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Technische Information /

technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT190N16SOF

Key Parameters
VDRM / VRRM 1600 V
ITAVM 190 A (TC=85 °C)
ITSM 5200
3570AA(TC=55°C)
VT0 0,85 V
rT 0,9 mΩ
RthJC 0,145 K/W
Base plate 34 mm
Weight 165 g

For type designation please refer to actual


short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale Features
 Löt-Bond Technologie  Solder-Bond Technology
 Industrie-Standard-Gehäuse  Industrial standard package
 Elektrisch isolierte Bodenplatte  Electrically insulated base plate

Typische Anwendungen Typical Applications


 Sanftanlasser  Soft starter
 Gleichrichter für Antriebsapplikationen  Rectifier for drives applications
 Leistungssteller  Power controllers
 Gleichrichter für UPS  Rectifiers for UPS
 Batterieladegleichrichter  Battery chargers
 Statische Umschalter  Static switches

content of customer DMX code DMX code DMX code


digit digit quantity
type designation 1..18 18
serial number 19..23 5
internal production order number 24..31 8 TT TD
material number 32..41 10
date code (YY/WW) 42..45 4
add on for date code 46 1
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com

Date of Publication 2017-06-14 Revision: 3.2 Seite/page 1/11


Technische Information /
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT190N16SOF
TT190N16SOF TD190N16SOF

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties


Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM 1600 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDSM 1600 V


non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1700 V
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert ITRMSM 275 A
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85°C ITAVM 190 A
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tP = 10ms ITSM 5200 A
surge current Tvj = Tvj max, tP = 10ms 4500 A
Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tP = 10ms I²t 135200 A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tP = 10ms 101250 A²s
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)cr 100 A/µs
critical rate of rise of on-state current f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr 1000 V/µs
critical rate of rise of off-state voltage 6.Kennbuchstabe / 6th letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values


Durchlaßspannung Tvj = Tvj max , iT = 500 A vT max. 1,52 V
on-state voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) max. 0,85 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT max. 0,9 mΩ
slope resistance
Zündstrom Tvj = 25°C, vD = 12V IGT max. 145 mA
gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25°C, vD = 12V VGT max. 2,5 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max , vD = 12V IGD max. 10 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM max. 5 mA
Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω IH max. 200 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω IL max. 400 mA
latching current iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max iD, iR max. 30 mA
forward off-state and reverse current vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug DIN IEC 747-6 tgd max. 2 µs
gate controlled delay time Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs

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approved by: MS Revision: 3.2

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT190N16SOF
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq
circuit commutated turn-off time vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
Thermische Eigenschaften 5.Kennbuchstabe / 5th letter O typ. 320 µs

Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1min VISOL 3,0 kV


insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1sec 3,6 kV

Thermische Eigenschaften / Thermal properties


Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC max. 0,0825 K/W
thermal resistance, junction to case pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin max. 0,165 K/W
pro Modul / per Module, DC max. 0,0725 K/W
pro Zweig / per arm, DC max. 0,145 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per Module RthCH max. 0,04 K/W
thermal resistance, case to heatsink pro Zweig / per arm max. 0,08 K/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 °C


maximum junction temperature

Mechanische Eigenschaften
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op -40...+125 °C

Lagertemperatur Tstg -40...+125 °C


storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties


Gehäuse, siehe Anlage Seite 4
case, see annex page 4
Innere Isolation Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) Al2O3
internal insulation Basic insulation (class 1, IEC61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse Toleranz / Tolerance ± 15% M1 5 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse Toleranz / Tolerance ± 10% M2 5 Nm
terminal connection torque
Steueranschlüsse DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
control terminals
Gewicht G typ. 165 g
weight
Kriechstrecke 10 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s²
vibration resistance
file-No. E 83335

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d
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1 2 3 1 2 3
5 4 7 6 5 4

TT TD

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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC


Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [K/W] 0,0669 0,0024648 0,0674976 0,0076896

τn [s] 0,035107 0,035092 0,034917 0,001473

n max


–t
Analytische Funktion / Analytical function: Z thJC  R thn 1 - e n
n=1

Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin

Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

ΔZth Θ rec
0,02709 0,04187 0,05259 0,06819 0,09344
[K/W]

ΔZth Θ sin
0,02071 0,02767 0,03665 0,05160 0,08004
[K/W]

Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec


Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin

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Diagramme
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Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Durchgangsverluste
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V


Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :

a – 20W/10ms b - 60W/500µs c - 120W/30µs

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Gehäusetemperatur bei Rechteck

Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)


Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM)


Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D

B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
P tot [W]

R thCA [K/W] B6 ID
0,10
+
2000 0,12
0,15 3~

0,20 -
1500
0,25
0,30

0,40
1000
0,50
0,60
,

0,80
500 1,00
1,50
2,00

0
10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400 500
T A [°C] ID [A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D

B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

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Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

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Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)

Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM

Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM

a: Leerlauf / No-load conditions


b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling

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