Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
Laboratorio di Elettronica
a.a 2005-2006
PROGETTAZIONE E REALIZZAZIONE DI UN
AMPLIFICATORE AUDIO DA 100W
Indice
Introduzione pag. 4
Indice 2
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegati
Allegato 1 BC546 pag. 51
Allegato 2 BC556 pag. 55
Allegato 3 TIP 115/117 pag. 59
Allegato 4 MJE15034/MJE 15035 pag. 65
Allegato 5 MJL21193/MJL21194 pag. 71
Allegato 6 Dissipatore per TO220 pag. 76
Allegato 7 Dissipatore con ventola pag. 77
Allegato 8 Isolante elettrico pag. 79
Allegato 9 NTC pag. 80
Indice 3
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Introduzione
L’amplificatore è quel dispositivo elettronico che varia l’ampiezza del segnale applicato al suo
ingresso, al fine di aumentare il valore del segnale medesimo. Si definisce amplificatore ideale quel
dispositivo che riproduce esattamente quello che ha ricevuto in entrata. Purtroppo non esiste un
amplificatore capace di aumentare un segnale senza modificarlo almeno in minima parte.
In generale i segnali disponibili alle sorgenti risultano essere inadeguati a comandare attuatori, per
cui si rende necessaria un’amplificazione del segnale. In particolari applicazioni, tra cui
applicazioni audio, l’amplificazione fornita da un singolo componente attivo (transistor) risulta
insufficiente. In questo caso è necessario ricorrere ad una configurazione amplificatrice a due o più
stadi disposti in cascata, ovvero connessi in modo che l’uscita di ciascuno stadio funga da sorgente
di segnale per lo stadio successivo.
Introduzione 4
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Capitolo 1
Stadio di Ingresso
Lo stadio di ingresso del nostro amplificatore è costituito da una struttura differenziale, del tipo
riportato in figura 1.1 , e realizzato a livello discreto.
I motivi per cui abbiamo scelto questa configurazione come stadio di ingresso sono molteplici.
Facendo uno studio a piccolo segnale dello stadio differenziale si può facilmente capire come si
comporta questo circuito per segnali differenziali. Si può ricavarne il guadagno differenziale
ottenendo:
Ad diff = − Rc ⋅ gm
dove
IC
gm =
VT
e rappresenta il guadagno di transconduttanza del transistor.
Se consideriamo la tensione di uscita Single-ended il guadagno sarà esattamente la metà:
Rc ⋅ gm
Ad se = −
2
Possiamo anche calcolare quanto vale la resistenza di ingresso:
β βVT
Ridiff = 2 ⋅ rπ = 2 =2
gm Ic
Notiamo subito che il guadagno è limitato dal tipo di transistore attraverso la massima corrente
di collettore (gm) e dalla resistenza Rc. Al fine di aumentare questo l’aumento di gm comporta
una diminuzione della resistenza di ingresso mentre l’aumento della Rc è limitato dalla potenza
da dissipare e dall’escursione massima.
Per quanto riguarda l’analisi di segnali di modo comune quali ad esempio il rumore, si
determina il guadagno di modo comune, considerando l’uscita single-ended, come:
Vo Rc Rc
Acmse = =− ≅−
Vcm re + 2 R 2R
dove R è la resistenza interna del generatore di corrente, cioè la resistenza di uscita dello
specchio. Si nota che si ha un Acm basso se la R è alta, cioè dipende dalla resistenza di uscita
dello specchio. Ecco quindi il vantaggio di utilizzare come polarizzazione uno specchio di
corrente ad elevate prestazioni.
Se si ha perfetta simmetria dello stadio differenziale (Rc uguali e β uguali), per un segnale di
modo comune, che è lo stesso in entrambi gli ingressi, l’uscita differenziale sarà nulla.
Quindi più è alto questo fattore e meglio risponde l’amplificatore per segnali differenziali
(vengono amplificati molto) e di modo comune (vengono amplificati poco).
Ad
CMRR = = gm ⋅ R
Acm
- Nel caso di uscita differenziale questo può essere notevolmente aumentato per i
motivi descritti in precedenza.
Nelle applicazioni in cui l’uscita deve essere riferita a massa solitamente si preferisce avere due
stadi di amplificazione: un primo stadio di pre-amplificazione con uscita differenziale e il
secondo stadio finale con uscita single-ended. In questo modo rendendo quanto più simmetrico
possibile il primo stadio si riescono a diminuire i segnali di modo comune e quindi ad evitare
che vengano amplificati dagli stadi successivi.
Dalla simulazione effettuata in Spice si nota il comportamento dello stadio di ingresso, per
segnali differenziali (fig1.2.2) e di modo comune (fig1.2.3), in funzione della frequenza.
10
0
100mHz 1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz
V(Q1:c)/ V(V2:+)
Frequency
In figura 1.4 si nota che il guadagno di centro banda non è proprio 10V/V in quanto c’è il filtro
in ingresso che comporta una attenuazione della tensione di base di Q1 rispetto alla tensione di
ingresso.
100
50
0
100mHz 1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz
1/V(Q1:c)
Frequency
Vcc − Vbe
Rref =
Iref
Figura 1.6 - Circuito di polarizzazione,
Specchio di corrente
Il vantaggio di usare come polarizzazione un circuito del genere al posto di una semplice
resistenza sta nel fatto che lo specchio può avere una resistenza di uscita elevata.
Nel nostro progetto si è scelto un particolare specchio, lo specchio di Widlar, il quale ha una
resistenza di uscita molto grossa e, essendo che il punto di funzionamento a riposo è fisso,si è
scelto di polarizzare lo specchio con un Led il quale ha
una tensione di polarizzazione fissata a 1,8V.
Si può calcolare il valore della R8 in funzione della
VDIODO e della Io come:
⎡Vdiodo ⎛ Io ⎞⎤ αV
R8 = ⎢ − ln⎜ ⎟⎥ ⋅ T
⎣ VT ⎝ Is ⎠⎦ Io
Capitolo 2
Stadio Intermedio
Sfruttando il teorema di Miller, cioè mettendo la capacità tra ingresso ed uscita di questo stadio,
si riesce ad utilizzare una capacità di modesto valore risparmiando quindi sull’ingombro.
Daltrocanto la capacità C17 determina la frequenza di taglio superiore dell’amplificatore.
La capacità C10 è utilizzata per riportare una parte della retroazione AC sullo stadio intermedio
stabilizzando quindi la dinamica di questo.
Capitolo 3
Stadio di potenza
Lo stadio di potenza, o stadio finale inteso come ultimo elemento della catena di amplificazione
ha lo scopo di fornire potenza al carico. Questo riceve in ingresso un segnale già amplificato in
tensione, trasferendolo al carico con la stessa ampiezza ma amplificato in corrente.
- Rendimento: per rendimento di un sistema, si intende il rapporto tra la potenza che esso
cede al carico e quella che gli viene introdotta attraverso l’alimentazione ed il segnale di
comando.
Pout
η=
Pcc
Nel caso ideale, la potenza uscente è uguale alla somma di quelle entranti ed il rendimento è
unitario. In pratica questo non è possibile, ovvero Pout risulta sempre inferiore a Pcc ed è
η < 1 . La differenza tra la potenza entrante e quella uscente rappresenta la potenza PD, che si
dissipa all’interno dell’amplificatore di potenza. Esistono due ragioni fondamentali per cui
questa potenza risulta minima, ovvero il rendimento massimo:
1. quando le potenze in gioco sono elevate, è bene che tutta la potenza spesa dia luogo ad
effetti utili e non venga dispersa, per ovvie esigenze di risparmio energetico.
2. la potenza non utilizzata si dissipa sotto forma di calore, interessando principalmente i
componenti attivi. L’aumento della temperatura modifica le caratteristiche di
comportamento dei componenti attivi, peggiorando la qualità di lavoro e giungendo a
danneggiarli in modo irreparabile, se si supera la massima temperatura di giunzione
(≈ 150°C). Inoltre, le elevate temperature di funzionamento, specie se in regime
variabile, accorciano notevolmente la vita media dei componenti. In pratica si cerca di
salvaguardare i componenti di potenza dato il costo assai elevato in alcuni casi.
Tutto ciò produce l’esigenza di dissipare il calore prodotto dalla potenza non utilizzata, con
mezzi aggiuntivi (dissipatori o sistemi di raffreddamento a circolazione di fluido) che
aumentano la complessità ed il costo degli apparati di potenza.
La divisione degli amplificatori di potenza in base alla classe di funzionamento, è legata alla
condizione di polarizzazione e lavoro dei componenti attivi che costituiscono gli amplificatori
medesimi ed alla tecnica con cui viene ottenuta l’amplificazione di potenza. In tal senso, occorre
compire una distinzione fondamentale tra due tipi di amplificazione:
Dopo aver fatto differenza sulla tecnica di amplificazione dei segnali si analizzano brevemente le
classi di funzionamenti di cui sopra.
Classe A: in un amplificatore polarizzato per funzionare in classe A, il punto di lavoro viene tenuto,
a riposo, al centro del tratto lineare della retta di carico e, per effetto del segnale di ingresso, si
sposta sulla medesima dalla saturazione alla interdizione e viceversa. Nella polarizzazione in classe
A, si ha circolazione di corrente di segnale nella maglia d’uscita in ogni punto della forma d’onda
del segnale d’ingresso. Si suole dire che l’angolo di circolazione della corrente di segnale nella
maglia di uscita è 360°, intendendo che per tutto il periodo del segnale d’ingresso, vi è corrente di
segnale al carico. La classe A, da luogo alla minima distorsione ma ha come svantaggio quello di
avere un rendimento molto basso.
Con riferimento alla figura 3.1 in cui si evidenzia il transistore Q1 polarizzato in classe A e il
transistore Q2, detto anche specchio di corrente, il quale ha il compito di polarizzare
Q1,supponendo un ingresso sinusoidale si ha che:
vout = vin − Vbe = vin − 0,7V ⇒ vout = Vout * sen(ωt )
⎛ 1 vout 2 ⎞
⎜⎜ ⎟
PL ⎝ 2 RL ⎟⎠
η= =
Pcc (2 * Vcc * Ic0 )
dove:
PL è la potenza fornita al carico
PCC è la potenza fornita dall’alimentazione
IC0 è la corrente che circola nel collettore in assenza di segnale di ingresso
circolazione di corrente nella maglia di uscita per tutti i segnali che spostano il componente verso la
saturazione; per i valori che lo spostano verso l’interdizione, non si ha corrente nella maglia di
uscita. Si suole dire che l’angolo di circolazione della corrente di segnale nella maglia d’uscita è
180°, intendendo che vi è corrente di segnale al carico soltanto per un semiperiodo del segnale
d’ingresso, la circolazione della corrente per gli altri 180° è affidata al transistore complementare.
La classe B, produce distorsioni inaccettabili, in quanto priva il segnale di una parte
d’informazione, che si trova al di sotto dell’asse delle ascisse. La classe B offre notevoli vantaggi
rispetto alla classe A, in termini di rendimento.
Con riferimento alla figura 3.2, dove si evidenzia la coppia a simmetria complementare di
transistori, supponendo un ingresso sinusoidale si ha che:
vout = vin − Vbe = vin − 0,7V ⇒ vout = Vout * sen(ωt )
PL
η=
Pcc
dove:
PL è la potenza fornita al carico
PCC è la potenza fornita dall’alimentazione
Per determinare la potenza fornita dall’alimentazione bisogna determinare il valor medio della
potenza dell’alimentazione. Con riferimento a quella positiva si ha:
2π
1 1 Vcc 2
Pcc + = Vcc ∫ Pc(t )dt = VccIc max =
2π 0
π πRL
quindi la potenza totale è:
+2Vcc 2
Pcc = 2 * Pcc =
πRL
Classe AB: la classe AB è una diretta conseguenza della classe B, il componente attivo, anziché
essere polarizzato alla interdizione è polarizzato in leggera conduzione, in una condizione
intermedia tra quelle relative alle classi A e B rispettivamente. La polarizzazione in classe AB
consente di ridurre notevolmente un particolare tipo di distorsione, detta d’incrocio o cross-over,
che insorge nel funzionamento in classe B «pura» negli attraversamenti per lo “0”. Si osserva che
per questa particolare polarizzazione l’angolo di circolazione della corrente è compresa tra 180° e
360° e il rendimento risulta essere intermedio tra quello della classe A e quello della classe B.
A valle delle considerazioni sulle classi di funzionamento e quindi alla condizione di polarizzazione
del componente attivo si è pensato di realizzare l’amplificatore di potenza in classe AB.
La classe B è una condizione di funzionamento che vede il componete condurre per una semionda
del segnale d’ingresso. Questo significa che, per un’amplificazione dell’intero segnale con
dispositivi polarizzati in classe B, è necessario impiegare almeno due dispositivi di potenza,
affidando a ciascuno di essi una delle due semionde del segnale da amplificare. L’impiego di questa
soluzione pone però due problemi: la scomposizione in due semionde del segnale di ingresso e la
ricomposizione del segnale di uscita, per avere un’onda completa.
La disposizione che risolve i due problemi di cui sopra è la simmetria complementare, in questo
modo non è necessario dividere il segnale d’ingresso e ricomporre il segnale di uscita. Il segnale
d’ingresso viene applicato alle due basi collegate tra di loro , la polarizzazione in classe B di Q1
(NPN) fa sì che sia posto in conduzione dalla semionda positiva del segnale d’ingresso, rimanendo
interdetto da quelle negativa e Q2 (PNP) sia posto in conduzione dalla semionda negativa, rimando
interdetto da quella positiva. Per ciò che riguarda il carico, ciascuno dei due transistor e collegato ad
inseguitore e la resistenza RL è comune ai due emettitori, dunque il carico è percorso dalla corrente
di segnale di Q1 durante le semionde positive e da quelle di Q2 durante le negative per cui in un
periodo nel suddetto insiste un’onda completa di segnale.
5V
0V
-5V
-10V
-10V -8V -6V -4V -2V 0V 2V 4V 6V 8V 10V
V(RL:2)
V(In)
5V
0V
-5V
-10V
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
V(RL:2)
Time
Per porre rimedio a questo tipo di distorsione, occorre polarizzare i transistor oltre la soglia, facendo
circolare una debole corrente anche in assenza di segnale: in tal modo il segnale non deve superare
la soglia, questa soluzione porta la classe di funzionamento dalla B pura alla AB; il rendimento si
riduce, andando a valori compresi tra il 50% e il 78%.
Figura 3.6 - Circuito in classe B con amp. op. collegato in retroazione negativa per ridurre la distorsione di incrocio
10V
5V
0V
-5V
-10V
-10V -8V -6V -4V -2V 0V 2V 4V 6V 8V 10V
V(RL:2)
V(Vin:+)
Figura 3.7 - Caratteristica ingresso - uscita della classe B con Amp. Op.
10V
5V
0V
-5V
-10V
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
V(RL:2)
Time
In figura 3.10 si evidenza la coppia di transistori Q1 e Q2 che hanno il solo compito di far fluire
nei diodi D1 e D2 una corrente costante in modo da avere sempre la stessa caduta di tensione.
Le resistenza RE1 e RE2 hanno il compito di stabilizzare ulteriormente il circuito nei confronti
della fuga termica.
10V
5V
0V
-5V
-5.0V -4.0V -3.0V -2.0V -1.0V 0.0V 1.0V 2.0V 3.0V 4.0V 5.0V
V(RL:2)
V(Vin:+)
Figura 3.11 - Caratteristica ingresso - uscita della classe B con polarizzazione a diodi
10V
5V
0V
-5V
-10V
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
V(RL:2)
Time
- Moltiplicatore di VBE
Una soluzione diversa da quella della coppia di diodi e quella che dispone, tra le basi dei
BJT di potenza, un transistore nella configurazione circuitale detta a moltiplicatore di VBE,
vedi figura 3.13.
Il circuito di figura da luogo ad una caduta VBB ai capi delle basi dei BJT di potenza che
dipende dalla VBE dei suddetti e dalle due resistenze R1 e R2. Infatti, trascurando la corrente di
base di Q3 la corrente che attraversa le resistenze in serie è la stessa e vale:
VBB
IR = IR1 = IR 2 =
R1 + R 2
ma allo stesso tempo vale che:
VBE
IR =
R2
per cui sostituendo la seconda equazione nella prima equazione si ricava quanto segue:
⎛ R1 ⎞
VBB = VBE ⎜1 + ⎟
⎝ R2 ⎠
Variando opportunamente il rapporto R1 R 2 , è possibile far sì che VBB divenga almeno uguale
a 2VBE e segua le variazione termiche di VBE medesime. Negli schemi pratici, come nel nostro
caso, bisogna inserire delle resistenze di basso valore (inferiore all’ohm) sugli emettitori dei
BJT di potenza. In tal caso la caduta di tensione tra le basi dei BJT non è esattamente 2VBE, ma
deve essere superiore di un valore pari a 2REIE.
Capitolo 4
Dissipatori Termici
Come noto, ogni componente elettronico o elettrico che sia percorso da corrente elettrica dissipa
potenza. Il fenomeno di trasformazione della potenza elettrica in calore è definito attraverso la
legge di Joule, che si enuncia:
la potenza dissipata in un conduttore di resistenza R, percorso da una corrente I, è espressa dal
prodotto della resistenza per il quadrato della corrente
Pd = R * I 2
Tale potenza provoca un innalzamento della temperatura delle giunzione che come è noto non
deve superare il limite superiore Tjmax, che per il silicio è compreso tra 120°C e 200°C, per non
danneggiare il componente.
Un sistema di dissipazione del calore è costituito dal chip di silicio, dal suo contenitore (case) e
dal dissipatore (heatsink). La potenza PD dissipata nel chip può essere schematizzata come un
generatore di corrente, le temperature di giunzioni TJ, della base di montaggio del contenitore
Tc, del dissipatore Td e dell’ambiente Ta, vengono a loro volta considerate come delle tensioni.
Per tenere conto delle differenze di temperatura fra i vari punti si introducono le resistenze
termiche, indicate con il simbolo θ. Tra la potenza dissipata nella giunzione, la sua temperatura
fino ad arrivare alla temperatura ambiente: sussiste la seguente relazione fondamentale:
Tj − Ta = Pd (θjc + θcd + θda) (4.1)
ove:
Tj è la temperatura di giunzione in °C;
Ta è la temperatura ambiente in °C;
Pd è la potenza dissipata sulla giunzione in W;
θjc è la resistenza termica tra giunzione e case in °C/W
θcd è la resistenza termica tra case e dissipatore in °C/W
θda e la resistenza termica tra dissipatore e ambiente in °C/W
Si può individuare una analoga con la legge di Ohm per i circuiti elettrici.
Capitolo 5
Circuiti Stampati
Il PCB, Printed Circuit Board o Circuito Stampato, è un sistema di assemblaggio elettronico, basato
sul principio del collegamento di componenti tramite delle piste conduttive, collocate su di una
basetta isolante. Un'opportuna foratura della basetta consente di inserire i reofori dei componenti,
fissandoli tramite saldatura alle piste ed assicurando così un buon aggancio meccanico ed elettrico. I
componenti fondamentali di un circuito stampato sono quindi:
- La base, una lastra isolante opportunamente forata.
- Un sistema di lamine sottili di conduttore, nella maggior parte dei casi il rame, incollate alla
base.
La base costituisce il supporto per le piste conduttive, per i componenti elettronici saldati e per
eventuali altri componenti, fissati meccanicamente alla base stessa.
I circuiti stampati possono essere classificati in base alle loro caratteristiche costruttive: una prima
differenziazione si hanno le seguenti tipologie:
3. PCB multistrato
Il singola faccia ha piste solo su un lato, il laminato impiegato dal costruttore degli stampati è infatti
materiale isolante con un solo lato di rame; il doppia faccia presenta piste conduttive su entrambi i
lati. Entrambi possono essere a fori non metallizzati, ma generalmente sono a fori metallizzati con
solo rame, o con rame rivestito di un altro metallo, ad esempio stagno, lega stagno-nichel, o altri
ancora. Queste due prime tipologie sono proprie dei circuiti realizzabili anche con poche risorse
tecnologiche a disposizione.
Per il multistrato il discorso cambia radicalmente: sono infatti dei circuiti stampati che presentano
diversi strati di piste conduttive, presenti sia su entrambe le facce del PCB sia all'interno del
laminato base. I multistrati si suddividono a loro volta in leggeri e pesanti, a seconda se superano o
meno i quattro strati; quando non è diversamente specificato, il multistrato è realizzato a fori
metallizzati. Esistono ovviamente altre classificazioni, ad esempio di tipo qualitativo, prendendo in
considerazione i rivestimenti, le tolleranze, le dimensioni dei fori e delle piste, ed altri parametri
ancora. In questo lavoro, l'attenzione sarà comunque rivolta al doppia faccia, visto che nel caso del
progetto dell’amplificatore audio si andrà a realizzare una scheda di tale tipologia.
La fabbricazione di un circuito stampato ha origine dai laminati, materiali costituiti da una base
isolante su cui aderiscono dei fogli di rame elettrolitico puro, su una faccia o su entrambe. Il
materiale base è composto generalmente da resine sintetiche ottenute per polimerizzazione: se una
resina non possiede da sola tutte le proprietà elettriche, meccaniche e fisiche richieste, spesso viene
addizionata con sostanze opportune, dette cariche, in maniera tale da conferirle le proprietà
desiderate.
Il rame viene prodotto, generalmente, per via elettrolitica: un grosso tamburo ruotante polarizzato
negativamente pesca in una soluzione elettrolitica; i fogli di rame così ottenuti presentano la faccia
troppo liscia per aderire al laminato base. Si procede allora ad ossidarlo, oppure a rivestirlo con
ottone: entrambi i fenomeni determinano una formazione non uniforme sui cristalli di rame, con un
conseguente aumento della rugosità dei fogli. L'adesione del rame al materiale base si ottiene per
azione di una pressa di laminazione, tra le 10 e le 20 atmosfere, e riscaldamento, tra i 120 e i 170°C,
di un pacchetto di tali fogli, disposti opportunamente. Il processo di fabbricazione prende il nome di
Print and Etch (stampa e incisione): è un processo sottrattivo, in quanto si procede per incisione del
rame del laminato base, lasciandolo inalterato nelle zone in cui è necessario per i collegamenti
elettrici. Una delle fasi più importanti dopo il taglio del laminato in quadri e la tranciatura dei fori di
riferimento per gli attrezzi, è la stampa dell'etching resist, una protezione dall'attacco chimico del
rame. Il telaio serigrafico è una maglia fitta di tela di acciaio, nylon o seta, che lascia penetrare la
vernice, pressata sul lato superiore, in quello inferiore in cui è posto il quadro; la maglia è riempita
di gelatina sulle zone che non devono ricevere vernice. L'etching resist depositato indurisce per
evaporazione di solvente o per polimerizzazione in aria libera, in forno oppure a raggi ultravioletti.
Una variante interessante della stampa serigrafica, molto comune nella costruzione di circuiti
stampati professionali, è l'utilizzo di foto-polimeri come etching resist (Dry film). Tali sostanze
depositate sul quadro di rame, dopo un'esposizione opportuna alla luce e sviluppo con soluzioni a
base di carbonato di sodio (Soda Solvay), restano a ricoprire solo i conduttori in rame che dovranno
rimanere; (tale parte è denominata anche Pattern). L'incisione avviene per mezzo di un liquido
corrosivo, per il rame, che attacca chimicamente solo le zone non ricoperte da etching-resist. Le
zone metalliche alle quali può aderire la lega di saldatura sono limitate da una vernice permanente,
solder resist, che viene applicata con metodo serigrafico e indurita a caldo o a raggi ultravioletti.
L'ultima fase di rilievo costituisce la deposizione di un sottile strato di vernice protettiva con lo
scopo di mantenere inalterate le caratteristiche di saldabilità del rame evitando la formazione di uno
strato di passivazione all'interfaccia rame-aria. Sovente si esegue la foratura su macchine a controllo
numerico: è molto utilizzato nei casi in cui le piastre hanno una dimensione tale per cui sarebbe
onerosa la costruzioni di stampi di tranciatura, per piccole serie e per piastre a base di vetro che
provocherebbero l'usura dei punzoni dello stampo.
La metallizzazione dei fori è una fase peculiare del processo di fabbricazione di un circuito
stampato, per questo necessita di alcune fasi preliminari: si procede ad una sensibilizzazione del
quadro, dopo la foratura, per immersione in una soluzione di ioni stagno, che si depositano
ovunque, ma soprattutto sulle pareti dei fori. La fase successiva, di catalisi, consiste nell'immergere
il quadro in una soluzione di cloruro di palladio, che reagendo con gli ioni stannosi, precipita sotto
forma di un film metallico sottile. È in presenza di questo catalizzatore che si innesca la successiva
reazione di riduzione dello ione rame in soluzione in rame metallico Cu (ramatura chimica). Tale
strato metallico è quello che permette la ramatura galvanica definitiva. I quadri sono collegati
elettricamente al polo positivo e immersi in una soluzione di ioni di rame che a contatto con il rame
chimico cedono due elettroni diventando atomi di rame, cioè rame metallico. Dopo una ramatura
galvanica completa dei fori e di tutta la superficie del rame, il processo più semplice, detto tenting,
prevede lo stampo in positivo, lo sviluppo e l'incisione ottenendo così circuiti stampati a doppi
faccia a fori metallizzati con finitura in solo rame. Un processo più complesso, il panel plating,
effettua invece un rivestimento con lega Sn-Pb e successiva incisione delle zone non necessarie: una
sua importante variante, detta patter plating, prevede la stampa fotografica del rame che non deve
restare sullo stampato, in una fase intermedia della metallizzazione dei fori, e precisamente dopo la
Nel processo realizzativo di un PCB la fase più importante, nonchè la prima anche in ordine
cronologico, è quella della progettazione del circuito che verrà riportato sullo stampato: sia che si
parta da uno schematico disegnato a mano e poi prototipato su di una breadboard, sia che lo si
disegni sin dall'inizio con un CAD elettronico, per poi poter effettuare i test attraverso il computer.
La fase di disegno e verifica circuitale riveste la massima importanza, in quanto eventuali correzioni
al circuito devono essere svolte in questo ambito. Una volta che il progettista ha portato a termine
con successo questa fase, può avere inizio il cosiddetto postprocessing per poter creare il layout
fisico del PCB, anche se già nel software di progetto è possibile iniziare a preparare lo schematico
per la creazione del circuito stampato, associando ad ogni componente utilizzato il relativo
footprint. Il footprint è il blocco base utilizzato per definire il layout, in quanto contiene tutte le
informazioni fisiche relative ad un componente, come ad esempio la sua grandezza, il numero dei
pin, ed altre ancora. L'operazione da compiere per poter passare dal software di disegno circuitale a
quello di progettazione del PCB è tipicamente la creazione di una netlist. Si tratta di un file di testo
in cui sono riportate tutte le informazioni sullo schematico disegnato, con l'elenco dei componenti a
cui è associato il relativo footprint e le varie connessioni.
Tale netlist verrà poi importata nel software di creazione del circuito stampato, e da questo punto ha
inizio la fase di definizione del layout fisico della scheda. Dopo aver effettuato delle operazioni
preliminari, comunque necessarie, come l'impostazione delle dimensioni della scheda che si vuole
creare, la scelta della tecnologia realizzativa, l'eventuale associazione dei footprint per quei
componenti di cui non è stata effettuata precedentemente, se l'importazione della netlist ha avuto
esito positivo, il software di progettazione mostra una schermata in cui si hanno tutti i componenti
del circuito posti intorno a quello che rappresenta il bordo fisico del PCB.
Si passa quindi alla fase di placement dei componenti: uno ad uno, in genere manualmente, vanno
collocati all'interno dell'area rappresentante la scheda, secondo i classici criteri di piazzamento dei
componenti, come ad esempio il posizionamento in maniera consona per l'operatore, gli eventuali
connettori posti in maniera tale da non far passare i cavi sopra la scheda, ed altri accorgimenti
ancora, che dipendono fortemente dall'esperienza del disegnatore del circuito, detto masterista, in
quanto quello su cui egli sta lavorando è, appunto, il master del circuito stampato che si vuole
creare. I componenti possono essere ruotati e spostati a piacimento, evitando ovviamente di
sovrapporli e di lasciarne nessuno al di fuori dei bordi. Anche in questa fase esistono strumenti
software di controllo, che verificano il rispetto di alcune regole basilari di disegno, e altri ancora
che, ad esempio, controllano lo spazio libero sulla scheda o altri parametri. Alcuni software
particolarmente potenti offrono strumenti di piazzamento automatico, ma in genere vengono
scarsamente utilizzati, in quanto possono non rispettare delle particolari scelte progettuali del
masterista. È comunque possibile piazzare manualmente i componenti più importanti e bloccarli
nella posizione desiderata, lasciando al software l'incarico di sistemare i restanti. Piazzati tutti i
componenti, la fase successiva, una delle più impegnative di tutto il processo, è quella di routine
delle tracce, detta anche sbroglio. Infatti, se si seleziona un componente qualsiasi sul PCB, verranno
evidenziati tutti i collegamenti che lo interessano, sotto forma di linee dritte tra un componente e
l'altro, anche sovrapposte ad altri collegamenti tra altri componenti. Le tracce di un PCB, una volta
realizzato, non possono però sovrapporsi, in quanto, essendo la scheda bidimensionale,
risulterebbero cortocircuitate. È per questo che bisogna svolgere la fase di sbroglio: il masterista
deve associare a ciascuna connessione tra componenti un percorso conduttivo su di uno dei layer
della scheda, senza creare cortocircuiti che renderebbero il PCB inutilizzabile. Risulta evidente
come effettuare la fase di sbroglio di un circuito che impiega numerosi componenti può essere
molto impegnativo, e si necessita di tutta l'esperienza del masterista per portare a termine tale fase.
Ricordando che è possibile anche definire dei parametri particolari, come la larghezza di ciascuna
pista e la distanza tra le stesse.
Anche per il routing esistono software che svolgono tale compito automaticamente, ma per
comprendere appieno la loro complessità basti pensare che i più potenti vengono venduti a prezzi
elevati, sull'ordine delle migliaia di dollari, anche se limitati ad un certo numero di layer. I più
potenti, senza limitazioni di layer, sono praticamente inaccessibili al piccolo operatore, proprio a
causa del loro costo, che di listino può raggiungere anche le centinaia di migliaia di dollari.
Se nonostante tutto non è possibile evitare l'intersezione di due tracce, viene utilizzato un via.
Una via è, fondamentalmente, un foro praticato nel PCB che permette al rame di transitare da uno
strato della scheda all'altro, senza causare cortocircuiti attraverso la metallizzazione.I vias sono
definiti dai padstack, alla stessa maniera dei footprint. I padstack sono delle raccolte di informazioni
su come un pin si connette fisicamente al PCB: include dati riguardo ciascun layer della scheda,
definendo anche la dimensione dell'area di rame intorno a ciascun pin, come la dimensione del foro
da praticare sulla scheda.
Completata anche la fase di sbroglio, il layout della scheda è terminato. Dopo aver effettuato tutti i
controlli di routine per assicurarsi che ogni fase sia andata a buon termine, senza aver tralasciato
nessun componente fuori dalla scheda o delle tracce che si sovrappongono, ciò che rimane da fare è
generare i file gerber, contenenti tutte le informazioni necessarie per il costruttore del PCB su come
tagliare, laminare e forare la scheda. Per ogni suo layer ne viene creato uno: ad esempio un file
gerber TOP definirà come lavorare il TOP layer del PCB, BOTTOM sarà relativo al BOTTOM
layer, e così via. Una volta definiti tutti i file gerber relativi a tutti i layer della scheda, questi
dovranno essere passati a chi si occuperà della realizzazione fisica della stessa, senza più possibilità
di intervento da parte del progettista del circuito o del masterista del PCB.
Capitolo 6
Progetto e Collaudo
6.1 Simulazione Spice
La polarizzazione dello stadio di uscita è ottenuta mediante il moltiplicatore di Vbe Q4. Come
stadio di potenza si è scelto una topologia che impiega due transistori di driving (Q6 e Q7),
necessari ad abbassare il valore della corrente di pilotaggio dello stadio intermedio. L’amplificatore
utilizza una forte retroazione negativa sia statica che dinamica, ottenuta riportando il segnale di
uscita sullo stadio differenziale (base di Q2). La retroazione in DC è necessaria al fine di evitare una
tensione continua sul carico nulla ed evitare quindi il danneggiamento dell’altoparlante. La
retroazione in AC, che utilizza le capacità C6 e C10, riduce la distorsione e linearizza la risposta
dell’amplificatore nella banda di interesse. La frequenza di taglio superiore è determinata dalla
capacità C17 che ha anche il duplice effetto di stabilizzare in frequenza l’amplificatore, evitando
auto oscillazioni. Il cappio R15-C11, compensa il comportamento della bobina dell’altoparlante alle
alte frequenze.
1. Variando la resistenza R25, che in realtà è un potenziometro multigiro da 2 K, si effettua
una regolazione della corrente di riposo nei transistori di potenza. Con una corrente a riposo
di circa 70 mA si evidenzia un offset di tensione in uscita pari a -12,5 mV.
2. Mediante tale simulazione si è visualizzata la risposta in frequenza dell’amplificatore,
determinando la frequenza di taglio inferiore e superiore e il guadagno di centro banda per i
seguenti valori di C17: 100pF, 470pF, 2,2nF ottenendo i seguenti risultati:
40
20
-20
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
db(V(Out)/ V(In))
Frequency
Figura 6.2 - Risposta in frequenza dell'amplificatore con valori di C17 riportati in tabella 6.1
34.42V
34.41V
34.40V
34.39V
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
V(Q1:c)
Time
1
[VeQ8(t ) − VcQ8(t )]* IcQ8(t )dt = 24,48W
T∫
PdissQ8 =
1
PdissQ 7 = ∫ [VbQ8(t ) − VeQ7(t )]* IcQ7(t )dt = 92,82mW
T
6. Nelle condizioni di simulazione del punto precedente si valuta la potenza dissipata sulle
resistenze R13 e R14.
1
T∫
PdissR13 = ΔVR13(t ) * IR13(t )dt = 4,06W
Come noto, a partire dalla massima temperatura di giunzione e dalla resistenza termica tra
giunzione e case, reperibili sui data sheets (fogli tecnici) dei singoli componenti, si deve
dimensionare il dissipatore in modo che la temperatura di giunzione stessa non superi i valori
massimi consentiti. Normalmente il dimensionamento consiste nel determinare la resistenza
termica dissipatore-ambiente.
Nel nostro caso si è agito all’inverso, scelto il tipo di dissipatore, Allegato 7, ed il materiale
termoconduttore posto tra case e dissipatore si è determinata la temperatura di giunzione a cui si
porta il dispositivo di potenza quando è chiamata a fornire la massima potenza sul carico.
Dalla simulazione Spice di cui sopra si ha che un dispositivo di potenza dissipa 24,4W quando
sul carico si hanno circa 100W.
Pd =24,4W
Ta =35 °C;
θjc =0,7°C/W
θcd =0,82°C/W con isolante tipo kepton
θda =0,73°C/W
Prima di passare ai conti è bene fare una considerazione: il circuito di potenza è a simmetria
complementare utilizzando due BJT di potenza montati sullo stesso dissipatore per cui
l’equivalente termo-elettrico a cui fare riferimento è il seguente:
L’alimentatore ausiliario ha lo scopo di alimentare la ventola del dissipatore e il relè del circuito
di protezione.
PdR16 =
(ΔV )
2
= 1,36W
R16
Tale resistenza viene scelta con una potenza dissipabile pari a 2W che è il valore commerciale
più vicino a quello calcolato.
In seguito a tale considerazione si determina la potenza dissipata dal transistore :
Rz =
(Vin − Vz ) = 44 KΩ
IB
data la bassa corrente in gioco, quindi bassa potenza, tale resistenza viene scelta con una
potenza dissipabile pari ad ¼ di W e di valore 10KΩ.
Il filtro in ingresso (R23 C16) serve ad evitare che il circuito intervenga anche per basse
frequenze evitando il buon funzionamento dell’amplificatore per le stesse:
⎧ R 23 = 100k
⎨ ⇒ τ = 1s ⇒ f = 1Hz
⎩C16 = 10 μF
I diodi in antiparallelo D6 e D7 servono ad evitare che sulle basi dei BJT Q12 e Q16 vi sia una
tensione negativa o positiva rispettivamente, la quale ne causerebbe la rottura.
Quando il segnale ‘out’ ha una componente DC alta Q12 va in conduzione, Vc (potenziale del
collettore) di Q12 si abbassa mandando in conduzione Q15 e quindi il segnale ‘off ’ assume un
valore alto.
Viceversa se ‘out’ è negativo Q16 conduce e il segnale ‘off ’ assume valore sempre alto.
⎧ R 23 = 100k
⎨ ⇒ τ = 4.7 s
⎩C16 = 47 μF
La protezione termica è realizzata mediante il sensore NTC che varia la sua resistenza in
funzione della temperatura con la seguente legge:
⎛1 1 ⎞
B⋅⎜ − ⎟
RT = R N e ⎝ T Tn ⎠
⎛ 1 1 ⎞
4300⋅⎜ − ⎟
R90° = 10 ⋅ 10 e 3 ⎝ 363 298 ⎠
= 750Ω
35
I= = 6.1mA
5750 Figura 6.4 - Partitore di
protezione termica a 90°C
PNTC = R NTC ⋅ I 2 = 28mW
PR 36 = R36 ⋅ I 2 = 185mW
Sono valori accettabili.
R NTC
Vx = Vcc ⋅ = 30.4V
R36 + R NTC
Si è scelto un diodo zener da 30V.
6.5 Il PCB
Di seguito sono riportati i piani del PCB dell’amplificatore audio di potenza progettati da noi
con il Protel e realizzati presso una ditta esterna. Le dimensioni reali della basetta sono:
h 12,6 cm l 16,3 cm
1. Top Layer
2. Bottom Layer
3. Top Overlay
Le prove sperimentali sul progetto sono state effettuate su un carico resistivo da 4Ω 100W
(Vedi figura 6.6.1) imponendo un segnale sinusoidale in ingresso di 2.48 Vpp e frequenza 1kHz.
La successiva verifica è stata fatta per determinare la banda passante dell’intero amplificatore,
come da figura 6.6.3
Banda di frequenza
30
25
Guadagno [dB]
20
2.15Hz,23.4dB 65kHz,23.4dB
15
10
5
0
1 10 100 [Hz] 1000 10000 100000
Frequenza (log)
Con riferimento allo schema elettrico di figura 6.1. si elencano i componenti utilizzati nella
realizzazione del progetto dell’amplificatore audio:
Q1, Q2, Q3, Q4, Q9 BC546B D1 Diodo LED verde
Q10, Q11, Q12 BC546B D2 1N4148
Q5, Q6 MJE15035 D3 UF4002
Q7 MJE15034 D4, D5, D6, D7 1N4148
Q8 MJL21193 D8 Zener 30.1V
Q13 TIP112
Q14 MJL21194
Q15, Q16 BC556B
R1, R6 2,2 KΩ ¼ W C1, C3 4700µF 50V elettrolitico
R2, R3, R8 560 Ω ¼ W C2, C4 47µF 50V elettrolitico
R4 , R18 220 Ω ¼ W C5 4,7 µF 50V elettrolitico
R5, R7, R10 22 KΩ ¼ W C6, C10 100 µF 63V elettrolitico
R9, R11 1 KΩ ¼ W C7, C8, C11, C12 100 nF 100V poliestere
R12, R17 3,3 KΩ ¼ W C13, C15, C18 100 nF 100V poliestere
R13, R14 0,33 Ω 5 W C16 10 µF 100V poliestere
R15 10 Ω 2 W C9 22 pF ceramico
R16 47 Ω 2 W C14 10 pF ceramico
R19,R24,R29 10kΩ ¼ W C17 47 pF ceramico
R20, R21,R23,R26,R27 100kΩ ¼ W
R22 47kΩ ¼ W
R25,R30 Trimmer 10kΩ
R28 4.7kΩ ¼W
N° 1 Relè 12 V 2 scambi
N° 2 Portafusibili da stampato
N° 2 Fusibili 3 A
Allegato 1:BC546 51
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 1:BC546 52
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 1:BC546 53
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 1:BC546 54
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 2: BC 556 55
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 2: BC 556 56
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 2: BC 556 57
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 2: BC 556 58
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 9: NTC 79
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 9: NTC 80
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 9: NTC 81
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 9: NTC 82
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 9: NTC 83
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 9: NTC 84
Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 Della Grotta Federico Serapide Emilio
Allegato 9: NTC 85