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Prüfungstrainer Elektrotechnik

Martin Poppe

Prüfungstrainer
Elektrotechnik
Erst verstehen, dann bestehen
Martin Poppe
Fachhochschule Münster
Steinfurt, Deutschland

ISBN 978-3-642-33494-8 ISBN 978-3-642-33495-5 (eBook)


DOI 10.1007/978-3-642-33495-5

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Dieses Buch ist jenen gewidmet, die daran
arbeiten, gute Kenntnisse der Elektrotechnik
zu erwerben.
Es ist Ihnen gewidmet.
Vorwort

Courage ist gut, aber Ausdauer ist besser (Theodor Fontane)

Dies soll nicht Ihr erstes Buch der Elektrotechnik sein, sondern ein nützlicher Helfer
zum Bestehen der nächsten Prüfung.

...die Frage kenne ich doch...


Stellen Sie sich vor: Eine Prüfung beginnt mit einer Frage oder einer Aufgabe, die
Sie schon kennen und deren Antwort Sie verstanden haben. Wir haben Skripte und
Prüfungsunterlagen der ersten sechs Semester von 34 Hochschulen in Deutschland,
Österreich und der Schweiz analysiert. Dabei hat sich gezeigt, dass es einen ge-
meinsamen Kern von Kenntnissen und Fähigkeiten gibt. Genau dieser Kern wird
auf den folgenden Seiten behandelt. Sie finden in diesem Buch Fragen, Aufgaben
und Antworten, die denen in tatsächlichen Prüfungen zwar nicht genau gleichen,
aber ähnlich sind. Dieses Buch soll die Teilnahme an Vorlesungen und Übungen Ih-
rer Hochschule ergänzen. Ein aktives Studium vor Ort kann aber durch nichts ersetzt
werden auch nicht durch die Lektüre dieses Buches.

Stellen Sie sich vor, es ist Prüfung und keiner hat Angst.
Auf Dauer behalten wir nur, was wir auch verstanden haben, was also auf einen klei-
nen Kern von Annahmen zurückgeführt werden kann. Deshalb stehen die vier Ge-
setze der Elektrodynamik ganz am Anfang dieses Buches. Wo immer möglich, wer-
den elektrotechnische Sachverhalte auf deren physikalische Begründung zurück-
geführt. Sie werden feststellen: Die Anzahl von k − 1 Knotengleichungen der Netz-
werktheorie sind leichter zu merken, wenn Sie verstehen, wie die Ladungserhal-
tung die k-te Gleichung verschwinden lässt; die Nicht-Messbarkeit der Halbleiter-
Temperaturspannung wird zur Selbstverständlichkeit, wenn sie als Aspekt der Ener-
gieerhaltung erkannt wird, die... sehen Sie selbst! Wenn Sie den Mut haben, vom
sturen Auswendiglernen Abschied zu nehmen und sich auf eine analytische Heran-
gehensweise einlassen, werden Sie belohnt werden. Ihr Wissen wird Ihnen dauer-
haft erhalten bleiben, und Sie werden die Souveränität erlangen, die man braucht,
um bei unerwarteten Aufgabenstellungen Lösungswege zu finden. Letztlich werden

vii
viii Vorwort

Sie Arbeit sparen. Und wenn Sie die im Anhang aufgeführten Tipps beherzigen,
dann lernen Sie so effektiv, dass auch noch etwas Freizeit übrig bleibt.

So geht’s:
Der erste Schritt zum Erfolg ist die von keiner Illusion getrübte Selbsterkenntnis. Zu
jedem Kapitel dieses Buches gibt es daher einen Satz von Fragen und Antworten,
mit deren Hilfe Sie Ihr Vorwissen testen können. Die Fragen sind in drei Schwie-
rigkeitsgrade aufgeteilt. Wenn Sie die leichten Fragen beantworten können, kennen
Sie die wichtigsten Begriffe, und Sie wissen, worum es geht. Die mittelschweren
Fragen und Aufgaben wenden sich an die Studierenden von Fachhochschulen. Die
schweren Fragen sind für Studierende an Universitäten und all diejenigen gedacht,
die ein weiterführendes Studium (in der Regel das Masterstudium) anstreben.
Versuchen Sie bitte zunächst, alle Fragen zu beantworten und alle Aufgaben zu
lösen. Können Sie alles, brauchen Sie den folgenden Theorieteil nicht zu lesen. Ver-
gleichen Sie Ihren Lösungsweg mit dem hier gezeigten: Welcher ist kürzer, welcher
ist geradliniger? Nichts ist lehrreicher als das Vergleichen eigener Lösungswege mit
anderen. Wer aber in eine Klausur nicht nur mit Fachwissen, sondern auch mit selbst
erprobten Lösungsstrategien hineingeht, der weiß, dass er rechtzeitig fertig werden
wird.

Viel Erfolg wünscht Ihnen

Martin Poppe Steinfurt, den 9. 8. 2012


Dank

Es ist nicht möglich, alle, die geholfen haben, zu erwähnen. Dies beginnt bei
den Verantwortlichen der Fachhochschule Münster, die mir die Freiräume für das
Schreiben dieses Buches gaben. Besonders herausheben möchte ich diejenigen, die
sich die Mühe gemacht haben, einzelne Kapitel zu lesen, Fehler zu finden und wert-
volle Verbesserungsvorschläge zu unterbreiten. Für all dies danke ich den Kollegen
Dirk Fischer, Peter Glösekötter, Reinhard Job, Rüdiger Kays, Robert Nietzsche und
Hans Christoph Mertins, der als Autor eines Physik-Prüfungstrainers auch die An-
regung zu diesem Buch gegeben hat.
Mein Dank gilt auch denjenigen Mitgliedern des VDE Rhein Ruhr, die mir viele
Anwendungsgebiete der Elektrotechnik vor Ort gezeigt und erklärt haben. Andere
haben mir das Schreiben dieses Buches sehr erleichtert, indem sie freimütig Ein-
blick in ihre Unterlagen gewährt haben. Dem Springer-Verlag danke ich für die
spontane Bereitschaft, sich auf dieses Projekt einzulassen, für die vertrauensvolle
Zusammenarbeit und für wertvolle Korrekturhinweise.
Dieses Buch wäre nicht geschrieben worden, hätte mich meine Frau in der Zeit
des Schreibens nicht so bedingungslos unterstützt. Ihr gilt mein ganz besonderer
Dank.

ix
Inhaltsverzeichnis

1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1


1.1 Fragen zur Elektrodynamik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.1 Einfache Fragen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2 Grundlagen der Elektrodynamik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2.1 Elektrische Wechselwirkung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2.2 Magnetische Wechselwirkung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.3 Zeitlich veränderliche Felder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.2.4 Die Maxwellschen Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.3 Antworten zu Kapitel 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

2 Passive Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.1 Fragen zu den passiven Bauelementen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.1.1 Einfache Fragen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
2.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.2 Theoretische Grundlagen der passiven Bauelemente . . . . . . . . . . . . . 37
2.2.1 Felder und Materie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.2.2 Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.2.3 Spulen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.2.4 Widerstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.2.5 Impedanzen und Parasitärelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
2.3 Antworten zu Kapitel 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64

3 Halbleiter-Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.1 Fragen zu Halbleiter-Bauelementen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.1.1 Einfache Fragen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

xi
xii Inhaltsverzeichnis

3.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69


3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente . . . . . . . . . . . . 69
3.2.1 Halbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
3.2.2 Dotierung und PN-Übergang . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.2.3 Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
3.2.4 Bipolar-Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
3.2.5 MOS-Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
3.2.6 Ersatzschaltbilder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.3 Antworten zu Kapitel 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103

4 Lineare elektrische Netze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105


4.1 Fragen zu linearen elektrischen Netzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
4.1.1 Einfache Fragen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
4.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
4.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
4.2 Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze . . . . . . . . . . . . . 109
4.2.1 Vorzeichen, Richtungen und Topologien . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
4.2.2 Kirchhoffsche Regeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
4.2.3 Ersatzschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
4.2.4 Analyseverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
4.3 Antworten zu Kapitel 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134

5 Wechselstromnetze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
5.1 Fragen zu Wechselstromnetzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
5.1.1 Einfache Fragen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
5.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
5.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
5.2 Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze . . . . . . . . . . . . . . . . 141
5.2.1 Begriffe und Bilder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
5.2.2 Ersatzimpedanzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
5.2.3 Leistung und Energie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
5.2.4 Übertrager . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
5.2.5 Drei-Phasen-Wechselstrom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
5.3 Antworten zu Kapitel 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167

6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169


6.1 Fragen und Aufgaben zu Zwei- und Vierpolen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
6.1.1 Einfache Fragen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
6.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
6.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
6.2 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole . . . . . . . . . . . . . . . . 174
Inhaltsverzeichnis xiii

6.2.1Frequenzselektion durch Widerstandsänderung:


Schwingkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
6.2.2 Frequenzselektion durch Spannungsänderung:
Übertragungsfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
6.2.3 Frequenzselektion durch Spannung und Strom:
Vierpoltheorie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
6.3 Antworten zu Kapitel 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206

7 Transistorschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
7.1 Fragen zu Transistorschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
7.1.1 Einfache Fragen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
7.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 210
7.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 212
7.2 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen . . . . . . . . . . . 214
7.2.1 Grundschaltungen des Bipolar-Transistors . . . . . . . . . . . . . . . 215
7.2.2 Qualitätssteigerungen von Bipolar-Schaltungen . . . . . . . . . . . 226
7.2.3 Grundschaltungen des MOS-Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . 228
7.3 Antworten zu Kapitel 7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 234
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 244

8 Operationsverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
8.1 Fragen zu Operationsverstärkern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
8.1.1 Einfache Fragen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
8.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 247
8.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250
8.2 Theoretische Grundlagen zu Operationsverstärkern . . . . . . . . . . . . . . 252
8.2.1 Eigenschaften und Aufbau von Operationsverstärkern . . . . . . 252
8.2.2 Schaltungen mit idealen Operationsverstärkern . . . . . . . . . . . 258
8.2.3 Schaltungen mit realen Operationsverstärkern . . . . . . . . . . . . 260
8.3 Antworten zu Kapitel 8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 263
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275

A Was Sie vielleicht schon immer wissen wollten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277


A.1 Einheiten verstehen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
A.2 Euler verstehen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280
A.3 Einstein verstehen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 282

B Allgemeine Tipps . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 285


B.1 Effektiv lernen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 285
B.2 Prüfungen bestehen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 287
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 288
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 291

Sachverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293
Kapitel 1
Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

Zusammenfassung In diesem Kapitel wird die Verbindung von Physik und Elek-
trotechnik beschrieben. Es werden die grundlegenden Begriffe Ladung, Strom, elek-
trisches und magnetisches Feld und Spannung eingeführt. Hinzu kommen die in den
vier Maxwell-Gleichungen zusammengefassten elementaren Zusammenhänge, auf
denen die gesamte Elektrotechnik beruht.

1.1 Fragen zur Elektrodynamik

1.1.1 Einfache Fragen

1.1. Um welchen Faktor vergrößert sich die abstoßende Kraft zwischen zwei sehr
kleinen geladenen Kugeln, wenn bei beiden die Ladung verdreifacht wird. Durch
welche Abstandsveränderung wird die Kraft auf den ursprünglichen Wert reduziert?

1.2. Sie schneiden einen Magneten in der Mitte zwischen Nord- und Südpol durch.
Welche der folgenden Aussagen ist richtig: a) Die neu entstandenen Magneten sto-
ßen sich ab. b) Die beiden neu entstandenen Magneten ziehen sich an. c) Alle Kräfte
heben sich auf.

1.3. Stimmt die folgende Aussage? Die Berechnung des elektrischen Dipol-Moments
muss im Ladungsschwerpunkt durchgeführt werden.

1.4. Elektrische Äquipotenziallinien schneiden elektrische Feldlinien in einem Win-


kel von 90◦ . Stimmt das?

1.5. Durch welche der folgenden Handlungen werden elektrische Spannungen in-
duziert?
a) Im Inneren eines sehr großen Magneten stehend ein Stromkabel so aufwickeln,
dass die magnetischen Feldlinien durch die Windungen hindurch gehen,

1
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-642-33495-5_1,
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
2 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

b) in einem starken homogenen Feld eine Leiterschleife quer zu den Feldlinien ver-
schieben,
c) eine Leiterschleife in Rotation um ihre Symmetrieachse (wie ein Autoreifen beim
Fahren) drehen,
d) eine Leiterschleife um eine andere als ihre Symmetrie-Achse drehen.

1.6. Wie muss ein Magnet durchgeschnitten werden, damit zwei Magneten mit dem
gleichen Dipol-Moment, wie es der ganze Magnet vor dem Duchschneiden hatte,
entstehen?
a) längs zur Nord-Süd-Achse,
b) quer zur Nord-Süd-Achse c) das geht gar nicht.

1.7. Elektro- und Magnetostatik beschreiben


a) ausschließlich das Verhalten ruhender Ladungen,
b) ausschließlich das Verhalten zeitunabhängiger Kraftfelder,
c) die Elektrotechnik ohne Relativitätstheorie.
Welche dieser Ergänzungen stimmt?

1.8. Auf wie viele Stellen genau ist die magnetische Permeabilität des Vakuums
bekannt, auf 7, 12 oder noch mehr?

1.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben

1.9. Welches Kraftgesetz verbirgt sich hinter dem Gaußschen Satz für die elektri-
sche Ladung?

1.10. Bitte skizzieren Sie das elektrische Feld, welches durch eine große positive
und eine viel kleinere negative Ladung erzeugt wird.

1.11. Das Wassermolekül besteht aus einem Sauerstoff- und zwei Wasserstoff-
Atomen, die im Winkel von φ = 104, 45◦ zueinander stehen. Der Abstand zwischen
dem Sauerstoffkern und den Wasserstoffkernen beträgt d = 0, 09584 nm. Berechnen
Sie das Dipol-Moment eines Wassermoleküls unter der Annahme, dass der Wasser-
stoff vollständig ionisiert ist, und vergleichen Sie den Wert mit dem experimentell
gemessenen Wert von p = 0, 613 · 10−29 Cm.

1.12. In den Gaußschen Sätzen wird über infinitesimale Flächenvektoren dA inte-


griert. Was muss man sich unter einem Flächenvektor vorstellen?

1.13. Das Biot-Savartsche Gesetz wird meistens in Form eines Linienintegrals an-
gegeben: 
μ0 d × r
B= ·I · 3
. (1.1)
4π Leitung r

Bitte zeigen Sie, dass dieses Gesetz aus der Lorentz-Kraft, Gl. (1.14) folgt.
1.1 Fragen zur Elektrodynamik 3

1.14. Was sagt der Gaußsche Satz für das elektrische Feld über die Topologie des
Feldes aus? Bitte begründen Sie Ihre Aussage!

1.15. Bitte bestimmen Sie das Magnetfeld innerhalb einer als Torus gewickelten
Spule, wie sie in Abb. 1.1 gezeigt ist. Die N Windungen haben eine Radius r. Der

Abb. 1.1 zur Aufgabe 1.15:


Als Torus gewickelte Spule
und die Definition ihrer zwei
Radien r und R

Abstand zwischen den Windungen ist vernachlässigbar klein. Der Torus hat einen
mittleren Radius R, das heißt, die Zentren der Windungen bilden einen Kreis mit
dem Radius R. Betrachten Sie dann den Grenzfall eines sehr großen Radius R: Was
folgt aus dieser Betrachtung für das Magnetfeld einer langen geraden Spule?

1.16. Bestimmen Sie mit Hilfe des Ampèreschen Gesetzes das Magnetfeld in einer
sehr langen zylinderförmigen Spule (siehe Abb. 1.2) als Funktion des Stromes I, der

Abb. 1.2 zur Aufgabe 1.16:


Spule mit der Länge l und
dem Radius r

Windungszahl N, der Länge l und des Radius’ r.

1.17. Ein dünner Metallring mit dem Radius R trägt, wie in Abb. 1.3 gezeigt, eine
Ladung Q. Diese sei gleichmäßig verteilt, so dass auf jedem kleinen Abschnitt d

Abb. 1.3 zur Aufgabe 1.17:


Probeladung QProbe , schwe-
bend in der Höhe h über
einem homogen geladenen
Ring mit dem Radius r
4 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

des Ringes die gleiche Ladung dQ = [Q/(2πR)] d liegt.


a) Wie groß ist die durch ein kleines Ladungselement dQ hervorgerufene Feldstärke
dE an einem beliebigen Punkt auf der Achse durch den Ring, wenn sich der Punkt
in einer Höhe h über dem Ring befindet?
b) Wie groß ist die Komponente Ez des Gesamtfeldes entlang der Ringachse als
Funktion der Höhe?
c) Wie groß muss eine Probeladung QProbe mit dem Gewicht mProbe sein, damit sie
in der Höhe h schwebt?
1.18. Durch eine quadratische Leiterschleife fließt, wie in Abb. 1.4 gezeigt, ein
Strom I. Die Schleife habe eine Seitenlänge L und befinde sich in einem homo-

Abb. 1.4 zur Aufgabe 1.18:


Leiterschleife im homogenen
Magnetfeld B = (0, 0, B).
Durch die Schleife fließe ein
Strom in der durch die Pfeile
angegebenen Richtung

genen Magnetfeld B. Bitte berechnen Sie das Drehmoment auf die Leiterschleife
und zeigen Sie so, dass gemäß Definition 1.6 der Leiterschleife ein magnetisches
Dipol-Moment zuzuordnen ist. Bitte bestimmen Sie dessen Größe und vergleichen
Sie das Ergebnis mit Gl. 1.18.

1.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben

1.19. Ein Hydrodynamiker ist von der theoretischen Elektrotechnik so begeistert,


dass er für den an seinem Haus vorbeifließenden Bach ein Untereasser-Vektorfeld
v definiert, das für jeden Punkt im Wasser die jeweilige Fließgeschwindigkeit an-
gibt. Dabei stellt er erstaunt fest, dass er ein Gesetz findet, welches er schon als
eine der Maxwellschen Gleichungen kennengelernt hatte. Welche Gleichung wurde
wiederentdeckt und welche Bedeutung hat sie?
1.20. Zeigen Sie, dass aus den Maxwellschen Gleichungen im Vakuum die Ausbrei-

tung von elektrischen Wellen mit der Geschwindigkeit c = 1/ ε0 μ0 folgt!
1.21. Bei der so genannten DAWN-Mission der NASA wurde erstmalig ein Ionen-
triebwerk eingesetzt. Ein solches Triebwerk produziert kleine Kräfte über einen
langen Zeitraum bei geringem Materialverbrauch. Bei diesem Triebwerk werden
Xenon-Atome ionisiert und elektrisch beschleunigt. So entsteht eine Schubkraft von
1.2 Grundlagen der Elektrodynamik 5

Abb. 1.5 zur Aufgabe 1.21:


Der DAWN-Sattelit. Er be-
nutzt ein Ionentriebwerk.
Die erzeugte Kraft ist klein,
soll aber mehr als 2000 Tage
anhalten (Foto: NASA [9])

maximal F = 0, 091 N, wenn 3, 25 mg/s Xenon verbraucht werden.


a) Wie groß ist die Rückstoßgeschwindigkeit der Xenon-Ionen?
b) Durch welche Spannung müssen sie beschleunigt werden?
c) Welcher Strom I fließt aus dem Triebwerk hinaus und warum lädt sich der Satellit
trotzdem nicht elektrostatisch auf?

1.22. Wenn bei schnell fahrenden Zügen die Räder links und rechts verbunden
sind, so wird während der Fahrt durch das Erdmagnetfeld eine Spannung induziert.
Denn die Schienen sind in regelmäßigen Abständen miteinander (und mit dem Erd-
reich) verbunden. Ein fahrender Zug erzeugt also eine Leiterschleife, deren Breite
der Schienenabstand und deren Länge beim Überfahren eines Verbindungspunktes
gleich Null ist und dann mit der Geschwindigkeit des Zuges wächst.
Bitte zeigen Sie anhand dieses Beispiels, dass das Faraday-Henry-Gesetz (Gl.
1.20) und die Lorentz-Kraft (Gl. (1.17)) eine gleich große so erzeugte Spannung
ergeben und daher den gleichen physikalischen Sachverhalt beschreiben. Hinweis:
Für eine Ladung, deren Bewegung durch andere äußere Kräfte festgelegt ist, ist es
vollkommen ununterscheidbar, ob sie durch ein elektrisches Feld oder durch ein
quer dazu befindliches magnetisches Feld beeinflusst wird.

1.23. Bei dem durch einen elektrischen Stromfluss erzeugten magnetischen Feld
kann jedem Punkt im Raum ein Feldvektor zugeordnet werden, welcher zusammen
mit dem Geschwindigkeitsvektor einer Ladung erlaubt, die auf diese Ladung wir-
kende Kraft zu berechnen. Andererseits zeigt eine eingehende Analyse des Indukti-
onsgesetzes (siehe Abb. 1.14), dass sich das Magnetfeld gerade dadurch auszeich-
net, dass es nicht möglich ist, jedem Punkt im Raum eindeutig einen Kraftvektor
für eine Probeladung zuzuordnen. Ist dies ein Widerspruch? Und wenn nicht: Worin
besteht die Auflösung?

1.2 Grundlagen der Elektrodynamik

The best theory we have. Diese auf vielen Konferenzen zu hörende Qualifizierung
wird nur einer einzigen Theorie zuteil, der Elektrodynamik. Dies hat zwei Gründe:
Erstens: Die Untersuchung der Transformationseigenschaften der elektrischen
Grundgleichungen durch Albert Einstein hat, wie Abb. 1.6 zeigt, die spezielle Rela-
tivitätstheorie [2, 3] hervorgebracht (siehe Anhang).
Zweitens: Keine andere Theorie ist so genau getestet worden: Bei dem so ge-
nannten g-2 Experiment [6, 7] am CERN wurden Elektronen mit nahezu Lichtge-
6 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

Abb. 1.6 Die Relativitäts-


theorie im Original von 1905.
Sie ist eine Analyse der Trans-
formationseigenschaften der
Maxwellschen Gleichungen
und der sich daraus ergeben-
den Konsequenzen

schwindigkeit für mehrere Tage (!) auf der in Abb. 1.7 gezeigten Kreisbahn gehalten
und ihre Präzessionsbewegung gemessen.

Abb. 1.7 Die Intersecting sto-


rage Rings (ISR) am CERN.
Hier wurde der genaueste,
jemals von Menschen durch-
geführte Test einer Theorie,
das g-2 Experiment, durch-
geführt. Durch die in den
großen Metallblöcken be-
findlichen Magnete werden
Teilchen auf ihrer Bahn durch
eine Vakuum-Röhre gehalten
(Foto: CERN)

Die Messung bestätigte die Vorhersage der Quantenelektrodynamik innerhalb


der Fehlertoleranz von 1 : 5, 8 Millionen, oder anders ausgdrückt: Relative Abwei-
chungen von mehr als 1,7 Zehntausendstel Promille konnten ausgeschlossen werden
[6, 7]1 . So ist die Elektrodynamik die bis heute am härtesten getestete und damit am
beeindruckendsten bestätigte Theorie der Physik überhaupt.
Die Elektrostatik untersucht eine einzige Eigenschaft der Materie und deren
Konsequenzen für den sie umgebenden Raum: die Ladung. Die Magnetostatik be-
schreibt die Kräfteverhältnisse bei ruhenden Magneten. Indirekt beschäftigt sie sich
also mit bewegten Ladungen. Die Elektrodynamik untersucht darüber hinaus die
Phänomene, welche durch bewegte und beschleunigte Ladungen und veränderli-
che Felder entstehen. Von Magnetodynamik spricht man bei veränderlichen Ma-
gnetfeldern, deren Ursachen und Konsequenzen. Wir wissen heute, dass Elektrosta-
1 Bei diesem Experiment war das Messergebnis noch etwas genauer als die Vorhersage, welche
schwer zu quantifizierende Korrekturen durch die Kernkräfte auf virtuelle Quark-Antiquark-Paare
zu berücksichtigen hatte.
1.2 Grundlagen der Elektrodynamik 7

tik, Elektrodynamik, Magnetostatik und Magnetodynamik unauflöslich zusammen-


gehören.
Die Elektrodynamik ist ein Teilgebiet der Physik. Die Elektrotechnik verwen-
det die in der Elektrodynamik gefundenen Erkenntnisse, um sie für den Menschen
nutzbar zu machen.

1.2.1 Elektrische Wechselwirkung

Die Ladung ist eine Eigenschaft mit drei Merkmalen:


• Ladung kommt in 2 Varianten (+ und -) vor.
• Ladung ist quantisiert.
• Ladung bleibt erhalten.

Kräfte zwischen Ladungen


Gleiche Ladungen stoßen sich ab, entgegengesetzte Ladungen ziehen sich an. Die
Stärke der Kraft ist durch das Coulombsche Gesetz gegeben. Zwei entgegengesetzte
Ladungen Q1 , Q2 im Abstand2 r21 ziehen sich mit einer Kraft, deren Betrag durch

|Q1 · Q2 |
F= (1.2)
4πε0 · r21
2

gegeben ist, an. Genau wie bei der Gravitation sinkt die Stärke der Kraft mit dem
Quadrat des Abstandes. Der Proportionalitätsfaktor ε0 heißt elektrische Feldkon-
stante oder auch Dielektrizitätskonstante. Sie wird auch als dielektrische Leitfähig-
keit oder Permittivität bezeichnet. In vektorieller Form lässt sich das Coulombsche
Gesetz so schreiben:
Q1 · Q2 r2 − r1
F2 = −F1 = · 3 . (1.3)
4πε0 r21
In Gl. 1.3 ist F2 die Kraft, welche auf die Ladung Q2 wirkt. Sie gibt für alle Ladungs-
und Richtungskombinationen das korrekte Ergebnis. Denn wenn die Ladungen ver-
schieden sind, so ist das Produkt Q1 · Q2 negativ, und der Kraftvektor bekommt die
entgegengesetzte Richtung (siehe Abb. 1.8).

Quantisierung der Ladung


Bis zur Mitte des zwanzigsten Jahrhunderts schien die uns bekannte, stabile Welt
nur aus Teilchen zu bestehen, die jeweils ein ganzzahliges Vielfaches einer einzi-
gen, bestimmten Ladung mit sich tragen: Protonen, Neutronen und Elektronen. Da-

2 In der Regel bedeuten zwei Indizes die Differenz. Es ist zum Beispiel der Abstandsvektor zweier

Objekte gleich der Differenz der Ortsvektoren r21 = r2 − r1 . Der Betrag des Abstandes ist dann
r21 = |r21 |.
8 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

Abb. 1.8 Coulombsches Ge-


setz in Vektor-Form: Haben
die Ladungen Q1 und Q2
das gleiche Vorzeichen, hat
der Kraftvektor, welcher auf
Q2 wirkt, die gleiche Rich-
tung wie der Abstandsvektor
r2 − r1 (Abstoßung). Sind die
Ladungen verschieden, ziehen
sie sich an und der Kraftvek-
tor ist antiparallel zu r2 − r1
(Anziehung)

her wird diese Ladung bis heute Elementarladung (mit e bezeichnet) genannt. Nach
heutigem Stand der Wissenschaft sind aber die Bausteine der Atomkerne selbst aus
Quarks aufgebaut, deren Ladung einfache Vielfache eines Drittels der Elementar-
ladung sind. Wie Abb. 1.9 zeigt, sind am Aufbau unserer umittelbaren Umwelt je-
doch nur zwei Typen von Quarks sowie das Elektron beteiligt. Die anderen Quarks
(s, c, b,t) und die Teilchen μ undτ sind instabil und kommen nur in der Höhenstrah-
lung vor. Die drei Neutrino-Typen (ν ) fliegen meist ungehindert durch die gesamte
Erde hindurch.

Abb. 1.9 Kleinste heute be-


kannte Bestandteile der Ma-
terie. Die Teilchen, aus denen
Atome und Moleküle beste-
hen (Protonen, Neutronen
und Elektronen), haben La-
dungen, die Vielfache der so
genannten Elementarladung
sind. Protonen und Neutro-
nen bestehen aus Quarks mit
Vielfachen eines Drittels der
Elementarladung. Alle Ele-
mentarteilchen außer u, d, e, ν
sind instabil

Erhaltung der Ladung


Die Erhaltung der Ladung manifestiert sich in besonders auffälliger Weise, wenn
Ladung erzeugt wird. In Abb. 1.10 sieht man, dass die Erzeugung einer positiven
Ladung immer mit der gleichzeitigen Erzeugung einer negativen Ladung erfolgt. Es
gibt praktisch keine technische Nutzung der Ladung ohne deren Bewegung. Wenn
aber Ladungen bewegt werden, können neue Phänomene beobachtet werden. Der
Gewinn oder Verlust von Ladung pro Zeit wird als (Ladungs-) Strom bezeichnet.
1.2 Grundlagen der Elektrodynamik 9

Abb. 1.10 Blasenkammeraufnahme


zur Ladungserhaltung. La-
dung wird immer nur in
Paaren mit der Gesamtla-
dung Null erzeugt. Diese
Aufnahme [4] von 1964
zeigt an den durch Pfeile
markierten Punkten die
Erzeugung von Paaren
geladener Teilchen. Aus der
jeweils entgegengesetzten
Krümmung im Magnetfeld
folgt, dass die Teilchen
entgegengesetzte Ladungen
haben

Definition 1.1. Der elektrische Strom ist der Gewinn an positiver Ladung pro Zeit-
einheit: I = Δ Q/Δt.
Abbildung 1.10 zeigt den Extremfall von durch einzelne Teilchen hervorgerufenen
Strömen. Die Bahnen der gerade erzeugten Teilchen sind gekrümmt. Sie müssen al-
so einer Kraft senkrecht zu ihrer Bewegungsrichtung unterliegen. Ladungen werden
immer von Teilchen und in technischen Anwendungen fast immer von Elektronen
transportiert. Deswegen kann man die Definition 1.1 auch zu einer Vektorgleichung
erweitern:
I = QTeilchen · vTeilchen . (1.4)
Sind viele Teilchen beteiligt und sind diese nicht homogen verteilt, so ist die
Einführung der Stromdichte J sinnvoll.

Definition 1.2. Die elektrische Stromdichte J ist gegeben durch I = Volumen J dV.
Wird der Strom durch Ladungsträger mit der Geschwindigkeit v verursacht, so kann
die Stromdichte durch die Geschwindigkeit und die Ladungsdichte ρ ausgedrückt
werden:
J=vρ (1.5)
Ist innerhalb eines bestimmten Volumens V die Ladung konstant, so gilt für die
dieses Volumen umschließende Oberfläche3

JdA = 0 (1.6)

Mit Hilfe des Gaußschen Satzes [12] kann dies auch als

·J = 0 (1.7)

geschrieben werden. Glleichung 1.7 ist also eine kompakte Darstellung der La-
dungserhaltung.
3

Das Symbol wird immer dann verwendet, wenn eine Oberfläche oder eine Linie geschlossen
ist.
10 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

Elektrisches Feld
Man kann die durch Ladungen hervorgerufenen Kräfte als Eigenschaften des sie
umgebenden Raumes interpretieren. Diese von Michael Faraday eingeführte Sicht-
weise [1] ist erst einmal nichts Neues, öffnet aber den Blick für weitere Erkenntnis-
se.
Wenn eine von zwei Ladungen, zum Beispiel Q1 in Abb. 1.8, festgehalten wird,
dann hängt es von der Position der anderen Ladung (Q2 ) ab, welche Kraft auf sie
wirkt. An jeder Stelle des Raumes wirkt eine andere Kraft. Daher kann man jedem
Punkt im Raume einen Kraftvektor zuordnen. Dividiert man diesen durch die La-
dung Q2 , so erhält man einen neuen Vektor E = F2 /Q2 , welcher nur noch von der
Ladung Q1 und der Position im Raume abhängt. Er wird daher als eine durch die La-
dung Q1 hervorgerufene Eigenschaft des Raumes um sie herum betrachtet, mit der
man die Kraft nicht nur auf die Ladung Q2 , sondern auf eine beliebige andere La-
dung QProbe berechnen kann. Diese neue Eigenschaft des Raumes heißt elektrisches
Feld.
Definition 1.3. Die elektrische Feldstärke E an einem Punkt des Raumes ist der
Quotient aus der Kraft, die auf einen geladenen Probekörper im betrachteten Punkt
wirkt, und dessen Ladung QProbe : E = FProbe /QProbe .
Nach dem Coulombschen Gesetz (1.3) erzeugt eine am Ort r1 befindliche Ladung
Q1 am Ort r2 ein Feld der Stärke
F2 Q1 r2 − r1
E(r2 ) = = · 3 . (1.8)
Q2 4πε0 r21

Meist wird dieses Gesetz für den Fall angegeben, dass r1 = 0 ist. Dann ist die Glei-
chung auch ohne Indizes eindeutig und man erhält die Standardformulierung
Q r
E= · . (1.9)
4πε0 r3
Dabei ist Q die das Feld erzeugende Ladung und r der Abstandsvektor zu dieser
Ladung. Durch diese Formulierung des Coulombschen Gesetzes wird jedem Punkt
im Raume ein Vektor E zugeordnet, der die Kraft auf einen Probekörper mit der
Ladung QProbe angibt.
Wenn mehr als zwei Ladungen beteiligt sind, so ergeben sich die Kräfte und da-
mit die Felder durch vektorielle Addition. Dies wird auch als Prinzip der linearen
Superposition bezeichnet. Es beinhaltet, dass sich elektrische Felder ohne gegensei-
tige Störung gegenseitig durchdringen (Ausnahmen siehe [8]). Das von n Ladungen
erzeugte Gesamtfeld errechnet sich dann als
n
Qi r i
E=∑ · 3. (1.10)
i=1 4πε0 ri

Die Vektoren des elektrischen Feldes formen regelmäßige Muster, die als Feldlinien
wie in Abb. 1.11 dargestellt werden. Die Tangenten dieser Linien geben an, in
1.2 Grundlagen der Elektrodynamik 11

Abb. 1.11 Von zwei ent-


gegengesetzten Ladungen
erzeugtes Feld, dargestellt
als Feldlinien. Ein positiv
geladener Probekörper würde
von der positiven Ladung weg
und zur negativen Ladung hin
gedrückt werden

Abb. 1.12 Von zwei gleichen


Ladungen erzeugtes Feld,
dargestellt als Feldlinien. Auf
einen Probekörper genau im
Punkt in der Mitte zwischen
ihnen würde keine Kraft
wirken

welcher Richtung die Kraft wirkt. Wie in den Abb. 1.11 und 1.12 zu sehen ist,
beginnen alle Feldlinien bei den positiven Ladungen und enden bei den negativen.
Daher sagt man auch: Die positiven Ladungen sind Quellen des elektrischen Feldes,
die negativen Ladungen sind die Senken des elektrischen Feldes.

Ladungen erzeugen elektrische Felder und elektrische Felder wirken auf La-
dungen.

Elektrische Dipole
Bei mehreren verschiedenen Ladungen erscheint das Feld ausgerichtet. Das Maß für
die Ausrichtung ist das Dipol-Moment.
Definition 1.4. Das elektrische Dipol-Moment p einer insgesamt neutralen Gesamt-
heit von n Ladungen Qi ist
n
p = ∑ Qi · ri . (1.11)
i=1

Dabei ist das nach der obigen Definition erzielte Egebnis für p vom Bezugssystem
unabhängig (siehe Lösung zur Aufgabe 1.3).
Um eine Ladung entgegen den Feldlinien von einem Punkt a zu einem anderen
Punkt b zu bewegen, muss Arbeit verrichtet werden. Der Energiegewinn4 ist dabei
4 Das Minuszeichen in Gl. 1.12 bedeutet, dass die Energie genau dann gewonnen wird, wenn gegen

eine Kraft bewegt wird.


12 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik
 b  b
W= −F · ds = −Q E · ds . (1.12)
a a

Bis auf einen Faktor Q hängt also der Energiegewinn nur vom Feld und von den
Anfangs- und Endpunkten ab. Diese neue Eigenschaft eines Punktes im Raum wird
Potenzial genannt. Kennt man also das Potenzial des Anfangspunktes und das des
Endpunktes der Bewegung einer Ladung, dann weiß man sofort, welche Energie
benötigt oder freigegeben wurde, um vom ersten Punkt zum zweiten zu gelangen.
Die Differenz zweier Potenziale heißt Spannung: Das unbestimmte Integral in Gl.
1.12 nennt man Potenzial.

Definition 1.5. Das elektrische Potenzial V ist gegeben durch V = − E · ds, und

die Differenz zweier Potenziale heißt Spannung − ab E · ds = ·(V (a) −V (b)).
Gemäß Definition 1.5 ist das elektrische Potenzial bis auf eine Integrationskonstante
bestimmt. Oft wird das Potenzial auch in differenzieller Form angegeben:

E = −  ·U . (1.13)

In dieser Form wird der praktische Nutzen des Potenzials deutlich: Wer das Potenzi-
al kennt, kann durch Ableiten das elektrische Feld und damit die wirkenden Kräfte
bestimmen.

1.2.2 Magnetische Wechselwirkung

Eigenschaften des Magnetismus


Magnetismus war bis zur Mitte des 19. Jahrhunderts nur als eine Eigenschaft be-
stimmter Stoffe bekannt, scheinbar ohne jeden Bezug zur Elektrizität. Diese Stoffe
heißen Magnete5 und haben folgende Eigenschaften:
• Magnete ziehen Eisen an.
• Magnete haben zwei Pole, Nordpol und Südpol genannt. Schneidet man einen
Magneten zwischen den Polen durch, dann entstehen zwei neue Magnete mit
jeweils wieder zwei Polen.
• Gleiche Pole stoßen sich ab, verschiedene Pole ziehen sich an.
Heute ist bekannt, dass jedes Material magnetische Eigenschaften besitzt, wenn
auch in sehr unterschiedlicher Stärke. Fast unmessbar klein ist die Wirkung ma-
gnetischer Kräfte auf die so genannten diamagnetischen Stoffe. In der Nähe eines
starken Magneten werden diese Stoffe selbst kaum magnetisch. Paramagnetische
Stoffe dagegen werden in der Nähe starker Magnete selbst zu Magneten, verlieren
diese Eigenschaft aber, sobald der Nachbarmagnet entfernt wird. Am größten ist die
5 Der Begriff leitet sich von der griechischen Region Magnesia ab, in der der Überlieferung nach

vor etwa 400 Jahren ein Schäfer namens Magnes erstaunt feststellte, dass seine eisernen Nägel an
einem bestimmten Stein festklebten.
1.2 Grundlagen der Elektrodynamik 13

Wirkung von Magneten auf Eisen, Nickel und Kobalt. Diese können mit Hilfe eines
anderen Magneten dauerhaft selbst zu Magneten werden. Sie werden ferromagneti-
sche Stoffe genannt. In Abb. 1.13 ist zu sehen, dass Späne dieser Materialien in der
Nähe eines Magneten regelmäßige Muster formen, weshalb auch hier dem Raum
eine Eigenschaft zugesprochen werden muss: das magnetische Feld.

Abb. 1.13 Eisenstäbchen auf


einer Glasplatte über einem
Magneten. Sie zeigen charak-
teristische Muster, aus denen
auf das Magnetfeld geschlos-
sen wird (Foto: FH Münster,
Physikalische Technik)

Magnetismus und bewegte Ladung


Die Ursache für die verschiedenen magnetischen Stoffeigenschaften ist letztlich die
Wechselwirkung des Magnetfeldes mit den Ladungen der Atome. 6

Bewegte Ladungen erzeugen Magnetfelder, und Magnetfelder wirken auf be-


wegte Ladungen.

Die Erzeugung des Magnetfeldes wird durch das Gesetz von Biot-Savart be-
schrieben: Eine Ladung Q, die sich mit einer Geschwindigkeit v bewegt, erzeugt
an einem r entfernten Punkt ein Magnetfeld
μ0 Q
B= · ·v×r . (1.14)
4π r3
Der Proportionalitätsfaktor μ0 heißt Permeabilität des Vakuums. Dieses Gesetz wird
meist in einer etwas anderen Form angegeben (siehe Aufgabe 1.13). Sein histori-
scher Ursprung ist jedoch die physikalisch äquivalente Beobachtung von Ampère,
dass sich um einen Strom I herum ein Magnetfeld bildet, welches dem Gesetz

B · d = μ0 · I (1.15)
L

genügt. Es trägt den Namen seines Entdeckers. Mit Hilfe des Satzes von Stokes lässt
sich dieses Gesetz auch so umformulieren, dass es die Verhältnisse in infinitesimalen
Regionen beschreibt:

6 Die Idee, dass letztlich alle magnetischen Phänomene elektrischen Ursprungs sind, wurde

zunächst von Ampère vorgebracht. Eine gut zu lesende Abhandlung darüber, wie die Erkennt-
nisse sich historisch entwickelten, ist bei Max Born [5] im Kapitel über die Grundgesetze der
Elektrodynamik nachzulesen.
14 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

 × B = μ0 · J . (1.16)
Die Kraft FProbe , die ein Magnetfeld auf eine Probeladung QProbe ausübt, welche
sich mit der Geschwindigkeit vProbe durch das Magnetfeld bewegt, heißt Lorentz-
Kraft und wird durch die Gleichung

FProbe = QProbe · vProbe × B (1.17)

beschrieben.

Magnetische Dipole
Da es keine magnetischen Monopole gibt, gilt auch kein dem Coulombschen Gesetz
ähnliches Kraftgesetz. Die einfachsten rein magnetisch wechselwirkenden Einhei-
ten sind die magnetischen Dipole.
Die Größe, mit der die Wechselwirkung zwischen einem Magneten und einem
magnetischen Feld beschrieben wird, heißt magnetisches Dipol-Moment μ.
Definition 1.6. Ein Körper hat ein magnetisches Dipol-Moment μ, wenn auf ihn im
homogenen Magnetfeld B ein Drehmoment M = μ × B ausgeübt wird.
Berechnet man die Lorentz-Kraft auf alle Ladungsträger in einer Leiterschleife, so
ergibt sich
μ = I ·A , (1.18)
wobei A der zu einer ebenen Fläche gehörige Flächenvektor ist. Ein Beispiel ist in
Aufgabe 1.18 gegeben.

1.2.3 Zeitlich veränderliche Felder

Ändern sich elektrische oder magnetische Felder, so treten neue Phänomene auf, die
sich nicht mit den bisher genannten Gesetzen beschreiben lassen.

Sich ändernde Magnetfelder erzeugen elektrische Rotationsfelder und umge-


kehrt.

Das Induktionsgesetz, nach seinen Entdeckern auch Faraday-Henry-Gesetz ge-


nannt 7 , gibt an, wie die Änderung eines Magnetfeldes Spannungen erzeugt. Ent-
scheidend dabei ist die Änderung des so genannten magnetischen Flusses.
Definition 1.7. Der magnetische Fluss ΦB durch eine geschlossene Fläche A ist das
Integral
7 Der Überlieferung nach wurde Faraday nach einer Vorführung der Induktion vom Ministerpräsi-

denten gefragt, wozu das gut sei. Er antworte: Why Sir, there is the probability that you will soon
be able to tax it.
1.2 Grundlagen der Elektrodynamik 15

ΦB = B · dA . (1.19)
A

Das Induktionsgesetz gibt an,


 welche Wirkung entlang einer genau diese Fläche
umschließenden Linie L = d entsteht, wenn sich der magnetische Fluss mit der
Zeit ändert: 
dΦB
E · d = − . (1.20)
L dt
Dabei ist das Integral entlang der Linie zu berechnen, die die zum magnetischen
Fluss gehörende Fläche vollständig umschließt. 8
Dieses Gesetz entzieht sich in mehrfacher Hinsicht dem anschaulichen Verständ-
nis. Das beginnt damit, dass es nicht möglich ist, den Punkten im Raum einen Kraft-

Abb. 1.14 Gedankenexperiment


zum Induktionsgesetz: Wenn
innerhalb eines homogenen
Magnetfeldes ein Ring in
zwei Hälften geteilt wird,
so sorgt das Magnetfeld in
der oben liegenden geraden
Leitung für genau den
entgegengesetzten Strom wie
in dem unmittelbar darunter
liegenden geraden Stückchen,
denn die Drehrichung muss
die gleiche sein. Man kann
also keinem Punkt eine in
eine bestimmte Richtung
weisende Kraft zuordnen

vektor zuzuordnen. Warum das so ist, zeigt ein kleines Gedankenexperiment (siehe
auch Abb. 1.14):
In einem homogenen, zeitveränderlichen Magnetfeld befinde sich ein Ring. In
diesen werde eine Spannung so induziert, dass ein Strom in mathematisch positiver
Richtung fließe. Nun werde der Ring in zwei Teile geteilt und die jeweils offenen
Enden verbunden und das gleiche, sich mit der Zeit ändernde Magnetfeld angelegt.
In beiden Halbringen wird wieder ein Strom in mathematisch positiver Richtung
fließen. Aber was ist in der Mitte? Treibt die Feldänderung den Strom nach rechts
oder nach links...?
Ebenfalls unanschaulich ist die Tatsache, dass zwar eine Spannung induziert
wird, gleichzeitig aber keinem Punkt ein Potenzial zugeordnet werden kann. Zer-
schneidet man die Leiterschleife in Abb. 1.14 ganz oben, dann scheint das obere
linke Ende der Leiterschleife das höchste und das obere rechte Ende das niedrigste
Potenzial zu haben. Schneidet man dagegen den Ring unten durch, dann scheint der

8 Versuche, die Fläche in Teilflächen und die Linie in Teillinien zu unterteilen, führen fast im-

mer zu falschen Ergebnissen. Ausnahmsweise korrekte Ergebnisse werden nur bei Geometrien mit
besonderen Symmetrie-Eigenschaften oder Zwangsbedingungen erreicht.
16 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

Punkt mit dem höchsten Potenzial unten rechts zu liegen. Letztlich kann auf diese
Weise jedem Punkt jedes beliebige Potenzial zugewiesen werden, was nicht sinnvoll
sein kann.
Am besten stellt man sich das durch Induktion hervorgerufene elektrische Rotati-
onsfeld als Summe sehr vieler, sehr kleiner Felder vor. Diese bedecken die gesamte
zum magnetischen Fluss beitragende Fläche. Überall außer am Rand heben sich die
Induktionskräfte auf. Dies ist im Übrigen mehr als eine Veranschaulichung. Denn
es ist durch den Satz von Stokes gerechtfertigt, der in diesem Falle besagt:
 
E · d = ( × E) · dA . (1.21)
L A

Vergleicht man Gl. (1.21) mit dem Induktionsgesetz (Gl. (1.20)), so ergibt dies eine
alternative Formulierung, die infinitesimale Flächenelemente betrachtet:

∂B
( × E) = − . (1.22)
∂t
Schneidet man eine die Fläche A umschließende Leiterschleife an einem beliebigen
Punkt durch, so ergibt sich zwischen den Enden eine Spannung

Leitung Leitung dΦB
E · d = UEnde −UAn f ang = − . (1.23)
L dt

Genau so wie Änderungen von Magnetfeldern elektrische Wirkungen hervorru-


fen, rufen sich verändernde elektrische Felder magnetische Wirkungen hervor. In
diesem Fall ist der elektrische Fluss entscheidend:

Definition 1.8. Der elektrische Fluss ΦE durch eine geschlossene Fläche A ist das
Integral 
ΦE = E · dA . (1.24)
A

Die Änderung des elektrischen Flusses erzeugt ein magnetisches Wirbelfeld gemäß
dem so genannten Ampère-Maxwell-Gesetz:

dΦE
B · d = ε0 μ0 . (1.25)
L dt
Die Anwendung des Satzes von Stokes gibt auch für dieses Gesetz eine alternative
Formulierung:
∂E
( × B) = ε0 μ0 . (1.26)
∂t
1.2 Grundlagen der Elektrodynamik 17

1.2.4 Die Maxwellschen Gleichungen

Alle bisher geschriebenen Gesetze können in vier9 Gleichungen zusammengefasst


werden, die als Maxwellsche Gleichungen[11] bekannt geworden sind.
Die erste Maxwellsche Gleichung verbindet die Gesamtladung Q mit dem von
ihr erzeugten Feld E. Sie besagt: Für jede die Ladung vollständig umschließende
Oberfläche A gilt 
E · dA = Q/ε0 . (1.27)
Ober f l äche

Diese Gleichung ermöglicht es, für eine gegebene Ladung auszurechnen, welche
Feldstärken und damit auch, welche Kräfte von ihr erzeugt werden. Dies ist auch
eine elegante Verallgemeinerung des elektrischen Kraftgesetzes, Gl. 1.9 (das Gesetz
von Coulomb, siehe auch Aufgabe 1.9). Der in der Vektoranalysis als Gaußscher
Satz [12] bekannte Zusammenhang von Divergenz und Oberflächenintegral erlaubt
noch eine andere Darstellung
 
E · dA =  · E · dV . (1.28)
Ober f l äche Volumen

Wenn man bedenkt, dass Q/V gerade die Ladungsdichte ρ ist, dann lässt sich die
erste Maxwellsche Gleichung auch als

 · E = ρ/ε0 (1.29)

schreiben.
Die erste Maxwellsche Gleichung beinhaltet eine wichtige Information über die
Struktur aller durch Ladungen hervorgerufenen elektrischen Felder (siehe auch Abb.
1.11 und 1.12): Man stelle sich eine immer kleiner werdende geladene Kugel vor.
Je kleiner die Kugel wird, desto näher rücken die Anfänge der Feldlinien zusam-
men. Wenn die Kugel nur noch als Punkt erscheint, scheinen alle Feldlinien von
diesem Punkt auszugehen. Daher sind Punktladungen die Quellen und Senken des
elektrischen Feldes.
Von großer technischer Bedeutung ist auch die Rückwärts-Interpretation des
Gaußschen Satzes, denn sie besagt, dass aus gegebenen elektrischen Kräfteverhält-
nissen die beteiligten Ladungen folgen. So lässt sich das Verhalten eines Kondensa-
tors am leichtesten mit Hilfe dieses Gesetzes vorhersagen. Darauf soll im nächsten
Kapitel näher eingegangen werden.
Die zweite Maxwellsche Gleichung lautet

B · dA = 0 . (1.30)
Ober f l äche

Sie wird auch als Gaußscher Satz für das Magnetfeld bezeichnet. Für jede ge-
schlossene Oberfläche verschwindet das Integral über das Skalarprodukt mit der
9 In der Originalveröffentlichung von 1865 waren es noch 20 Gleichungen mit 20 Unbekannten.

Dieses Faktum wird heute meist ignoriert [10].


18 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

magnetischen Feldstärke. Es gibt also keine magnetische Ladung so wie es eine


elektrische Ladung gibt. Denn die Gleichung besagt, dass das Magnetfeld keine
Quellen hat. Wenn aber die Linien des Magnetfeldes weder Anfang noch Ende ha-
ben, so müssen sie geschlossen sein: Jeder Punkt einer Magnetfeldlinie ist auch
ihr Anfang und ihr Ende. Der Gaußsche Satz für das Magnetfeld ist also gleichbe-
deutend mit der Tatsache, dass beim Zerschneiden eines Magneten immer wieder
Magnete mit zwei Polen entstehen (siehe Abschnitt 1.2.2).
Die dritte Maxwellsche Gleichung ist das Induktionsgesetz für Magnetfelder, Gl.
1.20. Die vierte Maxwellsche Gleichung fasst die beiden Möglichkeiten zusammen,
ein Magnetfeld zu erzeugen. Aus den Gleichungen 1.15 und 1.25 erhält man

dΦE
B · d = μ0 · I + ε0 μ0 . (1.31)
L dt
Insgesamt findet man so den Satz von vier Gleichungen, die heute als Maxwell-
sche Gleichungen bekannt und in Abb. 1.15 (vergleiche[2]) veranschaulicht sind.

Abb. 1.15 Makroskopische Veranschaulichung der differenziellen Form der Maxwellschen Glei-
chungen: Ladungen sind die Quellen des elektrischen Feldes:  · E = ρ/ε0 . Das magnetische Feld
hat keine Quellen, es ist ein Rotationsfeld:  · B = 0. Elektrische Rotationsfelder entstehen durch
Magnetfeldänderungen  × E = − ∂∂tB , und magnetische Felder entstehen durch Ströme und Ände-
rungen des elektrischen Feldes:  × B = μ0 · J + ε0 μ0 ∂∂tE
1.2 Grundlagen der Elektrodynamik 19

E · dA = Q/ε0 ,  · E = ρ/ε0
Ober f l äche
B · dA = 0 , ·B = 0
Ober f l äche (1.32)
E · d = − dt dΦB
,  × E = − ∂∂tB
Rand dΦE ∂E
Rand B · d = μ0 · I + ε0 μ0 dt ,  × B = μ0 · J + ε0 μ0 ∂t

Mit diesen vier Gleichungen ist grundsätzlich alles gesagt. Nur: So elegant ihre
Formulierung auch daher kommt, so eingeschränkt ist ihre Lösbarkeit. Einer kleinen
Zahl analytischer Lösungen steht eine Unmenge von Problemen gegenüber, für die
nur Näherungslösungen der Maxwellschen Gleichungen bekannt sind.
Oft sind es formale Umwege, die am schnellsten ans Ziel führen. Aus diesem
Grunde wurden zusätzliche Größen (siehe jedoch Abb. 1.16) eingeführt. Die elek-

Abb. 1.16 Messbare Größen


(links) und Rechenhilfsgrößen
(rechts): In den Maxwellschen
Gleichungen 1.32 sind die
messbaren Größen zusammen
gefasst. Sinn der Hilfsgrößen
ist die Abkürzung bestimmter
Rechenwege

trische Verschiebung D und die magnetische Erregung H sind so definiert, dass die
vierte Maxwellsche Gleichung in der folgenden Form geschrieben werden kann:

∂D
×H = J + . (1.33)
∂t
H und D sind immer dann nützlich, wenn die Felder verschiedene Materialien
durchdringen.
Für Feldberechnungen komplexer Geometrien hat sich neben dem elektrischen
Potenzial V die Definition eines magnetischen Potenzials A als hilfreich erwiesen,
so dass
∂A
E = −  ·V + und B =  × A . (1.34)
∂t

Die Maxwellschen Gleichungen 1.32 und die in ihnen vorkommenden Größen


beschreiben die gesamte Elektrodynamik. Alle nicht darin vorkommenden
Größen sind Hilfskonstrukte, die bei besonderen Problemstellungen (Mate-
rialien und Geometrien) helfen sollen, schneller zu Lösungen zu kommen.
20 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

1.3 Antworten zu Kapitel 1

1.1 Nach dem Coulombschen Gesetz (Gl. 1.3) verneunfacht sich die Kraft. Die-
se Vergrößerung kann dadurch kompensiert werden, dass der Abstand verdreifacht
wird.
1.2 Wie in Abb. 1.17 gezeigt, entstehen zwei neue Magnete mit jeweils zwei Polen,

Abb. 1.17 zur Aufgabe 1.1:


Zerschneidet man einen Ma-
gneten, so entstehen zwei
neue mit der gleichen magne-
tischen Orientierung

und zwar so, dass zwei verschiedene Pole nah beieinander sind. Daher ziehen sich
die Magnete an. Antwort b) ist richtig.
1.3 Nein, diese Aussage stimmt nicht. Vielmehr ist die Berechnung des elektri-
schen Dipol-Moments nach Definition 1.4 vom Bezugssystem unabhängig. Beweis:
Eine Änderung des Bezugssystems bedeutet, zu allen Vektoren ri einen konstanten
Vektor R hinzu zu addieren. Gemäß Gl. (1.11) bedeutet dies p = ∑ni=1 Qi · (ri + R).
Trennt man die Summe in zwei Teile, so wird deutlich, dass der Term mit R ge-
nau dann verschwindet, wenn die Summe aller Ladungen Null ist: p = ∑ni=1 Qi · ri +
(∑ni=1 Qi ) · R.
1.4 Ja, die Äquipotenziallinien verlaufen senkrecht zu den Feldlinien, denn der
Energiegewinn kann gemäß Gl. 1.12 nur tangential zu den Feldlinien erfolgen.
1.5 Nach Gl. 1.20 wird immer dann eine Spannung induziert, wenn sich der ma-
gnetische Fluss ändert.
a) Im Inneren eines Magneten ein Stromkabel so aufzuwickeln, dass die magneti-
schen Feldlinien durch die Windungen hindurchgehen, bedeutet: In der Ausgangs-
situation gab es keinen nennenswerten elektrischen Fluss, denn es gab keine vom
Leiter umschlossene Fläche. Nach dem Wickeln beträgt der Gesamtfluss ΦM bei
N Windungen um eine Fläche A : ΦM = NB · A. Wird zum Wickeln eine Zeit t
benötigt, so wird eine Spannung Uind = −NB · A./t induziert , die zwarklein, aber
nicht Null ist.
b) und c) In einem starken homogenen Feld eine Leiterschleife quer zu den Feld-
linien verschieben ändert nicht den magnetischen Fluss und erzeugt daher keine
Spannung, ebenso wenig wie eine Rotation um die Symmetrieachse.
d) Eine Leiterschleife um eine andere als ihre Symmetrieachse zu drehen, verändert
den magnetischen Fluss und führt zu Spannungen.
1.3 Antworten zu Kapitel 1 21

1.6 Wenn man einen Magneten halb durchschneidet, dann entstehen zwei Magnete
mit jeweils kleinerem Dipol-Moment, egal ob längs oder quer geschnitten wurde.
a) Wird der Magnet längs durchgeschnitten, so bleibt der Polabstand konstant, je-
doch trägt nur die Hälfte der atomaren Dipole zum Dipol-Moment bei, das Gesamt-
moment halbiert sich.
b) Wird der Dipol quer durchgeschnitten, so halbiert sich die Anzahl der atomaren
Magnete und der durchschnittliche Abstand ebenfalls.
Antwort c) ist also richtig.
1.7 Auch statische Magnetfelder werden durch bewegte Ladungen erzeugt (siehe
Abschnitt 1.2.2). Daher kann Antwort a) nicht richtig sein, vielmehr stimmt Antwort
b) (siehe auch Abschnitt 1.2.3).
Ergänzung c) enthält zwei Fehler: Erstens ist die Elektrotechnik weder Elek-
trostatik noch Elektrodynamik, sondern deren technische Anwendung. Und zwei-
tens sind sowohl Elektrostatik als auch Elektrodynamik untrennbar mit der speziel-
len Relativitätstheorie verbunden. Wann eine Ladung ein elektrisches Feld erzeugt
und wann ein magnetisches Feld, ist von der Geschwindigkeit des Beobachters
abhängig. Dass, unabhängig von der Geschwindigkeit des Beobachters, immer die
gleichen Gesamtkräfte aus den Maxwellschen Gleichungen herauskommen, das ist
das Ergebnis der heute als spezielle Relativitätstheorie bekannten Transformations-
Gleichungen (siehe Abb. 1.6 ).
1.8 μ0 ist in den mittlerweile zum Standard gewordenen SI-Einheiten mathematisch
und nicht experimentell definiert. (Details siehe Anhang B) Daher ist μ0 so genau
bekannt wie die Zahl π, also auf Tausende von Stellen, und zwar aus folgendem
Grund: Ein Strom von einem Ampère ist über dessen magnetische Kraftwirkung
definiert: Zwei lange, dünne, einen Meter voneinander entfernte Leiter im Vakuum
transportieren genau dann einen jeweils entegengesetzten Strom von einem Ampère,
wenn auf jeden Meter Länge des Leiters eine Kraft von F/ = 2 · 10−7 N/m wirkt.
Nach dem Ampèreschen Gesetz ist

Bd = μ0 I → B · 2π · 1 m = μ0 1 A . (1.35)

Die Kraft des Magnetfeldes auf ein Stückchen Δ  des anderen Leiters folgt aus der
Lorentz-Kraft, deren Handhabung sich dadurch vereinfacht, dass Strom und Ma-
gnetfeld senkrecht aufeinanderstehen:

Δ
ΔF = ΔQ·v×B → ΔF = ΔQ· ·B . (1.36)
Δt
Gleichung 1.36 lässt sich als Kraft pro Länge umschreiben:

ΔF N
= I · B → 2 · 10−7 = 1A · B . (1.37)
Δ m
Aus den Gleichungen 1.37 und 2.52 lässt sich die magnetische Feldstärke B elimi-
nieren, und man erhält
22 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

Nm
μ0 = 4π · 10−7
, (1.38)
A2
eine Zahl also, die genau so genau bekannt ist wie π.
1.9 Das Coulombsche Gesetz (Gl. (1.9)) kann aus dem Gaußschen Satz für die elek-
trische Ladung (Gl. 1.27) hergeleitet werden. Dazu stelle man sich eine Ladung Q
im Ursprung des Koordinatensystems vor. Wie groß und in welche Richtung zeigend
ist dann das elektrische Feld E, zum Beispiel am Punkt r = (r, 0, 0)? Zur Anwen-
dung des Gaußschen Satzes legen wir eine Kugel vom Radius r um die Ladung.
Dann ligen alle Flächenvektoren parallel zu den Feldvektoren (E · dA = E · A). Für
alle Punkte r auf der Kugeloberfläche hat der Feldvektor E die gleiche Richtung wie
die Radius-Vektoren: E = E · r/r. Nach Gl. (1.27) ist dann

E · dA = 4πr2 E = Q/ε0 . (1.39)
Ober f l äche

Umgestellt nach E ergibt sich der Betrag


Q
E= (1.40)
4πε0 · r2

und mit Hilfe der Kugel-Symmetriebedingung E = E · r/r schließlich das Coulomb-


sche Gesetz 1.9.
1.10 Ein Beispiel ist in Abb. 1.18 gezeigt. Aus sehr großer Entfernung betrachtet

Abb. 1.18 zur Aufgabe 1.10:


Elektrisches Feld zweier sehr
unterschiedlicher Ladungen.
Bei sehr ungleich großen La-
dungen treffen die Feldlinien
sogar von der Rückseite auf
die kleinere Ladung

ist das Feld von dem einer Einzelladung, die die Summe der beiden Teilladungen
enthält (vom Betrag her also die Differenz, da die Vorzeichen verschieden sind)
kaum zu unterscheiden.
1.11 Zur Berechnung des elektrischen Dipol-Moments nach Definition 1.4 wird das
Sauerstoff-Atom in den Ursprung des Koordinatensystems gelegt. Die Wasserstoff-
Kerne werden symmetrisch um die x-Achse gelegt. Damit kürzen sich die y- und z-
Komponenten des Dipol-Moments heraus. Die verbleibende x-Komponente ist dann
px = 2 · e · d · cos(φ /2). Dabei ist φ der Winkel zwischen den Wasserstoff-Atomen.
In Zahlen ergibt sich px = |p| = 1, 88 · 10−29 Cm. Dieser Wert ist gut dreimal so
groß wie der experimentell bestimmte Wert. Daraus folgt, dass die Bindung des
1.3 Antworten zu Kapitel 1 23

Wassermoleküls sind nur in geringem Maße ionischer Natur ist. Bildlich gespochen:
Die Wasserstoff-Atome haben ihre Elektronen zum erheblichen Teil selbst behalten
und nicht an das Sauerstoff-Atom abgegeben.
1.12 Ein infinitesimaler Flächenvektor dA ist, wie in Abb. 1.19 gezeigt, ein Vek-

Abb. 1.19 zur Aufgabe 1.12:


Skizze zur Bedeutung eines
Flächenvektors: Jeder Fläche
kann ein Vektor zugeordnet
werden, der die Größe und
die Orientierung der Fläche
angibt

tor, dessen Richtung senkrecht von der Oberfläche weg zeigt, und dessen Betrag die
Größe der Fläche ist. So wird zum Beispiel in einem kartesischen (x, y, z) Koordi-
natensystem der Flächenvektor zu einem infinitesimalen Stückchen der x-y-Ebene
dA = dx · dy · ez = dx · dy · (0, 0, 1).
Die Beschreibung von Flächen durch Vektoren hilft, Flüsse von Vektorfeldern
durch Oberflächen auf sehr kompakte Weise zu beschreiben. Sie ist damit ein
Schlüssel zum Verständnis der in Abschnitt 1.2.3 beschriebenen Induktionsvorgänge
(siehe auch Aufgabe 1.19).
1.13 Nach Gl. 1.14 kann der Beitrag Δ B einer kleinen Teilladung Δ Q zum gesamten
Magnetfeld als
μ0 Δ Q
ΔB = · ·v×r (1.41)
4π r3
geschrieben werden. In einer Leitung bewegen sich die Ladungsträger parallel und
entlang der Leitung. Daher kann der Geschwindigkeitsvektor v als Δ /Δt geschrie-
ben werden, wobei Δ  ein Stückchen entlang der Leitung ist. So ergibt sich die
Form
μ0 Δ Q Δ 
ΔB = · · ×r . (1.42)
4π r3 Δt
Dabei können Δ Q und Δt zum Strom I zusammengefasst werden und man erhält
μ0 I
ΔB = · ·Δ×r . (1.43)
4π r3
Nun wird zu infinitesimalen Stückchen der Leitung übergegangen, Δ  → d, und
über alle infinitesimalen Beiträge dB integriert. Da der Strom I überall in einer
Leitung der gleiche sein muss, kann er vor das Integral geschrieben werden. Das
Ergebnis ist die Gl. 1.1.
1.14 Das elektrische Feld hat Quellen und Senken, die durch die vorhandenen La-
dungen festgelegt werden. Begründung: Man stelle sich eine einzige, punktförmige
positive Ladung im Zentrum einer kleinen Kugel vor. Nach dem Gaußschen Satz,
bzw. der ersten Maxwellschen Gleichung (1.27), zeigen die Feldvektoren alle aus
24 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

der Kugeloberfläche heraus. Im Grenzfall einer infinitesimal kleinen Kugel gehen


alle Feldvektoren von diesem kleinen Gebilde aus. Das zum Punkt geschrumpfte
Kügelchen ist also die Quelle des elektrischen Feldes. Entsprechend kann man sich
eine negative Ladung vorstellen. Dann erhält man eine Senke des elektrischen Fel-
des.
1.15 Aus den Geometriebedingungen folgt, dass die Magnetfeldlinien innerhalb des
Torus’ Kreise bilden und dass die Magnetfeldstärke entlang dieser Kreise konstant
ist. Nach dem Biot-Savardschen Gesetz (siehe Aufgabe 1.13) ist der Beitrag einer
Leiterschleife zu dem Magnetfeld im Zentrum der Leiterschleife

μ0 d × r μ0
BZentrum = ·I · 3
→ BZentrum = ·I . (1.44)
4π Schlei f e r 2r

Für N Windungen ist BZentrum = N · I · μ0 /(2r). Mit Hilfe des Ampèreschen Ge-
setzes lässt sich nun auf die Feldstärke bei anderen Radien schließen. Denn jede
Feldlinie umschließt den gleichen Strom n · I. Für einen konzentrischen Kreis mit
einem Abstand a zum Mittelpunkt des Torus’ gilt also

B · a = BZentrum · R . (1.45)

Das Magnetfeld nimmt also proportional zu 1/a ab.


Im Grenzfall eines sehr großen Torus-Radius’ werden die relativen Unterschie-
de der Längen der Feldlinien immer unbedeutender. Das Magnetfeld zwischen den
Windungen wird im Grenzfall R → ∞ homogen. Stellt man sich diesen Torus als
Aneinanderreihung vieler fast gerader Spulen vor, so folgt:

Im Inneren einer langen zylindrischen Spule ist das Magnetfeld homogen.

1.16 Aus Symmetriegründen müssen alle Komponenten des Magnetfeldes außer Bx


in Abb. 1.20 verschwindend gering sein. Um das im Ampèreschen Gesetz auftrete-
tende Pfadintegral auszurechnen, teilen wir daher den Pfad in vier Teile auf, zwei
mit der Länge x davon parallel zum Magnetfeld in der Spule, zwei mit der Länge
y senkrecht dazu. Wie in Abb. 1.20 gezeigt, sind drei der Beiträge zu B · Δ  gleich
Null, zwei wegen des 90◦ -Winkels, einer, weil das Rückfeld so stark verdünnt ist,
dass es keinen nennenswerten Beitrag liefert. Also ist

B · d = x · B = μ0 NI . (1.46)

Umgestellt nach B ergibt sich


N
B = μ0 I ·
. (1.47)
x
Gleichung (1.47) sieht man an: Die Stärke des Magnetfeldes hängt weder von der
Länge, noch vom Durchmesser der Spule, noch von der radialen Position innerhalb
1.3 Antworten zu Kapitel 1 25

Abb. 1.20 zur Aufga-


be 1.16: Anwendung des
Ampèreschen Gesetzes auf
eine lange Spule: Nur der
untere Teil des Pfades liefert
einen nennenswerten Beitrag:
B · Δ  = x · B. Der Pfad um-
schließt den Strom I N-mal
(hier: N = 3)

der Spule ab, sondern (außer vom Strom I) nur von der Windungsdichte N/x, also
der Anzahl der Windungen pro Längeneinheit.
1.17 a) Der Betrag der Feldstärke, E, ergibt sich aus dem Coulombschen Gesetz
(siehe Gl. 1.9) zu
dQ
dE = (1.48)
4πε0 (h2 + R2 )
Dabei ist die Richtung genau die des Abstandsvektors von dQ zum betrachteten
Punkt. Legen wir fest, dass der Ring in der x − y-Ebene liegt und die Ringachse
gleich der z-Achse ist, kann dE durch den Betrag E und die Winkelfunktionen an-
gegeben werden. Wenn θ der Winkel zur z-Achse ist, ist dEz = cos θ · dE. Nennt
man φ den Winkel zur x-Achse in der x − y-Ebene, dann ergibt sich insgesamt

dE = (dEx , dEy , dEz ) = dE · (sin θ cos φ , sin θ sin φ , cos θ ) (1.49)

Der Winkel φ ist durch die Aufgabenstellung nicht bestimmt. θ ergibt sich aus

h
cos θ = √ . (1.50)
h2 + R2

b) Die gesamte Feldstärke entlang der z-Richtung ergibt sich durch Integration über
die Kreislänge d = Rdφ . Diese muss aber nicht explizit ausgeführt werden:
 
dQ cos θ · Q
Ez = cos θ E = cos θ dE = cosθ = . (1.51)
4πε0 (h2 + R2 ) 4πε0 (h2 + R2 )

Jetzt muss noch der Winkel ersetzt werden:


Q·h
Ez = . (1.52)
4πε0 (h2 + R2 )3/2

Die Komponenten Ex und Ey verschwinden bei der Integration aufgrund der Rotations-
Symmetrie des Problems.
c) Der Schwebezustand ist erreicht, wenn die Gewichtskraft Fg = m · g genau so
26 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

stark ist wie die elektrische Kraft F = Q · E. In diesem Fall ist also

mProbe · g · 4πε0 (h2 + R2 )3/2


QProbe · Ez = mProbe · g → QProbe = . (1.53)
Q·h
Sowohl für sehr kleine h (fällt durch ) als auch für sehr große h (zu weit weg) diver-
giert die notwendige Ladung QProbe .
1.18 Lösungsstrategie: Die Leiterschleife wird in ihre vier Bestandteile zerlegt.
Diese werden einzeln hinsichtlich der wirkenden Lorentz-Kräfte betrachtet. Vor der

Abb. 1.21 zur Aufgabe 1.18:


Kräfte auf eine Leiterschleife
im Magnetfeld. Hier ist B =
(0, 0, B). Deshalb liegen alle
resultierenden Kräfte in der
x − y-Ebene. Ganz oben und
ganz unten fließt der Strom
(anti-) parallel zu x-Achse.
Die Kraft muss hier also
(anti-) parallel zur y-Achse
gerichtet sein

eigentlichen Berechnung muss man sich im Klaren über die Richtung der einzelnen
Kräfte sein.
Lösung: Aus Abb. 1.21 ist ersichtlich, dass die Kraft auf das untere Leitungsstück
immer in Richtung der y-Achse zeigen muss, denn es gilt (−1, 0, 0) × ((0, 0, 1) =
(0, 1, 0). Die Kraft auf das obere Leitungsstück ist gleich groß und genau entge-
gengerichtet. Diese beiden Kräfte werden also zum Drehmoment beitragen. Jedes
dieser Leitungsstückchen trägt einen Teil Δ F = (0, Δ F, 0) = Δ Q · v × B bei. Da v
und B senkrecht aufeinander stehen, kann die Kraftkomponente Δ F skalar berech-
net werden. Dazu der Standard-Kniff:
Δx ΔQ
ΔQ·v = ΔQ· = Δx· = Δx·I . (1.54)
Δt Δt
Mit Hilfe dieser Beziehung kann die gesamte Kraft vom oberen Leitungsstück be-
rechnet werden:
  
F= dF = v · B dQ = BI dx = B · I · L . (1.55)

Die Kraft auf das untere Teilstück ist genau so groß, aber entgegengesetzt gerichtet.
Da der Strom im vorderen Leitungsstück von der Form I = (0, Iy , Iz ) ist, muss
der Kraftvektor parallel oder antiparallel zur x-Achse sein. Aus Symmetrie-Gründen
hebt er genau die Kraft auf, die auf das hintere Stück wirkt. Beide bewirken, dass
die Leiterschleife entlang der x-Achse auseinandergezogen wird. Sie tragen nicht
zum Drehmoment bei.
1.3 Antworten zu Kapitel 1 27

Das Gesamt-Drehmoment ist also das Doppelte dessen, was bei ausschließlicher
Betrachtung des unteren Leitungsstückes herauskommt: F = (0, 2 · B · I · L, 0). Nennt
man φ den Winkel zur y-Achse um die x-Achse herum, so erhält man mit r = L/2

M = r × F = (B · I · L2 · sin(φ ), 0, 0) . (1.56)

Das gleiche Ergebnis erhält man aus der Definition 1.6, wenn man Gl. 1.19 an-
nimmt. Daraus lässt sich schließen, dass in der Tat das magnetische Dipol-Moment
einer Leiterschleife durch das Produkt aus Flächenvektor und Umlaufstrom gegeben
ist.
1.19 Er findet den Gaußschen Satz für das Magnetfeld (Gl. 1.30) wieder! Dies wird
in Abb. 1.22 deutlich. Denn der Volumenstrom des Wassers durch eine Fläche A ist

Abb. 1.22 zur Aufgabe 1.19:


Fluss eines Vektorfeldes,
hier als Beispiel die Fließ-
geschwindigkeiten in einem
Bach. Die Quellenfreiheit die-
ses Feldes ist gleichbedeutend
mit der Erhaltung der Wasser-
menge: So viel Wasser, wie in
jedes Volumen hineinströmt,
muss auch wieder hinaus


gerade Ober f l äche v · dA. Wenn das Integral über eine geschlossene Fläche berechnet
wird, so gibt es an, wie groß der Wasser-Volumengewinn pro Zeit ist. Da die Masse
erhalten und die Dichte praktisch konstant ist, gilt auch hier:

v · dA = 0 . (1.57)
Ober f l äche

An diesem Beispiel wird der Sinn des Skalarproduktes zwischen Vektorfeld und
Flächenvektor deutlich: das Skalarprodukt projiziert genau den Teil des Vektorfel-
des heraus, der senkrecht zur Fläche steht - und nur dieser Teil beschreibt den Zu-
und Abfluss!
1.20 Die beiden Induktionsgesetze sind diejenigen, die eine zeitliche Veränderung
(∂ /∂t) mit einer räumlichenVeränderung (×) verbinden. Daher sind sie der Start-
punkt für die Suche nach einer Wellengleichung. Das Ampère-Maxwell-Gesetz (Gl.
(1.26)) und das Faraday-Henry-Gesetz (Gl. (1.22))

∂E ∂B
( × B) = ε0 μ0 und ( × E) = − (1.58)
∂t ∂t
können ineinander eingesetzt werden, wenn jeweils eins von ihnen von links mit
× multipliziert wird:
28 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik

∂B ∂ 2E
 × ( × E) = −  × = −ε0 μ0 . (1.59)
∂t (∂t)2

Wegen der für alle Vektoren v gültigen Identität

 × ( × v) = ( · v) − 2 v (1.60)

können wir die linke Seite der Gl. 1.59 umschreiben:


∂ 2E
( · E) − 2 E = −ε0 μ0 . (1.61)
(∂t)2

Im Vakuum ist aber wegen  · E = ρ/ε0 der linke Term in Gl. 1.61 gleich Null.
Übrig bleibt die Wellengleichung

∂ 2E
2 E = ε0 μ0 . (1.62)
(∂t)2

Diese Differenzialgleichung beschreibt eine (ansonsten von Randbedingungen ab-


hängige) Wellenausbreitung mit der Geschwindigkeit
1
c= √ . (1.63)
ε0 μ0

Der Rechenweg für das magnetische Feld verläuft analog und gibt das gleiche Er-
gebnis:
∂ 2B
2 B = ε0 μ0 . (1.64)
(∂t)2
q.e.d.
1.21 Lösungsstrategie: Man muß sich klar machen, dass die Kraft allgemein als
Impulsänderung definiert ist F = d p/dt und überlegen, was das für einen Strom
einfach geladener Teilchen mit einer bestimmten Geschwindigkeit bedeutet.
Lösung: a) Die Austrittsgeschwindigkeit ergibt sich bei konstanter Ionengeschwin-
digkeit v zu
d p d(mv) dm
F= = = v· . (1.65)
dt dt dt
Auflösen nach v und Einsetzen der Zahlen ergibt

v = 28 000 m/s  100 000 km/h . (1.66)

b) Da die Spannung gemäß Gl. 1.12 gerade Energie pro Ladung und die Energie
gerade die kinetische Energie der Ionen Ist, ergibt sich
1
U = W /Q = mv2 /e . (1.67)
2
1.3 Antworten zu Kapitel 1 29

Die Masse eines Xenon-Atoms ist die Molmasse dividiert durch die Avogadro-Zahl:
Da ein Mol Xenon 131, 1g und einer Teilchenanzahl von n = 6, 022 1023 entspricht,
ergibt sich in Zahlen U = 534 V.
Der Teilchenstrom lässt sich in einen Ladungsstrom umrechnen:

dQ dQ dm
I= = · ; (1.68)
dt dm dt
dabei ist dQ/dm einfach das Verhältnis von Elementarladung zur Masse eines ein-
zelnen Xenon-Atoms. In Zahlen:
1, 602 10−19 C · 6, 022 1023 · 3, 25 10−6 kg/s
I= = 2, 39 A . (1.69)
0, 1313 kg
c) Dass es trotz des großen Stromes nicht zum Aufladen des Satelliten kommt, liegt
daran, dass beim Austritt der Ionen Elektronen mitgerissen werden. Da die Elek-
tronen im Vergleich zu den Ionen eine vernachlässigbar kleine Masse haben, ändert
dies die Schubkraft praktisch nicht.
1.22 Lösungsstrategie: Die Lorentz-Kraft wird für die Ladungsträger in der Achse
berechnet und als elektrische Kraft entlang einer durch die Achse des Zuges gehen-
den Leiterschleife uminterpretiert.

Abb. 1.23 zur Aufgabe 1.22:


Ein ICE3 und die bei seiner
Fahrt mit der Geschwindig-
keit v verursachte Änderung
des magnetischen Flusses auf-
grund der Flächenzunahme
Δ A (rechts). (Foto: Siemens)

Lösung: Wir betrachten die Elektronen im Metall als Ladungsträger, deren Ge-
schwindigkeit durch die Bewegung der Achse des in Abb. 1.23 gezeigten Zuges vor-
gegeben wird. Entsprechend Gl. 1.3 erfahren sie eine Kraft F = QElektron · vAchse ×
BErde . Es ist den Ladungsträgern dabei egal, ob diese Kraft magnetisch oder elek-
trisch genannt wird. Deshalb kann jedem Punkt innerhalb der Achse genauso gut
ein elektrisches Feld E = F/Q zugeordnet werden:
E = vAchse × BErde . Die resultie-
rende Spannung ist gemäß Definition 1.5 U = Achse E · ds. Alle Ladungsträger auf
den Schienen und deren Erdverbindungen sind in Ruhe. Deshalb hat nur die Achse
es Zuges in Abb. 1.23 einen Beitrag zur Induktionsspannung. Die gesamte in die
Leiterschleife induzierte Spannung ist genauso groß wie die der Achse allein:
30 1 Physikalische Grundlagen: Elektrodynamik
  
U= E · ds = E · ds = vAchse × BErde · ds (1.70)
Achse Schlei f e Schlei f e

Bis zu diesem Punkt haben wir nur die Lorentz-Kraft betrachtet. Aber das letzte
Integral kann so umgerechnet werden, dass am Ende das Faraday-Hernry-Gesetz
übrig bleibt.
Das Faraday-Henry-Gesetz beschreibt die Konsequenzen einer Änderung des
magnetischen Flusses. Da das Erdmagnetfeld aber konstant ist, kann es hier nur
um die Änderung der Fläche gehen. Für die in Abb. 1.23 betrachtete Leiterschleife
ergibt die Geschwindigkeit in einer Zeitspanne Δt einen Flächenzuwachs von

Δ A = (vΔt) × LAchse = −LAchse × (vAchse Δt) = − ds × (vΔt) . (1.71)
Achse

Von Gl. 1.71 ist es nur noch ein kleiner Schritt zur Änderung des magnetischen
Flusses, Δ ΦB /Δt = BErde · Δ A/Δt:

Δ ΦB
=− BErde · ds × vAchse . (1.72)
Δt Achse

Das Spatprodukt in Gl. 1.72, B · ds × v, ist invariant gegenüber einer zyklischen


Vertauschung. Deswegen können wir schreiben
 
Δ ΦB
=− ds · vAchse × BErde = − ds · vAchse × BErde (1.73)
Δt Achse Schlei f e

oder mit Gl. (1.70) 


Δ ΦB
=− E · ds . (1.74)
Δt Schlei f e

Das ist das Induktionsgesetz.


1.23 Nein, hier liegt kein Widerspruch vor. In keinem einzigen Fall beinhaltet ein
Magnetfeld die Zuordnung eines Kraftvektors zu einem Punkt im Raum. Das Ma-
gnetfeld unterscheidet sich damit grundsätzlich vom elektrischen Feld (und auch
vom Gravitationsfeld).
Die genauere Betrachtung zeigt: Sowohl bei der Lorentz-Kraft als auch bei der
Induktion gehört zur Berechnung der Kraft an einem Punkt neben der Kenntnis
der Feldstärke die Kenntnis der Bewegung der Ladung. Bei der Lorentz-Kraft ist
es die Geschwindigkeit der Ladungsträger im Term v × B, bei der Induktion ist es
die Richtung des Stromflusses I. Das erstaunliche Induktionsverhalten in Abb. 1.14
ist also der Tatsache äquivalent, dass sich die Richtung der Lorentz-Kraft umkehrt,
wenn sich die Richtung der Ladungsträgerbewegung umkehrt.
Literaturverzeichnis 31

Literaturverzeichnis

1. Michael Faraday, Experimental Researches in Electricity Series XI [Philosophical Transacti-


on 1831-38] 1839
2. Einstein, Albert, Annalen der Physik Band 322, Nr. 10, Seiten 891ff, Leipzig (1905)
3. Faksimile siehe http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/andp.19053221004/references
4. V. E. Barnes et al., Phys. Rev. Lett. 12, 204 (1964)
5. Max Born, Die Relativitätstheorie Einsteins, Springer Berlin 1969, ISBN 3-540-04540-6
6. Van Dyck, R.S., R.A. Eckström und H.G. Dehmelt, Nature 262, Seite 776 ff (1976)
7. Van Dyck, R.S., P.G. Schwinberg und H.G. Dehmelt, Phys. Rev. Lett. 38, Seite 310 ff (1977)
8. M.Poppe, Int. Journal Modern Physics A, V1, No.3, Seite 545ff (1986)
9. Siehe http://dawn.jpl.nasa.gov
10. Siehe http://www.rexresearch.com/maxwell.htm
11. James Clerk Maxwell, A Dynamical Theory of the Electromagnetic Field, Royal Society
Transactions, Vol. CLV, 1865, p 459
12. Carl Friedrich Gauss, Observationes cometae secundi, observatorio Gottingensi factae, adjec-
tis nonnullis adnotationibus circa calculum orbitarum parabolicarum, Göttingen 1813
13. Hans Christoph Mertins und Markus Gilbert, Prüfungstrainer Experimentalphysik, Elsevier
GmbH, München 2006, ISBN 3-8274-1733-3
Kapitel 2
Passive Bauelemente

Zusammenfassung Die elektrischen und magnetischen Eigenschaften der Mate-


rie und deren Behandlung im Rahmen der Maxwellschen Gleichungen bilden die
Grundlage der Konstruktion von Bauelementen, die heute passiv genannt werden.
Ausgehend von den Materialeigenschaften werden Kondensatoren, Spulen und Wi-
derstände beschrieben. Es folgen die Beschreibungen von Parasitärelementen, deren
Modellierung, Quantifizierung durch Güten und Verlustwinkel, sowie deren Einfluss
auf das Frequenzverhalten.

2.1 Fragen zu den passiven Bauelementen

2.1.1 Einfache Fragen

2.1. Zwei Kondensatoren mit C1 = 2, 5 nF und C2 = 10 nF werden in Reihe geschal-


tet. Welche Kapazität haben die beiden zusammen?

2.2. Finden Sie einen einfachen Ausdruck ohne das -Zeichen für 1/(a  b).

2.3. Zwei Kondensatoren mit C1 = 2, 75 nF und C2 = 1, 25 nF werden parallel ge-


schaltet. Welche Kapazität haben die beiden zusammen?

2.4. Zwei Tantal-ELKOs mit einer Kapazität von C1 = C2 = 30 ± 3 F sollen zur Ver-
besserung der Spannungsfestigkeit der Gesamtanordnung in Reihe geschaltet wer-
den. Wie kann das funktionieren?

2.5. In Abb. 2.1 sehen Sie den zeitlichen Verlauf eines Magnetfeldes durch eine
Drahtscheife. Sowohl die Feldstärke B als auch die induzierte Spannung sind in
beliebigen Einheiten angegeben. In diesen Einheiten sei der Wert der Spannung
U(t = 1 ms) = U0 = −1. Bitte skizzieren Sie den Verlauf der Spannung über den
gesamten Zeitbereich.

33
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-642-33495-5_2,
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
34 2 Passive Bauelemente

Abb. 2.1 zur Aufgabe 2.5:


Zeitlicher Verlauf des Ma-
gnetfelds B durch eine Spule.
Zum Zeitpunkt t = 1 ms ist die
Spannung der Spule bekannt:
U0 = −1

Abb. 2.2 zur Aufgabe 2.6:


Gemessene Induktivität en L
einer 12mH Spule und einer
5, 5 mH Spule als Funktion
des Wechselstromes I

2.6. In Abb. 2.2 ist die gemessene Induktivität zweier Spulen als Funktion des hin-
durchfließenden Wechselstromes gezeigt. Um welche Typen von Spulen handelt es
sich? Welche Effekte sorgen für die Abnahme der Induktivität? Wie könnte der In-
duktivitätsverlauf abgeflacht werden?

2.7. Ein Kette mit elektrischen Tannenbaumkerzen wird oft als Reihenschaltung der
Einzelkerzen realisiert. Wie kann verhindert werden, dass der Ausfall einer einzigen
Kerze zum Ausfall der gesamten Kette führt?

2.8. An einer 230 V Netz-Steckdose wird zur Entstörung ein C = 1 μF Keramik-


kondensator mit einem Verlustfaktor D = tan δ = 0, 02 eingesetzt. Wie groß ist die
Verlustleistung des Kondensators? Welche Energie verbraucht der Kondensator im
Laufe eines Jahres? Um welchen Faktor ginge diese zurück, wenn der Keramikkon-
densator durch einen Folienkondensator mit tan δ = 10−4 ersetzt werden würde?

2.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben

2.9. Ein auf 1 Volt aufgeladener Plattenkondensator hat zwischen den Elektroden
ein 0, 1 mm dickes Blatt Papier mit einer elektrischen Suszeptibilität von χE = 1, 5
eingeklemmt. Der Kondensator wird von allen elektrischen Verbindungen getrennt.
Was passiert, wenn dann das Papier herausgezogen wird?
2.1 Fragen zu den passiven Bauelementen 35

2.10. Der in Abb. 2.3 gezeigte Kondensator vom Typ UltraCap ist bis zu 2, 5 V
spannungsfest und hat eine Kapazität von 5 kF (in Worten: Kilofarad). Bitte leiten

Abb. 2.3 zur Aufgabe 2.10:


Ultracap Kondensator. Sol-
che Kondensatoren haben
heute Kapazitäten im Kilo-
farad Bereich (Foto: EPCOS
AG)

Sie aus der Definition 2.6 für die Kapazität einen Ausdruck für den maximalen
Energieinhalt her.

2.11. Ein Kunststoff-Kondensator soll mit dem einzigen übergeordneten Ziel ent-
wickelt werden, eine möglichst hohe Energiedichte zu erreichen. Welche Strate-
gie verfolgen Sie: maximale Flächenkapazität oder maximale Spannungsfestigkeit?
Bitte begründen Sie Ihre Strategie! Wäre bei Elektrolyt-Kondensatoren die gleiche
Vorgehensweise richtig?

2.12. Ein Kondensator wurde zum Schutz gegen kurzzeitige Energieeinbrüche par-
allel zur Spannungsversorgung geschaltet. Er hat den in Abb. 2.4 gezeigten Fre-

Abb. 2.4 zur Aufgabe 2.12:


Frequenzverlauf des Verlust-
winkels eines handelsüblichen
50 F Kondensators

quenzverlauf des Verlustwinkels (siehe Abschnitt 2.2.5). Welchen Ohmschen Längs-


widerstand muss man diesem Kondensator bei f = 1 Hz und bei F = 100 Hz zuord-
nen? Kurz nach Inbetriebnahme brennt der Kondensator ab. Welcher Kondensator-
Typ könnte das sein? Worin könnte der Grund für das Abbrennen liegen?

2.13. Bitte skizzieren Sie den Impedanzverlauf eines realen Folienkondensators mit
einer Kapazität von 100 nF.

2.14. Die relative magnetische Permeabilitiät μr eines Stoffes kann man bestimmen,
indem man einen Ring mit der Materialdicke r aus ihm formt und mit einem Draht
umwickelt. Bitte beschreiben Sie: Wie lässt sich aus dem Impedanzverlauf zwischen
den Drahtenden μr bestimmen? (Hinweis: Sie können die magnetische Erregung für
N Windungen als konstant H ≈ NI/(2r) annehmen.)
36 2 Passive Bauelemente

2.15. Bestimmen Sie die Induktivität einer langen Spule der Länge l, Windungszahl
N und Radius r mit r l.

2.16. Abbildung 2.5 zeigt das vom Hersteller angegebene Ersatzschaltbild einer

Abb. 2.5 zur Aufgabe 2.16:


Ersatzschaltbild einer realen
Spule [6]. Der Widerstand des
Wickeldrahtes RL (ω) steigt
durch den Skin-Effekt mit der
Frequenz an

realen Spule (vergleiche [6] S.452). Die Zahlenwerte sind RS = 1 mΩ, RC = 6 Ω,


C = 68 fF, L = 1 nH. Der Widerstand des √Spulendrahtes,
 RL (ω) ist wegen des skin
effect frequenzabhängig: RL = 3, 4 μΩ/ Hz · ω/2π.
Bis zu welcher Frequenz ist die Spule einsetzbar?

2.17. In einer gedruckten Schaltung wird ein R = 100 Ω Widerstand durch eine
 = 1 cm lange, b = 2 mm breite und d = 0, 2 mm dicke Schicht realisiert. Wie groß
sind der spezifische Widerstand ρ und der Schichtwiderstand ?

2.18. Zur Stabilisierung einer Leitung wird neben einen C = 1 μF Aluminium Elek-
trolytkondensator noch ein zweiter, C = 1 nF Tantal-Kondensator gelötet. Dient der
zweite Kondensator der Kapazitätserhöhung?

2.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben

2.19. Ein Kondensator hat als Dielektrikum eine 0, 8 μm dünne Schicht aus Poly-
ethylenterephthalat1 (PET) mit εr = 3, 3. Er wird aus 15 mm breiten Metallbahnen
für die Kathode und 12 mm breiten Metallbahnen für die Anode gewickelt. Wie lang
müssten die Aluminiumbänder sein, um eine Kapazität von1 μF zu ergeben?

2.20. Ein so genannter Mischkondensator besteht aus Aluminium-Elektroden, zwi-


schen denen zwei Lagen Dielektrika plaziert sind: 10 μm Polypropylen mit εr =
2, 25 und 20 μm Papier mit εr = 3. Welche Dielektrizitätskonstante muss man an-
setzen, um zusammen mit der Kondensatorfläche und dem 30 μm Abstand den kor-
rekten Kapazitätswert zu erhalten?

2.21. Durch eine 110 kV Gleichstrom-Überlandleitung, deren leitender Teil aus


Aluminium mit einem Querschnitt von 300 mm2 besteht, fließt ein Strom von
I = 200 A. Das Molvolumen von Aluminium beträgt 1 · 10−5 m3 /mol. Wie groß
ist die Geschwindigkeit der Elektronen? Wie viele Elektronen passieren pro Zeit-
einheit den Leitungsquerschnitt?
2.2 Theoretische Grundlagen der passiven Bauelemente 37

Abb. 2.6 zur Aufgabe 2.22:


Erdleiter in Form einer Halb-
kugel: Die ebene Oberfläche
schließt an die des Erdreiches
an, so dass nur der gewölbte
Teil der Oberfläche Kontakt
zum Boden hat

2.22. Die Erdung einer Maschine soll mit Hilfe der in Abb. 2.6 gezeigten Edelstahl-
Elektrode in Form einer Halbkugel erfolgen. Die Elektrode hat einen Radius von
r = 5 cm. Das Erdreich hat einen spezifischen Widerstand von ρ ≈ 200 Ωm. Wie
groß ist der Widerstand der Erdung (gegen ein hypothetisches, unendlich weit ent-
ferntes Nullpotenzial)? Welche Schrittspannung muss ein Mensch aushalten, der mit
einem Fuss auf der Elektrode steht und mit dem anderen d = 30 cm vom Rand des
Erdleiters, während ein Strom von I = 200 A durch den Erdleiter fließt?

2.2 Theoretische Grundlagen der passiven Bauelemente

Widerstände, Kondensatoren und Spulen sind Resultate des Zusammenspiels von


Elektrodynamik und Materialwissenschaft. Dabei ist es die Materialwissenschaft,
die noch heute Fortschritte macht, während in der Elektrodynamik mit den vier
Maxwellschen Gleichungen (fast) alles gesagt ist.

2.2.1 Felder und Materie

Die im letzten Kapitel beschriebenen Gesetze betreffen strenggenommen nur leere


Räume. Das Zusammenspiel mit der Materie hängt zunächst davon ab, wie frei sich
Ladungsträger in einem Stoff bewegen können, wie leicht also ein Strom fließen
kann.
Die Beweglichkeit der Elektronen wird in erster Linie durch die Art der Bin-
dung vogegeben. Wie in Abb. 2.7 gezeigt, bilden bei der metallischen Bindung die
Elektronen eine Art Gas, welches sich zwischen den positiv geladenen Atomrümp-
fen praktisch frei bewegen kann. Sie können allerdings ohne Energiezufuhr2 von
außen nicht das Metall verlassen, und gelegentlich kommt es zu Stößen mit den
Atomrümpfen. Kovalent gebundene Stoffe werden durch Elektronenpaare zusam-
mengehalten, die sich in zwei oder wenig mehr Atomrümpfen zugeordneten Bahnen

1 Wenn Ihre Bierflasche nicht aus Glas ist, dann ist sie aus PET.
2Hierfür gibt es zwei prominente Beispiele: erstens den photoelektrischen Effekt. Hiermit bezeich-
net man die Tatsache, dass hochenergetische Photonen Elektronen aus einem Metall herausschla-
gen können. Für die Analyse des photoelektrischen Effekts erhielt Albert Einstein den Nobelpreis,
nicht für die Realtivitätstheorie. Das zweite Beispiel sind Glühkathoden in alten Verstärkerröhren.
38 2 Passive Bauelemente

Abb. 2.7 Veranschaulichung


der chemischen Bindungs-
typen. Elektronen sind bei
der metallischen Bindung
fast frei beweglich, bei der
kovalenten Bindung ortsfest
zwischen zwei oder mehreren
Ionen und bei der ionischen
Bindung von einem auf das
andere Atom übergegangen

(Orbitalen) bewegen. Bei der ionischen Bindung werden die Elektronen von einem
Atom abgegeben. Danach verbleiben sie bei dem anderen Atom und machen es zum
negativ geladenen Ion. Ionische und kovalente Bindungen treten praktisch nur als
Mischform auf. Je stärker der ionische Charakter einer Bindung ist, desto weniger
beweglich sind die Elektronen. In Metallen hängt die Fähigkeit des Ladungstrans-
portes von der Anzahl der Elektronen und von deren Wahrscheinlichkeit ab, mit den
verbleibenden Atomrümpfen zusammenzustoßen.
Zur formalen Beschreibung der Leitfähigkeit wird ein Ausdruck gesucht, in dem
die Materialeigenschaften von den jeweiligen äußeren Bedingungen getrennt wer-
den. In einem Material mit einer Dichte von Ne /V Elektronen, die sich mit einer
Geschwindigkeit ve bewegen, fließt durch eine Fläche A ein Strom

dQ Ne
I= = − A·v . (2.1)
dt V
Betrachtet man ein Stück Draht (vergleiche Aufgabe 2.21) mit der Querschnitts-
fläche A und der Länge . Wenn die Elektronengeschwindigkeit proportional zum
elektrischen Feld E ist, dann ist sie auch proportional zu Spannung zwischen den
Enden
v ∼ E → ve ∼ U/ . (2.2)
Aus Gl. (2.1) und (2.2) folgt, dass der Strom proportional zu A · U/ ist. Die Pro-
portionalitätskonstante heißt spezifische Leitfähigkeit, σ , ihr Kehrwert heißt spezi-
fischer Widerstand, ρ.

Definition 2.1. Der spezifische Widerstand ρ eines auf der Länge  einer Spannung
U ausgesetzten Körpers mit der Querschnittsfläche A senkrecht zum Strom I ist
durch
U ·A
ρ= (2.3)
I ·
gegeben.

In dieser Größe sind die für die Elektrotechnik relevanten Materialeigenschaften,


die Anzahl und Beweglichkeit der Ladungsträger, zusammengefasst und von den
äußeren Geometrie- und Anschlussfaktoren getrennt. Sie wird daher auch zur Ka-
thegorisierung der Materialien verwandt:
2.2 Theoretische Grundlagen der passiven Bauelemente 39

1. Leiter, insbesondere Metalle, sind Stoffe mit einem spezifischen Widerstand in


der Größenordnung ρ ≈ 10−8 Ωm. Innerhalb solcher Stoffe sind Elektronen in
großer Zahl frei beweglich.
2. Isolatoren haben einen spezifischen Widerstand in der Größenordnung von mehr
als ρ ≈ 1016 Ωm. In solchen Stoffen sind kaum frei bewegliche Ladungsträger
vorhanden.
In dem Bereich dazwischen sind sowohl die so genannten Halbleiter als auch die
Elektrolyte (Flüssigkeiten mit Ionen) angesiedelt. Bei einigen Materialien geht der
spezifische Widerstand bei sehr niedrigen Temperaturen gegen Null. Dieses Phäno-
men nennt man Supraleitung.
In Felder eingebrachtes Material verändert eben diese Felder, denn es kann ma-
gnetisch oder elektrisch polarisiert werden. Wie Abb. 2.8 zeigt, richten sich bei

Abb. 2.8 Feldbilanz in ei-


nem elektrisch polarisierbaren
Stoff. Ein äußeres elektrisches
Feld zieht die Moleküle aus-
einander. Dadurch entstehen
im Material viele Dipole,
deren Felder das von außen
angelegte Feld abschwächen

ionischen oder polaren Bindungen die Ladungen entsprechend dem äußeren Feld
aus. Dadurch entstehen viele kleine Dipole, deren Feld das ursprüngliche Feld ab-
schwächt.
Die in Abb. 2.9 dargestellte Nomenklatur hat sich zur Beschreibung solcher
Phänomene eingebürgert. Zunächst werden aus den Ursachen Ladung Q und Strom

Abb. 2.9 Der Zusammen-


hang zwischen den Größen
(D, H), (P, M) und (E, B):
Zunächst wird aus den er-
zeugenden Ladungen und
Strömen ein abstraktes Mo-
dell ohne Materialien und
ohne Naturkonstanten kon-
struiert (hier D, H). Aus ih-
nen werden mit Hilfe der
Materialeigenschaften die
Polarisationsfelder brechnet.
Alles zusammen ergibt die
messbaren Größen E und B
40 2 Passive Bauelemente

I die fiktiven Felder D und H berechnet3 . Diese sind, bis auf die Faktoren ε0 und
μ0 diejenigen elektrischen und magnetischen Felder, die den leeren, materialfreien
Raum füllen würden:
Definition 2.2. Die elektrische Erregung4 D ist durch

DdA = Q (2.4)
Ober f l äche

gegeben, wobei Q die nicht im Material gebundene, freie Ladung ist.


Wenn sich ein Material durch ein elektrisches Feld verändert, so wird diese Verände-
rung als Polarisation P bezeichnet. Diese verändert, wie in Abb. 2.8 gezeigt, das
ursprüngliche Feld. Die Polarisation ist als Differenz zum (nur durch die primären
Ursachen definierten) Feld im Vakuum und dem tatsächlich messbaren Feld defi-
niert:
Definition 2.3. Die Polarisierung P eines Materials ist das Vektorfeld, welches von
der elektrischen Erregung abgezogen werden muss, um das messbare elektrische
Feld E zu erhalten:
D − P = ε0 E . (2.5)

Dabei lässt sich die Polarisation in fast allen Fällen durch eine einfache Proportio-
nalität ausdrücken: In einem linearen, homogenen und isotropen Material kann man
die Polarisation P durch
P = χE ε0 E (2.6)
ausdrücken. Die Proportionalitätskonstante χE in Gl. (2.6) wird elektrische Suszep-
tibilität 5 genannt. Es folgt mit Hilfe der Definitionen 2.2 und 2.3

D = (1 + χE ) · ε0 E (2.7)
Der Einfachheit halber werden die Terme (1 + χE ) und ε0 gerne zusammenge-
fasst:

D = (1 + χE ) · ε0 E = εr · ε0 E = ε E (2.8)
Da sich in diesen Fällen D nur noch um die Proportionalitätskonstante εr · ε0 = ε
von der elektrischen Feldstärke E unterscheidet, kann man den Effekt der Polarisa-
tion auf die elektrischen Felder durch eine einfache Modifikation der Maxwellschen
Gleichungen berücksichtigen.
3 Nach dem Machschen Prinzip sollte die Physik nur solche Größen verwenden, die auch messbar

sind. D und H erfüllen dieses Kriterium nicht. Sie sind reine Rechen-Hilfsgrößen. Man kann sie
immer und überall mittels D = ε0 Eleerer Raum und H = Bleerer Raum /μ0 ersetzen.
4 Die elektrische Erregung wird oft auch als elektrische Flussdichte, dielektrische Verschiebung

oder Verschiebungsdichte bezeichnet. Der Begriff Erregung hat den Vorteil, dass er beinhaltet,
dass die freien Ladungen die primäre Ursache der Felder sind, die wiederum das Polarisationsfeld
verursachen. Beide zusammenergeben das elektrische Feld E.
5 wörtlich: Empfänglichkeit
2.2 Theoretische Grundlagen der passiven Bauelemente 41

Die Beschreibung des Materialeinflusses bei Magnetfeldern verläuft analog, aber


nicht ganz genau gleich:

Definition 2.4. Die magnetische Erregung6 H ist durch



dΦE
H · d = I + ε0 (2.9)
L dt
gegeben, wobei I der von der Linie L vollständig umschlossene Strom und ΦE der
elektrische Fluss durch eine von L begrenzte Fläche ist.

Bis auf den Faktor μ0 ist also die magnetische Erregung nichts anderes als das Ma-
gnetfeld im Vakuum (vergleiche Gl. (1.31)). Das Magnetfeld innerhalb eines Mate-
rials kann berechnet werden, wenn bekannt ist, wie stark die in ihm hervorgerufene
magnetische Polarisation M ist.

Definition 2.5. Die magnetische Polarisierung M eines Materials ist das Vektorfeld,
welches zu der magnetischen Erregung hinzugerechnet werden muss, um das mess-
bare Magnetfeld B zu erhalten:

H + M = B/μ0 . (2.10)

In homogenen, linearen und isotropen Medien ist die Polarisation proportional zur
magnetischen Erregung

M = χM · H (2.11)
mit dem Proportionalitätsfaktor magnetische Suszeptibilität χM . Und es gilt auch
hier
B B B
H= = = . (2.12)
(1 + χM ) · μ0 μr · μ0 μ
Die Gleichungen (2.8) und (2.12) lassen sich zu einem sehr gut handhabbaren
Ergebnis zusammenfassen:

Innerhalb eines homogenen linearen Materials gelten die Maxwellschen Glei-


chungen mit der Modifikation ε0 → εr · ε0 = ε und μ0 → μr · μ0 = μ.

Für ein inhomogenes Material müssen an Stelle der Konstanten μr und εr Funk-
tionen des Ortes gesetzt werden. Dabei ist es oft hilfreich, inhomogene Regionen
in mehrere homogene Regionen aufzuteilen (siehe Lösung der Aufgabe 2.20). Bei

6 In manchen Texten wird H auch als magnetische Feldstärke bezeichnet. Um die Verwechslung
mit B auszuschließen, wird in diesem Buch der Begriff Feldstärke nur für B verwandt. Wer Be-
griffsdiskussionen in Prüfungssituationen vermeiden will, kann immer vom H-Feld oder vom B-
Feld sprechen.
42 2 Passive Bauelemente

nicht-linearen Materialien sind μr und εr Funktionen der Feldstärke. Bei anisotro-


pen Materialen sind die Gl. (2.6) und (2.11) nicht mehr anwendbar.
Die magnetischen Suszeptibilitäten variieren so stark von Material zu Material,
dass man sie in Klassen einteilt:
1. Diamagnetisch heißen Stoffe mit kleinem negativen χM . Diese haben ohne äuße-
re Einflüsse kein Dipolmoment, bekommen es aber, solange ein äußeres Magnet-
feld wirkt.
2. Paramagnetisch heißen Stoffe mit kleinem positivem χM . Diese Stoffe bestehen
aus normalerweise statistisch verteilten kleinen magnetischen Dipolen, die sich
beim Anlegen eines äußeren Feldes ausrichten und dieses verstärken.
3. Ferromagnetisch heißen Materialeien, deren magnetische Suszeptibiliäten viel
größer als Eins sind. Durch solche Materialien werden Magnetfelder, verglichen
mit dem Vakuum, um das bis zu 100000-Fache (Nickel-Kupfer-Cobalt Legie-
rung) verstärkt. Bei ferromagnetischen Materialien ist der Zusammenhang zwi-
schen der magnetischen Erregung und der Polarisation nicht mehr eindeutig. Die
Polarisation hängt nicht nur vom äußeren Feld, sondern auch vom vorherigen
Polarisationsgrad ab. Dieses Phänomen heißt Hysterese.
Wird ein ferromagnetischer Stoff umgepolt, so wird die in Abb. 2.10 gezeigte Kurve
durchlaufen. In dieser Abbildung ist auch zu sehen, dass für große magnetische

Abb. 2.10 Grafische Dar-


stellung der Hysterese eines
magnetisierbaren Materials.
Die Stärke des Magnetfeldes
B hängt sowohl von der ma-
gnetischen Erregung H als
auch von der vorherigen Ma-
gnetisierung ab. So wird die
Kurve immer in der gleichen
Richtung durchlaufen

Erregungen die Feldstärke B praktisch nicht mehr zunimmt. Dies wird Sättigung
genannt. Ferromagnetische Materialien sind also weder linear noch isotrop.
Wird ein leitendes Material einem wechselnden elektrischen Felde ausgesetzt, so
entstehen Magnetfelder. Nach dem Ampère-Maxwellschen Gesetz sind die magne-
tischen Feldstärken proportional zur Änderung der elektrischen Feldstärken. Abbil-
dung 2.11 zeigt die Situation für ein Stück einer Wechselstromleitung. Ein
elek-
trisches Feld E = Êsin(ωt) entlang des Drahtes erzeugt Magnetfelder Bd =
Êμεω cos(ωt) in dessen Querschnittsebene. Die Magnetfelder ändern sich also
auch und führen nach dem Induktionsgesetz zu geschlossenen elektrischen Ring-
feldern, die die im Leiter vorhandenen Ladungsträger antreiben. Die elektrischen
Felder zeigen auf der dem Drahtzentrum zugewandten Seite in die entgegengerich-
tete Richtung wie das von außen angelegte Feld. Auf der dem Rand zugewandten
Seite zeigen sie in die gleiche Richtung wie das ursprüngliche Feld. So wird der
Strom im Zentrum gebremst und am Rande vergrößert. Anders ausgedrückt:
2.2 Theoretische Grundlagen der passiven Bauelemente 43

Abb. 2.11 Prinzipskizze zur


Kausalkette des skin effect:
Das oszillierende äußere
elektrische Feld erzeugt ma-
gnetische Wirbelfelder, deren
Änderungen solche elektri-
schen Felder erzeugen, die
das äußere Feld im Zentrum
schwächen

Je größer die Frequenz, desto mehr wird der Strom eines Leiters an dessen
Oberfläche gedrängt.

Dieses Phänomen wird meist mit dem englischen Begriff skin7 effect bezeichnet
und durch die so genannte Eindringtiefe δS charakterisiert. Diese ist ein Maß dafür,
wie weit der Strom in den Leiter eindringt. Sie verringert sich mit der Wurzel aus der
Frequenz. Eine Herleitung ist in [4] zu finden. Nach [5] liegt ihr Wert für f = 1 GHz
bei δS (Cu) = 2, 1 μm, δS (Al) = 3, 5 μm, δS (Fe) = 0, 71 μm. Bei f = 1 KHz liegt
die Eindringtiefe bei Werten um 1 mm. Der skin effect hat großen Einfluss auf das
Hochfrequenzverhalten von Leitungen und Spulen (siehe Aufgabe 2.16).

2.2.2 Kondensatoren

Kondensatoren dienen dem kurzzeitigen Speichern von Ladung, wobei kurz von
100 ps beim LNB eines Satellitenempfängers bis zu Minuten bei Bremsenergie-
Speichern8 reichen kann. Eine detaillierte Beschreibung der sehr großen Auswahl
an Normen, Typen und Anwendungen findet sich zum Beispiel in [4].
Das Funktionsprinzip ist in Abb. 2.12 dargestellt. Mit Hilfe des Gaußschen Sat-

Abb. 2.12 Prinzipskizze


eines Kondensators: Zwei
leitende Platten unterschied-
lichen Potenzials werden bis
auf den kleinen Abstand d an-
einander gebracht. Das Feld E
bindet Ladungen

zes für das elektrische Feld lässt sich berechnen, wie viel Ladung gespeichert ist.

7skin heißt Haut


8In der Formel 1 ist dies unter dem Kürzels KERS = Kinetic Energy Recovery Systems bekannt.
Neben Akkumulatoren werden auch Kondensatoren verwendet.
44 2 Passive Bauelemente

Denn die Ladung auf der oberen Platte ist in guter Näherung9

Q U
= E · dA ≈ E · A = E · A = ·A . (2.13)
ε0 d
Die Ladungen befinden sich unmittelbar an der Oberfläche der Platte, wobei die
Größenordnung durch den Durchmesser eines einzelnen Atoms gegeben ist. Auf
der unteren Platte befindet sich die gleiche Ladungsmenge.

Wird bei einem Kondensator (oder einer Batterie) von der gespeicherten La-
dung Q gesprochen, so bedeutet dies genau genommen immer die getrennte
Ladung: auf der Anode Q und auf der Kathode −Q.

Fügt man zwischen zwischen die beiden Platten ein polarisierbares Material, ein
so genanntes Dielektrikum, so ergibt Gl. (2.13) mit ε0 → ε:
A
Q =U ·ε · . (2.14)
d
Gleichung (2.14) sollte als Produkt Spannung mal Materialeigenschaft des Di-
elektrikums mal Geometriefaktor gelesen werden. Alle konstruktionsspezifischen
Faktoren werden in einer Proportionalitätsgröße zusammengefasst, die Kapazität C
heißt:
Definition 2.6. Die Kapazität C eines Kondensators ist das das Verhältnis C = Q/U.

Hieraus folgt sofort die immer gültige Formel

dU
I =C· . (2.15)
dt
Für komplexe Ströme und Spannungen ergibt Gl. (2.15) zusammen mit u = Ue jωt
die Impedanz Z
u U 1
Z= = = . (2.16)
i I jωC
Für einen Kondensator, wie er in Abb. 2.12 gezeigt ist, beträgt die Kapazität also
A A
C=ε· = ε0 εr · . (2.17)
d d
Eine große Kapazität, oder auch viel gespeicherte Ladung, heißt also: große elek-
trische Suszeptibilität des Dielektrikums (also auch großes εr ) und kleiner Abstand
bei großer Fläche. Ein geladener Kondensator speichert, wie in Aufgabe 2.10 ge-
zeigt, eine Energie von
9 Der dominante Anteil am Oberflächenintegral ist derjenige, der zur Fläche zwischen den Platten

gehört. Nach oben hin ist das Feld schwach, zu den Seiten die Fläche klein.
2.2 Theoretische Grundlagen der passiven Bauelemente 45

1
E = CU 2 . (2.18)
2
Schaltet man zwei Kondensatoren mit den Kapazitäten C1 und C2 parallel, so
verhalten sich beide zusammen wie ein einziger Kondensator mit der Kapazität

C = C1 +C2 (Parallelschaltung). (2.19)

Man kann sich zur Begründung zwei nebeneinander gestellte und parallel geschal-
tete Plattenkondensatoren vorstellen, die sich nur in der Fläche unterscheiden. Nach
Gl. (2.14) erhöht sich die Gesamtladung proportional zur Fläche: A = A1 + A2 →
C = C1 +C2 .
Abbildung 2.13 zeigt zwei in Reihe geschaltete Kondensatoren. Mit Hilfe der

Abb. 2.13 Zwei in Reihe


geschaltete Kondensatoren,
die von einer Stromquelle
gespeist werden

Ladungserhaltung lässt sich bestimmen, welcher Gesamtkapazität C diese



Reihen-
schaltung entspricht: Nach einer bestimmten Zeit t sei eine Ladung Q = Idt durch
die beiden Kondensatoren geflossen. Nach der Definition 2.6 der Kapazität gilt

U1 ·C1 = (U2 −U1 ) ·C2 = U2 ·C . (2.20)

Aus diesen beiden Gleichungen lässt sich die Zwischenspannung U1 eliminieren,


und man erhält
1 1 1
= + (Reihenschaltung). (2.21)
C C1 C2
Kondensatoren kommen in zwei Gruppen von Bauformen vor: gewickelt, oder
gestapelt. Beide nutzen sowohl die Vorder- als auch die Rückseiten der Elektro-

Abb. 2.14 Prinzipskizze ei-


nes gestapelten Kondensators.
Solche Kondensatoren kom-
men bei Keramik-Dielektrika
zum Einsatz

den. Gestapelte Kondensatoren wie der in Abb. 2.14 gezeigte nutzen Materialien
mit sehr großen Dielektrizitätskonstanten. Sie kommen bei Keramiken aus Barium-
46 2 Passive Bauelemente

, Kalzium- und Strontium-Titanat oder auch Zirkonaten mit bis zu εr = 1000 [2]
zum Einsatz.
Gewickelte Kunststoff-Kondensatoren setzen auf große Flächen: Sie haben als
Dielektrika 0, 7 . . . 3, 0 μm dünne Plastikfolien mit εr = 2, 2 . . . 3, 3. Gewickelte

Abb. 2.15 Gweickelter Kon-


densator: Diese Bauform wird
für elastische Dielektrika
und Aluminiu-Elektrolyt-
Kondensatoren verwandt. Die
Kathode ragt unten heraus
und ermöglicht so eine opti-
male Kontaktierung. Für die
Anode müssen Extraelektro-
den oben mit eingewickelt
werden

Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren haben bis zu 200-fach vergrößerte Oberflä-


chen, die durch elektrochemisches Ätzen des Anoden-Aluminiums erreicht werden.
Bei diesen Kondensatoren wird die Ladung kathodenseitig nicht im Metall, sondern
in der leitenden Flüssigkeit (Elektrolyt) direkt am Rande des Dielektrikums Al2 O3
gespeichert. Dieses bedeckt die angerauhte Fläche des Aluminiums und hat eine
relative Dielektrizitätskonstante von εr ≈ 9, 5.

Elektrolytkondensatoren (ELKOs) sind unipolar, das heißt, Anode und Katho-


de dürfen nicht vertauscht werden.

Die verlässlichsten und teuersten Elektrolytkondensatoren haben Tantal als An-


odenmaterial und das Oxyd Ta2 O5 mit εr ≈ 27 als Dielekrikum. Der innere Auf-
bau ist von Hersteller zu Hersteller verschieden. Nur eine großflächige Kathode als
äußere Begrenzung ist allen gemein. Die im praktischen Einsatz wichtigste Eigen-
schaften der Tantalkondensatoren sind ihre Geschwindigkeit (also eine hohe Güte
selbst im oberen MHz Bereich) und ihre Anfälligkeit gegenüber zu großen Strömen
(siehe Aufgabe 2.18).
Die mit Abstand größten Kapazitäten erreichen Doppelschichtkondensatoren. bei
denen, wie in Abb. 2.16 gezeigt, sowohl die Kathode als auch die Anode aus der

Abb. 2.16 Aufbau von Dop-


pelschichtkondensatoren wie
Gold Cap oder Ultracap. Die-
se werden aus zwei durch
einen Separator getrennte
Lagen Aktivkohle gewickelt.
Die Ladung wird an den
Grenzflächen der Aktivkohle
gebunden.
2.2 Theoretische Grundlagen der passiven Bauelemente 47

hochgradig porösen Aktivkohle besteht. Diese befinden sich in einem gemeinsamen


Elektrolyten. Am Übergang zum Elektrolyten bildet sich eine isolierende Grenz-
schicht, die als Dielektrikum dient. Zwischen den beiden Elektroden befindet sich
ein Separator, der einen direkten Kontakt verhindert, für den Elektrolyten jedoch
durchlässig ist.

2.2.3 Spulen

Stromdurchflossene Spulen erzeugen Magnetfelder, die Energie speichern und für


eine Verstetigung des Stromflusses sorgen. Spulen nutzen die magnetische und elek-
trische Induktion (siehe Gl. (1.20)). Sich ändernde Ströme erzeugen sich ändernde
Magnetfelder welche sich ändernde elektrische Felder erzeugen, die der Stromände-
rung entgegenwirken. Der Einfluss einer Spule auf 
eine Schaltung steigt daher in
dem Maße, in dem der magnetische Fluss ΦB = A B · dA = μ0 μr A H · dA steigt.
Daher werden einerseits zur Vergrößerung von A viele Flächen übereinanderge-
legt (daher Windungen, Spulen), andererseits Materialien mit großem μr in diese
Windungen hineingebracht, um aus einer gegebenen magnetischen Erregung H ein
möglichst starkes Magnetfeld B zu erhalten.
Da die Stärke eines Magnetfeldes proportional zur Stärke des erzeugenden Stro-
mes ist, muss die Änderung des magnetischen Flusses proportional zur Änderung
der Stromstärke sein. Die dazu gehörige Proportionalitätskonatante heißt Indukti-
vität L. In ihr werden alle stoffspezifiischen und geometriespezifischen Konstanten
zusammengefasst:
Definition 2.7. Die Induktiviät L ist das Verhältnis der Änderung des magnetischen
Flusses zur hervorrufenden Stromänderung: dΦ dt = L · dt .
B dI

Das Induktionsgesetz (1.20) lässt sich mit Hilfe dieser Definition als

dI
Ed = Uind = −L · (Spannungsgenerator) (2.22)
dt
schreiben. Das Minuszeichen findet Anwendung, weil bei Generatoren Strom und
Spannung antiparallel definiert sind. (Details hierzu später in Abb. 4.9 und 4.10).
Das heißt: Spulen erzeugen Spannungen, die einer schnellen Stromänderung entge-
genwirken. Zum Begriff Spannungsgenerator ein Beispiel: Abbildung 2.17 zeigt
die Kombination aus einer Spule und einem Widerstand. Nehmen wir an, zum Zeit-

Abb. 2.17 Spule und Wider-


stand
48 2 Passive Bauelemente

punkt t = 0 fließe ein Strom I0 in der dargestellten Richtung. Der Ladungstransport


in der Spule sorgt dafür, dass der Pluspol in Abb. 2.17 oben liegt. Durch den Wider-
stand fließt also ein Strom I = Uind /R. Die weitere Entwicklung folgt nun aus Gl.
(2.22):  t 
dI L I dI
−L · = R·I → dt = − (2.23)
dt 0 R I0 I
mit dem Ergebnis
R
I = I0 e− L ·t . (2.24)
Die Tatsache, dass die Spule einen Strom vom Minuspol zum Pluspol transportiert,
zeigt, dass die Spule in diesem Fall ein Energielieferant oder Genarator ist. Mit
Hilfe von Gl. (2.24) kann die von der Spule gespeicherte Energie bestimmt werden.
Es ist die, die am Widerstand freigesetzt wird
 ∞  ∞  ∞
2R
E= PR dt = R · I 2 dt = R · I02 e− L ·t dt . (2.25)
0 0 0

Bei der Berechnung des Integrals fällt der Widerstand R ganz heraus - eine Konse-
quenz der Tatsache, dass hier unabhängig vom Verbraucher der Energieinhalt des
Magnetfeldes der Spule zum Zeitpunkt t = 0 berechnet wird:
1
E = LI02 (2.26)
2
Vorsicht Vorzeichen! Die Betrachtung der Rückwirkung einer stromdurchflosse-
nen Leiterschleife auf sich selbst führt praktisch zwangsläufig zu der in Abb. 2.17
gezeigten Wahl von Strom- und Spannungsrichtungen. Das Minuszeichen in Gl.
(2.22) gehört also zu der bei Generatoren üblichen Wahl der Stromrichtung vom
Minuspol zum Pluspol. Innerhalb einer von anderen Quellen gespeisten Schaltung
wird der Strom genau in die andere Richtung gewählt, und es gilt

dI
Uind = +L · (Verbraucher) (2.27)
dt
Zwei in Reihe geschaltete Spulen verhalten sich wie eine einzige mit der Gesamt-
induktivität
L = L1 + L2 (Reihenschaltung) (2.28)
Dies folgt aus Gl. (2.27), wenn man berücksichtigt, dass der Strom durch beide
Spulen der gleiche ist und sich die induzierten Spannungen addieren. Bei der in
Abb. 2.18 gezeigten Parallelschaltung muss an beiden Spulen die gleiche Spannung
abfallen. Will man wissen, welches L einer einzigen Spule zuzuordnen ist, die sich
genau so verhält wie diese beiden zusammen, kann man daher schreiben:

dI1 dI2 d
U = L1 = L2 = L (I1 + I2 ) . (2.29)
dt dt dt
2.2 Theoretische Grundlagen der passiven Bauelemente 49

Abb. 2.18 Parallelschaltung


zweier Spulen

Eliminiert man mit Hilfe des mittleren Gleichheitszeiches I1 , dann erhält man auf
der rechten Seite von Gl. (2.29) eine Gleichung, aus der auch I2 herausfällt:
1 1 1
= + (Parallelschaltung). (2.30)
L L1 L2
Spulen kommen in verschiedenen Bauformen vor. Die Berechnung der Indukti-
vität ist für eine gegebene Geometrie meist sehr schwierig. Denn L muss als Dop-
pelintegral berechnet werden. So sind analytische Ausdrücke nur für wenige Geo-
metrien, und für diese auch nur in Grenzfällen, bekannt. Für eine lange Spule, wie
sie in Abb. 2.19 zu sehen ist, ergibt sich (siehe Aufgabe 2.15)

Abb. 2.19 Eine Spule der


Länge l und der Querschnitts-
fläche A wird von einem
Strom I durchflossen. Da-
durch entsteht ein Magnetfeld
B

LLange Spule = μN 2 A/l . (2.31)

Für die meisten einfachen Formen wie eine Ringspule mit N Windungen, Radius R
und einem Drahtradius a sind nur Approximationen bekannt [3]:
 

8R
LRing ≈ μN R ln
2
−2 . (2.32)
a

Ein wichtiger Sonderfall ist der (unendlich) lange, gerade Draht. Denn die Berech-
nung seiner Induktivität führt zu einem divergenten Ergebnis. Ebenfalls unmöglich
ist es, einem kurzen Leitungsstückchen allein eine bestimmte Induktivität zuzuord-
nen. Denn die magnetische Wirkung hängt davon, ab, in welche Richtung der Strom
weiter fließt und welche Flächen dabei umflossen werden. In den meisten Fällen
kann die Induktivität daher nur mit numerischen Verfahren näherungsweise vorher-
gesagt oder experimentell bestimmt werden.
50 2 Passive Bauelemente

Die dynamischen Eigenschaften einer Spule werden durch das Material ihres
Kerns bestimmt. Vergleicht man mehrere Spulen gleicher Geometrie und Drahtstär-
ke, so ergibt sich Folgendes:
1. Luftspulen haben die geringsten, aber sowohl von der Stromstärke als auch von
der Frequenz nur sehr schwach abhängige Induktiviäten.
2. Spulen mit Ferritkernen10 haben deutlich größere Induktivitäten. Bei großen
Strömen nimmt die Induktivität aufgrund der Sättigung des Kernmaterials (siehe
Abb. 2.10) ab.
3. Spulen mit ferromagnetischem Kern haben sehr große Induktivitäten. Diese
nehmen aufgrund der Sättigung des Eisens (siehe Abschnitt 2.2.1) bei großen
Strömen ab. Durch Wirbelstromverluste nimmt die Verlustleistung bei hohen Fre-
quenzen deutlich zu.
Allen Spulen gemein ist die Tatsache, dass der Skin-Effekt, welcher bei hohen Fre-
quenzen auch mit einer Phasenverschiebung einher geht, (siehe [4, 5]) zu einer über
die reine Iduktivität hinaus gehende Stromdämpfung führt.

2.2.4 Widerstände

Widerstände werden benutzt um Ströme zu begrenzen oder im Zusammenspiel mit


Spule und Kondensatoren Frequenzen zu begrenzen. Dabei wird immer Wärme er-
zeugt, manchmal absichtlich, meist aber nur gezwungenermaßen. Widerstände wer-
den bei diskkreten Bauteilen als gewickelte Drähte oder als auf ein Substrat aufge-
brachte dünne Schichten realisiert. Bei Hybridschaltungen werden Bahnen schlecht
leitendem Material eingesetzt. Innerhalb von Halbleitern können auch Bahnen aus
dotiertem Material verwandt werden.
Die große Mehrheit aller in der Elektrotechnik verwendeten Materialien, zum
Beispiel alle Metalle, hat einen mit der Temperatur zunehmenden Widerstand. Die-
se Materialien werden auch Kaltleiter genannt. Die Abhängigkeit des Widerstandes
dieser Materialien von der Temperatur kann für die meisten Anwendungen durch
eine Gerade in der Nähe von T = 293 K = 20o C gemäß Gl. (2.33) angenähert wer-
den:
R(T ) ≈ R(293 K) + a(T − 293 K) . (2.33)
Halbleiter und einige wenige andere Materialien haben einen mit der Temperatur
abfallenden Widerstand. Diese werden Heißleiter genannt. Aus solchen Materialen
werden die so genannten NTC-Widerstände 11 hergestellt (siehe Abb. 2.20). Das
Anwendungsgebiet dieser Widerstände reicht von der Temperaturmessung bis zum
Begrenzen von Einschaltströmen. Ihr Verhalten wird phänomenologisch in guter

10 Ferrite sind nicht-leitende ferromagnetische Keramiken mit einem hohen Fe O (Eisenoxyd)


2 3
oder Fe3 O4 (Magnetit) -Anteil. Ihre magnetische Suszeptibilität ist ähnlich groß wie die des Eisens,
aber sie leiten nicht und haben deshalb keine Wirbelstromverluste.
11 Negative Temperature Coefficient
2.2 Theoretische Grundlagen der passiven Bauelemente 51

Abb. 2.20 Widerstände mit


negativem Teperaturkoeffizi-
enten ((NTCs): Sie kommen
entzsprechend den verschie-
denen Einsatzgebieten in
einer Vielzahl von Bauformen
vor

Näherung von der Steinhart-Hart-Gleichung (2.34) beschrieben:


1
= a + b · ln(R) + c · (ln(R))3 . (2.34)
T
Dabei ist T die absolute Temperatur, R der Widerstand sowie a, b und c experimen-
tell zu bestimmende Parameter. Für besondere Anwendungen gibt es auch noch so
genannte PTCs. Das sind Widerstände mit bei Temperaturerhöhung stark ansteigen-
dem Widerstand.
In der Beschreibung von Widerständen hat sich die Verwendung der Größe
Schichtwiderstand als sehr nützlich erwiesen.
Definition 2.8. Der Schichtwiderstand ist der durch die Dicke der Schicht geteilte
spezifische Widerstand des Materials, aus dem die Schicht besteht.
Abbildung 2.21 zeigt den Sinn dieser Größe. Man stelle sich ein quadratisches Plätt-

Abb. 2.21 Zur Definition


des Schichtwiderstandes: Der
Widerstand, den der Strom I
überwinden muss, hängt nicht
von der Seitenlänge b des
Quadrates ab

chen der Breite b und der Höhe h vor, durch welches ein Strom I fließt. Der Wider-
stand des Plättches ist
Länge b ρ
RSchicht = ρ · =ρ· = . (2.35)
Querschnitt hb h
Gleichung (2.35) beinhaltet, dass der Widerstand eines Quadrates einer dünnen
Schicht immer gleich ist, unabhängig davon, welche Seitenlänge es hat. Er ist damit
eine charakteristische Eigenschaft einer Schicht und wird daher als Schichtwider-
stand RSchicht bezeichnet. Für eine Bahn der Länge  und Breite b in dieser Schicht
ist der Widerstand dann
R = RSchicht · /b . (2.36)
52 2 Passive Bauelemente

2.2.5 Impedanzen und Parasitärelemente

Im Idealfall haben die passiven Bauelemente sehr einfach zu beschreibende Impe-


danzen.:
Z(R) = R (Widerstand)
Z(C) = 1/( jωC) (Kondensator) (2.37)
Z(L) = jωL (Spule).
Jedoch lehrt die praktische Erfahrung: Wer ein Bauteil in die Hand nimmt, der hat
gleich mehrere in der Hand. Denn jedes Stück Draht hat einen Widerstand, jede Lei-
tungsbahn eine Induktivität, und zwischen zwei Leitern gibt es immer eine Kapa-
zität. All diejenigen Bauteile, die (bildlich gesprochen) ohne Bestellung dabei sind,
nennt man Parasitärelemente. Für eine gegebene Anwendung müssen aber solche
Bauteile gefunden werden, bei denen Parasitärelemente eine untergeordnete Rolle
spielen und so die eigentliche Funktion im Vordergrund steht. Phänomenologisch
werden zu diesem Zwecke die Größen Güte Q, der Verlustfaktor D und der Verlust-
winkel δZ eingeführt. Denn sie sind ein Maß dafür, wie nahe die Bauteilefunktion
an ihr Ideal heranreicht. Naturgemäss sind all diese Größen stark frequenzabhängig.
Definition 2.9. Die Güte Q eines Bauteils ist das Verhältnis vom Blindwiderstand
zum Wirkwiderstand
ℑ(Z)
Q= . (2.38)
ℜ(Z)
Der Verlustfaktor D ist ihr Kehrwert D = 1/Q. 12
Für ideale Spulen und Kondensatoren gilt daher
1
Ideal f all → D = =0. (2.39)
Q
Messtechnisch am leichtesten zu erfassen ist die Abweichung des Phasenwinkels
von den idealen ±90◦ .
Definition 2.10. Der Verlustwinkel δZ ist der Arcustangens des Verlustfaktors.
Daher gilt
ℜ(Z)

tan(δZ ) = =D= 1 . (2.40)
ℑ(Z) Q
Gleichung (2.40) ist, wie in Abb. 2.22 gezeigt, die Brücke zwischen Messtechnik
und Bauteilebeschreibung. Denn sie beinhaltet, dass mit der Messung des Phasen-
winkels zwischen Strom und Spannung die Abweichungen vom IdealBauteil zu
quantifizieren sind.
Auf der Entwurfseite ist es nötig, Modelle für den Einfluss der Parasitärelemente
zu entwickeln, die den Frequenzverlauf der Impedanz und der Güte vorhersagen.
Hierzu werden Ersatzschaltbilder entworfen und durchgerechnet. Diese Modelle

12 Q wie Quality und D wie Dissipation


2.2 Theoretische Grundlagen der passiven Bauelemente 53

Abb. 2.22 Die Bedeutung des


Verlustwinkels: Am Verlust-
winkel δz lässt sich festma-
chen, ob ein Bauteil geeignet
ist

sollten aber nicht überbewertet werden. Sie dienen in erster Linie dazu festzstel-
len, wo die Abweichungen von der Idealfunktion zu groß werden. Und zu diesem
Zwecke reicht eine recht grobe Näherung.
Das tatsächliche Verhalten eines Kondensators beinhaltet, wie in Abb. 2.23 ge-
zeigt, seine gewünschte Funktion (C), die Widerstände der Leitungen, Elektroden

Abb. 2.23 Ersatzschaltbild


eines realen Kondensators.
(RR ) und (LR ) werden auch
als ESR und ESL bezeichnet

und Lötstellen (RR ), deren Induktivitäten (LR ) sowie einen endlichen Leitwert
(1/RP ) des Dielektrikums13 . Die Impedanz eines realen Kodensators ist daher in
guter Näherung
Z = RR + Z L + (ZC  RP ) . (2.41)
Der Parallelwiderstand spielt nur bei Anwendungen zur Spannungspufferung eine
Rolle. In allen anderen Fällen gilt

1
Z ≈ RR + Z L + ZC = RR + j ωL − . (2.42)
ωC

Bei der Verwendung von Kondensatoren sind also immer drei Bereiche zu unter-
scheiden:
1. bei kleinen Frequenzen normale Kondensatorfunktion,
2. bei Näherung an ωRC = 1 Zunahme der Ohmschen Verluste,
3. oberhalb der Reihenresonanz ω 2 LC = 1 Dominanz der Induktivität. Man spricht
bei dieser Frequenz auch von der Eigenresonanz des Kondensators.
Der Frequenzbereich der Anwendung bestimmt also, welcher Kondensator zu wählen
ist. Die folgende Gl. (2.43) zeigt, dass der Phasenwinkel der Gesamtimpedanz ein
Maß dafür ist, welche Rolle der Reihenwiderstand spielt:

13Nach den Englischen Begriffen equivalent series resistace und equivalent series inductance
werden die Reihen-Parasitärelemente auch als ESR und ESL bezeichnet.
54 2 Passive Bauelemente

ω 2 LC − 1
φZ = atan . (2.43)
RR ωC

Denn nur wenn auch die beiden anderen Parasitärelemente verschwinden, ist φZ =
−90◦ . Als Maß für den Einfluss der Parasitärelemente wird der Verlustwinkel δZ
oder der Verlustfaktor D angegeben:
 
1 − ω 2 LC RR ωC
δZ = acot = atan = atan(D) = acot(Q) . (2.44)
RR ωC 1 − ω 2 LC

An dieser Gleichung ist bei genauerem Hinsehen die generelle Regel14 bestätigt:

Die Güte Q ist immer dann groß, wenn parasitäre Widerstände keine große
Rolle spielen.

Bei realen Spulen sind je nach Material und Frequenz der Verwendung unter-
schiedliche Effekte zu berücksichtigen. Abbildung 2.24 zeigt ein häufig verwen-
detes Ersatzschaltbild. Der Parallelwiderstand RP muss nur berücksichtigt werden,
wenn ein ferromagnetischer Kern zu Wirbelstromverlusten führt. Bei ferromagneti-

Abb. 2.24 Ersatzschaltbild


einer realen Spule: der Paral-
lelwiderstand RP ist nur bei
Spulen mit Wirbelstromver-
lusten relevant. Bei hohen
Frequenzen nimmt der Rei-
henwiderstand RR wegen des
skin effect zu

schen Kernen nimmt bei großen Strömen die Induktivität ab: Wenn dem steigenden
Strom I aufgrund der Sättigung ein nicht mehr steigendes (d. h. konstantes) Magnet-
feld gegenüber steht, dann nimmt die Induktivität wie L ∼ 1/I ab. Der Reihenwider-
stand RR ist wegen des skin effect (siehe Abb. 2.11) bei hohen Frequenzen
√ und klei-
nen Drahtdurchmessern als frequenzabhängig anzunehmen: RR ∼ ω. Wie in Abb.
2.24 gezeigt, werden die Parasitärkapazitäten zu einer einzigen Parallelkapazität C
zusammengefasst. Dies ist nur eine in der Praxis gängige Näherung. In Wirklichkeit
sind die Parasitärkapazitäten kontinuierlich entlang der Spulen-Windungen verteilt.
Zum Verständnis des prinzipiellen Impedanzverlaufs ist das in Abb. 2.24 gezeigte
Schaltbild ausreichend. Man erhält

ZL jωLRP
Z = RR + RP  = RR + . (2.45)
1 − ω 2 LC RP (1 − ω 2 LC) + jωL
14 Diese Regel ist auf sehr viele verschiedene Situationen, zum Beispiel Reihen- und Parallel-

schwingkreise anwendbar. Sie beinhaltet, dass große Güte mit großen Parallelwiderständen und
kleinen Reihenwiderständen einhergeht. Man frage also nicht, ob ein Widerstand groß oder klein,
sondern ob er wichtig oder unwichtig sei.
2.3 Antworten zu Kapitel 2 55

Bei der Verwendung von Spulen sind nach Gl. (2.45) im Allgemeinen vier Bereiche
zu unterscheiden:
1. bei ω = 0 ist Z = RR , also Ohmsches Verhalten,
2. bei kleinen Frequenzen (RR ωL RP ) normale Spulenfunktion,
3. bei Näherung an ω = L/RP Zunahme der Ohmschen Verluste,
4. oberhalb der Parallelresonanz ω 2 LC = 1 Dominanz der Parasitärkapazitäten.
In Aufgabe 2.16 wird eine reale Spule inklusive skin effect durchgerechnet. Auch
für Spulen kann, unabhängig vom gewählten Ersatzschaltbild, eine Güte Q, ein Ver-
lustfaktor D = 1/Q und ein Verlustwinkel δZ angegeben werden. Für das in Abb.
2.24 gezeigte Ersatzschaltbild ergibt sich zum Beispiel eine Güte

ωLR2P (1 − ω 2 LC)
Q= . (2.46)
(RR + RP )ω 2 L2 + RR R2P (1 − ω 2 LC)2

Im doppelten Grenzfall C → 0 und RP → ∞ ergibt sich die Standardformel für gute


Spulen bei niedrigen Frequenzen: Q ≈ ωL/RR .
Bei sehr hohen Frequenzen muss auch der proximity effect und die elektroma-
gnetische Abstrahlung bei der Modellierung von Spulen berücksichtigt werden. Die
Beschreibung dieser Effekte findet sich in der Fachliteratur zur Hochfrequenztech-
nik.
Die Ersatzschaltbilder von Widerständen hängen stark von der Bauart ab. Be-
steht ein Widerstand aus einem gewickelten Draht, dann ist das in Abb. 2.24 gezeigte
Ersatzschaltbild einer Spule angemessen. Besteht er als diskretes Bauteil aus einer
dünnen, auf einen Träger aufgebrachten Schicht, dann sind die Parasitärelemente
so klein, dass sie praktisch in allen Fällen zu vernachlässigen sind. Widerstände in
Hybridschaltungen oder in integrierten Halbleiterschaltungen haben dagegen immer
parasitäre Kapazitäten zu den darunter oder zu den darüber liegenden Schichten. Ihr
Verhalten hängt also von dem der benachbarten Bauelemente ab.

2.3 Antworten zu Kapitel 2

2.1 Mit
1 1 1
= + (2.47)
C C1 C2
erhält man C = 2 nF.
2.2 Es ist
1 a+b 1 1
= = + . (2.48)
ab a·b a b
Wegen der Gültigkeit dieser Beziehung ist es oft nützlich, Gleichungen so umzu-
stellen, dass das -Zeichen im Nenner steht.
2.3 Die Kapazitäten müssen addiert werden:
56 2 Passive Bauelemente

C = C1 +C2 = (2, 75 + 1, 25) nF = 4 nF. (2.49)

2.4 Jeder Kondensator muss gegen Überspannung geschützt werden. Bei Elektro-
lytkondensatoren kommt hinzu, dass sie nicht umgepolt werden dürfen. Eine Umpo-
lung kann aufgrund von Bauteiletoleranzen auftreten, wie die folgende Überlegung
zeigt:
Wenn beide Kondensatoren in Reihe liegen, dann fließt durch sie der gleiche
Strom
dU1 dU2
I = C1 · = C2 · , (2.50)
dt dt
woraus für beliebige Spannungsveränderungen folgt:

ΔU2 C1
= . (2.51)
ΔU1 C2
Wenn nun die Anordnung vollständig entladen wird, dann ist ΔU1 + ΔU2 = 0. Das
heißt, wenn die Kondensatoren vor der Entladung nicht genau im Verhältnis C1 /C2
vorgeladen waren, dann wird nach der vollständigen Entladung derjenige mit der
kleineren Kapazität umgepolt sein, was im schlimmsten Falle dessen Zerstörung
nach sich zieht. Die Umpolung kann durch in Sperrrichtung betriebene Schutzdi-
oden (am besten Schottky-Dioden) auf ca. 0, 3 V begrenzt werden.
Überspannungen können durch unterschiedliche Leckströme in den Kondensato-
ren auftreten: Wenn zwei in Reihe geschaltete, gleiche Kondensatoren auf eine Ge-
samtspannung U aufgeladen werden, dann fällt zunächst an jedem der beiden U/2
ab. Wenn danach, bei konstanten äußeren Bedingungen, einer der beiden Konden-
satoren aufgrund seiner größeren Leckströme sich sehr viel schneller entlädt als der
andere, dann fällt nach einiger Zeit fast die gesamte Spannung an dem Kondensa-
tor mit der geringeren Selbstentladung ab. Dies kann nur verhindert werden, indem,
wie in Abb. 2.25 gezeigt, zu beiden Kondensatoren Widerstände parallel geschaltet

Abb. 2.25 zur Aufgabe 2.4:


Hochohmige Widerstände
parallel zum Kondensator
schützen von Überspannung

werden, durch die mehr Strom fließt als die größten zu erwartenden Leckströme.
2.5 Bei diesem Beispiel wurde offensichtlich die Spannungsrichtung so gewählt,
dass eine positive Ableitung des Magnetfeldes zu einer negativen Spannung gehört,
zu erkennen an U0 < 0. Da die induzierte Spannung immer proportional zur Ablei-
tung ist, ergibt sich der in Abb. 2.26 gezeigte Induktionsspannungsverlauf.
2.6 Die Abnahme der Induktivität legt Spulen mit Eisenkern nahe. Deren Magne-
tisierung erreicht ein Maximum, wenn alle im Eisen vorhandenen Dipole (bzw. die
Weißschen Bezirke) im Magnetfeld ausgerichtet sind. Die Polarisierung ist dann
praktisch konstant. Die magnetische Erregung steigt aber proportional zum Strom.
2.3 Antworten zu Kapitel 2 57

Abb. 2.26 zur Aufgabe 2.5:


Zwischen 0 und 2 Millise-
kunden muss die Spannung
konstant sein, denn die Ände-
rung des Magnetfeldes ist
konstant. Danach ist die In-
duktionsspannung Null, denn
das Magnetfeld ist konstant,
..., und so weiter

Der magnetische Fluss setzt sich also aus einem konstanten, großen Polarisations-
term und einem sehr viel kleineren stromabhängigen Term zusammen. Die indu-
zierte Spannung wächst kaum noch mit dem Strom und die gemessene Induktivität
zeigt annähernd ein 1/I Verhalten.
2.7 Zu jeder Kerze wird ein NTC-Widerstand parallel geschaltet. Dieser wird so
dimensioniert, dass er im kalten Zustand einen deutlich größeren Widerstand hat
als die Kerze. Fällt die Kerze aus, so fließt der gesamte Strom durch den NTC, er
erwärmt sich und sein Widerstand sinkt, bis sich ein Gleichgewicht einstellt. Bei
richtiger Auslegung leuchten dann die anderen Kerzen nur wenig schwächer als vor
dem Ausfall der einen.
2.8 Nach Gl. (2.40) wird dem Kondensator ein Widerstand von
1 1
R= = (2.52)
ωCD 2π fC tan δ
zugeordnet. In Zahlen ergibt sich ein Wert von R = 159 kΩ. Die Verlustleistung ist
nun P = U 2 /R, also in Zahlen P = 0, 33 W. Im Jahr wird also eine Energie W = P ·t,
also W = 365, 25 · 24 h · 0, 33 W = 2, 914 kWh verbraucht.
Bei einer Verbesserung von tan δ um den Faktor 0, 02/10−4 = 200 steigt der
Widerstand auf das 200-Fache und der Energieverbrauch sinkt um das 200-Fache
auf P = 0, 0146 kWh im Jahr.
2.9 Die Ladung ist erhalten. Bezeichnet man mit den Indizes 1 und 2 den Konden-
sator mit und ohne Papier, muss nach Gl. (2.14)
A A
U1 · ε1 · = U2 · ε2 · (2.53)
d d
gelten oder mit Hilfe der elektrischen Suszeptibilität
1 + χE1
U2 = U1 · . (2.54)
1 + χE2
58 2 Passive Bauelemente

Das heißt, die Spannung steigt in diesem Fall von 1 Volt auf 2,5 Volt. Dieses Ergeb-
nis ist auch durch den Energie-Erhaltungssatz begründet: Um das Dielektrikum zu
polarisieren, muss Arbeit verrichtet werden. Wenn das Dielektrikum nicht mehr po-
larisiert ist, dann hat es weniger Energier - genau die, die dem Kondensataor zugute
kommt.
Falls das Ergebnis der Intuition widersprechen sollte: Der umgekehrte Vorgang
scheint oft leichter verständlich. Schiebt man ein Dielektrikum zwischen die Platten,
dann sorgt dessen Polarisation für eine Verringerung des elektrischen Feldes und
damit zu einer Abnahme der Spannung.
2.10 Um eine Ladung Q eine Potenzialdifferenenz ΔU überwinden zu lassen, ist
eine Arbeit ΔW = QΔU nötig.Wie viel Energie gebraucht wird, hängt wegen Q =
CU also davon ab, wie viel Ladung bereits auf dem Kondensator ist: ΔW = CUΔU.
Die gesamte zu verrichtende Arbeit ist genau der Energieinhalt:
 W  U
1
E =W = dW = C UdU = CU 2 . (2.55)
0 0 2
In Zahlen ergibt sich W = 15, 6kJ, das sind 4,34 Watt-Stunden.
2.11 Die maximale gespeicherte Energie ist nach Gl. (2.17) und (2.18)
ε0 εr A 2
Wmax = U . (2.56)
2d max
Dabei bestimmt d sowohl die Kapazität C ∼ 1/d als auch die Spannungsfestigkeit
Umax ∼ d. Denn die Feldstärke im Aluminiumoxyd ist E = U/d. Insgesamt ist daher

d2
Wmax ∼ =d. (2.57)
d
Es ist also besser, die Spannungsfestigkeit zu erhöhen, als die spezifische Kapazität.
Bei einem Elektrolyt-Kondensator kann so nicht argumentiert werden. Je dicker
das Dielektrikum wird, desto glatter wird die Oberfläche auf der der Flüssigkeit
zugewandten Seite. Mit zunehmender Dicke nimmt also die Fläche ab, ein sehr
diffiziles Technologieproblem ohne einfache Lösung.
2.12 Der Verlustwinkel ist ein Maß für das Verhältnis von Längswiderstand und Im-
pedanz. Man erhält für den Ohmschen Anteil (ESR) R = tan(δZ )/(ωC). In Zahlen
ergeben sich bei f = 1 Hz RR = 3, 2 mΩ und bei f = 100 Hz RR = 11, 5 mΩ.
Die sehr große Kapazität legt den Schluss nahe, dass es sich bei dem Konden-
sator um einen Doppelschichtkondensator handelt. Diese Hypothese wird durch die
Tatsache gestützt, dass er abbrennt: Solche Kondensatoren haben Elektroden aus
Aktivkohle. Aus dem Frequenzverlauf des Verlustwinkels ist zu sehen, dass Ohm-
sche Widerstände ab Frequenzen von 1 Hz eine Rolle spielen. Ab f = 10 Hz sind
sie bereits größer als die Impedanz des Kondensators.
Aufgrund dieser Indizien ist anzunehmen, dass es auf Seiten der Versorgung ein
Störsignal mit mehr als f = 10 Hz gibt, welches im Kondensator in Wärme umge-
wandelt wird und schließlich zu dessen Zerstörung führt. (Dies ist ein Beispiel aus
2.3 Antworten zu Kapitel 2 59

dem wirklichen Leben. Verursacher war ein nicht ausreichend geglätteter Wechsel-
richter einer Solaranlage.)
2.13 Ein typischer Impedanzverlauf ist in Abb. 2.27 gezeigt. Bei kleinen Frequen-

Abb. 2.27 zur Aufgabe 2.13:


Impedanzverlauf eines realen
100 nF-Kondensators. Wo
genau das Minimum liegt
und ab welcher Frequenz das
Spulenverhalten dominiert,
hängt von Herstellungsdetails
ab. Universell ist nur der
1/ωC Verlauf bei kleinen
Frequenzen

zen zeigt er das typische 1/(ωC) Verhalten. Das Steilerwerden der Impedanzkurve
zeigt den Einfluss der Pararsitärinduktivität, welche bei sehr hohen Frequenzen do-
miniert. Das Minimum der Impedanz ist bei Reihenresonanz ω 2 LC = 1 erreicht.
Dort ist die Impedanz die Summe der Ohmschen Widerstände.
2.14 Die Feldstärke im Ring beträgt B = μ0 μr NI/(2r) (siehe Aufgabe 1.16). Nach
dem Induktionsgesetz gilt daher für N Windungen
  2
dΦB d μ0 μr NI N μ0 μr πr dI
Uind = −N = −N · πr = −
2
. (2.58)
dt dt 2r 2 dt

Der Faktor in Klammern ist nach Definition 2.7 die Induktivität L. Sind Radius
und Windungszahl bekannt, so kann man aus einer Induktivitätsmessung auf μr
schließen. Die Induktivität lässt sich zum Beispiel durch Messung der Impedanz
Z = R + jωL bestimmen. Diese beginnt bei ω = 0 mit dem Gleichstromwiderstand

des verwendeten Drahtes, R, und fällt bei ω0 = R/L auf den 1/ 2-Fachen Betrag
ab. So folgen aus R und ω0 die Induktivität L und aus dieser folgt μr .
2.15 Gemäß der Definition 2.7 der Induktivität muss der magnetische Fluss ΦB aus
der Feldstärke bestimmt werden. Die Feldstärke beträgt B = μ0 IN/l (siehe Aufgabe
1.17). Daher beträgt für N Windungen der magnetische Fluss

N
ΦB = NA · B = N(πr ) · μ0 I
2
. (2.59)
l

Einsetzen in Definition 2.7 ergibt


μ
0
L = πr2 N2 , (2.60)
l
was zu Gl. (2.31) äquivalent ist.
60 2 Passive Bauelemente

2.16 Entscheidend für den Anwendungsbereich ist die Lage der Parallelresonanz
von L und C. In Abb. 2.28 ist diese deutlich bei knapp f = 20 GHz zu sehen. Für

Abb. 2.28 zur Aufgabe 2.16:


Impedanzverlauf einer rea-
len Spule. Deutlich ist die
Parallelresonanz knapp unter
f = 20 GHz zu sehen. Bis
f < 10 GHz ist der Impedanz-
verlauf linear und die Spule
verwendbar

die Resonanz spielt RS keine Rolle, und wir suchen das Minimum des Betrages des
komplexen Leitwertes:
1 1 1 1
Y= + = +  . (2.61)
RC + ZC RL + Z L RC + ZC k ω/2π + Z L

Differenzieren nach f und das Ergebnis gleich Null setzen ergibt



k4C2 − 16π 2 L2C(RC2 C − L) − k2C
fr = ≈ 19, 8 GHz . (2.62)
8π 2 LC(L − RC2 C)

2.17 Die Lösung folgt unmittelbar aus der Definition 2.1 des spezifischen Wider-
standes ρ:
ρ Rbd
R = ρ /A = →ρ = . (2.63)
bd 
Die Zahlen ergeben einen Wert von 4 mΩ/m. Der Schichtwiderstand ist dann gemäß
Gl. (2.35) RSchicht = ρ/d = 20 Ω.
2.18 Der Tantal-Kondensator erhöht die Gesamtkapazität nur um ein Promille, al-
so im Regelfall um deutlich weniger als die Kapazitätstoleranz des Aluminium-
Elektrolyt-Kondensators. Daher ist die Kapazitätserhöhung kein Argument für die
Parallelschaltung. Vielmehr decken die beiden Kondensatortypen unterschiedliche
Frequenzbereiche der Störungen ab. Der Tantal-Kondensator hat bei hohen Frequen-
zen eine viel größere Güte als ein Aluminium-Elektrolyt-Kondensator. Dieser kann
dafür bei kleinen Frequenzen wegen der größeren Kapazität viel mehr Ladung auf-
nehmen. Damit schützt er den Tantal-Kondensator auch vor zu großen Strömen.
2.19 Lösungsstrategie: Zunächst wird der Flächenbedarf berechnet. Dann wird die
Geometrie genauer untersucht.
Lösung: Nach Gl. (2.17) wird eine Fläche von
2.3 Antworten zu Kapitel 2 61

CD
A= (2.64)
ε0 εr
gebraucht. Wenn eine schmale Metallbahn über einer breiten liegt, dann definiert die
schmalere (hier: b = 1, 2 cm) die Kapazität. Das überstehende Metall wird, wie in
Abb. 2.15 gezeigt, zum Kontaktieren verwandt. Wenn gewickelt wird, dann tragen
mit Ausnahme der letzten Lage immer sowohl die Vorder- als auch die Rückseite
zur Kapazität bei. Daher kann die Länge  wie folgt berechnet werden:
CD
A = 2 · b →  = . (2.65)
2bε0 εr
Mit den angegebenen Zahlen ergibt sich eine Länge von  = 1, 14 m.
2.20 Am leichtesten lässt sich diese Aufgabe mit einem Gedankenexeriment lösen:
Man stelle sich zunächst zwei in Reihe geschaltete Kondensatoren mit gleicher
Fläche A, aber unterschiedlichen Dielektrika vor. Die Gesamtkapazität ist dann mit
Hilfe von 
1 1 1 1 d1 d2
= + = + (2.66)
C C1 C2 ε0 A εr1 εr2
zu berechnen. Nun werden die Kondensatoren immer näher zusammengerückt, bis
die zwei mittleren Elektroden zu einem einzigen, nirgends angeschlossenen Stück
verschmelzen. Wenn die Dicke dieser Zwischenelektrode gegen Null geht, ändert
sich nichts am elektrischen Verhalten. Daher beinhaltet Gl. (2.66) mit d = d1 + d2
bereits die Lösung:

ε0 A ε0 A d · εr1 εr2
C= d = · . (2.67)
1
+ d2 d d1 εr2 + d2 εr1
εr1 εr2

Die Klammer in Gl. (2.67) ist die relative Dielektrizitätskonstante für den Gesamt-
aufbau. Ein mehr formaler Ansatz kommt zum gleichen Ergebnis: Die Konfigura-
tion ist in Abb. 2.29 gezeigt. Der Gaußsche Satz für die linke Elektrode mit der

Abb. 2.29 zur Aufgabe 2.20:


Kondensator mit zwei Dielek-
trika

Querschnittsfläche A und der Ladung Q+ besagt Q+ /ε1 = E1 · A, wobei E das Feld


im linken Dielektrikum ist. Wird als rechte Begrenzungsfläche für das Oberflächen-
integral gerade die Grenzschicht zwischen den Dielektrika genommen, folgt
62 2 Passive Bauelemente

Q+ U0 −U1
= ·A . (2.68)
ε1 d1
Der Gaußsche Satz auf die rechte Elektrode für eine bis zur Grenzschicht reichende
Einhüllende angewandt ergibt, da E und A in entgegengesetzte Richtungen zeigen,
Q− U1 −U2
=− ·A . (2.69)
ε2 d2
Das Zwischenpotenzial U1 kann mit Hilfe von Q− = −Q+ durch Addition aller
Spannungen eliminiert werden:

U0 −U1 = (Q+ d1 )/(ε1 A)


(2.70)
U1 −U2 = (Q+ d2 )/(ε2 A) .

Die Addition dieser beiden Gleichungen ergibt genau dasselbe Ergebnis wie Gl.
(2.66).
Last but not least kann das Problem sehr schnell mit Hilfe der elektrischen Er-
regung D gelöst werden. Denn diese muss in allen Materialien gleich groß sein (!).
Bezeichnen wir mit E1 und E2 die Felder innerhalb der entsprechenden Dielektrika,
dann ergibt Definition 2.2
D = ε1 E1 = ε2 E2 (2.71)
woraus sofort
U0 −U1 U1 −U2
D = ε1 = ε2 (2.72)
d1 d2
folgt. Da in diesem Falle D = Q/A ist, führt Gl. (2.72) auf die Gleichungen (2.68)
und (2.69) und so wieder zum gleichen Ergebnis.
Zusatzbemerkung: Gleichung (2.66) legt die folgende Generalisierung nahe,
welche sich mit Hilfe von (2.72) auch beweisen lässt: für n Dielektrika läßt sich
die Kapazität eines Kondensators mit der Substitution
n
di
d→∑ (2.73)
ε
i=1 ri

berechnen.
2.21 Lösungsstrategie: Zunächst sollte man sich ein Bild machen und dann über-
legen: Wenn Strom Ladung pro Zeit und die Geschwindigkeit Stecke pro Zeit ist,
was ist dann die Bedeutung der Strecke? Dabei ist es hilfreich, den Zusammenhang
zwischen der Ladungsträgergeschwindigkeit und dem Strom (Gl. (1.4) zu kennen.
Lösung: In Abb. 2.30 ist ein Stück Kabel schematisch dargestellt. Der Strom durch
dieses Kabel ist gerade die Ladungsmenge, die pro Zeit durch die Querschnitts-
Fläche A hindurchtritt. Für ne Elektronen ist ist dies Δ Q = −ne · e. Bei einer
Drift-Geschwindigkeit ve = Δ x/Δt der Elektronen sind dies gerade so viele, wie
in dem Volumen A · Δ x vorhanden sind. Da Aluminium ein dreiwertiges Metall
ist, ist die Dichte der Leitungselektronen dreimal so groß wie die der Atome:
(ne /V ) = 3(nAl /V ) also ist ne = ( nVe ) · AΔ x = ( nVe ) · A · ve · Δt. Insgesamt ergibt sich
2.3 Antworten zu Kapitel 2 63

Abb. 2.30 zur Aufgabe


2.21: Hochspannungsmast
mit Überlandleitungen der
Querschnittsfläche A. Auch
wenn in diesen Leitungen sehr
große Leistungen übertragen
werden, bleibt die Geschwin-
digkeit der Ladungsträger
deutlich hinter der einer
Schnecke zurück. (Photo:
RWE)

so die nützliche Formel


ΔQ ne
I= = e ( ) A ve . (2.74)
Δt V
Nach ve aufgelöst ergibt sich in Zahlen
200 m
ve = ∼ 0, 023 mm/s. (2.75)
3 · 1, 602 10−19 · 6, 022 1028 · 3 · 10−4 s
Die Drift-Geschwindigkeit ist also erstaunlich klein.
An Gl. (2.74) kann man sehr schön erkennen, warum schmale Drähte schnel-
ler warm werden als dicke Kabel: Der gleiche Strom geht bei kleinerem Leitungs-
querschnitt mit einer höheren Geschwindigkeit der Elektronen einher. Pro Stoß mit
einem Atomrumpf wird also mehr Energie frei.
So klein die Geschwindigkeit ist, so groß ist die Anzahl der Ladungsträger, die
pro Zeiteinheit durch einen Leiterquerschnitt hindurchtreten.

Δn ΔQ I 200 A
= = = = 1, 25 1021 s−1 . (2.76)
Δt eΔt e 1, 602 10−19 As
Das sind etwas mehr als eine Trilliarde Elektronen pro Sekunde.
2.22 Lösungsstrategie: Das Erdreich um die Halbkugel herum wird in konzentri-
sche, infinitesimal dicke Schalen unterteilt. Der Gesamtwiderstand ist die Summe
der Schalenwiderstände.
Lösung: Nach der Definition 2.1 des spezifischen Widerstandes ρ können wir den
Widerstand einer Halbkugelschale bestimmen:

ρ ρ ρ
R= → ΔR = Δr = Δr . (2.77)
A A(r) 2πr2

Der Gesamtwiderstand wird durch Integration bestimmt:


  ∞
ρ ρ
R= dR = 2
dr = . (2.78)
r 2πr 2πr
In Zahlen ergibt sich ein Wert von R = 637 Ω.
64 2 Passive Bauelemente

Bis zu einem Abstand r + rFuß ist der Gesamtwiderstand bereits RFuß = 546 Ω.
Dies ergibt sich, wenn an Stelle von r bis ∞ von r bis r + rFuß integriert wird. Bei
einem Strom von I = 200 A ergäbe sich eine Spannung von

U = R · I = 546 Ω · 200 A ≈ 110 kV . (2.79)

Das würde niemand aushalten.


An diesem Beispiel zeigt sich die überragende Bedeutung einer vernünftig ge-
planten Erdung gerade dort, wo große Ströme fließen (Fabriken etc.). Diese muss
großflächig und hinreichend weit weg von Lebewesen sein.

Literaturverzeichnis

1. Hering, Bressler, Gutekunst; Elektronik für Ingenieure, Springer Berlin 2001, ISBN 3-540-
41738-9
2. EPCOS AG, Multilayer Ceramic Capacitors, General technical Information, www.epcos.com
3. Siehe Missuri State University http://emclab.mst.edu/inductance/
4. O. Zinke und H. Brunswig, Hochfrequenztechnik 1, Springer Berlin 2000, ISBN3-540-
66405-X
5. H. Henke, Elektromagnetische Felder, Springer Berlin 2001, ISBN 3-540-41973-X
6. Tildon H. Glisson, Introduction to Circuit Analysis and Design, Springer New York 2011,
ISBN 9789048194421
Kapitel 3
Halbleiter-Bauelemente

Zusammenfassung In diesem Kapitel werden Halbleiter-Materialien, ihre Ei-


genschaften und deren Modifizierung durch das Dotieren beschrieben. Daurauf
aufbauend werden die Funktionen von Dioden, Bipolar-Transistoren und MOS-
Transistoren vorgestellt. Dazu gehören die Entwicklung und Interpretation der
Kennlinien. Zusätzlich werden Modelle für vereinfachte Schaltungsberechnungen
vorgestellt und diskutiert. Mit Hilfe dieser Modelle werden Tests auf die jeweiligen
Betriebszustände entwickelt.

3.1 Fragen zu Halbleiter-Bauelementen

3.1.1 Einfache Fragen

3.1. Welche Form bilden die Orbitale der äußeren Elektronen des Silizium-Atoms
und warum?

3.2. Wie viele Joule sind ein Elektronenvolt?

3.3. Welche Ladungsträger können Verarmungszonen durchqueren?

3.4. Ein PN-Übergang habe eine Diffusionsspannung von UD = 0, 8 V. Welche


Spannung wird gemessen, wenn das P-Gebiet an den Minus-Anschluss eines Span-
nungsmessers und das N-Gebiet an dessen Plus-Anschluss gelegt wird?

3.5. In einer Solarzelle, wie die in Abb. 3.1 gezeigte, verpasst ein Photon gerade die
Verarmungszone und erzeugt ein Elektron-Loch-Paar einige Atomradien neben der
Verarmungszone im N-Gebiet. Trägt dieses Photon zum Leistungsertrag der Solar-
zelle bei?

3.6. Welche Durchbruch-Mechanismen gibt es bei Dioden?

65
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-642-33495-5_3,
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
66 3 Halbleiter-Bauelemente

Abb. 3.1 zur Aufgabe 3.5:


Modul aus Solarzellen. Die
Solarzelle ist das mittlerwei-
le bekannteste Halbleiter-
Bauelement (siehe zum Bei-
spiel [5])

3.7. Eine in Sperrrichtung gepolte Diode hat laut Kennlinienformel 3.15 einen fast
konstanten Sperrstrom IS . Nimmt man aber die Kennlinie mit einem Oszilloskop
auf, dann ist in Sperrrichtung meistens kein Strom auszumachen. Woran liegt das?
a) Das ist der Unterschied zwischen Theorie und Praxis.
b) Das liegt an der Rückwärtsbeschleunigung der Minoritätsträger.
c) Das liegt am angelegten Strom-Maßstab.

3.8. Stimmt es, dass die Verarmungszone eines PN-Übergangs bei Vorwärtspolung
verschwindet?

3.9. Abbildung 3.2 zeigt die gemessene Strom-Spannungs-Kennlinie einer Diode.

Abb. 3.2 zur Aufgabe


3.9: Gemessene Strom-
Spannungs-Kennlinie einer
Diode. Aus dieser Dioden-
kennlinie lassen sich IS und
UT bestimmen

Bitte bestimmen Sie daraus die Temperaturspannung und den Sperrstrom. Welche
Kleidungsstücke wurden bei der Messung benötigt? a) Pelzmütze, b) Badehose /
Bikini?

3.10. Wie lässt sich eine spannungsgesteuerte Stromquelle am leichtesten realisie-


ren?

3.11. Welche Bedingung muss erfüllt sein, damit ein (P- oder N-) MOS-Transistor
in einen Strom leitenden Zustand kommt? Und welche Bedingung muss zusätzlich
erfüllt sein, damit er sich im Anlauf befindet?
3.1 Fragen zu Halbleiter-Bauelementen 67

3.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben

3.12. Was bedeutet Hochinjektion (engl: high injection?) a) Intramuskuläre Verab-


reichung oberhalb des Bauchnabels, b) Minoritätsträger-Überschuss oder c) Ein-
dringen hoch-energetischer Ladungsträger ins Feldoxyd.

3.13. Zeigen Sie, dass bei T = 0 K alle Energieniveaus eines Festkörpers unterhalb
der Fermi-Energie besetzt und alle darüber leer sind.

3.14. Für reines Silizium erfüllen die Elektronendichte n und die Löcherdichte p
die Gleichgewichtsbedingung n · p = n2i . Gilt dies auch für dotierte Halbleiter, und
wenn ja (nicht), warum (nicht)?

3.15. Die Abbildung 3.3 zeigt schematisch die Ionenverteilung an einem abrupten
PN-Übergang. Bitte skizzieren Sie die Feldstärke und das Potenzial als Funktion

Abb. 3.3 zur Aufgabe 3.15:


Ionenverteilung als Resultat
eines idealisierten, weil ab-
rupten PN-Übergangs; links
das P-Gebiet, rechts das N-
Gebiet (Einheiten beliebig)

des Ortes. Wenn das Potenzial ganz links Null ist, wie nennt man den Wert, den es
ganz rechts hat?

3.16. Bitte skizzieren Sie in halblogarithmischer Darstellung die Ladungsträger-


dichten als Funktion des Ortes einer in Flussrichtung gepolten Diode, an der von
außen weniger als die Diffusionsspannung anliegt. Die Akzeptoren-Konzentration
sei höher als die Donatoren-Konzentration.

3.17. Aus welchen Teilströmen setzt sich der Basisstrom eines Bipolar-Transistors
im Normalbetrieb zusammen, und welcher der beiden hat Auswirkungen auf den
Early-Effekt?

3.18. Sie schalten eine Silizium- (PN-) Diode in Reihe mit einer Schottky-Diode,
so dass durch beide ein Strom von 12,9 mA fließt. Welche Spannung fällt an beiden
zusammen ab und wie groß ist der Kleinsignal-Widerstand der Gesamtanordnung?

3.19. In Abbildung 3.4 sehen Sie eine Spannungsversorgungseinheit mit zwei In-
nenwiderständen von R = 1 kΩ und Leerlaufspannungen von U+ = U− = 5, 65 V.
Bitte schließen Sie einen PNP-Bipolar-Transistor, (ohne Early-Effekt, ohne Rück-
wirkungen des Kollektors auf die Basis) mit einer Vorwärts-Stromverstärkung B f =
68 3 Halbleiter-Bauelemente

Abb. 3.4 zur Aufgabe 3.19:


Einfache Anschlussumgebung
für einen Bipolar-Transistor

20, einer Rückwärts-Stromverstärkung Br = 0, 1 und UBE = 0, 65 V so an, dass er


a) im Vorwärtsbetrieb, b) im Rückwärtsbetrieb, c) gesperrt oder d) in Sättigung ist.
Dabei sollen keine zwei Transistor-Anschlüsse auf das gleiche Potenzial gelegt wer-
den.

3.20. In einem Automobil soll ein Schrittmotor von einem Digitalchip angesteuert
werden. Der Chip liefert zwischen 0 und UChip = 3, 3 V Ausgangsspannung. Der
Schrittmotor braucht jedoch den vollen Hub des Bordnetzes VCC = 12 V. Zur An-
bindung wird die in Abb. 3.5 gezeigte, invertierende Schaltung und ein Transistor

Abb. 3.5 zur Aufgabe 3.20: Invertierende Schaltung zur Pegel-Anpassung (links) und das Kennli-
nienfeld des dazugehörigen Transistors (rechts)

mit dem ebenfalls abgebildeten Kennfeld verwandt. Der Ausgangswiderstand der


Schaltung darf maximal 500 Ω betragen, der Umschaltpunkt sei so gewählt, dass
bei UE = UChip /2 gerade UA = VCC /2. Bitte bestimmen Sie zeichnerisch den Wert
der beiden Widerstände. Mit welcher Veränderung der Schaltung könnte die Ver-
lustleistung deutlich gesenkt werden? Wie könnte die Schaltung weniger anfällig
für Störungen gemacht werden? Wäre eine kostengünstigere Variante denkbar?

3.21. Was geschieht mit einem Minoritätsträger, nachdem er eine Verarmungszone


passiert hat?
3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 69

3.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben

3.22. Zeigen Sie, dass aus den Temperaturabhängigkeiten der Elektronen- und
Löcherdichten (3.2) und 3.4) eines nicht dotierten Halbleiters folgt, dass die Fermi-
Energie EF in der Mitte der Bandlücke liegt.
3.23. Ein PN-Übergang hat eine symmetrische Sperrschicht der Breite b. Innerhalb
 x = −b/2...b/2
dieser Sperrschicht sei im Bereich die Ionenverteilung in guter
Näherung durch N(x) = N0 · sin πxb mit N0 = 10 18 m−3 gegeben. Außerhalb der

Sperrschicht ist dies die Dichte der Donatoren und Akzeptoren: Wie groß ist die
Diffusionsspannung und welchen Wert hat die Sperrschichtbreite b?
3.24. Welche Matrix wird zur Beschreibung der Bipolar-Transistor-Eigenschaften
benutzt und warum? Bitte nennen Sie drei der vier Elemente der Matrix.
3.25. Wie müsste das Kleinsignal-Ersatzschaltbild des Bipolar-Transistors verändert
werden, wollte man die Rückwirkung der Kollektor-Emitter-Spannung auf die Basis
Emitter-Spannung berücksichtigen?
3.26. Bitte skizzieren Sie den Querschnitt durch einen Kondensator auf einem
MOS-Chip. Der Kondensator soll die Kathode an Masse und eine möglichst große
Flächenkapazität haben.Wie hängt die Kapazität von der Spannung ab?
3.27. Ein Silizium-Chip hat ein d = 1 μm tiefes, mit durchschnittlich ND = 1024 m−3
Donatoren dotiertes Diffusionsgebiet. Wie groß sind dessen spezifischer Wider-
stand und Schichtwiderstand? Welchen Widerstand hätte eine w = 2 μm breite und
l = 0, 1 mm lange Leiterbahn?
Wie würden sich der spezifische Widerstand und der Schichtwiderstand ändern,
wenn aufgrund einer unbeabsichtigten Erwärmung der Produktionsumgebung die
gleiche Anzahl der Donatoren über die doppelte Tiefe verteilt würde?
3.28. Welche der folgenden Aussagen stimmt?
Beim Übergang eines NPN-Transistors von der Sättigung zum Rückwärtsbetrieb
a) ...nimmt die Anzahl der in die Basis-Emitter-Verarmungszone gelangenden Ma-
joritätsträger zu.
b)... nimmt die Anzahl der in die Basis-Emitter-Verarmungszone gelangenden Mi-
noritätsträger zu.
c)... nimmt die Anzahl der Minoritätsträger in der Basis zu.
d) ... wird die Verarmungszone zwischen Basis und Emitter schmäler.

3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente

Software ohne Hardware ist wie eine Idee ohne Gehirn.1 Kern dieser Hardware sind
immer integrierte Schaltungen aus Halbleitermaterial. Pro Jahr werden seit Beginn
1 Bajuwarisch A hirnloser Schmarrn
70 3 Halbleiter-Bauelemente

der 2010er Jahre weltweit mehr als 20 Milliarden integrierte Schaltungen ausge-
liefert. Dazu kommen Leistungs-Halbleiter im Wert von mehr als 13 Milliarden
US-Dollar (siehe [2]).

3.2.1 Halbleiter

Abbildung 3.6 zeigt den Verlauf des Potenzials, welcher sich ergibt, wenn Elemen-
tarladungen im Abstand von d = 1 nm aufgereiht werden. Ob ein Elektron zur Lei-

Abb. 3.6 Potenzialverlauf


durch einzelne Elemen-
tarladungen, errechnet als
U = −e/(4πε0 |r|). Je nach
Energie sind die Elektronen
ortsfest gebunden, innerhalb
des Materials frei oder ganz
frei

tung beitragen kann, hängt ausschließlich von dessen Energie ab. Nach den Gesetzen
der Quantenmechanik aber gilt:
• Die Energien können nur bestimmte, durch die Lösung der Schrödinger-Gleichung
bestimmte Werte haben. Man spricht von Energieniveaus, auf denen sich die
Elektronen aufhalten können.
• Die Lösungen der Schrödinger-Gleichung ergeben eine Schalenstruktur der Elek-
tronen. Kristallstrukturen und praktisch die gesamte Chemie werden durch die
Eigenschaften der Elektronen der äußeren Schale bestimmt.
• Jedes Energieniveau kann von maximal zwei Elektronen besetzt werden.2
Silizium (und Germanium) sind Materialien, deren äußere Schale gerade acht Plätze
mit vier Elektronen besetzt hat. Diese halten sich überwiegend in so genannten sp3-
Hybridorbitalen auf. Abbildung 3.7 zeigt die örtliche Verteilung der äußersten Elek-
tronen. Diese umkreisen also nicht den Kern, sondern sie halten sich in so verteilten
Bereichen auf, dass sie im Mittel einen möglichst großen Abstand3 voneinander
haben. Die Achsen bilden daher einen Tetraeder.

2 Das Elektron hat einen halbzahligen Spin. Für diese Art von Teilchen gilt das so genannte Pauli-

Prinzip, nach dem die Gesamtwellenfunktion antisymmetrisch gegenüber einer Vertauschung der
Teilchen sein muss. Dies wird erreicht, wenn genau zwei Teilchen mit unterschiedlichem Spin das
Niveau besetzen.
3 Dieser Tatsache liegt ein fundamentales physikalisches Prinzip zu Grunde. Die stabilsten Verhält-

nisse sind immer die mit der minimalen Energie. Da sich Elektronen gegenseitig abstoßen, bedeutet
ein großer Abstand eine niedrige Energie.
3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 71

Abb. 3.7 Zur Geometrie des


Silizium-Atoms: Die äußeren
Elektronen des Silizium-
Atoms halten sich bevorzugt
in den hier angedeuteten
Räumen auf. Die Achsen
dieser so genannten Orbitale
bilden einen Tetraeder

Die Tetraeder-Struktur des Silizium-Atoms bleibt erhalten, wenn, wie in Abb.


3.8 gezeigt, aus vielen Atomen Silizium-Kristalle werden. Jeder Silizium-Atomkern

Abb. 3.8 Prinzipskizze der


Silizium-Kristallbindungen:
Die Orbitale der Bindungs-
elektronen des Siliziums
ergeben sich durch Überein-
anderlegen der Orbitale der
Einzelatome

steht in der Mitte eines Tetraeders der (und das ist neu) nun von zwei Elektronen
besetzt ist: eines eigenen und eines vom Nachbaratom. Das Silizium-Kristall besteht
aus Tetraedern, deren Achsen von Elektronenpaaren gebildet werden.
Alles bisher Geschriebene gilt ebenso für Diamant und Germanium. Neben die-
sen vierwertigen Elementen eignen sich aber auch im Mittel vierwertige Kombina-
tionen zur Realisierung von Halbleiter-Materialien. Diese, nach ihrer Valenzkombi-
nation als III − V -Halbleiter oder II − V I-Halbleiter genannten Materialien finden
insbesondere in der Optoelektronik Anwendung. Für all diese Stoffe gilt:

Ein Halbleiter ist ein kovalent gebundener Stoff, dessen Elektronen alle orts-
fest sind. Daher leitet er nur bei der Zugabe von Wärme oder Verunreinigung.

Wie in Silizium Ströme fließen können, ist nur vor dem Hintergrund der Ener-
giestruktur der Elektronen im Kristall zu verstehen. Diese ergibt sich so, wie in
Abb. 3.9 angedeutet: Die äußere Schale des Silizium-Atoms ist nur halb besetzt.
Dies wird dadurch erreicht, dass sich in jedem der vier Orbitale genau ein Elektron
befindet. Zwei Elektronen pro Orbital sind nach den Gesetzen der Quantenmecha-
nik möglich, aber energetisch ungünstiger. Diese Situation ändert sich, wenn zwei
Atome einander angenähert werden.
Wenn sich zwei Orbitale mit jeweils einem Elektron nähern, dann ergeben sich
energetisch unterschiedliche Kombinationen. Die mit niedrigerer Energie wird von
den beiden Elektronen besetzt, die energetisch ungünstigere bleibt leer. Der Ener-
gieunterschied zwischen dem ursprünglichen Niveau und der neuen Kombinati-
on ist letztendlich für den Zusammenhalt des Kristalls verantwortlich. Die Größe
72 3 Halbleiter-Bauelemente

Abb. 3.9 Entstehung der Silizium-Bandstruktur: Hybridorbital für ein Atom (1), Aufspaltung in
doppelt besetztes Bindungs-Orbital und leeres Extra-Orbital bei zwei Atomen (2), ... und so weiter.
Bei n Atomen entstehen 4 · n Energieniveaus, davon gehört die Hälfte zu Bindungsorbitalen. Sie
bilden das Valenzband (bei niedriger Temperatur voll). Die anderen Orbitale bilden das Leitungs-
band (bei niedriger Temperatur leer)

des Energieunterschiedes zwischen den beiden Kombinationen wird die Halbleiter-


Eigenschaften bestimmen.
Wenn n Silizium-Atome einander angenähert werden, so kann ein Kristall entste-
hen. Dieser hat 2n jeweils doppelt besetzte Bindungs-Orbitale und 2n Orbitale, die
zu einer höheren Elektronenenergie gehören. So entstehen also letztlich zwei Ener-
giebänder: ein niedrig liegendes, volles Band für ortsfeste Elektronen (das Valenz-
band) und ein höher liegendes, zu beweglichen Elektronen gehörendes, leeres Band
(das Leitungsband) . Die Energielücke zwischen den Bändern heißt Bandlücke und
beträgt bei Silizium ΔW = 1, 12 eV. 4 Elektronen nahe der Unterkante des Lei-
tungsbandes können, da die meisten Niveaus über ihnen nicht besetzt sind, praktisch
beliebige Energiemengen aufnehmen. Hieraus folgt:

Elektronen nahe der Unterkante des Leitungsbandes verhalten sich annähernd


wie frei fliegende Teilchen.

Da die beiden Energiebänder nahe beieinander liegen, reicht schon eine geringe
Energiemenge, um eines der Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband zu
heben. Ist die Ursache die Temperatur, so gilt die so genannte Fermi-Verteilung.
Für jeden Zustand z mit der Energie Ei ist der Erwartungswert für die Anzahl der
Elektronen, nz , gegeben durch
gz
nz = (E −E )/kT
. (3.1)
e z F +1

4 Genau genommen wird mit steigender Temperatur die Bandlücke etwas schmaler.
3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 73

In Gl. (3.1) ist EF die so genannte Fermi-Energie , und gz gibt an, wie viele Elek-
tronen gleichzeitig in einem Niveau sein können. In der Regel ist gz = 2. Bei der
Temperatur T = 0 K sind alle Niveaus unterhalb der Fermi-Energie besetzt (siehe
auch Aufgabe 3.13).
Will man wissen, wie viele Elektronen bei einer gegebenen Temperatur im Lei-
tungsband sind, muss außer der Fermi-Verteilung noch bekannt sein, wie die Ener-
gieniveaus selbst verteilt sind, ob gleichmäßig im Energieband verteilt, am unteren
Ende konzentriert oder am oberen Ende konzentriert. Sind die meisten Energieni-
veaus am unteren Ende angesiedelt, werden nach der Fermi-Verteilung 3.1 sehr viel
mehr Elektronen im Leitungsband zu finden sein, als wenn die meisten Zustände am
oberen Ende sind. Im Rahmen der Festkörperphysik kann die Dichte der Elektro-
nen im Leitungsband, ni , in guter Näherung als Funktion der absoluten Temperatur
T , der Fermi-Energie EF und der Energie der Unterkante des Leitungsbandes, EL ,
berechnet werden:
ni ∼ T 3/2 e(EL −EF )/(kT ) . (3.2)
ni wird auch intrinsische Elektronendichte des Halbleiters 5 genannt. Eine Herlei-
tung kann zum Beispiel in [3] gefunden werden. Die absolute Anzahl ist nur sehr
schwer messbar, da schon kleinste Verunreinigungen zu großen Fehlern führen. In
[6] wird zum Beispiel angegeben
−0,785eV
ni (Si) ≈ 6, 2 · 1015 cm−3 · (T /K)3/2 · e 2 kT
−1,12eV
ni (Ge) ≈ 1, 76 · 1016 cm−3 · (T /K)3/2 · e 2 kT . (3.3)

Auf die gleiche Weise lässt sich errechnen, wie viele Elektronen im Valenzband
fehlen. Jede Stelle, an der ein Valenz-Elektron fehlt, wird ein Loch genannt. Man
erhält für die Dichte p der Löcher6

p ∼ T 3/2 e(EF −EV )/(kT ) . (3.4)

Die Elektronen im Leitungsband sind diejenigen, die im Valenzband fehlen. Die


Vorfaktoren in den Gleichungen 3.2 und 3.4 sind fast genau gleich groß (siehe Auf-
gabe 3.22). Setzt man n = p in die Gleichungen ein, dann folgt EF = (EL + EV )/2,
oder anders ausgedrückt:
Die Fermienergie eines reinen Halbleiters liegt in der Mitte der Lücke zwischen
dem Valenzband und dem Leitungsband.7 In Tabelle 3.1 ist deutlich zu sehen, welch
großen Einfluss die Bandlücke auf die Ladungskonzentration hat. Eine Verdoppe-
lung des Bandabstandes verringert die Anzahl der Leitungselektronen um mehr als
den Faktor 1000.

5 wörtlich: die dem Halbleiter eigene Elektronendichte


6 p wie positiv, denn das Fehlen eines negativ geladenen Elektrons kann elektrisch wie eine zusätz-
liche positive Ladung an der Fehlstelle beschrieben werden.
7 Bei hohen Temperaturen steigt die Fermi-Energie jedoch leicht an.
74 3 Halbleiter-Bauelemente

Tabelle 3.1 Bandlücken und Elektronendichten reiner Halbleiter bei T = 300 K


Material Bandlücke [eV] Elektronendichte [m−3 ]

Silizium [3] 1,12 1, 1 · 1016


Germanium [3] 0,66 2, 4 · 1019
Galliumarsenid [3] 1,42 1, 8 · 1012

3.2.2 Dotierung und PN-Übergang

Kein Mensch würde heute über Halbleiter reden, wäre nicht die Idee der Dotierung
aufgekommen.
Definition 3.1. Dotierung ist die gezielte Verunreinigung eines Halbleiters derart,
dass die Dotierungsatome Kristallgitterplätze einnehmen.
Verunreinigung heißt in diesem Fall: Auf 50 000 bis 10 Millionen Silizium-Atome
kommt ein Fremdatom. Ist dieses, wie in Abb. 3.10 gezeigt, fünfwertig, nennt man

Abb. 3.10 Dotierung mit


einem Donator (hier Phos-
phor): Der Atomrumpf fügt
sich in das Kristallgitter ein.
Das übrig bleibende Elektron
findet kein Bindungs-Orbital

es einen Donator 8 . Das zusätzliche Elektron findet kein Bindungs-Orbital, liegt aber
energetisch etwas tiefer, als die Silizium-Leitungselektronen. Denn der Atomkern
des Donators hat eine positive Ladung mehr als das Silizium und zieht das Extra-
Elektron stärker an als ein Silizium-Ion. Die Dotierung führt zu einem sehr großen
Anstieg der Leitfähigkeit des Siliziums.
Ist das Dotierungsmaterial dreiwertig, dann spricht man von einem Akzeptor,
denn es kann, wie in Abb. 3.11 schematisch angedeutet, ein weiteres Elektron zur

Abb. 3.11 Dotierung mit


einem Akzeptor (hier Alumi-
nium): Der Atomrumpf fügt
sich in das Kristallgitter ein,
aber es fehlt ein Elektron

Komplettierung der Kristallbindungsorbitale akzeptieren. Dieses ist natürlich nicht


8 lateinisch: Geber, denn es gibt dem Kristall ein zusätzliches Elektron
3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 75

ganz so fest gebunden. Energetisch heißt dies: Seine Energie liegt leicht über der
des Valenzbandes.
Dotierung fügt also den Energiebändern des reinen Siliziums, wie in Abb. 3.12
gezeigt, zwei weitere, sehr schmale Bänder hinzu: Wird nur mit Donatoren dotiert,

Abb. 3.12 Energiebänder


beim dotierten Silizium,
links Donator-dotiert, rechts
Akzeptor-dotiert. Schwarz
dargestellt sind die bei
T = 0 K gefüllten Bänder

so erhält der Halbleiter Extra-Elektronen, die annähernd frei beweglich sind. Wird
nur mit Akzeptoren dotiert, so entstehen Löcher. Donator- und Akzeptor-Dotierung
heben sich ansonsten praktisch auf: Eine mit zehnmal so viel Donatoren wie Ak-
zeptoren dotierter Halbleiter verhält sich wie ein mit 10 Prozent weniger Donatoren
dotierter Halbleiter.
Die Ladungsträger des Dotierungsmaterials nennt man Majoritätsträger 9 (zum
Beispiel Elektronen bei Phosphor-Dotierung), die jeweils anderen Minoritätsträger.
Unabhängig von der Dotierung gilt (Herleitung siehe Aufgabe 3.14)

n · p = n2i . (3.5)

Das bedeutet, dass durch Dotierung im gleichen Maße, in dem die Konzentration
der Majoritätsträger steigt, die der Minoritätsträger sinkt. Bei dotierten Halbleitern
ist daher in der Regel die Anzahl der Ladungsträger fast genau gleich der Anzahl
der Dotierungsatome.
Wird an ein N-dotiertes Material eine Spannung angelegt, so bestimmt neben der
Ladungsträgeranzahl die Beweglichkeit μe der Elektronen den elektrischen Wider-
stand.
Definition 3.2. Die Beweglichkeit μ ist das Verhältnis von Ladungsträgergeschwin-
digkeit zur angelegten elektrischen Feldstärke: μ = v/E.
Die Beweglichkeit hängt, wie in Abb. 3.13 gezeigt, von der Dotierungskonzentration
ab.
In P-dotierten Gebieten wächst unter Einfluss eines äußeren Feldes die Ten-
denz von Valenzelektronen, jeweils benachbarte Löcher zu besetzen. Dies wird
Löcherleitung genannt. Eine genauere quantenmechanische Analyse legt nahe, die-
ses Phänomen so zu behandeln, als wenn es positive geladene Teilchen mit der Be-
weglichkeit μ p gäbe. Die spezifische Leitfähigkeit ergibt sich dann als Funktion der
Elementarladung e aus der Definition 3.2 zu
1
σ= = e · [p μ p + n μn ] . (3.6)
ρ
9 Majorität heißt Mehrzahl.
76 3 Halbleiter-Bauelemente

Abb. 3.13 Beweglichkeit μ


für Elektronen und Löcher
als Funktion der Dichte der
Dotierungsatome

Grenzt ein P-Gebiet an ein N-Gebiet, so lädt sich das N-Gebiet relativ zum P-
Gebiet positiv auf: Die Elektronen des Leitungsbandes sind immer in (ungerichte-
ter) thermischer Bewegung. Einige Elektronen des N-Gebietes erreichen durch pu-
ren Zufall auch das P-Gebiet. Dieser Teilchenstrom wird Diffusionsstrom genannt.
Die Elektronen des Diffusionsstromes finden im P-Gebiet Löcher vor und besetzen
diese. Hierdurch lädt sich das P-Gebiet negativ auf. Denn jedes Akzeptor-Atom be-
kommt nun ein zusätzliches Elektron. In Abb. 3.14 ist die Situation schematisch dar-
gestellt. Im N-Gebiet bleiben die Donator-Atomrümpfe einfach ionisiert zurück. Es

Abb. 3.14 PN-Übergang


am Beispiel eines abrupten
Wechsels bei x = 0 von einem
P-Gebiet links auf ein dreimal
so hoch dotiertes N-Gebiet
rechts. Die Ladungsdichten ρ
der verbleibenden Atomrümp-
fe sind proportional zur jewei-
ligen Dotierung

wird daher positiv geladen. Dazwischen entsteht eine Schicht, in der das Leitungs-
band praktisch leer ist, die so genannte Verarmungszone oder auch Sperrschicht. In
dieser entsteht nach dem Gaußschen Satz ein elektrisches Feld E = (Ex , 0, 0) mit
 x
1
Ex = ρ(x)dx . (3.7)
ε linkerRand

Und dieses Feld erzeugt eine Potenzialdifferenz


 x
U(x) = − Ex (x)dx . (3.8)
linkerRand

Dieser Vorgang setzt sich so lange fort, bis ein Gleichgewicht entsteht: Je mehr Elek-
tronen Löcher besetzt haben, desto höher wird die Energie, die ein Elektron braucht,
um die Potenzialbarriere auf dem Weg zum P-Gebiet zu überwinden. Mit der Be-
setzung wächst also der Anteil derjenigen Elektronen, die ins P-Gebiet eindringen,
vom elektrischen Feld aber zur Umkehr gezwungen werden, bevor sie ein Loch
3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 77

finden. Gleichzeitig erreichen aber auch einige der wenigen im Leitungsband des
P-Gebietes vorhandenen Elektronen (Minoritätsträger) die Verarmungszone. Diese
finden ein Feld vor, welches sie zu 100% ins N-Gebiet zieht. Wenn der kleine An-
teil der vielen Majoritätsträger gerade so groß ist wie die 100% der Minoritätsträger,
herrscht Gleichgewicht. Der Minoritätsträgerstrom wird, da durch das Feld begüns-
tigt, Feldstrom genannt. Die Potenzialdifferenz zwischen den beiden Gebieten heißt
Diffusionsspannung, UD , und kann als Funktion der Dotierungsdichten für Akzep-
toren, NA , und Donatoren, ND , zu

NA · ND
UD = UT ln (3.9)
n2i

berechnet werden (siehe zum Beispiel [7]). Dabei ist UT die Temperaturspannung10

UT = k T /e . (3.10)

Bei steigender Temperatur gibt es also einen fast linearen Anstieg der Diffusions-
spannung, der wegen NA · ND n2i nur in numerisch unbedeutender Weise nach
unten korrigiert wird.
Misst man die Spannung zwischen den beiden Gebieten, so findet man an Stelle
der Diffusionsspannung gar nichts. Letztlich ist dies eine Konsequenz der Energie-
erhaltung. Ein Elektron darf auf dem in Abb. 3.15 gezeigten Weg weder Energie

Abb. 3.15 Veränderung der


potenziellen elektrischen
Elektronenenergie We− auf
dem Weg Metall → Halbleiter
P-Gebiet → Halbleiter N-
Gebiet → Metall. Das N-
Gebiet gibt sowohl an das
P-Gebiet als auch an das
Metall Elektronen ab, ist
also gegenüber beiden positiv
geladen. Die Summe der
Energieänderungen ist Null

gewinnen noch verlieren. Die Summe aller Potenzialänderungen ist also Null.

Die Diffusionsspannung entzieht sich einer direkten Messung.

Wird von außen vom P- zum N-Gebiet eine Spannung U angelegt11 , so liegt an
der Verarmungszone eine Spannung

10 Die durchschnittliche Elektronenenergie bei der Temperatur T ist E = kT = UT e.


11 Das heißt in Abb. 3.15 , dass die Energie auf der linken Seite verringert wird.
78 3 Halbleiter-Bauelemente

UVerarmungszone = UD −U (3.11)

an. Die Weite w der Verarmungszone ist dann für einen abrupten Übergang nach
Gl. (3.8) zu berechnen:

NA + ND 2ε
w= (UD −U) . (3.12)
NA · ND e

Die Verarmungszone verschwindet also, wenn die Diffusionsspannung von außen


angelegt wird.12 Dies gilt auch für andere Dotierungsverläufe (vergl. Lösung 3.23).
Da die Ladungsträger am PN-Übergang im Abstand w voneinander getrennt sind,
hat jede Sperrschicht auch kapazitives Verhalten. Diese so genannte Sperrschicht-
kapazität, CS , kann aus der Weite ausgerechnet werden:
A
CS = ε (beliebiger Übergang)
w
A
CS =  (abrupter Übergang) . (3.13)
2(UD −U)
2 NNAA+ND
·ND εe

Die Anwendung von Gl. (3.13) ist nur dann sinnvoll, wenn moderate Ströme flie-
ßen. Auch in Durchlasspolung sind Ladungen noch zusätzlich dynamisch gespei-
chert: die Minoritätsträger in der Nähe der Sperrschicht. Deshalb kann jedem PN-
Übergang in Durchlassrichtung eine Diffusionskapazität zugeordnet werden. Bei
schneller Umpolung verzögert diese alle Schaltvorgänge.

3.2.3 Dioden

Dioden nutzen die Strom-Spannungs-Kennlinie des PN-Übergangs. Zu deren Verständ-


nis ist folgende Erkenntnis hilfreich:

An einem PN-Übergang folgen die Minoritätsträger dem elektrischen Feld.


So entsteht ein Feldstrom. Die Majoritätsträger müssen das Feld überwin-
den. Die Majoritätsträger, die das gesamte Feld durchqueren, schaffen dies,
weil ihre thermische Bewegungsenergie ausreicht, um die Potenzialbarriere
zu überwinden. Sie diffundieren also durch den Übergang, weshalb man auch
von Diffusionsstrom spricht.

In dem Extremfall, dass zur Diffusionsspannung noch eine in die gleiche Rich-
tung wirkende Spannung hinzu kommt, wird die Potenzialbarriere für die Majo-
12 Dies ist jedoch ein Fall, der praktisch nie eintritt. Schon unterhalb von U ist die Kennlinie einer
D
Diode (s.u.) so steil, dass UD nicht erreicht wird.
3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 79

ritätsträger unüberwindlich hoch. Der Strom am PN-Übergang wird ein reiner Mino-
ritätsträgerstrom, dem kein Diffusionsstrom mehr entgegensteht. Die Ladungsträger
können sowohl durch Paarbildung in der Sperrschicht entstehen, als auch durch re-
gellose Bewegung in den angrenzenden, nicht verarmten Schichten zufällig in die
Sperrschicht eindringen. Das Feld in der Sperrschicht zieht sie dann herüber. Auf
der anderen Seite sind sie dann Majoritätsträger. Der so zustande kommende Strom
wird Sperrstrom, IS , genannt. Er lässt sich im Rahmen der Festkörperphysik (siehe
zum Beispiel [8]) berechnen.
Wird die von außen angelegte Spannung reduziert, wird die Potenzialbarriere für
die Majoritätsträger niedriger und die Weite der Sperrschicht kleiner. Der Anteil der
Majoritätsträger, die aufgrund ihrer thermischen Bewegungsenergie den Potenzial-
wall überwinden können, steigt exponentiell an.13
Wird die von außen angelegte Spannung auf Null reduziert, herrscht ein Gleich-
gewicht zwischen Feld- und Diffusionsstrom. Beide Ströme heben sich gegenseitig
auf. Der resultierende Gesamtstrom ist Null.
Wird die Spannung in Durchlasspolung erhöht, dann nimmt die Höhe der Poten-
zialbarriere für die Majoritätsträger noch mehr ab. und der Diffusionsstrom nimmt
weiter exponentiell zu. Die Majoritätsträger, die in die Sperrschicht eindringen,
kommen an der anderen Seite als Minoritätsträger wieder heraus. Sie rekombinieren
ab dem Rande (x = 0) der Sperrschicht, und ihre Konzentration nimmt exponentiell
ab:
n ≈ n(x = 0)ex/Ln . (3.14)
Den Parameter Ln nennt man Diffusionslänge (siehe zum Beispiel [8]).
Die oben genannten Effekte führen letztlich zu der Diodenkennlinie

I = IS eU/UT − 1 , (3.15)

welche für fast alle schaltungstechnischen Anwendungen hinreichend genau ist. Sie
wird nach ihrem Entdecker auch Shockley-Gleichung 14 genannt. Entgegen der In-
tuition bedeutet der lawinenartige Anstieg des Stromes nicht das vollständige Ver-
schwinden der Verarmungszone. Sie wird nur von einem rapide anwachsenden An-
teil der Majoritätsträger überwunden. Bei einer Polung des PN-Überganges in Sper-
richtung ist die Shockley-Gleichung nicht anwendbar. Denn die thermische Gene-
ration von Elektron-Loch-Paaren erhöht den Strom in Sperrrichtung verglichen mit
Gl. (3.15) um ca. drei Größenordnungen.
Erst bei U = UD wird der Wert w = 0 erreicht. Bei dieser Spannung können al-
le Majoritätsträger ungehindert in das angrenzende Gebiet eindringen. Von diesem
Punkt an dreht sich das Potenzialgefälle an der Sperrschicht um. Es gibt keine Poten-
zialbarriere mehr. Das Verhalten der Diode beginnt sich dem eines niederohmigen

13 Der exponentielle Anstieg hat seinen Ursprung in der exponentiellen Energieverteilung im ther-
modynamischen Gleichgewicht, siehe auch Gl. (3.1).
14 William B. Shockley, John Bardeen und Walter H. Brattain bekamen 1956 für die Entdeckung

des Transistors den Nobel-Preis.


80 3 Halbleiter-Bauelemente

Widerstandes anzugleichen, dessen Leitfähigkeit zwischen der des P-Gebietes und


der des N-Gebietes liegt.
Bei großen Sperrspannungen kann die Spannung an einer Diode zusammenbre-
chen (siehe Aufgabe 3.6).
Bei vielen Metallen ist die Austrittsarbeit, also die Energie, die nötig ist, um ein
Elektron von Fermi-Niveau ganz aus dem Festkörper zu befreien, größer als bei den
Halbleitern. Wenn ein N-Gebiet mit einem solchen Metall in Kontakt kommt, gibt
es Elektronen an das Metall ab. Auch in diesem Falle entsteht eine Verarmungszone,
also auch eine Diode, deren Kathode das N-Gebiet ist.15 Sie heißt Schottky-Diode.
Es gibt Halbleiter-Materialien, (meist vom III − V -Typ), bei denen die Energie,
die ein Elektron beim Ins-Loch-Fallen (Rekombinieren) verliert, direkt in Form ei-
nes Photons abgeben kann. Solche Materialien heißen direkte Halbleiter. Da alle
zum Vorwärts-Stromfluss beitragenden Elektronen und Löcher nach dem Passie-
ren des PN-Übergangs rekombinieren müssen, geben solche Dioden Licht ab und
heißen daher Leuchtdioden, LED 16 . Da fast alle Löcher ganz oben im Valenzband
und fast alle Elektronen ganz unten im Leitungsband beheimatet sind, ist die Wel-
lenlänge des abgegebenen Photons durch den Bandabstand vorgegeben:

hc hc
EPhoton = →λ ≈ . (3.16)
λ EL − EV
Halbleiter-Materialien wie Silizium oder Germanium, bei denen ein erheblicher Teil
der Energie nicht an das Photon, sondern an das Kristall abgegeben wird, werden
indirekte Halbleiter genannt.
Dioden, die den umgekehrten Prozess ausnutzen heißen Photodioden, wenn sie
großflächig gebaut werden auch Solarzellen. Wie in Abb. 3.16 gezeigt, werden für

Abb. 3.16 Kennlinie einer


lichtempfindlichen Diode: Je
mehr Licht einstrahlt desto
weiter wird die Kennlinie
nach unten verschoben. Bei
U · I < 0 wird Licht in elektri-
sche Energie umgewandelt

beide Anwendungen verschiedene Teile der Kennlinie ausgenutzt.17 Die Kennlinie


der lichtempfindlichen Diode ist um einen konstanten Betrag nach unten verscho-

15 Eine kleine Eselsbrücke: Bei PN-Übergängen immer an einen ZAUN denken. Denn jede Diode,

ob Schottky, ob PN, ob LED, ob Solarzelle Zeigt AUf ein N-Gebiet. Das funktioniert sogar bei den
Schaltsymbolen der Bipolar-Transistoren.
16 Licht emittierende Diode oder engl: light emitting diode
17 Bei einem Verbraucher fließt der Strom in Richtung + → −, bei einem Generator in umgekehrter

Richtung.
3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 81

ben. Dieser Betrag ist proportional zur Einstrahlung. Dabei tragen nur Photonen
zum Strom bei, deren Wellenlänge höchstens so groß ist, wie in Gl. (3.16) angege-
ben.

3.2.4 Bipolar-Transistoren

Transistoren werden konstruiert, um mit kleinen Eingangsleistungen große Aus-


gangsleistungen zu steuern. Beim Bipolar-Transistor steuert ein kleiner Strom, der
Basisstrom, einen großen Strom, den Kollektorstrom. Er besteht, wie Abb. 3.17
zeigt, aus zwei PN-Übergängen. Damit aus diesen beiden Dioden ein Bipolar-

Abb. 3.17 NPN Bipolar-


Transistor als Schaltsymbol,
Prinzipskizze und im Quer-
schnitt

Transistor wird, werden zwei technische Kniffe verwandt:


• Das Emitter (E) genannte Gebiet wird sehr viel höher dotiert als die darunter
liegende Basis. Dadurch wird erreicht, dass im Durchlassbereich der Diode der
Strom durch den PN-Übergang fast ausschließlich aus Elektronen besteht. Das
N-Gebiet sendet Elektronen aus. Es emittiert Elektronen
• Die Basis B wird sehr viel dünner als eine Diffusionslänge gemacht. Aus dem
Emitter eindringende Elektronen erreichen daher mit sehr hoher Wahrscheinlich-
keit den PN-Übergang zwischen Basis und Kollektor. Der Kollektor C sammelt
die meisten Elektronen ein, bevor sie in der Basis Löcher besezten können. Er
führt also eine Elektronenkollekte durch.
Die beiden Kniffe funktionieren besonders gut, wenn die Kollektor-Basis-Diode
gesperrt ist. Dieser PN-Übergang ist dann nur für die Minoritätsträger, also die
aus dem Emitter kommenden Elektronen durchlässig. Der Strom durch die Basis-
Kollektor-Diode ist also fast genau gleich dem aus dem Emitter kommenden Strom.
Damit bleibt für den Strom aus der Basis heraus fast nichts übrig. Abbildung 3.18
zeigt die Bilanz der Ladungsträgerströme. Der Basisstrom setzt sich aus zwei Teilen
zusammen: erstens aus dem Löcherstrom durch den PN-Übergang. Dieser ist um so
kleiner, je höher das Konzentrationsgefälle vom Emitter zur Basis ist; zweitens aus
dem Elektronenstrom, der in der Basis rekombiniert. Dieser Anteil sinkt mit der
Weite der Basis. Die restlichen Elektronen des Emitters erreichen die Sperrschicht
zum Kollektor.
Und genau diese Tatsache macht den Transistor zum Stromverstärker: Denn
wenn der Emitter-Kollektor-Strom immer ein großes Vielfaches des Emitter-Basis-
Stromes ist, dann lässt sich über einen kleinen Basisstrom ein großer Kollektor-
82 3 Halbleiter-Bauelemente

Abb. 3.18 Ladungsträger-


bewegungen im Bipolar-
Transistor bei gesperrter
Basis-Kollektor-Diode. Die
Elektronenbewegungen sind
hell, die Löcherbewegungen
dunkel dargestellt. Die Pfeile
oben geben die technischen
Stromrichtungen an

strom festlegen. Für diesen Betrieb ist der Transistor konstruiert, weshalb man für
diese Konfiguration auch von Normal- oder Vorwärtsbetrieb spricht. Man kann die
Stromverstärkung B f im Vorwärtsbetrieb als Funktion des Anteils Ae des Elektro-
nenstromes am Strom durch die Emitter-Diode und der Wahrscheinlichkeit PR eines
Elektrons, vor Erreichen der Basis-Kollektor-Verarmungszone zu rekombinieren,
bestimmen:
IC Ae (1 − PR )
Bf = = . (3.17)
IB Ae PR + (1 − AE )
Die Eigenschaften eines Bipolar-Transistors werden in einem Kennlinienfeld zu-
sammengefasst, wie es in Abb. 3.19 gezeigt wird. Diese Darstellung erlaubt es, für
eine gegebene äußere Beschaltung die Ströme und Spannungen zeichnerisch und
ohne Modellannahmen zu bestimmen. Ein Beispiel ist in Aufgabe 3.20 zu sehen.
Die Kennlinie der Basis-Emitter-Diode ähnelt der des normalen PN-Übergangs,

Abb. 3.19 Kennlinienfeld


eines typischen Bipolar-
Transistors: oben rechts
IC (UCE ) für verschiedene Ba-
sisströme, unten links IB (IBE ),
dazwischen IC (IB ), also die
leicht von UCE abhängige
Stromverstärkung

steigt aber bei großen Strömen etwas weniger steil an. Die Hochinjektion führt in
dem zwischen Emitter und Kollektor liegenden Teil der Basis zum Verschwinden
der Löcher und damit zu einer Reduktion der für die Diodenfunktion wirksamen
Querschnittsfläche. Zu jedem Basisstrom gehört eine Kollektor-Strom-Spannungs-
Kennlinie. Diese ist in weiten Bereichen eine fast gerade, flach verlaufende Kurve.
Die fast gerade verlaufenden Abschnitte extrapolieren nach links auf einen gemein-
3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 83

samen Spannungspunkt, der Early-Spannung genannt wird. Das leichte Ansteigen


der Kennlinien wird Early-Effekt genannt. Dieser Effekt hat die folgende Ursache:
Mit steigendem UCE wird die Basis-Kollektor-Sperrschicht breiter. Dadurch wird
der Basis-Bereich, in dem die Elektronen rekombinieren können, noch schmaler.
Das Verhältnis IC /IB steigt damit an. Welchen Wert IC hat (bildlich: auf welchem
Punkt der Kollektor-Emitter-Kennlinie sich der Transistor befindet), hängt von der
äußeren Beschaltung ab. Der Kollektorstrom ist ein Vielfaches des Basisstromes.
Der Faktor hängt leicht von der Kollektor-Emitter-Spannung UCE ab. In sehr vie-
len Fällen ist das um den Early-Effekt erweiterte Ebers-Moll-Modell eine gute Be-
schreibung des Kollektorstromes in Abhängigkeit der Basis-Emitter-Spannung:

UCE
IC = IS eUBE /UT 1 + . (3.18)
UA

In Gl. (3.18) wird UA die Early-Spannung genannt.


Durch Anlegen verschiedener Spannungen können die PN-Übergänge auf ins-
gesamt vier Arten kombiniert werden. Abbildung 3.20 zeigt, wie. Vertauscht man

Abb. 3.20 Die Operations-


modi des Transistors von links
nach rechts, je nachdem, ob
die großen Potenzialbarrieren
unten, oben, beidseitig oder
gar nicht vorhanden sind.
Der Normalbetrieb ist der
Vorwärtsbetrieb

Emitter und Kollektor (Rückwärtsbetrieb ), so ist die Verstärkung meist kleiner als
Eins. Entscheidend für die Anwendbarkeit eines Transistors sind fast immer dessen
Eigenschaften im Vorwärtsbetrieb. Die Eigenschaften des Rückwärtsbetriebs sind
nur bei einigen TTL-Schaltungen relevant. Der Sättigungsbetrieb wird bei schnel-
len Schaltungen vermieden: In Sättigung18 ist die Stromverstärkung kleiner als im
Vorwärtsbetrieb. In diesem Betriebszustand ist die gesamte Basis, nicht nur der klei-
ne Teil zwischen Kollektor und Emitter, mit Minoritätsträgern angefüllt.19 Da es
eine gewisse Zeit Braucht, bis all diese Minoritätsträger die Basis wieder verlassen
haben, wird der Sättigungsbetrieb langsamer verlassen, als für viele Anwendungen
nötig.
Komplementär zum bisher diskutierten NPN-Transistor gibt es den Abb. 3.21
gezeigten PNP-Transistor. Dieser funktioniert genau so wie der NPN-Transistor,

18 Ein Transistor sollte niemals voll durchgeschaltet genannt werden. Denn es ist unklar, ob das

mit vollem Spannungsabbau, also Sättigung, oder mit voller Verstärkung, also im Vorwärtsbetrieb,
oder mit voller Basis, also doch in Sättigung, oder mit voller Geschwindigkeit, also doch Vorwärts-
betrieb bedeutet. Wer in einer Prüfung mehr als voll nur die halbe Punktzahl bekommen möchte,
dem reichen die Begriffe Vorwärtsbetrieb und Sättigung - völlig.
19 Man kann, da Ladung gespeichert wird, auch von einer großen Diffusionskapazität sprechen.
84 3 Halbleiter-Bauelemente

Abb. 3.21 NPN- und PNP-


Transistor neben ihren Schalt-
symbolen. Der Pfeil zeigt
immer die Basis-Emitter-,
bzw. Emitter-Basis-Diode; in
jedem Fall auf ein N-Gebiet

allerdings mit genau umgekehrten Stromrichtungen: im Normalbetrieb fließt beim


PNP-Transistor Strom aus der Basis heraus.

3.2.5 MOS-Transistoren

Der Metal Oxyde Semiconductor, kurz MOS-Transistor, kann ohne dauerhafte Ein-
gangsströme die Größe von Ausgangsströmen definieren. Er ist daher der Transistor,
der im Verbund mit der CMOS Entwurfstechnik Schaltungen mit besonders gerin-
gen Verlustleistungen ermöglicht. Genau aus diesem Grund basieren heute fast alle
hochintegrierten Digitalschaltungen auf MOS-Transistoren. Und da ein gutes Oxyd
entscheidend für die Qualität eines MOS-Transistors ist, hat sich der Halbleiter mit
dem besten eigenen Oxyd, das Silizium mit seinem Oxyd Quarz, SiO2 , durchgesetzt,
obwohl andere Halbleiter höhere Beweglichkeiten der Ladungsträger haben, damit
also potenziell schneller erscheinen. Silicon Valley hieße ohne den MOS-Transistor
heute Germanium Valley.
Abbildung 3.22 zeigt den prinzipiellen Aufbau der Transistortypen. Die eigent-

Abb. 3.22 NMOS-Transistor


(oben) und PMOS-Transistor
(unten) mit den Anschlüssen
Body (B), Source (S), Ga-
te (G) und Drain (D). Was
Source und was Drain ist,
bestimmen die angeschlosse-
nen Potenziale. Die Source
ist Quelle der Ladungsträger,
die Drain Senke der Ladungs-
träger

liche Funktion findet direkt unter dem Gate-Oxid statt. Das Gate-Oxid ist eine
aus weniger als 100 Atomlagen bestehende Quarzschicht zwischen dem Gate -
Anschluss und dem darunter liegenden Body. Bei den neuesten Prozessorgeneratio-
3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 85

nen finden sogar Gates von nur noch fünf (!) Atomlagen, entsprechend einer Dicke
von 1,2 nm, Verwendung.
Die grundsätzliche Wirkungsweise eines MOS-Transistors ist in Abb. 3.23 zu
sehen. Wenn das Gate eines NMOS-Transistors gegenüber dem Body positiv gela-

Abb. 3.23 Zur Funktionswei-


se des NMOS-Transistors:
a) ohne externe Spannung
PN-Sperrschichten, b) bei
kleiner positiver Gate-Body-
Spannung Entstehung einer
Verarmungszone unter dem
Oxyd, c) bei UGS > UT h,N
Inversionskanal mit Kontakt
zu N-Gebieten d) bei UDS > 0
Strom von Drain zur Source

den ist, dann sorgt das (durch das schmale Gate-Oxid) sehr starke elektrische Feld
dafür, dass die Elektronen im P-Gebiet Energie gewinnen können, indem sie sich an
der Unterseite des Gate-Oxids sammeln. Auf diese Weise werden die Löcher unmit-
telbar unter dem Oxyd besetzt. Es entsteht eine negativ geladene Verarmungszone
unter dem Gate-Oxid. Dies schwächt das Feld (gleiche Spannung über einen größe-
ren Abstand). Die Breite der Verarmungszone wächst mit der Potenzialdifferenz
zwischen Gate und Body.
Ab einer bestimmen Spannung UT h,N , auch Schwellspannung genannt, ist es für
das erste Elektron energetisch günstiger, im Leitungsband unter dem Gate-Oxid
zu bleiben, als im Body zu rekombinieren. Es entsteht eine sehr dünne, Inversi-
onsschicht genannte Lage von Elektronen, die konstruktionsbedingt Kontakt zum
angrenzenden Source-Gebiet20 und zum N-Gebiet haben. Dieser Kontakt hat zur
Folge, dass das Potenzial in der Inversionsschicht durch das Source-, bzw. Drain-
Potenzial bestimmt wird. Es entsteht um das Siliziumdioxid herum ein Kondensator
mit einer um UT h,N verschobenen Charakteristik:

ε0 εSiO2 ASiO2
Q = C · (UG −UT h,N ) = · (UG −UT h,N ) . (3.19)
dSiO2

Dabei sind ASiO2 und dSiO2 die Fläche und der Durchmesser des Oxyds. Auf dem
Gate ist die Ladung +Q, im Silizium die Ladung −Q gebunden. Wird die Drain
positiv aufgeladen, dann fällt entlang der Inversionsschicht eine Spannung ab (siehe

20Technologisch sind Source und Drain identisch. Welcher von beiden Anschlüssen was ist, wird
nur durch die Beschaltung festgelegt. Beim NMOS-Transistor hat die Source das niedrigere, beim
PMOS-Transistor das höhere Potenzial. Durch diese Konvention ist sichergestellt, dass ein Kanal
entweder durchgängig oder Source-seitig angebunden ist. Wenn er wächst, dann von der Source
zur Drain und nicht umgekehrt.
86 3 Halbleiter-Bauelemente

Abb. 3.24) und ein Strom beginnt in einer Weise zu fließen, die als Anlauf bezeich-
net wird. Dessen Größe ergibt sich wie folgt: Unter dem Oxyd variiert die Spannung

Abb. 3.24 Zur Herleitung der


MOS-Kennlinie im Anlauf:
Bei einem NMOS-Transistor
mit der Weite w und der Länge
l bewegen sich die Elektronen
mit einer Geschwindigkeit ve
von der Source zur Drain und
ergeben einen Strom I von der
Drain zur Source

U im Kanal zwischen U = US = 0 am Source-Ende und U = UD am Drain-Ende.


So ist auch die gebundene Ladung eine Funktion des Ortes x zwischen den beiden
Gebieten. Auf einem Flächenstück dASiO2 = w · dx ist eine Ladung
ε ·w
dQ = − · (UG −UT h,N −U)dx (3.20)
dSiO2

gebunden. Der Strom I = dQ/dt fließt entgegen der Elektronengeschwindigkeit


ve = dx/dt. Diese Geschwindigkeit ist ve = μn · E und damit ve = −μn · E =
μn dU/dx. So ergibt sich für den Strom

ε · w · μn dU
IDS = − · (UG −UT h,N −U) . (3.21)
dSiO2 dx

Dies ist eine eine Differenzialgleichung, die durch Integration von 0 bis l und von
UD bis 0 gelöst wird:


ε · w · μn 1 2
IDS = · (UG −UT h,N ) ·UD − UD (NMOS, Anlauf). (3.22)
dSiO2 · l 2

Da der Einfluss des Body-Potenzials durch die Verarmungszone meist gering ist,
kann man Gl. (3.22) auf von Null verschiedene Source-Spannungen, US , generali-
sieren. Mit UGS = UG −US und UDS = UD −US wird


ε · w · μn 1 2
IDS = · (UGS −UT h,N ) ·UDS − UDS . (3.23)
dSiO2 · l 2

Gleichung (3.23) gibt den Strom eines NMOS-Transistors von der Drain zur Source
an. Die von der Technologie und dem Chip-Entwurf bestimmten Vorfaktoren wer-
den meist zusammengezogen, so dass Gl. (3.23) als


1 2
IDS = βN · (UGS −UT h,N ) ·UDS − UDS (3.24)
2

geschrieben werden kann.


3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 87

Für ein gegebenes UGS hat der Strom ein Maximum bei UGS −UT h,N = UDS . An
diesem Punkt ist UGD = UT h,N , mit anderen Worten: Der Strom erreicht sein Ma-
ximum, wenn der Kanal gerade noch an das Drain-Gebiet heranreicht. Wenn UDS
noch weiter steigt, dann erreicht der Kanal die Drain nicht mehr. Damit sind die Vor-
aussetzungen, die zur Gl. (3.23) führen, nicht mehr erfüllt. Abbildung 3.25 zeigt die

Abb. 3.25 Spannungen an


einem abgeschnürten NMOS-
Transistor: Wenn UGD <
UT h,N wird, erreicht der Kanal
nicht mehr das Drain-Ende.
Das Potenzial am Kanal-
Endpunkt hängt nur von UG
ab

neue Situation. Elektronen, die das Kanalende erreichen, werden vom elektrischen
Feld zwischen Kanalende und der Drain durch die Verarmungszone gezogen.21 Auf
dem Weg zur Drain sind keine Löcher zum Rekombinieren vorhanden.

Alle Elektronen, die das Kanalende erreichen, erreichen auch die Drain.

So kann in nullter Näherung angenommen werden, dass der Strom bei einer
Erhöhung von UDS über den Wert von UDS = UGS −UT h,N hinaus konstant bleibt:

βN
IDS = · (UGS −UT h,N )2 . (3.25)
2
Abbildung 3.26 zeigt, dass der Drain-Strom IDS als Funktion der Spannung UDS

Abb. 3.26 Die Drain-Strom-


Spannungs-Kennlinie eines
MOS-Transistors in nullter
Näherung; links der gepunk-
teten Parabel ist er im Anlauf,
rechts im Abschnürbereich

jeweils beim Schneiden mit der Parabel IDS = βN UDS2 /2 vom Anlauf in den Ab-

schnürbereich übergeht.
Ein von UDS ganz unabhängiger Drain-Strom ist jedoch physikalisch nicht sinn-
voll. Das zeigt folgende Überlegung: Wenn bei konstantem Gate- und Source-
Potenzial das Drainpotenzial im Abschnürbereich erhöht wird, dann wandert der
21Zwischen dem Kanalende und der Drain passiert also das Gleiche wie in der Verarmungszone
zwischen Basis und Kollektor eines Bipolar-Transistors im Vorwärtsbetrieb.
88 3 Halbleiter-Bauelemente

Endpunkt des Kanals näher an die Source heran. Abbildung 3.25 aber zeigt: Die
Spannung zwischen Drain-Ende und Source bleibt dabei immer die selbe: UGS −
UT H,N . Gleiche Spannung auf kleinerer Distanz ergibt ein stärkeres Feld. Der Strom
muss ansteigen.
Bei der Beschreibung des Stromanstiegs wird meist die so genannte Kanallängen-
modulation λN verwendet, mit deren Hilfe der Ausdruck nullter Ordnung modifi-
ziert wird:
βN
IDS = · (UGS −UT h,N )2 · (1 + λN UDS ) . (3.26)
2
Vorsicht Fehlinterpretation! Dies ist ein rein phänomenologischer Ansatz und nicht
die Linearisierung einer physikalisch begründeten Formel. Der Term λUDS modifi-
ziert die Kennlinie so, dass sie bei gegebenem UGS nicht mehr nahtlos an den Anlauf
anschließt. Denn sie setzt nicht an dem Punkt an, ab dem der Kanal abgeschnürt ist
(UGD = UT h,N ), sondern bereits bei UDS = 0. Daher sollte der Faktor λ schlicht
als einfachste, aus der Kleinsignalanalyse entlehnte Möglichkeit angesehen werden,
alle den Strom erhöhenden Effekte zusammenzufassen.
Die Formen von in der Massenproduktion von Digitalchips befindlichen MOS-
Transistoren weichen heute teilweise stark von der in Abb. 3.23 gezeigten Geome-
trie ab. Seit 2011 werden die Transistoren in den Prozessoren der Firma Intel in Serie
so produziert, wie es Abb. 3.27 darstellt. Durch die senkrechten Anteile des Kanals

Abb. 3.27 3 D Transistor:


Bei diesem Transistor verläuft
der Kanal wie an den Wänden
eines Tunnels entlang. Der
dargestellte Transistor ist
etwa 22 nm lang und Teil
eines Intel-Prozessors

wird die effektive Weite deutlich größer, als es die (von oben sichtbare) Breite des
Kanals ist. Ein unterhaltsames Video hierzu befindet sich im Internet auf youtube.
[4]
Bis zur Einführung der Transistoren mit vertikalen Kanalkomponenten waren die
Leckströme der Transistoren durch den Source-Body PN-Übergang und den Drain-
Body-Übergang ein begrenzender Faktor der Energieeffizienz und der Packungs-
dichte von Tansistoren. Anfang des 21. Jahrhunderts galt folgende Faustformel: Die
Summe aller Leckströme ist so groß wie die der Umschaltströme, mit steigender
Tendenz. Durch die sehr viel kleinere Fläche zwischen Source und Body bzw. Drain
und Body ist dieses Problem praktisch gelöst und heute kein Thema mehr. Die Ver-
kleinerung dieser Flächen hat einen weiteren unschätzbaren Vorteil: Dadurch, dass
die Parasitärkapazitäten proportional zur Fläche kleiner werden, steigt die maximal
mögliche Schaltfrequenz (siehe Abb. 3.34 weiter unten).
3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 89

Wer die Funktion des NMOS-Transistors kennt, kennt bis auf einige Vorzeichen
auch die des PMOS-Transistors. Denn für den PMOS-Transistor führen die gleichen
Überlegungen zur entsprechenden Strom-Spannungs-Gleichung
ε·w·μ  
ISD = dSiO ·lp · (UGS −UT h,P ) ·UDS − 21 UDS
2
2  (3.27)
ISD = βP · (UGS −UT h,P ) ·UDS − 12 UDS2 .

Vorsicht Vorzeichen! Wenn alle Vorfaktoren positiv sind, fließt beim PMOS-Transistor
der Strom von der Source zur Drain. Außerdem gilt im Gegensatz zum NMOS-
Transistor: TT h,P ist negativ. Im Abschnürbereich gilt entsprechend in nullter Nähe-
rung
βP
ISD = · (UGS −UT h,N )2 , (3.28)
2
und der Kanallängenmodulationsfaktor λP in einem Korrekturterm (1 − λPUDS ) ist
auch negativ, da UDS definitionsgemäß negativ ist (sonst müssten Source und Drain
die Namen tauschen).
Die oben genannten Formeln sind gute Wegweiser. Allerdings, je näher die MOS-
Technologie der Ein-Nanometer-Marke kommt, desto stärker machen sich Effek-
te, die bei sehr kurzen Distanzen wichtig werden, bemerkbar. Das Verhalten eines
MOS-Transistors, wie er zum Beispiel in neueren smart phones vorkommt, ist prak-
tisch nur noch anhand von Messungen in numerischer Form bekannt.

3.2.6 Ersatzschaltbilder

Die Kennlinien aktiver Bauelemente sind entweder solcher Natur, dass sie in Schal-
tungsberechnungen zu nicht explizit lösbaren Gleichungen führen oder gar nicht
analytisch bekannt sind. Daher wird mit Ersatzschaltbildern gearbeitet. Das sind
häufig Linearisierungen der Kennlinien.
Die Exponentialfunktion in der Diodenkennlinie ist im praktischen Alltag kaum
als solche zu erkennen. Dazu müssten Ströme im Nano-Ampère-Bereich dargestellt
werden. Abbildung 3.28 zeigt: Bei Strömen im Milli-Ampère-Bereich scheint die

Abb. 3.28 Die Diode und ihre


Ersatzschaltbilder: Original,
Konstantspannungsquelle,
Kleinsignalwiderstand

Kennlinie aus zwei Geraden zu bestehen, von denen eine auf der Strom-Nulllinie
verläuft und die andere bei einer bestimmten Spannung, auch Knickspannung oder
Schleusenspannung genannt, fast senkrecht ansteigt. Daher ist das einfachste Er-
satzschaltbild einer Diode in Vorwärtsrichtung eine Konstantspannungsquelle.
90 3 Halbleiter-Bauelemente

Definition 3.3. Die Schleusenspannung UD ist die Spannung, bei der ein Dioden-
strom von I = 1mA fließt.
Die Knick- oder Schleusenspannung ist eine Hilfsgröße ohne theoretisches Funda-
ment. Ihr praktischer Wert liegt darin begründet, dass in ihrer Umgebung erstens
selbst bei großen Stromänderungen die Spannung fast konstant ist und zweitens die
Ströme bei kleineren Spannungen sehr schnell vernachlässigbar klein werden.

Eine Diode, an der weniger als die Schleusenspannung anliegt, gilt als ge-
sperrt.

Sollen die kleinen Strom-Spannungsschwankungen um einen Punkt herum be-


rechnet werden, so werden der differenzielle Widerstand, r, oder der Kleinsignalwi-
derstand verwendet (Abb. 3.28 rechts):
1 dI d U/UT I
= = IS e −1 ≈ . (3.29)
r dU dU UT
Erstaunlicherweise ist bei gegebenem Strom der Kleinsignalwiderstand nur von der
Temperatur abhängig; alle technologischen Details, selbst das verwendete Material,
fallen heraus. In Rückwärtsrichtung gepolt verhält sich eine Diode wie ein span-
nungsabhängiger Kondensator (siehe Gl. (3.13)).
Beim Entwurf und bei der Analyse von Schaltungen mit Bipolar-Transistoren ist
es ratsam, mit den in Abb. 3.29 gezeigten, groben Modellen zu beginnen, um Klar-

Abb. 3.29 Ersatzschaltbilder des NPN-Transistors nullter Ordnung

heit über die Betriebszustände zu bekommen. Diese Vereinfachungen reichen in der


Regel, um bipolare Digitalgatter zu verstehen. Sie heißen auch Ersatzschaltbilder
nullter Ordnung, weil noch nicht einmal lineare Zusammenhänge zwischen Strom
und Spannung berücksichtigt sind. Abbildung 3.30 zeigt, dass sogar die Annahme
einer konstanten Stromverstärkung meist bis auf wenige Prozent genau ist. Im All-
tag sind die folgenden Test sehr nützlich um den Betriebszustand eines Transistors
festzustellen:
3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 91

Abb. 3.30 Messung der


Kollektor-Emitter-Kennlinien
IC = f (UCE ) für verschiedene
Basisströme am Transistor
des Typs BC140 (Quelle: FH
Münster, Elektrotechnik)

Wenn die Annahmen UBE = UD und IC = B f IB zum Resultat UBC < UD führen,
dann ist der Transistor im Vorwärtsbetrieb; wenn nicht, dann ist er in Sätti-
gung.

Dabei bedeutet in den meisten Fällen UBC < UD , dass UBC negativ ist. Der kom-
plementäre Test lautet:

Wenn die Annahmen UBE = UD und UCE = UD zum Resultat IC < B f IB führen,
dann ist der Transistor in Sättigung; wenn nicht, dann ist er im Vorwärtsbe-
trieb.

Für Tests des Rückwärtsbetriebs müssen oben Kollektor und Emitter vertauscht
werden (siehe Aufgabe 3.19).
Mit Hilfe der Ersatzschaltbilder nullter Ordnung lässt sich der Arbeitspunkt
abschätzen. Diesem Begriff liegt die Idee zugrunde, dass die Ströme und Spannun-
gen in einer Schaltung einen über große Zeiträume konstante Mittelwerte haben,
um die herum von der Zeit abhängige Änderungen passieren. Im einfachsten Falle
wären dies Ströme vom Typ I(t) = I0 + I1 sin(ωt). Hier würde der Strom I0 Strom
des Arbeitspunktes genannt werden.
Definition 3.4. Der Arbeitspunkt einer Schaltung ist die Menge all seiner Strom-
und Spannungs-Mittelwerte.
Die interessanten, zu analysierenden oder zu verstärkenden Anteile sind dabei in der
Regel die Abweichungen vom Arbeitspunkt. Da selbst das Ebers-Moll Transistor-
Modell (Gl. 3.18) schon bei einfachen Schaltungen zu unlösbaren Gleichungssys-
temen führt, muss linearisiert werden. Dabei hat sich in der Elektrotechnik die No-
menklatur eingebürgert, anstelle totaler Differenziale (dU, dI) kleine Buchstaben
(u, i) zu verwenden. Die Linearisierung des Bipolar-Transistors basiert aus guten
Gründen (siehe Aufgabe 3.24) auf der Hybrid-Parameter-Matrix h :
   
dUBE uBE iB dIB
= = h· = h· . (3.30)
dIC iC uCE dUCE
92 3 Halbleiter-Bauelemente

∂UBE
Lässt man die Rückwirkung h12 = ∂U außen vor, dann kann Gl. (3.30) als Schal-
CE
tung für kleine Strom- und Spannungsänderungen gelesen werden: dUBE = h11 dIB
ist eine Variante des Ohmschen Gesetzes, beschreibt also einen Widerstand: h11 =
rBE . Das Differenzial des Kollektorstroms setzt sich aus zwei Teilen zusammen:
dIC = h21 dIB + h22UCE . Dies ist eine Parallelschaltung (Stromsumme!) aus einer
von der Basis gesteuerten Stromquelle und einem Widerstand 1/rCE = ∂ IC /∂UCE .
So ergibt sich insgesamt das in Abb. 3.31 gezeigte Bild. Der untere Teil der Hybrid-

Abb. 3.31 Kleinsignal-


Ersatzschaltbild eines NPN-
Transistors im Vorwärtsbe-
trieb nach der h-Parameter-
Matrix

Parameter-Matrix ist durch den rechten Teil des Ersatzschaltbildes dargestellt, der
obere Teil durch rBE .
Für den PNP-Transistor gilt Analoges mit der folgenden Konvention: Alle Rich-
tungen der Ströme sind so gewählt, dass die Ströme im Vorwärts- oder Normalbe-
trieb positiv sind. Für den PNP-Transistor heißt das: Der Strom fließt in den Emitter
herein22 und aus Kollektor und Basis wieder heraus.
Bei hohen Frequenzen sind die in Abb. 3.32 gezeigten Parasitärkapazitäten an

Abb. 3.32 Parasitärkapa-


zitäten des PNP-Transistors
im Vorwärtsbetrieb

den PN-Übergängen zu berücksichtigen (verg. Gl. (3.13)). An jedem PN-Übergang


gibt es eine Sperrschichtkapazität.
Der MOS-Transistor im Abschnürbereich hat in nullter Näherung einen von UDS
unabhängigen Drain-Strom. So ist der NMOS-Transistor in nullter Näherung durch
eine Stromsenke und der PMOS-Transistor in nullter Näherung durch eine Strom-
quelle charakterisiert.
In erster Ordnung kann die Abweichung des Drain-Stromes vom Arbeitspunkt
als
∂ IDS ∂ IDS
iDS = dIDS = dUGS + dUDS (3.31)
∂UGS ∂UDS
22Zeichnet man Schaltungen so, dass der Strom von oben nach unten fließt und die Pfeile an den
Transistoren in die gleiche Richtung zeigen, dann vermeidet man fast alle Vorzeichenprobleme.
3.2 Theoretische Grundlagen der Halbleiter-Bauelemente 93

geschrieben werden. Dies ist also die in Abb. 3.33 gezeigte Parallelschaltung

Abb. 3.33 Kleinsignal-


Ersatzschaltbild eines MOS-
Transistors

(Stromsumme) einer spannungsgesteuerten Stromquelle und einem Widerstand.


Gleichung (3.31) wird meist in der folgenden Form geschrieben:

iDS = gm · uGS + gd · uDS . (3.32)

Die höchstmöglichen Umschaltfrequenzen werden durch die Parasitärkapazitäten


mit bestimmt. Im Detail ist deren Beschreibung recht komplex (siehe [2]). Sie erge-
ben sich aus der in Abb. 3.23 gezeigten Geometrie und sind in Abb. 3.34 zusammen-
gefasst. Die in Abb. 3.34 benutzten Bezeichnungen lehnen sich an die des Simula-

Abb. 3.34 Parasiärkapa-


zitäten eines MOS-Transistors

tors SPICE [1] an. CGSO und CGDO stehen für gate source overlap und gate drain
overlap. Ihr Ursprung ist einerseits die Tatsache, dass in der Realität die Source-
und Drain-Dotierungen etwas unter das Gate diffundieren. Andererseits gibt es auch
noch elektrische Streufelder, deren Feldlinien nicht senkrecht durch das Gate-Oxid
ausgerichtet sind, sondern Gate und Drain bzw. Gate und Source verbinden. In den
leitenden Zuständen des Kanals kommt die direkte Kopplung zwischen Kanal und
Gate hinzu. CJSB und CJDB stehen für junction souce body und junction drain bo-
dy. Diese sind die Kapazitäten der PN-Übergänge. CGB ist die Parasitärkapazität
zwischen Gate und Body. Sie ist von allen die kleinste.
Bei den seit 2011 auf dem Markt befindlichen dreidimensionalen Transistoren
sind, wie in Abb. 3.27 gezeigt, CJSB und CJDB gegenüber herkömmlichen MOS-
Transistoren um fast eine Größenordnung geringer als bei herkömmlichen Geome-
trien. So werden höhere Taktraten ermöglicht.
94 3 Halbleiter-Bauelemente

3.3 Antworten zu Kapitel 3

3.1 Die vier äußeren Elektronenorbitale bilden einen Tetraeder. Bei dieser Form
sind alle Elektronen gleich weit, und damit möglichst weit voneinander entfernt.
Energetisch stellt für die vier äußeren Elektronen der Tetraeder also ein Minimum
dar: möglichst nah am Kern und gleichzeitig möglichst weit voneinander weg.
3.2 1eV ist der Energiegewinn eines Elektrons beim Durchlaufen einer Potenzi-
aldifferenz von 1V. Das Potenzial ist aber nichts anderes als Energie pro Ladung:
U = W /Q, und die Ladung ist eine Elementarladung Q ≈ 1, 6 10−19 C. Also ist
W = Q ·U = 1, 6 10−19 C · 1 V = 1, 6 · 10−19 J.
3.3 Alle Minoritätsträger können Verarmungszonen passieren, und sie tun es zu
100%, da sie vom Feld in der Verarmungszone beschleunigt werden und auf dem
Weg durch die Zone (bis auf die statistisch nicht ins Gewicht fallenden entgegen-
kommenden Minoritätsträger der anderen Fraktion) nichts zum Rekombinieren fin-
den.
Außerdem kann ein kleiner Teil der Majoritätsträger die Verarmungszone pas-
sieren. Es ist genau der Teil, der genügend Energie besitzt, um die Potenzialbar-
riere zu überwinden. Bildlich gesprochen ist dies die obere Ecke des thermischen
Elektronen-Energiespektrums.
3.4 Es werden 0 Volt (keine Spannung) gemessen, da die Diffusionsspannung nicht
nach außen dringt (siehe auch Abb. 3.15).
3.5 Ja! Allerdings hat ein Elektron im P-Gebiet am Rande der Verarmungszone
nur eine knapp 50%ige Wahrscheinlichkeit, in die Zone einzudringen. Dann fliegt
es jedoch mit fast 100%iger Wahrscheinlichkeit bis in das N-Gebiet. Je weiter es
vom Rand der Zone entfernt erzeugt wird, um so kleiner wird die Chance, diese zu
erreichen. Insgesamt ergibt sich ein weicher Übergang: Tief in der Verarmungszone
tragen alle Photonen zum Energiegewinn bei. Am Rande, aber noch innerhalb der
Zone wächst die Chance, dass der Impuls des frisch erzeugten Elektrons ausreicht,
um gegen das elektrische Feld aus der Verarmungszone herauszukommen. Genau
am Rand beträgt die Chance 50%, um dann mit wachsendem Abstand langsam ge-
gen Null zu gehen. Dabei heißt großer Abstand : deutlich mehr als eine Diffusi-
onslänge.
3.6 Lawineneffekt: Die Elektronen werden in der Verarmungszone so stark be-
schleunigt, dass sie bei der nächsten Kollision mit einem Atomrumpf ein Elektron-
Loch-Paar erzeugen. So steigt die Anzahl der Ladungsträger bei hinreichender Wei-
te der Sperrschicht lawinenartig an. Dieser Zusammenbruch erfordert also eine nied-
rige Dotierung, denn eine solche geht mit großen Weiten einher.
Zener-Effekt: Wird die Feldstärke innerhalb der Verarmungszone so groß, dass
ein Bindungselektron dadurch Energie abgeben kann, dass ein Stückchen entge-
gen dem elektrischen Feld ins Leitungsband eindringt, dann wechselt das Elektron
mit einer gewissen Wahrscheinlichkeit spontan vom Valenzband ins Leitungsband.
Dies ist nur möglich, weil im Rahmen der Quantenmechanik das so genannte Tun-
3.3 Antworten zu Kapitel 3 95

neln möglich ist. Tunneln heißt, einen Bereich zu großer Energie überwinden und
jenseits des Energieberges wieder herauskommen. Die Wahrscheinlichkeit des Tun-
nelns fällt sowohl mit dem Abstand, als auch mit der Höhe des Energieberges expo-
nentiell ab. Dieser Zusammenbruch erfordert also eine sehr hohe Dotierung.
Thermischer Durchbruch: Der thermische Durchbruch kann zusammen mit den
beiden oben genannten Effekten oder bei sehr hohen Temperaturen auftreten. Der
Strom in Sperrrichtung wird von in der Verarmungszone erzeugten Elektron-Loch-
Paaren dominiert. Mit steigender Temperatur wächst die Anzahl dieser Paare lawi-
nenartig an. Sie erzeugen bei einer in Sperrrichtung anliegenden Spannung USperr in
der Sperrschicht eine Wärmeleistung P = (UD + USperr )I (siehe Gl. (3.11)). Wenn
diese Wärme nicht schnell genug abgeführt wird (Kühlung), dann sorgen also mehr
Paare für noch mehr Paare und so weiter, bis die Diode thermisch zerstört ist.
3.7 Zu a) Sagen Sie das nie, und schon gar nicht in einer Prüfungssituation. Entwe-
der, die Theorie sagt das in der Praxis Gefundene richtig voraus, oder sie ist falsch.
In diesem Fall ist die Theorie unvollständig: In der Shockley-Gleichung (3.15) ist
die thermische Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren nicht berücksichtigt. Diese Er-
zeugung kann den Strom in Sperrrichtung leicht um einen Faktor 1000 erhöhen.
Wenn er aber trotz dieses Faktors noch auf dem Oszilloskop unsichtbar bleibt, dann
muss es einen anderen Grund geben.
c) ist richtig. Der Sperrstrom liegt um Größenordnungen unterhalb der in Vorwärts-
richtung gemessenen Ströme. Er liegt daher optisch näher bei Null, als das mensch-
liche Auge auflösen kann.
Zu b) Das ist natürlich absoluter Quatsch.
3.8 Der Fall, dass die Sperrschicht einer Diode vollständig abgebaut wird, tritt
praktisch nie ein. In der Regel würde das Halbleiter-Bauteil vorher zerstört. Viel-
mehr bedeutet ein großer Diodenstrom dass die Potenzialbarriere der Sperrschicht
ist so flach geworden, dass ein großer Teil der Majoritätsträger hindurch diffundie-
ren kann. Man könnte auch sagen: Die Sperrschicht ist noch da, aber sie ist irrele-
vant.
3.9 Der lineare Verlauf der Kennlinie zeigt, dass hier mit der Näherung

I ≈ IS eU/UT (3.33)

gearbeitet werden kann. Aus der Steigung der Geraden kann die Temperaturspan-
nung ermittelt werden, denn für zwei Messpunkte (U1 , I1 ) und (U2 , I2 ) gilt
U1 −U2 U1 −U2
UT = = . (3.34)
ln(I1 /I2 ) log(I1 /I2 ) · ln(10)

Setzt man die Anfangs- und Endwerte der Messreihe ein, so ergibt sich eine Tempe-
raturspannung von UT = 21mV. Das entspricht einer Temperatur von unter -30 Grad
Celsius und spricht eindeutig für ein Messen mit einer Mütze auf dem Kopf.23

23 Ein Kollege wies mich darauf hin, dass das Messen in Badehose in seinem Labor ohnehin nicht

gestattet sei.
96 3 Halbleiter-Bauelemente

Für den Sperrstrom kann nun UT in einen beliebigen anderen Punkt gemäß IS =
I/eU/UT eingesetzt werden. Numerisch ergibt sich IS ≈ 0, 1 fA.
3.10 Der im Abschnürbereich betriebene PMOS-Transistor verhält sich in null-
ter Näherung wie eine spannungsgesteuerte Stromquelle. Der im Abschnürbereich
betriebene NMOS-Transistor verhält sich in nullter Näherung wie eine spannungs-
gesteuerte Stromsenke.
3.11 Damit ein MOS-Transistor überhaupt leitet, muss die Gate-Source-Spannung
weiter von der Null weg sein als die dazu gehörige Schwellspannung; also beim
NMOS-Transistor das positive UGS > UT h,N und beim PMOS-Transistor das nega-
tive UGS < UT H,P . Damit der Kanal vollständig ist, müssen die entsprechenden Un-
gleichungen nicht nur am Source-Ende, sondern auch am Drain-Ende erfüllt sein:
beim NMOS UGD > UT h,N und beim PMOS UGD < UT H,P .
3.12 Das ist natürlich der durch die Minoritätsträger bedingte Ladungsüberschuss
(siehe Text unter Abb. 3.19)
3.13 Die Aussagen folgen direkt aus der Fermi-Verteilung (Gl. (3.1)). Für T → 0
erhält man wegen e−∞ = 1/e∞ = 0

nz (EZ < EF ) = 1 und nz (EZ > EF ) = 0 . (3.35)

Das heißt: Unterhalb der Fermi-Energie ist alles besetzt, oberhalb ist alles leer.
3.14 Ja, es gilt, und dies ist nichts als Statistik, wie die folgende Überlegung zeigt:
Für reines Silizium sind n und p gleich: n = p = ni . Im Gleichgewicht ist die
Wahrscheinlichkeit, dass ein Elektronen-Loch-Paar entsteht, genau so groß wie die,
dass es rekombiniert. Dabei ist die Entstehung ein reiner Temperatureffekt, welcher
jedes Siliziumatom treffen kann.
Wie ändert sich die Situation, wenn durch Dotierung die Anzahl der Elektro-
nen verdoppelt wird? Die Wahrscheinlichkeit, dass irgendein Loch ein Wiederbeset-
zungselektron findet, verdoppelt sich. Die Wahrscheinlichkeit, dass ein neues Loch
entsteht, bleibt aber gleich. Im Mittel wird daher die Anzahl der Löcher halbiert.
Es gilt also n(neu) = 2n(alt) und p(neu) = p(alt)/2. Und damit p(neu) · n(neu) =
2n(alt) · p(alt)/2 = n(alt) · p(alt). Diese Überlegung kann generalisiert werden:

Das Produkt aus Löcherkonzentration und Elektronenkonzentration ist von


der Dotierung unabhängig.

3.15 Nach Gl. (3.7) (eine Anwendung des Gaußschen Satzes) ist die Feldstärke
gleich dem Integral über die Ladungsdichte. In Regionen konstanter Dichte müssen
sich daher, wie in Abb. 3.35 gezeigt, Geraden-Abschnitte ergeben. Das Potenzial ist
(bis auf das Vorzeichen) nach Gl. (3.8) das Integral über die Feldstärke. Dort, wo die
Feldstärke linear ansteigt, fällt das Potenzial parabolisch ab. Es erreicht schließlich
den Wert der Diffusionsspannung UD .
3.16 Abbildung 3.36 zeigt beispielhaft den Verlauf. In einer Prüfungssituation sind
3.3 Antworten zu Kapitel 3 97

Abb. 3.35 zur Aufgabe 3.15:


Ionenverteilung, elektrisches
Feld und Potenzial als Re-
sultat eines idealisierten,
weil abrupten PN-Übergangs;
links das P-Gebiet, rechts das
N-Gebiet (Einheiten beliebig)

Abb. 3.36 Lösungsskizze zur Aufgabe 3.16: Verlauf der Ladungsträgerkonzentration einer
vorwärts gepolten Diode

folgende Details zu beachten: An den Rändern, außerhalb der Rekombinationszo-


ne liegt ni genau in der Mitte zwischen P und nmin sowie zwischen N und pmin . In
der Verarmungszone und in den Rekombinationsbereichen muss dies nicht mehr der
Fall sein. Der mit Elektronendiffusion und mit Löcherdiffusion bezeichnete Bereich
hat im halblogarithmischen Maßstab genau dann einen linearen Verlauf, wenn die
Dotierungskonzentrationen keine Ortsabhängigkeit mehr haben. Die Verarmungs-
zone reicht weiter in das N-Gebiet als in das P-Gebiet, denn es gilt N · wN = P · wP
mit w = wN + wP .
3.17 In Abb. 3.18 ist zu sehen, dass eine Komponente der Löcherstrom aus der
Basis in den Emitter ist. Die zweite Komponente ist derjenige Anteil des Elektro-
nenstromes aus dem Emitter heraus, der in der Basis rekombiniert. Bei steigender
Basis-Kollektor-Spannung nimmt (vergleiche Gl. (3.12)) die Sperrschichtweite zu.
Dadurch wird die Zone, in der die Elektronen rekombinieren können, schmaler. Das
führt zur Abhängigkeit von IC von UBC , also zum Early-Effekt.
98 3 Halbleiter-Bauelemente

3.18 Die Schleusenspannung einer Halbleiterdiode liegt zwischen US = 0, 6 V und


US = 0, 7 V, die der Schottky-Diode etwas über US = 0, 3 V. Es fällt also insgesamt
ein knappes Volt ab. Der Kleinsignalwiderstand einer Diode ist nach Gl. (3.29) vom
Typ unabhängig rDiode = UT /I. Für beide Dioden zusammen ist also r = 2 · rDiode =
2 · (UT )/I, also in Zahlen r ≈ 4 Ω.
3.19 In Abb. 3.37 sind die Lösungsmöglichkeiten schematisch dargestellt. Die

Abb. 3.37 zur Aufgabe 3.19: Betriebszustände von Bipolar-Transistoren ind verschiedenen Kon-
figurationen. Vorwärtsbetrieb und Rückwärtsbetrieb sind eindeutig. Für die Sperrung gibt es zwei
Möglichkeiten. Was zunächst wie Sättigung aussieht, kann sich als Rückwärtsbetrieb herausstellen

vorletzte in Abb. 3.37 gezeigte Schaltung kann nicht ausschließlich aufgrund ih-
rer Struktur einem Betriebszustand zugeordnet werden. Vielmehr ist die Kenntnis
der Rückwärtsstromverstärkung nötig, wie die folgende Überlegung zeigt: Zunächst
scheint es, als seien beide Dioden des Transistors in Durchlassrichtung gepolt, der
Transistor also in Sättigung ist. Wenn jedoch viel mehr Strom durch die Basis
fließt als durch den Kollektor, dann sperrt die Basis-Emitter-Diode und der Tran-
sistor ist im Rückwärtsbetrieb. Folgender Test entscheidet: Wenn die Annahme des
Rückwärtsbetriebs zu einer Emitter-Basis-Spannung führt, die einer noch nicht lei-
tenden Diode (hier UD ≈ 0, 65 V) gehört, dann ist die Annahme des Rückwärtsbe-
triebs richtig, anderenfalls ist der Transistor in Sättigung. Ausgehend von

IE = Br · IB
(3.36)
UCB ≈ UD

und dem Ohmschen Gesetz für die Widerstände ergibt sich ein Basis-Potenzial von
2V+ −UD
UB = V− + . (3.37)
R (2 + Br )

Für Br = 0 fließt kein Emitterstrom, und es ergibt sich ein symmetrischer Span-
nungsteiler zwischen den Widerständen an Kollektor und Basis. Das Basispotenzial
ist mit UB = −UD /2 zu klein für einen signifikanten Diodenstrom: In diesem Fall ist
also die Annahme des Rückwärtsbetriebs korrekt. Für große Werte von BR wird der
Basisstrom sehr klein, und der Spannungsabfall über dem Emitter steigt. Je größer
BR desto mehr sackt das Basispotenzial ab, bis UEB ≈ UD . Dann sorgt die Emitter-
Basis-Diode dafür, dass das Potenzial nicht weiter sinkt, und es herrscht Sättigung.
3.3 Antworten zu Kapitel 3 99

Setzt man das Basispotenzial in Gl. (3.37) gleich UD , dann lässt sich die Grenze für
Br bestimmen:
UD
Br > (Sättigung). (3.38)
V+ −UD
Für die gegebenen Werte müsste für die Sättigung Br > 0, 13 sein, ist es aber nicht.24
Daher ist der Transistor im Rückwärtsbetrieb. Nur die letzte gezeigte Möglichkeit
zeigt den Transistor in Sättigung, denn B f = 20 > 0, 13.
Ein Strom von genau 5 mA ergibt sich beim Vorwärtsbetrieb am Emitter, beim
Rückwärtsbetrieb links am Kollektor und für die Sättigung an der Basis.
3.20 Der Ausgangswiderstand ist am größten, wenn der Transistor in Vollsper-
rung ist. Dann ist der Ausgangswiderstand gerade gleich dem an den Kollek-
tor angeschlossenen Widerstand: RC = 500 Ω. Die Summe der Spannungen an
diesem Widerstand plus UCE ist gerade die Bordnetz-Spannung VCC . Also gilt
IC = (VCC − UCE )/RC . Diese Arbeitsgerade genannte Linie ist in Abb. 3.38 gestri-
chelt eingezeichnet. Bei UCE = 6 V schneidet die Gerade die zu einem Basisstrom

Abb. 3.38 zur Aufgabe 3.20: Zeichnerische Bestimmung der Ströme und Spannungen an einem
Bipolar-Transistor durch Analyse des Kennfeldes

von IB = 30 μA gehörende Ausgangslinie. Dieser Wert für den Basisstrom wird


(schwer abzulesen, aber nicht kritisch) bei einer Basis-Emitter-Spannung von etwa
UBE ≈ 0, 65 V erreicht. Wenn diese auch Eingangsseitig der Umschaltpunkt sein
24 Die Funktion der Eingangs-NPN-Transistoren von TTL-Gattern beruht auf einem sehr kleinen

Wert für Br .
100 3 Halbleiter-Bauelemente

soll, muss der Strom von IB = 30 μA über dem Basiswiderstand einen Spannungs-
abfall von U(RB ) = 3, 3 V/2 − 0, 65 V = 1 V hervorrufen. Also ist RB = 330 kΩ.
Im Hinblick auf die Verlustleistung hat die Schaltung zwei Nachteile: Erstens
ist sie so ausgelegt, dass der maximale Stromfluss durch den Transistor gerade
bei UA ≈ 0 V auftritt: Die Schaltung verbraucht also permanent Strom, wenn der
Schrittmotor ausgeschaltet ist. Außerdem ist der Ausgangswiderstand gerade dann
am größten, wenn der Strom gebraucht wird, bei UA = VCC . Beide Nachteile könnten
überwunden werden, wenn an Stelle des NPN-Transistors ein PNP-Transistor Ver-
wendung fände. Die Schaltung hätte bei UA = 0 keinen Stromverbrauch und könnte
auf der Kollektorseite hochohmiger ausgelegt werden.
Immer, wenn an einer Stelle in der Schaltung nur sehr geringe Ströme flie-
ßen, sind diese Schaltungen störungsgefährdet. Die oben dimensionierte Schaltung
ist für den Einsatz einer von Streufeldern gefüllten Umgebung wie im Automo-
bil viel zu störanfällig, weil der Basisknoten sehr hochohmig ist: Der Strom von
nur 30 μA sollte dauerhaft erhöht werden, indem an Stelle des einfachen Basis-
Vorwiederstandes ein Spannungsteiler gegen Masse mit mindestens 0, 1 mA Dauer-
strom verwendet wird.
Der große Wert des Basiswiderstandes zeigt auch an, dass der hier verwendete
Transistor ein teures Spitzenmodell ist. Es dürfte ruhig ein etwas günstigerer mit
geringerer Verstärkung sein.
3.21 Ein Minoritätsträger, der, nachdem er dem elektrischen Feld folgend die Ver-
armungszone passiert hat, findet sich als Majoritätsträger auf der anderen Seite wie-
der. Beispiel: Ein Elektron aus einem P-Gebiet erreicht nach dem Durchqueren einer
Sperrschicht immer das dahinter liegende N-Gebiet. Dort ist es Majoritätsträger und
kann es bleiben. Es geschieht also gar nichts.
3.22 Wir setzen an Stelle der Proportionalitäten in Gl. (3.2) und (3.4) beliebige,
aber nicht von der Temperatur abhängige Faktoren α und β :

n = αT 3/2 e(EL −EF )/(kT ) und p = β T 3/2 e(EF −EV )/(kT ) . (3.39)

Das Gleichsetzen von n und p ergibt

β (EF −EV )/(kT )


e(EL −EF )/(kT ) = e . (3.40)
α
Logarithmieren und Sortieren ergibt dann eine Gleichung, bei der eine Seite von der
Temperatur abhängt, die andere aber nicht:

(EL − EF ) (EF − EV ) β
− = ln . (3.41)
(kT ) (kT ) α

Diese Gleichung kann nur für alle Temperaturen T gelten, wenn beide Seiten gleich
Null sind. Hieraus folgt zweierlei:
• Die Proportionalitätskonstanten α und β sind gleich (wegen ln(1) = 0).
• Die Fermi-Energie liegt in der Mitte der Bandlücke: EF = (EL + EV )/2.
3.3 Antworten zu Kapitel 3 101

3.23 Lösungsstrategie: Die Diffusionsspannung ergibt sich durch einfaches Ein-


setzen. Zur Berechnung der Sperrschichtbreite wird zunächst der allgemeine Zu-
sammenhang zwischen der Diffusionsspannung und der Sperrschichtbreite für die-
ses Profil gesucht und das Ergebnis dann nach der Breite aufgelöst.
Lösung: Die Diffusionsspannung ist nach Gl. (3.9)

1036 cm−6
UD = 0, 025V · ln ≈ 0, 92 V . (3.42)
1, 21 1020 cm−6

Zur Berechnung der Sperrschichtbreite betrachten wir, um Vorzeichenfehler zu ver-


meiden, nur den Bereich x = 0...a mit a = b/2. Die nur in diesem Teil berechnete
Spannung muss dann die halbe Diffusionsspannung sein. Zunächst wird nach Gl.
3.7 das Feld an einem Punkt x berechnet:

N0 e x πx 2aN0 e  πx 
Ex (x) = sin dx = 1 − cos . (3.43)
ε 0 2a επ 2a
Die Integration über das Feld von Null bis a gibt nach Gl. (3.8) die halbe Diffusi-
onsspannung
 a  a πx 
UD 2aN0 e
= U(a) = − Ex (x)dx = − 1 − cos dx . (3.44)
2 0 επ 0 2a
Man erhält
4a2 N0 e
UD = · (π − 2) . (3.45)
π 2ε
Nun kann nach a aufgelöst werden. In Zahlen ergibt sich
 
π UD ε0 εSi π 0, 916 · 8, 85 10−12 · 11, 7
a = b/2 = = m (3.46)
2 eN0 (π − 2) 2 1, 6 10−19 · 1024 · 1, 14

mit dem Endergebnis


b ≈ 7, 2 nm . (3.47)
3.24 Es ist die Hybridparameter-Matrix, auch h-Parameter-Matrix genannt. Sie bie-
tet (gegenüber den Alternativen Kettenparameter-, Leitwert- oder Impedanz-Matrix)
folgende Vorzüge:
• iC und iB stehen auf verschiedenen Seiten. Damit ist die Stromverstärkung β
direkt ablesbar.
• uBE und iB stehen auf verschiedenen Seiten, daher ist der Eingangswiderstand
rBE unmittelbar ablesbar.
• uCE und iC stehen auf verschiedenen Seiten. Daher ist der Ausgangswiderstand
rCE unmittelbar ablesbar.
Insgesamt ergibt sich:
102 3 Halbleiter-Bauelemente
    
∂UBE
uBE rBE i i
= ∂UCE · B = h· B . (3.48)
iC β 1/rCE UCE uCE

∂UBE
Die partielle Ableitung h12 = ∂U beschreibt die Rückwirkung der Kollektor-
CE
Emitter-Spannung auf die Basis-Emitter-Spannung. Diese kann in fast allen prak-
tischen Fällen vernachlässigt werden.
Die einzige Alternative zur Hybridparameter-Matrix, die alle oben genannten
Vorzüge hätte, wäre die inverse h-Parameter-Matrix.
3.25 Die Vernachlässigung der Rückwirkung zeigt sich in der Hybridparameter
∂UBE
Matrix im Weglassen des Terms ∂U . Die vollständige Kleinsignal-Gleichung für
CE
uBE ist aber uBE = h11 iB + h12 uCE . Dabei beschreiben BE = h11 iB einen Ohmschen
Widerstand und uBE = h12 uCE eine von der Kollektor-Emitter-Spannung gesteuerte
Spannungsquelle zwischen Basis und Emitter. Da die Spannungen addiert werden,
muss es sich um eine Reihenschaltung handeln. Berücksichtigen der Rückwirkung
hieße also Ersetzen von rBE durch eine Reihenschaltung aus Widerstand und Span-
nungsquelle.
3.26 Die größte Kapazität pro Fläche wird bei der Verwendung des Gate-Oxides
erreicht. Man kann also einen wie in Abb. 3.39 gezeigten NMOS-Transistor ver-
wenden. Ein Querschnitt durch die Anordnung ist in Abb. 3.23 c) zu sehen. Die

Abb. 3.39 zur Aufgabe 3.26:


Als Kondensator gegen Masse
geschalteter MOS-Transistor

Kapazität dieser Anordnung (vergleiche Gl. (3.19)) beginnt bei einem Wert
ε0 εSiO2 ASiO2
C0 = (3.49)
dSiO2

und wird bei steigender Spannung durch die Bildung der Verarmungszone mit der
Breite dV kleiner:25
 −1
dSiO2 dV
C(U) = (ε0 ASiO2 ) · + (3.50)
εSiO2 εSi

Dabei wächst dV gemäß dV ∼ U. Ab der Schwellspannung kommt die Ka-
pazität zwischen Gate und Kanal hinzu. Während der Gate-Body Anteil immer
schwächer wird, wird mit steigender Spannung der Kanal-Anteil immer stärker. Bei
großem UGS bleibt ein Kondensator mit einer um UT h,N verschobenen Charakteris-
tik. Gemäß Gl. (3.19) wird

25 Kondensatoren mit mehreren Dielektrika werden im Kapitel 2 diskutiert.


Literaturverzeichnis 103

UG −UT HN
C = C0 · (3.51)
UG

3.27 Der spezifische Widerstand ρ ist nach Gl. (3.6) ρ = (e · ND · μn )−1 . Bei der
Berechnung des numerischen Wertes muss berücksichtigt werden, dass, wie in Abb.
3.13 gezeigt, die Beweglichkeit bei starker Dotierung nachlässt. So ergibt sich ρ ≈
2, 1 · 10−4 Ωm.
Der Schichtwiderstand folgt mittels Division durch die Dicke der Schicht: RSchicht =
ρ/d, in Zahlen RSchicht ≈ 210 Ω.
Eine Leiterbahn, die fünfzigmal so lang wie breit ist, hat einen Widerstand von
R = 50 · RSchicht , also R ≈ 11 kΩ.
Wären die Donatoren auf die doppelte Eindringtiefe verteilt, würde sich der spe-
zifische Widerstand verdoppeln, denn die Konzentration der Ladungsträger wäre
halbiert. Der Schichtwiderstand aber bliebe gleich.
3.28 In Sättigung werden an beiden PN-Übergängen die Ströme von den Majo-
ritätsträgern, die aus dem Emitter und aus dem Kollektor kommen, dominiert. In
der P-dotierten Basis angekommen, finden diese sich als Minoritätsträger wieder.
Im Rückwärtsbetrieb ist dagegen der Strom von Majoritätsträgern durch die Emitter-
Basis-Diode strark reduziert. Entsprechend wichtiger wird der Strom der aus dem
Kollektor kommenden Elektronen.
Daher ist Aussage a) falsch und Aussage b) richtig. Im Extremfall einer hohen Sperr-
polung an der Basis-Emitter-Diode ist der Strom an diesem PN-Übergang ein reiner
Minoritätsträgerstrom.
Aussage c) ist ebenfalls falsch: nie sind so viele Minoritätsträger in der Basis wie
im Sättigungsbetrieb.
Da Rückwärtsbetrieb eine in Sperrpolung betriebene Basis-Emitter-Diode bedeutet,
ist diese Verarmungszone im Rückwärtsbetrieb weiter als im Vorwärtsbetrieb oder
in Sättigung. Aussage d) ist also auch falsch.

Literaturverzeichnis

1. L. W. Nagel and D. O. Pederson: Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (SPI-
CE), siehe www.eecs.berkeley.edu/Pubs/TechRpts/1973/ERL-382.pdf
2. siehe http://www.powerblog.de/
3. Sigfried Hunklinger: Festkörperphysik, Oldenbourg Wissenschaftsverlag 2007, ISBN 978-
3486575620
4. siehe Intel 22nm 3D-Tri-Gate-Transistoren auf www.youtube.com
5. Konrad Mertens: Photovoltaik, Carl Hanser Verlag 2011, ISBN 978-3446421721
6. siehe http://www.tf.uni−kiel.de/matwis/amat
7. Küpfmüller, Mathis, Reibiger: Theoretische Elektrotechnik, 18. Auflage Springer 2008, ISBN
3540785892
8. Neundorf, Pfendtner, Popp: Elektrophysik, Springer Berlin, 1997, ISBN 540-62996-3
9. Holger Göbel: Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik, Springer Berlin, 2005, ISBN
3-540-23445-4
Kapitel 4
Lineare elektrische Netze

Zusammenfassung Ausgehend von einer systematischen Beschreibung linearer


elektrischer Netze, ihrer Elemente und Topologien werden Methoden zur Berech-
nung von Strömen und Spannungen vorgestellt. Die Kirchhoffschen Gesetze und
vereinfachende Ersatzschaltungen bilden die Grundlage für das Knotenpotenzial-
Verfahren und das Maschenstrom-Verfahren.

4.1 Fragen zu linearen elektrischen Netzen

4.1.1 Einfache Fragen

4.1. In Passau fließen drei Flüsse zusammen. Welche Größe ist dabei erhalten und
was hat das mit Gustav Robert Kirchhoff zu tun?

4.2. Vom Energieversorger wird dem Haushalt eine Wechselspannung mit dem Ef-
fektivwert Ue f f = 230 V geliefert. Warum heißt dieser Wert Effektivwert und wie
groß ist die Amplitude?

4.3. Welche Ergebnisse der folgenden Messungen an realen Quellen sind vom In-
nenwiderstand unabhängig?
• Der Kurzschlussstrom einer realen Spannungsquelle,
• die Leerlaufspannung einer realen Spannungsquelle,
• der Kurzschlussstrom einer realen Stromquelle,
• die Leerlaufspannung einer realen Stromquelle.
Auf welche dieser Messungen sollte man im Berufsleben lieber verzichten?

4.4. Abbildung 4.1 zeigt ein Widerstandsnetzwerk. Bitte stellen Sie alle den Kirch-
hoffschen Regeln entsprechenden Gleichungen auf! Schreiben Sie auch die zum
Maschenstrom-Verfahren gehörende Widerstandsmatrix auf. Welcher Strom fließt,

105
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-642-33495-5_4,
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
106 4 Lineare elektrische Netze

Abb. 4.1 zur Aufgabe 4.4:


Netzwerk aus Ohmschen
Widerständen

wenn U = 12 V ist und die Widerstände die Werte von R1 = R2 = 6 kΩ , R4 = R5 =


3 kΩ und R3 = 1 kΩ besitzen?

4.5. Die Firma Plagiarius Ltd. kopiert Gleichspannungsgeneratoren für den Bereich
UQ = 1 mV bis UQ = 10 V mit einem Innenwiderstand von Ri = 50 Ω und verkauft
sie zu Dumpingpreisen. Zur Tarnung verkauft sie diese als ajustable current source.
Was muss die Firma für den Innenwiderstand und für den Strombereich angeben?

4.6. Es seien N verschiedene Widerstände R1 ...RN parallel geschaltet. Bitte finden


Sie mit Hilfe der Kichhoffschen Regeln heraus, welcher Anteil des Gesamtstromes
durch den ersten Widerstand R1 fließt.

4.7. Abbildung 4.2 zeigt eine Schaltung, die sich sowohl in eine Stromquelle, als

Abb. 4.2 zur Aufgabe 4.7:


Netzwerk aus einer Strom-
quelle und Ohmschen Wi-
derständen

auch in eine Spannungsquelle umrechnen lässt. Warum ist das möglich, und was
kommt dabei heraus?

4.8. Welche der folgenden Matrizen ist immer symmetrisch? a) Widerstandsma-


trix für das Maschenstrom-Verfahren b) Leitwertmatrix für das Knotenpotenzial-
Verfahren c) Ladungserhaltungsmatrix für die Leistungsanpassung.

4.9. Für welche Matrizen gilt der folgende Satz: Die Matrizen haben positive Diago-
nalelemente und ausschließlich negative Nebendiagonalelemente. a) Für die Wider-
standsmatrix des Maschenstrom-Verfahrens gilt das immer. b) Für die Widerstands-
matrix des Maschenstrom-Verfahrens gilt das in Spezialfällen. c) Für die Leitwert-
matrix des Knotenpotenzial-Verfahrens gilt das immer. d) Für die Leitwertmatrix
des Knotenpotenzial-Verfahrens gilt das in Spezialfällen.
4.1 Fragen zu linearen elektrischen Netzen 107

4.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben

4.10. Ein Bergwanderer gewinnt auf dem Weg zum Gipfel immer die gleiche poten-
zielle Energie, unabhängig von der gewählten Route. Welcher Regel in der Elektro-
technik entspricht diese Erkenntnis?

4.11. Abbildung 4.3 zeigt eine Schaltung mit einer einzigen Spannungsquelle. Bitte

Abb. 4.3 zur Aufgabe 4.11:


Netzwerk aus einer Span-
nungsquelle und Ohmschen
Widerständen

stellen Sie die Widerstandsmatrix für das Maschenstrom-Verfahren und Leitwert-


matrix für das Knotenpotenzial-Verfahren auf.

4.12. Abb. 4.4 zeigt eine Schaltung mit zwei Spannungsquellen. Bitte berechnen

Abb. 4.4 zur Aufgabe 4.12:


Netz aus zwei Spannungs-
quellen und drei Ohmschen
Widerständen, dessen Ströme
sich nach dem Maschenstrom-
Verfahren berechnen lassen

Sie die Maschenströme nach dem gleichnamigen Verfahren. Warum bietet sich bei
dieser Schaltung gerade dieses Verfahren an? Und was fällt Ihnen noch an der Schal-
tung auf?

4.13. Für einen Stadionlautsprecher mit einer durchschnittlichen Impedanz von R =


8 Ω soll ein Verstärker gebaut werden. Aus Sicht des Lautsprechers ist der Verstärker
eine reale Stromquelle. Wie groß sollte der Innenwiederstand der Quelle sein, damit
möglichst viel Leistung im Lautsprecher ankommt? Falls nach einigen Jahren bei
der gleichen Anlage der Lautsprecher durch einen mit einem Widerstand von R =
4 Ω ersetzt würde: Wie änderte sich die vom Lautsprecher aufgenommene Leistung?

4.14. Abbildung 4.5 zeigt die Wheatstonesche Messbrücke zur Bestimmung eines
108 4 Lineare elektrische Netze

Abb. 4.5 zur Aufgabe 4.14:


Die Wheatstonsche Mess-
brücke

unbekannten Widerstandes RU . Zu diesem Zwecke wird der Schiebewiderstand RS


auf einen sehr genau bekannten Widerstand so eingestellt, dass die zwischen den
rechten beiden Stromzweigen gemessene Spannung UM = 0 ist. Bestimmen Sie RU
als Funktion der anderen Widerstände. Welchen Einfluss hat der endliche Leitwert
des Spannungsmessers auf das Ergebnis?

4.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben

4.15. Sie bekommen ein Elektronik-Geschenk, welches angeblich bei einer Versorgung

Abb. 4.6 zur Aufgabe 4.15:


Eine Spannungsquelle, zwei
Multimeter und ein unbekann-
tes, als Geschenk verpacktes
Gerät

mit U = 1, 5 V im Stand-by-Betrieb weniger als P = 10 μW verbraucht. Wie genau


schließen Sie die in Abb. 4.6 gezeigten Geräte (eine Spannungsquelle und zwei
Multimeter) mit dem im Karton versteckten Geschenk zusammen, um dessen Leis-
tungsaufnahme möglichst genau zu bestimmen?

4.16. Abbildung 4.7 zeigt eine von einer Stromquelle gespeiste Schaltung. Bestim-

Abb. 4.7 zur Aufgabe 4.16:


Von einer Stromquelle ge-
speiste X-Schaltung parallel
zu einer Spule

men Sie die Ströme nach dem Maschenstrom-Verfahren!

4.17. Das in Abb. 4.8 gezeigte Netz hat zwei ideale Spannungsquellen. Bitte versu-
4.2 Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze 109

Abb. 4.8 zur Aufgabe 4.17:


Netz mit zwei idealen Span-
nungsquellen

chen Sie trotzdem, die Potenziale an den Knoten 1 und 2 mit Hilfe des Knotenpotenzial-
Verfahrens zu bestimmen!

4.18. Auf welches physikalische Prinzip geht der Satz Strom- und Spannungsrich-
tungen sind frei wählbar zurück und warum gelten die Strom-Spannungsgleichungen
in unveränderter Form nur, wenn beide in der gleichen Richtung gewählt werden?

4.2 Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze

Wenn Netze betrachtet werden, so ist dies der erste Schritt von der Komponente, also
vom Bauelement, zum Gesamtsystem. Da die Anzahl der Komponenten in einzel-
nen Systemen längst Milliardengrenze1 übersprungen hat, werden sowohl vereinfa-
chende Regeln als auch standardisierte Lösungsverfahren gebraucht. In diesem Ka-
pitel werden Netze aus Spannungsquellen, Stromquellen, Widerständen, Konden-
satoren und Spulen untersucht. Diese Komponenten haben allesamt lineare Strom-
Spannungskennlinien und erlauben so die Anwendung von Lösungsverfahren aus
der linearen Algebra.

4.2.1 Vorzeichen, Richtungen und Topologien

Zur systematischen Analyse elektrischer Netze haben sich bestimmte Begriffe und
Konventionen als nützlich erwiesen. Das beginnt mit der Wahl der Vorzeichen und
der dazugehörigen Richtungskonventionen und endet bei topologischen Begriffen
zur Beschreibung der Netze.
Vorzeichenfehler sind die Pest der Ingenieurwissenschaften. Daher sind Systeme
und Regeln entstanden, um die richtigen Vorzeichen in einen immer gleichen Zu-
sammenhang mit Schaltbildern zu bringen. Letztlich sind diese aus der Mechanik
übernommen, wie die folgenden Beispiele zeigen. Abbildung 4.9 stellt Prozesse,
bei denen einem System Energie zugeführt wird solchen gegenüber, bei denen Ener-
gie dem System verloren geht. Immer, wenn das Produkt aus Kra f tmalGeschwindigkeit

1 Der Intel Quadcore Titanium brachte es schon 2008 auf zwei Milliarden Transistoren.
110 4 Lineare elektrische Netze

Abb. 4.9 Drei Beispiele aus der Mechanik und aus der Elektrotechnik für den Transfer von Ener-
gie: Ein System gewinnt Energie, wenn eine Kraft überwunden wird (obere Reihe). Ein System
gibt Energie ab, wenn Kraft und Bewegung in die gleiche Richtung zeigen

negativ ist, wird Energie gewonnen, anderenfalls wird Energie abgegeben.2 Dieses
Prinzip gilt ebenso für die Gravitation wie für die Elektrizitätslehre. Betrachtet man
ein elektrisches Netzwerk als System, dann gilt daher: Ihm wird Energie zugefügt,
wenn eine Ladung dem Feld entgegenbewegt wird oder wenn in einer Stromquelle
oder in einer Spannungsquelle der Strom vom Minuspol zum Pluspol fließt. Ihm
wird Energie entnommen, wenn in einem Kondensator der Strom von der Anode
zur Kathode fließt und so dem Stromkreis Energie für den Aufbau eines Feldes ent-
nommen wird. Dem elektrischen Netzwerk wird auch Energie entnommen, wenn in
einem Ohmschen Widerstand Wärme erzeugt wird.
In der Elektrotechnik wird die Stromrichtung durch Pfeile bezeichnet. Diese le-
gen jeweils ein Koordinatensystem fest. Der positive Wert eines Stromes bedeutet
dann, dass dieser in die vom Pfeil vorgegebene Richtung fließt. Ein negativer Wert
bedeutet, dass der Strom der Pfeilrichtung entgegenfließt. Die Spannung wird mit
einem Pfeil bezeichnet, der bei einem positiven Wert für die Spannung der Richtung
des elektrischen Feldes entspricht, also vom Pluspol zum Minuspol.
Nun fließt in einem Generator der Strom immer dem Potenzialgefälle entgegen.
Will man in einem einfachen Netz trotzdem nur positive Werte für die Sröme und
Spannungen erhalten, müssen die Generatoren entgegengesetzte Pfeile für Strom
und Spannung bekommen. Die am häufigsten anzutreffende Konvention besagt:

Bei einem (Energie-) Verbraucher sind Strom- und Spannungspfeil parallel.


Bei einem Erzeuger sind Strom- und Spannungspfeil entgegengesetzt.

Dabei kann der Erzeuger eine Stromquelle, eine Spannungsquelle oder irgend-
ein anderer Generator sein. Ein positiver Wert für den Strom im Generator bedeutet

2Ein interessanter Spezialfall ist die Lorentz-Kraft. Da sie stets senkrecht zur Bewegung wirkt,
wird weder Energie zugeführt, noch Energie abgegeben. Eine Ladung wird daher aufgrund der
Lorentz-Kraft immer abgelenkt, aber weder gebremst, noch beschleunigt.
4.2 Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze 111

daher immer, dass der Strom dem Potenzialgefälle entgegenfließt. Den Sinn dieser
Konvention kann man sofort erkennen, wenn man sich eine Batterie vorstellt: Dient
sie als Energiequelle, dann fließt der Strom außerhalb der Batterie vom Pluspol zum
Minuspol, innerhalb der Batterie jedoch vom Minuspol zum Pluspol. Wird die Bat-
terie von einem externen Generator geladen, dann fließt der Ladestrom innerhalb
der Batterie vom Pluspol zum Minuspol.
So nützlich diese Konvention ist, sie birgt doch eine große Fehlerquelle in der
Behandlung von Spulen und Kondensatoren. Denn diese entnehmen ihrem Netz-
werk Energie, wenn die E− und B−Felder aufgebaut werden. Sie geben Energie
ab, wenn die Felder abgebaut werden. Sie können daher sowohl als Erzeuger als
auch als Verbraucher auftreten. Werden sie im Netzwerk als Erzeuger behandelt,
so wird ihnen eine der Spannung entgegengesetzte Stromrichtung zugewiesen. Phy-
sikalisch gesehen ist dies ein Fehler: Es entspricht der Messung des Stromes in
einem Koordinatensystem und der gleichzeitigen Messung der Spannung in einem
um 180◦ gedrehten Koordinatensystem. Um diesen Fehler zu beheben, müssen die
Bauelementegleichungen, wie in Abb. 4.10 gezeigt, den gewählten Pfeilrichtungen

Abb. 4.10 Skizze zur Bestimmung der richtigen Vorzeichen: Die Bauelementegleichungen für
Spule und Kondensator (und aller anderen Bauelemente) gelten nur dann ohne zusätzliches Minus-
zeichen, wenn der Strom und die Spannung jeweils relativ zur gleichen Richtung definiert werden

angepasst werden (siehe auch Aufgabe 4.18).


In der Netzwerkanalyse werden zur Bestimmung der Vorzeichen gerne Pfeilsys-
teme und damit verbundene Interpretationsalgorithmen verwandt. Der Leser sei auf
die Literatur, zum Beispiel [4], verwiesen.
Netzwerke werden mit den in Abb. 4.11 gezeigten Begriffen beschrieben. Klem-

Abb. 4.11 Veranschaulichung einiger häufig gebrauchter Begriffe: Ein Klemmenpaar ergibt zwei
Pole, mehrere Pole zusammen ergeben einen Knoten; Knoten sind durch Zweige verbunden
112 4 Lineare elektrische Netze

men sind beliebige Anschlusspunkte. Zwischen zwei Klemmen kann eine Spannung
gemessen werden. Zwei Pole sind gleich einem Paar von Klemmen. Die Verbindung
zweier Pole heißt Zweig. Hinter dem Z in Abb. 4.11 kann sich eine beliebig kompli-
zierte Kombination von Bauelementen verbergen. Eine große Anzahl verschiedener
Topologien wird zum Beispiel in [3] diskutiert.
Mehrere Zweige zusammen ergeben entweder einen Baum oder, wie in Abb. 4.12
gezeigt, eine Masche. Maschen sind geschlossen und haben genau so viele Knoten

Abb. 4.12 Veranschaulichung


der Begriffe Baum und Ma-
sche: Hat die Verbindung
Endpunkte, ist sie ein Baum,
ist sie geschlossen, spricht
man von einer Masche. Alle
Quellen und Impedanzen
entlang der Zweige sind hier
nicht gezeichnet

wie Zweige. Bäume haben einen Knoten mehr als Zweige, weil sie offen sind.

4.2.2 Kirchhoffsche Regeln

Die nach ihrem Entdecker3 Kirchhoffsche Regeln genannten Gesetze sind aus heu-
tiger Sicht für die Anwendungspraxis umformulierte physikalische Grundgesetze
der Elektrostatik.
Die Erhaltung der Ladung ergibt das erste, auch Knotenregel genannte Kirch-
hoffsche Gesetz. Man stelle sich einen kleinen Tropfen Lötzinn auf einer Platine vor,
an dem viele Leitungen zusammenkommen, so, wie etwas abstrakter in Abb. 4.13
dargestellt. Wenn in dem Tropfen keine nennenswerte Ladung gespeichert werden

Abb. 4.13 Veranschaulichung


der Knotenregel: Bei ihrer
Anwendung muss mindestens
ein Strom negativ sein,
wenn alle Ströme auf den
Punkt zeigen, denn was
hereinkommt muss auch
wieder hinaus

kann, dann fordert das Gesetz der Ladungserhaltung (vergleiche Abb. 1.10), dass
immer genau so viel Ladung ankommen wie abfließen muss. Anders ausgedrückt:

3 Der Physiker Gustav Robert Kirchhoff wurde am 12. März 1824 in Königsberg, Preußen, geboren

und starb am 17. Oktober 1887 in Berlin.


4.2 Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze 113

An einem elektrischen Knotenpunkt ist die Summe aller Ströme gleich Null.

Für ein allgemeines Netzwerk mit k Knoten gibt es also k Gleichungen. Wird, wie
in Abb. 4.14 gezeigt, vorausgesetzt, dass das Gesamtnetzwerk eine ausgeglichene

Abb. 4.14 Veranschaulichung


des Verlustes einer Kno-
tengleichung: Bei a priori
ausgeglichener Strombilanz
(d.h. IEin = IAus = I) gibt es
statt k nur (k − 1) unabhängi-
ge Knotengleichungen

Strombilanz hat, also genau so viel Strom hineinfließt wie heraus, dann wird eine
der k Gleichungen überflüssig.4 In der Elektrotechnik ist die radikale Form hiervon,
das geschlossene System (nichts herein, nichts heraus) der Regelfall. So gilt:

In einem offenen Netz mit k Knoten gibt es k unabhängige Knotengleichun-


gen, in einem geschlossenen Netz gibt es jedoch nur (k − 1) unabhängige
Knotengleichungen.

Energieerhaltung ist die Grundlage der in Abb. 4.15 illustrierten, zweiten Kirch-
hoffschen Regel. Nach Gl. (1.12) muss eine Ladung, die von einem beliebigen

Abb. 4.15 Die Maschen-


regel als Konsequenz der
Energieerhaltung: Weil ein
Ladungsträger auf dem Weg
a → b → c... zurück nach
a keine Energie gewinnen
kann, ist die Summe aller
Spannungen Null

Punkt a zu einem anderen Punkt b und wieder zurück bewegt wird, nach der Rück-
kehr die gleiche potenzielle Energie haben wie vor der ersten Bewegung natürlich
auch, wenn dabei ein dritter Punkt c erreicht wurde, und so weiter. Die Summe aller
4 Man stelle sich ein geschlossenes Röhrensystem mit Pumpen, Abzweigungen und Kreuzungen

vor. Wenn von allen Röhrenabschnitten und allen Verzweigungen bis auf eine einzige, letzte Ver-
zweigung bekannt ist, dass an keiner Stelle Flüssigkeit hinzukommt, dann kann von nirgendwo her
eine Flüssigkeitsmenge kommen, die die Bilanz an dieser letzten Verzweigung ungleich Null sein
lässt. Die Aussage An der letzten Verzweigung kommt nichts hinzu ist eine notwendige Konse-
quenz der anderen Bedingungen und keine neue Information.
114 4 Lineare elektrische Netze

Energieänderungen von a über b, c,... zurück zu a ist Null. Bis auf die Ladung, Q,
ist die Summe aller Energieänderungen gerade die Summe aller Spannungen. Diese
Erkenntnis wird zweite Kirchhoffsche Regel oder auch Maschenregel genannt:

Die Summe aller Spannungen entlang eines geschlossenen Weges ist Null.

Sie gilt, wie in Abb. 4.15 angedeutet, unabhängig von der Art und Anzahl der
auf diesem Weg befindlichen Bauelemente. Die Maschenregel lässt sich auch kom-
plementär formulieren: Die Summe aller Spannungen zwischen zwei Punkten einer
Masche ist unabhängig vom Weg immer die gleiche.
Für ein geschlossenes Netzwerk mit k Knoten und m Maschen ergeben die Kirch-
hoffschen Regeln also k − 1 + m Gleichungen. Diese sind alle linear und ergeben
genau dann ein lösbares Gleichungssystem, wenn die Ströme und Spannungen in
einem Netzwerk überhaupt berechnet werden können.
Zwei häufig gebrauchte Spezialfälle sind der unbelastete Spannungsteiler und
der Stromteiler. Beim unbelasteten Spannungsteiler fließt der gleiche Strom I nach-
einander durch mehrere (N) Widerstände. Die an einem einzelnen Widerstand R1
abfallende Spannung ist dann
R1
U1 = U(R1 ) = U · N
(unbelasteter Spannungsteiler), (4.1)
∑i=1 Ri
wobei U die über der gesamten Kette abfallende Spannung ist.
Der unbelastete Stromteiler ist in Abb. 4.16 dargestellt. Für diese Schaltung gilt

Abb. 4.16 Skizze eines


Stromteilers. Stromteiler sind
Netze, bei denen alle Kom-
ponenten parallel geschaltet
sind. Über allen fällt daher die
gleich Spannung U ab ind der
Strom I wird aufgeteilt

G1 R1  R2 ...  RN
I1 = I(R1 ) = I · N
= (Stromteiler). (4.2)
∑i=1 Gi R1

Die Herleitung ist in Aufgabe 4.6 zu finden.

4.2.3 Ersatzschaltungen

Ersatzschaltungen finden heißt: Arbeit sparen, Fehlerquellen minimieren und eine


automatisierte Schaltungsberechnung vorbereiten. Abbildung 4.17 zeigt den Ansatz
4.2 Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze 115

Abb. 4.17 Beispiel für das Zusammenfassen mehrer Bauteile: Bei nur zwei äußeren Anschlüssen
können diese zu einem einzigen zusammengefasst werden. In diesem Beispiel hat das zusammen-
gefasste Bauteil die Impedanz Z = (Z L + R1 )  (ZC + R2 )

für vier Bauteile, die gemeinsam nur zwei Anschlüsse haben. Solche Teilschaltun-
gen werden auch Zweipole genannt. Diese Technik hat besondere Bedeutung bei der
Behandlung realer Strom- und Spannungsquellen, wie Abb. 4.18 zeigt. Reale Span-

Abb. 4.18 Beispiel für das


Ersetzen von Parallelschaltun-
gen durch Reihenschaltungen:
Reale Strom- und Spannungs-
quellen können ineinander
umgerechnet werden.

nungsquellen können in guter Näherung als Reihenschaltung einer idealen Span-


nungsquelle, UQ , und einem Widerstand, RS , reale Stromquellen als Parallelschal-
tung einer idealen Stromquelle IQ mit einem Widerstand RP beschrieben werden:

U = UQ − Rs · I
I = IQ −U/R p . (4.3)

Setzt man in Gl. (4.3) die beiden Ströme I gleich und fordert, dass das Ergebnis für
alle Spannungen U gilt, dann folgt die Umrechnungsbedingung

R p = Rs und UQ = RS · IQ . (4.4)

Da die Widerstände gleich groß sind, spricht man auch einfach nur vom Innenwi-
derstand Ri . An diesen Umrechnungsformeln ist zu sehen, dass es keinen grundsätz-
lichen Unterschied zwischen Strom- und Spannungsquellen gibt. Allerdings: In dem
Grenzfall, dass der Innenwiderstand keine Rolle spielt, spricht man von idealen
Quellen: eine ideale Stromquelle hat einen unendlich großen Innenwiderstand, eine
ideale Spannungsquelle einen verschwindend geringen Innenwiderstand. Experi-
mentell feststellen lässt sich der Innenwiderstand durch Veränderung der Last:

ΔU dU
Ri = = . (4.5)
ΔI dI
Gleichung (4.5) ist die Basis für eine populäre Vereinfachung, die bei allen Zwei-
polen funktioniert, die Quellen beinhalten. Denn sie sind allesamt in äquivalente
116 4 Lineare elektrische Netze

Strom- oder Spannungsquellen umzurechnen. Dazu wird zunächst der Innenwider-


stand bestimmt. Entsprechend Abb. 4.18 geschieht dies, indem alle Stromquellen
gestrichen und alle Spannungsquellen durch Kurzschlüsse ersetzt werden. Das so
verbleibende Netzwerk wird entsprechend Abb. 4.17 zu einem einzigen Widerstand
zusammengefasst. Soll der Zweipol in einer realen Stromquelle zusammengefasst
werden, so wird der Kurzschlussstrom bestimmt. Dazu werden Strom- und Span-
nungsquellen wieder in die Schaltung eingesetzt Der Kurzschlussstrom ist dann
nach Gl. (4.3) gleich IQ . Ist das Ziel der Vereinfachung eine reale Spannungsquelle,
so wird an Stelle des Kurzschlussstromes die Leerlaufspannung bestimmt. Insge-
samt gilt:

Jeder Zweipol ohne Quellen lässt sich durch eine einzige Impedanz ersetzen,
jeder Zweipol mit Quellen durch eine reale Strom- oder Spannungsquelle.

Der Vorbereitung von standardisierten Lösungsverfahren dient die Stern-Dreieck-


Umrechnung, wie sie in Abb. 4.19 dargestellt ist. Fordert man für beliebige Poten-

Abb. 4.19 Stern-Dreieck-Umrechnung: Zu jedem Stern lässt sich ein äquivalentes Dreieck finden
und umgekehrt (siehe Gl. (4.6), (4.7))

ziale an den Anschlusspunkten A, B und C die gleichen Ströme, so folgt für die
Berechnung der Sternwiderstände
R1 · R3 R1 · R2 R2 · R3
Ra = , Rb = , Rb = (4.6)
R1 + R2 + R3 R1 + R2 + R3 R1 + R2 + R3
mit der Rücktransformation
Ra · Rb Rb · Rc Rc · Ra
R1 = Ra +Rb + , R2 = Rb +Rc + , R3 = Rc +Ra + , . (4.7)
Rc Ra Rb
4.2 Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze 117

4.2.4 Analyseverfahren

Umwandlung der Kirchhoffschen Regeln in eine Matrizengleichung


Mit Hilfe der Kirchhoffschen Regeln können die einzelnen Ströme und Spannun-
gen einer Schaltung berechnet werden. Denn von diesen Regeln führt ein direkter
Weg hin zu Matrizengleichungen, die mit Hilfe der Matrix-Inversion gelöst werden
können. Der erste Weg beginnt mit dem Aufstellen einer Widerstandsmatrix R:
⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞
R11 R12 ... I1 I1 U1
⎝ R21 R22 ... ⎠ · ⎝ I2 ⎠ = R · ⎝ I2 ⎠ = ⎝ U2 ⎠ . (4.8)
... ... ... ... ... ...
Diese Form ist genau dann hilfreich, wenn der Vektor aller Spannungen auf der rech-
ten Seite von Gl. (4.8) nur aus bekannten Spannungsquellen und Nullen besteht:5
(U1 ,U2 , ....) = (UQ1 ,UQ2 , ..., 0, 0). Denn jetzt führt die Inversion der Widerstands-
matrix R zu einem Gleichungssystem, in dem die gesuchten Ströme (I1 , I2 , ...) aus
den gegebenen Spannungsquellen folgen:
⎛ ⎞
⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞ UQ1
I1 1 0 ... I1 I1 ⎜ UQ2 ⎟
⎜ ⎟
R R · I2 = 0 1 ... · I2 = I2 = R · ⎜ ... ⎟
−1 ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ −1 ⎜
⎟. (4.9)
... ... ... ... ... ... ⎝0 ⎠
0

Das Verfahren erfordert also mindestens folgende Schritte:


1. Alle Stromquellen in Spannungsquellen umrechnen,
2. alle unabhängigen Kirchhoffschen Gleichungen hinschreiben,
3. jede dieser n Gleichungen in die Form Rn1 I1 + Rn2 I2 + ... = UQn bringen,
4. die Gleichungen so sortieren, dass die Ströme in allen Gleichungen in der glei-
chen Reihenfolge stehen; dann sortiert untereinander schreiben und als Matrix-
gleichung formulieren,
5. die so gefundene Widerstandsmatrix R invertieren,
6. R−1 von links mit dem Vektor der Spannungen multipliziert ergibt alle Ströme.
Vorsicht Vorzeichen! Beim normgerechten Zeichnen einer Spannungsquelle zeigt
der Pfeil entgegen der technischen Stromrichtung (siehe Abschnitt 4.2.1), und in-
nerhalb der Spannungsquelle fließt der Strom vom Minus- zum Pluspol. Tipp: Die
Stromrichtung so wählen, dass der Strom außerhalb der Spannungsquelle vom Plus-
pol zum Minuspol fließt, und konsistenterweise eine positive Quellspannung UQ
verwenden. Dann passen die Vorzeichen.

5 Sollten in einer Masche mehr als eine Spannungsquelle existieren, so schränkt dies die Anwend-

barkeit des Verfahrens nicht ein. Auf der rechten Seite der Gleichung steht dann ein Vektor, dessen
Elemente teilweise die Summen aus Einzelspannungsquellen sind.
118 4 Lineare elektrische Netze

Maschenstrom-Verfahren
Die oben beschriebene Vorgehensweise kann schon bei kleinen Schaltungen zu
recht großen Gleichungssystemen führen. Daher sind effektivere Methoden ent-
wickelt worden, die im Folgenden vorgestellt werden sollen. Die Anwendung des
Maschenstrom-Verfahrens bedeutet auch hier (siehe Abschnitt 4.2.3): Arbeit sparen,
Fehlerquellen minimieren und eine automatisierte Schaltungsberechnung vorberei-
ten.
Beim ersten formalisierten Verfahren, dem Maschenstrom-Verfahren, werden die
Ströme so gewählt, dass die Knotengleichungen implizit enthalten sind, die Anzahl
der Gleichungen insgesamt also nur so groß wie die der Maschengleichungen ist.
Zu diesem Zweck werden an Stelle der durch die einzelnen Bauelemente fließenden
Ströme nur noch die Maschenströme analysiert.6 Wie in Abb. 4.20 angedeutet, wird

Abb. 4.20 Der Kernge-


danke des Maschenstrom-
Verfahrens: Der Strom durch
ein Bauteil, hier ein Ohmscher
Widerstand, wird als Summe
der Maschenströme angege-
ben, hier I(R) = IM1 + IM2

der Strom durch ein Bauteil (oder mehrere in Reihe) nicht mehr explizit, sondern
als Überlagerung von Maschenströmen angegeben. Die vollständige Spannungs-
bilanz in einer Masche wird nun in zwei Schritten vorgenommen: Zunächst wird
die Masche isoliert betrachtet, dann werden all diejenigen Spannungen addiert, die
durch angrenzende Maschenströme hinzukommen. Für die in Abb. 4.21 gezeigte
Teilschaltung ist also die Maschengleichung für die linke Masche

Abb. 4.21 Spannungsbilanz


einer Masche. Sie wird
in zwei Schritten erstellt:
zunächst die Masche allein
(hier: IM1 ), dann um die an-
grenzenden Maschenströme
(hier: IM2 ) erweitert

UQ = (R1 + Rk + R2 ) · IM1 + Rk · IM2 . (4.10)

Die Summe aller Widerstände in einer Masche wird Umlaufwiderstand genannt.


Ein Widerstand, der wie Rk in Abb. 4.21 zwei Maschen koppelt, wird auch Koppel-

6 Eine Reihe von Beispielen hierzu findet sich in [3].


4.2 Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze 119

widerstand genannt. Mit Hilfe dieser Begriffe lässt sich das Verfahren so zusam-
menfassen:
1. Alle Stromquellen in Spannungsquellen umrechnen,
2. Maschen und Umlaufrichtungen der Maschenströme festlegen,
3. die Spannungsbilanz für jede Masche ohne Berücksichtigung der Ströme der an-
grenzenden Maschen aufstellen,
4. für alle Koppelwiderstände die durch die Ströme der an sie angrenzenden Ma-
schen erzeugten Spannungen hinzuaddieren. Dies gilt, wenn beide Maschen-
ströme am Koppelwiderstand in die gleiche Richtung zeigen. Wenn die Strom-
richtung der angrenzenden Masche entgegengesetzt ist, muss der durch den
Strom der Nebenmasche erzeugte Spannungsabfall subtrahiert werden,
5. jede dieser Gleichungen in die Form RM1 IM1 + RM2 IM2 + ... = UQM bringen. Da-
bei ist UQM die Summe aller Quellspannungen der Masche M,
6. die Gleichungen so sortieren, dass die Ströme in allen Gleichungen in der glei-
chen Reihenfolge stehen; dann sortiert untereinanderschreiben und als Matrix-
gleichung formulieren. Die Umlaufwiderstände bilden nun die Hauptdiagonale
der Widerstandsmatrix, die Koppelwiderstände die neben der Diagonalen liegen-
den Elemente,
7. die so gefundene Widerstandsmatrix R invertieren,
8. R−1 mit dem Vektor der Spannungen multipliziert ergibt alle Ströme.
Da die Form der so entstandenen Widerstandsmatrix immer gleich ist, kann sie mit
einiger Erfahrung auch direkt aus der Schaltung abgelesen werden (eine gut lesbare
Einführung findet sich zum Beispiel in [1]): In die Hauptdiagonale werden die Um-
laufwiderstände eingetragen, die Elemente daneben sind die Koppelwiderstände.
Das Vorzeichen der Koppelwiderstände ist nur positiv, wenn die Stromrichtungen
in den beiden gekoppelten Maschen gleich sind. Auf der rechten Seite der Matrix-
Gleichung steht die Summe aller in den jeweiligen Maschen auftauchenden Span-
nungen der Spannungsquellen.
Das Verfahren funktioniert übrigens in gleicher Weise auch für komplexe Wech-
selströme i, die Impedanz Matrix Z sowie für die Amplituden I und U. Die Erwei-
terung von Gl. (4.9) ist dann
⎛ ⎞ ⎛ ⎞
I1 U Q1
⎜ I2 ⎟ ⎜ ⎟
⎜ ⎟ = Z −1 · ⎜ U Q2 ⎟ . (4.11)
⎝ I3 ⎠ ⎝ ... ⎠
... 0

Knotenpotenzial-Verfahren
Beim zweiten formalisierten Verfahren, dem Knotenpotenzial-Verfahren, wird ein
Gleichungssystem mit dem Ziel aufgestellt, dass die Maschengleichungen implizit
enthalten sind. Die Anzahl der Gleichungen für ein geschlossenes System mit k
Knoten ist also auf (k − 1) begrenzt.
120 4 Lineare elektrische Netze

Bei diesem Verfahren wird jedem Knoten ein Potenzial V zugeordnet, und die
Spannung zwischen zwei Knoten ist dann Uik = Vi − Vk . Beim Knotenpotenzial-
Verfahren wird an Stelle der Widerstandsmatrix R die Leitwertmatrix G invertiert:
⎛ ⎞
⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞ IQ1
V1 1 0 ... V1 ⎜ IQ2 ⎟
⎜ ⎟
G G · V2 = 0 1 ... · V2 = (V1 ,V2 , ...) = G · ⎜ ... ⎟
−1 ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ −1 ⎜
⎟ (4.12)
... ... ... ... ... ⎝0 ⎠
0
Das Verfahren liefert also bei einem gegebenen Satz von Stromquellen alle Poten-
ziale einer Schaltung.
Eines der Potenziale kann immer frei gewählt werden, denn entscheidend für die
Stromflüsse sind nach U = R · I ausschließlich die Potenzialdifferenzen (also die
Spannungen). Es ist praktisch dass frei wählbare Potenzial V f rei = 0 zu setzen und
ihm die Knotennummer 0 zu geben.7 Die Gl. (4.12) nimmt dann die folgende Form
an:
⎛ ⎞
⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞ IQ1
U10 1 0 0 ... U10 ⎜ IQ2 ⎟
⎜ U20 ⎟ ⎜ 0 1 0 ... ⎟ ⎜ U20 ⎟ ⎜ ⎟
−1 ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ −1 ⎜ ⎟
G G·⎝
... ⎠ = ⎝ 0 0 1 ... ⎠ · ⎝ ... ⎠ = G · ⎜ ... ⎟ . (4.13)
⎝0 ⎠
U(k−1)0 ... ... ... ... U(k−1)0
0

Es ist also bei k Knoten die ((k − 1) × (k − 1) große Leitwertmatrix G aufzustellen


und zu invertieren.
Um dieses Verfahren zum Erfolg zu bringen, müssen zunächst die Spannungs-
quellen gemäß Gl. (4.4) in Stromquellen umgewandelt werden. Dann wird die Ma-
trix der Leitwerte bestimmt. Dies geschieht auf besonders effiziente Weise, wenn
für jeden Knoten, wie in Abb. 4.22 gezeigt, ausschließlich die Nachbarn betrachtet

Abb. 4.22 Der Kerngedan-


kens des Knotenpotenzial-
Verfahrens: Zum Aufstellen
der Knotenmatrix reicht eine
Betrachtung aller unmittelba-
ren Nachbarschaften

werden. Der Trick besteht darin, die Stromerhaltung (oder Knotenregel) so aufzu-
schreiben, dass sie einer Vorbereitung des in Gl. (4.13) definierten Lösungsweges
dient. Nennen wir I1 den Strom durch den Widerstand R1 , I2 den durch R2 , ... dann
folgt:

7 Genau das macht auch der Simulator SPICE und die auf ihn aufsetzenden Derivate.
4.2 Theoretische Grundlagen linearer elektrischer Netze 121

I1 + I2 + I3 + IQ = 0
U10 −Ux U20 −Ux U30 −Ux
→ + + + IQ = 0
R1 R2 R3


1 1 1 1 1 1
→ + + ·Ux − ·U10 − ·U20 − ·U30 = IQ
R1 R2 R3 R1 R2 R3
→ [Gx1 + Gx2 + Gx3 ] ·Ux − Gx1 ·U10 − Gx2 ·U20 − Gx3 ·U30 = IQ . (4.14)

Die letzte Form der Stromerhaltung in Gl. (4.14) ist einer Reihe einer Matrizenglei-
chung äquivalent:
⎛ ⎞
Ux
⎜ U10 ⎟
([Gx1 + Gx2 + Gx3 ] , −Gx1 , −Gx2 , −Gx3 ) · ⎜ ⎟
⎝ U20 ⎠ = IQ . (4.15)
U30

Die (positive) Summe [Gx1 + Gx2 + Gx3 ], also die Summe aller mit dem Knoten
x verbundenen Leitwerte, wird auch Knotenleitwert dieses Knotens genannt. Die
anderen, mit einem Minuszeichen versehenen Leitwerte werden Koppelleitwerte
genannt. Auf der rechten Seite der Gleichung steht die auf den Knoten zeigende
Stromquelle.
Entsprechende Gleichungen lassen sich nun für jeden Knoten einer Schaltung
finden. Geordnet und untereinandergeschrieben werden sie zu einem linearen Glei-
chungssystem, welches einer Matrixgleichung äquivalent ist. Aus der Form von Gl.
(4.15) lässt sich eine Handlungsanweisung für das Aufstellen dieser Matrix für das
Knotenpotenzial-Verfahren ablesen:
1. Alle Spannungsquellen in Stromquellen umwandeln und jedem der k Knoten eine
Nummer geben,
2. ein Potenzial als V = 0 definieren; alle weiteren Potenziale sind Differenzen
(Spannungen) zu diesem Potenzial. Für diesen Knoten wird keine Knotenglei-
chung aufgestellt,
3. die Elemente der Hauptdiagonalen Gii der Leitwertmatrix sind die Knotenleit-
werte,
4. die nicht auf der Diagonalen stehenden Elemente Gik sind die mit einem Minus-
zeichen versehenen Leitwerte der Kopplungen zwischen den Knoten i und k.
So wird die Schaltung insgesamt in der folgenden Form beschrieben:
⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞
G11 G12 ... G1(k−1) U10 IQ1
⎜ G21 G22 ... G2(k−1) ⎟ ⎜ U20 ⎟ ⎜ IQ2 ⎟
⎜ ⎟·⎜ ⎟=⎜ ⎟. (4.16)
⎝ ... ... ... ... ⎠ ⎝ ... ⎠ ⎝ ... ⎠
G(k−1)1 G(k−1)2 ... G(k−1)(k−1) U(k−1)0 IQ(k−1)

Dabei sind alle Quellströme IQi , die auf den Knoten i zeigen, positiv und die ande-
ren negativ. Die Inversion der Leitwertmatrix liefert dann (k − 1) Gleichungen zur
Bestimmung aller Potenziale in der Schaltung.
122 4 Lineare elektrische Netze

Das Beste an diesem Verfahren: Die Leitwertmatrix kann direkt durch Betrachten
der Schaltung und ohne weitere Nebenrechnungen aufgestellt werden. Ferner kann
ihre Symmetrie (Gik = Gki ) zur Überprüfung der Richtigkeit benutzt werden.
Ideale Spannungsquellen lassen sich nicht in Stromquellen umwandeln und
bedürfen gesonderter Behandlung. Abbildung 4.23 zeigt, wie die Behandlung zwei-

Abb. 4.23 Behandlung idea-


ler Spannungsquellen im
Rahmen des Knotenpotenzial-
Verfahrens: Zwei durch eine
ideale Spannungsquelle ver-
bundene Knoten können zu
einem Doppelknoten zusam-
mengefasst werden

er durch eine Spannungsquelle verbundene Knoten als Doppelknoten zu einer


Lösung führen kann. An Stelle von zwei separaten Strombilanzen für zwei Kno-
ten wird die Bilanz für einen einzigen Doppelknoten mit den beiden Potenzialen UX
und Uy aufgestellt. Diese wird analog zur Gl. (4.14) hingeschrieben und umgeformt:

I1 + I2 + I3 + IQ = 0
U10 −Uy U20 −Uy U30 −Ux
→ + + + IQ = 0
R1 R2 R3



1 1 1 1 1 1
→ + ·Uy + ·Ux − ·U10 − ·U20 − ·U30 = IQ . (4.17)
R1 R2 R3 R1 R2 R3

Man sieht, dass die Doppelknotenbilanz die gleiche Struktur hat, wie die eines ein-
zelnen Knotens: Den positiven Knotenleitwerten stehen die negativen Koppelleit-
werte gegenüber. Allerdings gibt es eine Gleichung weniger als zu berechnende
Knotenpotenziale. Dieses Defizit kann mittels Einbau von Uy − Ux = UIdeal in die
Matrixgleichung überwunden werden. Die Gesamtgleichung hat dann die Form
⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞
G11 G12 ... ... G1(k−1) U10 IQ1
⎜ G21 G22 ... ... G2(k−1) ⎟ ⎜ ... ⎟ ⎜ ... ⎟
⎜ ⎟·⎜ ⎟=⎜ ⎟. (4.18)
⎝ ... ... ... ... ... ⎠ ⎝ Uy ⎠ ⎝ ... ⎠
0 ... 0 1 −1 Ux UIdeal

Auch in dieser Form stehen in dem Vektor auf der rechten Seite nur bekannte
Größen. Die Inversion der Matrix8 gibt also für jeden Knoten ein Potenzial an.

8 Die neue Matrix ist keine reine Leitwertmatrix mehr. Vielmehr ist die letzte Zeile eine Span-
nungsbilanz. Dies hat aber weder für die Lösbarkeit noch für die korrekte Behandlung der Einhei-
ten Konsequenzen.
4.3 Antworten zu Kapitel 4 123

Jenseits der Standardverfahren


Es gibt Situationen (siehe zum Beispiel Aufgabe 4.17), in denen die Anwendung
der Standardverfahren schwierig wird oder nur mit Modifikationen möglich ist. Für
diese Fälle gilt folgende Strategie: Ziel ist immer eine Abbildung des Problems auf
das Standardverfahren der linearen Algebra: die Matrixinversion. Daher werden al-
le Informationen der Schaltung, im Extremfall Z · I = U für jedes Bauelement und
Stromerhaltung an jedem Knoten, so aufgeschrieben, dass links vom Gleichheits-
zeichen nur unbekannte Größen und rechts nur bekannte Größen (oder eine Null)
stehen. Wenn das Problem überhaupt lösbar ist, wird es so viele Gleichungen wie
Unbekannte geben. Dann werden die Gleichungen so untereinander geschrieben,
dass die Unbekannten immer in der gleichen Reihenfolge auftreten. Dies erlaubt
es, n Gleichungen als eine n × n Matrixgleichung zu überführen. In dieser Matrix-
gleichung sollten rechts vom Gleichheitszeichen nur bekannte Größen stehen. Denn
dann bedarf es ausschließlich einer Matrixinversion, um alle Unbekannten als Funk-
tion der vorgegebenen Größen zu erhalten.

4.3 Antworten zu Kapitel 4

4.1 Beim Zusammenfluss bleibt die Wassermenge erhalten: So viel wie in den
Zusammenfluss hereinkommt, kommt auch heraus. Das entspricht der Knotenregel
oder ersten Kirchhoffschen Regel. Entsprechend Abb. 4.24 würde allen Zuflüssen

Abb. 4.24 zur Aufgabe 4.1:


Das mechanische Äquivalent
zur Knotenregel am Beispiel
Passau: In diesem Beispiel ist
I4 negativ, so dass die Summe
aller Wasserflüsse Null ist
(Foto: Google Earth)

ein positives, dem Unterlauf der Donau aber ein negatives Fluss-Vorzeichen zuge-
ordnet werden.
4.2 Der Begriff Effektivwert leitet sich aus der Tatsache ab, dass eine Wechselspan-
nung mit dem Effektivwert Ue f f auf einen Ohmschen Verbraucher im Mittel den
gleichen Effekt hat wie eine Gleichspannung mit dem Wert Ue f f . Er heizt ihn mit
der gleichen durchschnittlichen Leistung. Dies ergibt sich wie folgt: Eine Wechsel-
spannung u(t) = Û sin(ωt) an einem Ohmschen Verbraucher R erzeugt einen Strom
i(t) = u(t)/R. Die Wärmeleistung im Widerstand ist P(t) = u(t) · i(t), also

Û 2
P(t) = sin2 (ωt) . (4.19)
R
124 4 Lineare elektrische Netze

Den Mittelwert P(t) kann man aus Gl. (4.19) am einfachsten mit Hilfe der aus der
Mathematik bekannten Formel sin2 x = (1 − cos(2x))/2 ermitteln, denn der Mittel-
wert der Cosinus-Funktion ist Null:
Û 2 Û 2 Û 2
P(t) = sin2 (ωt) = (1 − cos(2ωt)) = . (4.20)
R 2R 2R

Der Vergleich mit P(Gleichstrom) = P(t) = Ue2f f /R ergibt



Û = 2 ·Ue f f . (4.21)

Für Ue f f = 230 V ergibt sich ein Wert von Û = 325 V. Näheres zur Leistung im
Wechselstromkreis findet sich im Kapitel 5.
4.3 Welche der folgenden Messungen an realen Quellen vom Innenwiederstand
unabhängig sind, ergibt sich aus Gl. (4.3):
• Der Kurzschlussstrom einer realen Spannungsquelle ist UQ /RS , also von RS
abhängig.
• Die Leerlaufspannung einer realen Spannungsquelle ist dagegen ULeerlau f = UQ ,
also unabhängig.
• Der Kurzschlussstrom einer realen Stromquelle ist IKurzschluss = IQ .
• Die Leerlaufspannung einer realen Stromquelle ist dagegen vom Widerstand
abhängig: ULeerlau f = IQ R p .
Man erkennt: Eine Messung der Leerlaufspannung ist eine Messung von UQ , eine
Messung des Kurzschlussstromes eine von IQ . Von einer Spannungsquelle spricht
man, wenn der Innenwiderstand deutlich unter dem des Verbrauchers liegt. Das be-
deutet: sehr große Ströme im Kurzschlussfall, Zerstörung der Quelle inklusive. Eine
im Leerlauf betriebene Stromquelle produziert dagegen sehr hohe Ausgangsspan-
nungen, was auch nicht vorteilhaft ist.
4.4 Zur Verwendung der Kirchhoffschen Gesetze sollte als erstes die Spannungs-
quelle mit eingebaut werden. Dadurch entstehen die in Abb. 4.25 gezeigten drei

Abb. 4.25 zur Aufgabe 4.4:


Erweiterung eines Wider-
standsnetzwerkes um eine
Spannungsquelle. So entste-
hen in diesem Beispiel drei
Maschen. Zu den vier Knoten
A, B,C und D gehören drei
unabhängige Gleichungen

Maschen und vier Knoten. Dann werden Strom- und Spannungsrichtungen festge-
legt, zum Beispiel so wie in den Pfeilen der Abb. 4.4 eingezeichnet. Nennen wir den
4.3 Antworten zu Kapitel 4 125

Strom durch die Quelle IQ und benennen wir die anderen Ströme nach den Num-
mern der Widerstände, so lauten die ersten drei Knotengleichungen (die Summe
aller Ströme am Knoten ist Null):

IQ − I1 − I2 = 0
I1 + I3 − I4 = 0
I2 − I3 − I5 = 0 . (4.22)

Für den Knoten A wird keine Knotengleichung aufgestellt, da in einem geschloss-


nen System immer eine Knotengleichung redundant ist (siehe Abb. 4.14). Die drei
Maschengleichungen (die Summe aller Spannungen bei einem Maschenumlauf ist
Null) sind

UCB +UB D +UDC = 0 → R2 I2 + R3 I3 − R1 I1 = 0


UBA +UAD +UDB = 0 → R5 I5 − R4 I4 − R3 I3 = 0
UCD +UDA −U = 0 → R1 I1 + R4 I4 −U = 0 . (4.23)

Das Minuszeichen für die Spannung der Quelle ist Ausdruck der Tatsache, dass
Strom und Spannung in ihr entgegengesetzt gerichtet sind.
Insgesamt ist also bei der Verwendung der Kirchhoffschen Regeln eine 6 × 6-
Matrixgleichung aufzustellen und zu lösen. Das ist Aufwand für eine kleine Schal-
tung.
Deutlich übersichtlicher, wie Abb. 4.26 andeutet, wird die Situation durch die

Abb. 4.26 zur Aufabe 4.4:


Festlegung der Maschen
M1, M2 und M3 und der
Umlaufrichtungen

Verwendung des Maschenstrom-Verfahrens. Für die erste Masche, M1, besteht die
Gesamtspannungsbilanz aus dem isoliert betrachteten Umlauf U = (R1 + R4 )IM1 ,
von dem die beiden Koppelterme R1 IM2 und R4 IM3 abzuziehen sind. Das Minus-
zeichen vor den Koppeltermen zeigt an, dass die Umlaufströme durch die Kop-
pelwiderstände in entgegengesetzter Richtung fließen. Entsprechendes gilt für die
Maschen M2 und M3. So entsteht das Gleichungssystem

M1 : (R1 + R4 )IM1 − R1 IM2 − R4 IM3 = U


M2 : (R1 + R2 + R3 )IM2 − R1 IM1 − R3 IM3 = 0
M3 : (R3 + R4 + R5 )IM3 − R3 IM2 − R4 IM1 = 0 . (4.24)
126 4 Lineare elektrische Netze

Nach Strömen sortiert lässt sich dieses System als Matrixgleichung schreiben:

⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞
(R1 + R4 ) −R1 −R4 IM1 U
⎝ −R1 (R1 + R2 + R3 ) −R3 ⎠ · ⎝ IM2 ⎠ = ⎝ 0 ⎠ . (4.25)
−R4 −R3 (R3 + R4 + R5 ) IM3 0

Der Vergleich von Gl. (4.25) mit den Gl. (4.22) und (4.23) zeigt, wie sehr das
Maschenstrom-Verfahren die Situation vereinfachen kann.
Sind R1 = R2 und R4 = R5 , dann kann wegen der Symmetrie der Schaltung kein
Strom durch R3 fließen. Der Gesamtwiderstand und der dazu gehörige Strom sind
dann
R = (R1 + R4 )  (R2 + R5 ) = 4, 5kΩ → I ≈ 2, 7 mA . (4.26)
Von dem Strom fließt jeweils die Hälfte durch den linken und den rechten Zweig.
4.5 Entsprechend Gl. (4.4) bleibt der Innenwiderstand bei Ri = 50 Ω. Der Strom-
bereich ergibt sich zu IQ (min) = 1 mV/50 Ω = 20 μA bis IQ (max) = 200 mA.
4.6 Es sei U die an allen Widerständen gleichzeitig anliegende Spannung und Ii =
U/Ri = U · Gi der Strom durch den Widerstand Ri mit i = 1...N. Der Gesamtstrom
ist dann, wie in Abb. 4.16 gezeigt,
N N N
1 U
I = ∑ Ii = U ∑ = = U ∑ Gi . (4.27)
i=1 i=1 Ri R1  R2 ...  RN i=1

Der Strom durch den ersten Widerstand ist I1 = U/R1 . Mit Hilfe von Gleichung
4.27 lässt sich nun die Spannung herauskürzen:

R1  R2 ...  RN G1
I1 = I · =I· N . (4.28)
R1 ∑i=1 Gi
Der Gesamtstrom teilt sich also proportional zu den Leitwerten auf.
4.7 Die Schaltung hat nur zwei äußere Anschlüsse und lässt sich daher in eine
Strom- oder Spannungsquelle umwandeln. Der Innenwiderstand wird berechnet,
indem Stromquellen durch Unterbrechungen und Spannungsquellen durch Kurz-
schlüsse ersetzt werden. Dadurch fallen die Widerstände R1 und R4 weg, und es
bleibt ein Innenwiderstand Ri = R2 + R3 übrig.
Zur Berechnung der äquivalenten realen Spannungsquelle betrachten wir die
Leerlaufspannung: Der Strom IQ fließt dann durch die Widerstände R1 , R3 und
R4 , nicht jedoch über R2 . Daher ist die Leerlaufspannung die, die über R3 abfällt:
ULeerlau f = UQ = IQ /R3 .
Zur Berechnung der äquivalenten Stromquelle betrachten wir den Kurzschluss-
strom. Das ist genau der Anteil an IQ , der nicht über R3 , sondern über R2 fließt. Da
die Spannung über diesen beiden Widerständen gleich ist, können wir schreiben:

U(R2 ) = U(R3 ) = R2 · I2 = R3 · I3 mit I2 + I3 = IQ . (4.29)


4.3 Antworten zu Kapitel 4 127

In Gl. (4.29) ist der Strom durch den Widerstand R2 gerade der gesuchte Kurz-
schlussstrom: IKurzschluss = I2 . Der Kurzschlussstrom der äquivalenten realen Strom-
quelle lässt sich daher aus Gl. (4.29) ausrechnen:
R3
IKurzschluss = IQ · . (4.30)
R2 + R3
4.8 Zur Symmetrie: a) Die Widerstandsmatrix für das Maschenumlauf-Verfahren ist
symmetrisch. b) Die Leitwertmatrix für das Knotenpotenzial-Verfahren ist ebenfalls
symmetrisch. c) Die Ladungserhaltungsmatrix für die Leistungsanpassung ist ein
reines Fantasieprodukt.
4.9 Sowohl die Leitwertmatrix als auch die Widerstandsmatrix haben ausschließlich
positive Diagonalelemente. Die Leitwertmatrix für das Knotenpotenzial-Verfahren
hat darüber hinaus ausschließlich negative Nebendiagonalelemente. Die Wider-
standsmatrix für das Maschenumlaufverfahren hat überall dort negative Elemente,
wo die Umlaufströme durch die Koppelwiderstände (bzw. -impedanzen) in entge-
gengesetzter Richtung fließen. Daher sind die Lösungen a) falsch, b) richtig, c) rich-
tig und d) auch richtig, denn was immer gilt, gilt auch in Spezialfällen.
4.10 Das ist die Maschenregel, die deswegen funktioniert, weil bei der Coulomb-
Kraft, genau so wie bei der Gravitation, jedem Punkt ein Potenzial zugeordnet wer-
den kann. Die Kirchhoffsche Formulierung des Bergwanderns wäre: Wenn ein Wan-
derer aus dem Tal auf den Berg klettert und auf einem beliebigen anderen Weg
zurückkommt, dann hat er unten im Dorf wieder die gleiche potenzielle Energie
wie vorher. Denn die Höhe des Dorfes über dem Meeresspiegel hängt nicht von der
Wahl des Weges ab.
4.11 Das gezeigte Netzwerk lässt sich zunächst, ähnlich wie in Abb. 4.17 gezeigt,
durch Zusammenfassen von Widerständen vereinfachen. Die drei Widerstände R1 , R2
und R3 bilden gemeinsam einen Zweipol mit dem Widerstand R1,2,3 = R3  (R1 +
R2 ). Es sind dann, wie in Abb. 4.27 gezeigt, nur noch zwei Maschen übrig. Nun
können die Spannungsumläufe für die Maschen berechnet werden:

M1 : (R1,2,3 + R4 + R5 )IM1 − R6 IM2 = 0


M2 : (Ri + R6 )IM2 − R6 IM1 = −U . (4.31)

Das Minuszeichen vor der Spannungsquelle zeigt an, dass die Stromrichtung so
gewählt wurde, dass der Strom in der Quelle vom Pluspol zum Minuspol fließt, ganz
im Gegensatz zu einer tatsächlichen, Leistung bereitstellenden Spannungsquelle.
Die beiden Maschengleichungen können jetzt zu einer Matrixgleichung zusam-
mengefasst werden:
  
(R1,2,3 + R4 + R5 ) −R6 I 0
· M1 = . (4.32)
−R6 (Ri + R6 ) IM2 −U
Das Inverse der Widerstandsmatrix R ist
128 4 Lineare elektrische Netze

Abb. 4.27 zur Aufgabe 4.11: Zeichnerische Vorbereitung der beiden Standard-Analyseverfahren:
Widerstände werden zusammengefasst, Maschenströme und Knotennummern definiert. Für das
Knotenpotenzial-Verfahren wird die Spannungsquelle in eine Stromquelle umgerechnet


1 (Ri + R6 ) R6
R−1 = . (4.33)
(R1,2,3 + R4 + R5 )(Ri + R6 ) − R26 R6 (R1,2,3 + R4 + R5 )

Die beiden Umlaufströme sind nun nach Gl. (4.9)



0
(IM1 , IM2 ) = R−1 · . (4.34)
−U
Um das Knotenpotenzial-Verfahren zur Anwendung kommen zu lassen, muss die
Spannungsquelle in eine Stromquelle umgewandelt werden. Dabei behält der Innen-
widerstand Ri seinen Wert, wird aber nach Gl. (4.4) parallel zu einer Stromquelle
IQ = U/Ri geschaltet. In dieser Schaltung liegt Ri parallel zu R6 und sollte daher zu-
sammengefasst werden: R6,i = R6  Ri , oder G6,i = G6 + Gi . Nach Abbildung 4.27
kann dann direkt die Leitwertmatrix abgelesen werden, indem für jeden Knoten eine
Strombilanz entsprechend Gl. (4.15) aufgestellt wird:

Knoten 0 : keine Gleichung


Knoten 1 : (G4 + G6,i )U1 − G4U3 = IQ
Knoten 2 : (G1,2,3 + G5 )U2 − G1,2,3U3 = 0
Knoten 3 : (G1,2,3 + G4 )U3 − G1,2,3U2 − G4U1 = 0 . (4.35)

Denn auch dieses System ist einer Matrizengleichung äquivalent:


4.3 Antworten zu Kapitel 4 129
⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞
(G4 + G6,i ) 0 −G4 U1 IQ
⎝ 0 (G1,2,3 + G5 ) −G1,2,3 ⎠ · ⎝ U2 ⎠ = ⎝ 0 ⎠ . (4.36)
−G4 −G1,2,3 (G1,2,3 + G4 ) U3 0

Die Leitwertmatrix ist wie gewünscht symmetrisch, jedoch größer als die Wider-
standsmatrix.
4.12 Abbildung 4.28 zeigt eine mögliche Wahl der Umlaufströme. Die Spannungs-

Abb. 4.28 zur Aufgabe 4.12:


Definition der Maschen-
ströme. Hier werden der Ein-
fachheit halber die Maschen-
ströme den Spannungsquellen
entsprechend gewählt

umläufe für die dort gezeigten Maschen sind:

M1 : R3 IM1 − R3 IM2 = UQ1


M2 : (R2 + R3 )IM2 − R3 IM1 − R2 IM3 = −UQ2
M3 : (R1 + R2 )IM3 − R2 IM2 = −UQ1 , (4.37)

als Matrixgleichung zusammengefasst:


⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞
R3 −R3 0 IM1 UQ1
⎝ −R3 (R2 + R3 ) −R2 ⎠ · ⎝ IM2 ⎠ = ⎝ −UQ2 ⎠ . (4.38)
0 −R2 (R1 + R2 ) IM3 −UQ1

Das Inverse der Widerstandsmatrix R ist


⎛ ⎞
(R1 R2 + R1 R3 + R2 R3 ) (R1 + R2 )R3 R2 R3
1 ⎝
−1
R = (R1 + R2 )R3 (R1 + R2 )R3 R2 R3 ⎠ . (4.39)
R1 R2 R3
R2 R3 R2 R3 R2 R3

Die Ströme folgen nun aus Gl. (4.9) und (4.39):


⎛ ⎞
UQ1
(IM1 , IM2 , IM3 ) = R−1 · ⎝ −UQ2 ⎠ . (4.40)
−UQ1

Das Maschenstrom-Verfahren bietet sich bei dieser Schaltung an, denn sie enthält
ausschließlich Spannungsquellen. Damit entfällt die Notwendigkeit einer Quellen-
umrechnung.
130 4 Lineare elektrische Netze

Eine genauere Betrachtung der Schaltung zeigt: Mit dem Maschenstrom-Verfahren


wird ein großes Werkzeug auf ein kleines Problem losgelassen: Denn der Strom
durch R3 ist schlicht IR3 = UQ1 /R3 . Und der Strom über den Widerstand R2 ist
IR2 = (UQ2 −UQ1 )/R2 . Ist aber IR2 bekannt, dann lässt sich auf die Spannung an R1
schließen. Ein genaues Hinsehen vor der Schaltungsberechnung lohnt also!
4.13 Abbildung 4.29 zeigt die Situation. Grundsätzlich gilt: Ist der Verbraucher

Abb. 4.29 Zur Aufgabe 4.13:


Speisung eines Verbrauchers
RV durch eine reale Strom-
quelle mit einem Parallel-
Innenwiderstand R p

sehr viel niederohmiger als die Quelle, dann bricht die Spannung zusammen und es
wird keine Leistung abgegeben. Ist der Verbraucher zu hochohmig, dann fließt kein
Strom und es wird auch keine Leistung übertragen. Irgendwo dazwischen muss also
ein Optimum sein.
Am Verbraucher und am Innenwiderstand liegt die gleiche Spannung U = IQ ·
(RV  R p ). Durch den Verbraucher fließt ein Strom IV = U/RV und erzeugt eine
Leistung PV = U · IV . Diese lässt sich nun als Funktion des Quellenstromes IQ und
der Widerstände angeben:

(R p  RV )2
PV = U · IV = IQ · (R p  RV ) · IV = IQ2 · . (4.41)
RV

Nun muss die Frage beantwortet werden: Bei welchem Verhältnis x = RV /R p hat
die Leistung am Verbraucher ihr Maximum? Aus Gl. (4.41) folgt
x
PV = IQ2 · R p · . (4.42)
(1 + x)2

Setzt man die Ableitung der Gl. (4.42) nach x gleich Null, so ergibt sich x0 = 1.
Anders ausgedrückt:

Der Verbraucher erhält die maximale Leistung genau dann, wenn sein Wider-
stand genau so groß ist wie der Innenwiderstand der Stromquelle. Ist dies der
Fall, spricht man von Leistungsanpassung.

Wird statt eines angepassten Verbrauchers (also x0 = 1) einer mit dem halben
Widerstand (also x1 = 1/2 ) verwendet, so folgt aus Gl. (4.42), dass die Leistung
auf 8/9-tel der Maximalleistung, also um 11% sinkt.
4.14 Wenn UM = 0 ist, dann muss R1 /R2 = RU /RS sein. Daher ist
4.3 Antworten zu Kapitel 4 131

R1
RU = RS · . (4.43)
R2
Wenn RS so eingestellt ist, dass UM = 0 gemessen wird, dann fließt auch kein Strom
durch den Spannungsmesser. Ein endlicher Leitwert des Messgerätes verfälscht also
nicht das Ergebnis. Wenn R1 und R2 von ähnlicher Größe sind, dann kann im bes-
ten Falle eine Genauigkeit in der Größenordnung UM /UQ erreicht werden. Dabei
kann UQ im Bereich von einigen Volt sein und UM im Mikrovolt-Bereich eingestellt
werden.
4.15 Lösungsstrategie: Zunächst muss man sich darüber im Klaren werden, wel-
che der beiden Messungen, Strom oder Spannung, kritisch ist. Denn beide können
nicht gleichzeitig genau gemessen werden.
Lösung: Abbildung 4.30 zeigt, warum immer nur eine der beiden Größen genau ge-

Abb. 4.30 zur Aufgabe 4.15:


Zwei Alternativen für die
gleichzeitige Messung von
Strom und Spannung an ei-
nem Widerstand R: Entweder
der Strom wird genau gemes-
sen oder die Spannung - nie
beides

messen werden kann. Bei der linken Variante (Spannung richtig) ist der gemessene
Strom die Summe aus dem interessierenden Strom über R und dem verfälschenende
Anteil über das Spannungsmessgerät. Bei der rechten Variante (Strom richtig) ist
die gemessene Spannung die Summe aus der interessierenden Spannung über R und
dem verfälschenden Anteil über das Strommessgerät.
Die Angaben beinhalten, dass sich das Geschenk etwa wie ein Widerstand
R > U 2 /P = 225 kΩ verhält. Es muss also ein sehr kleiner Strom bei moderater
Spannung gemessen werden. Deshalb ist die Variante Strom richtig hier die besse-
re.
4.16 Zunächst muss die Stromquelle in eine äquivalente Spannungsquelle gemäß
Gl. (4.4) umgewandelt werden. Dann werden Stromrichtungen festgelegt, zum Bei-
spiel so wie in Abb. 4.31 gezeigt, also mit allen Maschenströmen im Uhrzeigersinn.
Die besondere Schwierigkeit bei dieser Aufgabe ist: Man darf sich nicht davon ir-
ritieren lassen, dass sich zwei Maschen kreuzen oder überlappen. Wichtig ist nur:
Man muss die Maschen so wählen, dass jede Masche mindestens eine Information
beinhaltet, die noch nicht in einer anderen Maschengleichung gegeben ist, und jedes
Schaltungselement muss mindestens einmal vorkommen:

1. P f ad : (Ri + R1 + R3 )IM1 + Ri IM2 + R1 IM3 = UQ


2. P f ad : (Ri + R2 + R4 )IM2 + Ri IM1 − R2 IM3 = UQ
3. P f ad : (R1 + Z L + R2 )IM3 + R1 IM1 − R2 IM2 = 0 . (4.44)
132 4 Lineare elektrische Netze

Abb. 4.31 zur Aufgabe 4.16: Wahl der Maschen bei einer X-Schaltung. Die Stromrichtungen und
Maschen können wie dargestellt gewählt werden. Alle Maschenströme werden in diesem Beispiel
im Uhrzeigersinn gewählt

Die Umlaufwiderstände sind immer positiv. Die Koppelwiderstände tauchen nur


mit einem Plus-Zeichen auf, wenn sich beide Maschenströme im Koppelwiderstand
addieren. Haben die beiden Maschenströme eine entgegengesetzte Richtung, dann
findet ein Minus-Zeichen Anwendung.
Nun müssen die Ströme sortiert werden, damit die Matrixgleichung aufgestellt
werden kann:
⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞
(Ri + R1 + R3 ) Ri R1 IM1 UQ
⎝ Ri (Ri + R2 + R4 ) −R2 ⎠ · ⎝ IM2 ⎠ = ⎝ UQ ⎠ . (4.45)
R1 −R2 (R1 + Z L + R2 ) IM3 0

Natürlich können auch andere Maschen gewählt werden. Ebenso ist die Umlauf-
richtung frei wählbar. Am Ende sollten aber immer die gleichen Ströme durch die
Bauteile herauskommen.
4.17 Zur Vereinfachung werden zunächst die Leitwerte Gi = 1/Ri betrachtet. Die
Knoten 1 und 2 werden zu einem Doppelknoten zusammengefasst. Die Strombilanz
beinhaltet daher die beiden Knotenleitwerte G1U1 + (G2 + G3 )U2 und die Koppel-
leitwerte zum Knoten 3:

G1U1 + (G2 + G3 )U2 − (G1 + G2 )U3 = 0 . (4.46)

Die Kopplung zum Massenknoten taucht nicht auf, da der Leitwert mit U = 0 mul-
tipliziert wird. Da der Knoten U3 = UQ1 bekannt ist, kann der dazugehörige Term
(genau so wie bekannte Ströme) auf die rechte Seite geschrieben werden:

G1U1 + (G2 + G3 )U2 = (G1 + G2 )UQ1 . (4.47)

Die Spannungsbilanz innerhalb des Doppelknotens lautet

U1 = U2 +UQ2 . (4.48)

Die beiden Gl. (4.47) und (4.48) können zu einer Matrix zusammen gefasst werden:
4.3 Antworten zu Kapitel 4 133
  
G1 (G2 + G3 ) U1 (G1 + G2 )UQ1
· = . (4.49)
1 −1 U2 UQ2

Da die idealen Spannungsquellen eine Modifikation des Knotenpotenzial-Verfahrens


erzwingen, ist die Matrix in Gl. (4.49) weder eine reine Leitwertmatrix, noch ist sie,
wie sonst beim Verfahren üblich, symmetrisch. Die Inversion führt trotzdem zur
Lösung:
  
U1 −1 −1 −(G2 + G3 ) (G1 + G2 )UQ1
= · . (4.50)
U2 G1 + G2 + G3 −1 G1 UQ2

Werden die Leitwerte wieder durch Widerstände ersetzt, so folgt die endgültige
Lösung:

R3 (R1 + R2 ) R1 (R2 + R3 )
U1 = ·UQ1 + ·UQ2
R1 R2 + R2 R3 + R1 R3 R1 R2 + R2 R3 + R1 R3
R3 (R1 + R2 ) R2 R3
U2 = ·UQ1 − ·UQ2 . (4.51)
R1 R2 + R2 R3 + R1 R3 R1 R2 + R2 R3 + R1 R3
Abbildung 4.32 zeigt den Lösungsansatz nach dem Maschenstrom-Verfahren.

Abb. 4.32 zur Aufgabe


4.17: Zur Vorbereitung des
Maschenstrom-Verfahrens
werden die Maschenströme
und ihre Richtung festgelegt

Die beiden Maschengleichungen sind

M1 : (R2 + R3 )IM1 − R2 IM2 = −UQ1


M2 : (R1 + R2 )IM2 − R2 IM1 = UQ2 , (4.52)

in Matrixform:
  
(R2 + R3 ) −R2 IM1 −UQ1
· = (4.53)
−R2 (R1 + R2 ) IM2 UQ2

mit der Lösung


  
IM1 1 (R1 + R2 ) R2 −UQ1
= · .
IM2 (R1 + R2 )(R2 + R3 ) − R22 R2 (R2 + R3 ) UQ2
(4.54)
Setzt man nun U2 = −R3 IM1 ,und U1 = UQ1 + R1 IM2 , so erhält man die gleichen
Ergebnisse wie in Gl. (4.51) angegeben.
134 4 Lineare elektrische Netze

4.18 In der Physik gilt: Koordinatensysteme sind frei wählbar. Diese Annahme
wird heute nicht mehr bezweifelt, denn im Rahmen der theoretischen Mechanik
wird gezeigt, dass dieses Prinzip untrennbar mit den Erhaltungssätzen für Energie
und Impuls verbunden ist. Wenn für eine besondere Form der Energiebilanz eines
geschlossenen Systems, die Lagrange-Funktion, gefordert wird, dass die Zeitkoor-
dinate frei wählbar ist, dann folgt der Energie-Erhaltungssatz. Wird gefordert, dass
der Ort frei wählbar ist, folgt die Impulserhaltung, und wenn die Richtung frei wähl-
bar ist, folgt die Drehimpulserhaltung.
Die Aussage Strom- und Spannungsrichtungen sind frei wählbar ist ein eindi-
mensionaler Spezialfall der Freiheit, ein beliebiges Koordinatensystem zu wählen.
Wenn zum Beispiel das Bezugssystem links als negativ und rechts als positiv defi-
niert (das ist der Normalfall) wird, dann bedeutet eine positive Bewegung eine von
links nach rechts, ein positiver Strom einer von links nach rechts, und ein negativer
Strom ist einer von rechts nach links.
Die Maxwellschen Gleichungen setzen immer voraus, dass alle in ihnen vorkom-
menden Größen im gleichen Bezugssystem definiert sind. Deshalb gelten auch alle
Bauelemente-Gleichungen in unveränderter Form nur, wenn Strom und Spannung
in der gleichen Richtung definiert sind. Wenn in einem Netzwerk aber der Strom
als Bewegung positiver Ladungsträger vom Knoten A zum Knoten B, die Spannung
aber entgegengesetzt als Potenzialdifferenz von B nach A definiert wird, dann ent-
spricht das dem Fall, dass die Geschwindigkeit in einem Bezugssystem, die Kraft
aber in einem um 180◦ gedrehten Bezugssystem definiert ist. Nach den Gesetzen der
physikalischen Modellbildung ist dies ein Fehler. Dieser Fehler kann jedoch korri-
giert werden, indem die Bauelemente-Gleichungen dort mit einem Minuszeichen
versehen werden, wo Strom und Spannung in entgegengesetzten Richtungen defi-
niert sind (siehe auch Abb. 4.10). Dies gilt nicht nur für Kondensatoren und Spulen,
sondern auch für Widerstände und gekoppelte Induktivtiäten (siehe Kapitel 5).

Literaturverzeichnis

1. Gert Hagmann: Grundlagen der Elektrotechnik, Aula-Verlag 2005, ISBN 978-3891046876


2. Tildon Glisson: Introduction to Circuit Analysis and Design, Springer New York 2011, ISBN
978-90-481-9442-1
3. Heinz-Josef Baukholt: Grundlagen und Elemente der Elektrotechnik, Carl Hanser Verlag,
München 2004, ISBN 3-446-22708-3
4. Helmut Haase, Heyno Garbe, Hendrik Gerth: Grundlagen der Elektrotechnik, Schöneworth
Hannover 2004, ISBN 3980880559
Kapitel 5
Wechselstromnetze

Zusammenfassung In diesem Kapitel werden die grundlegenden Konzepte zur Be-


schreibung von Phänomenen in Wechselstromnetzen dargelegt. Die Transformator-
gleichungen und deren Modifikation durch Verluste werden behandelt. Außerdem
werden die Eigenschaften des Drei-Phasen-Wechselstromes analysiert. Das ist das
Rüstzeug, um die Konstruktion von Transformatoren und Überlandleitungen ebenso
zu verstehen, wie die Verkabelung des eigenen Haushaltes.

5.1 Fragen zu Wechselstromnetzen

5.1.1 Einfache Fragen

5.1. Welche der folgenden Optionen stimmt? Unter Blindleistungskompensation


versteht man a) die Möglichkeit, Sozialleistungen rückgängig zu machen, b) eine
Technik zur Reduktion überflüssiger Blindströme, c) das Einspeisen von Strömen
in Solaranlagen bei bewölktem Himmel.

5.2. Abbildung 5.1 zeigt den zeitlichen Verlauf einer Spannung. Könnte hier die
Netzspannung in einem europäischen Land dargestellt sein? Bitte bestimmen Sie
zur Beantwortung die Spitze-Spitze-Spannung USS , den Scheitelwert der Spannung
Û, die effektive Spannung Ue f f , die Frequenz f und die Phase φU .

5.3. Bitte stellen Sie für φU = 0 die Ströme und deren Gesamtsumme der in Abb.
5.2 gezeigten Schaltung in einem Zeigerdiagramm dar und geben Sie auch die ent-
sprechende Gleichung I = f (U) an. In dem Beispiel soll der Blindwiderstand der
Spule kleiner sein als der des Kondensators.

5.4. Die Spannung am Stromabnehmer einer Elektrolokomotive beträgt


 

2 2
u(t) = 28 kV sin 2π · 16 + Hz · t − π . (5.1)
3 3

135
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-642-33495-5_5,
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
136 5 Wechselstromnetze

Abb. 5.1 zur Aufgabe 5.2:


Zeitlicher Spannungsverlauf
an einem Oszilloskop

Abb. 5.2 zur Aufgabe 5.3:


Von einer Wechselspan-
nungsquelle U gespeiste
Parallelschaltung aus Spule,
Widerstand und Kondensator
(R, L,C)

Welche Verspätung haben die Spannungs-Nulldurchgänge relativ zu t = 0 ?

5.5. Welche Spannungen muss ein an das 230 V-Hausnetz angeschlossener Glättungs-
kondensator aushalten? Würden Sie einen Elektrolyt-Kondensator empfehlen?

5.6. Welche der folgenden Optionen stimmt? Blindleistung ist a) eine zu Unrecht
vergebene Sozialleistung, b) die Leistung einer Photozelle im Dunkeln, c) der Grund
für Überspannungen, d) immer negativ, e) von der Netzfrequenz abhängig.

5.7. In Technik-Büchern wie [3] tritt im Zusammenhang mit Transformatoren der


Faktor 4,44 in Erscheinung. Wie heißen die nächsten Nachkommastellen?

5.8. Welche der folgenden Aussagen trifft für den idealen Transformator zu? a) Er
erzeugt keine Wärme. b) Für das Eisen wird μFe = 0 angenommen. c) Das Verhält-
nis der Ströme auf der Primär- und auf der Sekundärseite ist genau das inverse
Spannungsverhältnis. d) Er nimmt nur Blindleistung auf. e) Zwischen Strom und
Spannung auf der Sekundärseite liegt ein Phasenwinkel von φU,S − φI,S = ±90◦ .

5.9. Welche Verluste treten bei einem realen Transformator auf und wie wirken sie
sich aus?

5.10. Sie schalten drei Transformatoren, die jeweils 1000 Windungen auf der Primär-
seite und 100 Windungen auf der Sekundärseite haben, hintereinander. Wie viele
Windungen auf der Sekundärseite müsste ein einziger Transformator auf der Se-
kundärseite haben, um das gleiche Spannungsübersetzungsverhältnis zu erzeugen?
5.1 Fragen zu Wechselstromnetzen 137

5.11. Unter der Strangspannung verstehen Sie a) die am Verbraucher liegende Span-
nung in einem Drehstromsystem, b) die Spannung einer als Strang geflochtenen
Leitung, c) die Spannung im Handlungsstrang eines Kriminalromans, oder d) die
durchschnittliche Spannung im Strang einer Überlandleitung.

5.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben

5.12. Bitte zeigen Sie, dass für zwei komplexe Größen A und B
2
A 2
= |A| (5.2)
B |B|2

gilt.

5.13. Wie lautet die komplexe Darstellung u(t) des in Abb. 5.1 gezeigten Span-
nungsverlaufes?

5.14. Abbildung 5.12 zeigt die Addition von drei Spannungen einer Reihenschal-
tung. Wie müsste die Darstellung geändert werden, wenn der hindurchfließende
Strom eine Amplitude
I = Ie
ˆ jφI = Ie
ˆ jπ/2 (5.3)
hätte?

5.15. Einem f = 50 MHz-Signalgenerator mit einem Innenwiderstand von Ri =


50 Ω und vernachlässigbaren internen Blindwiderständen ist, wie in Abb. 5.3 ge-
zeigt, eine Spule parallel geschaltet. Welche Induktivität muss diese (als ideal ange-

Abb. 5.3 zur Aufgabe 5.15:


Schaltung mit paradoxen Ei-
genschaften. Können die Bau-
teile so gewählt werden, dass
sich die Gesamt-Stromstärke
beim Schließen des Schalters
nicht ändert?

nommene) Spule haben, damit sich beim Schließen des Schalters die Stromstärke
|I| nicht ändert, obwohl ein Strom durch R = 10 kΩ hinzukommt?

5.16. Abbildung 5.4 zeigt die so genannte Hummel-Schaltung1 , welche zur Be-
stimmung der Blindleistung dient. Bitte wählen Sie den Trimmwiderstand R3 so,
dass zwischen der anliegenden Spannung U und dem Strom durch die zweite Spule
(L2 , R2 ) eine 90◦ -Phasenverschiebung besteht.
138 5 Wechselstromnetze

Abb. 5.4 zur Aufgabe 5.16:


Hummelschaltung. Sie dient
der Bestimmung der Blind-
leistung. In dieser Zeichnung
sind R1 und R2 die Ohm-
schen Widerstände der realen
Spulen

Abb. 5.5 zur Aufgabe 5.17:


Leuchtstofflampe. Diese
erreicht einen Lichtfluss
von 900 Lumen bei ei-
ner Leistungsaufnahme von
P = 12, 7 W (Foto: OSRAM)

5.17. Die in Abb. 5.5 gezeigte Leuchtstofflampe ist auf einen Betrieb von Ue f f =
77 V ausgelegt und nimmt eine Leistung von P = 12, 7 W auf. Bitte liefern Sie die
Begründung dafür, dass solche Lampen heute mit elektronischen Spannungswand-
lern ausgerüstet werden, indem Sie die klassische Alternative durchrechnen und
dabei zu recht großen Bauteilen kommen:
Um die Betriebsspannung aus dem 230 V-Netz zu erhalten, kann eine Drossel-
spule in Reihe mit dem Leuchtkörper geschaltet werden. Bitte bestimmen Sie unter
der Annahme, dass sich der Leuchtkörper wie ein Ohmscher Widerstand verhält,
die Induktivität L der Drosselspule. Bitte bestimmen Sie die Blindleistung der An-
ordnung und den Leistungsfaktor. Kompensieren Sie danach die Blindleistung. Wie
sieht diese klassische Schaltung (hier: ohne Starter) aus? Welche Kapazität hat der
Kondensator und welche Spannungsfestigkeit braucht er?
Warum wird diese klassische Schaltungstechnik eher bei großen als bei kleinen
Leuchten eingesetzt?

5.18. In einem Drei-Phasen-Wechselspannungsnetz hat √ jede Leitung relativ zu dem


allen gemeinsamen Nullpunkt eine Amplitude Û = 2 · 230 V. Mit einem Oszil-
loskop wird die Differenz der Spannungen von zwei dieser Leitungen als Funktion
der Zeit dargestellt. Was ergibt die Spitze-Spitze-Messung der Spannung?

5.19. Eine Waschmaschine kann ihr Wasser entweder mit einem einzigen (Ein-
Phasen-) Heizstab oder mit drei als Dreieck geschalteten Heizstäben für das Drei-
Phasen-Netz erwärmen. In beiden Fällen beträgt die Heizleistung 2 kW. Welche
Heizwiderstände sind zu wählen, und welche Ströme fließen?
Bitte vergleichen Sie auch die Verluste, die in den Zuleitungen auftreten, wenn
jede Leitung einen Ohmschen Widerstand von R = 0, 05 Ω hat.
1 Georg Hummel wurde hierfür 1895 das Reichspatent Nr.968897 erteilt.
5.1 Fragen zu Wechselstromnetzen 139

5.20. Was bedeutet die folgende Aussage im Zusammenhang mit dem Drei-Phasen-
Wechselstrom: In der Dreieckschaltung wird bei gleicher Spannung die dreifache
Leistung übertragen?
a) Durch Ausnutzen der 120◦ -Winkelbeziehung wird der Strom dreimal so effektiv
genutzt.
b) Bei gleichen Impedanzen führt das Umschalten sowohl zu höheren Strömen als
auch zu höheren Spannungen.
c) Nein, die Aussage ist falsch, denn sie verletzt den Energie-Erhaltungssatz.

5.21. Abbildung 5.6 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines Überlandleitungsmastes

Abb. 5.6 zur Aufgabe 5.21:


Typischer Mast für Überland-
leitungen. Auf beiden Sei-
ten des Mastes wird mittels
Drei-Phasen-Wechselstroms
Energie übertragen

für Drehstrom. Wenn es sich um eine so genannte 230 kV-Übertragung handelt:


Welche Spannungen treten zwischen den Leitungen höchstens auf? Und welche
Spannung tritt höchstens zwischen dem Mast und den Leitungen auf? Wie groß
ist Strom durch jede der Leitungen bei einer übertragenen Leistung von 100 MVA?

5.22. In einem Haus in Deutschland brennen in drei Zimmern, die jeweils an ver-
schiedenen Phasen der Versorgung liegen, verschiedene Lampen. Die Lampe im
ersten Zimmer verbraucht 12 Watt, die im zweiten 60 Watt und die im dritten 36
Watt. Wie groß sind die Stromamplitude und der Effektivwert des Stromes im Null-
leiter?

5.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben

5.23. Reihenschaltung von Spulen und Widerständen können, wie in Abb. 5.13 ge-
zeigt, bei festgelegter Frequenz durch eine sich gleich verhaltende Serienschaltung
ersetzt werden. (Wie) kann dieses Prinzip, wie in Abb. 5.7 gezeigt, auf beliebige
parallel geschaltete Impedanzen verallgemeinert werden?

5.24. Bitte zeigen Sie, dass alle Impedanzen, die den gleichen Leitwert G haben, in
der komplexen Impedanz-Ebene auf einem Kreis liegen, der den Ursprung berührt
und der, wie in Abb. 5.8 gezeigt, symmetrisch zur reellen Achse liegt. Bitte bestim-
men Sie auch den Radius dieses Kreises.
140 5 Wechselstromnetze

Abb. 5.7 zur Aufgabe 5.23: Versuch des Ersatzes der Parallelschaltung zweier beliebiger Impe-
danzen Z A und Z B durch eine Reihenschaltung

Abb. 5.8 zur Aufgabe 5.24:


Der G-Kreis in der kom-
plexen Impedanz-Ebene. Er
beinhaltet alle Impedanzen
mit gleichem G

5.25. Bitte berechnen Sie die von der Zeit abhängige Leistung p(t) für einen Ohm-
schen Widerstand R, der von einer Quelle mit u(t) = Ûe jφU e jωt gespeist wird.

5.26. Ein verlustloser Transformator wird, wie in Abb. 5.9 gezeigt, primärseitig an
eine ideale Spannungsquelle uP = ÛP e jωt und sekundärseitig an einen Ohmschen
Widerstand R angeschlossen. Bitte finden Sie eine nur aus einer Spule und einem
Widerstand bestehende Ersatzschaltung, welche die Spannungsquelle in der glei-

Abb. 5.9 zur Aufgabe 5.26:


Schaltung aus Spannungs-
quelle, Transformator und
Widerstand

chen Weise belastet wie die Schaltung in Abb. 5.9.

5.27. Sie sind bei der Stiftung Warentest beauftragt, den in Abb. 5.10 gezeigten
Schweiß-Transformator auszumessen, um zerstörungsfrei auf sein Innenleben zu

Abb. 5.10 zur Aufgabe 5.27:


Handelsüblicher Schweiß-
Transformator (Foto: Otto)
5.2 Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze 141

schließen. Sie finden, dass er beim maximalen Schweißstrom von 120 A netzsei-
tig 13,3 A zieht.2 Im Leerlauf setzt er die Netzspannung von Ue f f ,P = 230 V auf
Ue f f ,S = 48 V herunter. Dabei messen Sie einen Strom von 1, 12 Ampère bei einem
Phasenwinkel von 39◦ zwischen dem Eingangsstrom und der Eingangsspannung.
Bitte schätzen Sie ab, aus wie großen Induktivitäten der Transformator besteht,
welcher Widerstand dem Eisenkern zuzuordnen ist und wie viel Wärme der Trans-
formator im Leerlauf produziert.

5.28. Die aktuelle Leistung in einem Wechselstromkreis lässt sich als


1
p(t) = ℜ(U · I ∗ ) − ℜ(U · I · e2 jωt ) (5.4)
2
schreiben. Bitte zeigen Sie, dass der erste Term die Wirkleistung ist und dass der
zweite Term den gleichen Betrag hat wie die Scheinleistung.

5.2 Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze

In diesem Abschnitt werden die Begriffe Effektivwert, Ersatzimpedanz, Schein-,


Blind- und Wirkleistung sowie Leistungsanpassung erklärt. Mit Hilfe des Zeiger-
diagramms wird die komplexe Wechselstromlehre bildlich dargestellt. In diesem
Kontext werden Transformatoren und der Drei-Phasen-Wechselstrom analysiert.

5.2.1 Begriffe und Bilder

Abbildung 5.11 zeigt den zeitlichen Verlauf einer Spannung, die sich gemäß

Abb. 5.11 Die Bedeutungen


der Größen Û, USS und Ue f f :
Stärken harmonisch verlau-
fender Spannungen können
auf mehrere Arten angegeben
werden

u(t) = Û sin(ωt) (5.5)

2 Dies sind Beispielzahlen. Ähnlichkeiten mit am Markt befindlichen Geräten wären rein zufälliger

Natur.
142 5 Wechselstromnetze

entwickelt. Zur Charakterisierung ihrer Stärke gibt man entweder die Amplitude
Û, den im Oszilloskop einfach zu messenden
√ Spitze-Spitze-Wert USS , oder den so
genannten Effektivwert3 Ue f f = Û/ 2 an. Für Ströme gilt Entsprechendes.
Die komplexe Erweiterung (siehe Anhang) dieses Spannungsverlaufes ist

u(t) = Ue jωt . (5.6)

Komplex erweiterte Wechselspannungen und -ströme können als Vektor in der kom-
plexen Ebene dargestellt werden (siehe Anhang). Diese Darstellung nennt man Zei-
gerdiagramm. Dabei ist die Länge des Vektors der Maximalwert, also die Amplitu-
de. Dieser wird auch Scheitelwert 4 genannt. Die Projektion auf die reelle Achse ist
der momentane Wert. Für t = 0 ist der aktuelle Wert gleich der komplexen Ampli-
tude. Bei Strömen i(t = 0) = I und bei Spannungen u(t = 0) = U.
Abbildung 5.12 zeigt, dass mit Hilfe des Zeigerbildes Spannungen addiert wer-

Abb. 5.12 Addition von


Spannungen in einem Zeiger-
diagramm

den können. Das gezeigte Bild entspricht der Gleichung



1
U = R + jωL + I (5.7)
jωC

mit φI = 0. Auch die Addition von Strömen funktioniert nach dem gleichen Schema
(siehe Aufgabe 5.3).
Die komplexen Erweiterungen von Widerstand und Leitwert heißen Impedanz,
Z und Admitanz, Y :

3 Dieser Begriff deutet an, dass eine Wechselspannung der Größe Ue f f auf einen Ohmschen Wi-
derstand im zeitlichen Mittel einen genau so großen Effekt hat wie ein Gleichstrom dieser Größe:
Ein Widerstand an einer Wechselspannung mit Ue f f = 230 V wird genau so warm wie einer, der
an U = 230 V-Gleichstrom angeschlossen wird.
4 Wird an einem Oszilloskop die so genannte Spitze-Spitze-Spannung einer sinusförmigen Quelle

gemessen, so ist das Resultat der doppelte Scheitelwert


5.2 Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze 143

Original → komplexe Erweiterung


u = R·i → u = Z ·i (5.8)
i = G·u → i =Y ·u .

Sie werden jeweils als Summe aus einem Realteil und einem Imaginärteil angege-
ben:
Z = R + jX
(5.9)
Y = G + jB .
Die Beträge der Imaginärteile heißen Blindwiderstand, X und Suszeptanz, B. Nach
Gl. (5.8) muss Z = 1/Y sein. Dies führt zusammen mit Gl. (5.9) zu

G −B
R= X=
G2 + B2 G2 + B2
R −X
G= B= . (5.10)
R2 + X 2 R2 + X 2
Die zu dieser Gleichung führende Rechnung läuft analog zur Bestimmung der Er-
satzimpedanzen (siehe unten) ab.
Alle komplexen Größen können (siehe Anhang) auch durch ihren Betrag und
ihren Phasenwinkel angegeben werden.
 
Z = Ẑe jφZ , φZ = arctan XR , Ẑ 2 = Z ∗ Z
 
Y = Ŷ e jφY , φY = arctan GB , Ŷ 2 = Y ∗Y

ℑ(U)
U = Ûe jφU , φU = arctan ℜ(U) , Û 2 = U ∗U . (5.11)

Dabei geht jeder Phasenwinkel mit einer Zeitverschiebung einher, wie die Rück-
transformation der komplexen Spannung auf die messbare Spannung zeigt:

u(t) = ℑ(u(t)) = Ûsin(ωt + φU ) . (5.12)

Das Argument der Sinus-Funktion in Gl. (5.12) ist zum Zeitpunkt

t0 = −φU /ω (5.13)

gleich Null. Eine positive Phase sorgt also dafür, dass der erste Nulldurchgang schon
vor t = 0 stattfindet. Die Komplementäraussage lässt sich leichter merken:5

Eine Verspätung bedeutet immer einen negativen Phasenwinkel.

5 Eselsbrücke: Verspätung ist schlecht, also etwas Negatives.


144 5 Wechselstromnetze

5.2.2 Ersatzimpedanzen

Für den Fall, dass nur ein kleiner Frequenzbereich betrachtet wird, kann das Er-
setzen von Reihenschaltungen durch Parallelschaltungen viele Rechnungen verein-
fachen. Das Verfahren ist um so genauer, je kleiner der Frequenzbereich ist; im
Grenzfall ω → konstant ist es ein exaktes Verfahren.
Abbildung 5.13 zeigt das Prinzip der Substitution am Beispiel einer realen Spule.

Abb. 5.13 Ersatz einer Par-


allelschaltung durch eine
Reihenschaltung und umge-
kehrt

Diese ist aufgrund des Ohmschen Widerstandes des Wickeldrahtes eine Serienschal-
tung aus dem Blindwiderstand jX = jωL und dem Drahtwiderstand RS . Gesucht
wird eine Parallelschaltung
RP jXP
Z P = RP  jXP = = RS + jXS . (5.14)
RP + jXP
Gleichung (5.14) beinhaltet zwei Gleichungen, denn sie muss sowohl für den Real-
teil als auch für den Imaginärteil gelten. Diese können entweder so sortiert werden,
dass die Parallelschaltung das Ergebnis ist,

R2S + XS2 R2S + XS2


RP = und XP = , (5.15)
RS XS
oder so, dass die Serienschaltung das Ergebnis ist:
RP XP
RS = und XS = . (5.16)
1 + (RP /XP )2 1 + (XP /RP )2

Die Gleichungen (5.15) und (5.16) gelten mit X = ωL ebenso für Spulen wie mit
X = −1/(ωC) für Kondensatoren.
Bei Bauelementen mit hoher Güte, also solche, bei denen der Ohmsche Anteil
der Serien-Impedanz deutlich kleiner ist als der Imaginärteil, vereinfachen sich die
Gleichungen zu
X2
RP ≈ S und XP ≈ XS . (5.17)
RS
Die durch diese Näherung gemachten Fehler sind meist kleiner als die Bauteiletole-
ranzen und die grundsätzlichen Verfahrensungenauigkeiten.
5.2 Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze 145

5.2.3 Leistung und Energie

Wechselstrom lässt sich leicht transformieren und wird daher gerne zur Ener-
gieübertragung verwandt. Daher lohnt ein genauerer Blick auf die Leistungseigen-
schaften des Wechselstromes.
Die zu einem beliebigen Zeitpunkt t umgesetzte Leistung ist (siehe Anhang) im
Allgemeinen p(t) = u(t) · i(t). Also gilt6 :

p(t) = Û sin(ωt + φU ) · Iˆ sin(ωt + φI )


1
→ p(t) = Û Iˆ · [cos(φU − φI ) − cos(2ωt + φI + φU )] . (5.18)
2
Innerhalb der komplexen Wechselstromrechnung kommt man zum gleichen Ergeb-
nis7 :

p(t) = ℑ(u(t)) · ℑ(i(t))


1 1
→ p(t) = [u(t) − u∗ (t)] · [i(t) − i∗ (t)]
2j 2j
1
→ p(t) = ℜ(U · I ∗ ) − ℜ(U · I · e2 jωt ) . (5.19)
2
Einsetzen der komplexen Spannungen und Ströme in Gl. (5.19) führt zu Gl. (5.18).8
Die Leistung hat gemäß Gl. (5.18) zwei Terme mit sehr unterschiedlichen Eigen-
schaften: Der erste Term ist zeitlich konstant. Er gibt die mittlere, dauerhafte Ener-
gieabgabe des Netzwerkes, also dessen Wirkung auf die Umgebung, an. Er hat daher
einen eigenen Namen.
Definition 5.1. Der mittlere, nicht von der Zeit abhängige Teil der Leistung P =
Û Iˆ · 12 cos(φU − φI ) heißt Wirkleistung.
√ √
Wegen Ie f f = I/ ˆ 2 und Ue f f = Û/ 2 kann man die Wirkleistung auch anders
schreiben:
P = Ue f f · Ie f f cos(φU − φI ) . (5.20)
Aus Gl. (5.20) wird schließlich die Bedeutung des Begriffes Effektivwert deutlich:
Für einen Ohmschen Verbraucher ist φU = φI und daher P = Ue f f · Ie f f , was Fol-
gendes bedeutet (siehe auch Aufgabe 5.25):

Eine Wechselspannung mit dem Effektivwert Ue f f = x heizt einen Ohmschen


Widerstand genau so effektiv auf wie eine Gleichspannung der Stärke U = x.

6 unter Ausnutzung von sin α sin β = (cos(α − β ) − cos(α + β ))/2


7 mit ℑ(A) = (A − A∗ )/(2 j) und ℜ(A) = (A + A∗ )/2
8 In der Literatur findet man häufig andere Ausdrücke für den zeitabhängigen Term. Dies liegt

an der unterschiedlichen Festlegung des Phasenwinkels: sin(ωt + φ ) ergibt die hier genannten
Gleichungen, cos(ωt + φ ) andere.
146 5 Wechselstromnetze

Reine Kapazitäten und reine Induktivitäten nehmen dagegen gar keine Wirkleis-
tung auf. Im Wechselspannungskreis geben sie alle in einer Halbperiode aufgenom-
mene Energie in der nächsten wieder ab. Mit den im Anhang hergeleiteten Impedan-
zen ZC = 1/( jωC) und Z L = jωL erhält man für beide Bauteile ℜ(U · I ∗ ) = 0. Die
von der Zeit abhängigen Leistungsteile sind nach Gl. (5.19) bei φU = 0 für einen
Kondensator
1 1
p(t) = − ℜ(U · I · e2 jωt ) = Û 2 ωC sin(2ωt) (für φU = 0) (5.21)
2 2
und für eine Spule

1 Û 2
p(t) = − sin(2ωt) (für φU = 0) . (5.22)
2 ωL
Die zeitabhängigen Leistungen für Kondensator und Spule sind in Abb. 5.14 skiz-
ziert. Wie dort gezeigt, werden in Zeiten, in denen p(t) positiv ist, Felder aufgebaut.

Abb. 5.14 Momentane Leistungen von Kondensator (oben, Gl. (5.21)) und Spule (unten, Gl.
(5.22)) bei der Speisung durch eine Spannungsquelle (Mitte). Bei p(ωt) > 0 werden auf Kosten
des Netzes Felder aufgebaut. Bei p(ωt) < 0 wirken die Bauteile wie Generatoren

Die Energie für den Feldaufbau wird dem Netz entzogen. In den Zeiten mit negati-
vem p(t) wird sie zurückgegeben.
In der komplexen Wechselstromlehre wird auch gerne die komplexe Scheinleis-
tung S verwandt:
5.2 Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze 147

Gleichstrom → komplexer Wechselstrom


(5.23)
P = RI 2 → S = Z · Ie2f f

Denn ihre Komponenten haben eine einfache, praktische Bedeutung. Wegen Z =


R + jX hat die komplexe Scheinleistung einen zum Ohmschen Widerstandsanteil
gehörenden Realteil, der sich bei genauerer Betrachtung als die Wirkleistung ent-
puppt, P = ℜ(S) , und einen Imaginärteil, Q = ℑ(Z), der Blindleistung genannt
wird:
S = Z · Ie2f f = RIe2f f + jXIe2f f = P + jQ . (5.24)

Die Wirkleistung P gibt die durchschnittliche Energieabgabe pro Zeit des Net-
zes an. Die Blindleistung Q ist die Leistungsamplitude, die zu den periodisch
zurückgeführten Energien gehört.

Die komplexe Scheinleistung lässt sich wegen u = Z · i auch als


1 1
S = u · i∗ = U · I ∗ = Ue f f · Ie f f e j(φU −φI ) (5.25)
2 2
berechnen. Auch an dieser Darstellung ist zu sehen, dass die komplexe Scheinleis-
tung explizit nicht von der Zeit abhängt. Der Vergleich mit Gl. (5.19) zeigt:9

P = ℜ(S) = Ue f f · Ie f f cos(φU − φI )
Q = ℑ(S) = Ue f f · Ie f f sin(φU − φI ) . (5.26)

Dabei wird der Ausdruck Ie f f sin(φU − φI ) gerne Blindstrom genannt. Unter Inge-
nieuren ist es üblich, die verschiedenen Leistungsanteile auch mit verschiedenen
Einheiten zu versehen:
Größe Einheit Merkregel
Scheinleistung VA V mal A wegen S = Ue f f · Ie f f
Blindleistung VAR immer hin und zurück : VARiabel
Wirkleistung W außerhalb der Elektrotechnik schlicht die Leistung
(5.27)
Der Anteil der Wirkleistung an der gesamten Scheinleistung wird auch Leis-
tungsfaktor λ genannt,
P P
λ= = = cos(φU − φI ) . (5.28)
S P + Q2
2

Er gibt an, welcher Teil der Leistung dem Netz dauerhaft entzogen wird.
Die Blindleistung hat zur Konsequenz, dass im Netz unnötig große Ströme flie-
ßen und damit von der Wirkung nicht gerechtfertigte Verluste in den Zuleitungen
auftreten. Je größer die Scheinleistung eines Verbrauchers ist, um so wichtiger wird

9 Zur Herleitung schreibe man Z = |Z| · e j(φU −φI ) .


148 5 Wechselstromnetze

ein kleines Q bzw. ein Leistungsfaktor nahe λ = 1. Die Technik zur Minimierung
der Blindleistung heißt Blindleistungskompensation.

Ziel der Blindleistungskompensation ist das Verschwinden der Blindströme


aus den Zuleitungen.

Das Ziel kann mit

ℑ(Z) = X = 0 oder ℑ(Y ) = B = 0 (5.29)

gleichermaßen erreicht werden. Aus Abb. 5.14 ist ersichtlich, dass Kondensatoren
Spulen-Blindströme kompensieren können und umgekehrt. Denn immer dann, wenn
das elektrische Feld des Kondensators Energie an das Netz abgibt, braucht die Spule
diese Energie zum Aufbau des Magnetfeldes (siehe zum Beispiel Aufgabe 5.17).
Die von einem Verbraucher dem Netz entzogene Leistung hängt auch vom In-
nenwiderstand der Quelle10 ab.

Ist die vom Verbraucher aufgenommene Wirkleistung maximal, so spricht


man von Anpassung des Verbrauchers an die Quelle.

Abbildung 5.15 zeigt die Aufgabenstellungen: Für eine Spannungsquelle mit der

Abb. 5.15 Anpassung bei Spannungsquellen (links) und bei Stromquellen (rechts): Die hier ge-
zeigten Ersatzschaltbilder führen zusammen mit der Forderung einer maximalen Wirkleistung im
Verbraucher auf die Gleichungen (5.30) und (5.31)

inneren Serienimpedanz Z S wird derjenige Verbraucher gesucht, für den die Wirk-
leistung maximal ist. Das Ergebnis ist

ZV = Z ∗S (Spannungsquelle). (5.30)

Für eine Stromquelle mit der Paralleladmitanz Y P ist das Ergebnis

Y V = Y ∗S (Stromquelle). (5.31)

e f f = 230 V-Netz ist dies kaum festzustellen, denn der Innenwiderstand ist klein im Ver-
10 Im U

gleich zu den Impedanzen der Verbraucher.


5.2 Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze 149

Das konjugiert Komplexe in Gl. (5.31) kommt nicht von ungefähr. Der Vergleich mit
Abb. 5.14 zeigt: Die Anpassungsbedingung entspricht der Parallelschaltung eines
Kondensators mit einer Spule gleich großer Impedanz. Entsprechendes gilt für Gl.
(5.30): Hier bilden XS und XV einen Serienschwingkreis (s.u.). In beiden Fällen
neutralisieren sich die Blindströme von Innenimpedanz und Verbraucherimpedanz.

5.2.4 Übertrager

Wechselstrom hat in den letzten 120 Jahren die Stromversorgung und die Leistungs-
elektronik dominiert. Das liegt an seiner relativ einfachen Transformierbarkeit. Das
Prinzip des Transformators ist in Abb. 5.16 abgebildet. Kern des Transformators ist

Abb. 5.16 Das Prinzip des


Transformators und sein
Schaltsymbol: Durch den
harmonisch oszillierenden
Strom entsteht im (grau ge-
zeichneten) Eisenkern ein
oszillierendes Magnetfeld.
Dessen Änderungen induzie-
ren auf der Sekundärseite eine
Spannung US

im wahrsten Sinne des Wortes ein Eisenring. Wegen der sehr großen magnetischen
Suszeptibilität des Eisens (bzw. seines großen μR ) sind die Magnetfelder außerhalb
dieses Kerns praktisch zu vernachlässigen. Jede um den Eisenring gelegte Leiter-
schleife umschließt daher fast den gleichen magnetischen Fluss ΦM .
Betrachten wir zunächst den bestmöglichen Fall:11 keine Ohmschen Verluste in
der Spule, keine Verluste im Eisen, keinerlei Streufelde. Ferner soll angenommen
werden, dass jede Windung in gleicher Weise zum Magnetfeld und damit zum ma-
gnetischen Fluss beiträgt: ΦM (eine Windung) = Λ · I. Eine Verkettung von N Win-
dungen hat dann die Induktivität 12

L = N 2Λ . (5.32)

Für die in Abb. 5.16 gezeigte Anordnung ist der gesamte magnetische Fluss die
Summe aus dem magnetischen Fluss der Primärspule ΦP und dem der Sekundärspu-
le, ΦS :
ΦM = ΦP + ΦS = NPΛ IP + NS Λ IS . (5.33)

11 An dieser Stelle soll nicht von Idealfall gesprochen werden, denn unter einer idealen Spule wird

eine Spule mit μr → ∞ verstanden.


12 Der Faktor Λ wird auch als magnetischer Leitwert bezeichnet (siehe zum Beispiel [4]). Nach

Gl. 1.46 ist er für eine lange Spule Λ = μ0 A/l.


150 5 Wechselstromnetze

Wenn sich der magnetische Fluss ändert, so wird nach dem Induktionsgesetz je-
der Windung eine Spannung Uind = ±dΦ/dt induziert. Das Pluszeichen betrifft die
Primärseite (UP ist parallel zu IP ). Auf der Sekundärseite wird die Spule als Genera-
tor (US ist antiparallel zu IS ) betrachtet. Für die NP Windungen auf der Primärseite
und die NS Windungen auf der Sekundärseite gilt daher

dIP dIS
UP = NP · Λ · NP − NS
dt dt

dIP dIS
US = NS · Λ · NP − NS . (5.34)
dt dt

Das Gleichungssystem (5.34) wird als Transformatorgleichungen bezeichnet. Divi-


diert man beide Gleichungen durcheinander, so bekommt man das zu jedem Zeit-
punkt gültige Übertragungsverhältnis der Spannungen
NS
US (t) = UP (t) · . (5.35)
NP

Den in beiden Gleichungen auftauchenden Term NP NS Λ = LP LS nennt man auch
Koppelinduktivität, M. Die Transformatorgleichungen nehmen dann die folgende
Form an:
dIP dIS
UP = LP −M
dt dt
dIP dIS
US = M − LS . (5.36)
dt dt
Die komplexe Wechselstromtechnik erlaubt es, Ableitungen durch Faktoren zu er-
setzen (siehe Anhang). Die Transformatorgleichungen werden dadurch einfacher:

uP = LP jω · iP − M jω · iS
uS = M jω · iP − LS jω · iS . (5.37)

Diese Gleichungen können auch von einer ganz anderen, nämlich der in Abb. 5.17
gezeigten, erfüllt werden.

Abb. 5.17 Der verlustlose Transformator und sein Ersatzschaltbild: Dieser Transformator verhält
sich (bis auf die Potenzialtrennung) im Wechselstromkreis nach Gl. (5.37) wie die rechts gezeich-
nete Schaltung
5.2 Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze 151

Beim verlustlosen Transformator ist die primärseitig aufgenommene Wirk-


leistung (PP > 0) gleich der sekundärseitig gelieferten (PS < 0). Für die
Schein- und Blindleistung gilt dagegen nichts Vergleichbares.

Mit Hilfe von Gl. (5.26) erhält man

PP = −PS → ℜ(U P · I ∗P ) = +ℜ(U S · I ∗S ) . (5.38)

Da die beiden Spannungen immer phasengleich sind (φU,P = φU;S ), folgt hieraus:

ÛP IˆP cos(φU,P − φI,P ) = ÛS IˆS cos(φU,P − φI,S )


IˆS Ie f f ,S ÛP cos(φU,P − φI,P ) NP cos(φU,P − φI,P )
→ = = = (5.39)
IˆP Ie f f ,P ÛS cos(φU,P − φI,S ) NS cos(φU,P − φI,S )

Vorsicht Falle! Ein viel einfacheres Verhältnis der Ströme (IP · NP = IS · NS ) gilt
nur, wenn die Blindströme außer Acht gelassen werden. Beispiel: Ein Transforma-
tor im Leerlauf (IS = 0) ist primärseitig nicht stromlos. Vielmehr fließt ein um 90◦
Phasen-verschobener Strom der Amplitude IˆP (Leerlauf) = ÛP /(ωLP ). Die Herlei-
tung ist in Aufgabe 5.26 zu finden. Nur wenn μFe → ∞ angenommen wird gilt das
einfache Verhältnis. In vielen Lehrbüchern wird dieser Fall als idealer Transforma-
tor bezeichnet. Beim idealen Transformator fließen keine Blindströme.
Ist der verlustlose Transformator nur von einer Impedanz Z S = uS /iS belastet,
so lässt sich aus den Transformatorgleichungen (5.37) die Sekundärseite komplett
herauskürzen, und man erhält
iP 1 LS 1
= + · . (5.40)
uP jωLP LP Z S

Der belastete verlustlose Transformator verhält sich also wie die Parallelschaltung
seiner Primärspule und einer um das Spulenverhältnis LLPS vergrößerten Lastimpe-
danz Z S .
Reale Transformatoren haben dagegen Ohmsche Verluste in den Spulenwindun-
gen, Verluste im Eisen und magnetische Flussanteile, die nicht durch beide Spu-
len gehen (Streufelder), so dass Gl. (5.38) dort nicht mehr gilt. Zur Beschreibung
solcher Effekte (Entwurfsanleitungen siehe zum Beispiel in [1]) muss das in Abb.
5.17 gezeigte Schaltbild modifiziert werden. Ein populäres Ersatzschaltbild, aller-
dings ohne Berücksichtigung der Verluste durch Streufelder, zeigt Abb. 5.18. Die
beiden Widerstände RP und RS sind die Ohmschen Widerstände der Zuleitungen.
Sie machen, außer im Kurzschlussbetrieb, meist keinen großen Effekt, so dass im
wesentlichen LP , LS und RFe das Verhalten des realen Transformators bestimmen.
152 5 Wechselstromnetze

Abb. 5.18 Modell eines


realen Transformators. Es
beinhaltet die Leitungswi-
derstände RP und RS und
Eisenverluste RFe . Streufel-
der sind in diesem Bild nicht
berücksichtigt

Leerlaufversuch
Wird der Transformator im Leerlauf betrieben (IS = 0), ergibt die Wirkleistungs-
messung auf der Primärseite die Eisenverluste

Ue2f f ,P
PLeerlau f = Ue f f ,P · Ie f f ,P cos(φU,P − φI,P ) ≈ (5.41)
RFe
und die Blindleistungsmessung die Induktivität der Primärspule:
 Ue2f f ,P
QLeerlau f = Ue f f ,P · Ie f f ,P − PLeerlau
2 ≈ . (5.42)
f ωLP
Das Verhältnis von Ein- und Ausgangsspannung
 im Leerlauf gibt darüber hinaus
das Verhältnis der Windungen NP /NS = LP /LS :

ÛP2 2 NP2 LP
2
sin (φU,P − φI,P ) = 2
≈ . (5.43)
ÛS NS LS

Kurzschlussversuch
Beim Kurzschlussversuch werden die Anschlüsse der Sekundärseite miteinander
verbunden. Vernünftigerweise wird der Kurzschlussversuch bei deutlich geringeren
Eingangsspannungen als der späteren Betriebsspannung durchgeführt. Die Ohm-
schen Widerstände der Leitungen sorgen in diesem Falle für einen nicht über alle
Grenzen wachsenden Stromfluss, und der parallel zu RS befindliche Eisenwider-
stand spielt kaum noch eine Rolle. Der kurzgeschlossene Transformator verhält
sich so wie ein verlustloser Transformator, dem ein Lastwiderstand RS nach- und
ein Vorwiderstand RP vorgeschaltet ist. Mit Gl. (5.40) erhält man so

LP
PKurzschluss ≈ Ie2f f ,P · cos2 (φU − φI ) · RP + RS , (5.44)
LS
5.2 Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze 153

wobei cos2 (φU − φI ) ≈ 1 sein muss.13 Für das Verhältnis der Kurzschlussströme gilt
dann 
IKurzschluss,S LP
≈ . (5.45)
IKurzschluss,P LS
Auf diese Weise können durch Leerlauf- und Kurzschlussmessungen die Merkmale
des Transformators bestimmt werden (Anwendung siehe Aufgabe 5.27).

5.2.5 Drei-Phasen-Wechselstrom

Der dreiphasige Wechselstrom, auch Drehstrom genannt, erlaubt es, bei gleicher
Belastung der Leitungen größere Leistungen zu transportieren als es beim einpha-
sige Wechselstrom möglich ist. Er spielt daher in der Energieversorgung und in der
Automatisierungstechnik eine wichtige Rolle.
Abbildung 5.19 zeigt ein System, wie es bei der Versorgung von Haushalten

Abb. 5.19 Typisches Drei-Phasen-Wehselstrom System mit jeweils im Δ φU = 120o versetzten


Spannungen. Jede Phase hat gegenüber dem Nulleiter die Spannung Ue f f = 230 V und gegenüber
dem Nachbarn Ue f f = 400 V

anzutreffen ist. Die energiespendenden Leitungen werden in der Drehstromtech-


nik auch kurz als verschiedene Phasen bezeichnet, da sich die in ihnen fließenden
Ströme nur durch die Phasenwinkel unterscheiden. Eine Verbindung, in der ein Ver-
braucher angeschlossen ist, wird Strang genannt.
Dass mehrere stromführende Leitungen das Haus erreichen, ist für die einzelnen
Zimmer nicht sichtbar. Denn, wie Abb. 5.20 zeigt, wird pro Raum nur eine Phase
13 Wenn nicht einmal im Kurzschlussfall die Blindströme viel kleiner sind als die Wirkströme,

dann liegt entweder ein Produktionsfehler oder ein Messfehler vor.


154 5 Wechselstromnetze

Abb. 5.20 Prinzipskizze ei-


ner Haus-Energieversorgung:
Dass in der Regel drei Pha-
sen der Versorgung dienen,
fällt meist nicht auf, da pro
Zimmer nur eine Phase ange-
schlossen ist

und der Nullleiter angeschlossen. Der Sinn dieses Systems wird in dem Extremfall
deutlich, in dem zwischen jeder Phase und dem Nullleiter die gleiche Impedanz
Z S angeschlossen wird. Berechnet man für diesen, in Abb. 5.21 gezeigten Fall den

Abb. 5.21 Sternschaltung:


Jede der drei Versorgungslei-
tungen ist über eine Last Z L
mit dem Nullleiter verbunden.
Es gibt aber keine direkten
Verbindungen zwischen den
Phasen. Sind, wie hier ge-
zeigt, die Impedanzen gleich,
führt der Nulleiter keinen
Strom

Strom durch den Nulleiter, so ergibt sich14


1 0 0 0

I= · Û e j0 + e j120 + e j240 = ... = 0. (5.46)
ZS

In einem symmetrisch belasteten Drehstromnetz übernehmen die Versor-


gungsleitungen die Rückleitung des Stromes gleich mit.

Werden die Phasen nicht mit dem Nullleiter, sondern untereinander verbunden,
so ergibt sich, wie Abb. 5.22 zeigt, die Anordnung in Form eines Dreiecks. Bei
dieser Anordnung ist der Nullleiter überhaupt nicht mehr angeschlossen. Der Clou
ist aber nicht nur, dass völlig auf einen Nulleiter verzichtet werden kann, sondern
auch, dass die Phasendifferenz von 120◦ zu einer erhöhten zur Verfügung stehenden
Spannung führt. Und das kommt so heraus: Die zwischen den ersten beiden Phasen
liegende Spannung ist

14 Genau aus diesem Grunde werden im Haushalt verschiedene Verbraucher an verschiedene Pha-

sen gelegt. Eine kluge Verkabelung wird Verbraucher, die gleichzeitig aktiv sind, an verschiedene
Phasen anschließen.
5.2 Theoretische Grundlagen der Wechselstromnetze 155

Abb. 5.22 Symmetrische


Dreieckschaltung im Dreh-
stromkreis


U 2 −U 1 = Û e j2π/3 − 1 . (5.47)

Dabei ist Û = 2 · 230 V = 325 V die allen drei Phasen gemeinsame
√ Amplitude.
Der Ausdruck e j2π/3 − 1 ist eine komplexe Zahl mit dem √
Betrag 3. Daher ist die
effektive Spannung zwischen den Phasen (U2 −U1 )e f f = 3 · 230 V = 400 V.
Abbildung 5.23 zeigt die Verhältnisse am Beispiel der beiden Phasen u1 =

Abb. 5.23 Spannungsverläufe


in einem Drei-Phasen-
Wechselstrom-Netz: Die
Spannungsdifferenz zwischen
zwei um 120o verschobenen

Phasen ist um 3 erhöht
und um Δ φ = 30o neben
der einen Phase. Hier ist die
Amplitude
√ der Einzelphasen
Û = 2 · 230V = 325V

Û sin(ωt) und u2 = Û sin(ωt + 120o ). Für alle drei Möglichkeiten der Differenz-
bildung erhält man15

U 2 −U 1 = Û(e j120 − e◦ ) =
o 0
3 · Ûe j150
o o √ 0
U 3 −U 2 = Û(e j240 − e j120 ) = 3 · Ûe j270

U 1 −U 3 = Û(e◦ − e j240 ) = 3 · Ûe j30 .
o 0
(5.48)

Durch eine Impedanz mit dem Leitwert Y D = |Y D |e jφY fließt daher in ihrem Strang
ein Strom mit der Amplitude
√ ◦ +φ )
I D = Y D · (U 2 −U 1 ) = 3 · Û|Y D | · e j(150 Y , (5.49)
wenn sie zwischen die ersten beiden Phasen geschlossen wird. Der Vergleich mit
der Sternschaltung ergibt:

15 Vorsicht, Fehler durch Taschenrechner! Wegen der Mehrdeutigkeit der Arkustangens-Funktion


erhält man leicht andere, falsche Ergebnisse.
156 5 Wechselstromnetze


Bei gleichen√Widerständen gibt die Dreieckschaltung eine 3−Fache Span-
nung, einen 3−Fachen Strangstrom und so eine verdreifachte Leistung ver-
glichen mit der Sternschaltung.

Für den Strom i1 in der ersten Zuleitung ergibt sich bei symmetrischer Last eine
Amplitude
I 1 = I(U 1 −U 3 ) − I(U 2 −U 1 ) = 3 · |Y D |Û · e jφY . (5.50)
Die Stromamplitude
√ in einer Zuleitung hat also bei symmetrischer Belastung einen
um den Faktor 3 größeren Betrag in einem Strang des Dreiecks.
Interessant ist der Vergleich der Schaltungen bei gleicher Leistung: Wird eine
Sternschaltung mit dem Widerstand RS durch eine Dreieckschaltung√ mit dem
√ Wider-
stand RD = 3 · RS ersetzt, wird der Strangstrom um den Faktor 3/3 = 1/ 3 verrin-
gert. Damit kompensiert ein geringerer Strom eine um den gleichen Faktor erhöhte
Spannung und die Leistung bleibt die gleiche. Nach außen hin ist die Veränderung √
ebenfalls nicht sichtbar, denn der Strom in den Leitungen ist um den Faktor 3
größer als der (verkleinerte) Strangstrom.
Unabhängig von der gewählten Schaltungsstruktur
√ wird, wenn√jede Versorgungs-
leitung bei einer Spannung Ue f f = Û/ 2 einen Strom Ie f f = I/ˆ 2 führt, bei sym-
metrischer Last eine Gesamtleistung von
3
P = ℜ(UI ∗ ) = 3 ·Ue f f Ie f f cos(φU − φI ) (5.51)
2
übertragen, ohne dass dafür eine Rückleitung nötig wäre.

5.3 Antworten zu Kapitel 5

5.1 Option b) ist richtig. Mit der Blindleistungskompensation werden die Blindleis-
tungsanteile (möglichst vollständig) auf Null gebracht. Dadurch verringert sich der
Strom in den Zuleitungen.
5.2 Die Spannung variiert zwischen +220 V und −220 V. Daher ist der Schei-
telwert der Spannung Û = 220 V. Die √ Spitze-Spitze-Spannung ist das Doppelte:
USS = 440 V. Der Scheitelwert ist das 2-Fache des Effektivwertes: Ue f f ≈ 156 V.
Mit diesem Wert liegt die Spannung außerhalb der europäischen Norm von Ue f f =
230 ± 10 V.
Eine volle Periode dauert τ = 5 ns. Die Frequenz ist der Kehrwert: f = 200 MHz.
Die Kreisfrequenz ist ω = 2π f = 1, 26 Gs−1 . Da die Sinusschwingung um Δt =
1, 6 ns nach rechts verschoben ist16 , kann der Spannungsverlauf als
16 An dieser Stelle werden gerne Vorzeichenfehler gemacht. Tipp: Man frage sich als erstes ab wo

die Kurve genau so aussieht wie ein Lehrbuch-Sinus. Antwort: bei tLehrbuch = 1, 6 ns. Dann frage
man sich: bei welchem Argument geht der Lehrbuch-Sinus los? Antwort: bei sin(0) = 0. Dann
5.3 Antworten zu Kapitel 5 157

u(t) = Û sin(ω · [t − Δt]) = 220 V sin(1, 26 · 109 s−1 · [t − 1, 6 ns]) (5.52)

geschrieben werden. Vergleicht man diesen Ausdruck mit

u(t) = Û sin(ω · t + φU ), (5.53)

dann erhält man

φU = −ω · Δt = −2, 01rad = −0, 64π ≈ −115◦ . (5.54)

5.3 Abbildung 5.24 zeigt die Addition der Ströme. Das gezeigte Bild entspricht der

Abb. 5.24 zur Aufgabe 5.3:


Additon von Strömen einer
R, L,C-Parallelschaltung in
einem Zeigerdiagramm

Gleichung 
1 1
I= + + jωC U (5.55)
R jωL
mit φU = 0. Hieraus ergeben sich auch die Vorzeichen der Imaginärteile, denn
1/( jωL) < 0.
5.4 Die Nulldurchgänge sind dort, wo das Argument der Sinus-Funktion die Werte
0, π, /; 2π, ... hat. Der erste Nulldurchgang ist also bei
 

50 2
2π · Hz · t − π = 0. (5.56)
3 3

Nach der Zeit aufgelöst gibt dies eine Verspätung von t = 0, 02 s.


5.5 Mit den 230 V ist der Effektivwert der √Spannung gemeint. Daher beträgt die
Spannungsamplitude (siehe Abb. 5.11) Û = 2 · 230 V = 325 V. An dem Konden-
sator treten also Spannungen von −325 V bis +325 V auf. Ein unipolarer Typ wie
zum Beispiel ein Elektrolyt-Kondensator ist hierfür ungeeignet.
5.6 Blindleistung hat weder etwas mit Sozialleistungen noch mit Solarstrom zu tun.
Vielmehr führt sie zu einer Erhöhung der Zuleitungsströme bei unveränderter Wirk-

stelle man folgende Überlegung an: Wie muss ich das Argument der dargestellten Sinus-Funktion
verändern, damit sin(ω · [t − tlehrbuch ]) = 0. Dies führt zur Gl. (5.52).
158 5 Wechselstromnetze

leistung. Das heißt: Sie führt zu Strömen, die nichts bewirken, den so genannten
Blindströmen. Die Stromamplitude steigt durch den Blindstrom, die Spannungsam-
plitude nicht. Daher ist auch Antwort c) falsch. Im Rahmen der komplexen Wechsel-
stromlehre ist die Blindleistung immer imaginär, entweder ∼ + j oder ∼ − j. Also
ist Antwort d) ebenfalls falsch.
Blindleistungen werden von Spulen und Kondensatoren verursacht. Beide haben
frequenzabhängige Impedanzen. Daher ist auch die Blindleistung immer von der
Frequenz abhängig.

5.7 Korrekterweise müsste an Stelle von 4, 44 immer 2 · π = 4, 4428829381583...
stehen. Aber drei Vieren lassen sich besser merken.
5.8 Unter einem idealen Transformator versteht man einen, der keine Verlustleis-
tung produziert und dessen Kernmaterial μR → ∞ hat. Daurch streben auch die In-
duktivitäten und mit ihnen die Blindwiderstände gegen unendlich große Werte.
Daher gilt: a) Er erzeugt in der Tat keine Wärme. b) Für das Eisen wird nicht
μFe = 0, sondern μFe → ∞ angenommen. c) (Nur) für den idealen Transformator
gilt, da keine Blindströme zum Aufbau des Magnetfeldes nötig sind, für die Leis-
tung zu einem beliebigen Zeitpunkt pP (t) = −pS (t). Daraus folgt mit u p (t)/uS (t) =
NP /NS (siehe Herleitung der Gl. (5.35))

iP (t) uS (t) NS
= = (nur idealer Transformator). (5.57)
iS (t) uP (t) NS

d) ist falsch: Der ideale Transformator nimmt keine Blindleistung auf. e) ist auch
falsch: Der Phasenwinkel auf der Sekundärseite wird nur vom angeschlossenen Ver-
braucher bestimmt.
5.9 Die größten Verluste treten durch die ständige Ummagnetisierung des Eisens
auf. Dieser Effekt hat einen Ohmschen Anteil, der zur Erwärmung des Transforma-
tors und zu einer zusätzlich von der Primärseite zu liefernden Wirkleistung führt.
Einen geringeren Einfluss haben in der Regel die Ohmschen Widerstände der Spu-
lenwicklungen. Diese beiden Effekte sind in Abb. 5.18 dargestellt. Wenn nicht der
gesamte magnetische Fluss durch beide Spulen geht, wenn es also Streufelder gibt,
dann kommt es zu einer Reduktion des Übersetzungsverhältnisses. Da das B-Feld
außerhalb des Eisenkerns um den Faktor μFe kleiner ist als innerhalb des Kerns,
liegen die hieraus resultierenden Effekte typischerweise deutlich unter 1 %.
5.10 Jeder Transformator hat eine Spannungsübersetzung US /UP = NS /NP = 0, 1.
Drei Transformatoren hintereinander ergeben also einen Faktor 10−3 (aus 100 V
werden erst 10 V, dann 1 V und schließlich 0, 1 V).
Rein rechnerisch müsste also genau eine Windung auf die Sekundärseite des Ein-
zeltransformators gelegt werden. Im praktischen Alltag wird man daher die Anzahl
der Primärwindungen erhöhen.
5.11 Unter der Strangspannung versteht man die am Verbraucher liegende Span-
nung in einem Drehstromsystem. Im Haushalt sind dies entweder Ue f f = 230 V oder
bei einer Drehstrom-Dreieckschaltung Ue f f ,Dreieck = 400 V.
5.3 Antworten zu Kapitel 5 159

5.12 Erster Beweis: Wir zerlegen die komplexen Größen in Real- und Imaginärteil:
A = a + jα und B = b + jβ . Dann wird
2  
A 2
= a + jα · a − jα = a + α = |A| .
2 2
B (5.58)
b + jβ b − jβ b2 + β 2 |B|2

Gleichung (5.59) ist für die Berechnung von Beträgen rationaler Ausdrücke von
praktischer Bedeutung, denn der vorletzte Bruch kann wie folgt gelesen werden:
Der Zähler ist das Quadrat seines Realteils plus das Quadrat seines Imaginärteils.
Für den Nenner gilt Entsprechendes. Weitere Terme tauchen nicht auf.
Alternativ kann auch die Länge- und Phasendarstellung A = Âe jφA verwandt wer-
den: 2  jφ  − jφ
A Â2 ◦ |A|2
= Âe Âe A
A

B · = ·e = . (5.59)
B̂e jφB B̂e− jφB B̂2 |B|2
5.13 Die in Aufgabe 5.2, Gl. (5.53), vorkommenden Werte sind bekannt. Daher
kann diese Gleichung, wie im Anhang beschrieben, als Imaginärteil einer komple-
xen Spannung interpretiert werden:

u(t) = Ue jωt = Ûe jφU e jωt . (5.60)

Alle in Gl. (5.60) auftauchenden Größen sind nach Aufgabe 5.2 bekannt:
−1 t
u(t) = 220Ve− j·0,64π e j·1,26Gs . (5.61)

5.14 Wenn der Strom um einen Winkel φI = π/2 verschoben ist, so müssen es,
wie Abb. 5.25 zeigt, auch alle davon abhängigen Spannungen sein. Im Zeigerdia-

Abb. 5.25 zur Aufgabe 5.14:


Spannungsaddition für ei-
ne R, L,C-Kette bei einem
um den Winkel φI = π/2
verschobenen Strom

gramm sind daher alle Vektoren um einen rechten Winkel gedreht. Das Diagramm
entspricht der Gleichung
U = U R +U L +U C . (5.62)
5.15 Lösungsansatz: Wenn in beiden Fällen die Ströme den gleichen Betrag haben
sollen, dann muss auch der Betrag der Gesamtimpedanz von der Schalterstellung
160 5 Wechselstromnetze

unabhängig sein: |Z o f f en | = |Z geschlossen |.


Lösung: Es ist Z o f f en = Ri + jωL und Z geschlossen = Ri + R  jωL. Daher muss
gelten:

jωL · R 2 jωL(Ri + R) + RRi 2
R2i + ω 2 L2 = Ri + = . (5.63)
jωL + R jωL + R
Ausmultiplizieren und Kürzen von Gl. (5.63) ergibt

2Ri R
L= = 3, 18 μH . (5.64)
ω
5.16 Lösungsansatz: Wenn zwischen Strom und Spannung eine 90◦ -Phasenverschiebung
liegen soll, dann muss der Realteil des Verhältnisses U/I 2 gleich Null sein (vergl.
ideale Spule, idealer Kondensator).
Lösung: Stromerhaltung liefert den Gesamtstrom I zwischen den Klemmen I =
I 2 + I 3 . Fassen wir die Impedanzen der realen Spulen als Z 1,2 = R1,2 + jX1,2 zusam-
men, dann lauten die Spannungsgleichungen U = Z 1 I + Z 2 I 2 und Z 2 I 2 = R3 I 3 . Um
U/I 2 zu erhalten, müssen nun die beiden anderen Ströme eliminiert werden. Das
Ergebnis lautet:
U (Z + Z 2 ) · R3 + Z 1 · Z 2
= 1 . (5.65)
I2 R3
Die Forderung eines verschwindenden Realteiles lässt sich dann als

U X1 X2 − R1 R2
ℜ = 0 → R3 = (5.66)
I2 R1 + R2

schreiben. Diese Gleichung ergibt einen positiven Widerstand (ist also nur dann
sinnvoll), wenn
X1 X2 > R1 R2 , (5.67)
mit anderen Worten wenn beide Spulen eine hinreichende Güte haben.
5.17 Die Schaltung ist in Abb. 5.26 gezeigt. Der Leuchtkörper entspricht einem

Abb. 5.26 zur Aufgabe 5.17:


Kompensation des Blind-
stroms einer Drosselspule
durch einen Kondensator.
Die Leuchtstofflampe (rechts)
wird wie ein Ohmscher Wi-
derstand (R) behandelt

Ohmschen Widerstand von

R = Ue2f f /P ≈ 1, 39 kΩ . (5.68)
5.3 Antworten zu Kapitel 5 161

So fließt ein Strom der Stärke Ie f f = 165 mA. Zur Bestimmung der Induktivität der
Drosselspule wird die komplexe Spannungsteiler-Formel17 verwendet:
 2 
UR R2 R UQ 2
= 2 → L = − 1 ≈ 4, 2 H (5.69)
UQ R + (ωL)2 2π f UR

Die Blindleistung ist dann nach Gl. (5.24) Q = Ie2f f · 2π f L ≈ 35, 8 VAR, hat also
einen etwa dreimal so großen Wert wie die√Wirkleistung. Die Spule erhöht also
die Stromamplitude in den Zuleitungen um 3 − 1 = 73%, und deren Wärmever-
luste verdreifachen sich. Blindleistungskompensation ist also zwingend und kann
mit ℑ(Z gesamt ) = 0 oder nach Gl. (5.10) auch ℑ(Y gesamt ) = 0 berechnet werden. Da
insgesamt eine Parallelschaltung vorliegt, bietet sich die zweite Form an:18

1 L
ℑ jωC + =0 → C= 2 2 ≈ 1, 14 μF . (5.70)
R + jωL ω L + R2

Er muss eine maximale Spannung von Û = 2 · 230 V = 325 V aushalten.
Insgesamt lässt sich feststellen: Die Größe der Spule passt nicht zur Randbedin-
gung einer kompakten Bauweise. Daher ist es besser, ein elektronisches Vorschalt-
gerät zu benutzen. Je kleiner die Leistung der Leuchte, um so größer muss nach Gl.
(5.69) die Spule sein und um so mehr drängt sich ein elektronischer Transforma-
tor auf. Andererseits: Steigt die Leistung der Leuchte oder werden mehrere parallel
geschaltet, dann kann die Spule entsprechend kleiner gewählt werden.
5.18 Wir können den Phasenwinkel der ersten Spannung φ (U 1 ) = 0 wählen. Dann
sind

U 1 = Û1 ,
U 2 = Û2 e j2π/3 (5.71)

und die Differenz wird



1 3
U 1 −U 2 = Û(1 − e ) = Û(1 + − j
j2π/3
)
2 4

→ |U 1 −U 2 | = Û 3 . (5.72)
√ √
In Zahlen ergibt sich für die Amplitude der Differenz Ûgemessen = Û 3 = Ue f f 6.
Eine Spitze-Spitze-Messung √ ergibt das Doppelte der Amplitude, also ist USS = 2Û.
Insgesamt erhält man USS = 24 · 230 V ≈ 1, 13 kV.

17 Beim Spannungsteiler ist es unerheblich, ob Amplituden oder Effektivwerte benutzt werden.


Das Ergebnis ist immer gleich.
18 Zur Feststellung eines verschwindenden Imaginärteils bringt man am besten zunächst den Ge-

samtausdruck auf einen gemeinsamen Nenner. Wenn dieser Ausdruck mit dem konjugiert Kom-
plexen des Nenners multipliziert wird, dann wird der Nenner reell. Der Zähler kann nun in Terme
mit j und solche ohne j sortiert werden. Die Summe der Terme mit j muss Null sein.
162 5 Wechselstromnetze

Genau aus diesem Grund soll in einer Wohnung nicht ein Verlängerungskabel bis
ins Nebenzimmer geführt werden, wenn die beiden Zimmer an verschiedene Phasen
der Versorgung angeschlossen sind.
5.19 Für den Einzelstab gilt

Ue2f f 230V 2
R1 = = = 26, 45 Ω , (5.73)
P 2000W
und es fließt ein Strom von I1 = 8, 7 A.
Beim Drei-Phasen-Wechselstrom muss jeder der drei Heizstäbe nur ein Drittel
der Heizleistung übernehmen. Daher ist jeder der drei Widerstände dreimal so groß
zu wählen: RStern = 3R1 , und durch jede Leitung fließt nur noch ein Drittel des
Stromes
1
IStern = I1 = 2, 9 A . (5.74)
3
Eine Dreieckschaltung mit RDreieck = 3RStern = 9R1 hat die gleiche Heizleistung bei
gleichem Strom in den Außenleitern.
Die Verluste in den Zuleitungen sind

P1 = 2 × I12 · R1 = 70 W
PStern = 3 × IStern
2
· RStern = 11 W . (5.75)

5.20 Die Aussage In der Dreieckschaltung wird bei gleicher Spannung die dreifache
Leistung übertragen betrifft den Fall, dass drei gleiche Impedanzen, die als Stern
geschaltet eine bestimmte Leistung PStern verbrauchen, als Dreieck geschaltet die
dreifache Leistung
√ PDreieck = 3PStern verbrauchen. Denn in der Dreieckschaltung

sind sie einer 3-mal so großen Spannung ausgesetzt, was automatisch zu 3-mal
so großen Strömen führt. Nur Antwort b) ist daher richtig.
5.21 Wenn in der Energietechnik von der Nennspannung die Rede ist, ist immer
der Effektivwert der Spannung zwischen den Leitungen
√ gemeint: UNenn = 230 kV.
Diese ist, wie in Abb. 5.23 gezeigt, einen Faktor 3 größer als die Effektivwerte
der Spannungen in den Einzelleitungen relativ zu einem (gedachten) Nullpotenzial.
Die Amplitude der Spannung in einem einzelnen Kabel ist daher

2
Umax (Leitung) = Û = UNenn · = 188 kV. (5.76)
3
Dies ist die maximale Spannung relativ zur Erde bzw. zum Mast. Zur Bestimmung
des Stromes stellen wir uns drei sternförmig angeordnete Widerstände vor. In dieser
Anordnung sind die Ströme durch die Widerstände genau so groß wie die in den
Leitungen. Daher ist

PGesamt = 3 ·Ue f f (Leitung) · Ie f f (Leitung) = 3 ·UNenn · Ie f f (Leitung) . (5.77)

Der Effektivwert des Stromes für jede einzelne Leitung ist dann
5.3 Antworten zu Kapitel 5 163

PGesamt
Ie f f (Leitung) = √ = 251 A . (5.78)
3 ·UNenn
Bei einer Dreiecksbeschaltung käme das gleiche Ergebnis heraus: Ein√
relativ zur
Sternschaltung verdreifachter Widerstand hätte einen um den Faktor 1/ 3 verrin-
gerten Strangstrom und damit sowohl den gleichen Versorgungsleiterstrom als auch
die gleiche Leistung zur Folge.
5.22 Die Situation ist in Abb. 5.20 dargestellt. Die Amplitude des Gesamtstromes
ist die Summe

U1 U2 U3 1 1 jω120o 1 jω240o
I= + + = Û · + e + e . (5.79)
R1 R2 R3 R1 R2 R3

Die Amplitude des Stromes Iˆ = |I| folgt mit Hilfe von cos(1200 ) = cos(240◦ ) =
−0, 5. aus

1 1 1 1 1 1
Iˆ2 = I ∗ I = Û 2 · + + − − − . (5.80)
R21 R22 R23 R1 R2 R2 R3 R3 R1

Dabei sind die drei Widerstände durch die jeweiligen Leistungen bestimmt: Ri =
Ue2f f /Pi . In Zahlen erhält man Iˆ = 181 mA, was einem Effektivwert von Ie f f =
128 mA entspricht. Der Effektivwert ist damit nur knapp halb so groß wie der der
60 W-Lampe allein: Ie f f (60 W) = 261 mA.
5.23 Grundsätzlich ist dieses ein unterbestimmtes Problem. Denn den zwei Bedin-
gungsgleichungen (gleicher Realteil und gleicher Imaginärteil der Impedanz) ste-
hen im Allgemeinen vier zu bestimmende Größen gegenüber: die beiden Realteile
und die beiden Imaginärteile. Wenn aber nur zwei Größen zu bestimmen sind, dann
können auch zwei willkürlich gleich Null gesetzt werden. So bleiben nur noch die
in Abb. 5.27 gezeigten Optionen. Interessant ist nur der Fall, in dem das Pendant

Abb. 5.27 zur Aufgabe 5.23: Ersatz der Parallelschaltung zweier beliebiger Impedanzen Z A und
Z B durch eine Reihenschaltung

zur Parallelschaltung beliebiger Impedanzen gesucht wird. Ist der Imaginärteil der
Parallelschaltung Z A  Z B negativ, findet die Kondensator-Option Anwendung, an-
derenfalls wird eine Spule gewählt:

Z A  Z B = (RA + jXA )  (RB + jXB ) = R + jX . (5.81)

Gleichung (5.81) gilt genau dann, wenn


164 5 Wechselstromnetze

(RA XB + RB XA )(RA + RB ) + (XA XB − RA RB )(XA + XB )


X= ,
(RA + RB )2 + (XA + XB )2
(RA RB − XA XB )(RA + RB ) + (RA XB + RB XA )(XA + XB )
R= . (5.82)
(RA + RB )2 + (XA + XB )2

Ob Spule oder Kondensator entscheidet das Vorzeichen von X:

X < 0 : X = − ωC
1

X > 0 : X = ωL . (5.83)

Gleichung (5.82) beinhaltet die Standardfälle.


5.24 Zur Erinnerung zunächst etwas über Kreise:

Kreis um den Ursprung → x2 + y2 = r2


Kreis um x0 verschoben → (x − x0 )2 + y2 = r2 (5.84)
Kreis um r verschoben → (x − r)2 + y2 = r2 .

Die letzte Form der Kreisgleichung passt zu Abb. 5.8:

(ℜ(Z) − ℜ0 )2 + (ℑ(Z))2 = ℜ20


(5.85)
→ ℜ(Z)2 + ℑ(Z)2 = 2ℜ0 ℜ(Z) .

Setzt man ℜ(Z) = R und ℑ(Z) = X, so gibt der Vergleich mit G = R/(R2 + X 2 ) aus
Gl. (5.10)
R2 + X 2 = 2R0 · R = R/G . (5.86)
Das heißt: Die dritte der Gleichungen (5.10) ist die Gleichung für einen Kreis mit
dem Radius R0 = 1/(2G).
5.25 Es gilt nach Gl. (5.19)
1
p(t) = ℑ(u) · ℑ(i) = ℜ(U · I ∗ ) − ℜ(U · I · e2 jωt ) . (5.87)
2
Mit u(t) = Ûe jφU e jωt und u(t) = R · i(t) folgt

Û 2 Û 2 2 j(ωt+φ )
U · I∗ = und U · Ie2 jωt = e . (5.88)
R R
Eingesetzt in Gl. (5.87) ergibt zusammen mit sin2 (x) = [1 − cos(2x)]/2

Û 2 2
p(t) = sin (ωt + φU ) . (5.89)
R
Dies bedeutet, dass bei einem Ohmschen Widerstand zu jedem beliebigen Zeit-
punkt p(t) = [u(t)]2 /R gilt. Da p(t) > 0 immer gilt, beinhaltet es außerdem, dass ein
Ohmscher Widerstand immer Energie aus dem Netzwerk herausholt und nie Energie
zurückgibt.
5.3 Antworten zu Kapitel 5 165

5.26 Beim verlustlosen Transformator sind die Eingangsspannung und die Aus-
gangsspannung immer phasengleich. Daher gilt mit uS = RiS

U P = ÛP → U S = ÛS → I S = IˆS . (5.90)

Verwendet man die in Abb. 5.28 links gezeigten Stromrichtungen, dann lassen sich

Abb. 5.28 zur Aufgabe 5.26: Der mit einem Ohmschen Widerstand belastete verlustlose Trans-
fomator verhält sich eingangsseitig wie die Parallelschaltung aus der Primärspule (LP ) und einem
um den Faktor LP /LS vergrößerten Widerstand

die Transformatorgleichungen als

ÛP = Λ NP2 jωI P − Λ NP NS jωI S


ÛS = Λ NP NS jωI P − Λ NS2 jωI S (5.91)

schreiben. Diese beiden Gleichungen müssen sowohl für den Realteil als auch für
den Imaginärteil gelten. Die beiden Gleichungen für den Imaginärteil sind identisch,
so dass das System (5.91)

ÛP = −Λ NP2 ω · ℑ(I P )


ÛS = −Λ NP NS ω · ℑ(I P )
0 = NP ℜ(I P ) − NS Iˆ2 (5.92)

ergibt. Dieses Gleichungssystem kann mit ÛS = RIˆS nach den Amplituden aufgelöst
werden:
NS
ÛS = ÛP ·
NP
NS
IˆS = ÛP ·
RNP
! "
NS 2 1 1
I P = ÛP · −j 2 . (5.93)
NP R NPΛ ω

Die Amplitude des Primärstromes ist also die Summe aus einem rein realen Teiles,
der einen um den Faktor LP /LS = NP2 /NS2 modifizierten Widerstand enthält, und
einem imaginären Teile, der die Impedanz der Primärspule enthält. Die in Abb. 5.28
links gezeigte Schaltung zieht also genau den gleichen Strom wie die dort rechts
gezeigte.
166 5 Wechselstromnetze

Von besonderem Interesse sind die Extremfälle R = 0 (Kurzschluss) und 1/R = 0


(Leerlauf). Im Leerlauf verhält sich die Schaltung so, als wenn es die Sekundärwin-
dungen des Transformators gar nicht gäbe: Der Transformator verhält sich wie
die primärseitige Spule allein. Im Falle des Kurzschlusses dagegen wächst der
Primärstrom, bis die Versorgungsspannung zusammenbricht. Anders ausgedrückt:
Der sekundärseitige Kurzschluss schlägt auf die Primärseite durch.
5.27 Lösungsstrategie: Der Maximalfall ist praktisch der Kurzschlussfall. Aus ihm
wird das Verhältnis der Induktivitäten bestimmt. Der Rest folgt aus den Leerlauf-
messungen.
Lösung: Mit Hilfe von Gl. (5.45) erhält man aus der Kurzschlussmessung
 2
LP Ie f f ,S
= = 81, 5 . (5.94)
LS Ie f f ,P

Aus den Leerlaufmessungen ergibt sich dessen Wirk- und die Blindleistung:

P = Ue f f · Ie f f · cos(φU − φI ) = 200 W
Q = Ue f f · Ie f f · sin(φU − φI ) = 162 VAR . (5.95)

Die Blindleistung verrät die Induktivität der Primärspule, die Wirkleistung den Ei-
senwiderstand:
Ue2f f
RFe = = 264 Ω
P
Ue2f f
LP = =1H. (5.96)
ωQ
Mit Hilfe der Kurzschlussmessung ergibt sich schließlich die Induktivität der Se-
kundärspule:
LS = LP /81 = 12, 8 mH (5.97)

5.28 Der zweite Term in p(t) = 12 ℜ(U · I ∗ ) − ℜ(U · I · e2 jωt ) ist im Mittel Null.
Bei einer zeitlichen Mittelung bleibt also nur der erste Term übrig. Er ist daher
definitionsgemäß die Wirkleistung.
Den Mittelwert des zweiten Terms können wir auch als
# $
1 1
ℜ(U · I · e2 jωt ) = Û · Iˆ cos(φU + φI + 2ωt) (5.98)
2 2

ˆ = Ue f f Ie f f .
schreiben. Das ist also ein oszillierender Term mit der Amplitude Û · I/2
Nach Gl. (5.25) ist die komplexe Scheinleistung S = Ue f f · Ie f f e U −φI ) . Sie hat
j(φ

also den gleichen Betrag |S| = Û · I/2,


ˆ wenn auch eine andere Phase.
Literaturverzeichnis 167

Literaturverzeichnis

1. Gert Hagmann: Grundlagen der Elektrotechnik, Aula-Verlag 2005, ISBN 978-3891046876


2. OSRAM AG: Kompakt-Leuchtstofflampen DULUX, Technische Fibel, Edition 04.2011a
(www)
3. Heinz-Josef Bauckholt: Grundlagen und Elemente der Elektrotechnik, Carl Hanser Verlag,
München 2004, ISBN 3-446-22708-3
4. Franz Moeller et. al.: Grundlagen der Elektrotechnik, Vieweg und Teubner Verlag, Wiesbaden
2008, ISBN 978-3-8351-0109-8
Kapitel 6
Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

Zusammenfassung Hier wird beschrieben, wie durch Schwingkreise Frequenzbe-


reiche ausgewählt oder abgeblockt werden, wie RC-Filter funktionieren und wie
dies durch Ortskurven und Bode-Diagramme darstellbar ist. Im Rahmen der Vier-
poltheorie1 werden Methoden gezeigt, die es erlauben, komplexere Filter zu kon-
struieren, Quellen und Verbraucher an Kabel anzupassen und so die elektrischen
Spezifikationen von LAN-Netzwerken und PCI-Expressbussen zu verstehen.

6.1 Fragen und Aufgaben zu Zwei- und Vierpolen

6.1.1 Einfache Fragen

6.1. Wann gilt der Satz Je kleiner der Widerstand, desto größer die Güte des
Schwingkreises?

6.2. Abbildung 6.1 zeigt die Raster-Elektronenmikroskop-Aufnahme eines so ge-

Abb. 6.1 zur Aufgabe 6.2:


Raster-Elektronenmikroskop-
Aufnahme einer Chip-
Kontaktierung. Man erkennt
den gekrümmten Bonddraht,
seinen durch Anschmelzen
entstandenen Fuß und (qua-
dratisch) die darunter liegende
Kontaktierungsfläche. (Pho-
to:SEM Lab [1])

1 Im Englischen wird von four terminal networks gesprochen. Der Begriff quadrupole wäre hier

fehl am Platze. Er bezieht sich auf magnetische Feldeigenschaften.

169
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-642-33495-5_6,
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
170 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

nannten Bonddrahtes. Bonddrähte dienen der Verbindung von integrierten Schal-


tungen nach außen. Sie werden zur Kontaktierung angeschmolzen und auf die bond
land genannte Fläche gedrückt. Die Krümmung des Bonddrahtes verleiht ihm, zu-
sammen mit den Zuleitungen, eine Induktivität von ca. L = 10 nH. Die quadratische
Fläche darunter ist durch eine Schicht Siliziumdioxyd vom Nullpotenzial (Masse)
getrennt und verhält sich etwa wie ein Kondensator mit C = 1 pF. Die Ohmschen
Widerstände belaufen sich insgesamt auf ca. R = 20 Ω. Bitte bestimmen Sie die Re-
sonanzfrequenz des Schwingkreises. Welche Spannungen muss das Dielektrikum
des bond land aushalten, wenn der Chip einem rechteckigen Eingangssignal mit der
Amplitude von Û = 2, 3 V und einer Frequenz von f = 1, 6 GHz ausgesetzt wird?

6.3. Beim Ausmessen eines Bandpasses werden folgende Spitze-Spitze-Werte no-


tiert:
f [MHz] 0, 8 1, 0 1, 2 1, 4 1, 6 1, 8 2, 0 2, 2
. (6.1)
U2,SS /U1,SS [dB] −12 −6 −4 −3 −4 −6 −15 −30
Bitte bestimmen Sie hieraus die Durchlassfrequenz f0 und die Bandbreite B.

6.4. Die Phase einer Übertragungsfunktion ist bei der Grenzfrequenz φ = ±45◦ .
Stimmt das immer oder nur manchmal oder gar nicht?

6.5. Ein Hochpass 6. Ordnung lässt bei f = 15 kHz nur Û2 /Û1 = 0, 1% der Span-
nung durch. Wie groß ist die Spannungsdämpfung bei 10 kHz in Dezibel?

6.6. Welche Matrix wird benötigt, um aus Strömen Spannungen zu berechnen?

6.7. Wie groß ist der bei der Berechnung der Übertragungsfunktion angenommene
Ausgangsstrom?

6.8. Wie heißt das Verhältnis Eingangsstrom durch Eingangsspannung?

6.9. Welche Matrix eignet sich besonders zur Berechnung von Hintereinander-
Schaltungen?

6.10. Welche der folgenden Matrizen enthält dimensionslose Elemente?


Impedanz-Matrix, Admitanz-Matrix, Kettenparameter-Matrix oder die Hybrid-Matrix?

6.11. Die so genannte T-Schaltung verdankt ihren Namen...

6.12. Sind Ein- und Ausgangsimpedanz gleich, so spricht man von ...

6.13. Wie misst man das obere Diagonalelement (A11 ) der Kettenparameter-Matrix?

6.14. Wie misst man das untere Diagonalelement (A22 ) der Kettenparameter-Matrix?

6.15. In welchem Zusammenhang steht die Kettenparameter-Matrix mit dem Fre-


quenzgang T ?
6.1 Fragen und Aufgaben zu Zwei- und Vierpolen 171

6.16. Woran erkennt man die Kettenparameter-Matrix einer symmetrischen Schal-


tung?
6.17. Was ergibt das Produkt aus Eingangskurzschlussimpedanz und Eingangsleer-
laufimpedanz?
6.18. Jeder Vierpol hat eine charakteristische Impedanz. Stimmt das?

6.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben

6.19. Welche Formen haben die Ortskurven der Impedanz eines Reihenschwing-
kreises und der Admitanz eines Reihenschwingkreises?
6.20. Bitte skizzieren Sie die Bode-Diagramme der RC-Tiefpässe mit der folgenden
Bestückung:
a) R = 1 kΩ,C = 1 μF
b) R = 500 Ω,C = 20 nF
c) R = 17, 5 kΩ,C = 3, 14 μF
6.21. Abbildung 6.2 zeigt zwei Ansätze, einen Butterworth-Filter zweiter Ordnung

Abb. 6.2 zur Aufgabe 6.21: Zwei Tiefpässe zweiter Ordnung, links ein reiner RC-Pass, rechts die
RCL-Variante

zu realisieren. Welchen wählen Sie und warum?


6.22. Abbildung 6.3 zeigt eine Tiefpass-Schaltung. Wie lautet die Übertragungs-

Abb. 6.3 zur Aufgabe 6.22:


RC-Schaltung, bei der es sich
lohnt, vor der Berechnung der
Übertragungsfunktion genau
hinzusehen

funktion und wo liegt die Grenzfrequenz für R1 = 390 Ω, R2 = 160 Ω und C =


14 nF?
6.23. Abbildung 6.4 zeigt einen sowohl seriellen als auch parallelen Schwingkreis.
Bitte bestimmen Sie den Betrag der Impedanz als Funktion der Kreisfrequenz,
|Z(ω)|.
172 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

Abb. 6.4 zur Aufgabe 6.23:


Ein Zweipol, der gleichzeitig
ein Reihenschwingkreises
und ein Parallelschwingkreis
ist

6.24. Zur Bestimmung des Wellenwiderstandes braucht man nur die beiden Ketten-
parameter-Matrixelemente neben der Diagonalen. (Wann) stimmt das?
6.25. Wie viele freie Parameter hat die Kettenparameter-Matrix einer symmetri-
schen Schaltung?
6.26. Ein symmetrischer Vierpol hat eine charakteristische Impedanz von 2 Ω. Wie
groß ist der charakteristische Widerstand derjenigen Schaltung, die man erhält, in-
dem man diesen Vierpol insgesamt dreimal hintereinander schaltet?
6.27. Bei einer Zweidraht-Leitung mit vernachlässigbarem Ohmschen Widerstand
wird der Abstand zwischen Hin- und Rückleitung halbiert. Welche der folgenden
Aussagen stimmt?
a) Der Induktivitätsbelag wird halbiert.
b) Der Kapazitätsbelag wird verdoppelt.
c) Der Wellenwiderstand wird halbiert.
d) Die Signalgeschwindigkeit bleibt gleich.
6.28. Bitte skizzieren Sie einen Vierpol, der nur aus einem Längswiderstand zwi-
schen den oberen Ein- und Ausgangsanschlüssen sowie einer Kurzschluss-Verbin-
dung (also nur einer Leitung) zwischen den unteren beiden Anschlüssen besteht.
Bestimmen Sie bitte für diesen die Admitans-Matrix, die Kettenparameter-Matrix
und die charakteristische Impedanz.
6.29. Bitte skizzieren Sie einen RC-Tiefpass als Vierpol und berechnen Sie dessen
Impedanz-Matrix.
6.30. Eine für niedrige Frequenzen an 50 Ω angepasste symmetrische Π -Schaltung
(siehe Abb. 6.5) soll zur Dämpfung hoher Frequenzen eingesetzt werden. Die

Abb. 6.5 zur Aufgabe 6.30:


Π -Schaltung aus zwei Kon-
densatoren und einer Spule

Spannungsübertragung habe im lastfreien Fall einen Pol bei einer Frequenz von
fPol = 100 kHz.
a) Bitte bestimmen Sie L und C !
b) Wie groß ist der Betrag der Spannungsübertragung, wenn die Schaltung aus-
gangsseitig mit RL = 50 Ω belastet wird?
c) Um welchen Winkel ist die Ausgangsspannung relativ zur Eingangsspannung
verschoben?
6.1 Fragen und Aufgaben zu Zwei- und Vierpolen 173

6.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben

6.31. Abbildung 6.6 zeigt die Ortskurve eines Parallelschwingkreises, dessen Spule

Abb. 6.6 zur Aufgabe 6.31:


Ortskurve eines Parallel-
schwingkreises mit nicht zu
vernachlässigenderm Spulen-
widerstand

einen erheblichen Ohmschen Widerstand hat. Die Güte der Spule beträgt bei einer
Frequenz von f = 16 kHz QSpule = 2. Die übrigen Bauteile sind fast ideal. Bei
einer Frequenz von f = 100 kHz beträgt die Gesamtimpedanz ca. |Z| = 1, 6 Ω. Bitte
schätzen Sie die Werte für RL , L und C ab.

6.32. Abbildung 6.7 zeigt den Doppel-T-Filter. Bitte bestimmen Sie die Übertra-

Abb. 6.7 zur Aufgabe 6.32:


Doppel-T-Filter: Ein T-förmi-
ger RC-Hochpass wird mit ei-
nem T-förmigen RC-Tiefpass
verbunden

gungsfunktion sowie deren Betrag und Phase.

6.33. Wie ändert sich die Ausgangsspannung U2 (t) an einem einfachen RC-Hochpassfilter
(siehe Abb. 6.18) mit der Zeit, wenn U1 (t) = U1 (t = 0) = konst. und U2 (t = 0) =
UStart ist?

6.34. Wie ändert sich die Ausgangsspannung U2 (t) an einem einfachen RC-Tiefpassfilter
(siehe Abb. 6.16) mit der Zeit, wenn U1 (t) = U1 (t = 0) = U10 und U2 (t = 0) = UStart
ist?
174 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

6.35. a) Bitte finden Sie mit Hilfe der Gl. 6.47 und 6.48 (siehe unten) einen einfa-
chen Ausdruck für die Kettenparameter-Matrix des in Abb. 6.8 gezeigten verlustlo-
sen LAN-Kabels.
b) Bestimmen Sie, unter welchen Bedingungen eine verlustlose Leitung gerade an

Abb. 6.8 zur Aufgabe 6.35:


Steckverbindung eines LAN-
Kabels. LAN-Kabel haben
eine charakteristische Impe-
danz von 50 Ω

einen 50 Ω-Widerstand angepasst ist.


c) Bestimmen Sie für einen Kapazitätsbelag von 75 pF/m die Phasenverschiebung
bei Impedanz-Anpassung und versuchen Sie daraus einen Ausdruck für die Signal-
geschwindigkeit auf der Leitung herzuleiten.

6.36. Ein Antennenkabel habe einen vernachlässigbar kleinen Ohmschen Wider-


stand und eine charakteristische Impedanz von Z 0 = 75 Ω. Es werde von einem
angepassten LNB (aus dem Englischen low noise block, der Verstärker, der in Ab-
bildung 6.9 auf die Satellitenschüssel zeigt) mit einer Leistung von P = 10nW ge-

Abb. 6.9 zur Aufgabe 6.36:


Fernseh-Satellit und passende
Antenne. Die kleinen Leistun-
gen der Satellitenempfänger
sind nur mit vollständig ange-
passten Systemen zu transpor-
tieren

speist. Welcher Anteil der vom LNB erzeugten Signalspannung und welcher Anteil
der abgegebenen Leistung kommen beim Satellitenempfänger an, wenn dieser einen
Eingangswiderstand von RE = 75 Ω hat? Welche Spannungsamplitude und welche
Leistung würde man für RE = 750 Ω erhalten?

6.2 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole

Frequenzen lassen sich auf zwei Arten herausfiltern: erstens, indem ein frequenz-
abhängiger Widerstand benutzt wird. Diese Art der Filterung kommt mit zwei An-
schlüssen aus. Die zweite Möglichkeit ist die Verwendung einer Schaltung mit
zwei Eingangsanschlüssen und zwei Ausgangsanschlüssen. Diese Möglichkeit wird
zunächst ohne Last und dann im Rahmen der Vierpoltheorie mit Last diskutiert. Ei-
ne genauere Analyse symmetrischer Vierpole führt auf den Wellenwiderstand, zur
Impedanzanpassung, und sie erklärt das Verhalten von Leitungen.
6.2 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole 175

6.2.1 Frequenzselektion durch Widerstandsänderung:


Schwingkreise

Das Schwingen der im Folgenden betrachteten Schaltungen beruht auf dem gegen-
seitigen Auf- und Entladen von Kondensatoren und Spulen.

Reihenschwingkreis
Sind Spule und Kondensator, wie in Abb. 6.10 in Reihe bzw. in Serie geschal-

Abb. 6.10 Reihenschwingkreis

tet, spricht man von einem Reihenschwingkreis. Dieser dient dem Herausfiltern be-
stimmter Frequenzbereiche in der Analogtechnik. Er leitet wegen des Kondensators
bei ω = 0 keinen Strom und wegen der Spule bei 1/ω = 0 ebenfalls.
Der Impedanzverlauf des Reihenschwingkreises als Funktion der Kreisfrequenz
folgt aus Abb. 6.10:

1 1
Z(ω) = R + jωL + = R + j ωL − . (6.2)
jωC ωC

Er hat ein Minimum, wenn sich die beiden Imaginärterme gerade aufheben, also bei
der so genannten Resonanzkreis f requenz
1
ω0 = √ . (6.3)
LC
Bei ω = ω0 erhält die Spule die gesamte, zum Aufbau ihres Magnetfeldes nötige
Energie vom Kondensator und gibt diese, wie in Abb. 5.14 im vorigen Kapitel ge-
zeigt, dann eine Viertelperiode später wieder an ihn zurück. Auf diese Weise gibt es
keine nach außen dringenden Blindströme.
Je kleiner der Widerstand R im Vergleich zu den Blindwiderständen ist, desto
stärker ist die Frequenzabhängigkeit. Da diese Abhängigkeit gerade gewünscht ist,
beschreibt man Reihenschwingkreise auch gerne mit dem Parameter Güte QR 2
√ 
Z L · ZC 1 L
QR = = · . (6.4)
R R C
√ 
Das harmonische Mittel der Impedanzen Z L · ZC = L/C wird auch gerne Kenn-
widerstand genannt. Mit Hilfe der Güte kann man den Impedanzverlauf (siehe Gl.

2 Q wie Qualität des Reihenschwingkreises. Genau wie bei der Güte der Bauelemente gibt er das
R
Verhältnis von Blindwiderstand zu Wirkwiderstand an.
176 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

(6.2)) in einer leichter interpretierbaren Weise beschreiben:


%  &
ω ω0
Z(ω) = R · 1 + jQR · − = R · {1 + jQR ·V } . (6.5)
ω0 ω

Der Parameter V = ωω0 − ωω0 wird Verstimmung genannt, denn er ist ein Maß
für die Entfernung von der Resonanzfrequenz. Abbildung 6.11 zeigt den Admitanz-

Abb. 6.11 Admitanzverlauf


des Reihenschwingkreises.
Die Höhe ist durch R, die
Breite durch QR bestimmt.
QR = 0 würde einem horizon-
talen Verlauf entsprechen

verlauf des Reihenschwingkreises. Wenn die Frequenz auf die Resonanzfrequenz


normiert ist, hängt der Admitanzverlauf nicht mehr von drei Größen (R, L,C), son-
dern nur von zweien (R, Q) ab. Je größer der Wert für QR , desto schmäler wird die
Kurve. Dies zeigt sich auch bei dem Abstand der Grenzfrequenzen, der Bandbreite.

Definition 6.1. Die Grenzfrequenzen fgu und fgo eines Reihenschwingkreises


√ sind
diejenigen Frequenzen, bei denen die Admitanz auf das 1/ 2-Fache ihres Wertes
bei der Resonanzfrequenz abgefallen ist. Deren Abstand heißt Bandbreite B = fgo −
fgu .
Die Analyse des Verlaufes (6.2) ergibt
⎛ ⎞
 2
1 ⎝ R R
fgu = ω02 + − ⎠
2π 2L 2L
⎛ ⎞
 2
1 ⎝ R R
fgo = ω02 + + ⎠. (6.6)
2π 2L 2L

Diese beiden Gleichungen führen zu einer Zweitinterpretation der Güte. Sie ist nicht
nur das Verhältnis von Blind- zu Wirkwiderstand, sondern auch das Verhältnis von
der Resonanzfrequenz zur Bandbreite:
f0 f0 ω0
QR = = = . (6.7)
B fgo − fgu ωgo − ωgu

Je höher also die Güte, desto schmaler ist der Durchlassbereich des Reihenschwing-
kreises.
6.2 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole 177

Eine hohe Güte führt zwangsläufig zu Überspannungen an der Spule und am


Kondensator. Denn in Resonanz ist der Strom nur noch durch den Ohmschen Wi-
derstand begrenzt: I(ω0 ) = U/R. Er sieht sich aber deutlich größeren Blindwi-
derständen gegenüber. Wegen der Ladungserhaltung muss der Strom aber zu allen
Zeiten in allen drei Bauteilen gleich groß sein. So ergibt sich am Kondenstor
1 1
U C (ω0 ) = ZC (ω0 ) · I(ω0 ) = · ·U = − jQU. (6.8)
jω0C R
Die am Kondensator anliegende Spannung ist also um den Faktor Q größer als die
außen anliegende. Für die Spule gilt das Gleiche.

Parallelschwingkreis
Soll ein bestimmter Frequenzbereich gerade nicht durchgelassen werden, findet ein
Parallelschwingkreis, wie er in Abb. 6.12 dargestellt ist, seine Anwendung. Dessen

Abb. 6.12 Parallelschwingkreis


aus Widerstand, Spule und
Kondensator

Admitanzverlauf hat die gleiche Form wie der Impedanzverlauf des Reihenschwing-
kreises, denn seine Gesamtadmitanz ist gerade die Summe der Admitanzen seiner
Bauelemente:

1 1 1 1
Y (ω) = + + jωC = + j ωC − . (6.9)
R jωL R ωL

Der Imaginärteil in (6.9) verschwindet ebenfalls bei ω0 = √1LC . Bei dieser Frequenz
fließt der gesamte, von außen eindringende Strom ausschließlich durch den Wider-
stand, während gleichzeitig zwischen der Spule und dem Kondensator ein Lade-
und Entladestrom hin und her fließt. Die Güte QP des Parallelschwingkreises ist das
Verhältnis von Akzeptanz zum Widerstandsleitwert G = 1/R
√ 
Y L ·Y C C
QP = = R· (6.10)
G L
und so genau der Kehrwert der Güte des aus den gleichen Elementen zusammen
gesetzten Reihenschwingkreises. Wann der Widerstand im Zähler ist, kann man sich
so merken:

Die Güte ist immer dann groß, wenn der Ohmsche Widerstand nur geringe
Auswirkungen auf das Schaltungsverhalten hat.
178 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

Der Admitanzverlauf lässt sich mit Hilfe der Güte als


%  &
1 ω ω0 1
Y (ω) = · 1 + jQP · − = · {1 + jQP ·V } (6.11)
R ω0 ω R

schreiben. Bei gleicher Güte und gleicher Resonanzfrequenz hat daher der Impe-
danzverlauf eines Parallelschwingkreises exakt die gleiche Form wie der Admitanz-
verlauf eines Reihenschwingkreises. Die Grenzfrequenzen ergeben sich zu3
⎛ ⎞
 2
1 ⎝ 1 1 ⎠
fgu = ω02 + −
2π 2RC 2RC
⎛ ⎞
 2
1 ⎝ 1 1 ⎠,
fgo = ω02 + + (6.12)
2π 2RC 2RC

so dass für die Güte des Parallelschwingkreises ebenfalls


f0 f0 ω0
QP = = = (6.13)
B fgo − fgu ωgo − ωgu

gilt.
Den hier beschriebenen Parallelschwingkreis gibt es in der Realität nur in gro-
ber Näherung. Denn jeder Kondensator und jede Spule hat Ohmsche Leitungswi-
derstände, die in Reihe zu den Blindwiderständen liegen (siehe Abschnitt 2.2.5 in
Kapitel 2 ). Jeder im Labor aufgebaute Parallelkreis hat daher Ohmsche Reihen-
widerstände. Diese machen die Beschreibung seines Impedanzverlaufes und die
Bestimmung der abgeleiteten Größen Q und B im Allgemeinen sehr kompliziert.
Daher werden zur Beschreibung realer Parallelschwingkreise zunächst alle Seri-
enwiderstände in Parallelersatzwiderstände umgerechnet. Abbildung 6.13 zeigt die
Vorgehensweise. Die Umrechnungsformeln sind im Abschnitt 5.2.2 des Kapitels
5 zu finden. Die Summe der Ohmschen Parallelersatzleitwerte wird zum 1/R des
Widerstandes in Abb. 6.12 hinzuaddiert. Der so entstandene Parallelkreis hat ei-
ne leicht reduzierte Resonanzfrequenz und eine reduzierte Güte. Die modifizierten
Werte können in Gl. (6.11) eingesetzt werden und ergeben bei hinreichend hoher
Güte des Schwingkreises eine gute Näherung an das tatsächliche Verhalten. Jedoch
ist Vorsicht geboten. Diese Technik funktioniert nur bei schmalbandigen Resonanz-
kreisen (QP > 10) und in der Nähe von ω0 , da sie nur im Grenzfall einer konstanten
Frequenz exakt ist. Ein weiterer Anhaltspunkt ist die Induktivität der Spule: Wird
diese durch die Umrechnung um mehr als deren Bauteiletoleranz verändert, sollte
das Verfahren nicht angewendet werden.

3Man kann diese direkt aus den Grenzfrequenzen des Reihenschwingkreises mittels R → 1/R und
L ↔ C erhalten.
6.2 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole 179

Abb. 6.13 Konstruktion des Parallel-Ersatz-Schwinkkreises. Je enger der betrachtete Frequenzbe-


reich, desto ähnlicher sind die beiden Kreise

Das Gesamtverhalten des Schwingkreises lässt sich in einem Bild, der Ortskurve,
zusammenfassen. In der Ortskurve wird für jede Frequenz der Imaginärteil der Im-
pedanz (oder der Akzeptanz) als Funktion des Realteils dargestellt. Abbildung 6.14
zeigt zum Beispiel auf einen Blick, welch großen Einfluss der Ohmsche Spulenwi-

Abb. 6.14 Ortskurve eines


Parallelschwingkreises mit
R = 100 Ω, L = 100 μH
und C = 1 μF für den Fall
einer idealen Spule (außen)
und mit einem Ohmschen
Spulenwiderstand RL (innen).
Die maximale Impedanz ist
reduziert, und bei hohen
Frequenzen werden 0 Ω nicht
mehr ganz erreicht

derstand auf das Selektionsverhalten eines Parallelschwingkreises hat. Im Idealfall


ist die Ortskurve des Parallelschwingkreises ein Kreis, der mit steigender Frequenz
vom Nullpunkt aus im Uhrzeigersinn durchlaufen wird. Bei ω = ω0 schneidet er die
ℑ(Z) = 0 Achse und erreicht bei ω → ∞ asymptotisch wieder den Ursprung. Der
Ohmsche Widerstand der Spule, RL , verringert deutlich den maximalen Gesamtwi-
derstand und sorgt dafür, dass bei ω = 0 der Gesamtwiderstand nicht Null, sondern
R(ω = 0) = R  RL wird.
180 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

6.2.2 Frequenzselektion durch Spannungsänderung:


Übertragungsfunktionen

Es gibt kaum ein nachrichtentechnisches System, in dem nicht an irgendeinem


Punkt bestimmte Frequenzen herausgefiltert werden müssen. Um die Selektion von
Frequenzen durch eine Änderung der Spannung zu beschreiben, wird der Einfach-
heit halber meist mit dem in Abb. 6.15 gezeigten Gedankenexperiment begonnen.

Abb. 6.15 Randbedingungen


bei der Berechnung einer
Übertragungsfunktion. Die
Übertragungsfunktion T be-
schreibt eine unbelastete
Schaltung an einer idealen
Wechselspannungsquelle

Man stellt sich eine ideale Spannungsquelle (mit beliebigem Strom) am Eingang der
Schaltung (in Abb. 6.15 als Viereck dargestellt) und eine Spannungsmessung prak-
tisch ohne Strom am Ausgang der Schaltung vor. Im Folgenden soll ausschließlich
das Verhalten bei sinusförmigen Eingangsspannungen untersucht werden. Für Ein-
schwingvorgänge siehe zum Beispiel [5].
Definition 6.2. Die Übertragungsfunktion T (ω) einer Schaltung ist das Verhältnis
von Ausgangs- zu Eingangsspannung T (ω) = U 2 (ω)/U 1 (ω) im unbelasteten Falle.

Die Übertragungsfunktion T kann durch ihren Betrag |T |und ihre Phase φ =


φ (U 2 ) − φ (U 1 ) charakterisiert werden. Je nachdem, welches asymptotische Verhal-
ten der Betrag hat, wird die Schaltung benannt:

Verhalten bei ω = 0 Verhalten bei 1/ω → ∞ Bezeichnung


|T (ω = 0)| = 0 |T (ω → ∞)| = 0 Tiefpass
|T (ω = 0)| = 0 |T (ω → ∞)| = 0 Hochpass (6.14)
|T (ω = 0)| = 0 |T (ω → ∞)| = 0 Bandpass
|T (ω = 0)| = 0 |T (ω → ∞)| = 0 Bandsperre .

Der Name richtet sich also danach, welche Frequenzen die Schaltung passieren
lässt. Ein in (6.14) nicht explizit aufgeführter Spezialfall ist |T (ω| = konst., das
heißt ein Pass, der nur die Phase der Eingangsspannung ändert. Ein solcher heißt
Allpass.

RC-Tiefpass
Abbildung 6.16 zeigt den einfachst möglichen RC-Tiefpass. Da der Ausgangsstrom
i2 bzw. dessen Amplitude I 2 gleich Null ist, fließt der gleiche Strom i1 sowohl
durch den Widerstand, als auch durch den Kondensator. Daher gilt (U 1 − U 2 ) =
6.2 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole 181

Abb. 6.16 RC-Tiefpass. Wi-


derstand und Kondensator
ergeben zusammen die hier
gezeigte, einfachste Variante

R · I 1 und U 2 = ZC · I 1 . Der Strom lässt sich herauskürzen, und übrig bleibt die
Spannungsteiler-Formel
U2 u ZC 1
T= = 2= = . (6.15)
U1 u1 R + ZC 1 + jωRC

Der Betrag errechnet sich wie folgt:



 1 1 1

|T | = T · T = · = . (6.16)
1 − jωRC 1 + jωRC 1 + (ωRC)2

Welcher Anteil der Spannung hindurchgelassen wird, hängt also ausschließlich vom
Produkt ωRC√ab. Die Frequenz bei der der Betrag der Übertragungsfunktion auf
den Wert 1/ 2 gefallen ist, nennt man Grenzfrequenz. Diese Definition wird im
Übrigen für beliebige Schaltungen verallgemeinert:

Definition 6.3. Die Grenzfrequenz fg eines Passes


√ist diejenige Frequenz, bei der
der Betrag der Übertragungsfunktion auf das 1/ 2-fache seines Maximalwertes
abgefallen ist.

Für den RC-Tiefpass erhält man


1 1
fg = ↔ ωg = . (6.17)
2πRC RC
Vorsicht Falle! Nur bei sehr einfachen Schaltungen ist die Grenzfrequenz auch
diejenige Frequenz, bei der der Real- und der Imaginärteil der Übertragungsfunktion
gleich groß sind oder die Phasenverschiebung ±45◦ beträgt. Die immer √ und überall
gültige Definition der Grenzfrequenz beinhaltet immer den Faktor 1/ 2.
Die Phase der komplexen Größe T ist gemäß Anhang φ = ℑ(T )/ℜ(T ). Zur
Berechnung der Phase gibt es bei rationalen Ausdrücken ein universell einsetzba-
res Verfahren: Multipliziert man den Ausdruck mit dem konjugiert Komplexen des
Nenners, dann entsteht ein Bruch, dessen Nenner rein reell ist. Dieser kürzt sich
dann bei der Berechnung der Phase heraus. In diesem Falle heißt das:
1 1 − jωRC
T= = → φ = − arctan(ωRC) . (6.18)
1 + jωRC 1 + (ωRC)2

Zur Veranschaulichung des Passverhaltens werden meist die Bode-Diagramme ver-


wandt. In ihnen wird, wie Abb. 6.17 zeigt, der Betrag in Dezibel4 und die Phase in
182 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

Abb. 6.17 Bode-Diagramm des RC-Tiefpasses: Bei der Grenzfrequenz ist die Phase φ = −45◦ ,
und der Betrag geht von einem flachen in einen mit -20 dB pro Frequenzdekade linear abfallenden
Verlauf über

Grad als Funktion von ω/ωg = f / fg aufgetragen. In dieser Darstellung ist auf einen
Blick zu sehen: Bei ω ωg wird die Eingangsspannung ohne Größenänderung und
ohne Phasenänderung
√ durchgelassen. Bei der Grenzfrequenz ist die Amplitude um
den Faktor 1/ 2 reduziert, und das Ausgangssignal hat gegenüber dem Eingangs-
signal eine Verspätung von
45◦ 1
Δt = · . (6.19)
360◦ fg
Oberhalb der Grenzfrequenz geht der Amplitudenverlauf in der doppelt logarithmi-
schen Darstellung sehr schnell in einen geraden Verlauf mit -20 dB / Frequenzdeka-
de über und die Phasenverschiebung nähert sich φ = −90◦ .

RC-Hochpass
Den RC-Hochpass kann man erhalten, indem man Widerstand und Kondensator
des Tiefpasses vertauscht. So entsteht die in Abb. 6.18 gezeigte Schaltung. Die

Abb. 6.18 RC-Hochpass. Der


einfachste besteht Hochpass
besteht aus einem Kondensa-
tor und einem Widerstand

Übertragungsfunktion ist
U2 R jωRC 1
T= = = = (6.20)
U1 R + ZC 1 + jωRC 1 + jωRC
1

4 Eine dimensionslose Größe x wird gemäß x[dB] = 20 · log10 (x) in Dezibel umgerechnet.
6.2 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole 183

mit dem Betrag


 1
|T | = T∗ ·T =   2 . (6.21)
1+ 1
ωRC

Da der Betrag alle Werte zwischen 0 und 1 annehmen kann, ist die Grenzfrequenz
hier diejenige, bei der das Betragsquadrat gleich 1/2 ist:

1 1 1 1
|T (ωg )|2 = → 2 = → ωg = . (6.22)
2 2 RC
1+ 1
ωg RC

Bei gleichen Bauteilen haben also Hoch- und Tiefpass die gleiche Grenzfrequenz.
Die Phase ist 
1
φ = arctan (6.23)
ωRC
Das Bode-Diagramm des RC-Hochpasses ist in Aufgabe 6.20 gezeigt.

RC-Bandpass
Der einfachste RC Bandpass ist die in Abb. 6.19 gezeigte Schaltung, die auch in

Abb. 6.19 Wien-Brücke.


Sie ist Beispiel für einen
einfachen RC-Bandpass

der Wien-Brücke zur Kapazitätsbestimmung Anwendung findet. Bei der Berech-


nung der Übertragungsfunktion kommt man am schnellsten ans Ziel, wenn man
versucht, sowohl Parallelschaltungen, als auch Kondensatorimpedanzen möglichst
als Kehrwert vorliegen zu haben:
Z2 1 1
T= = =  
Z1 + Z2 (R+ZC )
1 + (RZ ) 1 + R+ 1
· R1 + jωC
C jωC
1
→T =  . (6.24)
3 + j ωRC − ωRC
1

Die Ortskurve von 1/T ist eine senkrecht verlaufende Gerade, welche die reelle
Achse bei ℜ(1/T ) = 3 schneidet. Hier hat der Betrag der Übertragungsfunktion
sein Maximum |T |max = 1/3. Dieses Maximum liegt (schon wieder! ) bei

1
ω0 = . (6.25)
RC
184 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

Die Grenzfrequenzen folgen aus

|T (ωg )|2 1 1 √
= → ω g = · 13 ± 3 . (6.26)
|T (ω0 )|2 2 2RC

Dabei gehört das positive Vorzeichen zur oberen Grenzfrequenz. Die Bandbreite ist
ωg,o − ωg,u 3
B = fg,o − fg,u = = (6.27)
2π 2πRC
und zusammen mit der Phase in Abb. 6.20 dargestellt. Die Phase ist nach (6.24)

Abb. 6.20 Bode-Diagramm eines RC-Bandpasses. Dieser Pass interpoliert sowohl hinsichtlich
des Betrags als auch hinsichtlich der Phase zwischen einem Hochpass (links) und einem Tiefpass
(rechts)

 
1
ωRC − ωRC
φ = arctan . (6.28)
3

Dort, wo der Durchlass maximal ist, heben sich alle Phasenverschiebungen auf, und
die Übertragungsfunktion verhält sich wie ein Spannungsteiler, dessen Elemente
alle den gleichen Widerstand R haben.
Eine Bandsperre erhält man, wenn man einen Hochpass parallel zu einem Tief-
pass legt. Bei tiefen Frequenzen lässt der Tiefpass alles passieren, bei hohen der
Hochpass, und dazwischen blockieren beide. Ein Beispiel ist in Aufgabe 6.32 durch-
gerechnet.

Filter höherer Ordnung


Pässe, die mehr als einen Kondensator enthalten, haben asymptotisch entweder von
ω = 0 einen steileren Anstieg oder für ω → ∞ einen steileren Abfall. Ganz egal,
wie die Struktur im Detail ist: Die Übertragungsfunktion einer Schaltung, die nur
aus Widerständen, Kondensatoren und Spulen besteht, lässt sich immer als Bruch
6.2 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole 185

darstellen, in dessen Zähler ein komplexes Polynom und in dessen Nenner ein an-
deres komplexes Polynom steht:

a + bω + cω 2 + ...zω N
T= . (6.29)
α + β ω + γω 2 + ...ζ ω M

Dabei seien z und ζ die zu den größten vorkommenden Potenzen gehörenden Ko-
effizienten. Alle anderen der komplexen Konstanten a, b, c, .. und α, β , γ, ... können
gleich Null sein. Für große ω nähert sich diese Funktion einem einfachen Potenz-
gesetz:
z
T (ω → ∞) ≈ · ω (N−M) . (6.30)
ζ
Für kleine ω hängt das Verhalten davon ab, welche der ersten im Nenner von (6.29)
auftretenden Koeffizienten Null sind:
a = 0 α = 0 T (ω → 0) ≈ αa
a=0 α =  0 T (ω → 0) ≈ αb ω
(6.31)
a = 0 b = 0 α = 0 T (ω → 0) ≈ αc ω 2
... .

Die Gl. (6.30) und (6.31) haben eine weitreichende Konsequenz:

Alle Übertragungsfunktionen von Filtern aus Spulen, Widerständen und Kon-


densatoren nähern sich sowohl bei ω → 0, als auch bei ω → ∞ einfachen
Potenzgesetzen.

Die hinsichtlich ihres Betrags höchste vorkommende Potenz im asymptotischen


Verhalten nennt man Ordnung des Filters. Mit der Ordnung eines Hoch- oder
Tiefpasses ist (bis auf eine Konstante) dessen Übertragungsverhalten an den Fre-
quenzrändern bereits festgelegt. Im Bode-Diagramm zeigt sich dieses Verhalten da-
durch, dass |T (ω)| für einen Hochpass bei sehr kleinen Frequenzen immer durch
eine Gerade mit der Steigung 20 mal Filterordnung pro Frequenzdekade beschrie-
ben wird, während bei einem Tiefpass -20 mal Filterordnung pro Frequenzdekade
bei hohen Frequenzen zu beobachten sind.
Was dazwischen passiert, hängt von der relativen Größe der Koeffizienten in
Gl. (6.29) ab. Die Literatur enthält viele Rezepte, wie für bestimmte Typen von
Übergängen die richtigen Koeffizienten gefunden werden können. Eine recht detail-
lierte Übersicht ist bei [3] zu finden.
Abbildung 6.21 zeigt den Typen des Potenzfilters, auch Butterworth-Filter ge-
nannt, für drei verschiedene Ordnungen. Potenzfilter n−ter Ordnung sind solche,
deren Spannungsüberträge gemäß
1
|T (ω)| =  (6.32)
1 + (ω/ω0 )2n
186 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

Abb. 6.21 Spannungsübertrag für drei Potenzfilter. Alle Kurven gehen durch den Punkt
(ω/ω0 , |T |) = (1, −3 dB). Andere Typen von Tiefpass-Filtern sehen an den ω/ω0 -Rändern bei
gleicher Ordnung gleich aus

verlaufen und dadurch bis zur Grenzfrequenz möglichst lange flach bleiben, um
dann ∼ ω −n abzufallen.

Effiziente Bestimmung von Übertragungsfunktionen


Selbstverständlich können Übertragungsfunktionen mit den Methoden der Knoten-
potenzialanalyse oder mit dem Maschenstromverfahren berechnet werden. In vielen
Fällen ist dies aber zu aufwändig. Als Alternative bietet sich an, Filterschaltungen
als Abfolgen von Spannungsteilern zu interpretieren. Abbildung 6.22 zeigt das Prin-
zip. In der Darstellung rechts wird deutlich, dass die Spannungsamplituden U 1 und

Abb. 6.22 Interpretation eines Filters als doppelter unbelasteter Spannungsteiler

U X einen unbelasteten Spannungsteiler mit der gemeinsamen Stromamplitude I 1


bilden. Ein zweiter unbelasteter Spannungsteiler wird durch den Strom ganz rechts
an U 2 vorbei definiert, also insgesamt

Ux R  [R + ZC ]
=
U1 ZC + R  [R + ZC ]
U2 R
= . (6.33)
Ux R + ZC
6.2 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole 187

Die Übertragungsfunktion ist nun


U2 U2 Ux
= · . (6.34)
U1 Ux U1

Das Verfahren lässt sich leicht verallgemeinern: Wird der Eingangsstrom i1 n-mal
aufgeteilt, so lassen sich für die Bestimmung der Übertragungsfunktion n unbelas-
tete Spannungsteiler finden, die die Potenziale der Verzweigungspunkte verbinden.
Bei der Berechnung der Spannungsverhältnisse gilt:

Parallelschaltungen sollten möglichst nur im Nenner von Brüchen stehen.

Tun sie dies nicht, sollte durch diese Ausdrücke gekürzt werden, auch um den
Preis von Doppelbrüchen. In dem Beispiel in Abb. 6.22 heißt das:

R  [R + ZC ] 1 1
= = (6.35)
ZC + R  [R + ZC ] 1 + ZC 1+ ZC ZC
+ [R+Z
R[R+Z C] R C]

und für die gesamte Übertragungsfunktion


⎛ ⎞

U2 R 1 R
= ·⎝ ⎠= . (6.36)
U1 R + ZC 1+ +ZC ZC
3ZC + R +
ZC2
R [R+ZC ] R

Vor dem Einsetzen von ZC = 1/( jωC) steht die Erkenntnis:

Kondensatorimpedanzen sollten möglichst nur im Nenner stehen.

Denn das Teilen durch ZC erspart im nächsten Schritt das Teilen durch ω und
das Vergessen der Regel 1/ j = − j ist eine häufige Fehlerquelle. Im betrachteten
Beispiel wird daher durch ZC gekürzt:

U2 R/ZC jωRC
= =  . (6.37)
U1 3 + (R/ZC ) + (ZC /R) 3 + j · ωRC − ωRC
1

Vorsicht Fehlerquelle! Die Übertragungsfunktion einer Kette von Einzelschaltun-


gen ist nicht das Produkt der einzelnen Übertragungsfunktionen. Denn die jeweils
nachfolgende Schaltung belastet die vorige. Deren Ausgangsstrom ist also nicht
mehr gleich Null.
Bei größeren Schaltungen führt das sukzessive Berechnend der Übertragungs-
funktion schnell zu sehr aufwändigen Rechnungen. Aber es gibt eine Alternative,
die die Berechnung von Kettenschaltungen auf das Multiplizieren von Matrizen re-
duziert: die Vierpoltheorie.
188 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

6.2.3 Frequenzselektion durch Spannung und Strom:


Vierpoltheorie

In der Vierpoltheorie wird das Übertragungsverhalten von belasteten Schaltungen


beschrieben. Abbildung 6.23 zeigt den Unterschied zur lastfreien Übertragungs-

Abb. 6.23 Die von außen


sichtbaren komplexen Ampli-
tuden an einem Vierpol. Diese
hängen von der Last ab. Hier
ist VP der Vierpol und Z die
Last

funktion.
Vierpole können durch zwei Gleichungen beschrieben werden, wie das folgende
Gedankenexperiment zeigt (siehe Abb. 6.24):

Abb. 6.24 Beispielschaltung


vor dem Einbau eines Vier-
pols: ein Verstärker mit Zu-
satzlautsprecher

Stellen wir uns zunächst eine Quelle (hier: Verstärker) und einen daran ange-
schlossenen Verbraucher (hier: Zusatzlautsprecher) vor. Elektrotechnisch ist die
Schaltung beschrieben, wenn sowohl der Strom als auch die Spannung bekannt sind.
Um diese zwei Unbekannten zu bestimmen, braucht man 2 Gleichungen, die die
beiden Teile charakterisieren, zum Beispiel u1 = Ûe( jωt) und i1 = u1 /Z Lautsprecher .
Wenn nun, wie in Abb. 6.25 gezeigt,5 zwischen diese beiden eine Zusatzschaltung
geschlossen wird, so hat sie natürlicherweise vier Anschlüsse (Pole). Außerdem
kommen noch zwei Unbekannte (i2 und u2 ) hinzu. Nun kann man sich leicht über-
legen, wann genau die Gesamtschaltung so beschrieben ist, dass alle Spannungen
und Ströme festliegen: genau dann, wenn zu den zwei neuen Unbekannten noch
zwei Gleichungen hinzukommen. Daher muss gelten:

5In einigen Büchern wird der Strom i2 als in den Vierpol hinein fließend definiert. Dadurch haben
bei den dazugehörigen Matrizen alle mit i2 multiplizierten Matrixelemente umgekehrte Vorzei-
chen.
6.2 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole 189

Abb. 6.25 Beispielschaltung


nach dem Einbau eines Vier-
pols. u1 und i1 sind die Span-
nung und der Strom am
Eingang des Vierpols, u2 und
i2 gehörn zu dessen Ausgang

Jeder Vierpol kann durch ein System aus zwei Strom-Spannungs-Gleichungen


beschrieben werden.

Wenn der Vierpol nur aus linearen Bauelementen (Widerstand, Spule, Konden-
sator) besteht, so werden auch die Strom-Spannungs-Gleichungen linear, das heißt,
quadratische Terme oder höhere Exponenten von u und i treten nicht auf. Dies führt
zu einer grundsätzlichen Vereinfachung der Situation. Im Allgemeinen müsste man
zum Beispiel für die neuen Ströme und Spannungen u2 und i2 schreiben:

u2 = f (u1 , i1 , i2 )
i2 = g(u1 , i1 , u2 ) . (6.38)

Wenn nun aber f und g lineare Funktionen sind, dann lassen sich die Gleichungen
6.38 nach u2 und i2 auflösen:

u2 = f (u1 , i1 , g(u1 , i1 , u2 )) = fneu (u1 , i1 )


i2 = g(u1 , i1 , f (u1 , i1 , i2 )) = gneu (u1 , i1 ) . (6.39)

Daher kann jeder aus linearen Bauelementen bestehende Vierpol durch ein System
aus zwei linearen Gleichungen beschrieben werden, bei denen auf der rechten Seite
jeweils nur zwei unbekannte Ströme und Spannungen stehen. Ein solches System
ist einer Matrixgleichung mit vier Matrixelementen äquivalent.

Jeder lineare Vierpol kann durch eine 2×2-Matrixgleichung beschrieben wer-


den.

Je nachdem, wie die Unbekannten im Gleichungssystem sortiert sind, spricht


man von einer Impedanz-, Admitanz-, Kettenparameter- oder Hybrid-Matrix.
   
u1 Z 11 Z 12 i i
Definition 6.4. Impedanz-Matrix Z: = · 1 =Z· 1 .
u2 Z 21 Z 22 i2 i2
 
i1 u1
Definition 6.5. Admitanz-Matrix Y : =Y · .
i2 u2
190 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole
 
u1 u2
Definition 6.6. Kettenparameter-Matrix6
A: = A· .
i1 i2
 
u1 i
Definition 6.7. Hybrid-Matrix h: = h· 1 .
−i2 u2
Diese Matrizen lassen sich natürlich ineinander umrechnen, zum Beispiel durch
Lösen des Gleichungssystems. Je nach Anwendung bieten sich die verschiede-
nen Matrizen an. So spielt die Hybrid-Matrix in der Beschreibung von Bipolar-
Transistoren eine große Rolle.
Insgesamt wird also eine Modellierung, wie in Abb. 6.26 gezeigt, erreicht. Mit

Abb. 6.26 Beschreibung


eines Gesamtsystems aus
Quelle, Vierpol und Last
(siehe Gl. (6.40)). In diesem
Fall ist der Versorger eine
Spannungsquelle mit dem
Innenwiderstand RI und der
Verbraucher ein Lautsprecher
mit der Impedanz Z L

Hilfe der Kettenparameter-Matrix ist die Systembeschreibung dann


 
u0 − RI · i1 Z L · i2
= A· . (6.40)
i1 i2
Aus Gl. (6.40) ist ersichtlich, dass nun alle Ströme und Spannungen berechnet wer-
den können. Die Matrixgleichung steht für zwei einzelne Gleichungen, und die bei-
den einzigen Unbekannten sind i1 und i2 .
Im Rahmen der Vierpoltheorie werden die folgenden Größen definiert:
Definition 6.8. Spannungsübertrag oder Spannungsdämpfung u2 /u1 .
Definition 6.9. Stromübertrag oder Stromdämpfung i2 /i1 .
Definition 6.10. Eingangsimpedanz u1 /i1 und Eingangsadmitanz i1 /u1 .
Definition 6.11. Ausgangsimpedanz u2 /i2 und Ausgangsadmitanz i2 /u2 .
Ist i2 = 0, so spricht man von Leerlauf, ist u2 = 0 so spricht man von Kurzschluss.
Wird ein Vierpol mit einem einzigen Verbraucher der Impedanz Z L abgeschlossen,
so gilt, völlig unabhängig von den Elementen der Vierpolmatrizen, u2 /i2 = Z L .
6 Die Konvention besagt hier, dass bei der Kettenparameter-Matrix der Eingang als Funktion des

Ausgangs definiert ist und nicht umgekehrt. Dies scheint dem Ursache-Wirkung Denken zu wider-
sprechen, aber nur wenn man vergisst, dass das, was im Kraftwerk geschieht auch vom Verbrauch
abhängt.
6.2 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole 191

Elementare Vierpole und deren Kombinationen


Vierpolmatrizen erleichtern die Berechnung komplizierter Schaltungen, indem diese
als Zusammenschaltungen einfacher Strukturen interpretiert werden. Dabei wird auf
die drei in Abb. 6.27 gezeigten Grundformen T , Π und X zurückgegriffen.

Abb. 6.27 Elementare Vierpoltypen: Wer den Namen kennt, kennt die Struktur

Die Techniken zur Bestimmung der Matrixelemente sind in den Lösungen zu


den Aufgaben 6.28 und 6.29 erklärt. Um, ausgehend von diesen Grundformen, zu
komplexeren Strukturen zu kommen, bieten sich je nach Struktur verschiedene Ma-
trizen an. Die jeweils am leichtesten zu rechnenden Matrizen sind in Abb. 6.28
symbolisch dargestellt: für die Reihenschaltung die Impedanz-Matrix, für die Paral-
lelschaltung die Admitanz-Matrix und für die Ketten- oder Hintereinanderschaltung
die Kettenparameter-Matrix. Denn die Matrizen der zusammengesetzten Gesamt-

Abb. 6.28 Kombinationen von Vierpolen und die jeweils am am leichtesten zu rechnenden Matri-
zen

schaltung sind für jeweils einen Fall besonders einfach.7

Z = Z 1 + Z 2 (Reihenschaltung)
Y = Y 1 +Y 2 (Parallelschaltung)

7 Die Additionsbeziehungen für die Impedanz- und Admitanz-Matrizen gelten unabhängig von der

Wahl der Stromrichtung für i2 . Für die Kettenschaltung muss die Richtung so wie gezeigt gewählt
werden.
192 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

A = A1 · A2 (Kettenschaltung) (6.41)

Die letzte der drei Gl. 6.41 ist eine große Hilfe für die Berechnung von Filtern
höherer Ordnung. Denn für eine lange Kette A1 , A2 , . . . AN kann man auch A = A1 ·
A2 · . . . AN schreiben. So wird die Berechnung komplizierter Schaltungen auf die
Multiplikation von Matrizen reduziert.

Symmetrische Vierpole, Anpassung und Wellenparameter


Der Eingangswiderstand eines Vierpols hängt von der Last ab. Wenn für eine Last
Z L die Eingangsimpedanz gerade genau so groß ist wie die Ausgangsimpedanz, so
nennt man diese die charakteristische Impedanz des Vierpols.

Definition 6.12. Z 0 heißt charakteristische Impedanz eines Vierpols, wenn für die-
sen gilt: u1 /i1 = u2 /i2 = Z 0 . Wird ein Vierpol mit seiner charakteristischen Impe-
danz belastet, so spricht man von Impedanzanpassung.

Dass die charakteristische Impedanz eine zum Vierpol gehörende Eigenschaft


ist, lässt sich daran ablesen, dass sie sich aus den Matrixelementen berechnen lässt:

 2 2  2
A22 − A211 A12 A22 − A211
Z0 = + − . (6.42)
2A21 A21 2A21
Dabei kann es jedoch vorkommen, dass der errechnete Wert 0 oder ∞ wird
(vergleiche die Lösung zu Aufgabe 6.18). Impedanzanpassung ist dann nicht mehr
möglich.
Symmetrisch heißt ein Vierpol, wenn er von rechts nach links das gleiche elek-
trische Verhalten zeigt wie von links nach rechts. Mathematisch heißt dies, dass die
Vierpolmatrizen invariant gegenüber der Vertauschung

u 1 ↔ u2
i1 ↔ −i2 (6.43)

sein müssen. Man erhält dann für symmetrische Vierpole

A11 = A22 und A211 − A12 A21 = 1


Y 11 = −Y 22 und Y 12 = −Y 21
Z 11 = −Z 22 und Z 12 = −Z 21 . (6.44)

Da, unabhängig von der Wahl der Matrizen, zwei Bedingungsgleichungen erfüllt
sein müssen, reduziert sich die Anzahl der freien Parameter der Matrizen um zwei.
Den elementaren Vierpoltypen (siehe Abb. 6.27) ist die Symmetrie sofort anzuse-
hen: Wenn Z α = Z γ oder Z δ = Z φ oder Z κ = Z μ , dann sind Vierpole symmetrisch.
Eine besonders elegante Darstellung symmetrischer Vierpole ist die so genannte
Wellenparameterdarstellung, welche sich wie folgt ergibt: Für einen symmetrischen
Vierpol vereinfacht sich die charakteristische Impedanz zu
6.2 Theoretische Grundlagen der Zwei- und Vierpole 193

A12
Z0 = . (6.45)
A21

Die zweite Bedingung für die Kettenparameter-Matrix einer symmetrischen


Schaltung lässt sich daher wie folgt umschreiben:

A211 − A12 A21 = A211 − Z 20 A212 = 1 . (6.46)

Wenn aber die Differenz zweier Quadrate immer 1 ist, dann kann man wegen
cosh2 (g) − sinh2 (g) = 1 zu folgender Darstellung kommen:
 
cosh(g) Z 0 sinh(g)
A= 1 . (6.47)
Z sinh(g) cosh(g)
0

Definition 6.13. Für einen symmetrischen Vierpol mit cosh(g) = A11 heißt g das
Übertragungsmaß des Vierpols.
Die Symmetrie ist in Gl. (6.47) a priori gegeben und die charakteristische Im-
pedanz ohne Rechnung ablesbar. Die Wellenparameterdarstellung vereinfacht auf
erstaunliche Weise die Berechnung von Ketten Impedanz-angepasster Schaltungen.
Dies ist exemplarisch in der Lösung zu Aufgabe 6.26 (Gl. (6.65) gezeigt.

Jeder lineare symmetrische Vierpol ist mit nur zwei unabhängigen Matrixele-
menten vollständig beschrieben. Diese können zum Beispiel die charakteris-
tische Impedanz Z 0 und das Übertragungsmaß g sein.

Wo immer große Informationsmengen lange Strecken überwinden müssen, also


bei LAN-Netzwerken (siehe Aufgabe 6.30), Satellitenempfängern (vergliche Auf-
gabe 6.35) oder auch im PC, kann der Systementwurf nur glücken, wenn das Übert-
ragungsverhalten der Leitungen an die angeschlossenen Geräte angepasst ist.8
Die Berechnung einer sehr großen Zahl infinitesimaler Leitungsstückchen ergibt
zusammen mit Gl. (6.47) die so genannten Telegrafen-Gleichungen für eine Leitung
mit der Gesamtinduktivität L, der Gesamtkapazität C und dem Gesamtwiderstand R:


g(Leitung) = jωRC − ω 2 LC

L jR
Z 0 (Leitung) = − . (6.48)
C ωC

Eine verlustlose Leitung hat also ein rein imaginäres Übertragungsmaß und eine
rein reelle charakteristische Impedanz (siehe Aufgabe 6.35). Die Gl.6.47 und 6.48
8 Mit dem PCI-Express ist zum ersten Mal der charakteristische Leitungswiderstand Teil der Spe-

zifikation einer PC-internen Kommunikation geworden, und das bei Leitungslängen deutlich unter
einem Meter (!).
194 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

erlauben es, die in einem System enthaltenen Leitungen wie zusätzliche Bauele-
mente zu behandeln. Eine genaue Herleitung ist in [4] zu finden.

6.3 Antworten zu Kapitel 6

6.1 Die Güte eines Reihenschwingkreises ist um so größer, je kleiner dessen Ohm-
sche Widerstände sind. Beim Parallelschwingkreis gilt genau das Gegenteil: Hier
wirkt ein kleiner Widerstand wie ein Kurzschluss, der den Strom an der Spule und
dem Kondensator vorbei führt.

6.2 Dies ist ein Reihenschwingkreis mit der Resonanz-Kreisfrequenz ω0 = 1/ LC
= 10 GHz. Die Güte beträgt QR = ωL/R = 5. Das ist auch der Faktor, um den
die am Kondensator liegende Spannung erhöht ist, denn f = 1, 6 GHz entspricht
recht genau der Resonanzfrequenz. Das Oxyd muss also eine Spannung von bis zu
Umax = Û · Q = 11, 5 V aushalten.
6.3 Die Durchlassfrequenz f0 ist diejenige, bei der das Spannungsverhältnis am
größten ist: f0 = 1, 4 MHz. Da in der Nähe dieser Frequenz der Spannungsüber-
trag einen symmetrischen Verlauf hat, kann man davon ausgehen, bei der Messung
wirklich das Maximum getroffen zu haben.
Die Grenzfrequenz ist diejenige, bei der der √Spannungsübertrag einen Faktor

1/ 2 unter dem Maximum liegt. Da 20 · log10 ( 2) = 3, 0103... ist, liegt bei der
Grenzfrequenz der Spannungsübertrag gerade 3 db unterhalb des Maximums. In
der angegebenen Wertetabelle ist das bei fg,u = 1, 0 MHz und bei fg,o = 1, 8 MHz
der Fall. Die Bandbreite beträgt also B = 800 kHz.
6.4 Eine Phase von ±45◦ tritt immer auf, wenn der Real- und der Imaginärteil der
Übertragungsfunktion gleich groß sind. Das muss nicht immer eine Grenzfrequenz
sein. Für Übertragungsfunktionen, die die Form T = 1/(1 + j f (ω)) haben, ist dies
der Fall, für viele andere nicht.
6.5 Wenn der Betrag der Übertragungsfunktion bereits im Promille-Bereich ange-
kommen ist, kann von einem Verlauf |T | ∼ f 6 ausgegangen werden. Daher gilt
 6  6
f2 −3 10
|T 2 | = |T 1 | = 10 · = 8, 8 · 10−5 . (6.49)
f1 15

In Dezibel ergibt sich ein Wert von 20 · log10 (8, 8 10−5 ) = −81 dB.
 
u1 i
6.6 Es ist die Impedanz-Matrix (siehe Definition 6.4). Denn =Z· 1
u2 i2
funktioniert nur, wenn die Matrix Z aus Elementen mit der Einheit Ω besteht.
6.7 Für die Berechnung von T wird immer der lastfreie Fall, also gar kein Aus-
gangsstrom angenommen.
6.8 Das ist nach Definition 6.10 die Eingangsadmitanz.
6.3 Antworten zu Kapitel 6 195

6.9 Das ist die Kettenparameter-Matrix (siehe Abb. 6.28, Gl. (6.41) und folgender
Text).
6.10 Dimensionslose Matrixelemente findet man dort, wo das Ergebnis die gleiche
Einheit hat wie der Multiplikator. Wo dies der Fall ist, geht aus den Definitionen
6.4 bis 6.7 hervor, bei den Impedanz- und Admitanz-Matrizen zum Beispiel nie.
Bei der Kettenparameter-Matrix sind die Diagonalelemente dimensionslos, bei der
Hybrid-Matrix sind es die Elemente h12 und h21 .
6.11 Auch diese elementare Vierpolschaltung verdankt, wie in Abb. 6.27 gezeigt,
ihren Namen der Struktur: Die beteiligten Impedanzen sind in Form eines T zusam-
mengeschaltet.
6.12 Gemäß Definition 6.12 spricht man hier von Impedanzanpassung.
6.13 Die Lösung folgt aus der Definition 6.6: Wegen u1 = A11 u2 + A12 i2 kann man
durch Messung des Leerlauf-Spannungsübertrags A11 = uu1 (Leerlau f ) bestimmen.
2
Denn im Leerlauf ist i2 = 0.
6.14 Die Lösung folgt ebenfalls aus der Definition 6.6: Wegen i1 = A21 u2 + A22 i2
kann man durch Messung des Kurzschluss-Stromübertrags A22 = ii1 (Kurzschluss)
2
bestimmen. Denn Kurzschluss bedeutet u2 = 0.
6.15 A11 ist in Definition 6.6 bestimmt, T im Abschnitt 6.2.2. Wegen A11 =
u1 u2 −1 (Vergleich: Lösung der Auf-
u2 (Leerlau f ) und T = u1 (Leerlau f ) ist A11 = T
gabe 6.13)
6.16 Die in Gl. (6.43) geforderte Symmetrie führt zu den in Gl. (6.44) gegebenen
Symmetriebedingungen: Die Determinante ist gleich 1 und die Diagonalelemente
sind gleich.
6.17 Das Produkt aus Eingangskurzschlussimpedanz und Eingangsleerlaufimpe-
danz ist für eine symmetrische Schaltung das Quadrat der charakteristischen Impe-
danz. Dies ergibt sich in der folgenden Weise:
Die Eingangsimpedanz ist gemäß der Definition 6.6
u1 A u + A12 i2
ZE = = 11 2 . (6.50)
i1 A21 u2 + A22 i2

Im Leerlauf fallen die Terme mit i2 weg, bei Kurzschluss die mit u2 . Zusammen mit
Gl. (6.44) ergibt sich dann
A12 A11 A
Z E (kurz) · Z E (leer) = · = 12 . (6.51)
A22 A21 A21

Der Vergleich mit Gl. (6.45) zeigt, dass der letzte Ausdruck in Gl. (6.51) gerade
gleich dem Quadrat der charakteristischen Impedanz ist.
6.18 Grundsätzlich kann jedem Vierpol eine charakteristische Impedanz zugeord-
net werden. Gleichung (6.42) zeigt, dass sie für jeden Satz von Vierpolparametern
196 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

auszurechnen ist. Sie kann allerdings im Extremfall 0 oder ∞ betragen (siehe Abb.
6.29). Im praktischen Alltag sind solche Vierpole nicht anzupassen. Ein Beispiel

Abb. 6.29 zu den Aufgaben


6.18 und 6.28: Beispiele für
Vierpole mit extremen cha-
rakteristischen Impedanzen
(Wellenwiderständen): Der
Längswiderstandsvierpol hat
Z 0 → ∞, der Querwiderstand
ergibt Z 0 = 0

dafür ist in Aufgabe 6.28 gerechnet (Gl. (6.67)).


6.19 Die Impedanz des Reihenschwingkreises hat einen konstanten Realteil ℜ(Z) =
R und einen von der Frequenz abhängigen Imaginärteil ℑ(Z) = QV. Daher ist die
Ortskurve der Impedanz eine senkrechte Linie, die die reelle Achse beim Wert R
schneidet.
Die Ortskurve der Admitanz ist ein Kreis. Dies ergibt sich wie folgt: Wir können
sie als
1 1 − jQV
Y= = (6.52)
Z R(1 + Q2V 2 )
schreiben. In einem x − y-Koordinatensystem mit x = ℜ(Y ) und y = ℑ(Y ) ist dann

1
x=
R(1 + Q2V 2 )
−QV
y= . (6.53)
R(1 + Q2V 2 )

Wenn aus diesem Gleichungssystem die für alle Frequenzen verschiedene Laufva-
riable QV eliminiert wird, folgt die Abhängigkeit y(x) :

x
y=∓ − x2 . (6.54)
R
Das ist die Gleichung für einen Kreis, der symmetrisch zur x-Achse liegt und diese
bei den Werten x01 = 0 und x02 = 1/R schneidet.
6.20 Betrag und Phase des RC-Hochpasses hängen ausschließlich von ωRC =
ω/ωg ab. Trägt man den Betrag oder die Phase des einfachen RC-Hochpasses als
Funktion dieser Größe auf, so kommt für alle denkbaren Bauteilekombinationen im-
mer das gleiche, in Abb. 6.30 gezeigte Bild heraus. Für die Bode-Diagramme der
RC-Hochpässe gilt, wie auch für die der RC-Tiefpässe: Kennt man eins, kennt man
alle...
6.21 Die Übertragungsfunktion der ersten, nur aus Widerständen und Kondensato-
ren bestehenden Schaltung hat die Übertragungsfunktion
6.3 Antworten zu Kapitel 6 197

Abb. 6.30 zur Aufgabe 6.20: Das Bode-Diagramm des RC-Hochpasses sieht für alle Dimensio-
nierungen gleich aus, wenn die Kreisfrequenz auf die Grenzkreisfrequenz ωg normiert wird

1
T= . (6.55)
1 − ω 2 R1C1 R2C2 + jω(R1C1 + R2C2 + R1C2 )

Für einen Butterworth- oder Potenzfilter muss das Betragsquadrat der Übertra-
gungsfunktion die Form
1
|T |2 = (6.56)
1 + αω 4
haben. Dies ist für einen Ausdruck wie (6.55) unmöglich: Von den sechs positiven
Termen, die die Quadratur des Imaginärteils ergeben, wird nur ein einziger (nämlich
2R1 RC1 R2C2 ) durch die Quadratur des Realteiles kompensiert. Daher kann der ω 2 -
Term in der Übertragungsfunktion nicht verschwinden, wie immer man auch die
Bauteile wählt. Anders ausgedrückt: Die erste Option ist keine, denn sie hat keine
Lösung.
Die Übertragungsfunktion der zweiten Option ist
1 1
T= → |T |2 = . (6.57)
1 − ω 2 LC + jωRC 1 + ω 4 L2C2 + ω 2 (R2C2 − 2LC)

Dies ist die zu einem Potenzfilter gehörende Übertragungsfunktion, wenn R2C2 −


2LC = 0 ist, also bei 
R = 2L/C . (6.58)
Wenn diese Randbedingung erfüllt ist, √
dann ist die zweite Option ein Butterworth-
Filter mit der Grenzfrequenz ωg = 1/ LC. Das ist gerade die Resonanzfrequenz
des Reihen-Schwingkreises. Der Verlauf ist in Abb. 6.21 abgebildet.
6.22 Die beiden Bauelemente ganz links in der Schaltung belasten die Spannungs-
quelle U 1 und tragen nichts zur Übertragungsfunktion bei. Übrig bleibt ein Span-
nungsteiler :
198 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

R1  C 1 R1
T= = = . (6.59)
R2 + (R1  C) 1 + R2 R1 + R2 + jR1 R2 ωC
R C 1

Man kann den frequenzabhängigen Teil ausklammern und erhält einen Ausdruck,
dem die Grenzfrequenz schon fast anzusehen ist:
 
R1 1
T= · . (6.60)
R1 + R2 1 + jωC(R1  R2 )

In diesem Fall verschwindet der Imaginärteil bei ω → ∞, und der Realteil des Nen-
ners hängt nicht von der Frequenz ab. Die Grenzfrequenz ist daher in diesem Falle
tatsächlich diejenige, bei der Real- und Imaginärteil im Nenner gleich groß sind.
Daher ist
R1 + R2
ωg = → fg ≈ 10 kHz. (6.61)
R1 R2C
6.23 Die Impedanz ist
 
R + ZC + Z L R + j ωL − ωC
1
Z = (R + ZC + Z L )  ZC = = . (6.62)
R
ZC + ZZ L + 2 2 − ω 2 CL + jωRC
C

Am Betrag
 
1 2
R2 + ωL − ωC
Z= 2 (6.63)
2 − ω 2 CL + (ωRC)2
fällt auf, dass er im Grenzfall R → 0 sowohl einen Pol bei ω 2 CL = 2, als auch eine

Nullstelle bei ω = 1/ LC hat.
6.24 Bei symmetrischen Vierpolen (nur dort) lässt sich der Wellenwiderstand
gemäß Gl. (6.45) aus den Matrixelementen A12 und A21 errechnen. Der Rechenweg
ist in Abschnitt 1.2.2 und in der Lösung zur Frage 6.17 gezeigt.
6.25 Es sind zwei Parameter: Im Allgemeinen hat die Matrix vier frei wählbare
Matrixelemente. Die Austauschbedingungen u1 ↔ u2 und i1 ↔ −i2 reduzieren ent-
sprechend Gl. (6.44) die Zahl auf 4 − 2 = 2 freie Parameter.
6.26 Es bleibt bei den 2 Ω. Denn die charakteristische Impedanz ist gerade so defi-
niert (siehe Definition 6.12), dass eine beliebig große Anzahl verketteter Teilschal-
tungen immer genau diese Ein- und Ausgangsimpedanz hat. Hierfür sei im Folgen-
den der Beweis für zwei symmetrische Vierpole mit der gleichen charakteristischen
Impedanz geführt. Er benutzt die beiden folgenden Additionstheoreme:

cosh(g1 ) · cosh(g2 ) + sinh(g1 ) · sinh(g2 ) = cosh((g1 + g2 ))


cosh(g1 ) · sinh(g2 ) + sinh(g1 ) · cosh(g2 ) = sinh((g1 + g2 )) . (6.64)

Denn es sind genau diese beiden Additionstheoreme, die die Wellenparameter Dar-
stellung so nützlich machen. Hier ergeben sie für die Gesamtschaltung:
6.3 Antworten zu Kapitel 6 199

A = A1 · A2
   
cosh(g1 ) Z 0 sinh(g1 ) cosh(g2 ) Z 0 sinh(g2 )
A= · 1
Z 0 sinh(g1 ) cosh(g1 ) Z 0 sinh(g2 ) cosh(g2 )
1

 
cosh((g1 + g2 )) Z 0 sinh(g1 + g2 ))
A= 1 . (6.65)
Z sinh(g1 + g2 )) cosh(g1 + g2 ))
0

Aus der letzten Gleichung lässt sich die charakteristische Impedanz direkt ablesen.
Gl. (6.65) beweist: Selbst wenn die Struktur einer Schaltung nicht symmetrisch ist,
wenn zum Beispiel g1 = g2 ist, so kann ihr elektrisches Verhalten dennoch symme-
trisch sein.
6.27 Alle Aussagen sind richtig! Und das kommt so:
a) Die Induktivität einer Leiterschleife ist proportional zur umschlossenen Fläche
(siehe Kapitel 2). Hier ist die Fläche das Produkt Leitungslänge mal Abstand. Wenn
der Abstand bei gleicher Länge halbiert wird, so halbiert sich auch die Induktivität.
b) Für Kondensatoren verdoppelt sich bekanntermaßen die Kapazität, wenn der Ab-
stand halbiert wird (siehe Kapitel 2). 
c) Für die verlustlose Leitung ist gemäß Gl. (6.48) Z 0 = L/C. Nach a) und b)
√ also Z 0 .
halbiert sich
d) Da v = Lx ·Cx (siehe Lösung der Aufgabe 6.35, Gl. (6.98)) ist, kürzen sich bei-
de Faktoren von 2 und das Ergebnis bleibt.
Alle Aussagen a) bis d) gelten streng genommen nur bei Drähten mit einem Durch-
messer, welcher viel geringer als ihr Abstand zueinander ist.
6.28 Lösungsstrategie: a) Zunächst für alle Bauelemente die Spannungen so weit
es möglich ist als Funktion der von außen messbaren Ströme hinschreiben,
b) dann für die Admitanz-Matrix entsprechend der Definition 6.6 die Gleichungen
so sortieren, dass i1 = f1 (u1 , u2 ) und i2 = f2 (u1 , u2 ) herauskommt.
Lösung: Die Skizze ist in Abb. 6.29 (links) zu sehen.
a) Aus dieser Skizze ist ersichtlich, dass u1 − u2 = R · i1 und i1 = i2 .
b) Für die Admitanz-Matrix braucht man entsprechend Definition 6.5 Gleichungen,
in denen jeweils nur ein Strom steht. Das ist in diesem Falle:

i1 = u1 /R − u2 /R
i2 = u1 /R − u2 /R

1/R −1/R
Y= . (6.66)
1/R) −1/R

Umsortieren ergibt die Kettenparameter-Matrix:



1R
A= . (6.67)
01

An dieser Darstellung sieht man die Symmetrie der Schaltung und die charakteris-
tische Impedanz Z 0 → ∞.
200 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

6.29 Lösungsstrategie: a) Zunächst für alle Bauelemente die Spannungen. so weit


es möglich ist, als Funktion der von außen messbaren Ströme aufschreiben. Bei
komplizierteren Schaltungen müssen gegebenenfalls für den ersten Schritt Hilfss-
tröme definiert werden, die dann mittels Stromerhaltung aus den Formeln heraus-
gekürzt werden,
b) dann die Gleichungen entsprechend der Definition 6.6 so sortieren, dass Glei-
chungen des Typs u1 = f1 (u2 , i2 ) und i1 = f1 (u2 , i2 ) übrigbleiben.
Lösung: Die Skizze ist in Abb. 6.31 gezeigt.

Abb. 6.31 zur Aufgabe 6.29:


Tierpass als Vierpol und
Definition der äußeren Am-
plituden

a) Beim RC-Tiefpass sind die Bauelemente-Gleichungen u1 − u2 = R · i1 und u2 =


ZC · (i1 − i2 ).
b) Für die Kettenparameter-Matrix werden nun Gleichungen benötigt, in denen der
Index 1 nur einmal vorkommt. Dies ist bei der Impedanzgleichung des Kondensa-
tors der Fall und sie kann umsortiert werden: i1 = Z1 u2 + i2 .
C
Das ist, anders ausgedrückt, schon die untere Hälfte der Kettenparameter-Matrix.
Die Gleichung für den Ohmschen Widerstand ist in ihrer jetzigen Form noch nicht
zu gebrauchen, da sie sowohl u1 als auch i1 enthält. Da zum Komplettieren der
Matrix aber noch eine Gleichung für u1 fehlt, ist es sinnvoll, i1 mit der gerade ge-
fundenen Beziehung aus der Widerstandsgleichung zu eliminieren:

1 R
u1 − u2 = R · i1 = R · ( u2 + i2 ) → u1 = 1 + · u2 + R · i2 . (6.68)
ZC ZC
Damit steht das Endergebnis fest:
 
(1 + R/ZC ) R (1 + jωRC) R
A(RC − Tie f pass) = = . (6.69)
1/ZC 1 jωC 1

Mit der gleichen Lösungsstrategie können auch alle Matrixelemente der in Abb.
6.27 gezeigten elementaren Vierpoltypen (T, Π , X) bestimmt werden.
6.30 Lösungsstrategie: Man kann sicher sein, dass es eine Lösung gibt, denn zu
den zwei freien Parametern, die zu einem symmetrischen Vierpol gehören (verglei-
che Gl. (6.47) kommen zwei Randbedingungen, so dass das System vollständig be-
stimmt ist. Zunächst müssen die gegebenen Randbedingungen in Formeln gegossen
werden. Mit Hilfe einer Kettenparameter-Matrix für eine a priori symmetrische Π -
Schaltung müsste das Ergebnis folgen.
Lösung: Anpassung an 50 Ω bei niedrigen Frequenzen muss heißen:
6.3 Antworten zu Kapitel 6 201

Z 0 (ω = 0) = 50 Ω . (6.70)

Der Pol der Spannungsübertragung bedeutet

A−1
11 ( f Pol = 100 kHz) = 0. (6.71)

Beide Bedingungen können mit Hilfe der Kettenparameter-Matrix für eine symme-
trische Π -Schaltung (siehe Abb. 6.27 mit Z α = Z γ ) mit der Schaltung in Verbindung
gebracht werden.
Die Bestimmung der Kettenparameter-Matrix für eine symmetrische Π -Schaltung
verläuft wie in den letzten beiden Aufgaben und ergibt
  
(1 + Z β /Z α ) Zβ (1 − ω 2 LC) jωL
A= Z = . (6.72)
(2 + Z β )/Z α (1 + Z β /Z α ) jωC(2 − ω 2 LC) (1 − ω 2 LC)
α

Dem oberen linken Matrixelement sieht man an, dass der Spannungsübertrag einen
Pol bei 
1
ωPol = (6.73)
LC
hat. Die beiden Nebendiagonalelemente ergeben nach Gl. (6.45) die charakteristi-
sche Impedanz: 
L
Z 0 (ω = 0) = . (6.74)
2C
Damit sind beide Bauteile bestimmt:
1
C= √
2 · ωPol · Z 0 (ω = 0)

2 · Z 0 (ω = 0)
L= . (6.75)
ωPol
6.31 Bei f = 0 kHz bleiben nur die Ohmschen Anteile R und RL übrig. Da die-
se parallel zueinander liegen, ist der kleinere von beiden entscheidend. Man kann
davon ausgehen, dass dies der Spulenwiderstand ist:

Rgesamt ( f = 0 kHz) = R  RL ≈ RL = 5 Ω. (6.76)

Der Punkt, welcher zur höchsten dargestellten Frequenz gehört, hat, wie Abb. 6.6
zeigt, einen sehr kleinen Realteil, und er befindet sich schon weit vom ℑ(Z) = 0
Achsen-Durchgang der Ortskurve entfernt im Bereich negativer Blindwiderstände.
Hier dominiert also die Leitfähigkeit des Kondensators:
1 1
C≈ = = 1 μF . (6.77)
ω · ℑ(Z) 2π · 100 kHz · 1, 6 Ω

Die Induktivität der Spule ergibt sich aus der Güte:


202 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

ωL QSpule · RL 2·5 Ω
QSpule = →L= =L= ≈ 100 μH . (6.78)
RL ω 2π · 16 kHz
Ein Vergleich mit Abb. 6.14 zeigt, was auch schon durch den Wert QSpule = 2
deutlich wird: Bei diesem Schwingkreis wird die Näherung durch Parallelersatz-
widerstände recht ungenau, wie der Versuch einer Rekonstruktion des Widerstan-
des zeigt: Bei f0 ≈ 16 kHz ist der Parallelersatzwiderstand der Spule RL = (R2L +
ω 2 L2 )/RL = 25 Ω. Die größte Gesamtimpedanz des idealen Parallelschwingkrei-
ses ist erreicht, wenn sich die Suszeptanzen aufheben. Dann bleibt |Z max | = R  RL
übrig. Nach Abb. 6.6 muss das Ergebnis bei ca. |Z max | = 18 Ω liegen. Der tatsächlich
zum Berechnen der Ortskurve verwandte Wert ist aber R = 100 Ω, was |Z max | =
20 Ω entspricht.
6.32 Die Übertragungsfunktion kann mit Hilfe der Knotenpotenzialanalyse be-
stimmt werden:
1 − (ωRC)2
T= . (6.79)
1 − (ωRC)2 + j · 4ωRC
Man sieht, dass bei
ω0 = 1/RC (6.80)
der Spannungsübertrag Null ist.
Zur Bestimmung der Grenzfrequenzen ist es am günstigsten, den gesamten Bruch
in (6.79) durch den Zähler zu kürzen:
1
T= . (6.81)
1 + j · 1−(ωRC)
4ωRC
2

Denn diesem Ausdruck sieht man an, dass er einen maximalen Betrag von 1 ha-
ben kann, und dass die Grenzfrequenz gerade erreicht ist, wenn der Term hinter
dem j gleich 1 ist. Dies ist also ein Beispiel dafür, dass die Grenzfrequenzen oft
(aber nicht immer) mit ±45◦ Phasenverschiebungen einhergehen. Die Lösung des
quadratischen Gleichungssystems ergibt die beiden Grenzfrequenzen
1 √
ωg = · 5±2 . (6.82)
RC
Der Betrag der Übertragungsfunktion ist

|1 − (ωRC)2 |
|T | =  (6.83)
(1 − (ωRC)2 )2 + (4ωRC)2

und die Phase 


4ωRC
φ = − arctan . (6.84)
1 − (ωRC)2
Die Phase macht bei ω = ω0 einen Sprung von φ = −90◦ auf φ = +90◦ . Dies ist nur
scheinbar ein Problem: im Alltag werden die Widerstandsverhältnisse nie exakt so
6.3 Antworten zu Kapitel 6 203

sein, dass die Übertragungsfunktion in Gl. (6.79) ganz korrekt ist. Und sollte dies
doch der Fall sein, dann ist der Punkt der springenden Phase gerade der Punkt, bei
dem die Ausgangsamplitude genau gleich Null ist. Und wen kümmert schon die
Phase einer nicht vorhandenen Ausgangsspannung... ?
6.33 Lösungsstrategie: Aus den beiden Bauelemente-Gleichungen Q = CU und
U = RI kann der Strom eliminiert werden, wenn die Kondensator-Gleichung nach
der Zeit abgeleitet wird. Übrig bleibt eine Differenzialgleichung für die Ausgangs-
spannung.
Lösung: Aus I = C · dtd (U1 − U2 ) und U2 = R · I folgt mit dU1 /dt = 0 eine lineare
homogene Differenzialgleichung:

d dU2
U2 (t) = RC (U1 −U2 ) = −RC (6.85)
dt dt
Diese Gleichung hat eine bekannte Lösung:

U2 (t) = UStart e−t/RC . (6.86)

Abbildung 6.32 zeigt dieses Verhalten. Wenn an den Eingang eines Hochpasses ein

Abb. 6.32 zur Aufgabe 6.33:


Messungen der Ein- und
Ausgangsspannungen an ei-
nem RC-Hochpass. Speist
man diesen mit einem Recht-
ecksignal, so kann er bei
fg fRechteck Nadelimpulse
liefern (Quelle: J. Decking
FH Münster)

Rechtecksignal mit hinreichend kleiner Frequenz gelegt wird, so wird der Ausgang
vor jedem neuen Sprung des Eingangs gleich Null. Die Spitze-Spitze-Spannung des
Ausgangs wird so doppelt so groß wie die des Eingangs, ganz ohne Verletzung des
Energie-Erhaltungssatzes.
6.34 In dieser Aufgabe kann wie in Aufgabe 6.33 der Strom eliminiert werden. In
diesem Fall ist das Ergebnis die folgende inhomogene Differenzialgleichung (DGl.):

dU2 (t)
U2 (t) = U1 (t) − RC . (6.87)
dt
Die Lösung dieser DGl. kann gefunden werden, indem zunächst die dazu gehörige
homogene DGl. allgemein gelöst und dann eine spezielle Lösung der inhomogenen
Gleichung hinzuaddiert wird.
204 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole

Die homoge DGl. hat die Lösung (6.86), allerdings mit noch nicht bekannter
Integrationskonstante U0 :
U2 (t) = U0 e−t/RC . (6.88)
Zu dieser Lösung kann die spezielle Lösung für den Fall U1 = U2 = konst. hinzuad-
diert werden.
U2 (t) = U1 +U0 e−t/RC . (6.89)
Die Integrationskonstante folgt nun aus der Randbedingung U2 (t = 0) = UStart . Ein-
gesetzt in die allgemeine Lösung folgt das Endergebnis

U2 (t) = UStart e−t/RC +U1 1 − e−t/RC . (6.90)

Das heißt, mit der gleichen Zeitkonstanten RC, mit der der Ausgang sich vom An-
fangswert wegbewegt, bewegt er sich auf den Eingangswert zu, um ihn asymptotisch
zu erreichen. Die Differenzialgleichung kann auch mit Hilfe von Transformationen
gelöst werden. Eine Anleitung hierzu ist auch in [3] zu finden.
6.35 Lösungsstrategie: a) Kettenparameter-Matrix für den Spezialfall R = 0 hin-
schreiben und dann für sinh und cosh nach Vereinfachungen suchen. Das geht ohne
Formelsammlung, wenn e jφ anders ausgedrückt werden kann, b) folgt dann zwin-
gend.
c) Da Geschwindigkeit als Verhältnis Strecke pro Zeit definiert ist, muss nach
Größen gesucht werden, in denen die Zeit und der Weg versteckt sind.
Lösung: a) Eine verlustlose Leitung hat R = 0. In diesem Falle vereinfachen sich
die in Gl. (6.48) angegebenen Ausdrücke für das Übertragungsmaß und die charak-
teristische Impedanz:
 √
g(Leitung) = −ω 2 LC = jω LC

Z 0 (Leitung) = L/C . (6.91)

Jetzt muss nachgesehen werden, ob es eine Vereinfachung für die Hyperbelfunktio-


nen bei rein imaginären Argumenten gibt. Tatsächlich findet man:

cosh( jφ ) = cos(φ )
sinh( jφ ) = j · sin(φ ) , (6.92)

so dass die Kettenparameter-Matrix die folgende, einfache Form bekommt:


 √  √
 cos(ω LC) √ j L/C · sin(ω
√ LC)
A= . (6.93)
j C/L · sin(ω LC) cos(ω LC)

b) Die Anpassung erfolgt an einen Ohmschen Widerstand, da die charakteristische


Impedanz keinen Imaginärteil hat. Entsprechend Gl. (6.91) muss L/C = 2500 Ω2
sein.
c) Zunächst wird ein Zusammenhang zwischen der Matrix und der Zeit gesucht. Bei
6.3 Antworten zu Kapitel 6 205

harmonischen Signalen steckt die Zeitverschiebung immer in der Phasenverschie-


bung. Die Phasenverschiebung steckt im Spannungsübertrag. Es muss also zuerst
der Spannungsübertrag bei Anpassung berechnet werden. Aus Gl. (6.93) folgt:

u2 = e− jω LC
u1 . (6.94)

Das Argument der Exponentialfunktion ist die Phasenverschiebung.


Die Suche nach der Zeit wird nun mit Hilfe der Definitionsgleichungen komplexer
Amplituden erfolgreich:
√ √
U 2 e jωt = e− jω LC
U 1 e jωt = U 1 e jω(t− LC)
. (6.95)

Die Ausgangsspannung läuft der Eingangsspannung also um eine Zeit Δt = LC
hinterher.
Um in den Formeln eine Entfernung zu finden, muss man sich erinnern, dass
bei einer Leitung Kapazität und Induktivität gleichmäßig über die Leitungslänge Δ x
verteilt sind:

L = Lx · Δ x
C = Cx · Δ x . (6.96)

Dabei sind Lx und Cx die Induktivitäts- und Kapazitätsbelege der Leitung. Also gilt
√ 
Δt = LC = LxCx · Δ x . (6.97)

Und so folgt aus Gl. (6.97) die Signalgeschwindigkeit


1
v= √ = 267 · 103 km/s . (6.98)
LxCx
(Der Induktivitätsbelag ergibt sich aus der Anpassungsbedingung und dem Kapa-
zitätsbelag von 75 pF/m.)
Wenn Sie diese Aufgabe ohne oder mit nur wenig Hilfe gelöst haben sollten, können
Sie allen weiteren Fragen und Aufgaben der Vierpoltheorie mit großer Gelassenheit
entgegensehen.
6.36 Lösungsstrategie: Hier ist das Gesamtsystem inklusive einer angepass-
ten Spannungsquelle und einem nicht unbedingt angepassten Verbraucher zu be-
trachten. Daher muss nach einem Strom-Spannungsvektor für die Quelle, einer
Kettenparameter-Matrix für das Kabel und einem Strom-Spannungsvektor für den
Verbraucher gesucht werden.
Lösung: Eine an 75 Ω angepasste Spannungsquelle ist eine, die selbst einen In-
nenwiderstand von RI = 75 Ω hat. Dieser lässt sich, wie in Abb. 6.26 gezeigt, als
Reihenschaltung einer idealen Spannungsquelle u0 und dem Innenwiderstand RI
darstellen. Die vom LNB gelieferte Spannung ist also u1 = u0 − RI · i1 . Die ange-
passte Quelle kann dann entsprechend Gl. (6.40) als
206 6 Frequenzselektion durch Zwei- und Vierpole
 
u1 u0 − RI · i1
= (6.99)
i1 i1

beschrieben werden.
Der Widerstand des Verbrauchers kann durch das Ersetzen i2 → u2 /RL eingearbeitet
werden. Zusammen mit Gl. (6.93) folgt dann die Gesamtsystembeschreibung:
  
u0 − RI · i1 cos(ω/ω0 ) j · Z 0 · sin(ω/ω0 ) u2
= · (6.100)
i1 j · sin(ω/ω0 )/Z 0 cos(ω/ω0 ) u2 /RL

Diese Matrixgleichung steht für zwei lineare Gleichungen, von denen die untere
(i1 = ...) in die obere eingesetzt werden kann, um den Zusammenhang von u0 und
u2 zu erhalten. Die Tatsache, dass ω0 an dieser Stelle nicht bekannt ist, sollte nicht
daran hindern, weiterzurechnen! Man erhält
 

RI Z 0 RI
u0 = 1 + cos(ω/ω0 ) + + j · sin(ω/ω0 ) · u2 . (6.101)
RL RL Z 0

Für den Fall des angepassten LNB (RI = Z 0 ) vereinfacht sich Gleichung 6.101 zu

RI
u0 = 1 + e jω/ω0 · u2 . (6.102)
RL

Aus Gl. (6.102) folgt unmittelbar, dass der Betrag der Ausgangsspannung begrenzt
ist: Er ist 0 im Kurzschlussfall, |u2 | = |u1 | = |u0 | /2 bei Anpassung und |u2 | = |u1 | =
|u0 |, wenn kein Verbraucher angeschlossen ist. Ist auch der Verbraucher angepasst,
so erhält er die gesamte vom LNB gelieferte Energie:
√ √
|u2 (Anpassung)| = P · R = 100nW · 75 Ω = 0.866 mV . (6.103)

Wenn der Lastwiderstand verzehnfacht wird, so verzehnfacht sich aber nicht die an
ihm liegende Spannung, dann gilt entsprechend Gl. (6.102) dass

u (R ) 2
2 L,10− f ach =
u2 (RL,angepasst ) 1.1 . (6.104)

Gleichzeitig geht der Strom drastisch zurück, und die Leistung sinkt gemäß P =
|u2 |2 /R auf 3.3 nW.

Literaturverzeichnis

1. siehe http://www.semlab.com/examples
2. Tietze, Schenk, Gamm: Halbleiter-Schaltungstechnik, Springer 2010, ISBN 978-3-642-
01621-9
3. Tildon H. Glisson: Introduction to Circuit Analysis and Design, Springer 2011, ISBN
9789048194421
Literaturverzeichnis 207

4. siehe www.fh-muenster.de/el-labor/analog/analog2.php
5. Rolf Unbehauen: Grundlagen der Elektrotechnik II, Springer Berlin, 2000, ISBN 3-540-
66018-6
Kapitel 7
Transistorschaltungen

Zusammenfassung In diesem Kapitel werden die Eigenschaften elementarer Tran-


sistorschaltungen aus den Eigenschaften der aktiven Bauelemente abgeleitet. Tech-
niken zum Entwurf und zur Berechnung von Bipolar-Transistorschaltungen und von
CMOS-Schaltungen werden ebenso behandelt wie Methoden zur sicheren Entwick-
lung von Kleinsignal-Ersatzschaltbildern. Außerdem werden Wege zur Stabilisie-
rung der Schaltungen gegen Temperatur- und Parameterschwankungen aufgezeigt.

7.1 Fragen zu Transistorschaltungen

7.1.1 Einfache Fragen

7.1. Die minimale Emitterschaltung besteht, wie Abb. 7.12 zeigt, aus einem Tran-
sistor und zwei Widerständen. Wie groß sind der differenzielle Eingangswiderstand
rEin und der differenzielle Ausgangswiderstand rAus dieser Schaltung?

7.2. Die Spannungsverstärkung der Stromgegengekoppelten Emitterschaltung (sie-


he auch Abb. 7.14) ist im lastfreien Fall durch den Kollektorwiderstand RC und den
Emitterwiderstand RE gegeben: VU ≈ −RC /RE . Wie muss diese Formel modifiziert
werden, wenn am Ausgang eine Last RL hinzukommt?

7.3. Welche Bipolar-Transistorschaltung verstärkt nur Spannungen, welche nur Ströme


und welche sowohl Spannungen als auch Ströme?

7.4. Für eine Platine mit einer VCC = 3, 2 V Spannungsversorgung soll eine Kollek-
torschaltung entwickelt werden. Die wichtigste Vorgabe lautet: Die Schaltung soll
möglichst große Eingangsspannungs-Amplituden verzerrungsarm übertragen. Für
welche Arbeitspunkt-Basisspannung muss die Schaltung dimensioniert werden?

7.5. Zwei NPN-Transistoren mit β1 = 49 und β2 = 39 werden zu einer Darlington-


Schaltung verbunden. Welche Gesamt-Stromverstärkung hat diese? a) βgesamt = 88,

209
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-642-33495-5_7,
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
210 7 Transistorschaltungen

b) βgesamt = 1999, c) das hängt vom Kontext ab, d) βgesamt = 2000, e) alles falsch!
Mein Ergebnis lautet βgesamt = ...

7.6. Wie würde sich das Verhalten der in Abb. 7.21 gezeigten Gegentakt-Endstufe
ändern, wenn man die beiden Transistoren vertauschen würde?

7.7. Welche Vorteile hat die CMOS-Digitaltechnik verglichen mit der TTL-Logik?

7.8. Stimmt die folgende Aussage: Im Umschaltpunkt eines CMOS-Inverters, also


bei VEin = VAus , sind beide Transistoren im Abschnürbereich. Bitte begründen Sie
Ihre Antwort.

7.9. Wie groß ist die Stromverstärkung VI eines CMOS-Inverters mit βP = βN =


2 mA/V2 und UT h,N = −UT h,P = 0, 7 V im Umschaltpunkt bei einer Last von RL =
1 kΩ?

7.10. Wie gelangt ein MOS-Transistor in den Rückwärtsbetrieb?

7.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben

7.11. Im Motorraum eines Automobils können Temperaturen zwischen −40 ◦ C und


+120 ◦ C auftreten. Schätzen Sie bitte ab, um wie viel Volt sich die Ausgangsspan-
nung des Arbeitspunktes einer minimalen Emitterschaltung (Abb. 7.12) mit den
Werten RB = 50 kΩ, RC = 1kΩ , VCC = 12 V, UBE (0◦C) = 0, 65 V und B = 25
in diesem Temperaturbereich ändern kann. Bestimmen Sie bitte auch, wie groß
die Schwankungsbreite der Ausgangsspannung aufgrund der Fertigungstoleranz des
Transistors (σB /B ≈ ±20%) ist.

7.12. Bitte zeichnen Sie das Kleinsignal-Ersatzschaltbild einer Darlington-Schaltung


aus zwei NPN-Transistoren mit den Kleinsignalparametern rBE1 , β1 und rBE2 , β2 .
Nehmen Sie 1/rCE = 0 für beide Transistoren an und leiten Sie einen Ausdruck für
die gesamte Stromverstärkung und für den Emitter-Basis-Widerstand der Gesamt-
schaltung her.

7.13. Kann man aus einem PNP-Transistor einen Schottky-Transistor machen? Und
wenn ja: Wie muss die Schottky-Diode angebracht werden?

7.14. Bitte zeichnen Sie das Kleinsignal-Ersatzschaltbild einer Strom-gegengekoppelten


Emitterschaltung und lesen Sie daraus den Eingangswiderstand und den Ausgangs-
widerstand ab.

7.15. Abbildung 7.1 zeigt eine teilweise Strom-gegen gekoppelte Emitterschaltung.


Bei dieser Schaltung sind VCC = 10 V, h11 = 2 kΩ und B = β = 160. Der Arbeits-
punkt des Transistors soll für VCC = 10 V auf einen Basisstrom von IB = 25 μA
bei UBE = 0, 6 V eingestellt werden. Im Arbeitspunkt liegt zwischen Kollektor
7.1 Fragen zu Transistorschaltungen 211

Abb. 7.1 zur Aufgabe


7.15: Emitterschaltung mit
Basis-Vorspannung und DC-
Stromgegenkopplung

und Emitter gerade die halbe Versorgungsspannung. Das Potenzial des Emitters ist
VE = 1 V. Der Kondensator CE kann als sehr groß angesehen werden.
a) Wie groß ist RC zu wählen? b) Wie groß muss RB2 gewählt werden, wenn
er den vierfachen Basisstrom führen soll (I(RB2 ) = 4IB ) ? c) Wie groß ist RB1 ? d)
Wie groß ist die Spannungsverstärkung für Wechselstrom-Signale VU (AC), wenn
der Early-Effekt vernachlässigt werden kann? e) Wie groß ist der Kleinsignal-
Eingangswiderstand der Schaltung?

7.16. Abbildung 7.2 zeigt den ersten Versuch des Entwurfs einer Gegentakt-Endstufe.

Abb. 7.2 zur Aufgabe 7.16:


Noch nicht ganz praxis-
taugliche Gegentakt-Endstfe
mit Last RL

Bitte skizzieren Sie qualitativ die Übertragungsfunktion VAus (VEin ) im Bereich


V− < VEin < V+ . Der Lastwiderstand RL sei hochohmig.

7.17. Abbildung 7.3 zeigt den Querschnitt durch die Transistoren eines CMOS-

Abb. 7.3 zur Aufgabe 7.17:


Querschnitt durch die beiden
Transistoren eines CMOS-
Inverters auf einem Silizium-
Chip

Inverters. Bitte bestimmen Sie, welche Gebiete welche Dotierungen haben und wo
212 7 Transistorschaltungen

die Anschlüsse der Transistoren liegen (ein Body Anschluss fehlt). Ist das Substrat
an der positiven oder an der negativen Versorgungsspannung angeschlossen?

7.18. Gegeben sei die in Abb. 7.4 gezeigte Schaltung mit βN = 0, 1 mA/V2 und

Abb. 7.4 zur Aufgabe 7.18:


NMOS-Transistor zwischen
zwei sehr unterschiedlich
großen Widerständen

UT h,N = 0, 5 V.
a) Bitte bestimmen Sie die Source- und Drain-Potenziale für VEin = 1, 5 V!
b) Mit welchem Wert für den Drain-Widerstand würde man bei ansonsten un-
veränderter Schaltung ein Drain-Potenzial von 2 V erhalten? c) Ab welchem Wert
für den Drain-Widerstand würde der Transistor bei VEin = 1, 5 V den Sättigungsbe-
trieb verlassen und in den Anlauf übergehen?

7.19. Aus zwei NMOS-Transistoren und einem Widerstand kann eine Stromsenke
realisiert werden.
a) Bitte zeichnen Sie das Schaltbild.
b) Bei VDD = 12 V und R = 2 kΩ stellt sich ein Gate-Potenzial von VG = 1, 2 V ein,
und die Stromsenke hat einen Innenwiderstand von 60 kΩ. Welcher Strom fließt
durch den Widerstand und wie groß ist βN , wenn UT h,N = 1 V vorausgesetzt wird?
c) In welcher Größenordnung liegt der von der Senke gezogene Strom?
d) In welchem Bereich von Eingangsspannungen funktioniert die Schaltung als
Stromsenke?

7.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben

7.20. Abbildung 7.5 zeigt die Minimalversion einer Emitterschaltung mit Span-
nungsgegenkopplung. Bitte zeigen Sie, dass durch geschickte Dimensionierung ent-
weder die Temperaturabhängigkeit oder die Abhängigkeit von der Produktionsstreu-
ung der Transistor-Stromverstärkung B gesenkt werden kann, dass beides gleichzei-
tig aber ohne zusätzliche Bauelemente nicht möglich ist.

7.21. Bitte entwickeln Sie ein vereinfachtes Schaltbild für eine Basisschaltung (sie-
he Abb. 7.17) für den Grenzfall B → ∞ und C → ∞. Leiten Sie dann aus diesem
Schaltbild das vereinfachte Kleinsignal-Ersatzschaltbild der Basisschaltung ab.
7.1 Fragen zu Transistorschaltungen 213

Abb. 7.5 zur Aufgabe 7.20:


Emitterschaltung mit Span-
nungsgegenkopplung. Eine
Erhöhung des Basisstromes
führt zu einem Absinken von
VAUS , damit zu einer gerin-
geren Spannung an RB und
so zu einem zurückgeregelten
Basisstrom.

Abb. 7.6 zur Aufgabe 7.22:


NAND-Gatter der TTL-Serie
74S00 (Nach [1]) mit Multi-
Emitter-Transistor links,
squaring network unten
und einem einzigen Nicht-
Schottky-Transistor (T4 )

7.22. Abbildung 7.6 zeigt ein NAND-Gatter der TTL-Serie 74S00.


a) Bitte erklären Sie die Funktion der beiden Schottky-Dioden.
b) Warum sind die meisten Transistoren Schottky-Transistoren?
c) Bitte erklären Sie das Zusammenspiel der Transistoren T3 und T4 . Wie nennt man
eine solche Kombination?
d) Stimmt es, dass im schlimmsten Fall ein Querstrom von
IQuer > (VCC − 2UD )/(50 Ω) fließen kann?
e) Bitte bestimmen Sie die internen Potenziale sowohl für den Fall V1 = V2 = 5 V
als auch für V1 = 0 V und V2 = 5 V mit VCC = 5 V. Dabei falle über allen vorwärts
gepolten Schottky-Dioden eine Spannung von 0,3 V und über den PN-Übergängen
0,6 V ab; Ausnahme: Über den Ausgangs PN-Übergängen fallen 0,7 V ab.
f) Warum ist der Transistor T4 kein Schottky-Transistor? g) Die Kombination des
Transistors T6 mit den beiden angeschlossenen Widerständen wird im Amerikani-
schen squaring network genannt. Wie unterscheidet sich dessen Funktionsweise von
der eines einfachen Basis-Vorwiderstands?
214 7 Transistorschaltungen

7.23. Für Analog-Digitalwandler werden so genannte Komparatoren verwandt. Das


sind Schaltungen, die zwei Eingangsspannungen vergleichen und je nachdem, wel-
che größer ist, VAus =0 V, oder VAus = VDD ausgeben. Der Kern eines jeden Kompa-
rators ist ein übersteuerter Spannungsverstärker auf einem einzelnen Chip.
Abbildung 7.7 zeigt die erste Stufe eines solchen Komparators. V1 und V2 sind die

Abb. 7.7 zur Aufgabe 7.23:


Erste Stufe eines Kompara-
tors; die drei Schalter sind
Transfer-Gatter. Die Kapa-
zitäten CC dienen der Si-
gnalweitergabe, CL sind die
Kapazitäten der Leitungen

zu vergleichenden Spannungen. Durch den Schalter SV erhält der Inverter (verglei-


che Abb. 7.23) dasjenige Eingangspotenzial, bei dem seine Kennlinie am steilsten
ist, der Inverter also die größte Spannungsverstärkung besitzt. Wenn SV geschlossen
ist, ist der Inverter für V1 und V2 unsensibel. Alle Schalter sind als Transfer-Gatter
(siehe Abb.7.26) realisiert.
a) Finden Sie eine vernünftige Abfolge von Schalterstellungen, so dass am Ende
VAus mit möglichst großer Verstärkung den Unterschied von V1 und V2 weitergibt.
b) Welche Parameter der Invertertransistoren sind für die Qualität der Gesamtschal-
tung entscheidend?
c) Falls CC = 1 pf, und CL = 0, 2pF, CGDO (NMOS) = 5 fF und CGDO (PMOS) = 8 fF
sind, welche Spannung stellt sich am Ausgang des Komparators nach dem Öffnen
von SV ein? (VDD = 3, 3V, VU (Inverter) = 60 )
d) Wie viele Bits Auflösung wären das Maximum, was dieser Komparator einem
ADC erlaubt?
e) Wie könnte die Auflösung verbessert werden?

7.2 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen

Im Folgenden werden die Prinzipien erklärt, auf denen die Konstruktion von Tran-
sistorschaltungen beruht. Die Eigenschaften der Emitter-, Kollektor-, und Basis-
schaltung und Techniken zu deren Verbesserung werden ebenso vorgestellt wie das
Verhalten der MOS-Grundschaltungen. Für die Analyse komplexerer aktiver Schal-
tungen sei auf die Literatur [2, 3, 4] verwiesen.
7.2 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen 215

7.2.1 Grundschaltungen des Bipolar-Transistors

Die Grundschaltungen werden nach demjenigen Anschluss benannt, der jeweils auf
konstantem Potenzial liegt. Sie werden durch ihren Arbeitspunkt sowie durch ihre
Verstärkereigenschaften charakterisiert.
Definition 7.1. Der Arbeitspunkt einer Schaltung ist die Menge aller Ströme und
Spannungen, die sich im langfristigen Mittel einstellt.
In der Regel wird davon ausgegangen, dass der Arbeitspunkt durch verschwindende
Ein- und Ausgangsströme gekennzeichnet ist. Dem liegt die in Abb. 7.8 skizzierte
Annahme zugrunde, dass das zu verstärkende Signal nur kapazitiv in die Schaltung

Abb. 7.8 System-Einbindung


von Bipolar-Schaltungen. Bei
der Berechnung des Arbeits-
punktes wird von einer Poten-
zialentkopplung der Ein- und
Ausgänge ausgegangen

(in Abb. 7.8: IEin ) eingekoppelt ist.


Alle Verstärkereigenschaften werden als Änderungen gegenüber diesem Arbeits-
punkt verstanden.
Definition 7.2. Die Spannungsverstärkung VU ist das Verhältnis VU = ΔVAus /ΔUEin .
Für kleine Änderungen gilt die lineare Näherung

dVAus uAus
VU = = . (7.1)
dVEin uEin
In diesem Kapitel wird ausschließlich diese Näherung verwandt. Wenn keine Last
angegeben wird, ist mit der Spannungsverstärkung immer die Verstärkung ohne Last
gemeint.
Für die Stromverstärkung gilt Entsprechendes:
Definition 7.3. Die Stromverstärkung VI ist das Verhältnis VI = Δ IAus /Δ IEin .
Auch hier wird nur der folgende Fall betrachtet:

dIAus iAus
VI = = . (7.2)
dIEin iEin
Die Stromverstärkung kann immer nur zusammen mit einer Last, meist ein Lastwi-
derstand RL , angegeben werden. Denn im lastfreien Fall fließt kein Ausgangsstrom
und VI = 0. Mit den Ein- und Ausgangswiderständen sind die in Abb. 7.9 skizzierten
Größen gemeint.
216 7 Transistorschaltungen

Abb. 7.9 Modellvorstellungen zur Bestimmung von Ein- und Ausgangswiderstand

Definition 7.4. Der Eingangswiderstand ist das Verhältnis der Änderungen rEin =
ΔVEin /Δ IEin bei konstanter Last RL . Der Ausgangswiderstand ist das Verhältnis der
Änderungen rAus = ΔVAus /Δ IAus bei konstantem Eingangspotenzial und einer idea-
len, variablen Spannungsquelle am Ausgang.

Vorsicht Falle! Wer den Ausgangswiderstand als uAus /iAus unter der Annahme
einer festen Last RL bestimmt, der erhält wegen der Gültigkeit des Ohmschen Ge-
setzes nur RL = uAus /iAus und erfährt nichts über die Eigenschaften der analysierten
Transistorschaltung. Um genau diesen Fehler zu vermeiden, wird für die Bestim-
mung von rAus am Ausgang eine ideale Spannungsquelle angenommen. Am ein-
fachsten ist das Ablesen der Ein- und Ausgangswiderstände direkt aus der Schal-
tung. Für den Fall, dass der Kollektor-Kleinsignalwiderstand rCE keine Rolle spielt,
ist dies fast immer möglich. Man muss sich allerdings vorher über die Wirkung der
gesteuerten Stromquellen auf die Wirkung der Widerstände im Klaren sein.
Abbildung 7.10 zeigt, dass Widerstände hinter dem Emitter von der Basis aus

Abb. 7.10 Vereinfachung


von Kleinsignal-
Ersatzschaltbildern bei ge-
steuerten Stromquellen. Diese
Technik funktioniert, wenn
1/rCE = 0 ist oder wenn rCE
parallel zur Stromquelle liegt.

gesehen um den Faktor (1 + β ) vergrößert erscheinen. Der Basiswiderstand rBE


und alle Widerstände vor der Basis erscheinen dagegen vom Emitter aus gesehen
um den gleichen Faktor verkleinert.
Für die Berechnung von Bipolar-Transistorschaltungen zeigt die Erfahrung:
7.2 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen 217

Wer den Basisstrom einer Transistorschaltung kennt, findet schnell alle wei-
teren Ströme und Spannungen.

Daher ist es eine erfolgversprechende Strategie, alle interessierenden Größen im-


mer zunächst als Funktion des Basisstromes darzustellen.
Transistorschaltungen sind anfällig für Temperaturschwankungen und Fertigungs-
toleranzen. Für die meisten PN-Übergänge ist die Faustregel

ΔUD mV
=≈ −2 (7.3)
ΔT K
eine hinreichend genaue Näherung. Hinzu kommt, dass die Verstärkung oft sehr
stark von der Temperatur abhängt. Abbildung 7.11 zeigt dies am Beispiel eines in

Abb. 7.11 Temperatur-


abhängigkeit der Kleinsignal-
Verstärkung als Funktion des
Kollektorstromes für drei
verschiedene Temperaturen
am Beispiel des Transistors
BC239 [5]. An diesem Bei-
spiel wird deutlich: Robuste
Schaltungen sind nur solche,
deren Eigenschaften nicht von
einem bestimmten Wert für β
abhängen

Großserie gefertigten Transistors. Wenn die Temperaturabhängigkeiten zusammen


mit den Fertigungsschwankungen, die leicht

ΔB Δβ
≈ ≈ ±20% (7.4)
B β

erreichen können, auftreten, kann eine Schaltung leicht unbrauchbar werden. Im


Folgenden werden auch Schaltungsvarianten gezeigt, die gegenüber diesen Effekten
robust sind.
218 7 Transistorschaltungen

Emitterschaltung
Die Minimalform der Emitterschaltung ist in Abb. 7.12 zu sehen. Nimmt man zwi-

Abb. 7.12 Minimalform der


Emitterschaltung: Namensge-
bend ist das feste Emitterpo-
tenzial

schen Basis und Emitter konstante Spannung von etwa UD ≈ 0, 6...0, 7 V an, dann
folgen unter der Annahme, dass weder von links noch von rechts Strom in die Schal-
tung fließt, die Potenziale und Ströme des Arbeitspunktes:

VEin = UD
IB = (VCC −UD )/RB
IC = B · IB = B · (VCC −UD )/RB
VAus = VCC − RC · IC = VCC − RC · B · (VCC −UD )/RB . (7.5)

Dabei ist IB der Strom in die Basis hinein, IC der Strom in den Kollektor hinein und
B = IC /IB die Stromverstärkung des Transistors.
Zur Berechnung der Spannungs- und Stromverstärkung wird das in Abb. 7.13
gezeigte Ersatzschaltbild verwandt. Der Kleinsignal-Basisstrom ist iB = uEin /rBE .

Abb. 7.13 Kleinsignal-


Ersatzschaltbild der in Abb.
7.12 gezeigten Minimalform
der Emitterschaltung

Die Stromquelle liefert daher β iB und erzeugt so am Ausgang eine Kleinsignal-


Spannung uAus = −(rCE  RC ) ·β iB . Die Spannungsverstärkung im Leerlauf ist dann

uAus rCE  RC
VU = = −β . (7.6)
uEin rBE
Vernachlässigt man den Early-Effekt (siehe Abschnitt 3.2.4) , dann kann rCE weg-
gelassen werden, und man erhält
uAus RC
VU = ≈ −β = −S · RC . (7.7)
uEin rBE
7.2 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen 219

Der Parameter S = β /rBE wird Steilheit des Transistors genannt.


Zur Berechnung der Stromverstärkung muss irgendeine Last zwischen dem Aus-
gang und dem Nullpotenzial angenommen werden, denn ohne Last kein Strom. Ge-
nau wie im Kapitel 6 und entsprechend Abb. 7.8 wird der Eingangsstrom in die
Schaltung hinein und der Ausgangsstrom aus der Schaltung heraus definiert. Der
Stromteiler am Eingang liefert iB = i(rBE ) = iEin · (RB  rBE )/rBE . Am Ausgang
liegt die Last parallel zu den Widerständen RC und rCE . Der Stromteiler heißt hier
iAus = β iB · (rCE  RC  RLast )/RLast Die Stromverstärkung ist so

iAus (rCE  RC  RLast ) · (RB  rBE )


VI = =β . (7.8)
iEin RLast · rBE

In vielen Fällen ist RB rBE und 1/rCE ≈ 0. Dann findet man die oft zitierte Formel

iAus (RC  RLast ) RC


VI = ≈β =β . (7.9)
iEin RLast RLast + RC

Die Stromverstärkung kann also fast den Wert β erreichen.

Die Emitterschaltung ist ein Spannungsverstärker und gleichzeitig ein durch


die Transistor-Stromverstärkung begrenzter Stromverstärker. Sie ist daher ein
Leistungsverstärker.

Um die Emitterschaltung robuster gegenüber Temperaturschwankungen und Fer-


tigungstoleranzen zu machen, wird die Technik der Stromgegenkopplung einge-
setzt. Abbildung 7.14 zeigt das Prinzip. Deutlich robuster ist die um zwei Wi-

Abb. 7.14 Emitterschaltung


mit Stromgegenkopplung.
RE sorgt für eine reduzierte
aber gegenüber Tempera-
turschwankungen von UD
weniger anfällige Spannungs-
verstärkung. Im Verbund
mit RE sorgt der zweite Ba-
siswiderstand RB2 für eine
verringerte Abhängigkeit vom
genauen Wert für B bzw. β

derstände erweiterte Schaltung. Der Emitter-Widerstand RE dient der Temperatur-


stabilisierung, der Widerstand RB2 reduziert die Abhängigkeit vom genauen Wert
von B .
RE wirkt wie folgt: Eine Erhöhung des Basisstroms bringt eine Erhöhung des
Emitterstroms und mit Hilfe des Emitterwiderstandes eine Erhöhung des Emitter-
220 7 Transistorschaltungen

potenzials. Durch diese Erhöhung sinkt die Basis-Emitter Spannung und so der Ba-
sisstrom. Daher spricht man von Stromgegenkopplung: RE sorgt dafür, dass sich
der Basisstrom selbst zurückregelt. Für eine quantitative Analyse wird zunächst der
Kollektorstrom als Funktion der Basis-Emitter-Spannung UBE bestimmt:1

VCC RB1RR B1
B2
−UBE
IC = 1 . (7.10)
B · (RB1  RB2 ) + RE B
B+1

Für große Werte von B wird die IC ≈ VCC · RRB1B1R UBE


·RE − RE . Die Änderung des
B2

Kollektorstromes mit der Änderung der Basis-Emitter-Spannung ist daher Δ IC ≈


− R1E · ΔUBE . Bis auf einen Faktor RC ist dies gerade die Änderung des Potenzials
des Arbeitspunktes:
RC
ΔVAus ≈ − · ΔUBE . (7.11)
RE
Je größer der Emitterwiderstand RE , um so weniger hängt der Arbeitspunkt von UD
ab. Die Kleinsignalanalyse (vergleiche Abb. 7.31) zeigt weiter, dass sich RE auch
stabilisierend auf die Spannungsverstärkung auswirkt, denn sie ergibt

β RC
VU = − . (7.12)
rBE + (1 + β )RE

Wenn RE so groß gewählt wird, dass rBE (1 + β )RE , dann wird die Spannungs-
verstärkung von den Transistorparametern praktisch unabhängig:
RC
VU ≈ − . (7.13)
RE
Um die Arbeitspunkt-stabilisierende Wirkung von RB2 zu sehen, muss man sich
fragen: Wann hängt der Kollektorstrom nur noch schwach von B ab? Nach der For-
mel für den Kollektorstrom (7.10) genau dann, wenn

RB1  RB2 RE · (B + 1), (7.14)

also wenn RB1 oderRB2 klein ist oder beide. Ein sehr niederohmiger RB1 würde aber
den Stromverbrauch der Schaltung sehr stark ansteigen lassen. Ein sehr niederoh-
miger RB2 würde - auch nicht besser - den Transistor abschalten. Gleichung (7.12)
wird am besten so interpretiert: Wenn an der Basis deutlich mehr Strom vorbeifließt
als in die Basis hinein, dann wird die Abhängigkeit von B klein.
Die Kleinsignalanalyse zeigt weiter, dass sich hinreichend niederohmige Basis-
widerstände auch stabilisierend auf die Stromverstärkung VI auswirken. Zu deren
Berechnung wird dem Kleinsignal-Ersatzschaltbild am Ausgang eine Last RL ge-
gen Masse hinzugefügt. Man erhält

1 der Einfachheit halber ohne den Early-Effekt, also mit 1/rCE = 0


7.2 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen 221

RC β (RB1  RB2 )
VI = · . (7.15)
RC + RL rBE + (1 + β )RE + (RB1  RB2 )

Die Stromverstärkung wird unter fast der gleichen Voraussetzung von β unabhängig,
wie der Arbeitspunkt von B (siehe Gl. (7.14)) unabhängig wird:

RB1  RB2 RE · (β + 1) . (7.16)

Man sieht auch hier: Der Widerstand RB2 ist nur zusammen mit dem Emitterwi-
derstand RE sinnvoll. Er sorgt im Verbund mit ihm für einen von B unabhängigen
Arbeitspunkt und für eine von β unabhängige Stromverstärkung. Der Preis ist nicht
nur eine reduzierte Stromverstärkung, sondern auch eine reduzierte Eingangsimpe-
danz.
Neben der Stromgegenkoppplung gibt es auch die Technik der Spannungsgegen-
kopplung (siehe Abb. 7.5). Kern der Spannungsgegenkopplung ist die Stromver-
sorgung der Basis über einen Widerstand zwischen ihr und dem Kollektor. Dieser
Widerstand sorgt für eine negative Rückkopplung: Steigt der Basisstrom, steigt der
Kollektorstrom. Steigt der Kollektorstrom, fällt das Kollektor-Potenzial. Fällt das
Kollektor-Potenzial, nimmt die Kollektor-Basis-Spannung ab. Nimmt die Kollektor-
Basis-Spannung ab, wird der Basisstrom kleiner. So regelt sich der Basisstrom
selbst zurück und macht die Schaltung weniger temperaturanfällig und weniger
anfällig für Prozessstreuungen der Transistor-Stromverstärkung (Details siehe Auf-
gabe 7.20).

Kollektorschaltung
Die Minimalform der Kollektorschaltung ist in Abb. 7.15 zu sehen.2 Der Pfeil im

Abb. 7.15 Kollektorschaltung.


Der Kollektor liegt auf kon-
stantem Potenzial

Transistorsymbol deutet darauf hin, dass bei der Kollektorschaltung zwischen VEin
und VAus nur ein PN-Übergang liegt, der im Normalfall in Durchlassrichtung gepolt

2 Die theoretisch mögliche Variante mit nur einem Basiswiderstand ist so wenig robust, dass sie
nicht weiter diskutiert werden soll.
222 7 Transistorschaltungen

ist. Daher folgt die Ausgangsspannung um ca. 0, 6 − 0, 7 V verschoben der Ein-


gangsspannung, und die Spannungsverstärkung ist fast genau VU = 1.
Zur Bestimmung der Eingangsspannung des Arbeitspunktes bestimmt man am
besten den Basisstrom zunächst von der Eingangsseite (IB = VRCC − R VEin ), dann
B1 B1 RB2
von der Ausgangsseite ((B + 1)IB = (VEin −UD )/RE ), um ihn dannherauszukürzen:

VCC UD
VEin = + · (RB1  RB2  [(B + 1)RE ]) . (7.17)
RB2 (B + 1)RE

Ein Blick auf die Schaltung (Abb. 7.15) zeigt: Ist VEin bekannt, ist die Bestimmung
von VAus und die der Ströme nicht mehr aufwändig.
Der Arbeitspunkt der in Abb. 7.15 gezeigten Kollektorschaltung enthält be-
reits zwei Basiswiderstände und einen Emitterwiderstand. Sie kann daher alleine
durch Dimensionierungsmaßnahmen von der Temperatur und von Variationen der
Transistor-Parameter unabhängig gemacht werden. Denn wird

(B + 1)RE RB1  RB2 (7.18)

gewählt, dann wird für jede Dimensionierung, bei der die beiden Basiswiderstände
von ähnlicher Größenordnung sind, VEin unabhängig von B. Die Bedingung (7.18)
wird oft so formuliert: Der Arbeitspunkt der Kollektorschaltung ist dann stabil,
wenn deutlich mehr Strom durch die Basiswiderstände fließt als in die Basis des
Transistors hinein.
Zur Bestimmung der Stromverstärkung wird das in Abb. 7.16 gezeigte Kleinsig-
nal-Ersatzschaltbild zusammen mit einer Stromquelle und einer Last RL betrachtet.

Abb. 7.16 Kleinsignal-Ersatzschaltbil der Kollektorschaltung mit Quelle (links) und Last (rechts)

Das Schaltbild zeigt ausgangsseitig einen Stromteiler (β + 1)iB · (RE  RL ) = RL ·


iAus und einen Eingangsstrom, der nicht nur durch RB1 und RB2 , sondern auch (und
verstärkt) bis zur Last fließt. Daher ergibt sich ein unübersichtlicher Ausdruck für
die Stromverstärkung:

iAus RB1  RB2 1
VI = = · +(R
. (7.19)
r B1 RB2 )
iEin RL 1 + (β +1)·R
BE
L RE

Die maximale Stromverstärkung wird im Falle des Kurzschlusses erreicht


7.2 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen 223

(β + 1)(RB1  RB2 )
VI (RL → 0) = ≈ β +1 (7.20)
rBE + (RB1  RB2 )

und durch die nominelle Kleinsignal-Stromverstärkung β begrenzt.

Die Kollektorschaltung ist ein durch die nominelle Stromverstärkung β des


Transistors begrenzter Stromverstärker. Sie verstärkt nicht die Spannung.

Auch die Stromverstärkung der Kollektorschaltung kann (ohne zusätzliche Bau-


elemente) durch die Dimensionierung der Widerstände von der Temperatur und von
Streuungen der Transistorparameter unabhängig gemacht werden. Gleichung (7.19)
zeigt, dass dies gerade dann der Fall ist, wenn die Stromverstärkung des Transistors
nicht ausgereizt wird:

(β + 1)(RL  RE ) (RB1  RB2 ) + rBE . (7.21)

Wenn diese Bedingung erfüllt ist, dann ist wegen B ≈ β die Bedingung für einen
stabilen Arbeitspunkt (7.18) gleich mit erfüllt. Gl. (7.21) kann so interpretiert wer-
den:

Eine Kollektorschaltung ist dann immun gegen Temperaturschwankungen


und Transistorparameter-Streuungen, wenn die Stromverstärkung der Ge-
samtschaltung deutlich unter der nominellen Transistor-Stromverstärkung
liegt und gleichzeitig die Last hochohmiger als die inverse Steilheit des Tran-
sistors ist.

Der erste Teil der Aussage kommt vom (RB1  RB2 )-Term, der zweite vom rBE -
Term der Ungleichung. Eine so stabilisierte Kollektorschaltung hat eine Strom-
verstärkung 
iAus RB1  RB2
VI = ≈ . (7.22)
iEin RL
Die Kollektorschaltung wird auch als Impedanzwandler eingesetzt, das heißt, sie
erscheint einer am Eingang liegenden Quelle sehr viel hochohmiger als einem am
Ausgang liegenden Verbraucher. Ein- und Ausgangswiderstand lassen sich aus dem
Kleinsignal-Ersatzschaltbild Abb. 7.16 ablesen:

rEin = RB1  RB2  {rBE + (β + 1)[RE  RL ]}


% &
1
rAus = RE  · (rBE + RB1  RB2 ) . (7.23)
β +1

Von diesem Gleichungssystem bleiben sehr viel leichter handhabbare Ausdrücke


übrig, wenn die Dimensionierungsbedingung (7.21) eingehalten wird. Im Grenzfall
RB1  RB2 rBE wird dann
224 7 Transistorschaltungen

rAus 1
≈ . (7.24)
rEin β +1
Die Kollektorschaltung ist ein durch die nominelle Stromverstärkung des Transis-
tors begrenzter Impedanzwandler.

Basisschaltung
Die Basisschaltung ist wegen der hervorragenden Leistungsverstärker-Eigenschaften
der Emitterschaltung nur noch relativ selten zu finden. Sie wird aber noch im Be-
reich hoher Frequenzen eingesetzt, da sie leicht an niedrige Eingangsimpedanzen
anzupassen ist und weil sie als einzige der Grundschaltungen keine direkte kapazi-
tive Kopplung zwischen Ein- und Ausgang hat.
Abbildung 7.17 zeigt den Aufbau einer Basisschaltung: Im doppelten Grenzfall

Abb. 7.17 Basisschaltung.


Sie hat ein (fast) konstantes
Basispotenzial. Dafür sorgt
der Kondensator.

IB → 0 und C → ∞ wirken die linken drei Bauteile RB1 , RB2 und C wie eine ideale
Spannungsquelle. In diesem Grenzfall liegt die Basis auf einem konstanten Poten-
zial.
Der Arbeitspunkt der Basisschaltung ergibt sich zu

VCC UD
VB = + · [(B + 1)RE ]  RB2  RB1
RB1 (B + 1)RE
VEin = VB −UD
B · RC
VAus = VCC −VEin · . (7.25)
(B + 1) · RE

Die Spannungsverstärkung soll für den (einzig interessanten) Fall berechnet wer-
den, in dem die Frequenzen hoch genug sind, um das Basispotenzial konstant er-
scheinen zu lassen. Das Kleinsignal-Ersatzschaltbild enthält dann, wie Abb. 7.18
zeigt, nicht mehr die beiden Basiswiderstände (zur Entwicklung des Kleinsignal-
Ersatzschaltbildes siehe Aufgabe 7.21). Vernachlässigt man den Early-Effekt, nimmt
also rCE → ∞ an, dann wird die Spannungsverstärkung
7.2 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen 225

Abb. 7.18 Kleinsignal-Ersatzschaltbild der Basisschaltung für den Grenzfall eines konstanten Ba-
sispotenzials

RC
VU = β · = S · RC . (7.26)
rBE
Der Vergleich mit Gl. (7.9) zeigt: Bis auf das Vorzeichen ist die Spannungs-
verstärkung der Basisschaltung genau so groß wie die der minimalen Emitterschal-
tung. Im Gegensatz dazu verstärkt die Emitterschaltung den Strom nicht. Denn man
kann die Stromverstärkung in der Form

β
VI = ' ( ' ( (7.27)
rBE
RE + (1 + β ) · 1 + RRCL

schreiben. Die linke Klammer im Nenner ist immer größer als β und die rechte
immer größer als 1. Also ist VI < 1. Wird die Steilheit des Transistors nicht ganz
ausgereizt, dann vereinfacht sich der Ausdruck für die Stromverstärkung:

β 1 RL  RC
S= → VI ≈ . (7.28)
rBE RE RL
Ein- und Ausgangswiderstand lassen sich aus dem Kleinsignal-Ersatzschaltbild
Abb. 7.18 ablesen. Wird auch hier rCE weggelassen, ergibt sich
rBE
rEin = RE 
(1 + β )
rAus = RC . (7.29)

Wird auch hier der Emitterwiderstand hinreichend groß gewählt, dann wird rEin ≈
1/S und das Verhältnis von Aus- und Eingangsimpedanz wird

β 1 rEin 1
S= → ≈ . (7.30)
rBE RE rAus RC · S

Die Basisschaltung ist ein reiner Spannungsverstärker, dessen Ausgangswi-


derstand größer als der Eingangswiderstand ist.
226 7 Transistorschaltungen

Sie wird daher dort angewandt, wo höchste Frequenzen und kleine Eingangsim-
pedanzen zusammenkommen.

7.2.2 Qualitätssteigerungen von Bipolar-Schaltungen

Wenn die Verstärkereigenschaften eines Einzeltransistors nicht ausreichen, wird


gerne auf die in Abb. 7.19 gezeigte Darlington-Schaltung zurück gegriffen. Bei die-

Abb. 7.19 Darlington-


Schaltung aus zwei NPN
Transistoren. Der Aus-
gangstransistor T2 erhält
den vorverstärkten Basiss-
trom vom Emitter des Ein-
gangstransistors T1

ser werden zwei Transistoren so verbunden, dass sie zusammen wie ein einzelner
Transistor mit einer sehr großen Stromverstärkung wirken. Die Stromverstärkung
der Gesamtanordnung ist (siehe Aufgabe 7.12)

βgesamt = β1 β2 + β1 + β2 ≈ β1 · β2 , (7.31)

allerdings um den Preis einer verdoppelten Basis-Emitter-Spannung UBB,EE ≈ 2UD .


Wenn das Eingangspotenzial VBB das Versorgungspotenzial VC sowieso nicht er-
reichen kann, wird daher eine komplementäre Schaltung, wie sie Abb. 7.20 zeigt,
bevorzugt (Für eine Anwendung zu Hause siehe [6].).

Abb. 7.20 Komplementäre


Darlington-Schaltungen. Sie
erlauben höhere Spannungs-
ausgangsamplituden als die
aus Transistoren gleicher
Polarität bestehenden, denn
zwischen Basis- und Lastan-
schluss liegt nur eine Dioden-
spannung

Die Verwendung komplementärer Transistoren empfiehlt sich auch bei von gros-
sen Strömen durchflossenen Endstufen. Das Funktionsprinzip lässt sich aus Abb.
7.21 ablesen. Es handelt sich um die Kombination aus zwei Kollektorschaltungen,
bei denen die Basispotenziale durch zwei Dioden auseinandergezogen werden. Die-
se beiden Dioden verhindern, dass beide Transistoren gleichzeitig sperren (siehe
auch Aufgabe 7.16). Die Spannungsverstärkung dieser Schaltung ist VU ≈ 1. Die
Stromverstärkung ist für große Basiswiderstände
7.2 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen 227

Abb. 7.21 Urform der


Gegentakt-Endstufe: Ein
kleiner Strom durch die
Basiswiderstände führt zu
einer um 2 Diodenspannun-
gen auseinandergezogenen
Ansteuerung der beiden Tran-
sistoren. Damit kompensie-
ren die externen Dioden die
Basis-Emitter-Dioden der
Transistoren und verhindern,
dass diese gleichzeitig sperren

' (
r
(βNPN + 1) + (βPNP + 1) · 2rDBE,NPN
+rBE,PNP
VI (RB1 , RB2 → ∞) = ' ( . (7.32)
rBE,NPN
1 + 2rD +rBE,PNP

Eine genaue Betrachtung der Gl. (7.32) zeigt, dass dies der gewichtete Mittel-
wert der (β + 1) Faktoren der Transistoren ist. Die Gewichte sind die Kleinsignal-
Leitwerte der vom Eingang zum Ausgang führenden Verbindungen. Je kleiner die
Basiswiderstände werden, um so weniger verstärkend, aber gleichzeitig auch tem-
peraturstabiler und unabhängiger von Transistor-Parametern wird die Schaltung.
Wann immer Geschwindigkeit bzw. hohe Frequenzen gefordert sind, werden
Schaltungen so entwickelt, dass kein Transistor in den Sättigungsbereich kommt.
Denn sonst würde dessen Basis über die großflächige Basis-Kollektor-Grenzschicht
mit Minoritätsträgern aus dem Kollektor gefüllt. Da PN-Übergänge für Mino-
ritätsträger keine Barriere darstellen, kann der Zustand der Sättigung erst wieder
verlassen werden, wenn die Minoritätsträger die Basis wieder verlassen haben. Um
die Zeit aber, die zum Abfließen der Minoritätsträger benötigt wird, verlangsamt
sich der Umschaltvorgang.
In der Digitaltechnik wird Sättigung durch die Verwendung integrierter Schottky-
Dioden verhindert. Abbildung 7.22 zeigt das Funktionsprinzip: Die Schottky-Diode

Abb. 7.22 Schottky-


Transistor und seine Ent-
stehung aus Schottky-Diode
und Transistor

leitet bereits ab ca. UD (Schottky) ≈ 0, 3 V gut. Da sie parallel zur Basis-Kollektor-


Diode des Transistors geschaltet wird, verhindert sie, dass hier ein nennenswer-
ter Diffusionsstrom entsteht: Es bleibt beim Vorwärtsbetrieb (oder Sperrung). Die
Kombination Transistor plus Schottky-Diode wird auch Schottky-Transistor ge-
nannt.
228 7 Transistorschaltungen

7.2.3 Grundschaltungen des MOS-Transistors

MOS-Schaltungen dominieren seit langer Zeit die Digitaltechnik. Der Trend zu im-
mer höher integrierten Gesamtsystemen hat zur Folge, dass auch die analogen MOS-
Schaltungen immer wichtiger werden. Für die technologischen Aspekte hierzu siehe
[7].
Während die Funktion der meisten Bipolar-Transistorschaltungen auf der hohen
Stromverstärkung im Vorwärtsbetrieb basieren, sind bei den MOS-Transistorschaltungen
meist sowohl der Anlauf, als auch der Abschnürbereich relevant. Nach dem ein-
fachst möglichen Kleinsignal-Modell des NMOS-Transistors lässt sich die Stromände-
rung als
iDS = gm,N · uGS + gd,N · uDS (7.33)
schreiben. Nach Gl. (3.27) gilt im Anlauf
∂ IDS
gm,N = ∂UGS = βN UDS
∂ IDS (7.34)
gd,N = ∂UDS = βN (UGD −UT h,N )

und im Abschnürbereich in erster linearer Näherung (λN = 0, siehe Gl. (3.26))

gm,N = βN (UGS −UT h,N ) · (1 + λN UDS )


(7.35)
gd,N = β2N · (UGS −UT h,N )2 · λN ≈ λN IDS .

Vorsicht Vorzeichen! Beim PMOS-Transistor ist der Strom als von der Source zur
Drain kommend definiert, und es gilt βP > 0, aber TT h,p < 0 und λP < 0. Ein
Beibehalten dieser Richtungskonvention in der Kleinsignalanalyse würde zu Am-
biguitäten in den Ableitungen (dUDS oder dUSD ?) und zu vielen Minuszeichen in
der Kleinsignalanalyse führen. Daher gilt die Konvention:3

Ein Strom mit positivem Wert in der Kleinsignalanalyse des PMOS-


Transistors ist einer, der von der Drain zur Source fließt, also genau die ent-
gegengesetzte Richtung zu einem Strom mit positivem Wert in dessen Groß-
signalanalyse hat.

Der Vorteil dieser Konvention ist: Gleichung (7.33) und alle Ableitungsdefinitio-
nen gelten gleichermaßen für PMOS- und NMOS-Transistoren. Die Kleinsignalpa-
rameter eines mit der Source an VDD geschlossenen PMOS-Transistors sind dann im
Anlauf
∂ IDS
gm,P = ∂U = βPUSD = βP (VDD −VD )
GS
∂ IDS (7.36)
gd,P = ∂U = βP (UDG +UT h,P ) .
DS

3 Diese Konvention ist etwas verwirrend, aber alle Alternativen wären noch schlimmer. Dem Au-
toren ist kein einziger Fall der Benutzung einer anderen Konvention bekannt.
7.2 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen 229

Beide Kleinsignal-Leitwerte haben also im Anlaufbereich einen positiven Wert.


Dies bleibt auch im Abschnürbereich so:
gm,P = βP (VDD +UT h,P −VG ) · (1 + λP (VD −VDD ))
(7.37)
gd,P = − β2N · ((VDD +UT h,P −VG )2 · λP ≈ λP ISD .

Für das Verständnis vieler MOS-Schaltungen ist die Tatsache, dass im Ab-
schnürbereich gd in nullter Ordnung ganz verschwindet und sonst immer noch
klein bleibt, entscheidend. Denn mit Gl. (7.33) folgt, dass schon sehr kleine Drain-
stromänderungen große Änderungen der Drain-Source-Spannung hervorrufen.

CMOS-Inverter
MOS-Transistoren treten heute in der weit überwiegenden Mehrheit in CMOS-
Schaltungen, also solchen, in denen sowohl NMOS- als auch PMOS-Transistoren
zu finden sind, auf. Die einfachste CMOS-Schaltung ist der in Abb. 7.23 gezeigte
Inverter. Für die CMOS-Schaltungstechnik gilt: Wer die Kennlinie des Inverters ver-

Abb. 7.23 CMOS-Inverter,


Urahn aller CMOS-Gatter.
Das Versorgungspotenzi-
al heißt aus historischen
Gründen VDD (zu NMOS-
Zeiten waren der VDD -
Versorgungsleitung zwei
Drain-Anschlüssen zuge-
wandt.).

standen hat, der versteht schnell andere Schaltungen. Hierzu ein Gedankenexperi-
ment: Wir stellen uns eine zwischen VEin und Masse geschlossene Spannungsquelle
vor, die langsam von 0 Volt auf VDD = 3 V hochgefahren wird. Das Ergebnis zeigt
die Kennlinie (Abb. 7.24), welche aus fünf Bereichen besteht:
• Ab VEin = 0 V sperrt der NMOS-Transistor, und der PMOS-Transistor hat keinen
vollständigen Kanal, ist also im Anlaufbetrieb. Die Ausgangsspannung ist genau
VAus = 5 V, und es fließt kein Querstrom.
• Wenn die Schwellspannung des NMOS-Transistors erreicht wird, also ab VEin =
UT h,N bildet der NMOS-Transistor von der Source-Seite, also dem Massenan-
schluss, einen Kanal aus. Da die Gate-Drain-Spannung zunächst bei UGD =
UT h,N −VDD < 0 < UT h,N beginnt, ist dieser Kanal nicht vollständig: Der NMOS-
Transistor ist im Abschnürbereich. Vorsicht Falle! Nach der Sperrung kommt
nicht der Anlauf.4
• Wenn die Kennlinie die Gerade VAus = VEin − UT h,P schneidet, reicht der Kanal
des PMOS-Transistors gerade an das Drain Gebiet heran. Ab diesem Schnitt-
punkt verlässt der PMOS-Transistor den Anlaufbetrieb. Für höhere Eingangspo-
4 Eselsbrücke: erst gar kein Kanal, dann ein halber, und schließlich ein ganzer
230 7 Transistorschaltungen

Abb. 7.24 Kennlinie des


CMOS-Inverters. Dort, wo
die Geraden geschnitten wer-
den, ändern sich die Be-
triebszustände. Links von
der gepunkteten Linie ist der
PMOS-Transistor im Anlauf,
rechts von der gestrichel-
ten Linie ist der NMOS-
Transistor im Anlauf

tenziale ist er im Abschnürbereich. Im Bereich zwischen den beiden Diagonalen


in Abb. 7.24 sind also beide Transistoren im Abschnürbereich. In nullter Nähe-
rung ist die Kennlinie hier senkrecht, und es gilt wegen der Gleichheit der Ströme
durch beide Transistoren

βP VEin,0 −UT h,N
= . (7.38)
βN VDD +UT h,P −VEin,0

Das heißt: Der Umschaltpunkt


 VEin,0 teilt den Bereich, in dem beide Transistoren
leiten, im Verhältnis βP /βN . Je größer βP , um so näher rückt der Umschalt-
punkt an VDD +UT h,P heran. Je größer βN , um so näher kommt er UT h,N .
• Ab dem Schnittpunkt der Kennlinie mit der Linie VAus = VEin − UT h,N verlässt
der NMOS-Transistor den Abschnürbereich und erlangt den Anlauf.
• Ab VEin = VDD + UT h,P sperrt der PMOS-Transistor. Es fließt kein Querstrom
mehr.
So bedeutet die Kennlinie für den NMOS-Transistor die Abfolge Sperren → Abschnürbereich →
Anlau f , und der PMOS-Transistor hat genau die entgegengesetzte Reihenfolge. Die
Tatsache, dass in den Randbereichen der Kennlinie keine Querströme fließen, ist der
wesentliche Grund für den Erfolg der CMOS Technik.
Abbildung 7.25 zeigt das Kleinsignal-Ersatzschaltbild des Inverters. Es gilt für

Abb. 7.25 Kleinsignal-


Ersatzschaltbild des in Abb.
7.23 gezeigten CMOS-
Inverters
7.2 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen 231

alle Betriebszustände, und aus ihm lässt sich der Kleinsignal-Ausgangsstrom able-
sen:
iAus = uEin · (gm,N + gm,P ) + uAus · (gd,N + gd,P ) . (7.39)
Im lastfreien Fall (iAus = 0) folgt die Spannungsverstärkung

(gm,N + gm,P )
VU = − . (7.40)
(gd,N + gd,P )

Man sieht, dass für gd → 0 die Verstärkung gegen −∞ strebt. Für die Kleinsignal-
parameter aus Gl. (7.35) und (7.37) wird die Verstärkung im Falle einer symme-
trischen Transistorkonfiguration (βP = βN , λP = λN und UT h,P = −UT h,N ) bei der
halben Betriebsspannung
4
VU = − . (7.41)
λN (VDD − 2UT h,N )

Der sehr steile Kennlinienverlauf begründet die Tatsache, dass sich nicht nur die
meisten analogen CMOS-Schaltungen auf den Inverter zurückführen lassen, son-
dern auch fast alle CMOS-Digitalgatter.

CMOS Transfer-Gatter
Das in Abb. 7.26 gezeigte Transfer-Gatter besteht aus Transistoren in Gate-Schaltung,

Abb. 7.26 Transfer-Gatter,


auch bekannt als elektroni-
scher Schalter. Hier sind die
Gates so angeschlossen, dass
der Gesamtleitwert maximal
ist.

das heißt, die Gates liegen auf festem Potenzial, meist so, dass sie, wie in Abb. 7.27
gezeigt, den maximalen Stromfluss ermöglichen. Bei diesen Schaltungen ist die Fra-
ge, wo die Transistor-Sourcen und wo die Drains liegen, von der Differenz zwi-
schen Ein- und Ausgangsspannung abhängig. Ist VEin > VAus , dann hat der NMOS-
Transistor die Source an VAus und der PMOS-Transistor die Source an VV Ein . Im
Falle eines Wechselstromsignals am Eingang wechseln sich die Bedeutungen der
Anschlüsse sogar ab! Dies ist im Übrigen kein physikalisches Durcheinander, son-
dern Konsequenz der Tatsache, dass der Kanal eines MOS-Transistors immer auf
der Seite die höchste Ladungsdichte hat, auf der die Differenz zum Gate den größten
Betrag und das jeweils richtige Vorzeichen hat. Aus Abb. 7.27 kann man sehen:
232 7 Transistorschaltungen

Abb. 7.27 Operationsmodi der MOS-Transistoren bei der Gate-Schaltung. Bei langsamen Potenzi-
aländerungen am Eingang werden die Diagonalen der dargestellten Quadrate durchlaufen. Schnelle
Wechsel spielen sich in den Randbereichen ab

VEin < VDD −UT h,N und VAus < VDD −UT h,N → NMOS Anlauf
VEin > VDD −UT h,N und VAus > VDD −UT h,N → NMOS Sperrung
(7.42)
VEin > −UT h,P und VAus > −UT h,P → PMOS Anlauf
VEin < −UT h,P und VAus < −UT h,P → PMOS Sperrung .

In den übrigen Bereichen haben die Transistoren abgeschnürte Kanäle.


Aus Abb. 7.27 kann man auch entnehmen, dass für jede nur denkbare Kombinati-
on von Ein- und Ausgangsspannungen wenigstens einer der beiden Transistortypen
in der Gate-Schaltung in einem leitenden Zustand ist. Auf dieser Erkenntnis baut
der in der CMOS-Technik verwendete elektronische Schalter auf. Abbildung 7.26
zeigt das unter dem Namen Transfer-Gatter bekannte Transistor-Duo. Dessen dy-
namisches Verhalten wird an zwei Extremen deutlich: zunächst ein sehr schnelles
Umschalten des Eingangs mit langsam folgendem Ausgang. Dieser Fall tritt prak-
tisch nur bei Digitalgattern auf. Wenn zum Beispiel das Potenzial des Eingangs
in vernachlässigbar kurzer Zeit von 0 auf VDD springt, dann ist VEin = VDD und
VAus = 0 und beide Transistoren sind im Abschnürbereich. Der PMOS-Transistor
hat die Source am Eingang und der NMOS-Transistor hat sie am Ausgang. Es flie-
ßen dann die beiden Ströme
7.2 Theoretische Grundlagen für die Transistorschaltungen 233

βN  2
IDS (NMOS) = VDD −UT h,N
2
βP  2
ISD (PMOS) = VDD +UT h,P (7.43)
2
parallel vom Eingang zum Ausgang. Von dem Punkt (VEin ,VAus ) = (VDD , 0) an be-
wegt sich das Paar (VEin ,VAus ) in Abb. 7.27 auf der senkrechten Linie oberhalb von
VEin = VDD . Bei VAus = −UT h,P geht der PMOS-Transistor in den Anlaufbereich
über, bei VAus = VDD − UT h,N verlässt der NMOS-Transistor den Abschnürbereich
und sperrt. Das verbleibende Potenzialgefälle wird vom Strom durch den PMOS-
Transistor allein überwunden.
Je langsamer sich das Eingangspotenzial ändert und je geringer die Ausgangslas-
ten sind, um so näher kommt die Umschaltkurve in Abb. 7.27 der Hauptdiagonalen
VAus = VEin .
Der (zweite) Extremfall ist der, bei dem sich das Potenzial am Eingang so lang-
sam ändert, dass die Differenz zwischen Ein- und Ausgangspotenzial immer klein
bleibt: |VEin −VAus | VDD . Beide Transistoren sind dann, wenn sie überhaupt Strom
leiten, im Anlauf. Daher gilt für den NMOS-Transistor mit der Drain auf der Ein-
gangsseite für Eingangsspannungen unterhalb von VEin = VDD −UT h,N
 
IDS = βN (VDD −UT h,N −VEin ) · (VEin −VAus ) − 12 (VEin −VAus )2
(7.44)
≈ βN (VDD −UT h,N −VEin ) · (VEin −VAus )

und für den PMOS-Transistor mit der Source auf der Eingangsseite für Ausgangs-
spannungen oberhalb von VEin ≈ VAus = −UT h,P
 
ISD = βP (−UT h,P −VAus ) · (VAus −VEin ) − 12 (VAus −VEin )2
(7.45)
≈ βP (UT h,N +VEin ) · (VEin −VAus ) .

Die beiden Gl. (7.44, 7.45) sind Beschreibungen von fast linearen Leitwertverläufen:
Es sind die Leitwerte GNMOS = IDS /(VEin − VAus ) und GPMOS = ISD /(VEin − VAus ).
Abbildung 7.28 zeigt den häufig genutzten Spezialfall βP = βN . In integrierten

Abb. 7.28 Leitwertverlauf


des Transfer-Gatters für sich
langsam ändernde Eingangs-
potenziale. Bei symmetrischer
Wahl der Transistorparameter
verhält sich die Schaltung um
VEin = VDD /2 herum wie ein
Ohmscher Widerstand

Analogschaltungen wird die Tatsache, dass ein Transfer-Gatter in diesem symme-


234 7 Transistorschaltungen

trischen Fall einem Ohmschen Widerstand ähnelt, ausgenutzt, um integrierte Wi-


derstände zu ersetzen.

7.3 Antworten zu Kapitel 7

7.1 Die beiden Widerstände lassen sich direkt aus dem Kleinsignal-Modell (Abb.
7.12) ablesen:
rEin = rBE  RB rAus = rCE  RC . (7.46)
7.2 Abbildung 7.14 zeigt, dass zwischen dem Ausgangspotenzial VAus und dem
konstanten Versorgungspotenzial VCC nur der Kollektorwiderstand RC liegt. In der
Kleinsignalanalyse werden alle festen Potenziale gleich Null gesetzt. Bei der Be-
rechnung der Spannungsverstärkung liegt RC zwischen VAus und Null. Parallel dazu
wird im Lastfall RL angeschlossen. Daher ergibt die Substitution

RC → RC  RL (7.47)

die richtige Formel: VU ≈ −(RC  RL )/RE .


7.3 Die Basisschaltung verstärkt nur Spannungen, die Kollektorschaltung nur
Ströme und die Emitterschaltung verstärkt sowohl Ströme als auch Spannungen.
7.4 Die Schaltung sollte so dimensioniert werden, dass das Basispotenzial des Ar-
beitspunktes eine halbe Diodenspannung, also ca. 0, 3 V, über der halben Betriebs-
spannung liegt. Dann ist VEin (A.P.) = 1, 9 V und VAus (A.P.) = 1, 3 V. Die Differenz
zwischen VCC und dem Eingangspotenzial ist dann genau so groß wie die Differenz
zwischen dem Ausgangspotenzial und dem Massenpotenzial. Es können Signale bis
zu einer Amplitude von Û = 1, 3 V übertragen werden. Wäre der Arbeitspunkt des
Eingangs genau VEin (A.P.) = VCC /2, würden Signale mit Û > 1, 0 V abgeschnitten.
7.5 Antwort b) βgesamt = 1999 ist die einzig richtige. Die Herleitung ist in der
Lösung 7.12 gezeigt. Wer auf Antwort c) gesetzt hat, sollte ein Studium der Kunst-
geschichte ernsthaft in Betracht ziehen.
7.6 Ein Vertauschen der in Abb. 7.21 gezeigten Transistoren ergäbe eine nur aus
Dioden bestehende Verbindung von VCC bis zur Masse. Dabei wären die äußeren
Dioden die Basis-Emitter-Dioden der beteiligten Transistoren.
An Stelle einer funktionierenden Gegentakt-Endstufe hätte man also einen von
der Eingangsspannung unabhängigen Kurzschluss.
7.7 Das Wichtigste: Im Gegensatz zu allen bipolaren Technologien fließen durch
CMOS-Digitalgatter nur dann Querströme, wenn sie im Umschalten begriffen sind.
Die CMOS-Technik erreicht immer den vollen Spannungshub, während die aus-
gereiften Bipolar-Technologien ausgangsseitig nicht an die Versorgungspotenziale
heranreichen (vergleiche Lösung der Aufgabe 7.22.)
7.3 Antworten zu Kapitel 7 235

7.8 Ja, im Umschaltpunkt sind, unabhängig von der Dimensionierung, immer beide
Transistoren im Abschnürbereich. Denn erstens sind sie beide in einem leitenden
Zustand, es kommen also nur Abschnürbereich und Anlauf in Frage. Zweitens be-
deutet VEin = VAus beim Inverter auch UGD = 0 für beide Transistoren. Drain-seitig
ist keine Spannung vorhanden, die einen Kanal erzeugen könnte. Für beide Transis-
toren gilt daher: Es gibt einen Kanal, aber er reicht nicht bis zur Drain.
7.9 Dies ist natürlich eine Scherzfrage! Da kein Strom in das Gate hineinfließt, ist
die Stromverstärkung theoretisch unendlich: 1/VI = 0.
7.24. Dies ist auch eine Scherzfrage! So etwas wie Rückwärtsbetrieb kennen MOS-
Transistoren nicht. Beim MOS-Transistor hängt die Frage, welcher Anschluss die
Source und welcher die Drain ist, nur von der anliegenden Spannung ab: Beim
NMOS-Transistor ist UDS > 0, beim PMOS-Transistor UDS < 0.
7.11 Die Temperaturabhängigkeit folgt aus Gl. (7.3) und (7.5). Die Basis-Emitter-
Spannung verändert sich vom kältesten bis zum wärmsten Arbeitspunkt um ΔUD =
160 ◦ C · (−2 mV/◦ C) = −0, 32 V. Die Änderung der Ausgangsspannung ist dann
RC
ΔVAus = · B · ΔUD = 0, 16 V . (7.48)
RB
Die Abhängigkeit von der Streuung der Verstärkung ist nach dem Gaußschen Feh-
lerfortpflanzungsgesetz

∂VAus RC
σ VAus = · σB = · (VCC −UD ) · σB . (7.49)
∂B RB
Mit σB = 5 ergibt sich ein Zahlenwert von σ UAus = 1, 13V.
7.12 Abbildung 7.29 zeigt das Ersatzschaltbild (ohne rCE ). Durch die linke Strom-

Abb. 7.29 zur Aufgabe 7.12:


Kleinsignal-Ersatzschaltbild
der Darlington-Schaltung

quelle wird der äußere Basisstrom iBB um den Faktor (β1 + 1) verstärkt. Der
verstärkte Strom fließt durch rBE2 und wird um den Faktor (β2 + 1) weiter verstärkt.
Da die Gesamtverstärkung aber nicht als iEE /iBB , sondern als iC /iBB definiert ist,
ergibt sich insgesamt

βgesamt = (β1 + 1) · (β2 + 1) − 1 = β1 β2 + β1 + β2 . (7.50)


236 7 Transistorschaltungen

Der Basis-Emitter-Widerstand ist das Verhältnis rBB,EE = uBB,EE /iBB . Die Span-
nung ist die Summe der Spannungen über den einzelnen Basis-Emitter-Widerständen.
Mit u(rBE1 ) = rBE1 · iBB und u(rBE2 ) = rBE2 · (β1 + 1) · iBB ergibt sich

rBB,EE = rBE1 + (β1 + 1)rBE2 . (7.51)

Die Asymetrie der letzten Gleichung lässt sich in der Praxis ausnutzen: Soll der
Eingangswiderstand besonders hoch sein, wird der Transistor mit der größeren
Verstärkung vorgeschaltet, und der schwächere Transistor kommt an den Ausgang.
7.13 Ja, es gibt PNP-Schottky-Transistoren. Ziel der Konstruktion ist auch hier
das Verhindern der Sättigung. Daher muss auch hier die Schottky-Diode parallel
zur Basis-Kollektor-Diode geschaltet sein, wie in Abb. 7.30 gezeigt. Zur Richtung:

Abb. 7.30 zur Aufgabe 7.13:


Schottky PNP-Transistor als
Zusammenschaltung von
Schottky-Diode und PNP-
Transistor

Jede Diode zeigt auf ein N-Gebiet, was beim PNP-Transistor die Basis ist.
7.14 Abbildung 7.31 zeigt, wie man in zwei Schritten zum Erfolg kommen kann.
Zunächst wird nur der Transistor ersetzt. Dann werden alle festen Potenziale gleich
Null gesetzt. Danach kann die Schaltung so sortiert werden, dass sie möglichst ein-
fach aussieht.
Bei der Bestimmung des Eingangswiderstandes muss berücksichtigt werden,
dass über den Widerstand RE der (β + 1)-fache Strom fließt wie über rBE . Er er-
scheint daher eingangsseitig um diesen Faktor vergrößert. Insgesamt gilt daher

rEin = RB1  RB2  (rBE + (1 + β )RE )


rAus = RC . (7.52)

Vorsicht Falle! Der Ausgangswiderstand ist weder UAus /IAus noch uAus /iAus . Versu-
che, ihn auf diese Art zu berechnen, werden wegen der Gültigkeit des Ohmschen
Gesetzes immer RL als Ergebnis haben. Die Bedeutung des Ausgangswiderstandes
rAus ist die Änderung der Ausgangsspannung bei einer erzwungenen Änderung des
Ausgangsstromes ohne Berücksichtigung der Last: rAus = ∂U
∂I
Aus
.
Aus

7.15 a) Am Widerstand RC liegen nach Spezifikation U(RC ) = VCC − (VE +UCE ) =


4 V an. Der Strom IC = I(RC ) ist gerade das B-Fache des Basisstromes, also I(RC ) =
4 mA. Daher ist
VCC − (VE +UCE )
RC = = 1 kΩ . (7.53)
B · IB
b) Über RB2 fließt ein Strom von I(RB2 ) = 100 μA bei einer Spannung von U(RB2 ) =
VE +UBE = 1, 6 V. Daher gilt
7.3 Antworten zu Kapitel 7 237

Abb. 7.31 zur Aufgabe 7.14: Zwei Schritte von der Originalschaltung zum Kleinsignal-
Ersatzschaltbild: zunächst wird nur der Transistor ersetzt, dann alle festen Potenziale gleich Null
gesetzt und die Schaltung neu sortiert

VE +UBE
RB2 = = 16 kΩ . (7.54)
4 · IB

c) Über RB1 fließt das Fünffache des Basisstromes bei einer Spannung von U(RB1 ) =
VCC − (UBE +VE ) = 8, 4 V. Daher ist RB1 = 62 kΩ.
d) Die Wechselspannungsverstärkung ist genau die gleiche wie bei der minima-
len Emitterschaltung (siehe Gl. (7.9)). Denn für einen sehr großen Kondensator am
Emitter hat letzterer ein (fast) konstantes Potenzial. RE hat keinen Einfluss auf die
Wechselspannungs-Verstärkung. Es bleibt
RC
VU (AC) = −β = −80 . (7.55)
h11
Bei dieser Schaltung dient RE also nur der Stabilisierung des Arbeitspunktes bei
maximal möglicher Wechselspannungsverstärkung.
e) Für Wechselspannungen ist das Kleinsignal-Ersatzschaltbild das gleiche wie für
die minimale Emitterschaltung (Abb. 7.13), vorausgesetzt, man setzt RB = RB1 
RB2 . Daher ist
rEin = RB1  RB2  rBE = 1, 73 kΩ . (7.56)
7.16 Im Bereich −UD < VEin < UD sperren beide Transistoren und, wie Abb. 7.32
zeigt, das Ausgangspotenzial wird vom Lastwiderstand bei Null gehalten. Bei Po-
238 7 Transistorschaltungen

Abb. 7.32 zur Aufgabe 7.15:


Kennlinie einer Gegentakt-
Endstufe ohne Spreizung der
Eingangspotenziale. Wenn
die Basispotenziale der Tran-
sistoren zusammengeschaltet
sind, bekommt die Kennlinie
zwei Knicke. Die bessere
Alternative zeigt Abbildung
7.21

tenzialen oberhalb von VEin = UD folgt der Ausgang dem Eingang um eine Dioden-
spannung verschoben. Daher ist hier die Steigung ΔUAus /ΔUEin = 1, ebenso wie
unterhalb von VEin = −UD .
7.17 Abbildung 7.33 zeigt die Lösung. Die schraffierten, in das Silizium hinein-

Abb. 7.33 zur Aufgabe 7.17: Querschnitt durch die beiden Transistoren eines CMOS-Transistors
mit Anschlüssen und Dotierungen

ragenden Teile sind das so genannte Feldoxyd. Es dient ausschließlich der Isola-
tion. Das p-Substrat ist der Body des NMOS-Transistors, die n-Wanne der Body
des PMOS-Transistors. Zur besseren Kontaktierung der Wanne dient das n+ Gebiet
rechts. Die anderen hoch dotierten Gebiete (n+ und p+) sind die Source- und Drain-
Gebiete. Was dabei Source und was Drain ist, hängt von der Beschaltung ab. Da
beim Inverter die beiden Drain-Gebiete verbunden sind, drängt sich ihre Platzierung
in der Mitte auf. Die Gates bestehen normalerweise aus n+ dotiertem Poly-Silizium.
Das dünne, farblose Gebiet darunter ist das Gate-Oxid.
7.3 Antworten zu Kapitel 7 239

7.18 a) Zunächst muss der Betriebszustand geklärt werden. Da VEin > UT h,N muss
es ein leitender sein. Das Verhältnis der Widerstandswerte klärt den Rest. Die beiden
Widerstände RD und RN stellen einen 1 : 10 Spannungsteiler dar. Daher muss das
Drain-Potenzial höher als VDD · 10/11 = 2, 73 V liegen. Damit ist UGD < 0 < UT h,N ,
und es kann drainseitig kein Kanal vorliegen. Der Transistor ist im Abschnürbe-
trieb. Das Source-Potenzial kann nun bestimmt werden, indem die Ströme durch
den Transistor und durch den Widerstand RS gleichgesetzt werden:

βN
VS = RS · I = RS · (VEin −VS −UT h,N )2 . (7.57)
2
Nach VS aufgelöst ergibt sich
 
1
VS = VEin −UT h,N + · 1 − 1 + 2βN RS (VEin −UT h,N ) = 0, 27 V . (7.58)
βN RS

Durch RD lässt der gleiche Strom nur ein Zehntel des Spannungsabfalls entstehen.
Daher ist VD = 2, 97V.
b) Da der Strom bei Sättigung praktisch unabhängig vom Drain-Widerstand ist, kann
durch dessen Veränderung das Drain-Potenzial eingestellt werden:
RD
VD = VDD −VS · . (7.59)
RS
Nach VD aufgelöst, ergibt sich ein Zahlenwert von RD = 37, 3 kΩ.
c) RD kann so lange vergrößert werden, bis beim Transistor UGD = UT h,N gilt, wenn
also UD = VEin −UT h,N ist. Man erhält RD = 74, 6 kΩ.
7.19 a) Abb. 7.34 zeigt die Schaltung. Die Gate-Drain Verbindung des linken Tran-

Abb. 7.34 zur Aufgabe 7.19:


Stromsenke mit einem Strom-
spiegel. Der Stromfluss durch
den linken Transistor ist ganz
unabhängig von VEin . Wenn
beide Transistoren im Ab-
schnürbereich sind, dann
sind die Ströme durch beide
Transistoren fast identisch

sistors zwingt diesen in den Abschnürbereich (UGD = 0). Solange auch der rechte
Transistor in diesem Bereich arbeitet, sind die Ströme in nullter Näherung (λ = 0)
identisch. Der rechte Transistor bestimmt den Strom. Die Gleichheit der Source-
und Gate-Potenziale spiegelt diesen Strom auf den rechten Transistor.
b) Aus dem Innenwiderstand ri lässt sich mit Hilfe von Gl. (7.35) die Kanallängen-
modulation bestimmen:
1 R
λN = = ≈ 3, 1 · 10−3 V−1 . (7.60)
ri I ri (VDD −VG )
240 7 Transistorschaltungen

Durch den linken Transistor fließt der gleiche Strom wie durch den Widerstand:

VDD −VG βN  2
= · VG −UT h,N · (1 + λN VG ) . (7.61)
R 2
Wegen des kleinen Wertes von λN kann bei der Umstellung von Gl. (7.61) nach β
auf den Modulationsterm verzichtet werden:
2 · (VDD −VG )
βN ≈ = 270 mA/V2 . (7.62)
R · (VG −UT h,N )2

c) Der Strom IEin ist natürlich so groß wie der durch den Widerstand R: IEin =
5, 4 mA.
d) Die Schaltung funktioniert als Stromsenke, wenn beide Transistoren im Ab-
schnürbereich sind, also insbesondere der rechte: VG −VEin < UT h,N . In Zahlen heißt
das: Bei Eingangspotenzialen oberhalb von VEin = 0, 2 V ist die Schaltung eine
Stromsenke.
7.20 Lösungsstrategie: Zunächst muss VAus als Funktion der Bauteileparameter
gefunden werden. Dann wird geprüft, wann das Ergebnis von UBE und wann es von
B unabhängig wird.
Lösung: Über RC fließt der (B + 1)-fache Basisstrom und über RB der einfache
Basisstrom. Daher ist die Versorgungsspannung die Summe der folgenden Einzel-
spannungen:
VCC −VAus = RC (B + 1)IB
VAus −VEin = RB IB (7.63)
VEIN − 0 = UBE .
Addiert man alle unter der Nummer (7.63) zusammengefassten Gleichungen, erhält
man den Basisstrom, daraus den Strom durch den Kollektorwiderstand und so
schließlich die Kollektor-Spannung:
VCC −UBE
UAus = VCC − RB
. (7.64)
1 + (B+1)R
C

Nach Gl. (7.64) ist das Ausgangspotenzials von UBE dann unabhängig, wenn der
RB
Nenner unter UBE groß wird, wenn also gilt (B+1)R 1.
C
Andererseits verschwindet die Abhängigkeit von B, wenn genau das Entgegen-
RB
gesetzte gilt: (B+1)R 1.
C
So folgt: Beides ist möglich, aber nicht gleichzeitig. Eine vernünftige Dimen-
RB
sionierung wird (B+1)R ≈ 1 wählen. Dann liegt das Ausgangspotenzial bei VCC /2,
C
ermöglicht damit einen großen Spannungshub und sorgt dafür, dass ein Absinken
der Basis-Emitter-Spannung nur zu 50% auf das Ausgangspotenzial durchschlägt.
7.21 Abbildung 7.35 zeigt die sukzessive Vorgehensweise. Wenn die Stromverstärkung
des Transistors sehr groß wird, dann verschwindet der Basisstrom, und links vom
Transistor bleibt ein unbelasteter Spannungsteiler übrig. Dieser hält die Basis auf
7.3 Antworten zu Kapitel 7 241

Abb. 7.35 zur Aufgabe 7.21: Vereinfachung der Basisschaltung und Entwicklung des Kleinsignal-
Ersatzschaltbildes in Einzelschritten. Unterlegt sind die Teile, die im jeweils nächsten Schritt
verändert werden.

einem konstanten Potenzial VB = VCC · RB2 /(RB1 + RB2 ). Im zweiten Schritt wird
der Transistor durch sein Kleinsignal-Ersatzschaltbild ersetzt und alle festen Poten-
ziale werden gleich Null gesetzt. Zum Schluss wird das Gesamtbild übersichtlicher
gestaltet.
7.22 a) Die beiden Schottky-Dioden sind ein Schutz gegen Unterspannungen.
b) Die Verwendung der Schottky-Transistoren verhindert, dass diese in Sättigung
gehen. Dadurch vergeht nach dem Abfallen des Basisstromes viel weniger Zeit, bis
sie wieder sperren.
c) Die beiden Transistoren T3 und T4 bilden einen Darlington Transistor. Die
Verstärkung dieser Anordnung ist B = (B3 + 1) · (B2 + 1) − 1 (siehe Aufgabe 7.12).
d) Nein, es fließt niemals ein Strom durch beide Endstufen-Transistoren T4 und T5 ,
denn einer von ihnen sperrt immer.
e) Abbildung7.36 zeigt die Potenziale unter der Annahme, dass die Stromverstärkun-
242 7 Transistorschaltungen

Abb. 7.36 zur Aufgabe 7.22: Potenziale des 74S00 NAND-Gatters für niedriges (links) und hohes
(rechts) Ausgangspotenzial. Die Buchstaben x und y stehen für irrelevante Nachkommastellen. Die
mit einem T versehenen Transistoren leiten Strom, die anderen nicht

gen so groß sind, dass die Potenziale durch die Dioden und nicht durch die Wi-
derstände bestimmt werden. Alle gesperrten Transistoren sind hier unbezeichnet.
Am Kollektor von T3 liegt ein Potenzial knapp unterhalb des Versorgungspotenzi-
als, denn es fließt nur ein Strom von I ≈ 0, 4 V · 3, 5 kΩ. Wird einer der Eingänge auf
das Nullpotenzial gezogen, dann sperrt der Transistor T2 . Dieser und die ihm nach-
geschalteten Transistoren entladen sich langsam, aber fast vollständig. Das höchste
innerhalb der Schaltung vorkommende Potenzial (knapp unter 5 V) liegt an der Ba-
sis von T3 . Dieses bestimmt die weiteren Potenziale.
f) T4 ist kein Schottky-Transistor, weil der vorgeschaltete Schottky-Transistor T3 die
Sättigung für beide Transistoren verhindert.
g) Das squaring network (T6 und Widerstände) beschleunigt den Aufbau eines lei-
tenden Zustandes des Ausgangstransistors T5 . Wenn der erste Stromstoß die Basis
von T5 erreicht, ist T6 noch gesperrt. Fast der gesamte Anfangsstrom kommt also
dem Umschaltvorgang am Ausgang zugute. Erst wenn die Parasitärkapazitäten des
Transistors T6 umgeladen sind, wird ein nennenswerter Teil des Emitter-Stromes
von T2 an T5 vorbeigeführt - aber dann ist zumindest bei kleinen Lasten der Um-
schaltvorgang am Ausgang schon beendet.
7.23 a) Jeder Vergleichszyklus muss mit dem Einstellen des Inverters auf dessen
optimalen Arbeitspunkt, also mit dem Schließen des Schalters SV beginnen. Da-
nach muss dieser geöffnet und an Stelle von V1 das Potenzial V2 mit der Schaltung
verbunden werden.
Das Öffnen von SV ist kritisch, denn es entsteht ein hochohmiger Knoten am
Eingang des Inverters. Das Öffnen des Schalters gibt diesem einen Potenzialsprung,
dessen Höhe sich aus der Versorgungsspannung und dem Verhältnis der Gate-Drain-
Kapazitäten der Schaltertransistoren und der anderen am Knoten liegenden Kapa-
7.3 Antworten zu Kapitel 7 243

zitäten ergibt. Der meist kleine Potenzialsprung am Eingang wird mit dem Faktor VU
an den Inverterausgang gegeben und verursacht daher einen viel größeren Sprung,
oft bis zur Übersteuerung, an den Folgestufen. Von den Kondensatoren muss CC der
größte sein, sonst wäre die Schaltung falsch dimensioniert. Damit dieser Kondensa-
tor aber dem ungewollten Potenzialsprung entgegenwirken kann, muss beim Öffnen
von SV der Schalter S1 noch geschlossen sein. Die beste Abfolge ist also: SV und S1
schließen, dann SV öffnen und schließlich gleichzeitig S1 öffnen und S2 schließen.
b) Der Inverter soll eine möglichst hohe Spannungsverstärkung haben. Nach Gl.
(7.40) heißt das: gd soll für beide Transistoren so klein wie möglich und gm so groß
wie möglich sein.
c) Beim Öffnen des Schalters springt das Gate-Potenzial von dessen PMOS-Transistor
von 0 auf VDD und gleichzeitig das des NMOS-Transistors von VDD auf 0. Die beiden
Überlappungskapazitäten haben also einen genau entgegengesetzten Einfluss auf die
Potenzialentwicklung des Eingangsknotens. Für die Ladungsbilanz sind sie daher
gleichbedeutend mit dem Effekt eines einzigen PMOS-Transistors mit der Kapa-
zität ΔCGDO = CGDO (PMOS) −CGDO (NMOS). So bleibt der in Abb. 7.37 gezeigte

Abb. 7.37 zur Aufgabe 7.23:


Kapazitiver Spannungsteiler,
welcher das Eingangspotenzi-
al des Inverters bestimmt

Spannungsteiler, an dessen Eingang das Potenzial einen Sprung von VG,P = 0 auf
VG,P = VDD macht. Daher ist

ΔCGDO
ΔVEin = VDD · = 8, 25 mV . (7.65)
CC +CL
Das scheint nicht viel, bedeutet aber, dass am Ausgang des Inverters ein Sprung von
ΔVAus = VU · ΔVEin ≈ −0, 5 V folgt.
d) Durch den Potenzialsprung am Eingang wird die Eingangsspannung um 8,25
mV verfälscht. Differenzen in dieser Größenordnung werden also nicht mehr kor-
rekt aufgelöst. Dies bedeutet eine relative Ungenauigkeit von ΔVEin /VDD = 1/400.
Bei einem 8 Bit ADC bräuchte man 1/28 = 1/256 Auflösung. Dafür würde es ge-
rade reichen.
e) Eine Verbesserung wäre nur durch eine genauere Kompensation der Potenzial-
sprünge der Schaltertransistoren zu erreichen, Bei den hier genannten Zahlen heißt
(PMOS)
das: Der NMOS-Schaltertransistor sollte eine um den Faktor CCGDO(NMOS) = 1, 6 ver-
GDO
größerte Weite bekommen. Die verbleibenden Spannungsimpulse wären dann durch
die Fertigungstoleranzen bestimmt.
244 7 Transistorschaltungen

Literaturverzeichnis

1. Eberhard Kühn: Handbuch TTL- und CMOS-Schaltungen, Hüthig-Verlag 1993, ISBN 3-


7785-2144-6
2. Holger Göbel: Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik, Springer-Verlag Berlin 2005,
ISBN 3-540-23445-4
3. Ulrich Tietze und Christoph Schenk: Halbleiter-Schaltungstechnik, Springer-Verlag Berlin
2010, ISBN 978-3-642-01621-9
4. E. Hering, K. Bressler, und J. Gutekunst: Elektronik für Ingenieure und Naturwissenschaftler,
Springer-Verlag Berlin 2005, ISBN 978-3-540-24309-0
5. Siemens Einzelhalbleiter Datenbuch II, 3. Auflage, München 1992
6. siehe www.elo-web.de/elo/bauprojekte/feierabendprojekte/das-gammastrahlen-mikrofon
7. Harry Veendrick: Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs, Kluver-Verlag, Deventer
2008, ISBN 978-140-208332-7
Kapitel 8
Operationsverstärker

Zusammenfassung In diesem Kapitel werden die Eigenschaften, der Aufbau und


exemplarische Anwendungen von Operationsverstärkern gezeigt. Aus den Forde-
rungen an einen Operationsverstärker (kurz: OP) wird die Aufteilung in Diffe-
renz-, Verschiebungs- und Endstufe abgeleitet. Es werden die Unterschiede zwi-
schen bipolaren Verstärkern und CMOS-Verstärkern aufgezeigt. Anhand der Ver-
einfachung des idealen Operationsverstärkers werden Techniken zur Schaltungsbe-
rechnung eingeführt. Diese werden dann auf die Schaltungen mit realen Operati-
onsverstärkern verallgemeinert. Dabei werden die Slew Rate, Verzögerungszeiten,
Offset-Spannung und endliche Verstärkung berücksichtigt.

8.1 Fragen zu Operationsverstärkern

8.1.1 Einfache Fragen

8.1. Unter matching versteht man a) die Reduktion auf Streichholzgröße, b) das
Austragen einer Differenz auf dem Fußballfeld, c) die (annähernde) Gleichheit der
Bauteileparameter auf einem Chip oder d) eine Schlammschlacht?
8.2. Sie entwerfen eine Schaltung mit zwei Operationsverstärkern. Welche der fol-
genden Verbindungen sollten Sie vermeiden: a) invertierender Eingang des einen
mit nicht invertierendem Eingang des anderen, b) Ausgang des einen mit nicht in-
vertierendem Eingang des anderen, c) Ausgang des einen mit dem Ausgang des
anderen?
8.3. Sie wollen einen Sensor, der nur sehr wenig Strom liefert, mit Hilfe eines Ope-
rationsverstärkers an eine Auswerteschaltung anbinden. Entscheiden Sie sich für
einen CMOS-Verstärker oder für einen OP in Bipolar-Technik?
8.4. Abbildung 8.1 zeigt das Schaltbild einer NMOS-Differenzstufe. Es sei VDD =
−VSS = 2, 3 V. Der Widerstand RS hat einen Wert von RS = 1, 5 kΩ. Über diesem

245
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-642-33495-5_8,
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
246 8 Operationsverstärker

Abb. 8.1 zu den Aufga-


ben 8.4 und 8.14: NMOS-
Differenzstufe mit Stromspie-
gel.

Widerstand fallen U(RS ) = 3 V ab


a) Wie groß ist die Verlustleistung dieser Schaltung?
b) In welchem Betriebszustand sind die Transistoren?

8.5. In welchen Einheiten wird die Slew Rate angegeben? a) Ohne Einheiten, da sie
dimensionslos ist, oder b) in m/s, oder c) in Hz, oder d) in V/(μs) oder e) Es hängt
von der Rating Agentur ab.

8.6. Abbildung 8.16 zeigt eine Differenzstufe in Bipolar-Technik.


a) Bitte zeichnen Sie das Großsignal-Ersatzschaltbild.
b) Für alle Transistoren sei B = 60 und UBE = 0, 65 V. Die Widerstände haben die
Werte RC1 = RC2 = 2 kΩ und RV 1 = RV 2 = 750 Ω. Der Strom an der Basis des Sen-
kentransistors ist IB3 = 20 μA. Welche Potenziale stellen sich bei V+ = −V− = 3 V
bei symmetrischer Ansteuerung (V1 = V2 ) ein, und welche Ströme fließen?
c) In welchem Bereich von V1 ≈ V2 ist die Differenzstufe gut einsetzbar (kein Tran-
sistor in Sättigung)?

8.7. Abbildung 8.2 zeigt links einen invertierenden Schmitt-Trigger und rechts des-
sen Schaltsymbol. Es sind V+ = −V− = 5 V, R1 = 8 kΩ und R2 = 2 kΩ. Bitte be-
stimmen Sie den Wert des Widerstands RE sowie die Umschaltpunkte: Bei welcher
Eingangsspannung VEin springt der Ausgang von VAus = V− auf VAus = V+ und bei
welcher wieder zurück?

8.8. In Abb 8.3 sehen Sie drei Signale, die jeweils an den Eingang eines Umkehr-
Integrators gelegt werden. Welche Signalformen erwarten Sie am Ausgang?

8.9. Zum Aufbau eines Operationsverstärkers haben Sie zwei Transistortypen zur
Wahl: erstens Transistoren mit β = 50, rBE = 10 kΩ und UEarly = −20 V und zwei-
tens solche mit β = 40, rBE = 20 kΩ und UEarly = −40 V. Für welchen Typ ent-
scheiden Sie sich?

8.10. Was verstehen Sie unter der Transitfrequenz eines Operationsverstärkers?


8.1 Fragen zu Operationsverstärkern 247

Abb. 8.2 zur Aufgabe 8.7: Invertierender Schmitt-Trigger (links) und dessen Schaltsymbol
(rechts).

Abb. 8.3 zur Aufgabe 8.8:


Signalformen am Eingang
eines Umkehr-Integrators

8.1.2 Mittelschwere Fragen und Aufgaben

8.11. Abbildung 8.4 zeigt eine sehr einfache Differenzstufe aus Bipolar-Transistoren.

Abb. 8.4 zur Aufgabe 8.11:


Einfache Differenzstufe in
Bipolar-Technik

a) Welche Betriebszustände sollten die Transistoren haben?


248 8 Operationsverstärker

b) Zeichnen Sie das Kleinsignal-Ersatzschaltbild unter der Annahme, dass der


Early-Effekt vernachlässigt werden kann. Wie vereinfacht sich das Schaltbild, wenn
alle drei Transistoren die gleichen Transistorparameter haben und der Strom aus der
Referenzquelle, IB3 , konstant ist?
c) Welche Spannungs-Differenzverstärkung VΔU = dVDi f f /d(V2 −V1 ) hat die Schal-
tung unter diesen optimalen Umständen?
d) Ist diese Schaltung robust?
e) Wie kann man sie (noch mehr) gegen Temperatur- und Parameterschwankungen
schützen?
f) Bitte finden Sie einen möglichst einfachen Ausdruck für die statische Verlustleis-
tung der Differenzstufe als Funktion der Bauteileparameter, der Potenziale und des
Basisstromes IB3 .

8.12. Abbildung 8.5. zeigt das vereinfachte Schaltbild der Bipolar-Eingangsdifferenzstufe

Abb. 8.5 zu den Aufgaben


8.12 und 8.19: Differenzstu-
fe mit einen Stromspiegel
aus zwei PNP-Transistoren
zur Erhöhung der Differenz-
verstärkung

eines integrierten Operationsverstärkers. Nehmen Sie bitte an, dass am Anfang


V1 = V2 = 0 sei. Dann wird V1 etwas erhöht. Bitte beschreiben Sie alle Konsequen-
zen für die Transistoren T1 bis T5 , die Stromflüsse in beiden Zweigen und den Effekt
auf VDi f f .

8.13. Bitte zeichnen Sie das Schaltbild und das Kleinsignal-Ersatzschaltbild einer
aus zwei PMOS-Transistoren bestehenden Stromquelle und bestimmen Sie den In-
nenwiderstand dieser Quelle.

8.14. Abb. 8.1 zeigt das Schaltbild einer NMOS-Differenzstufe.


a) Bitte zeichnen Sie das Kleinsignal-Ersatzschaltbild.
b) Bitte bestimmen Sie die Differenzverstärkung als Funktion der Kleinsignal-
Transistor-Parameter. Dabei sind gd (TS ) und gd (T3 ) zu vernachlässigen.
c) Vergleichen Sie Ihr Ergebnis mit Gl. 8.4. Kann Ihr Ergebnis für VΔU auch aus Gl.
8.4 abgeleitet werden?
d) Wie würde sich das Verhalten der Schaltung ändern, wenn bei allen Transistoren
die Weiten verdoppelt und gleichzeitig die Widerstände RS und RD halbiert würden?
8.1 Fragen zu Operationsverstärkern 249

Abb. 8.6 zur Aufgabe 8.15:


Schaltung mit einem lang-
samen, nicht kompensierten
Verstärker, die sehr kurzzeitig
an ein von Null verschiedenes
Potenzial geschlossen wird

8.15. Der in Abb. 8.6 gezeigte Operationsverstärker mit den Versorgungsspannun-


gen V+ und V− habe eine Verzögerungszeit (bzw. Signallaufzeit) Δt. Der Verstärker
habe eine nicht allzu große Spannungsverstärkung und (was für diese Aufgabe am
wichtigsten ist) keinerlei interne Vorkehrungen gegen das Schwingen.
Angenommen, der nicht invertierende Eingang würde für eine sehr kurze Zeit
(tV,Ein Δt) an das von Null verschiedene Potenzial VEin geschlossen. Wie würde
sich das Potenzial am Ausgang mit der Zeit entwickeln?
a) Bitte skizzieren Sie den Verlauf qualitativ für einen 5 · Δt langen Zeitraum.
b) Welche Signalform (oder Signalformen) erwarten Sie im eingeschwungenen Zu-
stand, also nach vielen Δt ?

8.16. Wie müssen die Widerstände der in Abb. 8.7 gezeigten Schaltung gewählt

Abb. 8.7 zur Aufgabe 8.16:


Operationsverstärker, als
Rechenoperationsverstärker
bestückt

werden, damit die Rechenoperation VAus = VP − VM ausgeführt wird? Mit welchen


Dimensionierungen kann die Schaltung auch für die allgemeinere Operation VAus =
α(VP −VM ) eingesetzt werden?

8.17. Bei der in Abb. 8.8 gezeigten Schaltung ist RE = 5 kΩ, und RR = 15 kΩ. Bitte
zeichnen Sie die Kennlinie VAus (VEin ) im Bereich −3 V < VEin < 3 V.

8.18. Die in Abb. 8.9 gezeigte Verstärkerschaltung soll die Spannungsamplitu-


de eines sinusförmigen Eingangssignals verzehnfachen. Der Scheitelwert beträgt
V̂Ein = 200 mV, der Widerstand R0 hat einen Wert R0 = 1 kΩ.
a) Wie sind die anderen Widerstände zu wählen?
250 8 Operationsverstärker

Abb. 8.8 zur Aufgabe 8.17:


Aktiver Gleichrichter mit
Dioden und Widerständen

Abb. 8.9 zur Aufgabe 8.18:


Aktiver, nicht invertierender
Verstärker

b) Die Slew Rate des ansonsten als ideal anzunehmenden Verstärkers beträgt SR =
10 V/(μs). Bis zu welcher Frequenz ist die Schaltung zu gebrauchen?

8.1.3 Schwere Fragen und Aufgaben

8.19. Bitte schätzen Sie ab, wie sich der Stromspiegel in der Schaltung in Abb.
8.5 auf die Differenzverstärkung auswirkt. Um diesen Effekt zu isolieren, nehmen
Sie vereinfachend an, dass die Transistoren T1 bis T3 vom Early-Effekt befreit und
hoch verstärkend sind. Die beiden den Stromspiegel bildenden PNP-Transistoren T4
und T5 haben identische Parameter, die beiden NPN Eingangstransistoren T1 und T2
ebenfalls.

8.20. Kann für die in Abb. 8.10 gezeigte Operationsverstärker-Schaltung ein Er-

Abb. 8.10 zur Aufgabe 8.20:


Mit drei Zweipolen bestückter
Operationsverstärker. Z R , Z M
und Z P stehen für beliebige
Impedanzen
8.1 Fragen zu Operationsverstärkern 251

satzschaltbild ähnlich wie in Abb. 8.21 gefunden werden, wenn der Verstärker eine
endliche Spannungsverstärkung VU und eine Offsetspannung UO f f set hat? Falls ja,
zeichnen Sie das Ersatzschaltbild und bestimmen Sie VAus .
8.21. Der in Abb. 8.11 gezeigte Bandpass soll so dimensioniert werden, dass seine

Abb. 8.11 zur Aufgabe 8.21:


Aktiver RC-Bandpass

Durchlassfrequenz f0 = 200 MHz beträgt und er die maximal möglich Güte Q auf-
weist. Dabei ist CE = CR = 1, 2 μF vorgegeben.
a) Bitte bestimmen Sie RE und RR .
b) Wie groß ist die Bandbreite?
c) Angenommen, am Eingang würde ein Rechtecksignal mit USS = 1V und einer
Frequenz fRechteck = f0 angelegt. Was würde am Ausgang gemessen werden: wel-
che Form, welche Amplitude?
8.22. Die in Abb. 8.12 gezeigte Schaltung aus einem invertierenden Schmitt-Trigger

Abb. 8.12 zur Aufgabe 8.22:


Signalgenerator aus Schmitt-
Trigger, Widerstand und
Kondensator

(siehe Abb. 8.2), einem Widerstand und einem Kondensator kann nicht nur schwin-
gen, sie soll es auch.
a) Welche Signalform erwarten Sie?
b) Mit welcher Frequenz oszilliert die Schaltung bei R = 120 Ω und C = 0, 3 μF in
dem Fall, dass sowohl die Versorgung VDD = 5 V = −VSS als auch die Umschaltpo-
tenziale VEin1 = −1 V = −VEin2 symmetrisch um das Massenpotenzial liegen?
8.23. Ein Instrumentenverstärker soll mit minimalen Eingangsströmen ein Aus-
gangssignal VAus erzeugen, welches proportional zur Eingangsdifferenz ist. Ab-
bildung 8.13 zeigt eine häufig zu findende Schaltung, die dies leistet. Es sind
R1 = 500 Ω, RV = R0 = RR = 15 kΩ und RM = RP = 7, 5 kΩ, Bitte bestimmen
Sie VAus unter der Annahme idealer Operationsverstärker-Eigenschaften.
252 8 Operationsverstärker

Abb. 8.13 zur Aufgabe 8.23: Zweistufiger Instrumentenverstärker: In der vorderen Stufe werden
die beiden Potenziale VX und VY auseinandergezogen. In der zweiten Stufe wird die Differenz
gebildet

8.24. PCI-Express-Verbindungen benutzen komplementäre Signale. Das sind sol-


che, bei denen parallel zu jeder logischen Eins eine logische Null gesandt wird und
umgekehrt. Jede PCI-Express-Verbindung besteht also aus Paaren von Drähten, de-
ren logischer Wert die Differenz der beiden Potenziale auf den Drähten ist.
Bitte versuchen Sie, ausgehend von der in Abb. 8.5 gezeigten Schaltung, eine be-
sonders günstige CMOS-Schaltung zur Verstärkung eines PCI-Express-Differenzsignales
zu entwerfen.

8.2 Theoretische Grundlagen zu Operationsverstärkern

Der Begriff Operationsverstärker war ursprünglich die Kurzform von Rechenopera-


tionsverstärker, denn diese Schaltungen wurden in den 1960er und 1970er Jahren
für analog ausgeführte Rechenoperationen verwendet. Hierzu wurden Differenz-
verstärker mit hohen Verstärkungen und kleinen Eingangsströmen gebraucht (siehe
zum Beispiel [3]). In diesem Kapitel wird beschrieben, welche Schaltungsstrukturen
dies leisten, wo die Grenzen liegen und wie universell Operationsverstärker heute,
fern von allen analogen Rechenoperationen, eingesetzt werden (viele Beispiele sind
in [2] zu finden).

8.2.1 Eigenschaften und Aufbau von Operationsverstärkern

Entwurfsziel beim Operationsverstärker ist eine maximale Spannungsdifferenz-


verstärkung bei gleichzeitig maximalen Eingangsströmen und minimaler Ausgangs-
8.2 Theoretische Grundlagen zu Operationsverstärkern 253

impedanz. Operationsverstärker haben meistens die in Abb. 8.14 gezeigte Struktur.


Die Verteilung von Spannungs- und Stromverstärkung auf unterschiedliche Stu-

Abb. 8.14 Grundsätzlicher


Aufbau von Operations-
verstärkern. Die ersten bei-
den Stufen sind spannungs-
verstärkend, die Endstufe ist
oft ein reiner Stromverstärker.
Bei Endstufen aus Bipolar-
Transistoren ist eine zweite
Ansteuerungsleitung (ge-
punktete Linie) nötig

fen ermöglicht die kompromisslose Optimierung der Einzelstufen. Details zur Kon-
struktion findet man in [6].
Vorsicht Falle! Während bei vielen Transistorschaltungen das Massenpotenzial
das am tiefsten liegende ist, wird bei OP-Schaltungen oft ein negatives Versorgungs-
potenzial V− angenommen, und das Massenpotenzial ist V+ +V− = 0.
Die wichtigsten Kenngrößen eines Operationsverstärkers sind

Kenngröße Definition
dV uDi f f
Differenzverstärkung VΔU = d(V Di−Vf f ) = u2 −u1
2 1
2dVDi f f 2uDi f f
Gleichtaktverstärkung VU = d(V +V ) = u2 +u1
2 1 (8.1)
Gleichtaktunterdrückung CMRR = VΔU /VU
Eingangswiderstand rEin = dV dV2 u1
dI1 = dI2 = i1 =
1 u2
i2
Ausgangswiderstand rAus = dV uAus
dIAus = iAus .
Aus

Alle Größen sind frequenz- und lastabhängig. Werden sie nur als Zahl angegeben,
so ist der lastfreie Fall bei niedriger
√ Frequenz gemeint. Die Frequenz, bei der die
Differenzverstärkung auf das 1/ 2-Fache des Maximums abgefallen ist, heißt auch
hier Grenzfrequenz. In Abb. 8.15 ist anhand der Angaben für einen handelsüblichen
Operationsverstärker zu sehen, dass die Grenzfrequenzen typischerweise unter fg =
100 Hz liegen. Unbrauchbar wird der Verstärker, wenn seine Ausgangsspannung nur
noch genau so groß ist wie die Eingangsdifferenz. Die Frequenz, bei der |VAus | =
|V1 −V 2| ist, wird Transitfrequenz genannt und mit ft bezeichnet. Daneben gibt es
weitere Parameter, die im Abschnitt 8.2.3 behandelt werden.

Bipolare Verstärker
Die einfachste stabile Differenzstufe in Bipolar-Technik zeigt Abb. 8.16. Die
Eingänge sind die Basen der Transistoren T1 und T2 . Der Transistor T3 fungiert als
Stromsenke. Liegen die Eingänge auf gleichem Potenzial, zieht der Eingangstransis-
254 8 Operationsverstärker

Abb. 8.15 Differenzverstärkung


zweier Operationsverstärker.
Die Transitfrequenz ist mit ft
bezeichnet (Quelle: National
Semiconductors [1])

Abb. 8.16 Differenzstufe


mit Bipolar-Transistoren. Sie
besteht aus zwei gegengekop-
pelten Emitterschaltungen,
die durch eine gemeinsame
Stromsenke (Transistor T3 )
verbunden sind

tor T1 einen Strom IB1 = IB3 · B3 /[2(B1 + 1)]. Ähnliches gilt für alle Differenzstufen
in Bipolar-Tehnik:

Bipolare Operationsverstärker ziehen an den Eingängen einen kleinen, aber


permanenten Strom.

Der Transistor T3 unterstützt die Differenzverstärkung. Denn jede Erhöhung des


Stromflusses auf der einen Seite der Schaltung führt so zwangsläufig zu einer gleich
großen Verringerung des Stromflusses auf der anderen Seite. Durch die gemeinsa-
me Stromsenke ist es für den Anstieg von UDi f f irrelevant, ob V1 steigt oder V2
sinkt. Gleichzeitig reduziert die Stromsenke die Gleichtaktverstärkung: Wenn an
beiden Eingängen das Potenzial gleichzeitig steigt, so ändert sich der Strom kaum,
denn der Transistor T3 hält die Summe konstant. Die Gegentaktverstärkung dieser
8.2 Theoretische Grundlagen zu Operationsverstärkern 255

Differenzstufe wird unter der Annahme berechnet, dass 1/rCE ≈ 0 ist (vergleiche
Aufgabe 8.11, (8.19)) und dass die Parameter beider Eingangstransistoren gleich
sind. In diesem Fall wird der Transistor T3 zur idealen Stromsenke und fällt so aus
dem Kleinsignal-Ersatzschaltbild heraus. Die Analyse des in Abb. 8.17 gezeigten

Abb. 8.17 Kleinsignal-Ersatzschaltbild der in Abb. 8.16 gezeigten Differenzstufe. Es kommt ohne
den Transistor T3 aus, wenn man diesen als ideale Stromsenke betrachtet. iB1 und iB2 sind Basis-
ströme der Transistoren T1 und T2

Ersatzschaltbildes ergibt eine Differenzverstärkung:

uDi f f RC β
VΔU = =− . (8.2)
u2 − u1 2(rBE + [β + 1]RE )

Für 1/rCE ≈ 0 herrscht auch perfekte Gleichtaktunterdrückung


uDi f f
VU = →0. (8.3)
(u2 + u1 )/2

Dies lässt sich direkt aus dem Kleinsignal-Ersatzschaltbild entnehmen: Die Aus-
gangsspannung UDi f f ist durch die beiden Stromquellen von den Eingangsspannun-
gen u1 und u2 getrennt. Rechnerisch kommt man zu dem gleichen Schluss: Strom-
erhaltung fordert (β +1)iB1 +(β +1)iB2 = 0. Wenn aber gleichzeitig iB1 = iB2 , dann
folgt zwingend iB1 = iB2 = 0. Das heißt: Wenn sich beide Eingangspotenziale paral-
lel in die gleiche Richtung bewegen, nimmt der Strom weder zu noch ab. Also bleibt
uDi f f = 0.
Die oben gezeigte Schaltung hat sich im diskreten Aufbau bewährt. In in-
tegrierten Schaltungen werden jedoch aus technologischen Gründen wann im-
mer möglich Widerstände vermieden bzw. durch Transistoren ersetzt. Integrier-
te Operationsverstärker haben daher viel mehr Transistoren und nur wenige Wi-
derstände. Aufgabe 8.12 zeigt einen Ansatz: Werden die Kollektorwiderstände
durch einen PNP-Stromspiegel ersetzt, tritt in der Verstärkung an Stelle von RC
der Kleinsignal-Parameter rCE , was in der Regel eine deutliche Vergrößerung der
Differenzverstärkung nach sich zieht.
Abbildung 8.18 zeigt eine der sehr vielen Varianten bipolarer Zwischen- und
Endstufen. Deren Eingang ist der Ausgang der Differenzstufe, VDi f f (vergleiche
Abb. 8.14). Die beiden Widerstände RV 1 und RV 2 sorgen im Verbund mit dem an
VDi f f angeschlossenen Transistor für eine Verlagerung des Durchschnittspegels in
256 8 Operationsverstärker

Abb. 8.18 Bipolare End-


stufe, aus drei Teilen beste-
hend: 1. Pegel-Verschiebung
und Verstärkung, 2. Sig-
nalteilung für den NPN- und
den PNP-Transistor der End-
stufe, 3. Stromverstärkung
in einer Gegentakt-
Kollektorschaltung

die Mitte zwischen V+ und V− . Dabei wirkt der Transistor zusätzlich leistungs-
verstärkend. Die beiden Dioden der folgenden Stufe ziehen die Basis-Potenziale
der Endstufen so weit auseinander, dass sie deren Spannungsabfall über die Basis-
Emitter-Dioden kompensieren. Die letzte Stufe ist ein reiner Stromverstärker.

CMOS-Verstärker
Während einzelne Operationsverstärker überwiegend in Bipolar-Technik hergestellt
werden, sind Differenzverstärker auf digitalen ICs, wie Prozessoren oder Speicher-
bausteinen, fast immer in CMOS-Technik gefertigt. Dabei ist es von besonderem
Vorteil, dass diese Verstärker eine rein kapazitive Last darstellen, also keine dauer-
haften Eingangsströme haben.
Abbildung 8.19 zeigt die am weitesten verbreitete Variante. Man sieht:

Abb. 8.19 In integrierten


Schaltungen weit verbrei-
tete CMOS-Differenzstufe.
Die Versorgungsanschlüsse
werden oft mit VDD wie
Drain-Drain und VSS wie
Source-Source bezeichnet.
V1 und V2 sind die Eingänge,
VDi f f der Ausgang. T4 und T5
bilden einen Stromspiegel
8.2 Theoretische Grundlagen zu Operationsverstärkern 257

CMOS-Operationsverstärker ziehen an den Eingängen keinen permanten


Strom.

Der Transistor T3 fungiert auch in dieser Schaltung als Stromsenke und un-
terstützt die Differenzverstärkung. In Speicherchips wird er gerne intern mit dem
chip enable-Signal verbunden. Denn bei VRe f = V− ist der Stromfluss durch die
ganze Stufe gleich Null. Der Verstärker wird dadurch abschaltbar. Die Differenz-
verstärkung ist
gm,N gm,N
VΔU =  ≈ . (8.4)
g
(gd,P + gd,N ) · 1 + 2gm,Pd,P gd,P + gd,N
+g d,P

Konstruktionsbedingt sind die Transistoren T3 , T4 und T5 im Abschnürbereich. Für


diese Transistoren kann also gd gm angenommen werden. Im Grenzfall gd /gm →
0 liegen aber im Kleinsignal-Ersatzschaltbild zwischen den Eingangsspannungen u1
und u2 und dem Nullpotenzial nur noch ideale Stromquellen. Das Durchschnittspo-
tenzial der Eingänge wird damit irrelevant und die Gleichtaktverstärkung

VU (1) → 0 . (8.5)

Die Ausgangsstufen der CMOS-Differenzverstärker unterscheiden sich in zwei-


facher Hinsicht von den bipolaren: Erstens gibt es nicht immer eine Aufsplittung des
Ansteuersignals, und zweitens wird die Stärke der Ausgangsströme ausschließlich
von der Weite der Transistoren der letzten Stufe bestimmt.
Abbildung 8.20 zeigt das vereinfachte Beispiel eines vollständigen CMOS-

Abb. 8.20 Beispiel eines dreistufigen CMOS-Operationsverstärkers mit zusätzlicher HF-Dämp-


fung gegen unerwünschtes Schwingen

Verstärkers. Vom Ausgang der Differenzstufe wird in der Pegel-Trennungsstufe ein


258 8 Operationsverstärker

zu geringeren Potenzialen verschobenes Signal für den Ausgangs-NMOS-Transistor


erzeugt. Dies vermindert die Verlustleistung der Endstufe. Der mit HF-Dämpfung
bezeichnete Teil verhindert das Schwingen des Operationsverstärkers bei negativer
Rückkopplung (siehe Abschnitt 8.2.3).

8.2.2 Schaltungen mit idealen Operationsverstärkern

Operationsverstärkerschaltungen lassen sich am besten verstehen, wenn zunächst


ein idealer Operationsverstärker angenommen wird. Das heißt:
• Die Spannungsverstärkung ist unendlich groß: VΔU → ∞.
• Der Ausgangswiderstand ist Null: rAus → 0
• Der Eingang nimmt keinen Strom auf: I1,Ein = I2,Ein = 0.
Die große Anzahl der Operationsverstärkerschaltungen ist negativ rückgekop-
pelt. Diese Schaltungen können mit Hilfe der in Abb. 8.21 gezeigten Ersatzschal-
tung berechnet werden. Denn ein idealer Operationsverstärker hat eine so hohe

Abb. 8.21 Ersatzschaltung zur Berechnung negativ rückgekoppelter Schaltungen mit idealen Ope-
rationsverstärkern. Die gepunktete Linie deutet an, dass das Potenzial fest liegt, ohne dass eine
leitende Verbindung zum nicht invertierenden Eingang besteht

Verstärkung, dass in diesem Fall der Potenzialunterschied zwischen den beiden


Verstärkereingängen verschwindet. So entsteht in der Mitte zwischen den beiden
Impedanzen Z E und Z R ein Zwischenpotenzial V1 . Da der ideale OP keine Ein-
gangsströme hat, fließt an dieser Stelle kein Strom ab. So ist der Strom, der am
Anschluss VEin in die Schaltung hineinfließt, genau so groß wie der, der aus der
Schaltung herauskommt. Auf diese Weise lässt sich VAus berechnen:
ZE + ZR Z
VAus = ·V1 − R ·VEin . (8.6)
ZE ZE

Geübte Augen werden im ersten Term von Gl. (8.6) den nicht invertierenden
Verstärker (VEin = 0) und im zweiten Term den invertierenden Verstärker (V1 = 0)
wiedererkennen.
Schaltungen mit positiver Rückkopplung werden nur dann verwendet, wenn am
Ausgang der Schaltung der volle Spannungshub bis zur Versorgungsspannung er-
reicht werden soll. Der Schmitt-Trigger (siehe Aufgabe 8.7) ist hierfür ein Beispiel.
8.2 Theoretische Grundlagen zu Operationsverstärkern 259

Filter, die Operationsverstärker enthalten, werden aktiv genannt. Sie unterschei-


den sich von den passiven Filtern dadurch, dass das Ausgangssignal verstärkt sein
kann. Diese Verstärkung kann ohne Schutzmaßnahmen sinnlos große Werte anneh-
men. Abbildung 8.22 zeigt den aktiven Tiefpass als Beispiel. Ohne den zusätzli-

Abb. 8.22 Auf der linken Seite ist der einfachst mögliche aktive Tiefpass gezeigt. Dessen Übertra-
gungsfunktion divergiert jedoch bei kleinen Frequenzen. Daher wird der Tiefpass rechts verwandt

chen Widerstand RR hat der Tiefpass eine Übertragungsfunktion T = 1/( jωRE CR ).


Diese divergiert für ω → 0. Das heißt, ein beliebig kleiner Gleichstromanteil am
Eingangssignal hält den Ausgang bei VAus = V+ oder VAus = V− .
Zur Abwendung dieser DC-Katastrophe kann dem Kondensator ein zusätzlicher
Widerstand RR parallel geschaltet werden. Die Übertragungsfunktion ist dann

RR  ZCR 1
T =− =−R . (8.7)
RE RR
E
+ RE jωCR

Sie strebt bei ω = 0 gegen T = −RR /RE , bleibt also endlich. Die in Abb. 8.22 links
gezeigte Schaltung wird auch Integrator genannt, denn für ein beliebiges Eingangs-
potenzial VEin (t) gilt 
1
VAus (t) = VEin dt . (8.8)
RE CR
Diese Eigenschaft hat die rechte Schaltung in Abb. 8.22 nur noch für Zeiträume
Δt RRCR .
Der einfachst mögliche aktive Hochpass macht am anderen Ende des Frequenz-
spektrums Probleme, wie Abb. 8.23 zeigt. Der verbesserte Hochpass hat die Übert-
ragungsfunktion
RR ωCE
T =− . (8.9)
RE ωCE − j
Ohne den Zusatzwiderstand RE hätte sie eine Divergenz bei ω → ∞. Die in Abb.
8.23 links gezeigte Schaltung wird auch Differenzierer genannt, denn für diese
Schaltung gilt
260 8 Operationsverstärker

Abb. 8.23 Auf der linken Seite ist der einfachst mögliche aktive Hochpass gezeigt. Dessen Übert-
ragungsfunktion divergiert jedoch bei großen Frequenzen. Daher wird der Hochpass rechts ver-
wandt

dVEin
VAus (t) = −RC . (8.10)
dt
Diese Eigenschaft hat die rechte Schaltung in Abb. 8.23 nur noch für Änderungen
des Eingangspotenziales, die deutlich länger als Zeiträume Δt ≈ RE CE anhalten.

8.2.3 Schaltungen mit realen Operationsverstärkern

Damit eine Operationsverstärkerschaltung auch im realen Einsatz Bestand hat, muss


ihr Entwurf die nicht idealen Eigenschaften eines Operationsverstärkers berücksich-
tigen. Dies kann per Simulation (siehe [7]) geschehen, sollte aber vorab analytisch
verstanden sein. Eine detaillierte Diskussion von Störeinflüssen ist in [4] zu finden.

Slew Rate
Die Geschwindigkeit, mit der sich die Spannung am Ausgang eines Verstärkers
ändert, wird mit Slew Rate bezeichnet und in V/s oder μV/s angegeben. Abbil-
dung 8.24 zeigt am Beispiel eines Spannungsfolgers, welchen Einfluss die Slew
Rate auf Rechtecksignale verschiedener Frequenz hat. Bei einer bestimmten Fre-
quenz fg reicht der Anstieg gerade, um den vollen Spannungshub des Eingangs zu
erreichen. Ab dann ist USS ∼ T = 1/ f . Die Slew Rate führt also zu einem Tiefpass-
verhalten erster Ordnung, bei dem die Grenzfrequenz umgekehrt proportional zur
Ausgangsspannung ist. Dies gilt mit leicht veränderten Parametern auch für andere
Signalformen.
8.2 Theoretische Grundlagen zu Operationsverstärkern 261

Abb. 8.24 Dämpfung der Spitze-Spitze-Spannung an einem Spannungsfolger durch die Slew Rate
eines Operationsverstärkers bei der Speisung durch ein ideales Rechtecksignal. Für f < fg werden
die Ausgangssignale nur bei gleichbleibender Spannungsamplitude deformiert, ab f = fg bleiben
Dreieckssignale mit immer kleinerer Amplitude

Verzögerung
Murpy’s Gesetz der Elektronik lautet: Amplifiers will oscillate, oscillators won’t.
Wenn Operationsverstärkerschaltungen von alleine und unbeabsichtigt zu schwin-
gen anfangen, so liegt das an der Verzögerungszeit, Δt, des Operationsverstärkers.
Abbildung 8.25 zeigt den Effekt der Verzögerung wiederum am Beispiel eines

Abb. 8.25 Anschauliche Bedeutung der Verzögerungszeit Δt. Unter der Verzögerungszeit wird
die Zeit bis zum Erreichen der halben Sollspanung am Ausgang verstanden. Im Gegensatz dazu
bezeichnet die Slew Rate dUAus /dt die Steigung des Anstiegs

Spannungsfolgers. Formal lässt sich die Verzögerungszeit als Zeitverschiebung des


Ausgangs relativ zum Eingang schreiben:

VAus (t) = VU · (V1 (t − Δt) −V2 (t − Δt)) . (8.11)

Interessant ist die Konsequenz bei einer sinusförmigen Ansteuerung. Setzen wir
zum Beispiel in Abb. 8.21 V Ein = V̂Ein e jωt , V 1 = 0 und nehmen für die Impedanzen
Ohmsche Widerstände an, dann wird
U Aus RE jωΔt
=− ·e . (8.12)
U Ein RR
262 8 Operationsverstärker

Für Δt = 0 ist dies die Formel für den invertierenden Verstärker. Für Frequenzen, bei
denen ωΔt ein ungeradzahliges Vielfaches von π ist, wird jedoch aus der negativen
Rückkopplung eine positive Rückkopplung.
Ohne Gegenmaßnahmen würde praktisch jede negativ rückgekoppelte OP-Schal-
tung mit einer Frequenz f Schwing = 1/(2Δt) schwingen. Wie sich die Schwingungen
aufbauen, zeigt Aufgabe 8.15. Zur Verhinderung der Schwingungen sind in han-
delsüblichen Operationsverstärkern Tiefpässe eingebaut. In dem in Abb. 8.20 ge-
zeigten Beispiel werden Ein- und Ausgang der Differenzstufe mit einer Reihen-
schaltung aus Kondensator und einem Transfer-Gatter verbunden. Dabei ersetzt das
Transfer-Gatter einen Ohmschen Widerstand. Der Kondensator schließt die Aus-
gangsstufe bei hohen Frequenzen kurz. Das Transfer-Gatter sorgt dafür, dass die
Verbindung auch bei sehr hohen Frequenzen nicht zu niederohmig wird. Insgesamt
wird erreicht, dass VU ( fSchwing ) < 1.

Offset und endliche Verstärkung


Schließt man die beiden Eingänge eines Operationsverstärkers zusammen, so sollte
am Ausgang das Potenzial Null liegen. In der Regel ist dies nicht der Fall. Viel-
mehr muss am Eingang eine Vorspannung UO f f set anliegen, damit am Ausgang das
Nullpotenzial liegt.

Die Offsetspannung UO f f set ist diejenige Spannung, die an die Eingänge des
Operationsverstärkers angelegt werden muss, damit am Ausgang das Nullpo-
tenzial liegt.

Ursprung einer von Null verschiedenen Offsetspannung ist das Ungleichgewicht


der Ströme in der Eingangsstufe. Denn nur, wenn alle Transistoren der beiden Ein-
gangszweige exakt die gleichen Parameter haben, fließen auch die gleichen Ströme.
Da jedoch selbst unmittelbar nebeneinanderliegende Transistoren auf einem Chip
Unterschiede im %-Bereich haben können, unterscheiden sich auch die Ströme in
dieser Größenordnung. Will man sowohl die Offsetspannung, als auch eine endli-
che Spannungsverstärkung VU bei der Berechnung von Operationsverstärkerschal-
tungen berücksichtigen, so kann man

VAus = VU · (V1 −V2 −VO f f set ) (8.13)

setzen.
Die durch die Offsetspannung entstehenden Probleme werden oft als Konsequenz
schlechter äußerer Beschaltung verschlimmert: Wird einer der beiden Eingänge
sehr viel niederohmiger angeschlossen als der andere, dann fließt durch den Ein-
gangstransistor auch sehr viel mehr Strom. Im Extremfall kann das bedeuten, dass
trotz Potenzialgleichheit an den Eingängen am Ausgang Vollausschlag herrscht. Ab-
bildung 8.26 zeigt die Lösung dieses Problems am Beispiel eines Bandpasses. Ziel
der äußeren Beschaltung ist die Gleichheit der Eingangsströme im zeitlichen Mit-
tel. In dem Beispiel fließt nur über den Widerstand RR ein permanenter Strom. Die
8.3 Antworten zu Kapitel 8 263

Abb. 8.26 Ausbalancieren der Eingangsströme zur Vermeidung einer von außen aufgezwungenen
Offsetspannung

Ströme durch CE , RE und CR sind im Mittel gleich Null. Daher ist RR dem nicht
invertierenden Eingang vorzuschalten.

8.3 Antworten zu Kapitel 8

8.1 Unter matching versteht man die (annähernde) Gleichheit der Bauteileparame-
ter auf einem Chip. Praktisch alle Transistor-Parameter haben, betrachtet man ein-
zelne Bauteile, Fertigungstoleranzen deutlich über 10 %. Befinden sich aber zwei
Transistoren auf einem einzigen Chip nebeneinander, dann kann man sicher sein,
dass sich die Transistor-Parameter dieser beiden nur sehr viel weniger unterschei-
den, nämlich typischerweise bei oder unter 1 %. Perfect matching würde bedeuten:
Die Parameter auf einem Chip unterscheiden sich überhaupt nicht.
8.2 a) ist unkritisch. Eingänge können beliebig kombiniert werden.
b) Eine direkte Verbindung vom Ausgang eines Operationsverstärkers zum Eingang
eines anderen geht nur dann gut, wenn dadurch nicht zu große Ströme in dessen
Eingang fließen. Sonst kann es zu einer drastischen Vergrößerung der Gleichtakt-
verstärkung kommen. Bei bipolaren Operationsverstärkern müssen die Eingangs-
ströme auf jeden Fall begrenzt werden.
c) Die Verbindung zweier Verstärkerausgänge ist ein häufiger Praktikumsfehler: er
führt direkt in den Kurzschluss.
8.3 Sie entscheiden sich für einen CMOS-Verstärker. Denn dieser hat keinen an-
dauernden Eingangsstrom.
8.4 a) Über den Widerstand RS fließt ein Strom I(RS ) = U(RS )/RS = 2 mA. Dieser
Strom fließt insgesamt zweimal parallel durch die Schaltung, nämlich durch TS und
T3 . Daher ist die gesamte Verlustleistung

PV = 2 · (V+ −V− ) · I(RS ) = 13, 8 mW . (8.14)


264 8 Operationsverstärker

b) Der Transistor TS ist konstruktionsbedingt im Abschnürbereich. Bei den anderen


beiden muss eine vernünftige Dimensionierung der Bauteile vorausgesetzt werden:
T3 soll mit TS einen Stromspiegel bilden, was nur funktioniert, wenn die über ihm
liegenden Zweige einen hinreichend großen Leitwert haben, so dass auch T3 im
Abschnürbereich arbeitet. Die Differenzstufe wird nur dann hoch verstärkend sein,
wenn die beiden Eingangstransistoren an V1 und V2 ebenfalls im Abschnürbereich
sind.
8.5 Die Slew Rate gibt die maximale Änderung des Ausgangspotenzials an. Sie
wird also in V/(μs) (Lösung d)) angegeben.
8.6 a) Abbildung 8.27 zeigt das Großsignal-Ersatzschaltbild der Differenzstufe.
Man erkennt, dass der nach V− abfließende Strom unabhängig von den Eingangspo-

Abb. 8.27 zur Aufgabe 8.6:


Großsignal-Ersatzschaltbild
der in Abb. 8.16 gezeigten
Differenzstufe

tenzialen ist.
b) Der abfließende Strom ist I = (B + 1)IB3 = 61 · 20 μA = 1, 22 mA. Jeweils die
Hälfte fließt durch die Emitter der beiden Eingangstransistoren. Daher sind die Ein-
gangsströme unabhängig von den Eingangspotenzialen I1 = I2 = 12 IB3 = 10 μA.
Über die Kollektorwiderstände fließt ein Strom von jeweils I(RC1 ) = BI1 = 60μA
und erzeugt einen Spannungsabfall von URC = RC1 · I(RC1 ) = 1, 2 V. Daher liegt an
den Kollektoren der Eingangstransistoren ein Potenzial von VC = V+ − URC = 1, 8
V. Das Emitterpotenzial folgt dem Eingangspotenzial um UBE = 0, 65 V versetzt.
Über den Emitterwiderständen fällt eine Spannung von URE = (B + 1)I1 · RE ≈ 0, 46
V ab.
c) Das Großsignal-Ersatzschaltbild ist nur so lange anwendbar, wie die Transisto-
ren im Vorwärtsbetrieb sind. Das heißt in diesem Falle: So lange, wie die Ströme
und Spannungen an den Stromquellen das gleiche Vorzeichen haben ist das Bild
8.3 Antworten zu Kapitel 8 265

anwendbar. Wenn die Spannung über den Stromquellen gleich Null ist, gehen die
Transistoren in die Sättigung. In diesem Falle heißt das: −1, 89 V < V1 < 1, 85 V.
8.7 Zum Ausbalancieren der Eingangsströme muss RE = R1  R2 = 1, 6 kΩ gewählt
werden.
Da der Operationsverstärker positiv rückgekoppelt ist, ist die Ausgangsspannung
auf Dauer entweder VAus = V+ oder VAus = V− . Am nicht invertierenden Eingang des
Verstärkers liegt dann ein Potenzial VAus ·R1 /(R1 +R2 ) an. Daher sind die Umschalt-
punkte
R1 R1
VEin,1 = V+ · und VEin,2 = V− · . (8.15)
R1 + R2 R1 + R2
Die Umschaltpunkte liegen also bei ±1 V.
8.8 Zur Lösung muss man die Integrale kennen: Eine Konstante integriert gibt eine
Gerade, eine Gerade integriert gibt eine Parabel und eine Sinus-Funktion integriert
gibt eine negative Cosinus-Funktion, die vom Operationsverstärker wieder umge-
kehrt wird. So ergibt sich das in Abb. 8.28 gezeigte Bild.

Abb. 8.28 zur Aufgabe 8.8:


Ein- und Ausgangssignale an
einem Umkehrintegrator. Die
dunklen Linien sind die Aus-
gangssignale, die gepunkteten
die Eingangssignale. Das inte-
grierte Signal eines Dreieck-
Eingangs (Mitte) wird gerne
mit einer Sinus-Funktion ver-
wechselt. Es handelt sich aber
um Parabelabschnitte (Spli-
nes). Alle Ausgangssignale
haben Maxima oder Minima
bei den Nulldurchgängen der
Eingangssignale

8.9 Der zweite Satz Transistoren ist vorzuziehen. Er hat zwar eine geringere
Stromverstärkung, dafür aber eine höhere Eingangsimpedanz und die größere Early-
Spannung. Und es gilt: Je größer der Betrag der Early-Spannung, desto kleiner rCE
und desto besser die Gleichtaktunterdrückung.
8.10 Die Transitfrequenz eines Operationsverstärkers ist diejenige Frequenz, bei
der die Ausgangs-Spannungsamplitude gleich der Amplitude der Eingangs-Span-
nungsdifferenz ist.
8.11 a) Der an VRe f angeschlossene Transistor dient als Stromsenke, soll also einen
möglichst konstanten Kollektorstrom ziehen. Deshalb sollte dem Basisanschluss
dieses Transistors eine Schaltung mit möglich konstantem Strom vorgeschaltet wer-
266 8 Operationsverstärker

den und der Transistor selbst im Vorwärtsbetrieb sein. Auch die beiden Transistoren
T1 und T2 sollten zur maximalen Verstärkung im Vorwärtsbetrieb sein.
b) Abbildung 8.29 zeigt das Kleinsignal-Ersatzschaltbild der Differenzstufe. Man

Abb. 8.29 zur Aufgabe 8.11: Oben ist das Kleinsignal-Ersatzschaltbild einer Differenzstufe mit
1/rCE = 0 für alle Transistoren gezeigt. Das Schaltbild wird deutlich einfacher, wenn IB3 =
konst → iB3 = 0 angenommen wird und die Bauteile gleiche Parameter haben (unten)

erkennt die Stromquellenfunktion des Transistors T3 in der Mitte. Da dessen Strom


von u1 und u2 nicht abhängt, entscheiden die beiden Eingangsspannungen nur noch
über die Aufteilung des Quellenstroms. Ist dieser konstant, so wird die mittle-
re Stromquelle zur Konstantstromquelle und fällt aus dem Ersatzschaltbild heraus
(Abb. 8.29 unten).
c) Vor der Rechnung ein Tipp: Schaltungen mit Bipolar-Transistoren lassen sich
am leichtesten berechnen, wenn zunächst versucht wird, die Basisströme zu bestim-
men. Differenzstufen mit Bipolar-Transistoren lassen sich am leichtesten berech-
nen, wenn man zunächst versucht, die Differenzen der Basisströme zu finden. Hier
bedeutet dies eingangsseitig

u1 − u2 = rBE1 iB1 − rBE2 iB2 → u1 − u2 = rBE (iB1 − iB2 ) . (8.16)

Ausgangsseitig betrachten wir die Differenz der Spannungen über den Kollektorwi-
derständen. Da die Kollektorwiderstände gleich dimensioniert sind, können wir

u(RC2 ) − u(RC1 ) = RC β (iB1 − iB2 ) (8.17)

schreiben und die Differenz der Basisströme herauskürzen:


u(RC2 ) − u(RC1 ) RC β
=− . (8.18)
u2 − u1 rBE
8.3 Antworten zu Kapitel 8 267

Da aber die Summe der Emitter-Ströme konstant ist, gilt iE1 + iE2 = 0, also auch
(β + 1)iB1 + (β + 1)iB2 = 0 → iB1 = −iB2 und iC1 = −iC2 , daher schließlich uDi f f =
u(RC2 ) = −u(RC1 ), und man gelangt zum Endergebnis

uDi f f RC β
VΔU = =− . (8.19)
u2 − u1 2rBE

d) Nein, diese Schaltung ist nicht robust. Das ist daran zu erkennen, dass β und rBE
explizit in der Formel für die Differenzverstärkung auftreten. Die Erfahrung lehrt:
Wer diese Schaltung im Labor aufbaut, wird an ihr keine Freude haben.
e) Stromgegenkopplung ist das Mittel der Wahl, um diese Schaltung robuster zu
machen (siehe Abschnitt 8.2).
f) Tipp: Wann immer dies möglich ist, sollten Verlustleistungen für die Schaltung
als Ganzes und nicht als Summe der Einzelverluste berechnet werden. Dieser Ansatz
führt zu deutlich einfacheren Berechnungen. In diesem Fall heißt dies PVerlust =
Gesamtstrom mal Gesamtspannung, oder

PVerlust = (V+ −V− ) · B · IB3 . (8.20)

Dabei wird in der Regel (V+ − V− ) = 2V+ sein. In Gl. (8.20) wurde der Anteil des
Basisstromes, welcher von VRe f nach V− fließt, vernachlässigt. Die zusätzliche Ver-
lustleistung in Höhe von P Zusatz = IB3 · (VRe f − V− ) wird in der Regel keinen nen-
nenswerten Beitrag darstellen. Dafür überschätzt Gl. (8.20) an anderer Stelle die
Verlustleistung ein wenig: Die in die Basen der Transistoren T1 und T2 hineinflie-
ßenden Ströme fließen über ein kleineres Potenzialgefälle als (V+ −V− ). Insgesamt
ist Gl. (8.20) bis zu maximalen relativen Abweichungen der Größenordnung 1/B
korrekt.
8.12 Wenn V1 steigt, nimmt der Basisstrom von T1 zu, und mit ihm der Strom
im gesamten linken Zweig. Da T3 aber die Summe aus den beiden Strömen fast
konstant hält, muss der Strom im rechten Zweig etwa in dem Maße sinken, in dem
er im linken Zweig ansteigt. Gleichzeitig bilden die Transistoren T4 und T5 einen
Stromspiegel, der im Idealfall bis auf einen Faktor (B + 1)/B gleiche Ströme in
beiden Zweigen erzwingt.
Wären alle Transistoren vom Early-Effekt befreit, wäre also das Verhalten der
Schaltung nicht widerspruchsfrei zu beschreiben.
Weil die Stromquelle T3 nicht ganz ideal ist und (wichtiger) weil der Kollektor-
Emitter-Widerstand des Transistors T5 Stromdifferenzen durch entsprechend hohe
Spannungen über rCE5 kompensieren kann, kann der Strom über rCE5 den scheinba-
ren Widerspruch auflösen. Genau diese Kompensation sorgt jedoch für ein großes
uDi f f . Und genau deshalb hat diese Differenzstufe eine so große Spannungsdiffe-
renzverstärkung. Eine quantitative Abschätzung liefert Aufgabe 8.19.
8.13 Das Schaltbild ist in Abb. 8.30 links gezeichnet. Bei der Konstruktion des
Kleinsignal-Ersatzschaltbildes kann man zunächst die Transistoren ersetzen (Abb.
8.30 rechts). Dabei zeigt sich aber: Alle Stromquellen liefern konstanten Strom, und
268 8 Operationsverstärker

Abb. 8.30 zur Aufgabe 8.13: Stromquelle aus PMOS-Transistoren. Die gepunktete Linie gibt an,
von wo aus die Stromquellen gesteuert werden

so bleibt nur noch ein einziger Widerstand mit dem Leitwert gd übrig. Das ist der
Kehrwert des Innenwiderstandes: ri = 1/gd .
8.14 a) Das Schaltbild ist in Abb. 8.31 gezeichnet. Die Stromquellen der Ein-

Abb. 8.31 zur Aufgabe 8.14:


Kleinsignal-Ersatzschaltbild
der in Abb. 8.1 gezeigten
NMOS-Differenzstufe. RS
und TS führen konstante
Ströme und fallen ganz her-
aus.

gangstransistoren werden durch die Differenzen der Eingangspotenziale zum ge-


meinsamen Source-Potenzial gesteuert, also durch u1 − uS und u2 − uS .
b) Wird gd3 → 0 gesetzt, der Transistor T3 also als perfekte Stromquelle behan-
delt, dann ist die Summe der beiden (Kleinsignal- ) Zweigströme Null. Ströme und
Spannungen in der Schaltung werden vollständig antisymmetrisch. Über den linken
Drain-Widerstand RD fließt ein Strom mit der gleichen Stärke wie über den rechen,
nur in entgegengesetzter Richtung. Die Source-Spannung uS kann durch Differenz-
bildung eliminiert werden. Nennt man im1 den Strom durch die linke Quelle und im2
den durch die rechte, dann wird

im1 − im2 = gm (u1 − u2 ) . (8.21)

Genau so werden die Drain-Source-Widerstände behandelt:

id1 − id2 = −2uDi f f gd (u1 − u2 ) . (8.22)

Insgesamt erhält man


uDi f f gm
VΔU = = . (8.23)
u1 − u2 2 gd + R1D
8.3 Antworten zu Kapitel 8 269

c) Setzt man in Gl. 8.4 gd,P = 1/RD und gm,P = 0, dann kommt es, wie es kommen
muss: Gleichung (8.23).
d) Eine Verdoppelung der Transistorweiten würde deren Leitfähigkeit verdoppeln.
Bei gleichzeitiger Halbierung der Drain-Widerstände RD würden sich die Spannun-
gen genau so einstellen, wie vor der Änderung. Die Kleinsignal-Parameter würden
ebenfalls ihren Wert verdoppeln. Nach Gl. (8.23) bliebe also die Verstärkung kon-
stant.
Im Halbleiter-Schaltungsentwurf ist noch folgender Fall interessant: Vergrößert
man die Längen und die Weiten aller Transistoren um den gleichen Faktor, so ändern
sich deren Leitwerte kaum. Die Prozessstreuungen nehmen aber in dem Maße ab,
in dem sich die Längen und Weiten von der optischen Auflösung der Fertigungs-
ausrüstung entfernen (siehe Aufgabe 8.1).
8.15 a) In Abb. 8.32 wird der Verlauf skizziert: Der kleine Impuls am Eingang

Abb. 8.32 zur Aufgabe 8.15:


Entstehung einer Schwingung
an einem nicht kompensierten
Operationsverstärker: Ein be-
liebig kleiner Anfangsimpuls
reicht

wird zunächst verzögert an den Ausgang weitergegeben. Er liegt dann sofort am in-
vertierenden Eingang an und führt zu einem um ein weiteres Δt verzögerten, aber
vergrößerten Impuls. So schaukelt sich das Signal auf.
b) Die Form des Endzustandes hängt von der Slew Rate ab: Ist diese groß (schnelles
Umschalten), dann steht am Ende der Entwicklung ein Rechteckgenerator mit der
Frequenz fSchwing = 1/(2Δt). Ist die Slew Rate so klein, dass die Versorgungsspan-
nungen nicht annähernd erreicht werden, so bleibt eine Sinus-Schwingung gleicher
Frequenz.
8.16 Am nicht invertierenden Eingang des Operationsverstärkers liegt ein Potenzial
V+ = VP · R0 /(R0 + RP ) an. Wegen der negativen Rückkopplung liegt das gleiche
Potenzial am invertierenden Eingang, V− an. Da in den invertierenden Eingang kein
Strom hinein-fließt, gilt
 
RR RR RR R0
VAus = − (VM −V− ) +V− = − ·VM + 1 + · ·VP . (8.24)
RM RM RM R0 + RP

Wenn dies insgesamt eine Subtraktion sein soll, dann muss der Faktor vor VM ebenso
gleich Eins sein, wie der vor VP . Dies ist dann der Fall, wenn

RR = RM und R0 = RP . (8.25)

Um den allgemeineren Fall VAus = α(VP −VM ) zu erreichen, müssen die beiden
in Gl. (8.26) vor den Potenzialen stehenden Faktoren gleich α gesetzt werden. Man
erhält
270 8 Operationsverstärker

RR R0
α= = . (8.26)
RM RP
8.17 Um die Kennlinie dieser Schaltung zu verstehen, muss man die Fälle VEin < 0
V und VEin > 0 V getrennt betrachten.
Schon bei kleinen negativen Eingangspotenzialen sorgt die hohe Verstärkung
dafür, dass die Diode DA gut leitet, während DR in Sperrrichtung gepolt ist. Die
Schaltung verhält sich genau so wie ein invertierender Verstärker:
VAus = −VEin · RR /RE .
Bei positiven Eingangspotenzialen wird das Potenzial am Ausgang des Operati-
onsverstärkers stark negativ. In diesem Fall sperrt die Diode DE , und die Diode DR
sorgt dafür, dass am invertierenden Eingang des Verstärkers das Massenpotenzial
liegt. Damit ist auch VAus = 0. So ergibt sich insgesamt die in Abb. 8.33 gezeigte
Kennlinie.

Abb. 8.33 zur Aufgabe


8.17: Kennlinie eines aktiven
Präzisions-Gleichrichters. Bei
negativen Eingangspotenzia-
len ist die Ausgangsspannung
proportional zum Eingangs-
potenzial, bei posivtiven hält
der Verstärker den Ausgang
auf Null

8.18 a) Für den in Abb. 8.9 gezeigten, nicht invertierenden Verstärker gilt

dVAus RR
VU = = (1 + ) . (8.27)
dVEin R0
Daher ist RR = 9 kΩ zu wählen. Damit in beide Eingänge ähnlich große Ströme
fließen, wird ein Widerstand

RE = RR  R0 = 900 Ω (8.28)

gebraucht.
b) Die Schaltung erreicht nur dann die volle Verstärkung, wenn die maximale Ände-
rungsgeschwindigkeit des Ausgangspotenzials kleiner als die Slew Rate ist:

dVAus
< SR → V̂Aus ω max < SR . (8.29)
dt
Mit fmax = 2πω max ergibt sich ein Zahlenwert von fmax = 796 kHz.
8.3 Antworten zu Kapitel 8 271

8.19 Vor dem Zeichnen des Kleinsignal-Ersatzschaltbildes ist die Frage zu beant-
worten, welche Bauteile unter den gegebenen Voraussetzungen ganz wegfallen.
Dann ist zu überlegen, welcher Eingangsfall zu betrachten ist: u1 = 0 weil dann T1
wegfällt, u2 = 0 weil dann T2 wegfällt oder u1 = −u2 weil symmetrische Lösungen
am Ende doch immer die besseren sind?
Da der Transistor T3 als Konstantstromquelle arbeitet, fällt er aus dem Kleinsig-
nal-Ersatzschaltbild heraus und, übrig bleibt das in Abb. 8.34 oben gezeigte Er-
satzschaltbild. Setzt man in diesem Bild u1 gleich Null, wird der Strom i2 unbe-
stimmbar, eine Konsequenz der Idealisierung der Transistoren T1 bis T3 . Der einzi-
ge in dieser Näherung sinnvoll rechenbare Fall ist der antisymmetrische: u1 = −u2 .
In diesem Fall ist iB1 u1 /rBE1 = −i2 und iC2 = −iC1 . In Worten: Die Eingangs-
Basisströme heben sich auf und die Stromquellen der Eingangstransistoren ver-
halten sich als Reihenschaltung gemeinsam wie eine einzige Stromquelle, die den
Strom iC1 = β i1 = u1 β /rBE1 = u1 S1 führt. So entsteht das in Abb. 8.34 unten gezeig-
te Ersatzschaltbild. Die Stromsumme aus iC1 + β iB5 fließt über rCE5 ab und erzeugt

Abb. 8.34 zur Aufgabe 8.19: Vereinfachtes Kleinsignal-Ersatzschaltbild des Stromspiegels der
Differenzstufe. Für u1 = −u2 wird der Strom durch rBE1 über rBE2 wieder abgeführt. So bleiben
vom unteren Teil des Ersatzschaltbildes nur zwei in Reihe geschaltete, den gleichen Strom iC1
führende Stromquellen übrig
272 8 Operationsverstärker

die Ausgangsspannung uDi f f .


Die Stromquelle β iB4 verhält sich zusammen mit dem Emitterwiderstand rBE4
wie ein einzelner kleiner Widerstand. Denn bei einer Spannung uBE4 an diesen Bau-
teilen fließt durch beide zusammen ein Strom (β + 1)rBE4 . Daher kann der Strom
durch den Emitterwiderstand rBE5 mit Hilfe der Stromteiler-Formel bestimmt wer-
den:
1
rBE5 1
iB5 = i(rBE5 ) = iC1 · = iC1 · . (8.30)
1
rBE5 + rCE4 + (β4 + 1) · rBE4
1 1 2 + β4 + rrCE
BE

Dabei dürfte der Term rBE /rCE in der Regel zu vernachlässigen sein. Der gesamte
Strom ist dann  
β5
i(rCE5 ) = iC1 · 1 + ≈ 2iC1 . (8.31)
2 + β4 + rrCE
BE

Damit ergibt sich am Ausgang eine Verstärkung


uDi f f uDi f f
VU = = ≈ S1 rCE5 . (8.32)
u1 − u2 2 · u1
Man sieht: Je kleiner der Early-Effekt, desto größer die Differenzverstärkung. Des-
halb führt die Extrembetrachtung rCE → ∞ auch zu unauflösbaren Widersprüchen
(siehe Aufgabe 8.12).
8.20 Das Ersatzschaltbild ist in Abb. 8.35 gezeigt und sieht dem mit Hilfe des

Abb. 8.35 zur Aufgabe 8.20:


Ersatzschaltung eines rück-
gekoppelten Operations-
verstärkers mit endlicher
Verstärkung und Offset

idealen Verstärkers gewonnenen sehr ähnlich. Das liegt zunächst daran, dass durch
Z P kein Strom fließt und deswegen am nicht invertierenden Eingang direkt das Po-
tenzial VP anliegt. Dies ist aber nicht gleich dem zwischen Z M und Z R liegenden
Potenzial VX . Vielmehr gilt nach Gl. (8.13)

VAus = VU · (VP −VX −UO f f set ) . (8.33)

Außerdem fordert die Stromerhaltung


VM −VX VX −VAus
= . (8.34)
ZM ZR

Nun kann VX eliminiert werden. Man erhält


(VP −UO f f set )(Z M + Z R ) −VM Z R
VAus = . (8.35)
Z M + (Z M + Z R )/VU
8.3 Antworten zu Kapitel 8 273

Im Grenzfall Vu → ∞ und UO f f set = 0 erhält man das mit Gl. (8.6) konsistente
Ergebnis 
ZR Z
VAus = 1 + ·VP − R ·VM . (8.36)
ZM ZM
8.21 a) Die Übertragungsfunktion dieser Schaltung ist

RR  Z R 1
T =− =− . (8.37)
RE + Z E R C
RR + CE + j ωRE CR − ωRRCE
E R 1

Der Betrag dieser Funktion ist maximal, wenn der Imaginärteil im Nenner ver-
schwindet. Daraus ergibt sich eine Durchlass-Kreisfrequenz von
1
ω0 = 2π f0 = √ . (8.38)
RE RRCE CR
In dem Maße, in dem sich die Frequenz von f0 entfernt, nimmt der Imaginärteil
im Nenner von (8.37) zu. Die Grenzfrequenz fg = ωg /(2π) ist bei dieser Schaltung
erreicht, wenn sie genau so groß wie der (konstante) Realteil ist:

RE CR 1
+ = ± ωg RE CR − . (8.39)
RR CE ωg RRCE

Von den vier Lösungen dieser quadratischen Gleichung in ωg sind nur zwei positiv:
  2 
1 1 1 1 1 1 1
ωg = + + ± + . (8.40)
4 RE CE RRCR RE RRCE CR 2 RE CE RRCR

Die Güte ist daher √


ω0 RE RRCE CR
Q= = . (8.41)
ωgo − ωgu RE CE + RRCR
Auffällig an Gl. (8.41) ist die Symmetrie: Man kann Ein- und Rückkopplungsele-
mente vertauschen und erhält dieselbe Güte. Um das beste Verhältnis der beiden zu
finden, setzen wir RRCR = x · RE CE und erhalten

x
Q= . (8.42)
1+x
Diese Funktion hat ihr Maximum bei x = 1, wenn also RE CE = RRCR ist.
Mit dieser Erkenntnis können die Zahlenwerte ermittelt werden. Aus Gl. (8.38)
folgt
1
RE = RR = = 0, 67 kΩ . (8.43)
2π f0CE

b) Die Bandbreite kann direkt aus Gl. (8.42) und ohne Einsetzen der Bauelemente-
Parameter gewonnen werden: B = f0 /2 = 100 MHz.
274 8 Operationsverstärker

c) Ein Rechtecksignal der Frequenz f0 kann als Summe von Sinus-Schwingungen


mit den Frequenzen f0 , 3 f0 , 5 f0 , ... zusammengesetzt werden. Der Bandpass lässt
davon (bis auf kleine Korrekturterme) nur die mit der kleinsten Frequenz f0 durch.
Daher ist das Ausgangssignal eine Sinus-Funktion. Deren Amplitude ergibt sich aus
der Übertragungsfunktion bei f = f0 :
1
u Aus (t) = T ( f0 ) · u Ein (t) = u (t) . (8.44)
2 Ein
Am Ausgang sieht man also eine Sinus-Funktion, deren Amplitude halb so groß ist,
wie die des Rechtecksignals und die demgegenüber keinerlei Phasenverschiebung
hat.
Zusatzinformation aus dem Hochschulleben: Als Praktikumsversuch hat diese Schal-
tung schon viele Beinamen bekommen: Versuch der Unverbesserlichen oder Schwie-
germutterversuch oder sogar Professorenversuch, denn ganz egal, was man dem
Eingang an Signalen vorsetzt, ob Rechteck, Dreieck oder Sägezahn, es kommt im-
mer das Gleiche am Ausgang heraus.
8.22 a) Das Ausgabesignal ist ein Rechtecksignal, dessen Amplitude die Differenz
der Versorgungspotenziale ist.
b) Zur Bestimmung der Frequenz muss der zeitliche Verlauf der Eingangsspannung
unmittelbar nach einem Umschaltvorgang bestimmt werden. Aus den Bauelemente-
Gleichungen Q = C ·VEin und VAus −VEin = R · I folgt die Differenzialgleichung

dVEin
VAus −VEin = RC (8.45)
dt

mit der allgemeinen Lösung VEin = VAUS + V0 e−t/(RC) . Die Unbekannte V0 wird
durch die Anfangsbedingung festgelegt: Bei t = 0 soll das Eingangspotenzial gerade
gleich der unteren Umschaltschwelle VEin1 sein. Durch Einsetzen in (8.45) folgt

VEin = VAus + (VEin1 −VAus )e−t/(RC) . (8.46)

Die halbe Periodendauer τ/2 ist gerade die Zeit, die verstreicht, bist die zweite
Umschaltschwelle, VEin2 , erreicht ist:

VEin2 = VAus + (VEin1 −VAus )e−τ/(2RC) . (8.47)

Nach τ aufgelöst ergibt sich mit VAus = VDD



VDD −VEin1
τ = 2RC ln ≈ 29 μs . (8.48)
VDD −VEin2

Die Schaltung erzeugt also ein Rechtecksignal mit einer Frequenz von f ≈ 34 kHz.
8.23 Am besten zeichnet man, wie in Abb. 8.36 gezeigt, für beide Stufen getrennte
Ersatzschaltbilder. Für die linke Stufe erhält man
Literaturverzeichnis 275

Abb. 8.36 zur Aufgabe 8.23:


Ersatzschaltbild des Instru-
mentenverstärkers. Das durch
den Spannungsteiler von VB
erzeugte Potenzial wird in den
Formeln mit V... bezeichnet

VA −VX VX −VY VY −VB


= = (8.49)
RV R1 RV
und damit die Potenziale VA ,VB und deren Differenz:

RV RV
VA = 1 + VX − VY
R1 R1

RV RV
VB = 1 + VY − VX
R1 R1

2RV
VA −VB = 1 + (VX −VY ) . (8.50)
R1

Die rechte Stufe besteht aus zwei gekoppelten, unbelasteten Spannungsteilern (siehe
Aufgabe 8.16):
R0
V... = VB
R0 + RP
VA −V... VAus −V...
=− . (8.51)
RM RR
Werden die Zahlen eingesetzt, ergibt sich VAus = 122 · (VY −VX ). Weitere Informa-
tionen zur elektronischen Messtechnik findet man in [5].
8.24 In jeder Differenzstufe ist auf der nicht an den Ausgang geschlossenen Seite
das Komplementärsignal bereits vorhanden. Man muss es nur noch, wie in Abb.
8.37 gezeigt, nutzen.

Literaturverzeichnis

1. Texas Instruments: LM148,LM248,LM348, Literature Number SNOSBT2D, 2003, und


www.national.com
276 8 Operationsverstärker

Abb. 8.37 zur Aufgabe 8.24:


Die hier gezeigte Differenz-
stufe erzeugt in einem ein-
zigen Schritt das Komple-
mentärsignal (V1++ ,V2++ )
aus dem ursprünglichen
(V1 ,V2 )

2. Joachim Federau: Operationsverstärker, Vieweg und Sohn Verlag Wiesbaden 2004, ISBN 3-
528-23857-7
3. J. Langner, Ekbert Hering, W. Laveure: Elektronik für Ingenieure und Naturwissenschaftler,
Springer-Verlag Berlin 2005, ISBN 9783540243090
4. Stefan Dumler: Lineare Rechenverstärker, Books on Demand Verlag, Berlin 2009, ISBN 978-
3839124055
5. Reinhard Lerch: Elektrische Messtechnik, Springer-Verlag, Berlin 2007, ISBN 978-3-540-
73610-3
6. Horst Wupper, Ulf Niemeyer: Elektronische Schaltungen 2, Springer Berlin 1996, ISBN 3-
540-60745-5
7. Rainer Ose: Elektrotechnik für Ingenieure: Bauelemente und Grundschaltungen mit PSPICE,
Hanser Verlag 2006, ISBN 978-3-446-40678-0
Anhang A
Was Sie vielleicht schon immer wissen wollten

Wer etwas richtig gut macht, der findet immer etwas Neues
(Samuel Ting, Entdecker des Charmed Quarks)

A.1 Einheiten verstehen

Warum gilt eigentlich die folgende Gleichung?

1 V·1 A = 1 W (A.1)

Dies ist weder ein Zufall noch ein Naturgesetz, sondern eine Konsequenz der Tatsa-
che, die Einheiten Volt und Ampère gerade so definiert wurden, dass Gl. A.1 erfüllt
ist.

Die freie Wahl


Dass diese Freiheit, Volt und Ampère so zu definieren, überhaupt gegeben ist, liegt
daran, dass es in der Elektrostatik zwar drei Parameter, aber nur zwei Randbedin-
gungen gibt. Die beiden von einer Probeladung Q probe zu erfüllenden Kraftgesetze
sind die der Coulomb-Kraft (siehe Definition 1.3)
n
Qi r i
FProbe = QProbe · E mit E=∑ · 3 (A.2)
i=1 4πε0 ri

und der Lorentz-Kraft (siehe Gl. 1.17)



FProbe = QProbe · vProbe × B mit Bd = μ0 I . (A.3)

In diesen beiden Kraftgesetzen sind nur die Einheiten für die Kraft F und die Ge-
schwindigkei v vorgegeben. Aber es gibt drei neue Größen: Q, ε0 und μ0 (I und Q
legen sich wegen I = dQ/dt gegenseitig fest), für die nur die zwei oben gezeigten

277
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-642-33495-5,
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
278 A Was Sie vielleicht schon immer wissen wollten

Randbedingungen existieren. Daher kann eine der drei Größen frei gewählt wer-
den.1

Der Weg zum Ampère


Die Art, wie die Einheit Ampère definiert ist, hat die bemerkenswerte (und natürlich
erwünschte) Konsequenz, dass von den drei Konstanten nur zwei, ε0 und der Strom
von genau 1 A experimentell zu bestimmen sind. Das verbleibende μ0 wird so eine
rein mathematisch bestimmte Größe.
Im 20. Jahrhundert ist das Zeitalter der hinterlegten Einheitsmaße wie Urmeter
etc. durch das Zeitalter der überall nachzumessenden Definitionen abgelöst worden:
Eine Sekunde wird als Anzahl von Atomschwingungeen definiert, ein Meter als die
Länge der Strecke, die das Licht im Vakuum während der Dauer von (1/299 792
458) Sekunden durchläuft. Es gibt also keine in Paris hinterlegte Flasche mit einer
Ur-Einheitsladung (das würde auch gar nicht funktionieren), sondern eine Messvor-
schrift, wie die Einheitsgröße des Stromes,1 Ampère, zu bestimmen ist:
Definition A.1. Durch zwei sehr lange, gerade, a = 1 m voneinander entfernte Lei-
tungen im Vakuum fließen I = 1 A hin und I = 1 A zurück, wenn auf jeden Meter
Länge der Leitungen eine Kraft von F/ = 2 · 10−7 N/m wirkt.
Gemeint ist die in Abb. A.1 gezeigte Anordnung. Mit Hilfe des Ampèreschen Ge-

Abb. A.1 Messanordnung


zur Definition eines Ampères:
Wenn pro Meter auf jeden
der beiden langen, dünnen
Drähte im Abstand von 1 m
pro Länge eine Kraft von
2 · 10−7 N/m wirkt, dann
fließen genau 1 A hin und 1 A
zurück

setzes (siehe Aufgabe 1.8 im ersten Kapitel) lässt sich die Kraft berechnen:

ΔF
= I · B und B · 2πa = μ0 I (A.4)
Δ
und man erhält als Wert von μ0

Δ F 2πa Nm
μ0 = · → μ0 = 4π · 10−7 2 . (A.5)
Δ  I2 A

1 Man kann hierzu folgendes Gedankenexperiment anstellen: Wenn die Einheit für die Ladung so

verändert würde, daß Q immer den doppelten Wert hätte, dann würde eine Vervierfachung von ε0
die erste Randbedingung Gl. A.2 und eine Viertelung von μ0 die zweite Randbedingung Gl. A.3
retten.
A.1 Einheiten verstehen 279

μ0 ist also mathematisch und nicht physikalisch definiert. Vie viel genau ein Ampère
ist, muss dagegen experimentell bestimmt werden.
Grundsätzlich ließe sich das noch verbleibende ε0 über das Kraftgesetz A.2 be-
stimmen. Eine andere Methode ist aber sehr viel genauer: Aus den Maxwellschen
Gleichungen 1.32 folgt unmittelbar, dass zeitlich veränderliche Felder zur Wellen-
ausbreitung führen:

∂ 2E ∂ 2B
∇2 E = μ0 ε0 und ∇2
B = μ 0 ε 0 . (A.6)
(∂t)2 (∂t)2

Die Gleichungen A.6 sind Gleichungen für Wellen mit einer Ausbreitungsgeschwin-
digkeit
1
c= √ . (A.7)
μ0 ε0
Da die Lichtgeschwindigkeit c sehr genau bekannt ist, wird Gl. A.7 zur Messvor-
schrift für ε0 verwandt.

Der Weg zum Volt


Aus dem Coulombschen Kraftgesetz lässt sich ein Energiegesetz gewinnen. Nu-
merisch funktioniert dies genau deshalb, weil die Konstanten in Gl. A.2 gerade so
gewählt wurden, dass eine Einheitsladung und eine Einheitsfeldstärke gerade zu ei-
ner Einheitskraft von 1 Newton führen.
Nach Definition 1.5 ist das Potenzial gleich der Energie eines Probekörpers, di-
vidiert durch seine Ladung. Die Spannung genannte Potenzialdifferenz ist daher bis
auf den Faktor Q eine Energiedifferenz ΔW :
 b  b
ΔW = − Fds = −Q Eds = Q(Ub −Ua ) . (A.8)
a a

Die Einheit für Spannung ist also 1 Joule pro Coulomb.


Wenn nicht nur eine einzige Ladung bewegt wird, sondern dies kontinuierlich
mit einem Strom I = Δ Q/Δt geschieht, dann folgt aus Gleichug A.8:

ΔW ΔQ
P= = (Ub −Ua ) = I(Ub −Ua ) . (A.9)
Δt Δt
Da sowohl die Einheit für den Strom als auch die Kopplungskonstante für das elek-
trische Feld, ε0 , mit dem mechanisch definierten Newton konsistent sind, muss auch
die daraus abgeleitete Gl. A.9 mit den mechanischen Einheiten konsistent sein. Des-
halb gilt 1 Watt = 1 Volt · 1 Ampère.
280 A Was Sie vielleicht schon immer wissen wollten

A.2 Euler verstehen

Warum soll sich eigentlich ein Ingenieur oder eine Ingenieurin (bildlich gespro-
chen) in die komplexe Ebene begeben, wenn doch alle Messungen, alle √ Bauelemen-
te und alle Schaltungen real sind? Bis 3 kann man zählen, aber bis j = −1?
Die Antwort lautet: weil dort die komplexe Exponentialfunktion e jαx zu finden
ist. Und genau diese Funktion erlaubt es, zu multiplizieren statt abzuleiten und zu
dividieren statt zu integrieren:

d  jαx  1
e = jα · e jαx und e jαx dx = · e jαx . (A.10)
dx jα
Dass sich auch der Umgang mit den Winkelfunktionen drastisch vereinfacht, ist eine
praktische Zugabe, die aus

e jαx = cos(αx) + j sin(αx) (A.11)

folgt.

Der Weg in die komplexe Ebene und zurück


Die Benutzung komplexer Größen ist nur für harmonisch verlaufende Ströme und
Spannungen oder für deren Überlagerung sinnvoll. Sie verläuft immer in drei Schrit-
ten,
• Erweiterung in die Ebene hinein  sin(ωt + α) →  e jα e jωt ,
• rechnen in der Ebene, zum Beispiel mit dem Ergebnis B̂ e jβ e jωt ,
• zurück B̂ sin(ωt + β ) = ℑ(B̂ e jβ e jωt ),
und sie funktioniert genau deswegen, weil alle Gesetze der Elektrodynamik auch
für komplexe Werte gelten. Was leicht vergessen wird:

Die in der Wirklichkeit messbaren Ströme und Spannungen sind, im Gegen-


satz zu dem, was der Name suggeriert, der Imaginärteil ihrer komplexen Er-
weiterungen.

Es hat sich als praktisch erwiesen, die komplexen Größen mit einem Unterstrich
kenntlich zu machen und die von der Zeit abhängigen Teile von den konstanten An-
teilen zu separieren. Dabei werden für die Amplituden große Buchstaben verwandt.
Der Weg in die komplexe Ebene hinein wird dann folgendermaßen geschrieben:
 
u = Û sin(ωt + αU ) → u = Ûe j(ωt+αU ) = Ûe jαU e jωt = U e jωt
 jα  jωt
ˆ j(ωt+αI ) = Ie
i = Iˆ sin(ωt + αI ) → i = Ie ˆ I e = I e jωt . (A.12)

Aus den komplexen Amplituden lassen sich die messbaren Amplituden Û und Iˆ
durch Multiplikation mit den konjugiert komplexen Größen U ∗ und I ∗ gewinnen:
A.2 Euler verstehen 281

U ∗ U = Û e− jαU · Û e jαU = Û 2 e0 = Û 2
I ∗ I = Iˆ e− jαI · Iˆ e jαI = Iˆ2 e0 = Iˆ2 . (A.13)

Die Produkte auf der linken Seite von Gl. A.13 nennt man auch Betragsquadrate:

|U|2 = U ∗ U = Û 2 und |I|2 = I ∗ I = Iˆ2 . (A.14)

Mit Hilfe der Gl. A.12 lässt sich zeigen, dass darüber hinaus u∗ u = U ∗U = Û 2 und
das Entsprechende für Ströme gilt. Von jeder komplexen Amplitude A lässt sich
außerdem die Phase αA gewinnen. Die Gleichungen

ℑ(A)
A = Âe jα = Â(cos(α) + j sin(α)) → tan α = (A.15)
ℜ(A)

führen zu der sehr praktischen, auf alle komplexen Größen anwendbaren Beziehung

ℑ(A)
α = arctan . (A.16)
ℜ(A)

Vom Widerstand zur Impedanz


Der komplexen Erweiterung von Widerstand und Leitwert wurden eigene Namen
gegeben: Der komplexe Widerstand heißt Impedanz, Z, und der komplexe Leitwert
heißt Admitanz, Y . Sie werden als Verhältnis der komplexen Ströme und Spannun-
gen definiert:2
u U i I
Z= = und Y= = . (A.17)
i I u U
Der Impedanzbegriff ist für den effektiven Umgang mit Kapazitäten und Indukti-
vitäten bei Berechnungen von Schaltungseigenschaften von unschätzbarem Wert.
Denn ein Kondensator im Stromkreis führt wegen I = C · dU/dt normalerweise zu
einer Differenzialgleichung, deren Lösung der Bestimmung von Strom und Span-
nung vorangehen muss. Entsprechendes gilt wegen U = L · dI/dt auch für Spulen.
In der komplexen Ebene dagegen ergibt sich

du d  jωt 
i =C =CU e = C jωUe jωt = jωCu . (A.18)
dt dt
In Gl. A.18 zeigt der Vergleich zwischen der ganz linken und der ganz rechten Seite:
Strom und Spannung an einem Kondensator unterscheiden sich nur um einen kon-
stanten komplexen Faktor jωC. Also gilt für die Impedanz ZC eines Kondensators

1 1
ZC = = . (A.19)
jωC Y C

2 Falls das Gleichsetzen der Verhältnisse großer und kleiner Größen irritieren sollte: Setzt man in

Gl. A.17 u = Ue jωt , dann kürzen sich die von der Zeit abhängenden Terme heraus.
282 A Was Sie vielleicht schon immer wissen wollten

Für Spulen ergibt sich auf die gleiche Weise die Impedanz:

di d  jωt 
u=L =LI e = L jωIe jωt = jωLi , (A.20)
dt dt
also insgesamt
1
Z L = jωL = , (A.21)
YL
während für Ohmsche Widerstände das Ergebnis trivial ist:
1
ZR = R = . (A.22)
YR

Der praktische Nutzen der Gl. A.19 bis A.22 ist der Grund für die Verwendung
komplexer Größen in der Elektrotechnik.

A.3 Einstein verstehen

Was jetzt noch folgt, ist kein Prüfungsstoff mehr. Aber es soll Ihnen zeigen: Wenn
Sie bis hierher gekommen sind, dann sind Sie nur noch zwei Buchseiten vom
grundsätzlichen Verständnis der Relativitätstheorie entfernt und damit den ganz
großen Köpfen schon sehr nahe! Denn Einstein forderte: Nur was immer, überall
und bei jeder Geschwindigkeit gilt, ist ein Naturgesetz. Die Forderung, dass die Ge-
setze der Elektrodynamik bei jeder Geschwindigkeit gelten, müssen führt direkt zur
speziellen Relativitätstheorie, wie Sie jetzt verstehen können:

Die Grenze der Wahlfreiheit


Die Elektrostatik wird mit drei Parametern (I, ε0 und μ0 ) beschrieben, kennt aber
nur zwei experimentell zu erfüllende Randbedingungen: die Gesetze der Coulomb-
Kraft und der Lorentz-Kraft. Folgendes Gedankenexperiment führt zu einer wich-
tigen Erkenntnis: Wie müssten die Kraftgleichungen geändert werden, wenn der
Strom I, bzw. die Ladung Q, in neuen, um einen Faktor f von den alten Einheiten
unterschiedenen Einheiten gemessen würden?

Q = f · Q → I = f · I . (A.23)

Dann müssten die Gleichungen umgeschrieben werden: für die Coulomb-Kraft


n
Qi r i
FProbe = f · QProbe · E mit E= f ·∑  · 3 (A.24)
i=1 4πε 0 ri

und für die Lorentz-Kraft (siehe Gl. 1.17)


A.3 Einstein verstehen 283

FProbe = f · QProbe · vProbe × B mit Bd = f · μ0 I . (A.25)

Die Gl. A.24 und A.25 ergeben nur die gleiche Kraft, wenn gleichzeitig gilt
1
ε0 = f 2 · ε0 und μ0 = μ0 . (A.26)
f2
Hieraus folgt sofort:
ε0 · μ0 = ε0 · μ0 . (A.27)
Nun ist es es selbstverständlich, dass die Gültigkeit physikalischer Gesetze nicht
davon abhängen darf, in welcher Einheit gemessen wird, oder anders ausgedrückt:

Die Größen ε0 und μ0 sind wählbar, ihr Produkt μ0 · ε0 muss dagegen


den Rang einer Naturkonstanten haben, wenn alle Gesetze der Elektrostatik
gleichzeitig gelten sollen.

Der Weg zur Lorentz-Transformation


Wenn das Produkt ε0 · μ0 eine Naturkonstante ist und die Maxwellschen Gleichun-
gen zwangsläufig zu Wellengleichungen mit einer nur von diesem Produkt abhängi-
gen Ausbreitungsgeschwindigkeit führen (siehe Gl. A.7), dann muss immer, überall,
auch bei jeder Geschwindigkeit die gleiche Lichtgeschwindigkeit gemessen werden.
Dies widerspricht der Anschauung, wie Abb. A.2 zeigt. Wenn das Licht die Lampe

Abb. A.2 Paradoxon der


Lichtgeschwindigkeit: Mit
welcher Geschwindigkeit flie-
gen die Photonen aus der
Fahrradlampe? Nach der nai-
ven Anschauung müsste es
mehr als die Lichtgeschwin-
digkeit sein, nach den Geset-
zen der Elektrodynamik aber
nur genau die Lichtgeschwin-
digkeit

mit der Lichtgeschwindigkeit c verlässt und die Lampe selbst mit der Geschwin-
digkeit v des Fahrrades unterwegs ist, dann vermuten wir für die Photonen eine
Gesamtgeschwindig c + v. Die immer und überall gültige Beziehung A.7 erlaubt
dies aber nicht. Vielmehr muss das Licht mit einer Geschwindigkeit von genau c
unterwegs sein, unabhängig von der Geschwindigkeit des Fahrrades. Diese erstaun-
liche, der Anschauung vollkommen widersprechende Tatsache wurde von Michel-
son und Morley in den Jahren 1881-1887, also lange vor der Veröffentlichung der
Relativitätstheorie, in dem nach ihnen benannten Experiment nachgewiesen (eine
284 A Was Sie vielleicht schon immer wissen wollten

Beschreibung des Experiments findet sich in vielen Physikbüchern, zum Beispiel


auch in [2]).
Wenn die Gesetze in allen Systemen unabhängig von der Geschwindigkeit gleich
sind, dann müssen die Umrechnungsvorschriften von einem System (Fahrrad) in das
andere (Radweg) neu geschrieben werden. Hendrik Antoon Lorentz schlug vor, die
klassische Umrechnung

x = x + v t und x = x − v t (A.28)

um einen Faktor γ so zu erweitern,3 dass

x 2 = c2 t 2 und x2 = c2t 2 (A.29)

gleichzeitig zu erfüllen sind:

x = γ(x + v t) und x = γ(x − v t  ) (A.30)

Die Gleichungen
 A.29 und A.30 sind genau dann in Einklang zu bringen,4 wenn
γ = 1/ 1 − v2 /c2 und so folgende Lorentz-Transformation genannte Gleichungen
entstehen:
x−v·t t − v · x/c2
x =  und t =  . (A.31)
2 2
1 − vc2 1 − vc2
Kern der Relativitätstheorie ist also die Antwort auf die Frage: Wie müssen Raum
und Zeit zwischen zwei verschiedenen, sich mit der Geschwindigkeit v relativ zu-
einander bewegenden Beobachtern umgerechnet werden, damit beide die Indukti-
onsgleichungen bestätigt sehen, indem sie die gleiche Lichtgeschwindigkeit messen
und damit auch sicherstellen, dass für beide die gleichen Gesetze der Elektrostatik
gelten.
Der Schritt von den Maxwellschen Gleichungen zur Lorentz-Transformation ist
ein sehr großer. Von dort bis zur berühmtesten Formel der Welt, E = mc2 , ist es
weniger weit, jedoch außerhalb des Rahmens für dieses Buch. Mögen möglichst
viele, die diesen Anhang lesen, bald zu einem Physikbuch greifen!

3 Im Rahmen der theoretischen Physik wird gezeigt, dass nur dieser lineare Ansatz mit einem v

zwischen dem x und dem t sinnvoll


 ist, siehe zum Beispiel [1].
4 Aus A.30 lässt sich t  = γ t + xv (1 − γ12 ) bestimmen. Die nun beide bekannten t  und x wer-
den in die rechte der Gl. A.29 eingesetzt. Das Ergebnis ist eine Gleichung, in der x2 ,t 2 und x · t
vorkommen. Der Term vor x2 muss 1, der vor t 2 muss c2 und der vor x · t muss 0 sein. Aus diesen
Bedingungen folgt γ.
Anhang B
Allgemeine Tipps

Eine Elektrotechnikprüfung bestehen heißt: Alles andere muss sich diesem Ziel un-
terordnen. Bitte prüfen Sie sich: Ist es wirklich Ihr Ziel? Wenn dies nicht der Fall ist,
dann werden Sie nie wirklich gute Leistungen bringen. Wenn Sie aber − aus sich
selbst heraus − unbedingt den Studienabschluss erreichen wollen, dann können Sie
es schaffen.

B.1 Effektiv lernen

Setzen Sie Prioritäten


Nichts ist wichtiger als Ihre nächste Prüfung. Planen Sie die Tage so, dass die Zei-
ten des Lernens mit denen der größten Aufnahmefähigkeit übereinstimmen. Bei den
meisten Menschen ist das der frühe Vormittag und der späte Nachmittag. Vielleicht
gehören Sie aber auch zu den Nachteulen, die am besten lernen, wenn andere schla-
fen.
Alles ist trainierbar. Genau so, wie ein Muskel im Fitness-Studio wächst, so
wachsen auch die intellektuellen Fähigkeiten mit dem Training des Geistes. Am En-
de der Lernphase werden Sie nicht nur mehr wissen; Sie werden auch intelligenter
sein!

Trennen Sie Lernen und Freizeit


Schalten Sie jetzt Ihren Rechner, Ihr Smart Phone, Ihren MP3-Spieler und Ih-
re Spielkonsole aus! Der größte Feind des Verständnisses heißt Ablenkung. Auch
wenn Sie es gewohnt sind, immer online zu sein: Haben Sie den Mut zum Abschal-
ten. Und wenn Sie noch so gute Freunde haben: Haben Sie den Mut, für einige
Stunden nicht erreichbar zu sein. Eine große Hilfe kann auch die räumliche Tren-
nung von Arbeit und Freizeit sein: Der Autor dieses Buches hat als Student gerne in
der Bibliothek gearbeitet.

285
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-642-33495-5,
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
286 B Allgemeine Tipps

Umgekehrt gilt: Nur wer sich in seiner Freizeit einmal ganz von der Arbeit trennt,
der wird in ihr die notwendige Erholung finden. Suchen Sie sich für die Zeit zwi-
schen den Arbeitsphasen Beschäftigungen, die Sie ganz vereinnahmen und nicht
mehr an die Arbeit denken lassen (Mannschaftssport, Musikgruppen,...).

Reduzieren Sie Stress


Stresshormone blockieren das Langzeitgedächtnis. Planen Sie deshalb Ihre Prüfungs-
vorbereitung so, dass Sie nicht in Zeitnot geraten. Wer zu spät anfängt, hat schon
verloren. Machen Sie sich (am besten schriftlich) einen Plan mit erreichbaren Zie-
len, an dessen Ende noch etwas Extrazeit ist. Dann haken Sie ab, was Sie schon
gemacht haben.
Ehrlichkeit heißt die Mutter der Gelassenheit. Wer sich nichts vormacht, wer
weder sich noch anderen ein vergrößertes Arbeitspensum vorzugaukeln versucht,
der schläft ruhig. Selbstbetrug und alle milderen Versuche, das eigene Verhalten
umzudeuten, funktionieren nur bis zum Ende der ersten Tiefschlafphase. Sie sind
keine Maschine. Verzeihen Sie sich schlechte Tage. Wenn Sie die Angst überkommt
nicht zu bestehen, stellen Sie sich den schlimmsten Fall vor: Was wären die Folgen,
wenn das tatsächlich passiert? Sie werden feststellen: Selbst der ungünstigste Fall
lässt Sie weiterleben! Selbst wenn Sie das Studium abbrechen müssen, bietet Ihnen
die Zukunft eine Welt voller Chancen. Nur sind dies vielleicht andere Chancen,
als Sie bisher dachten. Auch Einsteins Habilitation wurde von der Universität Bern
1906 zunächst abgelehnt.

Mens sana in corpore sano


Alt, aber wahr! Wer ausgeschlafen ist, kann sich besser konzentrieren. Wer körper-
lich trainiert ist, dessen Blut transportiert mehr Sauerstoff. Wer aber regelmäßig
trainiert, der schläft auch besser. Und wer ausgeschlafen ist ... Jeder kann sich selbst
entscheiden, in welcher Richtung er diese Spirale durchlaufen will.

Erst allein, dann zusammen


Wer anderen eine Sache erklären kann, der hat sie selbst verstanden. Wer das erkannt
hat, der wird nach Gelegenheiten Ausschau halten, den Stoff anderen zu vermitteln.
Tutor an einer Hochschule zu sein ist eine Gelegenheit; innerhalb einer Lerngruppe
sich den Stoff gegenseitig vortragen eine andere. Am meisten profitiert der, der sich
vorbereitet hat und den anderen die Höchstschwierigkeiten erklärt.
B.2 Prüfungen bestehen 287

B.2 Prüfungen bestehen

Aussichtslos heißt noch lange nicht verloren


Es gibt immer wieder Situationen, in denen im wahrsten Sinne des Wortes die Aus-
sicht auf Erfolg verloren gegangen ist. Hier heißt es: Auch dann im Tunnel wei-
terfahren, wenn noch kein Licht am Ende sichtbar ist - im Leben allgemein und in
der Prüfung ganz besonders. Besser als Anhalten ohne Erfolg sind die folgenden
Versuche:

Machen Sie sich ein Bild


Eine Skizze hilft immer! Bei elektrotechnischen Problemen sollten Sie sich an-
gewöhnen, in solchen Skizzen Namen für alle Potenziale zu vergeben und Strom-
richtungen einzuzeichnen.

Konkretisieren Sie die Aufgabenstellung


Die Abwesenheit eines Lösungsansatzes ist sehr oft nichts anderes als ein Nicht-
Verstehen der Fragestellung. Kennen Sie die Definition der Größe, nach der Sie
gefragt werden? Wenn ja: Schreiben Sie sie hin. Die Definitionsgleichungen sind oft
schon der erste Wegweiser in Richtung einer Lösung. Ist zum Beispiel nach einer
Induktionsspannung gefragt, so folgt aus Uind = L dIdt : Es müssen die Induktivität
und die zeitliche Abhängigkeit des Stromes bestimmt werden. Wenn Sie nicht genau
verstanden haben, wonach gefragt ist: erkundigen Sie sich, was genau gemeint ist.
Ist Ihnen klar, ob es um einen Spezialfall geht? Wenn ja: welchen? Fragen Sie nach.

Suchen Sie nach Anknüpfungspunkten an Ihr Wissen


In fast jeder Fragestellung tauchen Dinge auf, die Ihnen bekannt vorkommen.
Sind dies einfache Bauelemente, so schreiben Sie deren Definitionsgleichungen wie
Q = C · U hin. Sind es Transistoren, so bemühen Sie sich, Klarheit über deren Be-
triebszustand zu bekommen. Sind es elektrische Verzweigungen, so schreiben Sie
die Stromerhaltung für diese auf.
Ein entscheidender Schritt zur Lösung kann es sein, die so im eigenen Gedächtnis
gefundenen Zusammenhänge als Funktion der in der soeben gemachten Skizze auf-
tauchenden Größen, zum Beispiel Q(C2 ) = C2 · (UBatterie −U7 ), hinzuschreiben.
An diesem Punkt wird sehr oft das Tunnelende sichtbar. Jetzt gilt es, Anknüpfungs-
punkte an die Fragestellung zu finden: Sind im gesammelten Wissen Größen enthal-
ten, die auch in der Frage vorkommen? Lassen sich Größen, die in der Frage vor-
kommen, aus den gesammelten Größen ableiten, zum Beispiel I(C2 ) = C2 · −dU 7
dt ?
288 B Allgemeine Tipps

Lassen Sie sich helfen


Die Hilfe kann schon lange vor der Prüfung beginnen. Bekommen Sie in Prüfungs-
situationen kribbelige Finger? Haben Sie vor Prüfungen manchmal das Gefühl, dass
Ihnen ganz heiß wird? Das ist unangenehm, aber leider normal. Wenn es aber bei
Ihnen so weit geht, dass Sie sich in einer Prüfung an Dinge, die Sie vorher sicher
wussten und die Ihnen hinterher wieder einfallen, schlicht nicht erinnern können,
dann brauchen Sie Hilfe. Wenn Sie erkennen, dass das in einer Prüfung abrufbare
Wissen weit hinter dem normalen Wissensstand zurückbleibt, dann sprechen Sie mit
Ihrem Hausarzt darüber, am besten lange vor der Prüfung.

Literaturverzeichnis

1. Franz Embacher, Elemente der Theoretischen Physik, Vieweg+Teubner, Wiesbaden 2010,


ISBN 9783834809209
2. Hans Christoph Mertins und Markus Gilbert, Prüfungstrainer Experimentalphysik, Elsevier
GmbH, München 2006, ISBN 3-8274-1733-3
Symbole und Abkürzungen

Die Notation dieses Buches lehnt sich weitgehend an die des Lehrbuches Halbleiter-
Schaltungstechnik [1] an. Die hier verwendeten Abkürzungen und Symbole sind:
A 1. für die Diskussion von Feldern: Fläche
2. in der Schaltungstechnik: Vierpol-Kettenparameter-Matrix, bei komple-
xen Werten unterstrichen
A Flächenvektor
B Suszeptanz, Imaginärteil der Leitfähigkeit in der Wechselstromtechnik
B magnetische Feldstärke
β Vorwärtsstromverstärkung eines Bipolar-Transistors
βN Leitwertparameter eines NMOS-Transistors
βP Leitwertparameter eines PMOS-Transistors
C Kapazität, Q = C ·U
c Lichtgeschwindigkeit im Vakuum
D Verlustfaktor von Bauelementen und Schwingkreisen D = 1/Q
D elektrische Verschiebung, elektrische Erregung
δ Verlustwinkel D = tan δ
EF Fermi-Energie
e 1. Eulersche Zahl (2,718...)
2. Elementarladung
ε0 elektrische Feldkonstante, elektrische Permeabilität des Vakuums
εr relative elektrische Permeabilität εr = 1 + χE
F Kraft, F = dp/dt
f Frequenz, Kehrwert der Periodendauer T
G Leitwert oder Leitwertmatrix
g Erdbeschleunigung
g Übertragungsmaß eines symmetrischen Vierpols: A11 = cosh(g)
H magnetische Erregung
h 1. in der Schaltungstechnik: Vierpol-Hybridmatrix
2. in der Physik: Plancksches Wirkungsquantum
I Strom, allgemein I = dQ/dt

289
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-642-33495-5,
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
290 Symbole und Abkürzungen

i 1. in der Wechselstromtechnik: harmonisch periodischer Strom um die


Phase φ verschoben, i = Iˆ · sin(ω · t + φ )
2. in der Kleinsignalanalyse: Abweichung des Stromes vom Arbeitspunkt,
i = dI
Iˆ Amplitude eines harmonisch periodischen Stromes
i harmonisch periodischer Strom, komplex erweitert. Der messbare Strom
ist i = ℑ(i).
I Amplitude des komplex erweiterten harmonisch periodischen Stromes.
Diese Amplitude beinhaltet die Phase φ : I = Iˆ · e jφ . Daher ist i = Ieiωt .
J Stromdichte,
√ J = ρ ·v
j j = −1 , die imaginäre Zahl, die Friedrich Gauß i nannte
k Boltzmann-Konstante
L Induktivität, Uind = L dI
dt
Λ magnetischer Leitwert, für eine Spule mit N Windungen gilt L = Λ N 2
λ 1. in der Physik: Wellenlänge
2. in der komplexen Wechselstromtechnik: Leistungsfaktor, λ = P/S
3. in der Halbleiter-Schaltungstechnik die Änderung des Drainstromes mit
der Gate-Source-Spannung im Abschnürbereich in linearer Näherung I ∼
(1 + λUDS )
M Masse eines Mols (molare Masse) Für den Stoff x ist M = NA · mx , NA ist
die Avogadro-Konstante (Anzahl der Moleküle in einem Mol)
M 1. in der Mechanik: Drehmoment
2. in der Materialwissenschaft: magnetische Polarisation
mx Masse eines einzelnen Atoms oder Moleküls eines beliebigen Stoffes x,
Beispiel Kohlenstoff: mC = 12 g/NA
μ magnetisches Dipolmoment
μ0 magnetische Feldkonstante, magnetische Permeabilität des Vakuums
μp Beweglichkeit von Löchern im Halbleiter
μn Beweglichkeit von Elektronen im Halbleiter
μr relative magnetische Permeabilität eines Stoffes (dimensionslos)
NA in der Halbleitertechnik: Anzahl der Akzeptor-Atome pro Volumen
ND in der Halbleitertechnik: Anzahl der Donator-Atome pro Volumen
nx Teilchendichte des Stoffes x, Anzahl pro Volumen
n in der Halbleitertechnik: Anzahl der Elektronen pro Volumen
P Leistung, allgemein
P elektrische Polarisation
p 1. In der Halbleitertechnik: Anzahl der Löcher pro Volumen
2. in der Wechselstromtechnik: zeitabhängige Leistung
p 1. in der Mechanik: Impuls, p = m · v
2. in der Elektrodynamik: elektrisches

Dipolmoment
Φx Fluss des Feldes x, Beispiel ΦB = BdA
Q 1. allgemein: Ladung
2. bei Bauelementen und Schwingkreisen: Güte
3. in der Wechselstromtechnik: Blindleistung
R Ohmscher Widerstand oder Widerstandsmatrix
Literaturverzeichnis 291

r Ohmscher Widerstand in der Kleinsignalanalyse


r Radiusvektor
ρ 1. in der Feldtheorie: Ladungsdichte
2. in der Schaltungstechnik: spezifischer Widerstand
S Steilheit eines Bipolar-Transistors
S Scheinleistung in der komplexen Wechselstromtechnik
σ spezifische Leitfähigkeit
t Zeit, allgemein
T 1. in der Wechselstromtechnik: Periodendauer, Kehrwert der Frequenz f
2. in der Materialwissenschaft: absolute Temperatur
T Spannungs-Übertragungsfunktion, Verhältnis Ausgangsspannung zu Ein-
gangsspannung im lastfreien Fall
U Spannung, allgemein als Differenz zweier Potenziale
u 1. in der Wechselstromtechnik: harmonisch periodische Spannung um die
Phase φ verschoben, u = Û · sin(ω · t + φ )
2. in der Kleinsignalanalyse: Abweichung der Spannung vom Arbeits-
punkt: u = dU
Û Amplitude einer harmonisch periodischen Spannung
u harmonisch periodische Spannung, komplex erweitert. Die messbare Span-
nung ist u = ℑ(u).
U Amplitude der komplex erweiterten harmonisch periodischen Spannung.
Diese Amplitude beinhaltet die Phase φ : U = Û · e jφ . Daher ist u = Ueiωt .
UD Diodenspannung, bei Silizium etwa 0, 6 − 0, 7 V
UT Temperaturspannung UT = kT /e
UT h Schwellspannung von MOS-Transistoren
V 1. in der Geometrie: Volumen 
2. in der Elektrodynamik elektrisches Potenzial V = − Eds
Vx Verstärkung der Größe x, es gilt Vx = dxAus /dxEin
v Geschwindigkeit, v = ds/dt
X Blindwiderstand in der Wechselstromtechnik
χE elektrische Suszeptibilität
χM magnetische Suszeptibilität
Y Admitanz (komplexer Leitwert) oder dessen Matrix
Z Impedanz oder Impedanz-Matrix
Z0 charakteristische Impedanz eines symmetrischen Vierpols
ω Kreisfrequenz, ω = 2π · f

Literaturverzeichnis

1. U. Tietze, Ch. Schenk, E.Gamm: Halbleiter-Schaltungstechnik Springer Verlag Berlin 2010,


ISBN: 978-3-642-01621-9
Sachverzeichnis

3D Transistor, 88 Bode-Diagramm, 171, 181, 183, 184


bond land, 170
Admitanz, 142 Bonddraht, 169
Admitanz-Matrix, 189 Butterworth-Filter, Potenzfilter, 171, 186
Akzeptor, 74
Allpass, 180 CERN, 5
Gesetz von Ampère, 3 chemische Bindungsarten, 37
Gesetz von Ampère und Maxwell, 16, 42 CMOS-Inverter, 210, 229
Amplitude, 141 Siliziumquerschnitt, 211
Anlauf, 66 Gesetz von Coulomb, 7, 10
Antennenkabel, 174
Arbeitspunkt, 91 Darlington-Schaltung, 209, 210, 226
Stabilisierung, 220 Dezibel, 181
Ausgangsadmitanz, 190 Diamagnete, 12, 42
Ausgangswiderstand, 68, 216 Diamant, 71
Austrittsarbeit, 80 Dielektrikum, 44
Differenzstufe
Bändermodell, 71 Bipolar, 246–248, 250, 252, 253
Bandabstand, 80 CMOS, 246, 248, 252, 256
Bandbreite, 170, 176 Diffusionskapazität, 78
Bandlücke, 69, 72, 75 Diffusionsspannung, 65, 69, 77
Bandpass, 170, 180, 183, 251 Diffusionsstrom, 76, 78
Bandsperre, 180 Diode, 67, 78
Basisschaltung, 212, 224 Diodendurchbruch, 65
Baum, 112 Dipol-Moment, 1, 2, 4, 11, 14
Betriebszustand Donator, 74, 76
Bipolar-Transistor, 83, 90, 98 Doppel-T-Filter, 173
MOS-Transistor, 87 Doppelknoten, 122
Beweglichkeit, 75 Doppelschichtkondensator, 46
Bindung Dotierung, 74
ionische, 38 Drehstrom, 137–139, 153
kovalente, 37 Dreieckschaltung, 138, 154
metallische, 37 Drosselspule, 138
Gesetz von Boit und Savart, 2, 13 Dünnoxyd-Kondensator, 69
Blindleistungskompensation, 135, 148 Durchlassfrequenz, 170
Blindstrom, 147–149, 175
Blindwiderstand, 135, 143 Early-Effekt, 67, 83

293
M. Poppe, Prüfungstrainer Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-642-33495-5,
© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
294 Sachverzeichnis

Early-Spannung, 83 Feldstrom, 78
Ebers-Moll-Gleichung, 83 Fermi-Energie, 67, 73
Effektivwert, 141, 145 Fermi-Verteilung, 72
Eingangsadmitanz, 170, 190 Ferritkern, 50
Eingangswiderstand, 174, 216 Ferromagnet, 42, 54
Einheiten, 277 Ferromagnete, 13
Einstein, 5, 282 Flächenvektor, 2
Eisenkern, 50 Fluss
Elektrodynamik, 6 elektrischer, 16
Elektrolytkondensator, 46 magnetischer, 15, 47
Elektronendichte, 73 Wasser, 27
intrinsische, 73 Folienkondensator, 34, 46
Elektronenvolt, 65
Elektrostatik, 6 G-Kreis, 140
Elektrotechnik, 7 Galliumarsenid, 73
Emitterschaltung, 210, 213, 218 Gate-Oxid, 84
Energie Gaußscher Satz , 2, 3, 9, 17
Festkörper-Elektron, 70–73, 77 Gegentakt-Endstufe, 210, 211, 227
Kondensator, 34, 175 Generator, 48, 110
Netzwerk, 109–111 Germanium, 71, 73
Spule, 48, 175 Gleichrichter, 249
Erdmagnetfeld, 5 Grenzfrequenz, 170, 181
Erdung, 37 Bandpass, 184
Erregung Hochpass, 183
magnetische, 19, 41 Parallelschwingkreis, 178
Ersatzschaltbild Reihenschwingkreis, 176
Bipolar-Transistor, 69, 90–92 Tiefpass, 181
Differenzstufe, 255 Güte, 52, 54, 55, 144
Diode, 89 Schwingkreis, 169, 175–177
Dreieck, 116
Kleinsignal, 210, 222, 225, 230 Halbleiter, 39, 50, 70, 71, 73
MOS-Transistor, 93 direkte, 80
Operationsverstärker, 251, 258 II-VI-, 71
reale Spannungsquelle, 115, 116 III-V-, 71, 80
reale Spule, 54 indirekte, 80
reale Stromquelle, 115, 116 Hochinjektion, 67, 82
realer Kondensator, 53 Hochpass, 173, 180, 182, 259
realer Widerstand, 55 Hummel-Schaltung, 137
Reihen- und Parallelschaltung, 139, 144, Hybrid-Parameter-Matrix, 91, 189
178 Hysterese, 42
Stern, 116
Transformator, 150 ideale Spannungsquelle, 115
Ersatzschaltung ideale Stromquelle, 115
Transformator, 140 Impedanz, 53, 139, 142
Erzeuger, 110, 111 charakteristische, 171, 192
ESL, 53 Leitung, 193
ESR, 53 Impedanz-Matrix, 119, 170, 189
Euler, 280 Impedanzanpassung, 170, 174, 192
Impedanzwandler, 223
Gesetz von Faraday und Henry, 5, 14 Induktion, 1, 33
Feld Induktionsgesetz, 5, 47
elektrisches, 10, 11, 17 Induktivität, 47–49
magnetisches, 5, 13, 17 Innenwiderstand, 105–107, 115, 137, 148
Feldlinien, 11 Instrumentenverstärker, 251
Sachverzeichnis 295

Integrator, 246, 259 Löcherstrom, 81


Ionentriebwerk, 4 Lorentz-Kraft, 5
Isolator, 39 Lorentz-Transformation, 283
Luftspule, 50
Kaltleiter, 50
Kanallängenmodulation, 88, 89, 228 Magnet, 1, 2, 12
Kapazität, 44 Majoritätsträger, 75, 78
Kennlinie Maschenregel, 113, 114
Bipolar-Transistor, 82, 90, 99 Maschenstrom-Verfahren, 105–108, 118, 119
Diode, 66, 79 Massenwirkungsgesetz, 75
MOS-Transistor, 86, 89 matching, 245
Solarzelle, 80 Maxwellsche Gleichungen, 4, 6, 17–19, 41,
Kennwiderstand (Schwingkreis), 175 283
Keramikkondensator, 34, 45 messen, 108
Kettenparameter-Matrix, 170–172, 189, 193 Minoritätsträger, 68, 75, 78
Gesetze von Kirchhoff, 105, 112–114, 117 MOS-Kanalabschnürung, 87
Kleinsignalwiderstand, 90
Klemme, 111 NTC, 50
Knoten, 111 Nullleiter, 139, 154
Knotengleichungen, Anzahl, 113
Knotenleitwert, 121 Operationsverstärker, 245, 246
Knotenpotenzial-Verfahren, 106, 109, 119, 121 Transitfrequenz, 246
Knotenregel, 112, 120 Operationsverstärker, 252
Kollektorschaltung, 209, 221 Endstufe, 255
Komparator, 214 Grenzfrequenz, 253
Kondensator, 33–36, 43 ideal, 258
Kontaktpotenzial, 77 Kenngrößen, 253
Koppelleitwert, 121 Offset, 262
Koppelwiderstand, 119 real, 260
Schwingen, 249
Ladung, 2, 5, 7, 8, 10, 40, 43 schwingen, 262
Längswiderstand, 172 Slew Rate, 249, 260
LAN-Kabel, 174 Struktur, 253, 257
Leistung, 140, 145, 151 Verzögerung, 261
Blindleistung, 136, 138, 147 Verzögerungszeit, 249
Scheinleistung, 141, 146, 147 Transitfrequenz, 253
Wirkleistung, 141, 145, 147 Ordnung eines Filters, 184
zeitabhängig, 141 Ortskurve, 171, 173, 179, 183
Leistungsanpassung, 106, 148
Leistungsfaktor, 138, 147 Paarerzeugung, 8
Leiter, 39 Paramagnete, 12, 42
Leiterschleife, 4 Parasitärelemente, 52
Leitfähigkeit, 38 Parasitärkapazitäten, 92, 93
spezifische, 75 magnetische Permeabilität
Leitung, 172, 174 magnetische, 2
Signalgeschwindigkeit, 174 Permeabilität
Leitungsband, 72 magnetische, 35
Leitwertmatrix, 106, 107, 120, 121 Pfeil, 110, 111
Leuchtdiode, 80 Phasenwinkel, 52, 136, 137, 141, 143, 181,
Leuchtstofflampe, 138 182
Lichtgeschwindigkeit, 4, 283 Photodiode, 80
Liste der verwendeten Symbole, 289 Photon, 65
Löcher, 76 Pi-Schaltung, 172, 191
Löcherleitung, 75 PN-Übergang, 67, 69, 74, 92, 97
296 Sachverzeichnis

Pol, 111 Stromquelle, 66, 105, 106, 108, 120, 148, 248
Polarisation, 39 Stromsenke, 212
elektrische, 39, 40 Stromteiler, 114
magnetische, 41 Stromübertrag, 190
Potenzial, 12, 19, 70 Stromverstärkung, 67, 82, 215
magnetisches, 19 Subtrahierer, 249
Probeladung, 5, 14 Suszeptanz, 143
Suszeptibilität
Quarks, 8 elektrische, 34, 40
magnetische, 41, 149
Rekombination, 81
Realtivitätstheorie, 282 T-Schaltung, 170, 191
Resonanzfrequenz, 175, 178 Tannenbaumkerzen, 34
Rückwärts-Stromverstärkung, 68 Teilchen, 7
Rückwärtsbetrieb, 68 Telegrafen-Gleichungen, 193
Temperatur, 50, 210, 217
Sättigung Spannungsverstärkung, 217
Eisen, 34, 42, 50, 54 Temperaturspannung, 66, 77
Transistor, 68, 83 Tiefpass, 171–173, 180, 259
Schalter, elektronischer, 231 Torus, 3
Scheitelwert, 141 Transfer-Gatter, 231, 233
Schichtwiderstand, 36, 51, 69 Transformator, 140, 149
Schleusenspannung, 89 ideal, 136
Schmitt-Trigger, 246 real, 136, 151
Oszillator, 251 Spannungsverhältnis, 136, 150
Schottky-Diode, 80, 227 verlustlos, 140, 149, 151
Schottky-Transistor, 210, 227 Windungsverhältnis, 136
Schwingkreis, 171, 175 Transformatorgleichungen, 150
parallel, 173, 177 Transistor
Reihe, 169, 171, 175 Bipolar, 81
Shockley-Gleichung, 79 MOS, 66, 84, 85
Silizium, 67, 69, 71, 73 Transistor-Leckströme, 88
skin effect, 43, 55 TTL74S00, 213
Slew Rate, 246
Solarzelle, 65, 80 Überlandleitung, 36
SP3-Hybridorbital, 71 Überspannungen (Schwingkreis), 177
Spannung, 12 Übertragungsfunktion, 170, 180, 187
Spannungsdämpfung, 170, 190 Übertragungsmaß, 193
Spannungsgegenkopplung, 213, 221 Leitung, 193
Spannungsquelle, 105, 106, 109, 148 UltraCap, 35
Spannungsteiler, 114, 186 Umlaufwiderstand, 118
Spannungsübertrag, 190
Spannungsverstärkung, 215 Valenzband, 72
CMOS-Invereter, 231 Verarmungszone, 65, 66, 77, 78
Sperrschicht, 69 Verbraucher, 110, 111
Sperrschichtkapazität, 78 Verlustfaktor, 34, 52, 54, 55
Sperrstrom, 66 Verlustleistung, 34, 68
Spitze-Spitze-Wert, 141 Verlustwinkel, 52, 53, 55
Spule, 3, 33, 34, 36, 47–49, 55 Verschiebung, elektrische, 19
Sternschaltung, 154 Verstimmung, 176
Strang, 137 Vierpol
Strom, 9, 47 symmetrischer, 172, 192
Stromdichte, 9 Theorie, 188
Stromgegenkopplung, 211, 219 Vorwärtsbetrieb, 68, 82
Sachverzeichnis 297

Vorzeichen Wellenwiderstand, 172, 192


Generator und Verbraucher, 48 Wheatstonesche Messbrücke, 107
PMOS, 89, 228, 235 Widerstand, 36, 50, 51, 55, 75, 106
und Energiebilanz, 110 spezifischer, 38, 69
und Pfeilrichtungen, 111 Widerstandsmatrix, 105–107, 117, 119, 120,
Wahlfreiheit und Konsistenzbedingung, 134 170
Wienbrücke, 183
Wechselstrom, 141
komplex, 280
Wechselwirkung X-Schaltung, 108, 191
elektrische, 7
magnetische, 12 Zeigerdiagramm, 135, 137, 142
Wellenparameter, 192 Zweig, 111