-Gleichungen, so ergibt sich eine einfache
Regel, um auf die die Materie berücksichtigenden Gleichungen zu kommen:

Die Wirkung polarisierbarer und magnetisierbarer Stoffe auf die elektromagnetischen


Kraftfelder lässt sich durch die Substitutionen

."0 E / ! ."0 "r E / D ."E /


(1.64)
.1
0 B/ ! .1 1
0 r B/ D .1 B/

beschreiben. Sie setzt voraus, dass freie Ladungen bzw. Ströme vorhanden sind, und dass
eindeutig zwischen freien und gebundenen Ladungen unterschieden werden kann. Sie gilt
bei makroskopischen Körpern. Sie erlaubt dann, auf D und H in allen Rechnungen zu
verzichten. Werden atomare Distanzen betrachtet, kann sie nicht mehr angewandt werden.

Bei inhomogenen und bei anisotropen Materialien ist es wichtig, dass die Substitution genau in
dieser Reihenfolge und Klammerung geschieht. Das heißt auch: Wenn in Formeln, die " oder
 enthalten, über Felder integriert
R wird, dann müssenRdiese Parameter immer im Integranden
vor dem Feld stehen, also nicht . Bdx/=, sondern .1 B/dx.
26 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

. Abb. 1.20 Grenzen der Anwendbarkeit elektromagnetischer Feldgrößen (Z0 Resonanz nach [15])

1 Unterhalb von einem Nanometer bleiben nur noch E undB


Die Begriffswelt der Elektrotechnik wurde von Pionieren geprägt, die von heutigen Techni-
ken wenig ahnen konnten. Eine Strukturierung von Werkstücken im Nanometerbereich war
schlicht unvorstellbar. Daher brauchten sich die frühen Pioniere auch keine Gedanken darüber
machen, was sich ändert, wenn Felder nicht mehr über Tausende von Atomen gemittelt wer-
den können. Genau dieser Punkt ist aber heute erreicht. Und so ergeben sich, wie . Abb. 1.20
zeigt, physikalische Grenzen. Die Felder P und M stehen für über viele Atome gemittelte
Polarisations- und Magnetisierungsfelder. Wenn aber wie bei aktuellen Transistorgeneratio-
nen Oxydschichten nur noch aus fünf Atomen aus drei Elementen bestehen, dann wird so
eine Mittelung fragwürdig. Spätestens wenn die Technik bei der Behandlung einzelner Ato-
me anlangt werden diese Größen unbrauchbar. Denn die Unterscheidung zwischen freien und
gebundenen Ladungsträgern wird sinnlos, wenn Bereiche unterhalb der Größe eines atomaren
Orbitals betrachtet werden. Innerhalb eines solchen Orbitals kann sich ein in ihm gebundenes
Elektron frei bewegen. In der Folge werden auch H ; D; "r und r unbrauchbar. Was bleibt
sind E und B. Diese können alleine verwendet werden, bis unterhalb von 1 fm die Schwache
Wechselwirkung anfängt, mit dem Elektromagnetismus zu interferieren.

1.2 Fragen und Aufgaben zur Elektrodynamik

1.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen

1.1 Welche der folgenden Größen ist in jedem abgeschlossenen System erhalten?
a) Die Stromdichte,
b) die Ladungsdichte oder
c) die Ladung?
1.2  Fragen und Aufgaben zur Elektrodynamik
27 1

1.2 Ein etwa kugelförmiger Luftballon, dessen Oberfläche statisch aufgeladen ist, wird so
weit aufgepumpt, dass sich sein Durchmesser verdoppelt. Wie ändert sich die Feldstärke in
der Nähe des Ballons?
a) Die Feldstärke wird kleiner.
b) Die Feldstärke bleibt gleich.
c) Die Feldstärke wird größer.

1.3 Woran erkennt man, dass ein Objekt ein elektrisches Dipolmoment hat?
a) Das Objekt bewegt sich parallel zu den elektrischen Feldlinien.
b) Das Objekt bewegt sich antiparallel zu den elektrischen Feldlinien.
c) Das Objekt wird so gedreht, dass es sich an den Feldlinien ausrichtet.

1.4 Welche Aussage stimmt für den Faraday’schen Käfig?


a) Er muss aus gut isolierendem Material gefertigt sein.
b) Er muss aus gut leitendem Material gefertigt sein.
c) Er muss großen mechanischen Belastungen gewachsen sein.

1.5 Zehn Meter unter einer Hochspannungsleitung wird eine magnetische Kraftfeldstärke
(„Flussdichte“) von 5 µT gemessen. Welche Stärke erwarten Sie in 20 Metern Entfernung
von der Leitung?
a) 2,5 µT,
b) ca. 3,5 µT, oder
c) 5 µT?

1.6 Bei eingeschalteter Sitzheizung eines Pkws wird ein Mehrverbrauch von Benzin festge-
stellt. Woran „merkt“ der Motor, dass die Sitzheizung eingeschaltet ist?
a) Das meldet ihm die Bordelektronik.
b) Der Motor bemerkt es überhaupt nicht.
c) Die Drehzahl geht zurück, denn die Lichtmaschine ist schwerer zu drehen. Dies muss die
Motorelektronik durch mehr Benzinzufuhr ausgleichen.

1.7 Woran erkennt man ein elektrisch anisotropes Material?


a) Alle elektrischen Feldlinien haben an der Materialoberfläche einen Knick.
b) Senkrecht auf das Material auftreffende Feldlinien haben einen Knick.
c) Nur senkrecht auf das Material auftreffende Feldlinien haben keinen Knick.

1.8 Warum eignen sich ferromagnetische Materialien für die Konstruktion von Motoren?
a) Weil sie Magnetfelder verstärken.
b) Weil sie gut leitfähig sind.
c) Weil sie Magnetfelder abschwächen.

1.9 Welche der folgenden Aussagen gilt für die Maxwell’schen Gleichungen?
a) „Sie beweisen die Symmetrie zwischen E und H .“
b) „Das sind vier Gleichungen, die das Verhalten von vier Feldern beschreiben.“
c) „Eine ihrer Konsequenzen ist die Ausbreitung elektromagnetischer Wellen.“

1.10 „Ein elektrisches Feld erkennt man an der Kraftwirkung auf Ladungen.“ Stimmt das?
28 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

1.11 „Ein magnetisches Feld erkennt man an der Kraftwirkung auf bewegte Ladungen.“
1 Stimmt das?

1.12 „Das elektrische Feld ist immer wirbelfrei.“ Stimmt das?

1.13 „Die elektrodynamische Kraft ist die Summe aus Lorentz-Kraft und Coulomb-Kraft.“
Stimmt das?

1.14 „Der elektrische Strom wird durch einen Vektor beschrieben.“ Stimmt das?

1.15 Auf welches Gesetz geht das Ohm’sche Gesetz zurück?

1.16 „Welches Gesetz wurde durch die sogenannte Maxwell’sche Korrektur wie verändert?

1.17 Wie manifestiert sich die Abwesenheit magnetischer Monopole in den Maxwell’schen
Gleichungen?

1.18 Was bedeutet in der Elektrodynamik Polarisation, und was hat diese mit der elektrischen
Influenz zu tun?

1.19 Welche Eigenschaften hat das Magnetfeld im Inneren einer sehr langen Spule?

1.20 Welche Feldgrößen sind nur anwendbar, wenn Prozesse betrachtet werden, bei denen
Distanzen unterhalb von 1 Nanometer keine Rolle spielen, und woran liegt das?

1.2.2 Klausuraufgaben

1.21 Um welchen Faktor vergrößert sich die abstoßende Kraft zwischen zwei sehr kleinen
geladenen Kugeln, wenn bei beiden die Ladung verdreifacht wird? Durch welche Abstands-
veränderung wird die Kraft auf den ursprünglichen Wert reduziert?

1.22 Sie schneiden einen Magneten in der Mitte zwischen Nord- und Südpol durch. Welche
der folgenden Aussagen ist richtig:
a) Die neu entstandenen Magneten stoßen sich ab.
b) Die beiden neuentstandenen Magneten ziehen sich an.
c) Alle Kräfte heben sich auf.

1.23 Stimmt die folgende Aussage? Die Berechnung des elektrischen Dipol-Moments muss
im Ladungsschwerpunkt durchgeführt werden.

1.24 Elektrische Äquipotenziallinien schneiden elektrische Feldlinien in einem Winkel von


90ı . Stimmt das?

1.25 Durch welche der folgenden Handlungen werden elektrische Spannungen induziert?
a) Im Inneren eines sehr großen Magneten stehend ein Stromkabel so aufwickeln, dass die
magnetischen Feldlinien durch die Windungen hindurchgehen,
b) in einem starken homogenen Feld eine Leiterschleife quer zu den Feldlinien verschieben,
1.2  Fragen und Aufgaben zur Elektrodynamik
29 1

c) eine Leiterschleife in Rotation um ihre Symmetrieachse (wie ein Autoreifen beim Fahren)
drehen,
d) eine Leiterschleife um eine andere als ihre Symmetrieachse drehen.

1.26 Wie muss ein Magnet durchgeschnitten werden, damit zwei Magneten mit dem gleichen
Dipol-Moment, wie es der ganze Magnet vor dem Durchschneiden hatte, entstehen?
a) Längs zur Nord-Süd-Achse,
b) quer zur Nord-Süd-Achse,
c) aufgeben, denn es geht gar nicht.

1.27 Elektro- und Magnetostatik beschreiben


a) ausschließlich das Verhalten ruhender Ladungen,
b) ausschließlich das Verhalten zeitunabhängiger Kraftfelder,
c) die Elektrotechnik ohne Relativitätstheorie. Welche dieser Ergänzungen stimmt?

1.28 Auf wie viele Stellen genau ist die magnetische Permeabilität des Vakuums bekannt, auf
7, 12 oder noch mehr?

1.29 Welches Kraftgesetz kann man aus dem Gauß’schen Satz für das elektrische Feld und
der Definition der elektrischen Kraft F D QE erhalten?

1.30 Bitte skizzieren Sie das elektrische Feld, welches durch eine große positive und eine viel
kleinere negative Ladung erzeugt wird.

1.31 Das Wassermolekül besteht aus einem Sauerstoff- und zwei Wasserstoff-Atomen, die
im Winkel von D 104;45ı zueinander stehen. Der Abstand zwischen dem Sauerstoffkern
und den Wasserstoffkernen beträgt d D 0;09584 nm. Berechnen Sie das Dipol-Moment eines
Wassermoleküls unter der Annahme, dass der Wasserstoff vollständig ionisiert ist, und ver-
gleichen Sie den Wert mit dem experimentell gemessenen Wert von p D 0;613  1029 Cm.

1.32 In den Gauß’schen Sätzen wird über infinitesimale Flächenvektoren dA integriert. Was
muss man sich unter einem Flächenvektor vorstellen?

1.33 Das Biot-Savartsche Gesetz wird meistens in Form eines Linienintegrals angegeben:
I
0 d`  r
BD I  : (1.65)
4
r3
Leitung

Bitte zeigen Sie, dass dieses Gesetz für einen konstanten, also nicht von der Zeit abhängenden
Strom aus der Lorentz-Kraft, (1.22) folgt.

1.34 Was sagt der Gauß’sche Satz für das elektrische Feld über die Topologie des Feldes aus?
Bitte begründen Sie Ihre Aussage!

1.35 Bitte bestimmen Sie das Magnetfeld innerhalb einer als Torus gewickelten Spule, wie
sie in . Abb. 1.21 gezeigt ist. Die N Windungen haben eine Radius r. Der Abstand zwischen
den Windungen ist vernachlässigbar klein. Der Torus hat einen mittleren Radius R, das heißt,
die Zentren der Windungen bilden einen Kreis mit dem Radius R. Betrachten Sie dann den
30 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

. Abb. 1.21 Zur Aufgabe 1.35: Als Torus gewickelte


1 Spule und die Definition ihrer zwei Radien r und R
(Photo aus de.wikipedia.org)

Grenzfall eines sehr großen Radius R: Was folgt aus dieser Betrachtung für das Magnetfeld
einer langen geraden Spule?

1.36 Bestimmen Sie mit Hilfe des Ampèreschen Gesetzes das Magnetfeld in einer sehr langen
zylinderförmigen Spule (siehe . Abb. 1.22) als Funktion des Stromes I , der Windungszahl N ,
der Länge l und des Radius’ r.

1.37 Ein dünner Metallring mit dem Radius R trägt, wie in . Abb. 1.23 gezeigt, eine Ladung
Q. Diese sei gleichmäßig verteilt, so dass auf jedem kleinen Abschnitt d` des Ringes die
gleiche Ladung dQ D ŒQ=.2
R/ d` liegt.
a) Wie groß ist die durch ein kleines Ladungselement dQ hervorgerufene Feldstärke dE an
einem beliebigen Punkt auf der Achse durch den Ring, wenn sich der Punkt in einer Höhe
h über dem Ring befindet?
b) Wie groß ist die Komponente Ez des Gesamtfeldes entlang der Ringachse als Funktion
der Höhe?

. Abb. 1.22 Zur Aufgabe 1.36: Spule mit der Länge l und dem Radius r

. Abb. 1.23 Zur Aufgabe 1.37: Probeladung QProbe , schwebend in


der Höhe h über einem homogen geladenen Ring mit dem Radius r

Probe
1.2  Fragen und Aufgaben zur Elektrodynamik
31 1
. Abb. 1.24 Zur Aufgabe 1.38: Leiterschleife im ho- z
mogenen Magnetfeld B D .0; 0; B/. Durch die Schleife F v A
fließe ein Strom in der durch die Pfeile angegebenen
Richtung
B

F
v

c) Wie groß muss eine Probeladung QProbe mit dem Gewicht mProbe sein, damit sie in der
Höhe h schwebt?

1.38 Durch eine quadratische Leiterschleife fließt, wie in . Abb. 1.24 gezeigt, ein Strom I .
Die Schleife habe eine Seitenlänge L und befinde sich in einem homogenen Magnetfeld B.
Bitte berechnen Sie das Drehmoment auf die Leiterschleife und zeigen Sie so, dass gemäß
Definition 1.7 der Leiterschleife ein magnetisches Dipol-Moment zuzuordnen ist. Bitte be-
stimmen Sie dessen Größe und vergleichen Sie das Ergebnis mit (1.26).

1.39 Ein Hydrodynamiker ist von der theoretischen Elektrotechnik so begeistert, dass er für
den an seinem Haus vorbeifließenden Bach ein Untereasser-Vektorfeld v definiert, das für
jeden Punkt im Wasser die jeweilige Fließgeschwindigkeit angibt. Dabei stellt er erstaunt
fest, dass er ein Gesetz findet, welches er schon als eine der Maxwell’schen Gleichungen
kennengelernt hatte. Welche Gleichung wurde wiederentdeckt und welche Bedeutung hat sie?

1.40 Zeigen Sie, dass aus den Maxwell’schen Gleichungen im Vakuum die Ausbreitung von
p
elektrischen Wellen mit der Geschwindigkeit c D 1= "0 0 folgt!

1.41 Bei der so genannten DAWN-Mission der NASA wurde erstmalig das in . Abb.
1.25 gezeigte Ionentriebwerk eingesetzt. Ein solches Triebwerk produziert kleine Kräfte
über einen langen Zeitraum bei geringem Materialverbrauch. Bei diesem Triebwerk werden
Xenon-Atome ionisiert und elektrisch beschleunigt. So entsteht eine Schubkraft von maximal
F D 0;091 N, wenn 3;25 mg=s Xenon verbraucht werden.
a) Wie groß ist die Rückstoßgeschwindigkeit der Xenon-Ionen?
b) Durch welche Spannung müssen sie beschleunigt werden?
c) Welcher Strom I fließt aus dem Triebwerk hinaus und warum lädt sich der Satellit trotz-
dem nicht elektrostatisch auf?

1.42 Wenn bei schnell fahrenden Zügen die Räder links und rechts verbunden sind, so wird
während der Fahrt durch das Erdmagnetfeld eine Spannung induziert. Denn die Schienen
sind in regelmäßigen Abständen miteinander (und mit dem Erdreich) verbunden. Ein fahren-
der Zug erzeugt also eine Leiterschleife, deren Breite der Schienenabstand und deren Länge
beim Überfahren eines Verbindungspunktes gleich Null ist und dann mit der Geschwindigkeit
des Zuges wächst. So entsteht, wie in . Abb. 1.26 gezeigt, eine Leiterschleife, deren Grö-
ße sich durch die Zugbewegung ändert. Bitte zeigen Sie anhand dieses Beispiels, dass das
32 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

. Abb. 1.25 Zur Aufgabe 1.41:


1 Der DAWN-Satellit. Er benutzt ein
Ionentriebwerk. Die erzeugte Kraft
ist klein, soll aber mehr als 2000 Tage
anhalten (Foto: NASA [10])

Faraday-Henry-Gesetz (1.28) und die Lorentz-Kraft in diesem Falle (1.25) eine gleich große
so erzeugte Spannung ergeben und daher den gleichen physikalischen Sachverhalt beschrei-
ben. Hinweis: Für eine Ladung, deren Bewegung durch andere äußere Kräfte festgelegt ist, ist
es vollkommen ununterscheidbar, ob sie durch ein elektrisches Feld oder durch ein quer dazu
befindliches magnetisches Feld beeinflusst wird.

. Abb. 1.26 Zur Aufgabe 1.42: Ein ICx und die bei seiner Fahrt mit der Geschwindigkeit v verursachte Änderung
des magnetischen Flusses aufgrund der Flächenzunahme A (rechts). (Foto: Siemens)
1.3  Antworten zu Kap. 1
33 1

1.43 Bei dem durch einen elektrischen Stromfluss erzeugten magnetischen Feld kann jedem
Punkt im Raum ein Feldvektor zugeordnet werden, welcher zusammen mit dem Geschwin-
digkeitsvektor einer Ladung erlaubt, die auf diese Ladung wirkende Kraft zu berechnen.
Andererseits zeigt eine eingehende Analyse des Induktionsgesetzes (siehe . Abb. 1.15), dass
sich das Magnetfeld gerade dadurch auszeichnet, dass es nicht möglich ist, jedem Punkt im
Raum eindeutig einen Kraftvektor für eine Probeladung zuzuordnen. Ist dies ein Widerspruch?
Und wenn nicht: Worin besteht die Auflösung?

1.3 Antworten zu 7 Kap. 1

1.1 Antwort c) ist richtig. Die Ladungserhaltung führt zur Kontinuitätsgleichung, nach der die
zeitliche Abnahme der Ladungsdichte gleich der Stromdichte ist.

1.2 Antwort b) ist richtig. Man stelle sich eine den Luftballon weiträumig und ganz umschlie-
ßende Fläche vor. Nach dem Gauß’schen Satz hängt die Feldstärke an dieser Fläche nur von
der umschlossenen Gesamtladung ab. Diese ändert sich durch das Aufblasen nicht.

1.3 Antwort c) ist richtig. Das elektrische wie auch das magnetische Dipolmoment sind durch
ihr Drehmoment im Feld definiert.

1.4 Antwort b) ist richtig. Das gut leitende Material sorgt dafür, dass die gesamte Käfigober-
fläche auf dem gleichen Potenzial liegt. Daher ist der Raum im Inneren feldfrei und es treten
keine elektrischen Kräfte auf.

1.5 Antwort a) ist richtig. Dies folgt aus dem Ampère’schen Gesetz.

1.6 Antwort c) ist richtig. Mehr Stromverbrauch bedeutet ein stärkeres magnetisches Dipol-
moment in der Lichtmaschine. Ihr Rotor wird daher stärker abgebremst.

1.7 Antwort b) ist richtig. An den Grenzflächen isotroper Materialien mit verschiedenen Di-
elektrizitätskonstanten haben nur senkrecht auftreffende Feldlinien keinen Knick.

1.8 Antwort a) ist richtig. Eine gute Leitfähigkeit ist eher störend, denn sie erlaubt das Auf-
treten von Wirbelströmen. Daher werden gute Motoren und Generatoren aus Dynamoblech,
also lamelliertem Eisen, so hergestellt, dass größere Wirbelströme durch die Oxidschichten
der Lamellen verhindert werden.

1.9 Antwort c) ist richtig. Es sind vier Gleichungen, die das Verhalten von zwei Feldern,
nämlich E und B, beschreiben. Die Annahme einer Symmetrie zwischen E und H ist ein
Überbleibsel aus der Zeit der Elektrostatik vor Maxwell. H ; D; M und P stehen für Anteile
an E und B.

1.10 Das stimmt, denn genauso ist das E Feld definiert.

1.11 Das stimmt, denn genauso ist das B Feld definiert.

1.12 Nein, das stimmt nicht. Nur statische elektrische Felder sind wirbelfrei.
34 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

1.13 Das stimmt. Die elektrodynamische Kraft wurde von Einstein im Rahmen der Speziellen
1 Relativitätstheorie 1905 so benannt. Seither ist bekannt, dass E und B zwei Aspekte des
gleichen Phänomens sind.

1.14 Nein, das stimmt nicht. Der Strom gibt nur eine zeitliche Bilanz der Ladungsänderung
an: I D dQ=dt . Im Gegensatz dazu ist die Stromdichte J ein Vektor, nämlich das Produkt
aus Ladungsdichte und Geschwindigkeitsvektor. Bildet man das Skalarprodukt aus der Strom-
dichte und dem Vektor einer gerichteten Fläche, so erhält man den Strom durch diese Fläche.

1.15 Das Ohm’sche Gesetz folgt aus dem Gesetz von Drude, nach dem die Stromdichte aus
der elektrischen Feldstärke und der spezifischen Leitfähigkeit folgt: J D E .

1.16 Das Ampère’sche Gesetz wurde um die zeitliche Ableitung des elektrischen Feldes
erweitert. Seither ist bekannt, dass das Ampère’sche Gesetz nur im statischen Fall gilt. Außer-
dem begründet die Korrektur die Ausbreitung elektromagnetischer Wellen, welche Heinrich
Hertz dann auch tatsächlich fand. Aus heutiger Sicht ist daher das Ampère’sche Gesetz un-
vollständig.

1.17 Diese wird durch die Divergenzfreiheit des magnetischen Kraftfeldes, div B D 0; be-
gründet.

1.18 Polarisation steht für den folgenden Vorgang: In einem nicht leitfähigen Körper, der ei-
nem elektrischen Feld ausgesetzt wird, werden auf atomarer Skala Ladungen so verschoben,
dass er insgesamt ein elektrisches Dipolmoment entwickelt. Die verschobenen Ladungen ih-
rerseits erzeugen ein elektrisches Feld, welches dem äußeren Feld entgegensteht. Dadurch
verkleinert sich das Feld innerhalb des Körpers.
Ist der Körper leitfähig, so können sich die Elektronen über makroskopische Distanzen
hinweg bewegen. Diese Bewegung hört erst auf, wenn das elektrische Feld im Inneren ganz
verschwindet. Das heißt dann Influenz.

1.19 Das Magnetfeld im Inneren einer langen Spule ist parallel ausgerichtet und homogen.
Insbesondere ist seine Stärke nicht vom Radius abhängig.

1.20 Einige Feldgrößen gehen auf die Unterscheidung zwischen gebundenen und frei be-
weglichen Ladungen und Strömen zurück: D und H stehen für Feldanteile, die von frei
beweglichen Ladungen und Strömen erzeugt werden, P und M für diejenigen Anteile, die
von gebundenen Ladungsträgern und Strömen herrühren. Für das Verhältnis der Anteile zum
Gesamtfeld stehen "r und r . Werden Distanzen unterhalb der Größe von Bindungsorbitalen
betrachtet, so wird die Unterscheidung gebunden oder frei sinnlos, denn innerhalb dieser Di-
stanzen sind auch gebundene Elektronen frei beweglich. Unterhalb von 1 Nanometer bleiben
nur noch E und B.

1.21 Nach dem Coulombschen Gesetz (1.2) verneunfacht sich die Kraft. Diese Vergrößerung
kann dadurch kompensiert werden, dass der Abstand verdreifacht wird.

1.22 Wie in . Abb. 1.13 gezeigt, entstehen zwei neue Magnete mit jeweils zwei Polen, und
zwar so, dass zwei verschiedene Pole nah beieinander sind. Daher ziehen sich die Magnete
an. Antwort b) ist richtig.
1.3  Antworten zu Kap. 1
35 1

1.23 Nein, diese Aussage stimmt nicht. Vielmehr ist die Berechnung des elektrischen Dipol-
Moments nach Definition 1.5 vom Bezugssystem unabhängig. Beweis: Eine Änderung des
Bezugssystems bedeutet, zu allen Vektoren r i einen konstanten Vektor R hinzu zu addieren.
P
Gemäß (1.14) bedeutet diesp D niD1 Qi  .r i C R/: Trennt man die Summe in zwei Tei-
le, so wird deutlich, dass der Term mit R
Pgenau dann
 verschwindet, wenn die Summe aller
P
Ladungen Null ist:p D niD1 Qi  r i C n
i D1 Qi  R:

1.24 Ja, die Äquipotenziallinien verlaufen senkrecht zu den Feldlinien, denn der Energiege-
winn kann gemäß (1.15) nur tangential zu den Feldlinien erfolgen.

1.25 Nach (1.28) wird immer dann eine Spannung induziert, wenn sich der magnetische Fluss
ändert.
a) Im Inneren eines Magneten ein Stromkabel so aufzuwickeln, dass die magnetischen
Feldlinien durch die Windungen hindurchgehen, bedeutet: In der Ausgangssituati-
on gab es keinen nennenswerten magnetischen Fluss, denn es gab keine vom Leiter
umschlossene Fläche. Nach dem Wickeln beträgt der Gesamtfluss ˚B bei N Win-
dungen um eine Fläche A W ˚B D N B  A. Wird zum Wickeln eine Zeit t benötigt,
so wird eine Spannung Uind D N B  A=t induziert, die zwar klein, aber nicht Null
ist.
b) und c) In einem starken homogenen Feld eine Leiterschleife quer zu den Feldlinien ver-
schieben ändert nicht den magnetischen Fluss und erzeugt daher keine Spannung,
ebenso wenig wie eine Rotation um die Symmetrieachse.
d) Eine Leiterschleife um eine andere als ihre Symmetrieachse zu drehen, verändert
den magnetischen Fluss und führt zu Spannungen.

1.26 Wenn man einen Magneten halb durchschneidet, dann entstehen zwei Magnete mit je-
weils kleinerem Dipol-Moment, egal ob längs oder quer geschnitten wurde.
a) Wird der Magnet längs durchgeschnitten, so bleibt der Polabstand konstant, jedoch trägt
nur die Hälfte der atomaren Dipole zum Dipol-Moment bei, das Gesamtmoment halbiert
sich.
b) Wird der Dipol quer durchgeschnitten, so halbiert sich die Anzahl der atomaren Magnete
und der durchschnittliche Abstand ebenfalls. Antwort c) ist also richtig.

1.27 Auch statische Magnetfelder werden durch bewegte Ladungen erzeugt (siehe 7 Abschn.
1.1.2). Daher kann Antwort a) nicht richtig sein, vielmehr stimmt Antwort b) (siehe auch
7 Abschn. 1.1.3).
Ergänzung c) enthält zwei Fehler: Erstens ist die Elektrotechnik weder Elektrostatik noch
Elektrodynamik, sondern deren technische Anwendung. Und zweitens sind sowohl Elektro-
statik als auch Elektrodynamik untrennbar mit der speziellen Relativitätstheorie verbunden.
Wann eine Ladung ein elektrisches Feld erzeugt und wann ein magnetisches Feld, ist von
der Geschwindigkeit des Beobachters abhängig. Dass, unabhängig von der Geschwindig-
keit des Beobachters, immer die gleichen Gesamtkräfte aus den Maxwell’schen Gleichungen
herauskommen, das ist das Ergebnis der heute als spezielle Relativitätstheorie bekannten
Transformations-Gleichungen (siehe . Abb. 1.1).

1.28 0 ist in den mittlerweile zum Standard gewordenen SI-Einheiten mathematisch und
nicht experimentell definiert. (Details siehe Anhang B) Daher ist 0 so genau bekannt wie die
Zahl
, also auf Tausende von Stellen, und zwar aus folgendem Grund: Ein Strom von einem
36 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

Ampere ist über dessen magnetische Kraftwirkung definiert: Zwei lange, dünne, einen Meter
1 voneinander entfernte Leiter im Vakuum transportieren genau dann einen jeweils entgegen-
gesetzten Strom von einem Ampere, wenn auf jeden Meter Länge des Leiters eine Kraft von
F=` D 2  107 N=m wirkt. Nach dem Ampèreschen Gesetz ist
I
Bd` D 0 I ! B  2
 1 m D 0 1 A : (1.66)

Die Kraft des Magnetfeldes auf ein Stückchen ` des anderen Leiters folgt aus der Lorentz-
Kraft, deren Handhabung sich dadurch vereinfacht, dass Strom und Magnetfeld senkrecht
aufeinanderstehen:

`
F D Q  v  B ! F D Q  B : (1.67)
t

Gleichung 1.67 lässt sich als Kraft pro Länge umschreiben:

F N
D I  B ! 2  107 D 1A  B : (1.68)
` m

Aus 1.68 und 1.66 lässt sich die magnetische Feldstärke B eliminieren, und man erhält

Nm
0 D 4
 107 ; (1.69)
A2

eine Zahl also, die genau so genau bekannt ist wie


.

1.29 Das Coulombsche Gesetz (1.11) kann aus dem Gauß’schen Satz für das elektrische Feld
(1.34) hergeleitet werden. Dazu stelle man sich eine Ladung Q im Ursprung des Koordina-
tensystems vor. Wie groß und in welche Richtung zeigend ist dann das elektrische Feld E ,
zum Beispiel am Punkt r D .r; 0; 0/? Zur Anwendung des Gauß’schen Satzes legen wir eine
Kugel vom Radius r um die Ladung. Dann liegen alle Flächenvektoren parallel zu den Feld-
vektoren (E  dA D E  dA). Für alle Punkte r auf der Kugeloberfläche hat der Feldvektor E
die gleiche Richtung wie die Radius-Vektoren: E D E  r=r. Nach (1.34) ist dann
I
E  dA D 4
r 2 E D Q="0 : (1.70)
Oberfläche

Umgestellt nach E ergibt sich der Betrag

Q
ED (1.71)
4
"0  r 2

und mit Hilfe der Kugel-Symmetriebedingung E D E  r=r schließlich das Coulombsche


Gesetz 1.11.

1.30 Ein Beispiel ist in . Abb. 1.27 gezeigt. Aus sehr großer Entfernung betrachtet ist das Feld
von dem einer Einzelladung, die die Summe der beiden Teilladungen enthält (vom Betrag her
also die Differenz, da die Vorzeichen verschieden sind) kaum zu unterscheiden.
1.3  Antworten zu Kap. 1
37 1
. Abb. 1.27 Zur Aufgabe 1.30: Elektrisches Feld zweier sehr unterschied-
licher Ladungen. Bei sehr ungleich großen Ladungen treffen die Feldlinien
sogar von der Rückseite auf die kleinere Ladung

1.31 Zur Berechnung des elektrischen Dipol-Moments nach Definition 1.5 wird das Sauerstoff-
Atom in den Ursprung des Koordinatensystems gelegt. Die Wasserstoff-Kerne werden
symmetrisch um die x-Achse gelegt. Damit kürzen sich die y- und z-Komponenten des
Dipol-Moments heraus. Die verbleibende x-Komponente ist dann px D 2  e  d  cos.=2/.
Dabei ist  der Winkel zwischen den Wasserstoff-Atomen. In Zahlen ergibt sich px D jpj D
1;88  1029 Cm. Dieser Wert ist gut dreimal so groß wie der experimentell bestimmte Wert.
Daraus folgt, dass die Bindung des Wassermoleküls sind nur in geringem Maße ionischer
Natur ist. Bildlich gespochen: Die Wasserstoff-Atome haben ihre Elektronen zum erheblichen
Teil selbst behalten und nicht an das Sauerstoff-Atom abgegeben.

1.32 Ein infinitesimaler Flächenvektor dA ist, wie in . Abb. 1.7 gezeigt, ein Vektor, dessen
Richtung senkrecht von der Oberfläche weg zeigt, und dessen Betrag die Größe der Fläche ist.
So wird zum Beispiel in einem kartesischen .x; y; z/ Koordinatensystem der Flächenvektor
zu einem infinitesimalen Stückchen der x-y-Ebene dA D dx  dy  e z D dx  dy  .0; 0; 1/.
Die Beschreibung von Flächen durch Vektoren hilft, Flüsse von Vektorfeldern durch Ober-
flächen auf sehr kompakte Weise zu beschreiben. Sie ist damit ein Schlüssel zum Verständnis
der in 7 Abschn. 1.1.3 beschriebenen Induktionsvorgänge (siehe auch Aufgabe 1.39).

1.33 Nach (1.22) kann der Beitrag B einer kleinen Teilladung Q zum gesamten Magnet-
feld als

0 Q
B D  vr (1.72)
4
r 3

geschrieben werden. In einer Leitung bewegen sich die Ladungsträger parallel und entlang der
Leitung. Daher kann der Geschwindigkeitsvektor v als `= t geschrieben werden, wobei
` ein Stückchen entlang der Leitung ist. So ergibt sich die Form

0 Q `
B D   r : (1.73)
4
r 3 t

Dabei können Q und t zum Strom I zusammengefasst werden und man erhält

0 I
B D   `  r : (1.74)
4
r 3

Nun wird zu infinitesimalen Stückchen der Leitung übergegangen, ` ! d`, und über alle
infinitesimalen Beiträge dB integriert. Da der Strom I überall in einer Leitung der gleiche
sein muss, kann er vor das Integral geschrieben werden. Das Ergebnis ist (1.65).
38 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

! Vorsicht Missverständnis!
1 Dieses Ergebnis gilt so nur bei konstanten Strömen und Magnetfeldern. Im dynamischen Fal-
le ist zu berücksichtigen, dass Änderungen der Felder erst nach einer Verzögerungszeit den
Änderungen der Ladungsträgerbewegungen folgen. Die Zeit ist durch den Abstand zu den La-
dungsträgern und durch die Lichtgeschwindigkeit gegeben.

1.34 Das elektrische Feld hat Quellen und Senken, die durch die vorhandenen Ladungen fest-
gelegt werden. Begründung: Man stelle sich eine einzige, punktförmige positive Ladung im
Zentrum einer kleinen Kugel vor. Nach dem Gauß’schen Satz, bzw. der ersten Maxwell’schen
Gleichung (1.34), zeigen die Feldvektoren alle aus der Kugeloberfläche heraus. Im Grenz-
fall einer infinitesimal kleinen Kugel gehen alle Feldvektoren von diesem kleinen Gebilde
aus. Das zum Punkt geschrumpfte Kügelchen ist also die Quelle des elektrischen Feldes. Ent-
sprechend kann man sich eine negative Ladung vorstellen. Dann erhält man eine Senke des
elektrischen Feldes.

1.35 Aus den Geometriebedingungen folgt, dass die Magnetfeldlinien innerhalb des Torus’
Kreise bilden und dass die Magnetfeldstärke entlang dieser Kreise konstant ist. Jede dieser
Magnetfeldlinien führt durch alle Windungen des Torus’. Nach dem Ampère’schen Gesetz
gilt daher
0 NI
BZentrum D : (1.75)
2
R
An der Innenkante des Torus’ sind die Feldlinien kürzer, an der Außenkante länger. So erhält
man
0 NI
BInnenkante D
2
.R  r/
(1.76)
0 NI
BAußenkante D
2
.R C r/
Das Magnetfeld fällt also proportional zum Abstand vom Mittelpunkt ab.
Im Grenzfall eines sehr großen Torus-Radius’ werden die relativen Unterschiede der Län-
gen der Feldlinien immer unbedeutender. Das Magnetfeld zwischen den Windungen wird im
Grenzfall R ! 1 homogen. Stellt man sich diesen Torus als Aneinanderreihung vieler fast
gerader Spulen vor, so folgt:

Im Inneren einer langen zylindrischen Spule ist das Magnetfeld homogen.

1.36 Aus Symmetriegründen müssen alle Komponenten des Magnetfeldes außer Bx in . Abb.
1.28 verschwindend gering sein. Um das im Ampèreschen Gesetz auftretetende Pfadintegral
auszurechnen, teilen wir daher den Pfad in vier Teile auf, zwei mit der Länge x davon parallel
zum Magnetfeld in der Spule, zwei mit der Länge y senkrecht dazu. Wie in . Abb. 1.28
gezeigt, sind drei der Beiträge zu B  ` gleich Null, zwei wegen des 90ı -Winkels, einer, weil
das Rückfeld so stark verdünnt ist, dass es keinen nennenswerten Beitrag liefert. Also ist
I
B  d` D x  B D 0 NI : (1.77)
1.3  Antworten zu Kap. 1
39 1
. Abb. 1.28 Zur Aufgabe 1.36: Anwendung des Ampère- -x
schen Gesetzes auf eine lange Spule: Nur der untere Teil des -y y
Pfades liefert einen nennenswerten Beitrag: B  ` D x  B.
Der Pfad umschließt den Strom I N -mal (hier: N D 3)
x B = (Bx ,0,0)

Umgestellt nach B ergibt sich

N
B D 0 I  : (1.78)
x

Gl. (1.78) sieht man an: Die Stärke des Magnetfeldes hängt weder von der Länge, noch vom
Durchmesser der Spule, noch von der radialen Position innerhalb der Spule ab, sondern (au-
ßer vom Strom I ) nur von der Windungsdichte N=x; also der Anzahl der Windungen pro
Längeneinheit.

1.37
a) Der Betrag der Feldstärke, E; ergibt sich aus dem Coulombschen Gesetz (siehe (1.11)) zu

dQ
dE D (1.79)
4
"0 .h2 C R2 /

Dabei ist die Richtung genau die des Abstandsvektors von dQ zum betrachteten Punkt.
Legen wir fest, dass der Ring in der x-y-Ebene liegt und die Ringachse gleich der z-
Achse ist, kann d E durch den Betrag E und die Winkelfunktionen angegeben werden.
Wenn  der Winkel zur z-Achse ist, ist dEz D cos   dE: Nennt man  den Winkel zur
x-Achse in der x-y-Ebene, dann ergibt sich insgesamt

dE D .dEx ; dEy ; dEz / D dE  .sin  cos ; sin  sin ; cos  / (1.80)

Der Winkel  ist durch die Aufgabenstellung nicht bestimmt.  ergibt sich aus

h
cos  D p : (1.81)
h2 C R2

b) Die gesamte Feldstärke entlang der z-Richtung ergibt sich durch Integration über die
Kreislänge d ` D Rd. Diese muss aber nicht explizit ausgeführt werden:
Z Z
dQ cos   Q
Ez D cos E D cos  dE D cos  D : (1.82)
4
"0 .h2 C R2 / 4
"0 .h2 C R2 /

Jetzt muss noch der Winkel ersetzt werden:

Qh
Ez D : (1.83)
4
"0 .h2 C R2 /3=2

Die Komponenten Ex und Ey verschwinden bei der Integration aufgrund der Rotations-
Symmetrie des Problems.
40 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

c) Der Schwebezustand ist erreicht, wenn die Gewichtskraft Fg D m  g genau so stark ist
1 wie die elektrische Kraft F D Q  E. In diesem Fall ist also

mProbe  g  4
"0 .h2 C R2 /3=2
QProbe  Ez D mProbe  g ! QProbe D : (1.84)
Qh
Sowohl für sehr kleine h (fällt durch) als auch für sehr große h (zu weit weg) divergiert die
notwendige Ladung QProbe .

1.38 Lösungsstrategie: Die Leiterschleife wird in ihre vier Bestandteile zerlegt. Diese wer-
den einzeln hinsichtlich der wirkenden Lorentz-Kräfte betrachtet. Vor der eigentlichen Be-
rechnung muss man sich im Klaren über die Richtung der einzelnen Kräfte sein.
Lösung: Aus . Abb. 1.24 ist ersichtlich, dass die Kraft auf das untere Leitungsstück immer
in Richtung der y-Achse zeigen muss, denn es gilt .1; 0; 0/  .0; 0; 1/ D .0; 1; 0/. Die
Kraft auf das obere Leitungsstück ist gleich groß und genau entgegengerichtet. Diese beiden
Kräfte werden also zum Drehmoment beitragen. Jedes dieser Leitungsstückchen trägt einen
Teil F D .0; F; 0/ D Q  v  B bei. Da v und B senkrecht aufeinander stehen, kann
die Kraftkomponente F skalar berechnet werden. Dazu der Standard-Kniff:
x Q
Q  v D Q  D x  D x  I : (1.85)
t t
Mit Hilfe dieser Beziehung kann die gesamte Kraft vom oberen Leitungsstück berechnet wer-
den:
Z Z Z
F D dF D v  B dQ D BI dx D B  I  L : (1.86)

Die Kraft auf das untere Teilstück ist genau so groß, aber entgegengesetzt gerichtet.
Da der Strom im vorderen Leitungsstück von der Form I D .0; Iy ; Iz / ist, muss der Kraft-
vektor parallel oder antiparallel zur x-Achse sein. Aus Symmetrie-Gründen hebt er genau die
Kraft auf, die auf das hintere Stück wirkt. Beide bewirken, dass die Leiterschleife entlang der
x-Achse auseinandergezogen wird. Sie tragen nicht zum Drehmoment bei.
Das Gesamt-Drehmoment ist also das Doppelte dessen, was bei ausschließlicher Betrach-
tung des unteren Leitungsstückes herauskommt: F D .0; 2  B  I  L; 0/. Nennt man  den
Winkel zur y-Achse um die x-Achse herum, so erhält man mit r D L=2

M D r  F D .B  I  L2  sin./; 0; 0/ : (1.87)

Das gleiche Ergebnis erhält man aus der Definition 1.7, wenn man (1.27) annimmt. Daraus
lässt sich schließen, dass in der Tat das magnetische Dipol-Moment einer Leiterschleife durch
das Produkt aus Flächenvektor und Umlaufstrom gegeben ist.

1.39 Er findet den Gauß’schen Satz für das Magnetfeld (1.37) wieder! Dies wird in . Abb.
H
1.29 deutlich. Denn der Volumenstrom des Wassers durch eine Fläche A ist gerade Oberfläche v
d A. Wenn das Integral über eine geschlossene Fläche berechnet wird, so gibt es an, wie
groß der Wasser-Volumengewinn pro Zeit ist. Da die Masse erhalten und die Dichte praktisch
konstant ist, gilt auch hier:
I
v  dA D 0 : (1.88)
Oberfläche
1.3  Antworten zu Kap. 1
41 1

. Abb. 1.29 Zur Aufgabe 1.39: Fluss eines Vektorfeldes, hier als Beispiel die Fließgeschwindigkeiten in einem
Bach. Die Quellenfreiheit dieses Feldes ist gleichbedeutend mit der Erhaltung der Wassermenge: So viel Wasser, wie
in jedes Volumen hineinströmt, muss auch wieder hinaus

An diesem Beispiel wird der Sinn des Skalarproduktes zwischen Vektorfeld und Flächen-
vektor deutlich: das Skalarprodukt projiziert genau den Teil des Vektorfeldes heraus, der
senkrecht zur Fläche steht – und nur dieser Teil beschreibt den Zu- und Abfluss!

1.40 Die beiden Induktionsgesetze sind diejenigen, die eine zeitliche Veränderung .@=@t / mit
einer räumlichen Veränderung .r/ verbinden. Daher sind sie der Startpunkt für die Suche
nach einer Wellengleichung. Das Ampère-Maxwell-Gesetz ((1.33) und (1.44)) und das Fara-
day-Henry-Gesetz ((1.28) und (1.42))

@E @B
.r  B/ D "0 0 und .r  E / D  (1.89)
@t @t

können ineinander eingesetzt werden, wenn jeweils eins von ihnen von links mitr multipli-
ziert wird:

@B @2 E
r  .r  E/ D r  D "0 0 : (1.90)
@t .@t /2

Wegen der für alle Vektoren v gültigen Identität

r  .r  v/ D r.r  v/  r 2 v (1.91)
42 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

können wir die linke Seite von (1.90) umschreiben:


1
@2 E
r.r  E /  r 2 E D "0 0 : (1.92)
.@t /2

Im Vakuum ist aber wegenr  E D ="0 der linke Term in (1.92) gleich Null. Übrig bleibt die
Wellengleichung

@2 E
r 2 E D "0  0 : (1.93)
.@t /2

Diese Differenzialgleichung beschreibt eine (ansonsten von Randbedingungen abhängige)


Wellenausbreitung mit der Geschwindigkeit

1
cD p : (1.94)
"0  0

Der Rechenweg für das magnetische Feld verläuft analog und gibt das gleiche Ergebnis:

@2 B
r 2 B D "0  0 : (1.95)
.@t /2

q. e. d.

1.41 Lösungsstrategie: Man muss sich klar machen, dass die Kraft allgemein als Impulsän-
derung definiert ist F D dp=dt und überlegen, was das für einen Strom einfach geladener
Teilchen mit einer bestimmten Geschwindigkeit bedeutet.
Lösung:
a) Die Austrittsgeschwindigkeit ergibt sich bei konstanter Ionengeschwindigkeit v zu

dp d.mv/ dm
F D D Dv : (1.96)
dt dt dt

Auflösen nach v und Einsetzen der Zahlen ergibt

v D 28:000 m=s ' 100:000 km=h : (1.97)

b) Da die Spannung gemäß (1.15) gerade Energie pro Ladung und die Energie gerade die
kinetische Energie der Ionen Ist, ergibt sich

1 2
U D W =Q D mv =e : (1.98)
2

Die Masse eines Xenon-Atoms ist die Molmasse dividiert durch die Avogadro-Zahl: Da
ein Mol Xenon 131;1 g und einer Teilchenanzahl von n D 6;022  1023 entspricht, ergibt
sich in ZahlenU D 534 V.
Der Teilchenstrom lässt sich in einen Ladungsstrom umrechnen:

dQ dQ dm
I D D  I (1.99)
dt dm dt
1.3  Antworten zu Kap. 1
43 1

dabei ist dQ=dm einfach das Verhältnis von Elementarladung zur Masse eines einzelnen
Xenon-Atoms. In Zahlen:

1;602 1019 C  6;022 1023  3;25 106 kg=s


I D D 2;39 A : (1.100)
0;1313 kg

c) Dass es trotz des großen Stromes nicht zum Aufladen des Satelliten kommt, liegt daran,
dass beim Austritt der Ionen Elektronen mitgerissen werden. Da die Elektronen im Ver-
gleich zu den Ionen eine vernachlässigbar kleine Masse haben, ändert dies die Schubkraft
praktisch nicht.

1.42 Lösungsstrategie: Die Lorentz-Kraft wird für die Ladungsträger in der Achse berechnet
und als elektrische Kraft entlang einer durch die Achse des Zuges gehenden Leiterschleife
uminterpretiert.
Lösung: Wir betrachten die Elektronen im Metall als Ladungsträger, deren Geschwin-
digkeit durch die Bewegung der Achse des in . Abb. 1.26 gezeigten Zuges vorgegeben wird.
Entsprechend (1.2) erfahren sie eine Kraft F D QElektron vAchse B Erde . Es ist den Ladungsträ-
gern dabei egal, ob diese Kraft magnetisch oder elektrisch genannt wird. Deshalb kann jedem
Punkt innerhalb der Achse genauso gut ein elektrisches Feld E D F =Q zugeordnet R werden:
E D vAchse  B Erde . Die resultierende Spannung ist gemäß Definition 1.6 U D Achse E  ds.
Alle Ladungsträger auf den Schienen und deren Erdverbindungen sind in Ruhe. Deshalb hat
nur die Achse es Zuges in . Abb. 1.26 einen Beitrag zur Induktionsspannung. Die gesamte in
die Leiterschleife induzierte Spannung ist genauso groß wie die der Achse allein:
Z I I
U D E  ds D E  ds D vAchse  B Erde  ds (1.101)
Achse Schleife Schleife

Bis zu diesem Punkt haben wir nur die Lorentz-Kraft betrachtet. Aber das letzte Integral kann
so umgerechnet werden, dass am Ende das Faraday-Hernry-Gesetz übrig bleibt.
Das Faraday-Henry-Gesetz beschreibt die Konsequenzen einer Änderung des magneti-
schen Flusses. Da das Erdmagnetfeld aber konstant ist, kann es hier nur um die Änderung
der Fläche gehen. Für die in . Abb. 1.26 betrachtete Leiterschleife ergibt die Geschwindig-
keit in einer Zeitspanne t einen Flächenzuwachs von
Z
A D .v t /  LAchse D LAchse  .vAchse t / D  ds  .v t / : (1.102)
Achse

Von (1.102) ist es nur noch ein kleiner Schritt zur Änderung des magnetischen Flusses,
˚B = t D B Erde  A= t :
Z
˚B
D B Erde  ds  vAchse : (1.103)
t
Achse

Das Spatprodukt in (1.103), B  ds  v, ist invariant gegenüber einer zyklischen Vertauschung.


Deswegen können wir schreiben
Z I
˚B
D ds  vAchse  B Erde D  ds  vAchse  B Erde (1.104)
t
Achse Schleife
44 Kapitel 1  Elektrodynamik – die beste Theorie der Welt verstehen

oder mit (1.101)


1 I
˚B
D E  ds : (1.105)
t
Schleife

Das ist das Induktionsgesetz.

1.43 Nein, hier liegt kein Widerspruch vor. In keinem einzigen Fall beinhaltet ein Magnetfeld
die Zuordnung eines Kraftvektors zu einem Punkt im Raum. Das Magnetfeld unterscheidet
sich damit grundsätzlich vom elektrischen Feld (und auch vom Gravitationsfeld).
Die genauere Betrachtung zeigt: Sowohl bei der Lorentz-Kraft als auch bei der Indukti-
on gehört zur Berechnung der Kraft an einem Punkt neben der Kenntnis der Feldstärke die
Kenntnis der Bewegung der Ladung. Bei der Lorentz-Kraft ist es die Geschwindigkeit der
Ladungsträger im Term v  B, bei der Induktion ist es die Richtung des Stromflusses I. Das
erstaunliche Induktionsverhalten in . Abb. 1.15 ist also der Tatsache äquivalent, dass sich die
Richtung der Lorentz-Kraft umkehrt, wenn sich die Richtung der Ladungsträgerbewegung
umkehrt.

Literatur

1. Faraday M (1839) Experimental Researches in Electricity. Philosophical Transactions Series XI


[1831–38].
2. Einstein A (1905) Zur Elektrodynamik bewegter Körper. In: Annalen der Physik Band 322, Nr. 10, Seiten
891ff. Leipzig
3. Drude P (1906) Lehrbuch der Optik. S. Hirzel, Leipzig
4. Faksimile siehe http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/andp.19053221004/references. Zugegriffen:
2017
5. Barnes VE et al. (1964) Observation of a Hyperon with Strangeness Minus Three. Phys. Rev. Lett. 12:204
6. Born M (1969) Die Relativitätstheorie Einsteins. Springer, Berlin, ISBN 3-540-04540-6
7. Van Dyck RS, Eckström RA, Dehmelt HG (1976) Axial, Magnetron, Cyclotron and Spin-Cyclotron Beat
Frequencies Measured on Single Electron Almost at Rest in Free Space (Geonium). Nature 262:776 ff.
8. Van Dyck RS, Schwinberg PG, Dehmelt HG (1977) Precise Measurements of Axial, Magnetron,
Cyclotron, and Spin-Cyclotron-Beat Frequencies on an Isolated 1-meV Electron. Phys. Rev. Lett.
38:310 ff.
9. Poppe M (1986) Exclusive Hadron Production in Two-Photon Reactions. Int. Journal Modern Physics A,
V1, No.3:545 ff.
10. Siehe http://dawn.jpl.nasa.gov. Zugegriffen: 2017
11. Maxwell JC (1865) A Dynamical Theory of the Electromagnetic Field. Royal Society Transactions Vol.
CLV:459
12. Gauss CF (1813) Observationes cometae secundi, observatorio Gottingensi factae, adjectis nonnullis
adnotationibus circa calculum orbitarum parabolicarum. Göttingen
13. Mertins HC, Gilbert M (2016) Prüfungstrainer Experimentalphysik. 3. Aufl. Springer Spectrum, ISBN
978-3-662-49689-3
14. Poppe M (2015) Die Maxwellsche Theorie. Springer-Vieweg, Heidelberg, ISBN 978-3-662-45592-0
15. Siehe http://www.quantumdiaries.org/wp-content/uploads/2010/05/Zres1.png. Zugegriffen: 2017
45 2

Passive Bauelemente – den Strom


zum Helfer machen
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2018
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, https://doi.org/10.1007/978-3-662-56649-7_2

Die elektrischen und magnetischen Eigenschaften der Materie und deren Behandlung im Rahmen
der Maxwell’schen Gleichungen bilden die Grundlage der Konstruktion von Bauelementen, die
heute passiv genannt werden. Ausgehend von den Materialeigenschaften werden die Brechungs-
gesetze für statische Magnetfelder hergeleitet und so die Erhaltung des magnetischen Flusses in
Ferromagnetika begründet. Darauf aufbauend folgen zwei Techniken, Magnetfelder in einfachen
Geometrien zu bestimmen.
Das grundsätzliche Verhalten der Bauelemente Widerstand, Kondensator und Spule wird sowohl
reell als auch in der komplexen Ebene beschrieben. Es folgt die Beschreibung von Parasitärelemen-
ten, deren Modellierung, Quantifizierung durch Güte und Verlustwinkel, sowie deren Einfluss auf
das Frequenzverhalten.

2.1 Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente

Widerstände, Kondensatoren und Spulen sind Resultate des Zusammenspiels von Elektro-
dynamik und Materialwissenschaft. Dabei ist es die Materialwissenschaft, die noch heute
Fortschritte macht, während in der Elektrodynamik mit den vier Maxwell’schen Gleichun-
gen (fast) alles gesagt ist.

2.1.1 Die Materialien der Bauelemente

Die im letzten Kapitel beschriebenen Gesetze sagen noch nichts darüber aus, wie sich welche
Materialien elektrotechnisch nutzen lassen. Die elektrischen und magnetischen Eigenschaften
eines Stoffes werden letztlich von der Verteilung der Elektronen, genauer: der Struktur der
Orbitale der äußeren Elektronenhüllen bestimmt.

1 Atomare Bindungen bestimmen die elektrische Leitfähigkeit


Die elektrischen Eigenschaften der Materie hängen zunächst davon ab, wie frei sich La-
dungsträger in einem Stoff bewegen können, wie leicht also ein Strom fließen kann. Die
Beweglichkeit der Elektronen wird in erster Linie durch die Art der Bindung vorgegeben.
Wie in . Abb. 2.1 gezeigt, bildet bei der metallischen Bindung ein Teil der Elektronen eine
Art Gas, welches sich zwischen den positiv geladenen Atomrümpfen praktisch frei bewe-
gen kann. Sie können allerdings ohne Energiezufuhr1 von außen nicht das Metall verlassen,
und häufig kommt es zu Stößen mit den Atomrümpfen. Kovalent gebundene Stoffe werden

1
Hierfür gibt es zwei prominente Beispiele: erstens den photoelektrischen Effekt. Hiermit bezeichnet man die Tat-
sache, dass hochenergetische Photonen Elektronen aus einem Metall herausschlagen können. Für die Analyse des
46 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.1 Veranschaulichung der


chemischen Bindungstypen. Elektronen
sind bei der metallischen Bindung
fast frei beweglich, bei der kovalenten
2 Bindung ortsfest zwischen zwei oder
mehreren Ionen und bei der ionischen
Bindung von einem auf das andere
Atom übergegangen

durch Elektronenpaare zusammengehalten, die sich in zwei oder wenig mehr Atomrümpfen
zugeordneten Bahnen (Orbitalen) bewegen. Bei der ionischen Bindung werden die Elektro-
nen von einem Atom abgegeben. Danach verbleiben sie bei dem anderen Atom und machen
es zum negativ geladenen Ion. Ionische und kovalente Bindungen treten praktisch nur als
Mischform auf. Je stärker der ionische Charakter einer Bindung ist, desto weniger beweglich
sind die Elektronen. In Metallen hängt die Fähigkeit des Ladungstransportes von der Anzahl
der Elektronen und von deren Wahrscheinlichkeit ab, mit den verbleibenden Atomrümpfen
zusammenzustoßen.
Zur formalen Beschreibung der Leitfähigkeit wird ein Ausdruck gesucht, in dem die Mate-
rialeigenschaften von den jeweiligen äußeren Bedingungen getrennt werden. Der Ausgangs-
punkt ist dabei folgende Überlegung: In einem Material mit einer Dichte von Ne =V Elektro-
nen, die sich mit einer Geschwindigkeit ve bewegen, fließt durch eine Fläche A ein Strom

dQ eNe
I D D Av : (2.1)
dt V

Betrachtet man ein Stück Draht (vergleiche Aufgabe 2.43) mit der Querschnittsfläche A und
der Länge ` und folgt der Argumentation von Drude (siehe (1.13) in 7 Kap. 1), dann ist die
Elektronengeschwindigkeit proportional zum elektrischen Feld E . Daher ist sie aber auch
proportional zu Spannung zwischen den Enden:

v  E ! ve  U=` : (2.2)

Aus (2.1) und (2.2) folgt, dass der Strom proportional zu A  U=` ist. Die Proportionalitäts-
konstante heißt spezifische Leitfähigkeit, , ihr Kehrwert heißt spezifischer Widerstand, .

Der spezifische Widerstand  eines auf der Länge ` einer Spannung U ausgesetzten Körpers
mit der Querschnittsfläche A senkrecht zum Strom I ist durch

U A
D (2.3)
I `

gegeben.

photoelektrischen Effekts erhielt Albert Einstein den Nobelpreis, nicht für die Relativitätstheorie. Das zweite Beispiel
sind Glühkathoden in alten Verstärkerröhren.
2.1  Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente
47 2

In dieser Größe sind die für die Stromleitung relevanten Materialeigenschaften, die Anzahl
und Beweglichkeit der Ladungsträger, zusammengefasst und von den äußeren Geometrie- und
Anschlussfaktoren getrennt. Sie wird daher auch zur Kategorisierung der Materialien ver-
wandt:

1. Leiter, insbesondere Metalle, sind Stoffe mit einem spezifischen Widerstand in der Grö-
ßenordnung   108 m. Innerhalb solcher Stoffe sind Elektronen in großer Zahl frei
beweglich.
2. Isolatoren haben einen spezifischen Widerstand in der Größenordnung von mehr als
  1016 m. In solchen Stoffen sind kaum frei bewegliche Ladungsträger vorhanden.
In dem Bereich dazwischen sind sowohl die so genannten Halbleiter als auch die Elektrolyte
(Flüssigkeiten mit Ionen) angesiedelt. Bei einigen Materialien geht der spezifische
Widerstand bei sehr niedrigen Temperaturen gegen Null. Dieses Phänomen nennt man
Supraleitung.

1 Jedes Material hat magnetische Eigenschaften


Da Elektronen selbst ein magnetisches Dipolmoment besitzen und fast alle Atom- Molekül-
und Kristallorbitale mit einem Elektronen-Bahndrehimpuls behaftet sind, gibt es keinen ein-
zigen Stoff auf der Erde, der nicht irgendwie auf Magnetfelder reagiert.
Fast unmessbar klein ist die Wirkung magnetischer Kräfte auf die so genannten diama-
gnetischen Stoffe. In der Nähe eines starken Magneten werden diese Stoffe selbst kaum ma-
gnetisch. Paramagnetische Stoffe dagegen werden in der Nähe starker Magnete selbst zu
Magneten, verlieren diese Eigenschaft aber, sobald der Nachbarmagnet entfernt wird. Am
größten ist die Wirkung von Magneten auf Eisen, Nickel und Kobalt. Diese können mit Hilfe
eines anderen Magneten dauerhaft selbst zu Magneten werden. Sie werden ferromagnetische
Stoffe genannt.
Die magnetischen Suszeptibilitäten (siehe Gl. 1.62) variieren so stark von Material zu Ma-
terial, dass man sie in Klassen einteilt:

1. Diamagnetisch heißen Stoffe, die Magnetfelder leicht abschwächen, also mit kleinem
negativen M . Diese haben ohne äußere Einflüsse kein Dipolmoment, bekommen es
aber, solange ein äußeres Magnetfeld wirkt.
2. Paramagnetisch heißen Stoffe, die Magnetfelder leicht verstärken, also mit kleinem
positivem M . Diese Stoffe bestehen aus normalerweise statistisch verteilten kleinen
magnetischen Dipolen, die sich beim Anlegen eines äußeren Feldes ausrichten und die-
ses verstärken.
3. Ferromagnetisch heißen Materialeien, deren magnetische Suszeptibiliäten viel größer
als Eins sind. Durch solche Materialien werden Magnetfelder, verglichen mit dem Va-
kuum, um das bis zu 100.000-Fache (Nickel-Kupfer-Cobalt Legierung) verstärkt. Bei
ferromagnetischen Materialien ist der Zusammenhang zwischen dem von außen ange-
legten Magnetfeld und der Polarisation nicht mehr eindeutig. Die Polarisation hängt
nicht nur vom äußeren Feld, sondern auch vom vorherigen Polarisationsgrad ab. Dieses
Phänomen heißt Hysterese.
48 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.2 Grafische Darstellung der Hysterese eines magnetisierbaren


Materials. Die Stärke des Magnetfeldes B hängt sowohl vom Spulen-
strom I als auch von der vorherigen Magnetisierung ab. So wird die
Kurve immer in der gleichen Richtung durchlaufen
2

Wird ein ferromagnetischer Stoff umgepolt, so wird die in . Abb. 2.2 gezeigte Kurve durch-
laufen. In dieser Abbildung ist auch zu sehen, dass für große Ströme die Feldstärke B prak-
tisch nicht mehr zunimmt. Dies wird Sättigung genannt.

1 Feldlinien werden an Oberflächen gebrochen


Vom Verhalten von Feldlinien an Materialübergängen hängen viele Details elektrischer Ma-
schinen ab. Ob und wie sie an Oberflächen knicken, kann wie folgt geklärt werden. Zunächst
müssen die beiden Integralsätze, in denen 0 und "0 vorkommen, mittels der Substitutionen
(1.64) materialtauglich gemacht werden, also so:
I
Gl. (1.34) ) ."0 "r E /  dA D Q
@V
I Z (2.4)
@."0 "r E /
Gl. (1.44) ) .1 1
0 r B/  d` D I C dA :
@t
@A

Von entscheidender Bedeutung ist hier, dass die Materialgrößen "r und r jeweils innerhalb
der Integrale zu finden sind. Mathematisch bedeutet dies, dass sich die makroskopischen Fel-
der aus der Summe aller durch Polarisierung und Magnetisierung auf mikroskopischer Skala
veränderten Feldelemente zusammensetzen. Daher gilt (2.4) auch für nicht-lineare und aniso-
trope Materialien. Viel wichtiger aber ist der praktische Nutzen, denn in dieser Form ist auch
die gleichzeitige Berücksichtigung verschiedener Materialien vorgegeben. Die Integrale müs-
sen nur als Teilintegrale über die Bereiche gleicher Materialien aufgeteilt und dann addiert
werden.
Zunächst das statische elektrische Feld: Zur Bestimmung seines Brechungsgesetzes wird
ein Materialübergang in einem so kleinen Bereich betrachtet, dass das elektrische Feld homo-
gen ist. Zunächst ist festzustellen, dass in unmittelbarer Nähe der Oberfläche die zu ihr parallel
verlaufenden Felder gleich stark sein müssen. Denn ein Ladungsträger, der sich entlang der
geschlossenen Kurve auf dem durch die Punkte P1 ! P2 ! P3 ! P4 ! P1 in . Abb. 2.3
bezeichneten Weg bewegt, darf weder Energie gewinnen noch verlieren. Der Weg ist in der
Abbildung als gepunktete Linie dargestellt. Wenn nun die Punkte H P1 und P4 sehr nahe bei-
einander sind, und die Punkte P2 und P3 ebenfalls, dann ist 0 D E d`  .E x1  E x2 / x;
wobei x der Abstand der Punkte 1 und 2 ist. Also ist E x1 D E x2 . Das Verhältnis der
senkrechten Felder E y1 und E y2 ergibt sich aus dem Gauß’schen Satz für das elektrische
Feld: Man stelle sich die in . Abb. 2.4 gezeigte Anordnung als Teil eines Kondensators mit
der Fläche A vor. Dann gilt "0 "r1 E y1 A D "0 "r2 E y2 A D Q; wobei Q die unter
der Fläche A gebundene Ladung ist. Daraus folgt "r1 E y1 D "r2 E y2 : Für eine aus x- und
y-Komponenten zusammengesetzte Feldlinie folgt, dass sich beim Oberflächendurchtritt nur
2.1  Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente
49 2
y
α2
E y2 E2
E x2
P4 P3
P P2 1
E x1 E y1 α1
E1

. Abb. 2.3 Skizze zur Berechnung des Brechungswinkels elektrischer Feldlinien an Materialoberflächen (statischer
Fall); links zwei parallel zur Oberfläche verlaufende, mittig zwei senkrechte und rechts eine aus beiden Komponenten
zusammengesetzte. In diesem Beispiel hat das untere Material das größere "r . Der Knick in der Feldlinie wird durch
Abschwächung des vertikalen Feldes ey1 im Gebiet mit großem "r verursacht

y
α2
B x2 B y2 B2
P4 P3
P B x1 P2 1
B y1 α1
B1

. Abb. 2.4 Skizze zur Berechnung des Brechungswinkels magnetischer Feldlinien an Materialoberflächen (sta-
tischer Fall); links zwei parallel zur Oberfläche verlaufende, mittig zwei senkrechte und rechts eine aus beiden
Komponenten zusammengesetzte. In diesem Beispiel hat das untere Material das größere r . Der Knick in der Feldli-
nie wird durch Verstärkung des oberflächenparallelen Feldes B x1 im Gebiet mit großem r verursacht

die vertikale .y/ Komponente ändert. Mit etwas Geometrie erhält man so
tan ˛2 "2
D (elektrische Feldlinien): (2.5)
tan ˛1 "1
Die Brechungsgesetze für magnetische Feldlinien können auf komplementäre Weise be-
stimmt werden.
H Denn aus dem Ampère’schen Gesetz für die Abwesenheit eines umschlossenen Stromes
1 1
0 r Bd` D 0 folgt, dass die Oberflächen-parallelen Komponenten des magnetischen
Kraftfeldes B sich um den Faktor r1 =r2 unterscheiden, also nicht gleich, sondern im Ma-
terial mit dem größeren r größer sind.
Wendet man den Gauß’schen Satz, wie in . Abb. 2.4 gezeigt, für das Magnetfeld auf ein
dünnes Volumenenlement um die Grenzfläche herum an, so findet man, dass ein senkrechtes
B-Feld beim Durchtritt durch die Oberfläche gleich stark bleibt. So erhält man aus völlig
verschiedenen Gründen das gleich aussehende Ergebnis wie bei den elektrischen Feldern:
tan ˛2 2
D (magnetische Feldlinien): (2.6)
tan ˛1 1
Gl. (2.6) ist von großer technischer Bedeutung, denn bei starken Unterschieden der relativen
Permeabilitäten verweist sie auf eine Möglichkeit, Magnetfelder dorthin zu führen wo diese
gebraucht werden.

1 Ferromagnetische Stoffe fangen Magnetfelder ein


Interessant ist der bei Eisen .1 > 1000/ und ähnlichen Stoffen vorkommende Fall 2 =1 
0. Dann wird ˛2  0 und ˛1  90ı . Die Effekte einer großen Magnetfeldverstärkung sind in
50 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.5 Magnetfeldlinien in und an einem Material


mit großem r : Der größte Teil des Feldes folgt der
Materialform. Ein sehr kleiner Teil tritt in einem Winkel
von knapp 90ı aus
2

. Abb. 2.5 dargestellt. Über 99 % des Magnetfeldes folgen der Form des Eisens. Nur ein sehr
kleiner Teil der Feldlinien durchquert die Oberfläche. Er verlässt das Eisen in einem Winkel
von fast 90ı . Diesen Effekt kann man sich wie folgt erklären: In dem Material mit großem
r (zum Beispiel Eisen mit r;FE ) ist die Dichte der Feldlinien um den Faktor r;FE =r;Luft 
r;FE größer als im angrenzenden Medium mit kleinem r , zum Beispiel Luft mit r;Luft  1.
Wenn aber links die Dichte der Feldlinien viel größer ist als rechts, dann können nur sehr
wenige Feldlinie die Grenzschicht zwischen links und rechts durchqueren. Aus diesem Grunde
verlaufen sie, wie in . Abb. 2.5 gezeigt, fast alle parallel zu dieser Schicht. Bei Eisen in Luft
gilt dies für weit über 99 % der Feldlinien. Die wenigen Linien, welche die Grenzschicht
durchqueren, verlassen unter einem Winkel von fast 90ı das Eisen.

Ferromagnetische Materialien verstärken Magnetfelder und führen sie dadurch in sich. Ein
sehr kleiner Teil der Feldlinien durchquert die Oberfläche und verlässt das Eisen im rechten
Winkel.

! Vorsicht Missverständnis!
Im Eisen findet nicht wirklich eine Richtungsänderung der Feldlinien statt. Vielmehr ist bei der
gleichzeitigen Anwesenheit mehrerer Materialien das Magnetfeld immer das gleichzeitige Re-
sultat der primären Ursache (stromdurchflossene Spule) als auch der anwesenden Materialien.

Das Einfangen des Magnetfeldes eröffnet eine Perspektive für die Berechnung der Stärke
des magnetischen Kraftfeldes. In . Abb. 2.6 ist der Durchtritt von Feldlinien von einem Mate-
rial in ein anderes mit größerem Querschnitt zu sehen. Unmittelbar rechts von der Grenzfläche
sind die Feldlinien noch genau so über den Querschnitt verteilt wie im schmaleren Material-

. Abb. 2.6 Durchtritt magnetischer Feldlinien durch eine Material- und Geometriegrenze. Wenn beide Materialien
ein sehr viel größeres r haben als die Umgebung, so verbleiben die Feldlinien innerhalb der Körper
2.1  Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente
51 2

stück links. In diesem Bereich trägt nur der unmittelbar an das linke Material angrenzende
Teil des Querschnitts zum Fluss bei. Daher ist der Fluss unmittelbar rechts von der Grenzflä-
che genau so groß wie der im linken Materialstück. Wenn sich nun, wie in . Abb. 2.6 weiter
rechts gezeigt, die gleiche Anzahl von Feldlinien gleichmäßiger über den Querschnitt verteilt,
dann kommt an den Rändern genau so viel Fluss hinzu, wie in der Mitte verloren geht. Der
magnetische Fluss daher ist überall gleich groß. Daher lassen sich die Magnetfelder aus der
Geometrie bestimmen, wenn sie nur an einem Querschnitt bekannt sind:

˚B1 D ˚B2 D ˚B3 D : : : ;


! B 1  A1 D B 2  A2 D B 3  A 3 D : : : ;
(2.7)
A1 A3
! für B k AW B2 D B1 D B3 D ::: :
A2 A2

In dieser skalaren Form gelten die Gleichungen in dem Maße, in dem die Feldlinien senkrecht
auf den Querschnittsflächen Ai stehen.
Stellt man sich eine der Querschnittsflächen, zum Beispiel die rechte in . Abb. 2.6, in einen
oberen und in einen unteren Teil durchgeschnitten vor, so findet man ohne große Rechnung,
dass sich bei einer Verzweigung von Magnetfeldlinien der Gesamtfluss ˚B nicht ändert.
Die Berechnung der Feldstärken in den verschiedenen Abschnitten erfolgt mit Hilfe des
Ampère-Maxwell-Gesetzes (2.4). Für einen Strom I , der N -mal durch eine Schleife der Län-
ge L die die Fläche A umschließt, hindurchfließt, gilt
Z I
@."0 "r E / B
NI C dA D  d` : (2.8)
@t 0 r
L

In der Regel wird dieses Gesetz auf eine Spule angewandt. Dann ist N die Anzahl der Win-
dungen. Wird das Integral genau entlang einer geschlossenen Feldlinie der Länge L durch die
Spule hindurch berechnet, dann gilt Bd` D Bd`: Im statischen Fall ist @E=@t D 0, r kon-
stant (siehe Hysterese weiter unten), und was übrig bleibt ist das Ampère’sche Gesetz, auch
statisches Durchflutungsgesetz genannt.
In vielen Anwendungen wie Transformatoren, magnetische Leseköpfe etc. bilden die Ma-
terialien im Magnetfeld ringförmig geschlossene Körper (siehe Augabe 2.41). Für einen sol-
chen Körper, der aus Materialien mit relativen Permeabilitäten r1 ; r2 ; : : : bestehe, gilt dann
bei senkrechtem Durchtritt der Feldlinien durch die Querschnittsflächen in guter Näherung
I
B
NI D d`
0 r
L
B 1  `1 B 2  `2 (2.9)
! NI D C C :::
0 r1 0 r2
 
`1 A1 `2
! NI D B1  C  C::: :
0  r1 A2 0  r2

Dabei sind ` i die gerichteten Längen der Magnetfeldlinien im Material i und B i die dortigen
Magnetfelder. B 1 könnte zum Beispiel das Feld innerhalb der Spule eines Elektromagneten
sein, B 2 das Feld im Joch und so weiter.
Gl. (2.9) erlaubt es, entweder bei gegebenem Strom überall die Stärke des Magnetfeldes zu
bestimmen, oder umgekehrt von der an einem einzigen Punkt bekannten Feldstärke auf den
52 Kapitel 2  Passive Bauelemente

Strom durch den Elektromagneten zu schließen. Zusammen mit (2.7) reicht sie aus, um bei
einer gegebenen Geometrie alle Magnetfeldstärken auszurechnen. Fassen wir für ein Material
i die Faktoren 0 ri D i zusammen, nehmen die Gleichungen die folgende Form an:
2
Berechnung statischer Magnetfelder in Ferromagnetika
Entlang magnetischer Feldlinien gilt für alle Materialien und Querschnitte

˚B D konstant : (2.10)

An einer Verzweigung B ! B 1 C B 2 gilt entsprechend

˚B D ˚B1 C ˚B2 : (2.11)

Für jede aus Materialstücken i D 1; 2; : : :n zusammengesetzte, N -mal vom Strom I


durchflossene, geschlossene Linie ist

X
n
B i  `i
N I D : (2.12)
i
i

Dabei sind B i ; ` u und i die Feldstärken, Längen und Permeabilitäten der Materialstücke.

Der Spezialfall I D 0 bestimmt die Aufteilung von Magnetfeldstärken an Verzweigungen.

1 Analogien zu Schaltkreisen führen zu einfachen Berechnungsverfahren


Es gibt Parallelen zwischen statischen Magnetfeldern und statischen, geschlossenen Strom-
kreisen, deren Ausnutzung es erlaubt, Magnetfelder mit den Techniken der Schaltkreisberech-
nung zu bestimmen. Wenn die betrachteten Objekte in Einzelteile mit Längen si parallel zum
Magnetfeld und Querschnitten Ai senkrecht dazu zerlegt werden können, dann kann die Be-
rechnung des Magnetfeldes auf eine einfache Schaltkreisberechnung zurückgeführt werden.
Zur Begründung des Verfahrens schreiben wir die diskretisierte Form des Ampère’schen Ge-
setzes, (2.9), so um, dass anstelle der magnetischen Kraftfeldstärken Bi der magnetische Fluss
˚B steht. Denn dieser ist innerhalb von Ferromagnetika (fast) erhalten:

B 1 s1 B 2 s2
NI D C C :::
0 r1 0 r2
s1 .B1 A1 / s2 .B2 A2 /
! NI D C C ::: (2.13)
1 A1 2 A2
 
s1 s2
! NI D C C : : : ˚B
1 A1 2 A2

Die Gl. (2.13) hat starke Ähnlichkeit mit dem Ohm’schen Gesetz: links die Ursache, so etwas
wie eine Spannungsquelle. Die Terme in der großen Klammer übernehmen die Rolle in Reihe
geschalteter Widerstände, und rechts steht der magnetische Fluss, welcher ähnlich wie der
2.1  Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente
53 2
. Abb. 2.7 Zur Konstruktion von Schaltkreisen zur Be- 1,2,.. N
b
rechnung von Magnetfeldern in Ferromagnetika; oben: h
Elemente der Magnetkreise, darunter Schaltkreiselemen- B
s
te, mit deren Hilfe die Stärke der Magnetfelder berechnet
I ΦB = Bhb
werden kann

s
"U"= NI "R"= "I"= ΦB
hbμ

Strom innerhalb der Vorrichtung erhalten ist. Diese formale Ähnlichkeit mit U D .R1 C R2 C
: : :/I erlaubt die in . Abb. 2.7 gezeigten Substitutionen: Jeder vom Strom I durchflossenen
Spule mit N Windungen wird eine Spannungsquelle der „Stärke“ „U “ D NI zugeordnet,
jedem Materialstück mit der (großen) Permeabilität  ein „Widerstand“ „R“ D s=.A/ D
s=.bh/ und dem magnetischen Fluss ˚B D Bhb ein „Strom“ „I “.
Nun kann jedem aus solchen Elementen zusammengesetzten Magnetkreis ein äquivalenter
Schaltkreis zugeordnet werden. Dieser kann mit der jeweils für ihn günstigsten Berechnungs-
technik, in der Regel das Maschenstromverfahren oder die Überlagerungsmethode, berechnet
werden. Das Ergebnis kann zurückübersetzt werden: Man erhält aus dem jeweiligen Strom
für jedes Materialstück einen magnetischen Fluss ˚B , aus dem dann mittels B D ˚B =.hb/
die Stärke des magnetischen Kraftfeldes gewonnen werden kann. Das funktioniert gut bei
Gleichstrom und bei Frequenzen, die in elektrischen Maschinen auftreten, nicht jedoch im HF
Bereich.

! Vorsicht Überinterpretation!
Magnetkreissubstitutionen sind ein praktisches, auf Analogien fußendes Berechnungsverfah-
ren – mehr nicht. Die vielen in der Vergangenheit unternommenen Versuche, hieraus eine
scheinbar symmetrische Theorie von elektrischen Feldern und Magnetfeldern zu konstruieren,
scheitern ausnahmslos, wenn zeitabhängige Felder betrachtet werden.

2.1.2 Kondensatoren

Kondensatoren dienen dem kurzzeitigen Speichern von Ladung, wobei kurz von 100 ps beim
LNB eines Satellitenempfängers bis zu Minuten bei Bremsenergie-Speichern2 reichen kann.
Eine detaillierte Beschreibung der sehr großen Auswahl an Normen, Typen und Anwendungen
findet sich zum Beispiel in [1].

1 Speichern heißt trennen


Das Funktionsprinzip ist in . Abb. 2.8 dargestellt. Mit Hilfe des Gauß’schen Satzes für das
elektrische Feld lässt sich berechnen, wie viel Ladung gespeichert ist. Denn die Ladung auf

2
In der Formel 1 ist dies unter dem Kürzel KERS D Kinetic Energy Recovery Systems bekannt. Neben Akkumulatoren
werden auch Kondensatoren verwendet.
54 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.8 Prinzipskizze eines Kondensators: Zwei leitende Platten unter-


schiedlichen Potenzials werden bis auf den kleinen Abstand d aneinander
gebracht. Das Feld E bindet Ladungen
E E E
2

der oberen Platte ist in guter Näherung3


I
Q U
D E  dA  E  A D E  A D A: (2.14)
"0 d
Die Ladungen befinden sich unmittelbar an der Oberfläche der Platte, wobei die Größen-
ordnung durch den Durchmesser eines einzelnen Atoms gegeben ist. Auf der unteren Platte
befindet sich die gleiche Ladungsmenge.

Wird bei einem Kondensator (oder einer Batterie) von der gespeicherten Ladung Q
gesprochen, so bedeutet dies genau genommen immer die getrennte Ladung: auf der Anode
Q und auf der Kathode Q.

Fügt man zwischen die beiden Platten ein polarisierbares Material, ein so genanntes Dielek-
trikum, so ergibt (2.14) mit "0 ! ":
A
Q D U " : (2.15)
d
Gl. (2.15) sollte als Produkt Spannung mal Materialeigenschaft des Dielektrikums mal
Geometriefaktor gelesen werden. Alle konstruktionsspezifischen Faktoren werden in einer
Proportionalitätsgröße zusammengefasst, die Kapazität C heißt:
Definition 2.1
Die Kapazität C eines Kondensators ist das das Verhältnis C D Q=U .

Hieraus folgt sofort die immer4 gültige Formel


dU
I DC  ; (2.16)
dt
welche den Stromverlauf durch einen Kondensator an dessen Spannungsverlauf koppelt. Abb.
. Abb. 2.9 zeigt dies für harmonische Verläufe, Einschaltvorgänge und lineare Spannungsän-
derungen.
Für komplexe Ströme und Spannungen ergibt (2.16) zusammen mit u D U e j!t die Impe-
danz Z und den Blindwiderstand X :
u U 1
ZD D D D jX : (2.17)
i I j! C
Wegen 1=j D j hat ein Kondensator also einen negativen Blindwiderstand.

3
Der dominante Anteil am Oberflächenintegral ist derjenige, der zur Fläche zwischen den Platten gehört. Nach oben
hin ist das Feld schwach, zu den Seiten die Fläche klein.
4
Immer heißt hier: immer wenn Strom und Spannungspfeil parallel gezeichnet werden.
2.1  Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente
55 2
. Abb. 2.9 Strom und Spannung am Kondensa-
U I
tor. Bei harmonischen Verläufen eilt der Strom 90ı
voraus, Spannungssprünge geben Stromspitzen und
U,I I
lineare Spannungsverläufe konstante Ströme I U U I U
t

. Abb. 2.10 Zwei in Reihe geschaltete Kondensatoren, die von einer Stromquelle C2
gespeist werden I U2
C1 U1

Für einen Kondensator, wie er in . Abb. 2.8 gezeigt ist, beträgt die Kapazität also

A A
C D" D "0 "r  : (2.18)
d d
Eine große Kapazität, oder auch viel gespeicherte Ladung, heißt also: große elektrische
Suszeptibilität des Dielektrikums (also auch großes "r ) und kleiner Abstand bei großer Fläche.
Ein geladener Kondensator speichert, wie in Aufgabe 2.30 gezeigt, eine Energie von

1
W D CU 2 : (2.19)
2
Schaltet man zwei Kondensatoren mit den Kapazitäten C1 und C2 parallel, so verhalten
sich beide zusammen wie ein einziger Kondensator mit der Kapazität

C D C1 C C2 .Parallelschaltung/: (2.20)

Man kann sich zur Begründung zwei nebeneinander gestellte und parallel geschaltete Platten-
kondensatoren vorstellen, die sich nur in der Fläche unterscheiden. Nach (2.15) erhöht sich
die Gesamtladung proportional zur Fläche: A D A1 C A2 ! C D C1 C C2 .
. Abb. 2.10 zeigt zwei in Reihe geschaltete Kondensatoren. Mit Hilfe der Ladungser-
haltung lässt sich bestimmen, welcher GesamtkapazitätR C diese Reihenschaltung entspricht:
Nach einer bestimmten Zeit t sei eine Ladung Q D I dt durch die beiden Kondensatoren
geflossen. Da durch beide Kondensatoren die gleiche Ladungsmenge fließen muss, gilt nach
der Definition 2.1 der Kapazität

U1  C1 D .U2  U1 /  C2 D U2  C : (2.21)

Aus diesen beiden Gleichungen lässt sich die Zwischenspannung U1 eliminieren, und man
erhält
1 1 1
D C .Reihenschaltung/: (2.22)
C C1 C2

1 Bauform und Material bestimmen die Einsatzmöglichkeiten


Kondensatoren kommen in zwei Gruppen von Bauformen vor: gewickelt, oder gestapelt.
Beide nutzen sowohl die Vorder- als auch die Rückseiten der Elektroden. Gestapelte Konden-
satoren wie der in . Abb. 2.11 gezeigte nutzen Materialien mit sehr großen Dielektrizitäts-
konstanten. Sie kommen bei Keramiken aus Barium-, Kalzium- und Strontium-Titanat oder
auch Zirkonaten mit bis zu "r D 1000 [2] zum Einsatz.
56 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.11 Prinzipskizze eines gestapelten Kondensators. Solche Kondensa-


toren kommen bei Keramik-Dielektrika zum Einsatz

Die häufigste Bauform ist der in . Abb. 2.12 beispielhaft gezeigt gewickelte Kondensator.
Gewickelte Kunststoff-Kondensatoren setzen auf große Flächen: Sie haben als Dielektrika
0;7 : : : 3;0 m dünne Plastikfolien mit "r D 2;2 : : : 3;3. Gewickelte Aluminium-Elektrolyt-
Kondensatoren haben bis zu 200-fach vergrößerte Oberflächen, die durch elektrochemisches
Ätzen des Anoden-Aluminiums erreicht werden. Bei diesen Kondensatoren wird die Ladung
kathodenseitig nicht im Metall, sondern in der leitenden Flüssigkeit (Elektrolyt) direkt am
Rande des Dielektrikums Al2 O3 gespeichert. Dieses bedeckt die angerauhte Fläche des Alu-
miniums und hat eine relative Dielektrizitätskonstante von "r  9;5.

Elektrolytkondensatoren (ELKOs) sind unipolar, das heißt, Anode und Kathode dürfen nicht
vertauscht werden.

Die im Handel erhältlichen sogenannten bipolaren Elektrolytkondensatoren sind letztlich Rei-


henschaltungen von entgegengesetzt gepolten unipolaren Kondensatoren. Sie werden durch
die Schichtenfolge Al, Al2 O3 , Elektrolyt, Al2 O3 , Al realisiert. Mithilfe zweier unipolarer
Elektrolytkondensatoren lässt sich, wie in . Abb. 2.13 gezeigt, ebenfalls ein bipolarer Kon-
densator diskret aufbauen. Allen diesen Konstruktionen ist gemein, dass sie nicht oberhalb
von ca. 10 kHz betrieben werden sollten.

. Abb. 2.12 Gewickelter Kondensator: Diese Bauform


wird für elastische Dielektrika und Aluminium-Elektrolyt-
Kondensatoren verwandt. Die Kathode ragt unten heraus und
ermöglicht so eine optimale Kontaktierung. Für die Anode
müssen Extraelektroden oben mit eingewickelt werden
2.1  Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente
57 2
. Abb. 2.13 Konstruktion eines unipolaren Elektro- + + + +
lytkondensators. Als Verpolungsschutz werden entweder
Widerstände im 100 k Bereich (a) oder Dioden (b) benutzt.

R > 100 kΩ
a b

. Abb. 2.14 Elektrochemische Beiträge zur Kapazität an der Kathode Ca Cs


eines Doppelschichtkondensators: Überschüssige Elektronen (a) wandern
vermehrt an die Oberfläche um dort die positiven Enden der Wasserdipole
b +
(b), oder positive Ionen (c) oder von Wassermolekülen teilweise abgeschirm- a + -
-

+
-
-
ten Ionen (d) zu binden. Zwischen den Teilchen dieser Schicht und der + - + - +

Kathode entsteht so ein Kondensator Ca , dessen Kapazität sehr groß ist, weil
+
- e

-
-

-
+

+
-
+
sich die Ladungen nur im Abstand eines Atomradius’ befinden. Weiter weg + - +

von der Kathode herrscht ein ein dynamisches Gleichgewicht von positiven -
c -

-
+
+ +

-
und negativen Ionen mit einem starken Konzentartionsgefälle der positiven

+
- + + -
Ionen. Dieser Überschuss von positiven Ionen (e) nahe der Kathode und + -
f

+
+
negativen Ionen (f ) bei größeren Abständen wirkt ähnlich wie ein zweiter + - +

-
-
-
Kondensator, Cs . + - +
+ -

+
-
e

-
+

-
-
-
+ - + - +
+ - + - +

-
-

-
+
-
-

+
+

+
+
+ - d

Die verlässlichsten und teuersten Elektrolytkondensatoren haben Tantal als Anodenmate-


rial und das Oxyd Ta2 O5 mit "r  27 als Dielekrikum. Der innere Aufbau ist von Hersteller
zu Hersteller verschieden. Nur eine großflächige Kathode als äußere Begrenzung ist allen ge-
mein. Die im praktischen Einsatz wichtigste Eigenschaften der Tantalkondensatoren sind ihre
Geschwindigkeit (also eine hohe Güte selbst im oberen MHz Bereich) und ihre Anfälligkeit
gegenüber zu großen Strömen (siehe Aufgabe 2.38).
Die mit Abstand größten Kapazitaten erreichen Doppelschichtkondensatoren mit Energie-
dichten bis zu ca. W =m  30 Wh/kg. Im Handel sind diese als super capacitors oder gold
caps erhältlich. Doppelschichtkondensatoren verdanken ihren Namen der Tatsache, dass bei-
de ihrer Aktivkohle-Elektroden kapazitiv an eine gemeinsame Elektrolytflüssigkeit gekoppelt
sind. Zwischen den beiden Elektroden befindet sich ein Separator, der einen direkten Kontakt
verhindert, für den Elektrolyten jedoch durchlässig ist. . Abb. 2.14 zeigt die Situation an der
Kathode: Der negativ geladene Kohlenstoff zieht sowohl positiv geladene Ionen als auch Was-
sermoleküle an, Letztere aufgrund ihres Dipolmoments. Diese Teilchen bilden die sogenannte
Helmholtz-Schicht und fungieren als Anode eines Kondensators mit einem extrem dünnen
Dielektrikum. Dessen Dicke von weniger als einem Atomradius gibt diesem Teilkondensator
sowohl eine sehr große Kapazität als auch eine geringe Spannungsfestigkeit. Da die Ober-
flächenbindung der Ionen und Wassermoleküle aber recht schwach ist, reicht die thermische
Energie bei Raumtemperatur, um einen erheblichen Teil der Ionen wieder von der Oberfläche
zu lösen. Außerhalb der Helmholtz-Schicht entsteht so ein dynamisches Gleichgewicht von
positiven und (in der Flüssigkeit in gleicher Ladungsmenge vorhandenen) negativen Ionen
mit einem starken Konzentartionsgefälle der positiven Ionen. Dieser Überschuss von positi-
ven Ionen nahe der Kathode und negativen Ionen bei größeren Abständen wirkt ähnlich wie
ein zweiter Kondensator. Er macht die Kapazität stark von Temperatur, der Ladung und der
Elektrolytkonzentration abhängig.
58 Kapitel 2  Passive Bauelemente

Das Bild nahe der Anode ähnelt dem an der Kathode, und so kann man sich einen Doppel-
schichtkondensator als Reihenschaltung aus insgesamt vier Kondensatoren vorstellen: zwei
zwischen den Elektroden und deren Helmholtz-Schichten und zwei innerhalb des Elektroly-
2 ten. Die maximal erreichbaren Spannungen von Umax  2; 3 V sind der begrenzende Faktor
der Energiespeicherdichte.

2.1.3 Spulen

Stromdurchflossene Spulen erzeugen Magnetfelder, die Energie speichern und für eine Ver-
stetigung des Stromflusses sorgen. Spulen nutzen die magnetische und elektrische Induktion
(siehe (1.28)). Sich ändernde Ströme erzeugen sich ändernde Magnetfelder welche sich än-
dernde elektrische Felder erzeugen, die der Stromänderung entgegenwirken.

1 Die Mehrfachnutzung von Magnetfeldern heißt Spule


Der Einfluss Reiner Spule auf eine Schaltung steigt daher in dem Maße, in dem der magnetische
Fluss ˚B D A B  dA steigt. Daher werden einerseits zur Vergrößerung von A viele Flächen
übereinandergelegt (daher Windungen, Spulen), andererseits Materialien mit großem r in
diese Windungen hineingebracht, um ein möglichst starkes Magnetfeld B zu erhalten.
Da die Stärke eines Magnetfeldes proportional zur Stärke des erzeugenden Stromes ist,
muss die Änderung des magnetischen Flusses proportional zur Änderung der Stromstärke
sein. Die dazu gehörige Proportionalitätskonstante heißt Induktivität L. In ihr werden alle
stoffspezifischen und geometriespezifischen Konstanten zusammengefasst:

Definition 2.2
Die Induktivität L ist das Verhältnis der Änderung des magnetischen Flusses zur hervorru-
fenden Stromänderung: d˚dtB D L  dIdt
.

Das Induktionsgesetz (1.28) lässt sich mit Hilfe dieser Definition als
I
dI
E d` D Uind D L  .Spannungsgenerator/ (2.23)
dt
schreiben. Das Minuszeichen findet Anwendung, weil bei Generatoren Strom und Spannung
antiparallel definiert sind. (Details hierzu später in . Abb. 4.1 und . Abb. 4.3). Das heißt: Spu-
len erzeugen Spannungen, die einer schnellen Stromänderung entgegenwirken. Zum Begriff
Spannungsgenerator ein Beispiel: . Abb. 2.15 zeigt die Kombination aus einer Spule und ei-
nem Widerstand. Nehmen wir an, zum Zeitpunkt t D 0 fließe ein Strom I0 in der dargestellten
Richtung. Der Ladungstransport in der Spule sorgt dafür, dass der Pluspol in . Abb. 2.15 oben
liegt. Durch den Widerstand fließt also ein Strom I D Uind =R. Die weitere Entwicklung folgt
nun aus (2.23):
Zt ZI
dI L dI
L  DRI ! dt D  (2.24)
dt R I
0 I0

mit dem Ergebnis


R
I D I0 e  L t : (2.25)
2.1  Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente
59 2
. Abb. 2.15 Spule und Widerstand

Die Tatsache, dass die Spule einen Strom vom Minuspol zum Pluspol transportiert, zeigt, dass
die Spule in diesem Fall ein Energielieferant oder Generator ist. Mit Hilfe von (2.25) kann die
von der Spule gespeicherte Energie bestimmt werden. Es ist die, die am Widerstand freigesetzt
wird
Z1 Z1 Z1
2R
W D PR dt D R  I 2 dt D R  I02 e  L t dt : (2.26)
0 0 0

Bei der Berechnung des Integrals fällt der Widerstand R ganz heraus – eine Konsequenz
der Tatsache, dass hier unabhängig vom Verbraucher der Energieinhalt des Magnetfeldes der
Spule zum Zeitpunkt t D 0 berechnet wird:
1 2
W D LI : (2.27)
2 0

! Vorsicht Vorzeichen!
Die Betrachtung der Rückwirkung einer stromdurchflossenen Leiterschleife auf sich selbst
führt praktisch zwangsläufig zu der in . Abb. 2.15 gezeigten Wahl von Strom- und Spannungs-
richtungen. Das Minuszeichen in (2.23) gehört also zu der bei Generatoren üblichen Wahl der
Stromrichtung vom Minuspol zum Pluspol. Innerhalb einer von anderen Quellen gespeisten
Schaltung wird der Strom genau in die andere Richtung gewählt, und es gilt
dI
Ui nd D CL  (Strompfeil parallel zum Spannungspfeil) (2.28)
dt

Wie in . Abb. 2.16 zu erkennen ist, führt (2.28) dazu, dass bei Spulen der Strom einer
Wechselspannung um 90ı phasenverschoben hinterherläuft. Und plötzliche Stromänderungen
führen zu Spannungsspitzen. Weitere Beispiele sind in Aufgabe 2.25 gezeigt.
In der komplexen Wechselstromlehre kann eine ideale Spule als reiner Blindwiderstand
betrachtet werden. Ausgehend von (2.28) erhält man
d  j!t 
U e j!t D L Ie
dt
! U e j!t D j!Le j!t (2.29)

! Z D j!L D jX

Einer Spule ist also ein positiver Blindwiderstand zuzuordnen. Zwei in Reihe geschaltete Spu-
len verhalten sich wie eine einzige mit der Gesamtinduktivität

L D L1 C L2 .Reihenschaltung/ (2.30)

. Abb. 2.16 Strom und Spannung an einer Spule. Bei


U,I U I U
harmonischen Verläufen ist der Strom um 90ı verspätet, I
und Stromsprünge geben Spannungsspitzen U I t
60 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.17 Parallelschaltung zweier Spulen

Dies folgt aus (2.28), wenn man berücksichtigt, dass der Strom durch beide Spulen der gleiche
ist und sich die induzierten Spannungen addieren. Bei der in . Abb. 2.17 gezeigten Parallel-
schaltung muss an beiden Spulen die gleiche Spannung abfallen. Will man wissen, welches
L einer einzigen Spule zuzuordnen ist, die sich genau so verhält wie diese beiden zusammen,
kann man daher schreiben:

dI1 dI2 d
U D L1 D L2 D L .I1 C I2 / : (2.31)
dt dt dt

Eliminiert man mit Hilfe des mittleren Gleichheitszeichens I1 ; dann erhält man auf der rechten
Seite von (2.31) eine Gleichung, aus der auch I2 herausfällt:

1 1 1
D C .Parallelschaltung/: (2.32)
L L1 L2

Spulen kommen in verschiedenen Bauformen vor. Die Berechnung der Induktivität ist für
eine gegebene Geometrie meist sehr schwierig. Denn L muss als Doppelintegral berechnet
werden. So sind analytische Ausdrücke nur für wenige Geometrien, und für diese auch nur
in Grenzfällen, bekannt. Für eine lange Spule, wie sie in . Abb. 2.18 zu sehen ist, ergibt sich
(siehe Aufgabe 2.35)
LLange Spule D N 2A= l : (2.33)

Für die meisten einfachen Formen wie eine Ringspule mit N Windungen, Radius R und einem
Drahtradius a sind nur Approximationen bekannt [3]:
  
8R
LRing  N 2 R ln 2 : (2.34)
a

Ein wichtiger Sonderfall ist der (unendlich) lange, gerade Draht. Denn die Berechnung sei-
ner Induktivität führt zu einem divergenten Ergebnis. Ebenfalls unmöglich ist es, einem kurzen
Leitungsstückchen allein eine bestimmte Induktivität zuzuordnen. Denn die magnetische Wir-
kung hängt davon, ab, in welche Richtung der Strom weiter fließt und welche Flächen dabei
umflossen werden. In den meisten Fällen kann die Induktivität daher nur mit numerischen
Verfahren näherungsweise vorhergesagt oder experimentell bestimmt werden.

. Abb. 2.18 Eine Spule der Länge l und der Quer-


schnittsfläche A wird von einem Strom I durchflossen.
Dadurch entsteht ein Magnetfeld B
2.1  Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente
61 2

Die dynamischen Eigenschaften einer Spule werden durch das Material ihres Kerns be-
stimmt. Vergleicht man mehrere Spulen gleicher Geometrie und Drahtstärke, so ergibt sich
Folgendes:

1. Luftspulen haben die geringsten, aber sowohl von der Stromstärke als auch von der
Frequenz nur sehr schwach abhängige Induktivitäten.
2. Spulen mit Ferritkernen5 haben deutlich größere Induktivitäten. Bei großen Strömen
nimmt die Induktivität aufgrund der Sättigung des Kernmaterials (siehe . Abb. 2.2)
ab.
3. Spulen mit ferromagnetischem Kern haben sehr große Induktivitäten. Diese nehmen
aufgrund der Sättigung des Eisens (siehe 7 Abschn. 2.1.1) bei großen Strömen ab.
Durch Wirbelstromverluste nimmt die Verlustleistung bei hohen Frequenzen deutlich
zu.
Allen Spulen gemein ist die Tatsache, dass der Skin-Effekt, welcher bei hohen Frequenzen
auch mit einer Phasenverschiebung einher geht, (siehe [4, 5]) zu einer über die reine
Induktivität hinaus gehende Stromdämpfung führt. Der Skin-Effekt wird in 7 Kap. 5
genauer behandelt.

2.1.4 Widerstände

Widerstände werden benutzt um Ströme zu begrenzen oder im Zusammenspiel mit Spule


und Kondensatoren Frequenzen zu begrenzen. Dabei wird immer Wärme erzeugt, manchmal
absichtlich, meist aber nur gezwungenermaßen. Widerstände werden bei diskreten Bauteilen
als gewickelte Drähte oder als auf ein Substrat aufgebrachte dünne Schichten realisiert. Bei
Hybridschaltungen werden Bahnen aus schlecht leitendem Material eingesetzt. Innerhalb von
Halbleitern können auch Bahnen aus dotiertem Material verwandt werden.
Die große Mehrheit aller in der Elektrotechnik verwendeten Materialien, zum Beispiel alle
Metalle, hat einen mit der Temperatur zunehmenden Widerstand. Diese Materialien werden
auch Kaltleiter genannt. Die Abhängigkeit des Widerstandes dieser Materialien von der Tem-
peratur kann für die meisten Anwendungen durch eine Gerade in der Nähe von T D 293 K D
20 ı C gemäß (2.35) angenähert werden:

R.T /  R.293 K/ C a.T  293 K/ : (2.35)

Halbleiter und einige wenige andere Materialien haben einen mit der Temperatur abfal-
lenden Widerstand. Diese werden Heißleiter genannt. Aus solchen Materialien werden die so
genannten NTC-Widerstände6 hergestellt (siehe . Abb. 2.19). Das Anwendungsgebiet dieser
Widerstände reicht von der Temperaturmessung bis zum Begrenzen von Einschaltströmen. Ihr
Verhalten wird phänomenologisch in guter Näherung von der Steinhart-Hart-Gleichung (2.36)

5
Ferrite sind nicht-leitende ferromagnetische Keramiken mit einem hohen Fe2 O3 (Eisenoxyd) oder Fe3 O4 (Magnetit)-
Anteil. Ihre magnetische Suszeptibilität ist ähnlich groß wie die des Eisens, aber sie leiten nicht und haben deshalb
keine Wirbelstromverluste.
6
Negative Temperature Coefficient.
62 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.19 Widerstände mit negativem


Temperaturkoeffizienten (NTCs): Sie kommen
entsprechend den verschiedenen Einsatzgebieten
in einer Vielzahl von Bauformen vor
2

beschrieben:
1
D a C b  ln.R/ C c  .ln.R//3 : (2.36)
T

Dabei ist T die absolute Temperatur, R der Widerstand sowie a; b und c experimentell zu
bestimmende Parameter. Für besondere Anwendungen gibt es auch noch so genannte PTCs.
Das sind Widerstände mit bei Temperaturerhöhung stark ansteigendem Widerstand.
In der Beschreibung von Widerständen hat sich die Verwendung der Größe Schichtwider-
stand als sehr nützlich erwiesen.

Definition 2.3
Der Schichtwiderstand ist der durch die Dicke der Schicht geteilte spezifische Widerstand
des Materials, aus dem die Schicht besteht.

. Abb. 2.20 zeigt den Sinn dieser Größe. Man stelle sich ein quadratisches Plättchen der Brei-
te b und der Höhe h vor, durch welches ein Strom I fließt. Der Widerstand des Plättchens ist
Länge b 
RSchicht D   D D : (2.37)
Querschnitt hb h

Gl. (2.37) beinhaltet, dass der Widerstand eines Quadrates einer dünnen Schicht immer gleich
ist, unabhängig davon, welche Seitenlänge es hat. Er ist damit eine charakteristische Eigen-
schaft einer Schicht und wird daher als Schichtwiderstand RSchicht bezeichnet. Für eine Bahn
der Länge ` und Breite b in dieser Schicht ist der Widerstand dann

R D RSchicht  `=b : (2.38)

. Abb. 2.20 Zur Definition des Schichtwiderstandes: Der Widerstand, den der I
Strom I überwinden muss, hängt nicht von der Seitenlänge b des Quadrates ab
b

b
2.1  Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente
63 2

2.1.5 Impedanzen und Parasitärelemente

Im Idealfall haben die passiven Bauelemente sehr einfach zu beschreibende Impedanzen.

ZR D R .Widerstand/
Z C D 1=.j! C / D jXC .Kondensator/ (2.39)
ZL D j!L D jXL .Spule/:

Jedoch lehrt die praktische Erfahrung: Wer ein Bauteil in die Hand nimmt, der hat gleich
mehrere in der Hand. Denn jedes Stück Draht hat einen Widerstand, jede Leitungsbahn eine
Induktivität, und zwischen zwei Leitern gibt es immer eine Kapazität. All diejenigen Bauteile,
die (bildlich gesprochen) ohne Bestellung dabei sind, nennt man Parasitärelemente. Für eine
gegebene Anwendung müssen aber solche Bauteile gefunden werden, bei denen Parasitärele-
mente eine untergeordnete Rolle spielen und so die eigentliche Funktion im Vordergrund steht.
Phänomenologisch werden zu diesem Zwecke die Größen Güte Q, der Verlustfaktor D und
der Verlustwinkel ıZ eingeführt. Denn sie sind ein Maß dafür, wie nahe die Bauteilefunktion
an ihr Ideal heranreicht. Naturgemäß sind all diese Größen stark frequenzabhängig.

1 Ein Wort sagt alles: Güte


Die Güte Q (wie quality) eines Bauelements gibt an, wie sehr sich dessen Verhalten dem Ide-
alfall ähnelt. Sie ist experimentell über den Winkel zwischen Spannung und Strom definiert:

Definition 2.4
Die Güte Q eines Bauteils, welches von einer harmonischen Strom- oder Spannungsquelle
gespeist wird, ist
Q D j tan.U  I /j; (2.40)

wobei U  I der Abstand der Nulldurchgänge von Strom und Spannung ist.

Für ideale Spulen und Kondensatoren strebt also Q ! 1. Es lässt sich zeigen (siehe (5.14)
und dort folgender Text), dass Q gerade der Faktor zwischen der Blindleistung und der Wirk-
leistung ist.

Die Güte eines Bauteils ist das Verhältnis seiner Blindleistung zu seiner Verlustleistung.

Anstelle der Güte werden manchmal der Verlustfaktor D und der Verlustwinkel ı angegeben:
1
D tan ı D D : (2.41)
Q

Die Gl. (2.40) und (2.41) sind, wie in . Abb. 2.21 gezeigt, die Brücke zwischen Messtechnik
und Bauteilebeschreibung. Denn aus ihnen folgt, dass mit der Messung des Phasenwinkels
zwischen Strom und Spannung die Abweichungen vom Idealbauteil zu quantifizieren sind.
Der Verlustwinkel steht ferner in engem Zusammenhang mit der Phasendifferenz zwischen
Strom und Spannung: jıj C jj D 90ı .
64 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.21 Die Bedeutung des Verlustwinkels: Am Verlustwin-


kel ız lässt sich festmachen, ob ein Bauteil geeignet ist

. Abb. 2.22 Zwei austauschbare Modelle für einen nicht idealen Konden-
sator

Ein Bauteil, von dem das Strom-Spannungsverhältnis und die Phasenverschiebung bekannt
sind, lässt sich immer, so wie in . Abb. 2.22 gezeigt, entweder als Reihen- oder als Parallel-
schaltung eines Blindwiderstandes und eines Ohm’schen Widerstandes darstellen. Dies zeigt
die folgende Überlegung:
Stellt man sich den realen Kondensator als Parallelschaltung eines idealen Kondensa-
tors mit der Kapazität CP und einem Widerstand RP vor, dann fließt ein Strom i.t / D
UO C ŒCP ! cos.!t / C .1=RP / sin.!t /. Die Nulldurchgänge des Stromes sind zu Zeiten

1
t0 D  arctan.RP CP !/ : (2.42)
!

Das Argument des Arcustangens ist aber das Verhältnis der Impedanzen, daher hier auch
das Verhältnis von Blind- zu Wirkleistung und so gerade die Güte des Bauteils. Nennen wir
 D !t0 den Phasenwinkel zwischen Strom und Spannung, dann ist also

1
 tan./ D  tan.!t0 / D RP CP ! D Q D .Parallelmodell/: (2.43)
D

Stellt man sich den realen Kondensator als Serienschaltung eines Widerstandes RR und eines
idealen Kondensators CR vor, so ergibt eine ähnliche Rechnung oder alternativ die in . Abb.
2.23 zu sehende Zeichnung.

1 1
 tan./ D  tan.!t0 / D DQD .Reihenmodell/ : (2.44)
RR CR ! D

Da die Tangensfunktion beliebig große Werte annehmen kann, kann man sich also, messtech-
nisch völlig äquivalent, den realen Kondensator als Parallelschaltung mit einem sehr großen
oder als Reihenschaltung mit einem sehr kleinen Widerstand vorstellen.
2.1  Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente
65 2
. Abb. 2.23 Zusammenhang zwischen der Phasenverschiebung , dem Verlust-
winkel ı und den Impedanzanteilen, dargestellt in der komplexen Ebene für das
Reihenmodell

! Vorsicht Fehlerquelle!
In der Literatur findet man die beiden Ausdrücke Q D R=X und Q D X=R etwa gleich häufig.
Wann welche Formel stimmt, hängt von der Modellannahme ab: Q D RR =XR stimmt für das
Reihenmodell, Q D XP =RP für das Parallelmodell. Die Aussage Die Güte ist groß stimmt
unabhängig von der Modellannahme immer dann, wenn der Ohm’sche Anteil keine große Rolle
spielt.

Anwendungsbeispiel: Bestimmung der Güte eines Bauteils

Die Güte eines Bauteils lässt sich aus dem zeitlichen Versatz zwischen dem Strom- und Span-
nungsverlauf bestimmen. Dazu dient die in . Abb. 2.24 für einen nicht idealen Kondensator
gezeigte Anordnung. Der Kondensator wird in Reihe zu einem Shunt genannten Ohm’schen
Widerstand RS geschaltet und durch eine Versorgungsspannung uQ D UO Q sin.!t/ versorgt.
Mittels eines Oszilloskops wird die Spannung uS .t/ am Shunt und die am Kondensator
anliegende Spannung uC .t/ D uQ .t/  uS .t/ verglichen. Die Spannung am Shunt liefert
zusammen mit dem Innenwiderstand Ri des Oszilloskops den Strom iC durch den Konden-
sator:
iC .t/ D uS .t/=.RS C Ri / : (2.45)

Stellt man man nun iC .t/ und uC .t/ auf einem Bildschirm dar, so lässt sich die Zeit-
verzögerung zwischen Strom und Spannung ablesen. Damit ist die Güte bestimmt: Q D
j tan.U  I /j.

Für einen idealen Kondensator .Rp ! 1/ müsste der Strom der Spannung um eine Viertelpe-
riode vorauseilen. Je dominanter der Einfluss des Widerstandes, desto kleiner der Zeitversatz
zwischen Strom und Spannung.

. Abb. 2.24 Messung des Verlustwinkels mittels Zweikanaloszil-


loskops und Shunt-Widerstands. Die beiden Kanäle messen uQ .t/
und uS .t/
66 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.25 Ersatzschaltbild eines realen Kondensators. .RR / und .LR /


werden auch als ESR und ESL bezeichnet

1 Bei hohen Frequenzen werden Spulen zu Kondensatoren und umgekehrt


Auf der Entwurfsseite ist es nötig, Modelle für den Einfluss der Parasitärelemente zu ent-
wickeln, die den Frequenzverlauf der Impedanz und der Güte vorhersagen. Hierzu werden
Ersatzschaltbilder entworfen und durchgerechnet. Diese Modelle sollten aber nicht überbe-
wertet werden. Sie dienen in erster Linie dazu festzustellen, wo die Abweichungen von der
Idealfunktion zu groß werden. Und zu diesem Zwecke reicht eine recht grobe Näherung.
Das tatsächliche Verhalten eines Kondensators beinhaltet, wie in . Abb. 2.25 gezeigt, seine
gewünschte Funktion .C /, die Widerstände der Leitungen, Elektroden und Lötstellen .RR /,
deren Induktivitäten .LR / sowie einen endlichen Leitwert .1=RP / des Dielektrikums7 . Die
Impedanz eines realen Kondensators ist daher in guter Näherung

Z D RR C ZL C .Z C k RP / : (2.46)

Der Parallelwiderstand spielt nur bei Anwendungen zur Spannungspufferung eine Rolle. In
allen anderen Fällen gilt
 
1
Z  RR C ZL C Z C D RR C j !L  : (2.47)
!C

Bei der Verwendung von Kondensatoren sind also immer drei Bereiche zu unterscheiden:
1. bei kleinen Frequenzen normale Kondensatorfunktion,
2. bei Näherung an !RC D 1 Zunahme der Ohm’schen Verluste,
3. oberhalb der Reihenresonanz ! 2 LC D 1 Dominanz der Induktivität. Man spricht bei
dieser Frequenz auch von der Eigenresonanz des Kondensators.

Der Frequenzbereich der Anwendung bestimmt also, welcher Kondensator zu wählen ist. Die
folgende Gl. (2.48) zeigt, dass der Phasenwinkel der Gesamtimpedanz ein Maß dafür ist,
welche Rolle der Reihenwiderstand spielt:
 
! 2 LC  1
Z D arctan : (2.48)
RR ! C

Denn wenn dieser Widerstand verschwindet, kann der Winkel zwischen Strom und Spannung
nur noch ˚Z D 90ı unterhalb der Eigenresonanz und C90ı darüber betragen. Als Maß
für den Einfluss der Parasitärelemente wird der Verlustwinkel ıZ oder der Verlustfaktor D
angegeben:
   
1  ! 2 LC RR ! C
ıZ D arccotan D arctan D arctan.D/ D arccotan.Q/ :
RR ! C 1  ! 2 LC
(2.49)

7
Nach den Englischen Begriffen equivalent series resistace und equivalent series inductance werden die Reihen-
Parasitärelemente auch als ESR und ESL bezeichnet.
2.1  Funktionsweise und Eigenschaften passiver Bauelemente
67 2
. Abb. 2.26 Ersatzschaltbild einer realen Spule: der Parallelwiderstand RP ist
nur bei Spulen mit Wirbelstromverlusten relevant. Bei hohen Frequenzen nimmt der
Reihenwiderstand RR wegen des skin effect zu

An dieser Gleichung ist bei genauerem Hinsehen die generelle Regel8 bestätigt: Die Güte Q
ist immer dann groß, wenn parasitäre Widerstände keine große Rolle spielen.
Bei realen Spulen sind je nach Material und Frequenz der Verwendung unterschiedliche
Effekte zu berücksichtigen. . Abb. 2.26 zeigt ein häufig verwendetes Ersatzschaltbild. Der
Parallelwiderstand RP muss nur berücksichtigt werden, wenn ein ferromagnetischer Kern zu
Wirbelstromverlusten führt. Bei ferromagnetischen Kernen nimmt bei großen Strömen die In-
duktivität ab: Wenn dem steigenden Strom I aufgrund der Sättigung ein nicht mehr steigendes
(d. h. fast konstantes) Magnetfeld gegenüber steht, dann nimmt die Induktivität wie L  1=I
ab. Der Reihenwiderstand RR ist wegen des skin effect (siehe . Abb. 5.7 und Erklärung dazu)
bei hohen Frequenzen und kleinen Drahtdurchmessern als frequenzabhängig anzunehmen:
p
RR  !. Wie in . Abb. 2.26 gezeigt, werden die Parasitärkapazitäten zu einer einzigen
Parallelkapazität C zusammengefasst. Dies ist nur eine in der Praxis gängige Näherung. In
Wirklichkeit sind die Parasitärkapazitäten kontinuierlich entlang der Spulen-Windungen ver-
teilt.
Zum Verständnis des prinzipiellen Impedanzverlaufs ist das in . Abb. 2.26 gezeigte
Schaltbild ausreichend. Man erhält
 
ZL j!LRP
Z D RR C RP k D RR C : (2.50)
1  ! 2 LC RP .1  ! 2 LC / C j!L

Bei der Verwendung von Spulen sind nach (2.50) im Allgemeinen vier Bereiche zu unter-
scheiden:
1. bei ! D 0 ist Z D RR , also Ohm’sches Verhalten,
2. bei kleinen Frequenzen .RR  !L  RP / normale Spulenfunktion,
3. bei Näherung an ! D L=RP Zunahme der Ohm’schen Verluste,
4. oberhalb der Parallelresonanz ! 2 LC D 1 Dominanz der Parasitärkapazitäten.

In Aufgabe 2.36 wird eine reale Spule inklusive skin effect (siehe auch . Abb. 5.7) durchge-
rechnet. Auch für Spulen kann, unabhängig vom gewählten Ersatzschaltbild, eine Güte Q, ein
Verlustfaktor D D 1=Q und ein Verlustwinkel ıZ angegeben werden. Für das in . Abb. 2.26
gezeigte Ersatzschaltbild ergibt sich zum Beispiel eine Güte

!LRP2 .1  ! 2 LC /
QD : (2.51)
.RR C RP /! 2 L2 C RR RP2 .1  ! 2 LC /2

Im doppelten Grenzfall C ! 0 und RP ! 1 ergibt sich die Standardformel für gute Spulen
bei niedrigen Frequenzen: Q  !L=RR .

8
Diese Regel ist auf sehr viele verschiedene Situationen, zum Beispiel Reihen- und Parallelschwingkreise anwendbar.
Sie beinhaltet, dass große Güte mit großen Parallelwiderständen und kleinen Reihenwiderständen einhergeht. Man
frage also nicht, ob ein Widerstand groß oder klein, sondern ob er wichtig oder unwichtig sei.
68 Kapitel 2  Passive Bauelemente

Bei sehr hohen Frequenzen muss auch der proximity effect und die elektromagnetische
Abstrahlung bei der Modellierung von Spulen berücksichtigt werden. Die Beschreibung dieser
Effekte findet sich in der Fachliteratur zur Hochfrequenztechnik.
2 Die Ersatzschaltbilder von Widerständen hängen stark von der Bauart ab. Besteht ein Wi-
derstand aus einem gewickelten Draht, dann ist das in . Abb. 2.26 gezeigte Ersatzschaltbild
einer Spule angemessen. Besteht er als diskretes Bauteil aus einer dünnen, auf einen Träger
aufgebrachten Schicht, dann sind die Parasitärelemente so klein, dass sie praktisch in allen
Fällen zu vernachlässigen sind. Widerstände in Hybridschaltungen oder in integrierten Halb-
leiterschaltungen haben dagegen immer parasitäre Kapazitäten zu den darunter oder zu den
darüber liegenden Schichten. Ihr Verhalten hängt also von dem der benachbarten Bauelemen-
te ab.

2.2 Fragen und Aufgaben zu den passiven Bauelementen

2.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen

2.1 Welchen chemischen Bindungstyp haben Materialien mit der schlechtesten Leitfähigkeit?
a) Ionische Bindung,
b) kovalente Bindung, oder
c) metallische Bindung?

2.2 Welche Materialien verringern die Stärke von sie durchdringenden Magnetfeldern?
a) Diamagnetische Materialien,
b) paramagnetische Materialien, oder
c) ferromagnetische Materialien?

2.3 Woran erkennt man, dass der magnetische Kern einer Spule gesättigt ist?
a) Die Spule wird warm.
b) Das lässt sich ohne Aufschneiden der Spule nicht herausbekommen.
c) Die Induktivität sinkt mit steigender Stromstärke.

2.4 Wann gelten die Ihnen bekannten Brechungsgesetze für elektrische und magnetische Fel-
der?
a) Sie gelten immer.
b) Sie gelten nur, wenn keine Ströme fließen.
c) Sie gelten nur im statischen Falle.

2.5 Welche Eigenschaften sollte ein Kondensator-Dielektrikum haben?


a) Es sollte eine sehr kleine relative Dielektrizitätskonstante haben.
b) Es sollte den Strom gut leiten.
c) Es sollte eine sehr gleichmäßige Dicke haben.

2.6 Wie ändert sich der Energieinhalt des Magnetfeldes einer Spule, wenn der sie durchflie-
ßende Strom verdoppelt wird?
a) Er wächst um den Faktor 1,414213...
b) Er wird ebenfalls verdoppelt.
c) Er wächst um den Faktor 4.
2.2  Fragen und Aufgaben zu den passiven Bauelementen
69 2

2.7 Welchen Nachteil haben gewickelte Kondensatoren?


a) Sie haben eine große parasitäre Induktivität.
b) Sie sind sehr teuer.
c) Sie haben einen großen Widerstand.

2.8 Wann empfiehlt sich die Verwendung von Elektrolytkondensatoren?


a) Wenn sehr hohe Frequenzen abgeblockt werden sollen.
b) Wenn für wenig Geld eine große Kapazität benötigt wird.
c) Wenn die parasitären Widerstände sehr klein sein sollen.

2.9 Ein Plattenkondensator mit einem Stück Papier als Dielektrikum sei auf eine Spannung
von 10 V vorgeladen. Anode und Elektrode werden danach elektrisch getrennt. Was passiert,
wenn das Papier herausgezogen wird?
a) Die Spannung bricht zusammen, da ein Kurzschluss entsteht.
b) Wegen der Energieerhaltung passiert gar nichts.
c) Die Spannung steigt auf über 10 V an.

2.10 „Eine Spule mit einem Ferritkern ist besser für hohe Frequenzen geeignet als eine mit
einem Eisenkern.“ Stimmt das?

2.11 „Wer den Verlustwinkel misst, kennt die Güte eines Bauteils.“ Stimmt das?

2.12 „Bei extrem hohen Frequenzen verhalten sich Spulen und Kondensatoren ähnlich wie
Widerstände.“ Stimmt das?

2.13 „Die Güte eines Doppelschichtkondensators nimmt bereits bei Frequenzen knapp ober-
halb von f D 10 Hz deutlich ab.“ Stimmt das?

2.14 „Magnetische Feldlinien treten immer im Winkel von ca. 90ı aus einem Eisenkern her-
aus.“ Stimmt das?

2.15 „Der Widerstandswert eines Metallschichtwiderstandes steigt mit der Temperatur an.“
Stimmt das?

2.16 Wann lassen sich Magnetfelder mit Hilfe der sogenannten Magnetkreise berechnen?

2.17 Was hat die Güte eines Bauelements mit dessen parasitärem Widerstand zu tun?

2.18 Bitte nennen Sie eine praktische Anwendung des Brechungsgesetzes für magnetische
Feldlinien!

2.19 Wo befindet sich das Dielektrikum eines Aluminium-Elektrolytkondensators mit flüssi-


gem Elektrolyten?

2.20 Was verstehen Sie unter dem Begriff Schichtwiderstand ?


70 Kapitel 2  Passive Bauelemente

2.2.2 Klausuraufgaben

2.21 Zwei Kondensatoren mit C1 D 2;5 nF und C2 D 10 nF werden in Reihe geschaltet.


2 Welche Kapazität haben die beiden zusammen?

2.22 Finden Sie einen einfachen Ausdruck ohne das k-Zeichen für 1=.a k b/.

2.23 Zwei Kondensatoren mit C1 D 2;75 nF und C2 D 1;25 nF werden parallel geschaltet.
Welche Kapazität haben die beiden zusammen?

2.24 Zwei Tantal-ELKOs mit einer Kapazität von C1 D C2 D 30 ˙ 3 F sollen zur Verbes-
serung der Spannungsfestigkeit der Gesamtanordnung in Reihe geschaltet werden. Wie kann
das funktionieren?

2.25 In . Abb. 2.27 sehen Sie den zeitlichen Verlauf eines Magnetfeldes durch eine Drahtsch-
eife. Sowohl die Feldstärke B als auch die induzierte Spannung sind in beliebigen Einheiten
angegeben. In diesen Einheiten sei der Wert der Spannung U.t D 0 ms/ D U0 D 2. Bitte
skizzieren Sie den Verlauf der Spannung über den gesamten Zeitbereich.

2.26 In . Abb. 2.28 ist die gemessene Induktivität zweier Spulen als Funktion des hindurch-
fließenden Wechselstromes gezeigt. Um welchen Typ von Spulen handelt es sich? Welche
Effekte sorgen für die Abnahme der Induktivität? Wie könnte der Induktivitätsverlauf abge-
flacht werden?

. Abb. 2.27 Zur Aufgabe


2.25: Zeitlicher Verlauf
des Magnetfelds B durch
eine Spule. Zum Zeitpunkt
t D 1 ms ist die Spannung
der Spule bekannt: U0 D 2

. Abb. 2.28 Zur Aufgabe 2.26: Gemessene


Induktivitäten L einer 12 mH Spule und einer
5;5 mH Spule als Funktion des Wechselstro-
mes I
2.2  Fragen und Aufgaben zu den passiven Bauelementen
71 2
. Abb. 2.29 Zur Aufgabe 2.30: Ultracap Kondensator. Solche Kondensatoren haben heute
Kapazitäten im Kilofarad Bereich (Foto: EPCOS AG)

2.27 Ein Kette mit elektrischen Tannenbaumkerzen wird oft als Reihenschaltung der Einzel-
kerzen realisiert. Wie kann verhindert werden, dass der Ausfall einer einzigen Kerze zum
Ausfall der gesamten Kette führt?

2.28 An einer 230 V Netz-Steckdose wird zur Entstörung ein C D 1 F Keramikkondensa-


tor mit einem Verlustfaktor D D tan ı D 0;02 eingesetzt. Wie groß ist die Verlustleistung
des Kondensators? Welche Energie verbraucht der Kondensator im Laufe eines Jahres? Um
welchen Faktor ginge diese zurück, wenn der Keramikkondensator durch einen Folienkon-
densator mit tan ı D 104 ersetzt werden würde?

2.29 Ein auf 1 Volt aufgeladener Plattenkondensator hat zwischen den Elektroden ein 0;1 mm
dickes Blatt Papier mit einer elektrischen Suszeptibilität von E D 1;5 eingeklemmt. Der
Kondensator wird von allen elektrischen Verbindungen getrennt. Was passiert, wenn dann das
Papier herausgezogen wird?

2.30 Der in . Abb. 2.29 gezeigte Kondensator vom Typ UltraCap ist bis zu 2;5 V spannungs-
fest und hat eine Kapazität von 5 kF. Bitte leiten Sie aus der Definition 2.1 für die Kapazität
einen Ausdruck für den maximalen Energieinhalt her.

2.31 Ein Kunststoff-Kondensator soll mit dem einzigen übergeordneten Ziel entwickelt wer-
den, eine möglichst hohe Energiedichte zu erreichen. Welche Strategie verfolgen Sie: maxima-
le Flächenkapazität oder maximale Spannungsfestigkeit? Bitte begründen Sie Ihre Strategie!
Wäre bei Elektrolyt-Kondensatoren die gleiche Vorgehensweise richtig?

2.32 Ein Kondensator wurde zum Schutz gegen kurzzeitige Energieeinbrüche parallel zur
Spannungsversorgung geschaltet. Er hat den in . Abb. 2.30 gezeigten Frequenzverlauf des
Verlustwinkels (siehe 7 Abschn. 2.1.5). Welchen Ohm’schen Längswiderstand muss man die-
sem Kondensator bei f D 1 Hz und bei f D 100 Hz zuordnen? Kurz nach Inbetriebnahme
brennt der Kondensator ab. Welcher Kondensator-Typ könnte das sein? Worin könnte der
Grund für das Abbrennen liegen?

2.33 Bitte skizzieren Sie den Impedanzverlauf eines realen Folienkondensators mit einer Ka-
pazität von 100 nF.
72 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.30 Zur Aufgabe 2.32: Fre-


quenzverlauf des Verlustwinkels eines
handelsüblichen 50 F Kondensators

. Abb. 2.31 Zur Aufgabe 2.36: Ersatzschaltbild einer realen Spule [6]. Der
Widerstand des Wickeldrahtes RL .!/ steigt durch den Skin-Effekt mit der
Frequenz an

2.34 Die relative magnetische Permeabilitiät r eines Stoffes kann man bestimmen, indem
man einen Ring mit der Materialdicke r aus ihm formt und mit einem Draht umwickelt. Bitte
beschreiben Sie: Wie lässt sich aus dem Impedanzverlauf r bestimmen?

2.35 Bestimmen Sie die Induktivität einer langen Spule der Länge l, Windungszahl N und
Radius r mit r  l.

2.36 . Abb. 2.31 zeigt das vom Hersteller angegebene Ersatzschaltbild einer realen Spule
(vergleiche [6] S. 452). Die Zahlenwerte sind RS D 1 m; RC D 6 ; C D 68 fF; L D
1 nH. Der Widerstand
p des Spulendrahtes, RL .!/ ist wegen des skin effect frequenzabhängig:
p
RL D 3;4 = Hz  !=2
.
Bis zu welcher Frequenz ist die Spule einsetzbar?

2.37 In einer gedruckten Schaltung wird ein R D 100  Widerstand durch eine ` D 1 cm lan-
ge, b D 2 mm breite und d D 0;2 mm dicke Schicht realisiert. Wie groß sind der spezifische
Widerstand  und der Schichtwiderstand ?

2.38 Zur Stabilisierung einer Leitung wird neben einen C D 1 F Aluminium Elektro-
lytkondensator noch ein zweiter, C D 1 nF Tantal-Kondensator gelötet. Dient der zweite
Kondensator der Kapazitätserhöhung?

2.39 . Abb. 2.32 zeigt eine Eisenkonstruktion in Form von drei verbundenen Quadraten der
jeweiligen Seitenlänge s mit drei Kupferwicklungen. Die N1 Windungen im linken Quadrat
wird von einem Strom I1 durchflossen, die zweite Wicklung ist nicht angeschlossen. Die
N3 vom Strom I3 durchflossenen Windungen haben die gleiche Orientierung wie die linke
Wicklung. Die gesamte Konstruktion ist aus Rohlingen mit dem Querschnitt A D .s=8/2
gefertigt.
Bitte zeichnen Sie das Schaltbild des Ersatzkreises und berechnen Sie den magnetischen
Fluss ˚B1 durch die linke Wicklung als Funktion von I1 , N1 , s und  für den Fall, dass I3 D 0
ist.
2.2  Fragen und Aufgaben zu den passiven Bauelementen
73 2
. Abb. 2.32 Zur Aufgabe 2.39: Eisenkonstruktion aus drei verbunde-
nen Quadraten und Kupferwicklungen mit N1 , N2 und N3 Windungen.
Die Quadrate haben die gleiche Seitenlänge s

Welcher Strom I3 müsste durch die rechte Wicklung fließen, damit in die mittlere Wicklung
keine Spannung induziert wird, falls I1 ein Wechselstrom ist?

2.40 Ein Kondensator hat als Dielektrikum eine 0;8 m dünne Schicht aus Polyethylentere-
phthalat9 (PET) mit "r D 3;3. Er wird aus 15 mm breiten Metallbahnen für die Kathode und
12 mm breiten Metallbahnen für die Anode gewickelt. Wie lang müssten die Aluminiumbän-
der sein, um eine Kapazität von 1 F zu ergeben?

2.41 . Abb. 2.33 zeigt eine Konstruktion aus ferromagnetischen Materialien. Durch eine Spule
wird mit einem durch N D 50 Windungen fließenden, konstanten Strom von I D 1A ein
Magnetfeld erzeugt. Der Bereich 1 hat eine Querschnittsfläche von A1 D 4 cm2 und r1 D
250. Der Bereich 2 hat, wie auch die Bereiche 2, 3, 5, 7 und 8 eine Querschnittsfläche von
A2 D 2 cm2 und r2 D 1000. Die Bereiche 4 und 6 haben die gleichen Querschnittsflächen
A4 D A6 D A2 , aber r4 D r6 D 1. Bitte bestimmen Sie die Stärke des magnetischen
Kraftfeldes jBj in den einzelnen Abschnitten.

2.42 Ein so genannter Mischkondensator besteht aus Aluminium-Elektroden, zwischen de-


nen zwei Lagen Dielektrika platziert sind: 10 m Polypropylen mit "r D 2;25 und 20 m
Papier mit "r D 3. Welche Dielektrizitätskonstante muss man ansetzen, um zusammen mit
der Kondensatorfläche und dem 30 m Abstand den korrekten Kapazitätswert zu erhalten?

2.43 Durch eine 110 kV Gleichstrom-Überlandleitung, deren leitender Teil aus Aluminium
mit einem Querschnitt von 300 mm2 besteht, fließt ein Strom von I D 200 A. Das Mol-

. Abb. 2.33 Zur Aufgabe 2.41: Ein ge-


schlossener Körper aus verschiedenen
Materialien, angeregt durch eine Stromschleife
als Beispiel für eine Magnetfeldberechnung

9
Wenn Ihre Bierflasche nicht aus Glas ist, dann ist sie aus PET.
74 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.34 Zur Aufgabe 2.44: Erdleiter in Form einer Halbkugel: Die ebene Oberfläche
schließt an die des Erdreiches an, so dass nur der gewölbte Teil der Oberfläche Kontakt zum
Boden hat

volumen von Aluminium beträgt 1  105 m3 =mol. Wie groß ist die Geschwindigkeit der
Elektronen? Wie viele Elektronen passieren pro Zeiteinheit den Leitungsquerschnitt?

2.44 Die Erdung einer Maschine soll mit Hilfe der in . Abb. 2.34 gezeigten Edelstahl-
Elektrode in Form einer Halbkugel erfolgen. Die Elektrode hat einen Radius von r D 5 cm.
Das Erdreich hat einen spezifischen Widerstand von   200 m. Wie groß ist der Wi-
derstand der Erdung (gegen ein hypothetisches, unendlich weit entferntes Nullpotenzial)?
Welche Schrittspannung muss ein Mensch aushalten, der mit einem Fuß auf der Elektrode
steht und mit dem anderen d D 30 cm vom Rand des Erdleiters, während ein Strom von
I D 200 A durch den Erdleiter fließt?

2.3 Antworten zu 7 Kap. 2

2.1 Antwort a) ist richtig. Bei der ionischen Bindung sind die Bindungselektronen besonders
fest an die Atome gebunden.

2.2 Antwort a) ist richtig. Paramagnetische Materialien verstärken Magnetfelder wenig, fer-
romagnetische Materialien verursachen eine große Feldverstärkung.

2.3 Antwort c) ist richtig. Eine Spule mit ferromagnetischem Kern erzeugt im Wechsel-
stromnetz auch außerhalb der Sättigung Wärme. Da im Zustand der Sättigung die Stärke
des magnetischen Kraftfeldes B aber nicht mehr so stark mit dem Strom ansteigt, wird die
Induktivität bei großer Stromstärke geringer. Aus diesem Grunde haben Spulen für große
Stromstärken auch eine beachtliche Baugröße. In Hochleistungstransformatoren wird die Sät-
tigung zur Gefahr: Schon kleine Stromänderungen können dann zu Überspannungen führen.

2.4 Antwort c) ist richtig. Die Brechungsgesetze folgen genau dann aus den Maxwell’schen
Gleichungen in Materie, wenn alle zeitlichen Ableitungen gleich null gesetzt werden.

2.5 Antwort c) ist richtig. Gute Dielektrika haben eine große relative Dielektrizitätskonstante
und eine hohe Durchbruchspannung. Die sehr gleichmäßige Dicke ist nötig, damit die Durch-
bruchspannung überall gleich groß ist.

2.6 Antwort c) ist richtig. Die Energie steigt mit dem Quadrat der Feldstärke an: W D L I 2 =2.

2.7 Antwort a) ist richtig. Solche Kondensatoren sind günstig zu produzieren. Ihre Ohm’schen
Widerstandsanteile hängen von den verwendeten Materialien ab. Entlang der Anschlüsse be-
trachtet zeigt sich jedoch schon ihre Spulenähnlichkeit. Die Wicklung geht mit einer großen
Induktivität einher.
2.3  Antworten zu Kap. 2
75 2

2.8 Antwort b) ist richtig. Elektrolytkondensatoren sind in der Regel unipolar, langsam, aber
günstig (gemessen in Geld pro Kapazität).

2.9 Antwort c) ist richtig. Luft ist ein hinreichend guter Isolator, um die erste Antwort aus-
zuschließen. Da das Papier bei gegebener Ladung auf den Elektroden das elektrische Feld
verringert, diese Verringerung aber nach dem Herausziehen beendet ist, steigt die Feldstärke
zwischen den Platten und so die Spannung, und zwar um den Faktor "r des Papiers.

2.10 Ja, das stimmt. Je höher die Frequenz des Spulenstromes, desto größere Wirbelströme
werden in das Eisen induziert. So entstehen Wärmeverluste. Ferrit dagegen leitet den Strom
nicht und kann daher keine Wirbelströme in sich tragen.

2.11 Ja, das stimmt. Es gilt tanı D 1=Q:

2.12 Nein, das stimmt nicht. Bei extrem hohen Frequenzen fangen Spulen an, sich wie Kon-
densatoren zu verhalten und umgekehrt.

2.13 Ja, das stimmt, und deshalb sollte er nicht bei höheren Frequenzen betrieben werden. Er
könnte aufgrund der Wärmeverluste so heiß werden, dass er abbrennt.

2.14 Nein, das stimmt nicht, denn diese bekannte Regel gilt nur, wenn das Eisen von einem
Stoff mit einem viel kleineren r umgeben ist.

2.15 Ja, das stimmt. Fast alle Materialien haben einen mit der Temperatur ansteigenden spe-
zifischen Widerstand. Nur Halbleiter und wenige andere Materialien haben einen mit der
Temperatur sinkenden Widerstand.

2.16 Magnetkreise basieren auf einer Analogie der Magnetostatik, die auf der Erhaltung des
magnetischen Flusses basiert und Geometrien voraussetzt, denen man den Verlauf der Feldli-
nien sofort ansieht. Im Produktentwurf dienen sie daher der Abschätzung der Feldstärken bei
kleinen Frequenzen, also bei Transformatoren und elektrischen Maschinen.

2.17 Das hängt von der Modellierung ab. Wird der Widerstand als zur Spule (oder zum
Kondensator) parallel geschaltet angenommen, so geht eine große Güte mit einem großen
Widerstand einher. Wird er dagegen als in Reihe geschaltet betrachtet, so ist die Güte genau
dann groß, wenn der Widerstandswert klein ist.

2.18 Jede Spule mit einem ferromagnetischen Kern stellt eine praktische Anwendung dar.
Denn bei extrem unterschiedlichem r führt das Brechungsgesetz dazu, dass der Stoff mit dem
großen r die Feldlinien in sich führt. Nur so kann erreicht werden, dass praktisch das gesamte
Magnetfeld durch dieses Material geht und so eine große Induktivität erreicht wird. Weitere
Anwendungen sind Transformatoren, Motoren und Generatoren. Auch bei diesen Geräten
sorgen die Brechungsgesetze für die Flusserhaltung und ermöglichen so, durch geometrische
Gestaltung der Ferromagnetika die Geometrie der Magnetfelder zu bestimmen.

2.19 Das Aluminium ist die Anode des Elektrolytkondensators, zwischen ihr und der Kathode
befindet sich der elektrisch leitfähige Elektrolyt. Dieser bildet zusammen mit dem Aluminium
76 Kapitel 2  Passive Bauelemente

an dessen Oberfläche eine wenige Moleküle dünne Schicht Aluminiumoxyd, Al2 O3 . Letztere
ist das Dielektrikum.

2 2.20 Der Schichtwiderstand einer dünnen Schicht ist derjenige Widerstand, den ein Quadrat
einer solchen Schicht hat. Vergrößert man die Fläche, so ändert sich dieser nicht, denn Länge
und Breite nehmen in gleichem Masse zu. Der Wert des Widerstandes eines rechteckigen,
auf eine Platine bzw. auf einen Hybriden gedruckten Widerstandes ist dann einfach dessen
Schichtwiderstand multipliziert mit der Länge und dividiert durch die Breite.

2.21 Mit
1 1 1
D C (2.52)
C C1 C2

erhält man C D 2 nF.

2.22 Es ist
1 aCb 1 1
D D C : (2.53)
akb ab a b

Wegen der Gültigkeit dieser Beziehung ist es oft nützlich, Gleichungen so umzustellen, dass
das k-Zeichen im Nenner steht.

2.23 Die Kapazitäten müssen addiert werden:

C D C1 C C2 D .2;75 C 1;25/ nF D 4 nF: (2.54)

2.24 Jeder Kondensator muss gegen Überspannung geschützt werden. Bei Elektrolytkonden-
satoren kommt hinzu, dass sie nicht umgepolt werden dürfen. Eine Umpolung kann aufgrund
von Bauteiletoleranzen auftreten, wie die folgende Überlegung zeigt:
Wenn beide Kondensatoren in Reihe liegen, dann fließt durch sie der gleiche Strom

dU1 dU2
I D C1  D C2  ; (2.55)
dt dt

woraus für beliebige Spannungsveränderungen folgt:

U2 C1
D : (2.56)
U1 C2

Wenn nun die Anordnung vollständig entladen wird, dann ist U1 C U2 D 0. Das heißt,
wenn die Kondensatoren vor der Entladung nicht genau im Verhältnis C1 =C2 vorgeladen
waren, dann wird nach der vollständigen Entladung derjenige mit der kleineren Kapazität
umgepolt sein, was im schlimmsten Falle dessen Zerstörung nach sich zieht. Die Umpolung
kann durch in Sperrrichtung betriebene Schutzdioden (am besten Schottky-Dioden) auf ca.
0;3 V begrenzt werden.
Überspannungen können durch unterschiedliche Leckströme in den Kondensatoren auf-
treten: Wenn zwei in Reihe geschaltete, gleiche Kondensatoren auf eine Gesamtspannung
U aufgeladen werden, dann fällt zunächst an jedem der beiden U=2 ab. Wenn danach, bei
konstanten äußeren Bedingungen, einer der beiden Kondensatoren aufgrund seiner größeren
Leckströme sich sehr viel schneller entlädt als der andere, dann fällt nach einiger Zeit fast
2.3  Antworten zu Kap. 2
77 2
. Abb. 2.35 Zur Aufgabe 2.24: Hochohmige Widerstände parallel zum Konden-
sator schützen von Überspannung
+ +

R > 100 kΩ

die gesamte Spannung an dem Kondensator mit der geringeren Selbstentladung ab. Dies kann
nur verhindert werden, indem, wie in . Abb. 2.35 gezeigt, zu beiden Kondensatoren Wider-
stände parallel geschaltet werden, durch die mehr Strom fließt als die größten zu erwartenden
Leckströme.

2.25 Bei diesem Beispiel wurde offensichtlich die Spannungsrichtung so gewählt, dass eine
positive Ableitung des Magnetfeldes zu einer negativen Spannung gehört, zu erkennen an
U0 < 0. Da die induzierte Spannung immer proportional zur Ableitung ist, ergibt sich der in
. Abb. 2.36 gezeigte Induktionsspannungsverlauf.

2.26 Die Abnahme der Induktivität legt Spulen mit Eisenkern nahe. Deren Magnetisierung
erreicht ein Maximum, wenn alle im Eisen vorhandenen Dipole (bzw. die Weißschen Bezir-
ke) im Magnetfeld ausgerichtet sind. Die Polarisierung ist dann praktisch konstant. Die Das
von den Leitungswindungen erzeugte Magnetfeld steigt aber proportional zum Strom. Der
magnetische Fluss setzt sich also aus einem konstanten, großen Polarisationsterm und einem
sehr viel kleineren stromabhängigen Term zusammen. Die induzierte Spannung wächst kaum
noch mit dem Strom und die gemessene Induktivität zeigt annähernd ein 1=I Verhalten.
Die einzige Möglichkeit, den Bereich konstanter Induktivität hin zu größeren Strömen zu
verschieben besteht darin, das Magnetfeld auf mehr Eisen zu verteilen. Spulen für große Strö-
me sind daher größer als solche für kleine.

2.27 Zu jeder Kerze wird ein NTC-Widerstand parallel geschaltet. Dieser wird so dimensio-
niert, dass er im kalten Zustand einen deutlich größeren Widerstand hat als die Kerze. Fällt die
Kerze aus, so fließt der gesamte Strom durch den NTC, er erwärmt sich und sein Widerstand

. Abb. 2.36 Zur Aufgabe 2.25: Zwischen 0 und 2 Millisekunden muss die Spannung konstant sein, denn die Ände-
rung des Magnetfeldes ist konstant. Danach ist die Induktionsspannung Null, denn das Magnetfeld ist konstant, . . . ,
und so weiter
78 Kapitel 2  Passive Bauelemente

sinkt, bis sich ein Gleichgewicht einstellt. Bei richtiger Auslegung leuchten dann die anderen
Kerzen nur wenig schwächer als vor dem Ausfall der einen.

2 2.28 Nach (2.41) wird dem Kondensator ein Widerstand von

1 1
RD D (2.57)
! CD 2
f C tan ı

zugeordnet. In Zahlen ergibt sich ein Wert von R D 159 k. Die Verlustleistung ist nun
P D U 2 =R, also in Zahlen P D 0;33 W. Im Jahr wird also eine Energie W D P  t , also
W D 365;25  24 h  0;33 W D 2;914 kWh verbraucht.
Bei einer Verbesserung von tan ı um den Faktor 0;02=104 D 200 steigt der Widerstand
auf das 200-Fache und der Energieverbrauch sinkt um das 200-Fache auf P D 0;0146 kWh
im Jahr.

2.29 Die Ladung ist erhalten. Bezeichnet man mit den Indizes 1 und 2 den Kondensator mit
und ohne Papier, muss nach (2.15)

A A
U1  " 1  D U2  " 2  (2.58)
d d
gelten oder mit Hilfe der elektrischen Suszeptibilität

1 C E1
U2 D U 1  : (2.59)
1 C E2

Das heißt, die Spannung steigt in diesem Fall von 1 Volt auf 2,5 Volt. Dieses Ergebnis ist auch
durch den Energie-Erhaltungssatz begründet: Um das Dielektrikum zu polarisieren, muss Ar-
beit verrichtet werden. Wenn das Dielektrikum nicht mehr polarisiert ist, dann hat es weniger
Energie – genau die, die dem Kondensator zugute kommt.
Falls das Ergebnis der Intuition widersprechen sollte: Der umgekehrte Vorgang scheint oft
leichter verständlich. Schiebt man ein Dielektrikum zwischen die Platten, dann sorgt dessen
Polarisation für eine Verringerung des elektrischen Feldes und damit zu einer Abnahme der
Spannung.

2.30 Um eine Ladung Q eine Potenzialdifferenz U überwinden zu lassen, ist eine Arbeit
W D Q U nötig.Wie viel Energie gebraucht wird, hängt wegen Q D C U also davon ab,
wie viel Ladung bereits auf dem Kondensator ist: W D C U U . Die gesamte zu verrich-
tende Arbeit ist genau der Energieinhalt:

ZW ZU
1
W D dW D C U dU D CU 2 : (2.60)
2
0 0

In Zahlen ergibt sich W D 15;6 kJ, das sind 4,34 Watt-Stunden.

2.31 Die maximale gespeicherte Energie ist nach (2.18) und (2.19)

"0 "r A 2
Wmax D Umax : (2.61)
2d
2.3  Antworten zu Kap. 2
79 2

Vergleicht man also den Energieinhalt zweier aus gleichen Materialien gefertigten Kondensa-
toren mit den Indizes 1 und 2, so ergibt sich
"0 "r A1 2
Wmax;1 D Umax;1
2d1
"0 "r A2 2
Wmax;2 D Umax;2 (2.62)
2d2
2
Wmax;1 A1 d2 Umax;1
! D 2
Wmax;2 A2 d1 Umax;2

Die Spannungsfestigkeit des Dielektrikums steigt jedoch mit dessen Dicke: Umax;1 =Umax;2 D
d1 =d2 . Daher ist
Wmax;1 A1 d1
D (2.63)
Wmax;2 A2 d2
Dabei sind A1 d1 und A2 dd nichts Anderes als die von den Dielektrika eingenommene Volu-
mina. Das heißt: Bei gegebenen Materialien ist der maximale Energieinhalt des Bauelementes
im Wesentlichen durch das Volumen vorgegeben. Physikalisch lässt sich das auch so be-
gründen: Die Energie eines Kondensators ist in dessen elektrischem Feld gespeichert. Die
maximale Feldstärke ist eine Eigenschaft des Materials des Dielektrikums. So bestimmt das
Dielektrikum die maximale (Feld-)Energiedichte. Die Gesamtenergie ist dann das Produkt aus
Energiedichte und Volumen. Mehr Flächenkapazität durch ein dünneres Dielektrikum hilft
ebensowenig wie mehr Spannungsfestigkeit durch ein dickeres.
Berücksichtigt man allerdings zusätzlich zu den oberen Überlegungen noch die Dicke der
Elektroden, so ergeben sich leichte Vorteile für höhere Maximalspannungen, denn eine klei-
nere Fläche der Elektroden geht mit weniger von ihnen verbrauchtem Volumen einher.
Bei einem Elektrolyt-Kondensator kann so nicht argumentiert werden. Je dicker das Di-
elektrikum wird, desto glatter wird die Oberfläche auf der der Flüssigkeit zugewandten Seite.
Mit zunehmender Dicke nimmt also die Fläche ab, ein sehr diffiziles Technologieproblem
ohne einfache Lösung.

2.32 Der Verlustwinkel ist ein Maß für das Verhältnis von Längswiderstand und Impedanz.
Man erhält für den Ohm’schen Anteil (ESR) R D tan.ıZ /=.! C /. In Zahlen ergeben sich bei
f D 1 Hz RR  1;5 m und bei f D 100 Hz RR  0;26 m.
Die sehr große Kapazität legt den Schluss nahe, dass es sich bei dem Kondensator um einen
Doppelschichtkondensator handelt. Diese Hypothese wird durch die Tatsache gestützt, dass er
abbrennt: Solche Kondensatoren haben Elektroden aus Aktivkohle. Aus dem Frequenzverlauf
des Verlustwinkels ist zu sehen, dass Ohm’sche Widerstände ab Frequenzen von 1 Hz eine
Rolle spielen. Ab f D 10 Hz sind sie bereits größer als die Impedanz des Kondensators.
Aufgrund dieser Indizien ist anzunehmen, dass es auf Seiten der Versorgung ein Störsi-
gnal mit mehr als f D 10 Hz gibt, welches im Kondensator in Wärme umgewandelt wird
und schließlich zu dessen Zerstörung führt. (Dies ist ein Beispiel aus dem wirklichen Leben.
Verursacher war ein nicht ausreichend geglätteter Wechselrichter einer Solaranlage.)

2.33 Ein typischer Impedanzverlauf ist in . Abb. 2.37 gezeigt. Bei kleinen Frequenzen zeigt
er das typische 1=.! C / Verhalten. Das Steilerwerden der Impedanzkurve zeigt den Einfluss
der Parasitärinduktivität, welche bei sehr hohen Frequenzen dominiert. Das Minimum der
Impedanz ist bei Reihenresonanz ! 2 LC D 1 erreicht. Dort ist die Impedanz die Summe der
Ohm’schen Widerstände.
80 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.37 Zur Aufgabe 2.33:


Impedanzverlauf eines realen 100 nF-
Kondensators. Wo genau das Minimum
liegt und ab welcher Frequenz das
2 Spulenverhalten dominiert, hängt von
Herstellungsdetails ab. Universell ist nur
der 1=!C Verlauf bei kleinen Frequen-
zen

2.34 Die Feldstärke an jedem Punkt innerhalb des Ringes ist immer proportional zum Strom
I und zur relativen Permeabilität r des Materials (siehe Aufgabe 1.36) und der Anzahl der
Windungen N . Daher lässt sich der magnetische Fluss als Produkt aus einem Geometriefak-
tor G und diesen Größen schreiben:

˚B D NGr I (2.64)

Bei N Torus-Windungen wird also gemäß dem Induktionsgesetz von Faraday und Henry Win-
dungen eine Spannung

d˚B dI
Uind D N D N 2 Gr (2.65)
dt dt

induziert. Der Faktor vor der Ableitung ist aber (bist auf das Vorzeichen) nichts Anderes
als die Induktivität L. Die Induktivität lässt sich zum Beispiel durch Messung der Impedanz
Z D R C j!L bestimmen. Diese beginnt bei ! D 0 mit dem p Gleichstromwiderstand des
verwendeten Drahtes, R; und fällt bei !0 D R=L auf den 1= 2-Fachen Betrag ab. So folgen
aus R und !0 die Induktivität L. Vergleicht man nun zwei mit verschiedenen Materialien und
ansonsten gleiche Spulen, so gilt:

! 0;2 L1 r;1
D D (2.66)
! 0;1 L2 r;2

2.35 Gemäß der Definition 2.2 der Induktivität muss der magnetische Fluss ˚B aus der Feld-
stärke bestimmt werden. Die Feldstärke beträgt B D 0 IN= l (siehe Aufgabe 1.37). Daher
beträgt für N Windungen der magnetische Fluss
 
N
˚B D N A  B D N.
r 2 /  0 I : (2.67)
l

Einsetzen in Definition 2.2 ergibt




0
L D
r 2 N2 ; (2.68)
l

was zu (2.33) äquivalent ist.


2.3  Antworten zu Kap. 2
81 2
. Abb. 2.38 Zur Aufgabe 2.36:
Impedanzverlauf einer realen Spule.
Deutlich ist die Parallelresonanz knapp
unter f D 20 GHz zu sehen. Bis
f < 10 GHz ist der Impedanzverlauf
linear und die Spule verwendbar

2.36 Entscheidend für den Anwendungsbereich ist die Lage der Parallelresonanz von L und
C . In . Abb. 2.38 ist diese deutlich bei knapp f D 20 GHz zu sehen. Für die Resonanz spielt
RS keine Rolle, und wir suchen das Minimum des Betrages des komplexen Leitwertes:
1 1 1 1
Y D C D C p : (2.69)
RC C Z C RL C ZL RC C Z C k !=2
C ZL
Differenzieren nach f und das Ergebnis gleich Null setzen ergibt
q
k 4 C 2  16
2 L2 C.RC2 C  L/  k 2 C
fr D  19;8 GHz : (2.70)
8
2 LC.L  RC2 C /

2.37 Die Lösung folgt unmittelbar aus der Definition 2.3 des spezifischen Widerstandes :

` Rbd
R D  `=A D !D : (2.71)
bd `
Die Zahlen ergeben einen Wert von 4 m  m. Der Schichtwiderstand ist dann gemäß (2.37)
RSchicht D =d D 20 .

2.38 Der Tantal-Kondensator erhöht die Gesamtkapazität nur um ein Promille, also im Re-
gelfall um deutlich weniger als die Kapazitätstoleranz des Aluminium-Elektrolyt-Kondensa-
tors. Daher ist die Kapazitätserhöhung kein Argument für die Parallelschaltung. Vielmehr
decken die beiden Kondensatortypen unterschiedliche Frequenzbereiche der Störungen ab.
Der Tantal-Kondensator hat bei hohen Frequenzen eine viel größere Güte als ein Aluminium-
Elektrolyt-Kondensator. Dieser kann dafür bei kleinen Frequenzen wegen der größeren Ka-
pazität viel mehr Ladung aufnehmen. Damit schützt er den Tantal-Kondensator auch vor zu
großen Strömen.

2.39 . Abb. 2.39 zeigt die Ersatzschaltung. Alle Widerstände müssen aufgrund der Randbe-
dingungen gleich groß sein. Für U3 D 0 lässt sich der Strom I.U1 / durch die Spannungsquelle
U1 direkt aus der Schaltung ablesen:
U1 D 3R C R k Œ2R C R k .3R/ I
56
! U1 D RI (2.72)
15
15U1
!I D :
56R
82 Kapitel 2  Passive Bauelemente

. Abb. 2.39 Zur Aufgabe 2.39: Ersatzschaltbild zur Berechnung


der Magnetfelder

Nun wird zurückübersetzt:


U1 ! N1 I1
s 64
R! D (2.73)
A s
I ! ˚B ;

mit dem Ergebnis ˚B D .15=3584/  sN1 I1 D 0;0042sN1I1 .


Aus der Symmetrie der Schaltung ergibt sich, dass keine Spannung in die N2 Windungen
des mittleren Segments induziert wird, wenn N1 I1 D N3 I3 .

2.40 Lösungsstrategie: Zunächst wird der Flächenbedarf berechnet. Dann wird die Geome-
trie genauer untersucht.
Lösung: Nach (2.18) wird eine Fläche von

CD
AD (2.74)
"0 "r

gebraucht. Wenn eine schmale Metallbahn über einer breiten liegt, dann definiert die schmale-
re (hier: b D 1;2 cm) die Kapazität. Das überstehende Metall wird, wie in . Abb. 2.12 gezeigt,
zum Kontaktieren verwandt. Wenn gewickelt wird, dann tragen mit Ausnahme der letzten La-
ge immer sowohl die Vorder- als auch die Rückseite zur Kapazität bei. Daher kann die Länge
` wie folgt berechnet werden:

CD
A D 2  `b ! ` D : (2.75)
2b"0 "r

Mit den angegebenen Zahlen ergibt sich eine Länge von ` D 1;14 m.

2.41 Lösungsstrategie: Es wird ausgenutzt, dass die Feldlinien in der Konstruktion verblei-
ben und so der magnetische Fluss ˚B überall der gleiche ist.
Lösung: Die Länge der Teile der Magnetfeldlinien wird, wie durch die grüne Linie ange-
deutet, aus den Abmessungen der Teilstücke bestimmt. Wenn Material und Querschnitt gleich
2.3  Antworten zu Kap. 2
83 2

sind, können die Längen wie folgt zusammengefasst werden:

`1 D 4;5 cm ;
`4 C `6 D `46 D 0;5 cm ; (2.76)
`Rest D 12 cm :

Nach dem Ampère’schen Gesetz in seiner diskreten Näherung, (2.9), können nun die Feldstär-
ken in den beliebigen Teilen berechnet werden. Im Bereich der Spule erhält man zum Beispiel

N  I  0
B1 D D 6 mT : (2.77)
`1 A1 `46 A1 `Rest
C C
r1 A2 r46 A2 r2

Die Berechnung in den anderen Bereichen kann in gleicher Weise erfolgen.


Übrigens: Wäre `46 D 0, wäre das Feld 25-mal so stark. Daran ist zu erkennen, welch
überragende Rolle mechanische Fertigungstoleranzen und Spaltmaße im Zusammenhang mit
der Nutzung von Magnetfeldern haben.

2.42 Am leichtesten lässt sich diese Aufgabe mit einem Gedankenexperiment lösen: Man
stelle sich zunächst zwei in Reihe geschaltete Kondensatoren mit gleicher Fläche A, aber
unterschiedlichen Dielektrika vor. Die Gesamtkapazität ist dann mit Hilfe von
 
1 1 1 1 d1 d2
D C D C (2.78)
C C1 C2 "0 A "r1 "r2

zu berechnen. Nun werden die Kondensatoren immer näher zusammengerückt, bis die zwei
mittleren Elektroden zu einem einzigen, nirgends angeschlossenen Stück verschmelzen. Wenn
die Dicke dieser Zwischenelektrode gegen Null geht, ändert sich nichts am elektrischen Ver-
halten. Daher beinhaltet (2.78) mit d D d1 C d2 bereits die Lösung:
 
"0 A "0 A d  "r1 "r2
C D D  : (2.79)
d1
"r1
C d2
"r2
d d1 "r2 C d2 "r1

Die Klammer in (2.79) ist die relative Dielektrizitätskonstante für den Gesamtaufbau. Ein
mehr formaler Ansatz kommt zum gleichen Ergebnis: Die Konfiguration ist in . Abb. 2.40
gezeigt. Der Gauß’sche Satz für die linke Elektrode mit der Querschnittsfläche A und der
Ladung QC besagt QC ="1 D E 1  A, wobei E das Feld im linken Dielektrikum ist. Wird als

. Abb. 2.40 Zur Aufgabe 2.42: Kondensator mit zwei Dielektrika


84 Kapitel 2  Passive Bauelemente

rechte Begrenzungsfläche für das Oberflächenintegral gerade die Grenzschicht zwischen den
Dielektrika genommen, folgt
QC U0  U1
2 D A : (2.80)
"1 d1
Der Gauß’sche Satz auf die rechte Elektrode für eine bis zur Grenzschicht reichende Einhül-
lende angewandt ergibt, da E und A in entgegengesetzte Richtungen zeigen,
Q U1  U2
D A : (2.81)
"2 d2
Das Zwischenpotenzial U1 kann mit Hilfe von Q D QC durch Addition aller Spannungen
eliminiert werden:
U0  U1 D .QC d1 /=."1 A/
(2.82)
U1  U2 D .QC d2 /=."2 A/ :

Die Addition dieser beiden Gleichungen ergibt genau dasselbe Ergebnis wie (2.78).
Zusatzbemerkung: Gl. (2.78) legt die folgende Generalisierung nahe, welche sich mit Hilfe
des Gauß’schen Satzes für das elektrische Feld auch beweisen lässt: für n Dielektrika lässt sich
die Kapazität eines Kondensators mit der Substitution

X n
di
d! (2.83)
"
i D1 ri
berechnen.

2.43 Lösungsstrategie: Zunächst sollte man sich ein Bild machen und dann überlegen: Wenn
Strom Ladung pro Zeit und die Geschwindigkeit Stecke pro Zeit ist, was ist dann die Bedeu-
tung der Strecke? Dabei ist es hilfreich, den Zusammenhang zwischen der Ladungsträgerge-
schwindigkeit und dem Strom (siehe auch (1.5)) zu kennen.
Lösung: In . Abb. 1.6 ist ein Stück Kabel schematisch dargestellt. Der Strom durch dieses
Kabel ist gerade die Ladungsmenge, die pro Zeit durch die Querschnitts-Fläche A hindurch-
tritt. Für ne Elektronen ist dies Q D ne  e. Bei einer Drift-Geschwindigkeit ve D x= t
der Elektronen sind dies gerade so viele, wie in dem Volumen A  x vorhanden sind. Da Alu-
minium ein dreiwertiges Metall ist, ist die Dichte der Leitungselektronen dreimal so groß wie
die der Atome: .ne =V / D 3.nAl =V / also ist ne D . nVe /  A x D . nVe /  A  ve  t . Insgesamt
ergibt sich so die nützliche Formel
Q
n
e
I D De A ve : (2.84)
t V
Nach ve aufgelöst ergibt sich in Zahlen
200 m
ve D  0;023 mm=s: (2.85)
3  1;602 1019  6;022 1028  3  104 s
Die Drift-Geschwindigkeit ist also erstaunlich klein.
An (2.84) kann man sehr schön erkennen, warum schmale Drähte schneller warm werden
als dicke Kabel: Der gleiche Strom geht bei kleinerem Leitungsquerschnitt mit einer höhe-
ren Geschwindigkeit der Elektronen einher. Pro Stoß mit einem Atomrumpf wird also mehr
Energie frei.
Literatur
85 2

So klein die Geschwindigkeit ist, so groß ist die Anzahl der Ladungsträger, die pro Zeit-
einheit durch einen Leiterquerschnitt hindurchtreten.

n Q I 200 A
D D D D 1;25 1021 s1 : (2.86)
t e t e 1;602 1019 As

Das sind etwas mehr als eine Trilliarde Elektronen pro Sekunde.

2.44 Lösungsstrategie: Das Erdreich um die Halbkugel herum wird in konzentrische, infini-
tesimal dicke Schalen unterteilt. Der Gesamtwiderstand ist die Summe der Schalenwiderstän-
de.
Lösung: Nach der Definition 2.3 des spezifischen Widerstandes  können wir den Wider-
stand einer Halbkugelschale bestimmen:

`  
RD ! R D r D r : (2.87)
A A.r/ 2
r 2

Der Gesamtwiderstand wird durch Integration bestimmt:

Z Z1
 
RD dR D dr D : (2.88)
2
r 2 2
r
r

In Zahlen ergibt sich ein Wert von R D 637 .


Bis zu einem Abstand r C rFuß ist der Gesamtwiderstand bereits RFuß D 546 . Dies
ergibt sich, wenn an Stelle von r bis 1 von r bis r C rFuß integriert wird. Bei einem Strom
von I D 200 A ergäbe sich eine Spannung von

U D R  I D 546   200 A  110 kV : (2.89)

Das würde niemand aushalten.


An diesem Beispiel zeigt sich die überragende Bedeutung einer vernünftig geplanten Er-
dung gerade dort, wo große Ströme fließen (Fabriken etc.). Diese muss großflächig und hin-
reichend weit weg von Lebewesen sein.

Literatur

1. Hering E, Bressler K, Gutekunst J (2017) Elektronik für Ingenieure. Springer, Berlin, ISBN
978-3-662-54213-2
2. EPCOS AG, Multilayer Ceramic Capacitors, General technical Information, www.epcos.com.
Zugegriffen: 2017
3. Siehe Missouri State University http://emclab.mst.edu/inductance/. Zugegriffen: 2017
4. Zinke O, Brunswig H (2010) Hochfrequenztechnik 1. 2. Auflage, Springer, Berlin, ISBN
978-3-642-19746-8
5. Henke H (2015) Elektromagnetische Felder. Springer, Berlin, ISBN 978-3-662-46917-0
6. Glisson TH (2011) Introduction to Circuit Analysis and Design. Springer, New York, ISBN
9789048194421
7. Poppe M (2015) Die Maxwellsche Theorie. Springer, Berlin, Heidelberg 2015, ISBN 978-3-662-45593-7
87 3

Halbleiter-Bauelemente –
durch Verunreinigung
Perfektion erreichen
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2018
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, https://doi.org/10.1007/978-3-662-56649-7_3

In diesem Kapitel werden Halbleiter-Materialien, ihre Eigenschaften und deren Modifizierung


durch das Dotieren beschrieben. Ausgehend von der Bänderstuktur der Halbleiter wird das Ver-
halten von PN-Übergängen, Halbleiter-Metall Kontakten und deren Durchbruchmechanismen
diskutiert. Darauf aufbauend werden die Funktionen und die Kennlinien von Solarzellen, PN-,
Schottky- und Zener-Dioden beschrieben. Es folgen Kennlinien und Betriebszustände der Bipo-
lar Transistoren. Die Funktion und die Kennlinie des MOS Transistors inklusive der neuen 3D
Transistoren werden aus den Eigenschaften des Dünnoxyd-Kondensators hergeleitet.
Es werden Modelle für vereinfachte Schaltungsberechnungen vorgestellt und diskutiert. Mit
Hilfe dieser Modelle werden Tests auf die jeweiligen Betriebszustände entwickelt.
Es folgt die Beschreibung der Funktionsweise und Einsatzfelder von Thyristoren, Leistungs-
transistoren und IGBTs.

3.1 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente

Software ohne Hardware ist wie eine Idee ohne Gehirn.1 Kern dieser Hardware sind im-
mer integrierte Schaltungen aus Halbleitermaterial. Pro Jahr werden seit Beginn der 2010er
Jahre weltweit mehr als 20 Milliarden integrierte Schaltungen ausgeliefert. Im Jahre 2017 be-
trug der Umsatz der Halbleiterindustrie knapp 380 Milliarden US $. Wer die Funktionen von
Halbleiter-Bauelementen versteht, der kennt daher auch die Grundlagen eines sehr großen und
dynamisch wachsenden Arbeitsmarktes für Ingenieure.

3.1.1 Halbleiter

. Abb. 3.1 zeigt den Verlauf des Potenzials, welcher sich ergibt, wenn Elementarladungen im
Abstand von d D 1 nm aufgereiht werden. Ob ein Elektron in dieser Umgebung frei beweg-
lich ist, hängt ausschließlich von dessen Energie ab. Nach den Gesetzen der Quantenmechanik
aber gilt:
4 Die Energien können nur bestimmte, durch die Lösung der Schrödinger-Gleichung be-
stimmte Werte haben. Man spricht von Energieniveaus, auf denen sich die Elektronen
aufhalten können.

1
Bajuwarisch A hirnloser Schmarrn.
88 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

. Abb. 3.1 Potenzialverlauf durch ein-


}

}
frei
zelne Elementarladungen, errechnet als 00
U(x)
U D e=.4
"0 jrj/. Je nach Energie 2 -2

Potenzial in Volt
Strom
sind die Elektronen ortsfest gebunden, 4 -4
6 -6 leitend
innerhalb des Materials frei oder ganz frei

U[eV]
}
8 -8
10-10
3 12-12 gebunden
14-14
-4-4 -3
-3 --22 --11 00 11 22 33
+ + + +
Abstand zum Rand in nm

4 Die Lösungen der Schrödinger-Gleichung ergeben eine Schalenstruktur der Elektronen.


Kristallstrukturen und praktisch die gesamte Chemie werden durch die Eigenschaften der
Elektronen der äußeren Schale bestimmt.
4 Jedes Energieniveau kann von maximal zwei Elektronen besetzt werden.2

1 Halbleiter sind vierwertige Elemente


Silizium (und Germanium) sind Materialien, deren äußere Schale gerade acht Plätze mit vier
Elektronen besetzt hat. Diese halten sich überwiegend in so genannten sp3-Hybridorbitalen
auf. . Abb. 3.2 zeigt die örtliche Verteilung der äußersten Elektronen. Diese umkreisen also
nicht den Kern, sondern sie halten sich in so verteilten Bereichen auf, dass sie im Mittel einen
möglichst großen Abstand3 voneinander haben. Die Achsen bilden daher einen Tetraeder.
Die Tetraeder-Struktur des Silizium-Atoms bleibt erhalten, wenn, wie in . Abb. 3.3 ge-
zeigt, aus vielen Atomen Silizium-Kristalle werden. Jeder Silizium-Atomkern steht in der
Mitte eines Tetraeders der (und das ist neu) nun von zwei Elektronen besetzt ist: eines eigenen
und eines vom Nachbaratom. Das Silizium-Kristall besteht aus Tetraedern, deren Achsen von
Elektronenpaaren gebildet werden.
Alles bisher Geschriebene gilt ebenso für Diamant und Germanium. Neben diesen vierwer-
tigen Elementen eignen sich aber auch im Mittel vierwertige Kombinationen zur Realisierung
von Halbleiter-Materialien. Diese, nach ihrer Valenzkombination als III-V-Halbleiter oder II-

. Abb. 3.2 Zur Geometrie des Silizium-Atoms: Die


- -

äußeren Elektronen des Silizium-Atoms halten sich


bevorzugt in den hier angedeuteten Räumen auf. Die
Achsen dieser so genannten Orbitale bilden einen
Tetraeder ++
++ ++
- -
- -
++
- -

2
Das Elektron hat einen halbzahligen Spin. Für diese Art von Teilchen gilt das so genannte Pauli-Prinzip, nach dem
die Gesamtwellenfunktion antisymmetrisch gegenüber einer Vertauschung der Teilchen sein muss. Dies wird erreicht,
wenn genau zwei Teilchen mit unterschiedlichem Spin das Niveau besetzen.
3
Dieser Tatsache liegt ein fundamentales physikalisches Prinzip zu Grunde. Die stabilsten Verhältnisse sind immer
die mit der minimalen Energie. Da sich Elektronen gegenseitig abstoßen, bedeutet ein großer Abstand eine niedrige
Energie.
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
89 3
. Abb. 3.3 Prinzipskizze der Silizium-Kristallbindungen: Die ++ ++ ++ ++
++
- - ++
- - ++
- - ++
Orbitale der Bindungselektronen des Siliziums ergeben sich
durch Übereinanderlegen der Orbitale der Einzelatome

-
-

-
++ ++ ++ ++
++
- - ++
- - ++
- - ++

-
-

-
++ ++ ++ ++
++
- - ++
- - ++
- - ++

VI-Halbleiter genannten Materialien finden insbesondere in der Optoelektronik Anwendung.


Für all diese Stoffe gilt:

Ein Halbleiter ist ein kovalent gebundener Stoff, dessen Elektronen alle ortsfest sind. Daher
leitet er nur bei der Zugabe von Wärme oder Verunreinigung.

Wie in Silizium Ströme fließen können, ist nur vor dem Hintergrund der Energiestruktur der
Elektronen im Kristall zu verstehen. Diese ergibt sich so, wie in . Abb. 3.4 angedeutet: Die
äußere Schale des Silizium-Atoms ist nur halb besetzt. Dies wird dadurch erreicht, dass sich
in jedem der vier Orbitale genau ein Elektron befindet. Zwei Elektronen pro Orbital sind nach
den Gesetzen der Quantenmechanik möglich, aber energetisch ungünstiger. Diese Situation
ändert sich, wenn zwei Atome einander angenähert werden.
Wenn sich zwei Orbitale mit jeweils einem Elektron nähern, dann ergeben sich energetisch
unterschiedliche Kombinationen. Die mit niedrigerer Energie wird von den beiden Elektro-
nen besetzt, die energetisch ungünstigere bleibt leer. Der Energieunterschied zwischen dem
ursprünglichen Niveau und der neuen Kombination ist letztendlich für den Zusammenhalt des
Kristalls verantwortlich. Die Größe des Energieunterschiedes zwischen den beiden Kombina-
tionen wird die Halbleiter-Eigenschaften bestimmen (s. u.).

}
40 //
(beliebige Einheiten)
zur Fermi-Energie

3-2
Energie relativ

Strom
2-4
1-6 leitend
U[eV]

leer

}
0-8
voll
-10
-1
-2
-12 gebunden
-3
-14

-4 0 -3
//
1 -2 2 -1 4 0 8 1 ... 210 23 3
Anzahl der beteiligten Elektronen

. Abb. 3.4 Entstehung der Silizium-Bandstruktur: Hybridorbital für ein Atom (1), Aufspaltung in doppelt besetztes
Bindungs-Orbital und leeres Extra-Orbital bei zwei Atomen (2), . . . und so weiter. Bei n Atomen entstehen 4  n
Energieniveaus, davon gehört die Hälfte zu Bindungsorbitalen. Sie bilden das Valenzband (bei niedriger Temperatur
voll). Die anderen Orbitale bilden das Leitungsband (bei niedriger Temperatur leer)
90 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

1 Die Kombination der sehr vielen Atomorbitale lässt Energiebänder entstehen


Wenn n Silizium-Atome einander angenähert werden, so kann ein Kristall entstehen. Dieser
hat 2n jeweils doppelt besetzte Bindungs-Orbitale und 2n Orbitale, die zu einer höheren Elek-
tronenenergie gehören. So entstehen also letztlich zwei Energiebänder: ein niedrig liegendes,
volles Band für ortsfeste Elektronen (das Valenzband) und ein höher liegendes, zu beweg-
3 lichen Elektronen gehörendes, leeres Band (das Leitungsband). Die Energielücke zwischen
den Bändern heißt Bandlücke und beträgt bei Silizium W D 1;12 eV.4 Elektronen nahe der
Unterkante des Leitungsbandes können, da die meisten Niveaus über ihnen nicht besetzt sind,
innerhalb der Breite des Bandes beliebige Energiemengen aufnehmen. Hieraus folgt:

Elektronen nahe der Unterkante des Leitungsbandes verhalten sich annähernd wie frei
fliegende Teilchen.

Da die beiden Energiebänder nahe beieinander liegen, reicht schon eine geringe Energiemen-
ge, um eines der Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband zu heben. Ist die Ursache
die Temperatur, so gilt die so genannte Fermi-Verteilung: Für jeden Zustand z mit der Energie
Ei ist der Erwartungswert für die Anzahl der Elektronen, nz , gegeben durch
gz
nz D : (3.1)
e .Ez EF /=kT C 1
In (3.1) ist EF die so genannte Fermi-Energie , und gz gibt an, wie viele Elektronen gleich-
zeitig in einem Niveau sein können. In der Regel ist gz D 2. Bei der Temperatur T D 0 K
sind alle Niveaus unterhalb der Fermi-Energie besetzt (siehe auch Aufgabe 3.33).
Will man wissen, wie viele Elektronen bei einer gegebenen Temperatur im Leitungsband
sind, muss außer der Fermi-Verteilung noch bekannt sein, wie die Energieniveaus selbst ver-
teilt sind, ob gleichmäßig im Energieband verteilt, am unteren Ende konzentriert oder am
oberen Ende konzentriert. Sind die meisten Energieniveaus am unteren Ende angesiedelt, wer-
den nach der Fermi-Verteilung 3.1 sehr viel mehr Elektronen im Leitungsband zu finden sein,
als wenn die meisten Zustände am oberen Ende sind. Im Rahmen der Festkörperphysik kann
die Dichte der Elektronen im Leitungsband, ni , in guter Näherung als Funktion der absoluten
Temperatur T , der Fermi-Energie EF und der Energie der Unterkante des Leitungsbandes,
EL ; berechnet werden:

ni  T 3=2 e .EL EF /=.kT / : (3.2)

ni wird auch intrinsische Elektronendichte des Halbleiters5 genannt. Eine Herleitung kann
zum Beispiel in [2] gefunden werden. Die absolute Anzahl ist nur sehr schwer messbar, da
schon kleinste Verunreinigungen zu großen Fehlern führen. In [4] wird zum Beispiel angege-
ben
0;785 eV
ni .Si/  6;2  1015 cm3  .T =K/3=2  e 2 kT
1;12 eV
ni .Ge/  1;76  1016 cm3  .T =K/3=2  e 2 kT : (3.3)

Auf die gleiche Weise lässt sich errechnen, wie viele Elektronen im Valenzband fehlen. Jede
Stelle, an der ein Valenz-Elektron fehlt, wird ein Loch genannt. Man erhält für die Dichte p

4
Genau genommen wird mit steigender Temperatur die Bandlücke etwas schmaler.
5
Wörtlich: die dem Halbleiter eigene Elektronendichte.
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
91 3

. Tabelle 3.1 Bandlücken und Elektronendichten reiner Halbleiter bei T D 300 K

Material Bandlücke [eV] Elektronendichte [m3 ]

Silizium [2] 1,12 1;1  1016

Germanium [2] 0,66 2;4  1019

Galliumarsenid [2] 1,42 1;8  1012

der Löcher6
p  T 3=2 e .EF EV /=.kT / : (3.4)

Die Elektronen im Leitungsband sind diejenigen, die im Valenzband fehlen. Die Vorfaktoren
in (3.2) und (3.4) sind fast genau gleich groß (siehe Aufgabe 3.43). Setzt man n D p in die
Gleichungen ein, dann folgt EF D .EL C EV /=2, oder anders ausgedrückt:
Die Fermienergie eines reinen Halbleiters liegt in der Mitte der Lücke zwischen dem Va-
lenzband und dem Leitungsband.7 In . Tab. 3.1 ist deutlich zu sehen, welch großen Einfluss
die Bandlücke auf die Ladungskonzentration hat. Eine Verdoppelung des Bandabstandes ver-
ringert die Anzahl der Leitungselektronen um mehr als den Faktor 1000.

3.1.2 Dotierung und PN-Übergang

Kein Mensch würde heute über Halbleiter reden, wäre nicht die Idee der Dotierung aufge-
kommen.

Definition 3.1
Dotierung ist die gezielte Verunreinigung eines Halbleiters derart, dass die Dotierungsatome
Kristallgitterplätze einnehmen.

Verunreinigung heißt in diesem Fall: Auf 50.000 bis 10 Millionen Silizium-Atome kommt ein
Fremdatom. Ist dieses, wie in . Abb. 3.5 gezeigt, fünfwertig, nennt man es einen Donator8.

. Abb. 3.5 Dotierung mit einem Donator (hier Phosphor):


Der Atomrumpf fügt sich in das Kristallgitter ein. Das übrig
Si - - Si - - Si - - Si
bleibende Elektron findet kein Bindungs-Orbital
-

-
-

Si - - P - - Si - - Si
-

-
-

Si - - Si - - Si - - Si
++
++

6
p wie positiv, denn das Fehlen eines negativ geladenen Elektrons kann elektrisch wie eine zusätzliche positive Ladung
an der Fehlstelle beschrieben werden.
7
Bei hohen Temperaturen steigt die Fermi-Energie jedoch leicht an.
8
Lateinisch: Geber, denn es gibt dem Kristall ein zusätzliches Elektron.
92 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

. Abb. 3.6 Dotierung mit einem Akzeptor (hier Aluminium):


Der Atomrumpf fügt sich in das Kristallgitter ein, aber es fehlt
Si - - Si - - Si - - Si
ein Elektron

-
-

-
Si - - Al - Si - - Si
3

-
-

-
Si - - Si - - Si - - Si
++
++

Das zusätzliche Elektron findet kein Bindungs-Orbital, liegt aber energetisch etwas tiefer, als
die Silizium-Leitungselektronen. Denn der Atomkern des Donators hat eine positive Ladung
mehr als das Silizium und zieht das Extra-Elektron stärker an als ein Silizium-Ion. Die Dotie-
rung führt zu einem sehr großen Anstieg der Leitfähigkeit des Siliziums.
Ist das Dotierungsmaterial dreiwertig, dann spricht man von einem Akzeptor, denn es kann,
wie in . Abb. 3.6 schematisch angedeutet, ein weiteres Elektron zur Komplettierung der Kris-
tallbindungsorbitale akzeptieren. Dieses ist natürlich nicht ganz so fest gebunden. Energetisch
heißt dies: Seine Energie liegt leicht über der des Valenzbandes.
Dotierung fügt also den Energiebändern des reinen Siliziums, wie in . Abb. 3.7 gezeigt,
zwei weitere, sehr schmale Bänder hinzu: Wird nur mit Donatoren dotiert, so erhält der Halb-
leiter Extra-Elektronen, die annähernd frei beweglich sind. Wird nur mit Akzeptoren dotiert,
so entstehen Löcher. Donator- und Akzeptor-Dotierung heben sich ansonsten praktisch auf:
Eine mit zehnmal so viel Donatoren wie Akzeptoren dotierter Halbleiter verhält sich bei
Raumtemperatur wie ein mit 10 Prozent weniger Donatoren dotierter Halbleiter.
Die Ladungsträger des Dotierungsmaterials nennt man Majoritätsträger9 (zum Beispiel
Elektronen bei Phosphor-Dotierung), die jeweils anderen Minoritätsträger. Unabhängig von
der Dotierung gilt (Herleitung siehe Aufgabe 3.34)

n  p D n2i : (3.5)

Das bedeutet, dass durch Dotierung im gleichen Maße, in dem die Konzentration der Majori-
tätsträger steigt, die der Minoritätsträger sinkt. Bei dotierten Halbleitern ist daher in der Regel
die Anzahl der Ladungsträger fast genau gleich der Anzahl der Dotierungsatome.
Wird an ein N-dotiertes Material eine Spannung angelegt, so bestimmt neben der Ladungs-
trägeranzahl die Beweglichkeit e der Elektronen den elektrischen Widerstand.

. Abb. 3.7 Energiebänder beim dotierten Silizium, Leitungsband Leitungsband


links Donator-dotiert, rechts Akzeptor-dotiert. Das EF
Leitungsband ist bei T D 0 K leer. Donator Elektronen
Akzeptor Löcher
E
Valenzband Valenzband F

9
Majorität heißt Mehrzahl.
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
93 3

0,1
m2
Vs
Beweglichkeit in

Löcher Elektronen
0,01

10 21 10 22 10 23 10 24 10 25 10 26
Teilchendichte in m-3

. Abb. 3.8 Beweglichkeit  für Elektronen und Löcher als Funktion der Dichte der Dotierungsatome

Definition 3.2
Die Beweglichkeit  ist das Verhältnis von Ladungsträgergeschwindigkeit zur angelegten
elektrischen Feldstärke:  D v=E.

Die Beweglichkeit hängt, wie in . Abb. 3.8 gezeigt, von der Dotierungskonzentration ab.
In P-dotierten Gebieten wächst unter Einfluss eines äußeren Feldes die Tendenz von
Valenzelektronen, jeweils benachbarte Löcher zu besetzen. Dies wird Löcherleitung genannt.
Eine genauere quantenmechanische Analyse legt nahe, dieses Phänomen so zu behandeln,
als wenn es positive geladene Teilchen mit der Beweglichkeit p gäbe. Die spezifische
Leitfähigkeit ergibt sich dann als Funktion der Elementarladung e aus der Definition 3.2 zu

1
D D e  p p C n n : (3.6)


Bei dotierten Halbleitern ist einer der beiden Additionsterme in Gl. 3.6 zu vernachlässigen.

3.1.3 Dioden

1 Treffen ein P- und ein N-Gebiet aufeinander, wandern Elektronen ins P-Gebiet
Grenzt ein P-Gebiet an ein N-Gebiet, so lädt sich das N-Gebiet relativ zum P-Gebiet positiv
auf: Die Elektronen des Leitungsbandes sind immer in (ungerichteter) thermischer Bewe-
gung. Einige Elektronen des N-Gebietes erreichen durch puren Zufall auch das P-Gebiet.
Dieser Teilchenstrom wird Diffusionsstrom genannt. Die Elektronen des Diffusionsstromes
finden im P-Gebiet Löcher vor und besetzen diese. Hierdurch lädt sich das P-Gebiet nega-
tiv auf. Denn jedes Akzeptor-Atom bekommt nun ein zusätzliches Elektron. In . Abb. 3.9 ist
die Situation schematisch dargestellt. Im N-Gebiet bleiben die Donator-Atomrümpfe einfach
ionisiert zurück. Es wird daher positiv geladen. Die Elektronen, welche die Akzeptor-Atome
besetzen, fehlen im Leitungsband. So entsteht eine Schicht, in der das Leitungsband praktisch
leer ist, die so genannte Verarmungszone oder auch Sperrschicht. In dieser entsteht nach dem
94 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

. Abb. 3.9 PN-Übergang am


Beispiel eines abrupten Wechsels
bei x D 0 von einem P-Gebiet links
auf ein dreimal so hoch dotiertes N-
Gebiet rechts. Die Ladungsdichten
 der verbleibenden Atomrümpfe
sind proportional zur jeweiligen
3 Dotierung

Gauß’schen Satz ein elektrisches Feld E D .Ex ; 0; 0/ mit

Zx
1
Ex D .x/dx : (3.7)
"
linker Rand

Und dieses Feld erzeugt eine Potenzialdifferenz

Zx
U.x/ D  Ex .x/dx : (3.8)
linker Rand

Dieser Vorgang setzt sich so lange fort, bis ein Gleichgewicht entsteht: Je mehr Elektronen
Löcher besetzt haben, desto höher wird die Energie, die ein Elektron braucht, um die Po-
tenzialbarriere auf dem Weg zum P-Gebiet zu überwinden. Mit der Besetzung wächst also
der Anteil derjenigen Elektronen, die ins P-Gebiet eindringen, vom elektrischen Feld aber
zur Umkehr gezwungen werden, bevor sie ein Loch finden. Gleichzeitig erreichen aber auch
einige der wenigen im Leitungsband des P-Gebietes vorhandenen Elektronen (Minoritäts-
träger) die Verarmungszone. Diese finden ein Feld vor, welches sie zu 100 % ins N-Gebiet
zieht. Wenn der kleine Anteil der vielen Majoritätsträger gerade so groß ist wie die 100 % der
Minoritätsträger, herrscht Gleichgewicht. Der Minoritätsträgerstrom wird, da durch das Feld
begünstigt, Feldstrom genannt.

1 Am Übergang entsteht eine Verarmungszone, an der die Diffusionsspannung liegt


Die Potenzialdifferenz zwischen den beiden Gebieten heißt Diffusionsspannung, UD , und
kann als Funktion der Dotierungsdichten für Akzeptoren, nA ; und Donatoren, nD ; zu
 
nA  nD
UD D UT ln (3.9)
n2i

berechnet werden (siehe zum Beispiel [5]). Dabei ist UT die Temperaturspannung10

UT D k T =e : (3.10)

10
Die durchschnittliche Elektronenenergie bei der Temperatur T ist E D kT D UT e.
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
95 3

. Abb. 3.10 Veränderung der potenziellen elektrischen Elektronenenergie We auf dem Weg Metall ! Halblei-
ter P-Gebiet ! Halbleiter N-Gebiet ! Metall. Das N-Gebiet gibt sowohl an das P-Gebiet als auch an das Metall
Elektronen ab, ist also gegenüber beiden positiv geladen. Die Summe der Energieänderungen ist Null

Bei steigender Temperatur gibt es also eine Anstieg der Diffusionsspannung, der jedoch we-
gen der stark mit der Temperatur ansteigenden intrinsischen Dichte ni weniger als linear ist.
Misst man die Spannung zwischen den beiden Gebieten, so findet man an Stelle der Dif-
fusionsspannung allerdings gar nichts, denn sie wird durch die an den Kontakten anliegende
Spannung exakt kompensiert. Letztlich ist dies eine Konsequenz der Energieerhaltung. Ein
Elektron darf auf dem in . Abb. 3.10 gezeigten Weg weder Energie gewinnen noch verlieren.
Die Summe aller Potenzialänderungen ist also Null.

Die Diffusionsspannung entzieht sich einer direkten Messung.

Wird von außen vom P- zum N-Gebiet eine Spannung U angelegt11 , so liegt an der Verar-
mungszone eine Spannung

UVerarmungszone D UD  U (3.11)

an. Die Weite w der Verarmungszone ist dann für einen abrupten Übergang nach (3.8) zu
berechnen:
s 
nA C nD 2"
wD .UD  U / : (3.12)
nA  nD e

Die Verarmungszone verschwindet also, wenn die Diffusionsspannung von außen angelegt
wird12 . In diesem Falle ist das Material elektrisch kurzgeschlossen. Dies gilt auch für andere
Dotierungsverläufe (vergl. Lösung 3.44).
Da die Ladungsträger am PN-Übergang im Abstand w voneinander getrennt sind, hat jede
Sperrschicht auch kapazitives Verhalten. Diese so genannte Sperrschichtkapazität, CS ; kann

11
Das heißt in . Abb. 3.10, dass die Energie auf der linken Seite verringert wird.
12
Dies ist jedoch ein Fall, der praktisch nie eintritt. Schon unterhalb von UD ist die Kennlinie einer Diode (s. u.) so
steil, dass UD nicht erreicht wird.
96 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

aus der Weite ausgerechnet werden:

A
CS D " (beliebiger Übergang)
w
A
CS D r
(abrupter Übergang) : (3.13)
2.UD U /
3 2 nnAACn
nD
D
"e

Die Anwendung von (3.13) ist nur dann sinnvoll, wenn moderate Ströme fließen. Auch in
Durchlasspolung sind Ladungen noch zusätzlich dynamisch gespeichert: die Minoritätsträger
in der Nähe der Sperrschicht. Deshalb kann jedem PN-Übergang in Durchlassrichtung eine
Diffusionskapazität zugeordnet werden. Bei schneller Umpolung verzögert diese alle Schalt-
vorgänge.
Dioden nutzen die Strom-Spannungs-Kennlinie des PN-Übergangs. Zu deren Verständnis
ist folgende Erkenntnis hilfreich:

An einem PN-Übergang folgen die Minoritätsträger dem elektrischen Feld. So entsteht ein
Feldstrom. Die Majoritätsträger müssen das Feld überwinden. Die Majoritätsträger, die das
gesamte Feld durchqueren, schaffen dies, weil ihre thermische Bewegungsenergie ausreicht,
um die Potenzialbarriere zu überwinden. Sie diffundieren also durch den Übergang, weshalb
man auch von Diffusionsstrom spricht.

In dem Extremfall, dass zur Diffusionsspannung noch eine große in die gleiche Richtung
wirkende Spannung hinzu kommt, wird die Potenzialbarriere für die Majoritätsträger unüber-
windlich hoch. Der Strom am PN-Übergang wird ein reiner Minoritätsträgerstrom, dem kein
Diffusionsstrom mehr entgegensteht.

1 Verarmungszonen sind für Minoritätsträger durchlässig


Minoritätsträger können aufgrund ihrer thermischen Bewegung zufällig in die Verarmungszo-
ne eindringen. Das Feld in der Sperrschicht zieht sie dann zu 100 Prozent herüber. Auf der
anderen Seite finden sie sich als Majoritätsträger wieder. Der so zustande kommende Strom
wird Sperrstrom IS genannt. Dieser Teil, welcher durch das Eindringen der Minoritätsträger
in die Verarmungszone zustande kommt lässt sich im Rahmen der Festkörperphysik (siehe
zum Beispiel [6]) berechnen. In der Realität kommen noch Stromanteile hinzu, die durch
Paarbildung innerhalb der Sperrschicht entstehen. Diese sind, da durch Fehlstellen und Ver-
unreinigungen verursacht, praktisch nicht berechenbar. Der Mangel an Berechenbarkeit ist
jedoch schaltungstechnisch fast immer irrelevant: das Dreifache eines Pikoamperes ist immer
noch wenig.
Wird die von außen angelegte Spannung auf Null reduziert, herrscht ein Gleichgewicht
zwischen Feld- und Diffusionsstrom. Beide Ströme heben sich gegenseitig auf. Der resultie-
rende Gesamtstrom ist Null.
Wird die Spannung in Durchlasspolung erhöht, dann nimmt die Höhe der Potenzialbarriere
für die Majoritätsträger ab und der Diffusionsstrom nimmt exponentiell zu. Denn der An-
teil der Majoritätsträger, die aufgrund ihrer thermischen Bewegungsenergie den Potenzialwall
überwinden können, steigt exponentiell an. Dieser exponentielle Anstieg hat übrigens sei-
nen Ursprung in der exponentiellen Energieverteilung im thermodynamischen Gleichgewicht,
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
97 3

siehe auch (3.1). Die Majoritätsträger, die in die Sperrschicht eindringen, kommen an der an-
deren Seite als Minoritätsträger wieder heraus. Sie rekombinieren ab dem Rande .x D 0/ der
Sperrschicht, und ihre Konzentration nimmt jenseits der Verarmungszone exponentiell ab:

n  n.x D 0/e x=Ln : (3.14)

Den Parameter Ln nennt man Diffusionslänge (siehe zum Beispiel [6]).


Die oben genannten Effekte führen letztlich zu der Diodenkennlinie
 
I D IS e U=UT  1 ; (3.15)

welche für sehr viele schaltungstechnischen Anwendungen hinreichend genau ist. Sie wird
nach ihrem Entdecker auch Shockley-Gleichung13 genannt. Entgegen der Intuition bedeutet
der lawinenartige Anstieg des Stromes nicht das vollständige Verschwinden der Verarmungs-
zone. Sie wird nur von einem rapide anwachsenden Anteil der Majoritätsträger überwunden.
Bei einer Polung des PN-Überganges in Sperrrichtung stellt die Shockley-Gleichung eine
Idealisierung dar, die nur selten beobachtet wird (siehe unten).

1 Vor dem Erreichen der Diffusionsspannung verdampft eine Diode


Erst bei U D UD würde der Wert w D 0 erreicht werden. Bei dieser Spannung könnten
alle Majoritätsträger ungehindert in das angrenzende Gebiet eindringen. Von diesem Punkt
an drehte sich also das Potenzialgefälle an der Sperrschicht um. Es gäbe keine Potenzialbar-
riere mehr. Das Verhalten der Diode würde sich dem eines (niederohmigen) Widerstandes
angleichen, dessen Leitfähigkeit zwischen der des P-Gebietes und der des N-Gebietes liegt.
Sie würde zerstört.
. Abb. 3.11 zeigt, dass sich der Ohm’sche Widerstand schon eher bemerkbar macht: Im
Bereich hoher Ströme weicht das tatsächliche Verhalten einer Diode deutlich von dem durch
die Shockley-Gleichung vorhergesagten ab.
Im Sperrbereich sagt die Shockley-Gleichung fast unmessbar kleine Ströme (oft unterhalb
von einem Nanoampere) voraus. In der Realität werden diese von Verunreinigungseffekten
überlagert: Durch kleinste Einlagerungen, Verspannungen und sonstige Defekte in der Kris-
tallstruktur existieren in der Sperrschicht lokale Energieniveaus zwischen dem Valenz- und
dem Leitungsband. Dadurch ist es Elektronen aus dem Valenzband möglich, in mehreren

. Abb. 3.11 Der auf den Sperr-


strom normierte Strombetrag einer
Siliziumdiode. Die durchgezogene
Linie ist repräsentiert die Shockley-
Gleichung. Die gestrichelte Linie
zeigt das tatsächliche Verhalten bei
großen Strömen, die gepunktete
Linie das tatsächliche Verhalten im
Sperrbereich

13
William B. Shockley, John Bardeen und Walter H. Brattain bekamen 1956 für die Entdeckung des Transistors den
Nobelpreis.
98 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

. Abb. 3.12 Zur Wirkungsweise


einer in Rückwärtspolung betriebenen Energieberg
Zener-Diode: Ein Elektron aus dem
Valenzband des P-Gebietes, welches Leitungsband

Bindungsenergie
durch den Tunneleffekt unter dem
Energieberg hindurchkommt und die Valenzband
Unterkante des Leitungsbandes erreicht, Leitungsband
3 trägt zum Rückwärtsstrom bei
Valenzband
p n
Ort

energetisch kleinen Schritten bis ins Leitungsband zu gelangen. Es reicht oft eine rein thermi-
sche Anregung. Auf diese Weise entstehen in der Sperrschicht Elektronen-Lochpaare, die den
tatsächlichen Sperrstrom bisweilen um Größenordnungen oberhalb der Vorhersage ansteigen
lassen. Die Entstehung innerhalb der Verarmungszone zeigt sich experimentell daran, dass der
Strom einer in Rückwärtsrichtung gepolten Diode mit der Spannung und daher mit der Weite
der Sperrschicht zunimmt.

1 Zusammenbruch nach Maß: Z-Dioden stabilisieren Spannungen


Bei großen Sperrspannungen kann die Sperrschicht einer Diode sogar durchlässig werden
(siehe Aufgabe 3.26). Wird eine Diode so gefertigt, dass diese Spannung reproduzierbar, kon-
stant und einzustellen ist, eröffnet das Ergebnis neue Möglichkeiten in der Schaltungstechnik.
Die folgenden Mechanismen lassen eine Diode in Rückwärtsrichtung leitfähig werden:
4 Der Zener-Durchbruch wird meist für Dioden mit Durchbruchspannungen unterhalb von
fünf Volt verwendet. Er ist ein nur mit Hilfe des quantenmechanischen Tunneleffektes
beschreibbarer Mechanismus. Der Tunneleffekt ist eine Konsequenz der Tatsache, dass
sich ein Elektron nach den Gesetzen der Quantenmechanik für eine sehr kurze Zeit in
Gebieten aufhalten kann, für deren „Betreten“ ihm normalerweise die nötige Energie
fehlt. Wenn sich nun jenseits eines solchen Gebietes eine Region geringer Energie befin-
det, so besteht eine normalerweise verschwindend geringe Wahrscheinlichkeit, dass das
Elektron in der neuen Region bleibt, so als gäbe es einen Tunnel durch den Energieberg.
Bei Zener-Dioden sind es, wie in . Abb. 3.12 gezeigt, die in sehr großer Zahl vorhande-
nen Valenzelektronen des P-Gebietes, die eigentlich energetisch gebunden sind, sich aber
mit endlicher Wahrscheinlichkeit dennoch im N-Gebiet wiederfinden und so den Rück-
wärtsstrom ansteigen lassen. Der Zener-Effekt tritt auf, wenn durch hohe Dotierung die
Sperrschicht so schmal ist, dass Feldstärken von 30 Millionen V=m auftreten.
4 Der Lawinendurchbruch entsteht, wenn das elektrische Feld in der Sperrschicht so groß
ist, dass ein Elektron zwischen zwei Kollisionen mit den ortsfesten Halbleiteratomen
genug kinetische Energie gewinnt, um mindestens ein weiteres Elektron aus dem Kris-
tallverband zu lösen. Geschieht dies hinreichend oft innerhalb der Sperrschicht, so steigt
die Anzahl der Ladungsträger exponentiell, also lawinenartig an. Dioden, die den La-
wineneffekt ausnutzen, sind moderat dotiert und haben dadurch eine große Weite der
Sperrschicht. Mit Hilfe der Dotierung wird die Durchbruchspannung eingestellt. Für
Durchbruchspannungen oberhalb von fünf Volt werden fast ausschließlich Lawinen-
durchbruchdioden verwendet, weil die große Weite der Sperrschicht eine weniger kon-
zentrierte Wärmeentwicklung bewirkt. Der Lawinendurchbruch hat einen positiven
Temperaturkoeffizienten.
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
99 3

Beide Durchbrucharten beenden sich selbst, wenn die Feldstärke in der Sperrschicht unter den
kritischen Wert absinkt. Daher stellt sich bei der Reihenschaltung einer Z-Diode mit anderen
Bauelementen eine Spannung ein, die leicht unterhalb der Durchbruchspannung liegt.
Wird einer der oben beschriebenen Dioden dauerhaft zu viel Strom eingeprägt, wird die
Sperrschicht so heiß, dass eine Vielzahl von Elektron-Loch-Paaren entsteht, wodurch der
Strom und mit ihm die Hitzeentwicklung noch weiter ansteigt. Das Resultat ist eine Zerstö-
rung der Diode durch einen thermischen Durchbruch.

! Vorsicht ungenaue Sprache!


Dioden mit festgelegtem Rückwärtsdurchbruch werden meist pauschal als Z-Dioden bezeich-
net, selbst dann, wenn sie nicht auf dem Zener-Effekt basieren.

1 Metall-Halbleiter-Kontakte können neue Dioden entstehen lassen


Verarmungszonen können auch entstehen, wenn dotierte Halbleiter mit Metallen in Kontakt
treten. Dies ist schon deswegen von großer Relevanz, weil Halbleiter-Bauelemente irgendwie
angeschlossen werden müssen. Entscheidend für das elektrische Verhalten eines Halbleiter-
Metall-Kontakts ist die Antwort auf die Frage: „Kann ein Elektron dadurch Energie verlieren,
dass es so wandert, dass eine Verarmungszone entsteht?“ Dies ist entweder der Fall, wenn
ein Donator-Elektron den Halbleiter verlässt oder wenn ein Akzeptor-Loch von einem Elek-
tron aus dem angrenzenden Metall aufgefüllt wird. . Abb. 3.13 zeigt, dass hierüber letztlich
die relative Position der Fermi-Niveaus entscheidet: Wenn das Fermi-Niveau eines Metalls
niedriger liegt als das eines N-dotierten Halbleiters, dann wandern die Donator-Elektronen
in das Leitungsband des Metalls. Nahe dem Metallanschluss entsteht so im Halbleiter eine
Verarmungszone. Wenn andererseits das Fermi-Niveau des Metalls höher liegt als dasjenige
eines P-dotierten Halbleiters, dann wandern Elektronen aus dem Metall in den Halbleiter ein
und besetzen die Fehlstellen der Akzeptor-Ionen. Es entsteht eine Löcher-Verarmungszone im
Halbleiter.

. Abb. 3.13 Energieniveaus von Ort


Halbleitern (in der Mitte) und Metal- 0
len vor einer Kontaktierung. Ist der
Leitungsband EF
Bindungsenergie

Halbleiter mit Donatoren dotiert, so


Leitungsband
entsteht eine Verarmungszone durch Donator-Elektronen
Abwandern der Halbleiter-Elektronen Leitungsband
(Schottky). Ist der Halbleiter mit Valenzband
Akzeptoren dotiert, so führt das Ein-
wandern von Metall-Elektronen in die
Akzeptor-Löcher zur Bildung einer Schottky Ohm
Verarmungszone
Ort
0

Leitungsband
Bindungsenergie

Akzeptor-Löcher EF
Leitungsband
Valenzband
Leitungsband

Ohm Schottky
100 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

Ähnlich wie im Falle des PN-Überganges entsteht mit der Elektronenwanderung ein Poten-
zialgefälle, welches durch äußere Spannung verstärkt oder abgebaut werden kann. Man nennt
solche Übergänge auch Schottky-Dioden. Denn diese Übergänge entwickeln eine ähnliche
Strom-Spannungs-Kennlinie wie PN-Dioden. Allerdings haben Schottky-Dioden mit ca. 0,3
Volt relativ kleine Kniespannungen, und der Stromanstieg ist weniger steil als beispielsweise
3 der von Siliziumdioden.
Bewirkt die Wanderung der Elektronen kein Entstehen einer Verarmungszone, dann spricht
man von einem Ohm’schen Kontakt. Dies ist nichts als Konvention.
Aus . Abb. 3.13 wird deutlich, dass es unmöglich ist, ein Metall zu finden, welches so-
wohl P-Gebiete als auch N-Gebiete ohne die Entstehung einer Schottky-Diode verbindet.
Für die Produktion hochintegrierter Schaltungen ist die Möglichkeit, unterschiedlich dotierte
Gebiete elektrisch zu verbinden aber zwingend notwendig. Ein technologischer Ausweg ist
die Ausnutzung des Tunneleffekts mittels Hochdotierung der Kontaktstellen. Denn auch bei
Schottky-Dioden sinkt die Weite der Verarmungszone mit der Dotierung. Für N > 1026 m3
wird die Anzahl der durch die Verarmungszone tunnelnden Elektronen hinreichend groß, um
einen guten Kontakt zu gewährleisten.

1 Solarzellen nutzen die Paarerzeugung in der Verarmungszone


Es gibt Halbleiter-Materialien (meist vom III-V-Typ), bei denen die Energie, die ein Elek-
tron beim Ins-Loch-Fallen (Rekombinieren) verliert, direkt in Form eines Photons abgegeben
werden kann. Solche Materialien heißen direkte Halbleiter. Da alle zum Vorwärts-Stromfluss
beitragenden Elektronen und Löcher nach dem Passieren des PN-Übergangs rekombinieren
müssen, geben solche Dioden Licht ab und heißen daher Leuchtdioden, LED14 . Da fast alle
Löcher ganz oben im Valenzband und fast alle Elektronen ganz unten im Leitungsband behei-
matet sind, ist die Wellenlänge des abgegebenen Photons durch den Bandabstand vorgegeben:
hc hc
EPhoton D
! : (3.16)
 EL  EV
Halbleiter-Materialien wie Silizium oder Germanium, bei denen ein erheblicher Teil der Ener-
gie nicht an das Photon, sondern an das Kristall abgegeben wird, werden indirekte Halbleiter
genannt.
Dioden, die den umgekehrten Prozess ausnutzen heißen Photodioden, wenn sie großflächig
gebaut werden auch Solarzellen. Wie in . Abb. 3.14 gezeigt, werden für beide Anwendungen
verschiedene Teile der Kennlinie ausgenutzt.15 Die Kennlinie der lichtempfindlichen Diode
ist um einen konstanten Betrag nach unten verschoben. Dieser Betrag ist proportional zur
Einstrahlung. Dabei tragen nur Photonen zum Strom bei, deren Wellenlänge höchstens so
groß ist, wie in (3.16) angegeben.

. Abb. 3.14 Kennlinie einer lichtempfindlichen


Diode: Je mehr Licht einstrahlt desto weiter wird die
Kennlinie nach unten verschoben. Bei U  I < 0 wird
Licht in elektrische Energie umgewandelt

14
Licht emittierende Diode oder engl: light emitting diode
15
Bei einem Verbraucher fließt der Strom in Richtung C ! , bei einem Generator in umgekehrter Richtung.
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
101 3

3.1.4 Bipolar-Transistoren

Transistoren werden konstruiert, um mit kleinen Eingangsleistungen große Ausgangsleis-


tungen zu steuern. Beim Bipolar-Transistor steuert ein kleiner Strom, der Basisstrom, einen
großen Strom, den Kollektorstrom. Er besteht, wie . Abb. 3.15 zeigt, aus zwei PN-Übergän-
gen. Damit aus diesen beiden Dioden ein Bipolar-Transistor wird, werden zwei technische
Kniffe verwandt:
4 Das Emitter (E) genannte Gebiet wird sehr viel höher dotiert als die darunter liegende
Basis. Dadurch wird erreicht, dass im Durchlassbereich der Diode der Strom durch den
PN-Übergang fast ausschließlich aus Elektronen besteht. Das N-Gebiet sendet Elektro-
nen aus. Es emittiert Elektronen
4 Die Basis B wird sehr viel dünner als eine Diffusionslänge gemacht. Aus dem Emit-
ter eindringende Elektronen erreichen daher mit sehr hoher Wahrscheinlichkeit den
PN-Übergang zwischen Basis und Kollektor. Der Kollektor C sammelt die meisten Elek-
tronen ein, bevor sie in der Basis Löcher besetzen können. Er führt also eine Elektronen-
kollekte durch.

Die beiden Kniffe funktionieren besonders gut, wenn die Kollektor-Basis-Diode gesperrt
ist. Dieser PN-Übergang ist dann nur für die Minoritätsträger, also die aus dem Emitter kom-
menden Elektronen durchlässig. Der Strom durch die Basis-Kollektor-Diode ist also fast ge-
nau gleich dem aus dem Emitter kommenden Strom. Damit bleibt für den Strom aus der
Basis heraus fast nichts übrig. . Abb. 3.16 zeigt die Bilanz der Ladungsträgerströme. Der
Basisstrom setzt sich aus zwei Teilen zusammen: erstens aus dem Löcherstrom durch den PN-
Übergang. Dieser ist um so kleiner, je höher das Konzentrationsgefälle vom Emitter zur Basis
ist; zweitens aus dem Elektronenstrom, der in der Basis rekombiniert. Dieser Anteil sinkt mit
der Weite der Basis. Die restlichen Elektronen des Emitters erreichen die Sperrschicht zum
Kollektor.

1 Die Transistor-Stromverstärkung müsste eigentlich Stromsteuerung heißen


Das Erreichen des Kollektors durch die Basis-Minoritäten macht den Transistor zum Strom-
verstärker: Denn wenn der Emitter-Kollektor-Strom immer ein großes Vielfaches des Emitter-
Basis-Stromes ist, dann lässt sich über einen kleinen Basisstrom ein großer Kollektorstrom
festlegen. Für diesen Betrieb ist der Transistor konstruiert, weshalb man für diese Konfi-
guration auch von Normal- oder Vorwärtsbetrieb spricht. Man kann die Stromverstärkung

. Abb. 3.15 NPN Bipolar-Transistor als Schaltsymbol, Prinzipskizze E E


und im Querschnitt E B C
n
n p n
B B p
B
n

C C

. Abb. 3.16 Ladungsträgerbewegungen im Bipolar-Transistor bei IE IB IC


gesperrter Basis-Kollektor-Diode. Die Elektronenbewegungen sind
hell, die Löcherbewegungen dunkel dargestellt. Die Pfeile oben geben E
die technischen Stromrichtungen an B
C
102 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

a b

. Abb. 3.17 Kennlinienfeld eines typischen Bipolar-Transistors: oben rechts IC .UCE / für verschiedene Basisströ-
me, unten links IB .IBE /; dazwischen IC .IB /, also die leicht von UCE abhängige Stromverstärkung

Bf im Vorwärtsbetrieb als Funktion des Anteils Ae des Elektronenstromes am Strom durch


die Emitter-Diode und der Wahrscheinlichkeit PR eines Elektrons, vor Erreichen der Basis-
Kollektor-Verarmungszone zu rekombinieren, bestimmen:

IC Ae .1  PR /
Bf D D : (3.17)
IB Ae PR C .1  AE /

Die Stromverstärkung wächst also mit dem Konzentrationsgefälle vom Emitter zur Basis,
und sie wird durch eine dünne Basis begünstigt. Die Eigenschaften eines Bipolar-Transistors
werden in einem Kennlinienfeld zusammengefasst, wie es in . Abb. 3.17 gezeigt wird. Die-
se Darstellung erlaubt es, für eine gegebene äußere Beschaltung die Ströme und Spannungen
zeichnerisch und ohne Modellannahmen zu bestimmen. Ein Beispiel ist in Aufgabe 3.40 zu
sehen. Die Kennlinie der Basis-Emitter-Diode ähnelt der des normalen PN-Übergangs, steigt
aber bei großen Strömen etwas weniger steil an. Die Hochinjektion führt in dem zwischen
Emitter und Kollektor liegenden Teil der Basis zum Verschwinden der Löcher und damit zu
einer Reduktion der für die Diodenfunktion wirksamen Querschnittsfläche. Zu jedem Basis-
strom gehört eine Kollektor-Strom-Spannungs-Kennlinie. Diese ist in weiten Bereichen eine
fast gerade, flach verlaufende Kurve.

1 Der Kollektorstrom steigt, wenn die Basis schmaler wird


Die fast gerade verlaufenden Kennlinienabschnitte in . Abb. 3.17 extrapolieren nach links
auf einen gemeinsamen Spannungspunkt, der Early-Spannung genannt wird. Das leichte
Ansteigen der Kennlinien wird Early-Effekt genannt. Dieser Effekt hat die folgende Ursa-
che: Mit steigendem UCE wird die Basis-Kollektor-Sperrschicht breiter. Dadurch wird der
Basis-Bereich, in dem die Elektronen rekombinieren können, noch schmaler. Das Verhältnis
IC =IB steigt damit an. Welchen Wert IC hat (bildlich: auf welchem Punkt der Kollek-
tor-Emitter-Kennlinie sich der Transistor befindet), hängt von der äußeren Beschaltung ab.
Der Kollektorstrom ist ein Vielfaches des Basisstromes. Der Faktor hängt leicht von der
Kollektor-Emitter-Spannung UCE ab. In sehr vielen Fällen ist das um den Early-Effekt erwei-
terte Ebers-Moll-Modell eine gute Beschreibung des Kollektorstromes in Abhängigkeit der
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
103 3
. Abb. 3.18 Die Operationsmodi des
Transistors von links nach rechts, je
nachdem, ob die großen Potenzialbar-
rieren unten, oben, beidseitig oder gar
nicht vorhanden sind. Der Normalbe-
trieb ist der Vorwärtsbetrieb

Basis-Emitter-Spannung:
 
UCE
IC D IS e UBE =UT 1C .NPN  Transistor/ : (3.18)
UA

In (3.18) wird UA die Early-Spannung genannt.


Durch Anlegen verschiedener Spannungen können die PN-Übergänge auf insgesamt vier
Arten kombiniert werden. . Abb. 3.18 zeigt, wie. Vertauscht man Emitter und Kollektor
(Rückwärtsbetrieb), so ist die Verstärkung meist kleiner als Eins. Entscheidend für die An-
wendbarkeit eines Transistors sind fast immer dessen Eigenschaften im Vorwärtsbetrieb. Die
Eigenschaften des Rückwärtsbetriebs sind nur bei einigen TTL-Schaltungen relevant. Der
Sättigungsbetrieb wird bei schnellen Schaltungen vermieden: In Sättigung ist die Stromver-
stärkung kleiner als im Vorwärtsbetrieb. In diesem Betriebszustand ist die gesamte Basis,
nicht nur der kleine Teil zwischen Kollektor und Emitter, mit Minoritätsträgern angefüllt.16
Da es eine gewisse Zeit braucht, bis all diese Minoritätsträger die Basis wieder verlassen
haben, wird der Sättigungsbetrieb langsamer verlassen, als für viele Anwendungen nötig.

! Vorsicht ungenaue Sprache!


Ein Transistor sollte niemals voll durchgeschaltet genannt werden. Denn es ist unklar, ob das
mit vollem Spannungsabbau, also Sättigung, oder mit voller Verstärkung, also im Vorwärts-
betrieb, oder mit voller Basis, also doch in Sättigung, oder mit voller Geschwindigkeit, also
doch Vorwärtsbetrieb bedeutet. Wer in einer Prüfung mehr als voll nur die halbe Punktzahl
bekommen möchte, dem reichen die Begriffe Vorwärtsbetrieb und Sättigung – völlig.

Komplementär zum bisher diskutierten NPN-Transistor gibt es den . Abb. 3.19 gezeigten
PNP-Transistor. Dieser funktioniert genau so wie der NPN-Transistor, allerdings mit genau
umgekehrten Stromrichtungen: im Normalbetrieb fließt beim PNP-Transistor Strom aus der

. Abb. 3.19 NPN- und PNP-Transistor neben ihren Schalt- IE E IE E


symbolen. Der Pfeil zeigt immer die Basis-Emitter-, bzw.
Emitter-Basis-Diode; in jedem Fall auf ein N-Gebiet n p
IB IB
B p
B B n

n p

IC C IC
C
a NPN-Transistor b PNP-Transistor

16
Man kann, da Ladung gespeichert wird, auch von einer großen Diffusionskapazität sprechen.
104 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

Basis heraus. Seine Gleichungen nach dem Ebers-Moll-Modell,


 
UEC
IC D IS e UEB =UT 1C .PNP  Transistor/ ;
UA

erhält man, indem man relativ zum NPN-Transistor alle Spannungs- und Stromrichtungen
3 vertauscht.

3.1.5 MOS-Transistoren

Der Metal Oxyde Semiconductor Transistor, kurz MOS-Transistor, kann ohne dauerhafte Ein-
gangsströme die Größe von Ausgangsströmen definieren. Er ist daher der Transistor, der
im Verbund mit der CMOS Entwurfstechnik Schaltungen mit besonders geringen Verlust-
leistungen ermöglicht. Genau aus diesem Grund basieren heute fast alle hochintegrierten
Digitalschaltungen auf MOS-Transistoren. Und da ein gutes Oxyd entscheidend für die Qua-
lität eines MOS-Transistors ist, hat sich der Halbleiter mit dem besten eigenen Oxyd, das
Silizium mit seinem Oxyd Quarz, SiO2 , durchgesetzt, obwohl andere Halbleiter höhere Be-
weglichkeiten der Ladungsträger haben, damit also potenziell schneller erscheinen. Silicon
Valley hieße ohne den MOS-Transistor heute Germanium Valley.
. Abb. 3.20 zeigt den prinzipiellen Aufbau der Transistortypen. Die eigentliche Funktion
findet direkt unter dem Gate-Oxid statt. Das Gate-Oxid ist eine aus weniger als 100 Atomlagen
bestehende Quarzschicht zwischen dem Gate-Anschluss und dem darunter liegenden Body.
Bei den neuesten Prozessorgenerationen finden sogar Gates von nur noch fünf (!) Atomlagen,
entsprechend einer Dicke von 1,2 nm, Verwendung.

1 Ein elektrisches Feld zieht den Strom leitende Minoritätsträger unter das Oxid
Die grundsätzliche Wirkungsweise eines MOS-Transistors ist in . Abb. 3.21 zu sehen. Wenn
das Gate eines NMOS-Transistors gegenüber dem Body positiv geladen ist, dann sorgt das
(durch das schmale Gate-Oxid) sehr starke elektrische Feld dafür, dass die Elektronen im
P-Gebiet Energie gewinnen können, indem sie sich an der Unterseite des Gate-Oxids sam-
meln. Auf diese Weise werden die Löcher unmittelbar unter dem Oxyd besetzt. Es entsteht
eine negativ geladene Verarmungszone unter dem Gate-Oxid. Dies schwächt das Feld (glei-
che Spannung über einen größeren Abstand). Die Breite der Verarmungszone wächst mit der
Potenzialdifferenz zwischen Gate und Body.
Ab einer bestimmen Spannung UT h;N , auch Schwellspannung genannt, ist es für das erste
Elektron energetisch günstiger, im Leitungsband unter dem Gate-Oxid zu bleiben, als im Body

. Abb. 3.20 NMOS-Transistor (a) und PMOS-Transistor (b) mit


den Anschlüssen Body (B), Source (S), Gate (G) und Drain (D).
Was Source und was Drain ist, bestimmen die angeschlossenen n n
Potenziale. Die Source ist Quelle der Ladungsträger, die Drain p
Senke der Ladungsträger a

p p
n
b
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
105 3
. Abb. 3.21 Zur Funktionsweise des NMOS-Transistors: -

a ohne externe Spannung PN-Sperrschichten, b bei klei- + UG


ner positiver Gate-Body-Spannung Entstehung einer
Verarmungszone unter dem Oxyd, c bei UGS > UT h;N
Inversionskanal mit Kontakt zu N-Gebieten, d bei UDS > 0
Strom von Drain zur Source a b
- - -

+ UG + UG +
UD

c d

zu rekombinieren. Es entsteht eine sehr dünne, Inversionsschicht genannte Lage von Elektro-
nen, die konstruktionsbedingt Kontakt zum angrenzenden Source-Gebiet17 und zum N-Gebiet
haben. Dieser Kontakt hat zur Folge, dass das Potenzial in der Inversionsschicht durch das
Source-, bzw. Drain-Potenzial bestimmt wird. Es entsteht um das Siliziumdioxid herum ein
Kondensator mit einer um UT h;N verschobenen Charakteristik:

"0 "SiO2 ASiO2


Q D C  .UG  UT h;N / D  .UG  UT h;N / : (3.19)
dSiO2

Dabei sind ASiO2 und dSiO2 die Fläche und der Durchmesser des Oxyds. Auf dem Gate ist die
Ladung CQ, im Silizium die Ladung Q gebunden.
Wird die Drain positiv aufgeladen, dann fällt entlang der Inversionsschicht eine Spannung
ab (siehe . Abb. 3.22) und ein Strom beginnt in einer Weise zu fließen, die als Anlauf be-
zeichnet wird. Dessen Größe ergibt sich wie folgt: Unter dem Oxyd variiert die Spannung U
im Kanal zwischen U D US D 0 am Source-Ende und U D UD am Drain-Ende. So ist auch
die gebundene Ladung eine Funktion des Ortes x zwischen den beiden Gebieten. Auf einem
Flächenstück dASiO2 D w  dx ist eine Ladung

"w
dQ D   .UG  UT h;N  U /dx (3.20)
dSiO2

gebunden. Der Strom I D dQ=dt fließt entgegen der Elektronengeschwindigkeit ve D


dx=dt . Diese Geschwindigkeit ist ve D n  E und damit ve D n  E D n d U=dx.

. Abb. 3.22 Zur Herleitung der MOS-Kennlinie im


Anlauf: Bei einem NMOS-Transistor mit der Weite
w und der Länge l bewegen sich die Elektronen mit v
einer Geschwindigkeit ve von der Source zur Drain und
ergeben einen Strom I von der Drain zur Source

17
Technologisch sind Source und Drain identisch. Welcher von beiden Anschlüssen was ist, wird nur durch die
Beschaltung festgelegt. Beim NMOS-Transistor hat die Source das niedrigere, beim PMOS-Transistor das höhere Po-
tenzial. Durch diese Konvention ist sichergestellt, dass ein Kanal entweder durchgängig oder Source-seitig angebunden
ist. Wenn er wächst, dann von der Source zur Drain und nicht umgekehrt.
106 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

So ergibt sich für den Strom

"  w  n dU
IDS D   .UG  UT h;N  U / : (3.21)
dSiO2 dx

Dies ist eine eine Differenzialgleichung, die durch Integration von 0 bis l und von UD bis 0
3 gelöst wird:

"  w  n 1
IDS D  .UG  UT h;N /  UD  UD2 .NMOS; Anlauf/: (3.22)
dSiO2  l 2

Da der Einfluss des Body-Potenzials durch die Verarmungszone meist gering ist, kann man
(3.22) auf von Null verschiedene Source-Spannungen, US , generalisieren. Mit UGS D UG 
US und UDS D UD  US wird

"  w  n 1 2
IDS D  .UGS  UT h;N /  UDS  UDS : (3.23)
dSiO2  l 2

Gl. (3.23) gibt den Strom eines NMOS-Transistors von der Drain zur Source an. Die von der
Technologie und dem Chip-Entwurf bestimmten Vorfaktoren werden meist zusammengezo-
gen, so dass (3.23) als

1 2
IDS D ˇN  .UGS  UT h;N /  UDS  UDS (3.24)
2

geschrieben werden kann.

1 Alle Elektronen, die das Kanalende erreichen, erreichen auch die Drain
Für ein gegebenes UGS hat der Strom nach (3.24) ein Maximum bei UGS  UT h;N D UDS .
An diesem Punkt ist UGD D UT h;N , mit anderen Worten: Der Strom erreicht sein Maximum,
wenn der Kanal gerade noch an das Drain-Gebiet heranreicht. Wenn UDS noch weiter steigt,
dann erreicht der Kanal die Drain nicht mehr. Damit sind die Voraussetzungen, die zu (3.23)
führen, nicht mehr erfüllt. . Abb. 3.23 zeigt die neue Situation. Elektronen, die das Kanal-
ende erreichen, werden vom elektrischen Feld zwischen Kanalende und der Drain durch die
Verarmungszone gezogen.18 Auf dem Weg zur Drain sind keine Löcher zum Rekombinieren
vorhanden.

. Abb. 3.23 Spannungen an einem abgeschnürten NMOS-Transistor: UB US UG UD


Wenn UGD < UT h;N wird, erreicht der Kanal nicht mehr das Drain-Ende.
Das Potenzial am Kanal-Endpunkt hängt nur von UG ab

UG - UTh,N = 0

18
Zwischen dem Kanalende und der Drain passiert also das Gleiche wie in der Verarmungszone zwischen Basis und
Kollektor eines Bipolar-Transistors im Vorwärtsbetrieb.
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
107 3
. Abb. 3.24 Die Drain-Strom-Spannungs- Abschnür-
Kennlinie eines MOS-Transistors in nullter Anlauf bereich
1

Drain-Strom in Milliampère
Näherung; links der gepunkteten Parabel ist er im
Anlauf, rechts im Abschnürbereich UGS = 2,4 V
0,8

0,6
UGS = 2,0 V
0,4
UGS = 1,5 V
0,2
UGS = 1,0 V
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
Drain-Source Spannung in Volt

So kann in nullter Näherung angenommen werden, dass der Strom bei einer Erhöhung von
UDS über den Wert von UDS D UGS  UT h;N hinaus konstant bleibt:

ˇN
IDS D  .UGS  UT h;N /2 : (3.25)
2

. Abb. 3.24 zeigt, dass der Drain-Strom IDS als Funktion der Spannung UDS jeweils beim
Schneiden mit der Parabel IDS D ˇN UDS 2
=2 vom Anlauf in den Abschnürbereich übergeht.
Ein von UDS ganz unabhängiger Drain-Strom ist jedoch physikalisch nicht sinnvoll. Das
zeigt folgende Überlegung: Wenn bei konstantem Gate- und Source-Potenzial das Drainpo-
tenzial im Abschnürbereich erhöht wird, dann wandert der Endpunkt des Kanals näher an
die Source heran. . Abb. 3.23 aber zeigt: Die Spannung zwischen Drain-Ende und Source
bleibt dabei immer die selbe: UGS  UTH;N . Gleiche Spannung auf kleinerer Distanz ergibt
ein stärkeres Feld. Der Strom muss ansteigen.
Bei der Beschreibung des Stromanstiegs wird meist die so genannte Kanallängenmodula-
tion N verwendet, mit deren Hilfe der Ausdruck nullter Ordnung modifiziert wird:

ˇN
IDS D  .UGS  UT h;N /2  .1 C N UDS / : (3.26)
2

! Vorsicht Fehlinterpretation!
Dies ist ein rein phänomenologischer Ansatz und nicht die Linearisierung einer physikalisch
begründeten Formel. Der Term UDS modifiziert die Kennlinie so, dass sie bei gegebenem
UGS nicht mehr nahtlos an den Anlauf anschließt. Denn sie setzt nicht an dem Punkt an, ab
dem der Kanal abgeschnürt ist (UGD D UT h;N ), sondern bereits bei UDS D 0. Daher sollte der
Faktor  schlicht als einfachste, aus der Kleinsignalanalyse entlehnte Möglichkeit angesehen
werden, alle den Strom erhöhenden Effekte zusammenzufassen.

1 3-D-Transistoren minimieren die Ströme in das Substrat hinein


Die Formen von in der Massenproduktion von Digitalchips befindlichen MOS-Transistoren
weichen heute teilweise stark von der in . Abb. 3.21 gezeigten Geometrie ab. Seit 2011 wer-
den die Transistoren in den Prozessoren der Firma Intel in Serie so produziert, wie es . Abb.
3.25 darstellt. Durch die senkrechten Anteile des Kanals wird die effektive Weite deutlich
größer, als es die (von oben sichtbare) Breite des Kanals ist. Ein unterhaltsames Video hierzu
befindet sich im Internet auf youtube. [3]
108 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

. Abb. 3.25 3 D Transistor: Bei diesem Transistor verläuft der Kanal


wie an den Wänden eines Tunnels entlang. Der dargestellte Transistor
ist etwa 22 nm lang und Teil eines Intel-Prozessors

Bis zur Einführung der Transistoren mit vertikalen Kanalkomponenten waren die Leckströ-
me der Transistoren durch den Source-Body PN-Übergang und den Drain-Body-Übergang ein
begrenzender Faktor der Energieeffizienz und der Packungsdichte von Transistoren. Anfang
des 21. Jahrhunderts galt folgende Faustformel: Die Summe aller Leckströme ist so groß wie
die der Umschaltströme, mit steigender Tendenz. Durch die sehr viel kleinere Fläche zwi-
schen Source und Body bzw. Drain und Body ist dieses Problem praktisch gelöst und heute
kein Thema mehr. Die Verkleinerung dieser Flächen hat einen weiteren unschätzbaren Vor-
teil: Dadurch, dass die Parasitärkapazitäten proportional zur Fläche kleiner werden, steigt die
maximal mögliche Schaltfrequenz (siehe . Abb. 3.39 weiter unten).
Wer die Funktion des NMOS-Transistors kennt, kennt bis auf einige Vorzeichen auch die
des PMOS-Transistors. Denn für den PMOS-Transistor führen die gleichen Überlegungen zur
entsprechenden Strom-Spannungs-Gleichung

"  w  p 1 2
ISD D  .UGS  UT h;P /  UDS  UDS
dS iO2  l 2
 (3.27)
1 2
ISD D ˇP  .UGS  UT h;P /  UDS  UDS :
2

! Vorsicht Vorzeichen!
Wenn alle Vorfaktoren positiv sind, fließt beim PMOS-Transistor der Strom von der Source zur
Drain. Außerdem gilt im Gegensatz zum NMOS-Transistor: TT h;P ist negativ. Im Abschnürbe-
reich gilt entsprechend in nullter Näherung
ˇP
ISD D  .UGS  UT h;P /2 ; (3.28)
2
und der Kanallängenmodulationsfaktor P in einem Korrekturterm .1P UDS / ist auch nega-
tiv, da UDS definitionsgemäß negativ ist (sonst müssten Source und Drain die Namen tauschen).

Die oben genannten Formeln sind gute Wegweiser. Allerdings, je näher die MOS-Technologie
der Ein-Nanometer-Marke kommt, desto stärker machen sich Effekte, die bei sehr kurzen
Distanzen wichtig werden, bemerkbar. Das Verhalten eines MOS-Transistors, wie er zum Bei-
spiel in neueren smart phones vorkommt, ist praktisch nur noch anhand von Messungen in
numerischer Form bekannt.

3.1.6 Leistungshalbleiter

Leistungshalbleiter verbinden logische Schaltungen und elektrische Maschinen. Anders aus-


gedrückt: Leistungshalbleiter machen aus starken Maschinen intelligente starke Maschinen.
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
109 3

. Abb. 3.26 Typen und Bauformen verschiedener Leistungshalbleiter-Bauelemente. Für alle Typen gibt es ver-
schiedene Bauformen

So hat die Entwicklung der Leistungshalbleiter erst marktfähige Elektro-Automobile und


ruckfrei anfahrende Hochgeschwindigkeitszüge ermöglicht. Heute werden in der Leistungs-
elektronik Thyristoren, Vertical Double Diffused MOS-Transistoren, so genannte VDMOS-
Transistoren und Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs eingesetzt.
Beispiele hierfür zeigt . Abb. 3.26. Thyristoren sind einschaltbare Dioden. Diese können
Spannungen im Kilovoltbereich sperren und Kiloampere schalten. Einmal gezündet bleibt
ein Thyristor leitfähig, bis die Spannung gegen Null geht oder der Strom kleiner als der
Haltestrom wird. In Wechselstromanwendungen werden gerne TRIACs verwendet, das sind
in einem Bauteil zusammengefasste, antiparallele Thyristoren mit gemeinsamem Steueran-
schluss.
Schneller als Thyristoren und ohne Zündung schalten VDMOS-Transistoren, das sind
sehr große MOS-Transistoren. Deren Weiterentwicklung, die IGBTs, haben eine zusätzliche
Stromvervielfältigung durch eine nachgeschaltete, asymmetrische Diode.

1 Thyristoren sind einschaltbare Dioden


Bereits 1956 wurde das erste Leistungshalbleiter-Bauelement erfunden: der Thyristor. Dieser
verhält sich wie eine durch einen kleinen Steuerstrom einschaltbare Diode. Intern besteht ein
Thyristor, wie . Abb. 3.27 zeigt, aus vier Dotierungsschichten in der Reihenfolge pnpn. Man
kann sich ihn also als Reihenschaltung von drei Dioden vorstellen, von denen entweder die
beiden äußeren (D1 und D3 ) oder die mittlere (D2 ) leitet. Der Grundzustand eines Thyristors
ist daher praktisch stromlos.
Genau wie der NPN-Transistor erhält auch der Thyristor seine Funktionsfähigkeit dadurch,
dass die zwischen den N-Schichten gelegene P-Schicht sehr dünn gehalten und deutlich weni-
ger stark dotiert wird als die darüber gelegene N-Schicht (nC in . Abb. 3.27). Diese P-Schicht

. Abb. 3.27 Der prinzipielle Aufbau


eines Thyristors und sein Schaltsymbol.
Dieses verdeutlicht seine Funktion als
einschaltbare Diode
110 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

. Abb. 3.28 Eine typische Thyristorkennlinie; links


unten in Rot der Sperrbereich, rechts in Magenta der
Übergangsbereich, gezeichnet für vier Werte I3 ; I2 ; I1 ; 0
des Gate-Stroms, in Grün der Durchlassbereich

verhält sich wie die Transistorbasis, während die mit nC bezeichnete Schicht die Funktion des
Emitters übernimmt.
Wird die Diode D3 mit Hilfe des Gate-Anschlusses in Vorwärtsrichtung gepolt, dann sorgen
Geometrie und Dotierungskonzentrationsgefälle dafür, dass viele Minoritätsträger die Sperr-
schicht der Diode D2 erreichen. Der größte Teil der Elektronen aus der Kathode erreicht daher
die unten liegende N-Schicht – genau wie beim NPN-Transistor im Vorwärtsbetrieb. Der
Unterschied: Wenn erst einmal ein Strom fließt, wächst die Anzahl der in die Sperrschicht
eindringenden Elektronen lawinenartig an. Denn je mehr Strom fließt, desto mehr Elektronen
werden von der Kathode geliefert. In diesem Fall sagt man, der Thyristor wurde gezündet.
Er verhält sich nun so ähnlich wie eine einfache Diode, solange mindestens der so genann-
te Haltestrom fließt oder die Polung umgekehrt wird. Dann bricht der Strom zusammen, der
Thyristor ist gelöscht.
Das Verhalten eines Thyristors kann in der in . Abb. 3.28 gezeigten Kennlinie zusammen-
gefasst werden. Wird er in Sperrrichtung angeschlossen, so fließt bis zur rückwärtigen Durch-
bruchspannung UBr nur ein sehr geringer Strom (roter Teil der Kennlinie in . Abb. 3.28). Bei
Vorwärtspolung fließt zunächst ein mit dem Gate-Strom anwachsender Strom von der Anode
zur Kathode (in Magenta gezeichneter Teil der Kennlinie in . Abb. 3.28). In diesem Bereich
ist das Verhalten dem eines Bipolar-Transistors ähnlich. Ab einer Spannung, welche umso ge-
ringer ist, je mehr Strom durch das Gate fließt, zündet der Thyristor: die Spannung zwischen
Anode und Kathode bricht zusammen, und es können sehr große Ströme fließen (grüner Teil
der Kennlinie in . Abb. 3.28). Hat der Thyristor diesen Bereich erreicht, so bleibt er unab-
hängig vom Gate-Strom gezündet, solange der Haltestrom IH nicht unterschritten wird. Ab
einer bestimmten Spannung, der sogenannten Vorwärtsdurchbruchspannung UD0 , zündet der
Thyristor selbsttätig, also ohne Gate-Strom.
Die Fläche eines Thyristors quer zur Stromrichtung bestimmt den maximalen Stromfluss.
Denn je größer diese Abmessungen, desto geringer die Verlustleistungsdichte. Thyristoren
sind keine nanoelektronischen Bauelemente. Im Extremfall wird ein ganzer Wafer zu einem
einzigen Thyristor.
Je geringer die Dotierungen der mittleren Diode, desto breiter ist die Verarmungszone. Bei
einer gegebenen Spannung wird damit die Feldstärke an dieser Schicht mit abnehmender Do-
tierung kleiner. Thyristoren werden daher in krassem Gegensatz zu Prozessoren etc. oft unter
Ausnutzung der kompletten Breite einer Siliziumscheibe bei geringer Dotierung im Zentrum
gefertigt. Nur so sind an ihm Spannungen im 100 kV-Bereich möglich.
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
111 3
. Abb. 3.29 Das Schaltsymbol des TRIACs (links) und
seine interne Struktur (rechts)

In Wechselspannungskreisen kann mit Hilfe eines Thyristors immer nur die Spannungs-
halbwelle durchgelassen werden, bei der der Thyristor in Vorwärtsrichtung gepolt ist. Da-
her werden bei 230 V-Anwendungen im Haushalt meist TRIACs verwendet. Das sind, wie
. Abb. 3.29 zeigt, zwei in einem einzigen Bauelement vereinigte Thyristoren, deren Gate-
Anschluss sowohl die eine, als auch die andere Stromrichtung zünden lässt. Mit Triacs werden
zum Beispiel Dimmer angesteuert.
Das Zünden eines Thyristors ist ein von außen nicht zu beeinflussender Vorgang. Er läuft
innerhalb des Bauelements ab und ist durch größere Steuerströme nicht zu beschleunigen.
Bei zeitkritischen Anwendungen sind Thyristoren daher zunehmend von Leistungs-MOS-
Transistoren abgelöst worden.

1 Leistungs-MOS-Transistoren schalten schnell


Leistungs-MOS-Transistoren ermöglichen schon heute Schaltfrequenzen über 500 Hz, Ten-
denz steigend. Sie werden daher gerne in Wechselrichtern und Schaltnetzteilen eingesetzt.
Leistungs-MOSFETs sind meist selbstsperrende NMOS-Transistoren. Aufgrund von hier
nicht beschriebenen Besonderheiten bei der Herstellung werden sie im Englischen als Double
Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, kurz DMOS-Transistoren be-
zeichnet. Wenn deren Source- und Drain-Anschlüsse auf den gegenüberliegenden Seiten einer
Siliziumplatte (wafer) liegen, spricht man von vertikalen Transistoren (VDMOS). . Abb. 3.30
zeigt, dass bei diesen Transistoren Source und Drain sehr verschieden ausgeführt sind. Der
Source-Anschluss umschließt das Gate, so dass bei positiver Gate-Source-Spannung ein lei-
tender Kanal unter dem Siliziumdioxid in den Bereich unter der Mitte des Gate-Anschlusses
entsteht. In diesem Bereich reicht der Drain-Anschluss bis unter das Oxid, und die von der
Source kommenden Elektronen können bis zum Drain-Anschluss weiterdriften. Die Länge
des Inversionskanals wird also nicht durch die Geometrie des Gates, sondern durch die Geo-
metrie der Dotierungsgebiete bestimmt: Die Kanallänge wächst, je weiter das Body-Gebiet
unter das Oxid reicht; und sie wird um so kleiner, je weiter das Source-Gebiet reicht.
Um sicherzustellen, dass unter allen Umständen die Body-Source-Diode gesperrt bleibt,
werden Body und Source in der Regel kurzgeschlossen.
Das elektrische Verhalten eines VDMOS-Transistors ist dem eines normalen Transistors
ähnlich. Wegen der sehr viel größeren Abmessungen sind die Sperrströme, welche auch dann

. Abb. 3.30 Querschnitt durch einen Leistungs-MOS-Transistor vom Typ B S G S B


VDMOS mit den Anschlüssen Body (B), Source (S), Gate (G) und Drain
(D). Der schraffierte Bereich ist Siliziumdioxid. Der Weg der Elektronen ist
n+ n+
in Grün dargestellt p+ p- p- p+
n-

n+
D
112 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

. Abb. 3.31 Ausgangskennlinie eines


VDMOS-Transistors. Die rot gezeichneten
Sperrströme fließen bei UGS D 0. Die grün
gezeichneten Linien gehören jeweils zu
einem festen, von Null verschiedenen Wert
von UGS

fließen, wenn die Gate-Source-Spannung gleich Null ist deutlich größer als bei anderen MOS-
Transistoren. Wie . Abb. 3.31 zeigt, sind sie nicht zu vernachlässigen. Dieser Arbeitsmodus
wird als Blockierzustand bezeichnet.
Für kleine Ströme gelten (3.27) und (3.25) näherungsweise auch hier. In . Abb. 3.31 wird
deutlich, dass die Ausgangskennlinie der eines Bipolar-Transistors überraschend ähnelt. Dies
darf aber nicht darüber hinwegtäuschen, dass es sich um einen MOS-Transistor handelt.

! Vorsicht Missverständnis!
Bei DMOS-Transistoren werden oft Begriffe aus der Bipolar-Technik verwandt, die eigentlich
nicht passen: Der Abschnürbetrieb wird aktiver Vorwärtsbetrieb genannt und der Anlauf als
Sättigung bezeichnet. Bisweilen werden sogar Source und Drain als Emitter und Kollektor
bezeichnet. Diese Bezeichnungen dürfen nicht wörtlich genommen werden.

Wird ein DMOS-Transistor zum Einschalten einer großen Leistung verwandt, dann stellt
er zunächst einen sehr großen Widerstand dar. Es liegt daher zunächst eine sehr große Drain-
Source-Spannung an. Wird an das Gate dann eine Spannung gelegt, so nimmt die Leitfähigkeit
zu und damit UDS ab. Um möglichst die Verlustleistung gering zu halten, muss die Gate-
Body-Spannung so groß gewählt werden, dass die Drain-Source-Spannung möglichst schnell
zusammenbricht. Der Abschnürbereich (die Sättigung) wird also nur kurzzeitig durchlaufen,
und der Transistor erreicht den Anlauf (den Normalbetrieb). In diesem Bereich spielen die
Ohm’schen Widerstände im Halbleitermaterial eine erhebliche Rolle. Sie werden in der Größe
RDS.on/ D UDS =ID zusammengefasst.
Um so große Ströme zu ermöglichen, werden oft ganze Felder von VDMOS-Transistoren
auf einem einzigen Wafer parallel geschaltet. Alle zusammen, und das können über 800.000
Transistoren auf einem cm2 sein, verhalten sich dann wie ein einziger großer Transistor.
Dessen Stromdichte ist jedoch dadurch begrenzt, dass der gesamte Strom durch die relativ
schmale Inversionszone fließt. Die dadurch lokal extrem große Stromdichte wird bei dem
IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) dadurch überwunden, dass die Body-Drain-Diode
zur Stromleitenden Basis-Kollektor-Diode umfunktioniert wird.

1 IGBT heißt die Hochleistungs-Mischung aus MOS- und Bipolar-Transistoren


. Abb. 3.32 zeigt, dass sich ein IGBT technologisch vom VDMOS-Transistor durch eine
zusätzliche Diode unterhalb des Drain-Gebietes unterscheidet. Dass durch diese Diode er-
hebliche größere Ströme ermöglicht werden, erklärt sich wie folgt:
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
113 3
. Abb. 3.32 Querschnitt durch einen IGBT mit den Anschlüssen Emitter
(E), Gate (G) und Kollektor (C). Der schraffierte Bereich ist Siliziumdioxid.
In Grün ist der Weg der Elektronen dargestellt, in Rot der der Löcher

Der Elektronenstrom vom Emitter zum Kollektor eines IGBTs verläuft genauso wie der ei-
nes Leistungs-MOS-Transistors von der Source zur Drain, in . Abb. 3.32 also von oben nach
unten. Die neue Diode am Ende des Weges der Elektronen ist in Vorwärtsrichtung gepolt, stellt
also keine Barriere dar. Dennoch ist sie es, die den Unterschied ausmacht. Denn der Strom an
einem in Vorwärtsrichtung gepolten PN-Übergang wird von denjenigen Ladungsträgern domi-
niert, deren Dichte in Übergangsnähe größer ist. Wenn beispielsweise das zusätzliche untere
P-Gebiet 50-mal so hoch dotiert (daher in . Abb. 3.32 mit pC bezeichnet) ist wie das dar-
über liegende N-Gebiet (daher mit n bezeichnet), dann wandern für jedes Elektron, welches
das unten liegende P-Gebiet erreicht, etwa 50 Löcher in das darüber liegende N-Gebiet ein.
Es sind diese Löcher, deren Bewegung den größten Teil des Stromes ausmachen. Denn wenn
sich die Elektronen von oben nach unten bewegen, müssen sich die Löcher genau in der entge-
gengesetzten Richtung bewegen. In dem nur sehr schwach dotierten N-Gebiet rekombinieren
nur wenige. Die meisten Löcher erreichen daher die nächste, nun allerdings in Sperrrichtung
gepolte Diode. Da die Löcher aber im N-Gebiet Minoritätsträger sind, stellt diese Diode auch
keine Barriere dar. Der Strom kann bis zum oberen Bauteilanschluss weiterfließen. Im Ge-
gensatz zum Elektronenstrom steht ihm dabei der gesamte Bauteilquerschnitt zur Verfügung,
und nicht nur der Kanal unter dem Oxid. Die Überflutung eines in Sperrrichtung gepolten pn-
Übergangs ist aber ein Charakteristikum bipolarer Transistoren. Daher wird das ganze Bauteil
insulated gate bipolar transistor genannt.

Ein in einer schwach n-dotierten Siliziumscheibe realisierter IGBT verhält sich wie ein
NMOS-Transistor, dessen Elektronenstrom durch den Löcherstrom einer stark asymmetrisch
dotierten Diode hinter der Drain vervielfältigt wird.

Wird ein p-dotiertes Basismaterial verwendet, so entsteht ein PMOS-Transistor, dessen Lö-
cherstrom durch den Elektronenstrom einer vorwärts gepolten Diode vervielfältigt wird.
Im Vergleich zu MOS-Transistoren erreichen IGBTs daher größere Stromdichten, aller-
dings um den Preis erhöhter Schaltzeiten: Wenn ein großer Strom fließt, ist das schwach
dotierte N-Gebiet mit Minoritätsträgern angefüllt. Die angrenzende Diode sperrt erst wieder,
wenn all diese Minoritätsträger abgeflossen sind.
Die Kennlinie eines IGBTs ist, da dieser technologisch eine Fortentwicklung des Leistungs-
MOS-Transistors ist, der in . Abb. 3.31 gezeigten Kennlinie sehr ähnlich. Der Unterschied
besteht praktisch nur in einer Spannungsverschiebung der Kennlinie um ca. 0,7 V nach rechts.
Diese Verschiebung ist der zusätzlichen Diode vor dem Drain- bzw. Kollektor-Anschluss ge-
schuldet. Die Kniespannung dieser Diode kann bei sehr großen Strömen zu einer erheblichen
Verlustleistung führen.
114 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

Da ein IGBT, genau wie ein Thyristor über eine npnp Schichtenfolge verfügt, ist ein unkon-
trolliertes Durchzünden grundsätzlich möglich. Es wird jedoch bereits auf der Herstellerseite
durch geschickte Wahl der Dotierungsprofile vermieden, so dass es in der Anwendung nicht
vorkommt.

3
3.1.7 Ersatzschaltbilder

Die Kennlinien aktiver Bauelemente sind entweder solcher Natur, dass sie in Schaltungsbe-
rechnungen zu nicht explizit lösbaren Gleichungen führen oder gar nicht analytisch bekannt
sind. Daher wird mit Ersatzschaltbildern gearbeitet. Das sind Linearisierungen der Kennlini-
en.
Die Exponentialfunktion in der Diodenkennlinie ist im praktischen Alltag kaum als solche
zu erkennen. Dazu müssten Ströme im Nano-Ampere-Bereich dargestellt werden. . Abb. 3.33
zeigt: Bei Strömen im Milli-Ampere-Bereich scheint die Kennlinie aus zwei Geraden zu be-
stehen, von denen eine auf der Strom-Nulllinie verläuft und die andere bei einer bestimmten
Spannung, auch Knickspannung, Kniespannng oder Schleusenspannung genannt, fast senk-
recht ansteigt. Daher ist das einfachste Ersatzschaltbild einer Diode in Vorwärtsrichtung eine
Konstantspannungsquelle.

Definition 3.3
Die Schleusen- oder Kniespannung UK ist die Spannung, bei der ein Diodenstrom von einem
Zehntel des maximal zulässigen Stromes fließt.

Oft wird auch die folgende Definition verwendet: Die Schleusenspannung UK ist die Span-
nung, bei der ein Diodenstrom von I D 1 mA fließt. Die Knick- oder Schleusenspannung
ist eine Hilfsgröße ohne theoretisches Fundament. Ihr praktischer Wert liegt darin begrün-
det, dass in ihrer Umgebung erstens selbst bei großen Stromänderungen die Spannung fast
konstant ist und zweitens die Ströme bei kleineren Spannungen sehr schnell vernachlässigbar
klein werden.

Eine Diode, an der weniger als die Schleusenspannung anliegt, gilt als gesperrt.

. Abb. 3.33 Die Diode und ihre Ersatzschaltbilder: Original, Konstantspannungsquelle, Kleinsignalwiderstand
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
115 3
Vorwärts- Rückwärts- Sperrung Sättigung
C Betrieb Betrieb

IB Bf IB UBC UBC
B IB
UBE Br I B UBE

E
. Abb. 3.34 Ersatzschaltbilder des NPN-Transistors nullter Ordnung

1 Kleinsignalparameter geben lineare Abweichungen von einem Ausgangspunkt an


Sollen die kleinen Strom-Spannungsschwankungen um einen Punkt herum berechnet wer-
den, so werden der differenzielle Widerstand, r; oder der Kleinsignalwiderstand verwendet
(. Abb. 3.33 rechts):

1 dI d  U=UT  I
D D IS e 1  : (3.29)
r dU dU UT

Dabei bietet sich bei Dioden als Ausgangspunkt die Schleusenspannung an. Erstaunlicherwei-
se ist bei gegebenem Strom der Kleinsignalwiderstand nur von der Temperatur abhängig; alle
technologischen Details, selbst das verwendete Material, fallen heraus. In Rückwärtsrichtung
gepolt verhält sich eine Diode wie ein spannungsabhängiger Kondensator (siehe (3.13)).
Beim Entwurf und bei der Analyse von Schaltungen mit Bipolar-Transistoren ist es rat-
sam, mit den in . Abb. 3.34 gezeigten, groben Modellen zu beginnen, um Klarheit über die
Betriebszustände zu bekommen. Diese Vereinfachungen reichen in der Regel, um bipolare Di-
gitalgatter zu verstehen. Sie heißen auch Ersatzschaltbilder nullter Ordnung, weil noch nicht
einmal lineare Zusammenhänge zwischen Strom und Spannung berücksichtigt sind. . Abb.
3.35 zeigt, dass sogar die Annahme einer konstanten Stromverstärkung meist bis auf wenige
Prozent genau ist. Im Alltag sind die folgenden auf der Schleusenspannung UK basierenden
Tests sehr nützlich um den Betriebszustand eines Transistors festzustellen:

Wenn die Annahmen UBE D UK und IC D Bf IB zum Resultat UBC < UK führen, dann ist
der Transistor im Vorwärtsbetrieb; wenn nicht, dann ist er in Sättigung.

Dabei bedeutet in den meisten Fällen UBC < US ; dass UBC negativ ist. Der komplementäre
Test lautet:

Wenn die Annahmen UBE D UK und UCE D UK zum Resultat IC < Bf IB führen, dann ist
der Transistor in Sättigung; wenn nicht, dann ist er im Vorwärtsbetrieb.

Für Tests des Rückwärtsbetriebs müssen oben Kollektor und Emitter vertauscht werden (siehe
Aufgabe 3.39).
116 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

. Abb. 3.35 Messung der Kollektor-Emitter-Kennlinien IC D f .UCE / für verschiedene Basisströme am Transistor
des Typs BC140 (Quelle: FH Münster, Elektrotechnik)

1 Die Menge aller zeitlichen Durchschnittswerte heißt Arbeitspunkt


Mit Hilfe der Ersatzschaltbilder nullter Ordnung lässt sich der Arbeitspunkt abschätzen. Die-
sem Begriff liegt die Idee zugrunde, dass die Ströme und Spannungen in einer Schaltung über
große Zeiträume konstante Mittelwerte haben, um die herum von der Zeit abhängige Ände-
rungen passieren. Im einfachsten Falle wären dies Ströme vom Typ I.t / D I0 C I1 sin.!t /.
Hier würde der Strom I0 Strom des Arbeitspunktes genannt werden. Der Arbeitspunkt einer
Schaltung ist also die Menge all seiner Strom- und Spannungs-Mittelwerte. Die interessanten,
zu analysierenden oder zu verstärkenden Anteile sind dabei in der Regel die Abweichungen
vom Arbeitspunkt. Da selbst das Ebers-Moll Transistor-Modell (3.18) schon bei einfachen
Schaltungen zu unlösbaren Gleichungssystemen führt, muss linearisiert werden.

1 Kleinsignalströme und -spannungen stehen für totale Differenziale


Dabei hat sich in der Elektrotechnik die Nomenklatur eingebürgert, anstelle totaler Diffe-
renziale .dU; dI / kleine Buchstaben .u; i/ zu verwenden. Die Linearisierung des Bipolar-
Transistors basiert aus guten Gründen (siehe Aufgabe 3.45) auf der Hybrid-Parameter-
Matrix h:
! ! ! !
dUBE uBE iB dIB
D Dh D h : (3.30)
dIC iC uCE dUCE

Lässt man die Rückwirkung h12 D @U @UBE


CE
außen vor, dann kann (3.30) als Schaltung für klei-
ne Strom- und Spannungsänderungen gelesen werden: dUBE D h11 dIB ist eine Variante des
Ohm’schen Gesetzes, beschreibt also einen Widerstand: h11 D rBE . Das Differenzial des Kol-
3.1  Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente
117 3
. Abb. 3.36 Kleinsignal- IE iE
Ersatzschaltbilder für den PNP-Transistor E iB rBE
(oben) und den NPN-Transistor (unten) IB
im Vorwärtsbetrieb nach der h-Parameter PNP-Transistor
βiB rCE
Matrix B Linearisierung
C
IC iC

IC iC
C
βiB rCE
IB
NPN-Transistor iB
B Linearisierung
E rBE
IE iE

lektorstroms setzt sich aus zwei Teilen zusammen: dIC D h21 dIB C h22 dUCE . Dies ist eine
Parallelschaltung (Stromsumme!) aus einer von der Basis gesteuerten Stromquelle und einem
Widerstand 1=rCE D @IC =@UCE . So ergibt sich insgesamt das in . Abb. 3.36 gezeigte Bild.
Der untere Teil der Hybrid-Parameter-Matrix ist durch den rechten Teil des Ersatzschaltbildes
dargestellt, der obere Teil durch rBE .19 Für den PNP-Transistor gilt Analoges mit der folgen-
den Konvention: Alle Richtungen der Ströme sind so gewählt, dass die Ströme im Vorwärts-
oder Normalbetrieb positiv sind. Für den PNP-Transistor heißt das: Der Strom fließt in den
Emitter herein20 und aus Kollektor und Basis wieder heraus.
Bei hohen Frequenzen sind die in . Abb. 3.37 gezeigten Parasitärkapazitäten an den PN-
Übergängen zu berücksichtigen (vgl. (3.13)). An jedem PN-Übergang gibt es eine Sperr-
schichtkapazität.
Der MOS-Transistor im Abschnürbereich hat in nullter Näherung einen von UDS unabhän-
gigen Drain-Strom. So ist der NMOS-Transistor in nullter Näherung durch eine Stromsenke
und der PMOS-Transistor in nullter Näherung durch eine Stromquelle charakterisiert.
In erster Ordnung kann die Abweichung des Drain-Stromes vom Arbeitspunkt unabhängig
vom Betriebszustand als

@IDS @IDS
iDS D dIDS D dUGS C dUDS (3.31)
@UGS @UDS

. Abb. 3.37 Parasitärkapazitäten des PNP-


Transistors im Vorwärtsbetrieb

19
Es gibt keine allgemeingültigen Kleinsignal-Ersatzschaltbilder für Transistoren. Denn diese sind Abbild der verwen-
deten Gleichungssysteme. Ständen anstatt UBE und IC zum Beispiel IB und IC auf der linken Seite von (3.30), so
ergäben sich andere Bilder.
20
Zeichnet man Schaltungen so, dass der Strom von oben nach unten fließt und die Pfeile an den Transistoren in die
gleiche Richtung zeigen, dann vermeidet man fast alle Vorzeichenprobleme.
118 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

S D D
iDS
ISD IDS
G gm gd G
IDS Linearisierung Linearisierung
D S S
3 PMOS beide NMOS

. Abb. 3.38 Das gemeinsame Kleinsignal-Ersatzschaltbild für den PMOS- und den NMOS-Transistor

geschrieben werden. Dies ist also die in . Abb. 3.38 gezeigte Parallelschaltung (Stromsumme)
einer spannungsgesteuerten Stromquelle und einem Widerstand.
Gl. (3.31) wird meist in der folgenden Form geschrieben:

iDS D iD D gm  uGS C gd  uDS .immer/


(3.32)
iD D gm  uG C gd  uD .wenn US konstant ist/:

Dies gilt sowohl für NMOS- als auch für PMOS-Transistoren.


Eine genauere Analyse der partiellen Ableitungen führt zu der erstaunlichen Erkenntnis,
dass beide Dotierungsvarianten ein gemeinsames Ersatzschaltbild haben: So ergibt sich zum
Beispiel im Abschnürbereich nach (3.26)

ˇN
iD D ˇN .UGS  UT h;N /.1 C N UDS /ug C .UGS  UT h;N /N uD (3.33)
2

für NMOS-Transistoren. Entsprechend wird nach (3.28) für PMOS-Transistoren mit Hilfe von
dID D dIDS D dISD

ˇP
iD D ˇP .UT h;P  UGS /.1 C P UDS /ug C .UT h;P  UGS /.P /uD ; (3.34)
2

woraus folgt, dass auch bei diesem alle Faktoren zwischen den Kleinsignal Drain-Strömen
und den Kleinsignalspannungen positiv sind. So ergibt sich der in . Abb. 3.38 gezeigte Sach-
verhalt:

PMOS- und NMOS Transistoren kann ein gleich aussehendes Kleinsignal-Ersatzschaltbild


zugeordnet werden und alle in seiner mathematischen Beschreibung auftauchenden g
Faktoren sind positiv.

Die höchstmöglichen Umschaltfrequenzen werden durch die Parasitärkapazitäten mit be-


stimmt. Im Detail ist deren Beschreibung recht komplex (siehe [7]). Sie ergeben sich aus
der in . Abb. 3.21 gezeigten Geometrie und sind in . Abb. 3.39 zusammengefasst. Die in
. Abb. 3.39 benutzten Bezeichnungen lehnen sich an die des Simulators SPICE [1] an. CGSO
und CGDO stehen für gate source overlap und gate drain overlap. Ihr Ursprung ist einerseits
die Tatsache, dass in der Realität die Source- und Drain-Dotierungen etwas unter das Gate
diffundieren. Andererseits gibt es auch noch elektrische Streufelder, deren Feldlinien nicht
3.2  Fragen und Aufgaben zu Halbleiter-Bauelementen
119 3
. Abb. 3.39 Parasitärkapazitäten eines
MOS-Transistors

senkrecht durch das Gate-Oxid ausgerichtet sind, sondern Gate und Drain bzw. Gate und
Source verbinden. In den leitenden Zuständen des Kanals kommt die direkte Kopplung zwi-
schen Kanal und Gate hinzu. CJSB und CJDB stehen für junction source body und junction
drain body. Diese sind die Kapazitäten der PN-Übergänge. CGB ist die Parasitärkapazität
zwischen Gate und Body. Sie ist von allen die kleinste.
Bei den seit 2011 auf dem Markt befindlichen dreidimensionalen Transistoren sind, wie in
. Abb. 3.25 gezeigt, CJSB und CJDB gegenüber herkömmlichen MOS-Transistoren um fast
eine Größenordnung geringer als bei herkömmlichen Geometrien. So werden höhere Taktra-
ten ermöglicht.

3.2 Fragen und Aufgaben zu Halbleiter-Bauelementen

3.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen

3.1 Welcher Bindungstyp hält Halbleiter zusammen? Ist das


a) die ionische Bindung,
b) die metallische Bindung oder
c) die kovalente Bindung?

3.2 Was haben die Energiebänder von Festkörpern mit atomaren Energieniveaus zu tun?
a) Die Energiebänder sind die nahe beieinander liegenden Energieniveaus der Einzelatome.
Sie erscheinen als Band, weil es so viele sind.
b) Die Energiebänder ergeben sich aus Linearkombinationen der Wellenfunktionen der Elek-
tronen der Atome.
c) Es gibt keinen einfachen Zusammenhang, denn Atome werden in der Atomphysik, Fest-
körper in der Festkörperphysik analysiert.

3.3 Was ist eine Elektronenvolt?


a) Die Energie, die ein Elektron beim Durchlaufen eines Potenzialgefälles von einem Volt
gewinnt.
b) Die Spannung, welche durch ein Elektron hervorgerufen wird.
c) Eine durch thermische Elektronenbewegung entstehende Spannung von 1 V

3.4 Wo liegt energetisch das Energieband der Donator-Elektronen eines n-dotierten Halblei-
ters?
a) Es liegt knapp über dem Valenzband.
b) Es liegt in der Mitte zwischen dem Leitungs- und dem Valenzband.
c) Es liegt knapp unter dem Leitungsband.
120 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

3.5 Wie ist die Gesamtladung der Verarmungszone einer nicht angeschlossenen Diode?
a) Die Gesamtladung ist positiv, wenn das p-dotierte Silizium höher dotiert ist als das n-
dotierte, und negativ im entgegengesetzten Falle.
b) Die Gesamtladung ist null.
c) Die Gesamtladung ist negativ, wenn das p-dotierte Silizium höher dotiert ist als das n-
3 dotierte, und positiv im entgegengesetzten Falle.

3.6 Eine Solarzelle wird von einer monochromatischen Leuchtdiode beschienen und liefert
trotzdem keinen Strom. Was hat Aussicht auf Erfolg?
a) Den Strom durch die Leuchtdiode verdoppeln.
b) Die Spannung an der Leuchtdiode um 3 % erhöhen.
c) Die Leuchtdiode durch eine Halogenlampe ersetzen.

3.7 Woran erkennt man, dass sich ein Bipolar Transistor im Zustand der Sättigung befindet?
a) Die Stromverstärkung hat ihren Maximalwert.
b) Der Emitterstrom ist kleiner als der Kollektorstrom.
c) Die tatsächliche Stromverstärkung ist kleiner als die im Datenblatt angegebene.

3.8 Woran erkennt man, dass sich ein Bipolar Transistor im Vorwärtsbetrieb befindet?
a) Die Potenziale sind so, dass die Basis-Emitter Diode in Vorwärtsrichtung gepolt ist und
Basis-Kollektor Diode sperrt.
b) Die Basis-Kollektor Diode wird in Vorwärtspolung betrieben.
c) Es fließt kein Emitterstrom.

3.9 Woran erkennt man einen MOS Transistor im Abschnürbetrieb?


a) Zwischen Source und Drain verhält er sich ähnlich einer Stromquelle.
b) Der Drain-Strom ist proportional zur Source-Drain-Spannung.
c) Der Strom in die Drain ist größer als der Strom aus der Source.

3.10 „Wird der Haltestrom eines Thyristors unterschritten, so wird er gelöscht.“ Stimmt das?

3.11 „Source und Drain eines Leistungstransistors liegen links und rechts neben dem Gate-
Oxid.“ Stimmt das?

3.12 „Die in der Kleinsignalanalyse vorkommenden Ströme und Spannungen sind mathema-
tisch gesehen partielle Ableitungen.“ Stimmt das?

3.13 „Bei schnellen Schaltungen mit Bipolar-Transistoren sollte der Sättigungsbetrieb ver-
mieden werden.“ Stimmt das?

3.14 „Je größer der Betrag der Early-Spannung eines Transistors, desto besser sind dessen
Stromquelleneigenschaften.“ Stimmt das?

3.15 Was zeichnet einen sogenannten 3 D Transistor aus?

3.16 Was ist ein 3/5-Halbleiter?

3.17 Welche Vor- und Nachteile hat Silizium als Material für Halbleiter-Bauelemente gegen-
über Germanium?
3.2  Fragen und Aufgaben zu Halbleiter-Bauelementen
121 3

3.18 Was ist ein Schottky-Transistor, und wozu braucht man ihn?

3.19 Bitte nennen und erklären Sie die zwei Effekte, welche bei einer Diode zu erheblichen
Abweichungen der Kennlinie von der Shockley-Gleichung führen!

3.20 Was ist ein Zener-Durchbruch?

3.2.2 Klausuraufgaben

3.21 Welche Form bilden die Orbitale der äußeren Elektronen des Silizium-Atoms und
warum?

3.22 Wie viele Joule sind ein Elektronenvolt?

3.23 Welche Ladungsträger können Verarmungszonen durchqueren?

3.24 Ein PN-Übergang habe eine Diffusionsspannung von UD D 0;8 V. Welche Spannung
wird gemessen, wenn das P-Gebiet an den Minus-Anschluss eines Spannungsmessers und das
N-Gebiet an dessen Plus-Anschluss gelegt wird?

3.25 In einer Solarzelle, wie die in . Abb. 3.40 gezeigte, verpasst ein Photon gerade die
Verarmungszone und erzeugt ein Elektron-Loch-Paar einige Atomradien neben der Verar-
mungszone im N-Gebiet. Trägt dieses Photon zum Leistungsertrag der Solarzelle bei?

. Abb. 3.40 Zur Aufgabe 3.25: Modul aus Solarzellen. Die Solarzelle ist das mittlerweile bekannteste Halbleiter-
Bauelement (Foto: www.pixabay.com)
122 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

. Abb. 3.41 Zur Aufgabe 10


3.29: Gemessene Strom-
Spannungs-Kennlinie einer
1

Strom in Ampère
Diode. Aus dieser Diodenkenn-
linie lassen sich IS und UT
bestimmen 0.1
3
0.01

0.6 0.61 0.62 0.63 0.64 0.65 0.66 0.67 0.68 0.69 0.7
Spannung in Volt

3.26 Welche Durchbruch-Mechanismen gibt es bei Dioden?

3.27 Eine in Sperrrichtung gepolte Diode hat laut Kennlinienformel (3.15) einen fast kon-
stanten Sperrstrom IS . Nimmt man aber die Kennlinie mit einem Oszilloskop auf, dann ist in
Sperrrichtung meistens kein Strom auszumachen. Woran liegt das?
a) Das ist der Unterschied zwischen Theorie und Praxis.
b) Das liegt an der Rückwärtsbeschleunigung der Minoritätsträger.
c) Das liegt am angelegten Strom-Maßstab.

3.28 Stimmt es, dass die Verarmungszone eines PN-Übergangs bei Vorwärtspolung ver-
schwindet?

3.29 . Abb. 3.41 zeigt die gemessene Strom-Spannungs-Kennlinie einer Diode. Bitte be-
stimmen Sie daraus die Temperaturspannung und den Sperrstrom. Welche Kleidungsstücke
wurden bei der Messung benötigt? a) Pelzmütze, b) Badehose / Bikini?

3.30 Wie lässt sich eine spannungsgesteuerte Stromquelle am leichtesten realisieren?

3.31 Welche Bedingung muss erfüllt sein, damit ein (P- oder N-) MOS-Transistor in einen
Strom leitenden Zustand kommt? Und welche Bedingung muss zusätzlich erfüllt sein, damit
er sich im Anlauf befindet?

3.32 Was bedeutet Hochinjektion (engl: high injection?)


a) Intramuskuläre Verabreichung oberhalb des Bauchnabels,
b) Minoritätsträger-Überschuss oder
c) Eindringen hoch-energetischer Ladungsträger ins Feldoxyd.

3.33 Zeigen Sie, dass bei T D 0 K alle Energieniveaus eines Festkörpers unterhalb der Fermi-
Energie besetzt und alle darüber leer sind.

3.34 Für reines Silizium erfüllen die Elektronendichte n und die Löcherdichte p die Gleich-
gewichtsbedingung n  p D n2i . Gilt dies auch für dotierte Halbleiter, und wenn ja (nicht),
warum (nicht)?
3.2  Fragen und Aufgaben zu Halbleiter-Bauelementen
123 3
. Abb. 3.42 Zur Aufgabe 3.39: Einfache Anschlussumgebung für einen Bipolar-Transistor

3.35 . Abb. 3.9 zeigt schematisch die Ionenverteilung an einem abrupten PN-Übergang. Bitte
skizzieren Sie die Feldstärke und das Potenzial als Funktion des Ortes. Wenn das Potenzial
ganz links Null ist, wie nennt man den Wert, den es ganz rechts hat?

3.36 Bitte skizzieren Sie in halblogarithmischer Darstellung die Ladungsträgerdichten als


Funktion des Ortes einer in Flussrichtung gepolten Diode, an der von außen weniger als
die Diffusionsspannung anliegt. Die Akzeptoren-Konzentration sei höher als die Donatoren-
Konzentration.

3.37 Aus welchen Teilströmen setzt sich der Basisstrom eines Bipolar-Transistors im Normal-
betrieb zusammen, und welcher der beiden hat Auswirkungen auf den Early-Effekt?

3.38 Sie schalten eine Silizium-(PN-)Diode in Reihe mit einer Schottky-Diode, so dass durch
beide ein Strom von 12,9 mA fließt. Welche Spannung fällt an beiden zusammen ab und wie
groß ist der Kleinsignal-Widerstand der Gesamtanordnung?

3.39 In . Abb. 3.42 sehen Sie eine Spannungsversorgungseinheit mit zwei Innenwiderstän-
den von R D 1 k und Leerlaufspannungen von UC D U D 5;65 V. Bitte schließen Sie
einen PNP-Bipolar-Transistor, (ohne Early-Effekt, ohne Rückwirkungen des Kollektors auf
die Basis) mit einer Vorwärts-Stromverstärkung Bf D 20, einer Rückwärts-Stromverstärkung
Br D 0;1 und UBE D 0;65 V so an, dass er a) im Vorwärtsbetrieb, b) im Rückwärtsbetrieb,
c) gesperrt oder d) in Sättigung ist. Dabei sollen keine zwei Transistor-Anschlüsse auf das
gleiche Potenzial gelegt werden.

3.40 In einem Automobil soll ein Schrittmotor von einem Digitalchip angesteuert werden.
Der Chip liefert zwischen 0 und UChip D 3;3 V Ausgangsspannung. Der Schrittmotor braucht
jedoch den vollen Hub des Bordnetzes VC C D 12 V: Zur Anbindung wird die in . Abb. 3.43
gezeigte, invertierende Schaltung und ein Transistor mit dem ebenfalls abgebildeten Kennfeld
verwandt. Der Ausgangswiderstand der Schaltung darf maximal 500  betragen, der Um-
schaltpunkt sei so gewählt, dass bei UE D UChip =2 gerade UA D VC C =2. Bitte bestimmen Sie
zeichnerisch den Wert der beiden Widerstände. Mit welcher Veränderung der Schaltung könn-
te die Verlustleistung deutlich gesenkt werden? Wie könnte die Schaltung weniger anfällig für
Störungen gemacht werden? Wäre eine kostengünstigere Variante denkbar?

3.41 Was geschieht mit einem Minoritätsträger, nachdem er eine Verarmungszone passiert
hat?

3.42 Warum zündet ein Power-MOS-Transistors nicht in ähnlicher Weise wie ein Thyristor?
124 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

a b

. Abb. 3.43 Zur Aufgabe 3.40: Invertierende Schaltung zur Pegel-Anpassung (a) und das Kennlinienfeld des dazu-
gehörigen Transistors (b)

3.43 Zeigen Sie, dass aus den Temperaturabhängigkeiten der Elektronen- und Löcherdichten
(3.2) und (3.4) eines nicht dotierten Halbleiters folgt, dass die Fermi-Energie EF in der Mitte
der Bandlücke liegt.

3.44 Ein PN-Übergang hat eine symmetrische Sperrschicht der Breite b. Innerhalb dieser
Sperrschicht sei im
 Bereich
 x D b=2: : :b=2 die Ionenverteilung in guter Näherung durch
18 3
N.x/ D N0  sin
x b
mit N 0 D 10 m gegeben. Außerhalb der Sperrschicht ist dies die
Dichte der Donatoren und Akzeptoren: Wie groß ist die Diffusionsspannung und welchen
Wert hat die Sperrschichtbreite b?

3.45 Welche Matrix wird zur Beschreibung der Bipolar-Transistor-Eigenschaften benutzt und
warum? Bitte nennen Sie drei der vier Elemente der Matrix.

3.46 Wie müsste das Kleinsignal-Ersatzschaltbild des Bipolar-Transistors verändert werden,


wollte man die Rückwirkung der Kollektor-Emitter-Spannung auf die Basis Emitter-Spannung
berücksichtigen?

3.47 Bitte skizzieren Sie den Querschnitt durch einen Kondensator auf einem MOS-Chip. Der
Kondensator soll die Kathode an Masse und eine möglichst große Flächenkapazität haben.
Wie hängt die Kapazität von der Spannung ab?

3.48 Ein Silizium-Chip hat ein d D 1 m tiefes, mit durchschnittlich ND D 1024 m3 Dona-
toren dotiertes Diffusionsgebiet. Wie groß sind dessen spezifischer Widerstand und Schichtwi-
derstand? Welchen Widerstand hätte eine w D 2 m breite und l D 0;1 mm lange Leiterbahn?
Wie würden sich der spezifische Widerstand und der Schichtwiderstand ändern, wenn auf-
grund einer unbeabsichtigten Erwärmung der Produktionsumgebung die gleiche Anzahl der
Donatoren über die doppelte Tiefe verteilt würde?
3.3  Antworten zu Kap. 3
125 3

3.49 Welche der folgenden Aussagen stimmt?


Beim Übergang eines NPN-Transistors von der Sättigung zum Rückwärtsbetrieb
a) . . . nimmt die Anzahl der in die Basis-Emitter-Verarmungszone gelangenden Majoritäts-
träger zu.
b) . . . nimmt die Anzahl der in die Basis-Emitter-Verarmungszone gelangenden Minoritäts-
träger zu.
c) . . . nimmt die Anzahl der Minoritätsträger in der Basis zu.
d) . . . wird die Verarmungszone zwischen Basis und Emitter schmäler.

3.50 Zu welchem Zeitpunkt ist die Verlustleistung eines IGBT maximal? Gilt Entsprechendes
auch für einen VDMOS-Transistor?

3.3 Antworten zu 7 Kap. 3

3.1 Antwort c) ist richtig.

3.2 Antwort b) ist richtig. Es gibt zum Beispiel für zwei Atome immer sowohl eine Li-
nearkombination, deren zugehörige Bindungsenergie größer als die ursprüngliche atomare
Bindungsenergie ist, und eine mit weniger Bindungsenergie. Bei sehr vielen Atomen ergeben
sich zwei Gruppen von Linearkombinationen; solche mit mehr und solche mit weniger Bin-
dungsenergie als beim Einzelatom. Alle Kombinationen mit starker Bindungsenergie liegen
energetische nahe beieinander. Sie bilden das Valenzband. Die Kombinationen mit geringerer
Bindungsenergie liegen ebenfalls energetisch nahe beieinander. Sie bilden das Leitungsband.

3.3 Antwort a) ist richtig, denn so ist 1 eV definiert.

3.4 Antwort c) ist richtig, und nur deshalb reicht die thermische Energie bei Raumtemperatur
aus, (fast) alle Donator-Elektronen ins Leitungsband zu heben.

3.5 Antwort b) ist richtig. Die Verarmungszone entsteht durch Elektronenbewegung innerhalb
dieser Zone. Elektronen besetzen Löcher. Es bedarf keiner Ladungszufuhr von außen.

3.6 Antwort c) ist richtig. Wenn bei intakten Bauteilen kein Strom fließt, so bedeutet dies,
dass die Wellenlänge des Lichts zu groß ist. Eine Halogenlampe hat ein Emissionsspektrum,
welches bis in den nahen UV-Bereich reicht und deshalb die besten Chancen bietet.

3.7 Antwort c) ist richtig. In Sättigung wird das Kollektor-Potenzial nahe dem Emitter-
Potenzial fixiert. Der Kollektor-Strom wird dann durch die dem Kollektor vorgeschalteten
Widerstände begrenzt.

3.8 Antwort a) ist richtig. Normal- oder Vorwärtsbetrieb heißt: Die Basis-Emitter-Diode ist in
Vorwärtspolung, die Basis-Kollektor-Diode nicht. In diesem Betriebszustand hat ein Transis-
tor die im Datenblatt angegebene Stromverstärkung.
126 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

3.9 Antwort a) ist richtig. Die Stromquellenähnlichkeit bei abgeschnürtem Kanal ergibt sich
aus der Tatsache, dass alle Ladungsträger, welche das Kanalende erreichen, von einem Poten-
zialgefälle zur Drain hingezogen werden.

3.10 Ja, das stimmt. Solange mindestens der Haltestrom fließt, bleibt er niederohmig.
3
3.11 Nein, das stimmt nicht, denn Leistungs-MOS-Transistoren sind in der Regel vertikal auf-
gebaut. Alles neben dem Gate-Oxid ist Source-Anschluss. Die Drain liegt auf der der Source
gegenüber liegenden Seite des Wafers. Die Ladungsträger müssen also die gesamte Dicke des
Halbleitermaterials durchqueren.

3.12 Nein, das stimmt nicht; i und u stehen für totale Differenziale. Dagegen sind Kleinsi-
gnalwiderstände in der Tat partielle Ableitungen.

3.13 Ja, das stimmt. Im Sättigungsbetrieb des Transistors befinden sich viele Minoritätsträger
in der Basis. Da diese gesperrte PN-Übergänge durchdringen, transportieren sie noch eine
Zeitlang nach dem Ausschalten des Transistors Strom. Daher vergeht bis zum Sperren viel
mehr Zeit, als aus dem Vorwärtsbetrieb heraus nötig ist.

3.14 Ja, das stimmt. Eine große Early-Spannung bedeutet eine flache I.U / Kennlinie. Die
Kollektor-Emitter-Strecke wird so zur guten Stromquelle.

3.15 Das Kürzel steht für einen dreidimensionalen MOS-Transistor. Source und Drain sind
nicht, wie sonst üblich, in das Substrat eindiffundiert/implantiert. Vielmehr stehen sie wie
eine Mauer auf dem als Body fungierenden Substrat. Wegen der geringen Kontaktflächen
zum Body sind die Leckströme solcher Transistoren viel geringer als bei konventionellen
Transistoren. Der Verbindungskanal zwischen Source und Drain hat die Form eines Tunnels,
dessen Auskleidung aus dem Gate-Oxid besteht.

3.16 Dies ist ein Halbleiter, welcher aus der gleichen Anzahl dreiwertiger und fünfwertiger
Atome besteht und eine Gitterstruktur ähnlich der des Siliziums hat. Solche Halbleiter werden
meist aus im Periodensystem neben dem Silizium oder dem Germanium stehenden Elementen
hergestellt.

3.17 Der größte Vorteil des Siliziums ist sein einfach herzustellendes und gleichzeitig sehr
spannungsfestes Oxid: Quarz, SiO2 . Es ermöglicht die effiziente Herstellung von MOS-
Transistoren. Der Nachteil gegenüber dem Germanium besteht in der kleineren Beweglichkeit
der Ladungsträger, weshalb bipolare Germaniumtransistoren meist schneller schalten als sol-
che aus Silizium.

3.18 Ein Schottky-Transistor ist ein Bipolar-Transistor mit einer Schottky-Diode zwischen der
Basis und dem Kollektor. Diese sorgt dafür, dass die Spannung zwischen diesen beiden An-
schlüssen nicht unter ca. 0,3 V abfällt. Sättigungseffekte würden aber eine Spannung von 0,6
- 0,7 V erfordern. Daher können Schottky-Transistoren nicht in Sättigung gehen und eignen
sich so für schnelle Schaltungen.

3.19 Im Rückwärtsbetrieb führt die Paarerzeugung an Defektstellen in der Verarmungszo-


ne zu einer spannungsabhängigen Vergrößerung des Rückwärtsstromes, welcher dadurch den
3.3  Antworten zu Kap. 3
127 3

von der Shockley-Gleichung vorhergesagten Wert um Größenordnungen übersteigen kann. Im


Vorwärtsbetrieb sorgen die Ohm’schen Widerstände von Substrat und Anschlüssen zu einem
Strom, welcher geringer ist als der von der Shockley-Gleichung vorhergesagte.

3.20 Wird bei einer Diode in Rückwärtspolung die sogenannte Zener-Spannung erreicht, so
fängt der Strom an, sehr schnell mit der Spannung anzusteigen. Ursache ist der Tunneleffekt.
Dieser beruht auf der Tatsache, dass nach den Regeln der Quantenmechanik ein Elektron
kurzzeitig in Bereiche vordringen kann, für die es nicht genug Energie hat. Findet es jenseits
eines solchen Bereichs ein Potenzial vor, welches niedriger ist als sein ursprüngliches, so
bleibt es dort. Man sagt, es ist durch den Energieberg getunnelt. Bei einer Zener-Diode tunnelt
ein Ladungsträger zum Beispiel vom Akzeptor-Band eines P-Gebiets in das Leitungsband
eines N-Gebiets.

3.21 Die vier äußeren Elektronenorbitale bilden einen Tetraeder. Bei dieser Form sind alle
Elektronen gleich weit, und damit möglichst weit voneinander entfernt. Energetisch stellt für
die vier äußeren Elektronen der Tetraeder also ein Minimum dar: möglichst nah am Kern und
gleichzeitig möglichst weit voneinander weg.

3.22 1eV ist der Energiegewinn eines Elektrons beim Durchlaufen einer Potenzialdifferenz
von 1 V. Das Potenzial ist aber nichts anderes als Energie pro Ladung: U D W =Q, und die
Ladung ist eine Elementarladung Q  1;6 1019 C. Also ist W D Q  U D 1;6 1019 C 
1 V D 1;6  1019 J.

3.23 Alle Minoritätsträger können Verarmungszonen passieren, und sie tun es zu 100 %, da
sie vom Feld in der Verarmungszone beschleunigt werden und auf dem Weg durch die Zone
(bis auf die statistisch nicht ins Gewicht fallenden entgegenkommenden Minoritätsträger der
anderen Fraktion) nichts zum Rekombinieren finden.
Außerdem kann ein kleiner Teil der Majoritätsträger die Verarmungszone passieren. Es
ist genau der Teil, der genügend Energie besitzt, um die Potenzialbarriere zu überwinden.
Bildlich gesprochen ist dies die obere Ecke des thermischen Elektronen-Energiespektrums.

3.24 Es werden 0 Volt (keine Spannung) gemessen, da die Diffusionsspannung nicht nach
außen dringt (siehe auch . Abb. 3.10).

3.25 Ja! Allerdings hat ein Elektron im P-Gebiet am Rande der Verarmungszone nur eine
knapp 50 %ige Wahrscheinlichkeit, in die Zone einzudringen. Dann fliegt es jedoch mit fast
100 %iger Wahrscheinlichkeit bis in das N-Gebiet. Je weiter es vom Rand der Zone entfernt
erzeugt wird, um so kleiner wird die Chance, diese zu erreichen. Insgesamt ergibt sich ein wei-
cher Übergang: Tief in der Verarmungszone tragen alle Photonen zum Energiegewinn bei. Am
Rande, aber noch innerhalb der Zone wächst die Chance, dass der Impuls des frisch erzeugten
Elektrons ausreicht, um gegen das elektrische Feld aus der Verarmungszone herauszukom-
men. Genau am Rand beträgt die Chance 50 %, um dann mit wachsendem Abstand langsam
gegen Null zu gehen. Dabei heißt großer Abstand: deutlich mehr als eine Diffusionslänge.

3.26 Lawineneffekt: Die Elektronen werden in der Verarmungszone so stark beschleunigt,


dass sie bei der nächsten Kollision mit einem Atomrumpf ein Elektron-Loch-Paar erzeugen.
So steigt die Anzahl der Ladungsträger bei hinreichender Weite der Sperrschicht lawinenartig
128 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

an. Dieser Zusammenbruch erfordert also eine niedrige Dotierung, denn eine solche geht mit
großen Weiten einher.
Zener-Effekt: Wird die Feldstärke innerhalb der Verarmungszone so groß, dass ein Bin-
dungselektron dadurch Energie abgeben kann, dass ein Stückchen entgegen dem elektrischen
Feld ins Leitungsband eindringt, dann wechselt das Elektron mit einer gewissen Wahrschein-
3 lichkeit spontan vom Valenzband ins Leitungsband. Dies ist nur möglich, weil im Rahmen
der Quantenmechanik das so genannte Tunneln möglich ist. Tunneln heißt, einen Bereich
zu großer Energie überwinden und jenseits des Energieberges wieder herauskommen. Die
Wahrscheinlichkeit des Tunnelns fällt sowohl mit dem Abstand, als auch mit der Höhe des
Energieberges exponentiell ab. Dieser Zusammenbruch erfordert also eine sehr hohe Dotie-
rung.
Thermischer Durchbruch: Der thermische Durchbruch kann zusammen mit den beiden
oben genannten Effekten oder bei sehr hohen Temperaturen auftreten. Der Strom in Sperr-
richtung wird von in der Verarmungszone erzeugten Elektron-Loch-Paaren dominiert. Mit
steigender Temperatur wächst die Anzahl dieser Paare lawinenartig an. Sie erzeugen bei ei-
ner in Sperrrichtung anliegenden Spannung USperr in der Sperrschicht eine Wärmeleistung
P D .UD C USperr /I (siehe (3.11)). Wenn diese Wärme nicht schnell genug abgeführt wird
(Kühlung), dann sorgen also mehr Paare für noch mehr Paare und so weiter, bis die Diode
thermisch zerstört ist.

3.27
Zu a) Sagen Sie das nie, und schon gar nicht in einer Prüfungssituation. Entweder, die Theorie
sagt das in der Praxis Gefundene richtig voraus, oder sie ist falsch. In diesem Fall ist die
Theorie unvollständig: In der Shockley-Gleichung (3.15) ist die thermische Erzeugung
von Elektron-Loch-Paaren nicht berücksichtigt. Diese Erzeugung kann den Strom in
Sperrrichtung leicht um einen Faktor 1000 erhöhen. Wenn er aber trotz dieses Faktors
noch auf dem Oszilloskop unsichtbar bleibt, dann muss es einen anderen Grund geben.
c) ist richtig. Der Sperrstrom liegt um Größenordnungen unterhalb der in Vorwärtsrich-
tung gemessenen Ströme. Er liegt daher optisch näher bei Null, als das menschliche
Auge auflösen kann.
Zu b) Das ist natürlich absoluter Quatsch.

3.28 Der Fall, dass die Sperrschicht einer Diode vollständig abgebaut wird, tritt praktisch
nie ein. In der Regel würde das Halbleiter-Bauteil vorher zerstört. Vielmehr bedeutet ein
großer Diodenstrom dass die Potenzialbarriere der Sperrschicht ist so flach geworden, dass
ein großer Teil der Majoritätsträger hindurch diffundieren kann. Man könnte auch sagen: Die
Sperrschicht ist noch da, aber sie ist irrelevant.

3.29 Der lineare Verlauf der Kennlinie zeigt, dass hier mit der Näherung

I  IS e U=UT (3.35)

gearbeitet werden kann. Aus der Steigung der Geraden kann die Temperaturspannung ermittelt
werden, denn für zwei Messpunkte .U1 ; I1 / und .U2 ; I2 / gilt

U1  U2 U1  U2
UT D D : (3.36)
ln.I1 =I2 / log.I1 =I2 /  ln.10/
3.3  Antworten zu Kap. 3
129 3

Setzt man die Anfangs- und Endwerte der Messreihe ein, so ergibt sich eine Temperaturspan-
nung von UT D 22 mV. Das entspricht einer Temperatur von 21 Grad Celsius und spricht
eindeutig für ein Messen mit einer Mütze auf dem Kopf.21
Für den Sperrstrom kann nun UT in einen beliebigen anderen Punkt gemäß IS D I=e U=UT
eingesetzt werden. Numerisch ergibt sich IS  9;8 fA.

3.30 Der im Abschnürbereich betriebene PMOS-Transistor verhält sich in nullter Näherung


wie eine spannungsgesteuerte Stromquelle. Der im Abschnürbereich betriebene NMOS-
Transistor verhält sich in nullter Näherung wie eine spannungsgesteuerte Stromsenke.

3.31 Damit ein MOS-Transistor überhaupt leitet, muss die Gate-Source-Spannung weiter von
der Null weg sein als die dazu gehörige Schwellspannung; also beim NMOS-Transistor das
positive UGS > UT h;N und beim PMOS-Transistor das negative UGS < UTH;P . Damit der
Kanal vollständig ist, müssen die entsprechenden Ungleichungen nicht nur am Source-Ende,
sondern auch am Drain-Ende erfüllt sein: beim NMOS UGD > UT h;N und beim PMOS UGD <
UTH;P .

3.32 Das ist natürlich der durch die Minoritätsträger bedingte Ladungsüberschuss (siehe Text
unter . Abb. 3.17)

3.33 Die Aussagen folgen direkt aus der Fermi-Verteilung (3.1). Für T ! 0 erhält man wegen
e 1 D 1=e 1 D 0

nz .EZ < EF / D 1 und nz .EZ > EF / D 0 : (3.37)

Das heißt: Unterhalb der Fermi-Energie ist alles besetzt, oberhalb ist alles leer.

3.34 Ja, es gilt, und dies ist nichts als Statistik, wie die folgende Überlegung zeigt:
Für reines Silizium sind n und p gleich: n D p D ni . Im Gleichgewicht ist die Wahr-
scheinlichkeit, dass ein Elektronen-Loch-Paar entsteht, genau so groß wie die, dass es re-
kombiniert. Dabei ist die Entstehung ein reiner Temperatureffekt, welcher jedes Siliziumatom
treffen kann.
Wie ändert sich die Situation, wenn durch Dotierung die Anzahl der Elektronen verdop-
pelt wird? Die Wahrscheinlichkeit, dass irgendein Loch ein Wiederbesetzungselektron findet,
verdoppelt sich. Die Wahrscheinlichkeit, dass ein neues Loch entsteht, bleibt aber gleich.
Im Mittel wird daher die Anzahl der Löcher halbiert. Es gilt also n.neu/ D 2n.alt/ und
p.neu/ D p.alt/=2. Und damit p.neu/  n.neu/ D 2n.alt/  p.alt/=2 D n.alt/  p.alt/. Diese
Überlegung kann generalisiert werden:

Das Produkt aus Löcherkonzentration und Elektronenkonzentration ist von der Dotierung
unabhängig.

3.35 Nach (3.7) (eine Anwendung des Gauß’schen Satzes) ist die Feldstärke gleich dem
Integral über die Ladungsdichte. In Regionen konstanter Dichte müssen sich daher, wie in

21
Ein Kollege wies mich darauf hin, dass das Messen in Badehose in seinem Labor ohnehin nicht gestattet sei.
130 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

. Abb. 3.44 Zur Aufgabe 3.35: Ionenverteilung, elektrisches Feld und Potenzial als Resultat eines idealisierten,
weil abrupten PN-Übergangs; links das P-Gebiet, rechts das N-Gebiet (Einheiten beliebig)

. Abb. 3.44 gezeigt, Geraden-Abschnitte ergeben. Das Potenzial ist (bis auf das Vorzeichen)
nach (3.8) das Integral über die Feldstärke. Dort, wo die Feldstärke linear ansteigt, fällt das
Potenzial parabolisch ab. Es erreicht schließlich den Wert der Diffusionsspannung UD .

3.36 . Abb. 3.45 zeigt beispielhaft den Verlauf. In einer Prüfungssituation sind folgende De-
tails zu beachten: An den Rändern, außerhalb der Rekombinationszone liegt ni genau in der
Mitte zwischen P und nmin sowie zwischen N und pmin . In der Verarmungszone und in den
Rekombinationsbereichen muss dies nicht mehr der Fall sein. Der mit Elektronendiffusion und
mit Löcherdiffusion bezeichnete Bereich hat im halblogarithmischen Maßstab genau dann
einen linearen Verlauf, wenn die Dotierungskonzentrationen keine Ortsabhängigkeit mehr
haben. Die Verarmungszone reicht weiter in das N-Gebiet als in das P-Gebiet, denn es gilt
N  wN D P  wP mit w D wN C wP :

min
min

. Abb. 3.45 Lösungsskizze zur Aufgabe 3.36: Verlauf der Ladungsträgerkonzentration einer vorwärts gepolten
Diode
3.3  Antworten zu Kap. 3
131 3

3.37 In . Abb. 3.16 ist zu sehen, dass eine Komponente der Löcherstrom aus der Basis in den
Emitter ist. Die zweite Komponente ist derjenige Anteil des Elektronenstromes aus dem Emit-
ter heraus, der in der Basis rekombiniert. Bei steigender Basis-Kollektor-Spannung nimmt
(vergleiche (3.12)) die Sperrschichtweite zu. Dadurch wird die Zone, in der die Elektronen
rekombinieren können, schmaler. Das führt zur Abhängigkeit von IC von UBC , also zum
Early-Effekt.

3.38 Die Schleusenspannung bzw. Kniespannung einer Halbleiterdiode liegt zwischen UK D


0;6 V und UK D 0;7 V, die der Schottky-Diode etwas über UK D 0;3 V. Es fällt also ins-
gesamt ein knappes Volt ab. Der Kleinsignalwiderstand einer Diode ist nach (3.29) vom Typ
unabhängig rDiode D UT =I . Für beide Dioden zusammen ist also r D 2  rDiode D 2  .UT /=I ,
also in Zahlen r  4 .

3.39 In . Abb. 3.46 sind die Lösungsmöglichkeiten schematisch dargestellt. Die vorletzte in
. Abb. 3.46 gezeigte Schaltung kann nicht ausschließlich aufgrund ihrer Struktur einem Be-
triebszustand zugeordnet werden. Vielmehr ist die Kenntnis der Rückwärtsstromverstärkung
nötig, wie die folgende Überlegung zeigt: Zunächst scheint es, als seien beide Dioden des
Transistors in Durchlassrichtung gepolt, der Transistor also in Sättigung ist. Wenn jedoch viel
mehr Strom durch die Basis fließt als durch den Kollektor, dann sperrt die Basis-Emitter-Diode
und der Transistor ist im Rückwärtsbetrieb. Folgender Test entscheidet: Wenn die Annahme
des Rückwärtsbetriebs zu einer Emitter-Basis-Spannung führt, die einer noch nicht leitenden
Diode (hier UK  0;65 V) gehört, dann ist die Annahme des Rückwärtsbetriebs richtig, ande-
renfalls ist der Transistor in Sättigung. Ausgehend von

IE D Br  IB
(3.38)
UCB  UK

und dem Ohm’schen Gesetz für die Widerstände ergibt sich ein Basis-Potenzial von

2VC  UK
UB D V C : (3.39)
2 C Br

Für Br D 0 fließt kein Emitterstrom, und es ergibt sich ein symmetrischer Spannungs-
teiler zwischen den Widerständen an Kollektor und Basis. Das Basispotenzial ist mit UB D
UK =2 zu klein für einen signifikanten Diodenstrom: In diesem Fall ist also die Annahme des
Rückwärtsbetriebs korrekt. Für große Werte von BR wird der Basisstrom sehr klein, und der

. Abb. 3.46 Zur Aufgabe 3.39: Betriebszustände von Bipolar-Transistoren in verschiedenen Konfigurationen.
Vorwärtsbetrieb und Rückwärtsbetrieb sind eindeutig. Für die Sperrung gibt es zwei Möglichkeiten. Was zunächst
wie Sättigung aussieht, kann sich als Rückwärtsbetrieb herausstellen
132 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

Spannungsabfall über dem Emitter steigt. Je größer BR desto mehr sackt das Basispotenzial
ab, bis UEB  UK . Dann sorgt die Emitter-Basis-Diode dafür, dass das Potenzial nicht weiter
sinkt, und es herrscht Sättigung. Setzt man das Basispotenzial in (3.39) gleich UK , dann lässt
sich die Grenze für Br bestimmen:

UK
3 Br >
VC  UK
(Sättigung). (3.40)

Für die gegebenen Werte müsste für die Sättigung Br > 0;13 sein, ist es aber nicht.22 Daher ist
der Transistor im Rückwärtsbetrieb. Nur die letzte gezeigte Möglichkeit zeigt den Transistor
in Sättigung, denn Bf D 20 > 0;13.
Ein Strom von genau 5 mA ergibt sich beim Vorwärtsbetrieb am Emitter, beim Rückwärts-
betrieb links am Kollektor und für die Sättigung an der Basis.

3.40 Der Ausgangswiderstand ist am größten, wenn der Transistor in Vollsperrung ist. Dann
ist der Ausgangswiderstand gerade gleich dem an den Kollektor angeschlossenen Widerstand:
RC D 500 . Die Summe der Spannungen an diesem Widerstand plus UCE ist gerade die
Bordnetz-Spannung VC C . Also gilt IC D .VC C  UCE /=RC . Diese Arbeitsgerade genann-
te Linie ist in . Abb. 3.47 gestrichelt eingezeichnet. Bei UCE D 6 V schneidet die Gerade
die zu einem Basisstrom von IB D 30 A gehörende Ausgangslinie. Dieser Wert für den
Basisstrom wird (schwer abzulesen, aber nicht kritisch) bei einer Basis-Emitter-Spannung
von etwa UBE  0;65 V erreicht. Wenn diese auch eingangsseitig der Umschaltpunkt sein
soll, muss der Strom von IB D 30 A über dem Basiswiderstand einen Spannungsabfall von
U.RB / D 3;3 V=2  0;65 V D 1 V hervorrufen. Also ist RB D 33;3 k.
Im Hinblick auf die Verlustleistung hat die Schaltung zwei Nachteile: Erstens ist sie so
ausgelegt, dass der maximale Stromfluss durch den Transistor gerade bei UA  0 V auftritt:
Die Schaltung verbraucht also permanent Strom, wenn der Schrittmotor ausgeschaltet ist. Au-
ßerdem ist der Ausgangswiderstand gerade dann am größten, wenn der Strom gebraucht wird,
bei UA D VC C . Beide Nachteile könnten überwunden werden, wenn an Stelle des NPN-
Transistors ein PNP-Transistor Verwendung fände. Die Schaltung hätte bei UA D 0 keinen
Stromverbrauch und könnte auf der Kollektorseite hochohmiger ausgelegt werden.

. Abb. 3.47 Zur Aufgabe 3.40:


Zeichnerische Bestimmung der
Ströme und Spannungen an einem
Bipolar-Transistor durch Analyse des
Kennfeldes

22
Die Funktion der Eingangs-NPN-Transistoren von TTL-Gattern beruht auf einem sehr kleinen Wert für Br .
3.3  Antworten zu Kap. 3
133 3

Immer, wenn an einer Stelle in der Schaltung nur sehr geringe Ströme fließen, sind diese
Schaltungen störungsgefährdet. Die oben dimensionierte Schaltung ist für den Einsatz einer
von Streufeldern gefüllten Umgebung wie im Automobil viel zu störanfällig, weil der Basis-
knoten sehr hochohmig ist: Der Strom von nur 30 A sollte dauerhaft erhöht werden, indem
an Stelle des einfachen Basis-Vorwiederstandes ein Spannungsteiler gegen Masse mit min-
destens 0;1 mA Dauerstrom verwendet wird.
Der große Wert des Basiswiderstandes zeigt auch an, dass der hier verwendete Transistor
ein teures Spitzenmodell ist. Es dürfte ruhig ein etwas günstigerer mit geringerer Verstärkung
sein.

3.41 Ein Minoritätsträger, der, nachdem er dem elektrischen Feld folgend die Verarmungs-
zone passiert hat, findet sich als Majoritätsträger auf der anderen Seite wieder. Beispiel: Ein
Elektron aus einem P-Gebiet erreicht nach dem Durchqueren einer Sperrschicht immer das
dahinter liegende N-Gebiet. Dort ist es Majoritätsträger und kann es bleiben. Es geschieht
also gar nichts.

3.42 Das lawinenartige Ansteigen des Thyristorstromes ist mit dem Ansteigen der Quer-
schnittsfläche verbunden, die dem Strom zur Verfügung steht: ein kleiner Zündkanal weitet
sich über die gesamte Querschnittsfläche des Bauelements aus. Demgegenüber ist die Quer-
schnittsfläche des Drain-Stromes eines DMOS-Transistors von vornherein vorbestimmt. Die
dünnste Stelle ist und bleibt die Inversionsschicht im Body-Gebiet unter dem Oxid.

3.43 Wir setzen an Stelle der Proportionalitäten in (3.2) und (3.4) beliebige, aber nicht von
der Temperatur abhängige Faktoren ˛ und ˇ:

n D ˛T 3=2 e .EL EF /=.kT / und p D ˇT 3=2 e .EF EV /=.kT / : (3.41)

Das Gleichsetzen von n und p ergibt


ˇ .EF EV /=.kT /
e .EL EF /=.kT / D e : (3.42)
˛
Logarithmieren und Sortieren ergibt dann eine Gleichung, bei der eine Seite von der Tempe-
ratur abhängt, die andere aber nicht:
 
.EL  EF / .EF  EV / ˇ
 D ln : (3.43)
.kT / .kT / ˛
Diese Gleichung kann nur für alle Temperaturen T gelten, wenn beide Seiten gleich Null sind.
Hieraus folgt zweierlei:
4 Die Proportionalitätskonstanten ˛ und ˇ sind gleich (wegen ln.1/ D 0).
4 Die Fermi-Energie liegt in der Mitte der Bandlücke: EF D .EL C EV /=2:

3.44 Lösungsstrategie: Die Diffusionsspannung ergibt sich durch einfaches Einsetzen. Zur
Berechnung der Sperrschichtbreite wird zunächst der allgemeine Zusammenhang zwischen
der Diffusionsspannung und der Sperrschichtbreite für dieses Profil gesucht und das Ergebnis
dann nach der Breite aufgelöst.
Lösung: Die Diffusionsspannung ist nach (3.9)
 
1036 cm6
UD D 0;025 V  ln  0;92 V : (3.44)
1;21 1020 cm6
134 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

Zur Berechnung der Sperrschichtbreite betrachten wir, um Vorzeichenfehler zu vermeiden,


nur den Bereich x D 0: : :a mit a D b=2. Die nur in diesem Teil berechnete Spannung muss
dann die halbe Diffusionsspannung sein. Zunächst wird nach 3.7 das Feld an einem Punkt x
berechnet:
Zx

x
N0 e 2aN0 e n

x o
3 Ex .x/ D
"
sin
2a
dx D
"

1  cos
2a
: (3.45)
0

Die Integration über das Feld von Null bis a gibt nach (3.8) die halbe Diffusionsspannung

Za Za n

x o
UD 2aN0 e
D U.a/ D  Ex .x/dx D  1  cos dx : (3.46)
2 "
2a
0 0

Man erhält
4a2 N0 e
UD D  .
 2/ : (3.47)

2"

Nun kann nach a aufgelöst werden. In Zahlen ergibt sich


s s

UD "0 "S i
0;916  8;85 1012  11;7
a D b=2 D D m (3.48)
2 eN0 .
 2/ 2 1;6 1019  1024  1;14

mit dem Endergebnis


b  7;2 nm : (3.49)

3.45 Es ist die Hybridparameter-Matrix, auch h-Parameter-Matrix genannt. Sie bietet (gegen-
über den Alternativen Kettenparameter-, Leitwert- oder Impedanz-Matrix) folgende Vorzüge:
4 iC und iB stehen auf verschiedenen Seiten. Damit ist die Stromverstärkung ˇ direkt ab-
lesbar.
4 uBE und iB stehen auf verschiedenen Seiten, daher ist der Eingangswiderstand rBE un-
mittelbar ablesbar.
4 uCE und iC stehen auf verschiedenen Seiten. Daher ist der Ausgangswiderstand rCE
unmittelbar ablesbar.

Insgesamt ergibt sich:


! ! ! !
@UBE
uBE rBE iB iB
D @UCE
 Dh : (3.50)
iC ˇ 1=rCE UCE uCE

Die partielle Ableitung h12 D @U@UBE


CE
beschreibt die Rückwirkung der Kollektor-Emitter-Span-
nung auf die Basis-Emitter-Spannung. Diese kann in fast allen praktischen Fällen vernachläs-
sigt werden.
Die einzige Alternative zur Hybridparameter-Matrix, die alle oben genannten Vorzüge hät-
te, wäre die inverse h-Parameter-Matrix.
3.3  Antworten zu Kap. 3
135 3
. Abb. 3.48 Zur Aufgabe 3.47: Als Kondensator gegen Masse geschalteter MOS-
Transistor

3.46 Die Vernachlässigung der Rückwirkung zeigt sich in der Hybridparameter-Matrix im


Weglassen des Terms @U @UBE
CE
: Die vollständige Kleinsignal-Gleichung für uBE ist aber uBE D
h11 iB C h12 uCE : Dabei beschreiben BE D h11 iB einen Ohm’schen Widerstand und uBE D
h12 uCE eine von der Kollektor-Emitter-Spannung gesteuerte Spannungsquelle zwischen Ba-
sis und Emitter. Da die Spannungen addiert werden, muss es sich um eine Reihenschaltung
handeln. Berücksichtigen der Rückwirkung hieße also Ersetzen von rBE durch eine Reihen-
schaltung aus Widerstand und Spannungsquelle.

3.47 Die größte Kapazität pro Fläche wird bei der Verwendung des Gate-Oxides erreicht.
Man kann also einen wie in . Abb. 3.48 gezeigten NMOS-Transistor verwenden. Ein Quer-
schnitt durch die Anordnung ist in . Abb. 3.21 c) zu sehen. Die Kapazität dieser Anordnung
(vergleiche (3.19)) beginnt bei einem Wert
"0 "SiO2 ASiO2
C0 D (3.51)
dSiO2
und wird bei steigender Spannung durch die Bildung der Verarmungszone mit der Breite dV
kleiner:23
 
dSiO2 dV 1
C.U / D ."0 ASiO2 /  C (3.52)
"SiO2 "Si
p
Dabei wächst dV gemäß dV  U . Ab der Schwellspannung kommt die Kapazität zwischen
Gate und Kanal hinzu. Während der Gate-Body Anteil immer schwächer wird, wird mit stei-
gender Spannung der Kanal-Anteil immer stärker. Bei großem UGS bleibt ein Kondensator
mit einer um UT h;N verschobenen Charakteristik. Gemäß (3.19) wird
UG  UTHN
C D C0  (3.53)
UG

3.48 Der spezifische Widerstand  ist nach (3.6)  D .e  ND  n /1 . Bei der Berechnung
des numerischen Wertes muss berücksichtigt werden, dass, wie in . Abb. 3.8 gezeigt, die
Beweglichkeit bei starker Dotierung nachlässt. So ergibt sich   2;1  104 m.
Der Schichtwiderstand folgt mittels Division durch die Dicke der Schicht: RSchicht D =d ,
in Zahlen RSchicht  210 .
Eine Leiterbahn, die fünfzigmal so lang wie breit ist, hat einen Widerstand von R D 50 
RSchicht , also R  11 k.
Wären die Donatoren auf die doppelte Eindringtiefe verteilt, würde sich der spezifische
Widerstand verdoppeln, denn die Konzentration der Ladungsträger wäre halbiert. Der Schicht-
widerstand aber bliebe gleich.

23
Kondensatoren mit mehreren Dielektrika werden im 7 Kap. 2 diskutiert.
136 Kapitel 3  Halbleiter-Bauelemente

3.49 In Sättigung werden an beiden PN-Übergängen die Ströme von den Majoritätsträgern,
die aus dem Emitter und aus dem Kollektor kommen, dominiert. In der P-dotierten Basis
angekommen, finden diese sich als Minoritätsträger wieder. Im Rückwärtsbetrieb ist dagegen
der Strom von Majoritätsträgern durch die Emitter-Basis-Diode stark reduziert. Entsprechend
wichtiger wird der Strom der aus dem Kollektor kommenden Elektronen.
3 Daher ist Aussage a) falsch und Aussage b) richtig. Im Extremfall einer hohen Sperrpolung
an der Basis-Emitter-Diode ist der Strom an diesem PN-Übergang ein reiner Minoritätsträger-
strom.
Aussage c) ist ebenfalls falsch: nie sind so viele Minoritätsträger in der Basis wie im Sät-
tigungsbetrieb.
Da Rückwärtsbetrieb eine in Sperrpolung betriebene Basis-Emitter-Diode bedeutet, ist die-
se Verarmungszone im Rückwärtsbetrieb weiter als im Vorwärtsbetrieb oder in Sättigung.
Aussage d) ist also auch falsch.

3.50 Am Beginn des Einschaltvorganges ist die Verlustleistung am größten, sowohl beim
IGBT als auch beim VDMOS. Beim Einschalten wird eine der Ausgangskennlinien (wel-
che, wird durch UGS bestimmt) in . Abb. 3.31 von rechts nach links durchlaufen. Je weiter
rechts, desto größer ist das Produkt UDS  ID , also die Verlustleistung.

Literatur

1. Nagel LW, Pederson DO (1973) Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (SPICE), siehe
www.eecs.berkeley.edu/Pubs/TechRpts/1973/ERL-382.pdf. Zugegriffen: 2017
2. Hunklinger S (2014) Festkörperphysik, 4. Auflage. De Gruyter Oldenbourg, ISBN 978-3-486-75558-9
3. siehe Intel 22nm 3D-Tri-Gate-Transistoren auf www.youtube.com/watch?v=v2gDMj42sIM. Zugegriffen:
2018
4. siehe http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat
5. Küpfmüller K, Mathis W, Reibiger A (2008) Theoretische Elektrotechnik. 20. Auflage Springer, ISBN
978-3-662-54836-3
6. Neundorf D, Pfendtner R, Popp H-P (1997) Elektrophysik. Springer Berlin, ISBN 540-62996-3
7. Göbel H (2014) Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik. Springer, Berlin, 5. Auflage, ISBN
978-3-642-53869-8
137 4

Lineare elektrische Netze – dem Strom


einen Weg bahnen
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2018
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, https://doi.org/10.1007/978-3-662-56649-7_4

Der Einführung in die Begriffswelt der Schaltpläne folgt die Diskussion von Strom- und Span-
nungspfeilen und deren Bedeutung als Koordinatensysteme. Hieraus folgt eine wenig bekannte,
aber sehr einfache Methode zur Bestimmung der richtigen Vorzeichen der Bauelementegleichungen
von Energieerzeugern und -verbrauchern. Die Kirchhoff’schen Regeln werden aus Erhaltungs-
sätzen hergeleitet. Es wird gezeigt, welche Schaltungen auf reale Strom- und Spannungsquellen
zurückgeführt werden können und wie deren Leistung maximiert wird.
Die Netzwerkberechnung wird auf Basis des Knotenpotenzial-Verfahrens, des Maschenstrom-
Verfahrens und des Überlagerungsverfahrens diskutiert. Es wird gezeigt, wie mit Ausnahmen um-
gegangen wird und wann welches Verfahren das beste ist.

4.1 Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze

Wenn Netze betrachtet werden, so ist dies der erste Schritt von der Komponente, also vom
Bauelement, zum Gesamtsystem. Da die Anzahl der Komponenten in einzelnen Systemen
längst Milliardengrenze1 übersprungen hat, werden sowohl vereinfachende Regeln als auch
standardisierte Lösungsverfahren gebraucht. In diesem Kapitel werden Netze aus Spannungs-
quellen, Stromquellen, Widerständen, Kondensatoren und Spulen untersucht. Diese Kompo-
nenten haben allesamt lineare Strom-Spannungskennlinien und erlauben so die Anwendung
von Lösungsverfahren aus der linearen Algebra.

4.1.1 Vorzeichen, Richtungen und Topologien

Zur systematischen Analyse elektrischer Netze haben sich bestimmte Begriffe und Konven-
tionen als nützlich erwiesen. Das beginnt mit der Wahl der Vorzeichen und der dazugehörigen
Richtungskonventionen und endet bei topologischen Begriffen zur Beschreibung der Netze.

1 Energie entsteht durch Bewegung entgegen einer Kraft


Vorzeichenfehler sind die Pest der Ingenieurwissenschaften. Daher sind Systeme und Regeln
entstanden, um die richtigen Vorzeichen in einen immer gleichen Zusammenhang mit Schalt-
bildern zu bringen. Letztlich sind diese aus der Mechanik übernommen, wie die folgenden
Beispiele zeigen. . Abb. 4.1 stellt Prozesse, bei denen einem System Energie zugeführt wird
solchen gegenüber, bei denen Energie dem System verloren geht. Immer, wenn das Produkt
aus Kraft mal Geschwindigkeit negativ ist, wird Energie gewonnen, anderenfalls wird Ener-

1
Der Intel Quadcore Titanium brachte es schon 2008 auf zwei Milliarden Transistoren.
138 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

. Abb. 4.1 Drei Beispiele aus der Mechanik und aus der Elektrotechnik für den Transfer von Energie: Ein System
gewinnt Energie, wenn eine Kraft überwunden wird (obere Reihe). Ein System gibt Energie ab, wenn Kraft und
Bewegung in die gleiche Richtung zeigen. Die Pfeile hier zeigen die tatsächliche Richtung an

gie abgegeben.2 Dieses Prinzip gilt ebenso für die Gravitation wie für die Elektrizitätslehre.
Betrachtet man ein elektrisches Netzwerk als System, dann gilt daher: Ihm wird Energie zu-
gefügt, wenn eine Ladung dem Feld entgegenbewegt wird oder wenn in einer Stromquelle
oder in einer Spannungsquelle der Strom vom Minuspol zum Pluspol fließt. Ihm wird Energie
entnommen, wenn in einem Kondensator der Strom von der Anode zur Kathode fließt und
so dem Stromkreis Energie für den Aufbau eines Feldes entnommen wird. Dem elektrischen
Netzwerk wird auch Energie entnommen, wenn in einem Ohm’schen Widerstand Wärme er-
zeugt wird.

1 Strom- und Spannungspfeile sind Koordinatensysteme und keine Vektoren


In der Elektrotechnik wird die Stromrichtung durch Pfeile bezeichnet. Diese legen, wie in
. Abb. 4.2 gezeigt, jeweils ein Koordinatensystem fest. Der positive Wert eines Stromes be-
deutet dann, dass dieser in die vom Pfeil vorgegebene Richtung fließt. Ein negativer Wert
bedeutet, dass der Strom der Pfeilrichtung entgegenfließt. Die Spannung wird mit einem Pfeil
bezeichnet, der bei einem positiven Wert für die Spannung der Richtung des elektrischen Fel-
des entspricht, also vom Pluspol zum Minuspol.
Nun fließt in einem Generator der Strom immer dem Potenzialgefälle entgegen. Will man
in einem einfachen Netz trotzdem nur positive Werte für die Ströme und Spannungen erhal-
ten, müssen die Generatoren entgegengesetzte Pfeile für Strom und Spannung bekommen.
Die am häufigsten anzutreffende Konvention besagt: Bei einem (Energie-) Verbraucher sind
Strom- und Spannungspfeil parallel. Bei einem Erzeuger sind Strom- und Spannungspfeil

. Abb. 4.2 Strompfeile (rot) sind eindimensionale Koordinatensysteme, die


eine Referenzrichtung festlegen. Dagegen zeigen Pfeile, die für Vektoren stehen
(schwarz), die tatsächliche Richtung an I>0 I<0
J J

2
Ein interessanter Spezialfall ist die Lorentz-Kraft. Da sie stets senkrecht zur Bewegung wirkt, wird weder Energie
zugeführt, noch Energie abgegeben. Eine Ladung wird daher aufgrund der Lorentz-Kraft immer abgelenkt, aber weder
gebremst, noch beschleunigt.
4.1  Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze
139 4
+ +
Generator, dI
U I U = - L dt U I Q=-CU
Erzeuger
- -

+ +
dI
Verbraucher U I U=+ L dt U I Q=+CU
- -

. Abb. 4.3 Skizze zur Bestimmung der richtigen Vorzeichen: Die Bauelementegleichungen für Spule und Kon-
densator (und aller anderen Bauelemente) gelten nur dann ohne zusätzliches Minuszeichen, wenn der Strom und die
Spannung jeweils relativ zur gleichen Richtung definiert werden

entgegengesetzt. Dabei kann der Erzeuger eine Stromquelle, eine Spannungsquelle oder ir-
gendein anderer Generator sein. Ein positiver Wert für den Strom im Generator bedeutet daher
immer, dass der Strom dem Potenzialgefälle entgegenfließt. Den Sinn dieser Konvention kann
man sofort erkennen, wenn man sich eine Batterie vorstellt: Dient sie als Energiequelle, dann
fließt der Strom außerhalb der Batterie vom Pluspol zum Minuspol, innerhalb der Batterie
jedoch vom Minuspol zum Pluspol. Wird die Batterie von einem externen Generator geladen,
dann fließt der Ladestrom innerhalb der Batterie vom Pluspol zum Minuspol.

1 Erzeugerpfeile repräsentieren taktische Fehler, die ausgeglichen werden müssen


So nützlich diese Konvention ist, sie birgt doch eine große Fehlerquelle in der Behandlung von
Spulen und Kondensatoren. Denn diese entnehmen ihrem Netzwerk Energie, wenn die E- und
B-Felder aufgebaut werden. Sie geben Energie ab, wenn die Felder abgebaut werden. Sie kön-
nen daher sowohl als Erzeuger als auch als Verbraucher auftreten. Werden sie im Netzwerk
als Erzeuger behandelt, so wird ihnen eine der Spannung entgegengesetzte Stromrichtung zu-
gewiesen. Physikalisch gesehen ist dies ein Fehler: Es entspricht der Messung des Stromes in
einem Koordinatensystem und der gleichzeitigen Messung der Spannung in einem um 180ı
gedrehten Koordinatensystem. Um diesen Fehler zu beheben, müssen die Bauelementeglei-
chungen, wie in . Abb. 4.3 gezeigt, den gewählten Pfeilrichtungen angepasst werden (siehe
auch Aufgabe 4.38). In der Netzwerkanalyse werden zur Bestimmung der Vorzeichen gerne
Pfeilsysteme und damit verbundene Interpretationsalgorithmen verwandt. Der Leser sei auf
die Literatur, zum Beispiel [4], verwiesen.

1 Für den Baum ist es eine Astgabel, für den Ingenieur ein Knoten
Netzwerke werden mit den in . Abb. 4.4 gezeigten Begriffen beschrieben. Klemmen sind be-
liebige Anschlusspunkte. Zwischen zwei Klemmen kann eine Spannung gemessen werden.
Zwei Pole sind gleich einem Paar von Klemmen. Die Verbindung zweier Pole heißt Zweig.
Hinter dem ? in . Abb. 4.4 kann sich eine beliebig komplizierte Kombination von Bauele-
menten verbergen. Eine große Anzahl verschiedener Topologien wird zum Beispiel in [2]
diskutiert.
140 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

. Abb. 4.4 Veranschaulichung einiger häufig gebrauchter Begriffe: Ein Klemmenpaar ergibt zwei Pole, mehrere
Pole zusammen ergeben einen Knoten; Knoten sind durch Zweige verbunden

. Abb. 4.5 Veranschaulichung der Begriffe Baum und Masche:


4 Hat die Verbindung Endpunkte, ist sie ein Baum, ist sie geschlos-
sen, spricht man von einer Masche. Alle Quellen und Impedanzen
entlang der Zweige sind hier nicht gezeichnet

Mehrere Zweige zusammen ergeben entweder einen Baum oder, wie in . Abb. 4.5 gezeigt,
eine Masche. Maschen sind geschlossen und haben genau so viele Knoten wie Zweige. Bäume
haben einen Knoten mehr als Zweige, weil sie offen sind.

4.1.2 Kirchhoff’sche Regeln

Die nach ihrem Entdecker3 genannten Gesetze sind aus heutiger Sicht für die Anwendungs-
praxis umformulierte physikalische Grundgesetze der Elektrostatik.
Die Erhaltung der Ladung ergibt das erste, auch Knotenregel genannte Kirchhoff’sche
Gesetz. Man stelle sich einen kleinen Tropfen Lötzinn auf einer Platine vor, an dem viele
Leitungen zusammenkommen, so, wie etwas abstrakter in . Abb. 4.6 dargestellt. Wenn in
dem Tropfen keine nennenswerte Ladung gespeichert werden kann, dann fordert das Gesetz
der Ladungserhaltung (vergleiche . Abb. 1.5), dass immer genau so viel Ladung ankommen
wie abfließen muss. Anders ausgedrückt:

Knotenregel: An einem elektrischen Knotenpunkt ist die Summe aller Ströme gleich Null.

Für ein allgemeines Netzwerk mit k Knoten gibt es also k Gleichungen. Wird, wie in . Abb.
4.7 gezeigt, vorausgesetzt, dass das Gesamtnetzwerk eine ausgeglichene Strombilanz hat,
also genau so viel Strom hineinfließt wie heraus, dann wird eine der k Gleichungen über-

. Abb. 4.6 Veranschaulichung der Knotenregel: Bei ihrer Anwendung muss mindestens ein
Strom negativ sein, wenn alle Ströme auf den Punkt zeigen, denn was hereinkommt muss auch
wieder hinaus

3
Der Physiker Gustav Robert Kirchhoff wurde am 12. März 1824 in Königsberg, Preußen, geboren und starb am 17.
Oktober 1887 in Berlin.
4.1  Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze
141 4
. Abb. 4.7 Veranschaulichung des Verlustes einer Knotengleichung: Bei Ein
a priori ausgeglichener Strombilanz (d. h. IEin D IAus D I ) gibt es statt k
nur .k  1/ unabhängige Knotengleichungen

Aus

flüssig.4 In der Elektrotechnik ist die radikale Form hiervon, das geschlossene System (nichts
herein, nichts heraus) der Regelfall. So gilt:

In einem offenen Netz mit k Knoten gibt es k unabhängige Knotengleichungen, in einem


geschlossenen Netz gibt es jedoch nur .k  1/ unabhängige Knotengleichungen.

Energieerhaltung ist die Grundlage der in . Abb. 4.8 illustrierten, zweiten Kirchhoff’schen
Regel. Nach (1.15) muss eine Ladung, die von einem beliebigen Punkt a zu einem anderen
Punkt b und wieder zurück bewegt wird, nach der Rückkehr die gleiche potenzielle Energie
haben wie vor der ersten Bewegung natürlich auch, wenn dabei ein dritter Punkt c erreicht
wurde, und so weiter. Die Summe aller Energieänderungen von a über b, c, . . . zurück zu a
ist Null. Bis auf die Ladung, Q, ist die Summe aller Energieänderungen gerade die Summe
aller Spannungen. Diese Erkenntnis wird zweite Kirchhoff’sche Regel oder auch Maschenregel
genannt:

Maschenregel: Die Summe aller Spannungen entlang eines geschlossenen Weges ist Null.

Sie gilt, wie in . Abb. 4.8 angedeutet, unabhängig von der Art und Anzahl der auf diesem
Weg befindlichen Bauelemente. Die Maschenregel lässt sich auch komplementär formulieren:
Die Summe aller Spannungen zwischen zwei Punkten einer Masche ist unabhängig vom Weg
immer die gleiche.

. Abb. 4.8 Die Maschenregel als Konsequenz der Energieerhaltung: Weil ein
Ladungsträger auf dem Weg a ! b ! c: : : zurück nach a keine Energie gewinnen
kann, ist die Summe aller Spannungen Null

4
Man stelle sich ein geschlossenes Röhrensystem mit Pumpen, Abzweigungen und Kreuzungen vor. Wenn von allen
Röhrenabschnitten und allen Verzweigungen bis auf eine einzige, letzte Verzweigung bekannt ist, dass an keiner Stelle
Flüssigkeit hinzukommt, dann kann von nirgendwo her eine Flüssigkeitsmenge kommen, die die Bilanz an dieser
letzten Verzweigung ungleich Null sein lässt. Die Aussage An der letzten Verzweigung kommt nichts hinzu ist eine
notwendige Konsequenz der anderen Bedingungen und keine neue Information.
142 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

. Abb. 4.9 Skizze eines Stromteilers. Stromteiler sind Netze, bei denen alle Komponenten parallel geschaltet sind.
Über allen fällt daher die gleich Spannung U ab und der Strom I wird aufgeteilt

! Vorsicht, eingeschränkte Gültigkeit


4 Die Maschenregel gilt nur in Abwesenheit zeitlich veränderlicher Felder (siehe 7 Abschn.
1.1.3). Mit kleinen Spannungen arbeitende Schaltungen müssen daher gegen elektromagne-
tische Strahlung geschützt werden.

Für ein geschlossenes Netzwerk mit k Knoten und m Maschen ergeben die Kirchhoff’schen
Regeln also k 1Cm Gleichungen. Diese sind alle linear und ergeben genau dann ein lösbares
Gleichungssystem, wenn die Ströme und Spannungen in einem Netzwerk überhaupt berechnet
werden können.
Zwei häufig gebrauchte Spezialfälle sind der unbelastete Spannungsteiler und der Stromtei-
ler. Beim unbelasteten Spannungsteiler fließt der gleiche Strom I nacheinander durch mehrere
(N ) Widerstände. Die an einem einzelnen Widerstand R1 abfallende Spannung ist dann

!
X
N
U1 D U.R1 / D U  R1 = Ri (unbelasteter Spannungsteiler), (4.1)
i D1

wobei U die über der gesamten Kette abfallende Spannung ist.


Der Stromteiler ist in . Abb. 4.9 dargestellt. Für diese Schaltung gilt

G1 R1 k R2 : : : k RN
I1 D I.R1 / D I  PN D (Stromteiler). (4.2)
i D1 Gi
R1

Die Herleitung ist in Aufgabe 4.26 zu finden.

4.1.3 Reale Strom- und Spannungsquellen

Ideale Spannungsquellen liefern immer die gleiche Spannung, egal wie viel Strom aus ihnen
herausgezogen wird. Ideale Stromquellen liefern immer den gleichen Strom, egal wie viel
Spannung dafür überwunden werden muss. Die einfachste Art, das nicht-ideale Verhalten zu
berücksichtigen, besteht darin, so wie in . Abb. 4.10 gezeigt, einen Widerstand zur idealen
Quelle hinzuzufügen: Reale Spannungsquellen können in guter Näherung als Reihenschal-
tung einer idealen Spannungsquelle, UQ , und einem Widerstand, RS , reale Stromquellen als
Parallelschaltung einer idealen Stromquelle IQ mit einem Widerstand RP beschrieben wer-
den. Für die außen messbaren Spannungen U und Ströme I gilt dann:

U D UQ  Rs  I
I D IQ  U=Rp : (4.3)
4.1  Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze
143 4
. Abb. 4.10 Ideale und reale Spannungs- und
Stromquellen. Die Abweichungen vom Idealfall
werden näherungsweise durch einen zusätzlichen
Widerstand berücksichtigt

. Abb. 4.11 Beispiel für das Ersetzen von Parallelschaltungen


durch Reihenschaltungen: Reale Strom- und Spannungsquellen
können ineinander umgerechnet werden

1 Reale Quellen können ausgetauscht und erweitert werden


Setzt man in (4.3) die beiden Ströme I gleich und fordert, dass das Ergebnis für alle Span-
nungen U gilt, dann folgt die Umrechnungsbedingung

Rp D Rs und UQ D RS  IQ : (4.4)

Das heißt: Man kann zu jeder realen Spannungsquelle eine reale Stromquelle finden, die von
außen betrachtet das identische elektrische Verhalten zeigt. In . Abb. 4.11 ist sie schematisch
dargestellt. Da die Widerstände nach (4.4) gleich groß sind, spricht man auch einfach nur vom
Innenwiderstand Ri .
Allerdings: In dem Grenzfall, dass der Innenwiderstand keine Rolle spielt, spricht man
von idealen Quellen, die natürlich nicht mehr ineinander umgerechnet werden können: Eine
ideale Stromquelle hat einen unendlich großen Innenwiderstand, eine ideale Spannungsquel-
le einen verschwindend geringen Innenwiderstand. Experimentell feststellen lässt sich der
Innenwiderstand durch Veränderung der Last:

dU U
Ri D   (4.5)
dI I

Gl. (4.5) ist die Basis für eine populäre Vereinfachung, die bei allen Zweipolen funktioniert,
die Quellen beinhalten. Denn sie sind allesamt in äquivalente Strom- oder Spannungsquellen
umzurechnen. Ein Beispiel ist in . Abb. 4.12 gezeigt. Zunächst wird der Innenwiderstand be-
stimmt. Dies geschieht, indem alle Stromquellen gestrichen und alle Spannungsquellen durch
Kurzschlüsse ersetzt werden. Das so verbleibende Netzwerk wird zu einem einzigen Wider-
stand zusammengefasst. Soll der Zweipol als reale Stromquelle dargestellt werden, so wird
der Kurzschlussstrom bestimmt. Denn im Kurzschlussfalle spielt der Parallelwiderstand keine
Rolle und nur der Anteil der idealen Stromquelle dringt nach außen. Dazu werden Strom- und
Spannungsquellen wieder in die Schaltung eingesetzt. Der Kurzschlussstrom ist dann nach
(4.3) mit U D 0 gleich IQ : Ist das Ziel der Vereinfachung eine reale Spannungsquelle, so
144 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

. Abb. 4.12 Grafische Darstellung eines Beispiels zur Bestimmung der Parameter von realen Ersatzquellen. Für die
Bestimmung der Leerlaufspannung ist der Widerstand R3 irrelevant

wird anstelle des Kurzschlussstromes die Leerlaufspannung bestimmt. Insgesamt erhält man

Ri D .R1 k R2 / C R3
 
1 UB
IQ D IB C .R1 k R2 k R3 /
R3 R1 (4.6)
UB C R1 IB
UQ D :
1 C .R1 =R2 /

Das obige Beispiel beinhaltet einen simplen Spezialfall: Enthält eine Schaltung nur Wi-
derstände, also weder Strom- noch Spannungsquellen, so kann sie immer zu einem einzigen
Widerstand zusammengefasst werden.

1 Höchstleistung heißt bei Quellen Anpassung


Die an einem Bauteil erbrachte Leistung P ist das Produkt aus der anliegenden Spannung U
und dem hindurchfließenden Strom I . Belastet man eine reale Quelle mit einem Kurzschluss
(R ! 0), so bricht die Spannung zusammen, belastet man sie gar nicht (1=R ! 0), fließt kein
Strom. In beiden Fällen tendiert die Leistung gegen Null. Dazwischen muss ein Maximum
liegen. Zu dessen Bestimmung werden die in . Abb. 4.10 gezeigten Quellen jeweils mit einem
(einzigen) Widerstand R belastet. Bei der Spannungsquelle liegt dieser dann in Reihe mit dem
Innenwiderstand RS , bei der Stromquelle parallel zu RP . Die am Widerstand R erbrachte
Leistung PR ergibt sich dann zu

R
Spannungsquelle: PR D UQ2
.R C RS /2
(4.7)
.RP k R/2
Stromquelle: PR D IQ2 :
R
Die maximale Leistung lässt sich bestimmen, indem die Leistung nach dem Lastwiderstand
R abgeleitet und das Ergebnis gleich Null gesetzt wird. Man erhält RS D R bzw. RP D R.
Das ergibt die Regel
4.1  Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze
145 4

Ein Widerstand zieht genau dann die maximale Leistung aus einer Quelle, wenn er den
gleichen Wert hat wie der Innenwiderstand der Quelle. Die Bedingung

Ri D R (4.8)
heißt Leistungsanpassung.

4.1.4 Analyseverfahren

1 Mit Hilfe der Kirchhoff’schen Regeln lässt sich eine Matrizengleichung aufstellen
Mit Hilfe der Kirchhoff’schen Regeln können die einzelnen Ströme und Spannungen einer
Schaltung berechnet werden. Für einfache Schaltungen ist die stets das Mittel der Wahl, denn
es führt immer zum Ziel und erfordert nur eine einzige strategische Überlegung: Welche Strö-
me und Spannungen sollen zunächst eliminiert werden?
Bei großen Schaltungen kann das Eliminieren unübersichtlich und fehleranfällig werden.
Daher ist es von Vorteil, den Weg von den Kirchhoff’schen Gleichungen zur expliziten Lö-
sung zu systematisieren. Da diese Gleichungen alle linear sind, führt ein direkter Weg hin
zu Matrizengleichungen, die mit Hilfe der Matrix-Inversion gelöst werden können. Zu die-
sem Zweck ist es nützlich, die Gleichungen so aufzuschreiben, dass auf der rechten Seite des
Gleichheitszeichens nur Nullen, Quellspannungen oder Quellströme stehen. Die linke Seite
besteht nur aus Strömen und Widerständen. Das so aufgestellte Gleichungssystem kann dann
gelöst werden.

! Vorsicht eingeschränkte Anwendbarkeit!


Die Kirchhoff’schen Gesetze gelten für ein beliebiges Netzwerk mit beliebigen Bauteilen. In
dem Moment, in dem lineare Gleichungssysteme bzw. Matrizengleichungen aufgestellt werden,
sind die Lösungsverfahren auf Schaltungen aus linearen Bauteilen beschränkt.

Die Vorgehensweise soll anhand des in . Abb. 4.13 gezeigten Schaltungsbeispiels erläutert
werden. Die Stromrichtungen können beliebig gewählt werden, zum Beispiel so wie in der
Abbildung. Die Kirchhoff’schen Regeln ergeben nun drei Gleichungen:

I1 R1 C I2 R2 D UB
I2 R2  I3 .R3 C R4 / D 0 (4.9)
IB C I1 D I2 C I3

. Abb. 4.13 Beispielschaltung zur Illustration der Systematisie-


rung der Lösung der Kirchhoff’schen Gleichungen
146 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

Nun werden die Gleichung in die Form Matrix mal Stromvektor gleich bekannte Quellen
überführt:
0 1 0 1 0 1 0 1
R1 R12 0 I1 I1 UB
B C B C B C B C
B0 C B
R2 .R3 C R4 /A  @I2 A D M  @I2 A D @ 0 C
C B C B (4.10)
@ A
1 1 1 I3 I3 IB

Genau diese Form ist hilfreich, denn jetzt führt die Inversion der Matrix M zu einem Glei-
4 chungssystem, in dem die gesuchten Ströme .I1 ; I2 ; I3 / aus den gegebenen Quellen folgen.
Die Multiplikation von (4.10) liefert
0 1 0 1 0 1 0 1 0 1
I1 1 0 0 I1 I1 UB
B C B C B C B C B C
M 1 M  B I C D
@ 2 A @0
B 1 0C  BI2 C D BI2 C D M 1  B 0 C :
A @ A @ A @ A (4.11)
I3 0 0 1 I2 I3 IB

Das immer zum Ziel führende Verfahren besteht also aus folgenden Einzelschritten:

1. Beliebige Strompfeile vergeben.


2. Alle unabhängigen Kirchhoff’schen Gleichungen hinschreiben und so sortieren, dass
die Ströme alle in der gleichen Reihenfolge auftreten.
3. Alle gemeinsam in die Form Matrix M mal Stromvektor gleich bekannte Quellen
4. Die so gefundene Matrix M invertieren,
5. M 1 von links mit dem Vektor der Spannungen multipliziert ergibt alle Ströme.

! Vorsicht Vorzeichen!
Beim normgerechten Zeichnen einer Spannungsquelle zeigt der Pfeil entgegen der technischen
Stromrichtung (siehe 7 Abschn. 4.1.1), und innerhalb der Spannungsquelle fließt der Strom
vom Minus- zum Pluspol. Tipp: Die Stromrichtung so wählen, dass der Strom außerhalb der
Spannungsquelle vom Pluspol zum Minuspol fließt, und konsistenterweise eine positive Quell-
spannung UQ verwenden. Dann passen die Vorzeichen.

1 Das Maschenstrom-Verfahren berücksichtigt automatisch alle Knotengleichungen


Die Größe des aus den Kirchhoff’schen Regeln folgenden Gleichungssystem wächst sehr
schnell mit der Größe der Schaltung. Daher sind Verfahren entwickelt worden, die die An-
zahl der Rechenschritte verkleinern. Beim ersten optimierte Verfahren, dem Maschenstrom-
Verfahren, werden die Ströme so gewählt, dass die Knotengleichungen implizit enthalten sind,
die Anzahl der Gleichungen insgesamt also nur so groß wie die der Maschengleichungen ist.
Zu diesem Zweck werden an Stelle der durch die einzelnen Bauelemente fließenden Strö-
me nur noch die Maschenströme analysiert.5 Wie in . Abb. 4.14 angedeutet, wird der Strom
durch ein Bauteil (oder mehrere in Reihe) nicht mehr explizit, sondern als Überlagerung von
Maschenströmen angegeben. Die Idee dabei ist folgende: Sind alle Maschenströme bekannt,
dann ist die Bestimmung der Ströme durch die Bauteile nur noch eine einfache Addition. Die

5
Eine Reihe von Beispielen hierzu findet sich in [3].
4.1  Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze
147 4
. Abb. 4.14 Der Kerngedanke des Maschenstrom-Verfahrens: Der Strom durch ein Bauteil,
hier ein Ohm’scher Widerstand, wird als Summe der Maschenströme angegeben, hier I.R/ D
IM1 C IM 2

vollständige Spannungsbilanz in einer Masche wird nun in zwei Schritten vorgenommen: Zu-
nächst wird die Masche isoliert betrachtet, dann werden all diejenigen Spannungen addiert,
die durch angrenzende Maschenströme hinzukommen. Für die in . Abb. 4.15 gezeigte Teil-
schaltung ist also die Maschengleichung für die linke Masche

UQ D .R1 C Rk C R2 /  IM1 C Rk  IM 2 : (4.12)

Die Summe aller Widerstände in einer Masche wird Umlaufwiderstand genannt. Ein Wi-
derstand, der wie Rk in . Abb. 4.15 zwei Maschen koppelt, wird auch Koppelwiderstand
genannt.
Die Maschenregel ist eine Spannungsregel. Daher müssen zur Anwendung des Verfah-
rens zunächst gemäß (4.4) alle realen Stromquellen in reale Spannungsquellen umgerechnet
werden. Befindet sich in einer Masche allerdings eine ideale Stromquelle, so ist dies nicht
möglich. Daher gilt die Einschränkung

Das Maschenstrom-Verfahren funktioniert nicht für ideale Stromquellen.

Oft hilft eine genauere Analyse der Schaltung dennoch Auswege zu finden, wie . Abb. 4.16
zeigt: Die Widerstände R2 ; R3 und R4 werden zu einem neuen Widerstand Rx D R2 k .R3 C
R4 / zusammengefasst. Der neue Widerstand Rx wird als Innenwiderstand der aus ihm und der
idealen Quelle IB bestehenden realen Stromquelle uminterpretiert. Diese reale Stromquelle
lässt sich danach in eine reale Spannungsquelle umrechnen.

. Abb. 4.15 Spannungsbilanz einer Masche. Sie wird in zwei Schritten


erstellt: zunächst die Masche allein (hier: IM1 ), dann um die angrenzenden
Maschenströme (hier: IM 2 ) erweitert

. Abb. 4.16 Uminterpretation einer Schaltung zur Vorbereitung des Maschenstrom-Verfahrens: die grau unterleg-
ten Widerstände werden benutzt, um aus der idealen eine reale Stromquelle zu machen
148 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

Insgesamt lässt sich das Verfahren so zusammenfassen:

1. Alle Stromquellen in Spannungsquellen umrechnen,


2. Maschen und Umlaufrichtungen der Maschenströme festlegen,
3. die Spannungsbilanz für jede Masche ohne Berücksichtigung der Ströme der angren-
zenden Maschen aufstellen,
4. für alle Koppelwiderstände die durch die Ströme der an sie angrenzenden Ma-
4 schen erzeugten Spannungen hinzuaddieren. Dies gilt, wenn beide Maschenströme am
Koppelwiderstand in die gleiche Richtung zeigen. Wenn die Stromrichtung der an-
grenzenden Masche entgegengesetzt ist, muss der durch den Strom der Nebenmasche
erzeugte Spannungsabfall subtrahiert werden,
5. jede dieser Gleichungen in die Form RM1 IM1 C RM 2 IM 2 C : : : D UQM bringen. Dabei
ist UQM die Summe aller Quellspannungen der Masche M ,
6. die Gleichungen so sortieren, dass die Ströme in allen Gleichungen in der gleichen
Reihenfolge stehen; dann sortiert untereinanderschreiben und als Matrixgleichung
formulieren. Die Umlaufwiderstände bilden nun die Hauptdiagonale der Widerstands-
matrix, die Koppelwiderstände die neben der Diagonalen liegenden Elemente,
7. die so gefundene Widerstandsmatrix R invertieren,
8. R1 mit dem Vektor der Spannungen multipliziert ergibt alle Ströme.

Da die Form der so entstandenen Widerstandsmatrix immer gleich ist, kann sie mit einiger
Erfahrung auch direkt aus der Schaltung abgelesen werden (eine gut lesbare Einführung findet
sich zum Beispiel in [1]):
0 1
0 1 0 1 0 1 UQ1
R11 R12 ::: IM1 IM1 B C
B C B C B C B B U C
C
BR21 : : :C B C B C Q2
@ R22 A  @IM 2 A D R  @IM 2 A D B
B 0 C
C (4.13)
::: ::: ::: ::: ::: @ A
:::

In die Hauptdiagonale werden die Umlaufwiderstände eingetragen, die Elemente daneben


sind die Koppelwiderstände. Das Vorzeichen der Koppelwiderstände ist nur positiv, wenn die
Stromrichtungen in den beiden gekoppelten Maschen gleich sind. Auf der rechten Seite der
Matrix-Gleichung steht die Summe aller in den jeweiligen Maschen auftauchenden Spannun-
gen der Spannungsquellen. Die Inversion ergibt alle Umlaufströme:
0 1 0 1
IM1 UQ1
B C B C
BIM 2 C BUQ2 C
B C B C
B C B C
BIM 3 C D R1  BUQ3 C : (4.14)
B C B C
BI C B 0 C
@ M 4A @ A
::: :::

Die Ströme durch die einzelnen Bauteile ergeben sich dann als die Summe der jeweils betei-
ligten Maschenströme.
4.1  Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze
149 4
. Abb. 4.17 Beispielschaltung zur Erläuterung des Knotenpotenzial- V1 V2
Verfahrens
R2
IQ1 R1 IQ2

1 Das Knotenpotenzial-Verfahren berücksichtigt automatisch alle Maschengleichungen


Beim zweiten formalisierten Verfahren, dem Knotenpotenzial-Verfahren, wird ein Glei-
chungssystem mit dem Ziel aufgestellt, dass die Maschengleichungen implizit enthalten sind.
Die Anzahl der Gleichungen für ein geschlossenes System mit k Knoten ist also auf .k  1/
begrenzt.
. Abb. 4.17 zeigt eine Schaltung, an welcher das Verfahren demonstriert wird. Zunächst
werden die Strombilanzen an den Knoten mit den Potenzialen V1 und V2 bestimmt. Sie lauten

V1 V1  V2
V1 W C D IQ1 ;
R1 R2
(4.15)
V1  V2
V1 W IQ2 C D 0;
R2

und werden als Leitwertgleichungen .g D 1=R/ mit sortierten Potenzialen hingeschrieben:

V1 W .g1 C g2 /V1 g2 V2 D IQ1


(4.16)
V1 W g2 V1 Cg2 V2 D IQ2 :

Die Lösung

V1 D R1 .IQ1 C IQ2 / und V2 D R1 IQ1 C .R1 C R2 /IQ2 (4.17)

ist in diesem Falle also mit geringem Aufwand zu finden. Bei größeren Schaltungen ist es
ratsam, (4.16) in eine Leitwert-Matrizengleichung zu überführen und so die Anwendung der
Lösungstechniken der linearen Algebra vorzubereiten. Im Folgenden wird das allgemeine Ver-
fahren beschrieben.
Zunächst wird jedem Knoten ein Potenzial V zugeordnet.
Die Spannung zwischen zwei Knoten ist dann Ui k D Vi  Vk . Beim Knotenpotenzial-
Verfahren wird an Stelle der Widerstandsmatrix R die Leitwertmatrix G invertiert:
0 1
IQ1
0 1 0 1 0 1 B C
V1 1 0 ::: V1 BIQ2 C
B C B C B C B C
B C
G 1 G  B C D B
@ V2 A @ 0 1 : : :C B C 1
A  @ V2 A D .V1 ; V2 ; : : :/ D G  B :::C (4.18)
B C
B C
::: ::: ::: ::: ::: @ 0 A
0

Das Verfahren liefert also bei einem gegebenen Satz von Stromquellen alle Potenziale einer
Schaltung.
Eines der Potenziale kann immer frei gewählt werden, denn entscheidend für die Strom-
flüsse sind nach U D R  I ausschließlich die Potenzialdifferenzen (also die Spannungen). Es
150 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

. Abb. 4.18 Der Kerngedanke des Knotenpotenzial-Verfahrens: Zum


Aufstellen der Knotenmatrix reicht eine Betrachtung aller unmittelbaren
Nachbarschaften

4 ist praktisch, das frei wählbare Potenzial Vfrei D 0 zu setzen und ihm die Knotennummer 0 zu
geben.6 Die Gl. (4.18) nimmt dann die folgende Form an:
0 1
0 1 0 1 0 1 IQ1
U 1 0 0 ::: U B C
B 10 C B C B 10 C BIQ2 C
B U C B 0 : : :C B C B C
B 20 C B 0 1 C B U20 C B C
G 1 G  B CDB CB C D G 1  B : : : C : (4.19)
B ::: C B 0 0 1 : : : C B ::: C B C
@ A @ A @ A B 0 C
@ A
U.k1/0 ::: ::: ::: ::: U.k1/0
0

Es ist also bei k Knoten die .k  1/  .k  1/ große Leitwertmatrix G aufzustellen und zu


invertieren.
Um dieses Verfahren zum Erfolg zu bringen, müssen zunächst die Spannungsquellen ge-
mäß (4.4) in Stromquellen umgewandelt werden. Dann wird die Matrix der Leitwerte be-
stimmt. Dies geschieht auf besonders effiziente Weise, wenn für jeden Knoten, wie in . Abb.
4.18 gezeigt, ausschließlich die Nachbarn betrachtet werden. Der Trick besteht darin, die
Stromerhaltung (oder Knotenregel) so aufzuschreiben, dass sie einer Vorbereitung des in
(4.19) definierten Lösungsweges dient. Nennen wir I1 den Strom durch den Widerstand R1 ,
I2 den durch R2 ; . . . dann folgt:

I1 C I2 C I3 C IQ D 0
U10  Ux0 U20  Ux0 U30  Ux0
! C C C IQ D 0
R1 R2 R3

1 1 1 1 1 1
!   U10   U20   U30 C C C  Ux0 D IQ
R1 R2 R3 R1 R2 R3
! Gx1  U10  Gx2  U20  Gx3  U30 C ŒGx1 C Gx2 C Gx3   Ux0 D IQ : (4.20)

Die letzte Form der Stromerhaltung in (4.20) ist einer Reihe einer Matrizengleichung äquiva-
lent: 0 1
U
B 10 C
BU C
B 20 C
.Gx1 ; Gx2 ; Gx3 ; ŒGx1 C Gx2 C Gx3 /  B C D IQ : (4.21)
BU30 C
@ A
Ux

Die (positive) Summe ŒGx1 C Gx2 C Gx3 , also die Summe aller mit dem Knoten x verbun-
denen Leitwerte, wird auch Knotenleitwert dieses Knotens genannt. Die anderen, mit einem
Minuszeichen versehenen Leitwerte werden Koppelleitwerte genannt. Auf der rechten Seite
der Gleichung steht die auf den Knoten zeigende Stromquelle.

6
Genau das macht auch der Simulator SPICE und die auf ihn aufsetzenden Derivate.
4.1  Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze
151 4

Entsprechende Gleichungen lassen sich nun für jeden Knoten einer Schaltung finden. Ge-
ordnet und untereinandergeschrieben werden sie zu einem linearen Gleichungssystem, wel-
ches einer Matrixgleichung äquivalent ist. Aus der Form von (4.21) lässt sich eine Handlungs-
anweisung für das Aufstellen dieser Matrix für das Knotenpotenzial-Verfahren ablesen:

1. Alle Spannungsquellen in Stromquellen umwandeln und jedem der k Knoten eine


Nummer geben,
2. ein Potenzial als V D 0 definieren; alle weiteren Potenziale sind Differenzen (Spannun-
gen) zu diesem Potenzial. Für diesen Knoten wird keine Knotengleichung aufgestellt,
3. die Elemente der Hauptdiagonalen Gi i der Leitwertmatrix sind die Knotenleitwerte,
4. die nicht auf der Diagonalen stehenden Elemente Gik sind die mit einem Minuszeichen
versehenen Leitwerte der Kopplungen zwischen den Knoten i und k.

So wird die Schaltung insgesamt in der folgenden Form beschrieben:


0 1 0 1 0 1
G11 G12 ::: G1.k1/ U10 IQ1
B C B C B C
B G G2.k1/ C B C B C
B 21 G22 ::: C B U20 C B IQ2 C
B CB CDB C : (4.22)
B ::: ::: ::: ::: C B ::: C B ::: C
@ A @ A @ A
G.k1/1 G.k1/2 ::: G.k1/.k1/ U.k1/0 IQ.k1/

Dabei sind alle Quellströme IQi , die auf den Knoten i zeigen, positiv und die anderen nega-
tiv. Die Inversion der Leitwertmatrix liefert dann .k  1/ Gleichungen zur Bestimmung aller
Potenziale in der Schaltung.
Das Beste an diesem Verfahren: Die Leitwertmatrix kann direkt durch Betrachten der
Schaltung und ohne weitere Nebenrechnungen aufgestellt werden. Ferner kann ihre Symme-
trie .Gi k D Gki / zur Überprüfung der Richtigkeit benutzt werden. Ein Beispiel ist in Aufgabe
4.37 zu finden.

Das Knotenpotenzial-Verfahren eignet sich nicht für ideale Spannungsquellen.

Ideale Spannungsquellen lassen sich nicht in Stromquellen umwandeln und bedürfen daher ei-
ner gesonderten Behandlung, die über das reine Knotenpotenzialverfahren hinausgeht. . Abb.
4.19 zeigt, wie die Behandlung zweier durch eine Spannungsquelle verbundene Knoten als
Doppelknoten zu einer Lösung führen kann. An Stelle von zwei separaten Strombilanzen für
zwei Knoten wird die Bilanz für einen einzigen Doppelknoten mit den beiden Potenzialen UX
und Uy aufgestellt. Diese wird analog zu (4.20) hingeschrieben und umgeformt:
I1 C I2 C I3 C IQ D 0
U10  Uy U20  Uy U30  Ux
! C C C IQ D 0
R1 R2 R3
 
1 1 1 1 1 1
!   U10   U20   U30 C C  Uy C  Ux D IQ : (4.23)
R1 R2 R3 R1 R2 R3
152 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

. Abb. 4.19 Behandlung idealer Spannungsquellen im Rahmen des


Knotenpotenzial-Verfahrens: Zwei durch eine ideale Spannungsquelle
verbundene Knoten können zu einem Doppelknoten zusammengefasst
werden
Ideal

Man sieht, dass die Doppelknotenbilanz die gleiche Struktur hat, wie die eines einzelnen
4 Knotens: Den positiven Knotenleitwerten stehen die negativen Koppelleitwerte gegenüber.
Allerdings gibt es eine Gleichung weniger als zu berechnende Knotenpotenziale. Dieses De-
fizit kann mittels Einbau von Uy  Ux D UIdeal in die Matrixgleichung überwunden werden.
Die Gesamtgleichung hat dann die Form
0 1 0 1 0 1
G11 G12 : : : : : : G1.k1/ U10 IQ1
B C B C B C
BG C B C B C
B 21 G22 : : : : : : G2.k1/ C B : : : C B : : : C
B CB CDB C : (4.24)
B::: ::: ::: ::: ::: C B C B C
@ A @ Uy A @ : : : A
0 ::: 0 1 1 Ux UIdeal

Auch in dieser Form stehen in dem Vektor auf der rechten Seite nur bekannte Größen. Die
Inversion der Matrix7 gibt also für jeden Knoten ein Potenzial an.

1 Das Überlagerungsverfahren produziert leicht zu rechnende Einzelschaltungen


Jede Quelle liefert ihren Beitrag zum Strom durch die Bauteile eines Netzwerkes. Die Idee
des Überlagerungsverfahrens ist, diese Beiträge für jede Quelle einzeln zu berechnen und
dann deren Beiträge zu addieren.
Der Beitrag einer Stromquelle verschwindet für IQ D 0 und der einer Spannungsquelle für
UQ D 0: Der Blick auf . Abb. 4.10 zeigt, dass dies im Schaltplan dem Ersetzen einer idealen
Stromquelle durch eine fehlende Verbindung und dem Ersetzen einer idealen Spannungsquelle
durch einen Kurzschluss entspricht (Die Kreise der Quellen aus den Schaltplänen streichen.).
Das Verfahren führt so zu teilweise drastisch vereinfachten Schaltungen und Rechnungen, die
allerdings für jede einzelne Quelle nacheinander durchzuführen sind.
Die Vorgehensweise ist an einem Beispiel in . Abb. 4.20 dargestellt. Die Ströme in den
Teilschaltungen lassen sich in diesem Falle direkt aus den Teilschaltungen ablesen:

I.R1 / D IQ1 C 0  IQ3


I.R2 / D 0 C UQ2 =.R2 C R3 / C IQ3 .R2 k R3 /=R2 (4.25)
I.R3 / D 0  UQ2 =.R2 C R3 / C IQ3 .R2 k R3 /=R3 :

Die Terme in (4.25) sind in der Reihenfolge aufgeschrieben, in der die Teilschaltungen in
. Abb. 4.20 dargestellt sind. Man erkennt an diesem Beispiel, dass die Vereinfachungen dras-
tisch sein können und mit der Anzahl der Quellen zunehmen.
Unabhängig von der Strombestimmung bietet das Überlagerungsverfahren eine hervorra-
gende Möglichkeit, das Funktionieren einer Schaltung zu verstehen, denn es beantwortet in

7
Die neue Matrix ist keine reine Leitwertmatrix mehr. Vielmehr ist die letzte Zeile eine Spannungsbilanz. Dies hat
aber weder für die Lösbarkeit noch für die korrekte Behandlung der Einheiten Konsequenzen.
4.1  Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze
153 4

. Abb. 4.20 Eine Schaltung mit drei Quellen (links) und die zur Berechnung nach dem Überlagerungssatz dienen-
den Teilschaltungen (rechts)

systematischer Weise die Frage: Welches Bauteil steht wie mit welchen anderen Bauteilen in
welcher Verbindung? So ist in dem in . Abb. 4.20 gezeigten Beispiel vor dem Aufteilen der
Schaltung nicht für jeden unmittelbar ersichtlich, dass die Ströme durch die Widerstände R2
und R3 völlig unabhängig von der Stärke der Quelle IQ1 sind.

1 Die Wahl der richtigen Methode hilft Zeit sparen


In . Tab. 4.1 sind die oben beschriebenen Verfahren zusammengefasst. Generell gilt: Die
Definition von Ersatzquellen ist oft eine gute Vorbereitung auf das Anwenden der anderen
Verfahren. Je größer die Schaltung, desto eher werden das Maschenstrom-Verfahren oder
das Knotenpotenzial-Verfahren Verwendung finden. Das Überlagerungsverfahren führt in dem
Maße zu Vereinfachungen, in dem die Anzahl der Quellen zunimmt.

. Tabelle 4.1 Lösungsverfahren für lineare Gleichstromnetze

Verfahren Vorteile Nachteile

Kirchhoff’sche Gesetze Funktioniert immer Viele Gleichungen .m C k  1/

Maschenstrom-Verfahren Wenige Gleichungen .m/ Keine idealen Stromquellen

Knotenpotenzial-Verfahren Wenige Gleichungen .k  1/ Keine idealen Spannungsquellen

Überlagerungsverfahren Vereinfachte Schaltungen Eine Gesamtrechnung pro Quelle

Ersatzquellen Vereinfachte Schaltungen Nur bei der Isolierung größerer


Zweipole hilfreich
154 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

4.2 Fragen und Aufgaben zu linearen elektrischen Netzen

4.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen

4.1 Was kann man über einen Spannungspfeil sagen?


a) Der Spannungspfeil ist ein eindimensionales Koordinatensystem.
b) Er ist ein Vektor.
4 c) Der Spannungspfeil gibt die Richtung des Stromes an.

4.2 Wie misst man den Innenwiderstand einer Spannungsquelle?


a) Man misst ihn mit einem Ohm-Meter.
b) Man misst den Spannungsabfall bei Stromerhöhung.
c) Das geht nur mit speziellen, dafür entwickelten Messgeräten.

4.3 Wann gelten die Kirchhoff’schen Gesetze?


a) Sie gelten nur bei Schaltungen aus linearen Bauelementen.
b) Sie gelten immer.
c) Sie gelten fast immer.

4.4 Unter welchen Umständen lässt sich ein Netzwerk durch eine reale Spannungsquelle er-
setzen?
a) Nur, wenn es genau zwei Anschlüsse hat,
b) nur, wenn es aus zwei Bauteilen besteht, oder
c) nur, wenn es eine Spannungsquelle enthält?

4.5 Mit welchem Widerstand R wird die maximale Leistung aus einer Stromquelle gezogen?
a) Mit R D 0 fließt der größte Strom, und man hat die größte Leistung.
b) Das lässt sich so allgemein gar nicht beantworten.
c) Wenn der Lastwiderstand gleich dem Innenwiderstand der Stromquelle ist, wird die meiste
Leistung abgeführt.

4.6 Welches Analyseverfahren eignet sich nicht für ideale Stromquellen?


a) Das Maschenstrom-Verfahren,
b) das Überlagerungsverfahren oder
c) das Knotenpotenzial-Verfahren?

4.7 Wie viele Knotengleichungen hat ein offenes, also mit äußeren Anschlüssen versehenes
Netzwerk mit einer Anzahl von k Knoten?
a) k  1,
b) k oder
c) k C 1 ?

4.8 Warum werden Verfahren wie das Maschenstrom-Verfahren oder das Knotenpotenzial-
Verfahren angewandt, wo doch die Kirchhoff’schen Gesetze ausreichen, um alle Ströme und
Spannungen in einem Netzwerk zu berechnen?
a) Die Frage enthält einen Irrtum. Die Kirchhoff’schen Gesetze reichen allein nicht aus. In
besonders schwierigen Fällen wird eines der obigen Verfahren nötig.
b) Weil so die Anzahl zu lösender Gleichungen deutlich reduziert wird.
c) Weil so alle Gleichungen linear werden.
4.2  Fragen und Aufgaben zu linearen elektrischen Netzen
155 4

4.9 Sie wollen mithilfe zweier Multimeter bestimmen, bei welcher Spannung ein elektrisches
Gerät im Stand-by-Betrieb welchen Strom verbraucht. Sie wissen, dass der Strom sehr klein
ist. Wie schließen Sie die Messgeräte an, um möglichst genau zu messen?
a) Das den Strom messende Multimeter wird in Reihe mit dem Gerät und zu beiden zusam-
men parallel das Voltmeter geschaltet.
b) Das die Spannung messende Multimeter wird in Reihe mit dem Gerät und zu beiden zu-
sammen parallel das Amperemeter geschaltet.
c) Das die Spannung messende Multimeter wird parallel zum Gerät und beide zusammen in
Reihe mit dem Amperemeter geschaltet.

4.10 „Bei der Umrechnung einer realen Stromquelle in eine reale Spannungsquelle bleibt der
Innenwiderstand der gleiche.“ Stimmt das?

4.11 „Beim Knotenpotenzial-Verfahren ist ein Potenzial frei wählbar.“ Stimmt das?

4.12 „Beim Knotenpotenzial-Verfahren werden automatisch alle Knotengleichungen mit be-


rücksichtigt.“ Stimmt das?

4.13 „Die Widerstandsmatrix des Maschenstrom-Verfahrens ist symmetrisch.“ Stimmt das?

4.14 „Das Maschenstrom-Verfahren lässt sich problemlos auch für Schaltungen mit idealen
Stromquellen anwenden, wenn diese jeweils parallel zu einem oder mehreren Widerständen
im Netzwerk geschaltet sind.“ Stimmt das?

4.15 Wie bestimmt man rechnerisch den Innenwiderstand, die Leerlaufspannung und den
Kurzschlussstrom der Ersatzquelle für eine Schaltung aus Widerständen und Quellen?

4.16 Welcher Kerngedanke liegt dem Maschenstrom-Verfahren zugrunde?

4.17 Welcher Kerngedanke liegt dem Knotenpotenzial-Verfahren zugrunde?

4.18 In welchem Rahmen sind Strom- und Spannungspfeile frei wählbar?

4.19 In welchen Fällen setzten Sie welches Analyseverfahren zur Berechnung von Strömen
und Spannungen in einem Netzwerk ein?

4.20 Woran ist zu erkennen, dass ein Bauteil dem elektrischen Netzwerk Energie hinzufügt?

4.2.2 Klausuraufgaben

4.21 In Passau fließen drei Flüsse zusammen. Welche Größe ist dabei erhalten und was hat
das mit Gustav Robert Kirchhoff zu tun?

4.22 Bitte berechnen Sie den Strom durch den Widerstand R3 in . Abb. 4.21 mithilfe des
Überlagerungsverfahrens!
156 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

. Abb. 4.21 Zur Aufgabe 4.22: Netzwerk mit Quellen


und Widerständen

4 . Abb. 4.22 Zur Aufgabe 4.24: Netzwerk aus Ohm’schen Widerständen

4.23 Welche Ergebnisse der folgenden Messungen an realen Quellen sind vom Innenwider-
stand unabhängig?
4 Der Kurzschlussstrom einer realen Spannungsquelle,
4 die Leerlaufspannung einer realen Spannungsquelle,
4 der Kurzschlussstrom einer realen Stromquelle,
4 die Leerlaufspannung einer realen Stromquelle.

Auf welche dieser Messungen sollte man im Berufsleben lieber verzichten?

4.24 . Abb. 4.22 zeigt ein Widerstandsnetzwerk. Bitte stellen Sie alle den Kirchhoff’schen Re-
geln entsprechenden Gleichungen auf! Schreiben Sie auch die zum Maschenstrom-Verfahren
gehörende Widerstandsmatrix auf. Welcher Strom fließt, wenn U D 12 V ist und die Wider-
stände die Werte von R1 D R2 D 6 k , R4 D R5 D 3 k und R3 D 1 k besitzen?

4.25 Die Firma Plagiarius Ltd. kopiert Gleichspannungsgeneratoren für den Bereich UQ D
1 mV bis UQ D 10 V mit einem Innenwiderstand von Ri D 50  und verkauft sie zu Dum-
pingpreisen. Zur Tarnung verkauft sie diese als adjustable current source. Was muss die Firma
für den Innenwiderstand und für den Strombereich angeben?

4.26 Es seien N verschiedene Widerstände R1 : : : RN parallel geschaltet. Bitte finden Sie mit
Hilfe der Kichhoffschen Regeln heraus, welcher Anteil des Gesamtstromes durch den ersten
Widerstand R1 fließt.

4.27 . Abb. 4.23 zeigt eine Schaltung, die sich sowohl in eine Stromquelle, als auch in eine
Spannungsquelle umrechnen lässt. Warum ist das möglich, und was kommt dabei heraus?

. Abb. 4.23 Zur Aufgabe 4.27: Netzwerk aus einer Stromquelle und Ohm’schen
Widerständen
4.2  Fragen und Aufgaben zu linearen elektrischen Netzen
157 4
. Abb. 4.24 Zur Aufgabe 4.31: Netzwerk aus einer Spannungsquelle und Ohm’schen
Widerständen

4.28 Welche der folgenden Matrizen ist immer symmetrisch?


a) Widerstandsmatrix für das Maschenstrom-Verfahren
b) Leitwertmatrix für das Knotenpotenzial-Verfahren
c) Ladungserhaltungsmatrix für die Leistungsanpassung.

4.29 Für welche Matrizen gilt der folgende Satz: Die Matrizen haben positive Diagonalele-
mente und ausschließlich negative Nebendiagonalelemente.
a) Für die Widerstandsmatrix des Maschenstrom-Verfahrens gilt das immer.
b) Für die Widerstandsmatrix des Maschenstrom-Verfahrens gilt das in Spezialfällen.
c) Für die Leitwertmatrix des Knotenpotenzial-Verfahrens gilt das immer.
d) Für die Leitwertmatrix des Knotenpotenzial-Verfahrens gilt das in Spezialfällen.

4.30 Ein Bergwanderer gewinnt auf dem Weg zum Gipfel immer die gleiche potenzielle Ener-
gie, unabhängig von der gewählten Route. Welcher Regel in der Elektrotechnik entspricht
diese Erkenntnis?

4.31 . Abb. 4.24 zeigt eine Schaltung mit einer einzigen Spannungsquelle. Bitte stellen
Sie die Widerstandsmatrix für das Maschenstrom-Verfahren und Leitwertmatrix für das
Knotenpotenzial-Verfahren auf.

4.32 . Abb. 4.25 zeigt eine Schaltung mit zwei Spannungsquellen. Bitte berechnen Sie die
Maschenströme nach dem gleichnamigen Verfahren. Warum bietet sich bei dieser Schaltung
gerade dieses Verfahren an? Und was fällt Ihnen noch an der Schaltung auf?

4.33 Für einen Stadionlautsprecher mit einer durchschnittlichen Impedanz von R D 8  soll
ein Verstärker gebaut werden. Aus Sicht des Lautsprechers ist der Verstärker eine reale Strom-
quelle. Wie groß sollte der Innenwiederstand der Quelle sein, damit möglichst viel Leistung
im Lautsprecher ankommt? Falls nach einigen Jahren bei der gleichen Anlage der Lautspre-
cher durch einen mit einem Widerstand von R D 4  ersetzt würde: Wie änderte sich die vom
Lautsprecher aufgenommene Leistung?

. Abb. 4.25 Zur Aufgabe 4.32: Netz aus zwei Spannungsquellen und drei Ohm’schen
Widerständen, dessen Ströme sich nach dem Maschenstrom-Verfahren berechnen lassen
158 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

. Abb. 4.26 Zur Aufgabe 4.34: Die Wheatstonsche Messbrücke

4.34 . Abb. 4.26 zeigt die Wheatstonesche Messbrücke zur Bestimmung eines unbekannten
4 Widerstandes RU . Zu diesem Zwecke wird der Schiebewiderstand RS auf einen sehr genau
bekannten Widerstand so eingestellt, dass die zwischen den rechten beiden Stromzweigen
gemessene Spannung UM D 0 ist. Bestimmen Sie RU als Funktion der anderen Widerstände.
Welchen Einfluss hat der endliche Leitwert des Spannungsmessers auf das Ergebnis?

4.35 Sie bekommen ein Elektronik-Geschenk, welches angeblich bei einer Versorgung mit
U D 1;5 V im Stand-by-Betrieb weniger als P D 10 W verbraucht. Wie genau schließen
Sie die in . Abb. 4.27 gezeigten Geräte (eine Spannungsquelle und zwei Multimeter) mit dem
im Karton versteckten Geschenk zusammen, um dessen Leistungsaufnahme möglichst genau
zu bestimmen?

4.36 . Abb. 4.28 zeigt eine von einer Stromquelle gespeiste Schaltung. Bestimmen Sie die
Ströme nach dem Maschenstrom-Verfahren!

4.37 Das in . Abb. 4.29 gezeigte Netz hat zwei ideale Spannungsquellen. Bitte versuchen Sie
trotzdem, die Potenziale an den Knoten 1 und 2 mit Hilfe des Knotenpotenzial-Verfahrens zu
bestimmen! Bitte überprüfen Sie das Ergebnis mit Hilfe des Maschenstrom-Verfahrens.

. Abb. 4.27 Zur Aufgabe 4.35: Eine


Spannungsquelle, zwei Multimeter
und ein unbekanntes, als Geschenk
verpacktes Gerät

. Abb. 4.28 Zur Aufgabe 4.36: Von einer Stromquelle gespeiste


X-Schaltung parallel zu einer Spule

. Abb. 4.29 Zur Aufgabe 4.37: Netz mit zwei idealen Spannungsquellen
4.3  Antworten zu Kap. 4
159 4

4.38 Auf welches physikalische Prinzip geht der Satz Strom- und Spannungsrichtungen sind
frei wählbar zurück und warum gelten die Strom-Spannungsgleichungen in unveränderter
Form nur, wenn beide in der gleichen Richtung gewählt werden?

4.3 Antworten zu 7 Kap. 4

4.1 Antwort a) ist richtig. Ist der Strom positiv .I > 0/, so fließt er in Richtung des Span-
nungspfeils, sonst entgegengesetzt.

4.2 Antwort b) ist richtig, denn es gilt r D  U= I:

4.3 Antwort c) ist richtig. In Anwesenheit starker elektromagnetischer Wechselfelder gelten


sie nicht. Die Einschränkung ergibt sich dadurch, dass das elektrische Feld bei sich ändernden
Magnetfeldern einen Wirbelanteil bekommt. Dann ist die Maschenregel nicht mehr anwend-
bar. Die Knotenregel gilt nur, wenn der Knoten selbst keine Ladung speichern kann, wenn
also Parasitärkapazitäten vernachlässigbar sind.

4.4 Antwort a) ist richtig. Es dürfen beliebig viele lineare Bauteile sein. Die Abwesenheit
einer Spannungsquelle ist kein Problem, denn man kann eine mit einer Spannung von 0 V
einfügen.

4.5 Antwort c) ist richtig. Diesen Maximalfall nennt man auch Anpassung. Sowohl im Kurz-
schlussfall .R D 0/ als auch im Leerlauf .R ! 1/ ist die Leistung gleich null.

4.6 Antwort a) ist richtig. Das Maschenstrom-Verfahren basiert auf der Maschenregel, also
einer Spannungsregel. Es müssen reale Stromquellen in reale Spannungsquellen umgerechnet
werden. Für ideale Stromquellen ist dies nicht möglich.

4.7 Antwort b) ist richtig. Die Anzahl k  1 gilt nur bei Netzwerken ohne Stromzufuhr, ins-
besondere bei geschlossenen Netzwerken.

4.8 Antwort b) ist richtig. Die Kirchhoff’schen Gesetze produzieren für ein geschlossenes
Netz aus m Maschen und k Knoten .m C k  1/ Gleichungen, das Maschenstrom-Verfahren
m und das Knotenpotenzial-Verfahren k  1 Gleichungen.

4.9 Antwort a) ist richtig. Die zweite Option führt wegen des geringen Innenwiderstandes des
Amperemeters zu einem Kurzschluss. Die dritte Option ist zu ungenau, weil der Strom durch
das Voltmeter zum Gerätestrom hinzuaddiert wird.

4.10 Ja, das stimmt. Dabei ist zu berücksichtigen, dass der Innenwiderstand bei der Span-
nungsquelle in Reihe, bei der Stromquelle dagegen als parallel zur idealen Quelle liegend
angesehen wird.

4.11 Ja, das stimmt. Das gilt ganz allgemein, denn die Ströme und Spannungen in einer Schal-
tung ändern sich nicht, wenn zu allen Potenzialen ein fester Wert addiert wird.
160 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

4.12 Nein, das stimmt nicht. Richtig ist: Beim Knotenpotenzial-Verfahren werden alle Ma-
schengleichungen automatisch mit berücksichtigt.

4.13 Ja, das stimmt. Es gilt also Ri k D Rki .

4.14 Ja, das stimmt deshalb, weil in diesen Fällen der Parallelwiderstand zusammen mit der
idealen Quelle als reale Quelle interpretiert werden kann.

4 4.15 Bestimmung des Innenwiderstandes: Alle Spannungsquellen durch Kurzschlüsse erset-


zen, alle Stromquellen ganz streichen; dann die verbleibenden Widerstände zu einem zusam-
menfassen!
Bestimmung der Leerlaufspannung: Alle im Leerlauf nicht durchflossenen Widerstände
durch Verbindungen ersetzten und dann die Spannung ausrechnen!
Bestimmung des Kurzschlussstromes: Ausgangsklemmen verbinden und den Strom dort
ausrechnen!

4.16 Der Kerngedanke lautet: „Der Strom durch ein Bauteil wird nicht direkt, sondern als
Summe all derjenigen Maschenströme bestimmt, die durch dieses Bauteil fließen.“ Die Be-
stimmung der Maschenströme geschieht durch Inversion der Widerstandsmatrix, deren Dia-
gonalelemente die Umlaufwiderstände der Maschen sind.

4.17 Der Kerngedanke lautet: „Alle Knotengleichungen werden in einer solchen Weise hin-
geschrieben, dass die Maschengleichungen implizit enthalten sind und nicht gesondert aufge-
stellt werden müssen.“ Zunächst werden die Strombilanzen aller elektrischen Knoten einzeln
als Funktion der Potenziale des Knotens und seiner Nachbarn betrachtet. Dann werden die
Gleichungen so sortiert, dass sie die Form Leitwertmatrix  Spannungsvektor D Vektor der
Stromquellen erhält. Diese Matrixgleichung lässt sich dann invertieren.

4.18 Strom- und Spannungspfeile sind grundsätzlich frei wählbar, weil sie eindimensiona-
le Koordinatensysteme darstellen. Jedoch sind in einem System stets alle Größen in dem
gleichen Koordinatensystem zu berechnen. Daher ist es zunächst ein Fehler, wenn an einem
Bauteil der Strom- und der Spannungspfeil in verschiedene Richtungen zeigen. Werden aus
praktischen Gründen dennoch antiparallele Strom- und Spannungspfeile verwandt, so kann
dies in den Bauelementegleichungen durch ein Minuszeichen ausgeglichen werden, zum Bei-
spiel U D LdI=dt (antiparallele Pfeile) anstelle von U D CLdI=dt (parallele Pfeile).

4.19 Das Maschenstrom-Verfahren bietet sich an,wenn keine idealen Stromquellen vorhanden
sind. Das Knotenpotenzial-Verfahren wird gewählt, wenn keine idealen Spannungsquellen
vorhanden sind. Das Überlagerungsverfahren erleichtert das Verständnis der Funktionswei-
se einer Schaltung, da es pro Quelle eine Teilschaltung produziert. Ersatzspannungsquel-
len/Ersatzstromquellen bieten sich an, wenn dadurch komplexe Zweipole auf zwei oder drei
Bauteile reduziert werden können.

4.20 Energie wird im Netz dort gewonnen, wo das Produkt aus Strom und Spannung negativ
ist, der Strom also der Spannung entgegen fließt. Bei parallelen Strom- und Spannungspfeilen
heißt dies U  I < 0, bei antiparallelen Pfeilen U  I > 0.

4.21 Beim Zusammenfluss bleibt die Wassermenge erhalten: So viel wie in den Zusammen-
fluss hereinkommt, kommt auch heraus. Das entspricht der Knotenregel oder ersten Kirch-
4.3  Antworten zu Kap. 4
161 4
. Abb. 4.30 Zur Aufgabe 4.21: Das
mechanische Äquivalent zur Knoten-
regel am Beispiel Passau: In diesem
Beispiel ist I4 negativ, so dass die Sum-
me aller Wasserflüsse Null ist (Foto:
Google Earth)

. Abb. 4.31 Zur Aufgabe 4.22: Zwei Teilschaltungen zur Anwendung des
Überlagerungsverfahrens

hoff’schen Regel. Entsprechend . Abb. 4.30 würde allen Zuflüssen ein positives, dem Unter-
lauf der Donau aber ein negatives Fluss-Vorzeichen zugeordnet werden.

4.22 Die beiden Stromquellen können zu einer einzigen zusammengefasst werden. So braucht
das Überlagerungsverfahren nur zwei Teilschaltungen, wie . Abb. 4.31 zeigt die beiden Teil-
schaltungen, bei denen sich jeweils drei Widerstände zu einem einzigen zusammenfassen
lassen:

Ra D R1 k .R2 C R3 C R4 /
Rb D R3 k .R1 C R2 C R4 / (4.26)

So sind Ia D IQ1 C IQ2 und Ib D UQ =Rb . Der Anteil der Ströme durch den Widerstand R1
ergibt sich nun nach der Stromteilerformel:

Ra Rb .IQ1 C IQ2 /Ra UQ


I.R1 / D Ia C Ib D C (4.27)
R1 R1 R1 R1
Der zweite Stromanteil hängt nur noch von R1 ab, weil dieser parallel zur idealen Spannungs-
quelle liegt.

4.23 Welche der folgenden Messungen an realen Quellen vom Innenwiederstand unabhängig
sind, ergibt sich aus Gl. (4.3):
4 Der Kurzschlussstrom einer realen Spannungsquelle ist UQ =RS , also von RS abhängig.
4 Die Leerlaufspannung einer realen Spannungsquelle ist dagegen ULeerlauf D UQ , also
unabhängig.
4 Der Kurzschlussstrom einer realen Stromquelle ist IKurzschluss D IQ .
4 Die Leerlaufspannung einer realen Stromquelle ist dagegen vom Widerstand abhängig:
ULeerlauf D IQ Rp .
162 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

. Abb. 4.32 Zur Aufgabe 4.24: Erweiterung eines Widerstandsnetzwerkes um


eine Spannungsquelle. So entstehen in diesem Beispiel drei Maschen. Zu den vier
Knoten A; B; C und D gehören drei unabhängige Gleichungen

4 Man erkennt: Eine Messung der Leerlaufspannung ist eine Messung von UQ , eine Messung
des Kurzschlussstromes eine von IQ . Von einer Spannungsquelle spricht man, wenn der In-
nenwiderstand deutlich unter dem des Verbrauchers liegt. Das bedeutet: sehr große Ströme
im Kurzschlussfall, Zerstörung der Quelle inklusive. Eine im Leerlauf betriebene Stromquelle
produziert dagegen sehr hohe Ausgangsspannungen, was auch nicht vorteilhaft ist.

4.24 Zur Verwendung der Kirchhoff’schen Gesetze sollte als erstes die Spannungsquelle mit
eingebaut werden. Dadurch entstehen die in . Abb. 4.32 gezeigten drei Maschen und vier
Knoten. Dann werden Strom- und Spannungsrichtungen festgelegt, zum Beispiel so wie in
den Pfeilen der 4.24 eingezeichnet. Nennen wir den Strom durch die Quelle IQ und benen-
nen wir die anderen Ströme nach den Nummern der Widerstände, so lauten die ersten drei
Knotengleichungen (die Summe aller Ströme am Knoten ist Null):

IQ  I1  I2 D 0
I1 C I3  I4 D 0
I2  I3  I5 D 0 : (4.28)

Für den Knoten A wird keine Knotengleichung aufgestellt, da in einem geschlossnen System
immer eine Knotengleichung redundant ist (siehe . Abb. 4.7). Die drei Maschengleichungen
(die Summe aller Spannungen bei einem Maschenumlauf ist Null) sind

UCB C UB D C UDC D 0 ! R2 I2 C R3 I3  R1 I1 D 0
UBA C UAD C UDB D 0 ! R5 I5  R4 I4  R3 I3 D 0
UCD C UDA  U D 0 ! R1 I1 C R4 I4  U D 0 : (4.29)

Das Minuszeichen für die Spannung der Quelle ist Ausdruck der Tatsache, dass Strom und
Spannung in ihr entgegengesetzt gerichtet sind.
Insgesamt ist also bei der Verwendung der Kirchhoff’schen Regeln eine 6  6-Matrixglei-
chung aufzustellen und zu lösen. Das ist Aufwand für eine kleine Schaltung.
Deutlich übersichtlicher, wie . Abb. 4.33 andeutet, wird die Situation durch die Verwen-
dung des Maschenstrom-Verfahrens. Für die erste Masche, M1, besteht die Gesamtspan-
nungsbilanz aus dem isoliert betrachteten Umlauf U D .R1 C R4 /IM1 , von dem die beiden

. Abb. 4.33 Zur Aufgabe 4.24: Festlegung der Maschen M1; M 2 und M 3 und
der Umlaufrichtungen
4.3  Antworten zu Kap. 4
163 4

Koppelterme R1 IM 2 und R4 IM 3 abzuziehen sind. Das Minuszeichen vor den Koppeltermen


zeigt an, dass die Umlaufströme durch die Koppelwiderstände in entgegengesetzter Richtung
fließen. Entsprechendes gilt für die Maschen M 2 und M 3. So entsteht das Gleichungssystem

M1W .R1 C R4 /IM1  R1 IM 2  R4 IM 3 D U


M 2W .R1 C R2 C R3 /IM 2  R1 IM1  R3 IM 3 D 0
M 3W .R3 C R4 C R5 /IM 3  R3 IM 2  R4 IM1 D 0 : (4.30)

Nach Strömen sortiert lässt sich dieses System als Matrixgleichung schreiben:
0 1 0 0 1
1
.R1 C R4 / R1 R4 IM1 U
B C B C B C
B C B C B C
@ R1 .R1 C R2 C R3 / R3 A  @IM 2 A D @ 0 A : (4.31)
R4 R3 .R3 C R4 C R5 / IM 3 0

Der Vergleich von (4.31) mit (4.28) und (4.29) zeigt, wie sehr das Maschenstrom-Verfahren
die Situation vereinfachen kann.
Sind R1 D R2 und R4 D R5 , dann kann wegen der Symmetrie der Schaltung kein Strom
durch R3 fließen. Der Gesamtwiderstand und der dazu gehörige Strom sind dann

R D .R1 C R4 / k .R2 C R5 / D 4;5 k ! I  2;7 mA : (4.32)

Von dem Strom fließt jeweils die Hälfte durch den linken und den rechten Zweig.

4.25 Entsprechend (4.4) bleibt der Innenwiderstand bei Ri D 50 . Der Strombereich ergibt
sich zu IQ .min/ D 1 mV=50  D 20 A bis IQ .max/ D 200 mA.

4.26 Es sei U die an allen Widerständen gleichzeitig anliegende Spannung und Ii D U=Ri D
U  Gi der Strom durch den Widerstand Ri mit i D 1 : : : N . Der Gesamtstrom ist dann, wie
in . Abb. 4.9 gezeigt,

X
N X N
1 U X N
I D Ii D U D DU Gi : (4.33)
i D1
R
i D1 i
R1 k R2 : : : k RN i D1

Der Strom durch den ersten Widerstand ist I1 D U=R1 . Mit Hilfe von (4.33) lässt sich nun
die Spannung herauskürzen:

R1 k R2 : : : k RN G1
I1 D I  D I  PN : (4.34)
R1 i D1 Gi

Der Gesamtstrom teilt sich also proportional zu den Leitwerten auf.

4.27 Die Schaltung hat nur zwei äußere Anschlüsse und lässt sich daher in eine Strom-
oder Spannungsquelle umwandeln. Der Innenwiderstand wird berechnet, indem Stromquellen
durch Unterbrechungen und Spannungsquellen durch Kurzschlüsse ersetzt werden. Dadurch
fallen die Widerstände R1 und R4 weg, und es bleibt ein Innenwiderstand Ri D R2 C R3
übrig.
164 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

Zur Berechnung der äquivalenten realen Spannungsquelle betrachten wir die Leerlaufspan-
nung: Der Strom IQ fließt dann durch die Widerstände R1 , R3 und R4 , nicht jedoch über R2 .
Daher ist die Leerlaufspannung die, die über R3 abfällt: ULeerlauf D UQ D IQ =R3 .
Zur Berechnung der äquivalenten Stromquelle betrachten wir den Kurzschlussstrom. Das
ist genau der Anteil an IQ , der nicht über R3 , sondern über R2 fließt. Da die Spannung über
diesen beiden Widerständen gleich ist, können wir schreiben:

U.R2 / D U.R3 / D R2  I2 D R3  I3 mit I2 C I3 D IQ : (4.35)


4
In (4.35) ist der Strom durch den Widerstand R2 gerade der gesuchte Kurzschlussstrom:
IKurzschluss D I2 . Der Kurzschlussstrom der äquivalenten realen Stromquelle lässt sich daher
aus (4.35) ausrechnen:
R3
IKurzschluss D IQ  : (4.36)
R2 C R3

4.28 Zur Symmetrie:


a) Die Widerstandsmatrix für das Maschenumlauf-Verfahren ist symmetrisch.
b) Die Leitwertmatrix für das Knotenpotenzial-Verfahren ist ebenfalls symmetrisch.
c) Die Ladungserhaltungsmatrix für die Leistungsanpassung ist ein reines Fantasieprodukt.

4.29 Sowohl die Leitwertmatrix als auch die Widerstandsmatrix haben ausschließlich posi-
tive Diagonalelemente. Die Leitwertmatrix für das Knotenpotenzial-Verfahren hat darüber
hinaus ausschließlich negative Nebendiagonalelemente. Die Widerstandsmatrix für das Ma-
schenumlaufverfahren hat überall dort negative Elemente, wo die Umlaufströme durch die
Koppelwiderstände (bzw. -impedanzen) in entgegengesetzter Richtung fließen. Daher sind die
Lösungen a) falsch, b) richtig, c) richtig und d) auch richtig, denn was immer gilt, gilt auch in
Spezialfällen.

4.30 Das ist die Maschenregel, die deswegen funktioniert, weil bei der Coulomb-Kraft, genau
so wie bei der Gravitation, jedem Punkt ein Potenzial zugeordnet werden kann. Die Kirch-
hoff’sche Formulierung des Bergwanderns wäre: Wenn ein Wanderer aus dem Tal auf den
Berg klettert und auf einem beliebigen anderen Weg zurückkommt, dann hat er unten im Dorf
wieder die gleiche potenzielle Energie wie vorher. Denn die Höhe des Dorfes über dem Mee-
resspiegel hängt nicht von der Wahl des Weges ab.

4.31 Das gezeigte Netzwerk lässt sich zunächst, ähnlich wie in . Abb. 5.3 gezeigt, durch
Zusammenfassen von Widerständen vereinfachen. Die drei Widerstände R1 , R2 und R3 bilden
gemeinsam einen Zweipol mit dem Widerstand R1;2;3 D R3 k .R1 C R2 /. Es sind dann, wie
in . Abb. 4.34 gezeigt, nur noch zwei Maschen übrig. Nun können die Spannungsumläufe für
die Maschen berechnet werden:

M1W .R1;2;3 C R4 C R5 /IM1  R6 IM 2 D 0


M 2W .Ri C R6 /IM 2  R6 IM1 D U : (4.37)

Das Minuszeichen vor der Spannungsquelle zeigt an, dass die Stromrichtung so gewählt wur-
de, dass der Strom in der Quelle vom Pluspol zum Minuspol fließt, ganz im Gegensatz zu
einer tatsächlichen, Leistung bereitstellenden Spannungsquelle.
4.3  Antworten zu Kap. 4
165 4
. Abb. 4.34 Zur Aufgabe 4.31: Zeichnerische
Vorbereitung der beiden Standard-Analyseverfahren:
Widerstände werden zusammengefasst, Maschen-
ströme und Knotennummern definiert. Für das
Knotenpotenzial-Verfahren wird die Spannungs-
quelle in eine Stromquelle umgerechnet

Die beiden Maschengleichungen können jetzt zu einer Matrixgleichung zusammengefasst


werden: ! ! !
.R1;2;3 C R4 C R5 / R6 IM1 0
 D : (4.38)
R6 .Ri C R6 / IM 2 U

Das Inverse der Widerstandsmatrix R ist


!
1 1 .Ri C R6 / R6
R D : (4.39)
.R1;2;3 C R4 C R5 /.Ri C R6 /  R62 R6 .R1;2;3 C R4 C R5 /

Die beiden Umlaufströme sind nun nach (4.14)


!
1 0
.IM1 ; IM 2 / D R  : (4.40)
U

Um das Knotenpotenzial-Verfahren zur Anwendung kommen zu lassen, muss die Spannungs-


quelle in eine Stromquelle umgewandelt werden. Dabei behält der Innenwiderstand Ri seinen
Wert, wird aber nach (4.4) parallel zu einer Stromquelle IQ D U=Ri geschaltet. In dieser
Schaltung liegt Ri parallel zu R6 und sollte daher zusammengefasst werden: R6;i D R6 k Ri ,
oder G6;i D G6 C Gi . Nach . Abb. 4.34 kann dann direkt die Leitwertmatrix abgelesen wer-
den, indem für jeden Knoten eine Strombilanz entsprechend (4.21) aufgestellt wird:

Knoten 0: keine Gleichung


Knoten 1: .G4 C G6;i /U1  G4 U3 D IQ
Knoten 2: .G1;2;3 C G5 /U2  G1;2;3 U3 D 0
Knoten 3: .G1;2;3 C G4 /U3  G1;2;3U2  G4 U1 D 0 : (4.41)

Denn auch dieses System ist einer Matrizengleichung äquivalent:


0 1 0 1 0 1
.G4 C G6;i / 0 G4 U1 IQ
B C B C B C
B G1;2;3 C B C B C
@ 0 .G1;2;3 C G5 / A  @ U2 A D @ 0 A : (4.42)
G4 G1;2;3 .G1;2;3 C G4 / U3 0

Die Leitwertmatrix ist wie gewünscht symmetrisch, jedoch größer als die Widerstandsmatrix.
166 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

. Abb. 4.35 Zur Aufgabe 4.32: Definition der Maschenströme.


Hier werden der Einfachheit halber die Maschenströme den Span-
nungsquellen entsprechend gewählt

4 4.32 . Abb. 4.35 zeigt eine mögliche Wahl der Umlaufströme. Die Spannungsumläufe für die
dort gezeigten Maschen sind:

M1 W R3 IM1  R3 IM 2 D UQ1
M2 W .R2 C R3 /IM 2  R3 IM1  R2 IM 3 D UQ2
M3 W .R1 C R2 /IM 3  R2 IM 2 D UQ1 ; (4.43)

als Matrixgleichung zusammengefasst:


0 1 0 1 0 1
R3 R3 0 IM1 UQ1
B C B C B C
BR3 .R2 C R3 / R2 C  BIM 2 C D BUQ2 C : (4.44)
@ A @ A @ A
0 R2 .R1 C R2 / IM 3 UQ1

Das Inverse der Widerstandsmatrix R ist


0 1
.R1 R2 C R1 R3 C R2 R3 / .R1 C R2 /R3 R2 R3
1 B C
1
R D B .R1 C R2 /R3 .R1 C R2 /R3 R2 R3 C
R1 R2 R3 @ A : (4.45)
R2 R3 R2 R3 R2 R3

Die Ströme folgen nun aus (4.14) und (4.45):


0 1
UQ1
B C
.IM1 ; IM 2 ; IM 3 / D R1  B C
@UQ2 A : (4.46)
UQ1

Das Maschenstrom-Verfahren bietet sich bei dieser Schaltung an, denn sie enthält aus-
schließlich Spannungsquellen. Damit entfällt die Notwendigkeit einer Quellenumrechnung.
Eine genauere Betrachtung der Schaltung zeigt: Mit dem Maschenstrom-Verfahren wird
ein großes Werkzeug auf ein kleines Problem losgelassen: Denn der Strom durch R3 ist
schlicht IR3 D UQ1 =R3 . Und der Strom über den Widerstand R2 ist IR2 D .UQ2  UQ1 /=R2 .
Ist aber IR2 bekannt, dann lässt sich auf die Spannung an R1 schließen. Ein genaues Hinsehen
vor der Schaltungsberechnung lohnt also!

4.33 . Abb. 4.36 zeigt die Situation. Grundsätzlich gilt: Ist der Verbraucher sehr viel nieder-
ohmiger als die Quelle, dann bricht die Spannung zusammen und es wird keine Leistung
abgegeben. Ist der Verbraucher zu hochohmig, dann fließt kein Strom und es wird auch keine
Leistung übertragen. Irgendwo dazwischen muss also ein Optimum sein.
4.3  Antworten zu Kap. 4
167 4
. Abb. 4.36 Zur Aufgabe 4.33: Speisung eines Verbrauchers RV durch eine reale
Stromquelle mit einem Parallel-Innenwiderstand Rp

Am Verbraucher und am Innenwiderstand liegt die gleiche Spannung U D IQ  .RV k Rp /.


Durch den Verbraucher fließt ein Strom IV D U=RV und erzeugt eine Leistung PV D U  IV .
Diese lässt sich nun als Funktion des Quellenstromes IQ und der Widerstände angeben:

.Rp k RV /2
PV D U  IV D IQ  .Rp k RV /  IV D IQ2  : (4.47)
RV

Nun muss die Frage beantwortet werden: Bei welchem Verhältnis x D RV =Rp hat die Leis-
tung am Verbraucher ihr Maximum? Aus (4.47) folgt

x
PV D IQ2  Rp  : (4.48)
.1 C x/2

Setzt man die Ableitung von (4.48) nach x gleich Null, so ergibt sich x0 D 1. Anders ausge-
drückt:

Der Verbraucher erhält die maximale Leistung genau dann, wenn sein Widerstand genau
so groß ist wie der Innenwiderstand der Stromquelle. Ist dies der Fall, spricht man von
Leistungsanpassung.

Wird statt eines angepassten Verbrauchers (also x0 D 1) einer mit dem halben Widerstand
(also x1 D 1=2) verwendet, so folgt aus (4.48), dass die Leistung auf 8=9-tel der Maximal-
leistung, also um 11 % sinkt.

4.34 Wenn UM D 0 ist, dann muss R1 =R2 D RU =RS sein. Daher ist

R1
RU D RS  : (4.49)
R2

Wenn RS so eingestellt ist, dass UM D 0 gemessen wird, dann fließt auch kein Strom durch
den Spannungsmesser. Ein endlicher Leitwert des Messgerätes verfälscht also nicht das Ergeb-
nis. Wenn R1 und R2 von ähnlicher Größe sind, dann kann im besten Falle eine Genauigkeit
in der Größenordnung UM =UQ erreicht werden. Dabei kann UQ im Bereich von einigen Volt
sein und UM im Mikrovolt-Bereich eingestellt werden.

4.35 Lösungsstrategie: Zunächst muss man sich darüber im Klaren werden, welche der bei-
den Messungen, Strom oder Spannung, kritisch ist. Denn beide können nicht gleichzeitig
genau gemessen werden.
168 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

. Abb. 4.37 Zur Aufgabe 4.35: Zwei Al-


ternativen für die gleichzeitige Messung von I I
Strom und Spannung an einem Widerstand UQ UQ U
R: Entweder der Strom wird genau gemessen
oder die Spannung – nie beides
U R R

Spannung richtig Strom richtig

4
Lösung: . Abb. 4.37 zeigt, warum immer nur eine der beiden Größen genau gemessen
werden kann. Bei der linken Variante (Spannung richtig) ist der gemessene Strom die Summe
aus dem interessierenden Strom über R und dem verfälschenende Anteil über das Spannungs-
messgerät. Bei der rechten Variante (Strom richtig) ist die gemessene Spannung die Summe
aus der interessierenden Spannung über R und dem verfälschenden Anteil über das Strom-
messgerät.
Die Angaben beinhalten, dass sich das Geschenk etwa wie ein Widerstand R > U 2 =P D
225 k verhält. Es muss also ein sehr kleiner Strom bei moderater Spannung gemessen wer-
den. Deshalb ist die Variante Strom richtig hier die bessere.

4.36 Zunächst muss die Stromquelle in eine äquivalente Spannungsquelle gemäß (4.4) um-
gewandelt werden. Dann werden Stromrichtungen festgelegt, zum Beispiel so wie in . Abb.
4.38 gezeigt, also mit allen Maschenströmen im Uhrzeigersinn. Die besondere Schwierigkeit
bei dieser Aufgabe ist: Man darf sich nicht davon irritieren lassen, dass sich zwei Maschen
kreuzen oder überlappen. Wichtig ist nur: Man muss die Maschen so wählen, dass jede Masche
mindestens eine Information beinhaltet, die noch nicht in einer anderen Maschengleichung
gegeben ist, und jedes Schaltungselement muss mindestens einmal vorkommen:

1. Pfad: .Ri C R1 C R3 /IM1 C Ri IM 2 C R1 IM 3 D UQ


2. Pfad: .Ri C R2 C R4 /IM 2 C Ri IM1  R2 IM 3 D UQ
3. Pfad: .R1 C ZL C R2 /IM 3 C R1 IM1  R2 IM 2 D 0 : (4.50)

Die Umlaufwiderstände sind immer positiv. Die Koppelwiderstände tauchen nur mit einem
Plus-Zeichen auf, wenn sich beide Maschenströme im Koppelwiderstand addieren. Haben
die beiden Maschenströme eine entgegengesetzte Richtung, dann findet ein Minus-Zeichen
Anwendung.

. Abb. 4.38 Zur Aufgabe 4.36: Wahl der Maschen bei Ri R1


einer X-Schaltung. Die Stromrichtungen und Maschen
können wie dargestellt gewählt werden. Alle Maschenströ- 1. Pfad R2 R3
me werden in diesem Beispiel im Uhrzeigersinn gewählt 2. Pfad L
UQ
3. Pfad
R4
4.3  Antworten zu Kap. 4
169 4

Nun müssen die Ströme sortiert werden, damit die Matrixgleichung aufgestellt werden
kann:
0 1 0 1 0 1
.Ri C R1 C R3 / Ri R1 IM1 UQ
B C B C B C
B Ri .Ri C R2 C R4 / R2 C  BIM 2 C D BUQ C : (4.51)
@ A @ A @ A
R1 R2 .R1 C ZL C R2 / IM 3 0

Natürlich können auch andere Maschen gewählt werden. Ebenso ist die Umlaufrichtung frei
wählbar. Am Ende sollten aber immer die gleichen Ströme durch die Bauteile herauskommen.

4.37 Zur Vereinfachung werden zunächst die Leitwerte Gi D 1=Ri betrachtet. Die Knoten
1 und 2 werden zu einem Doppelknoten zusammengefasst. Die Strombilanz beinhaltet daher
die beiden Knotenleitwerte G1 U1 C .G2 C G3 /U2 und die Koppelleitwerte zum Knoten 3:

G1 U1 C .G2 C G3 /U2  .G1 C G2 /U3 D 0 : (4.52)

Die Kopplung zum Massenknoten taucht nicht auf, da der Leitwert mit U D 0 multipliziert
wird. Da der Knoten U3 D UQ1 bekannt ist, kann der dazugehörige Term (genau so wie
bekannte Ströme) auf die rechte Seite geschrieben werden:

G1 U1 C .G2 C G3 /U2 D .G1 C G2 /UQ1 : (4.53)

Die Spannungsbilanz innerhalb des Doppelknotens lautet

U1 D U2 C UQ2 : (4.54)

Die beiden Gl. (4.53) und (4.54) können zu einer Matrix zusammen gefasst werden:
! ! !
G1 .G2 C G3 / U1 .G1 C G2 /UQ1
 D : (4.55)
1 1 U2 UQ2

Da die idealen Spannungsquellen eine Modifikation des Knotenpotenzial-Verfahrens erzwin-


gen, ist die Matrix in (4.55) weder eine reine Leitwertmatrix, noch ist sie, wie sonst beim
Verfahren üblich, symmetrisch. Die Inversion führt trotzdem zur Lösung:
! ! !
U1 1 1 .G2 C G3 / .G1 C G2 /UQ1
D  : (4.56)
U2 G1 C G2 C G3 1 G1 UQ2

Werden die Leitwerte wieder durch Widerstände ersetzt, so folgt die endgültige Lösung:

R3 .R1 C R2 / R1 .R2 C R3 /
U1 D  UQ1 C  UQ2
R1 R2 C R2 R3 C R1 R3 R1 R2 C R2 R3 C R1 R3
R3 .R1 C R2 / R2 R3
U2 D  UQ1   UQ2 : (4.57)
R1 R2 C R2 R3 C R1 R3 R1 R2 C R2 R3 C R1 R3
170 Kapitel 4  Lineare elektrische Netze

. Abb. 4.39 Zur Aufgabe 4.37: Zur Vorbereitung des Maschenstrom-Verfahrens


werden die Maschenströme und ihre Richtung festgelegt

. Abb. 4.39 zeigt den Lösungsansatz nach dem Maschenstrom-Verfahren. Die beiden Ma-
4 schengleichungen sind

M1W .R2 C R3 /IM1  R2 IM 2 D UQ1


M 2W .R1 C R2 /IM 2  R2 IM1 D UQ2 ; (4.58)

in Matrixform:
! ! !
.R2 C R3 / R2 IM1 UQ1
 D (4.59)
R2 .R1 C R2 / IM 2 UQ2

mit der Lösung


! ! !
IM1 1 .R1 C R2 / R2 UQ1
D  : (4.60)
IM 2 .R1 C R2 /.R2 C R3 /  R22 R2 .R2 C R3 / UQ2

Setzt man nun U2 D R3 IM1 und U1 D UQ1 C R1 IM 2 , so erhält man die gleichen Ergebnisse
wie in (4.57) angegeben.

4.38 In der Physik gilt: Koordinatensysteme sind frei wählbar. Diese Annahme wird heute
nicht mehr bezweifelt, denn im Rahmen der theoretischen Mechanik wird gezeigt, dass dieses
Prinzip untrennbar mit den Erhaltungssätzen für Energie und Impuls verbunden ist. Wenn für
eine besondere Form der Energiebilanz eines geschlossenen Systems, die Lagrange-Funktion,
gefordert wird, dass die Zeitkoordinate frei wählbar ist, dann folgt der Energie-Erhaltungssatz.
Wird gefordert, dass der Ort frei wählbar ist, folgt die Impulserhaltung, und wenn die Richtung
frei wählbar ist, folgt die Drehimpulserhaltung.
Die Aussage Strom- und Spannungsrichtungen sind frei wählbar ist ein eindimensionaler
Spezialfall der Freiheit, ein beliebiges Koordinatensystem zu wählen. Wenn zum Beispiel das
Bezugssystem links als negativ und rechts als positiv definiert (das ist der Normalfall) wird,
dann bedeutet eine positive Bewegung eine von links nach rechts, ein positiver Strom einer
von links nach rechts, und ein negativer Strom ist einer von rechts nach links.
Die Maxwell’schen Gleichungen setzen immer voraus, dass alle in ihnen vorkommenden
Größen im gleichen Bezugssystem definiert sind. Deshalb gelten auch alle Bauelemente-
Gleichungen in unveränderter Form nur, wenn Strom und Spannung in der gleichen Richtung
definiert sind. Wenn in einem Netzwerk aber der Strom als Bewegung positiver Ladungsträger
vom Knoten A zum Knoten B, die Spannung aber entgegengesetzt als Potenzialdifferenz von
B nach A definiert wird, dann entspricht das dem Fall, dass die Geschwindigkeit in einem Be-
zugssystem, die Kraft aber in einem um 180ı gedrehten Bezugssystem definiert ist. Nach den
Literatur
171 4

Gesetzen der physikalischen Modellbildung ist dies ein Fehler. Dieser Fehler kann jedoch kor-
rigiert werden, indem die Bauelemente-Gleichungen dort mit einem Minuszeichen versehen
werden, wo Strom und Spannung in entgegengesetzten Richtungen definiert sind (siehe auch
. Abb. 4.3). Dies gilt nicht nur für Kondensatoren und Spulen, sondern auch für Widerstände
und gekoppelte Induktivitiäten (siehe 7 Kap. 5).

Literatur

1. Böker, Paerschke, Boggasch (2017) Elektrotechnik für Gebäudetechnik und Maschinenbau. Springer,
Heidelberg, ISBN 978-3-658-14188-2
2. Glisson T (2011) Introduction to Circuit Analysis and Design. Springer. New York, ISBN
978-90-481-9442-1
3. Baukholt H-J (2013) Grundlagen und Elemente der Elektrotechnik. Carl Hanser Verlag, München,
7. Auflage, ISBN 978-3-446-43246-8
4. Haase H, Garbe H, Gerth H (2009) Grundlagen der Elektrotechnik. Schöneworth, Hannover, 3. Auflage,
ISBN 9783980880558
173 5

Wechselstromnetze –
beliebige Spannungen erzeugen
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2018
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, https://doi.org/10.1007/978-3-662-56649-7_5

In diesem Kapitel werden die grundlegenden Konzepte zur Beschreibung von Phänomenen in
Wechselstromnetzen in einfacher und in komplexer Notation dargelegt. Dazu gehören Parallel-
ersatzwiderstände, Effektivwerte, Scheinleistung und Blindleistungskompensation ebenso wie die
komplexe Leistungsanpassung. Die Transformatorgleichungen und deren Eigenschaften werden
hergeleitet.
Auf ihrer Basis wird gezeigt, unter welchen Randbedingungen die Näherung des idealen Trans-
formators benutzt werden kann. Der Einfluss von Verlustbringern wird ebenso behandelt wie der
Mechanismus der Stromverdrängung. Als Praxisbeispiel wird der Zündtransformator eines Auto-
mobils beschrieben. Die Eigenschaften des Drei-Phasen-Wechselstromes und deren Ausnutzung in
Stern- und Dreieckschaltungen werden analysiert und damit Hausnetze erklärt.

5.1 Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze

In diesem Abschnitt werden die Begriffe Effektivwert, Ersatzimpedanz, Schein-, Blind- und
Wirkleistung sowie Leistungsanpassung erklärt. Mit Hilfe des Zeigerdiagramms wird die
komplexe Wechselstromlehre bildlich dargestellt. In diesem Kontext werden Transformato-
ren und der Drei-Phasen-Wechselstrom analysiert.

5.1.1 Begriffe und Bilder

. Abb. 5.1 zeigt den zeitlichen Verlauf einer Spannung, die sich gemäß

u.t / D UO sin.!t C U / (5.1)

entwickelt. Zur Charakterisierung ihrer Stärke gibt man entweder die Amplitude UO , den im
p zu messenden Spitze-Spitze-Wert US S , oder den so genannten Effektiv-
Oszilloskop einfach
wert1 Ueff D UO = 2 an. Die Verschiebung des Spannungs-Nulldurchgangs zu früheren Zeiten
hin wird Phasenwinkel U genannt. Für Ströme gilt Entsprechendes.
Die komplexe Erweiterung (siehe Anhang) dieses Spannungsverlaufes ist

u.t / D U e j!t D UO e jU e j!t : (5.2)

1
Dieser Begriff deutet an, dass eine Wechselspannung der Größe Ueff auf einen Ohm’schen Widerstand im zeitlichen
Mittel einen genau so großen Effekt hat wie ein Gleichstrom dieser Größe: Ein Widerstand an einer Wechselspannung
mit Ueff D 230 V wird genau so warm wie einer, der an U D 230 V-Gleichstrom angeschlossen wird.
174 Kapitel 5  Wechselstromnetze

. Abb. 5.1 Die Bedeutungen der Größen UO ; USS und Ueff :


Stärken harmonisch verlaufender Spannungen können auf mehre-
re Arten angegeben werden U SS U Ueff
ωt
-π/2 π/2 π

1 Zeigerdiagramme veranschaulichen komplexe Größen


Komplex erweiterte Wechselspannungen und -ströme können als Vektor in der komplexen
Ebene dargestellt werden (siehe Anhang). Diese Darstellung nennt man Zeigerdiagramm.
5 Dabei ist die Länge des Vektors der Maximalwert, also die Amplitude. Dieser wird auch Schei-
telwert2 genannt. Der sinusförmige Verlauf einer Wechselspannung entspricht im Zeigerdia-
gramm einem mit der Kreisfrequenz ! um den Nullpunkt rotierenden Vektor. Die Projektion
auf die reelle Achse ist der momentane Wert. Für t D 0 ist der aktuelle Wert gleich der kom-
plexen Amplitude. Bei Strömen ist i.t D 0/ D I und bei Spannungen gilt u.t D 0/ D U . Bei
Spannungen, die zum Zeitpunkt t D 0 verschwinden, gilt ferner u.t D 0/ D UO . Alle anderen
Spannungen nennt man phasenverschoben. Man erkennt sie daran, das die komplexe Ampli-
tude in (5.2) einen endlichen Phasenwinkel, U ¤ 0 enthält. Für Ströme gilt Entsprechendes.
. Abb. 5.2 zeigt, dass mit Hilfe des Zeigerbildes Spannungen addiert werden können. Das
gezeigte Bild entspricht der Gleichung
 
1
U D R C j!L C I (5.3)
j! C

mit I D 0. Auch die Addition von Strömen funktioniert nach dem gleichen Schema (siehe
Aufgabe 5.23).
Die komplexen Erweiterungen von Widerstand und Leitwert heißen Impedanz Z und Ad-
mitanz Y :
Original ! komplexe Erweiterung
uDRi ! uDZi (5.4)
i DG u ! i DY u:

. Abb. 5.2 Addition von Spannungen in einem Zeigerdiagramm

2
Wird an einem Oszilloskop die so genannte Spitze-Spitze-Spannung einer sinusförmigen Quelle gemessen, so ist das
Resultat der doppelte Scheitelwert.
5.1  Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze
175 5

Sie werden jeweils als Summe aus einem Realteil und einem Imaginärteil angegeben:

Z D R C jX
(5.5)
Y D G C jB :

Die Beträge der Imaginärteile heißen Blindwiderstand X und Suszeptanz B. Nach (5.4) muss
Z D 1=Y sein. Dies führt zusammen mit (5.5) zu

G B
RD XD
C B2
G2 C B2
G2
R X
GD 2 BD 2 : (5.6)
R C X2 R C X2

Die zu dieser Gleichung führende Rechnung läuft analog zur Bestimmung der Ersatzimpe-
danzen (siehe unten) ab.

1 Phasenverschiebungen sind Zeitverschiebungen


Alle komplexen Größen können (siehe Anhang) auch durch ihren Betrag und ihren Phasen-
winkel angegeben werden.

O jZ ; X
Z D Ze Z D arctan ; ZO 2 D Z  Z
R
 
B
Y D YO e jY ; Y D arctan ; YO 2 D Y  Y
G
 
=.U /
U D UO e jU ; U D arctan ; UO 2 D U  U : (5.7)
<.U /

Dabei geht jeder Phasenwinkel mit einer Zeitverschiebung einher, wie die Rücktransformation
der komplexen Spannung auf die messbare Spannung zeigt:

u.t / D =.u.t // D UO sin.!t C U / : (5.8)

Das Argument der Sinus-Funktion in (5.8) ist zum Zeitpunkt

t0 D U =! (5.9)

gleich Null. Eine positive Phase sorgt also dafür, dass der erste Nulldurchgang schon vor t D 0
stattfindet. Die Komplementäraussage lässt sich leichter merken:3

Eine Verspätung bedeutet immer einen negativen Phasenwinkel.

3
Eselsbrücke: Verspätung ist schlecht, also etwas Negatives.
176 Kapitel 5  Wechselstromnetze

5.1.2 Ersatzimpedanzen

Ersatzschaltungen finden heißt: Arbeit sparen, Fehlerquellen minimieren und eine automa-
tisierte Schaltungsberechnung vorbereiten. . Abb. 5.3 zeigt den Ansatz beispielhaft für vier
Bauteile, die gemeinsam nur zwei Anschlüsse haben. Solche Teilschaltungen werden auch
Zweipole genannt.
Für den Fall, dass nur ein kleiner Frequenzbereich betrachtet wird, kann das Ersetzen von
Reihenschaltungen durch Parallelschaltungen viele Rechnungen vereinfachen. Das Verfahren
ist um so genauer, je kleiner der Frequenzbereich ist; im Grenzfall ! ! konstant ist es ein
exaktes Verfahren.
5
1 Zu jedem Reihenwiderstand gibt es einen Parallelersatzwiderstand
. Abb. 5.4 zeigt die am häufigsten verwendete der Substitution: die Berechnung des Parallel-
ersatzwiderstandes einer realen Spule. Eine Spule ist aufgrund des Ohm’schen Widerstandes
des Wickeldrahtes eine Serienschaltung aus dem Blindwiderstand jX D j!L und dem Draht-
widerstand RS . Gesucht wird eine Parallelschaltung
RP jXP
ZP D RP k jXP D D RS C jXS (5.10)
RP C jXP
mit der gleichen Impedanz. (5.10) beinhaltet zwei Gleichungen, denn sie muss sowohl für den
Realteil als auch für den Imaginärteil gelten. Diese können entweder so sortiert werden, dass
die Parallelschaltung das Ergebnis ist,

RS2 C XS2 RS2 C XS2


RP D und XP D ; (5.11)
RS XS
oder so, dass die Serienschaltung das Ergebnis ist:
RP XP
RS D und XS D : (5.12)
1 C .RP =XP /2 1 C .XP =RP /2
Die Gl. (5.11) und (5.12) gelten mit X D !L ebenso für Spulen wie mit X D 1=.! C / für
Kondensatoren.

. Abb. 5.3 Beispiel für das Zusammenfassen mehrer Bauteile: Bei nur zwei äußeren Anschlüssen können diese
zu einem einzigen zusammengefasst werden. In diesem Beispiel hat das zusammengefasste Bauteil die Impedanz
Z D .ZL C R1 / k .Z C C R2 /

. Abb. 5.4 Ersatz einer Parallelschaltung durch eine Reihenschal-


tung und umgekehrt Bei ω = konst. Rs
Lp Rp
äquivalent Ls
5.1  Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze
177 5

Bei Bauelementen mit hoher Güte, also solchen, bei denen der Ohm’sche Anteil der Serien-
Impedanz deutlich kleiner ist als der Imaginärteil, vereinfachen sich die Gleichungen zu

XS2
RP  und XP  XS : (5.13)
RS
Die durch diese Näherung gemachten Fehler sind meist kleiner als die Bauteiletoleranzen und
die grundsätzlichen Verfahrensungenauigkeiten.

5.1.3 Leistung und Energie

Wechselstrom lässt sich leicht transformieren und wird daher gerne zur Energieübertragung
verwandt. Daher lohnt ein genauerer Blick auf die Leistungseigenschaften des Wechselstro-
mes.

1 Nur die Wirkleistung kostet Energie


Die zu einem beliebigen Zeitpunkt t umgesetzte Leistung ist (siehe Anhang) im Allgemeinen
p.t / D u.t /  i.t /. Also gilt4 :

p.t / D UO sin.!t C U /  IO sin.!t C I /


1
! p.t / D UO IO  Œcos.U  I /  cos.2!t C I C U / : (5.14)
2
Innerhalb der komplexen Wechselstromrechnung kommt man zum gleichen Ergebnis5 :

p.t / D =.u.t //  =.i.t //


1 1
! p.t / D u.t /  u .t /  i.t /  i  .t /
2j 2j
1˚ 

! p.t / D <.U  I /  <.U  I  e 2j!t / : (5.15)
2
Einsetzen der komplexen Spannungen und Ströme in (5.15) führt zu (5.14).6 Die Leistung
hat gemäß (5.14) zwei Terme mit sehr unterschiedlichen Eigenschaften: Der erste Term ist
zeitlich konstant. Er gibt die mittlere, dauerhafte Energieabgabe des Netzwerkes, also dessen
Wirkung auf die Umgebung, an. Er hat daher einen eigenen Namen:

Definition 5.1
Der mittlere, nicht von der Zeit abhängige Teil der Leistung P D UO IO  1
2
cos.U  I / heißt
Wirkleistung.

p p
Wegen Ieff D IO= 2 und Ueff D UO = 2 kann man die Wirkleistung auch anders schreiben:

P D Ueff  Ieff cos.U  I / : (5.16)

4
Unter Ausnutzung von sin ˛ sin ˇ D .cos.˛  ˇ/  cos.˛ C ˇ//=2.
5
Mit =.A/ D .A  A /=.2j/ und <.A/ D .A C A /=2.
6
In der Literatur findet man häufig andere Ausdrücke für den zeitabhängigen Term. Dies liegt an der unterschiedlichen
Festlegung des Phasenwinkels: sin.!t C / ergibt die hier genannten Gleichungen, cos.!t C / andere.
178 Kapitel 5  Wechselstromnetze

Aus (5.16) wird schließlich die Bedeutung des Begriffes Effektivwert deutlich: Für einen
Ohm’schen Verbraucher ist U D I und daher P D Ueff  Ieff , was Folgendes bedeutet
(siehe auch Aufgabe 5.46):

Eine Wechselspannung mit dem Effektivwert Ueff D x heizt einen Ohm’schen Widerstand
genau so effektiv auf wie eine Gleichspannung der Stärke U D x.

1 Blindleistung findet nie ein Ziel


5 Reine Kapazitäten und reine Induktivitäten nehmen dagegen gar keine Wirkleistung auf. Im
Wechselspannungskreis geben sie alle in einer Viertelperiode aufgenommene Energie in der
nächsten wieder ab. Mit den im Anhang hergeleiteten Impedanzen Z C D 1=.j! C / und ZL D
j!L erhält man für beide Bauteile <.U  I  / D 0. Das heißt: im zeitlichen Mittel wird
überhaupt keine Energie zum Bauteil hin oder von ihm weg transportiert. Die von der Zeit
abhängigen Leistungsteile sind nach (5.15) bei U D 0 für einen Kondensator

1 1
p.t / D  <.U  I  e 2j!t / D UO 2 ! C sin.2!t / .für U D 0/ (5.17)
2 2

und für eine Spule

1 UO 2
p.t / D  sin.2!t / .für U D 0/ : (5.18)
2 !L

Die zeitabhängigen Leistungen für Kondensator und Spule sind in . Abb. 5.5 skizziert. Wie
dort gezeigt, werden in Zeiten, in denen p.t / positiv ist, Felder aufgebaut. Die Energie für
den Feldaufbau wird dem Netz entzogen. In den Zeiten mit negativem p.t / wird sie zurück-
gegeben. Die beiden in (5.17) und (5.18) vor der Sinusfunktion stehenden Amplituden sind
einander sehr ähnlich. Sie lassen sich als UO 2 =.2X / schreiben. Da X jeweils Blindwiderstand
heißt, nennt man diese Amplituden Blindleistung Q.

. Abb. 5.5 Momentane Leistungen von Kon- E –E


densator (oben, (5.17)) und Spule (unten, (5.18))
bei der Speisung durch eine Spannungsquelle
(Mitte). Bei p.!t/ > 0 werden auf Kosten des
Netzes Felder aufgebaut. Bei p.!t/ < 0 wirken
die Bauteile wie Generatoren

B –B
5.1  Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze
179 5

Der Betrag der Blindleistung jQj D jUeff


2
=Xj gibt an, welche Leistung ein Blindwiderstand
maximal aufnimmt. Dieses Maximum wird zweimal pro Periode erreicht.

Die Phasenverhältnisse lassen sich am besten mit Hilfe der komplexen Wechselstromlehre
darstellen. Erweitert man (5.17), (5.18) mit j so erhält man eine Definition der komplexen
Blindleistung als Amplitude der hin und her oszillierenden Leistung:

Definition 5.2
Der Leistungsanteil Q D Ueff
2
=jX D Ieff
2
jX heißt Blindleistung.

Ein Blindwiderstand nimmt also im Wechselstromkreis dauerhaft keine Energie auf. Gleich-
wohl fließen Ströme zu ihm hin und von ihm weg, die die Zuleitungen belasten. Diese tat-
sächlich die Leitungen erwärmenden Ströme heißen Blindströme. In der komplexen Wechsel-
stromlehre ist Q eine rein imaginäre Größe: Q D jQ.

1 Die Scheinleistung beinhaltet Wirk- und Blindleistung


Wirk- und Blindleistung werden in der komplexen Scheinleistung S zusammengefasst.

Definition 5.3
Die komplexe Scheinleistung ist die Summe aus Wirk- und Blindleistung: S D P C jQ.

Sie beinhaltet daherpdie Wirkleistung


p P als Realteil und die Blindleistung Q als Imaginärteil.
Ihr Betrag ist S D S  S D P 2 C Q2 .
Der Sinn dieser Definition besteht darin, dass die bekannten Gleichstrom-Zusammenhänge
in die komplexe Ebene hinein verallgemeindert werden können:

Gleichstrom ! komplexer Wechselstrom


(5.19)
P D RI 2
! S D Z  Ieff
2

Wegen Z D RCjX hat die komplexe Scheinleistung einen zum Ohm’schen Widerstandsanteil
gehörenden Realteil, der Wirkleistung, P D <.S/, und einen Imaginärteil, Q D =.Z/, der
Blindleistung:
Die komplexe Scheinleistung lässt sich wegen u D Z  i auch als

1 1
SD u  i  D U  I  D Ueff  Ieff e j.U I / (5.20)
2 2
berechnen. Auch an dieser Darstellung ist zu sehen, dass die komplexe Scheinleistung explizit
nicht von der Zeit abhängt. Der Vergleich mit (5.15) zeigt:7

P D <.S/ D Ueff  Ieff cos.U  I /


Q D =.S/ D Ueff  Ieff sin.U  I / : (5.21)

7
Zur Herleitung schreibe man Z D jZj  e j.U I / .
180 Kapitel 5  Wechselstromnetze

Dabei wird der Ausdruck Ieff sin.U  I / gerne Blindstrom genannt. Unter Ingenieuren ist
es üblich, die verschiedenen Leistungsanteile auch mit verschiedenen Einheiten zu versehen:

Größe Einheit Merkregel


Scheinleistung VA V mal A wegen S D Ueff  Ieff
(5.22)
Blindleistung VAR immer hin und zurück: VARiabel
Wirkleistung W außerhalb der Elektrotechnik schlicht die Leistung

Der Anteil der Wirkleistung an der gesamten Scheinleistung wird auch Leistungsfaktor 
5 genannt,

P P
D D p D cos.U  I / : (5.23)
S P C Q2
2

Er gibt an, welcher Teil der Leistung dem Netz dauerhaft entzogen wird.

1 Blindleistungskompensation minimiert Verluste in den Zuleitungen


Die Blindleistung hat zur Konsequenz, dass im Netz unnötig große Ströme fließen und da-
mit von der Wirkung nicht gerechtfertigte Verluste in den Zuleitungen auftreten. Je größer die
Scheinleistung eines Verbrauchers ist, um so wichtiger wird ein kleines Q bzw. ein Leistungs-
faktor nahe  D 1. Die Technik zur Minimierung der Blindleistung heißt Blindleistungskom-
pensation.

Ziel der Blindleistungskompensation ist das Verschwinden der Blindströme aus den
Zuleitungen.

Rein rechnerisch kann dieses Ziel mit

=.Z/ D X D 0 oder =.Y / D B D 0 (5.24)

gleichermaßen erreicht werden. Aus . Abb. 5.5 ist ersichtlich, dass Kondensatoren Spulen-
Blindströme kompensieren können und umgekehrt. Denn immer dann, wenn das elektrische
Feld des Kondensators Energie an das Netz abgibt, braucht die Spule diese Energie zum Auf-
bau des Magnetfeldes (siehe zum Beispiel Aufgabe 5.38).

1 Das Leistungsmaximum heißt Anpassung


Die Bedingungen für die maximale Verbraucherleitungen folgen aus (5.21): Es darf kein Pha-
senwinkel zwischen Strom und Spannung liegen und das Produkt Ueff Ieff muss maximal sein.
Um die Erfüllung der Bedingung U  I D 0 sicherzustellen, muss neben dem Ver-
braucher auch die Quelle in Betracht gezogen werden. Denn im Allgemeinen wird auch der
Innenwiderstand der Quelle8 Blindanteile beinhalten. Die Analyse der in . Abb. 5.6 gezeigten
Schaltung ergibt, dass die Blindströme bei einer Spannungsquelle gerade dann verschwinden,

8
Im Ueff D 230 V-Netz ist dies kaum festzustellen, denn der Innenwiderstand ist klein im Vergleich zu den Impedanzen
der Verbraucher.
5.1  Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze
181 5
I I
ZS
UQ U IQ U

ZV

YP

YV
. Abb. 5.6 Anpassung bei Spannungsquellen (links) und bei Stromquellen (rechts): Die hier gezeigten Ersatzschalt-
bilder führen zusammen mit der Forderung einer maximalen Wirkleistung im Verbraucher auf die Gl. (5.26) und
(5.27)

wenn die Blindwiderstände von Quelle und Verbraucher sich aufheben. Bei einer Stromquelle
müssen die Blindleitwerte entgegengesetzt und betragsgleich sein:

=.Z S / D =.Z V / ideale Spannungsquelle ohne Blindstrom


(5.25)
=.Y P / D =.Y V / ideale Stromquelle ohne Blindstrom

Soll die maximale Leistung aus der Quelle gezogen werden, so müssen noch gemäß (4.8)
die Ohm’schen Anteile von Quelle und Verbraucher gleich groß sein. Beide Forderungen zu-
sammen ergeben die maximale Leistung:

ZV D Z
S .Spannungsquelle/: (5.26)

Für eine Stromquelle mit der Paralleladmitanz Y P ist das Ergebnis

YV D Y
S .Stromquelle/: (5.27)

Das konjugiert Komplexe in (5.27) entspricht der Parallelschaltung eines Kondensators mit ei-
ner Spule gleich großer Impedanz. Entsprechendes gilt für die Reihenschaltung, die zu (5.26)
führt. In beiden Fällen neutralisieren sich die Blindströme von Innenimpedanz und Verbrau-
cherimpedanz. Bei Erfüllung von (5.26) oder (5.27) spricht man von Leistungsanpassung.

! Vorsicht Verwechslung!
Leistungsanpassung bedeutet nicht das Verschwinden der Blindströme auf den Versorgungslei-
tungen. Vielmehr bilden die Blindwiderstände der realen Quellen zusammen mit denen der
Verbraucher Schwingkreise, deren Resonanzfrequenzen gleich den Frequenzen der Quellen
sind.

Stromverdrängung bzw. Skin Effect


Wechselströme erzeugen oszillierende Magnetfelder. In leitenden Materialien, also auch in Leitungen, erzeugen
diese wiederum Wirbelströme. Diese Wirbelströme führen letztendlich dazu, dass Wechselstromtransport über-
wiegend nahe der Oberfläche einer Leitung stattfindet, so wie in . Abb. 5.7 gezeigt. Man nennt diesen Vorgang
Stromverdrängung oder auch skin effect.

. Abb. 5.7 Prinzipskizze zur Stromverdrängung (skin effect).


Der größte Teil des Stromes fließt nahe der Oberfläche bis zu einer
Eindringtiefe ıs
182 Kapitel 5  Wechselstromnetze

Zu Berechnung wird zweckmäßiger Weise mit den komplexen Feldern E D E O e j!t und B D Be
O j!t
gerechnet, so dass sich @E =@t D j!E schreiben lässt. Innerhalb eines stromdurchflossenen Leiters werden
die Magnetfelder praktisch ausschließlich von dem Stromfluss erzeugt, also nach dem Ampère’schen Gesetz
r  B  J . Die Erzeugung der Wirbelströme folgt aus dem Induktionsgesetz r  E D j!B, denn die
Stromdichte folgt immer dem Feld: J D  E: So gilt insgesamt

r  B D J
(5.28)
r  J D j! B;

also ein Satz von zwei Gleichungen, aus denen sich das Magnetfeld eliminieren lässt, um die Abhängigkeit vom
Radius der Leitung zu bestimmen. Hierzu werden Zylinderkoordinaten verwandt: B D .B r ; B  ; B z /. Für das
5 in . Abb. 5.7 gezeigte Leitungsstück ist
  
1 @.rB  /
B D .0; B  ; 0/ ! r  B D 0; 0;
r @r
  (5.29)
@J
J D .0; 0; J z / ! r  J D 0;  z ; 0 :
@r

Der Vergleich von (5.28) und (5.29) ergibt dann

1 @B 
B C D J z
r  @r
@J z
und j! B  D (5.30)
@r
1 @J z @2 J z
! C D j! J z :
r @r .@r/2

Die Lösung von (5.30) ist eine Besselfunktion, die hier nicht im Einzelnen analysiert werden soll. Wichtig ist:
In der Nähe der Oberfläche des Leiters nimmt ihr von der Zeit unabhängiger Teil exponentiell ab:
s
2
J.r/ D jJ z .r/j  J.R/e .rR/=ıs
mit ıs D : (5.31)
!

Der Parameter ıs wird Eindringtiefe genannt. Gleichung (5.31) zeigt: Je höher die Frequenzen, desto stärker
wird der Strom an die Oberfläche gedrängt. . Tab. 5.1 zeigt, dass die Eindringtiefen auch stark von Material zu
Material variieren. Dies erklärt, warum Hochspannungsleitungen einen (reißfesten) Eisenkern und einen (gut
leitenden) Kupfer- oder Aluminiummantel haben.

. Tabelle 5.1 Eindringtiefe der Stromdichte bei verschiedenen Frequenzen und Materialien

Material ıs (f D 50 Hz) ıs (f D 1 MHz)

Kupfer 9,4 mm 67 m

Aluminium 11,6 mm 82 m

Gold 10,6 mm 75 m

Eisen 0,71 mm 5 m
5.1  Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze
183 5

Je größer die Frequenz, desto mehr wird der Strom eines Leiters an dessen Oberfläche
gedrängt.

Der skin effect hat natürlich auch großen Einfluss auf das Hochfrequenzverhalten von Spulen (siehe Aufgabe
2.36): Je mehr der Strom an die Oberfläche gedrängt wird, desto größer wird der Ohm’sche Spulenwiderstand.

5.1.4 Übertrager

Wechselstrom hat in den letzten 120 Jahren die Stromversorgung und die Leistungselektronik
dominiert. Das liegt an seiner relativ einfachen Transformierbarkeit.

1 Transformatoren sind Spulen mit gemeinsamem Magnetfeld


Das Prinzip des Transformators ist in . Abb. 5.8 abgebildet. Kern des Transformators ist im
wahrsten Sinne des Wortes ein Eisenring. Wegen der sehr großen magnetischen Suszeptibilität
des Eisens (bzw. seines großen R ) sind die Magnetfelder außerhalb dieses Kerns praktisch
zu vernachlässigen. Jede um den Eisenring gelegte Leiterschleife umschließt daher fast den
gleichen magnetischen Fluss ˚B .
Betrachten wir zunächst den verlustlosen Fall:9 keine Ohm’schen Verluste in der Spule,
keine Verluste im Eisen, keinerlei Streufelde. Ferner soll angenommen werden, dass jede
Windung in gleicher Weise zum Magnetfeld und damit zum magnetischen Fluss beiträgt:
˚B .eine Windung/ D   I . Eine Verkettung von N Windungen hat dann die Induktivität10

L D N 2 : (5.32)

Für die in . Abb. 5.8 gezeigte Anordnung ist der gesamte magnetische Fluss die Summe aus
dem magnetischen Fluss der Primärspule ˚P und dem der Sekundärspule, ˚S :

˚B D ˚P C ˚S D NP IP C NS IS : (5.33)

Wenn sich der magnetische Fluss ändert, so wird nach dem Induktionsgesetz jeder Windung
eine Spannung Uind D ˙d˚B =dt induziert. Das Pluszeichen betrifft die Primärseite (UP ist

. Abb. 5.8 Das Prinzip des Transformators und sein Schalt- IP


symbol: Durch den harmonisch oszillierenden Strom entsteht IS
im (grau gezeichneten) Eisenkern ein oszillierendes Magnet-
UP US
feld. Dessen Änderungen induzieren auf der Sekundärseite eine
Spannung US

9
An dieser Stelle soll nicht von Idealfall gesprochen werden, denn unter einer idealen Spule wird eine Spule mit
r ! 1 verstanden.
10
Der Faktor  wird auch als magnetischer Leitwert bezeichnet (siehe zum Beispiel [4]). Nach (1.77) ist er für eine
lange Spule  D 0 A= l.
184 Kapitel 5  Wechselstromnetze

parallel zu IP ). Auf der Sekundärseite wird die Spule als Generator (US ist antiparallel zu
IS ) betrachtet. Für die NP Windungen auf der Primärseite und die NS Windungen auf der
Sekundärseite gilt daher
 
dIP dIS
UP D NP    NP  NS
dt dt
 
dIP dIS
US D NS    NP  NS : (5.34)
dt dt

Das Gleichungssystem (5.34) wird als Transformatorgleichungen bezeichnet. Dividiert man


beide Gleichungen durcheinander, so bekommt man das zu jedem Zeitpunkt gültige Übertra-
5 gungsverhältnis der Spannungen

NS
US .t / D UP .t /  : (5.35)
NP
p
Den in beiden Gleichungen auftauchenden Term NP NS  D LP LS nennt man auch Kop-
pelinduktivität, M . Die Transformatorgleichungen nehmen dann die folgende Form an:

dIP dIS
UP D LP M
dt dt
dIP dIS
US D M  LS : (5.36)
dt dt
Die komplexe Wechselstromtechnik erlaubt es, Ableitungen durch Faktoren zu ersetzen (siehe
Anhang). Die Transformatorgleichungen werden dadurch einfacher:

uP D LP j!  i P  M j!  i S
uS D M j!  i P  LS j!  i S : (5.37)

Diese Gleichungen können auch von einer ganz anderen, nämlich der in . Abb. 5.9 gezeigten
Schaltung, erfüllt werden.

Beim verlustlosen Transformator ist die primärseitig aufgenommene Wirkleistung (PP > 0)
gleich der sekundärseitig gelieferten (PS < 0). Für die Schein- und Blindleistung gilt
dagegen nichts Vergleichbares.

. Abb. 5.9 Der verlustlose Transformator und sein Ersatzschaltbild: Dieser Transformator verhält sich (bis auf die
Potenzialtrennung) im Wechselstromkreis nach (5.37) wie die rechts gezeichnete Schaltung
5.1  Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze
185 5

Mit Hilfe von (5.21) erhält man

PP D PS ! <.U P  I P / D C<.U S  I 


S/ : (5.38)

Ist der verlustlose Transformator von einer Impedanz Z S D uS =i S belastet, so lässt sich
aus den Transformatorgleichungen (5.37) die Sekundärseite komplett herauskürzen, und man
erhält

iP 1 LS 1
D C  : (5.39)
uP j!LP LP Z S

Der belastete verlustlose Transformator verhält sich also wie die Parallelschaltung seiner Pri-
märspule und einer um das Spulenverhältnis LLPS vergrößerten Lastimpedanz Z S . Dies führt
auf eine Gleichung für den Strom auf der Sekundärseite:

 
NP uP
iS D iP  (verlustloser Transformator): (5.40)
NS j!LP

Gl. (5.39) führt auf eine sehr gut handhabbare Abschätzung des Sekundärstromes. Wenn
LP ! 1, dann fällt der Imaginärteil der am Primärkreis liegenden Last weg und es bleibt
ein Gleichungssystem, welches den sogenannten idealen Transformator beschreibt:

iS u NP
D P D (idealer Transformator): (5.41)
iP uS NS

Die Näherungen des idealen Transformators sind anwendbar, wenn die Bedingung

LP jZ S j
!LP  (5.42)
LS

erfüllt ist und Leistungsverluste innerhalb des Transformators vernachlässigbar sind.

1 Leitungswiderstände und Wirbelströme sind unvermeidbar


Reale Transformatoren haben dagegen Ohm’sche Verluste in den Spulenwindungen, Verluste
im Eisen und magnetische Flussanteile, die nicht durch beide Spulen gehen (Streufelder),
so dass (5.38) dort nicht mehr gilt. Zur Beschreibung solcher Effekte (Entwurfsanleitungen
siehe zum Beispiel in [1]) muss das in . Abb. 5.9 gezeigte Schaltbild modifiziert werden. Ein
populäres Ersatzschaltbild, allerdings ohne Berücksichtigung der Verluste durch Streufelder,
zeigt . Abb. 5.10. Die beiden Widerstände RP und RS sind die Ohm’schen Widerstände der
Zuleitungen. Sie machen, außer im Kurzschlussbetrieb, meist keinen großen Effekt, so dass
im wesentlichen LP ; LS und RFe das Verhalten des realen Transformators bestimmen.
186 Kapitel 5  Wechselstromnetze

. Abb. 5.10 Modell eines realen Transformators. Es beinhaltet die Lei-


tungswiderstände RP und RS und Eisenverluste RFe . Streufelder sind in
diesem Bild nicht berücksichtigt

Fe

1 Durch Kurzschluss- und Leerlaufversuche werden Transformatoreigenschaften


bestimmt
5 Wird der Transformator im Leerlauf betrieben (IS D 0), ergibt die Wirkleistungsmessung auf
der Primärseite die Eisenverluste
2
Ueff;P
PLeerlauf D Ueff;P  Ieff;P cos.U;P  I;P /  (5.43)
RFe

und die Blindleistungsmessung die Induktivität der Primärspule:


q 2
Ueff;P
QLeerlauf D Ueff;P  Ieff;P  PLeerlauf
2
 : (5.44)
!LP

Das Verhältnis von Ein- und Ausgangsspannung


p im Leerlauf gibt darüber hinaus das Verhält-
nis der Windungen NP =NS D LP =LS :

UOP2 N2 LP
sin2 .U;P  I;P / D P2  : (5.45)
UO S
2 NS LS

Beim Kurzschlussversuch werden die Anschlüsse der Sekundärseite miteinander verbun-


den. Vernünftigerweise wird der Kurzschlussversuch bei deutlich geringeren Eingangsspan-
nungen als der späteren Betriebsspannung durchgeführt. Die Ohm’schen Widerstände der
Leitungen sorgen in diesem Falle für einen nicht über alle Grenzen wachsenden Stromfluss,
und der parallel zu RS befindliche Eisenwiderstand spielt kaum noch eine Rolle. Der kurzge-
schlossene Transformator verhält sich so wie ein verlustloser Transformator, dem ein Lastwi-
derstand RS nach- und ein Vorwiderstand RP vorgeschaltet ist. Mit (5.39) erhält man so
 
LP
PKurzschluss  Ieff;P
2
 cos2 .U  I /  RP C RS ; (5.46)
LS

wobei cos2 .U  I /  1 sein muss.11 Für das Verhältnis der Kurzschlussströme gilt dann
s
IKurzschluss;S LP
 : (5.47)
IKurzschluss;P LS

Auf diese Weise können durch Leerlauf- und Kurzschlussmessungen die Merkmale des Trans-
formators bestimmt werden (Anwendung siehe Aufgabe 5.48).

11
Wenn nicht einmal im Kurzschlussfall die Blindströme viel kleiner sind als die Wirkströme, dann liegt entweder ein
Produktionsfehler oder ein Messfehler vor.
5.1  Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze
187 5
. Abb. 5.11 Prinzipskizze eines Zündtrans-
formators. Der Hall-Sensor signalisiert den
zur Zündung passenden Winkel der Kurbel-
welle. Der mit ihm verbundene Schalter ist in
der Regel ein Leistungstransistor. UBat steht
für die Batteriespannung, also meist 12 Volt.
Die Zünderze wird parallel zur Induktivität
LS geschlossen
Bat

Anwendungsbeispiel Zündtransformator:
Wie in zwei Schritten aus 12 Volt 30 kV erzeugt werden

Das Benzin-Luftgemisch in einem Verbrennungsmotor wird durch eine Hochspannungs-


entladung gezündet. Dazu wird die in . Abb. 5.11 gezeigte Schaltung verwendet. Deren
Zeitverhalten wird von einem Hall-Sensor bestimmt, welcher die Stellung der Kurbelwelle
feststellt. Die Zündung wird vorbereitet, indem der Hall-Sensor den Steueranschluss eines
Leistungstransistors (hier durch einen Schalter dargestellt) auf Masse zieht. So kann ab dem
Zeitpunkt t D 0 ein Strom von der Batterie durch die Primärspule zur Masse fließen. Da
die Sekundärspule in dieser Zeit keinen Strom führt, verhält sich der Transformator wie eine
einzelne Spule der Induktivität Lp .
Fassen wir alle Ohm’schen Widerstände entlang dieses Stromflusses zu einem einzigen, Rp ,
zusammen, so entwickelt sich der Strom gemäß

dIp
Up D Rp  Ip C Lp
dt
Up   (5.48)
! Ip D 1eRt=L
C Ip;0 eRt=L :
Rp

Dabei ist Ip;0 der Strom zum Zeitpunkt t D 0 und Up die Batteriespannung. Im Magnetfeld
des Transformators ist dann die Energie W D 12 Lp Ip2 gespeichert. Die Dimensionierung
der Bauteile muss so vorgenommen werden, dass für die Zeit T zwischen zwei Zündungen
e RT =L  0 ist. Denn nur dann fließt der maximale Strom

Up
Ip;max  :
Rp

Die Zündung wird eingeleitet, indem der Hall-Sensor den Strom vom Steueranschluss zur
Masse unterbindet. Dann bleibt primärseitig ein Stromkreis aus Batterie, Kondensator Cp
und Primärspule Lp übrig, also ein Reihenschwingkreis. In diesem oszilliert die Energie
zwischen Spule und Kondensator. Die maximale Spannung am Kondensator, Up;max ist genau
dann erreicht, wenn die im Magnetfeld der Spule gespeicherte Energie vollständig an das
188 Kapitel 5  Wechselstromnetze

elektrische Feld im Kondensator abgegeben worden ist. Sie ist damit durch

Wmax .Cp / D Wmax .Lp /


1 1
! 2
Lp Ip;max D Cp Up;max
2
2 2 (5.49)
s
Lp
! Up;max D Ip;max
Cp

gegeben. Dabei ist Up;max typischerweise 400 Volt. Die maximale Spannung an der Primär-
5 spule ist nur um 12 Volt geringer.
Die fast 400 Volt an der Primärspule werden nun auf 30.000 Volt an der Sekundärspule
hochtransformiert. Gemäß (5.35) wird dies erreicht, indem die Sekundärspule viel mehr
Wicklungen Ns bekommt als die Primärspule: Ns =Np  30:000=400.
So lässt sich die maximale Spannung auch in der Form
s s
Ls Ls Up
Us;max D Ip;max   (5.50)
Cp Cp Rp

angeben. Sie ist also überraschenderweise (fast) nicht von der Induktivität der Primärspule
abhängig. Im Gegenzug hängt die für die Zündung zur Verfügung stehende Gesamtenergie
sehr stark von der Induktivität der Primärspule ab.

5.1.5 Drei-Phasen-Wechselstrom

Der dreiphasige Wechselstrom, auch Drehstrom genannt, erlaubt es, bei gleicher Belastung
der Leitungen größere Leistungen zu transportieren als es beim einphasigen Wechselstrom
möglich ist. Er spielt daher in der Energieversorgung und in der Automatisierungstechnik
eine wichtige Rolle.

1 Die meisten Haushalte sind in Sternschaltung angeschlossen


. Abb. 5.12 zeigt ein System, wie es bei der Versorgung von Haushalten anzutreffen ist. Die
energiespendenden Leitungen werden in der Drehstromtechnik auch kurz als verschiedene

. Abb. 5.12 Typisches Drei-


Phasen-Wechselstrom System mit
jeweils im U D 120ı versetzten
Spannungen. Jede Phase hat gegen-
über dem Nulleiter die Spannung
Ueff D 230 V und gegenüber dem
Nachbarn Ueff D 400 V
5.1  Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze
189 5
. Abb. 5.13 Prinzipskizze einer Haus-Energieversorgung: Dass in der
Regel drei Phasen der Versorgung dienen, fällt meist nicht auf, da pro
Zimmer nur eine Phase angeschlossen ist

. Abb. 5.14 Sternschaltung: Jede der drei Versorgungsleitungen ist


über eine Last ZL mit dem Nullleiter verbunden. Es gibt aber keine
direkten Verbindungen zwischen den Phasen. Sind, wie hier gezeigt, die
Impedanzen gleich, führt der Nulleiter keinen Strom

Phasen bezeichnet, da sich die in ihnen fließenden Ströme nur durch die Phasenwinkel unter-
scheiden. Eine Verbindung, in der ein Verbraucher angeschlossen ist, wird Strang genannt.
Dass mehrere stromführende Leitungen das Haus erreichen, ist für die einzelnen Zimmer
nicht sichtbar. Denn, wie . Abb. 5.13 zeigt, wird pro Raum nur eine Phase und der Nullleiter
angeschlossen. Der Sinn dieses Systems wird in dem Extremfall deutlich, in dem zwischen
jeder Phase und dem Nullleiter die gleiche Impedanz Z S angeschlossen wird. Berechnet man
für diesen, in . Abb. 5.14 gezeigten Fall den Strom durch den Nulleiter, so ergibt sich12

1
ı ı ı

I D  UO e j0 C e j120 C e j240 D : : : D 0: (5.51)
ZS

In einem symmetrisch belasteten Drehstromnetz übernehmen die Versorgungsleitungen die


Rückleitung des Stromes gleich mit.

1 Die Dreieckschaltung macht aus drei 230 V-Phasen drei 400 V-Spannungen
Werden die Phasen nicht mit dem Nullleiter, sondern untereinander verbunden, so ergibt sich,
wie . Abb. 5.15 zeigt, die Anordnung in Form eines Dreiecks. Bei dieser Anordnung ist der

. Abb. 5.15 Symmetrische Dreieckschaltung im Drehstromkreis

12
Genau aus diesem Grunde werden im Haushalt verschiedene Verbraucher an verschiedene Phasen gelegt. Eine kluge
Verkabelung wird Verbraucher, die gleichzeitig aktiv sind, an verschiedene Phasen anschließen.
190 Kapitel 5  Wechselstromnetze

. Abb. 5.16 Spannungsverläufe in


einem Drei-Phasen-Wechselstrom-
Netz: Die Spannungsdifferenz
zwischen zwei um p120ı verschobe-
nen Phasen ist um 3 erhöht und um
 D 30ı neben der einen Phase.
Hier ist die
pAmplitude der Einzelpha-
sen UO D 2  230 V D 325 V

5
Nullleiter überhaupt nicht mehr angeschlossen. Der Clou ist aber nicht nur, dass völlig auf
einen Nulleiter verzichtet werden kann, sondern auch, dass die Phasendifferenz von 120ı
zu einer erhöhten zur Verfügung stehenden Spannung führt. Und das kommt so heraus: Die
zwischen den ersten beiden Phasen liegende Spannung ist

 
U 2  U 1 D UO e j2
=3  1 : (5.52)

p
Dabei ist UO D 2  230 V D 325 V die allen drei Phasen gemeinsame
p Amplitude. Der
Ausdruck e j 2
=3  1 ist eine komplexe Zahl mit
p dem Betrag 3. Daher ist die effektive
Spannung zwischen den Phasen .U2  U1 /eff D 3  230 V D 400 V.
. Abb. 5.16 zeigt die Verhältnisse am Beispiel der beiden Phasen u1 D UO sin.!t / und
u2 D UO sin.!t C 120ı /. Für alle drei Möglichkeiten der Differenzbildung erhält man

ı p ı
U 2  U 1 D UO .e j120  e ı / D 3  UO e j150
ı ı p ı
U 3  U 2 D UO .e j240  e j120 / D 3  UO e j270
ı p ı
U 1  U 3 D UO .e ı  e j240 / D 3  UO e j30 : (5.53)

Durch eine Impedanz mit dem Leitwert Y D D jY D je jY fließt daher in ihrem Strang ein Strom
mit der Amplitude

p ı C
I D D Y D  .U 2  U 1 / D 3  UO jY D j  e j.150 Y/
; (5.54)

wenn sie zwischen die ersten beiden Phasen geschlossen wird. Der Vergleich mit der Stern-
schaltung ergibt:

p p
Bei gleichen Widerständen gibt die Dreieckschaltung eine 3-Fache Spannung, einen 3-
Fachen Strangstrom und so eine verdreifachte Leistung verglichen mit der Sternschaltung.
5.1  Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze
191 5

Für den Strom i 1 in der ersten Zuleitung ergibt sich bei symmetrischer Last eine Amplitude

I 1 D I .U 1  U 3 /  I .U 2  U 1 / D 3  jY D jUO  e jY : (5.55)

Die Stromamplitude in einer Zuleitungphat also, verglichen mit Sternschaltung, bei symmetri-
scher Belastung einen um den Faktor 3 größeren Betrag in einem Strang des Dreiecks.

! Vorsicht, Fehler durch Taschenrechner!


Wegen der Mehrdeutigkeit der Arkustangens-Funktion erhält man leicht andere, falsche Ergeb-
nisse.

Interessant ist der Vergleich der Schaltungen bei gleicher Leistung: Wird eine Sternschaltung
mit dem Widerstand RS durch eine Dreieckschaltung
p pdem Widerstand RD D 3  RS
mit
ersetzt, wird der Strangstrom um den Faktor 3=3 D 1= 3 verringert. Damit kompensiert
ein geringerer Strom eine um den gleichen Faktor erhöhte Spannung und die Leistung bleibt
die gleiche. Nach außen hin ist diep Veränderung ebenfalls nicht sichtbar, denn der Strom in
den Leitungen ist um den Faktor 3 größer als der (verkleinerte) Strangstrom.
Unabhängig von der gewählten
p Schaltungsstruktur wird,
p wenn jede Versorgungsleitung bei
einer Spannung Ueff D UO = 2 einen Strom Ieff D IO = 2 führt, bei symmetrischer Last eine
Gesamtleistung von

3
P D <.U I  / D 3  Ueff Ieff cos.U  I / (5.56)
2
übertragen, ohne dass dafür eine Rückleitung nötig wäre.

1 Impedanzen der Stern- und Dreieckschaltung lassen sich ineinander umrechnen


Der Vorbereitung von standardisierten Lösungsverfahren dient die Stern-Dreieck-Umrech-
nung, wie sie in . Abb. 5.17 dargestellt ist. Fordert man für beliebige Potenziale an den
Anschlusspunkten A; B und C die gleichen Ströme, so folgt für die Berechnung der Sternwi-
derstände
R1  R3 R1  R2 R2  R3
Ra D ; Rb D ; Rb D (5.57)
R1 C R2 C R3 R1 C R2 C R3 R1 C R2 C R3

mit der Rücktransformation


Ra  Rb Rb  Rc Rc  Ra
R1 D Ra C Rb C ; R2 D Rb C Rc C ; R3 D Rc C Ra C :
Rc Ra Rb
(5.58)

. Abb. 5.17 Stern-Dreieck-Umrechnung: Zu


jedem Stern lässt sich ein äquivalentes Dreieck
finden und umgekehrt (siehe (5.57), (5.58))
192 Kapitel 5  Wechselstromnetze

Sie gelten auch für Impedanzen, also bei Ri ! Z i . Die Umrechnungen kann man sich wie
folgt merken:

Ya Yb Produkt der anliegenden Admitanzen


Stern ! Dreieck W Y1 D D
Ya CYb CYc Summe aller Admitanzen
Z1  Z3 Produkt aller anliegende Impedanzen
Dreick ! Stern W Za D D
Z1 C Z2 C Z2 Summe aller Impedanzen
(5.59)

5 5.2 Fragen und Aufgaben zu Wechselstromnetzen

5.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen

5.1 Wie erhält man aus dem komplex dargestellten zeitlichen Verlauf einer Spannung deren
messbaren Verlauf?
a) Man bestimmt den Realteil des komplexen Verlaufes.
b) Man bestimmt den Imaginärteil des Verlaufes.
c) Man bestimmt den Betrag des komplexen Verlaufes.

5.2 Welche der folgenden Aussagen über ein Gerät, welches ausschließlich Blindleistung auf-
nimmt, ist korrekt?
a) Gar nichts wird warm, weder das Gerät noch seine Versorgungsleitungen.
b) Gerät und Zuleitungen erwärmen sich.
c) Nicht das Gerät, nur die Zuleitungen erwärmen sich.

5.3 Eine Bohrmaschine hat eine Motorleistung von 4 kW und außerdem noch 3 kW Blindleis-
tung. Wie groß ist ihre Scheinleistung?
a) Die Scheinleistung beträgt 1 kW.
b) Die Scheinleistung beträgt 5 kW.
c) Die Scheinleistung beträgt 7 kW.

5.4 Wie ändert sich das Verhalten eins Haushaltsgerätes, wenn es mit einer Blindleistungs-
kompensation ausgestattet wird?
a) Die Maßnahme entlastet die Leitungen, allerdings um den Preis einer geringeren Wirk-
leistung.
b) Die Maßnahme entlastet die Leitungen, allerdings um den Preis einer geringeren Blind-
leistung.
c) Die Maßnahme entlastet nur den Stromversorger.

5.5 Wann stimmt der Satz „Ein blindleistungskompensiertes Gerät ist ein an die Spannungs-
quelle angepasstes Gerät.“?
a) Er stimmt immer. Der gleiche Sachverhalt wird nur in vielen Büchern verwirrend darge-
stellt.
b) Er stimmt nie, denn Anpassung und Blindleistungskompensation schließen sich gegensei-
tig aus.
c) Das kann nur sein, wenn der Innenwiderstand der Spannungsquelle keinen Blindanteil hat.
5.2  Fragen und Aufgaben zu Wechselstromnetzen
193 5

5.6 Bei Hochspannungsmasten kann man oft beobachten, dass anstelle von Einzelleitungen
Bündel von vier Leitungen mit Abstandshaltern an den Isolatoren hängen. Was ist der Grund?
a) Der Grund heißt Stromverdrängung.
b) Vier dünne Leitungen zu produzieren, kostet weniger als eine dicke.
c) Man erhält so ein besseres Verhältnis von Leitungsgewicht und Leitungsquerschnitt.

5.7 Was begrenzt die Leistung eines Transformators?


a) Die Anzahl der Sekundärwindungen begrenzt die Maximalleistung.
b) Die Anzahl der Primärwindungen begrenzt die Maximalleistung.
c) Die Masse des Eisenkerns begrenzt die Maximalleistung.

5.8 Bei der Verkabelung eines Einfamilienhauses werden verschiedene Zimmer mit verschie-
denen Phasen versorgt. Warum wird das so gemacht?
a) Das wird gemacht, damit weniger Strom durch den Nullleiter fließt.
b) So wird verhindert, dass Strom von einem Zimmer in das andere fließt.
c) Die Frage ist falsch gestellt: Alle Zimmer kommen an die gleiche Phase, nur Großverbrau-
cher wie Herd und Waschmaschine werden an alle Phasen angeschlossen.

5.9 Nach einem Umzug wird der Heizstab einer Waschmaschinen zwischen eine Phase und
Masse (normale Steckdose) geschaltet. Vorher hatte die Maschine einen Drehstromanschluss.
Wie ändert sich das Heizverhalten?
a) Es ändert sich nichts.
b) Die Zeit zum Aufheizen des Wassers steigt
p um ca. + 200 %.
c) Die Heizzeit erhöht sich um den Faktor 3.

5.10 „Blindleistung oszilliert so lange zwischen Erzeuger und Verbraucher hin und her, bis
sie in Wirkleistung verwandelt wird.“ Stimmt das?

5.11 „Die Wicklungsdrähte eines Transformators müssen blank sein.“ Stimmt das?

5.12 „Ein verlustleistungsloser Transformator ist ein idealer Transformator.“ Stimmt das?

5.13 „Beim Kondensator im Wechselstromkreis eilt der Strom der Spannung voraus.“ Stimmt
das?

5.14 „Man soll nie ein Verlängerungskabel von einem Zimmer ins daneben liegende legen.“
Stimmt das?

5.15 Welche drei Parameter kennen Sie, mit denen die Stärke einer Wechselspannung ange-
geben wird?

5.16 Ein Verbraucher mit der Impedanz Z S ist über einen verlustlosen Transformator mit
den beiden Induktivitäten LP (Primärseite) und LS (Sekundärseite) mit einem Primärkreis
verbunden. Welche Impedanz ZP hat das System im Primärkreis?

5.17 Bitte erläutern Sie Aufbau und Funktion von Dynamoblech.


194 Kapitel 5  Wechselstromnetze

5.18 Welche beiden Bedingungen müssen erfüllt sein, damit ein Verbraucher im Wechsel-
stromkreis an die Quelle angepasst ist?

5.19 Was ist ein Parallelersatzwiderstand, und wann ist dessen Verwendung sinnvoll?

5.20 Welche Eigenschaften eines Transformators lassen sich aus einem Leerlaufversuch und
dessen Ausmessung bestimmen?

5.2.2 Klausuraufgaben
5
5.21 Welche der folgenden Optionen stimmt? Unter Blindleistungskompensation versteht
man
a) die Möglichkeit, Sozialleistungen rückgängig zu machen,
b) eine Technik zur Reduktion überflüssiger Blindströme,
c) das Einspeisen von Strömen in Solaranlagen bei bewölktem Himmel.

5.22 . Abb. 5.18 zeigt den zeitlichen Verlauf einer Spannung. Könnte hier die Netzspan-
nung in einem europäischen Land dargestellt sein? Bitte bestimmen Sie zur Beantwortung
die Spitze-Spitze-Spannung US S , den Scheitelwert der Spannung UO , die effektive Spannung
Ueff , die Frequenz f und die Phase U .

5.23 Bitte stellen Sie für U D 0 die Ströme und deren Gesamtsumme der in . Abb. 5.19
gezeigten Schaltung in einem Zeigerdiagramm dar und geben Sie auch die entsprechende
Gleichung I D f .U / an. In dem Beispiel soll der Blindwiderstand der Spule kleiner sein als
der des Kondensators.

. Abb. 5.18 Zur Aufgabe 5.22: Zeitlicher


Spannungsverlauf an einem Oszilloskop

. Abb. 5.19 Zur Aufgabe 5.23: Von einer Wechselspannungsquelle U I


gespeiste Parallelschaltung aus Spule, Widerstand und Kondensator .R; L; C /

UQ L R C
5.2  Fragen und Aufgaben zu Wechselstromnetzen
195 5

5.24 Die Spannung am Stromabnehmer einer Elektrolokomotive beträgt


  
2 2
u.t / D 28 kV sin 2
 16 C Hz  t 
: (5.60)
3 3
Welche Verspätung haben die Spannungs-Nulldurchgänge relativ zu t D 0?

5.25 Welche Spannungen muss ein an das 230 V-Hausnetz angeschlossener Glättungskonden-
sator aushalten? Würden Sie einen Elektrolyt-Kondensator empfehlen?

5.26 Welche der folgenden Optionen stimmt? Blindleistung ist


a) eine zu Unrecht vergebene Sozialleistung,
b) die Leistung einer Photozelle im Dunkeln,
c) der Grund für Überspannungen,
d) immer negativ,
e) von der Netzfrequenz abhängig.

5.27 Vom Energieversorger wird dem Haushalt eine Wechselspannung mit dem Effektivwert
Ueff D 230 V geliefert. Warum heißt dieser Wert Effektivwert und wie groß ist die Amplitude?

5.28 In Technik-Büchern wie [3] tritt im Zusammenhang mit Transformatoren der Faktor 4,44
in Erscheinung. Wie heißen die nächsten Nachkommastellen?

5.29 Welche der folgenden Aussagen trifft für den idealen Transformator zu?
a) Er erzeugt keine Wärme.
b) Für das Eisen wird Fe D 0 angenommen.
c) Das Verhältnis der Ströme auf der Primär- und auf der Sekundärseite ist genau das inverse
Spannungsverhältnis.
d) Er nimmt nur Blindleistung auf.
e) Zwischen Strom und Spannung auf der Sekundärseite liegt ein Phasenwinkel von U;S 
I;S D ˙90ı .

5.30 Welche Verluste treten bei einem realen Transformator auf und wie wirken sie sich aus?

5.31 Sie schalten drei Transformatoren, die jeweils 1000 Windungen auf der Primärseite und
100 Windungen auf der Sekundärseite haben, hintereinander. Wie viele Windungen auf der
Sekundärseite müsste ein einziger Transformator auf der Sekundärseite haben, um das gleiche
Spannungsübersetzungsverhältnis zu erzeugen?

5.32 Unter der Strangspannung verstehen Sie


a) die am Verbraucher liegende Spannung in einem Drehstromsystem,
b) die Spannung einer als Strang geflochtenen Leitung,
c) die Spannung im Handlungsstrang eines Kriminalromans, oder
d) die durchschnittliche Spannung im Strang einer Überlandleitung.

5.33 Bitte zeigen Sie, dass für zwei komplexe Größen A und B
ˇ ˇ2
ˇAˇ 2
ˇ ˇ D jAj (5.61)
ˇB ˇ
jBj2
gilt.
196 Kapitel 5  Wechselstromnetze

. Abb. 5.20 Zur Aufgabe 5.36: Schaltung mit paradoxen Eigenschaften. Können die
Bauteile so gewählt werden, dass sich die Gesamt-Stromstärke beim Schließen des Schal-
ters nicht ändert?

5.34 Wie lautet die komplexe Darstellung u.t / des in . Abb. 5.18 gezeigten Spannungsver-
laufes?

5 5.35 . Abb. 5.2 zeigt die Addition von drei Spannungen einer Reihenschaltung. Wie müsste
die Darstellung geändert werden, wenn der hindurchfließende Strom eine Amplitude

I D IOe jI D IO e j
=2 (5.62)

hätte?

5.36 Einem f D 50 MHz-Signalgenerator mit einem Innenwiderstand von Ri D 50  und


vernachlässigbaren internen Blindwiderständen ist, wie in . Abb. 5.20 gezeigt, eine Spule
parallel geschaltet. Welche Induktivität muss diese (als ideal angenommene) Spule haben,
damit sich beim Schließen des Schalters die Stromstärke jI j nicht ändert, obwohl ein Strom
durch R D 10 k hinzukommt?

5.37 . Abb. 5.21 zeigt die so genannte Hummel-Schaltung13 , welche zur Bestimmung
der Blindleistung dient. Bitte wählen Sie den Trimmwiderstand R3 so, dass zwischen
der anliegenden Spannung U und dem Strom durch die zweite Spule .L2 ; R2 / eine 90ı -
Phasenverschiebung besteht.

5.38 Die in . Abb. 5.22 gezeigte Leuchtstofflampe ist auf einen Betrieb von Ueff D 77 V aus-
gelegt und nimmt eine Leistung von P D 12;7 W auf. Bitte liefern Sie die Begründung dafür,
dass solche Lampen heute mit elektronischen Spannungswandlern ausgerüstet werden, indem
Sie die klassische Alternative durchrechnen und dabei zu recht großen Bauteilen kommen:
Um die Betriebsspannung aus dem 230 V-Netz zu erhalten, kann eine Drosselspule in Rei-
he mit dem Leuchtkörper geschaltet werden. Bitte bestimmen Sie unter der Annahme, dass
sich der Leuchtkörper wie ein Ohm’scher Widerstand verhält, die Induktivität L der Dros-
selspule. Bitte bestimmen Sie die Blindleistung der Anordnung und den Leistungsfaktor.

. Abb. 5.21 Zur Aufgabe 5.37: Hummelschaltung. Sie dient der Bestimmung der L1 R1
Blindleistung. In dieser Zeichnung sind R1 und R2 die Ohm’schen Widerstände der
realen Spulen
L2
U R3
R2

13
Georg Hummel wurde hierfür 1895 das Reichspatent Nr. 968897 erteilt.
5.2  Fragen und Aufgaben zu Wechselstromnetzen
197 5
. Abb. 5.22 Zur Aufgabe 5.38: Leuchtstofflampe. Diese erreicht einen
Lichtfluss von 900 Lumen bei einer Leistungsaufnahme von P D 12;7 W
(Foto: OSRAM)

Kompensieren Sie danach die Blindleistung. Wie sieht diese klassische Schaltung (hier: ohne
Starter) aus? Welche Kapazität hat der Kondensator und welche Spannungsfestigkeit braucht
er?
Warum wird diese klassische Schaltungstechnik eher bei großen als bei kleinen Leuchten
eingesetzt?

5.39 In einem Drei-Phasen-Wechselspannungsnetz


p hat jede Leitung relativ zu dem allen ge-
meinsamen Nullpunkt eine Amplitude UO D 2  230 V. Mit einem Oszilloskop wird die
Differenz der Spannungen von zwei dieser Leitungen als Funktion der Zeit dargestellt. Was
ergibt die Spitze-Spitze-Messung der Spannung?

5.40 Eine Waschmaschine kann ihr Wasser entweder mit einem einzigen (Ein-Phasen-) Heiz-
stab oder mit drei als Dreieck geschalteten Heizstäben für das Drei-Phasen-Netz erwärmen.
In beiden Fällen beträgt die Heizleistung 2 kW. Welche Heizwiderstände sind zu wählen, und
welche Ströme fließen?
Bitte vergleichen Sie auch die Verluste, die in den Zuleitungen auftreten, wenn jede Leitung
einen Ohm’schen Widerstand von R D 0;05  hat.

5.41 Was bedeutet die folgende Aussage im Zusammenhang mit dem Drei-Phasen-Wechsel-
strom: In der Dreieckschaltung wird bei gleicher Spannung die dreifache Leistung übertra-
gen?
a) Durch Ausnutzen der 120ı -Winkelbeziehung wird der Strom dreimal so effektiv genutzt.
b) Bei gleichen Impedanzen führt das Umschalten sowohl zu höheren Strömen als auch zu
höheren Spannungen.
c) Nein, die Aussage ist falsch, denn sie verletzt den Energie-Erhaltungssatz.

5.42 . Abb. 5.23 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines Überlandleitungsmastes für Drehstrom.
Wenn es sich um eine so genannte 230 kV-Übertragung handelt: Welche Spannungen treten
zwischen den Leitungen höchstens auf? Und welche Spannung tritt höchstens zwischen dem
Mast und den Leitungen auf? Wie groß ist Strom durch jede der Leitungen bei einer übertra-
genen Leistung von 100 MVA?

5.43 In einem Haus in Deutschland brennen in drei Zimmern, die jeweils an verschiedenen
Phasen der Versorgung liegen, verschiedene Lampen. Die Lampe im ersten Zimmer ver-
braucht 12 Watt, die im zweiten 60 Watt und die im dritten 36 Watt. Wie groß sind die
Stromamplitude und der Effektivwert des Stromes im Nullleiter?
198 Kapitel 5  Wechselstromnetze

. Abb. 5.23 Zur Aufgabe 5.42:


Typischer Mast für Überlandleitungen.
Auf beiden Seiten des Mastes wird
mittels Drei-Phasen-Wechselstroms
Energie übertragen

5.44 Reihenschaltung von Spulen und Widerständen können, wie in . Abb. 5.4 gezeigt, bei
festgelegter Frequenz durch eine sich gleich verhaltende Serienschaltung ersetzt werden.
(Wie) kann dieses Prinzip, wie in . Abb. 5.24 gezeigt, auf beliebige parallel geschaltete
Impedanzen verallgemeinert werden?

5.45 Bitte zeigen Sie, dass alle Impedanzen, die den gleichen Leitwert G haben, in der kom-
plexen Impedanz-Ebene auf einem Kreis liegen, der den Ursprung berührt und der, wie in
. Abb. 5.25 gezeigt, symmetrisch zur reellen Achse liegt. Bitte bestimmen Sie auch den Ra-
dius dieses Kreises.

. Abb. 5.24 Zur Aufgabe 5.44: Versuch des Ersatzes der Parallelschaltung zweier beliebiger Impedanzen ZA und
ZB durch eine Reihenschaltung

. Abb. 5.25 Zur Aufgabe 5.45: Der G-Kreis in der komplexen Impedanz-
Ebene. Er beinhaltet alle Impedanzen mit gleichem G
5.2  Fragen und Aufgaben zu Wechselstromnetzen
199 5
. Abb. 5.26 Zur Aufgabe 5.47: Schaltung aus Spannungsquelle, Transfor-
mator und Widerstand
UP LP LS R

5.46 Bitte berechnen Sie die von der Zeit abhängige Leistung p.t / für einen Ohm’schen Wi-
derstand R, der von einer Quelle mit u.t / D UO e jU e j!t gespeist wird.

5.47 Ein verlustloser Transformator wird, wie in . Abb. 5.26 gezeigt, primärseitig an eine
ideale Spannungsquelle uP D UOP e j!t und sekundärseitig an einen Ohm’schen Widerstand
R angeschlossen. Bitte finden Sie eine nur aus einer Spule und einem Widerstand bestehende
Ersatzschaltung, welche die Spannungsquelle in der gleichen Weise belastet wie die Schaltung
in . Abb. 5.26.

5.48 Sie sind bei der Stiftung Warentest beauftragt, den in . Abb. 5.27 gezeigten Schweiß-
Transformator auszumessen, um zerstörungsfrei auf sein Innenleben zu schließen. Sie finden,
dass er beim maximalen Schweißstrom von 120 A netzseitig 13,3 A zieht.14 Im Leerlauf setzt
er die Netzspannung von Ueff;P D 230 V auf Ueff;S D 48 V herunter. Dabei messen Sie einen
Strom von 1;12 Ampere bei einem Phasenwinkel von 39ı zwischen dem Eingangsstrom und
der Eingangsspannung.
Bitte schätzen Sie ab, aus wie großen Induktivitäten der Transformator besteht, welcher
Widerstand dem Eisenkern zuzuordnen ist und wie viel Wärme der Transformator im Leerlauf
produziert.

5.49 Die aktuelle Leistung in einem Wechselstromkreis lässt sich als


1˚ 
<.U  I  /  <.U  I  e 2j!t /
p.t / D (5.63)
2
schreiben. Bitte zeigen Sie, dass der erste Term die Wirkleistung ist und dass der zweite Term
den gleichen Betrag hat wie die Scheinleistung.

. Abb. 5.27 Zur Aufgabe 5.48: Handelsüblicher


Schweiß-Transformator (Foto: ich)

14
Dies sind Beispielzahlen. Ähnlichkeiten mit am Markt befindlichen Geräten wären rein zufälliger Natur.
200 Kapitel 5  Wechselstromnetze

5.3 Antworten zu 7 Kap. 5

5.1 Antwort b) ist richtig. Das ergibt sich aus der Tatsache, dass der Imaginärteil der komple-
xen Exponentialfunktion die Sinusfunktion ist. (Es gibt eine kleine Anzahl von Lehrbüchern,
in denen der Verlauf von Wechselspannungen mit Hilfe der Cosinusfunktion dargestellt wird.
Nach deren Phasenkonvention wäre dann die erste Antwort die richtige.)

5.2 Antwort c) ist richtig. Die Blindströme müssen die (Ohm’schen) Widerstände der Zulei-
tungen überwinden und setzen so auf ihnen Wärme frei.
5 p
5.3 Antwort b) ist richtig. Das ergibt sich aus S D P 2 C Q2 .

5.4 Antwort b) ist richtig, denn das Verschwinden der Blindleistung ist gerade das Ziel der
Kompensation. Dieser „Preis“ ist in Wirklichkeit ein Gewinn.

5.5 Antwort c) ist richtig. Bei Anpassung muss die Impedanz des Verbrauchers gleich dem
konjugiert Komplexen des Innenwiderstands der Spannungsquelle sein. Das kann bei einem
Verbraucher ohne Blindwiderstand nur bei einer Quelle ohne Blindwiderstand der Fall sein.

5.6 Antwort a) ist richtig. Dieser Effekt tritt immer dann auf, wenn Wechselströme fließen.
Wer die dritte Option gewählt hat, muss sich ernsthafte Sorgen um seine Zukunft machen.

5.7 Antwort c) ist richtig. Das Leistungsmaximum eines Transformators ist erreicht, wenn
sich das Eisen der Sättigung nähert. Mehr Eisen bedeutet eine geringere Felddichte im Eisen
bei gleichem magnetischen Fluss, also ein Eintreten der Sättigung bei höherer Gesamtleistung.

5.8 Antwort a) ist richtig. Wenn alle Phasen gleichmäßig belastet werden, stellt das Haus eine
symmetrische Sternschaltung dar, bei welcher die Summe aller hausinternen Ströme durch die
Nulleiter gleich null ist.
p
5.9 Antwort b) ist richtig. Der Faktor 3 gilt für das Verhältnis der Effektivwerte der am
Heizstab liegenden Spannungen. Die Leistung sinkt aber um das Quadrat dieses Faktors. So
verdreifacht sich die Heizzeit.

5.10 Ja, das stimmt. Die Transformation in Wirkleistung übernehmen in der Regel die
Ohm’schen Widerstände der Leitungen, denn die Blindströme müssen ständig durch diese
hindurchfließen.

5.11 Nein, das stimmt nicht. Sie sehen zwar fast immer blank aus, aber nur weil sie mit
einem isolierenden Lack- oder Kunststoffmantel überzogen sind. Ein Kontakt zwischen den
Windungen würde zum Kurzschluss führen.

5.12 Nein, das stimmt nicht. Dies ist ein weitverbreitetes Missverständnis. Der verlustleis-
tungslose Transformator behält seinen primärseitigen Spulencharakter auch im lastfreien Fall
im Gegensatz zum idealen Transformator, der dann primärseitig wie ein offener Schalter wirkt.
Der ideale Transformator folgt im Grenzfall r ! 1 aus dem verlustlosen.
5.3  Antworten zu Kap. 5
201 5

5.13 Ja, das stimmt. Merkregel: Kondensa-TOR: Strom geht VOR, Induktivi-TÄT: Strom
kommt SPÄT.

5.14 Ja, das stimmt, denn wenn die Zimmer


p an verschiedene Phasen angeschlossen sind, liegt
zwischen den Phasen eine um den Faktor 3 vergrößerte Spannung, das sind 400 V statt 230
V. Deswegen ist eine solche Verkabelung auch gesetzlich und nach VDE Vorschrift verboten.

5.15 Man benutzt die Amplitude UO , die Spitze-Spitze-Spannung


p US S , und den Effektivwert
Ueff . Es gelten US S D 2UO und Ueff D UO = 2.

5.16 Das System verhält sich wie die Parallelschaltung der Primärspule und einer um den
Faktor LS =LP vergrößerten Admitanz des Verbrauchers:

ZP D j!LP k Œ.LP =LS /Z S  :

5.17 Dynamoblech ist zu Stapeln zusammengepresstes, an den Oberflächen isoliertes Blech.


Sein Zweck ist die Unterdrückung von Wirbelströmen, welche durch sich verändernde Ma-
gnetfelder entstehen. Die Dicke der Einzelbleche begrenzt den Durchmesser der Wirbelströ-
me. Dynamoblech sollte optimalerweise so verwendet werden, dass die magnetischen Feldli-
nien innerhalb der einzelnen Bleche bleiben (großes r für die ganze Feldlinie), die Wirbel-
ströme dagegen quer zu den Schichten verlaufen. Motoren mit hochwertigem Dynamoblech
haben deutlich geringere Verluste als solche ohne.

5.18 Die Ohm’schen Widerstände im Verbraucher und in der Quelle müssen gleich groß sein,
und der Phasenwinkel zwischen Strom und Spannung muss gleich null sein. Bei einer Span-
nungsquelle ist dies der Fall, wenn die innere Impedanz der Spannungsquelle gleich dem
konjugiert Komplexen der Impedanz des Verbrauchers ist. Bei einer Stromquelle muss die
Admitanz des Verbrauchers gleich dem konjugiert Komplexen der Admitanz der Stromquelle
sein.

5.19 Für eine gegebene, feste Frequenz lässt sich zu jeder Reihenschaltung eines Blind-
widerstandes und eines Ohm’schen Widerstandes eine Parallelschaltung aus einem anderen
Blindwiderstand und einem anderen Ohm’schen Widerstand (dem Parallelersatzwiderstand)
finden, die zusammen exakt die gleiche Impedanz haben, wie die ursprüngliche Reihenschal-
tung. Die Umrechnung ist immer dann sinnvoll, wenn die Berechnung der Parallelschaltung
im weiteren Verlauf die Berechnung der Gesamtschaltung vereinfacht. Wichtigstes Beispiel ist
der Parallelschwingkreis mit verlustbehafteter Spule. Da die Frequenzverläufe von Parallel-
und Reihenschaltung aber deutlich verschieden sind, ist die Verwendung von Parallelersatz-
schaltungen nur dann sinnvoll, wenn der zu betrachtende Frequenzbereich klein im Verhältnis
zur Umrechnungsfrequenz ist. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn ein Schwingkreis
eine hohe Güte hat.

5.20 Die Messung der aufgenommenen Blindleistung ergibt die Induktivität der Primärspule.
Die Messung der aufgenommenen Wirkleistung ergibt (bis auf kleine Korrekturen durch die
Leitungsverluste) den Widerstand, welcher den Verlusten im Eisen zuzuordnen ist. Das Ver-
hältnis der Spannungen am Ein- und Ausgang des Transformators ergibt zusammen mit dem
202 Kapitel 5  Wechselstromnetze

Phasenwinkel zwischen Primärstrom und -spannung das Verhältnis der Windungszahlen der
beiden Spulen.

5.21 Option b) ist richtig. Mit der Blindleistungskompensation werden die Blindleistungs-
anteile (möglichst vollständig) auf Null gebracht. Dadurch verringert sich der Strom in den
Zuleitungen.

5.22 Die Spannung variiert zwischen C220 V und 220 V. Daher ist der Scheitelwert der
Spannung UO D 220pV. Die Spitze-Spitze-Spannung ist das Doppelte: US S D 440 V. Der
Scheitelwert ist das 2-Fache des Effektivwertes: Ueff  156 V. Mit diesem Wert liegt die
5 Spannung außerhalb der europäischen Norm von Ueff D 230 ˙ 10 V.
Eine volle Periode dauert D 5 ns. Die Frequenz ist der Kehrwert: f D 200 MHz. Die
Kreisfrequenz ist ! D 2
f D 1;26 Gs1 . Da die Sinusschwingung um t D 1;6 ns nach
rechts verschoben ist15 , kann der Spannungsverlauf als

u.t / D UO sin.!  Œt  t / D 220 V sin.1;26  109 s1  Œt  1;6 ns/ (5.64)

geschrieben werden. Vergleicht man diesen Ausdruck mit

u.t / D UO sin.!  t C U /; (5.65)

dann erhält man

U D !  t D 2;01 rad D 0;64


 115ı : (5.66)

5.23 . Abb. 5.28 zeigt die Addition der Ströme. Das gezeigte Bild entspricht der Gleichung
 
1 1
I D C C j! C U (5.67)
R j!L

mit U D 0. Hieraus ergeben sich auch die Vorzeichen der Imaginärteile, denn 1=.j!L/ < 0.

. Abb. 5.28 Zur Aufgabe 5.23: Addition von Strömen einer R; L; C -


Parallelschaltung in einem Zeigerdiagramm

15
An dieser Stelle werden gerne Vorzeichenfehler gemacht. Tipp: Man frage sich als erstes ab wo die Kurve genau so
aussieht wie ein Lehrbuch-Sinus. Antwort: bei tLehrbuch D 1;6 ns. Dann frage man sich: bei welchem Argument geht der
Lehrbuch-Sinus los? Antwort: bei sin.0/ D 0. Dann stelle man folgende Überlegung an: Wie muss ich das Argument
der dargestellten Sinus-Funktion verändern, damit sin.!  Œt  tLehrbuch / D 0. Dies führt zu (5.64).
5.3  Antworten zu Kap. 5
203 5

5.24 Die Nulldurchgänge sind dort, wo das Argument der Sinus-Funktion die Werte
0;
; =I 2
; : : : hat. Der erste Nulldurchgang ist also bei
  
50 2
2
 Hz  t 
D 0: (5.68)
3 3

Nach der Zeit aufgelöst gibt dies eine Verspätung von t D 0;02 s:

5.25 Mit den 230 V ist der Effektivwert


p der Spannung gemeint. Daher beträgt die Spannungs-
amplitude (siehe . Abb. 5.1) UO D 2  230 V D 325 V. An dem Kondensator treten also
Spannungen von 325 V bis C325 V auf. Ein unipolarer Typ wie zum Beispiel ein Elektrolyt-
Kondensator ist hierfür ungeeignet.

5.26 Blindleistung hat weder etwas mit Sozialleistungen noch mit Solarstrom zu tun. Viel-
mehr führt sie zu einer Erhöhung der Zuleitungsströme bei unveränderter Wirkleistung. Das
heißt: Sie führt zu Strömen, die nichts bewirken, den so genannten Blindströmen. Die Strom-
amplitude steigt durch den Blindstrom, die Spannungsamplitude nicht. Daher ist auch Antwort
c) falsch. Im Rahmen der komplexen Wechselstromlehre ist die Blindleistung immer imaginär,
entweder  Cj oder  j . Also ist Antwort d) ebenfalls falsch.
Blindleistungen werden von Spulen und Kondensatoren verursacht. Beide haben frequenz-
abhängige Impedanzen. Daher ist auch die Blindleistung immer von der Frequenz abhängig.

5.27 Der Begriff Effektivwert leitet sich aus der Tatsache ab, dass eine Wechselspannung mit
dem Effektivwert Ueff auf einen Ohm’schen Verbraucher im Mittel den gleichen Effekt hat
wie eine Gleichspannung mit dem Wert Ueff . Er heizt ihn mit der gleichen durchschnittli-
chen Leistung. Dies ergibt sich wie folgt: Eine Wechselspannung u.t / D UO sin.!t / an einem
Ohm’schen Verbraucher R erzeugt einen Strom i.t / D u.t /=R. Die Wärmeleistung im Wi-
derstand ist P .t / D u.t /  i.t /, also

UO 2
P .t / D sin2 .!t / : (5.69)
R

Den Mittelwert P .t / kann man aus (5.69) am einfachsten mit Hilfe der aus der Mathematik
bekannten Formel sin2 x D .1  cos.2x//=2 ermitteln, denn der Mittelwert der Cosinus-
Funktion ist Null:

UO 2 UO 2 UO 2
P .t / D sin2 .!t / D .1  cos.2!t // D : (5.70)
R 2R 2R

Der Vergleich mit P .Gleichstrom/ D P .t / D Ueff


2
=R ergibt
p
UO D 2  Ueff : (5.71)

Für Ueff D 230 V ergibt sich ein Wert von UO D 325 V.


p
5.28 Korrekterweise müsste an Stelle von 4;44 immer 2 
D 4;4428829381583 : : : stehen.
Aber drei Vieren lassen sich besser merken.
204 Kapitel 5  Wechselstromnetze

5.29 Unter einem idealen Transformator versteht man einen, der keine Verlustleistung produ-
ziert und dessen Kernmaterial R ! 1 hat. Dadurch streben auch die Induktivitäten und mit
ihnen die Blindwiderstände gegen unendlich große Werte.
Daher gilt:
a) Er erzeugt in der Tat keine Wärme.
b) Für das Eisen wird nicht Fe D 0, sondern Fe ! 1 angenommen.
c) (Nur) für den idealen Transformator gilt, da keine Blindströme zum Aufbau des Magnet-
feldes nötig sind, für die Leistung zu einem beliebigen Zeitpunkt pP .t / D pS .t /. Daraus
folgt mit up .t /=uS .t / D NP =NS (siehe Herleitung von (5.35))

5 iP .t / uS .t / NS
D D (nur idealer Transformator). (5.72)
iS .t / uP .t / NS

d) ist falsch: Der ideale Transformator nimmt keine Blindleistung auf.


e) ist auch falsch: Der Phasenwinkel auf der Sekundärseite wird nur vom angeschlossenen
Verbraucher bestimmt.

5.30 Die größten Verluste treten durch die ständige Ummagnetisierung des Eisens auf. Dieser
Effekt hat einen Ohm’schen Anteil, der zur Erwärmung des Transformators und zu einer zu-
sätzlich von der Primärseite zu liefernden Wirkleistung führt. Einen geringeren Einfluss haben
in der Regel die Ohm’schen Widerstände der Spulenwicklungen. Diese beiden Effekte sind in
. Abb. 5.10 dargestellt. Wenn nicht der gesamte magnetische Fluss durch beide Spulen geht,
wenn es also Streufelder gibt, dann kommt es zu einer Reduktion des Übersetzungsverhältnis-
ses. Da das B-Feld außerhalb des Eisenkerns um den Faktor Fe kleiner ist als innerhalb des
Kerns, liegen die hieraus resultierenden Effekte typischerweise deutlich unter 1 %:

5.31 Jeder Transformator hat eine Spannungsübersetzung US =UP D NS =NP D 0;1. Drei
Transformatoren hintereinander ergeben also einen Faktor 103 (aus 100 V werden erst 10 V,
dann 1 V und schließlich 0;1 V).
Rein rechnerisch müsste also genau eine Windung auf die Sekundärseite des Einzeltrans-
formators gelegt werden. Im praktischen Alltag wird man daher die Anzahl der Primärwin-
dungen erhöhen.

5.32 Unter der Strangspannung versteht man die am Verbraucher liegende Spannung in einem
Drehstromsystem. Im Haushalt sind dies entweder Ueff D 230 V oder bei einer Drehstrom-
Dreieckschaltung Ueff;Dreieck D 400 V.

5.33 Erster Beweis: Wir zerlegen die komplexen Größen in Real- und Imaginärteil: A D aCj˛
und B D b C jˇ. Dann wird

ˇ ˇ2    
ˇAˇ 2
ˇ ˇ D a C j˛  a  j˛ D a C ˛ D jAj :
2 2

ˇB ˇ (5.73)
b C jˇ b  jˇ b Cˇ
2 2
jBj2

Gl. (5.73) ist für die Berechnung von Beträgen rationaler Ausdrücke von praktischer Bedeu-
tung, denn der vorletzte Bruch kann wie folgt gelesen werden: Der Zähler ist das Quadrat
seines Realteils plus das Quadrat seines Imaginärteils. Für den Nenner gilt Entsprechendes.
Weitere Terme tauchen nicht auf.
5.3  Antworten zu Kap. 5
205 5
. Abb. 5.29 Zur Aufgabe 5.35: Spannungsaddition für eine R; L; C -
Kette bei einem um den Winkel I D
=2 verschobenen Strom

O jA verwandt werden:


Alternativ kann auch die Länge- und Phasendarstellung A D Ae
ˇ ˇ2 ! !
ˇAˇ O jA
Ae O jA
Ae AO2 0 jAj2
ˇ ˇ D  D e D : (5.74)
ˇB ˇ O jB O jB
Be Be BO 2 jBj2

5.34 Die in Aufgabe 5.22, (5.65), vorkommenden Werte sind bekannt. Daher kann diese Glei-
chung, wie im Anhang beschrieben, als Imaginärteil einer komplexen Spannung interpretiert
werden:
u.t / D U e j!t D UO e jU e j!t : (5.75)

Alle in (5.75) auftauchenden Größen sind nach Aufgabe 5.22 bekannt:


1 t
u.t / D 220 V e j0;64
e j1;26 Gs : (5.76)

5.35 Wenn der Strom um einen Winkel I D


=2 verschoben ist, so müssen es, wie . Abb.
5.29 zeigt, auch alle davon abhängigen Spannungen sein. Im Zeigerdiagramm sind daher alle
Vektoren um einen rechten Winkel gedreht. Das Diagramm entspricht der Gleichung

U D UR C UL C UC : (5.77)

5.36 Lösungsansatz: Wenn in beiden Fällen die Ströme den gleichen Betrag haben sollen,
dann muss auch der Betrag der Gesamtimpedanz von der Schalterstellung unabhängig sein:
jZ offen j D jZ geschlossenj.
Lösung: Es ist Z offen D Ri C j!L und Z geschlossen D Ri C R k j!L. Daher muss gelten:
ˇ ˇ ˇ ˇ
ˇ j!L  R ˇˇ2 ˇˇ j!L.Ri C R/ C RRi ˇˇ2
Ri2 C ! 2 L2 D ˇˇRi C D ˇ : (5.78)
j!L C R ˇ ˇ j!L C R

Ausmultiplizieren und Kürzen von (5.78) ergibt


p
2Ri R
LD D 3;18 H : (5.79)
!

5.37 Lösungsansatz: Wenn zwischen Strom und Spannung eine 90ı -Phasenverschiebung lie-
gen soll, dann muss der Realteil des Verhältnisses U =I 2 gleich Null sein (vergl. ideale Spule,
idealer Kondensator).
Lösung: Stromerhaltung liefert den Gesamtstrom I zwischen den Klemmen I D I 2 C I 3 .
Fassen wir die Impedanzen der realen Spulen als Z 1;2 D R1;2 C jX1;2 zusammen, dann lauten
206 Kapitel 5  Wechselstromnetze

. Abb. 5.30 Zur Aufgabe 5.38: Kompensation des Blindstroms einer Dros-
L
selspule durch einen Kondensator. Die Leuchtstofflampe (rechts) wird wie ein UQ C R UR
Ohm’scher Widerstand (R) behandelt

die Spannungsgleichungen U D Z 1 I C Z 2 I 2 und Z 2 I 2 D R3 I 3 . Um U =I 2 zu erhalten,


müssen nun die beiden anderen Ströme eliminiert werden. Das Ergebnis lautet:
U .Z 1 C Z 2 /  R3 C Z 1  Z 2
D : (5.80)
I2 R3
5 Die Forderung eines verschwindenden Realteiles lässt sich dann als
 
U X1 X2  R1 R2
< D 0 ! R3 D (5.81)
I2 R1 C R2
schreiben. Diese Gleichung ergibt einen positiven Widerstand (ist also nur dann sinnvoll),
wenn

X1 X2 > R1 R2 ; (5.82)

mit anderen Worten wenn beide Spulen eine hinreichende Güte haben.

5.38 Die Schaltung ist in . Abb. 5.30 gezeigt. Der Leuchtkörper entspricht einem Ohm’schen
Widerstand von

R D Ueff
2
=P  1;39 k : (5.83)

So fließt ein Strom der Stärke Ieff D 165 mA. Zur Bestimmung der Induktivität der Drossel-
spule wird die komplexe Spannungsteiler-Formel16 verwendet:
s
   
UR 2 R2 R UQ 2
D 2 ! L D  1  4;2 H (5.84)
UQ R C .!L/2 2
f UR

Die Blindleistung ist dann nach der Gleichung in Definition 5.1 Q D Ieff
2
2
f L  35;8 VAR,
hat also einen etwa dreimal so großen Wert
p wie die Wirkleistung. Die Spule erhöht also die
Stromamplitude in den Zuleitungen um 3  1 D 73 %, und deren Wärmeverluste verdreifa-
chen sich. Blindleistungskompensation ist also zwingend und kann mit =.Z gesamt / D 0 oder
nach (5.6) auch =.Y gesamt / D 0 berechnet werden. Da insgesamt eine Parallelschaltung vor-
liegt, bietet sich die zweite Form an:17
 
1 L
= j! C C D0 ! C D 2 2  1;14 F : (5.85)
R C j!L ! L C R2
p
Er muss eine maximale Spannung von UO D 2  230 V D 325 V aushalten.

16
Beim Spannungsteiler ist es unerheblich, ob Amplituden oder Effektivwerte benutzt werden. Das Ergebnis ist immer
gleich.
17
Zur Feststellung eines verschwindenden Imaginärteils bringt man am besten zunächst den Gesamtausdruck auf einen
gemeinsamen Nenner. Wenn dieser Ausdruck mit dem konjugiert Komplexen des Nenners multipliziert wird, dann wird
der Nenner reell. Der Zähler kann nun in Terme mit j und solche ohne j sortiert werden. Die Summe der Terme mit j
muss Null sein.
5.3  Antworten zu Kap. 5
207 5

Insgesamt lässt sich feststellen: Die Größe der Spule passt nicht zur Randbedingung einer
kompakten Bauweise. Daher ist es besser, ein elektronisches Vorschaltgerät zu benutzen. Je
kleiner die Leistung der Leuchte, um so größer muss nach (5.84) die Spule sein und um so
mehr drängt sich ein elektronischer Transformator auf. Andererseits: Steigt die Leistung der
Leuchte oder werden mehrere parallel geschaltet, dann kann die Spule entsprechend kleiner
gewählt werden.

5.39 Wir können den Phasenwinkel der ersten Spannung .U 1 / D 0 wählen. Dann sind

U 1 D UO 1 ;
U 2 D UO 2 e j2
=3 (5.86)

und die Differenz wird


r !
1 3
U 1  U 2 D UO .1  e j2
=3 / D UO 1 C  j
2 4
p
! jU 1  U 2 j D UO 3 : (5.87)
p p
In Zahlen ergibt sich für die Amplitude der Differenz UO gemessen D UO 3 D Ueff 6. Eine
O
p ergibt das Doppelte der Amplitude, also ist US S D 2U . Insgesamt
Spitze-Spitze-Messung
erhält man US S D 24  230 V  1;13 kV.
Genau aus diesem Grund soll in einer Wohnung nicht ein Verlängerungskabel bis ins Ne-
benzimmer geführt werden, wenn die beiden Zimmer an verschiedene Phasen der Versorgung
angeschlossen sind.

5.40 Für den Einzelstab gilt

2
Ueff 230 V2
R1 D D D 26;45 ˙ ; (5.88)
P 2000 W
und es fließt ein Strom von I1 D 8;7 A.
Beim Drei-Phasen-Wechselstrom muss jeder der drei Heizstäbe nur ein Drittel der Heiz-
leistung übernehmen. Daher ist jeder der drei Widerstände dreimal so groß zu wählen:
RStern D 3R1 , und durch jede Leitung fließt nur noch ein Drittel des Stromes

1
IStern D I1 D 2;9 A : (5.89)
3
Eine Dreieckschaltung mit RDreieck D 3RStern D 9R1 hat die gleiche Heizleistung bei glei-
chem Strom in den Außenleitern.
Die Verluste in den Zuleitungen sind

P1 D 2  I12  R1 D 70 W
PStern D 3  IStern
2
 RStern D 11 W : (5.90)

5.41 Die Aussage In der Dreieckschaltung wird bei gleicher Spannung die dreifache Leistung
übertragen betrifft den Fall, dass drei gleiche Impedanzen, die als Stern geschaltet eine be-
stimmte Leistung PStern verbrauchen, als Dreieck geschaltet die dreifache Leistung PDreieck D
208 Kapitel 5  Wechselstromnetze

p
3PStern verbrauchen. Denn in der Dreieckschaltung
p sind sie einer 3-mal so großen Span-
nung ausgesetzt, was automatisch zu 3-mal so großen Strömen führt. Nur Antwort b) ist
daher richtig.

5.42 Wenn in der Energietechnik von der Nennspannung die Rede ist, ist immer der Effek-
tivwert der Spannung zwischen denpLeitungen gemeint: UNenn D 230 kV. Diese ist, wie in
. Abb. 5.16 gezeigt, einen Faktor 3 größer als die Effektivwerte der Spannungen in den
Einzelleitungen relativ zu einem (gedachten) Nullpotenzial. Die Amplitude der Spannung in
einem einzelnen Kabel ist daher
r
5 O
Umax .Leitung/ D U D UNenn 
2
D 188 kV: (5.91)
3

Dies ist die maximale Spannung relativ zur Erde bzw. zum Mast. Zur Bestimmung des Stro-
mes stellen wir uns drei sternförmig angeordnete Widerstände vor. In dieser Anordnung sind
die Ströme durch die Widerstände genau so groß wie die in den Leitungen. Daher ist
p
PGesamt D 3  Ueff .Leitung/  Ieff .Leitung/ D 3  UNenn  Ieff .Leitung/ : (5.92)

Der Effektivwert des Stromes für jede einzelne Leitung ist dann

PGesamt
Ieff .Leitung/ D p D 251 A : (5.93)
3  UNenn

Bei einer Dreiecksbeschaltung käme das gleiche Ergebnis heraus:


p Ein relativ zur Stern-
schaltung verdreifachter Widerstand hätte einen um den Faktor 1= 3 verringerten Strangstrom
und damit sowohl den gleichen Versorgungsleiterstrom als auch die gleiche Leistung zur Fol-
ge.

5.43 Die Situation ist in . Abb. 5.13 dargestellt. Die Amplitude des Gesamtstromes ist die
Summe
 
U1 U U 1 1 j!120ı 1 j!240ı
I D C 2 C 3 D UO  C e C e : (5.94)
R1 R2 R3 R1 R2 R3

Die Amplitude des Stromes IO D jI j folgt mit Hilfe von cos.120ı / D cos.240ı / D 0;5. aus
 
1 1 1 1 1 1
IO2 D I  I D UO 2  2
C 2C 2   : (5.95)
R1 R2 R3 R1 R2 R2 R3 R3 R1

Dabei sind die drei Widerstände durch die jeweiligen Leistungen bestimmt: Ri D Ueff2
=Pi . In
O
Zahlen erhält man I D 181 mA, was einem Effektivwert von Ieff D 128 mA entspricht. Der
Effektivwert ist damit nur knapp halb so groß wie der der 60 W-Lampe allein: Ieff .60 W/ D
261 mA.

5.44 Grundsätzlich ist dieses ein unterbestimmtes Problem. Denn den zwei Bedingungsglei-
chungen (gleicher Realteil und gleicher Imaginärteil der Impedanz) stehen im Allgemeinen
vier zu bestimmende Größen gegenüber: die beiden Realteile und die beiden Imaginärteile.
Wenn aber nur zwei Größen zu bestimmen sind, dann können auch zwei willkürlich gleich
5.3  Antworten zu Kap. 5
209 5

. Abb. 5.31 Zur Aufgabe 5.44: Ersatz der Parallelschaltung zweier beliebiger Impedanzen ZA und ZB durch eine
Reihenschaltung

Null gesetzt werden. So bleiben nur noch die in . Abb. 5.31 gezeigten Optionen. Interessant
ist nur der Fall, in dem das Pendant zur Parallelschaltung beliebiger Impedanzen gesucht wird.
Ist der Imaginärteil der Parallelschaltung ZA k ZB negativ, findet die Kondensator-Option
Anwendung, anderenfalls wird eine Spule gewählt:

ZA k ZB D .RA C jXA / k .RB C jXB / D R C jX : (5.96)

Gl. (5.96) gilt genau dann, wenn

.RA XB C RB XA /.RA C RB / C .XA XB  RA RB /.XA C XB /


XD ;
.RA C RB /2 C .XA C XB /2
.RA RB  XA XB /.RA C RB / C .RA XB C RB XA /.XA C XB /
RD : (5.97)
.RA C RB /2 C .XA C XB /2

Ob Spule oder Kondensator entscheidet das Vorzeichen von X :

1
X < 0WX D 
!C
X > 0WX D !L : (5.98)

Gl. (5.97) beinhaltet die Standardfälle.

5.45 Zur Erinnerung zunächst etwas über Kreise:

Kreis um den Ursprung ! x 2 C y 2 D r 2


Kreis um x0 verschoben ! .x  x0 /2 C y 2 D r 2 (5.99)
Kreis um r verschoben ! .x  r/ C y D r :
2 2 2

Die letzte Form der Kreisgleichung passt zu . Abb. 5.25:

.<.Z/  <0 /2 C .=.Z//2 D <20


(5.100)
! <.Z/2 C =.Z/2 D 2<0 <.Z/ :

Setzt man <.Z/ D R und =.Z/ D X , so gibt der Vergleich mit G D R=.R2 C X 2 / aus (5.6)

R2 C X 2 D 2R0  R D R=G : (5.101)

Das heißt: Die dritte der Gl. (5.6) ist die Gleichung für einen Kreis mit dem Radius R0 D
1=.2G/.
210 Kapitel 5  Wechselstromnetze

5.46 Es gilt nach (5.15)

1˚ 
p.t / D =.u/  =.i/ D <.U  I  /  <.U  I  e 2j!t / : (5.102)
2

Mit u.t / D UO e jU e j!t und u.t / D R  i .t / folgt

UO 2 UO 2 2j.!t C/
U  I D und U  I e 2j!t D e : (5.103)
R R

5 Eingesetzt in (5.102) ergibt zusammen mit sin2 .x/ D Œ1  cos.2x/=2

UO 2
p.t / D sin2 .!t C U / : (5.104)
R

Dies bedeutet, dass bei einem Ohm’schen Widerstand zu jedem beliebigen Zeitpunkt
p.t / D Œu.t /2 =R gilt. Da p.t / > 0 immer gilt, beinhaltet es außerdem, dass ein Ohm’scher
Widerstand immer Energie aus dem Netzwerk herausholt und nie Energie zurückgibt.

5.47 Beim verlustlosen Transformator sind die Eingangsspannung und die Ausgangsspannung
immer phasengleich. Daher gilt mit uS D Ri S

U P D UOP ! U S D UO S ! I S D IOS : (5.105)

Verwendet man die in . Abb. 5.32 links gezeigten Stromrichtungen, dann lassen sich die
Transformatorgleichungen als

UOP D NP2 j!I P  NP NS j!I S


UO S D NP NS j!I P  NS2 j!I S (5.106)

schreiben. Diese beiden Gleichungen müssen sowohl für den Realteil als auch für den Ima-
ginärteil gelten. Die beiden Gleichungen für den Imaginärteil sind identisch, so dass das
System (5.106)
UOP D NP2 !  =.I P /
UO S D NP NS !  =.I P /
0 D NP <.I P /  NS IO2 (5.107)

IP IS
LP
UP LP LS R US LP R
LS

. Abb. 5.32 Zur Aufgabe 5.47: Der mit einem Ohm’schen Widerstand belastete verlustlose Transformator verhält
sich eingangsseitig wie die Parallelschaltung aus der Primärspule (LP ) und einem um den Faktor LP =LS vergrößer-
ten Widerstand
5.3  Antworten zu Kap. 5
211 5

ergibt. Dieses Gleichungssystem kann mit UO S D RIOS nach den Amplituden aufgelöst werden:

NS
UO S D UOP 
NP
NS
IOS D UOP 
RN
" P  #
2
N 1 1
I P D UOP 
S
j 2 : (5.108)
NP R NP !

Die Amplitude des Primärstromes ist also die Summe aus einem rein realen Teiles, der einen
um den Faktor LP =LS D NP2 =NS2 modifizierten Widerstand enthält, und einem imaginären
Teile, der die Impedanz der Primärspule enthält. Die in . Abb. 5.32 links gezeigte Schaltung
zieht also genau den gleichen Strom wie die dort rechts gezeigte.
Von besonderem Interesse sind die Extremfälle R D 0 (Kurzschluss) und 1=R D 0 (Leer-
lauf). Im Leerlauf verhält sich die Schaltung so, als wenn es die Sekundärwindungen des
Transformators gar nicht gäbe: Der Transformator verhält sich wie die primärseitige Spule
allein. Im Falle des Kurzschlusses dagegen wächst der Primärstrom, bis die Versorgungsspan-
nung zusammenbricht. Anders ausgedrückt: Der sekundärseitige Kurzschluss schlägt auf die
Primärseite durch.

5.48 Lösungsstrategie: Der Maximalfall ist praktisch der Kurzschlussfall. Aus ihm wird das
Verhältnis der Induktivitäten bestimmt. Der Rest folgt aus den Leerlaufmessungen.
Lösung: Mit Hilfe von (5.47) erhält man aus der Kurzschlussmessung
 2
LP Ieff;S
D D 81;5 : (5.109)
LS Ieff;P

Aus den Leerlaufmessungen ergibt sich dessen Wirk- und die Blindleistung:

P D Ueff  Ieff  cos.U  I / D 200 W


Q D Ueff  Ieff  sin.U  I / D 162 VAR : (5.110)

Die Blindleistung verrät die Induktivität der Primärspule, die Wirkleistung den Eisenwider-
stand:
2
Ueff
RFe D D 264 
P
U2
LP D eff D 1 H : (5.111)
!Q

Mit Hilfe der Kurzschlussmessung ergibt sich schließlich die Induktivität der Sekundärspule:

LS D LP =81 D 12;8 mH (5.112)


˚ 
5.49 Der zweite Term in p.t / D 1
2
<.U  I  /  <.U  I  e 2j!t / ist im Mittel Null. Bei
einer zeitlichen Mittelung bleibt also nur der erste Term übrig. Er ist daher definitionsgemäß
die Wirkleistung.
212 Kapitel 5  Wechselstromnetze

Den Mittelwert des zweiten Terms können wir auch als


 
1 1
<.U  I  e 2j!t / D UO  IO hcos.U C I C 2!t /i (5.113)
2 2

schreiben. Das ist also ein oszillierender Term mit der Amplitude UO  IO=2 D Ueff Ieff .
Nach (5.20) ist die komplexe Scheinleistung S D Ueff  Ieff e j.U I / . Sie hat also den
gleichen Betrag jSj D UO  IO =2, wenn auch eine andere Phase.

Literatur
5
1. Böker, Paerschke, Boggasch (2017) Elektrotechnik für Gebäudetechnik und Maschinenbau. Springer,
Heidelberg, ISBN 978-3-658-14188-2
2. OSRAM AG (2005) Fibel EVG für T5 Lampen, www.osram.de/media/resource/HIRES/334143/
3698889/Technical-guide---ECGs-for-T5-lamps.pdf, Zugegriffen: 2018
3. Baukholt H-J (2013) Grundlagen und Elemente der Elektrotechnik. Carl Hanser Verlag, München, 7.
Auflage, ISBN 978-3-446-43246-8
4. Moeller F et al. (2013) Grundlagen der Elektrotechnik. Springer Vieweg, Heidelberg, ISBN
978-3-8348-1785-3
213 6

Frequenzselektion durch Zwei- und


Vierpole – die guten Signalanteile
herausfiltern
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2018
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, https://doi.org/10.1007/978-3-662-56649-7_6

Anhand von Parallel- und Reihenschwingkreisen werden die Begriffe Güte, Grenzfrequenz, Band-
breite und Verstimmung eingeführt. Es wird erklärt, wie Parallelersatzwiderstände die Berechnun-
gen realer Schwingkreise erleichtern und unter welchen Umständen dies möglich ist.
Von einfachen RC-Pässen werden die Übertragungsfunktionen berechnet und als Bode-
Diagramme dargestellt. Es werden Tipps für die schnelle und sichere Berechnung solcher Pässe
gegeben. Die Vierpoltheorie wird als Verallgemeinerung der Übertragungsfunktion entwickelt.
Die verschiedenen Matrizendarstellungen und Begriffe wie Eingangsimpedanz oder Stromübertrag
werden eingeführt. Die Wellenparameterdarstellung stellt sich als natürliche Darstellungsform
symmetrischer Vierpole heraus. Als Praxisbeispiel wird das Hochfrequenzverhalten von Leitungen
(Telegraphengleichungen) aus der Vierpoltheorie hergeleitet.

6.1 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole

Frequenzen lassen sich auf zwei Arten herausfiltern: erstens, indem ein frequenzabhängiger
Widerstand benutzt wird. Diese Art der Filterung kommt mit zwei Anschlüssen aus. Die zwei-
te Möglichkeit ist die Verwendung einer Schaltung mit zwei Eingangsanschlüssen und zwei
Ausgangsanschlüssen. Diese Möglichkeit wird zunächst ohne Last und dann im Rahmen der
Vierpoltheorie mit Last diskutiert. Eine genauere Analyse symmetrischer Vierpole führt auf
den Wellenwiderstand, zur Impedanzanpassung, und sie erklärt das Verhalten von Leitungen.

6.1.1 Frequenzselektion durch Widerstandsänderung: Schwingkreise

Das Schwingen der im Folgenden betrachteten Schaltungen beruht auf dem gegenseitigen
Auf- und Entladen von Kondensatoren und Spulen.

1 Reihenschwingkreise haben ein Leitwertmaximum


Sind Spule und Kondensator, wie in . Abb. 6.1 in Reihe bzw. in Serie geschaltet, spricht man
von einem Reihenschwingkreis. Dieser dient dem Herausfiltern bestimmter Frequenzbereiche
in der Analogtechnik. Er leitet wegen des Kondensators bei ! D 0 keinen Strom und wegen
der Spule bei 1=! D 0 ebenfalls.
214 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

. Abb. 6.1 Reihenschwingkreis

Der Impedanzverlauf des Reihenschwingkreises als Funktion der Kreisfrequenz folgt aus
. Abb. 6.1:  
1 1
Z.!/ D R C j!L C D R C j !L  : (6.1)
j! C !C

Er hat ein Minimum, wenn sich die beiden Imaginärterme gerade aufheben, also bei der so
genannten Resonanzkreisfrequenz

1
!0 D p : (6.2)
6 LC

Bei ! D !0 erhält die Spule die gesamte, zum Aufbau ihres Magnetfeldes nötige Energie vom
Kondensator und gibt diese, wie in . Abb. 5.5 im vorigen Kapitel gezeigt, dann eine Viertel-
periode später wieder an ihn zurück. Auf diese Weise gibt es keine nach außen dringenden
Blindströme. Der Reihenschwingkreis verhält sich wie ein ein Ohm’scher Widerstand.

1 Eine kleine Bandbreite entspricht einer großen Güte


Je kleiner der Widerstand R im Vergleich zu den Blindwiderständen ist, desto stärker ist die
Frequenzabhängigkeit. Da diese Abhängigkeit gerade gewünscht ist, beschreibt man Reihen-
schwingkreise auch gerne mit dem Parameter Güte QR 1
p r
ZL  Z C 1 L
QR D D  : (6.3)
R R C
p p
Das harmonische Mittel der Impedanzen ZL  Z C D L=C wird auch gerne Kennwi-
derstand genannt. Mit Hilfe der Güte kann man den Impedanzverlauf (siehe (6.1)) in einer
leichter interpretierbaren Weise beschreiben:
  
! !0
Z.!/ D R  1 C jQR   D R  f1 C jQR  V g : (6.4)
!0 !
 
Der Parameter V D !!0  !!0 wird Verstimmung genannt, denn er ist ein Maß für die Entfer-
nung von der Resonanzfrequenz. . Abb. 6.2 zeigt den Admitanzverlauf des Reihenschwing-
kreises. Wenn die Frequenz auf die Resonanzfrequenz normiert ist, hängt der Admitanzverlauf
nicht mehr von drei Größen (R; L; C ), sondern nur von zweien (R; Q) ab. Je größer der Wert
für QR , desto schmäler wird die Kurve. Dies zeigt sich auch bei dem Abstand der Grenzfre-
quenzen, der Bandbreite.

Definition 6.1
Die Grenzfrequenzen fgu und fgo eines
p Reihenschwingkreises sind diejenigen Frequenzen,
bei denen die Admitanz auf das 1= 2-Fache ihres Wertes bei der Resonanzfrequenz
abgefallen ist. Deren Abstand heißt Bandbreite B D fgo  fgu .

1
QR wie Qualität des Reihenschwingkreises. Genau wie bei der Güte der Bauelemente gibt er das Verhältnis von
Blindwiderstand zu Wirkwiderstand an.
6.1  Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole
215 6
. Abb. 6.2 Admitanzverlauf des 1,2
Q =Y(x)
10

und Widerstand (|Y | R)


Reihenschwingkreises. Die Höhe ist

Produkt aus Admitanz


1 QY2(x)
=5
durch R, die Breite durch QR bestimmt.
QR D 0 würde einem horizontalen 0,8
Verlauf entsprechen 0,6
0,4
0,2
0
0,1 1 10
Vielfaches der Resonanzfrequenz (ω/ω0 )

Die Analyse des Verlaufes (6.1) ergibt


0s 1
 2
1 R R
fgu D @ !02 C  A
2
2L 2L
0s 1
 2
1 @ R R A :
fgo D !02 C C (6.5)
2
2L 2L

Diese beiden Gleichungen führen zu einer Zweitinterpretation der Güte. Sie ist nicht nur das
Verhältnis von Blind- zu Wirkwiderstand, sondern auch das Verhältnis von der Resonanzfre-
quenz zur Bandbreite:
f0 f0 !0
QR D D D : (6.6)
B fgo  fgu !go  !gu
Je höher also die Güte, desto schmaler ist der Durchlassbereich des Reihenschwingkreises.

1 In Resonanz treten Überspannungen auf


Eine hohe Güte führt zwangsläufig zu Überspannungen an der Spule und am Kondensa-
tor. Denn in Resonanz ist der Strom nur noch durch den Ohm’schen Widerstand begrenzt:
I .!0 / D U =R. Er sieht sich aber deutlich größeren Blindwiderständen gegenüber. Wegen
der Ladungserhaltung muss der Strom aber zu allen Zeiten in allen drei Bauteilen gleich groß
sein. So ergibt sich am Kondensator bei Resonanz
1 1
U C .!0 / D Z C .!0 /  I .!0 / D   U D jQU : (6.7)
j!0 C R
Die am Kondensator anliegende Spannung ist also um den Faktor Q größer als die außen
anliegende. Für die Spule gilt das Gleiche.

1 Parallelschwingkreise haben ein Widerstandsmaximum


Soll ein bestimmter Frequenzbereich gerade nicht durchgelassen werden, findet ein Parallel-
schwingkreis, wie er in . Abb. 6.3 dargestellt ist, seine Anwendung. Dessen Admitanzverlauf
hat die gleiche Form wie der Impedanzverlauf des Reihenschwingkreises, denn seine Ge-
samtadmitanz ist gerade die Summe der Admitanzen seiner Bauelemente:
 
1 1 1 1
Y .!/ D C C j! C D C j !C  : (6.8)
R j!L R !L
216 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

. Abb. 6.3 Parallelschwingkreis aus Widerstand, Spule und Kondensator

Der Imaginärteil in (6.8) verschwindet ebenfalls bei !0 D p1 . Bei dieser Frequenz fließt
LC
der gesamte, von außen eindringende Strom ausschließlich durch den Widerstand, während
gleichzeitig zwischen der Spule und dem Kondensator ein Lade- und Entladestrom hin und
her fließt. Die Güte QP des Parallelschwingkreises ist das Verhältnis von Akzeptanz zum
Widerstandsleitwert G D 1=R
p r
YL  Y C C
6 QP D DR (6.9)
G L
und so genau der Kehrwert der Güte des aus den gleichen Elementen zusammengesetzten
Reihenschwingkreises. Wann der Widerstand im Zähler ist, kann man sich so merken:

Die Güte ist immer dann groß, wenn der Ohm’sche Widerstand nur geringe Auswirkungen
auf das Schaltungsverhalten hat.

Der Admitanzverlauf lässt sich mit Hilfe der Güte als


  
1 ! !0 1
Y .!/ D  1 C jQP   D  f1 C jQP  V g (6.10)
R !0 ! R

schreiben. Bei gleicher Güte und gleicher Resonanzfrequenz hat daher der Impedanzverlauf
eines Parallelschwingkreises exakt die gleiche Form wie der in . Abb. 6.2 gezeigte Admi-
tanzverlauf eines Reihenschwingkreises. Die Grenzfrequenzen ergeben sich zu2
0s 1
 2
1 @ 1 1 A
fgu D !02 C 
2
2RC 2RC
0s 1
 2
1 1 1
fgo D @ !02 C C A; (6.11)
2
2RC 2RC

so dass für die Güte des Parallelschwingkreises ebenfalls

f0 f0 !0
QP D D D (6.12)
B fgo  fgu !go  !gu

gilt.

2
Man kann diese direkt aus den Grenzfrequenzen des Reihenschwingkreises mittels R ! 1=R und L $ C erhalten.
6.1  Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole
217 6

. Abb. 6.4 Konstruktion des Parallel-Ersatz-Schwinkkreises. Je enger der betrachtete Frequenzbereich, desto ähnli-
cher sind die beiden Kreise

1 Parallelersatzwiderstände erleichtern das Berechnen von Schwingkreisen


Den hier beschriebenen Parallelschwingkreis gibt es in der Realität nur in grober Näherung.
Denn jeder Kondensator und jede Spule hat Ohm’sche Leitungswiderstände, die in Reihe zu
den Blindwiderständen liegen (siehe 7 Abschn. 2.1.5 in 7 Kap. 2). Jeder im Labor aufgebaute
Parallelkreis hat daher Ohm’sche Reihenwiderstände. Diese machen die Beschreibung seines
Impedanzverlaufes und die Bestimmung der abgeleiteten Größen Q und B im Allgemeinen
sehr kompliziert. Daher werden zur Beschreibung realer Parallelschwingkreise zunächst alle
Serienwiderstände in Parallelersatzwiderstände umgerechnet. . Abb. 6.4 zeigt die Vorgehens-
weise. Die Umrechnungsformeln sind im 7 Abschn. 5.1.2 des 7 Kap. 5 zu finden. Die Summe
der Ohm’schen Parallelersatzleitwerte wird zum 1=R des Widerstandes in . Abb. 6.3 hin-
zuaddiert. Der so entstandene Parallelkreis hat eine leicht reduzierte Resonanzfrequenz und
eine reduzierte Güte. Die modifizierten Werte können in (6.10) eingesetzt werden und erge-
ben bei hinreichend hoher Güte des Schwingkreises eine gute Näherung an das tatsächliche
Verhalten. Jedoch ist Vorsicht geboten. Diese Technik funktioniert nur bei schmalbandigen
Resonanzkreisen .QP > 10/ und in der Nähe von !0 , da sie nur im Grenzfall einer konstan-
ten Frequenz exakt ist. Ein weiterer Anhaltspunkt ist die Induktivität der Spule: Wird diese
durch die Umrechnung um mehr als deren Bauteiletoleranz verändert, sollte das Verfahren
nicht angewendet werden.

1 Die Güte der Bauteile begrenzt die Güte des Schwingkreises


Das Gesamtverhalten des Schwingkreises lässt sich in einem Bild, der Ortskurve, zusam-
menfassen. In der Ortskurve wird für jede Frequenz der Imaginärteil der Impedanz (oder der
Akzeptanz) als Funktion des Realteils dargestellt. . Abb. 6.5 zeigt zum Beispiel auf einen
Blick, welch großen Einfluss der Ohm’sche Spulenwiderstand auf das Selektionsverhalten ei-
nes Parallelschwingkreises hat. Im Idealfall ist die Ortskurve des Parallelschwingkreises ein
Kreis, der mit steigender Frequenz vom Nullpunkt aus im Uhrzeigersinn durchlaufen wird.
Bei ! D !0 schneidet er die =.Z/ D 0 Achse und erreicht bei ! ! 1 asymptotisch wieder
den Ursprung. Der Ohm’sche Widerstand der Spule, RL ; verringert deutlich den maximalen
Gesamtwiderstand und sorgt dafür, dass bei ! D 0 der Gesamtwiderstand nicht Null, sondern
R.! D 0/ D R k RL wird. Eine quantitative Analyse ist in der Lösung zur Aufgabe 6.51 zu
finden.
218 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

. Abb. 6.5 Ortskurve eines Parallelschwing- 60


kreises mit R D 100 , L D 100 H und
C D 1 F für den Fall einer idealen Spule (au-

Imaginärteil der Impedanz in Ohm


ßen) und mit einem Ohm’schen Spulenwiderstand
40
RL (innen). Die maximale Impedanz ist reduziert,
und bei hohen Frequenzen werden 0  nicht mehr 20
ganz erreicht

-20

-40

6 -60
0 20 40 60 80 100 120
Realteil der Impedanz in Ohm

6.1.2 Frequenzselektion durch Spannungsänderung:


Übertragungsfunktionen

Es gibt kaum ein nachrichtentechnisches System, in dem nicht an irgendeinem Punkt be-
stimmte Frequenzen herausgefiltert werden müssen. Um die Selektion von Frequenzen durch
eine Änderung der Spannung zu beschreiben, wird der Einfachheit halber meist mit dem
in . Abb. 6.6 gezeigten Gedankenexperiment begonnen. Man stellt sich eine ideale Span-
nungsquelle (mit beliebigem Strom) am Eingang der Schaltung (in . Abb. 6.6 als Viereck
dargestellt) und eine Spannungsmessung praktisch ohne Strom am Ausgang der Schaltung
vor. Im Folgenden soll ausschließlich das Verhalten bei sinusförmigen Eingangsspannungen
untersucht werden. Das Verhalten der Schaltung lässt sich dann durch eine einzige Funktion,
die Übertragungsfunktion T .!/ beschreiben. Für Einschwingvorgänge siehe zum Beispiel
[5].

Definition 6.2
Die Übertragungsfunktion T .!/ einer Schaltung ist das Verhältnis von Ausgangs- zu
Eingangsspannung T .!/ D U 2 .!/=U 1 .!/ im unbelasteten Falle.

Die Übertragungsfunktion T kann durch ihren Betrag jT j und ihre Phase  D .U 2 /.U 1 /
charakterisiert werden. Je nachdem, welches asymptotische Verhalten der Betrag hat, wird die

. Abb. 6.6 Randbedingungen bei der Berechnung einer Übertragungsfunkti-


on. Die Übertragungsfunktion T beschreibt eine unbelastete Schaltung an einer
idealen Wechselspannungsquelle
6.1  Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole
219 6
. Abb. 6.7 RC-Tiefpass. Widerstand und Kondensator ergeben zusammen die hier I1 I2
gezeigte, einfachste Variante

U1 R
C U2

Schaltung benannt:

Verhalten bei ! D 0 Verhalten bei 1=! ! 1 Bezeichnung


jT .! D 0/j ¤ 0 jT .! ! 1/j D 0 Tiefpass
jT .! D 0/j D 0 jT .! ! 1/j ¤ 0 Hochpass (6.13)
jT .! D 0/j D 0 jT .! ! 1/j D 0 Bandpass
jT .! D 0/j ¤ 0 jT .! ! 1/j ¤ 0 Bandsperre :

Der Name richtet sich also meistens danach, welche Frequenzen die Schaltung passieren lässt.
Ein in (6.13) nicht explizit aufgeführter Spezialfall ist jT .!j D konst:, das heißt ein Pass, der
nur die Phase der Eingangsspannung ändert. Ein solcher heißt Allpass.

1 Der Tiefpass lässt tiefe Frequenzen passieren


. Abb. 6.7 zeigt den einfachst möglichen RC-Tiefpass. Da der Ausgangsstrom i 2 bzw. dessen
Amplitude I 2 gleich Null ist, fließt der gleiche Strom i 1 sowohl durch den Widerstand, als
auch durch den Kondensator. Daher gilt .U 1  U 2 / D R  I 1 und U 2 D Z C  I 1 . Der Strom
lässt sich herauskürzen, und übrig bleibt die Spannungsteiler-Formel

U2 u ZC 1
T D D 2 D D : (6.14)
U1 u1 R C ZC 1 C j!RC

Der Betrag errechnet sich wie folgt:


s
q
1 1 1
jT j D T   T D  D p : (6.15)
1  j!RC 1 C j!RC 1 C .!RC /2

Welcher Anteil der Spannung hindurchgelassen wird, hängt also ausschließlich vompProdukt
!RC ab. Die Frequenz bei der der Betrag der Übertragungsfunktion auf den Wert 1= 2 gefal-
len ist, nennt man Grenzfrequenz. Diese Definition wird im Übrigen für beliebige Schaltungen
verallgemeinert:

Definition 6.3
Die Grenzfrequenz fg eines Passes
p ist diejenige Frequenz, bei der der Betrag der
Übertragungsfunktion auf das 1= 2-fache seines Maximalwertes abgefallen ist.

Für den RC-Tiefpass erhält man

1 1
fg D $ !g D : (6.16)
2
RC RC
220 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

. Abb. 6.8 Bode-Diagramm des 0 0

Spannungsübertrag in Dezibel
RC-Tiefpasses: Bei der Grenzfre- phi(x)
quenz ist die Phase  D 45ı , und

Winkel in Grad
der Betrag geht von einem flachen |T|
in einen mit 20 dB pro Frequenz-
-20 -45
dekade linear abfallenden Verlauf φ
über

-40 -90
0.01 0.1 1 10 100
Vielfaches der Grenzfrequenz (ω / ω0 )

6
! Vorsicht Falle!
Nur bei sehr einfachen Schaltungen ist die Grenzfrequenz auch diejenige Frequenz, bei der der
Real- und der Imaginärteil der Übertragungsfunktion gleich groß sind oder die Phasenverschie-
bung ˙45ı beträgt. p Die immer und überall gültige Definition der Grenzfrequenz beinhaltet
immer den Faktor 1= 2.

Die Phase der komplexen Größe T ist gemäß Anhang  D =.T /=<.T /. Zur Berechnung der
Phase gibt es bei rationalen Ausdrücken ein universell einsetzbares Verfahren: Multipliziert
man den Ausdruck mit dem konjugiert Komplexen des Nenners, dann entsteht ein Bruch,
dessen Nenner rein reell ist. Dieser kürzt sich dann bei der Berechnung der Phase heraus. In
diesem Falle heißt das:

1 1  j!RC
T D D !  D  arctan.!RC / : (6.17)
1 C j!RC 1 C .!RC /2

Zur Veranschaulichung des Passverhaltens werden meist die Bode-Diagramme verwandt. In


ihnen wird, wie . Abb. 6.8 zeigt, der Betrag in Dezibel3 und die Phase in Grad als Funk-
tion von !=!g D f =fg aufgetragen. In dieser Darstellung ist auf einen Blick zu sehen: Bei
!  !g wird die Eingangsspannung ohne Größenänderung und ohne Phasenänderung
p durch-
gelassen. Bei der Grenzfrequenz ist die Amplitude um den Faktor 1= 2 reduziert, und das
Ausgangssignal hat gegenüber dem Eingangssignal eine Verspätung von

45ı 1
t D  : (6.18)
360ı fg

Oberhalb der Grenzfrequenz geht der Amplitudenverlauf in der doppelt logarithmischen Dar-
stellung sehr schnell in einen geraden Verlauf mit 20 dB / Frequenzdekade über und die
Phasenverschiebung nähert sich  D 90ı .

1 Ein Hochpass blockt Gleichspannungen ab


Den RC-Hochpass kann man erhalten, indem man Widerstand und Kondensator des Tiefpas-
ses vertauscht. So entsteht die in . Abb. 6.9 gezeigte Schaltung. Die Übertragungsfunktion

3
Eine dimensionslose Größe x wird gemäß xŒdB D 20  log10 .x/ in Dezibel umgerechnet.
6.1  Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole
221 6
. Abb. 6.9 RC-Hochpass. Der einfachste besteht Hochpass besteht aus einem Kon- I1 I2
densator und einem Widerstand

U1 C R U2

ist
U2 R j!RC 1
T D D D D (6.19)
U1 R C ZC 1 C j!RC 1 C j!RC
1

mit dem Betrag


q
1
jT j D T T D q  1 2 : (6.20)
1 C !RC

Da der Betrag alle Werte zwischen 0 und 1 annehmen kann, ist die Grenzfrequenz hier dieje-
nige, bei der das Betragsquadrat gleich 1=2 ist:

1 1 1 1
jT .!g /j2 D !
2 D ! !g D : (6.21)
2 2 RC
1C 1
!g RC

Bei gleichen Bauteilen haben also Hoch- und Tiefpass die gleiche Grenzfrequenz. Die Phase
ist
 
1
 D arctan : (6.22)
!RC

Das Bode-Diagramm des RC-Hochpasses ist in . Abb. 6.32 gezeigt.

1 Ein Bandpass lässt nur einen begrenzten Frequenzbereich durch


Der einfachste RC Bandpass ist die in . Abb. 6.10 gezeigte Schaltung, welche auch in der
Wien-Brücke zur Kapazitätsbestimmung Anwendung findet. Bei der Berechnung der Übertra-
gungsfunktion kommt man am schnellsten ans Ziel, wenn man versucht, sowohl Parallelschal-
tungen, als auch Kondensatorimpedanzen möglichst als Kehrwert vorliegen zu haben:

Z2 1 1
T D D D
 
Z1 C Z2 .RCZ C /
1 C .RkZ / 1C RC 1
 R1 C j! C
C j!C
1
! T D   : (6.23)
3 C j !RC  1
!RC

. Abb. 6.10 Wien-Brücke. Sie ist Beispiel für einen einfachen RC-Bandpass
222 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

. Abb. 6.11 Bode-Diagramm 0 90

Spannungsübertrag in Dezibel
eines RC-Bandpasses. Dieser Pass phi(x)
interpoliert sowohl hinsichtlich des
|T|
-10 45

Winkel in Gard
Betrags als auch hinsichtlich der
Phase zwischen einem Hochpass
-20 0
(links) und einem Tiefpass (rechts)
φ
-30 -45

-40 -90
0.01 0.1 1 10 100
Vielfaches der Grenzfrequenz (ω / ω0 )

Die Ortskurve von 1=T ist eine senkrecht verlaufende Gerade, welche die reelle Achse
6 bei <.1=T / D 3 schneidet. Hier hat der Betrag der Übertragungsfunktion sein Maximum
jT jmax D 1=3. Dieses Maximum liegt (schon wieder!) bei

1
!0 D : (6.24)
RC
Die Grenzfrequenzen folgen aus

jT .!g /j2 1 1
p
D ! ! g D  13 ˙ 3 : (6.25)
jT .!0 /j2 2 2RC

Dabei gehört das positive Vorzeichen zur oberen Grenzfrequenz. Die Bandbreite ist

!g;o  !g;u 3
B D fg;o  fg;u D D (6.26)
2
2
RC
und zusammen mit der Phase in . Abb. 6.11 dargestellt. Die Phase ist nach (6.23)
!
1
 !RC
 D arctan !RC
: (6.27)
3

Dort, wo der Durchlass maximal ist, heben sich alle Phasenverschiebungen auf, und die Über-
tragungsfunktion verhält sich wie ein Spannungsteiler, dessen Elemente alle den gleichen
Widerstand R haben.
Eine Bandsperre erhält man, wenn man einen Hochpass parallel zu einem Tiefpass legt. Bei
tiefen Frequenzen lässt der Tiefpass alles passieren, bei hohen der Hochpass, und dazwischen
blockieren beide. Ein Beispiel ist in Aufgabe 6.52 durchgerechnet.

1 Die Ordnung eines Filters steht für sein asymptotisches Potenzverhalten


Pässe, die mehr als einen Kondensator enthalten, haben asymptotisch entweder von ! D 0
einen steileren Anstieg oder für ! ! 1 einen steileren Abfall. Ganz egal, wie die Struktur im
Detail ist: Die Übertragungsfunktion einer Schaltung, die nur aus Widerständen, Kondensato-
ren und Spulen besteht, lässt sich immer als Bruch darstellen, in dessen Zähler ein komplexes
Polynom und in dessen Nenner ein anderes komplexes Polynom steht:

a C b! C c! 2 C : : :z! N
T D : (6.28)
˛ C ˇ! C ! 2 C : : :! M
6.1  Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole
223 6

Dabei seien z und  die zu den größten vorkommenden Potenzen gehörenden Koeffizienten.
Alle anderen der komplexen Konstanten a; b; c; : : : und ˛; ˇ; ; : : : können gleich Null sein.
Für große ! nähert sich diese Funktion einem einfachen Potenzgesetz:
z
T .! ! 1/   ! .N M / : (6.29)


Für kleine ! hängt das Verhalten davon ab, welche der ersten im Nenner von (6.28) auftreten-
den Koeffizienten Null sind:
a
a¤0 ˛¤0 T .! ! 0/ 
˛
b
aD0 ˛¤0 T .! ! 0/  !
˛ (6.30)
c
aD0 bD0 ˛¤0 T .! ! 0/  ! 2
˛
: : ::

Die Gl. (6.29) und (6.30) haben eine weitreichende Konsequenz:

Alle Übertragungsfunktionen von Filtern aus Spulen, Widerständen und Kondensatoren


nähern sich sowohl bei ! ! 0, als auch bei ! ! 1 einfachen Potenzgesetzen.

Die hinsichtlich ihres Betrags höchste vorkommende Potenz im asymptotischen Verhalten


nennt man Ordnung des Filters. Mit der Ordnung eines Hoch- oder Tiefpasses ist (bis auf
eine Konstante) dessen Übertragungsverhalten an den Frequenzrändern bereits festgelegt. Im
Bode-Diagramm zeigt sich dieses Verhalten dadurch, dass jT .!/j für einen Hochpass bei
sehr kleinen Frequenzen immer durch eine Gerade mit der Steigung 20 mal Filterordnung pro
Frequenzdekade beschrieben wird, während bei einem Tiefpass 20 mal Filterordnung pro
Frequenzdekade bei hohen Frequenzen zu beobachten sind.
Was dazwischen passiert, hängt von der relativen Größe der Koeffizienten in (6.28) ab.
Die Literatur enthält viele Rezepte, wie für bestimmte Typen von Übergängen die richtigen
Koeffizienten gefunden werden können. Eine recht detaillierte Übersicht ist bei [2] zu finden.
. Abb. 6.12 zeigt den Typen des Potenzfilters, der auch Butterworth-Filter genannt wird,
für drei verschiedene Ordnungen. Potenzfilter n-ter Ordnung sind solche, deren Spannungs-
überträge gemäß
1
jT .!/j D p (6.31)
1 C .!=!0 /2n

verlaufen und dadurch bis zur Grenzfrequenz möglichst lange flach bleiben, um dann  ! n
abzufallen.

1 Zwei Rechenstrategien verkürzen Bestimmung von Übertragungsfunktionen


Selbstverständlich können Übertragungsfunktionen mit den Methoden der Knotenpotenzial-
analyse oder mit dem Maschenstromverfahren berechnet werden. In vielen Fällen ist dies
aber zu aufwändig. Als Alternative bietet sich an, Filterschaltungen als Abfolgen von Span-
nungsteilern zu interpretieren. . Abb. 6.13 zeigt das Prinzip. In der Darstellung rechts wird
224 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

. Abb. 6.12 Spannungsübertrag für drei Potenzfilter. Alle Kurven gehen durch den Punkt .!=!0 ; jT j/ D
.1; 3 dB/. Andere Typen von Tiefpass-Filtern sehen an den !=!0 -Rändern bei gleicher Ordnung gleich aus

6
deutlich, dass die Spannungsamplituden U 1 und U X einen unbelasteten Spannungsteiler mit
der gemeinsamen Stromamplitude I 1 bilden. Ein zweiter unbelasteter Spannungsteiler wird
durch den Strom ganz rechts an U 2 vorbei definiert, also insgesamt

Ux R k ŒR C Z C 
D
U1 Z C C R k ŒR C Z C 
U2 R
D : (6.32)
Ux R C ZC

Die Übertragungsfunktion ist nun

U2 U U
D 2  x : (6.33)
U1 Ux U1

Das Verfahren lässt sich leicht verallgemeinern: Wird der Eingangsstrom i 1 n-mal aufgeteilt,
so lassen sich für die Bestimmung der Übertragungsfunktion n unbelastete Spannungsteiler
finden, die die Potenziale der Verzweigungspunkte verbinden. Bei der Berechnung der Span-
nungsverhältnisse gilt:

Parallelschaltungen sollten möglichst nur im Nenner von Brüchen stehen.

. Abb. 6.13 Interpre- I1


tation eines Filters als
doppelter unbelasteter
Spannungsteiler
I1 Ux

U1 U2 U1 U2
6.1  Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole
225 6

Tun sie dies nicht, sollte durch diese Ausdrücke gekürzt werden, auch um den Preis von Dop-
pelbrüchen. In dem Beispiel in . Abb. 6.13 heißt das:

R k ŒR C Z C  1 1
D D (6.34)
Z C C R k ŒR C Z C  1C
ZC
1C
ZC
C
ZC
RkŒRCZ C  R ŒRCZ C 

und für die gesamte Übertragungsfunktion


0 1
 
U2 R 1 R
D @ AD : (6.35)
U1 R C ZC ZC
1C R C
ZC
3Z C C R C
Z 2C
ŒRCZ C  R

Vor dem Einsetzen von Z C D 1=.j! C / steht die Erkenntnis:

Kondensatorimpedanzen sollten möglichst nur im Nenner stehen.

Denn das Teilen durch Z C erspart im nächsten Schritt das Teilen durch ! und das Vergessen
der Regel 1=j D j ist eine häufige Fehlerquelle. Im betrachteten Beispiel wird daher durch
Z C gekürzt:

U2 R=Z C j!RC
D D   : (6.36)
U1 3 C .R=Z C / C .Z C =R/ 3 C j  !RC  1
!RC

! Vorsicht Fehlerquelle!
Die Übertragungsfunktion einer Kette von Einzelschaltungen ist nicht das Produkt der ein-
zelnen Übertragungsfunktionen. Denn die jeweils nachfolgende Schaltung belastet die vorige.
Deren Ausgangsstrom ist also nicht mehr gleich Null.

Bei größeren Schaltungen führt das sukzessive Berechnend der Übertragungsfunktion schnell
zu sehr aufwändigen Rechnungen. Aber es gibt eine Alternative, die die Berechnung von
Kettenschaltungen auf das Multiplizieren von Matrizen reduziert: die Vierpoltheorie.

6.1.3 Frequenzselektion durch Spannung und Strom: Vierpoltheorie

In der Vierpoltheorie wird das Übertragungsverhalten von belasteten Schaltungen beschrie-


ben. . Abb. 6.14 zeigt den Unterschied zur lastfreien Übertragungsfunktion.
Vierpole können durch zwei Gleichungen beschrieben werden, wie das folgende Gedan-
kenexperiment zeigt (siehe . Abb. 6.15):

. Abb. 6.14 Die von außen sichtbaren komplexen Amplituden an


einem Vierpol. Diese hängen von der Last ab. Hier ist VP der Vierpol
und Z die Last
226 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

. Abb. 6.15 Beispielschaltung vor dem Einbau eines Vierpols: E-Gitarre und
Verstärker

Stellen wir uns zunächst eine Quelle (hier: E-Gitarre) und einen daran angeschlossenen
Verbraucher (hier: Verstärker) vor. Elektrotechnisch ist die Schaltung beschrieben, wenn so-
wohl der Strom als auch die Spannung bekannt sind. Um diese zwei Unbekannten zu be-
6 stimmen, braucht man 2 Gleichungen, die die beiden Teile charakterisieren, zum Beispiel
u1 D UO e.j!t / und i 1 D u1 =Z Lautsprecher . Wenn nun, wie in . Abb. 6.16 gezeigt,4 zwischen die-
se beiden eine Zusatzschaltung geschlossen wird, so hat sie natürlicherweise vier Anschlüsse
(Pole). Außerdem kommen noch zwei Unbekannte (i 2 und u2 ) hinzu. Nun kann man sich
leicht überlegen, wann genau die Gesamtschaltung so beschrieben ist, dass alle Spannungen
und Ströme festliegen: genau dann, wenn zu den zwei neuen Unbekannten noch zwei Glei-
chungen hinzukommen. Daher muss gelten:

1 Jeder Vierpol kann durch ein System aus zwei Strom-Spannungs-Gleichungen


beschrieben werden
Wenn der Vierpol nur aus linearen Bauelementen (Widerstand, Spule, Kondensator) besteht,
so werden auch die Strom-Spannungs-Gleichungen linear, das heißt, quadratische Terme oder
höhere Exponenten von u und i treten nicht auf. Dies führt zu einer grundsätzlichen Verein-
fachung der Situation. Im Allgemeinen müsste man zum Beispiel für die neuen Ströme und
Spannungen u2 und i 2 schreiben:

u2 D f .u1 ; i 1 ; i 2 /
i 2 D g.u1 ; i 1 ; u2 / : (6.37)

Wenn nun aber f und g lineare Funktionen sind, dann lassen sich die Gleichungen 6.37 nach
u2 und i 2 auflösen:

u2 D f .u1 ; i 1 ; g.u1 ; i 1 ; u2 // D fneu .u1 ; i 1 /


i 2 D g.u1 ; i 1 ; f .u1 ; i 1 ; i 2 // D gneu .u1 ; i 1 / : (6.38)

. Abb. 6.16 Beispielschaltung nach dem Einbau eines Vierpols. u1 und


i 1 sind die Spannung und der Strom am Eingang des Vierpols, u2 und i 2
gehörn zu dessen Ausgang. Hier könnte der Vierpol für ein Verzerrerpedal
stehen.

4
In einigen Büchern wird der Strom i2 als in den Vierpol hinein fließend definiert. Dadurch haben bei den dazugehö-
rigen Matrizen alle mit i2 multiplizierten Matrixelemente umgekehrte Vorzeichen.
6.1  Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole
227 6

Daher kann jeder aus linearen Bauelementen bestehende Vierpol durch ein System aus zwei
linearen Gleichungen beschrieben werden, bei denen auf der rechten Seite jeweils nur zwei
unbekannte Ströme und Spannungen stehen. Ein solches System ist einer Matrixgleichung mit
vier Matrixelementen äquivalent.

Jeder lineare Vierpol kann durch eine 2  2-Matrixgleichung beschrieben werden.

Je nachdem, wie die Unbekannten im Gleichungssystem sortiert sind, spricht man von einer
Impedanz-, Admitanz-, Kettenparameter- oder Hybrid-Matrix.

Definition 6.4
0 1 0 1 0 1 0 1
u Z Z 12 i1 i
Impedanz-Matrix Z: @ 1 A D @ 11 A  @ A D Z  @ 1A :
u2 Z 21 Z 22 i2 i2

Definition 6.5
0 1 0 1
i1 u
Admitanz-Matrix Y : @ A D Y  @ 1A :
i2 u2

Definition 6.6
0 1 0 1
u1 i
Hybrid-Matrix h: @ A D h  @ 1A :
i 2 u2

Diese Matrizen lassen sich natürlich ineinander umrechnen, zum Beispiel durch Lösen des
Gleichungssystems. Je nach Anwendung bieten sich die verschiedenen Matrizen an. So spielt
die Hybrid-Matrix in der Beschreibung von Bipolar-Transistoren eine große Rolle.

1 Die Kettenparameter-Matrix beschreibt den Eingang als Funktion des Ausganges


Für die Beschreibung hintereinander, also als Kette geschalteter Vierpole ist die Kettenpara-
meter-Matrix von besonderer Bedeutung.

Definition 6.7
0 1 0 1
u1 u2
Kettenparameter-Matrix A: @ A D A  @ A :
i1 i2

Die Konvention besagt hier, dass bei der Kettenparameter-Matrix der Eingang als Funktion
des Ausgangs definiert ist und nicht umgekehrt. Dies scheint dem Ursache-Wirkung-Denken
zu widersprechen, aber nur wenn man vergisst, dass das, was im Kraftwerk geschieht auch
vom Verbrauch abhängt.
228 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

. Abb. 6.17 Beschreibung eines Gesamtsystems aus Quelle, Vierpol


und Last (siehe (6.39)). In diesem Fall ist der Versorger eine Spannungs-
quelle mit dem Innenwiderstand RI und der Verbraucher ein Lautsprecher
mit der Impedanz ZL

Insgesamt wird für das System aus Gitarre, Verzerrerpedal und Verstärker eine Model-
lierung, wie in . Abb. 6.17 gezeigt, erreicht. Mit Hilfe der Kettenparameter-Matrix ist die
Systembeschreibung dann
! !
u0  RI  i 1 ZL  i 2
DA : (6.39)
i1 i2
6
Aus (6.39) ist ersichtlich, dass nun alle Ströme und Spannungen berechnet werden können.
Die Matrixgleichung steht für zwei einzelne Gleichungen, und die beiden einzigen Unbekann-
ten sind i 1 und i 2 .
Zur Charakterisierung des Vierpols (z. B. dessen des Verzerrerpedals) werden die folgen-
den Größen definiert:

Definition 6.8
Spannungsübertrag oder Spannungsdämpfung u2 =u1 .

Der Spannungsübertrag ist keine Zahl, sondern eine Funktion der Ströme. Er hängt also davon
ab, was vor und hinter den Vierpol geschaltet ist. Ist beides nicht spezifiziert, so ist meist der
Wert im Leerlauf (i 2 D 0) gemeint. Wegen der Linearität der Bauteile hängt der Spannungs-
übertrag dann nicht mehr von den Eigenschaften der Quelle ab.
Etwas Komplementäres gilt für den Stromübertrag :

Definition 6.9
Stromübertrag oder Stromdämpfung i 2 =i 1 .

Werden hier keine Spannungen spezifiziert, so ist der Fall des Kurzschlusses (u2 D 0) ge-
meint.
Ein Maß für die Belastung der vorangehenden Schaltung ist die Eingangsimpedanz, welche
natürlich auch eine Funktion der an den Ausgang geschalteten Last ist:

Definition 6.10
Eingangsimpedanz u1 =i 1 und Eingangsadmitanz i 1 =u1 .

Auch hier kann zwischen den Extremfällen Leerlauf (i 2 D 0) und Kurzschluss (u2 D 0)
unterschieden werden. Eine solche Unterscheidung ist für die Ausgangsimpedanz sinnlos.
Denn was immer sich innerhalb des Vierpols abspielt; am Ausgang gilt in Anwesenheit einer
Last ZL : u2 =i 2 D ZL : Daher wird folgende Definition verwandt:
6.1  Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole
229 6

. Abb. 6.18 Elementare Vierpoltypen: Wer den Namen kennt, kennt die Struktur

Definition 6.11
Ausgangsimpedanz @u2 =@i 2 und Ausgangsadmitanz @i 2 =@u2 .

Zur Bestimmung der Ausgangsimpedanz muss man also mit einer Spannungsquelle am Aus-
gang eine Spannungsänderung erzwingen und messen, wie sich der Strom ändert. Man kann
auch eine Stromänderung erzwingen und die Spannung messen.

1 Vierpole werden nach Buchstaben benannt, die das gleiche Aussehen haben
Vierpolmatrizen erleichtern die Berechnung komplizierter Schaltungen, indem diese als Zu-
sammenschaltungen einfacher Strukturen interpretiert werden. Dabei wird auf die drei in
. Abb. 6.18 gezeigten Grundformen T , ˘ und X zurückgegriffen.
Die Techniken zur Bestimmung der Matrixelemente sind in den Lösungen zu den Aufgaben
6.48 und 6.49 erklärt. Um, ausgehend von diesen Grundformen, zu komplexeren Strukturen
zu kommen, bieten sich je nach Struktur verschiedene Matrizen an.

1 Zu jeder Schaltung gibt es eine beste Matrix


Die jeweils am leichtesten zu rechnenden Matrizen sind in . Abb. 6.19 symbolisch dargestellt:
für die Reihenschaltung die Impedanz-Matrix, für die Parallelschaltung die Admitanz-Matrix
und für die Ketten- oder Hintereinanderschaltung die Kettenparameter-Matrix. Denn die Ma-
trizen der zusammengesetzten Gesamtschaltung sind für jeweils einen Fall besonders einfach.
Die Additionsbeziehungen für die Impedanz- und Admitanz-Matrizen gelten im Übrigen un-
abhängig von der Wahl der Stromrichtung für i 2 . Für die Kettenschaltung muss allerdings die

. Abb. 6.19 Kombinationen von Vierpolen und die jeweils am leichtesten zu rechnenden Matrizen
230 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

Richtung so wie gezeigt gewählt werden.

Z D Z1 C Z2 .Reihenschaltung/
Y D Y1 CY2 .Parallelschaltung/
A D A1  A2 .Kettenschaltung/ (6.40)

Die letzte der drei Gl. (6.40) ist eine große Hilfe für die Berechnung von Filtern höherer Ord-
nung. Denn für eine lange Kette A1 ; A2 ; : : : AN kann man auch A D A1 A2 : : : AN schreiben.
So wird die Berechnung komplizierter Schaltungen auf die Multiplikation von Matrizen redu-
ziert.

1 Bei Impedanzanpassung ist das Verhältnis u=i vorne und hinten gleich
6 Der Eingangswiderstand eines Vierpols hängt von der Last ab. Wenn für eine Last ZL die
Eingangsimpedanz gerade genau so groß ist wie die Ausgangsimpedanz, so nennt man diese
die charakteristische Impedanz des Vierpols.

Definition 6.12
Z 0 heißt charakteristische Impedanz eines Vierpols, wenn für diesen gilt: u1 =i 1 D u2 =i 2 D
Z 0 : Wird ein Vierpol mit seiner charakteristischen Impedanz belastet, so spricht man von
Impedanzanpassung.

Dass die charakteristische Impedanz eine zum Vierpol gehörende Eigenschaft ist, lässt sich
daran ablesen, dass sie sich aus den Matrixelementen berechnen lässt:
v
u ! !
u A2  A2 2 A A222  A211
Z0 D t 22 11
C 12  : (6.41)
2A21 A21 2A21

Dabei kann es jedoch vorkommen, dass der errechnete Wert 0 oder 1 wird (vergleiche die
Lösung zu Aufgabe 6.38). Impedanzanpassung ist dann nicht mehr möglich.

1 Symmetrische Vierpole haben nur zwei freie Parameter


Symmetrisch heißt ein Vierpol, wenn er, wie in . Abb. 6.20 gezeigt, von rechts nach links das
gleiche elektrische Verhalten zeigt wie von links nach rechts. Mathematisch heißt dies, dass
die Vierpolmatrizen invariant gegenüber der Vertauschung

u1 $ u2
i 1 $ i 2 (6.42)

i1 i2 i2 i1
u1 Vierpol u2 u2 Vierpol u1

. Abb. 6.20 Gedankenexperiment zur Bestimmung der Bedingungen für die Matrixelemente symmetrischer Vier-
pole. Das elektrische Verhalten darf sich nicht ändern, wenn Ein- und Ausgang ebenso vertauscht werden wie die
Stromrichtung
6.1  Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole
231 6

sein müssen. Man erhält dann für symmetrische Vierpole

A11 D A22 und A211  A12 A21 D 1


Y 11 D Y 22 und Y 12 D Y 21
Z 11 D Z 22 und Z 12 D Z 21 : (6.43)

Da, unabhängig von der Wahl der Matrizen, zwei Bedingungsgleichungen erfüllt sein müs-
sen, reduziert sich die Anzahl der freien Parameter der Matrizen um zwei. Den elementaren
Vierpoltypen (siehe . Abb. 6.18) ist die Symmetrie sofort anzusehen: Wenn Z ˛ D Z  oder
Z ı D Z  oder Z  D Z  , dann sind Vierpole symmetrisch.
Eine besonders elegante Darstellung symmetrischer Vierpole ist die so genannte Wellenpa-
rameterdarstellung, welche sich wie folgt ergibt: Für einen symmetrischen Vierpol vereinfacht
sich die charakteristische Impedanz zu
s
A12
Z0 D : (6.44)
A21

Die zweite Bedingung für die Kettenparameter-Matrix einer symmetrischen Schaltung


lässt sich daher wie folgt umschreiben:

A211  A12 A21 D A211  Z 20 A221 D 1 : (6.45)

Wenn aber die Differenz zweier Quadrate immer 1 ist, dann kann man wegen cosh2 .g/ 
sinh2 .g/ D 1 zu folgender Darstellung kommen:
0 1
cosh.g/ Z 0 sinh.g/
AD@ 1 A : (6.46)
Z
sinh.g/ cosh.g/
0

Definition 6.13
Für einen symmetrischen Vierpol mit cosh.g/ D A11 heißt g das Übertragungsmaß des
Vierpols.

Die Symmetrie ist in (6.46) a priori gegeben und die charakteristische Impedanz ohne Rech-
nung ablesbar. Die Wellenparameterdarstellung vereinfacht auf erstaunliche Weise die Be-
rechnung von Ketten Impedanz-angepasster Schaltungen. Dies ist exemplarisch in der Lösung
zu Aufgabe 6.46 (6.66) gezeigt.

Jeder lineare symmetrische Vierpol ist mit nur zwei unabhängigen Größen vollständig
beschrieben. Diese können zum Beispiel die charakteristische Impedanz Z 0 und das
Übertragungsmaß g sein.

1 Leitungen sind symmetrische Vierpole


Ein in fast jedem System vorkommender Vierpol ist die Hin- und Rückleitung. Generell gilt:
Je höher die Frequenzen desto wichtiger werden die induktiven und kapazitiven Eigenschaften
einer Leitung. Eine gute Abschätzung ist
232 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

. Abb. 6.21 Modellierung eines infinitesimal langen


Zweidraht-Leitungsstückchens als symmetrischer RLC
Vierpol

6
Das Übertragungsverhalten einer Leitung der Länge ` ist so lange trivial, wie für die
Kreisfrequenz ! des Nutzsignals die Bedingung !`  c, wobei c die Lichtgeschwindigkeit
ist, erfüllt ist.

Aus dieser Bedingung folgt, dass die Vierpoleigenschaften einer 50 Hz-Versorgungsleitung


meist ohne praktische Konsequenzen bleiben. Wo aber große Informationsmengen lange Stre-
cken überwinden müssen, also bei LAN-Netzwerken (Aufgabe 6.50), Satellitenempfängern
(Aufgabe 6.55) oder auch im PC, kann der Systementwurf nur glücken, wenn das Verhalten
der Leitungen an das der angeschlossenen Geräte angepasst ist. Mit dem PCI-Express ist zum
ersten Mal der charakteristische Leitungswiderstand Teil der Spezifikation einer PC-internen
Kommunikation geworden, und das bei Leitungslängen deutlich unter einem Meter. Die Her-
leitung der Eigenschaften ist in der Vertiefung Hochfrequenz-Übertragungsverhalten von
Leitungen zu finden.

Hochfrequenz-Übertragungsverhalten von Leitungen


Da die Widerstände und Kapazitäten einer Leitung über deren Länge verteilt sind, wird die zu betrachtende
Leitung in sehr viele kleine Stücke geteilt. Für jedes Teilstückchen ergibt die in . Abb. 6.21 gezeigte Modellie-
rung aus vier Widerständen, vier Spulen und einem Kondensator dessen Verhalten. Die Kettenparameter-Matrix
dieser Schaltung lässt sich mit Hilfe der Abkürzungen Z 1 D R C j!L und Z 2 D 1=j! C wie folgt schreiben:
0 1
Z1 Z 21
B1 C 2Z Z1 C
4Z2 C
B 2 C
ADB C : (6.47)
@ 1 Z A
1C 1
Z2 2Z 2

Für sehr kurze Leitungsstückchen nähern sich Z 1 ! 0 und .1=Z 2 / ! 0. Daher kann der Zusammenhang
zwischen den Wellenparametern in (6.46) und den Vierpolparametern in (6.47) mit Hilfe einer Potenzreihen-
entwicklung gefunden werden:

p
cosh.g/  1 C g 2 =2 ! g D Z 1 =Z 2
p (6.48)
sinh.g/  g ! Z0 D Z1 Z2 :

Im Grenzfall einer in infinitesimale Stückchen geteilten Leitung wird diese Bestimmung von g und Z 0 exakt. Da
sich der Wellenwiderstand nicht ändert, wenn beliebig viele Teilleitungen addiert werden, ist das Ergebnis für
6.2  Fragen und Aufgaben zu Zwei- und Vierpolen
233 6

Z 0 bereits das Endergebnis für die gesamte Doppelleitung. Das gesamte Übertragungsmaß ist erstaunlicherwei-
se ebenfalls durch (6.48) gegeben. Denn, wie in Aufgabe 6.46 gezeigt, vergrößert sich bei der Kettenschaltung
N symmetrischer Vierpole mit gleicher charakteristischer Impedanz das Übertragungsmaß um den p Faktor N .
Gleichzeitig wird bei einer Unterteilung der Gesamtleitung das Übertragungsmaß pro Teilstück, g D Z 1 =Z 2 ,
um den Faktor 1=N kleiner. So bleibt das Übertragungsmaß von N ingesamt unabhängig.
Für eine Doppelleitung mit einem Ohm’schen Widerstand RL und einer Induktivität LL entlang des gesam-
ten Strom-Hin- und -Rückweges und einer Kapazität CL zwischen den Einzelleitungen erhält man so
p
g.Leitung/ D j!RL CL  ! 2 LL CL
s
LL jRL
Z 0 .Leitung/ D  : (6.49)
CL ! CL

Diese Gleichungen werden zusammen mit (6.46) Telegrafengleichungen genannt.


Eine verlustlose Leitung hat also ein rein imaginäres Übertragungsmaß und eine rein reelle charakteristi-
sche Impedanz (siehe Aufgabe 6.55). Die Gl. (6.46) und (6.49) erlauben es, die in einem System enthaltenen
Leitungen wie zusätzliche Bauelemente zu behandeln. Eine anschauliche Herleitung ist in [4] zu finden.

6.2 Fragen und Aufgaben zu Zwei- und Vierpolen

6.2.1 Fragen aus mündlichen Prüfungen

6.1 Woran erkennt man messtechnisch einen Reihenschwingkreis?


a) Die Impedanz hat bei einer bestimmten Frequenz ein Maximum.
b) Die Admitanz hat bei einer bestimmten Frequenz ein Maximum.
c) Der Strom oszilliert bei einer bestimmten Frequenz um 90ı verschoben relativ zur Span-
nung.

6.2 Was versteht man unter der Güte eines Schwingkreises?


a) Die Güte gibt an, aus welchem Preissegment die Bauteile kommen.
b) Die Güte ist das Verhältnis von Resonanzfrequenz und Verstimmung.
c) Die Güte ist das Verhältnis von Resonanzfrequenz und Bandbreite.

6.3 Welche der folgenden Pässe haben jT .! ! 1/j D 0?


a) Hochpass und Bandpass,
b) Tiefpass und Bandsperre,
c) Tiefpass und Bandpass?

6.4 Ein Tiefpass dritter Ordnung fällt asymptotisch mit


a) 30 dB pro Dekade,
b) 60 dB pro Dekade oder mit
c) 90 dB pro Dekade ab.
Was ist richtig?

6.5 Welche Matrix eignet sich am besten zur Beschreibung von Parallelschaltungen von Vier-
polen?
a) Das ist die Impedanz-Matrix.
b) Das ist die Kettenparameter-Matrix.
c) Es ist die Admitanz-Matrix.
234 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

6.6 Wann lässt sich das Verhalten eines Vierpols im Wechselstromkreis vollständig durch die
Angabe des Wellenwiderstandes und des Übertragungsmaßes beschreiben?
a) Das ist möglich, wenn der Vierpol symmetrisch ist.
b) Das ist möglich, wenn die Frequenz so hoch ist, dass Wellenphänomene dominieren.
c) Das ist nur möglich, wenn der Vierpol eine Leitung beschreibt.

6.7 Wann ist bei einem Tiefpass die Grenzfrequenz erreicht?


a) Die Grenzfrequenz ist immer erreicht, wenn der Imaginärteil der Übertragungsfunktion
genauso groß ist wie der Realteil.
b) Die Grenzfrequenz ist immer erreicht, wenn die Übertragungsfunktion den Betrag jT j D
21=2 hat.
c) DiepGrenzfrequenz ist immer erreicht, wenn der Betrag der Übertragungsfunktion das
1= 2-Fache ihres Maximalwertes erreicht.
6
6.8 Welche Aussage gilt für alle Schwingkreise?
a) In Resonanz ist ihre Impedanz rein imaginär.
b) In Resonanz ist ihre Impedanz rein reell.
c) In Resonanz treten Überspannungen auf.

6.9 Wie erhält man für einen gegebenen Parallelschwingkreis dessen Ortskurve?
a) Man trägt die Übertragungsfunktion in db gegen die Frequenz in logarithmischer Skala
auf.
b) Man trägt die Phasenverschiebung gegen die Frequenz in logarithmischer Skala auf.
c) Man berechnet für viele verschiedene Frequenzen Real- und Imaginärteil der Impedanz
und trägt diese gegeneinander auf. Danach verbindet man alle Punkte.

6.10 „Beim Parallelschwingkreis kann mehr Strom durch die Spule allein fließen, als durch
den gesamten Parallelkreis fließt.“ Stimmt das?

6.11 „Schaltet man zwei RC-Tiefpässe hintereinander, so ist die Übertragungsfunktion der
Gesamtschaltung das Produkt der einzelnen Übertragungsfunktionen.“ Stimmt das?

6.12 „Die Beträge der Übertragungsfunktionen aller aus Spulen, Kondensatoren und Wi-
derständen konstruierten Tiefpässe werden asymptotisch durch Geraden im Bode-Diagramm
dargestellt.“ Stimmt das?

6.13 „Wenn am Eingang eines Vierpols das gleiche Verhältnis von Strom und Spannung ge-
messen wird wie am Ausgang, dann muss er mit seiner charakteristischen Impedanz belastet
sein.“ Stimmt das?

6.14 „Die charakteristische Impedanz einer verlustlosen Doppelleitung ist rein imaginär.“
Stimmt das?

6.15 „Für die Beschreibung einer Reihenschaltung eignet sich am besten die Kettenparameter-
Matrix.“ Stimmt das?
6.2  Fragen und Aufgaben zu Zwei- und Vierpolen
235 6

6.16 Wann reicht die Übertragungsfunktion nicht mehr aus, um das Frequenzverhalten ei-
nes Filters hinreichend genau zu beschreiben, und welche Theorie bietet dann den korrekten
Beschreibungsrahmen?

6.17 Wie lassen sich die Diagonalelemente der Kettenparameter-Matrix einer Vierpolschal-
tung experimentell bestimmen?

6.18 Warum wird bei hohen Frequenzen meist nicht mit idealen Quellen gearbeitet, bei 50 Hz-
Haushaltsanschlüssen aber näherungsweise doch?

6.19 Hoch getaktete Mikroprozessoren werden heute oft mit Hilfe kleiner Kügelchen (Fach-
ausdruck: ball grid arrays ) direkt auf Systemplatinen befestigt. Was könnte der Grund sein,
bei Hochleistungs-ICs auf Bonddrähte zu verzichten?

6.20 Was sagt die Güte eines Schwingkreises alles über diesen aus?

6.2.2 Klausuraufgaben

6.21 Wann gilt der Satz Je kleiner der Widerstand, desto größer die Güte des Schwingkreises?

6.22 . Abb. 6.22 zeigt die Raster-Elektronenmikroskop-Aufnahme eines so genannten Bond-


drahtes. Bonddrähte dienen der Verbindung von integrierten Schaltungen nach außen. Sie
werden zur Kontaktierung angeschmolzen und auf die bond land genannte Fläche gedrückt.

. Abb. 6.22 Zur Aufgabe 6.22:


Raster-Elektronenmikroskop-
Aufnahme einer Chip-Kontaktierung.
Man erkennt den gekrümmten Bond-
draht, seinen durch Anschmelzen
entstandenen Fuß und (quadratisch)
die darunter liegende Kontaktierungs-
fläche. (Photo:SEM Lab [1])
236 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

Die Krümmung des Bonddrahtes verleiht ihm, zusammen mit den Zuleitungen, eine Induktivi-
tät von ca. L D 10 nH. Die quadratische Fläche darunter ist durch eine Schicht Siliziumdioxyd
vom Nullpotenzial (Masse) getrennt und verhält sich etwa wie ein Kondensator mit C D 1 pF.
Die Ohm’schen Widerstände belaufen sich insgesamt auf ca. R D 20 . Bitte bestimmen Sie
die Resonanzfrequenz des Schwingkreises. Welche Spannungen muss das Dielektrikum des
bond land aushalten, wenn der Chip einem rechteckigen Eingangssignal mit der Amplitude
von UO D 2;3 V und einer Frequenz von f D 1;6 GHz ausgesetzt wird?

6.23 Beim Ausmessen eines Bandpasses werden folgende Spitze-Spitze-Werte notiert:

f ŒMHz 0;8 1;0 1;2 1;4 1;6 1;8 2;0 2;2


:
U2;S S =U1;S S ŒdB 12 6 4 3 4 6 15 30
6 Bitte bestimmen Sie hieraus die Durchlassfrequenz f0 und die Bandbreite B.

6.24 Die Phase einer Übertragungsfunktion ist bei der Grenzfrequenz  D ˙45ı . Stimmt das
immer oder nur manchmal oder gar nicht?

6.25 Ein Hochpass 6. Ordnung lässt bei f D 15 kHz nur UO 2 =UO 1 D 0;1 % der Spannung
durch. Wie groß ist die Spannungsdämpfung bei 10 kHz in Dezibel?

6.26 Welche Matrix wird benötigt, um aus Strömen Spannungen zu berechnen?

6.27 Wie groß ist der bei der Berechnung der Übertragungsfunktion angenommene Ausgangs-
strom?

6.28 Wie heißt das Verhältnis Eingangsstrom durch Eingangsspannung?

6.29 Welche Matrix eignet sich besonders zur Berechnung von Hintereinander-Schaltungen?

6.30 Welche der folgenden Matrizen enthält dimensionslose Elemente?


Impedanz-Matrix, Admitanz-Matrix, Kettenparameter-Matrix oder die Hybrid-Matrix?

6.31 Die so genannte T-Schaltung verdankt ihren Namen . . .

6.32 Sind Ein- und Ausgangsimpedanz gleich, so spricht man von . . .

6.33 Wie misst man das obere Diagonalelement .A11 / der Kettenparameter-Matrix?

6.34 Wie misst man das untere Diagonalelement .A22 / der Kettenparameter-Matrix?

6.35 In welchem Zusammenhang steht die Kettenparameter-Matrix mit dem Frequenz-


gang T ?

6.36 Woran erkennt man die Kettenparameter-Matrix einer symmetrischen Schaltung?

6.37 Was ergibt das Produkt aus Eingangskurzschlussimpedanz und Eingangsleerlaufimpe-


danz?
6.2  Fragen und Aufgaben zu Zwei- und Vierpolen
237 6
. Abb. 6.23 Zur Aufgabe 6.41:
Zwei Tiefpässe zweiter Ordnung, R1 R2 R L
links ein reiner RC -Pass, rechts die
C1 C2 C
RCL-Variante

. Abb. 6.24 Zur Aufgabe 6.42: RC -Schaltung, bei der es


sich lohnt, vor der Berechnung der Übertragungsfunktion R2
U1 R1 C C R1 U2
genau hinzusehen

. Abb. 6.25 Zur Aufgabe 6.43: Ein Zweipol, der gleichzeitig ein Reihen- L R C
schwingkreises und ein Parallelschwingkreis ist
C

6.38 Jeder Vierpol hat eine charakteristische Impedanz. Stimmt das?

6.39 Welche Formen haben die Ortskurven der Impedanz eines Reihenschwingkreises und
der Admitanz eines Reihenschwingkreises?

6.40 Bitte skizzieren Sie die Bode-Diagramme der RC-Tiefpässe mit der folgenden Be-
stückung:
a) R D 1 k; C D 1 F
b) R D 500 ; C D 20 nF
c) R D 17;5 k; C D 3;14 F

6.41 . Abb. 6.23 zeigt zwei Ansätze, einen Butterworth-Filter zweiter Ordnung zu realisieren.
Welchen wählen Sie und warum?

6.42 . Abb. 6.24 zeigt eine Tiefpass-Schaltung. Wie lautet die Übertragungsfunktion und wo
liegt die Grenzfrequenz für R1 D 390 , R2 D 160  und C D 14 nF?

6.43 . Abb. 6.25 zeigt einen sowohl seriellen als auch parallelen Schwingkreis. Bitte bestim-
men Sie den Betrag der Impedanz als Funktion der Kreisfrequenz, jZ.!/j.

6.44 Zur Bestimmung des Wellenwiderstandes braucht man nur die beiden Kettenparameter-
Matrixelemente neben der Diagonalen. (Wann) stimmt das?

6.45 Wie viele freie Parameter hat die Kettenparameter-Matrix einer symmetrischen Schal-
tung?

6.46 Ein symmetrischer Vierpol hat eine charakteristische Impedanz von 2 . Wie groß ist der
charakteristische Widerstand derjenigen Schaltung, die man erhält, indem man diesen Vierpol
insgesamt dreimal hintereinander schaltet?

6.47 Bei einer Zweidraht-Leitung mit vernachlässigbarem Ohm’schen Widerstand wird der
Abstand zwischen Hin- und Rückleitung halbiert. Welche der folgenden Aussagen stimmt?
238 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

. Abb. 6.26 Zur Aufgabe 6.50: ˘ -Schaltung aus zwei Kondensatoren und einer I1 I2
Spule

U1 U2

a) Der Induktivitätsbelag wird halbiert.


b) Der Kapazitätsbelag wird verdoppelt.
c) Der Wellenwiderstand wird halbiert.
d) Die Signalgeschwindigkeit bleibt gleich.
6
6.48 Bitte skizzieren Sie einen Vierpol, der nur aus einem Längswiderstand zwischen den
oberen Ein- und Ausgangsanschlüssen sowie einer Kurzschluss-Verbin-dung (also nur einer
Leitung) zwischen den unteren beiden Anschlüssen besteht. Bestimmen Sie bitte für diesen
die Admitans-Matrix, die Kettenparameter-Matrix und die charakteristische Impedanz.

6.49 Bitte skizzieren Sie einen RC-Tiefpass als Vierpol und berechnen Sie dessen Impedanz-
Matrix.

6.50 Eine für niedrige Frequenzen an 50  angepasste symmetrische ˘ -Schaltung (siehe


. Abb. 6.26) soll zur Dämpfung hoher Frequenzen eingesetzt werden. Die Spannungsüber-
tragung habe im lastfreien Fall einen Pol bei einer Frequenz von fPol D 100 kHz.
a) Bitte bestimmen Sie L und C!
b) Wie groß ist der Betrag der Spannungsübertragung, wenn die Schaltung ausgangsseitig
mit RL D 50  belastet wird?
c) Um welchen Winkel ist die Ausgangsspannung relativ zur Eingangsspannung verschoben?

6.51 . Abb. 6.27 zeigt die Ortskurve eines Parallelschwingkreises, dessen Spule einen er-
heblichen Ohm’schen Widerstand hat. Die Güte der Spule beträgt bei einer Frequenz von
f D 16 kHz QSpule D 2. Die übrigen Bauteile sind fast ideal. Bei einer Frequenz von
f D 100 kHz beträgt die Gesamtimpedanz ca. jZj D 1;6 . Bitte schätzen Sie die Werte
für RL ; L und C ab.

6.52 . Abb. 6.28 zeigt den Doppel-T-Filter. Bitte bestimmen Sie die Übertragungsfunktion
sowie deren Betrag und Phase.

6.53 Wie ändert sich die Ausgangsspannung U2 .t / an einem einfachen RC-Hochpassfilter


(siehe . Abb. 6.9) mit der Zeit, wenn U1 .t / D U1 .t D 0/ D konst: und U2 .t D 0/ D UStart
ist?

6.54 Wie ändert sich die Ausgangsspannung U2 .t / an einem einfachen RC-Tiefpassfilter (sie-
he . Abb. 6.7) mit der Zeit, wenn U1 .t / D U1 .t D 0/ D U10 und U2 .t D 0/ D UStart ist?
6.2  Fragen und Aufgaben zu Zwei- und Vierpolen
239 6
. Abb. 6.27 Zur Aufgabe 6.51: Ortskurve eines 10
Parallelschwingkreises mit nicht zu vernachlässi-

Imaginärteil der Impedanz in Ohm


gendem Spulenwiderstand
5

f = 100 kHz
-5

-10

-15
0 5 10 15 20 25
Realteil der Impedanz in Ohm

6.55
a) Bitte finden Sie mit Hilfe der Gl. (6.46) und (6.49) (siehe unten) einen einfachen Ausdruck
für die Kettenparameter-Matrix des in . Abb. 6.29 gezeigten verlustlosen LAN-Kabels.
b) Bestimmen Sie, unter welchen Bedingungen eine verlustlose Leitung gerade an einen
50 -Widerstand angepasst ist.
c) Bestimmen Sie für einen Kapazitätsbelag von 75 pF=m die Phasenverschiebung bei
Impedanz-Anpassung und versuchen Sie daraus einen Ausdruck für die Signalgeschwin-
digkeit auf der Leitung herzuleiten.

6.56 Ein Antennenkabel habe einen vernachlässigbar kleinen Ohm’schen Widerstand und eine
charakteristische Impedanz von Z 0 D 75 . Es werde von einem angepassten LNB (aus dem
Englischen low noise block, der Verstärker, der in . Abb. 6.30 auf die Satellitenschüssel zeigt)
mit einer Leistung von P D 10 nW gespeist. Welcher Anteil der vom LNB erzeugten Signal-
spannung und welcher Anteil der abgegebenen Leistung kommen beim Satellitenempfänger

. Abb. 6.28 Zur Aufgabe 6.52: Doppel-T-


Filter: Ein T-förmiger RC -Hochpass wird mit
einem T-förmigen RC -Tiefpass verbunden

. Abb. 6.29 Zur Aufgabe 6.55: Steckverbindung eines LAN-Kabels. LAN-Kabel haben eine charak-
teristische Impedanz von 50 
240 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

. Abb. 6.30 zur Aufgabe 6.56:


Fernseh-Satellit und passende Antenne.
Die kleinen Leistungen der Satelliten-
empfänger sind nur mit vollständig
angepassten Systemen zu transportie-
ren

an, wenn dieser einen Eingangswiderstand von RE D 75  hat? Welche Spannungsamplitude


und welche Leistung würde man für RE D 750  erhalten?

6.3 Antworten zu 7 Kap. 6

6.1 Antwort b) ist richtig. Die 90ı Bedingung wird beim Reihenschwingkreis nur asympto-
tisch, und dann bei verschwindend kleinen Strömen erreicht.

6.2 Antwort c) ist richtig. Reihenschwingkreise hoher Güte sind also schmalbandig.

6.3 Antwort c) ist richtig, denn ...pass kommt von passieren lassen.

6.4 Antwort b) ist richtig. Bei der n-ten Ordnung hat man allgemein 20  n dB pro Dekade.

6.5 Antwort c) ist richtig, denn die Admitanz-Matrix einer Parallelschaltung ist einfach die
Summe der Admitanz-Matrizen der einzelnen Vierpole.

6.6 Antwort a) ist richtig. Durch die Symmetriebedingungen für Strom und Spannung wird
die Zahl der freien Parameter auf zwei reduziert.

6.7 Antwort c) ist richtig. Die Antworten a) und b) gelten nur in Spezialfällen.
6.3  Antworten zu Kap. 6
241 6

6.8 Antwort b) ist richtig. Überspannungen treten nur bei Reihenschwingkreisen auf. Bei
Parallelkreisen gibt es dagegen in Resonanz eine Stromüberhöhung.

6.9 Antwort c) ist richtig. Die ersten beiden Optionen waren Teile des Bode-Diagramms.

6.10 Ja, das stimmt. In Resonanz wird dies besonders kritisch, denn dann fließen große Ströme
zwischen Spule und Kondensator hin und her, ohne dass dies nach außen sichtbar wird.

6.11 Nein, das stimmt nicht. Eine Übertragungsfunktion wird immer unter der Voraussetzung
ausgerechnet, dass kein Strom aus der Schaltung herausfließt. Diese Bedingung ist für den
vorderen Tiefpass nicht erfüllt.

6.12 Ja, das stimmt, denn bei hohen Frequenzen dominiert die jeweils höchste Potenz der
Frequenz die Übertragungsfunktion, sodass diese in ein einfaches Potenzgesetz übergeht. Po-
tenzgesetze ergeben in doppelt logarithmischer Darstellung immer eine Gerade.

6.13 Ja, das stimmt, denn genauso ist die charakteristische Impedanz definiert.

6.14 Nein, das stimmt nicht. Sie ist rein reell.

6.15 Nein, das stimmt nicht. Die Impedanz-Matrix ist am besten für Reihenschaltungen ge-
eignet, denn die Impedanz-Matrix der Gesamtschaltung ist einfach die Summe der Einzelma-
trizen. Die Kettenparameter-Matrix eignet sich insbesondere für Kettenschaltungen. (Im Un-
terschied zur Kettenschaltung, die aus mehreren Teilschaltungen zwischen Ein- und Ausgang
besteht, verbindet die Reihenschaltung mehrere Teilschaltungen von einer Versorgungsleitung
zur anderen.)

6.16 Immer dann, wenn der Filter ausgangsseitig belastet wird, ist eine Voraussetzung für die
Berechnung von Übertragungsfunktionen nicht mehr erfüllt. Die korrekte Behandlung erfolgt
dann im Rahmen der Vierpoltheorie.

6.17 A11 ist das Verhältnis von Eingangs- und Ausgangsspannung im Leerlauf .D 1=T / , und
A22 ist das Verhältnis von Eingangs- und Ausgangsstrom bei Ausgangskurzschluss.

6.18 Wenn die Längen der Spannungswellen auf den Leitungen in der Nähe oder sogar unter
der Leitungslänge liegen, dann können offene Leitungen zu Resonanzen mit Überspannungen
führen: je hochwertiger die Leitung, desto größer die Überspannung. Bei Spannungsquellen,
die an die Leitung angepasst sind, deren Innenwiderstand also gleich der charakteristischen
Impedanz der Leitung ist, ist die Spannungsüberhöhung auf einen Faktor zwei begrenzt. Die
Leitungslängen innerhalb eines Hauses sind sind jedoch viel kleiner als die Wellenlänge der
50 Hz-Versorgungsspannung .  4000 km/.

6.19 Ein wichtiger Grund ist die Vermeidung von Reihenschwingkreisen. Ein Bonddraht ver-
hält sich jenseits von 1 GHz bereits ein wenig wie eine Spule. Das Metallplättchen, auf dem
der Bonddraht endet, stellt zusammen mit dem unter ihm liegenden Oxid und dem darunter
liegenden Silizium einen Kondensator dar. So entsteht ein Reihenschwingkreis und damit die
Möglichkeit von Überspannungen, also das Letzte, was man einem MOS-Chip antun möchte.
242 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

6.20 Die Güte ist immer das Verhältnis von Resonanzfrequenz und Bandbreite. Beim Reihen-
schwingkreis gibt sie ferner an, um welchen Faktor die Spannungen an Spule und Kondensator
in Resonanz überhöht sind. Beim Parallelschwingkreis gibt sie an, um welchen Faktor der
Strom durch die Spule und den Kondensator überhöht ist. Grundsätzlich ist die Güte immer
dann groß, wenn der Ohm’sche Widerstand keine Rolle spielt, er also beim Reihenschwing-
kreis klein und beim Parallelschwingkreis groß ist.

6.21 Die Güte eines Reihenschwingkreises ist um so größer, je kleiner dessen Ohm’sche Wi-
derstände sind. Beim Parallelschwingkreis gilt genau das Gegenteil: Hier wirkt ein kleiner
Widerstand wie ein Kurzschluss, der den Strom an der Spule und dem Kondensator vorbei
führt.
p
6.22 Dies ist ein Reihenschwingkreis mit der Resonanz-Kreisfrequenz !0 D 1= LC D
6 10 GHz. Die Güte beträgt QR D !L=R D 5. Das ist auch der Faktor, um den die am
Kondensator liegende Spannung erhöht ist, denn f D 1;6 GHz entspricht recht genau der
Resonanzfrequenz. Das Oxyd muss also eine Spannung von bis zu Umax D UO  Q D 11;5 V
aushalten.

6.23 Die Durchlassfrequenz f0 ist diejenige, bei der das Spannungsverhältnis am größten ist:
f0 D 1;4 MHz. Da in der Nähe dieser Frequenz der Spannungsübertrag einen symmetrischen
Verlauf hat, kann man davon ausgehen, bei der Messung wirklich das Maximum getroffen zu
haben. p
p der der Spannungsübertrag einen Faktor 1= 2 unter
Die Grenzfrequenz ist diejenige, bei
dem Maximum liegt. Da 20  log10 . 2/ D 3;0103: : : ist, liegt bei der Grenzfrequenz der
Spannungsübertrag gerade 3 dB unterhalb des Maximums. In der angegebenen Wertetabelle
ist das bei fg;u D 1;0 MHz und bei fg;o D 1;8 MHz der Fall. Die Bandbreite beträgt also
B D 800 kHz.

6.24 Eine Phase von ˙45ı tritt immer auf, wenn der Real- und der Imaginärteil der Übertra-
gungsfunktion gleich groß sind. Das muss nicht immer eine Grenzfrequenz sein. Für Übertra-
gungsfunktionen, die die Form T D 1=.1 C jf .!// haben, ist dies der Fall, für viele andere
nicht.

6.25 Wenn der Betrag der Übertragungsfunktion bereits im Promille-Bereich angekommen


ist, kann von einem Verlauf jT j  f 6 ausgegangen werden. Daher gilt

 6  6
f2 3 10
jT 2 j D jT 1 j D 10  D 8;8  105 : (6.50)
f1 15

In Dezibel ergibt sich ein Wert von 20  log10 .8;8 105 / D 81 dB.
! !
u1 i1
6.26 Es ist die Impedanz-Matrix (siehe Definition 6.4). Denn DZ funktioniert
u2 i2
nur, wenn die Matrix Z aus Elementen mit der Einheit  besteht.

6.27 Für die Berechnung von T wird immer der lastfreie Fall, also gar kein Ausgangsstrom
angenommen.
6.3  Antworten zu Kap. 6
243 6

6.28 Das ist nach Definition 6.10 die Eingangsadmitanz.

6.29 Das ist die Kettenparameter-Matrix (siehe . Abb. 6.19, (6.40) und folgender Text).

6.30 Dimensionslose Matrixelemente findet man dort, wo das Ergebnis die gleiche Einheit
hat wie der Multiplikator. Wo dies der Fall ist, geht aus den Definitionen 6.4 bis 6.6 hervor,
bei den Impedanz- und Admitanz-Matrizen zum Beispiel nie. Bei der Kettenparameter-Matrix
sind die Diagonalelemente dimensionslos, bei der Hybrid-Matrix sind es die Elemente h12 und
h21 .

6.31 Auch diese elementare Vierpolschaltung verdankt, wie in . Abb. 6.18 gezeigt, ihren Na-
men der Struktur: Die beteiligten Impedanzen sind in Form eines T zusammengeschaltet.

6.32 Gemäß Definition 6.12 spricht man hier von Impedanzanpassung.

6.33 Die Lösung folgt aus der Definition 6.7: Wegen u1 D A11 u2 C A12 i 2 kann man durch
u1
Messung des Leerlauf-Spannungsübertrags A11 D u2
.Leerlauf/ bestimmen. Denn im Leer-
lauf ist i 2 D 0:

6.34 Die Lösung folgt ebenfalls aus der Definition 6.7: Wegen i 1 D A21 u2 C A22 i 2 kann man
i1
durch Messung des Kurzschluss-Stromübertrags A22 D i2
.Kurzschluss/ bestimmen. Denn
Kurzschluss bedeutet u2 D 0.

u1
6.35 A11 ist in Definition 6.7 bestimmt, T im 7 Abschn. 6.1.2. Wegen A11 D u2
.Leerlauf/
ist A11 D T 1 (Vergleich: Lösung der Aufgabe 6.33)
u2
und T D u1
.Leerlauf/

6.36 Die in (6.42) geforderte Symmetrie führt zu den in (6.43) gegebenen Symmetriebedin-
gungen: Die Determinante ist gleich 1 und die Diagonalelemente sind gleich.

6.37 Das Produkt aus Eingangskurzschlussimpedanz und Eingangsleerlaufimpedanz ist für


eine symmetrische Schaltung das Quadrat der charakteristischen Impedanz. Dies ergibt sich
in der folgenden Weise:
Die Eingangsimpedanz ist gemäß der Definition 6.7
u1 A u C A12 i 2
ZE D D 11 2 : (6.51)
i1 A21 u2 C A22 i 2
Im Leerlauf fallen die Terme mit i 2 weg, bei Kurzschluss die mit u2 . Zusammen mit (6.43)
ergibt sich dann
A A A
Z E .kurz/  Z E .leer/ D 12  11 D 12 : (6.52)
A22 A21 A21
Der Vergleich mit (6.44) zeigt, dass der letzte Ausdruck in (6.52) gerade gleich dem Quadrat
der charakteristischen Impedanz ist.

6.38 Grundsätzlich kann jedem Vierpol eine charakteristische Impedanz zugeordnet werden.
Gl. (6.41) zeigt, dass sie für jeden Satz von Vierpolparametern auszurechnen ist. Sie kann
allerdings im Extremfall 0 oder 1 betragen (siehe . Abb. 6.31). Im praktischen Alltag sind
solche Vierpole nicht anzupassen. Ein Beispiel dafür ist in Aufgabe 6.48 gerechnet (6.68).
244 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

. Abb. 6.31 Zu den Aufgaben 6.38 und 6.48: Bei-


spiele für Vierpole mit extremen charakteristischen
Impedanzen (Wellenwiderständen): Der Längswider-
standsvierpol hat Z 0 ! 1, der Querwiderstand ergibt
Z0 D 0
Längswiderstand Querwiderstand

6.39 Die Impedanz des Reihenschwingkreises hat einen konstanten Realteil <.Z/ D R und
einen von der Frequenz abhängigen Imaginärteil =.Z/ D QV . Daher ist die Ortskurve der
Impedanz eine senkrechte Linie, die die reelle Achse beim Wert R schneidet.
Die Ortskurve der Admitanz ist ein Kreis. Dies ergibt sich wie folgt: Wir können sie als

6 1 1  jQV
Y D D (6.53)
Z R.1 C Q2 V 2 /

schreiben. In einem x-y-Koordinatensystem mit x D <.Y / und y D =.Y / ist dann

1
xD
R.1 C Q2 V 2 /
QV
yD : (6.54)
R.1 C Q2 V 2 /

Wenn aus diesem Gleichungssystem die für alle Frequenzen verschiedene Laufvariable QV
eliminiert wird, folgt die Abhängigkeit y.x/:
r
x
yD  x2 : (6.55)
R

Das ist die Gleichung für einen Kreis, der symmetrisch zur x-Achse liegt und diese bei den
Werten x01 D 0 und x02 D 1=R schneidet.

6.40 Betrag und Phase des RC-Hochpasses hängen ausschließlich von !RC D !=!g ab.
Trägt man den Betrag oder die Phase des einfachen RC-Hochpasses als Funktion dieser Größe
auf, so kommt für alle denkbaren Bauteilekombinationen immer das gleiche, in . Abb. 6.32
gezeigte Bild heraus. Für die Bode-Diagramme der RC-Hochpässe gilt, wie auch für die der
RC-Tiefpässe: Kennt man eins, kennt man alle. . .

. Abb. 6.32 Zur Aufgabe 0 90


Spannungsübertrag in Dezibel

6.40: Das Bode-Diagramm des phi(x)


RC-Hochpasses sieht für alle Dimen-
Winkel in Grad

sionierungen gleich aus, wenn die |T|


Kreisfrequenz auf die Grenzkreisfre- 45
-20
quenz !g normiert wird φ

-40 0
0.01 0.1 1 10 100
Vielfaches der Grenzfrequenz (ω / ω0 )
6.3  Antworten zu Kap. 6
245 6

6.41 Die Übertragungsfunktion der ersten, nur aus Widerständen und Kondensatoren beste-
henden Schaltung hat die Übertragungsfunktion

1
T D : (6.56)
1 ! 2 R1 C1 R2 C2 C j!.R1 C1 C R2 C2 C R1 C2 /

Für einen Butterworth- oder Potenzfilter muss das Betragsquadrat der Übertragungsfunktion
die Form
1
jT j2 D (6.57)
1 C ˛! 4

haben. Dies ist für einen Ausdruck wie (6.56) unmöglich: Von den sechs positiven Termen, die
die Quadratur des Imaginärteils ergeben, wird nur ein einziger (nämlich 2R1 RC1 R2 C2 ) durch
die Quadratur des Realteiles kompensiert. Daher kann der ! 2 -Term in der Übertragungsfunk-
tion nicht verschwinden, wie immer man auch die Bauteile wählt. Anders ausgedrückt: Die
erste Option ist keine, denn sie hat keine Lösung.
Die Übertragungsfunktion der zweiten Option ist

1 1
T D ! jT j2 D : (6.58)
1  ! 2 LC C j!RC 1 C ! 4 L2 C 2 C ! 2 .R2 C 2  2LC /

Dies ist die zu einem Potenzfilter gehörende Übertragungsfunktion, wenn R2 C 2  2LC D 0


ist, also bei
p
RD 2L=C : (6.59)

Wenn diese Randbedingung erfüllt p ist, dann ist die zweite Option ein Butterworth-Filter
mit der Grenzfrequenz !g D 1= LC . Das ist gerade die Resonanzfrequenz des Reihen-
Schwingkreises. Der Verlauf ist in . Abb. 6.12 abgebildet.

6.42 Die beiden Bauelemente ganz links in der Schaltung belasten die Spannungsquelle U 1
und tragen nichts zur Übertragungsfunktion bei. Übrig bleibt ein Spannungsteiler :

R1 k C 1 R1
T D D D : (6.60)
R2 C .R1 k C / 1 C RR1 kC
2 R1 C R2 C jR1 R2 ! C

Man kann den frequenzabhängigen Teil ausklammern und erhält einen Ausdruck, dem die
Grenzfrequenz schon fast anzusehen ist:
   
R1 1
T D  : (6.61)
R1 C R2 1 C j! C.R1 k R2 /

In diesem Fall verschwindet der Imaginärteil bei ! ! 1, und der Realteil des Nenners hängt
nicht von der Frequenz ab. Die Grenzfrequenz ist daher in diesem Falle tatsächlich diejenige,
bei der Real- und Imaginärteil im Nenner gleich groß sind. Daher ist

R1 C R2
!g D ! fg  10 kHz: (6.62)
R1 R2 C
246 Kapitel 6  Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

6.43 Die Impedanz ist

 
R C Z C C ZL R C j !L  !C 1
Z D .R C Z C C ZL / k Z C D D : (6.63)
R
C
ZL
C2 2  ! 2 LC C j!RC
ZC ZC

Am Betrag
v
u  
u R2 C !L  1 2
ZDt !C
(6.64)
.2  ! 2 LC /2 C .!RC /2

fällt auf, dass er im Grenzfall R ! 0 sowohl einen Pol bei ! 2 CL D 2, als auch eine Nullstelle
6 p
bei ! D 1= LC hat.

6.44 Bei symmetrischen Vierpolen (nur dort) lässt sich der Wellenwiderstand gemäß (6.44)
aus den Matrixelementen A12 und A21 errechnen. Der Rechenweg ist in 7 Abschn. 1.1.2 und
in der Lösung zur Frage 6.37 gezeigt.

6.45 Es sind zwei Parameter: Im Allgemeinen hat die Matrix vier frei wählbare Matrixele-
mente. Die Austauschbedingungen u1 $ u2 und i 1 $ i 2 reduzieren entsprechend (6.43)
die Zahl auf 4  2 D 2 freie Parameter.

6.46 Es bleibt bei den 2 . Denn die charakteristische Impedanz ist gerade so definiert (siehe
Definition 6.12), dass eine beliebig große Anzahl verketteter Teilschaltungen immer genau
diese Ein- und Ausgangsimpedanz hat. Hierfür sei im Folgenden der Beweis für zwei symme-
trische Vierpole mit der gleichen charakteristischen Impedanz geführt. Er benutzt die beiden
folgenden Additionstheoreme:

cosh.g 1 /  cosh.g 2 / C sinh.g1 /  sinh.g2 / D cosh..g1 C g 2 //


cosh.g 1 /  sinh.g 2 / C sinh.g1 /  cosh.g2 / D sinh..g1 C g 2 // : (6.65)

Denn es sind genau diese beiden Additionstheoreme, die die Wellenparameter Darstellung so
nützlich machen. Hier ergeben sie für die Gesamtschaltung:

A D A1  A2
0 1 0 1
cosh.g 1 / Z 0 sinh.g 1 / cosh.g 2 / Z 0 sinh.g 2 /
AD@ 1 A@
1
A
Z0
sinh.g 1 / cosh.g1 / Z0
sinh.g 2 / cosh.g2 /
0 1
cosh.g 1 C g 2 // Z 0 sinh.g 1 C g 2 //
AD@ 1 A : (6.66)
Z
sinh.g 1 C g 2 // cosh.g1 C g 2 //
0

Aus der letzten Gleichung lässt sich die charakteristische Impedanz direkt ablesen. (6.66)
beweist: Selbst wenn die Struktur einer Schaltung nicht symmetrisch ist, wenn zum Beispiel
g 1 ¤ g 2 ist, so kann ihr elektrisches Verhalten dennoch symmetrisch sein.
6.3  Antworten zu Kap. 6
247 6

6.47 Alle Aussagen sind richtig! Und das kommt so:


a) Die Induktivität einer Leiterschleife ist proportional zur umschlossenen Fläche (siehe
7 Kap. 2). Hier ist die Fläche das Produkt Leitungslänge mal Abstand. Wenn der Abstand
bei gleicher Länge halbiert wird, so halbiert sich auch die Induktivität.
b) Für Kondensatoren verdoppelt sich bekanntermaßen die Kapazität, wenn der Abstand hal-
biert wird (siehe 7 Kap. 2). p
c) Für die verlustlose Leitung