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Erste Prototypen und Muster von Memristoren wurden im Jahr 2007 hergestellt und in den

Folgejahren Schaltungskombinationen wie Memtransistoren entwickelt. Mit Stand von 2013 sind


praktische Anwendungen nicht absehbar.[16] Es ist jedoch denkbar, dass Memristoren – in
Bereichen, bei denen keine Verstärkung benötigt wird – Transistoren ersetzen könnten. Der
praktische Nachweis dieser Ablöse in Form von am Markt verfügbaren Memristoren fehlt allerdings.

Im Mai 2008 waren die Wissenschaftler bei Hewlett-Packard in den 15-Nanometer-Bereich


vorgestoßen.

Patente auf Memristoren beinhalten Anwendungen auf den Gebieten der programmierbaren


Logik[17], der elektronischen Signalverarbeitung[18], künstlichen neuronalen Netzwerken[19] und
von Steuerungssystemen[20].

Neuristoren[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

In Form von Neuristoren soll es Memristoren möglich sein, wie biologische Synapsen zu


funktionieren und prädestinieren sie angeblich für Anwendungen im Bereich der Künstlichen
Intelligenz.[21]

Speicher[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Die Stromaufnahme bei Speichern mit Memristoren als Speicherelement ist weit geringer als die
Stromaufnahme herkömmlicher DRAM-Chips. Allerdings erreichen die nicht-flüchtigen Memristoren
derzeit erst rund ein Zehntel der Geschwindigkeit der Letzteren. Ein weiterer Vorteil ist die
hohe Packungsdichte. Der von HP vorgestellte „Crossbar“-Speicher hat eine Packungsdichte von
100 Gibit/cm², während die im selben Zeitraum verfügbaren Speicher eine Dichte von 16 Gibit/cm²
aufweisen. Memristoren können mit denselben Prozessen wie auch Halbleiterstrukturen gefertigt
werden und lassen sich daher in mikroelektronischen Schaltungen integrieren.

Neben der viel geringeren Stromaufnahme würden Rechner, die mit Memristoren ausgestattet sind,
u. a. auch den Vorteil bieten, nach dem Einschalten ohne Booten sofort betriebsbereit zu sein.
[22] Der Memristor behält seinen Speicherinhalt, wenn er mit Hilfe von Wechselstrom ausgelesen
wird.[23]

Im Jahre 2007 wurde unter Richard Stanley Williams erstmals eine statische Version des Memristors
hergestellt.[13][14] Dieser Memristor speichert seinen Zustand in chemischer Form durch
Einlagerung von Dotieratomen in einem Halbleiter.

Der von Hewlett-Packard hergestellte Memristor besteht aus einer wenige Nanometer


dicken Titandioxid-Schicht zwischen zwei Platinelektroden. Der rechte im Bild eingefärbte Teil der
Titandioxidschicht ist mit Sauerstofffehlstellen dotiert (p-Dotierung) und weist eine hohe elektrische
Leitfähigkeit auf. Der linke Teil der Titandioxidschicht ist ein Isolator. Wenn ein elektrisches Feld
angelegt wird, driften die Sauerstoff-Fehlstellen, wodurch sich die Raumladungszone verschiebt.
[15] Dadurch verringert sich die Dicke der Isolationsschicht. Mit kleiner werdender Dicke der
Isolationsschicht vergrößert sich die Leitfähigkeit des Memristors, wobei
der Tunneleffekt (Feldemission) eine wesentliche Rolle spielt.

Experimentell zeichnet sich ein solcher Memristor in einem u/i-Diagramm durch eine Hysteresekurve
aus, die fast durch den Koordinatennullpunkt verläuft (pinched hysteresis loop), siehe
nebenstehende Skizze. Der Zustand des Memristors ist durch den Ort der Trennlinie zwischen den
verschieden dotierten Bereichen gekennzeichnet.

Der Memristor der Rice University von 2010 zeichnet sich durch einen noch einfacheren Aufbau aus.
Er besteht aus einer 5 bis 20 Nanometer dicken Siliziumdioxidschicht zwischen leitend dotierten
Siliziumschichten. Eine ursprünglich als eigentlich aktive vorgesehene, zusätzliche Schicht
aus Graphen erwies sich als überflüssig. Das Bauelement braucht dann nur noch zwei Anschlüsse wie
ein Widerstand (im Gegensatz zu dreien bei einer Flash-Speicherzelle) und kann auf einer Fläche von
ca. 10 Nanometer Kantenlänge und aufgrund der einfachen Struktur extrem preiswert realisiert
werden. Die Funktion besteht darin, dass sich in der Oxidschicht bei Anlegen der
Programmierspannung Pfade aus reinen Siliziumnanokristallen (ohne den Sauerstoff, Kristalle je ca.
5 Nanometer lang) zu einer leitenden Struktur arrangieren, die durch eine andere Spannung wieder
reproduzierbar und wiederholt zerstört werden kann.

Stromlos ist die Spannung null und der Widerstand bleibt erhalten. Der Memristor wurde neben
dem Widerstand, dem Kondensator und der Spule als viertes fundamentales passives Bauelement
angesehen. Es wurde jedoch gezeigt, dass es nur drei fundamentale passive Bauelemente geben
kann und der Memristor ein aktives Bauelement ist.[1][2]

Als Memristoren werden auch verschiedene in der Entwicklung befindliche[3] Bauelemente


bezeichnet, die sich näherungsweise so wie postuliert verhalten. Integrierte Schaltungen mit vielen
solchen Elementen sollen Datenverarbeitung und -Speicherung vereinen und sich für neuronale
Netze eignen.[4]