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TP1

3
Introduction
Le but de ce TP est d’apprendre à utiliser le logiciel ORCAD afin de pouvoir simuler
le fonctionnement des circuits électrique.

Nous pourrons réaliser ces simulations suivant différents en fonction du résultat et


l’étude que l’on souhaite réaliser.

La Programmation est réalisée à partir de la définition des nœuds dans un circuit et


des valeurs des composants utilisée.

Etude théorique
Dans l’étude théorique on va étudiera chaque montage de chaque des 5 parties, le
traçage des courbes de sortie on fonction de l’entrée.

Partie 1 : Etude du montage pont de diode.

D1 D2
A
Ve R C Vc
B
D3 D4

Figure 1 : Schéma d’un pont 4 diode

1- Analyse du fonctionnement.

Pour 0 <  <  : D1 et D4 sont conductrice car la polarité de la borne A est positive
et celle de B est négative, d’où : vC() = v() = Vm sin()
Pour <  < 2 : D2 et D3 sont conductrice car la polarité de la borne A est positive
et celle de B est négative, d’où : vC() = -v() = -Vm sin()
2- Conclusion :

4
On remarque que le taux d’ondulation s’améliore : le nombre d’alternance par
période égale à deux alors qu’il était un dans le cas d’un redressement par une diode,
donc:
- La tension est plus proche du continu on a VCmoy = 2Vm .
- Pas de problème de discontinuité dans le cas des charges inductive (le courant est
toujours continu)
Partie 2 : Trigger de Schmitt inverseur :

Figure 2 montage trigger de chmitt

Nous avons +Vcc=15V ET –Vcc=-15V


Le trigger de schmitt fait appel à une boucle de réaction sur l'entrée non-inverseurs, il
fonctionne donc en mode saturé, et non en mode linéaire. La tension de sortie Vs ne peut
qu'être égale à +Vsat ou -Vsat.
pour que l'AOP bascule, il faut, soit que V- soit supérieur à V+ et alors Vs = -
Vsat=-15v, soit inférieur et alors Vs = +Vsat=15V. V+ constitue donc le seuil de
notre comparateur, mais du fait que ce dernier est du à la boucle de réaction, il
varie en fonction de Vs

Le principal intérêt de ce montage réside dans la disparation du phénomène de multi


basculement du comparateur simple autour du seuil. Si le signal d'entrée franchit un
seuil, cette dernière bascule directement à son opposé, et de fait, même si l'entrée est
bruitée, elle ne fait plus basculer l'AOP autour du seuil. Les deux graphiques ci-dessous
parlent bien (évolution des tensions d'entrée et de sortie en fonction du temps) :

Comparateur simple :

5
Trigger de schmitt non inverseur :

1- Fonctionnement :
D’après le schéma on a :
𝑉− = 𝑒

𝑉𝑒 𝑉
+ 𝑠
𝑅 𝑅2 𝑉𝑒 𝑅2 + 𝑉𝑠 𝑅1
𝑉+ = 1 =
1 1 𝑅1 + 𝑅2
+
𝑅2 𝑅1
Si 𝑉𝑠=−𝑉𝑠𝑎𝑡 basculement a +𝑉𝑠𝑎𝑡 pour 𝑉+>𝑒 :

𝑉𝑒 𝑅2 + 𝑉𝑠 𝑅1
>𝑒
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝑒 𝑅2 + 𝑉𝑠 𝑅1 > 𝑒(𝑅1 + 𝑅2 )

Donc :
𝑅1 𝑅1 𝑅1 𝑅1
𝑉𝑒 > 𝑒 (1 + ) − 𝑉𝑠 = 𝑒 (1 + ) + 𝑉𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝐻
𝑅2 𝑅2 𝑅2 𝑅2
Si 𝑉𝑠=𝑉𝑠𝑎𝑡 basculement a −𝑉𝑠𝑎𝑡 pour 𝑉+<𝑒 :

6
𝑉𝑒 𝑅2 + 𝑉𝑠 𝑅1
>𝑒
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝑒𝑅2+𝑉𝑠𝑅1>𝑒𝑅1+𝑅2

Donc :

𝑅1 𝑅1 𝑅1 𝑅1
𝑉𝑒 > 𝑒 (1 + ) − 𝑉𝑠 = 𝑒 (1 + ) − 𝑉𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝐵
𝑅2 𝑅2 𝑅2 𝑅2
On a 𝑉𝐻 ≠ 𝑉𝐵 𝑒𝑡 𝑉𝐻 > 𝑉𝐵 .

On obtient deux seuils différents à l'instar du trigger inverseur, ce qui va conduire à un


cycle d'hystérésis. La valeur de référence e permet de "décaler" ce cycle sur l'axe Ve.

Résumons cela par des graphiques Vs=f(Ve). Première évolution croissante de Ve avec
seuil positif :

Décroissance de Ve, le seuil étant maintenant -Vseuil :

7
Si l'on assemble ces deux courbes, on obtient un phénomène dit d'hystérésis qui
caractérise le principe fondamental de ce trigger de schmitt. Les points de basculement
diffèrent selon le sens d'évolution de Ve :

Ce trigger est dit non-inverseur car le signal d'entrée est indirectement appliqué à l'entrée
non-inverseuse de l'AOP, ce qui fait basculer ce dernier à +Vsat lorsque l'on dépasse le
seuil positif VH, et à -Vsat lorsque l'on passe en dessous du seuil négatif VB.

2- Schéma étudier :

Dans notre cas on a e=0, R1= 10KΩ, R2=47KΩ et Vsat = 15 V

Donc :

Si 𝑉𝑠 = −15V basculement a +15𝑉 pour 𝑉+ > 0𝑉 :


𝑅1 𝑅1
𝑉𝐻 = 𝑒 (1 + ) + 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅2 𝑅2
𝑉𝐻 = 0 + 15
10

47
𝑉𝐻 = 3.1914 𝑉

8
Si 𝑉𝑠 = 15𝑉 basculement a −15𝑉 pour 𝑉+ < 0𝑉
𝑅1 𝑅1
𝑉𝐵 = 𝑒 (1 + ) − 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅2 𝑅2
10
𝑉𝐵 = 0 − 15 ∗
47
𝑉𝐵 = −3.1914 𝑉

Conclusion :
Ce trigger est dit inverseur car le signal d'entrée est appliqué à l'entrée inverseurs de
l'AOP, ce qui fait basculer ce dernier à -Vsat lorsque l'on dépasse le seuil positif, et à
+Vsat lorsque l'on passe en dessous du seuil négatif.

Le principal intérêt de ce montage réside dans la disparation du phénomène de


multi-basculement du comparateur simple autour du seuil. Si le signal d'entrée franchit
un seuil, ce dernière bascule directement à son opposé, et de fait, même si l'entrée est
bruitée, elle ne fait plus basculer l'AOP.

Parte 3 : générateur de signaux à A.O uA741

Les générateurs de signaux sont basés sur le principe des bascules. La


seule différence consiste à remplacer le circuit RC par un intégrateur a n
d'obtenir un signal triangulaire plutôt qu'une suite d'arcs d'exponentielles.
Comme l'intégrateur est inverseur, on utilisera dans ce cas un comparateur non
inverseur.
- Générateur des signaux crée et triangulaire .

9
-
- Evaluation des signaux

Considérant que le signal de sortie du comparateur est symétrique et qu’il vaut 𝑢2 (𝑡) =
±𝑉𝑠𝑎𝑡 .

La tension fournie par l’intégrateur vaudra

1 𝑡 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑢3 (𝑡) = − ( ∫ 𝑢2 (𝑡)𝑑𝑡 + 𝑢𝐶0 ) = ± 𝑡 + 𝑢3 (0)
𝑅𝐶 0 𝑅𝐶
Ce signal est donc de segments de droite dont la pente vaut :

𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑝1 = ±
𝑅𝐶
Comme le signal de sortie de l’intégrateur est applique au comparateur non inverseur,
celui-ci basculera chaque fois que 𝑈3 (𝑡) atteint un des deux seuils de commutation

𝑅1
𝑉𝑇1,2 = ±𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅2
Le temps nécessaire pour aller d'un seuil à l'autre est égal à la demi-période du signal.
On voit ainsi que la pente générée par le circuit vaut

10
𝑅
𝑉𝑇1 − 𝑉𝑇2 2𝑉𝑠𝑎𝑡 ( 1 ) 4𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑅1
𝑅2
𝑝2 = ± =± =±
𝑇 𝑇 𝑇 𝑅2
2 2
En égalant la pente mathématique 𝑝1 à la pente générée 𝑝2 ,

𝑉𝑠𝑎𝑡 4𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑅1
𝑝1 = = 𝑝2 =
𝑅𝐶 𝑇 𝑅2
On voit que la période des signaux carres et triangulaires vaut :

𝑅1
𝑇 = 4𝑅𝐶
𝑅2
Les amplitudes des ces 2 signaux valent :

𝑅1
𝐴𝑐𝑎𝑟 = 𝑉𝑠𝑎𝑡 𝐴𝑡𝑟𝑖 = 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅2

1- Application numérique :
On a 𝑅1 = 10𝐾Ω 𝑅2 = 22𝐾Ω 𝑅 = 10𝐾Ω 𝐶 = 470𝑛𝐹 ±𝑉𝑠𝑎𝑡 = ±15𝑉

On calcule :

15
𝑝1 = = 3.1915
10 ∗ 103 ∗ 470 ∗ 10−6
𝑝1 = 3.1915
La période de signal triangulaire :

3 −6
10 ∗ 103
𝑇 = 4 ∗ 10 ∗ 10 ∗ 470 ∗ 10 ∗
22 ∗ 103
𝑇 = 8.5454 𝑚𝑠
Donc :

15 10
𝑝2 = 4 ∗ ∗ = 3.1915
8.5454 22
𝑝1 = 𝑝2

Les amplitudes de deux signaux :

𝑉𝑐𝑎𝑟 = 15𝑉
10
𝑉𝑡𝑟𝑖 = 15 ∗
22
11
𝑉𝑡𝑟𝑖 = 6.82𝑉

Partie 4 : intégrateur

La présence d'une boucle de contre-réaction assure un fonctionnement de l'AOP en


mode linéaire, on peut donc écrire (avec le condensateur préalablement déchargé, soit
Vc(0)=0) :

Fonction de transfet :

𝑉𝑠(𝑡)=−1𝑅𝐶10𝑡+10 0< 𝑡≤ 𝑇2 𝑉𝑠(𝑡)=1𝑅𝐶 10𝑡+10−20𝑅𝐶 𝑇2 𝑇2≤ 𝑡≤𝑇


Avec R=10K , C=470nf , T=1100
Alors 𝑉𝑠(0)=10𝑉 , 𝑉𝑠(𝑇)=10𝑉

L’intégrateur de tension ne fonctionne pas de manière si idéale. En effet, le faible


courant d'entrée de l'amplificateur produit dans R une chute de tension qui est elle aussi
intégrée : la sortie se sature car le condensateur reste chargé. Pour obtenir une intégration
satisfaisante, on peut placer une résistance R en parallèle sur C afin de permettre
l'écoulement de son courant de décharge. Cette résistance se doit d'être ni trop grande
pour ne pas perturber l'intégrateur, ni trop faible afin de jouer correctement son rôle. En
pratique on prend R2 = 10.R :

Partie 5 : circuit RLC en régime transitoire


le schéma de montage :

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Si un circuit RLC série est soumis à un échelon de tension E, la loi des mailles impose
la relation :
𝜔
Le générateur délivre une f.e.m. 𝑢(𝑡) sinusoïdale, de fréquence 𝑓 = et d'amplitude
2𝜋
constante 𝑈0 , que l'on écrit donc 𝑢(𝑡) = 𝑈0 cos (𝜔𝑡) en prenant l'origine des phases
sur cette tension. Le courant qui traverse les trois éléments du circuit est 𝑖 (𝑡) =
𝐼0 cos(𝜔𝑡 + 𝜑), où 𝜑 est le déphasage de 𝑖 (𝑡) sur 𝑢(𝑡).
La tension appliquée à t=0 est un échelon de tension Ve=0 si t <0 Ve = 5V si t >= 0
la résistance interne du générateur sera nulle.
La tension initiale aux bornes du condensateur est nulle. V=V0=0
 Equation différentielle vérifiée par la tension 𝑢(𝑡) :
𝑑2 𝑢 𝑅0 𝑑𝑢 𝑢 𝐸
2
+ + =
𝑑𝑡 𝐿 𝑑𝑡 𝐿𝐶 𝐿𝐶
Qu’on peut écrire sous la forme canonique :
𝑑2 𝑢 𝜔0 𝑑𝑢
+ + 𝜔02 𝑢 = 𝜔02 𝐸
𝑑𝑡 2 𝑄 𝑑𝑡

En posant :
1
𝜔0 = ∶ 𝑝𝑢𝑙𝑠𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑝𝑟𝑜𝑝𝑟𝑒
√𝐿𝐶

1 𝐿
𝑄 = √ ∶ 𝑓𝑎𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑑𝑒 𝑞𝑢𝑎𝑙𝑖𝑡𝑒
𝑟 𝐶

Hyp : on se place dans le cas ou 𝑒(𝑡) = 𝐸 avec, comme conditions initiales 𝑢(0−) = 0
𝑑𝑢
et 𝑖(0− ) = 𝐶 𝑑𝑡 (0− ) = 0

Csqce : comme il y a continuité de l’intensité 𝑖 traversant la bobine ainsi que de la


tension 𝑢 aux bornes du condensateur : 𝑖(0+) = 𝐶 et 𝑢(0+ ) = 0
La solution 𝑢(𝑡) est de la forme 𝑢(𝑡) = 𝑢p + 𝑢𝐺(𝑡) avec :

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𝑢p : une solution particulière de l’équation avec second membre
𝑢𝐺(𝑡) : la solution générale de l’équation homogène
Le second membre étant constant, on cherche une solution particulière constante :
𝑢𝑝 = 𝐸

´Equation caractéristique (∗) associée a (𝐸) :


𝜔0
𝑟2 + 𝑟 + 𝜔02 𝑟 = 0
𝑄

Le discriminant de cette équation caractéristique est :


𝜔0 2
∆= ( ) (1 − 4𝑄2 )
𝑄
1
Si ∆> 0 : régime transitoire apériodique ➔ 𝑄 <
2

1
𝑢 (𝑡) = 𝐸 (1 + (−𝑟2 . 𝑒 𝑟1 𝑡 + 𝑟1 . 𝑒 𝑟2 𝑡 ))
𝑟2 − 𝑟1

1
Si ∆= 0 : régime transitoire critique ➔ 𝑄 =
2

𝑢 (𝑡) = 𝐸(1 − (1 + 𝜔0 𝑡). 𝑒 −𝜔0 𝑡 )


1
Si ∆< 0 : régime transitoire pseudopériodique ➔ 𝑄 >
2

1 𝑡
𝑢 (𝑡) = 𝐸 (1 − (cos(𝜔𝑡) + sin(𝜔𝑡 ))) . 𝑒 −𝜏
√4𝑄 2 − 1

Resistance critique : valeur de 𝑅 qui permet le régime critique lorsque 𝐿 et 𝐶 sont


fixées :

𝐿
𝑅𝑐 = 2√
𝐶

Simulations
Partie 1 : Etude du montage pont de diode.

14
Après avoir suivre toutes les étapes marquées dans l’annexe on a pu saisir le montage de
l’alimentation stabilisée (Figure 1).

Partie 2 : Trigger de Schmitt inverseur :


Schéma de montage Trigger non inverseur à A.O 𝝁A741. :

L’ALLURE de Ve et Vs :

15
Le signal de sortie est un signal carrée de valeur minimale -15V et un maximum
de +15V V+=0.17Vs

Cycle d’hystérésis :

Parte 3 : générateur de signaux à A.O uA741

16
Schéma de montage générateur de tension.

Allures des tensions : Vs et Ve.

Partie 4 : intégrateur

allures des tensions: Vs et Ve.

17
En théorique ces valeur ne sont pas valable à cause des courants de polarisation et de tension de
décalage, en pratique pseudo intégrateur =filtre pas bas de fréquenceΩ de coupure 𝑓𝑐𝑖 =
1/(2𝜋𝑅𝐶).

Partie 5 : circuit RLC en régime transitoire


Schéma de montage :

La tension aux bornes de la capacité et le courant traversant le circuit.

18
Conclusion :
Le graphe au-dessus s’affiche l’allure en vert présente la tension à la borne de circuit
LC, l’allure en rouge présente la tension à la borne de la condensateur C.

19
TP2

20
Objectif de TP

L'objectif de ce TP est de vous familiariser avec l’outil de simulation


ORCAD/PSPICE sous Windows. La simulation de circuit électronique permet de
prédire les caractéristiques d’un circuit électronique et son comportement à des stimuli
donnés, et donc de le dimensionner avant fabrication.

- Objectifs pédagogiques :
• Comprendre le principe et l’intérêt de la simulation électrique
• Connaître les principales fonctionnalités de l’outil de simulation SPICE
• Savoir créer un schéma électrique sous Orcad/Capture
• Savoir configurer les différentes simulations de Orcad/PSPICE
• Savoir simuler des filtres et des montages à base d’AOP sous SPICE

Etude théorique
Un filtre en électronique est un circuit qui réalise une opération volontaire de mise en
forme d'une grandeur électrique (courant ou tension). Le filtre transforme l'histoire de
cette grandeur d'entrée (c'est-à-dire ses valeurs successives sur une période de temps Δt)
en une grandeur de sortie.

Pour raisonner sur les filtres électroniques, on les considère comme


des quadripôles dont les grandeurs électriques d'entrée et de sortie seraient un signal,
même quand celles-ci ne servent pas à transmettre de l'information (comme dans le cas
des filtres d'alimentation). Cette approche exploite l'important effort mathématique
fourni dans le domaine du traitement du signal.

I- Filtre passe-haut de premier ordre.


Un filtre passe-haut amplifie plus les fréquences au-dessus d'une fréquence déterminée,
appelée fréquence de coupure, ou atténue les autres (basses fréquences). On pourrait
aussi bien l'appeler coupe-bas. On distingue ceux qui ont une réponse en plateau, qui
ont un gain pour les basses fréquences et un autre gain, supérieur, pour les hautes
fréquences, avec une zone de transition entre deux fréquences de transition, et ceux qui

21
ont une réponse infinie, pour lesquelles la réponse au courant continu, limite basse des
fréquences est nulle (-∞ dB), et un gain pour les hautes fréquences, jusqu'aux limites du
système.

Du point de vue de la réponse impulsionnelle, les filtres passe-haut amplifient les


variations du signal. On peut les utiliser ainsi pour détecter un échelon de signal dans un
circuit de déclenchement, ou le front montant d'un signal d'horloge.

Dans le traitement de l'image, le différenciateur accentue le contour. Pour le signal


audio, c'est un atténuateur de graves et un amplificateur d'aigües. Des filtres passe-haut
éliminent la composante continue du signal.

Figure 3: Schéma d'un filtre passe haut de premier ordre

On a choisi les valeurs de R = 1kΩ et C = 1μF

1- la réponse transitoire :

L'étude d'un circuit RC passe par la résolution d'une équation différentielle du premier
ordre. Pour cette raison, le circuit se nomme "circuit du premier ordre".
Pour ce circuit RC série, l'interrupteur permet de simuler l'application d'un échelon de
tension (E=3V ➔ le condensateur se charge) puis le retour en régime libre (E=0, le
condensateur se décharge).
Une simple équation des mailles permet d'établir la loi qui régit l'évolution de la charge
q(t) aux bornes du condensateur :
𝒅𝒒 𝒒 𝑬
+ =
𝒅𝒕 𝑹𝑪 𝑹

22
La résolution d'une équation différentielle fait toujours apparaître deux types de
solutions :
• Le régime transitoire (libre), solution de l'équation différentielle sans second
membre :
𝑑𝑞 𝑞
+ =0
𝑑𝑡 𝑅𝐶
• Le régime permanent, solution particulière de l'équation différentielle avec
second membre :
𝑑𝑞 𝑞 𝐸
+ =
𝑑𝑡 𝑅𝐶 𝑅
La réponse du circuit (solution complète) est la somme de ces deux solutions
individuelles :
𝒕
𝒒(𝒕) = 𝑪𝑬 + 𝒌𝒆−𝑹𝑪
La solution d'une équation différentielle du premier ordre est toujours de nature
exponentielle.

4.1 Réponse harmonique :


a- Comportement asymptotique :
L’impédance du condensateur vaut
1
𝑍𝑐 =
𝑗𝐶𝜔
Si ω → 0 alors ZC → ∞ (refaire le schéma en supprimant la branche contenant le
condensateur) et Us → Ue.
Si ! → ∞ alors ZC → 0 (refaire le schéma en remplaçant la branche contenant le
condensateur par un fil) et Us → 0.
On peut donc déjà dire que le filtre transmet les signaux de basse fréquence et atténue
ceux de haute fréquence d’où la dénomination de filtre passe-bas.
b- Fonction de transfert :
La fonction de transfert est définie par :
𝑈𝑠
𝐻 (𝑗𝜔) =
𝑈𝑒

23
1
𝑈𝑠 𝑗𝐶𝜔 1
= =
𝑈𝑒 𝑅 + 1 1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔
𝑗𝐶𝜔
1
𝐻 (𝑗𝜔 ) = 𝜔
1+𝑗
𝜔0
1
En posant 𝜔0 = .
𝑅𝐶

c- Diagramme de Bode :
➢ Représentation de la courbe de gaine :
Le module de la fonction de transfert est appelé gain :
1
𝐻 (𝜔) = |𝐻 (𝑗𝜔)| =
𝜔 2
√1 + ( )
𝜔0
𝑈𝑠𝑚 𝑈𝑠
Expérimentalement 𝐻 (𝜔) = = (oscilloscope ou multimètre)
𝑈𝑒𝑚 𝑈𝑒

On définit le gain en décibel :


𝐺𝑑𝐵 = 20 log|𝐻 (𝑗𝜔)|
𝜔 2
𝐺𝑑𝐵 = −10 log (1 + ( ) )
𝜔0
𝜔
On représente le gain en décibel non pas en fonction de (ou 𝜔 ou 𝑓 ) mais en fonction
𝜔0
𝜔
de log ( ) (la plage de fréquence pouvant s’étendre de quelques Hz a10^6 Hz et plus)
𝜔0

Si ω petit devant ω0 alors GdB ≃ 0


𝜔
Si ω grand devant ω0 alors GdB ≃ −20log ( ) droite de pente −20 dB par décade ce
𝜔0
𝜔
qui signifie que si ω est multiplié par 10, log ( ) augmente de 1 et GdB diminue de 20
𝜔0

dB.

24
𝜔
Les deux asymptotes se coupent pour 0 = −20 log ( ) c’est à dire pour 𝜔 = 𝜔0 ;
𝜔0
1 1
Pour 𝜔 = 𝜔0 , 𝐻 (𝜔) = et 𝐺𝑑𝐵 = 20 log ≈ −3𝑑𝐵 . 𝜔0 est appelé pulsation de
√2 √2

coupure a −3 dB et noté 𝜔𝑐 .
La pulsation de coupure a −3 dB du filtre est par définition la pulsation telle que
𝐺𝑑𝐵(𝜔𝑐) = −3 𝑑𝐵
Elle peut être interprétée comme la limite entre les comportements BF et HF du filtre :
Les signaux de pulsations 𝜔 < 𝜔𝑐 sont transmis en sortie avec une atténuation
inférieure à 3 dB ;
Les signaux de pulsations 𝜔 < 𝜔𝑐 sont transmis en sortie avec une atténuation
supérieure à 3 dB ;
Idéalement on considèrera que le filtre laisse passer une pulsation ω si l’atténuation en
sortie est inférieure à 3 dB.
La bande passante de ce filtre, c’est à dire l’ensemble des pulsations qu’il laisse passer,
est donc [0, ω0].
➢ Représentation de la courbe de phase :
L’argument de la fonction de transfert est appelé phase
𝜑(𝜔) = arg 𝐻 (𝑗𝜔 )
𝜔 𝜔
= 0 − arg (1 + 𝑗 ) = − arctan
𝜔0 𝜔0
Experentalement 𝜑(𝜔) = 𝜑𝑠 − 𝜑𝑒 (oscilloscope)
𝜔 𝜔
On représente la phase non pas en fonction de (𝑜𝑢 𝜔 𝑜𝑢 𝑓) mais en fonction de log
𝜔0 𝜔0

(la plage de fréquence pouvant s’étendre de quelques Hz a 10^6 Hz et plus)


✓ Si 𝜔 petit devant 𝜔0 alors 𝜑 ≃ 0

25
𝜋
✓ Si 𝜔 grand devant 𝜔0 alors 𝜑 ≃ −
2
𝜋
✓ Si 𝜔 = 𝜔0 alors 𝜑 = −
4

Pour 𝜔 = 0, 1𝜔0 , 𝜑 = −6°


Pour 𝜔 = 10𝜔0, 𝜑 = 84°
L’essentiel de la rotation de phase se fait donc entre 0, 1𝜔0 𝑒𝑡 10𝜔0 c’est-à-dire sur
deux décades.

II- Filtre RLC du second ordre.


1. Circuit RLC :

1.1 Réponse transitoire :

D’après le schéma on a l’équation de Ve tel que :


𝑑𝑖 (𝑡)
𝑉𝑒(𝑡) = 𝑉𝑠(𝑡) + 𝑅𝑖 (𝑡) + 𝐿
𝑑𝑡
or
1
Vc = ∫ 𝑖 𝑑𝑡
C
Donc

26
dVc
i(t) = C
dt
De plus la tension aux bornes du condensateur est ici la tension de sortie donc on notera
Vc=Vs, on aura donc :
𝑑𝑉𝑠 (𝑡) 𝑑 𝑑𝑉𝑠 (𝑡)
𝑉𝑒 (𝑡) = 𝑉𝑠 (𝑡) + 𝑅𝐶 + 𝐿 (𝑐 )
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡
Donc :
dVs (t) d2 𝑉𝑠 (𝑡)
Ve (t) = Vs (t) + RC + LC
dt dt
On divise alors les deux membres de l’équation par LC :
𝑉𝑒 (𝑡) 𝑉𝑠 (𝑡) 𝑅 𝑑𝑉𝑠 (𝑡) 𝑑 2 𝑉𝑠 (𝑡)
= + +
𝐿𝐶 𝐿𝐶 𝐿 𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑅 1 𝑉𝑒 (𝑡)
𝑦 ′′ + 𝑦 ′ + 𝑦=
𝐿 𝐿𝐶 𝐿𝐶
En posant :

1
√ = 𝜔0
𝐿𝐶
𝑅
2𝑚𝜔0 =
𝐿
Donc :

1
√ = 𝜔0
𝐿𝐶

𝑅 𝑅√𝐿𝐶 𝑅 𝐶
𝑚= = = √
2𝐿𝜔0 2𝐿 2 𝐿

Donc en peut écrire l’équation sous forme :


𝑑 2 𝑉𝑠 (𝑡 ) 𝑑𝑉𝑠 (𝑡)
+ 2𝑚𝜔0 + 𝜔02 𝑉𝑠 (𝑡) = 𝜔02 𝑉𝑒 (𝑡)
𝑑𝑡 2 𝑑𝑡
Résolution de l’équation homogène associée
𝑅 1
L’équation caractéristique associée est 𝑟 2 + 𝑟 + = 0, et le discrimant de cette
𝐿 𝐿𝐶

équation est
𝑅2 4
∆= − .
𝐿2 𝐿𝐶

27
1
Si ∆> 0 : régime transitoire apériodique ➔ 𝑄 <
2

1
𝑢(𝑡) = 𝐸 (1 + (−𝑟2 . 𝑒 𝑟1𝑡 + 𝑟1 . 𝑒 𝑟2𝑡 ))
𝑟2 − 𝑟1

1
Si ∆= 0 : régime transitoire critique ➔ 𝑄 =
2

𝑢 (𝑡) = 𝐸(1 − (1 + 𝜔0 𝑡). 𝑒 −𝜔0𝑡 )


1
Si ∆< 0 : régime transitoire pseudopériodique ➔ 𝑄 >
2

1 𝑡
𝑢 (𝑡) = 𝐸 (1 − (cos(𝜔𝑡) + sin(𝜔𝑡 ))) . 𝑒 −𝜏
√4𝑄 2 − 1

Resistance critique : valeur de 𝑅 qui permet le régime critique lorsque 𝐿 et 𝐶 sont fixées
:

𝐿
𝑅𝑐 = 2√
𝐶

Réponse à un échelon de tension


On suppose, à présent, le circuit soumis, à l’instant t, à une tension Ve(t), passant d’une
valeur nulle à une valeur E0 à l’instant t = 0.
Le condensateur sera supposé préalablement déchargé, et aucun courant ne traverse le
circuit initialement : autrement dit, Uc(0) = 0 et i(0) = dUc/dt (0) = 0.
Dans ce cas, la fonction t➔E0 est une solution particulière de l’équation différentielle.
La tension Uc(t) aux bornes du condensateur à l’instant t peut donc s’écrire comme la
somme d’une des solutions décrites précédemment et de E0.
Par exemple, dans le cas où Q > ½ (amortissement « faible ») :
- Il existe (λ,μ)Є𝑅2 tel que pour 𝑡 ≥ 0 :
𝜔
− 0
𝑢𝑐 (𝑡 ) = 𝐸0 + 𝑒 2𝑄 (𝜆 cos(𝜔𝑡 ) + 𝜇 sin(𝜔𝑡)).
- Comme 𝑢𝑐 (0) = 0, 𝜆 = −𝐸0
𝑑𝑢𝑐 (0) 𝐸0 𝜔0
- Puisque = 0 ,𝜇 = − ∗
𝑑𝑡 2𝑄 𝜔

Ainsi dans ce cas, pour tous 𝑡 ≥ 0 :

28
𝜔 𝜔0
− 0𝑡
𝑢𝑐 (𝑡) = 𝐸0 (1 − 𝑒 2𝑄 (cos(𝜔𝑡) + sin(𝜔𝑡)))
2𝑄𝜔

NB : De nouveau, la réponse du circuit considéré à un échelon de tension passe par un


régime transitoire (qui est décrit par la résolution de l’équation homogène), qui laisse
ensuite place au régime établi (qui n’est autre que la solution particulière).
1.2 Réponse harmonique :
Fonction de transfert forme normalise :
1
𝐻 (𝑗𝜔) =
𝑗𝜔 𝑗𝜔 2
1 + 2𝑚 +( )
𝜔0 𝜔0
𝜔
On posera 𝑢 = la pulsation réduit :
𝜔0

• Etude asymptotique
- Aux basses fréquences : u➔0
Gain : H → 1 ; G → 0 dB (la droite G=0 est asymptote à la courbe de gain).
Phase :𝜑 = arg(𝐻 ) → arctan(0) 𝑑𝑜𝑛𝑐 𝜑 → 0 (la droite 𝜑 = 0 est asymptote à la courbe
de phase).
- Aux fréquences élevées : u➔infinie
1 1
Gain : H → − ; G → 20 log ( 2) = −40log (u) dB (pente asymptotique de -40 dB
u2 u

par décade).
Phase :𝜑 = arg(𝐻 ) → −𝜋 (la droite 𝜑 = −𝜋 est asymptote à la courbe de phase).
- Point particulier : u=1➔𝜔 = 𝜔0
Gain : G = −20 log(2m) cette valeur dépend de m, une étude plus précise s’impose.
𝜋 𝜋
Phase :𝜑 = − (la phase 𝜑 = − pour 𝜔 = 𝜔0 )
2 2

• Etude réelle paramétrée en m :

29
Après l'étude asymptotique, l'étude de la position réelle de la courbe apporte des résultats
supplémentaires (position de la courbe de gain par rapport aux asymptotes). Cette étude
est discutée suivant le paramètre m.
- Position de la courbe réelle par rapport aux asymptotes :
1
✓ La position de |𝐻| = 𝐻 = par rapport a 1 montre deux domaines :
√(1−𝑢2 )2 +4𝑚2 𝑢2

➢ Si H > 1, le gain est positif : la courbe réelle est au-dessus de ses


asymptotes, elle passe donc nécessairement par un maximum.
➢ Si H<1, le gain est négatif : la courbe réelle est au-dessous de ses
asymptotes sans passage par un extremum.
✓ Le point limite correspond a (1 − 𝑢2 )2 + 4𝑚2 𝑢2 = 1 .
• Existence et localisation d’un extremum :
✓ Il est préférable de travailler avec H plutôt qu'avec G : 𝐻 = ((1 − 𝑢2 )2 +
1 1
4𝑚2 𝑢2 )−2 = 𝑋 −2
𝑑𝐻 1 𝑑𝑋 3 𝑑𝑋
✓ Un extremum existe si =− 𝑋 −2 = 0 , c’est-a-dire = 0 car X est nul.
𝑑𝑢 2 𝑑𝑢 𝑑𝑢

Donc u=0 ou 𝑢2 = 1 − 2𝑚2


√2
Un extremum existe si m < . Il est situé en 𝑢𝑟 = √1 − 2𝑚2 c’est-à-dire 𝜔𝑟 =
2

𝜔0 √1 − 2𝑚2 . 𝜔𝑟 est appelée pulsation de résonance.


1
Le module H, en ce point, a pour valeur : 𝐻𝑚𝑎𝑥 = , appelé facteur résonance.
2𝑚√1−𝑚2

• Position des courbes réelles par rapport aux asymptotes :


√2
✓ Lorsqu'il y a résonance (𝑚 < ), la courbe réelle est placée au-dessus de ses
2

√2
asymptotes. Dans le cas amorti (𝑚 ≥ ), la courbe réelle est au-dessous de
2

ses asymptotes.

Diagramme de Bode :

30
• Utilisation des abaques représentant les réponses normalisées
Pour identifier le paramètre m d'une réponse du deuxième ordre ou observer la réponse
sans étudier ou tracer les courbes, on peut utiliser les abaques normalisés (voir figures
ci-dessous).

31
Toute fonction de transfert se décompose en produits de termes d'ordre 1 ou 2
apparaissant au numérateur ou au dénominateur. Le diagramme asymptotique de toute
fonction de transfert peut par conséquent être établi à partir des diagrammes des
expressions d'ordre 1 et 2.

Simulations
Nouveau projet :

Le montage final

32
L’allures des courbe des tension de d’entrée et de sortie

Le montage avec une source de tension alternative

Simulation:

33
Diagramme de bode :

Interprétation : On voit que la même chose entre la partie théorique et la partie pratique

Soit par le gain soit par la phase

Phase

34
2- Filtre seconde ordre :
Le montage réalisé

Placement des sondes :

35
Graphe :

Dépassement :

Simulation de la réponse harmonique :


Le montage

36
Placement des sondes

Graphe :

37
Phase :

FILTRE en T :
Le montage

38
Le diagramme de bode

Phase :

Conclusion
On a trouvé les mêmes résultats entre la partie pratique et la partie théorique

39
TP3
40
Introduction
Le but de ce TP est d’apprendre à utiliser le logiciel ORCAD afin de pouvoir simuler
le fonctionnement des circuits électrique.

Nous pourrons réaliser ces simulations suivant différents en fonction du résultat et


l’étude que l’on souhaite réaliser.

La Programmation est réalisée à partir de la définition des nœuds dans un circuit et


des valeurs des composants utilisée.

Etude théorique
Dans l’étude théorique on va étudiera chaque montage de chaque des parties, le
traçage des courbes de sortie on fonction de l’entrée.

1- Diode :
a- Définition :
La diode est un élément actif comportant deux électrodes désignées généralement par
anode et cathode. La diode PN résulte de la jonction de deux éléments semi-conducteurs
généralement en silicium. L’un des éléments a subit un dopage type P, l’autre un dopage
type N. A cause des propriétés particulières des semi-conducteurs, la circulation du
courant à travers la jonction ne peut s’effectuer que dans le sens 𝑃 → 𝑁.

Figure : Constitution et symbole d’une diode a jonction PN

b- Courbe caractéristique :
En examinant en détail la relation courant-tension d’une jonction polarisée, on
constate que le courant obéit à la tension appliquée selon la loi exponentielle suivante :
𝑽𝑫
𝑰𝑫 = 𝑰𝒔 (𝒆𝒏𝑽𝑻 − 𝟏)

41
Le courant Is est appelé courant inverse de saturation. C’est la valeur asymptotique
du courant traversant la jonction en polarisation inverse.
𝐾𝑇
𝑉𝑇 est la tension thermodynamique qui vaut 𝑉𝑇 = ≈ 26𝑚𝑉 𝑎 25℃ (𝑞 = 1.6 ∗
𝑞

10−19 𝐶, 𝐾 = 1.23 ∗ 10−23 𝐽/°𝐾.

n est le coefficient d’émission. Il dépend du matériau, voisin de 1 dans les jonctions de


transistors au silicium et dans les diodes au germanium, et compris entre 1 et 2 dans les
diodes au silicium.

La caractéristique courant-tension (1) peut être approximée convenablement par la


relation
𝑉𝐷
𝐼𝐷 ≈ 𝐼𝑠 𝑒 𝑛𝑉𝑇 dans le cas où la tension VD excède 100mA.
c- Principe de fonctionnement :
Le principe de fonctionnement de la diode à jonction peut être expliqué en se basant
sur la caractéristique courant-tension

2- Transistor :
a- Définition :
Le transistor est un composant électronique qui est utilisé dans la plupart des circuits
électroniques (circuits logiques, amplificateur, stabilisateur de tension, modulation de
signal, etc.) aussi bien en basse qu'en haute tension.
Un transistor est un dispositif semi-conducteur à trois électrodes actives, qui permet de
contrôler un courant ou une tension sur l'électrode de sortie (le collecteur pour le
42
transistor bipolaire et le drain sur un transistor à effet de champ) grâce à une électrode
d'entrée (la base sur un transistor bipolaire et la grille pour un transistor à effet de
champ).
C'est un composant fondamental des appareils électroniques et des circuits logiques.

b- Caractéristiques électriques :
• Montages de base :

Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune à
l'entrée et à la sortie du montage, il y a 3 manières fondamentales de procéder :
La patte commune est l'émetteur : on parle de montage émetteur commun. L'entrée est
la base et la sortie le collecteur.
La patte commune est la base : on parle de montage base commune. L'entrée est
l'émetteur et la sortie le collecteur.
La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun. L'entrée
est la base et la sortie l'émetteur.
• Schéma de mesure des caractéristiques :

Les caractéristiques qui suivent sont données pour un montage émetteur commun. Le
schéma le plus simple est le suivant :

Dans ce schéma, la base est polarisée en direct par la résistance de base Rb : le potentiel
de la base est alors de 0,7V environ, car l'émetteur est à la masse et la jonction base
émetteur est l'équivalent d'une diode passante.
Le collecteur est lui polarisé par la résistance de collecteur Rc de telle manière que la
tension du collecteur soit supérieure à la tension de la base : la jonction base collecteur
est alors polarisée en inverse.
On polarise donc convenablement le transistor avec une simple alimentation et deux
résistances. Dans ce montage, l'entrée est la base et la sortie est le collecteur.

43
L'entrée est caractérisée par les deux grandeurs IB et VBE, et la sortie par les grandeurs
IC et VCE, soit 4 variables.
Caractéristiques d’entrée :
La caractéristique d'entrée du transistor est donnée par la relation IB = f (VBE) @ VCE
= cte.
En fait, le circuit d'entrée est la jonction base émetteur du transistor, soit une jonction
diode.
Cette caractéristique va dépendre très peu de la tension collectrice émetteur : on la donne
en général pour une seule valeur de VCE. La courbe est la suivante :

La tension VBE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du transistor (courant
de base inférieur au mA). Cette valeur est donc légèrement supérieure à celle d'une
jonction de diode.
• Caractéristique de transfert :
La caractéristique de transfert est définie par la relation IC = f (IB) @ VCE = cte.
Le courant d'émetteur est proportionnel au courant de base

La caractéristique de transfert est donc une droite ; le transistor est un générateur de


courant commandé par un courant.
Si on considère le courant de fuite ICEO, la caractéristique ne passe pas par l'origine,
car IC = ICEO pour IB = 0.

44
Le 𝛽 du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 5 à 10 pour
des transistors de grosse puissance, 30 à 80 pour des transistors de moyenne puissance,
et de 100 à 500 pour des transistors de signal.
• Caractéristique de sortie :
La caractéristique de sortie du transistor est définie par la relation IC = f (VCE) @ IB =
cte. En pratique, on donne un réseau de caractéristiques pour plusieurs valeurs de IB.

Sur ces caractéristiques de sortie, on distingue deux zones :


Une zone importante où le courant IC dépend très peu de VCE à IB donné : cette
caractéristique est celle d'un générateur de courant à résistance interne utilisé en
récepteur. Dans le cas des transistors petits signaux, cette résistance est très grande : en
première approche, on considérera que la sortie de ce montage à transistor est un
générateur de courant parfait.
La zone des faibles tensions VCE (0 à quelques volts en fonction du transistor) est
différente. C'est la zone de saturation. Quand la tension collecteur-émetteur diminue
pour devenir très faible, la jonction collecteur-base cesse d'être polarisée en inverse, et
l'effet transistor décroît alors très rapidement. A la limite, la jonction collecteur-base
devient aussi polarisée en direct : on n'a plus un transistor, mais l'équivalent de deux
diodes en parallèle. On a une caractéristique ohmique déterminée principalement par la
résistivité du silicium du collecteur. Les tensions de saturation sont toujours définies à
un courant collecteur donné : elles varient de 50mV pour des transistors de signal à des
courants d'environ 10mA, à 500mV pour les mêmes transistors utilisés au maximum de
leurs possibilités (100 à 300 mA), et atteignent 1 à 3V pour des transistors de puissance
à des courants de l'ordre de 10A.
• Limites d’utilisation

45
Le transistor pourra fonctionner sans casser à l'intérieur d'un domaine d'utilisation bien
déterminé.
Ce domaine sera limité par trois paramètres :
Le courant collecteur maxi ICMax. Le dépassement n'est pas immédiatement destructif,
mais le gain en courant va chuter fortement, ce qui rend le transistor peu intéressant dans
cette zone.
La tension de claquage VCEMax : au-delà de cette tension, le courant de collecteur croît
très rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur du transistor.
La puissance maxi que peut supporter le transistor, et qui va être représentée par une
hyperbole sur le graphique, car on a la relation :
𝑷𝑻𝑴𝒂𝒙
𝑷𝑻𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝑪𝑬 ∗ 𝑰𝑪 → 𝑰𝑪 =
𝑽𝑪𝑬

Toute la zone hachurée sur la caractéristique de sortie du transistor est donc interdite.
c- Illustration de l’effet amplificateur

La figure illustre les caractéristiques du transistor l’effet amplificateur. En effet, la


variation de la tension 𝑉𝑏𝑒 = 𝑉𝑒 autour de la tension 𝑉𝐵𝐸 𝑟𝑒𝑝𝑜𝑠 de 0.618 V, entraine une
variation du courant de collecteur autour de sa valeur de repos soit 6.5 mA, compte-tenu
de la droite de charge dynamique, on obtient des
variations de la tension 𝑉𝐶𝐸 de part et d’autre de
sa valeur de repos 6.35V. La tension sinusoïdale
de sortie 𝑉𝑠 est donc en opposition de phase et
amplitude beaucoup plus grande que celle de 𝑉𝑒 .
Cependant l’amplitude de la tension d’entrée 𝑉𝑒
doit être faible sous peine de voir apparaitre une

46
distorsion de la tension de sortie 𝑉𝑠 . En effet, si on augment l’amplitude de 𝑉𝑏𝑒 . La non-
linéarité de la caractéristique d’entrée va produire une tension de sortie non sinusoïdale.
En résume, pour être en régime linéaire, on doit se contenter d’appliquer des petites
variations sinusoïdales a l’entrée du montage.
Dans tous les cas, la tension de sortie 𝑉𝑠 ne peut pas dépasser les deux limites qui
correspondent au blocage et a la saturation du transistor.

Simulations
1- DIODE

Le montage réalisé

Il s’agit de tracer les caractéristiques directes et inverses de la diode pour différentes


température

47
La diode est alimentée par une source de tension que l’on fera varier de 0 à 1.3V. Représenter
la caractéristique directe pour trois températures différentes : T=-55°C, T=25°C et T=125°C

La simulation

Pour les trois valeurs de température, observer le phénomène de claquage en traçant I =


f(VAK), VAK <0

48
1- TRANSISTOR BIPOLAIRE

Le montage réalisé

49
La simulation

50
2- Amplificateur

On souhaite réaliser un amplificateur à transistor bipolaire. Il s’agit du montage émetteur


commun à sortie sur collecteur, voilà le montage

la sortie pour une amplitude d’entrée de 200mV ,500mV

51
Conclusion
On voit que si je diminue la phase la tension devient purement sinusoïdale

52
TP4

53
Introduction
Ce TP a pour objectif d’observer le comportement de l’amplificateur par le biais de
ses montages fondamentaux. Donc de découvrir les fonctions qu’il peut réaliser mais
aussi ses limites d’utilisation.

Et de bien différencier les types de fonctionnements que peut avoir l’amplificateur,


la réaction et la contre-réaction. Pour cela quelques notions théoriques sont nécessaires
: Schéma d’un amplificateur opérationnel idéal Soit les caractéristiques suivantes : 0A
+ i = - i=0 car l’amplificateur possède une impédance d’entrée infinie. Et si il fonctionne
en régime linéaire alors nous pouvons dire que + V= - V .

Etude théorique
Dans l’étude théorique on va étudiera chaque montage de chaque des 5 parties, le
traçage des courbes de sortie on fonction de l’entrée.

Partie 1 : Amplificateur non inverseur.

Analyse du fonctionnement.
L'amplificateur non inverseur
est un amplificateur de base. Pour
calculer le gain en tension, on va se
servir de l’équation :
V+=V-
On applique le diviseur de tension
pour calculer la tension V+ ;
𝑅2
𝑉+ = 𝑉
𝑅2 + 𝑅1 𝑆
𝑅2 𝑅1
Donc : 𝑉 − = 𝑉𝑒 = 𝑉 ⇒ 𝑇0 = 1 +
𝑅2 +𝑅1 𝑆 𝑅2

Le gain est non seulement positif (ampli non inverseur), mais il est aussi toujours
supérieur à 1, alors que l'ampli non inverseur autorisait un gain (en valeur absolue)
inférieur à 1, soit une atténuation. Notons que pour un ampli, cette caractéristique n'est
pas trop gênante...

54
Pour ce qui est de l'impédance d'entrée, on attaque directement l'entrée de l'ampli :
elle sera donc infinie dans le cas d'un AOP, et très grande dans tous les cas ; de plus, elle
ne dépend pas du gain choisi, ce qui laisse plus de latitude dans le choix de R1 et R2 pour
régler le gain que dans le cas du montage inverseur. L'impédance de sortie est nulle :

Partie 2 : Amplificateur inverseur :

Le gain théorique en tension d’un amplificateur inverseur est : -R2/R1


R2/R1 et provoque un déphasage entre la tension d’entrée et la tension de sortie de 180°.

Parte 3 : Sommateur

L’amplificateur fonctionne en régime


linéaire donc V+=V- avec V+=0
Alors : V-=0 ;
Appliquons le théorème de Millman
sur la tension v- ;
𝑉𝑒1+𝑉𝑒2+ 𝑉𝑠
V- = 𝑅1 1 𝑅12 𝑅2 =0
+
𝑅2 𝑅1

Donc
𝑅2
Vs=− (𝑉𝑒1 + 𝑉𝑒2)
𝑅1

Partie 4 : soustracteur

55
L’amplificateur fonctionne en régime linéaire donc V+= V- :
Le gain d’amplification :
On applique le théorème de Millman
sur la tension V- ;
𝑉𝑒1+ 𝑉𝑠
V-= 𝑅1
1+1
𝑅2
𝑅2 𝑅1
On applique le diviseur de tension aux
bornes de V+ et GND on trouve que :
𝑅2
V+= ∗ 𝑉𝑒2
𝑅1+𝑅2

V+=V- → Ve1*R2+Vs*R1=Ve2*R2 → Vs=(R2/R1) *(Ve2-Ve1)

Partie 5 : intégrateur
Ona la contre réaction donc l’amplificateur fonctionne en régime linéaire donc : V+=V-
On applique le théorème de
Millman sur la tension V- :
𝑉𝑒 𝑉𝑠
+
𝑅1 𝑍𝑐
V-= 1 1 avec V-=V+=0
+
𝑅1 𝑍𝑐

→ vs=(1/jCR1w)*Ve →
1
Vs=
𝑅1𝐶
∫ 𝑉𝑒

Ce montage ne peut pas fonctionner correctement s’il est utilisé seul, en effet la moindre
tension. continue présente en entrée (ou une tension de défaut) va entraîner
l’amplificateur opérationnel en saturation. On peut aussi voir le problème à partir de la
fonction de transfert : lorsque la fréquence tend vers 0 la fonction de transfert devient
infiniment grande. (On peut aussi dire qu’en très basses fréquences l’impédance du
condensateur devient très grande, ce qui revient donc à un montage en boucle ouverte)
Pour mettre le problème simulez-le avec une tension sinusoïdale Ve « 1Vpp 1kHz ».
Expliquer.

56
Pour limiter l’amplification en basses fréquences on ajoute une résistance R2 en
parallèle avec le condensateur C : on obtient alors le montage « intégrateur corrigé » :
Dans les bases fréquences le montage fonctionne comme l’inverseur

Simulations
Partie 1 : non inverseur.

En considérant un modèle idéal


d’amplificateur opérationnel, on
trouve une amplification égale à : T0 =(R1+R2) /R1 ; pour des valeurs raisonnables de
T0 , il n’y a pas de problème en basses fréquences. On prendra par exemple : R1 = 10
kΩ et R2 = 100 kΩ
Amplification en basses fréquences.
Avec Ve une tension sinusoïdale d’amplitude 1V (2Vpp) et de fréquence 1kHz,
simuler le montage et relever en concordance de temps les tensions Ve et Vs ; en
déduire la valeur de l’amplification en basses fréquences.

57
Observation de la saturation.
Simuler votre montage en augmentant progressivement l’amplitude de Ve et
visualiser le phénomène qui apparaît (saturation).

58
La caractéristique de transfert du montage Vs=f(Ve).

Partie 2 : Amplificateur inverseur.


Schéma réaliser :

Les graphes :

59
Partie 3 : Sommateur
Le schéma final avec l’emplacement des sondes :

Visualisation du signal d’entré é et de sortie :

Partie 4 : Soustracteur
Le schéma final avec l’emplacement des sondes :

60
Visualisation du signal :

Partie 5 : Intégrateur

Voilà le montage d’un intégrateur avec l’emplacement des sondes :

61
Pour limiter l’amplification en basses fréquences on ajoute une résistance R2 en
parallèle avec le condensateur C : on obtient alors le montage « intégrateur corrigé » :

Le graphe d’un intégrateur corrigé :

62
Conclusion :
- Le signal de sortie est donc au gain près l’inverse du signal d’entrée.
- Ce type d’alimentation sera utilisé si la sortie doit évoluer en valeur positive et négative
(par exemple lors de l ‘amplification d’un signal alternatif).
Entrée à très haute impédance, et sortie à très faible impédance. Montage idéal pour
réaliser un adaptateur d'impédance, et particulièrement apprécié quand il s'agit de
prélever un signal sur une source dont l'impédance de sortie est très élevée. Comme la
contre-réaction est totale (la totalité du signal de sortie est réinjecté sur l'entrée
inverseuse).
- Lorsque l’on charge un montage par un autre, l’interaction des impédances des
montage amont et aval altère la tension E prélevée. Et, alors Vc devient différent de E.
Pour l’op intégrateur : Diminuer le gain de ce montage aux hautes fréquences
(fréquences auxquelles apparaissent les perturbations.

63